JP2003155355A - Resin composition molding containing ultrafine particle - Google Patents

Resin composition molding containing ultrafine particle

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JP2003155355A
JP2003155355A JP2001355894A JP2001355894A JP2003155355A JP 2003155355 A JP2003155355 A JP 2003155355A JP 2001355894 A JP2001355894 A JP 2001355894A JP 2001355894 A JP2001355894 A JP 2001355894A JP 2003155355 A JP2003155355 A JP 2003155355A
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Japan
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resin composition
group
ultrafine particles
molded article
composition molded
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Satoshi Ezaki
聡 江崎
Manabu Kawa
学 加和
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Mitsubishi Chemical Corp
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Mitsubishi Chemical Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a resin composition molding having high transparency and excellent dimensional stability. SOLUTION: This resin composition molding mainly comprises a resin composition into which ultrafine particle having 0.5-50 nm number-average particle diameter are dispersed and has >=70% average light transmittance based on 1 mm optical path in sodium D line wavelength and <=0.05 dimensional change ratio before and after a heating test in which the molding is left to horizontally stand in an air atmosphere at 150 deg.C, heated for three hours and then left to stand in an air atmosphere at 23 deg.C at 50% relative humidity for one week.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、超微粒子を均質に
分散し優れた透明性及び寸法精度を有する樹脂組成物成
形体に関する。本発明の樹脂組成物成形体は、該超微粒
子の有する特性、例えば紫外線吸収能や優れた耐熱性等
を有するので様々な光学部材用途に利用される。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a resin composition molded article in which ultrafine particles are uniformly dispersed and which has excellent transparency and dimensional accuracy. Since the resin composition molded article of the present invention has the characteristics of the ultrafine particles, for example, the ultraviolet absorbing ability and the excellent heat resistance, it is used for various optical member applications.

【0002】[0002]

【従来の技術】無機塩、半導体及び金属等の非有機物質
の性質を、優れた成形加工性を有する材料の特性として
利用する場合に、一般に有機樹脂材料に該非有機物質を
微粒子として分散する手法が用いられる。特に、熱可塑
性樹脂の組成物とすることは、射出成形等の生産性に優
れた製造方法の使用を可能とするので産業上好ましい。
2. Description of the Related Art When utilizing the properties of a non-organic substance such as an inorganic salt, a semiconductor and a metal as a property of a material having excellent moldability, a method of dispersing the non-organic substance as fine particles in an organic resin material is generally used. Is used. In particular, the use of a thermoplastic resin composition is industrially preferable because it enables the use of a manufacturing method having excellent productivity such as injection molding.

【0003】高度の透明性を要求される光学材料にかか
る手法を利用する場合、該微粒子は一般に樹脂マトリク
スとの屈折率差を有するので、光散乱を低減するために
はその粒径を少なくとも使用する光の波長よりも小さく
する必要がある。更に、レイリー散乱による透過光強度
の減衰を低減するためには、超微粒子化、特に粒径が1
0nm未満程度のナノ粒子をできる限り狭い粒径分布を
もって調製して分散することが好ましく、こうしたナノ
粒子の合成自体が最先端の研究課題となっているのが現
状である。
In the case of using a method for an optical material that requires a high degree of transparency, the fine particles generally have a refractive index difference from that of the resin matrix, so that at least the particle size is used to reduce light scattering. It is necessary to make the wavelength smaller than the wavelength of the light. Furthermore, in order to reduce the attenuation of the transmitted light intensity due to Rayleigh scattering, the particles are made into ultrafine particles, and especially the particle size is 1
It is preferable to prepare and disperse nanoparticles having a size of less than 0 nm with a particle size distribution as narrow as possible, and the synthesis itself of such nanoparticles is currently the most advanced research subject.

【0004】一方、レンズ、プリズム、ファイバ、光カ
プラ、透明パネル、透明基板等の光学部材には、高度の
寸法安定性が求められることが多い。この点は、有機樹
脂材料をガラス等の無機材料と比較した場合の一般的弱
点である。こうした弱点を無機物質を有機樹脂材料中に
分散させることで改良可能であることは公知である。こ
の場合、一般的に、該無機物質の体積分率にほぼ比例す
る寸法安定性が良好であることが期待される。しかしな
がら、従来の無機物質を有機樹脂材料中に分散させる技
術によっては、上記透明性を達成することはできなかっ
た。また、無機物質の形状の異方性に由来する成形体の
寸法安定性の方向異方性という問題が生じる場合があっ
た。つまり、例えばガラス繊維のような大きなアスペク
ト比を有する無機物質を有機樹脂材料中に分散させた場
合、特に射出成形や押出成形等の熱可塑成形法におい
て、有機樹脂材料の流動方向へのガラス繊維の配向が生
じ、これにより成形体における寸法安定性の方向異方性
が生じる。
On the other hand, optical members such as lenses, prisms, fibers, optical couplers, transparent panels and transparent substrates are often required to have a high degree of dimensional stability. This is a general weakness when comparing organic resin materials with inorganic materials such as glass. It is known that such weak points can be improved by dispersing an inorganic substance in an organic resin material. In this case, it is generally expected that the dimensional stability, which is almost proportional to the volume fraction of the inorganic substance, is good. However, the above-mentioned transparency cannot be achieved by a conventional technique of dispersing an inorganic substance in an organic resin material. In addition, there may be a problem of directional anisotropy of dimensional stability of the molded product due to the shape anisotropy of the inorganic substance. That is, when an inorganic substance having a large aspect ratio, such as glass fiber, is dispersed in an organic resin material, particularly in a thermoplastic molding method such as injection molding or extrusion molding, the glass fiber in the flow direction of the organic resin material Occurs, which causes directional anisotropy of dimensional stability in the molded body.

【0005】また、無機物質等の超微粒子を樹脂マトリ
クス中に2次凝集を可及的に低減した状態で分散させる
必要性が一般に認識されている。このような課題を解決
するため、超微粒子の表面の化学構造や化学組成を制御
する手法として以下の技術が提案されている。特開平1
1−43556号公報には、半導体超微粒子に表面修飾
を施し、更にその表面修飾の持つ官能基と樹脂とを反応
させる(特に溶液中での高分子反応が好ましい)ことに
より、粗大粒子の生成を抑制しかつ凝集を抑えつつ半導
体超微粒子を分散させた透明性に優れた樹脂組成物を得
る方法が報告されている。特開平5−221640号公
報には、酸化チタン超微粒子の表面にトリアルコキシシ
ラン類を結合させて樹脂マトリクスに分散させた樹脂組
成物に関する技術が開示されている。特開平11−28
6619号公報には、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化セリ
ウム等の酸化物超微粒子の表面に配位アニオン重合触媒
活性を持たせポリオレフィン樹脂系の高分子被膜を形成
させ有機物マトリクスへの分散性を向上させる技術が開
示されている。特開2000−230107号公報に
は、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム等
の酸化物超微粒子の表面に重合性を有する有機化合物等
を結合し架橋樹脂マトリクスに分散させる技術が開示さ
れている。特開2000−95967号公報及び特開2
000−281934号公報には、酸化物超微粒子の表
面に変性メタクリレート類等で処理することにより樹脂
マトリクスへの分散性を向上させる技術が開示されてい
る。特開2001−2417号公報には、酸化チタン超
微粒子を変性ポリシロキサン類を用いて樹脂マトリクス
への分散性を向上させる技術が開示されている。しかし
ながら、これらいずれの公報が開示する樹脂組成物技術
によっても、高度の透明性と優れた寸法安定性を兼備す
る樹脂組成物成形体を得ることはできなかった。
Further, it is generally recognized that it is necessary to disperse ultrafine particles of an inorganic substance or the like in a resin matrix in a state where secondary aggregation is reduced as much as possible. In order to solve such problems, the following techniques have been proposed as a method of controlling the chemical structure and chemical composition of the surface of ultrafine particles. JP-A-1
In Japanese Patent Laid-Open No. 1-43556, coarse particles are produced by subjecting semiconductor ultrafine particles to surface modification, and further reacting a functional group possessed by the surface modification with a resin (particularly preferably a polymer reaction in a solution). It has been reported that a method of obtaining a resin composition in which semiconductor ultrafine particles are dispersed while suppressing the above-mentioned phenomenon and suppressing aggregation is excellent in transparency. JP-A-5-221640 discloses a technique relating to a resin composition in which trialkoxysilanes are bound to the surface of titanium oxide ultrafine particles and dispersed in a resin matrix. JP-A-11-28
In Japanese Patent No. 6619, the surface of ultrafine oxide particles of titanium oxide, zinc oxide, cerium oxide or the like is made to have a coordinated anionic polymerization catalytic activity to form a polyolefin resin-based polymer film to improve dispersibility in an organic matrix. Techniques for doing so are disclosed. Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-230107 discloses a technique in which a polymerizable organic compound or the like is bonded to the surface of ultrafine oxide particles of silicon oxide, aluminum oxide, zirconium oxide or the like and dispersed in a crosslinked resin matrix. JP 2000-95967 A and JP 2
Japanese Patent Publication No. 000-281934 discloses a technique of improving the dispersibility in a resin matrix by treating the surface of ultrafine oxide particles with a modified methacrylate or the like. Japanese Patent Laid-Open No. 2001-2417 discloses a technique for improving the dispersibility of titanium oxide ultrafine particles in a resin matrix by using modified polysiloxanes. However, the resin composition techniques disclosed in any of these publications have failed to provide a resin composition molded article having both high transparency and excellent dimensional stability.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記実状に鑑
みてなされたものであり、その目的は、超微粒子を均質
に分散して含有し、優れた透明性と寸法安定性とを兼備
する樹脂組成物成形体及びその製造方法、並びに該成形
体の用途を提供することある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to contain ultrafine particles in a homogeneously dispersed state and to have excellent transparency and dimensional stability. A resin composition molded body, a method for producing the molded body, and an application of the molded body.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の目的
を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、透明性に優れた樹
脂マトリクスへの相溶性又は反応性を付与する有機配位
子による表面修飾を施した特定粒径の超微粒子を原料と
する樹脂組成物を、特定の温度条件で保温プレス成形す
る熱可塑成形法又は特定の重合性単量体を使用する架橋
樹脂成形法により成形体とすることで、該有機配位子の
効果である超微粒子の2次凝集抑制及び均質分散効果に
より非常に優れた透明性を有し、しかも優れた寸法安定
性を有する樹脂組成物成形体をとなることを見いだし、
本発明に到達した。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to achieve the above-mentioned object, the present inventors have found that an organic ligand that imparts compatibility or reactivity to a resin matrix having excellent transparency is used. Mold a resin composition using surface-modified ultrafine particles of a specific particle size as a raw material by a thermoplastic molding method in which heat insulation press molding is performed under a specific temperature condition or a cross-linking resin molding method using a specific polymerizable monomer. When it is made into a body, a resin composition molded body having extremely excellent transparency and excellent dimensional stability due to the effect of the organic ligand, that is, the suppression of secondary aggregation of ultrafine particles and the homogeneous dispersion effect. Found that
The present invention has been reached.

【0008】即ち、本発明の第1の趣旨は、数平均粒径
0.5〜50nmの超微粒子が分散してなる樹脂組成物
を主体とし、ナトリウムD線波長における光路長1mm
当たりの光線透過率の平均が70%以上であり、150
℃の空気雰囲気下に水平に静置して3時間加熱し次いで
23℃相対湿度50%の空気雰囲気下に1週間静置する
加熱試験前後の寸法変化率が0.05%以下であること
を特徴とする樹脂組成物成形体、に存する。
That is, the first gist of the present invention is to mainly use a resin composition in which ultrafine particles having a number average particle diameter of 0.5 to 50 nm are dispersed, and have an optical path length of 1 mm at a sodium D line wavelength.
The average light transmittance per unit is 70% or more, 150
It is left standing horizontally in an air atmosphere at ℃ for 3 hours and then left in an air atmosphere at 23 ℃ relative humidity 50% for 1 week. The dimensional change rate before and after the heating test is 0.05% or less. And a resin composition molded body.

【0009】本発明の第2の趣旨は、数平均粒径0.5
〜50nmの超微粒子が分散してなる樹脂組成物を主体
とし、ナトリウムD線波長における光路長1mm当たり
の光線透過率の平均が70%以上であり、40℃の温水
中に1時間浸漬し次いで23℃相対湿度50%の空気雰
囲気下に1週間静置する温水試験前後の寸法変化率が
0.05%以下であることを特徴とする樹脂組成物成形
体、に存する。
The second gist of the present invention is that the number average particle size is 0.5.
Mainly composed of a resin composition in which ultrafine particles of ˜50 nm are dispersed, the average light transmittance per 1 mm of optical path length at the sodium D-line wavelength is 70% or more, and immersed in warm water at 40 ° C. for 1 hour, and then A resin composition molded article characterized by having a dimensional change rate of 0.05% or less before and after a hot water test which is allowed to stand for 1 week in an air atmosphere having a relative humidity of 50% at 23 ° C.

【0010】本発明の第3の趣旨は、上記樹脂組成物成
形体からなる光学部材、に存する。本発明の第4の趣旨
は、超微粒子が分散した熱可塑性樹脂組成物である原料
塊を、該熱可塑性樹脂組成物のガラス転移温度よりも1
0〜80℃高い温度条件で保温しながら加圧成形するこ
とを特徴とする上記樹脂組成物成形体の製造方法、に存
する。
The third gist of the present invention resides in an optical member comprising the above resin composition molded body. A fourth gist of the present invention is that a raw material lump, which is a thermoplastic resin composition in which ultrafine particles are dispersed, is 1
The method for producing a resin composition molded body comprises pressure-molding while keeping the temperature at 0 to 80 ° C. higher.

【0011】本発明の第5の趣旨は、熱又は活性エネル
ギー線によって重合性液体混合物を硬化させることを特
徴とする上記樹脂組成物成形体の製造方法、に存する。
The fifth gist of the present invention resides in a method for producing the above resin composition molded body, characterized in that the polymerizable liquid mixture is cured by heat or active energy rays.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。 [樹脂組成物成形体]本発明が提供する第1の樹脂組成
物成形体は、後述する数平均粒径0.5〜50nmの超
微粒子が分散してなる樹脂組成物を主体とし、ナトリウ
ムD線波長における光路長1mm当たりの光線透過率の
平均が70%以上であり、150℃の空気雰囲気下に水
平に静置して3時間加熱し次いで23℃相対湿度50%
の空気雰囲気下に1週間静置する加熱試験前後の寸法変
化率が0.05%以下であることを特徴とするものであ
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below. [Resin Composition Molded Product] The first resin composition molded product provided by the present invention is mainly composed of a resin composition in which ultrafine particles having a number average particle diameter of 0.5 to 50 nm, which will be described later, are dispersed, and sodium D The average light transmittance per 1 mm of the optical path length at the line wavelength is 70% or more, and it is left to stand horizontally in an air atmosphere at 150 ° C for 3 hours and then heated at 23 ° C relative humidity 50%.
The dimensional change rate before and after the heating test of standing for 1 week in the air atmosphere is 0.05% or less.

【0013】本発明における樹脂組成物成形体の寸法変
化率とは、与えられた樹脂組成物成形体において実測さ
れる任意の直交する2方向の寸法変化率の算術平均であ
る。例えば平面状成形体が与えられた場合、該平面上に
直交する2直線を定め次いでそれぞれの直線上に長さ測
定可能な任意の線分を定め(通常インクや凹凸によるマ
ーキングにより表示しておく)、上記加熱試験前後にお
ける各線分の長さ変化を測定し、該長さ変化を加熱試験
前の対応する線分の長さで除した値を使用して算術平均
をとる。
The rate of dimensional change of the resin composition molded article in the present invention is an arithmetic mean of the rate of dimensional change measured in any given orthogonal direction in a given resin composition molded article. For example, when a flat molded body is given, two straight lines that are orthogonal to each other are set on the flat surface, and then arbitrary line segments whose lengths can be measured are set on each of the straight lines (usually marked by ink or uneven marking. ), The length change of each line segment before and after the heating test is measured, and the arithmetic mean is calculated using the value obtained by dividing the length change by the length of the corresponding line segment before the heating test.

【0014】上記加熱試験前後の寸法変化率が大きすぎ
ると精密な光学部材用途に支障を来す場合があるので、
好ましくは0.03%以下、更に好ましくは0.02%
以下、最も好ましくは0.01%以下である。上記加熱
試験の意味は、樹脂系材料の成形体からパネルを製造す
る際に繰り返し行われる加熱処理の処理条件を参酌して
設定したものである。即ち、上記成形体は、パネル製造
の際、画素形成時、透明電極形成時及び配向膜形成時に
おいて、複数回の加熱工程を経るが、この条件は、空気
中で150℃近辺で数分ないし数時間加熱されるもので
ある。そして、空気中で23℃、1週間静置する条件に
ついては、これらの加熱工程内における上記成形体の保
管条件の代表例として、またJIS K−7100記載
の恒温恒湿条件に準ずるものとして設定した。上記加熱
試験における温度、相対湿度及び時間の各条件の許容範
囲は、それぞれ±2℃、±5%相対湿度及び±5分であ
る。
If the dimensional change rate before and after the heating test is too large, it may hinder precision optical member applications.
Preferably 0.03% or less, more preferably 0.02%
Hereafter, it is most preferably 0.01% or less. The meaning of the above-mentioned heating test is set in consideration of the processing conditions of the heating process repeatedly performed when manufacturing a panel from a molded product of a resin material. That is, the above-mentioned molded body undergoes a plurality of heating steps at the time of panel manufacturing, pixel formation, transparent electrode formation, and alignment film formation, under the conditions of several minutes in the air at around 150 ° C. It is heated for several hours. The conditions of standing at 23 ° C. for 1 week in air are set as a representative example of the storage conditions of the molded body in these heating steps, and set in accordance with the constant temperature and constant humidity conditions described in JIS K-7100. did. The permissible ranges of the temperature, relative humidity and time conditions in the heating test are ± 2 ° C., ± 5% relative humidity and ± 5 minutes, respectively.

【0015】上記加熱試験において、1回の試験前後の
寸法変化量が0.03%であると、例えば300mm角
のシートであればその一辺が90μm縮むことを意味す
る。現在カラー表示を行う際に使用される1画素の幅は
100μm程度であり、90μmの縮みはこの1画素の
幅分近く色ずれを起こすことになる。すなわちR
(赤)、G(緑、)B(青)の画素がそれぞれ100μ
m幅でこの順でストライプ状に形成される設計におい
て、シート端部ではR画素の位置にG画素が、またG画
素の位置にB画素が配置されることになってしまうた
め、設計通りの色表示ができない。こうした色ずれの度
合いはシートの長さに依存するが、寸法変化量が0.0
2%以下の場合には、300mm角シート中央に設計の
中心を置くことにより設計通りの位置で各色の表示が可
能となる。即ち、300mm角シートの中央から各辺中
央までの位置ずれを30μm以内に抑えることができる
ため、シート端部においても70%以上は本来の画素色
を表示することができる。
In the above heating test, if the amount of dimensional change before and after one test is 0.03%, it means that one side of a 300 mm square sheet shrinks by 90 μm. Currently, the width of one pixel used for color display is about 100 μm, and a shrinkage of 90 μm causes a color shift by the width of one pixel. Ie R
Each pixel of red (red), G (green,) B (blue) is 100μ
In the design in which the stripes are formed in this order with the width of m, the G pixel is arranged at the position of the R pixel and the B pixel is arranged at the position of the G pixel at the end portion of the sheet. Color display is not possible. The degree of such color shift depends on the length of the sheet, but the dimensional change is 0.0
In the case of 2% or less, each color can be displayed at the designed position by placing the design center at the center of the 300 mm square sheet. That is, since the positional deviation from the center of the 300 mm square sheet to the center of each side can be suppressed within 30 μm, 70% or more of the sheet edge can display the original pixel color.

【0016】本発明が提供する第2の樹脂組成物成形体
は、後述する数平均粒径0.5〜50nmの超微粒子が
分散してなる樹脂組成物を主体とし、ナトリウムD線波
長における光路長1mm当たりの光線透過率の平均が7
0%以上であり、40℃の温水中に1時間浸漬し次いで
23℃相対湿度50%の空気雰囲気下に1週間静置する
温水試験前後の寸法変化率が0.05%以下であること
を特徴とするものである。かかる温水試験における寸法
変化率の定義とその測定方法は、上記加熱試験における
記述と同様である。上記温水試験前後の寸法変化率が大
きすぎると精密な光学部材用途に支障を来す場合がある
ので、好ましくは0.03%以下、更に好ましくは0.
01%以下である。
The second resin composition molded body provided by the present invention is mainly composed of a resin composition in which ultrafine particles having a number average particle diameter of 0.5 to 50 nm, which will be described later, are dispersed, and has an optical path at a sodium D-line wavelength. The average light transmittance per 1 mm is 7
The dimensional change rate before and after the hot water test, which is 0% or more, is soaked in 40 ° C. warm water for 1 hour, and then allowed to stand for 1 week in an air atmosphere at 23 ° C. and 50% relative humidity is 0.05% or less. It is a feature. The definition of the dimensional change rate in the hot water test and its measuring method are the same as those described in the heating test. If the dimensional change rate before and after the hot water test is too large, it may hinder precision optical member applications, so it is preferably 0.03% or less, more preferably 0.
It is 01% or less.

【0017】上記温水試験は、上記パネルを製造する際
の温水処理条件を参酌して設定したものである。即ち、
上記成形体は、パネル製造の際、画素形成前、透明電極
形成前、配向膜形成後にそれぞれ複数回温水洗浄される
が、この洗浄は通常、40℃の温水で数分ないし数時間
行われている。そして、空気中で23℃、1週間静置す
る条件については、これらの洗浄工程内における樹脂成
形体の保管条件の代表例として、また、JIS K−7
100に準ずるものとして設定した。上記温水試験にお
ける温度、相対湿度及び時間の各条件の許容範囲は、そ
れぞれ±2℃、±5%相対湿度及び±5分である。
The hot water test is set in consideration of the hot water treatment conditions when manufacturing the panel. That is,
The above-mentioned molded body is washed with hot water a plurality of times before forming pixels, before forming transparent electrodes, and after forming an alignment film during panel manufacturing. This washing is usually performed with hot water at 40 ° C. for several minutes to several hours. There is. And about the condition of leaving still at 23 ° C. for 1 week in the air, as a representative example of the storage condition of the resin molded body in these washing steps, and JIS K-7
The value was set as 100. The permissible ranges of the temperature, relative humidity and time conditions in the hot water test are ± 2 ° C., ± 5% relative humidity and ± 5 minutes, respectively.

【0018】上記2通りの優れた寸法安定性が得られる
理由は定かでないが、無機物等の充填材表面に樹脂マト
リクスの高分子鎖が吸着される効果が、上記特定の粒径
を有する超微粒子の使用による従来にない非常に大きな
表面積により全く予期しない程顕著となり、これが成形
体の総体として該高分子鎖の可動性を抑制したためであ
るとも推測される。
Although the reason why the above two excellent dimensional stability is obtained is not clear, the effect of the polymer chains of the resin matrix being adsorbed on the surface of the filler such as an inorganic substance is that the ultrafine particles having the above-mentioned specific particle size. It is presumed that the extremely large surface area unprecedented due to the use of the above-mentioned compound markedly unexpectedly made it remarkable, and it is presumed that this was because the mobility of the polymer chain was suppressed as a whole of the molded body.

【0019】上記樹脂組成物成形体の製造方法に制限は
ないが、好ましい製造方法としては、超微粒子を含有し
た熱可塑性樹脂組成物を溶融し金型等により賦形して製
造する方法(以下「熱可塑成形法」と称する)、並びに
重合性単量体と超微粒子とを含有する重合性液体混合物
を成形型内に装入し次いで重合反応を行い樹脂組成物を
該成形型内において形成させる方法(以下「架橋樹脂成
形法」と称する)が例示される。こうした製造方法につ
いては後に詳述する。
There is no limitation on the method for producing the above resin composition molded article, but a preferable method is to produce a thermoplastic resin composition containing ultrafine particles by melting and shaping with a mold or the like (hereinafter "Thermoplastic molding method"), and a polymerizable liquid mixture containing a polymerizable monomer and ultrafine particles are charged into a molding die, and then a polymerization reaction is performed to form a resin composition in the molding die. An example of such a method (hereinafter referred to as "crosslinked resin molding method") is used. Such a manufacturing method will be described in detail later.

【0020】本発明の樹脂組成物成形体の透明性を規定
する上記ナトリウムD線波長における光路長1mm当た
りの光線透過率の平均(以下「D線透過率」と称する)
が小さすぎると透明性は不十分となり光学部材としての
使用に支障を来す場合があるので、該D線透過率の値は
好ましくは80%以上、更に好ましくは85%以上、最
も好ましくは89%以上である。ここでいう「平均」と
は、与えられた成形体の少なくとも10の任意箇所にお
けるD線透過率の測定値を、該測定における光路長に基
づいて比例計算により光路長1mm当たりの値に換算し
たものであり、その測定箇所の数は平均値の信頼性の点
で可及的に多いことが望ましい。
The average of the light transmittance per mm of the optical path length at the above-mentioned sodium D-ray wavelength which defines the transparency of the molded resin composition of the present invention (hereinafter referred to as "D-ray transmittance").
If it is too small, the transparency may be insufficient and use as an optical member may be hindered. Therefore, the value of the D-ray transmittance is preferably 80% or more, more preferably 85% or more, and most preferably 89%. % Or more. The term "average" used here means that the measured value of the D-ray transmittance in at least 10 arbitrary points of a given molded body is converted into a value per 1 mm of the optical path length by proportional calculation based on the optical path length in the measurement. It is desirable that the number of measurement points be as large as possible in terms of reliability of the average value.

【0021】本発明の樹脂組成物成形体における最小厚
みは通常0.01mmでありこれが小さすぎると樹脂組
成物成形体の機械的強度が極端に低下する場合があるの
で、この最小厚みは好ましくは0.05mm、更に好ま
しくは0.1mmである。また、本発明の樹脂組成物成
形体における最大厚みは通常100mmでありこれが大
きすぎると樹脂組成物成形体の総体としての光線透過率
が極端に低下する場合があるので、この最大厚みは好ま
しくは50mm、更に好ましくは30mm程度である。
The minimum thickness of the resin composition molded body of the present invention is usually 0.01 mm, and if it is too small, the mechanical strength of the resin composition molded body may be extremely reduced. Therefore, this minimum thickness is preferred. It is 0.05 mm, more preferably 0.1 mm. In addition, the maximum thickness of the resin composition molded body of the present invention is usually 100 mm, and if this is too large, the light transmittance as a whole of the resin composition molded body may be extremely reduced, so this maximum thickness is preferably It is about 50 mm, more preferably about 30 mm.

【0022】本発明の樹脂組成物成形体の寸法について
特に制限はないが、本発明の樹脂組成物の特徴である透
明性、耐光性、低吸水率及び低光学歪み等、並びに無機
ガラスに比較した透明樹脂材料一般の特徴である軽量性
及び耐衝撃性という諸特徴から、比較的大面積の薄肉成
形体用途(例えば面積が50cm2以上程度のディスプ
レイパネル等)において本発明の樹脂組成物成形体の利
用価値が大きくなる。これは、例えば携帯電話の液晶デ
ィスプレイパネルのように比較的小さな面積の場合はデ
バイス全体の構造設計によりガラスパネルの乏しい耐衝
撃性を補うことが可能であるが、ノートパソコン等比較
的大面積のパネルを使用する用途ではこうした耐衝撃性
設計に限界が生じる、といった事情によるものである。
従って、本発明の樹脂組成物成形体の好ましい寸法は厚
みが0.1mm〜50nmであって、面積が好ましくは
50〜50000cm2、より好ましくは100〜20
000cm2、更に好ましくは200〜10000cm2
である。この面積が大きすぎると、たとえ本発明の樹脂
組成物成形体の製造方法を採用したとしても成形型(金
型等)からの剥離性の悪化や複屈折の増大などによる光
学歪みの増大する場合、あるいはかかる光学歪みを低減
しようとすると成形サイクルが極端に長くなる場合があ
る。
The size of the resin composition molded article of the present invention is not particularly limited, but the resin composition of the present invention is characterized by transparency, light resistance, low water absorption and low optical distortion, and comparison with inorganic glass. Due to various characteristics of the transparent resin material, such as lightness and impact resistance, which are general characteristics of the transparent resin material, the resin composition molding of the present invention can be performed in a relatively large area thin-walled molded body application (for example, a display panel having an area of 50 cm 2 or more). The utility value of the body increases. For example, in the case of a relatively small area such as a liquid crystal display panel of a mobile phone, it is possible to compensate for the poor impact resistance of the glass panel by the structural design of the entire device, but in a relatively large area such as a laptop computer. This is because the impact resistance design has a limit in applications using the panel.
Therefore, the resin composition molded body of the present invention preferably has a thickness of 0.1 mm to 50 nm and an area of preferably 50 to 50,000 cm 2 , more preferably 100 to 20.
000cm 2, more preferably 200~10000Cm 2
Is. If this area is too large, even if the method for producing a resin composition molded article of the present invention is adopted, the optical strain increases due to deterioration of releasability from a molding die (mold etc.) and increase of birefringence. Or, if an attempt is made to reduce such optical distortion, the molding cycle may become extremely long.

【0023】本発明の樹脂組成物成形体に使用される超
微粒子は、寸法安定性の点で無機物を含有するものであ
ることが好ましい。この理由は、無機物(例えば非晶質
SiO2等の無機ガラス類、酸化チタン類や酸化亜鉛等
の半導体、金や銀等の金属、フッ化マグネシウム等の金
属塩、等)は一般に線膨張係数が小さいこと、水溶性を
有さない場合には吸水性が小さい又は実質的に非吸水性
であるという特徴を有することによるものと考えられ
る。
The ultrafine particles used in the resin composition molded product of the present invention preferably contain an inorganic substance from the viewpoint of dimensional stability. The reason for this is that inorganic substances (for example, inorganic glasses such as amorphous SiO 2 , semiconductors such as titanium oxides and zinc oxide, metals such as gold and silver, metal salts such as magnesium fluoride) generally have linear expansion coefficients. Is considered to be small, and when it is not water-soluble, it has a feature that its water absorption is small or it is substantially non-water-absorption.

【0024】本発明の樹脂組成物成形体に使用される超
微粒子は、樹脂マトリクスへの分散性を向上させるため
に有機配位子を結合したものであることが望ましい。こ
こでいう有機配位子とは、超微粒子表面に結合する有機
分子であり、後に詳述する。上記超微粒子の数平均粒径
が小さすぎると該超微粒子を構成する物質固有の特性
(例えば半導体の結晶性に起因するバンド構造の形成)
が顕著でなくなる場合があり、逆に該数平均粒径が大き
すぎると超微粒子の凝集性が極端に増大して樹脂組成物
成形体の透明性や機械的強度が極端に低下したり量子効
果による特性(例えば半導体結晶におけるエキシトン吸
発光能)が顕著でなくなる場合がある。従って該数平均
粒径の下限値は好ましくは1nm、より好ましくは2n
m、更に好ましくは3nmであり、上限値は好ましくは
40nm、より好ましくは30nm、更に好ましくは2
0nmである。なお、本発明の樹脂組成物成形体の透明
性の点で、粒径が60nm以上の超微粒子の割合は、全
超微粒子の体積に対して通常10体積%以下、好ましく
は5体積%以下、更に好ましくは3体積%以下である。
上記数平均粒径及び体積%の決定には、透過型電子顕微
鏡(TEM)観察像より測定される数値を用いる。即
ち、観察される超微粒子像と同面積の円の直径を該粒子
像の粒径と定義する。こうして決定される粒径を用い、
例えば公知の画像データの統計処理手法により該数平均
粒径を算出するが、かかる統計処理に使用する超微粒子
像の数(統計処理データ数)は可及的多いことが当然望
ましく、本発明においては、再現性の点で無作為に選ば
れた該粒子像の個数として最低でも50個以上、好まし
くは80個以上、更に好ましくは100個以上とする。
上記体積%の計算は、上記により決定される粒径を直径
とする球の体積で換算する。
The ultrafine particles used in the resin composition molded product of the present invention are preferably those to which an organic ligand is bonded in order to improve the dispersibility in the resin matrix. The organic ligand referred to here is an organic molecule bonded to the surface of the ultrafine particles, and will be described in detail later. If the number average particle size of the ultrafine particles is too small, the characteristics peculiar to the substance forming the ultrafine particles (eg, formation of band structure due to crystallinity of semiconductor)
When the number average particle size is too large, the cohesiveness of the ultrafine particles is extremely increased and the transparency and mechanical strength of the resin composition molded article are extremely decreased or the quantum effect is increased. The characteristic (for example, exciton absorption / emission ability in a semiconductor crystal) may not be remarkable. Therefore, the lower limit of the number average particle diameter is preferably 1 nm, more preferably 2n.
m, more preferably 3 nm, and the upper limit value is preferably 40 nm, more preferably 30 nm, and further preferably 2
It is 0 nm. In terms of transparency of the resin composition molded article of the present invention, the ratio of ultrafine particles having a particle size of 60 nm or more is usually 10% by volume or less, preferably 5% by volume or less, based on the volume of all ultrafine particles. More preferably, it is 3% by volume or less.
Numerical values measured from transmission electron microscope (TEM) observation images are used to determine the number average particle diameter and the volume%. That is, the diameter of a circle having the same area as the observed ultrafine particle image is defined as the particle size of the particle image. Using the particle size determined in this way,
For example, the number average particle diameter is calculated by a known statistical processing method of image data, but it is naturally desirable that the number of ultrafine particle images used in the statistical processing (the number of statistically processed data) is as large as possible. Is at least 50, preferably 80 or more, more preferably 100 or more as the number of the particle images randomly selected from the viewpoint of reproducibility.
The calculation of the volume% is performed by converting the volume of a sphere having the diameter determined by the above as a diameter.

