JP2003183414A - Formed body of crosslinked resin composition containing super fine particle - Google Patents

Formed body of crosslinked resin composition containing super fine particle

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JP2003183414A
JP2003183414A JP2001379700A JP2001379700A JP2003183414A JP 2003183414 A JP2003183414 A JP 2003183414A JP 2001379700 A JP2001379700 A JP 2001379700A JP 2001379700 A JP2001379700 A JP 2001379700A JP 2003183414 A JP2003183414 A JP 2003183414A
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group
resin composition
crosslinked resin
ultrafine particles
composition molded
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Satoshi Ezaki
聡 江崎
Manabu Kawa
学 加和
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Mitsubishi Chemical Corp
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Mitsubishi Chemical Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a formed body of a crosslinked resin composition having a good transparency together with improved tensile strength and elastic modulus. <P>SOLUTION: The crosslinked resin composition comprises super fine particles with a number average particle diameter of 0.5-50 nm dispersed therein and has a tensile strength of ≥1 MPa and has an average light transmittance of ≥70% per 1 mm of optical path length at the wave length of sodium D line and a minimal thickness of ≥0.1 mm. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、超微粒子を均質に
分散し優れた透明性及び引張強度を有する架橋樹脂組成
物成形体に関する。本発明の架橋樹脂組成物成形体は、
該超微粒子の有する特性、例えば紫外線吸収能や優れた
耐熱性等を有するので様々な光学部材用途に利用され
る。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a crosslinked resin composition molded body in which ultrafine particles are uniformly dispersed and which has excellent transparency and tensile strength. The crosslinked resin composition molded body of the present invention,
Since the ultrafine particles have characteristics such as ultraviolet ray absorbing ability and excellent heat resistance, they are used for various optical member applications.

【0002】[0002]

【従来の技術】無機塩、半導体及び金属等の非有機物質
の性質を、優れた成形加工性を有する材料の特性として
利用する場合に、一般に有機樹脂材料に該非有機物質を
微粒子として分散する手法が用いられる。架橋樹脂マト
リクスを使用すると、多くの架橋点が高分子鎖の可動性
を顕著に束縛する効果により、特に優れた寸法安定性及
び耐溶剤性を発揮する利点がある。
2. Description of the Related Art When utilizing the properties of a non-organic substance such as an inorganic salt, a semiconductor and a metal as a property of a material having excellent moldability, a method of dispersing the non-organic substance as fine particles in an organic resin material is generally used. Is used. The use of the crosslinked resin matrix has the advantage of exhibiting particularly excellent dimensional stability and solvent resistance due to the effect that many crosslink points significantly restrain the mobility of the polymer chain.

【0003】高度の透明性を要求される光学材料にかか
る手法を利用する場合、該微粒子は一般に樹脂マトリク
スとの屈折率差を有するので、光散乱を低減するために
はその粒径を少なくとも使用する光の波長よりも小さく
する必用がある。更に、レイリー散乱による透過光強度
の減衰を低減するためには、超微粒子化、特に粒径が1
0nm未満程度のナノ粒子をできる限り狭い粒径分布を
もって調製して分散することが好ましく、こうしたナノ
粒子の合成自体が最先端の研究課題となっているのが現
状である。
In the case of using a method for an optical material that requires a high degree of transparency, the fine particles generally have a refractive index difference from that of the resin matrix, so that at least the particle size is used to reduce light scattering. It is necessary to make the wavelength smaller than the wavelength of the light. Furthermore, in order to reduce the attenuation of the transmitted light intensity due to Rayleigh scattering, the particles are made into ultrafine particles, and especially the particle size is 1
It is preferable to prepare and disperse nanoparticles having a size of less than 0 nm with a particle size distribution as narrow as possible, and the synthesis itself of such nanoparticles is currently the most advanced research subject.

【0004】無機物質等の超微粒子を樹脂マトリクス中
に2次凝集を可及的に低減した状態で分散させる必要性
が一般に認識されている。このような課題を解決するた
め、超微粒子の表面の化学構造や化学組成を制御する以
下の公報の技術が提案されている。特開平11−435
56号公報には、半導体超微粒子に表面修飾を施し、更
にその表面修飾の持つ官能基と樹脂とを反応させる(特
に溶液中での高分子反応が好ましい)ことにより、粗大
粒子の生成を抑制しかつ凝集を抑えつつ半導体超微粒子
を分散させた透明性に優れた樹脂組成物を得る方法が報
告されている。特開平5−221640号公報には、酸
化チタン超微粒子の表面にトリアルコキシシラン類を結
合させて樹脂マトリクスに分散させた樹脂組成物に関す
る技術が開示されている。特開平11−286619号
公報には、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化セリウム等の酸
化物超微粒子の表面に配位アニオン重合触媒活性を持た
せポリオレフィン樹脂系の高分子被膜を形成させ有機物
マトリクスへの分散性を向上させる技術が開示されてい
る。特開2000−230107号公報には、酸化珪
素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム等の酸化物超
微粒子の表面に重合性を有する有機化合物等を結合し架
橋樹脂マトリクスに分散させる技術が開示されている。
特開2000−95967号公報及び特開2000−2
81934号公報には、酸化物超微粒子の表面に変性メ
タクリレート類等で処理することにより樹脂マトリクス
への分散性を向上させる技術が開示されている。特開2
001−2417号公報には、酸化チタン超微粒子を変
性ポリシロキサン類を用いて樹脂マトリクスへの分散性
を向上させる技術が開示されている。これらいずれの公
報が開示する樹脂組成物技術により確かにある程度の透
明性を有するコーティング膜等の薄膜状成形体は得られ
るが、最小厚みが0.1mm以上程度のある程度の厚さ
を有ししかも高度の透明性と優れた機械的強度(特に引
張強度又は弾性率)を有する架橋樹脂組成物成形体を得
ることはできなかった。
It is generally recognized that it is necessary to disperse ultrafine particles of an inorganic substance or the like in a resin matrix with secondary aggregation reduced as much as possible. In order to solve such a problem, the technology of the following publications has been proposed for controlling the chemical structure and chemical composition of the surface of ultrafine particles. JP-A-11-435
No. 56 discloses that formation of coarse particles is suppressed by subjecting semiconductor ultrafine particles to surface modification and further reacting a functional group possessed by the surface modification with a resin (particularly preferably a polymer reaction in a solution). In addition, a method for obtaining a resin composition having excellent transparency in which semiconductor ultrafine particles are dispersed while suppressing aggregation is reported. JP-A-5-221640 discloses a technique relating to a resin composition in which trialkoxysilanes are bound to the surface of titanium oxide ultrafine particles and dispersed in a resin matrix. Japanese Patent Laid-Open No. 11-286619 discloses a method for forming a polyolefin resin-based polymer film on a surface of ultrafine oxide particles of titanium oxide, zinc oxide, cerium oxide, etc., which has a coordination anionic polymerization catalytic activity to form an organic matrix. Techniques for improving dispersibility are disclosed. Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-230107 discloses a technique in which a polymerizable organic compound or the like is bonded to the surface of ultrafine oxide particles of silicon oxide, aluminum oxide, zirconium oxide or the like and dispersed in a crosslinked resin matrix.
JP 2000-95967 A and JP 2000-2.
Japanese Patent No. 81934 discloses a technique of improving the dispersibility in a resin matrix by treating the surface of ultrafine oxide particles with a modified methacrylate or the like. JP 2
Japanese Patent Publication No. 001-2417 discloses a technique for improving the dispersibility of titanium oxide ultrafine particles in a resin matrix by using modified polysiloxanes. Although the resin composition technology disclosed in any of these publications can certainly provide a thin film shaped article such as a coating film having a certain degree of transparency, it has a certain minimum thickness of about 0.1 mm or more. It was not possible to obtain a crosslinked resin composition molded product having a high degree of transparency and excellent mechanical strength (particularly tensile strength or elastic modulus).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記実状に鑑
みてなされたものであり、その目的は、超微粒子を均質
に分散して含有し、最小厚みが0.1mm以上であり、
優れた透明性、並びに大きな引張強度又は弾性率とを兼
備する架橋樹脂組成物成形体及びその製造方法、並びに
該成形体の用途を提供することに存する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to contain ultrafine particles uniformly dispersed and to have a minimum thickness of 0.1 mm or more,
It is intended to provide a crosslinked resin composition molded article having excellent transparency and a large tensile strength or elastic modulus, a method for producing the same, and an application of the molded article.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の目的
を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、透明性に優れた樹
脂マトリクスへの相溶性又は反応性を付与する有機配位
子による表面修飾を施した特定粒径の超微粒子を原料と
する架橋樹脂組成物を、特定の重合性単量体を使用する
架橋樹脂成形法により成形体とすることで、該有機配位
子の効果である超微粒子の2次凝集抑制及び界面接着効
果により非常に優れた透明性を有し、しかも大きな引張
強度又は弾性率を有する架橋樹脂組成物成形体をなるこ
とを見いだし、本発明に到達した。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found that an organic ligand that imparts compatibility or reactivity to a resin matrix having excellent transparency is used. The effect of the organic ligand is obtained by forming a cross-linked resin composition using surface-modified ultrafine particles having a specific particle diameter as a raw material by a cross-linking resin molding method using a specific polymerizable monomer. It was found that a crosslinked resin composition molded body having extremely excellent transparency due to the suppression of secondary aggregation of ultrafine particles and the effect of interfacial adhesion, and having a large tensile strength or elastic modulus was obtained, and reached the present invention. .

【0007】即ち、本発明の第1の趣旨は、数平均粒径
0.5〜50nmの超微粒子が分散しており引張強度が
1MPa以上である架橋樹脂組成物からなり、ナトリウ
ムD線波長における光路長1mm当たりの光線透過率の
平均が70%以上であり最小厚みが0.1mm以上であ
る架橋樹脂組成物成形体、に存する。本発明の第2の趣
旨は、熱又は活性エネルギー線によって重合性液体混合
物を硬化させることを特徴とする上記架橋樹脂組成物成
形体の製造方法、に存する。
That is, the first gist of the present invention consists of a crosslinked resin composition in which ultrafine particles having a number average particle diameter of 0.5 to 50 nm are dispersed and which has a tensile strength of 1 MPa or more, and at a sodium D-ray wavelength. The crosslinked resin composition molded body has an average light transmittance of 70% or more per 1 mm of optical path length and a minimum thickness of 0.1 mm or more. The second gist of the present invention resides in a method for producing the above-mentioned crosslinked resin composition molded body, characterized in that the polymerizable liquid mixture is cured by heat or active energy rays.

【0008】本発明の第3の趣旨は、上記架橋樹脂組成
物成形体からなる光学部材、に存する。
The third gist of the present invention resides in an optical member comprising the above-mentioned crosslinked resin composition molded body.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
[架橋樹脂組成物]本発明の架橋樹脂組成物成形体は、
数平均粒径0.5〜50nmの超微粒子が分散しており
引張強度が1MPa以上である架橋樹脂組成物からなる
ものである。与えられた成形体が架橋樹脂組成物からな
ることは、該成形体の一部又は全部を任意の溶剤に溶解
しようとした場合に、溶剤不溶成分が存在することから
わかる。かかる溶剤溶解性試験に使用した成形体の一部
又は全部の重量に対する該溶剤不溶成分の割合は、通常
1〜100重量%、寸法安定性や耐溶剤性の点で好まし
くは3〜100重量%、更に好ましくは5〜100重量
%である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below.
[Crosslinked resin composition] The crosslinked resin composition molded article of the present invention is
It comprises a crosslinked resin composition in which ultrafine particles having a number average particle diameter of 0.5 to 50 nm are dispersed and which has a tensile strength of 1 MPa or more. It can be seen that the given molded article is composed of the crosslinked resin composition because the solvent-insoluble component is present when part or all of the molded article is to be dissolved in an arbitrary solvent. The ratio of the solvent-insoluble component to the weight of a part or the whole of the molded product used in the solvent solubility test is usually 1 to 100% by weight, preferably 3 to 100% by weight in terms of dimensional stability and solvent resistance. , And more preferably 5 to 100% by weight.

【0010】上記引張強度の測定は、与えられた成形体
自体又はそこから切削加工により調製される引張試験片
を用い、ASTM−D638規格に準じて行われる。こ
れは、架橋樹脂組成物は十分な熱可塑性や溶剤溶解性を
有さないため、与えられた成形体の一部又は全部を公知
の溶融成型や溶液成形により再度成形しなおすことが実
質的に不可能であるためである。
The above-mentioned tensile strength is measured according to the ASTM-D638 standard using a given molded body itself or a tensile test piece prepared by cutting from the molded body. This is because the crosslinked resin composition does not have sufficient thermoplasticity or solvent solubility, so it is practical to remold a part or all of a given molded body by known melt molding or solution molding. Because it is impossible.

【0011】[架橋樹脂組成物成形体]本発明の架橋樹
脂組成物成形体は、数平均粒径0.5〜50nmの超微
粒子が分散しており引張強度が1MPa以上である架橋
樹脂組成物からなり、ナトリウムD線波長における光路
長1mm当たりの光線透過率の平均が70%以上であり
最小厚みが0.1mm以上であるものである。上記超微
粒子については後に詳述するが、後述する有機配位子を
結合したものである場合、特に優れた引張強度又は弾性
率、並びに光線透過率を発揮する。この有機配位子の効
果の理由は定かでないが、2次凝集抑制の効果の他に、
無機物等の超微粒子表面に架橋樹脂マトリクスの高分子
鎖が吸着される界面接着効果が、上記特定の粒径を有す
る超微粒子の使用による従来にない非常に大きな表面積
により全く予期しない程顕著となり、これが成形体の総
体として該高分子鎖の可動性を抑制し、機械的強度に顕
著な影響を与えるためであるとも推測される。
[Crosslinked resin composition molded article] The crosslinked resin composition molded article of the present invention has ultrafine particles having a number average particle diameter of 0.5 to 50 nm dispersed therein and a tensile strength of 1 MPa or more. The average light transmittance is 1% or more and the minimum thickness is 0.1 mm or more at a sodium D-line wavelength. The ultrafine particles will be described in detail later, but when they are combined with an organic ligand described later, they exhibit particularly excellent tensile strength or elastic modulus, and light transmittance. Although the reason for the effect of this organic ligand is not clear, in addition to the effect of suppressing secondary aggregation,
The interfacial adhesion effect in which the polymer chains of the crosslinked resin matrix are adsorbed on the surface of the ultrafine particles such as an inorganic substance becomes extremely unexpectedly remarkable due to the unprecedented very large surface area due to the use of the ultrafine particles having the above-mentioned specific particle size, It is presumed that this is because the mobility of the polymer chains is suppressed as a whole of the molded body, and the mechanical strength is significantly affected.

【0012】与えられた成形体が架橋樹脂マトリクスか
らなることの判定は、溶剤溶解試験において、溶剤不溶
性高分子成分の存在の確認により可能である。これは、
高分子鎖の架橋による効果である。ここで使用される溶
剤に制限はなく、可及的に良溶剤を選択することが望ま
しい。高分子の溶解性に優れる代表的な溶剤としては、
テトラヒドロフラン、クロロホルム、クロロベンゼン、
クロロナフタレン、ヘキサフルオロイソプロパノール、
m−クレゾール、テトラクロロエタンなどが例示され
る。上記溶剤溶解試験においては、高分子鎖の切断反応
が実質的に進行しない条件(温度、pH、時間等)で行
う必要がある。かかる溶剤溶解試験における溶剤不溶性
の高分子成分の重量割合は、後述する熱重量分析で決定
される全有機物重量に対して通常1〜100%、架橋樹
脂組成物成形体の寸法安定性及び耐溶剤性の点で好まし
くは5〜100%、更に好ましくは10〜100%であ
る。
The determination that a given molded article is composed of a crosslinked resin matrix can be made by confirming the presence of a solvent-insoluble polymer component in a solvent dissolution test. this is,
This is the effect of cross-linking the polymer chains. There is no limitation on the solvent used here, and it is desirable to select a good solvent as much as possible. As a typical solvent with excellent polymer solubility,
Tetrahydrofuran, chloroform, chlorobenzene,
Chloronaphthalene, hexafluoroisopropanol,
Examples are m-cresol and tetrachloroethane. The solvent dissolution test needs to be performed under conditions (temperature, pH, time, etc.) in which the polymer chain cleavage reaction does not substantially proceed. The weight ratio of the solvent-insoluble polymer component in the solvent dissolution test is usually 1 to 100% with respect to the total weight of organic substances determined by thermogravimetric analysis described later, the dimensional stability of the crosslinked resin composition molded article and the solvent resistance. From the viewpoint of sex, it is preferably 5 to 100%, more preferably 10 to 100%.

【0013】上記架橋樹脂組成物成形体の製造方法に制
限はないが、好ましい製造方法としては、後述する重合
性単量体と超微粒子とを含有する重合性液体混合物を成
形型内に装入し次いで重合反応を行い架橋樹脂組成物を
該成形型内において形成させる方法(以下「架橋樹脂成
形法」と称する)が例示される。本発明の架橋樹脂組成
物成形体の透明性を規定する上記ナトリウムD線波長に
おける光路長1mm当たりの光線透過率の平均(以下
「D線透過率」と称する)が小さすぎると透明性は不十
分となり光学部材としての使用に支障を来す場合がある
ので、該D線透過率の値は好ましくは80%以上、更に
好ましくは85%以上、最も好ましくは89%以上であ
る。ここでいう「平均」とは、与えられた成形体の少な
くとも10の任意箇所におけるD線透過率の測定値を、
該測定における光路長に基づいて比例計算により光路長
1mm当たりの値に換算したものであり、その測定箇所
の数は平均値の信頼性の点で可及的に多いことが望まし
い。
The method for producing the above-mentioned molded product of the crosslinked resin composition is not limited, but a preferred method is to charge a molding liquid with a polymerizable liquid mixture containing a polymerizable monomer and ultrafine particles described below. Then, a polymerization reaction is performed to form a crosslinked resin composition in the molding die (hereinafter referred to as "crosslinked resin molding method"). If the average light transmittance (hereinafter referred to as "D-ray transmittance") per 1 mm of the optical path length at the sodium D-ray wavelength that defines the transparency of the crosslinked resin composition molded article of the present invention is too small, the transparency is poor. The value of the D-ray transmittance is preferably 80% or more, more preferably 85% or more, and most preferably 89% or more, since it becomes sufficient and may hinder the use as an optical member. The term "average" used here means the measured value of the D-ray transmittance at at least 10 arbitrary points of a given molded article,
The value is converted into a value per 1 mm of the optical path length by proportional calculation based on the optical path length in the measurement, and it is desirable that the number of measurement points is as large as possible in terms of reliability of the average value.

【0014】本発明の架橋樹脂組成物成形体における最
小厚みは0.1mmでありこれが小さすぎると架橋樹脂
組成物成形体の機械的強度が極端に低下する場合がある
ので、この最小厚みは好ましくは0.5mm、更に好ま
しくは1mmである。また、本発明の架橋樹脂組成物成
形体における最大厚みは通常100mmでありこれが大
きすぎると架橋樹脂組成物成形体の総体としての光線透
過率が極端に低下する場合があるので、この最大厚みは
好ましくは50mm、更に好ましくは30mm程度であ
る。
The minimum thickness of the crosslinked resin composition molded article of the present invention is 0.1 mm, and if this is too small, the mechanical strength of the crosslinked resin composition molded article may be extremely reduced, so this minimum thickness is preferred. Is 0.5 mm, more preferably 1 mm. In addition, the maximum thickness of the crosslinked resin composition molded body of the present invention is usually 100 mm, and if this is too large, the light transmittance as a whole of the crosslinked resin composition molded body may be extremely lowered, so this maximum thickness is It is preferably 50 mm, more preferably about 30 mm.

【0015】本発明の架橋樹脂組成物成形体に使用され
る超微粒子は、寸法安定性の点で無機物を含有するもの
であることが好ましい。この理由は、無機物(例えば非
晶質SiO2等の無機ガラス類、酸化チタン類や酸化亜
鉛等の半導体、金や銀等の金属、フッ化マグネシウム等
の金属塩、等)は一般に線膨張係数が小さいこと、水溶
性を有さない場合には吸水性が小さい又は実質的に非吸
水性であるという特徴を有することによるものと考えら
れる。
The ultrafine particles used in the crosslinked resin composition molded product of the present invention preferably contain an inorganic substance from the viewpoint of dimensional stability. The reason for this is that inorganic substances (for example, inorganic glasses such as amorphous SiO 2 , semiconductors such as titanium oxides and zinc oxide, metals such as gold and silver, metal salts such as magnesium fluoride) generally have linear expansion coefficients. Is considered to be small, and when it is not water-soluble, it has a feature that its water absorption is small or it is substantially non-water-absorption.

【0016】上記超微粒子の数平均粒径が小さすぎると
該超微粒子を構成する物質固有の特性(例えば半導体の
結晶性に起因するバンド構造の形成)が顕著でなくなる
場合があり、逆に該数平均粒径が大きすぎると超微粒子
の凝集性が極端に増大して架橋樹脂組成物成形体の透明
性や機械的強度が極端に低下したり量子効果による特性
(例えば半導体結晶におけるエキシトン吸発光能)が顕
著でなくなる場合がある。従って該数平均粒径の下限値
は好ましくは1nm、より好ましくは2nm、更に好ま
しくは3nmであり、上限値は好ましくは40nm、よ
り好ましくは30nm、更に好ましくは20nmであ
る。
If the number average particle diameter of the ultrafine particles is too small, the characteristics peculiar to the substance forming the ultrafine particles (for example, the formation of a band structure due to the crystallinity of the semiconductor) may not be remarkable, and conversely If the number average particle size is too large, the cohesiveness of the ultrafine particles will be extremely increased, and the transparency and mechanical strength of the crosslinked resin composition molded article will be extremely decreased, and the characteristics due to the quantum effect (for example, exciton absorption and emission in semiconductor crystals). Noh) may not be noticeable. Therefore, the lower limit value of the number average particle diameter is preferably 1 nm, more preferably 2 nm, further preferably 3 nm, and the upper limit value is preferably 40 nm, more preferably 30 nm, still more preferably 20 nm.

【0017】本発明の架橋樹脂組成物成形体の透明性の
点で、粒径が60nm以上の超微粒子の割合は、全超微
粒子の体積に対して通常10体積%以下、好ましくは5
体積%以下、更に好ましくは3体積%以下である。上記
数平均粒径及び体積%の決定には、透過型電子顕微鏡
(TEM)観察像より測定される数値を用いる。即ち、
観察される超微粒子像と同面積の円の直径を該粒子像の
粒径と定義する。こうして決定される粒径を用い、例え
ば公知の画像データの統計処理手法により該数平均粒径
を算出するが、かかる統計処理に使用する超微粒子像の
数(統計処理データ数)は可及的多いことが当然望まし
く、本発明においては、再現性の点で無作為に選ばれた
該粒子像の個数として最低でも50個以上、好ましくは
80個以上、更に好ましくは100個以上とする。上記
体積%の計算は、上記により決定される粒径を直径とす
る球の体積で換算する。
From the viewpoint of transparency of the crosslinked resin composition molded article of the present invention, the ratio of ultrafine particles having a particle size of 60 nm or more is usually 10% by volume or less, preferably 5% by volume with respect to the total ultrafine particles.
It is preferably not more than 3% by volume, more preferably not more than 3% by volume. Numerical values measured from transmission electron microscope (TEM) observation images are used to determine the number average particle diameter and the volume%. That is,
The diameter of a circle having the same area as the observed ultrafine particle image is defined as the particle size of the particle image. The number average particle diameter is calculated, for example, by a known statistical processing method of image data using the thus determined particle diameter. The number of ultrafine particle images used for the statistical processing (the number of statistically processed data) is as small as possible. It is naturally desirable that the number is large, and in the present invention, the number of the particle images randomly selected from the viewpoint of reproducibility is at least 50, preferably 80 or more, more preferably 100 or more. The calculation of the volume% is performed by converting the volume of a sphere having the diameter determined by the above as a diameter.

