JP2003161281A - Vacuum treatment device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高背圧型の真空ポ
ンプを有する真空処理装置に関し、特にたとえば半導体
製造工程等において、半導体ウエハ等の被処理基板を真
空雰囲気で処理する真空処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum processing apparatus having a high back pressure type vacuum pump, and more particularly to a vacuum processing apparatus for processing a substrate such as a semiconductor wafer in a vacuum atmosphere in a semiconductor manufacturing process or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図６に、プラズマエッチングに使われて
いる従来の典型的なプラズマエッチング装置１の構成を
示す。図６を参照して、プラズマエッチング装置１は、
処理室２を含み、この処理室２に、たとえばＣＦ系の処
理ガスが供給され、処理室２内の図示しない電極に高周
波電力が印加されて、処理室２内の被処理基板にエッチ
ングがなされる。このように、半導体製造工程において
は、真空引き可能な処理室内に半導体ウエハを搬入し、
真空雰囲気で、エッチング処理、成膜処理等が施され
る。そして、真空処理においては、真空ポンプとしてタ
ーボ分子ポンプなどの排気装置Ｐが用いられる。2. Description of the Related Art FIG. 6 shows the structure of a typical conventional plasma etching apparatus 1 used for plasma etching. Referring to FIG. 6, the plasma etching apparatus 1 is
The processing chamber 2 is included, and for example, a CF-based processing gas is supplied to the processing chamber 2, high-frequency power is applied to an electrode (not shown) in the processing chamber 2, and the substrate to be processed in the processing chamber 2 is etched. It In this way, in the semiconductor manufacturing process, the semiconductor wafer is loaded into the processing chamber that can be evacuated,
Etching treatment, film forming treatment, and the like are performed in a vacuum atmosphere. In the vacuum processing, an exhaust device P such as a turbo molecular pump is used as a vacuum pump.
【０００３】上記排気装置Ｐは、排気管路３を介して処
理室２の底部に接続された自動圧力制御器４と、自動圧
力制御器４に接続されたターボ分子ポンプなどの主真空
ポンプ５と、主真空ポンプ５に配管６を介して接続され
た補助真空ポンプ７と、から構成されている。これらの
ポンプ５，７により、処理室２は所定の減圧雰囲気に真
空引きされる。The exhaust device P is an automatic pressure controller 4 connected to the bottom of the processing chamber 2 via an exhaust pipe 3, and a main vacuum pump 5 such as a turbo molecular pump connected to the automatic pressure controller 4. And an auxiliary vacuum pump 7 connected to the main vacuum pump 5 via a pipe 6. The processing chamber 2 is evacuated to a predetermined reduced pressure atmosphere by these pumps 5 and 7.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述のように、主真空
ポンプ５の排出口側に補助真空ポンプ７を直列に接続し
て、主真空ポンプ５の排出口側を補助真空ポンプ７によ
り得られる真空にしておくことによって、主真空ポンプ
５を効率的に動作させることができる。そして、主真空
ポンプ５の排気性能を維持するため、一般的に、主真空
ポンプ５の排出口（背圧）側は約１３３Ｐａ未満に設定
する必要がある。As described above, the auxiliary vacuum pump 7 is connected in series to the discharge side of the main vacuum pump 5, and the discharge side of the main vacuum pump 5 is obtained by the auxiliary vacuum pump 7. By keeping a vacuum, the main vacuum pump 5 can be efficiently operated. In order to maintain the exhaust performance of the main vacuum pump 5, it is generally necessary to set the discharge side (back pressure) side of the main vacuum pump 5 to less than about 133 Pa.
【０００５】したがって、主真空ポンプ５の後段に配置
する補助真空ポンプ７として、排気速度３０００Ｌ／ｍ
ｉｎクラスの大型のものを用いる必要があり、ポンプの
冷却水や駆動エネルギを多く必要とする問題があるのに
加えて、補助真空ポンプ７をクリーンルーム８とは別室
のポンプ室等に設置するために、ポンプ室等のスペース
を特別に必要としたり、主真空ポンプ５と補助真空ポン
プ７とを接続する配管６を長く必要としたり、所望のコ
ンダクタンスを得るために、配管６を大口径化する必要
がある等の問題を生じていた。また、配管６が、大口径
かつ極めて長いために、メンテナンス性に劣るととも
に、各真空処理装置毎にコンダクタンスが相違するなど
の装置間差を生じる恐れがあった。Therefore, as the auxiliary vacuum pump 7 arranged after the main vacuum pump 5, the pumping speed is 3000 L / m.
In addition to the problem that it is necessary to use a large in-class one, which requires a large amount of cooling water and driving energy for the pump, and the auxiliary vacuum pump 7 is installed in a pump room or the like separate from the clean room 8. In addition, a space such as a pump chamber is specially required, a pipe 6 connecting the main vacuum pump 5 and the auxiliary vacuum pump 7 is required to be long, and the pipe 6 has a large diameter in order to obtain a desired conductance. It caused problems such as the necessity. In addition, since the pipe 6 has a large diameter and is extremely long, the maintainability is poor, and there is a possibility that differences may occur between the vacuum processing devices such as different conductances.
【０００６】本発明の目的は、補助真空ポンプを小型化
あるいは削除して、省エネルギー、省スペース化を図る
とともに、排気装置の占有床面積を低減することによ
り、装置全体の小型化を図ることができる真空処理装置
を提供することにある。さらに別の目的は、排気ライン
を簡略化して、メンテナンス性の向上を図るとともに、
コンダクタンスばらつきが起因する装置間差をなくすこ
とができる真空処理装置を提供することにある。An object of the present invention is to miniaturize or eliminate the auxiliary vacuum pump to save energy and space, and to reduce the floor space occupied by the exhaust system, thereby reducing the size of the entire system. It is to provide a vacuum processing device capable of performing. Yet another object is to simplify the exhaust line to improve maintainability and
It is an object of the present invention to provide a vacuum processing apparatus capable of eliminating a difference between apparatuses due to variations in conductance.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、請求項１記載の排気装置は、被処理体を真空雰囲
気で処理する処理室と、吸入口側が処理室に接続され、
処理室を真空に排気する主真空ポンプと、主真空ポンプ
に接続され、主真空ポンプの排出口側を真空に排気する
補助真空ポンプと、を備える真空処理装置において、主
真空ポンプは、処理室を比較的高い所定の背圧値で真空
に排気する高背圧型であることを特徴とする。In order to achieve the above-mentioned object, an exhaust apparatus according to claim 1 is such that a processing chamber for processing an object to be processed in a vacuum atmosphere and an inlet side is connected to the processing chamber.