【0025】本発明の樹脂組成物成形体に使用される超
微粒子の形状は、成形体の総体としての線膨張係数の方
向異方性を小さくする目的で、アスペクト比(長軸と短
軸との比)が通常1〜10、好ましくは1〜5、更に好
ましくは1〜3である。最も好ましいのは球状(即ちア
スペクト比が1)である。本発明の樹脂組成物成形体を
窒素雰囲気下600℃において120分間熱分解させて
得る残渣は、該熱分解前の重量の通常3〜60%であ
る。かかる残渣は特に上記超微粒子が無機物を含有する
場合それに由来する場合が多いので、該残渣の量は樹脂
組成物成形体中の超微粒子の含有量を反映する指標でも
ある。上記残渣の量が少なすぎると超微粒子の特性が発
現しにくくなる場合があるので該下限値は好ましくは5
%、更に好ましくは7%である。一方、上記残渣の量が
多すぎると本発明の樹脂組成物成形体の透明性や機械的
強度が極端に悪化する場合があるので該上限値は好まし
くは50%、更に好ましくは40%である。かかる残渣
の量の測定は、例えば、与えられた成形体を窒素雰囲気
の電気炉中で加熱して行ってもよく、より簡便には与え
られた成形体の任意の一部分を切削して採取したものを
試料として窒素雰囲気における熱重量分析(TG)によ
り行ってもよい。
The shape of the ultrafine particles used in the resin composition molded body of the present invention is such that the aspect ratio (the major axis and the minor axis is different from each other in order to reduce the directional anisotropy of the linear expansion coefficient as a whole of the molded body). Ratio) is usually 1 to 10, preferably 1 to 5, and more preferably 1 to 3. Most preferred are spheres (ie aspect ratio 1). The residue obtained by thermally decomposing the resin composition molded article of the present invention at 600 ° C. for 120 minutes in a nitrogen atmosphere is usually 3 to 60% by weight before the thermal decomposition. Since such a residue is often derived especially when the above ultrafine particles contain an inorganic substance, the amount of the residue is also an index reflecting the content of the ultrafine particles in the resin composition molded body. If the amount of the above residue is too small, the characteristics of the ultrafine particles may be difficult to develop, so the lower limit value is preferably 5
%, And more preferably 7%. On the other hand, if the amount of the above residue is too large, the transparency and mechanical strength of the resin composition molded article of the present invention may be extremely deteriorated, so the upper limit is preferably 50%, more preferably 40%. . The amount of such a residue may be measured, for example, by heating a given molded body in an electric furnace in a nitrogen atmosphere, and more simply, an arbitrary part of the given molded body is cut and collected. The sample may be used for thermogravimetric analysis (TG) in a nitrogen atmosphere.

【0026】本発明の樹脂組成物成形体の吸光特性につ
いては適用する用途に応じ特に制限はないが、耐紫外線
性や紫外線遮蔽性を必要とする用途においては、波長3
50nmにおける光路長1mm当たりの光線透過率の平
均(以下「350nm透過率」と称する)が50%以下
であることが好ましい。ここでいう「平均」とは、与え
られた成形体の少なくとも10の任意箇所における上記
350nm透過率の測定値を、該測定における光路長に
基づいて比例計算により光路長1mm当たりの値に換算
したものであり、その測定箇所の数は平均値の信頼性の
点で可及的に多いことが望ましい。ここで挙げた350
nmという特定波長を指定する理由は、後述する半導体
結晶(例えば酸化チタン、酸化亜鉛、酸化セリウム等)
を含有する超微粒子を用いた場合、該半導体結晶の基礎
吸収により合成樹脂の光分解が顕著となる350nm以
下の紫外線を有効に吸収することが可能であるため、該
紫外線の吸収能評価指標として適切であることに存す
る。上記350nm透過率が大きすぎると本発明の樹脂
組成物成形体の耐紫外線性や紫外線遮蔽性が極端に低下
する場合があるので、その上限値はより好ましくは30
%、更に好ましくは15%、最も好ましくは5%であ
る。
The light absorption characteristics of the resin composition molded article of the present invention are not particularly limited depending on the application to which it is applied.
It is preferable that the average of the light transmittances per 1 mm of the optical path length at 50 nm (hereinafter referred to as “350 nm transmittance”) is 50% or less. The term "average" as used herein means that the measured value of the 350 nm transmittance at least 10 arbitrary points of a given molded body is converted into a value per 1 mm of the optical path length by proportional calculation based on the optical path length in the measurement. It is desirable that the number of measurement points be as large as possible in terms of reliability of the average value. 350 listed here
The reason for specifying the specific wavelength of nm is the semiconductor crystal described later (for example, titanium oxide, zinc oxide, cerium oxide, etc.).
When using ultrafine particles containing, since it is possible to effectively absorb the ultraviolet rays of 350 nm or less at which the photodecomposition of the synthetic resin becomes remarkable due to the basic absorption of the semiconductor crystals, as an evaluation index for the absorption capacity of the ultraviolet rays. It lies in being appropriate. If the 350 nm transmittance is too large, the ultraviolet resistance and the ultraviolet shielding property of the resin composition molded product of the present invention may be extremely lowered, so the upper limit thereof is more preferably 30.
%, More preferably 15%, most preferably 5%.

【0027】本発明の樹脂組成物成形体の耐熱性につい
ては、ガラス転移温度(Tg)が150℃以上であるこ
とが好ましい。このガラス転移温度が小さすぎると本発
明の樹脂組成物成形体の耐熱性は不十分となり上記寸法
安定性が悪化する場合があるので、該ガラス転移温度の
値は好ましくは160℃以上、更に好ましくは170℃
以上である。かかる光線透過率の測定は、与えられた樹
脂組成物成形体の任意部分を切削して採取したものを試
料とする示差熱分析(DSC)、与えられた樹脂組成物
成形体の任意部分の切削加工又は切削して採取した熱可
塑性樹脂組成物を熱プレス成形して得る短冊状成形片の
動的粘弾性試験(いわゆるtanδ測定)、あるいは熱
機械的分析法(TMA)等の荷重下加熱による機械的変
位を測定する軟化温度測定等、公知の方法により行う
が、これら例示の複数の測定方法においてそれぞれ信頼
できる測定値が異なるガラス転移温度を与える場合はそ
れらのうち最も高い測定値を採用する。
Regarding the heat resistance of the resin composition molding of the present invention, it is preferable that the glass transition temperature (Tg) is 150 ° C. or higher. If the glass transition temperature is too low, the heat resistance of the resin composition molded article of the present invention may be insufficient and the dimensional stability may be deteriorated. Therefore, the value of the glass transition temperature is preferably 160 ° C. or more, more preferably Is 170 ° C
That is all. The measurement of the light transmittance is performed by a differential thermal analysis (DSC) using a sample obtained by cutting an arbitrary portion of a given resin composition molding, and cutting an arbitrary portion of the given resin composition molding. By a dynamic viscoelasticity test (so-called tan δ measurement) of a strip-shaped molded piece obtained by hot pressing a thermoplastic resin composition sampled by processing or cutting, or by heating under a load such as a thermomechanical analysis method (TMA) It is carried out by a known method such as softening temperature measurement for measuring mechanical displacement, and when reliable measurement values give different glass transition temperatures in a plurality of these exemplified measurement methods, the highest measurement value among them is adopted. .

【0028】本発明の樹脂組成物成形体においては、光
路長1mm当たりの複屈折の平均が10nm以下である
ことが低光学歪みの点で好ましい。ここでいう「平均」
とは、与えられた成形体の少なくとも10の任意箇所に
おける複屈折の測定値を、該測定における光路長に基づ
いて比例計算により光路長1mm当たりの値に換算した
ものであり、その測定箇所の数は平均値の信頼性の点で
可及的に多いことが望ましい。上記複屈折の平均が大き
すぎると本発明の樹脂組成物成形体の光学歪みが大きす
ぎて光学部材としての使用に支障を来す場合があるの
で、該複屈折の平均の値は好ましくは5nm以下、更に
好ましくは3nm以下、最も好ましくは2nmである。
In the resin composition molded product of the present invention, it is preferable that the average of birefringence per 1 mm of the optical path length is 10 nm or less from the viewpoint of low optical distortion. "Average" here
The measured value of birefringence at at least 10 arbitrary points of a given molded body is converted into a value per 1 mm of optical path length by proportional calculation based on the optical path length in the measurement, and It is desirable that the number is as large as possible in terms of reliability of the average value. If the average of the birefringence is too large, the optical strain of the resin composition molded product of the present invention may be too large to hinder the use as an optical member. Therefore, the average value of the birefringence is preferably 5 nm. Or less, more preferably 3 nm or less, and most preferably 2 nm.

【0029】本発明の樹脂組成物成形体においては、成
形体の総体として測定される線膨張係数の方向異方性の
標準偏差が、線膨張係数の平均の10%以下であること
が望ましい。ここでいう線膨張係数の測定は、市販の熱
機械的分析法(TMA)装置により行われる。上記線膨
張係数の方向異方性の標準偏差の測定は、与えられた成
形体の少なくとも6の任意方向における線膨張係数の測
定値の算術平均を上記線膨張係数の平均として算出す
る。この測定方向の数は数値の信頼性の点で可及的に多
いことが望ましい。上記線膨張係数の方向異方性の標準
偏差が大きすぎると本発明の樹脂組成物成形体の寸法安
定性が光学部材として不十分となる場合があるので、該
標準偏差の値は好ましくは7%以下、更に好ましくは5
%以下である。
In the resin composition molded product of the present invention, it is desirable that the standard deviation of the directional anisotropy of the linear expansion coefficient measured as the whole of the molded product is 10% or less of the average of the linear expansion coefficient. The measurement of the coefficient of linear expansion here is performed by a commercially available thermomechanical analysis (TMA) device. In the measurement of the standard deviation of the directional anisotropy of the linear expansion coefficient, the arithmetic mean of the measured values of the linear expansion coefficient in at least 6 arbitrary directions of a given molded body is calculated as the average of the linear expansion coefficient. It is desirable that the number of measurement directions is as large as possible in terms of numerical reliability. If the standard deviation of the directional anisotropy of the linear expansion coefficient is too large, the dimensional stability of the resin composition molded product of the present invention may be insufficient as an optical member. Therefore, the value of the standard deviation is preferably 7 % Or less, more preferably 5
% Or less.

【0030】本発明の樹脂組成物成形体においては、そ
の表面粗さRaの平均が0.1μm以下であることが望
ましい。このRa値は、市販の表面粗さ測定器(例えば
ダイヤモンド針(1μmR、90度円錐)を使用)によ
り測定される。上記Ra値が大きすぎると、例えば液晶
表示素子部材として利用する場合に、色滲み等の問題が
発生し画質が悪化するといった光学部材としての性能を
悪化させる場合があるので、好ましくは0.05μm以
下、より好ましくは0.01μm以下である。
In the resin composition molded product of the present invention, it is desirable that the average of the surface roughness Ra be 0.1 μm or less. This Ra value is measured by a commercially available surface roughness measuring device (for example, using a diamond stylus (1 μmR, 90 ° cone)). If the Ra value is too large, for example, when used as a liquid crystal display element member, a problem such as color bleeding may occur and the image quality may be deteriorated, which may deteriorate the performance as an optical member. Or less, more preferably 0.01 μm or less.

【0031】本発明の樹脂組成物成形体の主体をなす樹
脂組成物が熱可塑性樹脂組成物である場合、後述する熱
可塑成形法により製造可能であり生産性が向上するので
好ましい。一方、本発明の樹脂組成物成形体の主体をな
す樹脂組成物が架橋樹脂組成物である場合には、上記寸
法安定性及び耐熱性、並びに耐溶剤性が向上するという
特徴を獲得するので好ましい。こうした2種の樹脂組成
物の異なる特徴は、用途により選択される。後者におけ
る寸法安定性及び耐熱性、並びに耐溶剤性が向上すると
いう特徴は、樹脂マトリクスが架橋樹脂であるため、高
分子鎖の絡み合い状態が外部応力や熱により変化するこ
とにより起きるマクロな変形が、該架橋樹脂マトリクス
中のに架橋点により顕著に抑制される架橋効果によるも
のと推定される。こうした架橋樹脂組成物の製造方法に
制限はないが、後述する重合性単量体を含有する重合性
液体混合物を重合させて好適に得られるものである。
When the resin composition which is the main component of the resin composition molded article of the present invention is a thermoplastic resin composition, it can be produced by the thermoplastic molding method described later and the productivity is improved, which is preferable. On the other hand, when the resin composition which is the main component of the resin composition molded body of the present invention is a crosslinked resin composition, it is preferable because the above-mentioned dimensional stability, heat resistance, and solvent resistance are improved. . The different characteristics of these two resin compositions are selected according to the application. The latter is characterized by improved dimensional stability, heat resistance, and solvent resistance. Since the resin matrix is a cross-linked resin, macroscopic deformation caused by changes in the entangled state of polymer chains due to external stress or heat It is presumed that this is due to the crosslinking effect that is significantly suppressed by the crosslinking points in the crosslinked resin matrix. The method for producing such a crosslinked resin composition is not limited, but it is preferably obtained by polymerizing a polymerizable liquid mixture containing a polymerizable monomer described below.

【0032】本発明の樹脂組成物成形体が無機物を含有
する超微粒子を含有する場合、無機物は有機物である樹
脂マトリクスと異なる光学特性を有する物質であるた
め、成形体の総体として有機物単独では実現し得ない特
異な屈折率とアッベ数とのバランスを有するという特徴
を有する場合がある。かかる特異な屈折率とアッベ数と
のバランスは、レンズやプリズム等光の屈折を利用しか
つ複屈折が小さいことが望ましい用途において有用であ
る場合があり、具体的にはナトリウムD線波長において
23℃で測定される屈折率nDとアッベ数νDとの関係を
表す下記数式(B)の定数項Cが1.70〜1.90の
範囲を逸脱するような場合をいう。
When the molded product of the resin composition of the present invention contains ultrafine particles containing an inorganic substance, since the inorganic substance is a substance having optical characteristics different from that of the resin matrix which is an organic substance, the organic substance alone is realized as the whole molded body. It may have a characteristic that it has a unique refractive index and an Abbe number that cannot be achieved. Such a unique balance between the refractive index and the Abbe's number may be useful in applications where it is desirable to use the refraction of light such as a lens and a prism and to have a small birefringence. This is a case where the constant term C of the following mathematical formula (B) representing the relationship between the refractive index n D and the Abbe number ν D measured at ° C deviates from the range of 1.70 to 1.90.

【0033】[0033]

【数2】nD = −0.005νD + C (B) 透明樹脂材料において、一般に光路長が大きくなるに従
って複屈折も大きくなる。しかし、上記超微粒子(特に
無機物質の超微粒子)を熱可塑性樹脂マトリクスに分散
した場合、光路長の増大の割には従来になく複屈折の増
加率が小さくなるという特徴を獲得する場合がある。従
って、本発明の光学部材のように厚み0.1mm以上と
いう比較的厚い成形体において、かかる特徴は低複屈折
率化の点で有利となる。
In Equation 2] n D = -0.005ν D + C ( B) a transparent resin material, birefringence increases as the general optical path length is increased. However, when the above ultrafine particles (particularly, ultrafine particles of an inorganic substance) are dispersed in a thermoplastic resin matrix, there may be a feature that the rate of increase in birefringence becomes smaller than ever, despite the increase in optical path length. . Therefore, in a comparatively thick molded product having a thickness of 0.1 mm or more like the optical member of the present invention, such a feature is advantageous in terms of lowering the birefringence.

【0034】本発明の樹脂組成物成形体には、本発明の
目的を著しく逸脱しない限りにおいて、各種添加剤を併
用してもよい。かかる添加剤としては、例えば酸化防止
剤、熱安定剤、あるいは光吸収剤等の安定剤類、ガラス
繊維、ガラスビーズ、マイカ、タルク、カオリン、粘土
鉱物、金属繊維、金属粉等のフィラー類、炭素繊維、カ
ーボンブラック、黒鉛等の炭素材料、帯電防止剤、可塑
剤、離型剤、消泡剤、レベリング剤、沈降防止剤、界面
活性剤、チクソトロピー付与剤等の改質剤類、顔料、染
料、色相調整剤等の着色剤類等が例示される。これらの
添加剤は、樹脂組成物を製造する際に混合しても良い
し、成形時に添加することも可能である。本発明の樹脂
組成物成形体において、これらの各種添加剤の添加量は
成形体の用途に応じて適宜設定されるが、通常、10重
量%以下、好ましくは5重量%以下である。
Various additives may be used in combination with the resin composition molded article of the present invention unless the object of the present invention is significantly deviated. As such additives, for example, antioxidants, heat stabilizers, or stabilizers such as light absorbers, glass fibers, glass beads, mica, talc, kaolin, clay minerals, metal fibers, fillers such as metal powder, Carbon fibers, carbon black, carbon materials such as graphite, antistatic agents, plasticizers, release agents, defoamers, leveling agents, antisettling agents, surfactants, modifiers such as thixotropy imparting agents, pigments, Colorants such as dyes and hue adjusters are exemplified. These additives may be mixed at the time of producing the resin composition, or may be added at the time of molding. In the resin composition molded product of the present invention, the addition amount of these various additives is appropriately set depending on the use of the molded product, but is usually 10% by weight or less, preferably 5% by weight or less.

【0035】本発明の樹脂組成物成形体の表面には、例
えばガスバリア層、ハードコート層又は導電層等のコー
ティング層を施すことができる。コーティングの具体例
としては、無機酸化物コーティング層からなる透明導電
層(例えば略称ITOであるインジウム錫酸化物)やガ
スバリア層(例えばシリカ)、有機物コーティング層か
らなるガスバリア層やハードコート等が挙げられ、その
コーティング法としては真空蒸着法、CVD法、スパッ
タリング法、ディップコート法、スピンコート法等公知
のコーティング法を用いることができる。接着性を高め
るため、接着層を使用してもよい。これらのコーティン
グ層の厚さに制限はないが、通常100μm以下、好ま
しくは50μm以下である。
A coating layer such as a gas barrier layer, a hard coat layer or a conductive layer can be provided on the surface of the resin composition molded product of the present invention. Specific examples of the coating include a transparent conductive layer made of an inorganic oxide coating layer (for example, indium tin oxide which is an abbreviation ITO), a gas barrier layer (for example, silica), a gas barrier layer made of an organic coating layer, a hard coat, and the like. As the coating method, known coating methods such as a vacuum vapor deposition method, a CVD method, a sputtering method, a dip coating method and a spin coating method can be used. Adhesive layers may be used to enhance adhesion. The thickness of these coating layers is not limited, but is usually 100 μm or less, preferably 50 μm or less.

【0036】[熱可塑性樹脂組成物]本発明の樹脂組成
物成形体の製造に超微粒子を含有した熱可塑性樹脂組成
物を使用する場合、その樹脂マトリクスの主体を形成す
る熱可塑性樹脂の種類には、上記透明性の条件を満たす
限りにおいて制限はなく、熱可塑性(加熱により軟化し
賦形可能となる性質)を保持する限りにおいて架橋高分
子成分を含有していてもよい。このような熱可塑性樹脂
として好ましいものは、ASTM D−1003(3m
m厚)規格による光線透過率が70%以上、好ましくは
80%以上、更に好ましくは85%以上のものである。
[Thermoplastic Resin Composition] When a thermoplastic resin composition containing ultrafine particles is used in the production of the resin composition molded article of the present invention, the type of the thermoplastic resin forming the main body of the resin matrix is selected. Is not limited as long as the above-mentioned transparency condition is satisfied, and may contain a crosslinked polymer component as long as it retains thermoplasticity (a property that it is softened by heating and can be shaped). Preferred as such a thermoplastic resin is ASTM D-1003 (3 m
The light transmittance according to the standard (m thickness) is 70% or more, preferably 80% or more, and more preferably 85% or more.

【0037】上記熱可塑性樹脂組成物には、本発明の目
的を著しく逸脱しない限りにおいて、各種添加剤を併用
してもよい。かかる添加剤の例示は前記本発明の樹脂組
成物成形体への添加剤の場合と同一であり、その添加量
は成形体の用途に応じて適宜設定されるが、通常、10
重量%以下、好ましくは5重量%以下である。上記熱可
塑性樹脂を以下に例示するが、熱可塑性樹脂は上記光線
透過率を満たす限りにおいて任意数の異種を混合して使
用してもよい。
Various additives may be used in combination with the above-mentioned thermoplastic resin composition unless the object of the present invention is significantly deviated. Examples of such additives are the same as those for the additives to the resin composition molded article of the present invention, and the addition amount thereof is appropriately set depending on the use of the molded article, but usually 10
It is not more than 5% by weight, preferably not more than 5% by weight. The above-mentioned thermoplastic resins are exemplified below, but the thermoplastic resins may be used by mixing an arbitrary number of different kinds as long as the light transmittance is satisfied.

【0038】スチレン系樹脂・・・スチレン誘導体の単
独重合体、およびスチレン誘導体を主成分としこれと共
重合可能なビニル化合物との共重合体樹脂を言う。スチ
レン誘導体としては、スチレン、α−メチルスチレン、
p−クロロスチレン、p−メチルスチレン、ビニルナフ
タレン、等の芳香族ビニル化合物を挙げることができ
る。上記芳香族ビニル化合物を重合させる際に、ゴム成
分を共存させることもできる。スチレン系樹脂の製造方
法には特に制限はなく、従来から知られている塊状重
合、懸濁重合、塊状−懸濁重合、乳化重合等の任意の重
合法によるラジカル重合により製造することができる。
代表的なスチレン樹脂としては、ポリスチレン(PS樹
脂)、ポリ(α−メチルスチレン)、スチレン−アクリ
ロニトリル共重合体(SAN樹脂)、スチレン−メタク
リル酸メチル共重合体等が例示でき、これらは単独でも
複数種の併用であってもよい。本発明に用いられるスチ
レン樹脂の分子量に特に制限はなく、通常はメルトイン
デックスが0.5〜25の範囲で選ばれ、特に好ましい
のは5〜20の範囲のものである。
Styrenic resin: A homopolymer of a styrene derivative, and a copolymer resin of a styrene derivative as a main component and a vinyl compound copolymerizable therewith. Styrene derivatives include styrene, α-methylstyrene,
Aromatic vinyl compounds such as p-chlorostyrene, p-methylstyrene and vinylnaphthalene can be mentioned. A rubber component may be allowed to coexist when the aromatic vinyl compound is polymerized. The method for producing the styrene-based resin is not particularly limited, and the styrene resin can be produced by radical polymerization by any conventionally known polymerization method such as bulk polymerization, suspension polymerization, bulk-suspension polymerization, or emulsion polymerization.
Examples of typical styrene resins include polystyrene (PS resin), poly (α-methylstyrene), styrene-acrylonitrile copolymer (SAN resin), styrene-methyl methacrylate copolymer and the like, and these may be used alone. Multiple types may be used in combination. The molecular weight of the styrene resin used in the present invention is not particularly limited, and the melt index is usually selected in the range of 0.5 to 25, and particularly preferably in the range of 5 to 20.

【0039】アクリル系樹脂・・・アクリル酸またはそ
のエステル類、メタクリル酸またはそのエステル類、ア
クリルアミド、メタクリルアミド、アクリロニトリル、
メタクリロニトリル等のアクリル酸誘導体の単独重合体
または共重合体である。かかるアクリル酸誘導体として
は、例えば日刊工業新聞社刊の「プラスチック材料講
座」第16巻等に記載されている。代表的なものとし
て、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸
ブチル、アクリル酸フェニル、メタクリル酸メチル、メ
タクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸
シクロヘキシル、メタクリル酸ノルボルナンメチル、メ
タクリル酸ノルボルネンメチル、メタクリル酸アダマン
チル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸ヒドロキシ
エチル、メタクリル酸フェニル、アクリルアミド、メタ
クリルアミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル
等が挙げられる。アクリル系樹脂の製造方法には特に制
限はなく、従来から知られている塊状重合、懸濁重合、
乳化重合等の任意の重合法によるラジカル重合により製
造することができる。代表的なアクリル系樹脂として
は、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、ポリメタク
リル酸シクロヘキシル(PCHM)、ポリアクリル酸エ
チル、メタクリル酸メチル−メタクリル酸シクロヘキシ
ル共重合体、等が挙げられ、単独でも複数種の併用であ
ってもよい。本発明に用いられるアクリル系樹脂の分子
量に特に制限はなく、通常はメルトインデックスが1〜
20の範囲で選ばれ、特に好ましいのは5〜15の範囲
のものである。
Acrylic resin: acrylic acid or its ester, methacrylic acid or its ester, acrylamide, methacrylamide, acrylonitrile,
It is a homopolymer or copolymer of an acrylic acid derivative such as methacrylonitrile. Such acrylic acid derivatives are described in, for example, Volume 16 of "Plastic Materials Course" published by Nikkan Kogyo Shimbun. Typical examples include methyl acrylate, ethyl acrylate, butyl acrylate, phenyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, butyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, norbornane methyl methacrylate, norbornene methyl methacrylate, methacrylic acid. Examples thereof include adamantyl, benzyl methacrylate, hydroxyethyl methacrylate, phenyl methacrylate, acrylamide, methacrylamide, acrylonitrile and methacrylonitrile. There is no particular limitation on the production method of the acrylic resin, conventionally known bulk polymerization, suspension polymerization,
It can be produced by radical polymerization by any polymerization method such as emulsion polymerization. Representative acrylic resins include polymethylmethacrylate (PMMA), polycyclohexylmethacrylate (PCHM), polyethylacrylate, methylmethacrylate-cyclohexylmethacrylate copolymer, and the like, which may be used alone or in combination. May be used in combination. The molecular weight of the acrylic resin used in the present invention is not particularly limited, and usually has a melt index of 1 to
It is selected in the range of 20 and particularly preferably in the range of 5 to 15.

【0040】芳香族ポリカーボネート樹脂・・・3価以
上の多価フェノール類を共重合成分として含有しても良
い1種以上のビスフェノール類と、ビスアルキルカーボ
ネート、ビスアリールカーボネート、ホスゲン等の炭酸
エステル類との反応により製造される重合体である。本
発明に使用される芳香族ポリカーボネート樹脂は、その
製造方法に制限はなく、例えば(a)ビスフェノール類
のアルカリ金属塩と求核攻撃に活性な炭酸エステル誘導
体とを原料とし生成ポリマーを溶解する有機溶剤とアル
カリ水との界面にて重縮合反応させる界面重合法、
(b)ビスフェノール類と求核攻撃に活性な炭酸エステ
ル誘導体とを原料としピリジン等の有機塩基中で重縮合
反応させるピリジン法、(c)ビスフェノール類とビス
アルキルカーボネートやビスアリールカーボネート等の
炭酸エステルとを原料とし溶融重縮合させる溶融重合法
等の従来から知られているいずれの方法によって製造さ
れたものでもよい。芳香族ポリカーボネート樹脂は、単
独でも複数種の併用であってもよい。本発明で用いられ
る芳香族ポリカーボネート樹脂の分子量には特に制限は
なく、通常、40℃のテトラヒドロフラン(THF)溶
媒によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GP
C)によって測定し、単分子量分散ポリスチレンを対照
としての重量平均分子量Mwが15,000以上であれ
ばよい。靭性や成形容易性を考慮すると、20,000
〜80,000の範囲で選ぶのが好ましく、最も好まし
いのは35,000〜65,000の範囲のものであ
る。
Aromatic polycarbonate resin: one or more bisphenols which may contain polyhydric phenols having a valence of 3 or more as a copolymerization component, and carbonic acid esters such as bisalkyl carbonate, bisaryl carbonate and phosgene It is a polymer produced by the reaction with. The method for producing the aromatic polycarbonate resin used in the present invention is not limited, and for example, (a) an organic metal capable of dissolving a polymer produced from an alkali metal salt of a bisphenol and a carbonic acid ester derivative active in nucleophilic attack as raw materials. An interfacial polymerization method of causing a polycondensation reaction at the interface between the solvent and the alkaline water,
(B) Pyridine method in which bisphenols and a carbonate derivative active in nucleophilic attack are used as raw materials for polycondensation reaction in an organic base such as pyridine, and (c) bisphenols and carbonate esters such as bisalkyl carbonate and bisaryl carbonate It may be produced by any conventionally known method such as a melt polymerization method in which and are used as raw materials and melt polycondensation. The aromatic polycarbonate resin may be used alone or in combination of two or more kinds. The molecular weight of the aromatic polycarbonate resin used in the present invention is not particularly limited, and is usually gel permeation chromatography (GP) in a tetrahydrofuran (THF) solvent at 40 ° C.
It is sufficient that the weight average molecular weight Mw is 15,000 or more as measured by C), using the monomolecular weight-dispersed polystyrene as a control. Considering toughness and moldability, 20,000
It is preferable to select in the range of -80,000, and most preferable is the range of 35,000 to 65,000.

【0041】非晶質ポリオレフィン樹脂・・・炭素−炭
素多重結合を含有する炭化水素の配位重合やラジカル重
合により得られる。水素添加ポリスチレン、ポリ(4−
メチル−1−ペンテン)、ポリ(3−メチル−1−ブテ
ン)、ノルボルネン類の開環メタセシス重合体の二重結
合に水素添加して得られるシクロオレフィンポリマー類
やエチレンとノルボルネン系炭化水素共重合体(商標名
として例えばJSR社製アートンや日本ゼオン社製セオ
ネックス等)、ポリテトラシクロドデセン類等、及びこ
れらの構造を主体とする共重合体(例えば極性モノマー
の共重合による親水性の制御された共重合体等)等が例
示される。
Amorphous polyolefin resin: Obtained by coordination polymerization or radical polymerization of hydrocarbon containing a carbon-carbon multiple bond. Hydrogenated polystyrene, poly (4-
Methyl-1-pentene), poly (3-methyl-1-butene), norbornene cycloolefin polymers obtained by hydrogenating double bonds of ring-opening metathesis polymers, and ethylene and norbornene hydrocarbon copolymer Coalescence (trade names such as Arton manufactured by JSR Co., or Zeonex manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.), polytetracyclododecenes, and copolymers mainly containing these structures (for example, hydrophilicity control by copolymerization of polar monomers) And the like).

【0042】ポリアミド樹脂・・・主鎖中にアミド結合
(−NHCO−)を含み加熱溶融できる重合体であり、
酸素等に対する高いガスバリヤ性を特徴とする。本発明
への使用に適するポリアミド系脂としては通常の成形条
件で非晶質成形体を与えるものが好ましく、具体的には
テレフタル酸および/またはイソフタル酸とヘキサメチ
レンジアミンとから得られるポリアミド、テレフタル酸
および/またはイソフタル酸とアジピン酸とヘキサメチ
レンジアミンとから得られるポリアミド、共重合成分と
して1,3−フェニレンジオキシジ酢酸を含む共重合ポ
リアミド、共重合成分として二量体化脂肪酸を含む共重
合ポリアミドなどが挙げられる。ポリアミド樹脂は、単
独でも二種以上混合物であってもよい。ポリアミド樹脂
の分子量には特に制限はないが、通常、25℃の濃硫酸
中で測定した相対粘度が0.5〜5.0の範囲のものが
好ましく用いられ、靭性および成形性の点からさらに好
ましいのは0.8〜4.0の範囲のものである。
Polyamide resin: A polymer containing an amide bond (-NHCO-) in the main chain and capable of being heated and melted,
Characterized by high gas barrier properties against oxygen, etc. The polyamide-based fat suitable for use in the present invention is preferably one which gives an amorphous molded product under ordinary molding conditions, specifically, a polyamide or terephthalic acid obtained from terephthalic acid and / or isophthalic acid and hexamethylenediamine. Acid and / or polyamide obtained from isophthalic acid, adipic acid and hexamethylenediamine, copolymerized polyamide containing 1,3-phenylenedioxydiacetic acid as a copolymerization component, copolymer containing dimerized fatty acid as a copolymerization component Examples include polymerized polyamide. The polyamide resin may be a single kind or a mixture of two or more kinds. The molecular weight of the polyamide resin is not particularly limited, but normally, one having a relative viscosity measured in concentrated sulfuric acid of 25 ° C. in the range of 0.5 to 5.0 is preferably used, and further, from the viewpoint of toughness and moldability. The preferred range is 0.8 to 4.0.

【0043】芳香族ポリエステル樹脂・・・ジカルボン
酸またはそのエステル形成性誘導体とジオール、あるい
はそのエステル形成性誘導体との縮合反応により得られ
る芳香族環を分子鎖中に有するポリエステルである。本
発明への使用に適する芳香族ポリエステル樹脂としては
非晶質成形体を与えるものが好ましく、具体的には、ポ
リエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート
等が挙げられる。これらは単独でも複数種の併用であっ
てもよい。本発明で用いられる芳香族ポリエステルの分
子量には特に制限はなく、好ましくは、フェノールとテ
トラクロロエタンとの重量比1:1の混合溶媒を使用
し、濃度1g/dLとし30℃で測定した極限粘度
[η]が、0.5〜3.0dL/gの範囲のものであ
る。極限粘度がこの範囲よりも小さい場合には、靭性が
極端に低下し、逆にこの範囲よりも大きい場合には、溶
融粘度が大きすぎて成形に支障を来すため好ましくな
い。
Aromatic polyester resin: A polyester having an aromatic ring in the molecular chain, which is obtained by a condensation reaction of a dicarboxylic acid or its ester-forming derivative with a diol or its ester-forming derivative. As the aromatic polyester resin suitable for use in the present invention, those which give an amorphous molded product are preferable, and specific examples thereof include polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate. These may be used alone or in combination of two or more. There is no particular limitation on the molecular weight of the aromatic polyester used in the present invention, and it is preferable to use a mixed solvent of phenol and tetrachloroethane in a weight ratio of 1: 1 at a concentration of 1 g / dL and an intrinsic viscosity measured at 30 ° C. [Η] is in the range of 0.5 to 3.0 dL / g. If the intrinsic viscosity is lower than this range, the toughness is extremely lowered, and if it is higher than this range, the melt viscosity is too high and molding is hindered, which is not preferable.