【0018】本発明の架橋樹脂組成物成形体に使用され
る超微粒子の形状は、成形体の総体としての線膨張係数
の方向異方性を小さくする目的で、アスペクト比(長軸
と短軸との比)が通常1〜10、好ましくは1〜5、更
に好ましくは1〜3である。最も好ましいのは球状(即
ちアスペクト比が1)である。本発明の架橋樹脂組成物
成形体を窒素雰囲気下600℃において120分間熱分
解させて得る残渣は、該熱分解前の重量の通常1〜60
%である。かかる残渣は特に上記超微粒子が無機物を含
有する場合それに由来する場合が多いので、該残渣の量
は架橋樹脂組成物成形体中の超微粒子の含有量を反映す
る指標でもある。上記残渣の量が少なすぎると超微粒子
の特性が発現しにくくなる場合があるので該下限値は好
ましくは3%、更に好ましくは5%である。一方、上記
残渣の量が多すぎると本発明の架橋樹脂組成物成形体の
透明性や機械的強度が極端に悪化する場合があるので該
上限値は好ましくは50%、更に好ましくは40%であ
る。かかる残渣の量の測定は、例えば、与えられた成形
体を窒素雰囲気の電気炉中で加熱して行ってもよく、よ
り簡便には与えられた成形体の任意の一部分を切削して
採取したものを試料とし市販の装置を用い窒素雰囲気に
おける熱重量分析(TG)により行ってもよい。
The shape of the ultrafine particles used in the crosslinked resin composition molded body of the present invention has an aspect ratio (long axis and short axis) for the purpose of reducing the directional anisotropy of the linear expansion coefficient as a whole of the molded body. Ratio) is usually 1 to 10, preferably 1 to 5, and more preferably 1 to 3. Most preferred are spheres (ie aspect ratio 1). The residue obtained by thermally decomposing the crosslinked resin composition molded article of the present invention at 600 ° C. for 120 minutes in a nitrogen atmosphere is usually 1 to 60 by weight before the thermal decomposition.
%. Since such a residue is often derived especially when the above ultrafine particles contain an inorganic substance, the amount of the residue is also an index reflecting the content of the ultrafine particles in the crosslinked resin composition molded body. If the amount of the above residue is too small, the characteristics of the ultrafine particles may be difficult to develop, so the lower limit value is preferably 3%, more preferably 5%. On the other hand, if the amount of the above residue is too large, the transparency and mechanical strength of the crosslinked resin composition molded product of the present invention may be extremely deteriorated. Therefore, the upper limit is preferably 50%, more preferably 40%. is there. The amount of such a residue may be measured, for example, by heating a given shaped body in an electric furnace in a nitrogen atmosphere, and more simply, an arbitrary part of the given shaped body is cut and collected. It may be carried out by thermogravimetric analysis (TG) in a nitrogen atmosphere using a commercial product as a sample.

【0019】本発明の架橋樹脂組成物成形体の吸光特性
については適用する用途に応じ特に制限はないが、耐紫
外線性や紫外線遮蔽性を必要とする用途においては、波
長350nmにおける光路長1mm当たりの光線透過率
の平均(以下「350nm透過率」と称する)が50%
以下であることが好ましい。ここでいう「平均」とは、
与えられた成形体の少なくとも10の任意箇所における
上記350nm透過率の測定値を、該測定における光路
長に基づいて比例計算により光路長1mm当たりの値に
換算したものであり、その測定箇所の数は平均値の信頼
性の点で可及的に多いことが望ましい。ここで挙げた3
50nmという特定波長を指定する理由は、後述する半
導体結晶(例えば酸化チタン、酸化亜鉛、酸化セリウム
等)を含有する超微粒子を用いた場合、該半導体結晶の
基礎吸収により合成樹脂の光分解が顕著となる350n
m以下の紫外線を有効に吸収することが可能であるた
め、該紫外線の吸収能評価指標として適切であることに
存する。上記350nm透過率が大きすぎると本発明の
架橋樹脂組成物成形体の耐紫外線性や紫外線遮蔽性が極
端に低下する場合があるので、その上限値はより好まし
くは30%、更に好ましくは15%、最も好ましくは5
%である。
The light absorption characteristics of the crosslinked resin composition molded article of the present invention are not particularly limited depending on the application to which it is applied, but in applications requiring ultraviolet resistance or ultraviolet shielding, per 1 mm optical path length at a wavelength of 350 nm. Average light transmittance (hereinafter referred to as "350 nm transmittance") is 50%
The following is preferable. "Average" here means
The measured value of the above-mentioned 350 nm transmittance in at least 10 arbitrary points of a given molded body is converted into a value per 1 mm of the optical path length by proportional calculation based on the optical path length in the measurement. Is desirable in terms of reliability of the average value. 3 mentioned here
The reason for designating a specific wavelength of 50 nm is that when ultrafine particles containing a semiconductor crystal (for example, titanium oxide, zinc oxide, cerium oxide, etc.) described later are used, the photoabsorption of the synthetic resin is remarkable due to the basic absorption of the semiconductor crystal. 350n
Since it is possible to effectively absorb ultraviolet rays of m or less, it is appropriate as an index for evaluating the absorption ability of the ultraviolet rays. If the 350 nm transmittance is too large, the ultraviolet resistance and the ultraviolet shielding property of the crosslinked resin composition molded product of the present invention may be extremely lowered, so the upper limit is more preferably 30%, further preferably 15%. , Most preferably 5
%.

【0020】本発明の架橋樹脂組成物成形体の耐熱性に
ついては、ガラス転移温度(Tg)が150℃以上であ
ることが好ましい。このガラス転移温度が小さすぎると
本発明の架橋樹脂組成物成形体の耐熱性は不十分となり
上記寸法安定性が悪化する場合があるので、該ガラス転
移温度の値は好ましくは160℃以上、更に好ましくは
170℃以上である。かかる光線透過率の測定は、与え
られた架橋樹脂組成物成形体の任意部分を切削して採取
したものを試料とする示差熱分析(DSC)、与えられ
た架橋樹脂組成物成形体の任意部分の切削加工又は切削
して採取した熱可塑性架橋樹脂組成物を熱プレス成形し
て得る短冊状成形片の動的粘弾性試験(いわゆるtan
δ測定)、あるいは熱機械的分析法(TMA)等の荷重
下加熱による機械的変位を測定する軟化温度測定等、公
知の方法により行うが、これら例示の複数の測定方法に
おいてそれぞれ信頼できる測定値が異なるガラス転移温
度を与える場合はそれらのうち最も高い測定値を採用す
る。
Regarding the heat resistance of the crosslinked resin composition molded product of the present invention, it is preferable that the glass transition temperature (Tg) is 150 ° C. or higher. If the glass transition temperature is too low, the heat resistance of the crosslinked resin composition molded article of the present invention may be insufficient and the dimensional stability may be deteriorated. Therefore, the glass transition temperature is preferably 160 ° C or higher, It is preferably 170 ° C. or higher. The light transmittance is measured by differential thermal analysis (DSC) using a sample obtained by cutting an arbitrary portion of a given crosslinked resin composition molded article as a sample, and an arbitrary portion of a given crosslinked resin composition molded article. Dynamic viscoelasticity test of a strip-shaped molded piece obtained by hot press-molding a thermoplastic cross-linked resin composition obtained by cutting or cutting.
δ measurement), or a softening temperature measurement such as thermomechanical analysis (TMA) for measuring mechanical displacement due to heating under load, etc. If gives different glass transition temperatures, the highest of those is taken.

【0021】本発明の架橋樹脂組成物成形体において
は、光路長1mm当たりの複屈折の平均が10nm以下
であることが低光学歪みの点で好ましい。ここでいう
「平均」とは、与えられた成形体の少なくとも10の任
意箇所における複屈折の測定値を、該測定における光路
長に基づいて比例計算により光路長1mm当たりの値に
換算したものであり、その測定箇所の数は平均値の信頼
性の点で可及的に多いことが望ましい。上記複屈折の平
均が大きすぎると本発明の架橋樹脂組成物成形体の光学
歪みが大きすぎて光学部材としての使用に支障を来す場
合があるので、該複屈折の平均の値は好ましくは5nm
以下、更に好ましくは3nm以下、最も好ましくは2n
mである。
In the crosslinked resin composition molded product of the present invention, it is preferable that the average of birefringence per 1 mm of the optical path length is 10 nm or less from the viewpoint of low optical distortion. The term "average" as used herein means a value obtained by converting the measured value of birefringence in at least 10 arbitrary points of a given molded product into a value per 1 mm of optical path length by proportional calculation based on the optical path length in the measurement. Therefore, it is desirable that the number of measurement points is as large as possible in terms of reliability of the average value. If the average of the birefringence is too large, the optical distortion of the crosslinked resin composition molded article of the present invention may be too large and may hinder the use as an optical member, so the average value of the birefringence is preferably. 5 nm
Or less, more preferably 3 nm or less, most preferably 2n
m.

【0022】本発明の架橋樹脂組成物成形体において
は、成形体の総体として測定される線膨張係数の方向異
方性の標準偏差が、線膨張係数の平均の10%以下であ
ることが望ましい。ここでいう線膨張係数の測定は、例
えば市販の熱機械的分析法(TMA)装置により行われ
る。上記線膨張係数の方向異方性の標準偏差の測定は、
与えられた成形体の少なくとも6の任意方向における線
膨張係数の測定値の算術平均を上記線膨張係数の平均と
して算出する。この測定方向の数は数値の信頼性の点で
可及的に多いことが望ましい。上記線膨張係数の方向異
方性の標準偏差が大きすぎると本発明の架橋樹脂組成物
成形体の寸法安定性が光学部材として不十分となる場合
があるので、該標準偏差の値は好ましくは7%以下、更
に好ましくは5%以下である。
In the crosslinked resin composition molded product of the present invention, the standard deviation of the directional anisotropy of the linear expansion coefficient measured as the whole molded product is preferably 10% or less of the average of the linear expansion coefficient. .. The measurement of the coefficient of linear expansion here is performed by, for example, a commercially available thermomechanical analysis (TMA) device. The measurement of the standard deviation of the direction anisotropy of the linear expansion coefficient,
The arithmetic average of the measured values of the linear expansion coefficient in at least 6 arbitrary directions of a given molded body is calculated as the average of the linear expansion coefficients. It is desirable that the number of measurement directions is as large as possible in terms of numerical reliability. If the standard deviation of the directional anisotropy of the linear expansion coefficient is too large, the dimensional stability of the crosslinked resin composition molded article of the present invention may be insufficient as an optical member, so the value of the standard deviation is preferably It is 7% or less, more preferably 5% or less.

【0023】本発明の架橋樹脂組成物成形体において
は、その表面粗さRaの平均が0.1μm以下であるこ
とが望ましい。このRa値は、市販の表面粗さ測定器
(例えばダイヤモンド針(1μmR、90度円錐)を使
用)により測定される。上記Ra値が大きすぎると、例
えば液晶表示素子部材として利用する場合に、色滲み等
の問題が発生し画質が悪化するといった光学部材として
の性能を悪化させる場合があるので、好ましくは0.0
5μm以下、より好ましくは0.01μm以下である。
In the crosslinked resin composition molded product of the present invention, it is desirable that the average surface roughness Ra is 0.1 μm or less. This Ra value is measured by a commercially available surface roughness measuring device (for example, using a diamond stylus (1 μmR, 90 ° cone)). If the Ra value is too large, for example, when used as a liquid crystal display element member, a problem such as color bleeding may occur and the image quality may be deteriorated, which may deteriorate the performance as an optical member.
It is 5 μm or less, more preferably 0.01 μm or less.

【0024】本発明の架橋樹脂組成物成形体が無機物を
含有する超微粒子を含有する場合、無機物は有機物であ
る樹脂マトリクスと異なる光学特性を有する物質である
ため、成形体の総体として有機物単独では実現し得ない
特異な屈折率とアッベ数とのバランスを有するという特
徴を有する場合がある。かかる特異な屈折率とアッベ数
とのバランスは、レンズやプリズム等光の屈折を利用し
かつ複屈折が小さいことが望ましい用途において有用で
ある場合があり、具体的にはナトリウムD線波長におい
て23℃で測定される屈折率nDとアッベ数νDとの関係
を表す下記数式(B)の定数項Cが1.70〜1.90
の範囲を逸脱するような場合をいう。
When the molded product of the crosslinked resin composition of the present invention contains ultrafine particles containing an inorganic substance, the inorganic substance is a substance having optical characteristics different from that of the resin matrix which is an organic substance. It may have a feature of having a unique refractive index and an Abbe number that cannot be realized. Such a unique balance between the refractive index and the Abbe's number may be useful in applications where it is desirable to use the refraction of light such as a lens and a prism and to have a small birefringence. The constant term C of the following mathematical formula (B) representing the relationship between the refractive index n D and the Abbe number ν D measured at ° C is 1.70 to 1.90.
It means a case that deviates from the range.

【0025】[0025]

【数1】nD = −0.005νD + C (B) 透明樹脂材料において、一般に光路長が大きくなるに従
って複屈折も大きくなる。しかし、上記超微粒子(特に
無機物質の超微粒子)を架橋樹脂マトリクスに分散した
場合、光路長の増大の割には従来になく複屈折の増加率
が小さくなるという特徴を獲得する場合がある。従っ
て、厚み0.1mm以上という比較的厚い成形体におい
て、かかる特徴は低複屈折率化の点で有利となる。
## EQU1 ## n D = −0.005 ν D + C (B) In a transparent resin material, generally, the birefringence increases as the optical path length increases. However, when the above-mentioned ultrafine particles (particularly, ultrafine particles of an inorganic substance) are dispersed in a crosslinked resin matrix, there is a case that the increase rate of birefringence becomes smaller than ever before, despite the increase of the optical path length. Therefore, in a comparatively thick molded body having a thickness of 0.1 mm or more, such a feature is advantageous in terms of lowering the birefringence.

【0026】本発明の架橋樹脂組成物成形体には、本発
明の目的を著しく逸脱しない限りにおいて、各種添加剤
を併用してもよい。かかる添加剤としては、例えば酸化
防止剤、熱安定剤、あるいは光吸収剤等の安定剤類、ガ
ラス繊維、ガラスビーズ、マイカ、タルク、カオリン、
粘土鉱物、金属繊維、金属粉等のフィラー類、炭素繊
維、カーボンブラック、黒鉛等の炭素材料、帯電防止
剤、可塑剤、離型剤、消泡剤、レベリング剤、沈降防止
剤、界面活性剤、チクソトロピー付与剤等の改質剤類、
顔料、染料、色相調整剤等の着色剤類等が例示される。
本発明の架橋樹脂組成物成形体において、これらの各種
添加剤の添加量は成形体の用途に応じて適宜設定される
が、通常、10重量%以下、好ましくは5重量%以下で
ある。
Various additives may be used in combination with the crosslinked resin composition molded article of the present invention as long as the object of the present invention is not significantly deviated. As such additives, for example, antioxidants, heat stabilizers, or stabilizers such as light absorbers, glass fibers, glass beads, mica, talc, kaolin,
Clay minerals, fillers such as metal fibers and metal powders, carbon materials such as carbon fibers, carbon black and graphite, antistatic agents, plasticizers, release agents, defoamers, leveling agents, antisettling agents, surfactants , Modifiers such as thixotropy imparting agents,
Colorants such as pigments, dyes, and hue adjusters are exemplified.
In the crosslinked resin composition molded body of the present invention, the addition amount of these various additives is appropriately set depending on the use of the molded body, but is usually 10% by weight or less, preferably 5% by weight or less.

【0027】本発明の架橋樹脂組成物成形体の表面に
は、例えばガスバリア層、ハードコート層又は導電層等
のコーティング層を施すことができる。コーティングの
具体例としては、無機酸化物コーティング層からなる透
明導電層(例えば略称ITOであるインジウム錫酸化
物)やガスバリア層(例えばシリカ)、有機物コーティ
ング層からなるガスバリア層やハードコート等が挙げら
れ、そのコーティング法としては真空蒸着法、CVD
法、スパッタリング法、ディップコート法、スピンコー
ト法等公知のコーティング法を用いることができる。接
着性を高めるため、接着層を使用してもよい。これらの
コーティング層の厚さに制限はないが、通常100μm
以下、好ましくは50μm以下である。
A coating layer such as a gas barrier layer, a hard coat layer or a conductive layer can be provided on the surface of the crosslinked resin composition molded article of the present invention. Specific examples of the coating include a transparent conductive layer made of an inorganic oxide coating layer (for example, indium tin oxide which is an abbreviation ITO), a gas barrier layer (for example, silica), a gas barrier layer made of an organic coating layer, a hard coat, and the like. , Its coating method is vacuum deposition method, CVD
Known coating methods such as a coating method, a sputtering method, a dip coating method, and a spin coating method can be used. Adhesive layers may be used to enhance adhesion. The thickness of these coating layers is not limited, but is usually 100 μm.
The following is preferably 50 μm or less.

【0028】[重合性液体混合物と重合性単量体]本発
明の架橋樹脂組成物成形体の樹脂マトリクスの主体を形
成する架橋樹脂の種類には上記透明性の条件を満たす限
りにおいて制限はない。こうした架橋樹脂の原料は、通
常分子内に2個以上の重合性官能基を有する重合性単量
体を必須成分とする重合性液体混合物である。
[Polymerizable Liquid Mixture and Polymerizable Monomer] The type of the crosslinked resin forming the main component of the resin matrix of the crosslinked resin composition molding of the present invention is not limited as long as the above-mentioned transparency condition is satisfied. . The raw material of such a crosslinked resin is usually a polymerizable liquid mixture containing a polymerizable monomer having two or more polymerizable functional groups in the molecule as an essential component.

【0029】かかる重合性液体混合物は分子内に1個の
重合性官能基を有する重合性単量体を含有していてもよ
く、また上記重合性単量体の重合性を著しく阻害しない
限りにおいて重合性を有さない液体(溶媒)を含有して
いてもよい。また。通常、重合開始剤を添加することが
好ましい。かかる重合開始剤としては、光によりラジカ
ルを発生する性質を有する化合物である光ラジカル発生
剤及び熱によりラジカルを発生する性質を有する化合物
である熱ラジカル発生剤が一般的であり、公知のかかる
化合物を使用可能である。重合反応の進行の均質性や加
熱が必ずしも不要である点から好ましい重合開始剤は光
ラジカル発生剤であり、かかる光ラジカル発生剤として
は、ベンゾフェノン、ベンゾインメチルエーテル、ベン
ゾインイソプロピルエーテル、ジエトキシアセトフェノ
ン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、
2,6−ジメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキ
シド、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホ
スフィンオキシド等が例示され、複数種を併用してもよ
い。これらのうち好ましいのは、2,4,6−トリメチ
ルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド及びベンゾ
フェノンである。かかる重合開始剤の添加量は、重合性
単量体の総和100重量部に対し通常0.001〜3重
量部、好ましくは0.01〜1重量部、更に好ましくは
0.02〜0.3重量部であり、この添加量が多すぎる
と重合反応が急激に進行し複屈折の増大をもたらすだけ
でなく色相も悪化する場合があり、また少なすぎると十
分に硬化させることができなくなる場合がある。
Such a polymerizable liquid mixture may contain a polymerizable monomer having one polymerizable functional group in the molecule, and so long as it does not significantly impair the polymerizability of the above polymerizable monomer. You may contain the liquid (solvent) which does not have polymerizability. Also. Usually, it is preferable to add a polymerization initiator. As such a polymerization initiator, a photoradical generator which is a compound having a property of generating a radical by light and a thermal radical generator which is a compound having a property of generating a radical by heat are general, and such known compounds are known. Can be used. Preferred polymerization initiator is a photoradical generator from the viewpoint that homogeneity of progress of the polymerization reaction and heating are not always required, and as such a photoradical generator, benzophenone, benzoin methyl ether, benzoin isopropyl ether, diethoxyacetophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone,
2,6-dimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide and the like are exemplified, and a plurality of kinds may be used in combination. Of these, preferred are 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide and benzophenone. The amount of the polymerization initiator added is usually 0.001 to 3 parts by weight, preferably 0.01 to 1 part by weight, and more preferably 0.02 to 0.3, based on 100 parts by weight of the total amount of the polymerizable monomers. It is parts by weight, and if the addition amount is too large, the polymerization reaction may rapidly progress to bring about an increase in birefringence as well as deteriorate the hue, and if it is too small, it may not be possible to sufficiently cure. is there.

【0030】上記分子内に2個以上の重合性官能基を有
する重合性単量体として、透明性と低複屈折性に優れた
架橋架橋樹脂組成物を与える点で2官能性以上の(メ
タ)アクリレート類が好ましく用いられる。ただしここ
で「(メタ)アクリレート」なる表記は、アクリレート
又はメタクリレートのいずれか、という意味である。具
体的には、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレ
ート、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、2,
2−ビス[4−(メタ)アクリロイルオキシフェニル]
プロパン、2,2−ビス[4−(2−(メタ)アクリロ
イルオキシエトキシ)フェニル]プロパン、ビス(オキ
シメチル)トリシクロ[5.2.1.02, 6]デカン=
ジメタクリレート、p−ビス[β−(メタ)アクリロイ
ルオキシエチルチオ]キシリレン、4,4’−ビス[β
−(メタ)アクリロイルオキシエチルチオ]ジフェニル
スルフォン等の2価の(メタ)アクリレート類、トリメ
チロールプロパントリス(メタ)アクリレート、グリセ
リントリス(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトー
ルトリス(メタ)アクリレート等の3価の(メタ)アク
リレート類、ペンタエリスリトールテトラキス(メタ)
アクリレート等の4価の(メタ)アクリレート類、ウレ
タンアクリレート、エポキシアクリレート等の不定多価
の(メタ)アクリレート類等が例示される。これらのう
ち、架橋生成反応の制御性から上記2価の(メタ)アク
リレート類は好ましく用いられる。
Having two or more polymerizable functional groups in the molecule
As a polymerizable monomer that has excellent transparency and low birefringence
Crosslinking A resin having a functionality of 2 or more in terms of giving a crosslinked resin composition
) Acrylates are preferably used. But here
"(Meth) acrylate" means acrylate
Also, it means either methacrylate. Ingredient
Physically, triethylene glycol di (meth) acryl
, Hexanediol di (meth) acrylate, 2,
2-bis [4- (meth) acryloyloxyphenyl]
Propane, 2,2-bis [4- (2- (meth) acrylo]
Iloxyethoxy) phenyl] propane, bis (oxy)
Cimethyl) tricyclo [5.2.1.02, 6] Decan =
Dimethacrylate, p-bis [β- (meth) acryloyl
Luoxyethylthio] xylylene, 4,4′-bis [β
-(Meth) acryloyloxyethylthio] diphenyl
Divalent (meth) acrylates such as sulfone, trime
Tyrole propane tris (meth) acrylate, glyce
Lintris (meth) acrylate, pentaerythritol
Trivalent (meth) acrole such as rutris (meth) acrylate
Rilates, pentaerythritol tetrakis (meta)
Tetravalent (meth) acrylates such as acrylate, Ure
Indeterminate polyvalent tan acrylate, epoxy acrylate, etc.
(Meth) acrylates and the like are exemplified. These
From the controllability of the cross-linking reaction, the above-mentioned divalent (meth) activator
Relates are preferably used.

【0031】上記例示の(メタ)アクリレート類のうち
得られる重合体の透明性と低複屈折性をバランスよく実
現する点で特に好ましいのは、下記成分A及び下記成分
Bを単独もしくは複合での使用である。成分Aは、下記
一般式(1)で示される脂環骨格を有するビス(メタ)
アクリレートである。
Among the above-exemplified (meth) acrylates, particularly preferable in terms of achieving a good balance between transparency and low birefringence of the resulting polymer, the following components A and B are used alone or in combination. Is in use. Component A is bis (meth) having an alicyclic skeleton represented by the following general formula (1).
It is an acrylate.

【0032】[0032]

【化3】 [Chemical 3]

【0033】ただし一般式(1)において、Raおよび
bはそれぞれ独立してそれぞれ水素原子又はメチル基
を、RcおよびRdはそれぞれ独立して炭素数6以下のア
ルキレン基を、xは1又は2を、yは0または1を、そ
れぞれ表す。一般式(1)で示される成分Aの具体例と
しては、ビス(ヒドロキシメチル)トリシクロ[5.
2.1.02,6]デカン=ジアクリレート、ビス(ヒド
ロキシメチル)トリシクロ[5.2.1.02,6]デカ
ン=ジメタクリレート、ビス(ヒドロキシメチル)トリ
シクロ[5.2.1.02,6]デカン=アクリレートメ
タクリレート及びこれらの混合物、ビス(ヒドロキシメ
チル)ペンタシクロ[6.5.1.13,6.02,7.0
9,13]ペンタデカン=ジアクリレート、ビス(ヒドロキ
シメチル)ペンタシクロ[6.5.1.13,6.02,7
9,13]ペンタデカン=ジメタクリレート、ビス(ヒド
ロキシメチル)ペンタシクロ[6.5.1.13,6.0
2,7.09,13]ペンタデカン=アクリレートメタクリレ
ート及びこれらの混合物等が挙げられる。これらのトリ
シクロデカン化合物及びペンタシクロデカン化合物は、
複数種を併用しても構わない。
In the general formula (1), R a and R b are each independently a hydrogen atom or a methyl group, R c and R d are each independently an alkylene group having 6 or less carbon atoms, and x is 1 or 2, and y represents 0 or 1. Specific examples of the component A represented by the general formula (1) include bis (hydroxymethyl) tricyclo [5.
2.1.0 2,6 ] decane = diacrylate, bis (hydroxymethyl) tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane = dimethacrylate, bis (hydroxymethyl) tricyclo [5.2.1. 0 2,6 ] decane acrylate methacrylate and mixtures thereof, bis (hydroxymethyl) pentacyclo [6.5.1.1 3,6 . 0 2,7 . 0
9,13 ] Pentadecane diacrylate, bis (hydroxymethyl) pentacyclo [6.5.1.1 3,6 . 0 2,7 .
0 9,13 ] pentadecane dimethacrylate, bis (hydroxymethyl) pentacyclo [6.5.1.1 3,6 . 0
2,7 . 0 9,13 ] Pentadecane acrylate methacrylate and mixtures thereof. These tricyclodecane compounds and pentacyclodecane compounds are
You may use together multiple types.