In a vacuum processing apparatus including a main vacuum pump that evacuates the processing chamber to a vacuum, and an auxiliary vacuum pump that is connected to the main vacuum pump and that exhausts a discharge port side of the main vacuum pump to a vacuum, the main vacuum pump is a processing chamber. Is a high back pressure type that evacuates to a vacuum with a relatively high predetermined back pressure value.
【０００８】請求項１記載の真空処理装置によれば、主
真空ポンプが処理室を比較的高い所定の背圧値で真空に
するので、その後段に配置される補助真空ポンプの容量
を低減することができ、もってポンプの冷却水や駆動エ
ネルギを低減することができる。According to the vacuum processing apparatus of the first aspect, since the main vacuum pump evacuates the processing chamber to a vacuum with a relatively high predetermined back pressure value, the capacity of the auxiliary vacuum pump arranged in the subsequent stage is reduced. Therefore, the cooling water and driving energy of the pump can be reduced.
【０００９】請求項２記載の真空処理装置は、請求項１
記載の真空処理装置において、所定の背圧値は４００Ｐ
ａ（約３Ｔｏｒｒ）以上であることを特徴とする。A vacuum processing apparatus according to a second aspect is the first aspect.
In the vacuum processing apparatus described, the predetermined back pressure value is 400P.
It is characterized by being a (about 3 Torr) or more.
【００１０】請求項２記載の真空処理装置によれば、主
真空ポンプの背圧値が４００Ｐａ（約３Ｔｏｒｒ）以上
であるので、排気速度の小さい小型の補助真空ポンプを
選択して、補助真空ポンプをクリーンルーム内に設置す
ることができ、もって、ポンプ室等のスペースを低減
し、主真空ポンプと補助真空ポンプとを接続する配管を
短くすることができる。According to the vacuum processing apparatus of the second aspect, since the back pressure value of the main vacuum pump is 400 Pa (about 3 Torr) or more, a small auxiliary vacuum pump with a low exhaust speed is selected and the auxiliary vacuum pump is selected. Can be installed in a clean room, so that the space such as the pump chamber can be reduced and the pipe connecting the main vacuum pump and the auxiliary vacuum pump can be shortened.
【００１１】請求項３記載の真空処理装置は、請求項１
又は２記載の真空処理装置において、主真空ポンプを冷
却する第１の冷却手段と、補助真空ポンプを冷却する第
２の冷却手段と、を備え、第１の冷却手段の冷却媒体径
路と、第２の冷却手段の冷却媒体経路と、を１つの系統
で構成されていることを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided the vacuum processing apparatus according to the first aspect.
Or the second cooling means for cooling the auxiliary vacuum pump, the cooling medium path of the first cooling means, and the first cooling means for cooling the main vacuum pump. The cooling medium path of the second cooling means and the cooling medium path are constituted by one system.
【００１２】請求項３記載の真空処理装置によれば、第
１および第２の冷却手段の冷却媒体経路が１つの系統で
構成されているので、配管設備を簡易化することができ
る。According to the vacuum processing apparatus of the third aspect, since the cooling medium paths of the first and second cooling means are constituted by one system, the piping facility can be simplified.
【００１３】請求項４記載の真空処理装置は、請求項１
乃至３のいずれか１項に記載の真空処理装置において、
被処理体の裏面側に伝熱媒体を供給して、載置台から被
処理体への伝熱効率を高める伝熱手段を備えるととも
に、主真空ポンプに吸入口とは異なる吸入口を設け、異
なる吸入口を介して前記伝熱媒体を排気することを特徴
としている。A vacuum processing apparatus according to a fourth aspect is the first aspect.
In the vacuum processing apparatus according to any one of items 1 to 3,
The heat transfer medium is supplied to the back side of the object to be processed to enhance the heat transfer efficiency from the mounting table to the object to be processed, and the main vacuum pump is provided with an intake port different from the intake port to provide different intake. The heat transfer medium is exhausted through the mouth.
【００１４】請求項４記載の真空処理装置によれば、主
真空ポンプの吸入口とは異なる吸入口を介して伝熱媒体
を排気するので、伝熱媒体が処理室へ逆拡散する恐れを
低減するとともに、伝熱媒体を所望の圧力で吸引するこ
とができる。According to the vacuum processing apparatus of the fourth aspect, since the heat transfer medium is exhausted through the suction port different from the suction port of the main vacuum pump, the risk that the heat transfer medium is back-diffused into the processing chamber is reduced. In addition, the heat transfer medium can be sucked at a desired pressure.
【００１５】請求項５記載の真空処理装置は、請求項１
乃至４のいずれか１項に記載の真空処理装置において、
主真空ポンプと補助真空ポンプとを同一フロアに配置し
たことを特徴とする。A vacuum processing apparatus according to a fifth aspect is the vacuum processing apparatus according to the first aspect.
The vacuum processing apparatus according to any one of items 1 to 4,
The main vacuum pump and the auxiliary vacuum pump are arranged on the same floor.
【００１６】請求項５記載の真空処理装置によれば、主
真空ポンプと補助真空ポンプとが同一フロアに配置され
ているので、ポンプ室等のスペースを低減するととも
に、コンダクタンスを悪化させることなく、主真空ポン
プと補助真空ポンプとを接続する配管を細くかつ短くす
ることができる。According to the vacuum processing apparatus of the fifth aspect, since the main vacuum pump and the auxiliary vacuum pump are arranged on the same floor, the space such as the pump chamber is reduced and the conductance is not deteriorated. The pipe connecting the main vacuum pump and the auxiliary vacuum pump can be thin and short.
【００１７】請求項６記載の真空処理装置は、請求項１
乃至５のいずれか１項に記載の真空処理装置において、
主真空ポンプと補助真空ポンプとを接続する配管を有
し、配管の長さは２ｍ以下であることを特徴とする。A vacuum processing apparatus according to claim 6 is the vacuum processing apparatus according to claim 1.
The vacuum processing apparatus according to any one of items 1 to 5,
It has a pipe connecting the main vacuum pump and the auxiliary vacuum pump, and the length of the pipe is 2 m or less.