【0044】ポリフェニレンエーテル樹脂・・・ベンゼ
ン環残基がエーテル結合を介して結ばれた重合体であ
り、加熱溶融できるものである。これらはフェノール類
またはその反応性誘導体を原料として、公知の方法、例
えば酸化カップリング触媒を用いた酸素、または酸素含
有ガスによる酸化カップリング重合等で製造される重合
体である。このフェノール類および重合触媒等の具体例
は、例えば特開平4−239029号公報等に詳述され
ているが、代表的なフェノール類としてはフェノール、
o−クレゾール、2,6−キシレノール、2,5−キシ
レノール、2,3,6−トリメチルフェノール等のメチ
ルフェノール類等が挙げられ、これらフェノール類は単
独または2種以上を組み合わせて用いることもできる。
最も一般的なポリフェニレンエーテル樹脂としては、ポ
リ(2,6−ジメチル−1,4−フェニレン)エーテ
ル、またはこれを主構造とする共重合体が挙げられる。
ポリフェニレンエーテ系樹脂は、単独でも複数種の併用
であってもよい。本発明に用いられるポリフェニレンエ
ーテル樹脂の分子量には特に制限はなく、通常、0.6
g/dL濃度のクロロホルム溶液の25℃での極限粘度
[η]が0.2〜0.6dL/gの範囲内で選ばれ、靭
性および成形性の点から0.35〜0.55dL/gの
範囲で選ぶのが好ましい。
Polyphenylene ether resin: A polymer in which benzene ring residues are linked via an ether bond and can be melted by heating. These are polymers produced from a phenol or a reactive derivative thereof as a raw material by a known method, for example, oxygen using an oxidative coupling catalyst, or oxidative coupling polymerization with an oxygen-containing gas. Specific examples of the phenols and the polymerization catalyst are described in detail, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-239029, and as typical phenols, phenol,
Methylphenols such as o-cresol, 2,6-xylenol, 2,5-xylenol, 2,3,6-trimethylphenol and the like can be mentioned, and these phenols can be used alone or in combination of two or more kinds. .
The most common polyphenylene ether resin includes poly (2,6-dimethyl-1,4-phenylene) ether or a copolymer having this as a main structure.
The polyphenylene ether resin may be used alone or in combination of two or more kinds. The molecular weight of the polyphenylene ether resin used in the present invention is not particularly limited, and is usually 0.6
The intrinsic viscosity [η] of a chloroform solution having a concentration of g / dL at 25 ° C. is selected within the range of 0.2 to 0.6 dL / g, and 0.35 to 0.55 dL / g from the viewpoint of toughness and moldability. It is preferable to select within the range.

【0045】ポリアリーレンスルフィド樹脂・・・芳香
族残基がチオエーテル結合を介して結ばれた重合体であ
り加熱溶融できるものである。こうした重合体構造の具
体例と製造方法は、例えば特開平5−194851号公
報に詳述されている。本発明において好適に用いられる
主鎖構造は、次式、すなわち、−(−S−Φ−)n−、
[式中、Φはフェニレン基を、nは各構造の繰り返しを
意味する自然数である。]の繰り返し単位をもつポリフ
ェニレンスルフィドと、次式、すなわち、−(−S−Φ
−)m −(−SO2−Φ−)n−、[式中、Φはフェニレ
ン基を、mとnは各構造の繰り返しを意味する自然数で
あり、mとnで表される各繰り返し単位はランダム配
列、またはブロックを構成する配列いずれであっても良
い。]の繰り返し単位をもつポリフェニレンスルフィド
スルフォンである。これらは、単独でも複数種の併用で
あってもよい。本発明に用いられるポリアリーレンスル
フィド系樹脂の分子量は、特に制限はなく、通常は重量
平均分子量にして10,000〜500,000の範囲
で選ぶことができる。靭性および成形性の観点から、好
ましいのは30,000〜300,000の範囲のもの
であるが、非晶質成形体を与えやすい高分子量のものが
好ましい場合もある。この重量平均分子量は、ゲルパー
ミエーションクロマトグラフィ(GPC)により求める
ことができ、例えばポリフェニレンスルフィドの場合に
は、1−クロロナフタレンを展開溶媒として用いること
ができる。
Polyarylene sulfide resin: A polymer in which an aromatic residue is bonded through a thioether bond and can be heated and melted. Specific examples of such a polymer structure and a production method are described in detail, for example, in JP-A-5-194851. The main chain structure preferably used in the present invention has the following formula, that is,-(-S-Φ-) n- ,
[In formula, (phi) is a phenylene group and n is a natural number which means repetition of each structure. ] And a polyphenylene sulfide having a repeating unit of the following formula, namely,-(-S-Φ
-) m - (- SO 2 -Φ-) n -, [ wherein, [Phi is a phenylene group, m and n are natural numbers, meaning the repetition of the structure, each of the repeating units represented by m and n May be a random array or an array forming a block. ] It is a polyphenylene sulfide sulfone having a repeating unit of. These may be used alone or in combination of two or more. The molecular weight of the polyarylene sulfide-based resin used in the present invention is not particularly limited and can be usually selected in the range of 10,000 to 500,000 in terms of weight average molecular weight. From the viewpoints of toughness and moldability, a range of 30,000 to 300,000 is preferable, but a high molecular weight one that easily gives an amorphous molded body may be preferable. This weight average molecular weight can be determined by gel permeation chromatography (GPC). For example, in the case of polyphenylene sulfide, 1-chloronaphthalene can be used as a developing solvent.

【0046】これら例示のうち好ましく用いられるの
は、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、芳香族ポリカー
ボネート樹脂及び非晶質ポリオレフィン樹脂等の高分子
構造の繰り返し単位が、水素、炭素、及び酸素から選択
される元素の組み合わせから構成されるものであり、中
でもアクリル系樹脂、芳香族ポリカーボネート樹脂及び
非晶質ポリオレフィン樹脂が機械的強度の点でより好適
であり、芳香族ポリカーボネート樹脂と非晶質ポリオレ
フィン樹脂は耐熱性の点で更に好適であり、非晶質ポリ
オレフィン樹脂は低い吸水性の点で最も好適である。
Of these examples, preferably used is a repeating unit of a polymer structure such as styrene resin, acrylic resin, aromatic polycarbonate resin and amorphous polyolefin resin selected from hydrogen, carbon and oxygen. Among them, the acrylic resin, the aromatic polycarbonate resin and the amorphous polyolefin resin are more preferable in terms of mechanical strength, and the aromatic polycarbonate resin and the amorphous polyolefin resin are It is more preferable in terms of heat resistance, and the amorphous polyolefin resin is most preferable in terms of low water absorption.

【0047】[重合性液体混合物と重合性単量体]本発
明の樹脂組成物成形体に架橋樹脂組成物を使用する場
合、その樹脂マトリクスの主体を形成する架橋樹脂の種
類には上記透明性の条件を満たす限りにおいて制限はな
い。こうした架橋樹脂の原料は、通常分子内に2個以上
の重合性官能基を有する重合性単量体を必須成分とする
重合性液体混合物である。かかる重合性液体混合物は分
子内に1個の重合性官能基を有する重合性単量体を含有
していてもよく、また上記重合性単量体の重合性を著し
く阻害しない限りにおいて重合性を有さない液体(溶
媒)を含有していてもよい。また。通常、重合開始剤を
添加することが好ましい。かかる重合開始剤としては、
光によりラジカルを発生する性質を有する化合物である
光ラジカル発生剤及び熱によりラジカルを発生する性質
を有する化合物である熱ラジカル発生剤が一般的であ
り、公知のかかる化合物を使用可能である。重合反応の
進行の均質性や加熱が必ずしも不要である点から好まし
い重合開始剤は光ラジカル発生剤であり、かかる光ラジ
カル発生剤としては、ベンゾフェノン、ベンゾインメチ
ルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ジエト
キシアセトフェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフ
ェニルケトン、2,6−ジメチルベンゾイルジフェニル
ホスフィンオキシド、2,4,6−トリメチルベンゾイ
ルジフェニルホスフィンオキシド等が例示され、複数種
を併用してもよい。これらのうち好ましいのは、2,
4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオ
キシド及びベンゾフェノンである。かかる重合開始剤の
添加量は、重合性単量体の総和100重量部に対し通常
0.001〜3重量部、好ましくは0.01〜1重量
部、更に好ましくは0.02〜0.3重量部であり、こ
の添加量が多すぎると重合反応が急激に進行し複屈折の
増大をもたらすだけでなく色相も悪化する場合があり、
また少なすぎると十分に硬化させることができなくなる
場合がある。
[Polymerizable Liquid Mixture and Polymerizable Monomer] When a crosslinked resin composition is used in the resin composition molding of the present invention, the type of the crosslinked resin forming the main body of the resin matrix is the above-mentioned transparency. There is no limitation as long as the condition of is satisfied. The raw material of such a crosslinked resin is usually a polymerizable liquid mixture containing a polymerizable monomer having two or more polymerizable functional groups in the molecule as an essential component. Such a polymerizable liquid mixture may contain a polymerizable monomer having one polymerizable functional group in the molecule, and the polymerizable liquid mixture may have a polymerizable property as long as it does not significantly impair the polymerizable property of the polymerizable monomer. You may contain the liquid (solvent) which does not have. Also. Usually, it is preferable to add a polymerization initiator. As such a polymerization initiator,
A photoradical generator that is a compound that has a property of generating a radical by light and a thermal radical generator that is a compound that has a property of generating a radical by heat are common, and known compounds can be used. Preferred polymerization initiator is a photoradical generator from the viewpoint that homogeneity of progress of the polymerization reaction and heating are not always required, and as such a photoradical generator, benzophenone, benzoin methyl ether, benzoin isopropyl ether, diethoxyacetophenone, Examples thereof include 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2,6-dimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, and 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, which may be used in combination. Of these, preferred are 2,
4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide and benzophenone. The amount of the polymerization initiator added is usually 0.001 to 3 parts by weight, preferably 0.01 to 1 part by weight, and more preferably 0.02 to 0.3, based on 100 parts by weight of the total amount of the polymerizable monomers. It is part by weight, and if the addition amount is too large, not only the polymerization reaction may proceed rapidly and increase in birefringence but also the hue may be deteriorated.
If it is too small, it may not be able to be sufficiently cured.

【0048】上記分子内に2個以上の重合性官能基を有
する重合性単量体として、透明性と低複屈折性に優れた
架橋樹脂組成物を与える点で2官能性以上の(メタ)ア
クリレート類が好ましく用いられる。ただしここで
「(メタ)アクリレート」なる表記は、アクリレート又
はメタクリレートのいずれか、という意味である。具体
的には、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレー
ト、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、2,2
−ビス[4−(メタ)アクリロイルオキシフェニル]プ
ロパン、2,2−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイ
ルオキシエトキシ)フェニル]プロパン、ビス(オキシ
メチル)トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン=ジ
メタクリレート、p−ビス[β−(メタ)アクリロイル
オキシエチルチオ]キシリレン、4,4’−ビス[β−
(メタ)アクリロイルオキシエチルチオ]ジフェニルス
ルフォン等の2価の(メタ)アクリレート類、トリメチ
ロールプロパントリス(メタ)アクリレート、グリセリ
ントリス(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトール
トリス(メタ)アクリレート等の3価の(メタ)アクリ
レート類、ペンタエリスリトールテトラキス(メタ)ア
クリレート等の4価の(メタ)アクリレート類、ウレタ
ンアクリレート、エポキシアクリレート等の不定多価の
(メタ)アクリレート類等が例示される。これらのう
ち、架橋生成反応の制御性から上記2価の(メタ)アク
リレート類は好ましく用いられる。
As the polymerizable monomer having two or more polymerizable functional groups in the molecule, a crosslinked resin composition having excellent transparency and low birefringence is provided, and thus a (meth) difunctional or more polyfunctional monomer is used. Acrylates are preferably used. However, the expression "(meth) acrylate" here means either acrylate or methacrylate. Specifically, triethylene glycol di (meth) acrylate, hexanediol di (meth) acrylate, 2,2
-Bis [4- (meth) acryloyloxyphenyl] propane, 2,2-bis [4- (2- (meth) acryloyloxyethoxy) phenyl] propane, bis (oxymethyl) tricyclo [5.2.1.0] 2,6 ] decane dimethacrylate, p-bis [β- (meth) acryloyloxyethylthio] xylylene, 4,4′-bis [β-
(Meth) acryloyloxyethylthio] diphenylsulfone and other divalent (meth) acrylates, trimethylolpropane tris (meth) acrylate, glycerin tris (meth) acrylate, pentaerythritol tris (meth) acrylate and other trivalent ( Examples thereof include tetravalent (meth) acrylates such as (meth) acrylates and pentaerythritol tetrakis (meth) acrylate, and indeterminate polyvalent (meth) acrylates such as urethane acrylate and epoxy acrylate. Among these, the divalent (meth) acrylates are preferably used because of the controllability of the crosslinking formation reaction.

【0049】上記例示の(メタ)アクリレート類のうち
得られる重合体の透明性と低複屈折性をバランスよく実
現する点で特に好ましいのは、下記成分A及び下記成分
Bを単独もしくは複合での使用である。成分Aは、下記
一般式(1)で示される脂環骨格を有するビス(メタ)
アクリレートである。
Among the above-exemplified (meth) acrylates, it is particularly preferable in terms of achieving a good balance between the transparency and the low birefringence of the resulting polymer. Is in use. Component A is bis (meth) having an alicyclic skeleton represented by the following general formula (1).
It is an acrylate.

【0050】[0050]

【化3】 [Chemical 3]

【0051】一般式(1) ただし一般式(1)において、RaおよびRbはそれぞれ
独立してそれぞれ水素原子又はメチル基を、Rcおよび
dはそれぞれ独立して炭素数6以下のアルキレン基
を、xは1又は2を、yは0または1を、それぞれ表
す。一般式(1)で示される成分Aの具体例としては、
ビス(ヒドロキシメチル)トリシクロ[5.2.1.0
2,6]デカン=ジアクリレート、ビス(ヒドロキシメチ
ル)トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン=ジメタ
クリレート、ビス(ヒドロキシメチル)トリシクロ
[5.2.1.02,6]デカン=アクリレートメタクリ
レート及びこれらの混合物、ビス(ヒドロキシメチル)
ペンタシクロ[6.5.1.13,6.02,7.09,13]ペ
ンタデカン=ジアクリレート、ビス(ヒドロキシメチ
ル)ペンタシクロ[6.5.1.13,6.02,7
9,13]ペンタデカン=ジメタクリレート、ビス(ヒド
ロキシメチル)ペンタシクロ[6.5.1.13,6.0
2,7.09,13]ペンタデカン=アクリレートメタクリレ
ート及びこれらの混合物等が挙げられる。これらのトリ
シクロデカン化合物及びペンタシクロデカン化合物は、
複数種を併用しても構わない。
General formula (1) In the general formula (1), R a and R b are each independently a hydrogen atom or a methyl group, and R c and R d are each independently an alkylene having 6 or less carbon atoms. A group, x represents 1 or 2, and y represents 0 or 1. Specific examples of the component A represented by the general formula (1) include:
Bis (hydroxymethyl) tricyclo [5.2.1.0]
2,6 ] decane = diacrylate, bis (hydroxymethyl) tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane = dimethacrylate, bis (hydroxymethyl) tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] Decane acrylate methacrylate and mixtures thereof, bis (hydroxymethyl)
Pentacyclo [6.5.1.1 3,6 . 0 2,7 . 0 9,13 ] Pentadecane = diacrylate, bis (hydroxymethyl) pentacyclo [6.5.1.1 3,6 . 0 2,7 .
0 9,13 ] pentadecane dimethacrylate, bis (hydroxymethyl) pentacyclo [6.5.1.1 3,6 . 0
2,7 . 0 9,13 ] Pentadecane acrylate methacrylate and mixtures thereof. These tricyclodecane compounds and pentacyclodecane compounds are
You may use together multiple types.

【0052】成分Bは下記一般式(2)で表される硫黄
原子を有するビス(メタ)アクリレートである。
Component B is a bis (meth) acrylate having a sulfur atom represented by the following general formula (2).

【0053】[0053]

【化4】 [Chemical 4]

【0054】一般式(2) ただし一般式(2)において、RaおよびRbは前記一般
式(1)の場合と同一であり、Reは炭素数1〜6のア
ルキレン基を表す。各Arはそれぞれ炭素数が6〜30
であるアリーレン基又はアラルキレン基を表し、これら
の水素原子はフッ素以外のハロゲン原子で置換されてい
ても良い。各Xはそれぞれ酸素原子または硫黄原子を表
し、各Xが全て酸素原子の場合、各Yのうち少なくとも
一つは硫黄原子又はスルホン基(−SO2−)を、各X
のうち少なくとも1つが硫黄原子の場合、各Yはそれぞ
れ硫黄原子、スルホン基、カルボニル基(−CO−)、
並びに炭素数1〜12のアルキレン基、アラルキレン
基、アルキレンエーテル基、アラルキレンエーテル基、
アルキレンチオエーテル基及びアラルキレンチオエーテ
ル基のいずれかを表し、j及びpはそれぞれ独立して1
〜5の整数を、kは0〜10の整数を表す。またkが0
の時はXは硫黄原子を表す。
General formula (2) However, in the general formula (2), R a and R b are the same as in the case of the general formula (1), and R e represents an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. Each Ar has 6 to 30 carbon atoms.
Represents an arylene group or an aralkylene group, and these hydrogen atoms may be substituted with a halogen atom other than fluorine. Each X represents an oxygen atom or a sulfur atom, and when all the Xs are oxygen atoms, at least one of the Ys is a sulfur atom or a sulfone group (—SO 2 —)
When at least one of them is a sulfur atom, each Y is a sulfur atom, a sulfone group, a carbonyl group (—CO—),
And an alkylene group having 1 to 12 carbon atoms, an aralkylene group, an alkylene ether group, an aralkylene ether group,
Represents either an alkylene thioether group or an aralkylene thioether group, and j and p are each independently 1
Is an integer of 5 and k is an integer of 0-10. K is 0
Then X represents a sulfur atom.

【0055】一般式(2)で示される成分Bを具体的に
例示すれば、p−ビス[β−(メタ)アクリロイルオキ
シエチルチオ]キシリレン、m−ビス[β−(メタ)ア
クリロイルオキシエチルチオ]キシリレン、α、α’−
ビス[β−(メタ)アクリロイルオキシエチルチオ]−
2,3,5,6−テトラクロロ−p−キシリレン、4,
4’−ビス[β−(メタ)アクリロイルオキシエトキ
シ]ジフェニルスルフィド、4,4’−ビス[β−(メ
タ)アクリロイルオキシエトキシ]ジフェニルスルフォ
ン、4,4’−ビス[β−(メタ)アクリロイルオキシ
エチルチオ]ジフェニルスルフィド、4,4’−ビス
[β−(メタ)アクリロイルオキシエチルチオ]ジフェ
ニルスルフォン、4,4’−ビス[β−(メタ)アクリ
ロイルオキシエチルチオ]ジフェニルケトン、2,4’
−ビス[β−(メタ)アクリロイルオキシエチルチオ]
ジフェニルケトン、5,5’−テトラブロモジフェニル
ケトン、β,β’−ビス−[p−(メタ)アクリロイル
オキシフェニルチオ]ジエチルエーテル、β,β’−ビ
ス−[p−(メタ)アクリロイルオキシフェニルチオ]
ジエチルチオエーテル等が挙げられ、これらは複数種を
併用しても構わない。これらの中でもビス(ヒドロキシ
メチル)トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン=ジ
メタクリレートは優れた透明性及び耐熱性を有し、特に
好適に用いられる。
Specific examples of the component B represented by the general formula (2) include p-bis [β- (meth) acryloyloxyethylthio] xylylene and m-bis [β- (meth) acryloyloxyethylthio. ] Xylylene, α, α′-
Bis [β- (meth) acryloyloxyethylthio]-
2,3,5,6-tetrachloro-p-xylylene, 4,
4′-bis [β- (meth) acryloyloxyethoxy] diphenyl sulfide, 4,4′-bis [β- (meth) acryloyloxyethoxy] diphenylsulfone, 4,4′-bis [β- (meth) acryloyloxy Ethylthio] diphenyl sulfide, 4,4′-bis [β- (meth) acryloyloxyethylthio] diphenyl sulfone, 4,4′-bis [β- (meth) acryloyloxyethylthio] diphenyl ketone, 2,4 ′
-Bis [β- (meth) acryloyloxyethylthio]
Diphenyl ketone, 5,5′-tetrabromodiphenyl ketone, β, β′-bis- [p- (meth) acryloyloxyphenylthio] diethyl ether, β, β′-bis- [p- (meth) acryloyloxyphenyl Thio]
Examples thereof include diethyl thioether, and these may be used in combination of plural kinds. Among these, bis (hydroxymethyl) tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane dimethacrylate has excellent transparency and heat resistance and is particularly preferably used.

【0056】上記重合性液体混合物が含有する重合性単
量体の総和に対する分子内に2個以上の重合性官能基を
有する重合性単量体の割合は通常0.1〜100モル%
であり、重合反応により生成する架橋樹脂組成物の寸法
安定性や機械的強度の点で該下限値は好ましくは1モル
%、更に好ましくは3モル%である。上記重合性液体混
合物には、製造される樹脂組成物成形体が本発明の目的
を著しく逸脱しない限りにおいて、各種添加剤を加えて
も構わない。かかる添加剤としては、例えば酸化防止
剤、熱安定剤、あるいは光吸収剤等の安定剤類、ガラス
繊維、ガラスビーズ、マイカ、タルク、カオリン、粘土
鉱物、金属繊維、金属粉等のフィラー類、炭素繊維、カ
ーボンブラック、黒鉛、カーボンナノチューブ、C60
のフラーレン類等の炭素材料、帯電防止剤、可塑剤、離
型剤、消泡剤、レベリング剤、沈降防止剤、界面活性
剤、チクソトロピー付与剤等の改質剤類、顔料、染料、
色相調整剤等の着色剤類等が例示される。
The ratio of the polymerizable monomer having two or more polymerizable functional groups in the molecule is usually 0.1 to 100 mol% with respect to the total amount of the polymerizable monomers contained in the polymerizable liquid mixture.
In view of dimensional stability and mechanical strength of the crosslinked resin composition produced by the polymerization reaction, the lower limit value is preferably 1 mol%, more preferably 3 mol%. Various additives may be added to the polymerizable liquid mixture as long as the molded resin composition molded article does not significantly deviate from the object of the present invention. Examples of such additives include antioxidants, heat stabilizers, or stabilizers such as light absorbers, glass fibers, glass beads, mica, talc, kaolin, clay minerals, metal fibers, fillers such as metal powder, Carbon materials such as carbon fiber, carbon black, graphite, carbon nanotubes, fullerenes such as C 60 , antistatic agents, plasticizers, release agents, defoamers, leveling agents, antisettling agents, surfactants, and thixotropy Modifiers such as agents, pigments, dyes,
Illustrative examples include colorants such as hue adjusters.

【0057】上記重合性液体混合物の製造方法について
は、その構成成分、即ち前記一般式A及び/又はBで表
される分子内に2個以上の重合性官能基を有する重合性
単量体、上記超微粒子及び必要に応じて使用される追加
成分(分子内に1個の重合性官能基を有する重合性単量
体、重合性を有さない液体、上記重合開始剤、あるいは
上記各種添加剤等)を混合して実施する。かかる混合
は、機械的攪拌装置を有していてもよい公知の混合装置
を使用して行うことが可能であり、重合開始挙動を制御
する目的等必要に応じて遮光、冷却、不活性雰囲気の使
用などを併用してもよい。
Regarding the method for producing the above-mentioned polymerizable liquid mixture, the constituent component thereof, that is, the polymerizable monomer having two or more polymerizable functional groups in the molecule represented by the general formula A and / or B, The above ultrafine particles and additional components used as necessary (a polymerizable monomer having one polymerizable functional group in the molecule, a liquid having no polymerizability, the above polymerization initiator, or the above various additives). Etc.) are mixed and carried out. Such mixing can be carried out by using a known mixing device which may have a mechanical stirring device, and if necessary, such as light shielding, cooling, and inert atmosphere of the purpose of controlling the polymerization initiation behavior. You may use together.

【0058】[超微粒子]本発明に用いられる前記超微
粒子を構成する物質種には特に制限はなく、遷移金属
(例えば、金、白金、銀、パラジウム、ロジウム、亜
鉛、銅、ニッケル、鉄等の遷移金属単体、あるいはこれ
ら遷移金属の合金等)、半導体、金属の塩などの無機超
微粒子や、顔料結晶や樹脂微粒子等の有機化合物の超微
粒子、あるいはC60等フラーレン類やカーボンナノチュ
ーブなどの炭素材料超微粒子等を用いることができる。
これらのうち半導体超微粒子が、紫外線吸収能等の光吸
収特性、発光性、帯電防止性、光吸収飽和特性、高屈折
率性等の機能特性を本発明の樹脂組成物成形体に付与す
る効果を有するため好ましい。
[Ultrafine Particles] There are no particular restrictions on the species of the ultrafine particles used in the present invention, and transition metals (eg, gold, platinum, silver, palladium, rhodium, zinc, copper, nickel, iron, etc.) can be used. Transition metal alone or alloys of these transition metals), semiconductors, inorganic ultrafine particles such as salts of metals, ultrafine particles of organic compounds such as pigment crystals and resin fine particles, fullerenes such as C 60 and carbon nanotubes Ultrafine carbon material particles and the like can be used.
The effect that the semiconductor ultrafine particles among these give the resin composition molded article of the present invention functional characteristics such as light absorption characteristics such as ultraviolet absorption ability, light emission, antistatic properties, light absorption saturation characteristics, and high refractive index Is preferred because it has

【0059】上記超微粒子の粒径分布は、これが小さい
ほど分散性の均質性が向上し、半導体結晶を含有する超
微粒子がエキシトン吸発光帯を有する場合にはその波長
幅が小さくなるので好ましい場合がある。従って、該粒
径分布はその標準偏差として通常20%以下、好ましく
は15%以下、更に好ましくは10%以下に制御する。
但し、超微粒子の高屈折率性や基礎吸収を利用する用途
(紫外線吸収用途、反射制御膜、あるいは光導波路等)
においては、かかる粒径分布は問題とならない場合もあ
る。
When the particle size distribution of the ultrafine particles is smaller, the homogeneity of dispersibility is improved, and when the ultrafine particles containing a semiconductor crystal have an exciton absorption / emission band, the wavelength width thereof is reduced, which is preferable. There is. Therefore, the standard deviation of the particle size distribution is usually controlled to 20% or less, preferably 15% or less, and more preferably 10% or less.
However, applications that utilize the high refractive index and basic absorption of ultrafine particles (UV absorption applications, reflection control films, optical waveguides, etc.)
In such cases, the particle size distribution may not be a problem.

【0060】本発明に用いられる超微粒子は、混晶や後
述するコアシェル構造(内核であるコアとこれを包含す
る外殻であるシェルの2層構造)等の不均一構造を有し
ていてもよい。特にコアシェル構造は、例えばコアであ
る半導体結晶の光触媒能が樹脂マトリクスの分解を促進
する等コア物質が好ましくない作用を有する場合、かか
る好ましくない作用を有さない別物質のシェルを設けて
これを改善する優れた効果を奏する場合がある。従っ
て、化学的に比較的不活性な物質がシェルを構成するこ
とが望ましく、具体的にはシリカ(酸化珪素)やアルミ
ナ(酸化アルミニウム)等の非遷移金属の酸化物、窒化
ホウ素等の窒化物、黒鉛状炭素や非晶性炭素等の炭素単
体、あるいは貴金属類(銀、金、白金、銅等)が好まし
いシェル物質として例示される。
The ultrafine particles used in the present invention may have a heterogeneous structure such as a mixed crystal or a core-shell structure (a two-layer structure of a core as an inner core and a shell as an outer shell containing the same) described later. Good. In particular, when the core substance has an unfavorable action such as the photocatalytic activity of the semiconductor crystal that is the core promoting the decomposition of the resin matrix, the core-shell structure is provided with a shell of another substance that does not have such an unfavorable action. There may be an excellent effect of improving. Therefore, it is desirable that a chemically relatively inert substance constitutes the shell. Specifically, non-transition metal oxides such as silica (silicon oxide) and alumina (aluminum oxide), nitrides such as boron nitride, etc. Examples of preferable shell substances include simple carbon such as graphitic carbon and amorphous carbon, or noble metals (silver, gold, platinum, copper, etc.).

【0061】上記超微粒子は複数種から構成されていて
もよく、あるいは同種物質からなる超微粒子でも、例え
ば2山分布等その粒径分布を必要に応じて任意に変化さ
せて構わない。 [半導体結晶]半導体結晶は、価電子帯と伝導帯とのエ
ネルギー差(バンドギャップ)に応じた電磁波吸収(以
下、特に断りのない限り単に「吸収」と記す)や高屈折
率といった特性を有するので、前記超微粒子の構成物質
として特に有用である。また、その粒径を10nm以下
程度とすることで量子効果が顕著に見られるようにな
り、エネルギー準位の量子化によりエネルギー準位が互
いに離れた状態となり、かつそれらが結晶粒径の関数と
して制御されるようになる。かかる半導体ナノ結晶にお
いて、半導体結晶の基礎吸収(Fundamental
absorption)の長波長側吸収端よりもわず
かに低エネルギー域に現れるエキシトン(Excito
n、励起子)吸収帯はエネルギー幅が極めて小さいだけ
でなく、エキシトン準位が伝導帯準位から孤立しており
近接したエネルギー準位との相互作用確率が比較的小さ
いという特徴を有する。
The above ultrafine particles may be composed of a plurality of types, or even the ultrafine particles of the same kind of substance may have their particle size distribution, such as a two-peak distribution, arbitrarily changed as necessary. [Semiconductor Crystal] A semiconductor crystal has characteristics such as electromagnetic wave absorption (hereinafter simply referred to as “absorption” unless otherwise specified) and a high refractive index according to the energy difference (band gap) between the valence band and the conduction band. Therefore, it is particularly useful as a constituent substance of the ultrafine particles. Further, the quantum effect becomes noticeable by setting the grain size to about 10 nm or less, the energy levels are separated from each other by the quantization of the energy levels, and they are a function of the crystal grain size. Be controlled. In such a semiconductor nanocrystal, the fundamental absorption of the semiconductor crystal (Fundamental)
Excitons appearing in a slightly lower energy range than the absorption edge on the long wavelength side of absorption.
The (n, exciton) absorption band has a feature that not only the energy width is extremely small, but also the exciton level is isolated from the conduction band level and the interaction probability with the adjacent energy level is relatively small.

【0062】発光特性を有する半導体結晶を含有する超
微粒子を使用すると、本発明の樹脂組成物成形体はかか
る発光特性を利用する用途にも有用となる。特に、上記
エキシトン準位からの発光は発光帯の線幅が小さいので
色純度の優れた発光となり、しかも前記の量子効果によ
り半導体結晶の粒径により発光波長を制御可能であるの
で、特に有用である。また、かかるエキシトン吸収帯の
特徴は、例えば、該吸収帯での光吸収飽和特性を利用し
て光ディスクにおける入射光ビーム径を実効的に絞って
高密度記録を達成せしめる超解像技術等に応用すること
ができる。
By using ultrafine particles containing a semiconductor crystal having a light emitting property, the resin composition molded article of the present invention is also useful for applications utilizing such a light emitting property. In particular, light emission from the exciton level is excellent in color purity because the line width of the emission band is small, and since the emission wavelength can be controlled by the grain size of the semiconductor crystal by the quantum effect, it is particularly useful. is there. Further, the feature of the exciton absorption band is applied to, for example, a super-resolution technique for effectively narrowing the incident light beam diameter on an optical disk to achieve high density recording by utilizing the light absorption saturation characteristic in the absorption band. can do.