【0034】成分Bは下記一般式(2)で表される硫黄
原子を有するビス(メタ)アクリレートである。
Component B is a bis (meth) acrylate having a sulfur atom represented by the following general formula (2).

【0035】[0035]

【化4】 [Chemical 4]

【0036】ただし一般式(2)において、Raおよび
bは前記一般式(1)の場合と同一であり、Reは炭素
数1〜6のアルキレン基を表す。各Arはそれぞれ炭素
数が6〜30であるアリーレン基又はアラルキレン基を
表し、これらの水素原子はフッ素以外のハロゲン原子で
置換されていても良い。各Xはそれぞれ酸素原子または
硫黄原子を表し、各Xが全て酸素原子の場合、各Yのう
ち少なくとも一つは硫黄原子又はスルホン基(−SO2
−)を、各Xのうち少なくとも1つが硫黄原子の場合、
各Yはそれぞれ硫黄原子、スルホン基、カルボニル基
(−CO−)、並びに炭素数1〜12のアルキレン基、
アラルキレン基、アルキレンエーテル基、アラルキレン
エーテル基、アルキレンチオエーテル基及びアラルキレ
ンチオエーテル基のいずれかを表し、j及びpはそれぞ
れ独立して1〜5の整数を、kは0〜10の整数を表
す。またkが0の時はXは硫黄原子を表す。
However, in the general formula (2), R a and R b are the same as in the case of the general formula (1), and R e represents an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. Each Ar represents an arylene group or an aralkylene group having 6 to 30 carbon atoms, and these hydrogen atoms may be substituted with a halogen atom other than fluorine. Each X represents an oxygen atom or a sulfur atom, and when all X are oxygen atoms, at least one of the Ys is a sulfur atom or a sulfone group (-SO 2
-), When at least one of each X is a sulfur atom,
Each Y is a sulfur atom, a sulfone group, a carbonyl group (-CO-), and an alkylene group having 1 to 12 carbon atoms,
Represents an aralkylene group, an alkylene ether group, an aralkylene ether group, an alkylene thioether group or an aralkylene thioether group, j and p each independently represent an integer of 1 to 5 and k represents an integer of 0 to 10. . When k is 0, X represents a sulfur atom.

【0037】一般式(2)で示される成分Bを具体的に
例示すれば、p−ビス[β−(メタ)アクリロイルオキ
シエチルチオ]キシリレン、m−ビス[β−(メタ)ア
クリロイルオキシエチルチオ]キシリレン、α、α’−
ビス[β−(メタ)アクリロイルオキシエチルチオ]−
2,3,5,6−テトラクロロ−p−キシリレン、4,
4’−ビス[β−(メタ)アクリロイルオキシエトキ
シ]ジフェニルスルフィド、4,4’−ビス[β−(メ
タ)アクリロイルオキシエトキシ]ジフェニルスルフォ
ン、4,4’−ビス[β−(メタ)アクリロイルオキシ
エチルチオ]ジフェニルスルフィド、4,4’−ビス
[β−(メタ)アクリロイルオキシエチルチオ]ジフェ
ニルスルフォン、4,4’−ビス[β−(メタ)アクリ
ロイルオキシエチルチオ]ジフェニルケトン、2,4’
−ビス[β−(メタ)アクリロイルオキシエチルチオ]
ジフェニルケトン、5,5’−テトラブロモジフェニル
ケトン、β,β’−ビス−[p−(メタ)アクリロイル
オキシフェニルチオ]ジエチルエーテル、β,β’−ビ
ス−[p−(メタ)アクリロイルオキシフェニルチオ]
ジエチルチオエーテル等が挙げられ、これらは複数種を
併用しても構わない。これらの中でもビス(ヒドロキシ
メチル)トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン=ジ
メタクリレートは優れた透明性及び耐熱性を有し、特に
好適に用いられる。
Specific examples of the component B represented by the general formula (2) include p-bis [β- (meth) acryloyloxyethylthio] xylylene and m-bis [β- (meth) acryloyloxyethylthio. ] Xylylene, α, α′-
Bis [β- (meth) acryloyloxyethylthio]-
2,3,5,6-tetrachloro-p-xylylene, 4,
4′-bis [β- (meth) acryloyloxyethoxy] diphenyl sulfide, 4,4′-bis [β- (meth) acryloyloxyethoxy] diphenylsulfone, 4,4′-bis [β- (meth) acryloyloxy Ethylthio] diphenyl sulfide, 4,4′-bis [β- (meth) acryloyloxyethylthio] diphenyl sulfone, 4,4′-bis [β- (meth) acryloyloxyethylthio] diphenyl ketone, 2,4 ′
-Bis [β- (meth) acryloyloxyethylthio]
Diphenyl ketone, 5,5′-tetrabromodiphenyl ketone, β, β′-bis- [p- (meth) acryloyloxyphenylthio] diethyl ether, β, β′-bis- [p- (meth) acryloyloxyphenyl Thio]
Examples thereof include diethyl thioether, and these may be used in combination of plural kinds. Among these, bis (hydroxymethyl) tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane dimethacrylate has excellent transparency and heat resistance and is particularly preferably used.

【0038】上記重合性液体混合物が含有する重合性単
量体の総和に対する分子内に2個以上の重合性官能基を
有する重合性単量体の割合は通常0.1〜100モル%
であり、重合反応により生成する架橋架橋樹脂組成物の
寸法安定性や機械的強度の点で該下限値は好ましくは1
モル%、更に好ましくは3モル%である。上記重合性液
体混合物には、製造される架橋樹脂組成物成形体が本発
明の目的を著しく逸脱しない限りにおいて、各種添加剤
を加えても構わない。かかる添加剤としては、例えば酸
化防止剤、熱安定剤、あるいは光吸収剤等の安定剤類、
ガラス繊維、ガラスビーズ、マイカ、タルク、カオリ
ン、粘土鉱物、金属繊維、金属粉等のフィラー類、炭素
繊維、カーボンブラック、黒鉛、カーボンナノチュー
ブ、C60等のフラーレン類等の炭素材料、帯電防止剤、
可塑剤、離型剤、消泡剤、レベリング剤、沈降防止剤、
界面活性剤、チクソトロピー付与剤等の改質剤類、顔
料、染料、色相調整剤等の着色剤類等が例示される。
The ratio of the polymerizable monomer having two or more polymerizable functional groups in the molecule is usually 0.1 to 100 mol% with respect to the total amount of the polymerizable monomers contained in the polymerizable liquid mixture.
The lower limit value is preferably 1 from the viewpoint of dimensional stability and mechanical strength of the crosslinked resin composition produced by the polymerization reaction.
Mol%, and more preferably 3 mol%. Various additives may be added to the polymerizable liquid mixture as long as the produced crosslinked resin composition molded article does not significantly deviate from the object of the present invention. Examples of such additives include stabilizers such as antioxidants, heat stabilizers, or light absorbers,
Fillers such as glass fibers, glass beads, mica, talc, kaolin, clay minerals, metal fibers and metal powders, carbon materials such as carbon fibers, carbon black, graphite, carbon nanotubes, fullerenes such as C 60 , antistatic agents ,
Plasticizer, release agent, defoaming agent, leveling agent, anti-settling agent,
Examples thereof include modifiers such as surfactants and thixotropy imparting agents, pigments, dyes, colorants such as hue adjusters, and the like.

【0039】上記重合性液体混合物の製造方法について
は、その構成成分、即ち前記一般式A及び/又はBで表
される分子内に2個以上の重合性官能基を有する重合性
単量体、上記超微粒子及び必要に応じて使用される追加
成分(分子内に1個の重合性官能基を有する重合性単量
体、重合性を有さない液体、上記重合開始剤、あるいは
上記各種添加剤等)を混合して実施する。かかる混合
は、機械的攪拌装置を有していてもよい公知の混合装置
を使用して行うことが可能であり、重合開始挙動を制御
する目的等必要に応じて遮光、冷却、不活性雰囲気の使
用などを併用してもよい。
Regarding the method for producing the above-mentioned polymerizable liquid mixture, the constituent component thereof, that is, the polymerizable monomer having two or more polymerizable functional groups in the molecule represented by the general formula A and / or B, The above ultrafine particles and additional components used as necessary (a polymerizable monomer having one polymerizable functional group in the molecule, a liquid having no polymerizability, the above polymerization initiator, or the above various additives). Etc.) are mixed and carried out. Such mixing can be carried out by using a known mixing device which may have a mechanical stirring device, and if necessary, such as light shielding, cooling, and inert atmosphere of the purpose of controlling the polymerization initiation behavior. You may use together.

【0040】[超微粒子]本発明に用いられる前記超微
粒子を構成する物質種には特に制限はなく、遷移金属
(例えば、金、白金、銀、パラジウム、ロジウム、亜
鉛、銅、ニッケル、鉄等の遷移金属単体、あるいはこれ
ら遷移金属の合金等)、半導体、金属の塩などの無機超
微粒子や、顔料結晶や樹脂微粒子等の有機化合物の超微
粒子、あるいはC60等フラーレン類やカーボンナノチュ
ーブなどの炭素材料超微粒子等を用いることができる。
これらのうち半導体超微粒子が、紫外線吸収能等の光吸
収特性、発光性、帯電防止性、光吸収飽和特性、高屈折
率性等の機能特性を本発明の架橋樹脂組成物成形体に付
与する効果を有するため好ましい。
[Ultrafine Particles] There are no particular restrictions on the species of the ultrafine particles used in the present invention, and transition metals (eg, gold, platinum, silver, palladium, rhodium, zinc, copper, nickel, iron, etc.) can be used. Transition metal alone or alloys of these transition metals), semiconductors, inorganic ultrafine particles such as salts of metals, ultrafine particles of organic compounds such as pigment crystals and resin fine particles, fullerenes such as C 60 and carbon nanotubes Ultrafine carbon material particles and the like can be used.
Among these, the semiconductor ultrafine particles impart to the crosslinked resin composition molded article of the present invention functional properties such as light absorption characteristics such as ultraviolet absorption ability, light emission properties, antistatic properties, light absorption saturation properties and high refractive index properties. It is preferable because it has an effect.

【0041】上記超微粒子の粒径分布は、これが小さい
ほど分散性の均質性が向上し、半導体結晶を含有する超
微粒子がエキシトン吸発光帯を有する場合にはその波長
幅が小さくなるので好ましい場合がある。従って、該粒
径分布はその標準偏差として通常20%以下、好ましく
は15%以下、更に好ましくは10%以下に制御する。
但し、超微粒子の高屈折率性や基礎吸収を利用する用途
(紫外線吸収用途、反射制御膜、あるいは光導波路等)
においては、かかる粒径分布は問題とならない場合もあ
る。
When the particle size distribution of the ultrafine particles is smaller, the homogeneity of dispersibility is improved, and when the ultrafine particles containing a semiconductor crystal have an exciton absorption / emission band, the wavelength width thereof is reduced, which is preferable. There is. Therefore, the standard deviation of the particle size distribution is usually controlled to 20% or less, preferably 15% or less, and more preferably 10% or less.
However, applications that utilize the high refractive index and basic absorption of ultrafine particles (UV absorption applications, reflection control films, optical waveguides, etc.)
In such cases, the particle size distribution may not be a problem.

【0042】本発明に用いられる超微粒子は、混晶や後
述するコアシェル構造(内核であるコアとこれを包含す
る外殻であるシェルの2層構造)等の不均一構造を有し
ていてもよい。特にコアシェル構造は、例えばコアであ
る半導体結晶の光触媒能が樹脂マトリクスの分解を促進
する等コア物質が好ましくない作用を有する場合、かか
る好ましくない作用を有さない別物質のシェルを設けて
これを改善する優れた効果を奏する場合がある。従っ
て、化学的に比較的不活性な物質がシェルを構成するこ
とが望ましく、具体的にはシリカ(酸化珪素)やアルミ
ナ(酸化アルミニウム)等の非遷移金属の酸化物、窒化
ホウ素等の窒化物、黒鉛状炭素や非晶性炭素等の炭素単
体、あるいは貴金属類(銀、金、白金、銅等)が好まし
いシェル物質として例示される。
The ultrafine particles used in the present invention may have a heterogeneous structure such as a mixed crystal or a core-shell structure described later (a two-layer structure of a core as an inner core and a shell as an outer shell containing the core). Good. In particular, when the core substance has an unfavorable action such as the photocatalytic activity of the semiconductor crystal that is the core promoting the decomposition of the resin matrix, the core-shell structure is provided with a shell of another substance that does not have such an unfavorable action. There may be an excellent effect of improving. Therefore, it is desirable that a chemically relatively inert substance constitutes the shell. Specifically, non-transition metal oxides such as silica (silicon oxide) and alumina (aluminum oxide), nitrides such as boron nitride, etc. Examples of preferable shell substances include simple carbon such as graphitic carbon and amorphous carbon, or noble metals (silver, gold, platinum, copper, etc.).

【0043】上記超微粒子は複数種から構成されていて
もよく、あるいは同種物質からなる超微粒子でも、例え
ば2山分布等その粒径分布を必要に応じて任意に変化さ
せて構わない。 [半導体結晶]半導体結晶は、価電子帯と伝導帯とのエ
ネルギー差(バンドギャップ)に応じた電磁波吸収(以
下、特に断りのない限り単に「吸収」と記す)や高屈折
率といった特性を有するので、前記超微粒子の構成物質
として特に有用である。また、その粒径を10nm以下
程度とすることで量子効果が顕著に見られるようにな
り、エネルギー準位の量子化によりエネルギー準位が互
いに離れた状態となり、かつそれらが結晶粒径の関数と
して制御されるようになる。かかる半導体ナノ結晶にお
いて、半導体結晶の基礎吸収(Fundamental
absorption)の長波長側吸収端よりもわず
かに低エネルギー域に現れるエキシトン(Excito
n、励起子)吸収帯はエネルギー幅が極めて小さいだけ
でなく、エキシトン準位が伝導帯準位から孤立しており
近接したエネルギー準位との相互作用確率が比較的小さ
いのでその吸発光特性を制御しやすい、という特徴を有
する。
The above ultrafine particles may be composed of a plurality of types, or even the ultrafine particles of the same kind of substance may have their particle size distribution such as a two-peak distribution arbitrarily changed as necessary. [Semiconductor Crystal] A semiconductor crystal has characteristics such as electromagnetic wave absorption (hereinafter simply referred to as “absorption” unless otherwise specified) and a high refractive index according to the energy difference (band gap) between the valence band and the conduction band. Therefore, it is particularly useful as a constituent substance of the ultrafine particles. Further, the quantum effect becomes noticeable by setting the grain size to about 10 nm or less, the energy levels are separated from each other by the quantization of the energy levels, and they are a function of the crystal grain size. Be controlled. In such a semiconductor nanocrystal, the fundamental absorption of the semiconductor crystal (Fundamental)
Excitons appearing in a slightly lower energy range than the absorption edge on the long wavelength side of absorption.
(n, exciton) absorption band has not only a very small energy width, but also the exciton level is isolated from the conduction band level and the probability of interaction with adjacent energy levels is relatively small. It is easy to control.

【0044】発光特性を有する半導体結晶を含有する超
微粒子を使用すると、本発明の架橋樹脂組成物成形体は
かかる発光特性を利用する用途にも有用となる。特に、
上記エキシトン準位からの発光は発光帯の線幅が小さい
ので色純度の優れた発光となり、しかも前記の量子効果
により半導体結晶の粒径により発光波長を制御可能であ
るので、特に有用である。また、かかるエキシトン吸収
帯の特徴は、例えば、該吸収帯での光吸収飽和特性を利
用して光ディスクにおける入射光ビーム径を実効的に絞
って高密度記録を達成せしめる超解像技術等に応用する
ことができる。
The use of ultrafine particles containing semiconductor crystals having luminescent characteristics makes the crosslinked resin composition molded article of the present invention useful for applications utilizing such luminescent characteristics. In particular,
The emission from the exciton level is particularly useful because the emission band has a small line width and thus the emission has excellent color purity, and the emission wavelength can be controlled by the grain size of the semiconductor crystal due to the quantum effect. Further, the feature of the exciton absorption band is applied to, for example, a super-resolution technique for effectively narrowing the incident light beam diameter on an optical disk to achieve high density recording by utilizing the light absorption saturation characteristic in the absorption band. can do.

【0045】上記半導体結晶の組成には特に制限はない
が、具体的な組成例を元素記号あるいは組成式として例
示すると、C、Si、Ge、Sn等の周期表第14族元
素の単体、P(黒リン)等の周期表第15族元素の単
体、SeやTe等の周期表第16族元素の単体、SiC
等の複数の周期表第14族元素からなる化合物、SnO
2、Sn(II)Sn(IV)S3、SnS2、SnS、SnS
e、SnTe、PbS、PbSe、PbTe等の周期表
第14族元素と周期表第16族元素との化合物、BN、
BP、BAs、AlN、AlP、AlAs、AlSb、
GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、In
P、InAs、InSb等の周期表第13族元素と周期
表第15族元素との化合物(あるいはIII−V族化合物
半導体)、Al23、Al2Se3、Ga23、Ga2
3、Ga2Te3、In23、In23、In2Se3
In2Te3等の周期表第13族元素と周期表第16族元
素との化合物、TlCl、TlBr、TlI等の周期表
第13族元素と周期表第17族元素との化合物、Zn
O、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、C
dSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe等の周
期表第12族元素と周期表第16族元素との化合物(あ
るいはII−VI族化合物半導体)、As23、As2
3、As2Te3、Sb23、Sb2Se3、Sb2
3、Bi23、Bi2Se3、Bi2Te3等の周期表第
15族元素と周期表第16族元素との化合物、Cu
2O、Cu2Se等の周期表第11族元素と周期表第16
族元素との化合物、CuCl、CuBr、CuI、Ag
Cl、AgBr等の周期表第11族元素と周期表第17
族元素との化合物、NiO等の周期表第10族元素と周
期表第16族元素との化合物、CoO、CoS等の周期
表第9族元素と周期表第16族元素との化合物、α−F
23、γ−Fe23、Fe34等の酸化鉄類、FeS
等の周期表第8族元素と周期表第16族元素との化合
物、MnO等の周期表第7族元素と周期表第16族元素
との化合物、MoS2、WO2等の周期表第6族元素と周
期表第16族元素との化合物、VO、VO2、Ta25
等の周期表第5族元素と周期表第16族元素との化合
物、TiO2、Ti25、Ti23、Ti59等の酸化
チタン類(結晶型はルチル型、ルチル/アナタースの混
晶型、アナタース型のいずれでも構わない)、ZrO2
等の周期表第4族元素と周期表第16族元素との化合
物、Y23、La23、Ce23等の周期表第3族元素
(ランタノイド元素を含む)と周期表第16族元素との
化合物、MgS、MgSe等の周期表第2族元素と周期
表第16族元素との化合物、CdCr24、CdCr2
Se4、CuCr24、HgCr2Se4等のカルコゲン
スピネル類、あるいはBaTiO3等が挙げられる。な
お、G.Schmidら;Adv.Mater.,4
巻,494頁(1991)に報告されている(BN)75
(BF21515や、D.Fenskeら;Ange
w.Chem.Int.Ed.Engl.,29巻,1
452頁(1990)に報告されているCu146Se73
(トリエチルホスフィン)22のように構造の確定されて
いる半導体クラスターも同様に例示される。
There is no particular limitation on the composition of the semiconductor crystal.
However, a concrete composition example is given as an element symbol or composition formula.
If you show, C, Si, Ge, Sn, etc. periodic table group 14 element
Elemental element, P (black phosphorus), etc.
Body, simple substance of Group 16 element of the periodic table such as Se and Te, SiC
SnO, a compound consisting of a plurality of periodic table group 14 elements such as
2, Sn (II) Sn (IV) S3, SnS2, SnS, SnS
Periodic table of e, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, etc.
A compound of a Group 14 element and a Group 16 element of the periodic table, BN,
BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb,
GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, In
Periodic Group 13 elements such as P, InAs, InSb, etc.
Table Compounds with Group 15 elements (or III-V compounds
Semiconductor), Al2S3, Al2Se3, Ga2S3, Ga2S
e3, Ga2Te3, In2O3, In2S3, In2Se3,
In2Te3Periodic table group 13 element and periodic table group 16 element
Periodic table of compounds such as TlCl, TlBr, and TlI
A compound of a Group 13 element and a Group 17 element of the periodic table, Zn
O, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, C
Circulation of dSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, etc.
Compounds of group 12 elements in the periodic table and group 16 elements in the periodic table
II-VI group compound semiconductor), As2S3, As2S
e3, As2Te3, Sb2S3, Sb2Se3, Sb2T
e3, Bi2S3, Bi2Se3, Bi2Te3Periodic table number such as
Compound of Group 15 element and Group 16 element of the periodic table, Cu
2O, Cu2Periodic Table Group 11 elements such as Se and Periodic Table 16th
Compounds with group elements, CuCl, CuBr, CuI, Ag
Periodic Table Group 11 elements such as Cl and AgBr and Periodic Table 17
Group 10 elements such as NiO, etc.
Periodic table of compounds with group 16 elements, CoO, CoS, etc.
Compounds of Group 9 elements of the periodic table and Group 16 elements of the periodic table, α-F
e2O3, Γ-Fe2O3, Fe3OFourIron oxides such as FeS
Of periodic table group 8 elements such as
And periodic table group 7 elements such as MnO
Compound with, MoS2, WO2Periodic Table Group 6 elements such as
Compounds with Group 16 elements, VO, VO2, Ta2OFive
Of periodic table group 5 element and other periodic table group 16 element
Thing, TiO2, Ti2OFive, Ti2O3, TiFiveO9Oxidation of etc.
Titanium (Crystal type is rutile type, rutile / anatase mixture)
Crystal type or anatase type is acceptable), ZrO2
Of periodic table group 4 elements and other periodic table group 16 elements
Thing, Y2O3, La2O3, Ce2O3Periodic Table Group 3 elements such as
(Including lanthanoid elements) and elements of Group 16 of the periodic table
Periodic Group 2 elements such as compounds, MgS, MgSe, etc.
Table Compounds with Group 16 elements, CdCr2OFour, CdCr2
SeFour, CuCr2SFour, HgCr2SeFourChalcogen, etc.
Spinels or BaTiO3Etc. Na
Oh, G. Schmid et al .; Adv. Mater. , 4
Vol., P. 494 (1991) (BN).75
(BF2)15F15, D. Fenseke et al .; Ange
w. Chem. Int. Ed. Engl. , Volume 29, 1
Cu reported on page 452 (1990)146Se73
(Triethylphosphine)twenty twoThe structure is fixed like
The semiconductor clusters that are present are also exemplified.