【００１８】請求項６記載の真空処理装置によれば、主
真空ポンプと補助真空ポンプとを接続する配管の長さが
２ｍ以下であるので、配管損失を小さくできるうえ、メ
ンテンナンス作業を容易に行うことができる。According to the vacuum processing apparatus of the sixth aspect, since the length of the pipe connecting the main vacuum pump and the auxiliary vacuum pump is 2 m or less, the pipe loss can be reduced and the maintenance work can be easily performed. be able to.
【００１９】請求項７記載の真空処理装置は、請求項１
乃至６のいずれか１項に記載の真空処理装置において、
補助真空ポンプを処理室の近傍に配置し、処理室をメン
テナンスする際、補助真空ポンプを昇降台として用いる
ことを特徴とする。A vacuum processing apparatus according to claim 7 is the vacuum processing apparatus according to claim 1.
In the vacuum processing apparatus according to any one of items 1 to 6,
The auxiliary vacuum pump is arranged in the vicinity of the processing chamber, and when the processing chamber is maintained, the auxiliary vacuum pump is used as a lift.
【００２０】請求項７記載の真空処理装置によれば、補
助真空ポンプを処理室のより近傍に配置するので、設置
スペースを軽減することができる。According to the vacuum processing apparatus of the seventh aspect, since the auxiliary vacuum pump is arranged closer to the processing chamber, the installation space can be reduced.
【００２１】請求項８記載の真空処理装置は、請求項１
乃至４のいずれか１項に記載の真空処理装置において、
主真空ポンプと、異なるフロアに設置された補助真空ポ
ンプとを接続する配管を有し、配管の径は２５ｍｍ以下
であることを特徴とする。The vacuum processing apparatus according to claim 8 is the vacuum processing apparatus according to claim 1.
The vacuum processing apparatus according to any one of items 1 to 4,
It has a pipe connecting the main vacuum pump and an auxiliary vacuum pump installed on a different floor, and the diameter of the pipe is 25 mm or less.
【００２２】請求項８記載の真空処理装置によれば、主
真空ポンプと補助真空ポンプとを接続する配管の径が２
５ｍｍ以下であるので、従来のように、階下に補助真空
ポンプを配置する場合であっても、配管の取り回しが容
易に行い得る。According to the vacuum processing apparatus of the eighth aspect, the diameter of the pipe connecting the main vacuum pump and the auxiliary vacuum pump is 2
Since it is 5 mm or less, the piping can be easily handled even when the auxiliary vacuum pump is arranged downstairs as in the conventional case.
【００２３】上述の目的を達成するために、請求項９記
載の真空処理装置は、被処理体を真空処理する処理室に
接続され、処理室を真空に排気する主真空ポンプを備え
る真空処理装置の排気装置において、主真空ポンプは、
処理室をほぼ大気圧の背圧値で真空に排気する高背圧型
であることを特徴とする。In order to achieve the above object, a vacuum processing apparatus according to a ninth aspect is a vacuum processing apparatus that is connected to a processing chamber that vacuum-processes an object to be processed and that includes a main vacuum pump that evacuates the processing chamber to vacuum. In the exhaust system of, the main vacuum pump is
It is characterized by a high back pressure type that evacuates the processing chamber to a vacuum at a back pressure value of almost atmospheric pressure.
【００２４】請求項９記載の真空処理装置によれば、主
真空ポンプが高背圧型であるので、補助真空ポンプを不
要とすることができ、もってポンプ室等のスペースを低
減することができる。According to the vacuum processing apparatus of the ninth aspect, since the main vacuum pump is of high back pressure type, the auxiliary vacuum pump can be eliminated, and the space of the pump chamber and the like can be reduced.
【００２５】[0025]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
真空処理装置の作動を詳述する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The operation of the vacuum processing apparatus according to the embodiment of the present invention will be described in detail below.
【００２６】図１は本発明の実施の形態に係るプラズマ
エッチング装置の概略構成を示す図であり、図２は図１
の接続図である。FIG. 1 is a diagram showing a schematic structure of a plasma etching apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG.
FIG.
【００２７】図１及び図２を参照して、本発明の実施の
形態に係る真空処理装置としてのプラズマエッチング装
置１は、アルミニウム等の導電性材料の容器よりなる処
理室２と、処理室２に接続された排気装置Ｐとを備え
る。Referring to FIGS. 1 and 2, a plasma etching apparatus 1 as a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a processing chamber 2 made of a container made of a conductive material such as aluminum, and a processing chamber 2. And an exhaust device P connected to.
【００２８】処理室２には、被処理基板Ｗを載置するた
めのサセプタ９が設けられ、処理室２の上部のサセプタ
９と対向する位置には、ＣＦ系等の処理ガスを処理室２
内に導入するための図示しないガス供給手段が設けられ
る。このガス供給手段によって、処理ガスがサセプタ９
上の被処理基板Ｗに向けて均一に吐出される。The processing chamber 2 is provided with a susceptor 9 on which a substrate W to be processed is placed. At a position facing the susceptor 9 in the upper part of the processing chamber 2, a processing gas such as a CF-based gas is processed.
A gas supply means (not shown) for introducing the gas is provided. The processing gas is supplied to the susceptor 9 by this gas supply means.
It is uniformly ejected toward the upper substrate W to be processed.
【００２９】排気装置Ｐは、排気管路３を介して処理室
２の底部に接続された自動圧力調節器４と、自動圧力調
節器４に接続されたターボ分子ポンプなどの主真空ポン
プ５と、主真空ポンプ５に配管６を介して接続された補
助真空ポンプ７とから構成されている。The exhaust device P includes an automatic pressure regulator 4 connected to the bottom of the processing chamber 2 through an exhaust pipe 3, and a main vacuum pump 5 such as a turbo molecular pump connected to the automatic pressure regulator 4. , And an auxiliary vacuum pump 7 connected to the main vacuum pump 5 via a pipe 6.
