JP2003151117A

JP2003151117A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2003151117A
Application number: JP2002215797A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Tomiyasu; 弘冨安; Sadaichirou Umezawa; 禎一郎梅澤; Tomotaka Yokoyama; 知崇横山; Takashi Sato; 孝佐藤
Original assignee: Hoya Corp; Hoya Magnetics Singapore Pte Ltd
Current assignee: Hoya Corp; Hoya Magnetics Singapore Pte Ltd
Priority date: 2001-08-29
Filing date: 2002-07-24
Publication date: 2003-05-23
Also published as: SG111962A1; US20030096140A1

Abstract

(57)【要約】【課題】磁性層表面の磁性粒子の孤立化を促進させ、
また、磁気ヘッドからの記録磁場を磁気記録媒体の磁性
層中に浸透し易く磁気回路を形成させる構造を磁性層に
導入することで、高保磁力を得られる一方で、O/W特性
やNLTS特性をも向上させ、かつS/N比も向上できる、熱
揺らぎ耐性の高い、従来のトレードオフを回避した、製
造歩留まりの良好な磁気記録媒体を提供する。【解決手段】少なくとも、基板10と、この基板上に形
成された磁性層60と、この磁性層60上に形成された偏析
促進層70とを備え、且つ、前記偏析促進層70は、前記磁
性層表層部に拡散し該表層部の磁性粒子の孤立化を促進
する、偏析促進元素を含有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に係
り、特に、HDD（ハードディスクドライブ）に供する磁
気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、記録密度向上の要請により、磁気
記録媒体、特にHDD用磁気ディスクにおいては、急激な
保磁力(Hc)の向上が続いている。従来、磁気ディスクの
磁性層として使用されてきたCoCrPt系強磁性合金では、
高保磁力化が限界に達しており、近年の高保磁力化の要
請に応えることが困難となってきた。そこで最近、従来
の磁性層にBが添加された、高保磁力化の容易なCoCrPtB
系強磁性合金が磁性層として採用されてきている。

【０００３】ところが、CoCrPtB系合金からなる磁性層
は、高保磁力化には適しているが、従来の磁性層に比べ
て、磁性層の配向性が悪く、保磁力角型比が劣るので、
O/W特性(Over Write特性、上書き特性)が、従来の磁性
層に比べて悪いという課題があった。また、NLTS特性(N
on Liner Transition Shift特性、非線形ビットシフト
特性)も同様な原因により、従来の磁性層に比べて悪い
という課題があった。これは、高記録密度化のために磁
性層に添加されるBの特性が寄与していると考えられて
いる。

【０００４】なお、O/W特性や、NLTS特性等の磁気記録
特性値についての解説は、公知の文献等で広く知られて
いるところであるが、例えば、本発明の属する技術の分
野における一般の技術者らによって執筆された、「最新
ストレージ用語辞典:国際ディスクドライブ協会編日
経エレクトロニクス社」等に詳しい。O/W特性とは、上
書き特性とも言われるが、O/W特性が悪いと、磁気記録
媒体上に、元々記録されていた信号上に、新規の記録信
号を上書きした場合に、元々の記録信号が十分に消去さ
れず、新規の記録信号に重なってしまい、誤りの原因と
なり、正確な情報読み出しができなくなってしまう。

【０００５】また、NLTS特性とは、信号記録時に媒体磁
化反転位置が目標とした位置からずれることで、非線形
ビットシフトとも呼ばれる。近年の高記録密度化を可能
とした一つの技術であるPRML変調復号方式では、線形な
符号間干渉の影響を積極的に利用しているが、このた
め、書込みに起因する遷移に非線形なずれ(NLTS)がある
とデータ復調に重大な影響を与える。従って、NLTS特性
を向上させることは、今日の磁気記録媒体にとって重要
な課題である。

【０００６】さて、前述のように、CoCrPtB系合金の課
題としてO/W特性や、NLTS特性を挙げたが、実は、これ
ら記録特性値は、さらに保磁力(Hc)の影響を受けること
も知られている。磁気記録媒体の保磁力(Hc)が高いと、
磁気ヘッドの記録磁場によって磁気記録媒体の磁化を目
的通り飽和記録させることが困難となり、結果として、
O/W特性やNLTS特性が悪化する。よって、CoCrPtB系合金
は、高記録密度化に対応すべく、従来の磁性層に比べて
高保磁力(Hc)化が可能であることは前述したが、これが
逆に、O/W特性やNLTS特性といった記録特性の悪化を招
くことにもなる。