【0046】これらのうち実用的に重要なものは、例え
ばSnO2、SnS2、SnS、SnSe、SnTe、P
bS、PbSe、PbTe等の周期表第14族元素と周
期表第16族元素との化合物、GaN、GaP、GaA
s、GaSb、InN、InP、InAs、InSb等
のIII−V族化合物半導体、Ga23、Ga23、Ga2
Se3、Ga2Te3、In23、In23、In2
3、In2Te3等の周期表第13族元素と周期表第1
6族元素との化合物、ZnO、ZnS、ZnSe、Zn
Te、CdO、CdS、CdSe、CdTe、HgO、
HgS、HgSe、HgTe等のII−VI族化合物半導
体、As23、As23、As2Se3、As2Te3、S
23、Sb23、Sb2Se3、Sb2Te3、Bi
23、Bi23、Bi2Se3、Bi2Te3等の周期表第
15族元素と周期表第16族元素との化合物、α−Fe
23、γ−Fe23、Fe34等の酸化鉄類やFeS等
の周期表第8族元素と周期表第16族元素との化合物、
前記の酸化チタン類やZrO2等の周期表第4族元素と
周期表第16族元素との化合物、Y23、La23、C
23等の周期表第3族元素(ランタノイド元素を含
む)と周期表第16族元素との化合物である。
Of these, those practically important are, for example, SnO 2 , SnS 2 , SnS, SnSe, SnTe, P.
Compounds of periodic table group 14 element and periodic table group 16 element such as bS, PbSe, PbTe, GaN, GaP, GaA
s, GaSb, InN, InP, InAs, III-V group compound semiconductor such as InSb, Ga 2 O 3, Ga 2 S 3, Ga 2
Se 3 , Ga 2 Te 3 , In 2 O 3 , In 2 S 3 , In 2 S
e 3 and In 2 Te 3 etc. Periodic Table Group 13 elements and Periodic Table 1
Compounds with Group 6 elements, ZnO, ZnS, ZnSe, Zn
Te, CdO, CdS, CdSe, CdTe, HgO,
II-VI group compound semiconductors such as HgS, HgSe, and HgTe, As 2 O 3 , As 2 S 3 , As 2 Se 3 , As 2 Te 3 , and S.
b 2 O 3 , Sb 2 S 3 , Sb 2 Se 3 , Sb 2 Te 3 , Bi
2 O 3 , Bi 2 S 3 , Bi 2 Se 3 , Bi 2 Te 3 and other compounds of periodic table group 15 element and periodic table group 16 element, α-Fe
2 O 3 , γ-Fe 2 O 3 , iron oxides such as Fe 3 O 4 and compounds of periodic table group 8 element such as FeS and periodic table group 16 element,
Compounds of elements of Group 4 of the periodic table and elements of Group 16 of the periodic table such as the above-mentioned titanium oxides and ZrO 2 , Y 2 O 3 , La 2 O 3 and C
It is a compound of an element of Group 3 of the periodic table (including a lanthanoid element) such as e 2 O 3 and an element of Group 16 of the periodic table.

【0047】これらの中でも、SnO2、GaN、Ga
P、In23、InN、InP、Ga23、Ga23
In23、In23、ZnO、ZnS、CdO、Cd
S、前記の酸化鉄類、ルチル型やアナタース型二酸化チ
タン、ZrO2、Y23、Ce23、MgS等は毒性の
高い陰性元素を含まないので耐環境汚染性や生物への安
全性の点で好ましく、この観点ではSnO2、In
23、ZnO、ZnS、α−Fe23、ルチル型やアナ
タース型二酸化チタン、ZrO2、Y23、Ce23
の毒性の高い陽性元素を含まない組成は更に好ましい。
Among these, SnO 2 , GaN, Ga
P, In 2 O 3 , InN, InP, Ga 2 O 3 , Ga 2 S 3 ,
In 2 O 3 , In 2 S 3 , ZnO, ZnS, CdO, Cd
S, the above iron oxides, rutile-type and anatase-type titanium dioxide, ZrO 2 , Y 2 O 3 , Ce 2 O 3 , MgS, etc. do not contain highly toxic negative elements, so they are resistant to environmental pollution and are safe against living organisms. From the standpoint of properties, SnO 2 , In
A composition containing no highly toxic positive element such as 2 O 3 , ZnO, ZnS, α-Fe 2 O 3 , rutile type or anatase type titanium dioxide, ZrO 2 , Y 2 O 3 and Ce 2 O 3 is more preferable.

【0048】ZnO、α−Fe23、ルチル型やアナタ
ース型二酸化チタン、Ce23等の金属酸化物半導体結
晶は、光吸収能、高い屈折率、安全性、安価であること
から、紫外線吸収材料や高屈折率コーティング等の用途
に最も好ましいものである。また、α−Fe23等の酸
化鉄類等、可視領域に吸収能のある着色した半導体結晶
は、顔料等の色材用途に重要である。
Metal oxide semiconductor crystals such as ZnO, α-Fe 2 O 3 , rutile type or anatase type titanium dioxide, and Ce 2 O 3 are light absorbing, have a high refractive index, are safe, and are inexpensive. It is most preferable for applications such as ultraviolet absorbing materials and high refractive index coatings. In addition, colored semiconductor crystals having absorptivity in the visible region, such as iron oxides such as α-Fe 2 O 3 are important for coloring materials such as pigments.

【0049】本発明の架橋樹脂組成物成形体をほぼ無色
透明としかつ優れた紫外線吸収能を発揮させる目的にお
いて最も好ましいな半導体結晶は、上記酸化チタン類
(代表的にはルチル型やアナタース型二酸化チタン)、
ZnO及びCe23である。一方、半導体結晶の発光能
を利用する場合には、可視領域とその近傍に発光帯を有
するGaN、GaP、GaAs、InN、InP等のII
I−V族化合物半導体、ZnO、ZnS、ZnSe、Z
nTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、Hg
O、HgS等のII−VI族化合物半導体、In23、In
23等が重要であり、中でも半導体結晶の粒径の制御性
と発光能から好適なのはZnO、ZnS、ZnSe、Z
nTe、CdO、CdS、CdSe等のII−VI族化合物
半導体であり、特にZnO、ZnS、ZnSe、Cd
S、CdSe等がこの目的では更に好適に用いられる。
The most preferable semiconductor crystals for the purpose of making the crosslinked resin composition molded article of the present invention almost colorless and transparent and exhibiting excellent ultraviolet absorbing ability are titanium oxides (typically rutile type or anatase type dioxide). Titanium),
ZnO and Ce 2 O 3 . On the other hand, in the case of utilizing the light emitting ability of a semiconductor crystal, II such as GaN, GaP, GaAs, InN, InP, etc. having an emission band in the visible region and its vicinity is used.
Group IV compound semiconductors, ZnO, ZnS, ZnSe, Z
nTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, Hg
II-VI group compound semiconductors such as O and HgS, In 2 O 3 , In
2 S 3 and the like are important, and among them, ZnO, ZnS, ZnSe and Z are preferable because of the controllability of the grain size of the semiconductor crystal and the luminous ability.
It is a II-VI group compound semiconductor such as nTe, CdO, CdS, CdSe, and particularly ZnO, ZnS, ZnSe, Cd.
S, CdSe and the like are more preferably used for this purpose.

【0050】前記で例示した任意の半導体結晶には、必
要に応じて微量のドープ元素(故意に添加する不純物の
意味)として例えばAl、Mn、Cu、Zn、Zr、A
g、Cl、Ce、Eu、Tb、Er等の元素を加えても
構わない。例えば、Y23へのEuの添加、ZnSへの
Ag、Cu、Tb、Mn等の添加により、該ドープ元素
を発光源とする蛍光体とすることができる。また、上記
二酸化チタン、ZnO及びCe23にZr等の適当なド
ープ元素を添加するとその光触媒能を低減させる効果を
奏する場合がある。かかるドープ元素の本発明における
主要な効果は、電磁波吸収のエネルギーを発光や発熱
等、化学反応以外の現象により散逸させて樹脂マトリク
スの分解劣化を抑制又は防止のように架橋樹脂組成物の
化学的安定性を向上させることにあると考えられる。
In any of the semiconductor crystals exemplified above, for example, Al, Mn, Cu, Zn, Zr, A may be added as a trace amount of doping element (meaning impurities intentionally added) if necessary.
Elements such as g, Cl, Ce, Eu, Tb and Er may be added. For example, by adding Eu to Y 2 O 3 and adding Ag, Cu, Tb, Mn or the like to ZnS, a phosphor having the doping element as a light emitting source can be obtained. Further, addition of an appropriate doping element such as Zr to the above titanium dioxide, ZnO and Ce 2 O 3 may have the effect of reducing the photocatalytic activity. The main effect of the doping element in the present invention is that the energy of electromagnetic wave absorption is dissipated by a phenomenon other than a chemical reaction, such as light emission or heat generation, to prevent or prevent decomposition and deterioration of the resin matrix. It is thought to be to improve stability.

【0051】本発明における半導体結晶は、例えばA.
R.Kortanら;J.Am.Chem.Soc.,
112巻,1327頁(1990)あるいは米国特許5
985173号公報(1999)に報告されているよう
に、内核(コア)と外殻(シェル)からなるいわゆるコ
アシェル構造を形成していてもよい。かかるコアシェル
型半導体結晶では、エキシトン吸発光帯を利用する用途
に好適な場合がある。この場合、シェルの半導体結晶の
組成として、禁制帯幅(バンドギャップ)がコアよりも
大きなものを起用することによりエネルギー的な障壁を
形成せしめることが一般に有効である。これは、外界の
影響や結晶表面での結晶格子欠陥等の理由による望まし
くない表面準位等の影響を抑制する機構によるものと推
測される。かかる半導体シェルに好適に用いられる半導
体結晶の組成としては、コア半導体結晶のバンドギャッ
プにもよるが、バルク状態のバンドギャップが温度30
0Kにおいて2.0電子ボルト以上であるもの、例えば
BN、BAs、GaNやGaP等のIII−V族化合物半
導体、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、
CdS等のII−VI族化合物半導体、MgSやMgSe等
の周期表第2族元素と周期表第16族元素との化合物等
が好適に用いられる。これらのうちより好ましいシェル
となる半導体結晶組成は、BN、BAs、GaN等のII
I−V族化合物半導体、ZnO、ZnS、ZnSe、C
dS等のII−VI族化合物半導体、MgS、MgSe等の
周期表第2族元素と周期表第16族元素との化合物等の
バルク状態のバンドギャップが温度300Kにおいて
2.3電子ボルト以上のものであり、最も好ましいのは
BN、BAs、GaN、ZnO、ZnS、ZnSe、M
gS、MgSe等のバルク状態のバンドギャップが温度
300Kにおいて2.5電子ボルト以上のものであり、
化学合成上ZnSは最も好適に使用される。特に好適な
コアシェル組成の組み合わせ例を組成式で表現すると、
CdSe−ZnS、CdSe−ZnO、CdSe−Cd
S、CdS−ZnS、CdS−ZnO等が挙げられる。
The semiconductor crystal in the present invention is, for example, A.
R. Kortan et al .; Am. Chem. Soc. ,
112, 1327 (1990) or US Pat.
As reported in Japanese Patent No. 985173 (1999), a so-called core-shell structure composed of an inner core (core) and an outer shell (shell) may be formed. Such a core-shell type semiconductor crystal may be suitable for applications using the exciton absorption / emission band. In this case, it is generally effective to form an energy barrier by using a semiconductor crystal composition of the shell having a band gap (band gap) larger than that of the core. It is presumed that this is due to a mechanism that suppresses the influence of an undesired surface level or the like due to the influence of the external environment or the crystal lattice defect on the crystal surface. The composition of the semiconductor crystal that is preferably used for such a semiconductor shell depends on the band gap of the core semiconductor crystal, but the band gap in the bulk state has a temperature of 30
Those having a voltage of 2.0 electron volts or more at 0 K, for example, BN, BAs, III-V group compound semiconductors such as GaN and GaP, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO,
A II-VI group compound semiconductor such as CdS, a compound of an element of Group 2 of the periodic table and an element of Group 16 of the periodic table, such as MgS or MgSe, is preferably used. Among these, the semiconductor crystal composition which becomes a more preferable shell is II, such as BN, BAs, and GaN.
Group IV compound semiconductor, ZnO, ZnS, ZnSe, C
II-VI group compound semiconductor such as dS, compound having a group 2 element of the periodic table such as MgS, MgSe, etc. and group 16 element of the periodic table having a bulk band gap of 2.3 eV or more at a temperature of 300K And most preferable are BN, BAs, GaN, ZnO, ZnS, ZnSe, and M.
The band gap of gS, MgSe, etc. in the bulk state is 2.5 eV or more at a temperature of 300K,
ZnS is most preferably used in terms of chemical synthesis. When a combination example of particularly suitable core-shell composition is expressed by a composition formula,
CdSe-ZnS, CdSe-ZnO, CdSe-Cd
S, CdS-ZnS, CdS-ZnO, etc. are mentioned.

【0052】上記半導体結晶の吸光能を利用する場合、
その吸収スペクトルの吸収端波長が300〜600nm
の範囲内にあることが好ましい。この吸収端波長の範囲
の下限値は前記樹脂マトリクスを変質させる紫外領域を
吸収させる目的でより好ましくは330nm、更に好ま
しくは370nmであり、一方、該上限値は可視領域に
おける透明性の点でより好ましくは550nm、更に好
ましくは500nm、最も好ましくは450nmであ
る。
When utilizing the light absorption ability of the semiconductor crystal,
The absorption edge wavelength of the absorption spectrum is 300 to 600 nm
It is preferably within the range. The lower limit of the absorption edge wavelength range is more preferably 330 nm, further preferably 370 nm, for the purpose of absorbing the ultraviolet region that modifies the resin matrix, while the upper limit is more preferable in terms of transparency in the visible region. It is preferably 550 nm, more preferably 500 nm, and most preferably 450 nm.

【0053】[半導体ナノ結晶の製造方法]前記半導体
結晶の超微粒子(本発明では「半導体ナノ結晶」と記
す)の製造方法に制限はないが、例えば以下の3つの液
相法が例示される。 (1)原料水溶液を非極性有機溶媒中の逆ミセルとして
存在させ該逆ミセル相中にて結晶成長させる方法(以下
「逆ミセル法」と記す)であり、例えばB.S.Zou
ら;Int.J.Quant.Chem.,72巻,4
39(1999)に報告されている方法である。公知の
逆ミセル安定化技術が利用でき、比較的安価かつ化学的
に安定な塩を原料とすることができ、しかも水の沸点を
超えない比較的低温で行われる点で工業生産に適した方
法である。但し、下記のホットソープ法の場合に比べて
現状技術では発光特性に劣る場合がある。 (2)熱分解性原料を高温の液相有機媒体に注入して結
晶成長させる方法(以下「ホットソープ法」と記す)で
あり、例えばJ.E.B.Katariら;J.Phy
s.Chem.,98巻,4109−4117(199
4)に報告されている方法である。前記逆ミセル法に比
べて粒径分布と純度に優れた半導体結晶粒子が得られ、
生成物は発光特性に優れ有機溶媒に通常可溶である特徴
がある。ホットソープ法における液相での結晶成長の過
程の反応速度を望ましく制御する目的で、半導体構成元
素に適切な配位力のある配位性有機化合物が液相成分
(溶媒と有機配位子を兼ねる)として選択される。かか
る配位性有機化合物の例としては、トリブチルホスフィ
ンやトリオクチルホスフィン等のトリアルキルホスフィ
ン類、トリオクチルホスフィンオキシド(以下TOPO
と略記)等のトリアルキルホスフィンオキシド類、ドデ
シルアミン、テトラデシルアミン、ヘキサデシルアミ
ン、オクタデシルアミン等のω−アミノアルカン類等が
挙げられる。これらのうち、上記TOPO等のトリアル
キルホスフィンオキシド類やヘキサデシルアミン等のω
−アミノアルカン類が好適に用いられる。 (3)酸塩基反応を駆動力として半導体結晶やその前駆
体を、水やエタノールなどのプロトン性溶媒中において
100℃以下程度の比較的低い温度で生成させる工業生
産に適した方法(以下「ゾル生成法」と記す)である。
例えば、酸化チタンナノ結晶の合成例が伊藤征司郎ら;
色材,57巻6号,305−308(1984)に、酸
化亜鉛ナノ結晶の合成例がL.Spanhelら;J.
Am.Chem.Soc.,113巻,2826頁(1
991)にそれぞれ報告されている。ゾル生成法におけ
る好適な原料として、例えば酸化チタンナノ結晶の合成
には硫酸チタニルが、酸化亜鉛ナノ結晶の合成には酢酸
亜鉛や硝酸亜鉛等の亜鉛塩が、それぞれ例示される。テ
トラエチルオルソシリケート(略称TEOS)やテトラ
イソプロポキシオルソチタネート等の金属アルコキシド
類も原料として好適に使用可能である。特にゾル生成法
により酸化物ナノ結晶を合成する場合においては、例え
ば硫酸チタニルを原料として用いる酸化チタンナノ結晶
の合成のように、水酸化物等の前駆体を経由し次いで酸
やアルカリにより(好ましくは酸により)これを脱水縮
合又は解膠してヒドロゾルを生成させる手順も可能であ
る。かかる前駆体を経由する手順では、該前駆体を、濾
過や沈殿分離(必要であれば遠心分離)等の任意の方法
で単離精製することが最終製品の純度の点で好適であ
る。該ヒドロゾルにドデシルベンゼンスルホン酸ナトリ
ウム(略称DBS)や3−メタクリロイルオキシプロパ
ンスルホン酸カリウム等の適当な界面活性剤を加えて、
ゾル粒子(即ち半導体又はその前駆体のナノ粒子)を非
水溶化させて単離してもよい。
[Manufacturing Method of Semiconductor Nanocrystal] The manufacturing method of the ultrafine particles of the semiconductor crystal (referred to as “semiconductor nanocrystal” in the present invention) is not limited, but the following three liquid phase methods are exemplified. . (1) A method of allowing a raw material aqueous solution to exist as a reverse micelle in a non-polar organic solvent and growing crystals in the reverse micelle phase (hereinafter referred to as "reverse micelle method"). S. Zou
Int. J. Quant. Chem. , Volume 72, 4
39 (1999). A method suitable for industrial production in that known reverse micelle stabilization technology can be used, a relatively inexpensive and chemically stable salt can be used as a raw material, and that it can be performed at a relatively low temperature not exceeding the boiling point of water. Is. However, the current state of the art may be inferior to the light emission characteristics as compared with the case of the hot soap method described below. (2) A method of injecting a thermally decomposable raw material into a high temperature liquid-phase organic medium to grow crystals (hereinafter referred to as "hot soap method"). E. B. Katari et al .; Phy
s. Chem. , 98, 4109-4117 (199
This is the method reported in 4). Semiconductor crystal particles excellent in particle size distribution and purity are obtained as compared with the reverse micelle method,
The product is characterized by excellent luminescence properties and is usually soluble in organic solvents. In order to desirably control the reaction rate in the process of crystal growth in the liquid phase in the hot soap method, a coordinating organic compound having an appropriate coordinating force for semiconductor constituent elements is used as a liquid phase component (solvent and organic ligand (Also serves as). Examples of such a coordinating organic compound include trialkylphosphines such as tributylphosphine and trioctylphosphine, trioctylphosphine oxide (hereinafter referred to as TOPO).
Abbreviated) and the like, and ω-aminoalkanes such as dodecylamine, tetradecylamine, hexadecylamine, octadecylamine and the like. Of these, trialkylphosphine oxides such as TOPO and ω such as hexadecylamine
-Aminoalkanes are preferably used. (3) A method suitable for industrial production in which a semiconductor crystal or a precursor thereof is generated at a relatively low temperature of about 100 ° C. or lower in a protic solvent such as water or ethanol by using an acid-base reaction as a driving force (hereinafter referred to as “sol. Generation method ”).
For example, the synthesis example of titanium oxide nanocrystals is Seijiro Ito et al.
Coloring Material, Vol. 57, No. 6, 305-308 (1984), a synthetic example of zinc oxide nanocrystals is described in L.A. Spanhel et al .;
Am. Chem. Soc. , 113, 2826 (1
991). Examples of suitable raw materials in the sol generation method include titanyl sulfate for the synthesis of titanium oxide nanocrystals, and zinc salts such as zinc acetate and zinc nitrate for the synthesis of zinc oxide nanocrystals. Metal alkoxides such as tetraethyl orthosilicate (abbreviation TEOS) and tetraisopropoxy orthotitanate can also be preferably used as a raw material. In particular, in the case of synthesizing oxide nanocrystals by a sol generation method, for example, as in the synthesis of titanium oxide nanocrystals using titanyl sulfate as a raw material, a precursor such as hydroxide is used, and then an acid or alkali (preferably Procedures for dehydration condensation or deflocculation of this (with an acid) to form a hydrosol are also possible. In the procedure via such a precursor, it is preferable in terms of purity of the final product to isolate and purify the precursor by an arbitrary method such as filtration or precipitation separation (centrifugation if necessary). To the hydrosol, a suitable surfactant such as sodium dodecylbenzene sulfonate (abbreviation DBS) or potassium 3-methacryloyloxypropane sulfonate is added,
The sol particles (that is, the nanoparticles of the semiconductor or its precursor) may be made water-insoluble and isolated.

【0054】前記半導体原料物質が複数種ある場合、こ
れらをあらかじめ混合しておいても良く、あるいはこれ
らをそれぞれ単独で反応液相に注入しても良い。これら
原料は、適当な希釈溶媒を用いて溶液にして使用しても
構わない。 [その他の超微粒子の製造方法]前記遷移金属超微粒子
の製造には、例えばG.Schmid編;”Clust
ers and Colloids”,VCH社(We
inheim,1994)等に総説されている公知の酸
化還元反応を利用する金属コロイドの製造方法が使用可
能である。例えば、塩化金酸、硝酸銀、過塩素酸銀等の
遷移金属イオン化合物又はその塩を、クエン酸又はその
塩、水素化ホウ素塩、エタノール等のアルコール類等の
還元剤と接触させる溶液反応、あるいは超音波や光の照
射等物理的作用を利用する還元反応により合成可能であ
る。M.Brustら;J.Chem.Soc.Che
m.Commun.,801頁(1994)に報告があ
るように、該酸化還元反応を水相で行う際に有機溶媒に
可溶の有機配位子で表面修飾するとともに超微粒子を該
有機相に抽出する目的で、かかる有機配位子の有機溶液
との2相系で反応を行ってもよい。あるいは前記W.
W.Weareら著の文献に最近報告された改良法、即
ち、塩化金酸等の原料金属化合物とテトラオクチルアン
モニウムブロミド等の4級アンモニウム塩とを窒素で溶
存空気を置換した水/トルエン2相系に溶解し、ここに
トリフェニルホスフィン(PPh3と略記)を作用させ
て生成するAuCl(PPh3)なる化学種を更に水素
化ホウ素ナトリウムで還元して、平均粒径1.5nm程
度で非常に狭い粒径分布を持つPPh3を有機配位子と
する金ナノ結晶(理論組成はAu101(PPh321Cl
5)を得る方法も好適に本発明に利用可能である。な
お、Nanoprobes,Inc.社(Stony
Brook、ニューヨーク州、米国)からNanogo
ldなる商品名で供給されている金のナノ結晶等の市販
品を本発明に使用してもよい。
When there are plural kinds of the semiconductor raw material, these may be mixed in advance, or they may be individually injected into the reaction liquid phase. These raw materials may be used as a solution using an appropriate diluting solvent. [Other method for producing ultrafine particles] For producing the transition metal ultrafine particles, for example, G. Schmid edition; "Clust
ers and Colloids ”, VCH (We
Inheim, 1994) and the like, a known method for producing a metal colloid utilizing a redox reaction can be used. For example, a solution reaction in which a transition metal ion compound such as chloroauric acid, silver nitrate, or silver perchlorate or a salt thereof is brought into contact with a reducing agent such as citric acid or a salt thereof, a borohydride salt, or an alcohol such as ethanol, or It can be synthesized by a reduction reaction utilizing a physical action such as irradiation with ultrasonic waves or light. M. Brust et al .; Chem. Soc. Che
m. Commun. , 801 (1994), for the purpose of surface modification with an organic ligand soluble in an organic solvent when the redox reaction is carried out in an aqueous phase, and extracting ultrafine particles into the organic phase. Alternatively, the reaction may be performed in a two-phase system with an organic solution of such an organic ligand. Alternatively, the aforementioned W.
W. An improved method recently reported in the literature by Weare et al., Namely, a water / toluene two-phase system in which a starting metal compound such as chloroauric acid and a quaternary ammonium salt such as tetraoctylammonium bromide are replaced with nitrogen to replace dissolved air. A chemical species, AuCl (PPh 3 ), which is produced by reacting with triphenylphosphine (abbreviated as PPh 3 ) and dissolved therein, is further reduced with sodium borohydride to have an extremely narrow average particle size of about 1.5 nm. Gold nanocrystals with PPh 3 having a particle size distribution as an organic ligand (theoretical composition is Au 101 (PPh 3 ) 21 Cl
The method of obtaining 5 ) is also suitably applicable to the present invention. In addition, Nanoprobes, Inc. Company (Stony
Brook, New York, USA) to Nanogo
Commercially available products such as gold nanocrystals supplied under the trade name ld may be used in the present invention.