【００３０】また、サセプタ９の内側には、図示しない
温度制御手段が設けられ、かかる温度制御手段を能動化
することによって、サセプタ９に保持された被処理基板
Ｗの処理面温度が所望の温度に設定される。また、サセ
プタ９には、Ｈｅ等の伝熱媒体を供給する伝熱媒体供給
管１０が接続され、この伝熱媒体供給管１０は、伝熱媒
体を被処理基板Ｗの裏面に供給する。これにより、サセ
プタ９から被処理基板Ｗへの伝熱効率を高めることが可
能となる。さらに、サセプタ９には、被処理基板Ｗの裏
面側に充填した伝熱媒体を主真空ポンプ５により排気す
るための伝熱媒体排気管１１が接続されている。A temperature control means (not shown) is provided inside the susceptor 9. By activating the temperature control means, the processing surface temperature of the substrate W to be processed held by the susceptor 9 becomes a desired temperature. Is set to. A heat transfer medium supply pipe 10 for supplying a heat transfer medium such as He is connected to the susceptor 9, and the heat transfer medium supply pipe 10 supplies the heat transfer medium to the back surface of the substrate W to be processed. This makes it possible to improve the efficiency of heat transfer from the susceptor 9 to the substrate W to be processed. Further, the susceptor 9 is connected to a heat transfer medium exhaust pipe 11 for exhausting the heat transfer medium filled on the back surface side of the substrate W to be processed by the main vacuum pump 5.
【００３１】そして、図１のプラズマエッチング装置１
において、処理室２及び主真空ポンプ５に加えて、補助
真空ポンプ７がクリーンルーム８内に配置される。Then, the plasma etching apparatus 1 shown in FIG.
In, in addition to the processing chamber 2 and the main vacuum pump 5, the auxiliary vacuum pump 7 is arranged in the clean room 8.
【００３２】以下、図１のプラズマエッチング装置１の
作動を以下に説明する。The operation of the plasma etching apparatus 1 shown in FIG. 1 will be described below.
【００３３】まず、排気装置Ｐを用いて処理室２内を所
定の圧力、例えば０．０１３３〜０．１３３Ｐａ程度に
まで減圧する。その後、被処理基板Ｗをサセプタ９上に
載置し、被処理基板Ｗを図示しない静電吸着手段によっ
てサセプタ９に吸着保持する。次いで、サセプタ９の温
度制御手段を能動化し、且つＨｅガス等の伝熱媒体の流
量等を制御することにより、被処理基板Ｗを所定温度に
制御した上で、ＣＦ4等の処理ガスをサセプタ９に向け
て均等に吐出し、被処理基板Ｗのエッチング処理を開始
する。該所定のエッチング処理終了後、被処理基板Ｗを
搬出し、プラズマエッチング装置１の一連の動作を終了
する。First, the inside of the processing chamber 2 is depressurized to a predetermined pressure, for example, about 0.0133 to 0.133 Pa by using the exhaust device P. After that, the substrate W to be processed is placed on the susceptor 9, and the substrate W to be processed is suction-held on the susceptor 9 by electrostatic attraction means (not shown). Next, the temperature control means of the susceptor 9 is activated, and the flow rate of the heat transfer medium such as He gas is controlled to control the substrate W to be processed at a predetermined temperature, and then the processing gas such as CF 4 is supplied to the susceptor. It is evenly discharged toward 9, and the etching process of the substrate W to be processed is started. After the completion of the predetermined etching process, the substrate W to be processed is carried out, and the series of operations of the plasma etching apparatus 1 is completed.
【００３４】そして、被処理基板Ｗの裏面側に充填した
伝熱媒体は、伝熱媒体排気管１１を介して、後述する高
背圧型の主真空ポンプ５によって真空引きされる。より
具体的には、図３に示すように、主真空ポンプ５の吸入
口５ａと排出口５ｂとの間の所定位置に、処理室２に接
続される吸入口５ａとは異なる吸入口５ｃを設け、その
吸入口５ｃに伝熱媒体排気管１１を接続するようにして
いる。The heat transfer medium with which the back surface of the substrate W to be processed is filled is evacuated through the heat transfer medium exhaust pipe 11 by the high back pressure type main vacuum pump 5 described later. More specifically, as shown in FIG. 3, a suction port 5c different from the suction port 5a connected to the processing chamber 2 is provided at a predetermined position between the suction port 5a and the discharge port 5b of the main vacuum pump 5. The heat transfer medium exhaust pipe 11 is connected to the suction port 5c.
【００３５】すなわち、伝熱媒体排気管１１を自動圧力
調節器４と主真空ポンプ５との間、つまり主真空ポンプ
５の前段に接続した場合、比重の小さいＨｅなどの伝熱
媒体が、処理室２側へ拡散（逆流）する恐れがあり、他
方、伝熱媒体排気管１１を主真空ポンプ５と補助真空ポ
ンプ７との間、つまり主真空ポンプ５の後段に接続した
場合、主真空ポンプ５の背圧が４００Ｐａ以上であるた
め、被処理基板Ｗの裏面に充填された伝熱媒体を充分に
真空引きできない恐れがある。That is, when the heat transfer medium exhaust pipe 11 is connected between the automatic pressure regulator 4 and the main vacuum pump 5, that is, before the main vacuum pump 5, the heat transfer medium such as He having a small specific gravity is processed. When the heat transfer medium exhaust pipe 11 is connected between the main vacuum pump 5 and the auxiliary vacuum pump 7, that is, after the main vacuum pump 5, the main vacuum pump may be diffused (backflow) to the chamber 2 side. Since the back pressure of No. 5 is 400 Pa or more, the heat transfer medium filled in the back surface of the substrate W to be processed may not be sufficiently evacuated.
【００３６】そこで図１に示すプラズマエッチング装置
１では、主真空ポンプ５のケーシングの中段、好ましく
は排出口５ｂに近い側に吸入口５ｃを設け、この吸入口
５ｃに伝熱媒体排気管１１を接続して、処理室２側への
拡散を防止しつつ、伝熱媒体を所望の圧力で真空引きす
るように構成している。Therefore, in the plasma etching apparatus 1 shown in FIG. 1, a suction port 5c is provided in the middle stage of the casing of the main vacuum pump 5, preferably near the discharge port 5b, and the heat transfer medium exhaust pipe 11 is provided at this suction port 5c. The connection is made so that the heat transfer medium is evacuated at a desired pressure while preventing diffusion to the processing chamber 2 side.
【００３７】図４は、図１における主真空ポンプ５の斜
視図である。FIG. 4 is a perspective view of the main vacuum pump 5 shown in FIG.