【０００７】以上、上述した各種特性値の課題は、磁気
記録媒体としての課題であるが、これに起因して、製造
工程における課題も現れた。上述したように、CoCrPtB
系合金からなる磁性層は、従来の磁性層に比べて、保磁
力(Hc)が高く、保磁力角型比が劣り、またO/W特性やNLT
S特性に課題があるといった特徴があるので、従来の磁
性層を持つ磁気記録媒体の製造工程では問題とはならな
かったような微小な工程変動（例えば、磁性層やその他
の層の、微小膜厚変動、微小成膜速度変動、微小成膜温
度変動等）に対して敏感に変動し、よって、磁気記録媒
体の製造歩留まりの変動要因となり易い。また、HDD等
の磁気記録装置に搭載した場合は、従来の磁性層に比べ
て、O/W特性やNLTS特性という記録特性が悪いので、搭
載された磁気ヘッド側の記録能力のバラツキによって、
磁気記録装置の製造歩留まりが変動しやすいという課題
も発生している。

【０００８】これら、課題を解決するための方法として
は、USP5,523,173号に記載されているように、-300Vの
負バイアスを基板に印加しながら成膜を行って磁性層を
形成することが提案されている。また、他の方法とし
て、USP6,143,388号に記載されているように、下地層と
磁性層との間にオンセット層を介挿させることが提案さ
れている。即ち、Cr系下地層上に配向性の強いオンセッ
ト層を成膜することにより、その後に成膜される磁性層
の配向性を改善しようというものである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、USP5,523,173
号で提案されている、負のバイアスを印加する方法は、
導電性基板の場合でしか採用できないので、CoCrPtB系
合金からなる磁性層をもつ磁気記録媒体の根本的な改善
方法足りえない。また、USP6,143,388号提案されている
オンセット層を介挿する方法では、前述した課題、特
に、磁気記録媒体や磁気記録装置の製造に係わる諸問題
について、所要の歩留まりを達成することはできなかっ
た。ところで、磁気記録媒体の高記録密度化の要請の一
つとしての高保磁力化については前述したが、一方で高
S/N(Signal to Noise ratio: SNR)化の要請も引き続い
ている。

【００１０】一般にS/N比を改善する方法として、磁性
層中のCr濃度を上昇させる手法があるが、高Cr化は、磁
性層の配向性を悪化させるので、特にCoCrPtB系合金か
らなる磁性層では、元来、配向性が悪いので、この手法
を採用することは比較的困難であった。他にS/N比を改
善する方法としては、磁性層の膜厚を低下させて、低Mr
t(残留磁化膜厚比)化を図り、媒体ノイズを低減させる
方法があるが、低膜厚化は、配向性の劣化をもたらすの
で、これも困難であった。

【００１１】なお、高保磁力化とS/N比の観点で言え
ば、一般に、高保磁力化の方法として磁性層中のPt濃度
を上昇させるという手法がある。しかし、Ptの原子半径
は磁性層の主成分であるCoに比べて大きいため、Pt濃度
の上昇は磁性層の格子定数を増大させる。下地層は、磁
性層のエピタキシャル成長を促進させS/N比を向上さ
せ、また、磁性層の配向性を向上させ、高保磁力化を図
ることがその主な目的であるが、Pt濃度の上昇による磁
性層の格子定数の増大は、下地層と磁性層との格子定数
の差異を拡大し、磁性層のエピタキシャル成長と、配向
性の向上を阻害する方向に働く。結果、高保磁力化を狙
った高Pt濃度化は、S/N比の劣化と、逆に保磁力の低下
を導く。

【００１２】従来の磁性層に比べて、元来、配向性の劣
るCoCrPtB系磁性層は、このトレードオフが顕著となる
ので、高Pt化による高保磁力化は困難であった。また、
CoCrPtB系磁性層の特徴である添加元素Bは、磁性層中の
結晶粒の微細化効果があるため、S/N比を高くできると
いう利点があるが、Pt濃度を上昇させた場合、Bの微細
化効果が抑制され、期待通りのS/N比の向上を得られな
いという問題があり、この観点からも、高Pt化による高
保磁力化は困難であった。以上の問題点から、近年導入
されつつある、CoCrPtB系合金からなる磁性層において
も、そして、これに公知の技術により改善を図っても、
現在の課題を克服し、高記録密度化を促進することは困
難であった。