【0055】前記の酸化還元反応で得る遷移金属超微粒
子は、チオール類やアミン類による有機配位子交換反応
により所望の表面修飾が可能である。即ち、L.O.B
rownら;J.Am.Chem.Soc.,119
巻,12384−12385(1997)に報告のある
1−オクタデカンチオール等のアルカンチオール類によ
る有機配位子交換、あるいはL.O.Brownら;
J.Am.Chem.Soc.,121巻,882−8
83(1999)に報告のある1−ペンタデシルアミン
等のアミノアルカン類による有機配位子交換が可能であ
り、特に後者の方法を例えば塩化メチレン等の有機溶媒
中で室温にて3日程度かけてゆっくりと行うことで、
1.5nm程度の初期粒径から5nm程度まで精密に制
御可能である点で好ましい反応である。従って、所望の
官能基を有する有機配位子を使用してかかる制御された
有機配位子交換反応を行うことにより、原理的に所望の
官能基を導入する表面修飾を精密な粒径制御とともに行
うことが可能である。
The transition metal ultrafine particles obtained by the above-mentioned redox reaction can be subjected to a desired surface modification by an organic ligand exchange reaction with thiols and amines. That is, L. O. B
row et al .; Am. Chem. Soc. , 119
Vol., 12384-12385 (1997), organic ligand exchange by alkanethiols such as 1-octadecanethiol, or L. O. Brown et al .;
J. Am. Chem. Soc. , 121, 882-8
83 (1999), it is possible to exchange organic ligands with aminoalkanes such as 1-pentadecylamine. Particularly, the latter method is performed in an organic solvent such as methylene chloride at room temperature for about 3 days. By doing slowly,
It is a preferable reaction because it can be precisely controlled from an initial particle size of about 1.5 nm to about 5 nm. Therefore, by carrying out such a controlled organic ligand exchange reaction using an organic ligand having a desired functional group, in principle surface modification introducing a desired functional group can be performed with precise particle size control. It is possible to do.

【0056】遷移金属の塩や各種機能分子の結晶の超微
粒子については、粉砕法の他、溶液からの沈殿法や超臨
界液体中での反応を利用する方法等の溶液法による製造
が可能である。[有機配位子]本発明に使用する前記超
微粒子は、架橋樹脂マトリクスへの相溶性又は反応性を
有する有機配位子を結合させたものである場合、該樹脂
マトリクスへの超微粒子の分散性及び界面接着性が飛躍
的に改善され本発明の架橋樹脂組成物成形体の透明性及
び引張強度が飛躍的に向上する場合がある。なお、上記
有機配位子の結合により、超微粒子の吸発光能等の電磁
気学的特性が改良される場合があるが、これは半導体ナ
ノ結晶等の吸発光性無機超微粒子表面が有機配位子の結
合により、好ましくない不純物準位や格子欠陥準位等の
寄与が低減される機構によるものと考えられる。
Ultrafine particles of a transition metal salt or crystals of various functional molecules can be produced by a solution method such as a pulverization method, a precipitation method from a solution, or a method utilizing a reaction in a supercritical liquid. is there. [Organic Ligand] When the ultrafine particles used in the present invention are those in which an organic ligand having compatibility or reactivity with a crosslinked resin matrix is bonded, the ultrafine particles are dispersed in the resin matrix. In some cases, the transparency and interfacial adhesion are dramatically improved, and the transparency and tensile strength of the crosslinked resin composition molded product of the present invention are dramatically improved. The binding of the above organic ligand may improve electromagnetic properties such as absorption and emission ability of the ultrafine particles. This is because the surface of the light absorbing and emitting inorganic ultrafine particles such as semiconductor nanocrystals is organically coordinated. It is considered that this is due to a mechanism in which the contribution of unfavorable impurity levels, lattice defect levels, etc. is reduced by the bond of the child.

【0057】本発明に使用される有機配位子の分子量
は、通常100〜900、より好ましくは200〜80
0、更に好ましくは300〜750である。この分子量
が大きすぎると架橋樹脂マトリクスの各種物性、特に機
械的物性(引張強度、弾性率、耐熱性等)を損なう場合
がある。また該分子量には分布があってもよいが、有機
配位子の上記役割の点で重量平均分子量Mwと数平均分
子量Mnとの比Mw/Mnとして通常1〜10であり、
好ましくは1〜7、更に好ましくは1〜5、最も好まし
くは1〜3に制御することが好ましい。
The molecular weight of the organic ligand used in the present invention is usually 100 to 900, more preferably 200 to 80.
0, more preferably 300 to 750. If the molecular weight is too large, various physical properties of the crosslinked resin matrix, particularly mechanical properties (tensile strength, elastic modulus, heat resistance, etc.) may be impaired. Although the molecular weight may have a distribution, the ratio Mw / Mn of the weight average molecular weight Mw to the number average molecular weight Mn is usually 1 to 10 in view of the role of the organic ligand,
It is preferable to control to 1 to 7, more preferably 1 to 5, and most preferably 1 to 3.

【0058】上記でいう有機配位子の樹脂マトリクスへ
の反応性とは、有機配位子と架橋樹脂マトリクスを構成
する高分子とが結合を生成している状態を与えるための
反応性を意味する。かかる状態を与えるには、超微粒子
に結合した有機配位子と架橋樹脂マトリクスを構成する
高分子を与える重合性単量体との反応(該重合性単量体
との共重合反応でもよい)及び次いで進行させる該重合
性単量体の重合反応が可能である。これらの方法につい
ては「架橋樹脂組成物成形体の製造方法」の項の記述も
参照されたい。
The above-mentioned reactivity of the organic ligand with respect to the resin matrix means the reactivity for giving a state in which a bond is formed between the organic ligand and the polymer constituting the crosslinked resin matrix. To do. To provide such a state, the reaction between the organic ligand bound to the ultrafine particles and the polymerizable monomer that gives the polymer forming the crosslinked resin matrix (copolymerization reaction with the polymerizable monomer may be used) And, the polymerization reaction of the polymerizable monomer to be allowed to proceed next is possible. For these methods, see also the description in the section "Process for producing molded article of crosslinked resin composition".

【0059】上記有機配位子の結合の効果が特に顕著に
表れるのは、該超微粒子の材質が遷移金属(単体あるい
は合金)、化合物半導体、非遷移金属の酸化物類、ある
いはゼオライト類等の無機物の場合である。これは、上
記架橋樹脂マトリクスと該無機材質の超微粒子との界面
自由エネルギーを大きく減少させることによるものと推
定される。かかる無機物の超微粒子への有機配位子の結
合方法とこれに使用する有機配位子の分子構造に制限は
ないが、かかる有機配位子の分子構造概念は下記一般式
(3)で表されるものである。
The effect of the binding of the organic ligand is particularly remarkable when the material of the ultrafine particles is a transition metal (a simple substance or an alloy), a compound semiconductor, an oxide of a non-transition metal, or a zeolite. This is the case for inorganic substances. It is presumed that this is because the interfacial free energy between the crosslinked resin matrix and the ultrafine particles of the inorganic material is greatly reduced. There is no limitation on the method for binding the organic ligand to the inorganic ultrafine particles and the molecular structure of the organic ligand used for the method, but the molecular structure of the organic ligand is represented by the following general formula (3). It is what is done.

【0060】[0060]

【化5】X−R−Y (3) 但し、Xは超微粒子の表面と任意の化学結合(例えば共
有結合、イオン結合、配位結合、水素結合等)を形成す
る官能基を表し、Yは上記架橋樹脂マトリクスとの相溶
性又は反応性を有する官能基を表し、RはXとYとを連
結する炭素原子数1〜30である2価有機残基を表す。
Embedded image where X represents a functional group that forms an arbitrary chemical bond (eg, covalent bond, ionic bond, coordination bond, hydrogen bond, etc.) with the surface of the ultrafine particles, and Y Represents a functional group having compatibility or reactivity with the crosslinked resin matrix, and R represents a divalent organic residue having 1 to 30 carbon atoms connecting X and Y.

【0061】該官能基Xは、好ましくは使用する超微粒
子の表面と共有結合又は配位結合を、最も好ましくは共
有結合を形成するものである。かかる官能基Xの具体例
としては、シリカ、アルミナ、チタニア等の酸化物の表
面処理に従来使用されているシランカップリング剤やチ
タネート系カップリング剤等の活性官能基である金属ア
ルコキシド基、あるいは周期表第15又は16族元素を
含有する以下のような官能基、即ち、1級アミノ基(−
NH2)、2級アミノ基(−NHR;但しRはメチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基等の
炭素数6以下の炭化水素基である;以下同様)、3級ア
ミノ基(−NR12;但しR1及びR2は独立にメチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基等の
炭素数6以下の炭化水素基である;以下同様)、ピリジ
ル基、アミド結合等の窒素含有官能基、ホスフィン基、
ホスフィンオキシド基、リン酸基、亜リン酸基、ホスフ
ィンセレニド基等のリン含有官能基等の周期表第15族
元素を含有する官能基、水酸基、カルボキシル基、β−
ジケトン基、β−ジケトネート基等の酸素含有官能基、
メルカプト基(又はチオール基)、スルフィド結合、ス
ルホキシド基、チオ酸基(−COSH)、ジチオ酸基
(−CSSH)、スルホン酸基、キサントゲン酸基、キ
サンテート基、イソチオシアネート基、チオカルバメー
ト基、チオフェン環等の硫黄含有官能基等の周期表第1
6族元素を含有する官能基等が例示される。これらのう
ち好ましく利用されるのは、ピリジル基や1級アミノ基
等の窒素含有官能基、ホスフィン基やホスフィンオキシ
ド基等のホスフィン誘導体基、リン酸基、カルボキシル
基、スルホン酸基等の酸性基、メルカプト基等の硫黄含
有官能基である。これらのうち、ホスフィンオキシド基
とメルカプト基は超微粒子が含有する遷移金属元素への
結合力に優れ、リン酸基、カルボキシル基、スルホン酸
基等の酸性基は前記酸化物半導体結晶への結合力に優れ
るので最も好ましく用いられる。
The functional group X preferably forms a covalent bond or a coordinate bond with the surface of the ultrafine particles used, and most preferably a covalent bond. Specific examples of the functional group X include a metal alkoxide group which is an active functional group such as a silane coupling agent or a titanate coupling agent which has been conventionally used for the surface treatment of oxides such as silica, alumina and titania, or The following functional groups containing elements of Group 15 or 16 of the periodic table, that is, primary amino groups (-
NH 2 ), secondary amino group (-NHR; where R is a hydrocarbon group having 6 or less carbon atoms such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, phenyl group; the same applies hereinafter), tertiary amino group (-NR 1 R 2 ; however, R 1 and R 2 are independently a hydrocarbon group having 6 or less carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, and a phenyl group; the same applies hereinafter), a pyridyl group, A nitrogen-containing functional group such as an amide bond, a phosphine group,
Functional groups containing Group 15 elements in the periodic table, such as phosphorus-containing functional groups such as phosphine oxide groups, phosphoric acid groups, phosphorous acid groups, and phosphine selenide groups, hydroxyl groups, carboxyl groups, β-
Oxygen-containing functional groups such as diketone groups and β-diketonate groups,
Mercapto group (or thiol group), sulfide bond, sulfoxide group, thio acid group (-COSH), dithio acid group (-CSH), sulfonic acid group, xanthogenic acid group, xanthate group, isothiocyanate group, thiocarbamate group, thiophene Periodic table of sulfur-containing functional groups such as rings 1
Examples thereof include functional groups containing a Group 6 element. Among these, preferably used are nitrogen-containing functional groups such as pyridyl groups and primary amino groups, phosphine derivative groups such as phosphine groups and phosphine oxide groups, and acidic groups such as phosphoric acid groups, carboxyl groups, and sulfonic acid groups. , A mercapto group and other sulfur-containing functional groups. Among these, the phosphine oxide group and the mercapto group are excellent in the binding force to the transition metal element contained in the ultrafine particles, and the acidic groups such as the phosphate group, the carboxyl group, and the sulfonic acid group are the binding force to the oxide semiconductor crystal. It is most preferably used because it is excellent in

【0062】上記官能基Yについては、これが上記架橋
樹脂マトリクスとの反応性を有する官能基である場合、
水酸基、アミノ基、カルボキシル基、エステル基、アミ
ド基等の求核又は求電子置換反応性官能基、アクリロイ
ル基、メタクリロイル基、マレオイル基、ビニルフェニ
ル基、ビニルエステル基、ビニルアミノ基、エチニル基
等のラジカル重合性基等が例示される。
Regarding the functional group Y, when it is a functional group having reactivity with the crosslinked resin matrix,
Nucleophilic or electrophilic substitution reactive functional groups such as hydroxyl group, amino group, carboxyl group, ester group, amide group, acryloyl group, methacryloyl group, maleoyl group, vinylphenyl group, vinyl ester group, vinylamino group, ethynyl group, etc. The radically polymerizable group and the like are exemplified.

【0063】上記上記官能基Yの例示のうちアミノ基
は、エステル結合、カーボネート結合、アミド結合等の
カルボキシル基から誘導される結合及びエポキシ基への
求核置換反応性に富むので、エステル結合、カーボネー
ト結合、アミド結合及びエポキシ基を含有する架橋樹脂
(例えばアクリル系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂等)を主
体とする架橋樹脂マトリクスへの適用に好適である。ま
た、アクリロイル基、メタクリロイル基、マレオイル
基、ビニルフェニル基、ビニルエステル基、ビニルアミ
ノ基、エチニル基等のラジカル重合性基は、前記スチレ
ン系樹脂及びアクリル系樹脂を与える重合性単量体又は
酢酸ビニル等任意のラジカル重合性単量体とのラジカル
共重合性を有するので、これら2種の樹脂を主体とする
架橋樹脂マトリクスへの適用に好適である。上記ラジカ
ル重合性基のうち、ラジカル重合性の点でアクリロイル
基、メタクリロイル基、マレオイル基及びビニルフェニ
ル基が好適であり、中でもアクリロイル基、メタクリロ
イル基及びビニルフェニル基が更に好適であり、ラジカ
ル重合性の制御性の点で最も好適なのはメタクリロイル
基及びビニルフェニル基である。
Among the examples of the above-mentioned functional group Y, the amino group is rich in a bond derived from a carboxyl group such as an ester bond, a carbonate bond, an amide bond and the like, and has a nucleophilic substitution reactivity with an epoxy group. It is suitable for application to a crosslinked resin matrix mainly composed of a crosslinked resin containing a carbonate bond, an amide bond and an epoxy group (for example, acrylic resin, polyester resin, polycarbonate resin, polyamide resin, epoxy resin, etc.). Further, a radical polymerizable group such as an acryloyl group, a methacryloyl group, a maleoyl group, a vinylphenyl group, a vinyl ester group, a vinylamino group, an ethynyl group is a polymerizable monomer or acetic acid which gives the styrene resin and the acrylic resin. Since it has a radical copolymerizability with an arbitrary radically polymerizable monomer such as vinyl, it is suitable for application to a crosslinked resin matrix mainly composed of these two resins. Among the above radically polymerizable groups, acryloyl group, methacryloyl group, maleoyl group and vinylphenyl group are preferable in terms of radical polymerizability, and among them, acryloyl group, methacryloyl group and vinylphenyl group are further preferable, and radically polymerizable group. From the viewpoint of controllability, the methacryloyl group and vinylphenyl group are most preferable.

【0064】一方、上記官能基Yが上記架橋樹脂マトリ
クスとの相溶性を有する官能基である場合、その化学構
造は、該架橋樹脂マトリクスの主体である高分子の繰返
し単位の化学構造の一部又は全部と同一又は類似である
ことが好ましい。前記2価有機残基Rの炭素原子数につ
いては、官能基Yの上記相溶性又は反応性を十分に機能
させるに必要な可動性の確保と超微粒子を外界からの好
ましくない化学反応から保護する点から、その下限値は
好ましくは3以上、より好ましくは6以上、更に好まし
くは9以上であり、一方本発明の架橋樹脂組成物成形体
の耐熱性や機械的強度を極端に低下させない目的では好
ましくは25以下、更に好ましくは20以下とする。
On the other hand, when the functional group Y is a functional group having compatibility with the crosslinked resin matrix, its chemical structure is part of the chemical structure of the repeating unit of the polymer which is the main constituent of the crosslinked resin matrix. Alternatively, it is preferably the same as or similar to all. Regarding the number of carbon atoms of the divalent organic residue R, the mobility required to sufficiently function the compatibility or reactivity of the functional group Y is ensured and the ultrafine particles are protected from unfavorable chemical reactions from the outside world. From the viewpoint, the lower limit is preferably 3 or more, more preferably 6 or more, further preferably 9 or more, on the other hand, for the purpose of not significantly reducing the heat resistance and mechanical strength of the crosslinked resin composition molded product of the present invention. It is preferably 25 or less, more preferably 20 or less.

【0065】以下、上記有機配位子の具体例を挙げる
が、これら例示中(b)〜(e)における官能基は上記
一般式(3)における官能基Xに該当するものである。 (a)金属アルコキシド基含有有機配位子・・・3−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、3−グリシジルオキ
シプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピ
ルトリメトキシシラン、3−ヒドロキシプロピルトリメ
トキシシラン、3−カルボキシエチルトリメトキシシラ
ン、3−メタクリロイロキシプロピルトリメトキシシラ
ン等のアルコキシシラン類、3−グリシジルオキシプロ
ピルトリイソプロピルオキシチタン等のアルコキシチタ
ン類等。
Specific examples of the organic ligands will be given below. In these examples, the functional groups in (b) to (e) correspond to the functional group X in the general formula (3). (A) Metal alkoxide group-containing organic ligand: 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-hydroxypropyltrimethoxysilane, 3-carboxy Alkoxysilanes such as ethyltrimethoxysilane and 3-methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, and alkoxytitaniums such as 3-glycidyloxypropyltriisopropyloxytitanium.

【0066】(b)硫黄含有有機配位子・・・メルカプ
トエタン、1−メルカプト−n−ブタン、1−メルカプ
ト−n−ヘキサン、メルカプトシクロヘキサン、1−メ
ルカプト−n−オクタン、1−メルカプト−n−デカン
等のメルカプトアルカン類、下記一般式(4)で表され
る片末端がメルカプト基となったポリエチレングリコー
ル類、下記一般式(5)で表されるポリエチレングリコ
ール類のω−メルカプト脂肪酸エステル類、下記一般式
(6)で表される1H,1H,2H,2H−パーフルオ
ロアルキル−1−チオール類、チオフェノール、4−メ
チルチオフェノール、4−tert−ブチルチオフェノ
ール、4−ヒドロキシチオフェノール等のチオフェノー
ル誘導体、6−メルカプト−n−ヘキサノール等のω−
メルカプトアルコール類、ジブチルスルフィド、ジヘキ
シルスルフィド、ジオクチルスルフィド等のジアルキル
スルフィド類、ジメチルスルホキシド、ジブチルスルホ
キシド、ジオクチルスルホキシド等のジアルキルスルホ
キシド類、ジブチルジスルフィド、ジヘキシルジスルフ
ィド、ジオクチルジスルフィド等のジアルキルジスルフ
ィド類、チオ尿素、チオアセタミド等のチオカルボニル
基を有する化合物、チオフェン等の硫黄含有芳香族化合
物、オクチルスルホン酸、デシルスルホン酸、ドデシル
スルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、パーフルオ
ロアルキルスルホン酸等のスルホン酸類、あるいは下記
一般式(5)のエステル類の原料となるω−メルカプト
脂肪酸類等。
(B) Sulfur-containing organic ligand: mercaptoethane, 1-mercapto-n-butane, 1-mercapto-n-hexane, mercaptocyclohexane, 1-mercapto-n-octane, 1-mercapto-n Mercaptoalkanes such as decane, polyethylene glycols represented by the following general formula (4) having a mercapto group at one end, and ω-mercapto fatty acid esters of polyethylene glycols represented by the following general formula (5) , 1H, 1H, 2H, 2H-perfluoroalkyl-1-thiols represented by the following general formula (6), thiophenol, 4-methylthiophenol, 4-tert-butylthiophenol, 4-hydroxythiophenol, etc. Thiophenol derivatives, 6-mercapto-n-hexanol and other ω-
Dialkyl sulfides such as mercapto alcohols, dibutyl sulfide, dihexyl sulfide and dioctyl sulfide, dialkyl sulfoxides such as dimethyl sulfoxide, dibutyl sulfoxide and dioctyl sulfoxide, dialkyl disulfides such as dibutyl disulfide, dioctyl disulfide, thiourea and thioacetamide. A compound having a thiocarbonyl group such as thiophene, a sulfur-containing aromatic compound such as thiophene, octyl sulfonic acid, decyl sulfonic acid, dodecyl sulfonic acid, dodecyl benzene sulfonic acid, sulfonic acid such as perfluoroalkyl sulfonic acid, or the following general formula ( [Omega] -mercapto fatty acids, which are raw materials for the esters of 5).

【0067】[0067]

【化6】HS−(CH2CH2O)n−R1 (4)Embedded image HS- (CH 2 CH 2 O) n —R 1 (4)

【0068】[0068]

【化7】 HS−(CH2m−COO−(CH2CH2O)n−R1 (5) 但し、一般式(4)及び一般式(5)においてR1は水
素原子、炭素数6以下の炭化水素基、又はベンゼン環を
表し、nは重合度を表す自然数であり通常2≦n≦1
5、過度の立体的障害を避ける観点で好ましくは2≦n
≦10、更に好ましくは2≦n≦5である。また、一般
式(5)においてmは自然数であり通常1≦n≦20、
過度の立体的障害を避ける観点でその上限値は好ましく
は15、更に好ましくは12であり、一方該mの下限値
は超微粒子表面を外界から遮蔽する観点で好ましくは
5、更に好ましくは8である。
Embedded image HS- (CH 2 ) m —COO— (CH 2 CH 2 O) n —R 1 (5) However, in the general formulas (4) and (5), R 1 is a hydrogen atom or the number of carbon atoms. It represents a hydrocarbon group of 6 or less, or a benzene ring, and n is a natural number representing the degree of polymerization and is usually 2 ≦ n ≦ 1.
5, preferably 2 ≦ n from the viewpoint of avoiding excessive steric hindrance.
≦ 10, more preferably 2 ≦ n ≦ 5. Further, in the general formula (5), m is a natural number and usually 1 ≦ n ≦ 20,
From the viewpoint of avoiding excessive steric hindrance, its upper limit value is preferably 15, more preferably 12, while the lower limit value of m is preferably 5 and more preferably 8 from the viewpoint of shielding the surface of the ultrafine particles from the external environment. is there.

【0069】[0069]

【化8】HS−(CH22−RF (6) 但し一般式(6)において、RFはトリフルオロメチル
基(CF3−)又はジフルオロメチレン基(−CF2−)
を含有する炭素数1〜20のパーフルオロアルキル基を
表す。
[Image Omitted] HS- (CH 2 ) 2 -R F (6) However, in the general formula (6), R F is a trifluoromethyl group (CF 3- ) or a difluoromethylene group (-CF 2- ).
Represents a perfluoroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

【0070】(c)リン含有有機配位子・・・トリエチ
ルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホ
スフィン、トリオクチルホスフィン、トリデシルホスフ
ィン等のトリアルキルホスフィン類、トリエチルホスフ
ィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシド、トリヘ
キシルホスフィンオキシド、トリオクチルホスフィンオ
キシド(略称TOPO)、トリデシルホスフィンオキシ
ド等のトリアルキルホスフィンオキシド類、トリフェニ
ルホスフィンやトリフェニルホスフィンオキシド等の芳
香族ホスフィンあるいは芳香族ホスフィンオキシド類、
n−ブチルホスホン酸、n−ヘキシルホスホン酸、オク
チルホスホン酸、ドデシルホスホン酸、ベンジルホスホ
ン酸等のホスホン酸類、ジオクチルホスフィン酸等のホ
スフィン酸類等。
(C) Phosphorus-containing organic ligand: trialkylphosphines such as triethylphosphine, tributylphosphine, trihexylphosphine, trioctylphosphine, tridecylphosphine, triethylphosphine oxide, tributylphosphine oxide, trihexylphosphine Oxides, trioctylphosphine oxide (abbreviation TOPO), trialkylphosphine oxides such as tridecylphosphine oxide, aromatic phosphines or aromatic phosphine oxides such as triphenylphosphine and triphenylphosphine oxide,
Phosphonic acids such as n-butylphosphonic acid, n-hexylphosphonic acid, octylphosphonic acid, dodecylphosphonic acid and benzylphosphonic acid, and phosphinic acids such as dioctylphosphinic acid.