【００３８】図４において、ターボ分子ポンプ型の主真
空ポンプ５は、吸入口５ａ及び排出口５ｂを有するケー
シング３３と、能動型磁気ラジアル軸受３４，３５を介
してケーシング３３に回転自在に支持された主軸として
のロータシャフト３６と、ラジアル軸受３４，３５の間
に配され、ロータシャフト３６を回転するモータ３７
と、ケーシング３３の内側面に固定された静翼３８と、
静翼３８と交互に配置され、ロータシャフト３６の外側
面に固定された動翼３９とを備える。ロータシャフト３
６及び動翼３９はロータ４０を構成する。また、ロータ
シャフト３６は、その下部に配置された能動形磁気スラ
スト軸受４１によって支持されている。In FIG. 4, a turbo molecular pump type main vacuum pump 5 is rotatably supported by a casing 33 having an inlet port 5a and an outlet port 5b and active magnetic radial bearings 34, 35. A motor 37 arranged between the rotor shaft 36 as a main shaft and the radial bearings 34, 35 to rotate the rotor shaft 36.
And a stationary blade 38 fixed to the inner surface of the casing 33,
The stationary blades 38 and the moving blades 39 fixed to the outer surface of the rotor shaft 36 are provided alternately. Rotor shaft 3
6 and the rotor blade 39 form a rotor 40. Further, the rotor shaft 36 is supported by an active magnetic thrust bearing 41 arranged below the rotor shaft 36.
【００３９】ロータシャフト３６及び動翼３９は、モー
タ３７の駆動によって、ラジアル軸受３４，３５及びス
ラスト軸受４１の能動制御を受けながら高速回転する。
高速回転する動翼３９と固定された静翼３８との間に生
じる相互作用によって排気が行われる。さらに、動翼３
９及び静翼３８の各対向表面はネジ溝構造に形成されて
おり、高速回転時におけるネジ溝構造のドラッグ作用に
よって高い圧縮比を得ることができる。The rotor shaft 36 and the rotor blades 39 rotate at high speed under the active control of the radial bearings 34 and 35 and the thrust bearing 41 by the drive of the motor 37.
Exhaust is performed by the interaction that occurs between the rotating blade 39 that rotates at a high speed and the stationary blade 38 that is fixed. Furthermore, moving blade 3
9 and each of the facing surfaces of the stationary blade 38 are formed in a thread groove structure, and a high compression ratio can be obtained by the drag action of the thread groove structure during high-speed rotation.
【００４０】なお、図４の主真空ポンプ５の軸受は能動
型磁気軸受であるが、ボールベアリング型軸受及びその
他の軸受であってもよい。Although the bearing of the main vacuum pump 5 in FIG. 4 is an active magnetic bearing, it may be a ball bearing type bearing or another bearing.
【００４１】主真空ポンプ５のポンプ性能としては、図
５に示すように、通常のターボ分子ポンプでは、吸入口
圧力が一定である背圧域の上限を示す許容背圧Ｐ１が１
３３Ｐａであるのに対し、高背圧型のターボ分子ポンプ
では、同許容背圧Ｐ２が４００Ｐａ（約３Ｔｏｒｒ）以
上である。As for the pump performance of the main vacuum pump 5, as shown in FIG. 5, in a normal turbo molecular pump, the allowable back pressure P1 indicating the upper limit of the back pressure region where the suction port pressure is constant is 1.
In contrast to 33 Pa, in the high back pressure type turbo molecular pump, the allowable back pressure P2 is 400 Pa (about 3 Torr) or more.
【００４２】したがって、主真空ポンプ（ターボ分子ポ
ンプ）５の背圧を臨界値以下に維持する補助真空ポンプ
７としては、排気能力の小さいものを用いることができ
る。Therefore, as the auxiliary vacuum pump 7 for keeping the back pressure of the main vacuum pump (turbo molecular pump) 5 below the critical value, one having a small exhaust capacity can be used.
【００４３】すなわち、主真空ポンプ５は、補助真空ポ
ンプ７と協働して排気装置Ｐを構成し、夫々、所定回転
数で回転して処理室２を排気する。この排気装置Ｐの排
気能力は、主真空ポンプ５の排気能力と補助真空ポンプ
７の排気能力とによって決定され、補助真空ポンプ７に
必要とされる実効排気速度Ｓ（ｍ3／ｓｅｃ）は、下記
（１）式であらわされる。That is, the main vacuum pump 5 cooperates with the auxiliary vacuum pump 7 to form an exhaust device P, and rotates at a predetermined rotation speed to exhaust the processing chamber 2. The exhaust capacity of the exhaust device P is determined by the exhaust capacity of the main vacuum pump 5 and the exhaust capacity of the auxiliary vacuum pump 7, and the effective exhaust speed S (m 3 / sec) required for the auxiliary vacuum pump 7 is It is expressed by the following equation (1).
【００４４】Ｓ＝Ｑ／Ｐ …（１）
ここで、Ｑは処理ガス流量（Ｐａ・ｍ3／ｓｅｃ）、Ｐ
は主真空ポンプ５の背圧（Ｐａ）である。S = Q / P (1) where Q is the processing gas flow rate (Pa · m 3 / sec), P
Is the back pressure (Pa) of the main vacuum pump 5.
【００４５】（１）式より、主真空ポンプ５の背圧が１
３３Ｐａ（従来）、主真空ポンプ５の背圧が４００Ｐａ
以上、たとえば１３３０Ｐａ（本発明）であるとき、背
圧が１３３０Ｐａの場合は、従来と比較して、補助真空
ポンプ７に必要とされる実効排気速度Ｓは従来の１０分
の１となることがわかる。From the equation (1), the back pressure of the main vacuum pump 5 is 1
33 Pa (conventional), back pressure of the main vacuum pump 5 is 400 Pa
As described above, for example, when the back pressure is 1330 Pa (invention) and the back pressure is 1330 Pa, the effective evacuation speed S required for the auxiliary vacuum pump 7 is 1/10 of the conventional case. Recognize.
【００４６】このように、主真空ポンプ５の背圧を高く
することにより、補助真空ポンプ７に必要とされる実効
排気速度Ｓを減少することができるので、排気能力の小
さい、たとえば５００Ｌ／ｍｉｎクラスの補助真空ポン
プ７を用いることができ、もってポンプの冷却水や駆動
エネルギを低減することができる。By increasing the back pressure of the main vacuum pump 5 as described above, the effective pumping speed S required for the auxiliary vacuum pump 7 can be reduced, so that the pumping capacity is small, for example, 500 L / min. A class of auxiliary vacuum pumps 7 can be used, thus reducing pump cooling water and drive energy.