【００１３】また、近年では、新たに、熱揺らぎ特性と
いう特性の向上も要求されてきている。熱揺らぎは、磁
気記録媒体に記録した信号が、一定時間経過後に減衰
し、最終的には、記録信号が媒体ノイズレベルまで低下
し、記録信号が読み出せなくなってしまう現象である。
これは、近年の高記録密度化に対応すべく、高S/N化を
図ったため、磁性層の磁性粒子を微細化が進行してしま
った結果、熱エネルギーによる擾乱に磁化が抗しえず、
超常磁性状態が発現し、熱磁気余効果が顕著に現れたも
のである。つまり、高S/N化と熱揺らぎ耐性の向上はト
レードオフの関係にある。熱揺らぎ耐性向上の方法の一
つとして、保磁力の向上が挙げられるが、ここまで述べ
たように、保磁力の向上は、他の磁気特性、磁気記録特
性とのトレードオフの関係にあり、簡単に解を見つけ出
すのは困難である。

【００１４】本発明者らは、これら現代の磁性層の抱え
る課題を克服し、高記録密度化に対応できる新たな磁性
層について、鋭意研究開発を行った結果、磁性層表面の
磁性粒子の孤立化を促進させ、また、磁気ヘッドからの
記録磁場を磁気記録媒体の磁性層中に浸透し易く磁気回
路を形成させる構造を磁性層に導入することで、高保磁
力を得られる一方で、O/W特性やNLTS特性をも向上さ
せ、かつS/N比も向上できる、熱揺らぎ耐性の高い、従
来のトレードオフを回避した、製造歩留まりの良好な磁
気記録媒体が得られることを発明した。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に。本発明は以下の構成を有する。（構成１）少なくとも、基板と、この基板上に形成さ
れた磁性層と、この磁性層上に形成された偏析促進層と
を備え、且つ、前記偏析促進層は、前記磁性層表層部に
拡散し該表層部の磁性粒子の孤立化を促進する、偏析促
進元素を含有することを特徴とする磁気記録媒体。

【００１６】（構成２）構成１記載の磁気記録媒体に
おいて、前記偏析促進層は、前記磁性層に比べて、透磁
率の高い材料からなることを特徴とする磁気記録媒体。（構成３）構成１または２記載の磁気記録媒体におい
て、前記偏析促進層は、CoとCrとを含み、且つ、Ta, W
及びCの中から選択された少なくとも一種の元素からな
る偏析促進元素とを含む材料とからなり、前記偏析促進
層に含まれる元素の含有量のうち、Crの含有量は、10at
%〜30at%であり、Ta, W及びCの中から選択された偏析促
進元素の含有量は、0.3at%〜10at%であることを特徴と
する磁気記録媒体。

【００１７】（構成４）構成１乃至３の何れか一に記
載の磁気記録媒体において、前記磁性層は、Co, Pt及び
Bとを含む材料とからなり、前記磁性層に含まれる元素
の含有量のうち、Ptの含有量は、5〜20at%であり、Bの
含有量は、0.5at%〜10at%であることを特徴とする磁気
記録媒体。（構成５）構成１乃至４の何れか一に記載の磁気記録
媒体において、前記偏析促進層の表面に、Bが、0〜10at
%添加されていることを特徴とする磁気記録媒体。（構成６）構成１乃至５の何れか一に記載の磁気記録
媒体において、前記偏析促進層の膜厚は、5〜70Åであ
り、且つ前記磁性層の膜厚よりも小さいことを特徴とす
る磁気記録媒体。

【００１８】（構成７）少なくとも、基板と、この基
板上に形成された磁性層と、この磁性層上に形成された
上層とを備え、且つ、前記磁性層は、Co, Pt及びBとを
含む材料とからなり、前記磁性層に含まれる元素の含有
量のうち、Ptの含有量は、5〜20at%であり、Bの含有量
は、0.5at%〜10at%であり、前記上層は、CoとCrとを含
み、且つ、Ta, W及びCの中から選択された少なくとも一
種の元素とを含む材料とからなり、前記上層に含まれる
元素の含有量のうち、Crの含有量は、10at%〜30at%であ
り、Ta, W及びCの中から選択された元素の含有量は、0.
3at%〜10at%であることを特徴とする磁気記録媒体。（構成８）構成７に記載の磁気記録媒体において、前
記上層の表面に、Bが、0〜10at%添加されていることを
特徴とする磁気記録媒体。（構成９）構成７または８に記載の磁気記録媒体にお
いて、前記上層の膜厚は、5〜70Åであり、且つ前記磁
性層の膜厚よりも小さいことを特徴とする磁気記録媒
体。（構成１０）構成１または構成７に記載の磁気記録媒
体であって、前記磁性層は、非磁性体からなるスペーサ
層で分割され、前記スペーサ層を介して、分割された磁
性層が互いに反強磁性結合をしていることを特徴とする
磁気記録媒体。