【0071】(d)窒素含有有機配位子・・・ピリジン
やキノリン等の窒素含有芳香族化合物、トリエチルアミ
ン、トリブチルアミン、トリヘキシルアミン、トリオク
チルアミン、トリデシルアミン、トリフェニルアミン、
メチルジフェニルアミン、ジエチルフェニルアミン、ト
リベンジルアミン等の3級アミン類、ジエチルアミン、
ジブチルアミン、ジヘキシルアミン、ジオクチルアミ
ン、ジデシルアミン、ジフェニルアミン、ジベンジルア
ミン等の2級アミン類、ヘキシルアミン、オクチルアミ
ン、デシルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミ
ン、オクタデシルアミン、フェニルアミン、ベンジルア
ミン等の1級アミン類、ニトリロ三酢酸トリエチルエス
テル等のアミノ基を有するカルボン酸エステル類等。
(D) Nitrogen-containing organic ligand: a nitrogen-containing aromatic compound such as pyridine or quinoline, triethylamine, tributylamine, trihexylamine, trioctylamine, tridecylamine, triphenylamine,
Tertiary amines such as methyldiphenylamine, diethylphenylamine, tribenzylamine, diethylamine,
Secondary amines such as dibutylamine, dihexylamine, dioctylamine, didecylamine, diphenylamine, dibenzylamine, etc., primary hexylamine, octylamine, decylamine, dodecylamine, hexadecylamine, octadecylamine, phenylamine, benzylamine, etc. Amines, carboxylic acid esters having an amino group such as nitrilotriacetic acid triethyl ester, and the like.

【0072】(e)カルボン酸有機配位子・・・ブタン
酸、ヘキサン酸、オクタン酸、デカン酸、ウンデカン
酸、ドデカン酸、オクタデカン酸等の炭素数4〜20の
脂肪酸類、安息香酸、4−オクチル安息香酸、4−ドデ
シル安息香酸等の安息香酸誘導体等。また、上記有機配
位子は、半導体結晶等の超微粒子を大気(特に酸素ガス
や水)や光等の外界からの影響から遮蔽して保持する効
果(以下「遮蔽効果」と呼ぶ)をも有する。かかる遮蔽
効果の点では、該有機配位子は炭素数4以上のメチレン
基連鎖を含有するものであることが好ましく、特に製造
過程に水やエタノール等のプロトン性溶媒を併用する場
合にその効果を顕著に発揮する。これは、該メチレン基
連鎖がその疎水性により一種の疎水障壁を半導体結晶表
面に形成し、プロトン性溶媒分子等の極性化学種が半導
体結晶等の表面に接近して金属元素を溶出する等の悪影
響を妨げる、といった機構によるものと推測される。か
かる炭素数4以上のメチレン基連鎖を有する有機配位子
の使用により、具体的には、半導体ナノ結晶の量子効果
の安定化が見られる場合が多い。このメチレン基連鎖の
炭素数は通常4〜20、好ましくは5〜16、最も好ま
しくは6〜12程度とする。
(E) Carboxylic acid organic ligand: butanoic acid, hexanoic acid, octanoic acid, decanoic acid, undecanoic acid, dodecanoic acid, octadecanoic acid and the like, fatty acids having 4 to 20 carbon atoms, benzoic acid, 4 -A benzoic acid derivative such as octylbenzoic acid and 4-dodecylbenzoic acid. Further, the organic ligand also has an effect of shielding ultrafine particles such as semiconductor crystals from the influence of the atmosphere (especially oxygen gas and water) and light from the outside (hereinafter referred to as “shielding effect”). Have. From the viewpoint of the shielding effect, the organic ligand preferably contains a methylene group chain having 4 or more carbon atoms, and the effect is particularly exhibited when a protic solvent such as water or ethanol is used in combination in the production process. Exerts remarkably. This is because the methylene group chain forms a kind of hydrophobic barrier on the semiconductor crystal surface due to its hydrophobicity, and polar chemical species such as protic solvent molecules approach the surface of the semiconductor crystal to elute the metal element. It is presumed that this is due to a mechanism that prevents adverse effects. By using the organic ligand having a methylene group chain having 4 or more carbon atoms, specifically, the quantum effect of the semiconductor nanocrystal is often stabilized. The carbon number of the methylene group chain is usually 4 to 20, preferably 5 to 16, most preferably about 6 to 12.

【0073】半導体結晶等の無機超微粒子の表面への上
記有機配位子の具体的な配位化学構造はNMRやXAF
S等の分析方法による研究例があるものの十分に解明さ
れていないが、本発明においては前記一般式(3)にお
ける官能基Xは必ずしもそのままの構造を保持していな
くてもよい。例えば、メルカプト基(SH)の場合、半
導体結晶や遷移金属結晶終端に存在する遷移金属元素M
(例えばII−VI族化合物半導体における亜鉛やカドミウ
ム、III−V族化合物半導体におけるガリウムやインジ
ウム等)との共有結合を形成した構造(例えばS−Mな
る構造)への変化、ホスフィンオキシド基(P=O)の
場合、該遷移金属元素Mとの共有結合を形成した構造
(例えばP−O−Mなる構造)への変化等も考えられ
る。
The specific coordination chemical structure of the above-mentioned organic ligand on the surface of inorganic ultrafine particles such as semiconductor crystals is determined by NMR or XAF.
Although there have been examples of studies by analytical methods such as S, they have not been sufficiently clarified, but in the present invention, the functional group X in the general formula (3) does not necessarily have to retain the structure as it is. For example, in the case of a mercapto group (SH), a transition metal element M existing at the terminal of a semiconductor crystal or a transition metal crystal
(E.g., zinc or cadmium in II-VI group compound semiconductors, gallium or indium in III-V group compound semiconductors, etc.), a phosphine oxide group (P In the case of = O), a change to a structure in which a covalent bond with the transition metal element M is formed (for example, a structure of POM) is also considered.

【0074】上記有機配位子の超微粒子への結合量は、
半導体結晶や遷移金属等の超微粒子主体と該有機配位子
との総和に対する重量百分率(wt%)として、通常5
〜80wt%、好ましくは10〜60wt%、更に好ま
しくは15〜40wt%である。かかる重量百分率は、
核磁気共鳴スペクトル(NMR)、赤外吸収スペクトル
(IR)、元素分析、あるいは熱重量分析(TG)等の
各種分析手法の組み合わせにより分析することにより見
積もることが可能である。
The amount of the above organic ligand bound to the ultrafine particles is
As a weight percentage (wt%) with respect to the total of the ultrafine particle main body such as a semiconductor crystal or a transition metal and the organic ligand, it is usually 5
-80 wt%, preferably 10-60 wt%, more preferably 15-40 wt%. Such weight percentage is
It can be estimated by analysis by a combination of various analysis methods such as nuclear magnetic resonance spectrum (NMR), infrared absorption spectrum (IR), elemental analysis, or thermogravimetric analysis (TG).

【0075】[架橋樹脂組成物成形体の製造方法]本発
明の架橋樹脂組成物成形体の製造方法に制限はないが、
例えば、熱又は活性エネルギー線によって前記重合性液
体混合物を硬化させる方法により好適に製造可能であ
る。かかる方法を以下説明する。上記硬化は、重合性液
体混合物の必須成分である重合性単量体の重合反応によ
り進行する。この重合反応の形式に制限はなく、例えば
ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合、配位重
合、縮重合、開環重合などの公知の重合形式を用いるこ
とができる。これらの重合形式の例示のうち、厳密な脱
水や脱気が必ずしも不溶である等重合条件を幅広く取る
ことができる観点で好適なのはラジカル重合、縮重合及
び開環重合であり、中でもラジカル重合が更に好まし
い。一方、光学部材としての諸特性、例えば光線透過
率、寸法安定性及び低複屈折性などを高めるためには、
活性エネルギー線照射による任意の重合形式が好まし
く、その理由は定かではないが、重合反応の開始が重合
系内で均質かつ短時間に進行することによる生成物の均
質性によるものと推定される。従って、最も好ましい重
合形式は活性エネルギー線照射によるラジカル重合であ
る。
[Method for Producing Crosslinked Resin Composition Molded Article] The method for producing the crosslinked resin composition molded article of the present invention is not limited,
For example, it can be suitably produced by a method of curing the polymerizable liquid mixture with heat or active energy rays. This method will be described below. The curing proceeds by the polymerization reaction of the polymerizable monomer that is an essential component of the polymerizable liquid mixture. There is no limitation on the form of this polymerization reaction, and known polymerization forms such as radical polymerization, anionic polymerization, cationic polymerization, coordination polymerization, polycondensation, and ring-opening polymerization can be used. Among these examples of the polymerization method, radical polymerization, polycondensation and ring-opening polymerization are preferable from the viewpoint that a wide range of polymerization conditions such as strict dehydration and degassing are not always insoluble. Radical polymerization is more preferable. preferable. On the other hand, in order to enhance various properties as an optical member, such as light transmittance, dimensional stability and low birefringence,
Any polymerization method by irradiation with active energy rays is preferable, and the reason for this is not clear, but it is presumed that the initiation of the polymerization reaction is homogeneous in the polymerization system and progresses in a short period of time due to the homogeneity of the product. Therefore, the most preferable polymerization method is radical polymerization by irradiation with active energy rays.

【0076】上記活性エネルギー線とは、必用とする重
合反応を開始する重合開始剤に作用して該重合反応を開
始する化学種を発生させる働きを有する電磁波(ガンマ
線、エックス線、紫外線、可視光線、赤外線等)又は粒
子線(電子線、α線、中性子線、各種原子線等)であ
る。本発明において好ましく用いられる活性エネルギー
線は上記電磁波であり、エネルギーと汎用光源を使用可
能であることから紫外線と可視光線が更に好ましく、最
も好ましくは紫外線である。
The above-mentioned active energy ray means an electromagnetic wave (gamma ray, X-ray, ultraviolet ray, visible ray, Infrared rays) or particle rays (electron rays, α rays, neutron rays, various atomic rays, etc.). The active energy rays preferably used in the present invention are the above-mentioned electromagnetic waves, and more preferably ultraviolet rays and visible rays, and most preferably ultraviolet rays, because energy and a general-purpose light source can be used.

【0077】従って、もっと好ましい重合態様は、紫外
線によりラジカルを発生する光ラジカル発生剤(前記例
示参照)を重合開始剤とし紫外線を活性エネルギー線と
して使用する方法である。この時、必要に応じて増感剤
を併用してもよい。上記光ラジカル重合開始剤の添加量
は、重合性単量体の総和100重量部に対し通常0.0
1〜1重量部、好ましくは0.02〜0.3重量部であ
り、この添加量が多すぎると、重合が急激に進行し複屈
折の増大をもたらすだけでなく色相も悪化する場合があ
り、また少なすぎると組成物を十分に硬化させることが
できなくなる場合がある。上記紫外線は、波長が通常2
00〜400nmの範囲であり、この波長範囲は好まし
くは300〜400nmである。一方、該紫外線の強度
は通常0.1〜200J/cm2のエネルギー範囲で照
射し、該照射時間は通常1秒〜3時間、反応促進と生産
性の点で好ましくは10秒〜1時間程度とする。かかる
活性エネルギー線の照射エネルギーや照射時間が極端に
少ない場合は重合が不完全なため得られる架橋樹脂組成
物成形体の耐熱性,寸法安定性又は機械特性が十分に発
現されない場合があり,逆に極端に過剰な場合は黄変等
光による色相悪化に代表される劣化を生ずる場合があ
る。上記活性エネルギー線照射時の温度条件は70℃以
下であることが望ましい。該活性エネルギー線の照射
は,一段階、あるいは複数段階で照射しても良く、その
線源として通常は活性エネルギー線が全方向に広がる拡
散線源を用い、通常、型内に賦形された前記重合性液体
混合物と光源を固定静置した状態あるいは前者をコンベ
ア等で移送しながら行う方法で照射する。また、前記重
合性液体混合物を適当な基板(例えば樹脂、金属、半導
体、ガラス、紙等)上の塗布液膜とし、次いで活性エネ
ルギー線を照射して該塗布液膜を硬化させることも可能
である。
Therefore, a more preferable polymerization mode is a method in which a photoradical generator (see the above-mentioned example) which generates radicals by ultraviolet rays is used as a polymerization initiator and ultraviolet rays are used as active energy rays. At this time, if necessary, a sensitizer may be used in combination. The addition amount of the photo-radical polymerization initiator is usually 0.0 with respect to 100 parts by weight of the total of the polymerizable monomers.
It is 1 to 1 part by weight, preferably 0.02 to 0.3 part by weight. If the amount added is too large, not only the polymerization will rapidly proceed to cause an increase in birefringence but also the hue may deteriorate. If it is too small, the composition may not be sufficiently cured. The wavelength of the ultraviolet rays is usually 2
The range is from 00 to 400 nm, and this wavelength range is preferably from 300 to 400 nm. On the other hand, the intensity of the ultraviolet rays is usually in the energy range of 0.1 to 200 J / cm 2 , and the irradiation time is usually 1 second to 3 hours, preferably 10 seconds to 1 hour from the viewpoint of reaction promotion and productivity. And When the irradiation energy of the active energy ray or the irradiation time is extremely short, the heat resistance, dimensional stability, or mechanical properties of the obtained crosslinked resin composition molded article may not be sufficiently expressed due to incomplete polymerization, and vice versa. If it is extremely excessive, deterioration such as yellowing may occur, which is represented by deterioration of hue due to light. The temperature condition during irradiation with the active energy rays is preferably 70 ° C. or lower. Irradiation with the active energy ray may be performed in one step or in a plurality of steps. As the source of the radiation, a diffusion ray source in which the active energy ray spreads in all directions is usually used, and it is usually shaped in a mold. Irradiation is carried out by a method in which the polymerizable liquid mixture and the light source are fixed and left stationary or while the former is transferred by a conveyor or the like. It is also possible to use the polymerizable liquid mixture as a coating liquid film on an appropriate substrate (for example, resin, metal, semiconductor, glass, paper, etc.), and then irradiate active energy rays to cure the coating liquid film. is there.

【0078】重合形式としてカチオン重合やアニオン重
合を行う場合には、光酸塩基発生剤を通常併用する。 [用途]本発明の架橋樹脂組成物成形体の用途として
は、ディスプレー用等の各種表示素子用、中でも液晶表
示素子用途(例えば液晶表示パネル)、或いは各種光学
部材として好適に用いることができる。
When cationic polymerization or anionic polymerization is carried out as a polymerization method, a photoacid-base generator is usually used in combination. [Applications] The crosslinked resin composition molded article of the present invention can be suitably used for various display devices such as displays, liquid crystal display devices (for example, liquid crystal display panels), or various optical members.

【0079】本発明の架橋樹脂組成物成形体は、その優
れた光学特性(透明性、寸法安定性、光学的又は寸法安
定性の等方性、低光学歪み、分散された半導体ナノ結晶
の紫外線吸収性による耐紫外線性など)及び引張強度に
より、特に光を透過する光学部材(いわゆるパッシブ
(Passive)光学部材)に好適に利用される。例
えば、可視領域を含む350〜650nmの波長成分を
含有する光線を透過させる機構を有する光学機能装置に
おける上記パッシブ光学部材に用いられる。かかる光学
機能装置としては、各種ディスプレイ装置(液晶ディス
プレイやプラズマディスプレイ等)、各種プロジェクタ
装置(OHP、液晶プロジェクタ等)、光ファイバー通
信装置(光導波路、光増幅器等)、カメラやビデオ等の
撮影装置等が例示される。
The molded article of the crosslinked resin composition of the present invention has excellent optical properties (transparency, dimensional stability, isotropic optical or dimensional stability, low optical strain, and ultraviolet rays of dispersed semiconductor nanocrystals. It is preferably used for an optical member that transmits light (so-called passive optical member) due to its absorption property (UV resistance, etc.) and tensile strength. For example, it is used for the above-mentioned passive optical member in an optical functional device having a mechanism for transmitting a light ray containing a wavelength component of 350 to 650 nm including the visible region. Examples of such optical functional devices are various display devices (liquid crystal displays, plasma displays, etc.), various projector devices (OHP, liquid crystal projectors, etc.), optical fiber communication devices (optical waveguides, optical amplifiers, etc.), cameras, video shooting devices, etc. Is exemplified.

【0080】かかる光学機能装置における上記パッシブ
光学部材としては、レンズ、プリズム、パネル(板状成
形体)、フィルム、光導波路(フィルム状やファイバー
状等)、光ディスク等が例示される。かかるパッシブ光
学部材には、必要に応じて任意の被覆層、例えば摩擦や
摩耗による塗布面の機械的損傷を防止する保護層、半導
体結晶粒子や基材等の劣化原因となる望ましくない波長
の光線を吸収する光線吸収層、水分や酸素ガス等の反応
性低分子の透過を抑制あるいは防止する透過遮蔽層、防
眩層、反射防止層、低屈折率層等や、基材と塗布面との
接着性を改善する下引き層、電極層等、任意の付加機能
層を設けて多層構造としてもよい。かかる任意の被覆層
の具体例としては、無機酸化物コーティング層からなる
透明導電性膜やガスバリア膜、有機物コーティング層か
らなるガスバリア膜やハードコート等が挙げられ、その
コーティング法としては真空蒸着法、CVD法、スパッ
タリング法、ディップコート法、スピンコート法等公知
のコーティング法を用いることができる。
Examples of the passive optical member in such an optical functional device include a lens, a prism, a panel (plate-shaped molded body), a film, an optical waveguide (film-shaped or fiber-shaped), an optical disk and the like. In such a passive optical member, an optional coating layer as necessary, for example, a protective layer that prevents mechanical damage to the coated surface due to friction or abrasion, a light ray having an undesirable wavelength that causes deterioration of semiconductor crystal particles, a base material, or the like. A light absorbing layer that absorbs, a transmission blocking layer that suppresses or prevents the transmission of reactive low molecules such as water and oxygen gas, an antiglare layer, an antireflection layer, a low refractive index layer, and the like, and a base material and a coated surface. An arbitrary additional functional layer such as an undercoat layer or an electrode layer for improving adhesiveness may be provided to form a multilayer structure. Specific examples of such an arbitrary coating layer include a transparent conductive film and a gas barrier film formed of an inorganic oxide coating layer, a gas barrier film and a hard coat formed of an organic coating layer, and the coating method thereof is a vacuum deposition method, A known coating method such as a CVD method, a sputtering method, a dip coating method or a spin coating method can be used.

【0081】本発明の光学部材の具体例を更に詳細に例
示すると、眼鏡用レンズ、光コネクタ用マイクロレン
ズ、発光ダイオード用集光レンズ等の各種レンズ、光ス
イッチ、光ファイバー、光回路における光分岐、接合回
路、光多重分岐回路、光度調器等の光通信用部品、液晶
基板、タッチパネル、導光板、位相差板等各種ディスプ
レイ用部材、光ディスク基板や光ディスク用フィルム・
コーティングを初めとする記憶・記録用途、更には機能
性フィルム、反射防止膜、光学多層膜(選択反射膜、選
択透過膜等)、超解像膜、紫外線吸収膜、反射制御膜、
光導波路、及び識別機能印刷面等各種光学フィルム・コ
ーティング用途等が挙げられる。
Specific examples of the optical member of the present invention will be illustrated in more detail. Lenses for glasses, various lenses such as microlenses for optical connectors, condenser lenses for light emitting diodes, optical switches, optical fibers, optical branching in optical circuits, Optical communication components such as junction circuits, optical multiplex / branch circuits, photochromic devices, liquid crystal substrates, touch panels, light guide plates, retardation plates, various display members, optical disc substrates and optical disc films, etc.
Storage and recording applications including coatings, functional films, antireflection films, optical multilayer films (selective reflection films, selective transmission films, etc.), super-resolution films, ultraviolet absorption films, reflection control films,
Examples include various optical films and coating applications such as optical waveguides and identification function printing surfaces.

【0082】[0082]

【実施例】以下に本発明の内容及び効果を実施例により
更に詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限
り、以下の例に限定されるものではない。また合成例に
おける各種同定や分析、実施例及び比較例における各種
成形や評価は以下の方法で実施した。なお、原料試薬
は、特に記載がない限り、Aldrich社より供給さ
れるものを精製を加えず使用した。但し、市販の溶剤を
以下のような精製操作により精製溶媒とした。
EXAMPLES The contents and effects of the present invention will be described below in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to the following examples as long as the gist thereof is not exceeded. Further, various identifications and analyzes in the synthesis examples and various moldings and evaluations in the examples and comparative examples were performed by the following methods. Unless otherwise specified, the raw material reagents used were those supplied by Aldrich without purification. However, a commercially available solvent was used as a purified solvent by the following purification operation.

【0083】精製トルエン・・・濃硫酸、水、飽和重曹
水、更に水の順序で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥次いで濾紙で濾過し、五酸化二リン(P25)を加え
て大気圧にて蒸留した。精製メタノール・・・硫酸カル
シウムと水素化カルシウムで乾燥した後更に水素化ナト
リウムを加え、ここから大気圧にて直接蒸留したもの、
又はAldrich社より供給された無水(「Anhy
drous」)グレードを使用した。
Purified toluene: Concentrated sulfuric acid, water, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate, and then water in that order, dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered through filter paper, and added diphosphorus pentoxide (P 2 O 5 ) to give a large volume. Distilled at atmospheric pressure. Purified methanol: dried with calcium sulfate and calcium hydride, further added with sodium hydride, and distilled directly from here at atmospheric pressure,
Or anhydrous ("Anhy" supplied by Aldrich).
druse ") grade was used.

【0084】[分析、成形及び評価の方法] (1)核磁気共鳴(NMR)スペクトル:日本電子社製
JNM−EX270型FT−NMR(1H:270MH
z、13C:67.8MHz)。溶媒は特に断らない限り
重水素化クロロホルムを溶媒として使用し、テトラメチ
ルシランを0ppm対照として23℃にて測定した。 (2)赤外吸収(IR)スペクトル:日本分光工業社製
FT/IRー8000型FT−IR。23℃にて測定し
た。 (3)X線回折(XRD)スペクトル:リガク(株)製
RINT1500(X線源:銅Kα線、波長1.541
8Å)。23℃にて測定した。 (4)透過型電子顕微鏡(TEM)観察:日立製作所
(株)社製H−9000UHR型透過型電子顕微鏡(加
速電圧300kV、観察時の真空度約7.6×10 -9
orr)にて行った。 (5)光励起発光(PL)スペクトル:日立製作所
(株)社製F−2500型分光蛍光光度計にて、スキャ
ンスピード60nm/分、励起側スリット5nm、蛍光
側スリット5nm、フォトマル電圧400Vの条件で室
温にて測定した。 (6)光線透過率及び吸収スペクトル:ヒューレットパ
ッカード社製HP8453型紫外・可視吸光光度計にて
室温で測定した。架橋樹脂組成物成形体の光線透過率測
定には1mm厚の試験片を用い、任意の異なる10箇所
で測定を行いその算術平均値を以下の評価に使用した。 (7)熱分解残渣率:架橋樹脂組成物成形体の一部を採
取し、熱重量分析(TG)をセイコーインスツルメンツ
(株)製TG−DTA320を用いて、200mL/分
の窒素気流下、アルミニウム皿の上で、昇温速度は10
℃/分、140℃で保温30分次いで最高設定温度59
0℃(サンプル直下の実測温度は602〜603℃程
度)で保温120分の条件で行った。こうして測定され
た残渣重量のTG測定前の重量に対する百分率を以下
「熱分解残渣率」と称する。 (8)ガラス転移温度:耐熱性:3mm×30mm×
0.5mmの短冊状試験片を用いて、ガラス転移温度T
gを引っ張り法TMAにて加重2gで測定した。昇温条
件は5℃/minとした。 (9)複屈折:1mm厚の架橋樹脂組成物成形体を用
い、自動複屈折測定装置(オーク製作所製、ADR−1
50N)を用いて25℃で測定した。測定は任意の異な
る10箇所で行いその算術平均値を以下の評価に使用し
た。 (10)割れ性試験(引張強度又は弾性率の簡易評
価):機械的強度の定性的な簡易評価として、成形品を
手で曲げて割れる時に要する力の大小を比較した。小さ
な力でも割れやすい場合を×、割れにくい場合を○、両
者の中間を△、とする3段階評価とした。
[Method of analysis, molding and evaluation] (1) Nuclear magnetic resonance (NMR) spectrum: manufactured by JEOL Ltd.
JNM-EX270 type FT-NMR (1H: 270 MH
z,13C: 67.8 MHz). Unless specified otherwise
Using deuterated chloroform as a solvent,
Lusilane was measured at 23 ° C. as a 0 ppm control. (2) Infrared absorption (IR) spectrum: manufactured by JASCO Corporation
FT / IR-8000 type FT-IR. Measured at 23 ° C
It was (3) X-ray diffraction (XRD) spectrum: manufactured by Rigaku Corporation
RINT 1500 (X-ray source: copper Kα ray, wavelength 1.541
8Å). It was measured at 23 ° C. (4) Transmission electron microscope (TEM) observation: Hitachi
H-9000UHR transmission electron microscope manufactured by Co., Ltd.
High-speed voltage of 300 kV, vacuum degree during observation of about 7.6 × 10 -9T
orr). (5) Photo-excited luminescence (PL) spectrum: Hitachi
Scan with a F-2500 spectrofluorimeter made by Co., Ltd.
Speed 60nm / min, excitation side slit 5nm, fluorescence
Room with a side slit of 5 nm and a photomultiplier voltage of 400 V
The temperature was measured. (6) Light transmittance and absorption spectrum: Hewlett-Packard
HP-8453 type UV / Visible absorptiometer manufactured by KK
It was measured at room temperature. Light transmittance measurement of crosslinked resin composition moldings
1mm thick test piece is used for measurement
And the arithmetic mean value was used for the following evaluation. (7) Pyrolysis residue rate: A part of the crosslinked resin composition molded body is taken
And take thermogravimetric analysis (TG) to Seiko Instruments
200 mL / min using TG-DTA320 manufactured by Co., Ltd.
The temperature rising rate is 10 on the aluminum plate under the nitrogen stream.
℃ / min, keep 140 ℃ for 30 minutes, then set maximum temperature 59
0 ° C (Actual temperature just below the sample is about 602 to 603 ° C)
Temperature) for 120 minutes. Thus measured
The percentage of residual residue weight before TG measurement is
This is referred to as the "thermal decomposition residue rate". (8) Glass transition temperature: heat resistance: 3 mm x 30 mm x
Using a 0.5 mm strip-shaped test piece, the glass transition temperature T
g was measured by a tensile method TMA with a weight of 2 g. Temperature rise
The condition was 5 ° C./min. (9) Birefringence: using a crosslinked resin composition molded body with a thickness of 1 mm
Automatic birefringence measuring device (Oak Seisakusho, ADR-1
50 N) at 25 ° C. Measurement is any different
10 points, and use the arithmetic mean value for the following evaluation
It was (10) Crackability test (simple evaluation of tensile strength or elastic modulus
Value): As a qualitative simple evaluation of mechanical strength, molded products
We compared the magnitude of the force required to bend and break by hand. small
If it is easy to break even with strong force, it will be ×, if it is hard to break, it will be ○, both
The middle of the cases was evaluated as Δ, and a three-level evaluation was performed.