【００４７】また、補助真空ポンプ７を小型化すること
によって、補助真空ポンプ７をクリーンルーム８内の処
理装置近傍に設置することが可能となる。したがって、
ポンプ室等のスペースを低減し、主真空ポンプ５と補助
真空ポンプ７とを接続する配管６を短くかつ細くするこ
とができる。By reducing the size of the auxiliary vacuum pump 7, it becomes possible to install the auxiliary vacuum pump 7 in the clean room 8 near the processing apparatus. Therefore,
The space such as the pump chamber can be reduced, and the pipe 6 connecting the main vacuum pump 5 and the auxiliary vacuum pump 7 can be made short and thin.
【００４８】さらに、補助真空ポンプ７をクリーンルー
ム８内に設置することにより、従来、余儀なく２系統に
されていた冷却水ラインを図１に示すように１系統、即
ちシリアルに配することができ、配管設備を簡易化する
こともできる。Further, by installing the auxiliary vacuum pump 7 in the clean room 8, the cooling water line, which was conventionally forced to be two systems, can be arranged in one system, that is, serially, as shown in FIG. It is also possible to simplify piping equipment.
【００４９】次に、主真空ポンプ５と補助真空ポンプ７
とを接続する配管６のコンダクタンスＣは、下記（２）
式であらわされる。Next, the main vacuum pump 5 and the auxiliary vacuum pump 7
The conductance C of the pipe 6 that connects the
It is represented by a formula.
【００５０】
Ｃ＝αＤ4Ｐ／Ｌ …（２）
ここで、αは定数、Ｄは配管径（ｍ）、Ｌは配管長
（ｍ）、Ｐは主真空ポンプ５の背圧と吸入口圧との平均
圧力（Ｐａ）である。C = αD 4 P / L (2) where α is a constant, D is the pipe diameter (m), L is the pipe length (m), and P is the back pressure and suction port pressure of the main vacuum pump 5. And the average pressure (Pa).
【００５１】（２）式からわかるように、配管６のコン
ダクタンスは、主真空ポンプ５の背圧に比例しているの
で、高背圧型の主真空ポンプ５を用いることによって、
それに接続される配管６のコンダクタンスＣは大きくな
る。As can be seen from the equation (2), since the conductance of the pipe 6 is proportional to the back pressure of the main vacuum pump 5, by using the high back pressure type main vacuum pump 5,
The conductance C of the pipe 6 connected to it increases.
【００５２】したがって、主真空ポンプ５の背圧が、た
とえば１３３０Ｐａ（本発明）であって、補助真空ポン
プ７をクリーンルーム８内に設置する場合のように、配
管６を長さ１０ｍ×直径０．０４ｍの配管（背圧は１３
３Ｐａ）に対して、長さ１ｍ×直径０．０１６ｍの配管
としたときでも、コンダクタンスＣを従来の２．５倍と
して確保でき、その結果、補助真空ポンプ７を適切に選
定することができる。Therefore, when the back pressure of the main vacuum pump 5 is, for example, 1330 Pa (in the present invention), and the auxiliary vacuum pump 7 is installed in the clean room 8, the pipe 6 has a length of 10 m and a diameter of 0. 04m piping (back pressure is 13
3 Pa), the conductance C can be ensured to be 2.5 times that of the conventional case even when the pipe has a length of 1 m and a diameter of 0.016 m, and as a result, the auxiliary vacuum pump 7 can be appropriately selected.
【００５３】また、上記（１）、（２）式に基づいて、
ガス流量（ｓｃｃｍ）、配管６の長さ（ｍ）、配管６の
径（ｍｍ）、主真空ポンプ５の背圧（Ｐａ）、および主
真空ポンプ５の吸入口圧（Ｐａ）をパラメーターとした
ときの補助真空ポンプ７の実効排気速度Ｓ（Ｌ／ｍｉ
ｎ）、コンダクタンスＣ（Ｌ／ｍｉｎ）、および補助真
空ポンプ７の実効排気速度ＳをコンダクタンスＣで除し
た値である配管損失（％）を表１に示す。Based on the above equations (1) and (2),
The gas flow rate (sccm), the length of the pipe 6 (m), the diameter of the pipe 6 (mm), the back pressure of the main vacuum pump 5 (Pa), and the suction port pressure of the main vacuum pump 5 (Pa) were used as parameters. Effective pumping speed S (L / mi
n), conductance C (L / min), and piping loss (%) which is a value obtained by dividing the effective pumping speed S of the auxiliary vacuum pump 7 by the conductance C are shown in Table 1.
【００５４】[0054]
【表１】 [Table 1]
【００５５】表１からわかるように、排気能力が３００
０Ｌ／ｍｉｎの補助真空ポンプ７を用い、主真空ポンプ
５と補助真空ポンプ７とを接続する配管６の長さが１５
ｍ、配管６の径が５０ｍｍ、の従来型の真空処理装置の
配管損失は、４７％であり、配管６の径を１００ｍｍに
増大させた場合でも、配管損失は４０％と排気効率が著
しく悪いことがわかる。As can be seen from Table 1, the exhaust capacity is 300
The length of the pipe 6 connecting the main vacuum pump 5 and the auxiliary vacuum pump 7 is 15 using the 0 L / min auxiliary vacuum pump 7.
m, the pipe loss of the conventional vacuum processing apparatus with the diameter of the pipe 6 is 50% is 47%, and even if the diameter of the pipe 6 is increased to 100 mm, the pipe loss is 40% and the exhaust efficiency is extremely poor. I understand.
【００５６】他方、主真空ポンプ５として、約４００Ｐ
ａ以上の高背圧型のものを用い、配管６の長さを２ｍ、
配管６の径を２５ｍｍとした場合には、配管損失は、５
％前後であり、さらに配管６の径を１６ｍｍとしても、
配管損失は２８％であり、排気効率の良いことが確認す
ることができる。On the other hand, as the main vacuum pump 5, about 400P
Use a high back pressure type of a or more and set the length of the pipe 6 to 2 m.
When the diameter of the pipe 6 is 25 mm, the pipe loss is 5
%, And even if the diameter of the pipe 6 is 16 mm,
The pipe loss was 28%, and it can be confirmed that the exhaust efficiency is good.