【0063】上記半導体結晶の組成には特に制限はない
が、具体的な組成例を元素記号あるいは組成式として例
示すると、C、Si、Ge、Sn等の周期表第14族元
素の単体、P(黒リン)等の周期表第15族元素の単
体、SeやTe等の周期表第16族元素の単体、SiC
等の複数の周期表第14族元素からなる化合物、SnO
2、Sn(II)Sn(IV)S3、SnS2、SnS、SnS
e、SnTe、PbS、PbSe、PbTe等の周期表
第14族元素と周期表第16族元素との化合物、BN、
BP、BAs、AlN、AlP、AlAs、AlSb、
GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、In
P、InAs、InSb等の周期表第13族元素と周期
表第15族元素との化合物(あるいはIII−V族化合物
半導体)、Al23、Al2Se3、Ga23、Ga2
3、Ga2Te3、In23、In23、In2Se3
In2Te3等の周期表第13族元素と周期表第16族元
素との化合物、TlCl、TlBr、TlI等の周期表
第13族元素と周期表第17族元素との化合物、Zn
O、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、C
dSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe等の周
期表第12族元素と周期表第16族元素との化合物(あ
るいはII−VI族化合物半導体)、As23、As2
3、As2Te3、Sb23、Sb2Se3、Sb2
3、Bi23、Bi2Se3、Bi2Te3等の周期表第
15族元素と周期表第16族元素との化合物、Cu
2O、Cu2Se等の周期表第11族元素と周期表第16
族元素との化合物、CuCl、CuBr、CuI、Ag
Cl、AgBr等の周期表第11族元素と周期表第17
族元素との化合物、NiO等の周期表第10族元素と周
期表第16族元素との化合物、CoO、CoS等の周期
表第9族元素と周期表第16族元素との化合物、α−F
23、γ−Fe23、Fe34等の酸化鉄類、FeS
等の周期表第8族元素と周期表第16族元素との化合
物、MnO等の周期表第7族元素と周期表第16族元素
との化合物、MoS2、WO2等の周期表第6族元素と周
期表第16族元素との化合物、VO、VO2、Ta25
等の周期表第5族元素と周期表第16族元素との化合
物、TiO2、Ti25、Ti23、Ti59等の酸化
チタン類(結晶型はルチル型、ルチル/アナタースの混
晶型、アナタース型のいずれでも構わない)、ZrO2
等の周期表第4族元素と周期表第16族元素との化合
物、Y23、La23、Ce23等の周期表第3族元素
(ランタノイド元素を含む)と周期表第16族元素との
化合物、MgS、MgSe等の周期表第2族元素と周期
表第16族元素との化合物、CdCr24、CdCr2
Se4、CuCr24、HgCr2Se4等のカルコゲン
スピネル類、あるいはBaTiO3等が挙げられる。な
お、G.Schmidら;Adv.Mater.,4
巻,494頁(1991)に報告されている(BN)75
(BF21515や、D.Fenskeら;Ange
w.Chem.Int.Ed.Engl.,29巻,1
452頁(1990)に報告されているCu146Se73
(トリエチルホスフィン)22のように構造の確定されて
いる半導体クラスターも同様に例示される。
The composition of the semiconductor crystal is not particularly limited.
However, a concrete composition example is given as an element symbol or composition formula.
If you show, C, Si, Ge, Sn, etc. periodic table group 14 element
Elemental element, P (black phosphorus), etc.
Body, simple substance of Group 16 element of the periodic table such as Se and Te, SiC
SnO, a compound consisting of a plurality of periodic table group 14 elements such as
2, Sn (II) Sn (IV) S3, SnS2, SnS, SnS
Periodic table of e, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, etc.
A compound of a Group 14 element and a Group 16 element of the periodic table, BN,
BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb,
GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, In
Periodic Group 13 elements such as P, InAs, InSb, etc.
Table Compounds with Group 15 elements (or III-V compounds
Semiconductor), Al2S3, Al2Se3, Ga2S3, Ga2S
e3, Ga2Te3, In2O3, In2S3, In2Se3,
In2Te3Periodic table group 13 element and periodic table group 16 element
Periodic table of compounds such as TlCl, TlBr, and TlI
A compound of a Group 13 element and a Group 17 element of the periodic table, Zn
O, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, C
Circulation of dSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, etc.
Compounds of group 12 elements in the periodic table and group 16 elements in the periodic table
II-VI group compound semiconductor), As2S3, As2S
e3, As2Te3, Sb2S3, Sb2Se3, Sb2T
e3, Bi2S3, Bi2Se3, Bi2Te3Periodic table number such as
Compound of Group 15 element and Group 16 element of the periodic table, Cu
2O, Cu2Periodic Table Group 11 elements such as Se and Periodic Table 16th
Compounds with group elements, CuCl, CuBr, CuI, Ag
Periodic Table Group 11 elements such as Cl and AgBr and Periodic Table 17
Group 10 elements such as NiO, etc.
Periodic table of compounds with group 16 elements, CoO, CoS, etc.
Compounds of Group 9 elements of the periodic table and Group 16 elements of the periodic table, α-F
e2O3, Γ-Fe2O3, Fe3OFourIron oxides such as FeS
Of periodic table group 8 elements such as
And periodic table group 7 elements such as MnO
Compound with, MoS2, WO2Periodic Table Group 6 elements such as
Compounds with Group 16 elements, VO, VO2, Ta2OFive
Of periodic table group 5 element and other periodic table group 16 element
Thing, TiO2, Ti2OFive, Ti2O3, TiFiveO9Oxidation of etc.
Titanium (Crystal type is rutile type, rutile / anatase mixture)
Crystal type or anatase type is acceptable), ZrO2
Of periodic table group 4 elements and other periodic table group 16 elements
Thing, Y2O3, La2O3, Ce2O3Periodic Table Group 3 elements such as
(Including lanthanoid elements) and elements of Group 16 of the periodic table
Periodic Group 2 elements such as compounds, MgS, MgSe, etc.
Table Compounds with Group 16 elements, CdCr2OFour, CdCr2
SeFour, CuCr2SFour, HgCr2SeFourChalcogen, etc.
Spinels or BaTiO3Etc. Na
Oh, G. Schmid et al .; Adv. Mater. , 4
Vol., P. 494 (1991) (BN).75
(BF2)15F15, D. Fenseke et al .; Ange
w. Chem. Int. Ed. Engl. , Volume 29, 1
Cu reported on page 452 (1990)146Se73
(Triethylphosphine)twenty twoThe structure is fixed like
The semiconductor clusters that are present are also exemplified.

【0064】これらのうち実用的に重要なものは、例え
ばSnO2、SnS2、SnS、SnSe、SnTe、P
bS、PbSe、PbTe等の周期表第14族元素と周
期表第16族元素との化合物、GaN、GaP、GaA
s、GaSb、InN、InP、InAs、InSb等
のIII−V族化合物半導体、Ga23、Ga23、Ga2
Se3、Ga2Te3、In23、In23、In2
3、In2Te3等の周期表第13族元素と周期表第1
6族元素との化合物、ZnO、ZnS、ZnSe、Zn
Te、CdO、CdS、CdSe、CdTe、HgO、
HgS、HgSe、HgTe等のII−VI族化合物半導
体、As23、As23、As2Se3、As2Te3、S
23、Sb23、Sb2Se3、Sb2Te3、Bi
23、Bi23、Bi2Se3、Bi2Te3等の周期表第
15族元素と周期表第16族元素との化合物、α−Fe
23、γ−Fe23、Fe34等の酸化鉄類やFeS等
の周期表第8族元素と周期表第16族元素との化合物、
前記の酸化チタン類やZrO2等の周期表第4族元素と
周期表第16族元素との化合物、Y23、La23、C
23等の周期表第3族元素(ランタノイド元素を含
む)と周期表第16族元素との化合物である。
Of these, those practically important are, for example, SnO 2 , SnS 2 , SnS, SnSe, SnTe, P.
Compounds of periodic table group 14 element and periodic table group 16 element such as bS, PbSe, PbTe, GaN, GaP, GaA
s, GaSb, InN, InP, InAs, III-V group compound semiconductor such as InSb, Ga 2 O 3, Ga 2 S 3, Ga 2
Se 3 , Ga 2 Te 3 , In 2 O 3 , In 2 S 3 , In 2 S
e 3 and In 2 Te 3 etc. Periodic Table Group 13 elements and Periodic Table 1
Compounds with Group 6 elements, ZnO, ZnS, ZnSe, Zn
Te, CdO, CdS, CdSe, CdTe, HgO,
II-VI group compound semiconductors such as HgS, HgSe, and HgTe, As 2 O 3 , As 2 S 3 , As 2 Se 3 , As 2 Te 3 , and S.
b 2 O 3 , Sb 2 S 3 , Sb 2 Se 3 , Sb 2 Te 3 , Bi
2 O 3 , Bi 2 S 3 , Bi 2 Se 3 , Bi 2 Te 3 and other compounds of periodic table group 15 element and periodic table group 16 element, α-Fe
2 O 3 , γ-Fe 2 O 3 , iron oxides such as Fe 3 O 4 and compounds of periodic table group 8 element such as FeS and periodic table group 16 element,
Compounds of elements of Group 4 of the periodic table and elements of Group 16 of the periodic table such as the above-mentioned titanium oxides and ZrO 2 , Y 2 O 3 , La 2 O 3 and C
It is a compound of an element of Group 3 of the periodic table (including a lanthanoid element) such as e 2 O 3 and an element of Group 16 of the periodic table.

【0065】これらの中でも、SnO2、GaN、Ga
P、In23、InN、InP、Ga23、Ga23
In23、In23、ZnO、ZnS、CdO、Cd
S、前記の酸化鉄類、ルチル型やアナタース型二酸化チ
タン、ZrO2、Y23、Ce23、MgS等は毒性の
高い陰性元素を含まないので耐環境汚染性や生物への安
全性の点で好ましく、この観点ではSnO2、In
23、ZnO、ZnS、α−Fe23、ルチル型やアナ
タース型二酸化チタン、ZrO2、Y23、Ce23
の毒性の高い陽性元素を含まない組成は更に好ましい。
Among these, SnO 2 , GaN, Ga
P, In 2 O 3 , InN, InP, Ga 2 O 3 , Ga 2 S 3 ,
In 2 O 3 , In 2 S 3 , ZnO, ZnS, CdO, Cd
S, the above iron oxides, rutile-type and anatase-type titanium dioxide, ZrO 2 , Y 2 O 3 , Ce 2 O 3 , MgS, etc. do not contain highly toxic negative elements, so they are resistant to environmental pollution and are safe against living organisms. From the standpoint of properties, SnO 2 , In
A composition containing no highly toxic positive element such as 2 O 3 , ZnO, ZnS, α-Fe 2 O 3 , rutile type or anatase type titanium dioxide, ZrO 2 , Y 2 O 3 and Ce 2 O 3 is more preferable.

【0066】ZnO、α−Fe23、ルチル型やアナタ
ース型二酸化チタン、Ce23等の金属酸化物半導体結
晶は、光吸収能、高い屈折率、安全性、安価であること
から、紫外線吸収材料や高屈折率コーティング等の用途
に最も好ましいものである。また、α−Fe23等の酸
化鉄類等、可視領域に吸収能のある着色した半導体結晶
は、顔料等の色材用途に重要である。
Metal oxide semiconductor crystals of ZnO, α-Fe 2 O 3 , rutile type or anatase type titanium dioxide, Ce 2 O 3 and the like have light absorption ability, high refractive index, safety and low cost. It is most preferable for applications such as ultraviolet absorbing materials and high refractive index coatings. In addition, colored semiconductor crystals having absorptivity in the visible region, such as iron oxides such as α-Fe 2 O 3 are important for coloring materials such as pigments.

【0067】本発明の樹脂組成物成形体をほぼ無色透明
としかつ優れた紫外線吸収能を発揮させる目的において
最も好ましいな半導体結晶は、上記酸化チタン類(代表
的にはルチル型やアナタース型二酸化チタン)、ZnO
及びCe23である。一方、半導体結晶の発光能を利用
する場合には、可視領域とその近傍に発光帯を有するG
aN、GaP、GaAs、InN、InP等のIII−V
族化合物半導体、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnT
e、CdO、CdS、CdSe、CdTe、HgO、H
gS等のII−VI族化合物半導体、In23、In23
が重要であり、中でも半導体結晶の粒径の制御性と発光
能から好適なのはZnO、ZnS、ZnSe、ZnT
e、CdO、CdS、CdSe等のII−VI族化合物半導
体であり、特にZnO、ZnS、ZnSe、CdS、C
dSe等がこの目的では更に好適に用いられる。
The most preferable semiconductor crystals for the purpose of making the molded resin composition of the present invention almost colorless and transparent and exhibiting excellent ultraviolet absorbing ability are titanium oxides (typically rutile type or anatase type titanium dioxide). ), ZnO
And Ce 2 O 3 . On the other hand, in the case of utilizing the light emitting ability of the semiconductor crystal, G having an emission band in the visible region and its vicinity
III-V such as aN, GaP, GaAs, InN, InP
Group compound semiconductor, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnT
e, CdO, CdS, CdSe, CdTe, HgO, H
II-VI group compound semiconductors such as gS, In 2 O 3 , In 2 S 3 and the like are important, and among them, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnT are preferable because of the controllability of the grain size of the semiconductor crystal and the light emitting ability.
II-VI group compound semiconductors such as e, CdO, CdS, CdSe, and particularly ZnO, ZnS, ZnSe, CdS, C
dSe and the like are more preferably used for this purpose.

【0068】前記で例示した任意の半導体結晶には、必
要に応じて微量のドープ元素(故意に添加する不純物の
意味)として例えばAl、Mn、Cu、Zn、Zr、A
g、Cl、Ce、Eu、Tb、Er等の元素を加えても
構わない。例えば、Y23へのEuの添加、ZnSへの
Ag、Cu、Tb、Mn等の添加により、該ドープ元素
を発光源とする蛍光体とすることができる。また、上記
二酸化チタン、ZnO及びCe23にZr等の適当なド
ープ元素を添加するとその光触媒能を低減させる効果を
奏する場合がある。かかるドープ元素の本発明における
主要な効果は、電磁波吸収のエネルギーを発光や発熱
等、化学反応以外の現象により散逸させて樹脂マトリク
スの分解劣化を抑制又は防止のように樹脂組成物の化学
的安定性を向上させることにあると考えられる。
In any of the semiconductor crystals exemplified above, Al, Mn, Cu, Zn, Zr, A as a trace amount of doping element (meaning impurities intentionally added) may be added if necessary.
Elements such as g, Cl, Ce, Eu, Tb and Er may be added. For example, by adding Eu to Y 2 O 3 and adding Ag, Cu, Tb, Mn or the like to ZnS, a phosphor having the doping element as a light emitting source can be obtained. Further, addition of an appropriate doping element such as Zr to the above titanium dioxide, ZnO and Ce 2 O 3 may have the effect of reducing the photocatalytic activity. The main effect of the doping element in the present invention is to chemically stabilize the resin composition such that the energy of electromagnetic wave absorption is dissipated by a phenomenon other than a chemical reaction such as light emission or heat generation to suppress or prevent decomposition degradation of the resin matrix. It is thought to be to improve the sex.

【0069】本発明における半導体結晶は、例えばA.
R.Kortanら;J.Am.Chem.Soc.,
112巻,1327頁(1990)あるいは米国特許5
985173号公報(1999)に報告されているよう
に、内核(コア)と外殻(シェル)からなるいわゆるコ
アシェル構造を形成していてもよい。かかるコアシェル
型半導体結晶では、エキシトン吸発光帯を利用する用途
に好適な場合がある。この場合、シェルの半導体結晶の
組成として、禁制帯幅(バンドギャップ)がコアよりも
大きなものを起用することによりエネルギー的な障壁を
形成せしめることが一般に有効である。これは、外界の
影響や結晶表面での結晶格子欠陥等の理由による望まし
くない表面準位等の影響を抑制する機構によるものと推
測される。かかる半導体シェルに好適に用いられる半導
体結晶の組成としては、コア半導体結晶のバンドギャッ
プにもよるが、バルク状態のバンドギャップが温度30
0Kにおいて2.0電子ボルト以上であるもの、例えば
BN、BAs、GaNやGaP等のIII−V族化合物半
導体、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、
CdS等のII−VI族化合物半導体、MgSやMgSe等
の周期表第2族元素と周期表第16族元素との化合物等
が好適に用いられる。これらのうちより好ましいシェル
となる半導体結晶組成は、BN、BAs、GaN等のII
I−V族化合物半導体、ZnO、ZnS、ZnSe、C
dS等のII−VI族化合物半導体、MgS、MgSe等の
周期表第2族元素と周期表第16族元素との化合物等の
バルク状態のバンドギャップが温度300Kにおいて
2.3電子ボルト以上のものであり、最も好ましいのは
BN、BAs、GaN、ZnO、ZnS、ZnSe、M
gS、MgSe等のバルク状態のバンドギャップが温度
300Kにおいて2.5電子ボルト以上のものであり、
化学合成上ZnSは最も好適に使用される。特に好適な
コアシェル組成の組み合わせ例を組成式で表現すると、
CdSe−ZnS、CdSe−ZnO、CdSe−Cd
S、CdS−ZnS、CdS−ZnO等が挙げられる。
The semiconductor crystal according to the present invention is, for example, A.
R. Kortan et al .; Am. Chem. Soc. ,
112, 1327 (1990) or US Pat.
As reported in Japanese Patent No. 985173 (1999), a so-called core-shell structure composed of an inner core (core) and an outer shell (shell) may be formed. Such a core-shell type semiconductor crystal may be suitable for applications using the exciton absorption / emission band. In this case, it is generally effective to form an energy barrier by using a semiconductor crystal composition of the shell having a band gap (band gap) larger than that of the core. It is presumed that this is due to a mechanism that suppresses the influence of an undesired surface level or the like due to the influence of the external environment or the crystal lattice defect on the crystal surface. The composition of the semiconductor crystal that is preferably used for such a semiconductor shell depends on the band gap of the core semiconductor crystal, but the band gap in the bulk state has a temperature of 30
Those having a voltage of 2.0 electron volts or more at 0 K, for example, BN, BAs, III-V group compound semiconductors such as GaN and GaP, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO,
A II-VI group compound semiconductor such as CdS, a compound of an element of Group 2 of the periodic table and an element of Group 16 of the periodic table, such as MgS or MgSe, is preferably used. Among these, the semiconductor crystal composition which becomes a more preferable shell is II, such as BN, BAs, and GaN.
Group IV compound semiconductor, ZnO, ZnS, ZnSe, C
II-VI group compound semiconductor such as dS, compound having a group 2 element of the periodic table such as MgS, MgSe, etc. and group 16 element of the periodic table having a bulk band gap of 2.3 eV or more at a temperature of 300K And most preferable are BN, BAs, GaN, ZnO, ZnS, ZnSe, and M.
The band gap of gS, MgSe, etc. in the bulk state is 2.5 eV or more at a temperature of 300K,
ZnS is most preferably used in terms of chemical synthesis. When a combination example of particularly suitable core-shell composition is expressed by a composition formula,
CdSe-ZnS, CdSe-ZnO, CdSe-Cd
S, CdS-ZnS, CdS-ZnO, etc. are mentioned.

【0070】上記半導体結晶の吸光能を利用する場合、
その吸収スペクトルの吸収端波長が300〜600nm
の範囲内にあることが好ましい。この吸収端波長の範囲
の下限値は前記樹脂マトリクスを変質させる紫外領域を
吸収させる目的でより好ましくは330nm、更に好ま
しくは370nmであり、一方、該上限値は可視領域に
おける透明性の点でより好ましくは550nm、更に好
ましくは500nm、最も好ましくは450nmであ
る。
When utilizing the light absorption ability of the semiconductor crystal,
The absorption edge wavelength of the absorption spectrum is 300 to 600 nm
It is preferably within the range. The lower limit of the absorption edge wavelength range is more preferably 330 nm, further preferably 370 nm, for the purpose of absorbing the ultraviolet region that modifies the resin matrix, while the upper limit is more preferable in terms of transparency in the visible region. It is preferably 550 nm, more preferably 500 nm, and most preferably 450 nm.

【0071】[半導体ナノ結晶の製造方法]前記半導体
結晶の超微粒子(本発明では「半導体ナノ結晶」と記
す)の製造方法に制限はないが、例えば以下の3つの液
相法が例示される。 (1)原料水溶液を非極性有機溶媒中の逆ミセルとして
存在させ該逆ミセル相中にて結晶成長させる方法(以下
「逆ミセル法」と記す)であり、例えばB.S.Zou
ら;Int.J.Quant.Chem.,72巻,4
39(1999)に報告されている方法である。公知の
逆ミセル安定化技術が利用でき、比較的安価かつ化学的
に安定な塩を原料とすることができ、しかも水の沸点を
超えない比較的低温で行われる点で工業生産に適した方
法である。但し、下記のホットソープ法の場合に比べて
現状技術では発光特性に劣る場合がある。 (2)熱分解性原料を高温の液相有機媒体に注入して結
晶成長させる方法(以下「ホットソープ法」と記す)で
あり、例えばJ.E.B.Katariら;J.Phy
s.Chem.,98巻,4109−4117(199
4)に報告されている方法である。前記逆ミセル法に比
べて粒径分布と純度に優れた半導体結晶粒子が得られ、
生成物は発光特性に優れ有機溶媒に通常可溶である特徴
がある。ホットソープ法における液相での結晶成長の過
程の反応速度を望ましく制御する目的で、半導体構成元
素に適切な配位力のある配位性有機化合物が液相成分
(溶媒と有機配位子を兼ねる)として選択される。かか
る配位性有機化合物の例としては、トリブチルホスフィ
ンやトリオクチルホスフィン等のトリアルキルホスフィ
ン類、トリオクチルホスフィンオキシド(以下TOPO
と略記)等のトリアルキルホスフィンオキシド類、ドデ
シルアミン、テトラデシルアミン、ヘキサデシルアミ
ン、オクタデシルアミン等のω−アミノアルカン類等が
挙げられる。これらのうち、上記TOPO等のトリアル
キルホスフィンオキシド類やヘキサデシルアミン等のω
−アミノアルカン類が好適に用いられる。 (3)酸塩基反応を駆動力として半導体結晶やその前駆
体を、水やエタノールなどのプロトン性溶媒中において
100℃以下程度の比較的低い温度で生成させる工業生
産に適した方法(以下「ゾル生成法」と記す)である。
例えば、酸化チタンナノ結晶の合成例が伊藤征司郎ら;
色材,57巻6号,305−308(1984)に、酸
化亜鉛ナノ結晶の合成例がL.Spanhelら;J.
Am.Chem.Soc.,113巻,2826頁(1
991)にそれぞれ報告されている。ゾル生成法におけ
る好適な原料として、例えば酸化チタンナノ結晶の合成
には硫酸チタニルが、酸化亜鉛ナノ結晶の合成には酢酸
亜鉛や硝酸亜鉛等の亜鉛塩が、それぞれ例示される。テ
トラエチルオルソシリケート(略称TEOS)やテトラ
イソプロポキシオルソチタネート等の金属アルコキシド
類も原料として好適に使用可能である。特にゾル生成法
により酸化物ナノ結晶を合成する場合においては、例え
ば硫酸チタニルを原料として用いる酸化チタンナノ結晶
の合成のように、水酸化物等の前駆体を経由し次いで酸
やアルカリにより(好ましくは酸により)これを脱水縮
合又は解膠してヒドロゾルを生成させる手順も可能であ
る。かかる前駆体を経由する手順では、該前駆体を、濾
過や沈殿分離(必要であれば遠心分離)等の任意の方法
で単離精製することが最終製品の純度の点で好適であ
る。該ヒドロゾルにドデシルベンゼンスルホン酸ナトリ
ウム(略称DBS)や3−メタクリロイルオキシプロパ
ンスルホン酸カリウム等の適当な界面活性剤を加えて、
ゾル粒子(即ち半導体又はその前駆体のナノ粒子)を非
水溶化させて単離してもよい。
[Manufacturing Method of Semiconductor Nanocrystal] The manufacturing method of the ultrafine particles of the semiconductor crystal (referred to as “semiconductor nanocrystal” in the present invention) is not limited, but the following three liquid phase methods are exemplified. . (1) A method of allowing a raw material aqueous solution to exist as a reverse micelle in a non-polar organic solvent and growing crystals in the reverse micelle phase (hereinafter referred to as "reverse micelle method"). S. Zou
Int. J. Quant. Chem. , Volume 72, 4
39 (1999). A method suitable for industrial production in that known reverse micelle stabilization technology can be used, a relatively inexpensive and chemically stable salt can be used as a raw material, and that it can be performed at a relatively low temperature not exceeding the boiling point of water. Is. However, the current state of the art may be inferior to the light emission characteristics as compared with the case of the hot soap method described below. (2) A method of injecting a thermally decomposable raw material into a high temperature liquid-phase organic medium to grow crystals (hereinafter referred to as "hot soap method"). E. B. Katari et al .; Phy
s. Chem. , 98, 4109-4117 (199
This is the method reported in 4). Semiconductor crystal particles excellent in particle size distribution and purity are obtained as compared with the reverse micelle method,
The product is characterized by excellent luminescence properties and is usually soluble in organic solvents. In order to desirably control the reaction rate in the process of crystal growth in the liquid phase in the hot soap method, a coordinating organic compound having an appropriate coordinating force for semiconductor constituent elements is used as a liquid phase component (solvent and organic ligand (Also serves as). Examples of such a coordinating organic compound include trialkylphosphines such as tributylphosphine and trioctylphosphine, trioctylphosphine oxide (hereinafter referred to as TOPO).
Abbreviated) and the like, and ω-aminoalkanes such as dodecylamine, tetradecylamine, hexadecylamine, octadecylamine and the like. Of these, trialkylphosphine oxides such as TOPO and ω such as hexadecylamine
-Aminoalkanes are preferably used. (3) A method suitable for industrial production in which a semiconductor crystal or a precursor thereof is generated at a relatively low temperature of about 100 ° C. or lower in a protic solvent such as water or ethanol by using an acid-base reaction as a driving force (hereinafter referred to as “sol. Generation method ”).
For example, the synthesis example of titanium oxide nanocrystals is Seijiro Ito et al.
Coloring Material, Vol. 57, No. 6, 305-308 (1984), a synthetic example of zinc oxide nanocrystals is described in L.A. Spanhel et al .;
Am. Chem. Soc. , 113, 2826 (1
991). Examples of suitable raw materials in the sol generation method include titanyl sulfate for the synthesis of titanium oxide nanocrystals, and zinc salts such as zinc acetate and zinc nitrate for the synthesis of zinc oxide nanocrystals. Metal alkoxides such as tetraethyl orthosilicate (abbreviation TEOS) and tetraisopropoxy orthotitanate can also be preferably used as a raw material. In particular, in the case of synthesizing oxide nanocrystals by a sol generation method, for example, as in the synthesis of titanium oxide nanocrystals using titanyl sulfate as a raw material, a precursor such as hydroxide is used, and then an acid or alkali (preferably Procedures for dehydration condensation or deflocculation of this (with an acid) to form a hydrosol are also possible. In the procedure via such a precursor, it is preferable in terms of purity of the final product to isolate and purify the precursor by an arbitrary method such as filtration or precipitation separation (centrifugation if necessary). To the hydrosol, a suitable surfactant such as sodium dodecylbenzene sulfonate (abbreviation DBS) or potassium 3-methacryloyloxypropane sulfonate is added,
The sol particles (that is, the nanoparticles of the semiconductor or its precursor) may be made water-insoluble and isolated.

【0072】前記半導体原料物質が複数種ある場合、こ
れらをあらかじめ混合しておいても良く、あるいはこれ
らをそれぞれ単独で反応液相に注入しても良い。これら
原料は、適当な希釈溶媒を用いて溶液にして使用しても
構わない。 [その他の超微粒子の製造方法]前記遷移金属超微粒子
の製造には、例えばG.Schmid編;”Clust
ers and Colloids”,VCH社(We
inheim,1994)等に総説されている公知の酸
化還元反応を利用する金属コロイドの製造方法が使用可
能である。例えば、塩化金酸、硝酸銀、過塩素酸銀等の
遷移金属イオン化合物又はその塩を、クエン酸又はその
塩、水素化ホウ素塩、エタノール等のアルコール類等の
還元剤と接触させる溶液反応、あるいは超音波や光の照
射等物理的作用を利用する還元反応により合成可能であ
る。M.Brustら;J.Chem.Soc.Che
m.Commun.,801頁(1994)に報告があ
るように、該酸化還元反応を水相で行う際に有機溶媒に
可溶の有機配位子で表面修飾するとともに超微粒子を該
有機相に抽出する目的で、かかる有機配位子の有機溶液
との2相系で反応を行ってもよい。あるいは前記W.
W.Weareら著の文献に最近報告された改良法、即
ち、塩化金酸等の原料金属化合物とテトラオクチルアン
モニウムブロミド等の4級アンモニウム塩とを窒素で溶
存空気を置換した水/トルエン2相系に溶解し、ここに
トリフェニルホスフィン(PPh3と略記)を作用させ
て生成するAuCl(PPh3)なる化学種を更に水素
化ホウ素ナトリウムで還元して、平均粒径1.5nm程
度で非常に狭い粒径分布を持つPPh3を有機配位子と
する金ナノ結晶(理論組成はAu101(PPh321Cl
5)を得る方法も好適に本発明に利用可能である。な
お、Nanoprobes,Inc.社(Stony
Brook、ニューヨーク州、米国)からNanogo
ldなる商品名で供給されている金のナノ結晶等の市販
品を本発明に使用してもよい。
When there are plural kinds of semiconductor raw material, they may be mixed in advance, or they may be individually injected into the reaction liquid phase. These raw materials may be used as a solution using an appropriate diluting solvent. [Other method for producing ultrafine particles] For producing the transition metal ultrafine particles, for example, G. Schmid edition; "Clust
ers and Colloids ”, VCH (We
Inheim, 1994) and the like, a known method for producing a metal colloid utilizing a redox reaction can be used. For example, a solution reaction in which a transition metal ion compound such as chloroauric acid, silver nitrate, or silver perchlorate or a salt thereof is brought into contact with a reducing agent such as citric acid or a salt thereof, a borohydride salt, or an alcohol such as ethanol, or It can be synthesized by a reduction reaction utilizing a physical action such as irradiation with ultrasonic waves or light. M. Brust et al .; Chem. Soc. Che
m. Commun. , 801 (1994), for the purpose of surface modification with an organic ligand soluble in an organic solvent when the redox reaction is carried out in an aqueous phase, and extracting ultrafine particles into the organic phase. Alternatively, the reaction may be performed in a two-phase system with an organic solution of such an organic ligand. Alternatively, the aforementioned W.
W. An improved method recently reported in the literature by Weare et al., Namely, a water / toluene two-phase system in which a starting metal compound such as chloroauric acid and a quaternary ammonium salt such as tetraoctylammonium bromide are replaced with nitrogen to replace dissolved air. A chemical species, AuCl (PPh 3 ), which is produced by reacting with triphenylphosphine (abbreviated as PPh 3 ) and dissolved therein, is further reduced with sodium borohydride to have an extremely narrow average particle size of about 1.5 nm. Gold nanocrystals with PPh 3 having a particle size distribution as an organic ligand (theoretical composition is Au 101 (PPh 3 ) 21 Cl
The method of obtaining 5 ) is also suitably applicable to the present invention. In addition, Nanoprobes, Inc. Company (Stony
Brook, New York, USA) to Nanogo
Commercially available products such as gold nanocrystals supplied under the trade name ld may be used in the present invention.

【0073】前記の酸化還元反応で得る遷移金属超微粒
子は、チオール類やアミン類による有機配位子交換反応
により所望の表面修飾が可能である。即ち、L.O.B
rownら;J.Am.Chem.Soc.,119
巻,12384−12385(1997)に報告のある
1−オクタデカンチオール等のアルカンチオール類によ
る有機配位子交換、あるいはL.O.Brownら;
J.Am.Chem.Soc.,121巻,882−8
83(1999)に報告のある1−ペンタデシルアミン
等のアミノアルカン類による有機配位子交換が可能であ
り、特に後者の方法を例えば塩化メチレン等の有機溶媒
中で室温にて3日程度かけてゆっくりと行うことで、
1.5nm程度の初期粒径から5nm程度まで精密に制
御可能である点で好ましい反応である。従って、所望の
官能基を有する有機配位子を使用してかかる制御された
有機配位子交換反応を行うことにより、原理的に所望の
官能基を導入する表面修飾を精密な粒径制御とともに行
うことが可能である。
The transition metal ultrafine particles obtained by the above-mentioned redox reaction can be subjected to a desired surface modification by an organic ligand exchange reaction with thiols and amines. That is, L. O. B
row et al .; Am. Chem. Soc. , 119
Vol., 12384-12385 (1997), organic ligand exchange by alkanethiols such as 1-octadecanethiol, or L. O. Brown et al .;
J. Am. Chem. Soc. , 121, 882-8
83 (1999), it is possible to exchange organic ligands with aminoalkanes such as 1-pentadecylamine. Particularly, the latter method is performed in an organic solvent such as methylene chloride at room temperature for about 3 days. By doing slowly,
It is a preferable reaction because it can be precisely controlled from an initial particle size of about 1.5 nm to about 5 nm. Therefore, by carrying out such a controlled organic ligand exchange reaction using an organic ligand having a desired functional group, in principle surface modification introducing a desired functional group can be performed with precise particle size control. It is possible to do.

【0074】遷移金属の塩や各種機能分子の結晶の超微
粒子については、粉砕法の他、溶液からの沈殿法や超臨
界液体中での反応を利用する方法等の溶液法による製造
が可能である。 [有機配位子]本発明に使用する前記超微粒子は、樹脂
マトリクスへの相溶性又は反応性を有する有機配位子を
結合させたものとすると、該樹脂マトリクスへの超微粒
子の分散性が飛躍的に改善され本発明の樹脂組成物成形
体の透明性、寸法安定性又は機械的強度が向上する場合
がある。かかる有機配位子の効果は、超微粒子同士の凝
集が抑制される効果、上記樹脂マトリクスへの相溶性が
向上する効果、あるいは有機配位子と樹脂マトリクスを
構成する高分子との化学反応による結合生成の効果、等
の複合効果によるものと考えられる。なお、上記有機配
位子の結合により、超微粒子の吸発光能等の電磁気学的
特性が改良される場合がある。
Ultrafine particles of a transition metal salt or crystals of various functional molecules can be produced by a pulverization method, a solution method such as a precipitation method from a solution or a method utilizing a reaction in a supercritical liquid. is there. [Organic Ligand] When the above-mentioned ultrafine particles used in the present invention have organic ligands having compatibility or reactivity with the resin matrix bonded thereto, the dispersibility of the ultrafine particles in the resin matrix is It may be dramatically improved, and the transparency, dimensional stability, or mechanical strength of the resin composition molded product of the present invention may be improved. The effect of such an organic ligand is due to the effect of suppressing the aggregation of ultrafine particles, the effect of improving the compatibility with the resin matrix, or the chemical reaction between the organic ligand and the polymer constituting the resin matrix. It is considered that this is due to a combined effect such as the effect of bond formation. The binding of the organic ligand may improve the electromagnetic properties such as the absorption and emission ability of the ultrafine particles.