【0085】[有機配位子及び半導体ナノ結晶の合成
例] 合成例1:有機配位子の合成例 11−メルカプトウンデカン酸(1.70g)とトリエ
チレングリコールモノメチルエーテル(以下MTEGと
称す;50mL)、及び濃硫酸(国産化学(株)社製;
5滴)を乾燥窒素雰囲気のフラスコ内で混合し、60℃
で攪拌しながら30mmHg以下の圧力での減圧脱水を
延べ約36時間行った。反応液を大量の氷水に攪拌しな
がら徐々に加えて得た析出物をn−ヘキサン/酢酸エチ
ル(共に純正化学(株)社製)混合溶媒で抽出し、この
有機相を飽和重曹水、次いで水で洗浄し、硫酸ナトリウ
ム上で乾燥後濾過して濃縮し、室温で真空乾燥した。こ
の生成物は、IRスペクトルにおいて1735cm-1
エステル基、2920cm -1及び2845cm-1のピー
クを含むMTEG由来の炭化水素構造にそれぞれ帰属さ
れる吸収帯を与えた。更に1H−NMRスペクトルにお
いて、後述するように予想構造に合致する合理的なシグ
ナルと積分値を与えたので、下記式(7)に示される1
1−メルカプトウンデカン酸MTEGエステル(以下M
TEG−C11SHと称す)を単離したものと結論し
た。1 H−NMRスペクトル:1.25−1.67(マルチ
プレット,18プロトン,脂肪族鎖)2.33(トリプ
レット,2プロトン,J=7.6Hz,原料カルボン酸
残基由来のメチレン基)、3.38(シングレット,3
プロトン,メチル基)、3.54〜3.58(マルチプ
レット,2プロトン)、3.63〜3.72(マルチプ
レット,8プロトン)、4.23(トリプレット,2プ
ロトン,J=5.0Hz,エステル結合に隣接するMT
EG残基のメチレン基)。
[Synthesis of Organic Ligands and Semiconductor Nanocrystals
Example] Synthesis example 1: Synthesis example of organic ligand 11-Mercaptoundecanoic acid (1.70 g) and Trier
Tylene glycol monomethyl ether (hereinafter MTEG
50 mL), and concentrated sulfuric acid (manufactured by Kokusan Kagaku Co., Ltd .;
5 drops) in a flask under a dry nitrogen atmosphere and mixed at 60 ° C.
Decompression dehydration at a pressure of 30 mmHg or less while stirring with
It went for about 36 hours in total. Do not stir the reaction solution in a large amount of ice water.
The precipitate obtained by gradually adding the n-hexane / ethyl acetate
(Both manufactured by Junsei Kagaku Co., Ltd.) mixed solvent
The organic phase is washed with saturated aqueous sodium hydrogen carbonate and then with water, and washed with sodium sulfate.
After drying on vacuum, it was filtered, concentrated, and dried under vacuum at room temperature. This
Product of 1735 cm in IR spectrum-1To
Ester group, 2920cm -1And 2845 cm-1The pea
Each is assigned to a hydrocarbon structure derived from MTEG containing
Gave an absorption band. Further1H-NMR spectrum
And a reasonable sig that matches the expected structure, as described below.
Since the null and the integral value are given, 1 shown in the following equation (7)
1-Mercaptoundecanoic acid MTEG ester (hereinafter M
TEG-C11SH) was isolated.
It was1 H-NMR spectrum: 1.25 to 1.67 (multi
Plett, 18 protons, aliphatic chain) 2.33 (triple
Lett, 2 protons, J = 7.6 Hz, raw material carboxylic acid
Methylene group derived from residue) 3.38 (singlet, 3
Proton, methyl group), 3.54 to 3.58 (multiply
Lett, 2 protons, 3.63 to 3.72 (multiply)
Lett, 8 protons, 4.23 (triplet, 2 pt)
Roton, J = 5.0 Hz, MT adjacent to ester bond
Methylene group of EG residue).

【0086】[0086]

【化9】 HS(CH210COO(CH2CH2O)3CH3 (7) 合成例2:CdSe超微粒子 空冷式のリービッヒ還流管と反応温度調節のための熱電
対を装着したパイレックス(登録商標)ガラス製3口フ
ラスコにトリオクチルホスフィンオキシド(以下TOP
Oと略記;4g)を入れ、マグネチックスターラーで攪
拌しながら乾燥アルゴンガス雰囲気で360℃に加熱し
た。別途、乾燥窒素雰囲気のグローブボックス内で、セ
レン(単体の黒色粉末;0.1g)をトリブチルホスフ
ィン(以下TBPと略記;6.014g)に溶解した液
体に更にジメチルカドミウム(Strem Chemi
cal社製;97%;0.216g)を混合溶解した原
料溶液Aを、ゴム栓(Aldrich社から供給される
セプタム)で封をしアルミニウム箔ですき間なく包んで
遮光したガラス瓶中に調製した。この原料溶液Aの一部
(2.0mL)を、前記のTOPOの入ったフラスコに
注射器で一気に注入し、この時点を反応の開始時刻とし
た。反応開始20分後に熱源を除去し約50℃に冷却さ
れた時点で精製トルエン(2mL)を注射器で加えて希
釈し、更に前記の精製メタノール(10mL)を注入し
て不溶物を生じさせた。この不溶物を遠心分離(300
0rpm)し、デカンテーションにより上澄み液を除去
して分離し、室温にて約14時間真空乾燥して固形粉体
を得た。この固形粉体のXRDスペクトルにおいて、W
urtzite型CdSe結晶の002面及び110面
に帰属される回折ピークを観測したことからCdSeナ
ノ結晶の生成を確認した。また、このCdSeナノ結晶
の数平均粒径は、TEM観察によれば約4nmであっ
た。こうして得たCdSe超微粒子は、精製トルエン溶
液において、水銀灯の366nm波長の励起光を照射す
ると赤色の発光帯(ピーク波長595nm、半値幅43
nm)を与えた。
Embedded image HS (CH 2 ) 10 COO (CH 2 CH 2 O) 3 CH 3 (7) Synthesis Example 2: CdSe ultrafine particle air-cooled Liebig reflux tube and Pyrex equipped with a thermocouple for controlling reaction temperature (Registered trademark) trioctylphosphine oxide (hereinafter TOP) in a three-neck glass flask.
O was abbreviated; 4 g), and the mixture was heated to 360 ° C. in a dry argon gas atmosphere while stirring with a magnetic stirrer. Separately, in a glove box under a dry nitrogen atmosphere, selenium (black powder of a simple substance; 0.1 g) was dissolved in tributylphosphine (hereinafter abbreviated as TBP; 6.014 g), and further added to dimethyl cadmium (Strem Chemi).
Cal solution; 97%; 0.216 g) was mixed and dissolved to prepare a raw material solution A, which was sealed in a rubber stopper (a septum supplied from Aldrich) and wrapped in aluminum foil with no gap to prepare a glass bottle protected from light. A portion (2.0 mL) of this raw material solution A was injected all at once into the flask containing TOPO with a syringe, and this time was taken as the reaction start time. 20 minutes after the start of the reaction, when the heat source was removed and the temperature was cooled to about 50 ° C., purified toluene (2 mL) was added by a syringe to dilute, and the purified methanol (10 mL) was further injected to generate an insoluble matter. This insoluble matter is centrifuged (300
(0 rpm), the supernatant was removed by decantation and separated, and vacuum dried at room temperature for about 14 hours to obtain a solid powder. In the XRD spectrum of this solid powder, W
The formation of CdSe nanocrystals was confirmed by observing the diffraction peaks assigned to the 002 plane and the 110 plane of the urtzite type CdSe crystal. The number average particle size of the CdSe nanocrystals was about 4 nm according to TEM observation. The CdSe ultrafine particles thus obtained were irradiated with excitation light having a wavelength of 366 nm from a mercury lamp in a purified toluene solution to give a red emission band (peak wavelength 595 nm, full width at half maximum 43).
nm).

【0087】合成例3:ZnSシェルを有するコアシェ
ル構造CdSe超微粒子 B.O.Dabbousiら;J.Phys.Che
m.B,101巻,9463頁(1997)に記載の方
法に準じて行った。これを以下説明する。乾燥アルゴン
ガス雰囲気の褐色ガラス製の3口フラスコ中にTOPO
(15g)を入れ、減圧下130〜150℃での溶融状
態で約2時間攪拌した。この間、残留する空気及び水等
の揮発性分を置換する目的で、乾燥アルゴンガスにより
大気圧に復圧する操作を数回行った。温度設定を100
℃として約1時間後、合成例2で得たCdSe超微粒子
の固形粉体(0.094g)のトリオクチルホスフィン
(1.5g、以下TOPと略記)溶液を加えて、CdS
eナノ結晶を含む透明溶液を得た。これを100℃の減
圧下で更に約80分間攪拌後、温度を180℃に設定し
て乾燥アルゴンガスで大気圧に復圧した。別途、乾燥窒
素雰囲気のグローブボックス内で、ジエチル亜鉛の1N
濃度n−ヘキサン溶液(1.34mL;1.34ミリモ
ル)とビス(トリメチルシリル)スルフィド(0.23
9g;1.34ミリモル)とをTOP(9mL)に溶解
した原料溶液Bを、セプタムで封をしアルミニウム箔で
すき間なく包んで遮光したガラス瓶中に調製した。この
原料溶液Bを、注射器により、前記の180℃のCdS
e超微粒子を含む透明溶液に20分間かけて滴下し、9
0℃に降温後約1時間攪拌を継続した。室温で約14時
間静置した後、再び90℃で3時間加熱攪拌した。熱源
を除去し、Aldrich社から供給される無水グレー
ド(99.8%)のn−ブタノール(8mL)を反応液
に加えて室温まで冷却して、透明な赤色溶液を得た。こ
の赤色溶液には、原料のビス(トリメチルシリル)スル
フィド等の硫黄化合物の臭気はなく、代わりにセレン特
有のニラ様臭気があった。合成例2で得たCdSe超微
粒子の溶液にはこのようなセレン臭はなかったので、該
CdSeナノ結晶表面での意図した硫化物生成反応の進
行とともに、該ナノ結晶表面における硫黄原子によるセ
レン原子の置換反応等何らかの機構によるセレンの遊離
があったものと推測され、前記文献記載同様にZnSシ
ェルを有するコアシェル構造CdSe超微粒子が生成し
たものと考えられた。この赤色溶液の一部(8mL)
を、乾燥窒素気流下、室温で精製メタノール(16m
L)中に滴下し20分間攪拌を継続する沈殿操作により
赤色不溶物を得た。この赤色不溶物を合成例2同様に遠
心分離及びデカンテーションにより分離し、精製トルエ
ン(14mL)に再溶解した。この再溶解トルエン溶液
を用いて、再び同様の沈殿操作、遠心分離、及びデカン
テーションの一連の精製操作を行って固体生成物を得
た。この固体生成物は、1mLの精製メタノールと振り
混ぜて洗浄後、デカンテーションで分離した。この固体
生成物の数平均粒径は、TEM観察によれば約5nmで
あった。この固体生成物は透明赤色のトルエン溶液を与
え、ここに468nm波長の励起光を照射すると赤色の
発光帯(ピーク波長597nm、半値幅41nm)を与
えた。この発光は同程度の溶液濃度において、合成例2
で得たCdSe超微粒子の場合よりも明らかに発光強度
が大きかったことから、ZnSシェルを有するコアシェ
ル構造CdSeナノ結晶に変換され、表面準位等を経由
する非発光過程の寄与が抑制されたものと考えられた。
また、この生成物のIRスペクトルは、TOPOのアル
キル基に由来すると考えられる3つの吸収帯を294
0,2920,及び2850cm-1に与えたので、TO
POがナノ結晶表面に結合しているものと考えられた。
Synthesis Example 3: Core-shell structure CdSe ultrafine particles having ZnS shell B. O. Dabbousi et al .; Phys. Che
m. B, 101, 9463 (1997). This will be described below. TOPO was placed in a three-necked flask made of brown glass in a dry argon gas atmosphere.
(15 g) was added, and the mixture was stirred under reduced pressure at 130 to 150 ° C. for about 2 hours in a molten state. During this period, the operation of restoring the atmospheric pressure with dry argon gas was performed several times in order to replace the remaining volatile components such as air and water. Set temperature to 100
After about 1 hour at 0 ° C., a solution of the solid powder of CdSe ultrafine particles (0.094 g) obtained in Synthesis Example 2 (0.094 g) in trioctylphosphine (1.5 g, hereinafter abbreviated as TOP) was added, and CdS was added.
A clear solution containing e nanocrystals was obtained. This was further stirred under reduced pressure of 100 ° C. for about 80 minutes, then the temperature was set to 180 ° C. and the pressure was restored to atmospheric pressure with dry argon gas. Separately, in a glove box in a dry nitrogen atmosphere, add 1N of diethyl zinc.
Concentration n-hexane solution (1.34 mL; 1.34 mmol) and bis (trimethylsilyl) sulfide (0.23
9 g; 1.34 mmol) was dissolved in TOP (9 mL) to prepare a raw material solution B, which was sealed in a septum and wrapped in aluminum foil with no gap to prepare a glass bottle protected from light. This raw material solution B was added to the above CdS at 180 ° C. with a syringe.
e Dropping into a transparent solution containing ultrafine particles over 20 minutes,
After the temperature was lowered to 0 ° C., stirring was continued for about 1 hour. After standing at room temperature for about 14 hours, the mixture was again heated and stirred at 90 ° C. for 3 hours. The heat source was removed and anhydrous grade (99.8%) n-butanol (8 mL) supplied by Aldrich was added to the reaction solution and cooled to room temperature to obtain a clear red solution. This red solution had no odor of sulfur compounds such as bis (trimethylsilyl) sulfide as a raw material, and instead had a leek-like odor characteristic of selenium. Since the solution of the CdSe ultrafine particles obtained in Synthesis Example 2 did not have such a selenium odor, the selenium atom due to the sulfur atom on the surface of the nanocrystal was promoted with the progress of the intended sulfide formation reaction on the surface of the CdSe nanocrystal. It is presumed that selenium was liberated by some mechanism such as the substitution reaction of 1), and it was considered that CdSe ultrafine particles having a core-shell structure having a ZnS shell were generated as described in the above-mentioned literature. Part of this red solution (8 mL)
Under a dry nitrogen stream at room temperature, purified methanol (16 m
A red insoluble matter was obtained by a precipitation operation in which L) was added dropwise and stirring was continued for 20 minutes. The red insoluble matter was separated by centrifugation and decantation in the same manner as in Synthesis Example 2, and redissolved in purified toluene (14 mL). Using this redissolved toluene solution, a series of purification operations such as precipitation, centrifugation, and decantation were performed again to obtain a solid product. The solid product was shaken with 1 mL of purified methanol, washed, and then separated by decantation. The number average particle diameter of this solid product was about 5 nm according to TEM observation. This solid product gave a transparent red toluene solution, which was irradiated with excitation light having a wavelength of 468 nm to give a red emission band (peak wavelength 597 nm, full width at half maximum 41 nm). This luminescence is similar to that of Synthesis Example 2 at the same solution concentration.
Since the emission intensity was obviously higher than that of the CdSe ultrafine particles obtained in 1., it was converted into a CdSe nanocrystal having a core-shell structure having a ZnS shell, and the contribution of the non-emission process via the surface level etc. was suppressed. It was considered.
In addition, the IR spectrum of this product shows three absorption bands of 294, which are considered to be derived from the alkyl group of TOPO.
Since it was given at 0 , 2920, and 2850 cm -1 , TO
It was considered that PO was bound to the nanocrystal surface.

【0088】合成例4:MTEG−C11SHを有機配
位子として有するコアシェル構造CdSe超微粒子 合成例3で得たZnSシェルを有するコアシェル構造C
dSe超微粒子(0.5g)を、窒素雰囲気下エタノー
ル(純正化学(株)、8mL)中で攪拌して分散しなが
ら、ここに合成例1で合成したMTEG−C11SH
(0.4g)を加え約20分間加熱還流させた。この加
熱還流により上記コアシェル構造CdSe超微粒子が溶
解して濁りのない赤色エタノール溶液を与えた。反応液
を減圧濃縮して得た残渣にn−ヘキサンを加えて約20
秒間超音波照射して分散させ、次いで遠心分離(400
0rpm、6分間)とデカンテーションにより不溶物を
分離した。こうして分離した不溶物を精製トルエンに再
溶解し、約10倍容量のn−ヘキサン中に注入して析出
物を生成させ、これを前記同様に遠心分離とデカンテー
ションにより分離した。この再溶解、析出及び分離の操
作をもう1度繰り返して精製した。この生成物を室温で
真空乾燥して得た固体は、エタノール又は50重量%の
エタノール水溶液に可溶で濁りのない赤色溶液を与え
た。かかるエタノール溶液は合成例3の場合と同一の発
光帯を与え、該固体生成物のIRスペクトルはMTEG
−C11SH由来のエステル基及び炭化水素構造部分に
それぞれ帰属される吸収帯を与え、しかも合成例3で述
べたTOPOのアルキル基に由来すると考えられる3つ
の鋭い吸収ピークは観測されなかったので、MTEG−
C11SHが半導体結晶部分には実質的に化学変化を及
ぼさずにTOPOを置換した半導体ナノ結晶が得られた
ものと考えられた。この固体生成物の有機物含量をTG
測定で定量したところ29重量%であった。
Synthesis Example 4: Core-shell structure CdSe ultrafine particles having MTEG-C11SH as an organic ligand Core-shell structure C having ZnS shell obtained in Synthesis Example 3
While the dSe ultrafine particles (0.5 g) were stirred and dispersed in ethanol (Junsei Kagaku Co., Ltd., 8 mL) under a nitrogen atmosphere, the MTEG-C11SH synthesized in Synthesis Example 1 was mixed therein.
(0.4 g) was added and the mixture was heated under reflux for about 20 minutes. By this heating under reflux, the CdSe ultrafine particles having the core-shell structure were dissolved to give a cloudless red ethanol solution. The reaction solution was concentrated under reduced pressure, and n-hexane was added to the residue to obtain about 20.
Sonicate for 2 seconds to disperse, then centrifuge (400
The insoluble matter was separated by decantation at 0 rpm for 6 minutes. The insoluble matter thus separated was redissolved in purified toluene and poured into about 10-fold volume of n-hexane to form a precipitate, which was separated by centrifugation and decantation as described above. The operations of redissolving, precipitating and separating were repeated once again for purification. The solid obtained by vacuum-drying this product at room temperature gave a red solution that was soluble in ethanol or a 50% by weight aqueous ethanol solution and was not cloudy. Such an ethanol solution gave the same emission band as in Synthesis Example 3, and the IR spectrum of the solid product was MTEG.
Since the absorption bands assigned to the -C11SH-derived ester group and the hydrocarbon structure portion were respectively given, and three sharp absorption peaks believed to be derived from the alkyl group of TOPO described in Synthesis Example 3 were not observed, MTEG −
It was considered that C11SH did not substantially change the semiconductor crystal part chemically and a semiconductor nanocrystal in which TOPO was substituted was obtained. The organic content of this solid product was determined to be TG
The quantity determined by measurement was 29% by weight.

【0089】合成例5:ジアルキルスルホスクシネート
を有機配位子として有するTiO2超微粒子の合成 前記伊藤ら著の文献記載の方法を参考として行った。以
下、手順を説明する。0.1モル/Lの濃度の塩化チタ
ニル水溶液を攪拌しながら、同容量の1.5モル/Lの
濃度の炭酸ナトリウム水溶液を室温で25分かけて滴下
した。こうして得た白色の超微粒子の懸濁液を、遠心分
離(4000rpm)、上澄み液のデカンテーションに
よる除去及び水洗の3工程をこの順に繰り返す操作によ
り精製した。但し、該精製は、上澄み液に水酸化バリウ
ム水溶液を加えても硫酸バリウムの白色の濁りが目視観
察されなくなるまで行った。こうして得た白色沈殿を
0.3モル/Lの濃度の希塩酸中に攪拌分散しながら6
0℃で約1時間加熱して透明感のある酸性ヒドロゾルを
得た。この酸性ヒドロゾルに氷冷し、アルキル基の一方
がアリル基でありラジカル重合性を有するジアルキルス
ルホスクシネートモノナトリウム塩(三洋化成工業
(株)製、商標名はエレミノールJS−2、ロット番号
0804831)の水溶液を加えたところ白色沈殿を生
じたので、これを遠心分離とデカンテーションにより分
離した。この白色沈殿は酢酸エチル等の有機溶媒に可溶
であったのでこれを大量の水中に分散してよく攪拌して
水洗し、次いで酢酸エチルとn−ヘキサンの混合溶媒で
抽出し、乾燥後濃縮した。この濃縮残渣のXRDとTE
Mより、アナタース型TiO2超微粒子のナノ結晶(数
平均粒径は約5nm)の生成を確認した。この濃縮残渣
も有機溶媒に可溶であったことから、上記ジアルキルス
ルホスクシネート残基がアナタース型二酸化チタンのナ
ノ結晶表面にスルホン酸基を介して結合したTiO2
微粒子であるものと考えられた。
Synthesis Example 5: Synthesis of TiO 2 Ultrafine Particles Having Dialkylsulfosuccinate as Organic Ligand The method described in the literature by Ito et al. Was used as a reference. The procedure will be described below. While stirring an aqueous solution of titanyl chloride having a concentration of 0.1 mol / L, the same volume of an aqueous solution of sodium carbonate having a concentration of 1.5 mol / L was added dropwise at room temperature over 25 minutes. The thus-obtained suspension of white ultrafine particles was purified by an operation in which three steps of centrifugation (4000 rpm), removal of the supernatant by decantation, and washing with water were repeated in this order. However, the purification was carried out until the white turbidity of barium sulfate was not visually observed even if an aqueous barium hydroxide solution was added to the supernatant. The white precipitate thus obtained was stirred and dispersed in dilute hydrochloric acid having a concentration of 0.3 mol / L while stirring 6
By heating at 0 ° C. for about 1 hour, a transparent acidic hydrosol was obtained. This acidic hydrosol was ice-cooled, and one of the alkyl groups was an allyl group and had radical polymerizability, dialkyl sulfosuccinate monosodium salt (manufactured by Sanyo Kasei Co., Ltd., trade name: Eleminol JS-2, lot number 0804831). When an aqueous solution of () was added, a white precipitate was produced, which was separated by centrifugation and decantation. Since this white precipitate was soluble in an organic solvent such as ethyl acetate, it was dispersed in a large amount of water, well stirred and washed with water, then extracted with a mixed solvent of ethyl acetate and n-hexane, dried and concentrated. did. XRD and TE of this concentrated residue
From M, formation of nanocrystals of anatase type TiO 2 ultrafine particles (number average particle size: about 5 nm) was confirmed. Since this concentrated residue was also soluble in an organic solvent, it is considered that the dialkyl sulfosuccinate residue is TiO 2 ultrafine particles in which the anatase-type titanium dioxide nanocrystal surface is bonded via a sulfonic acid group. Was given.