【００５７】また、補助真空ポンプ７を階下に配置し
て、従来の設備を有効的に用いる場合のように、配管６
の長さを１５ｍ程度に設定する場合であっても、高背圧
型の主真空ポンプ５を用いることによって、配管損失を
悪化させることなく、配管６の径を２５ｍｍ程度に細く
して、配管の取り回しを容易にしたり、配管設備を簡略
化することができる。Further, the auxiliary vacuum pump 7 is arranged downstairs, and the pipe 6 is used as in the case where the conventional equipment is effectively used.
Even when the length of the pipe is set to about 15 m, the diameter of the pipe 6 can be reduced to about 25 mm by using the high back pressure type main vacuum pump 5 without deteriorating the pipe loss. The handling can be facilitated and the piping equipment can be simplified.
【００５８】本実施の形態によれば、主真空ポンプ５
は、背圧が約４００Ｐａ以上の高背圧型であるので、後
段に接続される補助真空ポンプ７は、排気能力の小さい
ものを用いることができ、もって補助真空ポンプ７の冷
却水や駆動エネルギを低減して、補助真空ポンプ７を真
空処理装置の近傍、たとえば処理装置のメンテナンスの
ための昇降台の下などのデッドスペースに配置すること
ができる。その結果、ポンプ室等のスペースを低減し、
主真空ポンプ５と補助真空ポンプ７とを接続する配管を
細くかつ短くすることができる。According to the present embodiment, the main vacuum pump 5
Is a high back pressure type having a back pressure of about 400 Pa or more, the auxiliary vacuum pump 7 connected in the subsequent stage can use a pump having a small exhaust capacity, so that cooling water and driving energy of the auxiliary vacuum pump 7 can be supplied. The auxiliary vacuum pump 7 can be reduced and disposed in the dead space in the vicinity of the vacuum processing apparatus, for example, under an elevating table for maintenance of the processing apparatus. As a result, the space such as the pump room is reduced,
The pipe connecting the main vacuum pump 5 and the auxiliary vacuum pump 7 can be made thin and short.
【００５９】また、本実施の形態では、ＣＦ系の処理ガ
スを用いてエッチング処理を行うプラズマエッチング装
置１を例に挙げたが、本発明は斯かる装置に限定される
ことなく、例えば、ＣＶＤ装置、アッシング装置、スパ
ッタ装置等、あるいはロードロック室、カセット室等で
あってもよい。Further, in the present embodiment, the plasma etching apparatus 1 for performing the etching process using the CF type processing gas is taken as an example, but the present invention is not limited to such an apparatus, and for example, CVD It may be an apparatus, an ashing apparatus, a sputtering apparatus, etc., or a load lock chamber, a cassette chamber, etc.
【００６０】[0060]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、請求項１記
載の真空処理装置によれば、主真空ポンプが処理室を比
較的高い所定の背圧値で真空にするので、その後段に配
置される補助真空ポンプの容量を低減することができ、
もってポンプの冷却水や駆動エネルギを低減することが
できる。As described in detail above, according to the vacuum processing apparatus of the first aspect, since the main vacuum pump evacuates the processing chamber to a relatively high predetermined back pressure value, it is arranged in the subsequent stage. The capacity of the auxiliary vacuum pump can be reduced,
Therefore, the cooling water and driving energy of the pump can be reduced.
【００６１】請求項２記載の真空処理装置によれば、主
真空ポンプの背圧値が４００Ｐａ（約３Ｔｏｒｒ）以上
であるので、排気速度の小さい小型の補助真空ポンプを
選択して、補助真空ポンプをクリーンルーム内に設置す
ることができ、もって、ポンプ室等のスペースを低減
し、主真空ポンプと補助真空ポンプとを接続する配管を
短くすることができる。According to the vacuum processing apparatus of the second aspect, since the back pressure value of the main vacuum pump is 400 Pa (about 3 Torr) or more, a small auxiliary vacuum pump with a low exhaust speed is selected, and the auxiliary vacuum pump is selected. Can be installed in a clean room, so that the space such as the pump chamber can be reduced and the pipe connecting the main vacuum pump and the auxiliary vacuum pump can be shortened.
【００６２】請求項３記載の真空処理装置によれば、第
１および第２の冷却手段の冷却媒体経路が１つの系統で
構成されているので、配管設備を簡易化することができ
る。According to the vacuum processing apparatus of the third aspect, since the cooling medium paths of the first and second cooling means are constituted by one system, the piping facility can be simplified.
【００６３】請求項４記載の真空処理装置によれば、主
真空ポンプの吸入口とは異なる吸入口を介して伝熱媒体
を排気するので、伝熱媒体が処理室へ逆拡散する恐れを
低減するとともに、伝熱媒体を所望の圧力で吸引するこ
とができる。According to the vacuum processing apparatus of the fourth aspect, since the heat transfer medium is exhausted through the suction port different from the suction port of the main vacuum pump, the risk of the heat transfer medium being back-diffused into the processing chamber is reduced. In addition, the heat transfer medium can be sucked at a desired pressure.
【００６４】請求項５記載の真空処理装置によれば、主
真空ポンプと補助真空ポンプとが同一フロアに配置され
ているので、ポンプ室等のスペースを低減するととも
に、コンダクタンスを悪化させることなく、主真空ポン
プと補助真空ポンプとを接続する配管を細くかつ短くす
ることができる。According to the vacuum processing apparatus of the fifth aspect, since the main vacuum pump and the auxiliary vacuum pump are arranged on the same floor, the space such as the pump chamber is reduced and the conductance is not deteriorated. The pipe connecting the main vacuum pump and the auxiliary vacuum pump can be thin and short.
【００６５】請求項６記載の真空処理装置によれば、主
真空ポンプと補助真空ポンプとを接続する配管の長さが
２ｍ以下であるので、配管損失を小さくできるうえ、メ
ンテンナンス作業を容易に行うことができる。According to the vacuum processing apparatus of the sixth aspect, since the length of the pipe connecting the main vacuum pump and the auxiliary vacuum pump is 2 m or less, the pipe loss can be reduced and the maintenance work can be easily performed. be able to.
【００６６】請求項７記載の真空処理装置によれば、補
助真空ポンプを処理室のより近傍に配置するので、設置
スペースを軽減することができる。According to the vacuum processing apparatus of the seventh aspect, since the auxiliary vacuum pump is arranged closer to the processing chamber, the installation space can be reduced.