【0075】本発明に使用される有機配位子の分子量
は、通常100〜900、より好ましくは200〜80
0、更に好ましくは300〜750である。この分子量
が大きすぎると樹脂マトリクスの各種物性、特に機械的
物性(強度、弾性率、耐熱性等)を損なう場合がある。
また該分子量には分布があってもよいが、有機配位子の
上記役割の点で重量平均分子量Mwと数平均分子量Mn
との比Mw/Mnとして通常1〜10であり、好ましく
は1〜7、更に好ましくは1〜5、最も好ましくは1〜
3に制御することが好ましい。
The molecular weight of the organic ligand used in the present invention is usually 100 to 900, more preferably 200 to 80.
0, more preferably 300 to 750. If this molecular weight is too large, various physical properties of the resin matrix, particularly mechanical properties (strength, elastic modulus, heat resistance, etc.) may be impaired.
Although the molecular weight may have a distribution, in view of the role of the organic ligand, the weight average molecular weight Mw and the number average molecular weight Mn are
The ratio Mw / Mn is usually 1 to 10, preferably 1 to 7, more preferably 1 to 5, and most preferably 1 to
It is preferable to control to 3.

【0076】上記でいう有機配位子の樹脂マトリクスへ
の反応性とは、有機配位子と樹脂マトリクス(熱可塑性
樹脂又は架橋樹脂を問わない)を構成する高分子とが結
合を生成している状態を与えるための反応性を意味す
る。かかる状態を与えるには次の4通りの方法が考えら
れる。即ち、第1は超微粒子に結合した有機配位子と樹
脂マトリクスを構成する高分子との化学反応、第2は超
微粒子に結合した有機配位子と樹脂マトリクスを構成す
る高分子を与える重合性単量体との反応(該重合性単量
体との共重合反応でもよい)及び次いで進行させる該重
合性単量体の重合反応、第3は有機配位子と樹脂マトリ
クスを構成する高分子との化学反応及び次いで進行させ
る有機配位子と超微粒子との結合反応、第4は有機配位
子と樹脂マトリクスを構成する高分子を与える重合性単
量体との反応(該重合性単量体との共重合反応でもよ
い)、次いで進行させる該重合性単量体の重合反応及び
更に次いで進行させる有機配位子と超微粒子との結合反
応、である。これらの方法については「樹脂組成物成形
体の製造方法」の項の記述も参照されたい。
The reactivity of the organic ligand with respect to the resin matrix mentioned above means that the organic ligand and the polymer constituting the resin matrix (whether a thermoplastic resin or a crosslinked resin) form a bond. It means reactivity to give a living condition. The following four methods can be considered to provide such a state. That is, the first is a chemical reaction between the organic ligand bound to the ultrafine particles and the polymer constituting the resin matrix, and the second is a polymerization for giving the organic ligand bound to the ultrafine particles and the polymer constituting the resin matrix. Reaction with a polymerizable monomer (may be a copolymerization reaction with the polymerizable monomer) and a subsequent polymerization reaction of the polymerizable monomer, and thirdly, a high reaction ratio of the organic ligand and the resin matrix. The chemical reaction with the molecule and the subsequent binding reaction between the organic ligand and the ultrafine particles, and the fourth is the reaction between the organic ligand and the polymerizable monomer that gives the polymer forming the resin matrix (the polymerization It may be a copolymerization reaction with a monomer), a polymerization reaction of the polymerizable monomer to proceed next, and a bonding reaction of the organic ligand and ultrafine particles to proceed further. For these methods, see also the description in the section "Method for producing molded resin composition".

【0077】上記有機配位子の結合の効果が特に顕著に
表れるのは、該超微粒子の材質が遷移金属(単体あるい
は合金)、化合物半導体、非遷移金属の酸化物類、ある
いはゼオライト類等の無機物の場合である。これは、上
記樹脂マトリクスと該無機材質の超微粒子との界面自由
エネルギーを大きく減少させることによるものと推定さ
れる。かかる無機物の超微粒子への有機配位子の結合方
法とこれに使用する有機配位子の分子構造に制限はない
が、かかる有機配位子の分子構造概念は下記一般式
(3)で表されるものである。
The effect of the binding of the organic ligands is particularly remarkable when the material of the ultrafine particles is a transition metal (a simple substance or an alloy), a compound semiconductor, an oxide of a non-transition metal, or a zeolite. This is the case for inorganic substances. It is presumed that this is because the interfacial free energy between the resin matrix and the ultrafine particles of the inorganic material is greatly reduced. There is no limitation on the method for binding the organic ligand to the inorganic ultrafine particles and the molecular structure of the organic ligand used for the method, but the molecular structure of the organic ligand is represented by the following general formula (3). It is what is done.

【0078】[0078]

【化5】X−R−Y (3) 但し、Xは超微粒子の表面と任意の化学結合(例えば共
有結合、イオン結合、配位結合、水素結合等)を形成す
る官能基を表し、Yは上記樹脂マトリクスとの相溶性又
は反応性を有する官能基を表し、RはXとYとを連結す
る炭素原子数1〜30である2価有機残基を表す。
Embedded image where X represents a functional group that forms an arbitrary chemical bond (for example, a covalent bond, an ionic bond, a coordinate bond, a hydrogen bond, etc.) with the surface of the ultrafine particles, and Y Represents a functional group having compatibility or reactivity with the resin matrix, and R represents a divalent organic residue having 1 to 30 carbon atoms connecting X and Y.

【0079】該官能基Xは、好ましくは使用する超微粒
子の表面と共有結合又は配位結合を、最も好ましくは共
有結合を形成するものである。かかる官能基Xの具体例
としては、シリカ、アルミナ、チタニア等の酸化物の表
面処理に従来使用されているシランカップリング剤やチ
タネート系カップリング剤等の活性官能基である金属ア
ルコキシド基、あるいは周期表第15又は16族元素を
含有する以下のような官能基、即ち、1級アミノ基(−
NH2)、2級アミノ基(−NHR;但しRはメチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基等の
炭素数6以下の炭化水素基である;以下同様)、3級ア
ミノ基(−NR12;但しR1及びR2は独立にメチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基等の
炭素数6以下の炭化水素基である;以下同様)、ピリジ
ル基、アミド結合等の窒素含有官能基、ホスフィン基、
ホスフィンオキシド基、リン酸基、亜リン酸基、ホスフ
ィンセレニド基等のリン含有官能基等の周期表第15族
元素を含有する官能基、水酸基、カルボキシル基、β−
ジケトン基、β−ジケトネート基等の酸素含有官能基、
メルカプト基(又はチオール基)、スルフィド結合、ス
ルホキシド基、チオ酸基(−COSH)、ジチオ酸基
(−CSSH)、スルホン酸基、キサントゲン酸基、キ
サンテート基、イソチオシアネート基、チオカルバメー
ト基、チオフェン環等の硫黄含有官能基等の周期表第1
6族元素を含有する官能基等が例示される。これらのう
ち好ましく利用されるのは、ピリジル基や1級アミノ基
等の窒素含有官能基、ホスフィン基やホスフィンオキシ
ド基等のホスフィン誘導体基、リン酸基、カルボキシル
基、スルホン酸基等の酸性基、メルカプト基等の硫黄含
有官能基である。これらのうち、ホスフィンオキシド基
とメルカプト基は超微粒子が含有する遷移金属元素への
結合力に優れ、リン酸基、カルボキシル基、スルホン酸
基等の酸性基は前記酸化物半導体結晶への結合力に優れ
るので最も好ましく用いられる。
The functional group X preferably forms a covalent bond or a coordinate bond with the surface of the ultrafine particles to be used, most preferably a covalent bond. Specific examples of the functional group X include a metal alkoxide group which is an active functional group such as a silane coupling agent or a titanate coupling agent which has been conventionally used for the surface treatment of oxides such as silica, alumina and titania, or The following functional groups containing elements of Group 15 or 16 of the periodic table, that is, primary amino groups (-
NH 2 ), secondary amino group (-NHR; where R is a hydrocarbon group having 6 or less carbon atoms such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, phenyl group; the same applies hereinafter), tertiary amino group (-NR 1 R 2 ; however, R 1 and R 2 are independently a hydrocarbon group having 6 or less carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, and a phenyl group; the same applies hereinafter), a pyridyl group, A nitrogen-containing functional group such as an amide bond, a phosphine group,
Functional groups containing Group 15 elements in the periodic table, such as phosphorus-containing functional groups such as phosphine oxide groups, phosphoric acid groups, phosphorous acid groups, and phosphine selenide groups, hydroxyl groups, carboxyl groups, β-
Oxygen-containing functional groups such as diketone groups and β-diketonate groups,
Mercapto group (or thiol group), sulfide bond, sulfoxide group, thio acid group (-COSH), dithio acid group (-CSH), sulfonic acid group, xanthogenic acid group, xanthate group, isothiocyanate group, thiocarbamate group, thiophene Periodic table of sulfur-containing functional groups such as rings 1
Examples thereof include functional groups containing a Group 6 element. Among these, preferably used are nitrogen-containing functional groups such as pyridyl groups and primary amino groups, phosphine derivative groups such as phosphine groups and phosphine oxide groups, and acidic groups such as phosphoric acid groups, carboxyl groups, and sulfonic acid groups. , A mercapto group and other sulfur-containing functional groups. Among these, the phosphine oxide group and the mercapto group are excellent in the binding force to the transition metal element contained in the ultrafine particles, and the acidic groups such as the phosphate group, the carboxyl group, and the sulfonic acid group are the binding force to the oxide semiconductor crystal. It is most preferably used because it is excellent in

【0080】上記官能基Yについては、これが上記樹脂
マトリクスとの反応性を有する官能基である場合、水酸
基、アミノ基、カルボキシル基、エステル基、アミド基
等の求核又は求電子置換反応性官能基、アクリロイル
基、メタクリロイル基、マレオイル基、ビニルフェニル
基、ビニルエステル基、ビニルアミノ基、エチニル基等
のラジカル重合性基等が例示される。
When the functional group Y is a functional group having reactivity with the resin matrix, a nucleophilic or electrophilic substitution-reactive functional group such as a hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, an ester group, an amide group, etc. Examples thereof include radically polymerizable groups such as groups, acryloyl groups, methacryloyl groups, maleoyl groups, vinylphenyl groups, vinyl ester groups, vinylamino groups and ethynyl groups.

【0081】上記上記官能基Yの例示のうちアミノ基
は、エステル結合、カーボネート結合、アミド結合等の
カルボキシル基から誘導される結合及びエポキシ基への
求核置換反応性に富むので、エステル結合、カーボネー
ト結合、アミド結合及びエポキシ基を含有する樹脂(例
えば芳香族ポリエステル樹脂、芳香族ポリカーボネート
樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、エステル結合特
にメチルエステル基を側鎖に有するアクリル系樹脂や非
晶性ポリオレフィン樹脂等)を主体とする樹脂マトリク
スへの適用に好適である。また、アクリロイル基、メタ
クリロイル基、マレオイル基、ビニルフェニル基、ビニ
ルエステル基、ビニルアミノ基、エチニル基等のラジカ
ル重合性基は、前記スチレン系樹脂及びアクリル系樹脂
を与える重合性単量体又は酢酸ビニル等任意のラジカル
重合性単量体とのラジカル共重合性を有するので、これ
ら2種の樹脂を主体とする樹脂マトリクスへの適用に好
適である。上記ラジカル重合性基のうち、ラジカル重合
性の点でアクリロイル基、メタクリロイル基、マレオイ
ル基及びビニルフェニル基が好適であり、中でもアクリ
ロイル基、メタクリロイル基及びビニルフェニル基が更
に好適であり、ラジカル重合性の制御性の点で最も好適
なのはメタクリロイル基及びビニルフェニル基である。
Of the above examples of the functional group Y, the amino group is rich in a bond derived from a carboxyl group such as an ester bond, a carbonate bond, an amide bond, etc. and a nucleophilic substitution reactivity with an epoxy group. Resins containing a carbonate bond, an amide bond and an epoxy group (for example, an aromatic polyester resin, an aromatic polycarbonate resin, a polyamide resin, an epoxy resin, an ester bond, especially an acrylic resin having a methyl ester group in its side chain or an amorphous polyolefin resin) Etc.) is suitable for application to a resin matrix mainly composed of Further, a radical polymerizable group such as an acryloyl group, a methacryloyl group, a maleoyl group, a vinylphenyl group, a vinyl ester group, a vinylamino group, an ethynyl group is a polymerizable monomer or acetic acid which gives the styrene resin and the acrylic resin. Since it has a radical copolymerizability with an arbitrary radically polymerizable monomer such as vinyl, it is suitable for application to a resin matrix mainly composed of these two resins. Among the above radically polymerizable groups, acryloyl group, methacryloyl group, maleoyl group and vinylphenyl group are preferable in terms of radical polymerizability, and among them, acryloyl group, methacryloyl group and vinylphenyl group are further preferable, and radically polymerizable group. From the viewpoint of controllability, the methacryloyl group and vinylphenyl group are most preferable.

【0082】一方、上記官能基Yが上記樹脂マトリクス
との相溶性を有する官能基である場合、その化学構造
は、該樹脂マトリクスの主体である高分子の繰返し単位
の化学構造の一部又は全部と同一又は類似であることが
好ましい。前記2価有機残基Rの炭素原子数について
は、官能基Yの上記相溶性又は反応性を十分に機能させ
るに必要な可動性の確保と超微粒子を外界からの好まし
くない化学反応から保護する点から、その下限値は好ま
しくは3以上、より好ましくは6以上、更に好ましくは
9以上であり、一方本発明の樹脂組成物成形体の耐熱性
や機械的強度を極端に低下させない目的では好ましくは
25以下、更に好ましくは20以下とする。
On the other hand, when the functional group Y is a functional group having compatibility with the resin matrix, its chemical structure is part or all of the chemical structure of the repeating unit of the polymer which is the main constituent of the resin matrix. Is preferably the same as or similar to. Regarding the number of carbon atoms of the divalent organic residue R, the mobility required to sufficiently function the compatibility or reactivity of the functional group Y is ensured and the ultrafine particles are protected from unfavorable chemical reactions from the outside. From the viewpoint, the lower limit is preferably 3 or more, more preferably 6 or more, and further preferably 9 or more, while it is preferable for the purpose of not significantly reducing the heat resistance and mechanical strength of the resin composition molded product of the present invention. Is 25 or less, more preferably 20 or less.

【0083】以下、上記有機配位子の具体例を挙げる
が、これら例示中(b)〜(e)における官能基は上記
一般式(3)における官能基Xに該当するものである。 (a)金属アルコキシド基含有有機配位子・・・3−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、3−グリシジルオキ
シプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピ
ルトリメトキシシラン、3−ヒドロキシプロピルトリメ
トキシシラン、3−カルボキシエチルトリメトキシシラ
ン、3−メタクリロイロキシプロピルトリメトキシシラ
ン等のアルコキシシラン類、3−グリシジルオキシプロ
ピルトリイソプロピルオキシチタン等のアルコキシチタ
ン類等。
Specific examples of the organic ligands will be given below. In these examples, the functional groups in (b) to (e) correspond to the functional group X in the general formula (3). (A) Metal alkoxide group-containing organic ligand: 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-hydroxypropyltrimethoxysilane, 3-carboxy Alkoxysilanes such as ethyltrimethoxysilane and 3-methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, and alkoxytitaniums such as 3-glycidyloxypropyltriisopropyloxytitanium.

【0084】(b)硫黄含有有機配位子・・・メルカプ
トエタン、1−メルカプト−n−ブタン、1−メルカプ
ト−n−ヘキサン、メルカプトシクロヘキサン、1−メ
ルカプト−n−オクタン、1−メルカプト−n−デカン
等のメルカプトアルカン類、下記一般式(4)で表され
る片末端がメルカプト基となったポリエチレングリコー
ル類、下記一般式(5)で表されるポリエチレングリコ
ール類のω−メルカプト脂肪酸エステル類、下記一般式
(6)で表される1H,1H,2H,2H−パーフルオ
ロアルキル−1−チオール類、チオフェノール、4−メ
チルチオフェノール、4−tert−ブチルチオフェノ
ール、4−ヒドロキシチオフェノール等のチオフェノー
ル誘導体、6−メルカプト−n−ヘキサノール等のω−
メルカプトアルコール類、ジブチルスルフィド、ジヘキ
シルスルフィド、ジオクチルスルフィド等のジアルキル
スルフィド類、ジメチルスルホキシド、ジブチルスルホ
キシド、ジオクチルスルホキシド等のジアルキルスルホ
キシド類、ジブチルジスルフィド、ジヘキシルジスルフ
ィド、ジオクチルジスルフィド等のジアルキルジスルフ
ィド類、チオ尿素、チオアセタミド等のチオカルボニル
基を有する化合物、チオフェン等の硫黄含有芳香族化合
物、オクチルスルホン酸、デシルスルホン酸、ドデシル
スルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、パーフルオ
ロアルキルスルホン酸等のスルホン酸類、あるいは下記
一般式(5)のエステル類の原料となるω−メルカプト
脂肪酸類等。
(B) Sulfur-containing organic ligand: mercaptoethane, 1-mercapto-n-butane, 1-mercapto-n-hexane, mercaptocyclohexane, 1-mercapto-n-octane, 1-mercapto-n Mercaptoalkanes such as decane, polyethylene glycols represented by the following general formula (4) having a mercapto group at one end, and ω-mercapto fatty acid esters of polyethylene glycols represented by the following general formula (5) , 1H, 1H, 2H, 2H-perfluoroalkyl-1-thiols represented by the following general formula (6), thiophenol, 4-methylthiophenol, 4-tert-butylthiophenol, 4-hydroxythiophenol, etc. Thiophenol derivatives, 6-mercapto-n-hexanol and other ω-
Dialkyl sulfides such as mercapto alcohols, dibutyl sulfide, dihexyl sulfide and dioctyl sulfide, dialkyl sulfoxides such as dimethyl sulfoxide, dibutyl sulfoxide and dioctyl sulfoxide, dialkyl disulfides such as dibutyl disulfide, dioctyl disulfide, thiourea and thioacetamide. A compound having a thiocarbonyl group such as thiophene, a sulfur-containing aromatic compound such as thiophene, octyl sulfonic acid, decyl sulfonic acid, dodecyl sulfonic acid, dodecyl benzene sulfonic acid, sulfonic acid such as perfluoroalkyl sulfonic acid, or the following general formula ( [Omega] -mercapto fatty acids, which are raw materials for the esters of 5).

【0085】[0085]

【化6】HS−(CH2CH2O)n−R1 (4)Embedded image HS- (CH 2 CH 2 O) n —R 1 (4)

【0086】[0086]

【化7】 HS−(CH2m−COO−(CH2CH2O)n−R1 (5) 但し、一般式(4)及び一般式(5)においてR1は水
素原子、炭素数6以下の炭化水素基、又はベンゼン環を
表し、nは重合度を表す自然数であり通常2≦n≦1
5、過度の立体的障害を避ける観点で好ましくは2≦n
≦10、更に好ましくは2≦n≦5である。また、一般
式(5)においてmは自然数であり通常1≦n≦20、
過度の立体的障害を避ける観点でその上限値は好ましく
は15、更に好ましくは12であり、一方該mの下限値
は超微粒子表面を外界から遮蔽する観点で好ましくは
5、更に好ましくは8である。
Embedded image HS- (CH 2 ) m —COO— (CH 2 CH 2 O) n —R 1 (5) However, in the general formulas (4) and (5), R 1 is a hydrogen atom or the number of carbon atoms. It represents a hydrocarbon group of 6 or less, or a benzene ring, and n is a natural number representing the degree of polymerization and is usually 2 ≦ n ≦ 1.
5, preferably 2 ≦ n from the viewpoint of avoiding excessive steric hindrance.
≦ 10, more preferably 2 ≦ n ≦ 5. Further, in the general formula (5), m is a natural number and usually 1 ≦ n ≦ 20,
From the viewpoint of avoiding excessive steric hindrance, its upper limit value is preferably 15, more preferably 12, while the lower limit value of m is preferably 5 and more preferably 8 from the viewpoint of shielding the surface of the ultrafine particles from the external environment. is there.

【0087】[0087]

【化8】HS−(CH22−RF (6) 但し一般式(6)において、RFはトリフルオロメチル
基(CF3−)又はジフルオロメチレン基(−CF2−)
を含有する炭素数1〜20のパーフルオロアルキル基を
表す。
[Image Omitted] HS- (CH 2 ) 2 -R F (6) However, in the general formula (6), R F is a trifluoromethyl group (CF 3- ) or a difluoromethylene group (-CF 2- ).
Represents a perfluoroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

【0088】(c)リン含有有機配位子・・・トリエチ
ルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホ
スフィン、トリオクチルホスフィン、トリデシルホスフ
ィン等のトリアルキルホスフィン類、トリエチルホスフ
ィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシド、トリヘ
キシルホスフィンオキシド、トリオクチルホスフィンオ
キシド(略称TOPO)、トリデシルホスフィンオキシ
ド等のトリアルキルホスフィンオキシド類、トリフェニ
ルホスフィンやトリフェニルホスフィンオキシド等の芳
香族ホスフィンあるいは芳香族ホスフィンオキシド類、
n−ブチルホスホン酸、n−ヘキシルホスホン酸、オク
チルホスホン酸、ドデシルホスホン酸、ベンジルホスホ
ン酸等のホスホン酸類、ジオクチルホスフィン酸等のホ
スフィン酸類等。
(C) Phosphorus-containing organic ligand: trialkylphosphines such as triethylphosphine, tributylphosphine, trihexylphosphine, trioctylphosphine, tridecylphosphine, triethylphosphine oxide, tributylphosphine oxide, trihexylphosphine Oxides, trioctylphosphine oxide (abbreviation TOPO), trialkylphosphine oxides such as tridecylphosphine oxide, aromatic phosphines or aromatic phosphine oxides such as triphenylphosphine and triphenylphosphine oxide,
Phosphonic acids such as n-butylphosphonic acid, n-hexylphosphonic acid, octylphosphonic acid, dodecylphosphonic acid and benzylphosphonic acid, and phosphinic acids such as dioctylphosphinic acid.

【0089】(d)窒素含有有機配位子・・・ピリジン
やキノリン等の窒素含有芳香族化合物、トリエチルアミ
ン、トリブチルアミン、トリヘキシルアミン、トリオク
チルアミン、トリデシルアミン、トリフェニルアミン、
メチルジフェニルアミン、ジエチルフェニルアミン、ト
リベンジルアミン等の3級アミン類、ジエチルアミン、
ジブチルアミン、ジヘキシルアミン、ジオクチルアミ
ン、ジデシルアミン、ジフェニルアミン、ジベンジルア
ミン等の2級アミン類、ヘキシルアミン、オクチルアミ
ン、デシルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミ
ン、オクタデシルアミン、フェニルアミン、ベンジルア
ミン等の1級アミン類、ニトリロ三酢酸トリエチルエス
テル等のアミノ基を有するカルボン酸エステル類等。
(D) Nitrogen-containing organic ligand: A nitrogen-containing aromatic compound such as pyridine or quinoline, triethylamine, tributylamine, trihexylamine, trioctylamine, tridecylamine, triphenylamine,
Tertiary amines such as methyldiphenylamine, diethylphenylamine, tribenzylamine, diethylamine,
Secondary amines such as dibutylamine, dihexylamine, dioctylamine, didecylamine, diphenylamine, dibenzylamine, etc., primary hexylamine, octylamine, decylamine, dodecylamine, hexadecylamine, octadecylamine, phenylamine, benzylamine, etc. Amines, carboxylic acid esters having an amino group such as nitrilotriacetic acid triethyl ester, and the like.

【0090】(e)カルボン酸有機配位子・・・ブタン
酸、ヘキサン酸、オクタン酸、デカン酸、ウンデカン
酸、ドデカン酸、オクタデカン酸等の炭素数4〜20の
脂肪酸類、安息香酸、4−オクチル安息香酸、4−ドデ
シル安息香酸等の安息香酸誘導体等。また、上記有機配
位子は、半導体結晶等の超微粒子を大気(特に酸素ガス
や水)や光等の外界からの影響から遮蔽して保持する効
果(以下「遮蔽効果」と呼ぶ)をも有する。かかる遮蔽
効果の点では、該有機配位子は炭素数4以上のメチレン
基連鎖を含有するものであることが好ましく、特に製造
過程に水やエタノール等のプロトン性溶媒を併用する場
合にその効果を顕著に発揮する。これは、該メチレン基
連鎖がその疎水性により一種の疎水障壁を半導体結晶表
面に形成し、プロトン性溶媒分子等の極性化学種が半導
体結晶等の表面に接近して金属元素を溶出する等の悪影
響を妨げる、といった機構によるものと推測される。か
かる炭素数4以上のメチレン基連鎖を有する有機配位子
の使用により、具体的には、半導体ナノ結晶の量子効果
の安定化が見られる場合が多い。このメチレン基連鎖の
炭素数は通常4〜20、好ましくは5〜16、最も好ま
しくは6〜12程度とする。
(E) Carboxylic acid organic ligand: fatty acid having 4 to 20 carbon atoms such as butanoic acid, hexanoic acid, octanoic acid, decanoic acid, undecanoic acid, dodecanoic acid, octadecanoic acid, benzoic acid, 4 -A benzoic acid derivative such as octylbenzoic acid and 4-dodecylbenzoic acid. Further, the organic ligand also has an effect of shielding ultrafine particles such as semiconductor crystals from the influence of the atmosphere (especially oxygen gas and water) and light from the outside (hereinafter referred to as “shielding effect”). Have. From the viewpoint of the shielding effect, the organic ligand preferably contains a methylene group chain having 4 or more carbon atoms, and the effect is particularly exhibited when a protic solvent such as water or ethanol is used in combination in the production process. Exerts remarkably. This is because the methylene group chain forms a kind of hydrophobic barrier on the semiconductor crystal surface due to its hydrophobicity, and polar chemical species such as protic solvent molecules approach the surface of the semiconductor crystal to elute the metal element. It is presumed that this is due to a mechanism that prevents adverse effects. By using the organic ligand having a methylene group chain having 4 or more carbon atoms, specifically, the quantum effect of the semiconductor nanocrystal is often stabilized. The carbon number of the methylene group chain is usually 4 to 20, preferably 5 to 16, most preferably about 6 to 12.

【0091】半導体結晶等の無機超微粒子の表面への上
記有機配位子の具体的な配位化学構造は十分に解明され
ていないが、本発明においては前記一般式(3)におけ
る官能基Xは必ずしもそのままの構造を保持していなく
てもよい。例えば、メルカプト基(SH)の場合、半導
体結晶や遷移金属結晶終端に存在する遷移金属元素M
(例えばII−VI族化合物半導体における亜鉛やカドミウ
ム、III−V族化合物半導体におけるガリウムやインジ
ウム等)との共有結合を形成した構造(例えばS−Mな
る構造)への変化、ホスフィンオキシド基(P=O)の
場合、該遷移金属元素Mとの共有結合を形成した構造
(例えばP−O−Mなる構造)への変化等も考えられ
る。
Although the specific coordination chemical structure of the above organic ligand on the surface of the inorganic ultrafine particles such as semiconductor crystals has not been sufficiently clarified, in the present invention, the functional group X in the above general formula (3) is used. Does not necessarily have to retain the structure as it is. For example, in the case of a mercapto group (SH), a transition metal element M existing at the terminal of a semiconductor crystal or a transition metal crystal
(E.g., zinc or cadmium in II-VI group compound semiconductors, gallium or indium in III-V group compound semiconductors, etc.), a phosphine oxide group (P In the case of = O), a change to a structure in which a covalent bond with the transition metal element M is formed (for example, a structure of POM) is also considered.

【0092】上記有機配位子の超微粒子への結合量は、
半導体結晶や遷移金属等の超微粒子主体と該有機配位子
との総和に対する重量百分率(wt%)として、通常5
〜80wt%、好ましくは10〜60wt%、更に好ま
しくは15〜40wt%である。かかる重量百分率は、
核磁気共鳴スペクトル(NMR)、赤外吸収スペクトル
(IR)、元素分析、あるいは熱重量分析(TG)等の
各種分析手法の組み合わせにより分析することにより見
積もることが可能である。
The amount of the above organic ligand bound to the ultrafine particles is
As a weight percentage (wt%) with respect to the total of the ultrafine particle main body such as a semiconductor crystal or a transition metal and the organic ligand, it is usually 5
-80 wt%, preferably 10-60 wt%, more preferably 15-40 wt%. Such weight percentage is
It can be estimated by analysis by a combination of various analysis methods such as nuclear magnetic resonance spectrum (NMR), infrared absorption spectrum (IR), elemental analysis, or thermogravimetric analysis (TG).

【0093】[熱可塑性樹脂組成物を使用する成形体の
製造方法]本発明の樹脂組成物成形体の製造方法に制限
はないが、上記超微粒子を分散した熱可塑性樹脂組成物
を使用する場合、該熱可塑性樹脂組成物のガラス転移温
度よりも10〜80℃高い温度条件で保温しながら加圧
成形する方法(以下「保温プレス成形」と称する)が好
ましい。かかる保温プレス成形においては、成形体原料
となる超微粒子が分散した熱可塑性樹脂組成物の塊(以
下「原料塊」と称する)をまず調製し、これを加圧成形
する。該加圧成形圧力は通常10〜20000g/cm
2である。
[Method for Producing Molded Article Using Thermoplastic Resin Composition] The method for producing the resin composition molded article of the present invention is not limited, but in the case of using the thermoplastic resin composition having the ultrafine particles dispersed therein. A method of pressure-molding while keeping the temperature at 10-80 ° C. higher than the glass transition temperature of the thermoplastic resin composition (hereinafter referred to as “heat-retaining press molding”) is preferable. In such heat insulation press molding, a lump (hereinafter referred to as a "raw material lump") of a thermoplastic resin composition in which ultrafine particles serving as a raw material for a molded body are dispersed is first prepared and then pressure-molded. The pressure molding pressure is usually 10 to 20000 g / cm.
Is 2 .

【0094】上記原料塊は、保温プレス成形により賦形
されてそのまま目的成形体となるので、通常、気泡や異
物など目的成形体において望ましくない含有物を含まな
い状態であることが好ましい。かかる原料塊の大きさ、
形状及び製造方法に制限はなく、例えばTダイ等のスリ
ット先のダイスから溶融樹脂を押し出す、樹脂溶液を流
延する等の公知の押し出し成形法や射出成形法、或いは
樹脂溶液のキャストによるプロセスなどにより製造可能
である。かかる成形方法の中では、成形に適した分子
量、及び成形時の分子配向の強さ、、残留溶媒の除去、
及び熱プレス処理の際、使用する型からの転写性、配向
緩和のし易さから考えて、光学部品の成形方法として
は、使用する樹脂の流動性が高く、溶媒を使用しない射
出成形がより望ましい。
Since the above-mentioned raw material mass is shaped by the heat insulation press molding and becomes the target molded body as it is, it is usually preferable that the target molded body does not contain undesirable contents such as bubbles and foreign matters. The size of such raw mass,
There is no limitation on the shape and the manufacturing method, and for example, a known extrusion molding method such as extruding a molten resin from a die having a slit tip such as a T-die or casting a resin solution, an injection molding method, or a process of casting a resin solution, etc. Can be manufactured by Among such molding methods, a molecular weight suitable for molding, the strength of molecular orientation during molding, removal of residual solvent,
In addition, considering the transferability from the mold to be used and the ease of orientation relaxation during the heat press treatment, injection molding without solvent is more preferable as the molding method of the optical component because the resin used has high fluidity. desirable.

【0095】上記保温プレス成形において、原料塊の段
階では複屈折の値に制限はなく、熱可塑性樹脂マトリク
スが結晶性を有する場合には原料塊の段階ではかかる結
晶化による不透明状態が含有されていてもよい。上記保
温プレス成形の顕著な効果は非常に小さい成形残留歪み
(例えば複屈折により評価される)を可能とする点にあ
り、これは、上記温度条件での保温により熱可塑性樹脂
マトリクスの高分子鎖が可動性を持ちかつ過度の粘性流
動性は持たない状態を可能とすることによる。即ち、原
料塊が含有していても良い光学歪みや上記結晶化による
不透明状態が、かかる保温で熱的に緩和して解消され均
質透明な状態となりしかも同時に賦形される、という過
程に特徴がある。また、このような熱的な緩和により、
得られる樹脂組成物成形体の寸法安定性の方向異方性が
低下する効果が得られる場合がある。
In the above heat insulation press molding, the birefringence value is not limited at the stage of the raw material lump, and when the thermoplastic resin matrix has crystallinity, the opaque state due to such crystallization is contained at the stage of the raw material lump. May be. The remarkable effect of the above heat insulation press molding is that it enables a very small molding residual strain (for example, evaluated by birefringence), which means that the polymer chains of the thermoplastic resin matrix are retained by the heat retention at the above temperature conditions. Is possible and has no excessive viscous fluidity. That is, the optical strain that may be contained in the raw material mass and the opaque state due to the above crystallization are thermally relaxed by the heat retention to be eliminated and become a homogeneous transparent state, and at the same time, the process is shaped. is there. Also, due to such thermal relaxation,
In some cases, the effect of reducing the directional anisotropy of dimensional stability of the obtained resin composition molded article can be obtained.