【００１９】磁性層表面上に、上層を形成し、上層を偏
析促進層として機能させるべく、上層に偏析促進元素を
含有させ、該偏析促進元素を磁性層の表面近傍に拡散さ
せる構造をもつ磁気記録媒体とすることで、前記偏析促
進元素が、磁性層表層部に浸透し、磁性層表層部の磁性
粒子の周囲に偏析して、磁性層表層部の磁性粒子が互い
に孤立化し、磁性層表層部の磁気特性と磁気記録特性を
向上させる。つまり、上記機能をもつ上層により、磁性
層表層部の磁気特性が選択的に改質された磁気記録媒体
である。磁性層の表層部分以外では、偏析促進元素の浸
透が少ないので、この効果は抑制されている。

【００２０】この磁気記録媒体では、磁性層の高保磁力
化、高保磁力角型比化を図りつつ、O/W特性やNLTS特性
を改善し、また、熱揺らぎ耐性を向上させつつ、S/Nの
向上も可能となる。磁性層本体は、前述のような高保磁
力化設計とすることができる。前述のように、この高保
磁力化は、高記録密度化に有利で、かつ熱揺らぎ耐性の
向上を図ることができる、しかし、これも前述のよう
に、高保磁力化は、磁性層の配向性の劣化と、それに伴
う保磁力角型比の低下が発生し、また、O/W特性やNLTS
特性の劣化をもたらし、さらにはS/N比の向上にも不利
な方向であったはずである。しかし、ここで本発明にな
る、前記偏析促進機能を持つ前記上層により、磁性層の
表面のみ選択的に磁気特性と磁気記録特性とを向上して
おくことで、磁性層の膜厚方向において表面方向上層
は、高S/N比かつ、高O/W特性、かつ高NLTS特性となって
いるので、従来、解決が困難であったトレードオフの束
縛から解放され、高記録密度化の容易な磁気記録媒体と
することができる。

【００２１】また、微小工程変動に対しても保磁力の安
定を図ることができ、保磁力角型比も向上させることが
できる。上記の作用により、磁気記録媒体と、磁気記録
装置の製造歩留まりも向上させることができる。更に、
構成２に記載のように、磁性層の上層を、磁性層よりも
高透磁率の材料としておくことは、上記効果を促進す
る。

【００２２】なぜなら、高透磁率であることは、即ち、
磁束が進入し易いということである。磁性層上部に、磁
性層よりも高透磁率の材料からなる上層を形成しておく
ことで、磁気ヘッドの記録磁場が、磁性層へ導入され、
浸透するのを促進する。この結果、記録磁場は、磁性層
の下部(基板に近い方向)まで十分に導入、浸透し、磁性
層の全領域に渡っての飽和記録を促進する。該上層が無
く、磁性層中に飽和記録されない領域が存在する場合で
は、この部分の磁化反転はブロードであり、記録信号強
度が小さく、媒体ノイズが増大するので、S/N比は劣化
している。また、飽和記録されないということは、上書
きした場合に、残存する元々の信号が存在するというこ
とであり、O/W特性が悪いということである。また、NLT
S特性は、磁気ヘッドによる媒体への信号記録時に、磁
気記録情報となる、媒体磁化反転位置が目標とした位置
からずれてしまう、非線形ビットシフトの事であことは
前述したが、本発明では、記録磁性層の上部が高透磁率
化されているため、磁気ヘッドからの記録磁場が記録磁
性層内に導入、浸透し易く、記録時に、目標とした正確
な磁気回路を形成することができる。従って、ヘッドか
らの書込み磁場を歪め、また磁化反転位置を非線形に歪
めてしまう擾乱要因を抑え、目標とした位置に正確に磁
化反転位置を記録させることができる。