【0090】合成例6:ZnO超微粒子 L.Spanhelら;J.Am.Chem.So
c.,113巻、2826頁(1991)に記載されて
いる方法により合成した。即ち、関東化学(株)社製の
酢酸亜鉛二水和物(0.8789g)を遮光したガラス
フラスコ内でエタノール(40mL)に溶解し、窒素ガ
スバブリングを30分間行って溶在空気を置換し、窒素
雰囲気下にて溶液を加熱しエタノールの一部(24m
L)を蒸留して共存する水を共沸除去した。液温を室温
に戻してエタノール(24mL)を加え、ここにキシダ
化学(株)社製の水酸化リチウム一水和物(0.235
2g)の粉末を加えて10分間超音波照射して非沈殿性
固体粒子を含まない溶液を得た。この溶液の吸収スペク
トルは314nmに極大を有するエキシトン発光帯を示
したことから、上記文献記載の通りZnO超微粒子が生
成していることが確認された。またこの溶液は、300
nmの励起光により496nmに極大を有するブロード
な発光帯を与えた。この発光は目視で白緑色であった。
このZnO超微粒子の数平均粒径は、TEM観察によれ
ば約4nmであった。
Synthesis Example 6: ZnO ultrafine particles L. Spanhel et al .; Am. Chem. So
c. , 113, 2826 (1991). That is, zinc acetate dihydrate (0.8789 g) manufactured by Kanto Chemical Co., Inc. was dissolved in ethanol (40 mL) in a glass flask protected from light, and nitrogen gas bubbling was performed for 30 minutes to replace the dissolved air. , Part of ethanol (24m
L) was distilled to azeotropically remove coexisting water. The liquid temperature was returned to room temperature and ethanol (24 mL) was added thereto, and lithium hydroxide monohydrate (0.235) manufactured by Kishida Chemical Co., Ltd. was added thereto.
2 g) of the powder was added and ultrasonic irradiation was carried out for 10 minutes to obtain a solution containing no non-precipitating solid particles. Since the absorption spectrum of this solution showed an exciton emission band having a maximum at 314 nm, it was confirmed that ZnO ultrafine particles were generated as described in the above literature. Also, this solution is
nm excitation light gave a broad emission band with a maximum at 496 nm. This luminescence was visually white and green.
The number average particle diameter of the ZnO ultrafine particles was about 4 nm according to TEM observation.

【0091】[実施例]以下の実施例で得た厚さ1mm
のシート状成形体について、ナトリウムD線波長及び3
50nm波長における上記光線透過率(それぞれD線透
過率及び350nm透過率と記す、単位は%)、上記ガ
ラス転移温度(単位は℃)、上記複屈折(単位はn
m)、上記脆さ試験、上記熱分解残渣率(単位は%)を
評価し、結果を表−1にまとめた。なお、いずれの実施
例のシート状成形体も、それ自身を用いたASTM−D
638規格により測定される引張強度は1MPa以上を
示す。
[Example] Thickness of 1 mm obtained in the following examples
For the sheet-shaped molded product of
The light transmittance at 50 nm wavelength (denoted as D-ray transmittance and 350 nm transmittance, respectively, unit:%), the glass transition temperature (unit: ° C.), the birefringence (unit: n).
m), the brittleness test, and the pyrolysis residue rate (unit:%) were evaluated, and the results are summarized in Table-1. It should be noted that the sheet-shaped molded products of any of the examples were ASTM-D using themselves.
The tensile strength measured according to the 638 standard is 1 MPa or more.

【0092】実施例1:TiO2超微粒子を含有する架
橋アクリル系架橋樹脂組成物成形体の熱ラジカル重合に
よる調製 合成例5で得たジアルキルスルホスクシネートを有機配
位子として有するTiO2超微粒子7重量部、ビス(ヒ
ドロキシメチル)トリシクロ[5.2.1.02 ,6]デ
カン=ジメタクリレート93部、熱ラジカル発生剤とし
てアゾビスイソブチロニトリル(通称AIBN)を1重
量部を酢酸エチルとn−ヘキサンの混合溶媒に溶解して
濁りのない溶液を得た。溶媒(酢酸エチルとn−ヘキサ
ン)を留去して得た重合性液体混合物を、表面粗さRa
が0.004μmである2枚のステンレス板の間にスペ
ーサーとして厚さ1mmのステンレス板を挟んだ隙間に
流し込み、乾燥窒素雰囲気下約80℃で加熱してラジカ
ル重合を進行させ、更に120℃で40分加熱すること
により、透明な厚さ1mmのシート状架橋樹脂組成物成
形体を得た。上記TEM観察によりこのシート状架橋樹
脂組成物成形体を分析したところ、上記TiO2超微粒
子の1次粒子が実質的に非凝集状態で分散しており、粒
径が60nm以上の超微粒子は観察されなかった。この
シート状架橋樹脂組成物成形体は、トルエン、クロロホ
ルム、アセトン、テトラヒドロフランのいずれの溶媒に
溶解しようとしても実質的に不溶であり、TiO2超微
粒子に由来する紫外線吸収能を有するものであった。
Example 1: TiO2A rack containing ultrafine particles
Bridge Acrylic crosslinked resin composition For thermal radical polymerization of molded products
Preparation by The dialkyl sulfosuccinate obtained in Synthesis Example 5 was organically distributed.
TiO as a unit27 parts by weight of ultrafine particles, bis (hi
Droxymethyl) tricyclo [5.2.1.02 , 6] De
Can = dimethacrylate 93 parts, as a heat radical generator
Azobisisobutyronitrile (commonly known as AIBN)
Dissolve 1 part by volume in a mixed solvent of ethyl acetate and n-hexane
A clear solution was obtained. Solvent (ethyl acetate and n-hexa
Of the polymerizable liquid mixture obtained by distilling
Is between 0.004 μm and the space between two stainless steel plates.
In the gap between stainless steel plates with a thickness of 1 mm
Pour and heat in a dry nitrogen atmosphere at approx.
And allow it to heat up at 120 ° C for 40 minutes.
To form a transparent sheet-like crosslinked resin composition having a thickness of 1 mm.
I got a shape. This sheet-like cross-linked tree was observed by the above TEM.
When the fat composition molded body was analyzed,2Ultra fine particles
The primary particles of the child are dispersed in a substantially non-aggregated state,
No ultrafine particles having a diameter of 60 nm or more were observed. this
The sheet-shaped crosslinked resin composition molded body is made of toluene or chlorophore.
Rum, acetone, tetrahydrofuran
Even if it tries to dissolve, it is practically insoluble.2Superfine
It had an ultraviolet absorbing ability derived from particles.

【0093】実施例2:TiO2超微粒子を含有する架
橋架橋樹脂組成物の光ラジカル重合による調製 合成例5で得たジアルキルスルホスクシネートを有機配
位子として有するTiO2超微粒子45重量部、重合性
単量体としてビス(ヒドロキシメチル)トリシクロ
[5.2.1.02,6]デカン=ジメタクリレート45
部及びn−ブチルメタクリレート10重量部、光ラジカ
ル発生剤として2,4,6−トリメチルベンゾイルジフ
ェニルホスフィンオキシド(BASF社製「ルシリンT
PO」)0.5重量部、ベンゾフェノン0.5重量部を
加え均一に攪拌混合した後、脱泡して重合性液体混合物
とした。これを、スペーサーとして厚さ1mmのシリコ
ーン板を用いた光学研磨ガラスの型に注液し、乾燥窒素
雰囲気下約80℃で保温しながら上記光学研磨ガラス面
より距離40cmで上下に設置された出力80W/cm
のメタルハライドランプの間にて、5分間紫外線を照射
した。紫外線照射後脱型し、120℃で20分加熱して
厚さ1mmの透明感のあるシート状架橋樹脂組成物成形
体を得た。上記TEM観察によりこのシート状架橋樹脂
組成物成形体を分析したところ、上記TiO2超微粒子
の1次粒子が実質的に非凝集状態で分散しており、粒径
が60nm以上の超微粒子は観察されなかった。このシ
ート状架橋樹脂組成物成形体は、トルエン、クロロホル
ム、アセトン、テトラヒドロフランのいずれの溶媒に溶
解しようとしても実質的に不溶であり、TiO2超微粒
子に由来する紫外線吸収能を有するものであった。
Example 2: Preparation of crosslinked crosslinked resin composition containing TiO 2 ultrafine particles by photoradical polymerization 45 parts by weight of TiO 2 ultrafine particles having the dialkyl sulfosuccinate obtained in Synthesis Example 5 as an organic ligand , Bis (hydroxymethyl) tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane = dimethacrylate 45 as a polymerizable monomer
Parts and 10 parts by weight of n-butyl methacrylate, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide as a photoradical generator (“Lucirin T manufactured by BASF Ltd.
PO ") and 0.5 parts by weight of benzophenone were added and uniformly mixed with stirring, and then defoamed to obtain a polymerizable liquid mixture. This was poured into a mold of optical polishing glass using a 1 mm-thick silicone plate as a spacer, and the temperature was kept at about 80 ° C. in a dry nitrogen atmosphere, and the output was placed 40 cm above and below the surface of the optical polishing glass. 80 W / cm
UV rays were irradiated for 5 minutes between the metal halide lamps. After UV irradiation, the mold was removed, and the mold was heated at 120 ° C. for 20 minutes to obtain a transparent sheet-like crosslinked resin composition molded product having a thickness of 1 mm. When the sheet-like crosslinked resin composition molded body was analyzed by the TEM observation, primary particles of the TiO 2 ultrafine particles were dispersed in a substantially non-aggregated state, and ultrafine particles having a particle size of 60 nm or more were observed. Was not done. This sheet-shaped crosslinked resin composition molded article was substantially insoluble in any solvent such as toluene, chloroform, acetone, or tetrahydrofuran and had an ultraviolet absorbing ability derived from TiO 2 ultrafine particles. .

【0094】[比較例]上記実施例同様の評価を行っ
た。結果を表−1にまとめた。 比較例1:超微粒子を含有しない架橋樹脂成形体 実施例1においてTiO2超微粒子を混合せずに同様の
操作を行い、厚さ1mmのシート状成形体を得た。
[Comparative Example] The same evaluation as in the above-mentioned example was carried out. The results are summarized in Table-1. Comparative Example 1: Crosslinked Resin Molded Body Not Containing Ultrafine Particles The same operation as in Example 1 was carried out without mixing the TiO 2 ultrafine particles to obtain a sheet-shaped molded body having a thickness of 1 mm.

【0095】比較例2:非架橋樹脂マトリクスの使用 ポリメチルメタクリレート(東京化成(株)社製;平均
分子量7〜7.5万;以下PMMAと称す)93部をプ
ロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート(以
下PEGMEAと称す)400部に40℃で攪拌溶解し
たのち、合成例5で得たジアルキルスルホスクシネート
を有機配位子として有するTiO2超微粒子7重量部を
加え、更に2時間攪拌し、均一に分散させ、重合性液体
混合物を得た。エバポレータによってPEGMEAを半
分程度蒸発除去した後、この重合性液体混合物をガラス
基板上にバーコート法によって塗布し、120℃で乾燥
させ薄膜を得た。その薄膜の上に更にバーコート塗布行
い、以下同様に操作を繰り返し、厚さ1mmの超微粒子
分散PMMAシートを得た。このシート状架橋樹脂組成
物成形体は、トルエン、クロロホルム、テトラヒドロフ
ランに溶解した。
Comparative Example 2: Use of Non-Crosslinked Resin Matrix Polymethylmethacrylate (manufactured by Tokyo Kasei Co., Ltd .; average molecular weight: 7 to 75,000; hereinafter referred to as PMMA) 93 parts of propylene glycol monoethyl ether acetate (hereinafter referred to as PMMA) It is dissolved in 400 parts of PEG MEA) at 40 ° C. with stirring, and then 7 parts by weight of TiO 2 ultrafine particles having the dialkylsulfosuccinate obtained in Synthesis Example 5 as an organic ligand is added, and the mixture is further stirred for 2 hours to homogenize it. To obtain a polymerizable liquid mixture. After half the PEGMEA was removed by evaporation using an evaporator, this polymerizable liquid mixture was applied onto a glass substrate by the bar coating method and dried at 120 ° C. to obtain a thin film. Bar coating was further applied onto the thin film, and the same operation was repeated thereafter to obtain an ultrafine particle-dispersed PMMA sheet having a thickness of 1 mm. The sheet-shaped crosslinked resin composition molded body was dissolved in toluene, chloroform and tetrahydrofuran.

【0096】比較例3:粒径の大きな超微粒子を含有す
る架橋樹脂組成物成形体 実施例1においてTiO2超微粒子としてシーアイ化成
(株)から供給される酸化チタン超微粒子(BET法に
よる平均粒径30nm)を使用し、同等の熱分解残渣率
となるように配合して同様の操作を行い、厚さ1mmの
PC樹脂シート状成形体を得た。こうして得た架橋樹脂
組成物成形体は目視で明らかに白濁しており、上記TE
M観察によりこのシート状樹脂組成物成形体を分析した
ところ、粒径が60nm以上のTiO2超微粒子が全超
微粒子中12体積%程度を占めていた。このシート状樹
脂組成物成形体は、トルエン、クロロホルム、アセト
ン、テトラヒドロフランのいずれの溶媒に溶解しようと
しても実質的に不溶であり、TiO2超微粒子に由来す
る紫外線吸収能を有するものであった。
Comparative Example 3: Crosslinked Resin Composition Molded Article Containing Ultrafine Particles with Large Particle Size In Example 1, TiO 2 ultrafine particles supplied from CI Kasei Co., Ltd. as titanium oxide ultrafine particles (average particle diameter by BET method) (Diameter 30 nm) was used and compounded so as to have an equivalent rate of thermal decomposition residue, and the same operation was performed to obtain a PC resin sheet-shaped molded product having a thickness of 1 mm. The cross-linked resin composition molded body thus obtained was visually opaque, and
When this sheet-shaped resin composition molded body was analyzed by M observation, TiO 2 ultrafine particles having a particle size of 60 nm or more accounted for about 12% by volume in all the ultrafine particles. This sheet-shaped resin composition molded body was substantially insoluble in any solvent such as toluene, chloroform, acetone, or tetrahydrofuran and had an ultraviolet absorbing ability derived from TiO 2 ultrafine particles.

【0097】[0097]

【表1】 [Table 1]

【0098】[0098]

【発明の効果】本発明の架橋樹脂組成物成形体は、超微
粒子を均質に分散して含有しているので高度の透明性と
優れた引張強度又は弾性率を併せ持つ。該超微粒子が紫
外線吸収性を有する場合にはその特性を保持するので耐
紫外線性に優れる。しかも複屈折により評価される光学
歪みが小さいという効果を併せ持つものである。
EFFECTS OF THE INVENTION Since the crosslinked resin composition molded product of the present invention contains ultrafine particles uniformly dispersed therein, it has high transparency and excellent tensile strength or elastic modulus. When the ultrafine particles have an ultraviolet absorbing property, they retain their characteristics and thus have excellent ultraviolet resistance. In addition, it also has the effect that the optical distortion evaluated by birefringence is small.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08L 33/04 C08L 33/04 G02B 1/04 G02B 1/04 G02F 1/1335 G02F 1/1335 // C09K 3/00 104 C09K 3/00 104Z Fターム(参考) 2H091 FA21X FA21Z FA23Z FA26X FA26Z FB02 LA30 4F071 AA03 AA86 AB18 AD02 AE17 AF29 AF30 AH12 4J002 BG031 BG071 DA016 DA056 DA116 DB016 DC006 DD076 DD086 DE046 DE106 DE136 DG026 DH006 FB086 FB096 FB106 FB136 FB146 FB156 FB196 FB236 FD016 GP01 GP02 GQ05 4J027 AA02 BA07 BA24 CA12 CA13 CA14 CA15 CA16 CA17 CA18 CA36 CB09 CB10 CC02 CD03 CD04 CD05 4J100 AL62P AL63P AL66P BA02P BA12P BA51P BA58P BC08P BC12P BC43P DA62 JA33 JA35 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) C08L 33/04 C08L 33/04 G02B 1/04 G02B 1/04 G02F 1/1335 G02F 1/1335 // C09K 3/00 104 C09K 3/00 104Z F-term (reference) 2H091 FA21X FA21Z FA23Z FA26X FA26Z FB02 LA30 4F071 AA03 AA86 AB18 AD02 AE17 AF29 AF30 AH12 4J002 BG031 FB061 FB061 FB036 FB061 006 006DH036 DA056DA046 FB146 FB156 FB196 FB236 FD016 GP01 GP02 GQ05 4J027 AA02 BA07 BA24 CA12 CA13 CA14 CA15 CA16 CA17 CA18 CA36 CB09 CB10 CC02 CD03 CD04 CD05 4J100 AL62P AL63P AL66P BA02P BA12P BA51P BA58P BC08P BC12P BC43P DA43

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 数平均粒径0.5〜50nmの超微粒子
が分散しており引張強度が1MPa以上である架橋樹脂
組成物からなり、ナトリウムD線波長における光路長1
mm当たりの光線透過率の平均が70%以上であり最小
厚みが0.1mm以上である架橋樹脂組成物成形体。
1. A crosslinked resin composition in which ultrafine particles having a number average particle diameter of 0.5 to 50 nm are dispersed and which has a tensile strength of 1 MPa or more, and an optical path length of 1 at a sodium D-line wavelength.
A crosslinked resin composition molded article having an average light transmittance per mm of 70% or more and a minimum thickness of 0.1 mm or more.
【請求項2】 超微粒子が、無機物を含有するものであ
る請求項1に記載の架橋樹脂組成物成形体。
2. The crosslinked resin composition molded article according to claim 1, wherein the ultrafine particles contain an inorganic material.
【請求項3】 超微粒子が、半導体結晶を含有するもの
である請求項2に記載の架橋樹脂組成物成形体。
3. The crosslinked resin composition molded article according to claim 2, wherein the ultrafine particles contain semiconductor crystals.
【請求項4】 半導体結晶が、酸化チタン結晶、酸化亜
鉛結晶及び酸化セリウム結晶のいずれかである請求項3
に記載の架橋樹脂組成物成形体。
4. The semiconductor crystal is any one of a titanium oxide crystal, a zinc oxide crystal and a cerium oxide crystal.
The cross-linked resin composition molded article according to 1.
【請求項5】 窒素雰囲気下600℃において120分
間熱分解させて得る残渣が、該熱分解前の重量の1〜6
0%である請求項1〜4のいずれかに記載の架橋樹脂組
成物成形体。
5. The residue obtained by pyrolyzing for 120 minutes at 600 ° C. in a nitrogen atmosphere has a weight of 1 to 6 before the pyrolysis.
It is 0%, The crosslinked resin composition molded body in any one of Claims 1-4.
【請求項6】 粒径が60nm以上の超微粒子の割合
が、全超微粒子の体積に対して10体積%以下である請
求項1〜5のいずれかに記載の架橋樹脂組成物成形体。
6. The crosslinked resin composition molded article according to claim 1, wherein the proportion of the ultrafine particles having a particle size of 60 nm or more is 10% by volume or less based on the volume of all the ultrafine particles.
【請求項7】 波長350nmにおける光路長1mm当
たりの光線透過率の平均が50%以下である請求項1〜
6のいずれかに記載の架橋樹脂組成物成形体。
7. The average of the light transmittances per 1 mm of the optical path length at a wavelength of 350 nm is 50% or less.
The crosslinked resin composition molded article according to any one of 6 above.
【請求項8】 ガラス転移温度が150℃以上である請
求項1〜7のいずれかに記載の架橋樹脂組成物成形体。
8. The crosslinked resin composition molded article according to claim 1, which has a glass transition temperature of 150 ° C. or higher.
【請求項9】 光路長1mm当たりの複屈折の平均が1
0nm以下である請求項1〜8のいずれかに記載の架橋
樹脂組成物成形体。
9. The average birefringence per 1 mm of optical path length is 1.
The crosslinked resin composition molded body according to any one of claims 1 to 8, which has a thickness of 0 nm or less.
【請求項10】 超微粒子が有機配位子を結合したもの
である請求項1〜9のいずれかに記載の架橋樹脂組成物
成形体。
10. The crosslinked resin composition molded article according to claim 1, wherein the ultrafine particles are bonded with an organic ligand.
【請求項11】 架橋樹脂組成物が、重合性単量体を含
有する重合性液体混合物を重合させてなるものである請
求項1〜10のいずれかに記載の架橋樹脂組成物成形
体。
11. The crosslinked resin composition molded article according to claim 1, wherein the crosslinked resin composition is obtained by polymerizing a polymerizable liquid mixture containing a polymerizable monomer.
【請求項12】 重合性単量体が下記一般式A及び/又
はBを主体とするものである請求項11に記載の架橋樹
脂組成物成形体。 成分(A):下記一般式(1)で表される含脂環骨格ビ
ス(メタ)アクリレート。 【化1】 (一般式(1)において、RaおよびRbはそれぞれ独立
してそれぞれ水素原子又はメチル基を、RcおよびRd
それぞれ独立して炭素数6以下のアルキレン基を、xは
1又は2を、yは0または1を、それぞれ表す。) 成分(B):下記一般式(2)で表される硫黄原子を有
するビス(メタ)アクリレート。 【化2】 (一般式(2)において、RaおよびRbは前記一般式
(1)の場合と同一であり、Reは炭素数1〜6のアル
キレン基を表す。各Arはそれぞれ炭素数が6〜30で
あるアリーレン基又はアラルキレン基を表し、これらの
水素原子はフッ素以外のハロゲン原子で置換されていて
も良い。各Xはそれぞれ酸素原子または硫黄原子を表
し、各Xが全て酸素原子の場合、各Yのうち少なくとも
一つは硫黄原子又はスルホン基(−SO2−)を、各X
のうち少なくとも1つが硫黄原子の場合、各Yはそれぞ
れ硫黄原子、スルホン基、カルボニル基(−CO−)、
並びに炭素数1〜12のアルキレン基、アラルキレン
基、アルキレンエーテル基、アラルキレンエーテル基、
アルキレンチオエーテル基及びアラルキレンチオエーテ
ル基のいずれかを表し、j及びpはそれぞれ独立して1
〜5の整数を、kは0〜10の整数を表す。またkが0
の時はXは硫黄原子を表す。)
12. The crosslinked resin composition molded article according to claim 11, wherein the polymerizable monomer is mainly composed of the following general formulas A and / or B. Component (A): an alicyclic skeleton bis (meth) acrylate represented by the following general formula (1). [Chemical 1] (In the general formula (1), R a and R b are each independently a hydrogen atom or a methyl group, R c and R d are each independently an alkylene group having 6 or less carbon atoms, and x is 1 or 2 And y represents 0 or 1, respectively.) Component (B): a bis (meth) acrylate having a sulfur atom represented by the following general formula (2). [Chemical 2] (In the general formula (2), R a and R b are the same as in the general formula (1), R e is 6 carbon atoms, respectively representing. Each Ar represents an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms It represents an arylene group or an aralkylene group which is 30, and these hydrogen atoms may be substituted with a halogen atom other than fluorine, each X represents an oxygen atom or a sulfur atom, and when each X is an oxygen atom, At least one of each Y has a sulfur atom or a sulfone group (—SO 2 —)
When at least one of them is a sulfur atom, each Y is a sulfur atom, a sulfone group, a carbonyl group (—CO—),
And an alkylene group having 1 to 12 carbon atoms, an aralkylene group, an alkylene ether group, an aralkylene ether group,
Represents either an alkylene thioether group or an aralkylene thioether group, and j and p are each independently 1
Is an integer of 5 and k is an integer of 0-10. K is 0
Then X represents a sulfur atom. )
【請求項13】 熱又は活性エネルギー線によって重合
性液体混合物を硬化させることを特徴とする請求項11
又は12に記載の架橋樹脂組成物成形体の製造方法。
13. The polymerizable liquid mixture is cured by heat or active energy rays.
Or the method for producing a crosslinked resin composition molded article according to item 12.
【請求項14】 請求項1〜12のいずれかに記載の架
橋樹脂組成物成形体からなる光学部材。
14. An optical member comprising the crosslinked resin composition molded article according to claim 1.
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