【0096】上記保温温度範囲(ガラス転移温度との温
度差)の下限値は、使用する熱可塑性樹脂マトリクスの
性質にもよるが小さすぎると複屈折に顕著に現れる成形
残留歪みが増大する場合があるので好ましくは20℃、
更に好ましくは30℃である。一方該保温温度範囲の上
限値は使用する熱可塑性樹脂マトリクスの性質にもよる
が大きすぎると成形体の表面平坦度や生産性が低下する
場合があるので好ましくは70℃、更に好ましくは60
℃である。
The lower limit of the above-mentioned heat retention temperature range (temperature difference from the glass transition temperature) depends on the properties of the thermoplastic resin matrix used, but if it is too small, the molding residual strain that remarkably appears in birefringence may increase. Therefore, preferably 20 ° C,
More preferably, it is 30 ° C. On the other hand, the upper limit of the heat retention temperature range depends on the properties of the thermoplastic resin matrix used, but if it is too large, the surface flatness and productivity of the molded article may decrease, so it is preferably 70 ° C., more preferably 60.
℃.

【0097】上記保温プレス成形により得られる成形体
の冷却工程の温度条件に制限は特にないが、加熱と冷却
のサイクル時間を低減する上で、該冷却工程の温度は上
記ガラス転移温度よりも10〜30℃低い温度条件であ
ることが好ましい。上記加圧成形圧力の下限値は、使用
する熱可塑性樹脂マトリクスの性質にもよるが小さすぎ
ると表面平坦度が悪化する場合があるので好ましくは3
0g/cm 2、更に好ましくは50g/cm2である。一
方該加圧成形圧力の上限値は使用する熱可塑性樹脂マト
リクスの性質にもよるが大きすぎると成形体の複屈折が
増大する場合があるので好ましくは15000g/cm
2、更に好ましくは10000g/cm2である。
Molded product obtained by the heat insulation press molding
There are no particular restrictions on the temperature conditions of the cooling process, but heating and cooling
In order to reduce the cycle time of
The temperature condition is 10 to 30 ° C. lower than the glass transition temperature.
Preferably. The lower limit of the above pressure molding pressure is
Too small depending on the nature of the thermoplastic matrix
If so, the surface flatness may deteriorate, so 3 is preferable.
0 g / cm 2, And more preferably 50 g / cm2Is. one
The upper limit of the pressure molding pressure is the thermoplastic resin mat to be used.
Depending on the nature of the lix, if it is too large, the birefringence of the molded product will
Since it may increase, it is preferably 15000 g / cm.
2, And more preferably 10000 g / cm2Is.

【0098】上記保温プレス成形における加圧成形圧力
は、少なくとも上記保温温度に保持されている最後の1
分間の時間平均(以下「最終圧力」と称する)が、0〜
1000g/cm2であることが好ましい。この値が小
さすぎると、平坦面からの転写精度が十分ではない場合
があり、また大きすぎると、保温温度を上げても熱可塑
性樹脂マトリクスの高分子鎖の緩和が不十分となり、複
屈折が目標まで低減されない。これらの点に鑑み、上記
最終圧力の下限値は好ましくは10g/cm2、より好
ましくは20g/cm2、更に好ましくは40g/cm2
であり、一方該上限値は好ましくは500g/cm2
より好ましくは200g/cm2、更に好ましくは10
0g/cm2である。
The pressure forming pressure in the above heat insulation press molding is at least the last pressure which is maintained at the above heat insulation temperature.
The time average of minutes (hereinafter referred to as “final pressure”) is 0 to
It is preferably 1000 g / cm 2 . If this value is too small, the transfer accuracy from the flat surface may not be sufficient, and if it is too large, relaxation of the polymer chains of the thermoplastic resin matrix will be insufficient even if the heat retention temperature is increased, and birefringence will increase. Not reduced to the target. In view of these points, the lower limit of the final pressure is preferably 10 g / cm 2, more preferably 20 g / cm 2, more preferably 40 g / cm 2
On the other hand, the upper limit is preferably 500 g / cm 2 ,
More preferably 200 g / cm 2 , and even more preferably 10
It is 0 g / cm 2 .

【0099】本発明における保温プレス成形において、
加熱時間と冷却時間は特に限定されないが、その機器の
加熱・冷却サイクルにおいて温度の均一性を損なわない
範囲で可及的に短くすることが工業的に有利である。一
般に、上記保温温度での加熱時間は、通常、数秒〜1時
間、好ましくは数秒〜30分、更に好ましくは1〜20
分である。
In the heat insulation press molding of the present invention,
The heating time and the cooling time are not particularly limited, but it is industrially advantageous to shorten the heating time and the cooling time of the equipment as much as possible without impairing the temperature uniformity. Generally, the heating time at the above-mentioned heat retention temperature is usually several seconds to 1 hour, preferably several seconds to 30 minutes, more preferably 1 to 20.
Minutes.

【0100】上記保温温度までの加熱速度は,通常、5
〜70℃/分、好ましくは,20〜50℃/分程度が望
ましい。この速度が遅すぎると,サイクルタイムが長く
なって工業化上問題が発生する上、高温にさらされる時
間が長くなって熱劣化の問題が発生する場合がある。一
方速すぎると,均一な加熱が妨げられる傾向がある。ま
た上記保温温度からの冷却速度は、通常、5〜50℃/
分程度、好ましくは10〜40℃/分程度が望ましい。
この速度が遅すぎると,サイクルタイムが長くなって工
業化上問題が発生する上、高温にさらされる時間が長く
なって熱劣化の問題が発生する場合がある。一方速すぎ
ると均一な冷却が妨げられる上、冷却に伴う歪みが局部
的に残留し、寸法安定性や複屈折に悪影響を与える場合
がある。
The heating rate up to the heat retention temperature is usually 5
˜70 ° C./min, preferably about 20 to 50 ° C./min. If this speed is too slow, the cycle time becomes long, which causes a problem in industrialization, and the time of exposure to high temperature becomes long, which may cause a problem of thermal deterioration. On the other hand, if it is too fast, uniform heating tends to be hindered. The cooling rate from the above-mentioned heat retention temperature is usually 5 to 50 ° C /
Min., Preferably 10 to 40.degree. C./min.
If this speed is too slow, the cycle time becomes long, which causes a problem in industrialization, and the time of exposure to high temperature becomes long, which may cause a problem of thermal deterioration. On the other hand, if the speed is too fast, uniform cooling is hindered, and distortion due to cooling locally remains, which may adversely affect dimensional stability and birefringence.

【0101】さらに上記加熱及び冷却に際しては、各部
の温度制御精度が極めて重要である。プレス機の加熱ス
テージ(加圧熱板)の有効範囲内で,加熱・冷却時にお
けるある瞬間で、通常10℃以上の温度差があると,成
形品の寸法精度が損なわれ、反りが発生したり、複屈折
が十分に低減しない場合がある。以上より,本発明にお
ける保温プレス成形に適した加熱プレス機としては,熱
媒を循環させて加熱ステージ全体の加熱及び冷却を精密
に,かつ迅速に加熱・冷却制御できる高精度プレス機の
使用が望ましい。
Further, in the above heating and cooling, the accuracy of temperature control of each part is extremely important. Within the effective range of the heating stage (pressurized hot plate) of the press machine, if there is a temperature difference of 10 ° C or more at a certain moment during heating / cooling, the dimensional accuracy of the molded product is impaired and warpage occurs. Or, the birefringence may not be sufficiently reduced. From the above, as a heating press machine suitable for the heat insulation press molding in the present invention, use of a high precision press machine capable of precisely and quickly controlling heating and cooling of the entire heating stage by circulating a heating medium is used. desirable.

【0102】上記保温プレス成形の際、原料塊を上下か
ら押さえつけ転写する面の平面を構成する部分の表面粗
さRaは、0.1μm以下であることが好ましい。この
値が大きすぎると、例えば、液晶表示素子等に組み上げ
た際、色滲み等の問題が発生し、画質が悪化する。更
に、一般の光学部材として考えた場合も表面で乱反射、
散乱の問題が発生し光学特性が悪化する。良好な画質や
光学特性を得るためには、該Ra値はより好ましくは
0.05μm以下、さらに好ましくは0.01μm以下
であることが望ましい。
In the heat insulation press molding, the surface roughness Ra of the portion constituting the plane of the surface for pressing and transferring the material block from above and below is preferably 0.1 μm or less. If this value is too large, for example, when assembled in a liquid crystal display device or the like, problems such as color bleeding occur and the image quality deteriorates. Furthermore, even when considered as a general optical member, irregular reflection on the surface,
A scattering problem occurs and the optical characteristics deteriorate. In order to obtain good image quality and optical characteristics, the Ra value is preferably 0.05 μm or less, more preferably 0.01 μm or less.

【0103】上記保温プレス成形を実施する雰囲気は、
窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気又は真空中が望ま
しく、この中では、特に真空中が望ましい。通常の大気
中で実施した場合、問題無く目的の基板を得ることもで
きるが、高温と大気中の酸素のため、樹脂基板表面及び
転写媒体の樹脂加工体を上下から挟む面が酸化され、樹
脂基板との剥離が困難になる場合がある。特にこの平坦
面を何度も再使用する場合には、この現象が顕著に発生
する場合が多い。このため、上記保温プレス成形を実施
する雰囲気の酸素ガス濃度は10容量%以下、好ましく
は5容量%以下、より好ましくは1容量%以下、最も好
ましくは0.1容量%以下である。
The atmosphere for carrying out the heat insulation press molding is as follows:
An atmosphere of an inert gas such as nitrogen or argon or a vacuum is preferable, and in this, a vacuum is particularly preferable. If it is carried out in normal air, the target substrate can be obtained without any problems, but the high temperature and oxygen in the air oxidize the surface of the resin substrate and the surface sandwiching the resin processed body of the transfer medium from above and below. Detachment from the substrate may be difficult. Especially when this flat surface is reused many times, this phenomenon often occurs remarkably. For this reason, the oxygen gas concentration of the atmosphere for performing the above-mentioned heat insulation press molding is 10% by volume or less, preferably 5% by volume or less, more preferably 1% by volume or less, and most preferably 0.1% by volume or less.

【0104】また真空中で実施した場合、万一樹脂基板
と平坦面との間に隙間が生じても、この部分が気泡とな
って残留することは無く、製造条件としてより適切であ
る。このため真空中での実施の場合、系内の圧力は10
0mmHg以下、好ましくは50mmHg以下、より好
ましくは20mmHg以下が望ましい。加熱プレス機と
しては、上記に示された点を考慮すると、高精度に面仕
上げされた熱板及び加熱・冷却及び圧力制御、真空度制
御プログラムの正確な実施を可能とする制御システムを
搭載した高温槽式真空油圧プレス機が推奨される。
Further, in the case of carrying out in a vacuum, even if a gap is created between the resin substrate and the flat surface, this portion does not remain as a bubble and remains more appropriate as a manufacturing condition. Therefore, the pressure in the system is 10 when performing in vacuum.
0 mmHg or less, preferably 50 mmHg or less, more preferably 20 mmHg or less. In consideration of the above-mentioned points, the hot press machine is equipped with a high-precision surface-finished hot plate and a control system that enables accurate execution of heating / cooling and pressure control and vacuum degree control programs. A high temperature tank vacuum hydraulic press is recommended.

【0105】上記保温プレス成形後、本発明の樹脂組成
物成形体を挟んだ面から剥離する剥離温度D(℃)は、
原料である樹脂組成物(原料塊)のガラス転移温度Tg
(℃)に対して、下記数式(A)を満たすことが望まし
い。
The peeling temperature D (° C.) for peeling from the surface sandwiching the resin composition molded body of the present invention after the above heat insulation press molding is
Glass transition temperature Tg of resin composition (raw material block) which is a raw material
It is desirable that the following mathematical expression (A) be satisfied with respect to (° C.).

【0106】[0106]

【数3】Tg>D≧Tg−120 (A) この剥離温度Dが高すぎると、剥離時に変形してしまう
場合がある。また低すぎると、樹脂組成物とプレス面の
材質との線膨張係数の違いから成形体が割れたり、亀裂
が入る場合がある。上記数式(A)の範囲内であれば剥
離は問題なく行われるが、品質や歩留まり等の生産性を
考慮すると、該剥離温度D(℃)は、好ましくは、
## EQU00003 ## Tg> D.gtoreq.Tg-120 (A) If the peeling temperature D is too high, it may be deformed during peeling. If it is too low, the molded product may crack or crack due to the difference in linear expansion coefficient between the resin composition and the material of the pressing surface. If the peeling temperature D is within the range of the above mathematical expression (A), the peeling temperature D (° C.) is preferably in consideration of productivity such as quality and yield.

【0107】[0107]

【数4】Tg−20>D≧Tg−100 より好ましくは、## EQU4 ## Tg-20> D ≧ Tg-100 More preferably,

【0108】[0108]

【数5】Tg−40>D≧Tg−90 最も好ましくは、## EQU5 ## Tg-40> D ≧ Tg-90 Most preferably,

【0109】[0109]

【数6】Tg−40>D≧Tg−60 とすることが望ましい。これらの工程はバッチ処理によ
り行っても、例えばステンレスベルトやターンテーブル
等を用いて連続プロセス化しても差し支えない。このよ
うに剥離された本発明の樹脂組成物成形体は、上記Tg
の10〜50℃低い温度範囲でアニール処理すること
が、複屈折に顕著に現れる成形残留歪みを低減する点で
好ましい。
## EQU6 ## It is desirable that Tg-40> D ≧ Tg-60. These steps may be carried out by a batch process or may be a continuous process using, for example, a stainless belt or a turntable. The resin composition molded body of the present invention thus peeled off has the above Tg.
Annealing in a temperature range lower than 10 to 50 ° C. is preferable from the viewpoint of reducing the molding residual strain that remarkably appears in birefringence.

【0110】[架橋樹脂組成物を使用する成形体の製造
方法]本発明の樹脂組成物成形体において架橋樹脂組成
物を使用する場合の製造方法に制限はないが、例えば、
熱又は活性エネルギー線によって前記重合性液体混合物
を硬化させる方法により好適に製造可能である。かかる
方法を以下説明する。上記硬化は、重合性液体混合物の
必須成分である重合性単量体の重合反応により進行す
る。この重合反応の形式に制限はなく、例えばラジカル
重合、アニオン重合、カチオン重合、配位重合、縮重
合、開環重合などの公知の重合形式を用いることができ
る。これらの重合形式の例示のうち、厳密な脱水や脱気
が必ずしも不溶である等重合条件を幅広く取ることがで
きる観点で好適なのはラジカル重合、縮重合及び開環重
合であり、中でもラジカル重合が更に好ましい。一方、
光学部材としての諸特性、例えば光線透過率、寸法安定
性及び低複屈折性などを高めるためには、活性エネルギ
ー線照射による任意の重合形式が好ましく、その理由は
定かではないが、重合反応の開始が重合系内で均質かつ
短時間に進行することによる生成物の均質性によるもの
と推定される。従って、最も好ましい重合形式は活性エ
ネルギー線照射によるラジカル重合である。
[Production Method of Molded Article Using Crosslinked Resin Composition] There is no limitation on the production method when the crosslinked resin composition is used in the resin composition molded article of the present invention.
It can be suitably produced by a method of curing the polymerizable liquid mixture with heat or active energy rays. This method will be described below. The curing proceeds by the polymerization reaction of the polymerizable monomer that is an essential component of the polymerizable liquid mixture. There is no limitation on the form of this polymerization reaction, and known polymerization forms such as radical polymerization, anionic polymerization, cationic polymerization, coordination polymerization, polycondensation, and ring-opening polymerization can be used. Among these examples of the polymerization method, radical polymerization, polycondensation and ring-opening polymerization are preferable from the viewpoint that a wide range of polymerization conditions such as strict dehydration and degassing are not always insoluble. Radical polymerization is more preferable. preferable. on the other hand,
In order to improve various properties as an optical member, such as light transmittance, dimensional stability and low birefringence, any polymerization method by irradiation with active energy rays is preferable, and the reason is not clear, but the polymerization reaction It is presumed that the initiation is due to the homogeneity of the product as it proceeds homogeneously in the polymerization system in a short time. Therefore, the most preferable polymerization method is radical polymerization by irradiation with active energy rays.

【0111】上記活性エネルギー線とは、必用とする重
合反応を開始する重合開始剤に作用して該重合反応を開
始する化学種を発生させる働きを有する電磁波(ガンマ
線、エックス線、紫外線、可視光線、赤外線等)又は粒
子線(電子線、α線、中性子線、各種原子線等)であ
る。本発明において好ましく用いられる活性エネルギー
線は上記電磁波であり、エネルギーと汎用光源を使用可
能であることから紫外線と可視光線が更に好ましく、最
も好ましくは紫外線である。
The above-mentioned active energy ray means an electromagnetic wave (gamma ray, X-ray, ultraviolet ray, visible ray, Infrared rays) or particle rays (electron rays, α rays, neutron rays, various atomic rays, etc.). The active energy rays preferably used in the present invention are the above-mentioned electromagnetic waves, and more preferably ultraviolet rays and visible rays, and most preferably ultraviolet rays, because energy and a general-purpose light source can be used.

【0112】従って、もっと好ましい重合態様は、紫外
線によりラジカルを発生する光ラジカル発生剤(前記例
示参照)を重合開始剤とし紫外線を活性エネルギー線と
して使用する方法である。この時、必要に応じて増感剤
を併用してもよい。上記光ラジカル重合開始剤の添加量
は、重合性単量体の総和100重量部に対し通常0.0
1〜1重量部、好ましくは0.02〜0.3重量部であ
り、この添加量が多すぎると、重合が急激に進行し複屈
折の増大をもたらすだけでなく色相も悪化する場合があ
り、また少なすぎると組成物を十分に硬化させることが
できなくなる場合がある。上記紫外線は、波長が通常2
00〜400nmの範囲であり、この波長範囲は好まし
くは300〜400nmである。一方、該紫外線の強度
は通常0.1〜200J/cm2のエネルギー範囲で照
射し、該照射時間は通常1秒〜3時間、反応促進と生産
性の点で好ましくは10秒〜1時間程度とする。かかる
活性エネルギー線の照射エネルギーや照射時間が極端に
少ない場合は重合が不完全なため得られる樹脂組成物成
形体の耐熱性,寸法安定性又は機械特性が十分に発現さ
れない場合があり,逆に極端に過剰な場合は黄変等光に
よる色相悪化に代表される劣化を生ずる場合がある。該
活性エネルギー線の照射は,一段階、あるいは複数段階
で照射しても良く、その線源として通常は活性エネルギ
ー線が全方向に広がる拡散線源を用い、通常、型内に賦
形された前記重合性液体混合物と光源を固定静置した状
態で照射する。また、前記重合性液体混合物を適当な基
板(例えば樹脂、金属、半導体、ガラス、紙等)上の塗
布液膜とし、次いで活性エネルギー線を照射して該塗布
液膜を硬化させることも可能である。
Therefore, a more preferable polymerization mode is a method in which a photoradical generator (see the above example) which generates radicals by ultraviolet rays is used as a polymerization initiator and ultraviolet rays are used as active energy rays. At this time, if necessary, a sensitizer may be used in combination. The addition amount of the photo-radical polymerization initiator is usually 0.0 with respect to 100 parts by weight of the total of the polymerizable monomers.
It is 1 to 1 part by weight, preferably 0.02 to 0.3 part by weight. If the amount added is too large, not only the polymerization will rapidly proceed to cause an increase in birefringence but also the hue may deteriorate. If it is too small, the composition may not be sufficiently cured. The wavelength of the ultraviolet rays is usually 2
The range is from 00 to 400 nm, and this wavelength range is preferably from 300 to 400 nm. On the other hand, the intensity of the ultraviolet rays is usually in the energy range of 0.1 to 200 J / cm 2 , and the irradiation time is usually 1 second to 3 hours, preferably 10 seconds to 1 hour from the viewpoint of reaction promotion and productivity. And When the irradiation energy of such active energy rays or the irradiation time is extremely short, heat resistance, dimensional stability or mechanical properties of the obtained resin composition molded article may not be sufficiently expressed due to incomplete polymerization, and conversely When it is extremely excessive, deterioration such as yellowing may occur, which is represented by deterioration of hue due to light. Irradiation with the active energy ray may be performed in one step or in a plurality of steps. As the source of the radiation, a diffusion ray source in which the active energy ray spreads in all directions is usually used, and it is usually shaped in a mold. Irradiation is performed with the polymerizable liquid mixture and the light source fixed and stationary. It is also possible to use the polymerizable liquid mixture as a coating liquid film on an appropriate substrate (for example, resin, metal, semiconductor, glass, paper, etc.), and then irradiate active energy rays to cure the coating liquid film. is there.

【0113】重合形式としてカチオン重合やアニオン重
合を行う場合には、光酸塩基発生剤を通常併用する。 [用途]本発明の樹脂組成物成形体の用途としては、デ
ィスプレー用等の各種表示素子用、中でも液晶表示素子
用途(例えば液晶表示パネル)、或いは各種光学部材と
して好適に用いることができる。
When cationic polymerization or anionic polymerization is carried out as a polymerization method, a photoacid-base generator is usually used in combination. [Applications] The resin composition molded article of the present invention can be suitably used for various display devices such as displays, liquid crystal display devices (for example, liquid crystal display panels), or various optical members.

【0114】本発明の樹脂組成物成形体は、その優れた
光学特性(透明性、寸法安定性、光学的又は寸法安定性
の等方性、低光学歪み、分散された半導体ナノ結晶の紫
外線吸収性による耐紫外線性など)により、特に光を透
過する光学部材(いわゆるパッシブ(Passive)
光学部材)に好適に利用される。例えば、可視領域を含
む350〜650nmの波長成分を含有する光線を透過
させる機構を有する光学機能装置における上記パッシブ
光学部材に用いられる。かかる光学機能装置としては、
各種ディスプレイ装置(液晶ディスプレイやプラズマデ
ィスプレイ等)、各種プロジェクタ装置(OHP、液晶
プロジェクタ等)、光ファイバー通信装置(光導波路、
光増幅器等)、カメラやビデオ等の撮影装置等が例示さ
れる。
The resin composition molding of the present invention has excellent optical properties (transparency, dimensional stability, isotropic optical or dimensional stability, low optical strain, and ultraviolet absorption of dispersed semiconductor nanocrystals. Optical member (so-called passive) that particularly transmits light due to its resistance to ultraviolet light.
It is preferably used as an optical member). For example, it is used for the above-mentioned passive optical member in an optical functional device having a mechanism for transmitting a light ray containing a wavelength component of 350 to 650 nm including the visible region. As such an optical function device,
Various display devices (liquid crystal display, plasma display, etc.), various projector devices (OHP, liquid crystal projector, etc.), optical fiber communication devices (optical waveguide,
Optical amplifiers, etc.), cameras, photographing devices such as videos, and the like.

【0115】かかる光学機能装置における上記パッシブ
光学部材としては、レンズ、プリズム、パネル(板状成
形体)、フィルム、光導波路(フィルム状やファイバー
状等)、光ディスク等が例示される。かかるパッシブ光
学部材には、必要に応じて任意の被覆層、例えば摩擦や
摩耗による塗布面の機械的損傷を防止する保護層、半導
体結晶粒子や基材等の劣化原因となる望ましくない波長
の光線を吸収する光線吸収層、水分や酸素ガス等の反応
性低分子の透過を抑制あるいは防止する透過遮蔽層、防
眩層、反射防止層、低屈折率層等や、基材と塗布面との
接着性を改善する下引き層、電極層等、任意の付加機能
層を設けて多層構造としてもよい。かかる任意の被覆層
の具体例としては、無機酸化物コーティング層からなる
透明導電性膜やガスバリア膜、有機物コーティング層か
らなるガスバリア膜やハードコート等が挙げられ、その
コーティング法としては真空蒸着法、CVD法、スパッ
タリング法、ディップコート法、スピンコート法等公知
のコーティング法を用いることができる。
Examples of the passive optical member in such an optical functional device include a lens, a prism, a panel (plate-shaped molded body), a film, an optical waveguide (film-shaped or fiber-shaped), an optical disk and the like. In such a passive optical member, an optional coating layer as necessary, for example, a protective layer that prevents mechanical damage to the coated surface due to friction or abrasion, a light ray having an undesirable wavelength that causes deterioration of semiconductor crystal particles, a base material, or the like. A light absorbing layer that absorbs, a transmission blocking layer that suppresses or prevents the transmission of reactive low molecules such as water and oxygen gas, an antiglare layer, an antireflection layer, a low refractive index layer, and the like, and a base material and a coated surface. An arbitrary additional functional layer such as an undercoat layer or an electrode layer for improving adhesiveness may be provided to form a multilayer structure. Specific examples of such an arbitrary coating layer include a transparent conductive film and a gas barrier film formed of an inorganic oxide coating layer, a gas barrier film and a hard coat formed of an organic coating layer, and the coating method thereof is a vacuum deposition method, A known coating method such as a CVD method, a sputtering method, a dip coating method or a spin coating method can be used.

【0116】本発明の光学部材の具体例を更に詳細に例
示すると、眼鏡用レンズ、光コネクタ用マイクロレン
ズ、発光ダイオード用集光レンズ等の各種レンズ、光ス
イッチ、光ファイバー、光回路における光分岐、接合回
路、光多重分岐回路、光度調器等の光通信用部品、液晶
基板、タッチパネル、導光板、位相差板等各種ディスプ
レイ用部材、光ディスク基板や光ディスク用フィルム・
コーティングを初めとする記憶・記録用途、更には機能
性フィルム、反射防止膜、光学多層膜(選択反射膜、選
択透過膜等)、超解像膜、紫外線吸収膜、反射制御膜、
光導波路、及び識別機能印刷面等各種光学フィルム・コ
ーティング用途等が挙げられる。
Specific examples of the optical member of the present invention will be illustrated in more detail. Lenses for glasses, various lenses such as microlenses for optical connectors, condenser lenses for light emitting diodes, optical switches, optical fibers, optical branches in optical circuits, Optical communication components such as junction circuits, optical multiplex / branch circuits, photochromic devices, liquid crystal substrates, touch panels, light guide plates, retardation plates, various display members, optical disc substrates and optical disc films, etc.
Storage and recording applications including coatings, functional films, antireflection films, optical multilayer films (selective reflection films, selective transmission films, etc.), super-resolution films, ultraviolet absorption films, reflection control films,
Examples include various optical films and coating applications such as optical waveguides and identification function printing surfaces.

【0117】[0117]

【実施例】以下に本発明の内容及び効果を実施例により
更に詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限
り、以下の例に限定されるものではない。また合成例に
おける各種同定や分析、実施例及び比較例における各種
成形や評価は以下の方法で実施した。なお、原料試薬
は、特に記載がない限り、Aldrich社より供給さ
れるものを精製を加えず使用した。但し、市販の溶剤を
以下のような精製操作により精製溶媒とした。
EXAMPLES The contents and effects of the present invention will be described below in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to the following examples as long as the gist thereof is not exceeded. Further, various identifications and analyzes in the synthesis examples and various moldings and evaluations in the examples and comparative examples were performed by the following methods. Unless otherwise specified, the raw material reagents used were those supplied by Aldrich without purification. However, a commercially available solvent was used as a purified solvent by the following purification operation.

【0118】精製トルエン・・・濃硫酸、水、飽和重曹
水、更に水の順序で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥次いで濾紙で濾過し、五酸化二リン(P25)を加え
て大気圧にて蒸留した。 精製メタノール・・・硫酸カルシウムと水素化カルシウ
ムで乾燥した後更に水素化ナトリウムを加え、ここから
大気圧にて直接蒸留したもの、又はAldrich社よ
り供給された無水(「Anhydrous」)グレード
を使用した。
[0118] Purification Toluene concentrated sulfuric acid, water, saturated aqueous sodium bicarbonate solution, after further washing in the order of water, dried and then filtered through filter paper over anhydrous magnesium sulfate, large addition of diphosphorus pentoxide (P 2 O 5) Distilled at atmospheric pressure. Purified methanol: dried with calcium sulfate and calcium hydride, further added with sodium hydride, and directly distilled from this at atmospheric pressure, or anhydrous (“Anhydrous”) grade supplied by Aldrich was used. .

【0119】[分析、成形及び評価の方法] (1)核磁気共鳴(NMR)スペクトル:日本電子社製
JNM−EX270型FT−NMR(1H:270MH
z、13C:67.8MHz)。溶媒は特に断らない限り
重水素化クロロホルムを溶媒として使用し、テトラメチ
ルシランを0ppm対照として23℃にて測定した。 (2)赤外吸収(IR)スペクトル:日本分光工業社製
FT/IRー8000型FT−IR。23℃にて測定し
た。 (3)X線回折(XRD)スペクトル:リガク(株)製
RINT1500(X線源:銅Kα線、波長1.541
8Å)。23℃にて測定した。 (4)透過型電子顕微鏡(TEM)観察:日立製作所
(株)社製H−9000UHR型透過型電子顕微鏡(加
速電圧300kV、観察時の真空度約7.6×10 -9
orr)にて行った。 (5)光励起発光(PL)スペクトル:日立製作所
(株)社製F−2500型分光蛍光光度計にて、スキャ
ンスピード60nm/分、励起側スリット5nm、蛍光
側スリット5nm、フォトマル電圧400Vの条件で室
温にて測定した。 (6)吸収スペクトルと光線透過率:ヒューレットパッ
カード社製HP8453型紫外・可視吸光光度計にて室
温で測定した。樹脂組成物成形体の光線透過率測定には
1mm厚の試験片を用い、任意の異なる10箇所で測定
を行いその算術平均値を以下の評価に使用した。 (7)熱分解残渣率:樹脂組成物成形体の一部を採取
し、熱重量分析(TG)をセイコーインスツルメンツ
(株)製TG−DTA320を用いて、200mL/分
の窒素気流下、アルミニウム皿の上で、昇温速度は10
℃/分、140℃で保温30分次いで最高設定温度59
0℃(サンプル直下の実測温度は602〜603℃程
度)で保温120分の条件で行った。こうして測定され
た残渣重量のTG測定前の重量に対する百分率を以下
「熱分解残渣率」と称する。 (8)保温プレス成形:窒素ガス雰囲気下で所定温度に
加熱可能なオーブン中において、表面粗さRa=0.0
04μmである2枚のステンレス板の間に原料塊を1m
mの厚みのスペーサとともに挟み所定荷重を加えて、厚
さ1mmのシートを成形した。 (9)射出成形:日本製鋼所JS28A射出成形機を用
い、金型温度は使用した熱可塑性樹脂組成物のガラス転
移点よりも30℃低い温度に設定して厚さ1mmのシー
トを成形した。 (10)ガラス転移温度:デュポン社製DSCにより昇
温温度10℃/分の条件で測定した。 (11)複屈折:1mm厚の樹脂組成物成形体を用い、
自動複屈折測定装置(オーク製作所製、ADR−150
N)を用いて25℃で測定した。測定は任意の異なる1
0箇所で行いその算術平均値を以下の評価に使用した。 (12)熱機械的分析法(TMA)により、樹脂組成物
成形体の線膨張係数を測定した。測定は任意の異なる6
方向で行いその標準偏差の算術平均値に対する百分率
(以下「線膨張異方性率」と略記、単位%)を以下の評
価に使用した。 (13)表面粗さ:表面粗さ測定器((株)東京精密社
製サーフコム575A)を用い、表面粗度(Ra、単
位:μm)をダイヤモンド針(1μmR、90度円
錐)、測定長さ0.5mm、カットオフ値0.16m
m、測定速度0.06mm/秒、直線補正の条件で測定
した。 (14)加熱試験:1mm厚の樹脂組成物成形体に対
し、150℃の空気雰囲気下に水平に静置して3時間加
熱し次いで23℃相対湿度50%の空気雰囲気下に1週
間静置する操作を行い、寸法変化率を測定した。但し、
ここでいう寸法変化率とは、前記の通り、成形体平面上
に直交する2直線を定め次いでそれぞれの直線上に長さ
測定可能な任意の線分を定め(市販の黒マジックインク
でマーキングして表示しておく)、上記加熱試験前後に
おける各線分の長さ変化を測定し、各長さ変化の加熱試
験前の対応する線分の長さに対する各百分率を求め、該
百分率の算術平均により定義される量である。これを以
下「加熱寸法変化率」と記す。 (15)温水試験:1mm厚の樹脂組成物成形体に対
し、40℃に保温した蒸留水中に1時間浸漬し次いで2
3℃相対湿度50%の空気雰囲気下に1週間静置する操
作を行い、寸法変化率を測定した。但し、ここでいう寸
法変化率とは、上記加熱試験の場合と同様に測定及び定
義されたものである。これを以下「温水寸法変化率」と
記す。
[Method of analysis, molding and evaluation] (1) Nuclear magnetic resonance (NMR) spectrum: manufactured by JEOL Ltd.
JNM-EX270 type FT-NMR (1H: 270 MH
z,13C: 67.8 MHz). Unless specified otherwise
Using deuterated chloroform as a solvent,
Lusilane was measured at 23 ° C. as a 0 ppm control. (2) Infrared absorption (IR) spectrum: manufactured by JASCO Corporation
FT / IR-8000 type FT-IR. Measured at 23 ° C
It was (3) X-ray diffraction (XRD) spectrum: manufactured by Rigaku Corporation
RINT 1500 (X-ray source: copper Kα ray, wavelength 1.541
8Å). It was measured at 23 ° C. (4) Transmission electron microscope (TEM) observation: Hitachi
H-9000UHR transmission electron microscope manufactured by Co., Ltd.
High-speed voltage of 300 kV, vacuum degree during observation of about 7.6 × 10 -9T
orr). (5) Photo-excited luminescence (PL) spectrum: Hitachi
Scan with a F-2500 spectrofluorimeter made by Co., Ltd.
Speed 60nm / min, excitation side slit 5nm, fluorescence
Room with a side slit of 5 nm and a photomultiplier voltage of 400 V
The temperature was measured. (6) Absorption spectrum and light transmittance: Hewlett-Packard
Room at Card Company HP8453 type UV / Visible absorptiometer
The temperature was measured. For measuring the light transmittance of a resin composition molded article
Measured at 10 different locations using a 1 mm thick test piece
Then, the arithmetic mean value was used for the following evaluation. (7) Pyrolysis residue rate: Part of the resin composition molding
And perform thermogravimetric analysis (TG) by Seiko Instruments
200 mL / min using TG-DTA320 manufactured by Co., Ltd.
The temperature rising rate is 10 on the aluminum plate under the nitrogen stream.
℃ / min, keep 140 ℃ for 30 minutes, then set maximum temperature 59
0 ° C (Actual temperature just below the sample is about 602 to 603 ° C)
Temperature) for 120 minutes. Thus measured
The percentage of residual residue weight before TG measurement is
This is referred to as the "thermal decomposition residue rate". (8) Insulation press forming: at a predetermined temperature under a nitrogen gas atmosphere
Surface roughness Ra = 0.0 in a heatable oven
A raw material mass of 1 m is placed between two stainless steel plates of 04 μm.
With a spacer with a thickness of m
A sheet having a size of 1 mm was formed. (9) Injection molding: Japan Steel Works JS28A injection molding machine is used.
The mold temperature is the glass transition of the thermoplastic resin composition used.
Set a temperature 30 ° C lower than the transfer point and set the thickness of the sheet to 1 mm.
Molded. (10) Glass transition temperature: Raised by DuPont DSC
The measurement was performed at a temperature of 10 ° C./min. (11) Birefringence: Using a resin composition molded body having a thickness of 1 mm,
Automatic birefringence measuring device (Oak Seisakusho, ADR-150
N) was used to measure at 25 ° C. The measurement is any different 1
The measurement was performed at 0 points and the arithmetic mean value was used for the following evaluation. (12) Resin composition by thermomechanical analysis (TMA)
The linear expansion coefficient of the molded body was measured. Measure any different 6
Percentage to the arithmetic mean of the standard deviation
(Hereinafter abbreviated as “linear expansion anisotropy”, unit%)
Used for value. (13) Surface roughness: Surface roughness measuring instrument (Tokyo Seimitsu Co., Ltd.)
Surface roughness (Ra, single
Position: μm with diamond needle (1 μm R, 90 degree circle)
Pyramid), measurement length 0.5 mm, cut-off value 0.16 m
m, measurement speed 0.06 mm / sec, measured under the condition of straight line correction
did. (14) Heating test: For a resin composition molded body having a thickness of 1 mm
Then, let it stand still in an air atmosphere at 150 ° C for 3 hours.
Heat and then for 1 week in air at 23 ° C and 50% relative humidity
The operation of standing still was performed and the dimensional change rate was measured. However,
As mentioned above, the dimensional change rate is on the plane of the molded body.
2 straight lines that are orthogonal to
Determine any measurable line segment (commercially available black magic ink
Mark and display with) before and after the above heating test
Measure the length change of each line segment in the
Obtain each percentage for the length of the corresponding line segment before the test,
A quantity defined by the arithmetic mean of percentages. This
Hereinafter referred to as "heating dimensional change rate". (15) Hot water test: For a resin composition molded body having a thickness of 1 mm
And soak in distilled water kept at 40 ° C for 1 hour, then
Operation to stand for 1 week in an air atmosphere at 3 ° C and 50% relative humidity
The work was performed and the dimensional change rate was measured. However, the size here
The rate of change in the method is the same as in the case of the above heating test.
It was justified. This is hereinafter referred to as "warm water dimensional change rate".
Write down.