【００６７】請求項８記載の真空処理装置によれば、主
真空ポンプと補助真空ポンプとを接続する配管の径が２
５ｍｍ以下であるので、従来のように、階下に補助真空
ポンプを配置する場合であっても、配管の取り回しが容
易に行い得る。According to the vacuum processing apparatus of the eighth aspect, the diameter of the pipe connecting the main vacuum pump and the auxiliary vacuum pump is 2
Since it is 5 mm or less, the piping can be easily handled even when the auxiliary vacuum pump is arranged downstairs as in the conventional case.
【００６８】請求項９記載の真空処理装置によれば、主
真空ポンプが高背圧型であるので、補助真空ポンプを不
要とすることができ、もってポンプ室等のスペースを低
減することができる。According to the vacuum processing apparatus of the ninth aspect, since the main vacuum pump is of the high back pressure type, the auxiliary vacuum pump can be eliminated and the space of the pump chamber and the like can be reduced.
【図１】本発明の実施の形態に係る真空処理装置の概略
構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１のプラズマエッチング装置１の概略構成を
示す接続図である。FIG. 2 is a connection diagram showing a schematic configuration of the plasma etching apparatus 1 of FIG.
【図３】図１における主真空ポンプ５の概略図である。3 is a schematic diagram of a main vacuum pump 5 in FIG.
【図４】図１における主真空ポンプ５の断面斜視図であ
る。FIG. 4 is a sectional perspective view of a main vacuum pump 5 in FIG.
【図５】図１における主真空（ターボ分子）ポンプ５の
背圧と吸気口圧力との関係を示す図である。5 is a diagram showing a relationship between a back pressure of the main vacuum (turbo molecular) pump 5 and an intake port pressure in FIG.
【図６】従来の真空処理装置の概略構成を示す図であ
る。FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional vacuum processing apparatus.
１ プラズマエッチング装置 ２ 処理室 ４ 自動圧力調節器 ５ 主真空ポンプ ６ 配管 ７ 補助真空ポンプ ８ クリーンルーム 1 Plasma etching equipment 2 processing room 4 Automatic pressure regulator 5 Main vacuum pump 6 piping 7 Auxiliary vacuum pump 8 clean rooms
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｆ０４Ｂ 39/06 Ｆ０４Ｂ 39/06 Ｋ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) F04B 39/06 F04B 39/06 K
Claims (9)
と、吸入口側が前記処理室に接続され、前記処理室を真
空に排気する主真空ポンプと、前記主真空ポンプに接続
され、前記主真空ポンプの排出口側を真空に排気する補
助真空ポンプと、を備える真空処理装置において、前記
主真空ポンプは、前記処理室を比較的高い所定の背圧値
で真空に排気する高背圧型であることを特徴とする真空
処理装置。1. A processing chamber for processing an object to be processed in a vacuum atmosphere, a suction port side connected to the processing chamber, a main vacuum pump for evacuating the processing chamber to vacuum, and a main vacuum pump connected to the main vacuum pump. A vacuum processing apparatus comprising: an auxiliary vacuum pump that evacuates the discharge side of the main vacuum pump to a vacuum; wherein the main vacuum pump is a high back pressure type that evacuates the processing chamber to a vacuum at a relatively high predetermined back pressure value. The vacuum processing apparatus is characterized in that
ることを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。2. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the predetermined back pressure value is 400 Pa or more.
手段と、前記補助真空ポンプを冷却する第２の冷却手段
と、を備え、前記第１の冷却手段の冷却媒体径路と、前
記第２の冷却手段の冷却媒体経路と、を１つの系統で構
成したことを特徴とする請求項１又は２記載の真空処理
装置。3. A first cooling means for cooling the main vacuum pump, and a second cooling means for cooling the auxiliary vacuum pump, the cooling medium path of the first cooling means, and the first cooling means. The vacuum processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the cooling medium path of the second cooling means and the cooling medium path are constituted by one system.
して、載置台から前記被処理体への伝熱効率を高める伝
熱手段を備えるとともに、前記主真空ポンプに前記吸入
口とは異なる吸入口を設け、前記異なる吸入口を介して
前記伝熱媒体を排気することを特徴とする請求項１乃至
３のいずれか１項に記載の真空処理装置。4. A heat transfer means is provided for supplying a heat transfer medium to the back surface side of the object to be processed so as to improve heat transfer efficiency from the mounting table to the object to be processed, and the main vacuum pump is provided with the suction port and 4. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the heat transfer medium is exhausted through the different suction ports.
とを同一フロアに配置したことを特徴とする請求項１乃
至４のいずれか１項に記載の真空処理装置。5. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the main vacuum pump and the auxiliary vacuum pump are arranged on the same floor.
とを接続する配管を有し、前記配管の長さは２ｍ以下で
あることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に
記載の真空処理装置。6. The pipe according to claim 1, further comprising a pipe connecting the main vacuum pump and the auxiliary vacuum pump, wherein the length of the pipe is 2 m or less. Vacuum processing equipment.
に配置し、前記処理室をメンテナンスする際、前記補助
真空ポンプを昇降台として用いることを特徴とする請求
項１乃至６のいずれか１項に記載の真空処理装置。7. The auxiliary vacuum pump is arranged in the vicinity of the processing chamber, and the auxiliary vacuum pump is used as an elevating table during maintenance of the processing chamber. The vacuum processing apparatus according to the item.
置された前記補助真空ポンプとを接続する配管を有し、
前記配管の径は２５ｍｍ以下であることを特徴とする請
求項１乃至４のいずれか１項に記載の真空処理装置。8. A pipe connecting the main vacuum pump and the auxiliary vacuum pump installed on a different floor,
The vacuum processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the diameter of the pipe is 25 mm or less.
れ、前記処理室を真空に排気する主真空ポンプを備える
真空処理装置の排気装置において、前記主真空ポンプ
は、前記処理室をほぼ大気圧の背圧値で真空に排気する
高背圧型であることを特徴とする真空処理装置。9. An exhaust device of a vacuum processing apparatus, comprising a main vacuum pump connected to a processing chamber for vacuum processing an object to be processed, and for evacuating the processing chamber to a vacuum, wherein the main vacuum pump is configured to substantially close the processing chamber. A vacuum processing apparatus characterized by being a high back pressure type that evacuates to a vacuum at a back pressure value of atmospheric pressure.
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