【0120】[有機配位子及び半導体ナノ結晶の合成
例] 合成例1:有機配位子の合成例 11−メルカプトウンデカン酸(1.70g)とトリエ
チレングリコールモノメチルエーテル(以下MTEGと
称す;50mL)、及び濃硫酸(国産化学(株)社製;
5滴)を乾燥窒素雰囲気のフラスコ内で混合し、60℃
で攪拌しながら30mmHg以下の圧力での減圧脱水を
延べ約36時間行った。反応液を大量の氷水に攪拌しな
がら徐々に加えて得た析出物をn−ヘキサン/酢酸エチ
ル(共に純正化学(株)社製)混合溶媒で抽出し、この
有機相を飽和重曹水、次いで水で洗浄し、硫酸ナトリウ
ム上で乾燥後濾過して濃縮し、室温で真空乾燥した。こ
の生成物は、IRスペクトルにおいて1735cm-1
エステル基、2920cm -1及び2845cm-1のピー
クを含むMTEG由来の炭化水素構造にそれぞれ帰属さ
れる吸収帯を与えた。更に1H−NMRスペクトルにお
いて、後述するように予想構造に合致する合理的なシグ
ナルと積分値を与えたので、下記式(7)に示される1
1−メルカプトウンデカン酸MTEGエステル(以下M
TEG−C11SHと称す)を単離したものと結論し
た。1 H−NMRスペクトル:1.25−1.67(マルチ
プレット,18プロトン,脂肪族鎖)2.33(トリプ
レット,2プロトン,J=7.6Hz,原料カルボン酸
残基由来のメチレン基)、3.38(シングレット,3
プロトン,メチル基)、3.54〜3.58(マルチプ
レット,2プロトン)、3.63〜3.72(マルチプ
レット,8プロトン)、4.23(トリプレット,2プ
ロトン,J=5.0Hz,エステル結合に隣接するMT
EG残基のメチレン基)。
[Synthesis of Organic Ligands and Semiconductor Nanocrystals
Example] Synthesis example 1: Synthesis example of organic ligand 11-Mercaptoundecanoic acid (1.70 g) and Trier
Tylene glycol monomethyl ether (hereinafter MTEG
50 mL), and concentrated sulfuric acid (manufactured by Kokusan Kagaku Co., Ltd .;
5 drops) in a flask under a dry nitrogen atmosphere and mixed at 60 ° C.
Decompression dehydration at a pressure of 30 mmHg or less while stirring with
It went for about 36 hours in total. Do not stir the reaction solution in a large amount of ice water.
The precipitate obtained by gradually adding the n-hexane / ethyl acetate
(Both manufactured by Junsei Kagaku Co., Ltd.) mixed solvent
The organic phase is washed with saturated aqueous sodium hydrogen carbonate and then with water, and washed with sodium sulfate.
After drying on vacuum, it was filtered, concentrated, and dried under vacuum at room temperature. This
Product of 1735 cm in IR spectrum-1To
Ester group, 2920cm -1And 2845 cm-1The pea
Each is assigned to a hydrocarbon structure derived from MTEG containing
Gave an absorption band. Further1H-NMR spectrum
And a reasonable sig that matches the expected structure, as described below.
Since the null and the integral value are given, 1 shown in the following equation (7)
1-Mercaptoundecanoic acid MTEG ester (hereinafter M
TEG-C11SH) was isolated.
It was1 H-NMR spectrum: 1.25 to 1.67 (multi
Plett, 18 protons, aliphatic chain) 2.33 (triple
Lett, 2 protons, J = 7.6 Hz, raw material carboxylic acid
Methylene group derived from residue) 3.38 (singlet, 3
Proton, methyl group), 3.54 to 3.58 (multiply
Lett, 2 protons, 3.63 to 3.72 (multiply)
Lett, 8 protons, 4.23 (triplet, 2 pt)
Roton, J = 5.0 Hz, MT adjacent to ester bond
Methylene group of EG residue).

【0121】[0121]

【化9】 HS(CH210COO(CH2CH2O)3CH3 (7) 合成例2:CdSe超微粒子 空冷式のリービッヒ還流管と反応温度調節のための熱電
対を装着したパイレックス(登録商標)ガラス製3口フ
ラスコにトリオクチルホスフィンオキシド(以下TOP
Oと略記;4g)を入れ、マグネチックスターラーで攪
拌しながら乾燥アルゴンガス雰囲気で360℃に加熱し
た。別途、乾燥窒素雰囲気のグローブボックス内で、セ
レン(単体の黒色粉末;0.1g)をトリブチルホスフ
ィン(以下TBPと略記;6.014g)に溶解した液
体に更にジメチルカドミウム(Strem Chemi
cal社製;97%;0.216g)を混合溶解した原
料溶液Aを、ゴム栓(Aldrich社から供給される
セプタム)で封をしアルミニウム箔ですき間なく包んで
遮光したガラス瓶中に調製した。この原料溶液Aの一部
(2.0mL)を、前記のTOPOの入ったフラスコに
注射器で一気に注入し、この時点を反応の開始時刻とし
た。反応開始20分後に熱源を除去し約50℃に冷却さ
れた時点で精製トルエン(2mL)を注射器で加えて希
釈し、更に前記の精製メタノール(10mL)を注入し
て不溶物を生じさせた。この不溶物を遠心分離(300
0rpm)し、デカンテーションにより上澄み液を除去
して分離し、室温にて約14時間真空乾燥して固形粉体
を得た。この固形粉体のXRDスペクトルにおいて、W
urtzite型CdSe結晶の002面及び110面
に帰属される回折ピークを観測したことからCdSeナ
ノ結晶の生成を確認した。また、このCdSeナノ結晶
の数平均粒径は、TEM観察によれば約4nmであっ
た。こうして得たCdSe超微粒子は、精製トルエン溶
液において、水銀灯の366nm波長の励起光を照射す
ると赤色の発光帯(ピーク波長595nm、半値幅43
nm)を与えた。
Embedded image HS (CH 2 ) 10 COO (CH 2 CH 2 O) 3 CH 3 (7) Synthesis Example 2: CdSe ultrafine particle air-cooled Liebig reflux tube and Pyrex equipped with a thermocouple for controlling reaction temperature (Registered trademark) trioctylphosphine oxide (hereinafter TOP) in a three-neck glass flask.
O was abbreviated; 4 g), and the mixture was heated to 360 ° C. in a dry argon gas atmosphere while stirring with a magnetic stirrer. Separately, in a glove box under a dry nitrogen atmosphere, selenium (black powder of a simple substance; 0.1 g) was dissolved in tributylphosphine (hereinafter abbreviated as TBP; 6.014 g), and further added to dimethyl cadmium (Strem Chemi).
Cal solution; 97%; 0.216 g) was mixed and dissolved to prepare a raw material solution A, which was sealed in a rubber stopper (a septum supplied from Aldrich) and wrapped in aluminum foil with no gap to prepare a glass bottle protected from light. A portion (2.0 mL) of this raw material solution A was injected all at once into the flask containing TOPO with a syringe, and this time was taken as the reaction start time. 20 minutes after the start of the reaction, when the heat source was removed and the temperature was cooled to about 50 ° C., purified toluene (2 mL) was added by a syringe to dilute, and the purified methanol (10 mL) was further injected to generate an insoluble matter. This insoluble matter is centrifuged (300
(0 rpm), the supernatant was removed by decantation and separated, and vacuum dried at room temperature for about 14 hours to obtain a solid powder. In the XRD spectrum of this solid powder, W
The formation of CdSe nanocrystals was confirmed by observing the diffraction peaks assigned to the 002 plane and the 110 plane of the urtzite type CdSe crystal. The number average particle size of the CdSe nanocrystals was about 4 nm according to TEM observation. The CdSe ultrafine particles thus obtained were irradiated with excitation light having a wavelength of 366 nm from a mercury lamp in a purified toluene solution to give a red emission band (peak wavelength 595 nm, full width at half maximum 43).
nm).

【0122】合成例3:ZnSシェルを有するコアシェ
ル構造CdSe超微粒子 B.O.Dabbousiら;J.Phys.Che
m.B,101巻,9463頁(1997)に記載の方
法に準じて行った。これを以下説明する。乾燥アルゴン
ガス雰囲気の褐色ガラス製の3口フラスコ中にTOPO
(15g)を入れ、減圧下130〜150℃での溶融状
態で約2時間攪拌した。この間、残留する空気及び水等
の揮発性分を置換する目的で、乾燥アルゴンガスにより
大気圧に復圧する操作を数回行った。温度設定を100
℃として約1時間後、合成例2で得たCdSe超微粒子
の固形粉体(0.094g)のトリオクチルホスフィン
(1.5g、以下TOPと略記)溶液を加えて、CdS
eナノ結晶を含む透明溶液を得た。これを100℃の減
圧下で更に約80分間攪拌後、温度を180℃に設定し
て乾燥アルゴンガスで大気圧に復圧した。別途、乾燥窒
素雰囲気のグローブボックス内で、ジエチル亜鉛の1N
濃度n−ヘキサン溶液(1.34mL;1.34ミリモ
ル)とビス(トリメチルシリル)スルフィド(0.23
9g;1.34ミリモル)とをTOP(9mL)に溶解
した原料溶液Bを、セプタムで封をしアルミニウム箔で
すき間なく包んで遮光したガラス瓶中に調製した。この
原料溶液Bを、注射器により、前記の180℃のCdS
e超微粒子を含む透明溶液に20分間かけて滴下し、9
0℃に降温後約1時間攪拌を継続した。室温で約14時
間静置した後、再び90℃で3時間加熱攪拌した。熱源
を除去し、Aldrich社から供給される無水グレー
ド(99.8%)のn−ブタノール(8mL)を反応液
に加えて室温まで冷却して、透明な赤色溶液を得た。こ
の赤色溶液には、原料のビス(トリメチルシリル)スル
フィド等の硫黄化合物の臭気はなく、代わりにセレン特
有のニラ様臭気があった。合成例2で得たCdSe超微
粒子の溶液にはこのようなセレン臭はなかったので、該
CdSeナノ結晶表面での意図した硫化物生成反応の進
行とともに、該ナノ結晶表面における硫黄原子によるセ
レン原子の置換反応等何らかの機構によるセレンの遊離
があったものと推測され、前記文献記載同様にZnSシ
ェルを有するコアシェル構造CdSe超微粒子が生成し
たものと考えられた。この赤色溶液の一部(8mL)
を、乾燥窒素気流下、室温で精製メタノール(16m
L)中に滴下し20分間攪拌を継続する沈殿操作により
赤色不溶物を得た。この赤色不溶物を合成例2同様に遠
心分離及びデカンテーションにより分離し、精製トルエ
ン(14mL)に再溶解した。この再溶解トルエン溶液
を用いて、再び同様の沈殿操作、遠心分離、及びデカン
テーションの一連の精製操作を行って固体生成物を得
た。この固体生成物は、1mLの精製メタノールと振り
混ぜて洗浄後、デカンテーションで分離した。この固体
生成物の数平均粒径は、TEM観察によれば約5nmで
あった。この固体生成物は透明赤色のトルエン溶液を与
え、ここに468nm波長の励起光を照射すると赤色の
発光帯(ピーク波長597nm、半値幅41nm)を与
えた。この発光は同程度の溶液濃度において、合成例2
で得たCdSe超微粒子の場合よりも明らかに発光強度
が大きかったことから、ZnSシェルを有するコアシェ
ル構造CdSeナノ結晶に変換され、表面準位等を経由
する非発光過程の寄与が抑制されたものと考えられた。
また、この生成物のIRスペクトルは、TOPOのアル
キル基に由来すると考えられる3つの吸収帯を294
0,2920,及び2850cm-1に与えたので、TO
POがナノ結晶表面に結合しているものと考えられた。
Synthetic Example 3: Core-shell structure CdSe ultrafine particles having a ZnS shell. O. Dabbousi et al .; Phys. Che
m. B, 101, 9463 (1997). This will be described below. TOPO was placed in a three-necked flask made of brown glass in a dry argon gas atmosphere.
(15 g) was added, and the mixture was stirred under reduced pressure at 130 to 150 ° C. for about 2 hours in a molten state. During this period, the operation of restoring the atmospheric pressure with dry argon gas was performed several times in order to replace the remaining volatile components such as air and water. Set temperature to 100
After about 1 hour at 0 ° C., a solution of the solid powder of CdSe ultrafine particles (0.094 g) obtained in Synthesis Example 2 (0.094 g) in trioctylphosphine (1.5 g, hereinafter abbreviated as TOP) was added, and CdS was added.
A clear solution containing e nanocrystals was obtained. This was further stirred under reduced pressure of 100 ° C. for about 80 minutes, then the temperature was set to 180 ° C. and the pressure was restored to atmospheric pressure with dry argon gas. Separately, in a glove box in a dry nitrogen atmosphere, add 1N of diethyl zinc.
Concentration n-hexane solution (1.34 mL; 1.34 mmol) and bis (trimethylsilyl) sulfide (0.23
9 g; 1.34 mmol) was dissolved in TOP (9 mL) to prepare a raw material solution B, which was sealed in a septum and wrapped in aluminum foil with no gap to prepare a glass bottle protected from light. This raw material solution B was added to the above CdS at 180 ° C. with a syringe.
e Dropping into a transparent solution containing ultrafine particles over 20 minutes,
After the temperature was lowered to 0 ° C., stirring was continued for about 1 hour. After standing at room temperature for about 14 hours, the mixture was again heated and stirred at 90 ° C. for 3 hours. The heat source was removed and anhydrous grade (99.8%) n-butanol (8 mL) supplied by Aldrich was added to the reaction solution and cooled to room temperature to obtain a clear red solution. This red solution had no odor of sulfur compounds such as bis (trimethylsilyl) sulfide as a raw material, and instead had a leek-like odor characteristic of selenium. Since the solution of the CdSe ultrafine particles obtained in Synthesis Example 2 did not have such a selenium odor, the selenium atom due to the sulfur atom on the surface of the nanocrystal was promoted with the progress of the intended sulfide formation reaction on the surface of the CdSe nanocrystal. It is presumed that selenium was liberated by some mechanism such as the substitution reaction of 1), and it was considered that CdSe ultrafine particles having a core-shell structure having a ZnS shell were generated as described in the above-mentioned literature. Part of this red solution (8 mL)
Under a dry nitrogen stream at room temperature, purified methanol (16 m
A red insoluble matter was obtained by a precipitation operation in which L) was added dropwise and stirring was continued for 20 minutes. The red insoluble matter was separated by centrifugation and decantation in the same manner as in Synthesis Example 2, and redissolved in purified toluene (14 mL). Using this redissolved toluene solution, a series of purification operations such as precipitation, centrifugation, and decantation were performed again to obtain a solid product. The solid product was shaken with 1 mL of purified methanol, washed, and then separated by decantation. The number average particle diameter of this solid product was about 5 nm according to TEM observation. This solid product gave a transparent red toluene solution, which was irradiated with excitation light having a wavelength of 468 nm to give a red emission band (peak wavelength 597 nm, full width at half maximum 41 nm). This luminescence is similar to that of Synthesis Example 2 at the same solution concentration.
Since the emission intensity was obviously higher than that of the CdSe ultrafine particles obtained in 1., it was converted into a CdSe nanocrystal having a core-shell structure having a ZnS shell, and the contribution of the non-emission process via the surface level etc. was suppressed. It was considered.
In addition, the IR spectrum of this product shows three absorption bands of 294, which are considered to be derived from the alkyl group of TOPO.
Since it was given at 0 , 2920, and 2850 cm -1 , TO
It was considered that PO was bound to the nanocrystal surface.

【0123】合成例4:MTEG−C11SHを有機配
位子として有するコアシェル構造CdSe超微粒子 合成例3で得たZnSシェルを有するコアシェル構造C
dSe超微粒子(0.5g)を、窒素雰囲気下エタノー
ル(純正化学(株)、8mL)中で攪拌して分散しなが
ら、ここに合成例1で合成したMTEG−C11SH
(0.4g)を加え約20分間加熱還流させた。この加
熱還流により上記コアシェル構造CdSe超微粒子が溶
解して濁りのない赤色エタノール溶液を与えた。反応液
を減圧濃縮して得た残渣にn−ヘキサンを加えて約20
秒間超音波照射して分散させ、次いで遠心分離(400
0rpm、6分間)とデカンテーションにより不溶物を
分離した。こうして分離した不溶物を精製トルエンに再
溶解し、約10倍容量のn−ヘキサン中に注入して析出
物を生成させ、これを前記同様に遠心分離とデカンテー
ションにより分離した。この再溶解、析出及び分離の操
作をもう1度繰り返して精製した。この生成物を室温で
真空乾燥して得た固体は、エタノール又は50重量%の
エタノール水溶液に可溶で濁りのない赤色溶液を与え
た。かかるエタノール溶液は合成例3の場合と同一の発
光帯を与え、該固体生成物のIRスペクトルはMTEG
−C11SH由来のエステル基及び炭化水素構造部分に
それぞれ帰属される吸収帯を与え、しかも合成例3で述
べたTOPOのアルキル基に由来すると考えられる3つ
の鋭い吸収ピークは観測されなかったので、MTEG−
C11SHが半導体結晶部分には実質的に化学変化を及
ぼさずにTOPOを置換した半導体ナノ結晶が得られた
ものと考えられた。この固体生成物の有機物含量をTG
測定で定量したところ29重量%であった。
Synthesis Example 4: Core-shell structure having MTEG-C11SH as an organic ligand CdSe ultrafine particles Core-shell structure C having ZnS shell obtained in Synthesis Example 3
While the dSe ultrafine particles (0.5 g) were stirred and dispersed in ethanol (Junsei Kagaku Co., Ltd., 8 mL) under a nitrogen atmosphere, the MTEG-C11SH synthesized in Synthesis Example 1 was mixed therein.
(0.4 g) was added and the mixture was heated under reflux for about 20 minutes. By this heating under reflux, the CdSe ultrafine particles having the core-shell structure were dissolved to give a cloudless red ethanol solution. The reaction solution was concentrated under reduced pressure, and n-hexane was added to the residue to obtain about 20.
Sonicate for 2 seconds to disperse, then centrifuge (400
The insoluble matter was separated by decantation at 0 rpm for 6 minutes. The insoluble matter thus separated was redissolved in purified toluene and poured into about 10-fold volume of n-hexane to form a precipitate, which was separated by centrifugation and decantation as described above. The operations of redissolving, precipitating and separating were repeated once again for purification. The solid obtained by vacuum-drying this product at room temperature gave a red solution that was soluble in ethanol or a 50% by weight aqueous ethanol solution and was not cloudy. Such an ethanol solution gave the same emission band as in Synthesis Example 3, and the IR spectrum of the solid product was MTEG.
Since the absorption bands assigned to the -C11SH-derived ester group and the hydrocarbon structure portion were respectively given, and three sharp absorption peaks believed to be derived from the alkyl group of TOPO described in Synthesis Example 3 were not observed, MTEG −
It was considered that C11SH did not substantially change the semiconductor crystal part chemically and a semiconductor nanocrystal in which TOPO was substituted was obtained. The organic content of this solid product was determined to be TG
The quantity determined by measurement was 29% by weight.

【0124】合成例5:ジアルキルスルホスクシネート
を有機配位子として有するTiO2超微粒子の合成 前記伊藤ら著の文献記載の方法を参考として行った。以
下、手順を説明する。0.1モル/Lの濃度の塩化チタ
ニル水溶液を攪拌しながら、同容量の1.5モル/Lの
濃度の炭酸ナトリウム水溶液を室温で25分かけて滴下
した。こうして得た白色の超微粒子の懸濁液を、遠心分
離(4000rpm)、上澄み液のデカンテーションに
よる除去及び水洗の3工程をこの順に繰り返す操作によ
り精製した。但し、該精製は、上澄み液に水酸化バリウ
ム水溶液を加えても硫酸バリウムの白色の濁りが目視観
察されなくなるまで行った。こうして得た白色沈殿を
0.3モル/Lの濃度の希塩酸中に攪拌分散しながら6
0℃で約1時間加熱して透明感のある酸性ヒドロゾルを
得た。この酸性ヒドロゾルに氷冷し、アルキル基の一方
がアリル基でありラジカル重合性を有するジアルキルス
ルホスクシネートモノナトリウム塩(三洋化成工業
(株)製、商標名はエレミノールJS−2、ロット番号
0804831)の水溶液を加えたところ白色沈殿を生
じたので、これを遠心分離とデカンテーションにより分
離した。この白色沈殿は酢酸エチル等の有機溶媒に可溶
であったのでこれを大量の水中に分散してよく攪拌して
水洗し、次いで酢酸エチルとn−ヘキサンの混合溶媒で
抽出し、乾燥後濃縮した。この濃縮残渣のXRDとTE
Mより、アナタース型TiO2超微粒子のナノ結晶(数
平均粒径は約5nm)の生成を確認した。この濃縮残渣
も有機溶媒に可溶であったことから、上記ジアルキルス
ルホスクシネート残基がアナタース型二酸化チタンのナ
ノ結晶表面にスルホン酸基を介して結合したTiO2
微粒子であるものと考えられた。
Synthesis Example 5: Synthesis of TiO 2 Ultrafine Particles Having Dialkylsulfosuccinate as Organic Ligand The method described in the above-mentioned literature by Ito et al. Was used as a reference. The procedure will be described below. While stirring an aqueous solution of titanyl chloride having a concentration of 0.1 mol / L, the same volume of an aqueous solution of sodium carbonate having a concentration of 1.5 mol / L was added dropwise at room temperature over 25 minutes. The thus-obtained suspension of white ultrafine particles was purified by an operation in which three steps of centrifugation (4000 rpm), removal of the supernatant by decantation, and washing with water were repeated in this order. However, the purification was carried out until the white turbidity of barium sulfate was not visually observed even if an aqueous barium hydroxide solution was added to the supernatant. The white precipitate thus obtained was stirred and dispersed in dilute hydrochloric acid having a concentration of 0.3 mol / L while stirring 6
By heating at 0 ° C. for about 1 hour, a transparent acidic hydrosol was obtained. This acidic hydrosol was ice-cooled, and one of the alkyl groups was an allyl group and had radical polymerizability, dialkyl sulfosuccinate monosodium salt (manufactured by Sanyo Kasei Co., Ltd., trade name: Eleminol JS-2, lot number 0804831). When an aqueous solution of () was added, a white precipitate was produced, which was separated by centrifugation and decantation. Since this white precipitate was soluble in an organic solvent such as ethyl acetate, it was dispersed in a large amount of water, well stirred and washed with water, then extracted with a mixed solvent of ethyl acetate and n-hexane, dried and concentrated. did. XRD and TE of this concentrated residue
From M, formation of nanocrystals of anatase type TiO 2 ultrafine particles (number average particle size: about 5 nm) was confirmed. Since this concentrated residue was also soluble in an organic solvent, it is considered that the dialkyl sulfosuccinate residue is TiO 2 ultrafine particles in which the anatase-type titanium dioxide nanocrystal surface is bonded via a sulfonic acid group. Was given.

【0125】合成例6:ZnO超微粒子 L.Spanhelら;J.Am.Chem.So
c.,113巻、2826頁(1991)に記載されて
いる方法により合成した。即ち、関東化学(株)社製の
酢酸亜鉛二水和物(0.8789g)を遮光したガラス
フラスコ内でエタノール(40mL)に溶解し、窒素ガ
スバブリングを30分間行って溶在空気を置換し、窒素
雰囲気下にて溶液を加熱しエタノールの一部(24m
L)を蒸留して共存する水を共沸除去した。液温を室温
に戻してエタノール(24mL)を加え、ここにキシダ
化学(株)社製の水酸化リチウム一水和物(0.235
2g)の粉末を加えて10分間超音波照射して非沈殿性
固体粒子を含まない溶液を得た。この溶液の吸収スペク
トルは314nmに極大を有するエキシトン発光帯を示
したことから、上記文献記載の通りZnO超微粒子が生
成していることが確認された。またこの溶液は、300
nmの励起光により496nmに極大を有するブロード
な発光帯を与えた。この発光は目視で白緑色であった。
このZnO超微粒子の数平均粒径は、TEM観察によれ
ば約4nmであった。
Synthesis Example 6: ZnO ultrafine particles L. Spanhel et al .; Am. Chem. So
c. , 113, 2826 (1991). That is, zinc acetate dihydrate (0.8789 g) manufactured by Kanto Chemical Co., Inc. was dissolved in ethanol (40 mL) in a glass flask protected from light, and nitrogen gas bubbling was performed for 30 minutes to replace the dissolved air. , Part of ethanol (24m
L) was distilled to azeotropically remove coexisting water. The liquid temperature was returned to room temperature and ethanol (24 mL) was added thereto, and lithium hydroxide monohydrate (0.235) manufactured by Kishida Chemical Co., Ltd. was added thereto.
2 g) of the powder was added and ultrasonic irradiation was carried out for 10 minutes to obtain a solution containing no non-precipitating solid particles. Since the absorption spectrum of this solution showed an exciton emission band having a maximum at 314 nm, it was confirmed that ZnO ultrafine particles were generated as described in the above literature. Also, this solution is
nm excitation light gave a broad emission band with a maximum at 496 nm. This luminescence was visually white and green.
The number average particle diameter of the ZnO ultrafine particles was about 4 nm according to TEM observation.

【0126】[実施例]以下の実施例で得た厚さ1mm
のシート状成形体について、上記加熱試験及び温水試験
による各寸法変化率(単位は%)、ナトリウムD線波長
及び350nm波長における上記光線透過率(それぞれ
D線透過率及び350nm、単位は%)、上記ガラス転
移温度(単位は℃)、上記複屈折(単位はnm)、上記
線膨張異方性率(単位は%)、上記熱分解残渣率(単位
は%)を測定し、結果を表−1にまとめた。
[Example] Thickness of 1 mm obtained in the following examples
For the sheet-shaped molded article, the dimensional change rate (unit is%) by the heating test and the hot water test, the light transmittance at the sodium D-ray wavelength and 350 nm wavelength (D-ray transmittance and 350 nm, respectively, unit is%), The glass transition temperature (unit: ° C), the birefringence (unit: nm), the linear expansion anisotropy rate (unit:%), the thermal decomposition residue rate (unit:%) were measured, and the results are shown in Table- Summarized in 1.

【0127】実施例1:コアシェル構造CdSe超微粒
子を含有する芳香族ポリカーボネート樹脂組成物成形体
の調製 合成例4で得たMTEG−C11SHを有機配位子とし
て有するコアシェル構造CdSe超微粒子(半導体ナノ
結晶の数平均粒径は約5nm)5重量部及びビスフェノ
ールAポリカーボネート(以下PCと略記、粘度平均分
子量が約25000のもの)95部をテトラヒドロフラ
ン(以下THFと略記)に溶解して混合した。この溶液
をテフロン(登録商標)コーティングを有するバット中
で加熱してTHFを蒸発させて、上記コアシェル構造C
dSe超微粒子がPCマトリクスに分散したPC樹脂組
成物の原料塊を得た。この原料塊を用いて上記保温プレ
ス成形を温度200℃、加圧成形圧力40g/cm2
条件で行い、厚さ1mmのシート状成形体を得た。上記
TEM観察によりこのシート状成形体を分析したとこ
ろ、上記コアシェル構造CdSe超微粒子の1次粒子が
実質的に非凝集状態で分散しており、粒径が60nm以
上の超微粒子は観察されなかった。このシート状成形体
は、合成例3及び4に記載したコアシェル構造CdSe
超微粒子と同様の発光能を保持していた。
Example 1 Preparation of Aromatic Polycarbonate Resin Composition Molded Article Containing Core-Shell CdSe Ultrafine Particles Core-shell CdSe ultrafine particles having MTEG-C11SH obtained in Synthesis Example 4 as an organic ligand (semiconductor nanocrystals) 5 parts by weight of bisphenol A and 95 parts of bisphenol A polycarbonate (hereinafter abbreviated as PC and viscosity average molecular weight of about 25,000) were dissolved in tetrahydrofuran (hereinafter abbreviated as THF) and mixed. The solution was heated in a vat with a Teflon coating to evaporate the THF to yield the core shell structure C above.
A raw material mass of a PC resin composition in which dSe ultrafine particles were dispersed in a PC matrix was obtained. The above heat-insulating press molding was performed using this raw material block under the conditions of a temperature of 200 ° C. and a pressure molding pressure of 40 g / cm 2 to obtain a sheet-shaped molded product having a thickness of 1 mm. When the sheet-shaped molded product was analyzed by the TEM observation, the primary particles of the CdSe ultrafine particles having the core-shell structure were dispersed in a substantially non-aggregated state, and no ultrafine particles having a particle size of 60 nm or more were observed. . This sheet-shaped molded product has a core-shell structure CdSe described in Synthesis Examples 3 and 4.
It retained the same luminous ability as the ultrafine particles.

【0128】実施例2:TiO2超微粒子を含有する非
晶質ポリオレフィン樹脂組成物成形体の調製 合成例5で得たジアルキルスルホスクシネートを有機配
位子として有するTiO2超微粒子(半導体ナノ結晶の
数平均粒径は約5nm)5重量部及びJSR社から供給
された非晶性ポリオレフィン樹脂(商標名はアートン)
95部をテトラヒドロフラン(以下THFと略記)に溶
解して混合した。この溶液をテフロンコーティングを有
するバット中で加熱してTHFを蒸発させて、上記Ti
2超微粒子が非晶性ポリオレフィン樹脂マトリクスに
分散した樹脂組成物の原料塊を得た。この原料塊を用い
て、上記保温プレス成形を温度210℃、加圧成形圧力
40g/cm2の条件で行い、厚さ1mmのシート状成
形体を得た。上記TEM観察によりこのシート状成形体
を分析したところ、上記TiO2超微粒子の1次粒子が
実質的に非凝集状態で分散しており、粒径が60nm以
上の超微粒子は観察されなかった。
[0128] Example 2: TiO 2 ultrafine particles having a dialkyl sulphosuccinate obtained in Preparation Synthesis Example 5 of an amorphous polyolefin resin composition molded article containing TiO 2 ultrafine particles as an organic ligand (semiconductor nano 5 parts by weight of crystals (number average particle diameter of crystal is about 5 nm) and amorphous polyolefin resin (trade name is ARTON) supplied by JSR
95 parts was dissolved in tetrahydrofuran (hereinafter abbreviated as THF) and mixed. The solution was heated in a vat with a Teflon coating to evaporate the THF and remove the Ti
A raw material mass of a resin composition in which O 2 ultrafine particles were dispersed in an amorphous polyolefin resin matrix was obtained. Using this raw material block, the above heat insulation press molding was performed under the conditions of a temperature of 210 ° C. and a pressure molding pressure of 40 g / cm 2 to obtain a sheet-shaped molded body having a thickness of 1 mm. When the sheet-shaped compact was analyzed by the TEM observation, primary particles of the TiO 2 ultrafine particles were dispersed in a substantially non-aggregated state, and ultrafine particles having a particle size of 60 nm or more were not observed.

【0129】実施例3:コアシェル構造CdSe超微粒
子を含有する架橋アクリル系樹脂組成物成形体の熱ラジ
カル重合による調製 合成例4で得たMTEG−C11SHを有機配位子とし
て有するコアシェル構造CdSe超微粒子1重量部、ビ
ス(ヒドロキシメチル)トリシクロ[5.2.1.0
2,6]デカン=ジメタクリレート99部、熱ラジカル発
生剤としてアゾビスイソブチロニトリル(通称AIB
N)を1重量部を精製トルエンに溶解して濁りのない溶
液を得た。溶媒(トルエン)を留去して得た重合性液体
混合物を、上記保温プレス成形で用いた2枚のステンレ
ス板の間にスペーサーとして厚さ1mmのステンレス板
を挟んだ隙間に流し込み、乾燥窒素雰囲気下約80℃で
加熱してラジカル重合を進行させ、更に120℃で20
分加熱することにより、透明な厚さ1mmのシート状樹
脂組成物成形体を得た。上記TEM観察によりこのシー
ト状樹脂組成物成形体を分析したところ、上記コアシェ
ル構造CdSe超微粒子の1次粒子が実質的に非凝集状
態で分散しており、粒径が60nm以上の超微粒子は観
察されなかった。このシート状樹脂組成物成形体は、ト
ルエン、クロロホルム、アセトン、テトラヒドロフラン
のいずれの溶媒に溶解しようとしても実質的に不溶であ
り、また合成例3及び4に記載したコアシェル構造Cd
Se超微粒子と同様の発光能を保持していた。
Example 3: Preparation of cross-linked acrylic resin composition molding containing core-shell structure CdSe ultrafine particles by thermal radical polymerization Core-shell structure CdSe ultrafine particles having MTEG-C11SH obtained in Synthesis Example 4 as an organic ligand 1 part by weight, bis (hydroxymethyl) tricyclo [5.2.1.0]
2,6 ] decane-dimethacrylate 99 parts, azobisisobutyronitrile (commonly known as AIB) as a heat radical generator
1 part by weight of N) was dissolved in purified toluene to obtain a turbid-free solution. The polymerizable liquid mixture obtained by distilling off the solvent (toluene) was poured into the gap between the two stainless steel plates used in the above heat insulation press molding and having a thickness of 1 mm as a spacer, and the mixture was dried under a dry nitrogen atmosphere. Radical polymerization proceeds by heating at 80 ° C and further at 120 ° C for 20
By heating for a minute, a transparent sheet-shaped resin composition molded product having a thickness of 1 mm was obtained. When the sheet-shaped resin composition molded body was analyzed by the TEM observation, primary particles of the core-shell structured CdSe ultrafine particles were dispersed in a substantially non-aggregated state, and ultrafine particles having a particle size of 60 nm or more were observed. Was not done. This sheet-shaped resin composition molded body was substantially insoluble in any solvent such as toluene, chloroform, acetone, or tetrahydrofuran, and the core-shell structure Cd described in Synthesis Examples 3 and 4 was used.
It retained the same luminous ability as the Se ultrafine particles.

【0130】実施例4:TiO2超微粒子を含有する架
橋アクリル系樹脂組成物成形体の熱ラジカル重合による
調製 合成例5で得たジアルキルスルホスクシネートを有機配
位子として有するTiO2超微粒子10重量部、ビス
(ヒドロキシメチル)トリシクロ[5.2.1.
2,6]デカン=ジメタクリレート90部、熱ラジカル
発生剤としてアゾビスイソブチロニトリル(通称AIB
N)を1重量部を酢酸エチルとn−ヘキサンの混合溶媒
に溶解して濁りのない溶液を得た。溶媒(酢酸エチルと
n−ヘキサン)を留去して得た重合性液体混合物を、上
記保温プレス成形で用いた2枚のステンレス板の間にス
ペーサーとして厚さ1mmのステンレス板を挟んだ隙間
に流し込み、乾燥窒素雰囲気下約80℃で加熱してラジ
カル重合を進行させ、更に120℃で20分加熱するこ
とにより、透明な厚さ1mmのシート状樹脂組成物成形
体を得た。上記TEM観察によりこのシート状樹脂組成
物成形体を分析したところ、上記TiO2超微粒子の1
次粒子が実質的に非凝集状態で分散しており、粒径が6
0nm以上の超微粒子は観察されなかった。このシート
状樹脂組成物成形体は、トルエン、クロロホルム、アセ
トン、テトラヒドロフランのいずれの溶媒に溶解しよう
としても実質的に不溶であり、TiO2超微粒子に由来
する紫外線吸収能を有するものであった。
Example 4 Preparation of Crosslinked Acrylic Resin Composition Molded Article Containing TiO 2 Ultrafine Particles by Thermal Radical Polymerization TiO 2 Ultrafine Particles Having Dialkylsulfosuccinate Obtained in Synthesis Example 5 as Organic Ligand 10 parts by weight, bis (hydroxymethyl) tricyclo [5.2.1.
90 parts of 0 2,6 ] decane dimethacrylate, azobisisobutyronitrile (commonly known as AIB) as a heat radical generator.
1 part by weight of N) was dissolved in a mixed solvent of ethyl acetate and n-hexane to obtain a turbid solution. The polymerizable liquid mixture obtained by distilling off the solvent (ethyl acetate and n-hexane) was poured into the gap between the two stainless steel plates used in the heat insulation press molding, and a stainless steel plate having a thickness of 1 mm was interposed as a spacer, By heating at about 80 ° C. in a dry nitrogen atmosphere to promote radical polymerization, and further heating at 120 ° C. for 20 minutes, a transparent sheet-shaped resin composition molded product having a thickness of 1 mm was obtained. Analysis of this sheet-like resin composition molded article by the TEM observation, 1 of the TiO 2 ultrafine particles
Secondary particles are dispersed in a substantially non-aggregated state, and the particle size is 6
No ultrafine particles of 0 nm or more were observed. This sheet-shaped resin composition molded body was substantially insoluble in any solvent such as toluene, chloroform, acetone, or tetrahydrofuran and had an ultraviolet absorbing ability derived from TiO 2 ultrafine particles.

【0131】実施例5:TiO2超微粒子を含有する架
橋樹脂組成物の光ラジカル重合による調製 合成例5で得たジアルキルスルホスクシネートを有機配
位子として有するTiO2超微粒子45重量部、重合性
単量体としてビス(ヒドロキシメチル)トリシクロ
[5.2.1.02,6]デカン=ジメタクリレート45
部及びn−ブチルメタクリレート10重量部、光ラジカ
ル発生剤として2,4,6−トリメチルベンゾイルジフ
ェニルホスフィンオキシド(BASF社製「ルシリンT
PO」)0.5重量部、ベンゾフェノン0.5重量部を
加え均一に攪拌混合した後、脱泡して重合性液体混合物
とした。これを、スペーサーとして厚さ1mmのシリコ
ーン板を用いた光学研磨ガラスの型に注液し、乾燥窒素
雰囲気下約80℃で保温しながら上記光学研磨ガラス面
より距離40cmで上下に設置された出力80W/cm
のメタルハライドランプの間にて、5分間紫外線を照射
した。紫外線照射後脱型し、120℃で20分加熱して
厚さ1mmの透明感のあるシート状樹脂組成物成形体を
得た。上記TEM観察によりこのシート状樹脂組成物成
形体を分析したところ、上記TiO2超微粒子の1次粒
子が実質的に非凝集状態で分散しており、粒径が60n
m以上の超微粒子は観察されなかった。このシート状樹
脂組成物成形体は、トルエン、クロロホルム、アセト
ン、テトラヒドロフランのいずれの溶媒に溶解しようと
しても実質的に不溶であり、TiO2超微粒子に由来す
る紫外線吸収能を有するものであった。
Example 5: Preparation of crosslinked resin composition containing TiO 2 ultrafine particles by photoradical polymerization 45 parts by weight of TiO 2 ultrafine particles having the dialkylsulfosuccinate obtained in Synthesis Example 5 as an organic ligand, Bis (hydroxymethyl) tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane = dimethacrylate 45 as polymerizable monomer
Parts and 10 parts by weight of n-butyl methacrylate, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide as a photoradical generator (“Lucirin T manufactured by BASF Ltd.
PO ") and 0.5 parts by weight of benzophenone were added and uniformly mixed with stirring, and then defoamed to obtain a polymerizable liquid mixture. This was poured into a mold of optical polishing glass using a 1 mm-thick silicone plate as a spacer, and the temperature was kept at about 80 ° C. in a dry nitrogen atmosphere, and the output was placed 40 cm above and below the surface of the optical polishing glass. 80 W / cm
UV rays were irradiated for 5 minutes between the metal halide lamps. After UV irradiation, the mold was removed, and the mold was heated at 120 ° C. for 20 minutes to obtain a transparent sheet-shaped resin composition molded product having a thickness of 1 mm. When the sheet-shaped resin composition molded body was analyzed by the TEM observation, the primary particles of the TiO 2 ultrafine particles were dispersed in a substantially non-aggregated state, and the particle size was 60 n.
Ultrafine particles of m or more were not observed. This sheet-shaped resin composition molded body was substantially insoluble in any solvent such as toluene, chloroform, acetone, or tetrahydrofuran and had an ultraviolet absorbing ability derived from TiO 2 ultrafine particles.

【0132】実施例6:公知の射出成形法により得る樹
脂組成物成形体 実施例1の原料塊を溶融状態で細い穴から押出してスト
ランド(溶融樹脂を細く引き延ばしたもの)とし、こう
して得たストランドをペレタイザーで裁断してペレット
とした。こうして得たペレットを真空乾燥した後に射出
成形して、厚さ1mmの透明性に優れたシートを得た。
上記TEM観察によりこのシート状成形体を分析したと
ころ、上記TiO2超微粒子の1次粒子が実質的に非凝
集状態で分散しており、粒径が60nm以上の超微粒子
は観察されなかったが、複屈折は増大した。
Example 6 Resin Composition Molded Body Obtained by Known Injection Molding Method The raw material block of Example 1 is extruded in a molten state from a thin hole to form a strand (thin molten resin is thinly stretched), and thus obtained strand Was cut with a pelletizer to give pellets. The pellets thus obtained were vacuum dried and then injection-molded to obtain a sheet having a thickness of 1 mm and excellent in transparency.
When the sheet-shaped compact was analyzed by the TEM observation, the primary particles of the TiO 2 ultrafine particles were dispersed in a substantially non-aggregated state, and no ultrafine particles having a particle size of 60 nm or more were observed. , The birefringence increased.

【0133】[比較例]上記実施例同様の評価を行っ
た。 比較例1:従来の半導体超微粒子樹脂組成物を用いた保
温プレス成形の試み特開平11−43556号公報に開
示の方法に準じて以下の実験を行った。過塩素酸カドミ
ウム6水和物(1.0当量)、チオフェノール(1.5
2当量)、アミノチオフェノール(1.52当量)を溶
解したアセトニトリルーメタノール(1:1)混合溶液
(カドミウム濃度は約0.025モル/L)を乾燥アル
ゴン雰囲気下攪拌しながら、ここに、5容量%の硫化水
素を含有する乾燥アルゴンガスを吹き込んだ。得られた
半導体超微粒子含んだ溶液を濃縮し、トルエン混合して
半導体超微粒子を沈殿させた。沈殿物を遠心分離とデカ
ンテーションにより分離し再度メタノールに溶解させた
後、過剰量のトルエンと混合して半導体超微粒子を再沈
殿させる精製をおこなった。この再沈殿操作は5回繰り
返しおこなった。最後に沈殿物を取り出し乾燥して、チ
オフェノール及び/又はアミノチオフェノールが有機配
位子として結合したと考えられるCdS超微粒子を得
た。このCdS超微粒子の数平均粒径は約3nmであっ
た。また、KBr錠剤法によるIRスペクトルより、上
記公報の報告同様に芳香族アミンに特徴的なC−N伸縮
(1340〜1250cm-1)が観測されたので、Cd
S超微粒子表面にアミノ基の存在が確認された。このC
dS超微粒子1gをジメチルホルムアミド20mLに溶
かし、ポリアクリル酸5gを加え十分に攪拌して、上記
公報が教示するCdS超微粒子表面のアミノ基とポリア
クリル酸とのアミド結合形成反応を進行させた後、上記
保温プレス成形用ステンレス板の上で乾燥させてゲル状
の黄色の透明な樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を実
施例1同様に保温プレス成形しようとしたが、保温プレ
ス成形及び/又は加圧成形圧力を上昇させても実質的に
熱可塑性を示さず、目的とする成形体を得ることはでき
なかった。この理由は、上記公報が教示する樹脂組成物
は、半導体超微粒子と樹脂マトリクスとが有機配位子を
介して結合している(つまり実質的な化学架橋となって
いる)ことによるものと推定された。
[Comparative Example] The same evaluation as in the above-described example was carried out. Comparative Example 1: Trial of heat insulation press molding using a conventional semiconductor ultrafine particle resin composition The following experiment was conducted according to the method disclosed in JP-A-11-43556. Cadmium perchlorate hexahydrate (1.0 equivalent), thiophenol (1.5
2 equivalents) and aminothiophenol (1.52 equivalents) in a mixed solution of acetonitrile-methanol (1: 1) (cadmium concentration is about 0.025 mol / L) under stirring in a dry argon atmosphere. Bubbling with dry argon gas containing 5% by volume of hydrogen sulphide. The obtained solution containing semiconductor ultrafine particles was concentrated and mixed with toluene to precipitate the semiconductor ultrafine particles. The precipitate was separated by centrifugation and decantation, dissolved again in methanol, and then mixed with an excess amount of toluene to carry out purification by reprecipitating semiconductor ultrafine particles. This reprecipitation operation was repeated 5 times. Finally, the precipitate was taken out and dried to obtain CdS ultrafine particles considered to have thiophenol and / or aminothiophenol bonded as an organic ligand. The number average particle diameter of the CdS ultrafine particles was about 3 nm. Further, from the IR spectrum by the KBr tablet method, the C—N stretching (1340-1250 cm −1 ) characteristic of aromatic amines was observed as in the report of the above publication, so that Cd
The presence of amino groups was confirmed on the surface of the S ultrafine particles. This C
After dissolving 1 g of dS ultrafine particles in 20 mL of dimethylformamide, adding 5 g of polyacrylic acid and thoroughly stirring, the amide bond formation reaction between the amino groups on the surface of CdS ultrafine particles and polyacrylic acid taught by the above publication was advanced. Then, it was dried on the above heat-insulating press-forming stainless steel plate to obtain a gel-like yellow transparent resin composition. This resin composition was tried to be heat-insulated press-molded in the same manner as in Example 1. However, even if the heat-insulation press-molding and / or the pressure-molding pressure was increased, the resin composition did not show substantially thermoplasticity, and a desired molded article was obtained. I couldn't. It is presumed that the reason is that the resin composition taught by the above publication is bonded to the semiconductor ultrafine particles and the resin matrix via the organic ligand (that is, substantially chemically crosslinked). Was done.

【0134】比較例2:従来の半導体超微粒子を用いた
保温プレス成形の試み 実施例4において、超微粒子の原料としてシーアイ化成
社から供給されたポリオキシエチレン系の分散剤を使用
したTiO2超微粒子(数平均粒径は約30nm)のエ
タノール分散液を用い、熱分解残渣率が実施例4と同程
度となるよう計算して重合性単量体に配合し、同様の実
験操作を行って厚さ1mmのシート状樹脂組成物成形体
を得た。こうして得た樹脂組成物成形体は目視で明らか
に白濁しており、上記TEM観察によりこのシート状樹
脂組成物成形体を分析したところ、粒径が60nm以上
のTiO2超微粒子が全超微粒子中12体積%程度を占
めていた。このシート状樹脂組成物成形体は、トルエ
ン、クロロホルム、アセトン、テトラヒドロフランのい
ずれの溶媒に溶解しようとしても実質的に不溶であり、
TiO2超微粒子に由来する紫外線吸収能を有するもの
であった。
Comparative Example 2 Trial of Insulation Press Molding Using Conventional Semiconductor Ultrafine Particles In Example 4, a TiO 2 powder containing a polyoxyethylene-based dispersant supplied from CI Kasei Co., Ltd. as a raw material for ultrafine particles was used. Using an ethanol dispersion of fine particles (having a number average particle size of about 30 nm), the thermal decomposition residue ratio was calculated to be the same as in Example 4, and the mixture was added to the polymerizable monomer, and the same experimental operation was performed. A sheet-shaped resin composition molded body having a thickness of 1 mm was obtained. The resin composition molded body thus obtained was visually opaque, and when this sheet-shaped resin composition molded body was analyzed by the above-mentioned TEM observation, it was found that TiO 2 ultrafine particles with a particle size of 60 nm or more were among all ultrafine particles. It occupied about 12% by volume. This sheet-shaped resin composition molded article is substantially insoluble in any solvent such as toluene, chloroform, acetone, or tetrahydrofuran,
It had an ultraviolet absorbing ability derived from TiO 2 ultrafine particles.

【0135】比較例3:超微粒子を含有しない場合 実施例1においてコアシェル構造CdSe超微粒子を混
合せずPC樹脂のみをTHFに溶解して以下同様の操作
を行い、厚さ1mmのPC樹脂シート状成形体を得た。
表−2より、加熱寸法変化率及び温水寸法変化率が実施
例1に比べて増大しており、また半導体ナノ結晶を含有
していないので紫外線透過能を表す350nm透過率が
増大していることがわかる。
Comparative Example 3: When Ultrafine Particles are not Contained In Example 1, only the PC resin is dissolved in THF without mixing the core-shell structure CdSe ultrafine particles, and the same operation is performed below to form a PC resin sheet having a thickness of 1 mm. A molded body was obtained.
Table 2 shows that the heating dimensional change rate and the hot water dimensional change rate are higher than in Example 1, and that the semiconductor nanocrystals are not contained, so the 350 nm transmittance, which represents the ultraviolet ray transmissivity, is increased. I understand.

【0136】[0136]

【表1】 [Table 1]

【0137】[0137]

【表2】 [Table 2]

【0138】[0138]

【発明の効果】本発明の樹脂組成物成形体は、超微粒子
を均質に分散して含有しているので高度の透明性と優れ
た寸法安定性を併せ持つ。該超微粒子が紫外線吸収性を
有する場合にはその特性を保持するので耐紫外線性に優
れる。しかも複屈折により評価される光学歪みが小さ
く、線膨張係数の異方性が低減されるという効果を併せ
持つものである。
The resin composition molded product of the present invention has a high degree of transparency and excellent dimensional stability because it contains ultrafine particles uniformly dispersed therein. When the ultrafine particles have an ultraviolet absorbing property, they retain their characteristics and thus have excellent ultraviolet resistance. In addition, the optical strain evaluated by the birefringence is small, and the anisotropy of the linear expansion coefficient is also reduced.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08K 3/00 C08K 3/00 C08L 101/00 C08L 101/00 Fターム(参考) 4F071 AA01 AA33 AA33X AA86 AB00 AB18 AD02 AD06 AF30Y AF31Y AF45 AF54Y AF62Y AH19 BB03 BC16 4J002 BB171 BC011 BC031 BC041 BC061 BC071 BC081 BC091 BC111 BG041 BG051 BG061 BG071 BG101 BG131 BK001 BQ001 CE001 CF061 CF081 CG001 CH071 CL031 CN011 CN031 DA016 DA026 DA056 DA076 DA086 DA106 DA116 DD036 DD076 DD086 DE096 DE106 DE116 DE136 DE146 DF016 DG026 DG066 DH006 DJ006 DJ016 DK006 DM006 EW016 FB076 FB086 FB096 FB106 FB136 FB146 FB156 FB236 FD010 GF00 GH00 GP00 GP01 GP02 GS02 4J027 AC01 AC06 AE10 AG33 AG36 AH03 AJ08 BA19 BA24 BA26 BA27 CA12 CA14 CA15 CA16 CA17 CA18 CA34 CB10 CC02 CC04 CC05 CC06 CC08 CD03 CD04 CD05 CD08 4J100 AL66P BA02P BA08P BA12P BA51P BA58P BB01P BB03P BC07P BC43P CA01 CA23 DA25 DA47 DA62 DA63 JA01 JA32 JA33 JA35 JA36 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) C08K 3/00 C08K 3/00 C08L 101/00 C08L 101/00 F term (reference) 4F071 AA01 AA33 AA33X AA86 AB00 AB18 AD02 AD06 AF30Y AF31Y AF45 AF54Y AF62Y AH19 BB03 BC16 4J002 BB171 BC011 BC031 BC041 BC061 BC071 BC081 BC091 BC111 BG041 BG051 BG061 BG071 DD0686 DA060 DA060 DA060 DA060 DA016 DA076 DA056DA056 DA060 DA060 DE136 DE146 DF016 DG026 DG066 DH006 DJ006 DJ016 DK006 DM006 EW016 FB076 FB086 FB096 FB106 FB136 FB146 FB156 FB236 FD010 GF00 GH00 GP00 GP01 GP02 GS02 4J027 CA01 CA14 CA14 CA14 CA14 CA14 CA14 CA14 CA14 CA14 CA14 CA14 CA14 CA14 CA14 CA14 BA14 CA14 CA14 BA14 CA17 CA14 CA14 CA14 CA14 CA17 BA14 BA17 CA14 CA17 CA14 CA14 BA14 CA17 CA14 CA17 CA14 CA17 CA14 CA14 CC08 CD03 CD04 CD05 CD08 4J100 AL66P BA02P BA08P BA12P BA51P BA58P BB01P BB03P BC07P BC43P CA01 CA23 DA25 DA47 DA62 DA63 JA01 JA32 JA33 JA35 JA36

Claims (24)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 数平均粒径0.5〜50nmの超微粒子
が分散してなる樹脂組成物を主体とし、ナトリウムD線
波長における光路長1mm当たりの光線透過率の平均が
70%以上であり、150℃の空気雰囲気下に水平に静
置して3時間加熱し次いで23℃相対湿度50%の空気
雰囲気下に1週間静置する加熱試験前後の寸法変化率が
0.05%以下であることを特徴とする樹脂組成物成形
体。
1. A resin composition comprising ultrafine particles having a number average particle diameter of 0.5 to 50 nm dispersed therein, and having an average light transmittance of 70% or more per 1 mm of optical path length at a sodium D-line wavelength. , Horizontally standing in an air atmosphere of 150 ° C., heating for 3 hours, and then standing in an air atmosphere of 23 ° C. 50% relative humidity for 1 week. The dimensional change rate before and after the heating test is 0.05% or less. A resin composition molded body characterized by the above.
【請求項2】 数平均粒径0.5〜50nmの超微粒子
が分散してなる樹脂組成物を主体とし、ナトリウムD線
波長における光路長1mm当たりの光線透過率の平均が
70%以上であり、40℃の温水中に1時間浸漬し次い
で23℃相対湿度50%の空気雰囲気下に1週間静置す
る温水試験前後の寸法変化率が0.05%以下であるこ
とを特徴とする樹脂組成物成形体。
2. A resin composition mainly comprising ultrafine particles having a number average particle diameter of 0.5 to 50 nm dispersed therein, and having an average light transmittance of 70% or more per 1 mm of optical path length at a sodium D-line wavelength. Resin composition characterized by having a dimensional change rate of 0.05% or less before and after a hot water test in which it is immersed in 40 ° C. warm water for 1 hour and then allowed to stand in an air atmosphere at 23 ° C. and 50% relative humidity for 1 week. Molded article.
【請求項3】 超微粒子が、無機物を含有するものであ
る請求項1又は2に記載の樹脂組成物成形体。
3. The resin composition molded article according to claim 1, wherein the ultrafine particles contain an inorganic material.
【請求項4】 超微粒子が、半導体結晶を含有するもの
である請求項3に記載の樹脂組成物成形体。
4. The resin composition molded article according to claim 3, wherein the ultrafine particles contain semiconductor crystals.
【請求項5】 半導体結晶が、酸化チタン結晶、酸化亜
鉛結晶及び酸化セリウム結晶のいずれかである請求項4
に記載の樹脂組成物成形体。
5. The semiconductor crystal is any one of a titanium oxide crystal, a zinc oxide crystal and a cerium oxide crystal.
The resin composition molded article according to.
【請求項6】 窒素雰囲気下600℃において120分
間熱分解させて得られる残渣が、該熱分解前の重量の3
〜60%である請求項1〜5のいずれかに記載の樹脂組
成物成形体。
6. The residue obtained by pyrolyzing for 120 minutes at 600 ° C. in a nitrogen atmosphere is 3 times the weight before the pyrolysis.
It is -60%, The resin composition molded object in any one of Claims 1-5.
【請求項7】 粒径が60nm以上の超微粒子の割合
が、全超微粒子の体積に対して10体積%以下である請
求項1〜6のいずれかに記載の樹脂組成物成形体。
7. The resin composition molded article according to claim 1, wherein the ratio of the ultrafine particles having a particle diameter of 60 nm or more is 10% by volume or less based on the volume of all the ultrafine particles.
【請求項8】 波長350nmにおける光路長1mm当
たりの光線透過率の平均が50%以下である請求項1〜
7のいずれかに記載の樹脂組成物成形体。
8. The average of light transmittances per 1 mm of optical path length at a wavelength of 350 nm is 50% or less.
7. A resin composition molded body according to any one of 7.
【請求項9】 ガラス転移温度が150℃以上である請
求項1〜8のいずれかに記載の樹脂組成物成形体。
9. The molded resin composition according to claim 1, which has a glass transition temperature of 150 ° C. or higher.
【請求項10】 光路長1mm当たりの複屈折の平均が
10nm以下である請求項1〜9のいずれかに記載の樹
脂組成物成形体。
10. The resin composition molded article according to claim 1, wherein the average of birefringence per 1 mm of the optical path length is 10 nm or less.
【請求項11】 線膨張係数の方向異方性の標準偏差
が、線膨張係数の平均の10%以下である請求項1〜1
0のいずれかに記載の樹脂組成物成形体。
11. The standard deviation of the directional anisotropy of the linear expansion coefficient is 10% or less of the average of the linear expansion coefficient.
0. The resin composition molded article according to any one of 0.
【請求項12】 表面粗さRaの平均が0.1μm以下
である請求項1〜11のいずれかに記載の樹脂組成物成
形体。
12. The resin composition molded body according to claim 1, wherein the average of the surface roughness Ra is 0.1 μm or less.
【請求項13】 超微粒子が、有機配位子を結合したも
のである請求項1〜12のいずれかに記載の樹脂組成物
成形体。
13. The resin composition molded article according to claim 1, wherein the ultrafine particles have an organic ligand bonded thereto.
【請求項14】 樹脂組成物が、架橋樹脂組成物である
請求項1〜13のいずれかに記載の樹脂組成物成形体。
14. The resin composition molded article according to claim 1, wherein the resin composition is a crosslinked resin composition.
【請求項15】 架橋樹脂組成物が、重合性単量体を含
有する重合性液体混合物を重合させてなるものである請
求項14に記載の樹脂組成物成形体。
15. The resin composition molded article according to claim 14, wherein the crosslinked resin composition is obtained by polymerizing a polymerizable liquid mixture containing a polymerizable monomer.
【請求項16】 重合性単量体が、下記一般式A及び/
又はBを主体とするものである請求項15に記載の樹脂
組成物成形体。 成分(A):下記一般式(1)で表される含脂環骨格ビ
ス(メタ)アクリレート。 【化1】 (一般式(1)において、RaおよびRbはそれぞれ独立
してそれぞれ水素原子又はメチル基を、RcおよびRd
それぞれ独立して炭素数6以下のアルキレン基を、xは
1又は2を、yは0または1を、それぞれ表す。) 成分(B):下記一般式(2)で表される硫黄原子を有
するビス(メタ)アクリレート。 【化2】 (一般式(2)において、RaおよびRbは前記一般式
(1)の場合と同一であり、Reは炭素数1〜6のアル
キレン基を表す。各Arはそれぞれ炭素数が6〜30で
あるアリーレン基又はアラルキレン基を表し、これらの
水素原子はフッ素以外のハロゲン原子で置換されていて
も良い。各Xはそれぞれ酸素原子または硫黄原子を表
し、各Xが全て酸素原子の場合、各Yのうち少なくとも
一つは硫黄原子又はスルホン基(−SO2−)を、各X
のうち少なくとも1つが硫黄原子の場合、各Yはそれぞ
れ硫黄原子、スルホン基、カルボニル基(−CO−)、
並びに炭素数1〜12のアルキレン基、アラルキレン
基、アルキレンエーテル基、アラルキレンエーテル基、
アルキレンチオエーテル基及びアラルキレンチオエーテ
ル基のいずれかを表し、j及びpはそれぞれ独立して1
〜5の整数を、kは0〜10の整数を表す。またkが0
の時はXは硫黄原子を表す。)
16. The polymerizable monomer has the following general formula A and / or
Alternatively, the resin composition molded article according to claim 15, which is mainly composed of B. Component (A): an alicyclic skeleton bis (meth) acrylate represented by the following general formula (1). [Chemical 1] (In the general formula (1), R a and R b are each independently a hydrogen atom or a methyl group, R c and R d are each independently an alkylene group having 6 or less carbon atoms, and x is 1 or 2 And y represents 0 or 1, respectively.) Component (B): a bis (meth) acrylate having a sulfur atom represented by the following general formula (2). [Chemical 2] (In the general formula (2), R a and R b are the same as in the general formula (1), R e is 6 carbon atoms, respectively representing. Each Ar represents an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms It represents an arylene group or an aralkylene group which is 30, and these hydrogen atoms may be substituted with a halogen atom other than fluorine, each X represents an oxygen atom or a sulfur atom, and when each X is an oxygen atom, At least one of each Y has a sulfur atom or a sulfone group (—SO 2 —)
When at least one of them is a sulfur atom, each Y is a sulfur atom, a sulfone group, a carbonyl group (—CO—),
And an alkylene group having 1 to 12 carbon atoms, an aralkylene group, an alkylene ether group, an aralkylene ether group,
Represents either an alkylene thioether group or an aralkylene thioether group, and j and p are each independently 1
Is an integer of 5 and k is an integer of 0-10. K is 0
Then X represents a sulfur atom. )
【請求項17】 成形体表面に、ガスバリア層、ハード
コート層及び導電層から選ばれる少なくとも1つの機能
層を有することを特徴とする請求項1〜16のいずれか
に記載の樹脂組成物成形体。
17. The resin composition molded article according to claim 1, which has at least one functional layer selected from a gas barrier layer, a hard coat layer and a conductive layer on the surface of the molded article. .
【請求項18】 請求項1〜17のいずれかに記載の樹
脂組成物成形体からなる光学部材。
18. An optical member comprising the resin composition molded body according to claim 1.
【請求項19】 超微粒子が分散した熱可塑性樹脂組成
物である原料塊を、該熱可塑性樹脂組成物のガラス転移
温度よりも10〜80℃高い温度条件で加圧成形するこ
とを特徴とする請求項1〜16のいずれかに記載の樹脂
組成物成形体の製造方法。
19. A raw material lump, which is a thermoplastic resin composition in which ultrafine particles are dispersed, is pressure-molded under a temperature condition 10 to 80 ° C. higher than the glass transition temperature of the thermoplastic resin composition. A method for producing a resin composition molded body according to any one of claims 1 to 16.
【請求項20】 加圧成形圧力が、10〜20000g
/cm2である請求項19に記載の樹脂組成物成形体の
製造方法。
20. Pressure molding pressure is 10 to 20000 g
The method for producing a resin composition molded body according to claim 19, wherein the resin composition molded body is / cm 2 .
【請求項21】 加圧成形の際、原料塊又は樹脂組成物
成形体の周囲が不活性ガス雰囲気又は真空である請求項
19または20に記載の樹脂組成物成形体の製造方法。
21. The method for producing a resin composition molded article according to claim 19, wherein the raw material mass or the periphery of the resin composition molded article is an inert gas atmosphere or a vacuum during the pressure molding.
【請求項22】 加圧成形の最後の1分間以上における
加圧成形圧力の時間平均が0〜1000(g/cm2
の範囲である請求項19〜21のいずれかに記載の樹脂
組成物成形体の製造方法。
22. The time average of the pressure molding pressure in the last minute or more of the pressure molding is 0 to 1000 (g / cm 2 ).
The method for producing a resin composition molded article according to any one of claims 19 to 21, which is in the range of.
【請求項23】 加圧成形後、樹脂組成物成形体を挟ん
だ面から剥離する温度D(℃)が、熱可塑性樹脂組成物
のガラス転移温度Tg(℃)に対して、下記数式(A)
の範囲内にある請求項19〜22のいずれかに記載の樹
脂組成物成形体の製造方法。 【数1】Tg>D≧Tg−120 (A)
23. After pressure molding, the temperature D (° C.) at which the resin composition molded article is separated from the sandwiched surface is expressed by the following mathematical formula (A) with respect to the glass transition temperature Tg (° C.) of the thermoplastic resin composition. )
The method for producing a resin composition molded article according to any one of claims 19 to 22, wherein the method is within the range. [Formula 1] Tg> D ≧ Tg−120 (A)
【請求項24】 熱又は活性エネルギー線によって重合
性液体混合物を硬化させることを特徴とする請求項15
又は16に記載の樹脂組成物成形体の製造方法。
24. The polymerizable liquid mixture is cured by heat or active energy rays.
Or the method for producing a resin composition molded article according to item 16.
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