【００２３】従って、高記録密度化のために磁性層の高
保磁力化を図りつつ、熱揺らぎ耐性が高く、O/W特性やN
LTS特性等の記録特性が向上され、更にS/N比の高い、互
いトレードオフの束縛から解放された、高記録密度化の
容易な磁気記録媒体とすることができる。また、NLTS特
性や、OW特性が向上するので、磁気記録媒体の製造歩留
まりや、磁気記録装置の製造歩留まりも向上する。

【００２４】なお、前記上層である偏析促進層により保
磁力の安定化は図られるが、残留磁化膜厚比(Mrt)に対
して保磁力(Hc)がやや微減する傾向が見られる。よっ
て、Mrtは、0.2〜0.6 memu/cm²、好ましくは、0.2〜0.5
memu/cm²となるように制御すると、工程変動要因によ
る保磁力の変動は極めて小さく抑えられ有用性が高い。
この、偏析促進層による、保磁力の微減傾向を抑制する
ために、偏析促進層の膜厚は、5〜70Å、望ましくは10
〜50Åとするのが良い。5Å未満では、上記偏析促進層
の効果が小さく、70Åを越えると、保磁力微減効果が明
確となるので好ましくない。また、偏析促進層の膜厚
は、磁性層の膜厚よりも小さいことが好ましい。磁性層
膜厚よりも、偏析促進層の方が厚い場合、信号出力低下
が起こり易い。

【００２５】偏析促進層として用いられる材料として
は、偏析促進元素Crや、同じく偏析促進元素であるTa,
W, C等を含み、高透磁率の磁性材料であることが望まし
い。これら偏析促進元素は、偏析を促進し、かつ、Coと
非固溶なので、偏析促進層中で拡散し難く、よって、磁
性層表層に浸出し、磁性層上部表層側に浸透、磁性粒子
の周囲に偏析し、磁性層上部表層の磁性粒子の相互に孤
立させる。これら条件を満足すれば、偏析促進層として
の作用を発揮する。

【００２６】好ましい偏析促進層の材料としては、高透
磁率かつ、前記偏析促進元素と非固溶であることの要請
から、Co系合金、特に、Co系合金の中でも偏析促進元素
Crを含むCoCr系合金や、さらに保磁力向上の観点からPt
が含有されたCoCrPt系合金が挙げられる。さらに偏析促
進元素として特徴のあるTaを含んだCoCrTa系合金や、Co
CrPtTa系合金が望ましい。Taに代わって、或いはTaに加
えて、Taと同様の偏析効果の得られるWやCを含有させて
もよい。これら偏析促進層中の、Ta, W及びCの含有量は
0.3at%〜10at%が好ましく、0.5at%〜8at%が望ましい。
0.3at%未満では、偏析促進効果が小さく、10at%を越え
ると、磁性層の配向性を劣化させる作用が現れる。偏析
促進層の材料や組成比は、前記効果を失わない範囲で適
宜調整できる。

【００２７】偏析促進層としてCrを含んでいる場合の有
利な点は、偏析促進層の作用として、Crによる磁性粒の
磁気的相互作用の分離促進が作用する。媒体の作成方法
は、基板加熱後に各層を成膜することが一般的で、磁性
層の成膜の際には比較的温度が下がる。基板温度が低い
と、Crによる磁性粒の磁気的な分離が不十分となり易
く、結果として媒体ノイズが増大し、Ｓ/Ｎ比が劣化し
てしまう。しかし、偏析促進層を用いれば、これらの問
題を解決でき、Ｓ/Ｎ比を維持することができる。偏析
促進層におけるCrの含有量は、10at%〜30at%が好まし
く、15at%〜25at%が望ましい。10at%未満であると、上
記Crの効果が明確ではなく、30at%を越えると、磁性層
表層部の飽和磁化を減じる効果が現れるので好ましくな
い。

【００２８】本発明になる磁気記録媒体として、さらに
好ましい態様としては、基板とは反対側の偏析促進層の
表面(つまり、磁気ヘッド側の偏析促進層の表面)に、B
が添加されていることが好ましい。偏析促進層の該表面
側にBを含有させることで、AC媒体ノイズを削減できる
からである。媒体ノイズは、一般に、DC媒体ノイズとAC
媒体ノイズの寄与からなる。ここで、DC媒体ノイズと
は、DC消去した(即ち、記録周波数0Hzで記録したことに
相当)後に存在する媒体ノイズのことであり、AC媒体ノ
イズとは、AC記録(即ち、高周波記録)後に存在する媒体
ノイズのことである。

【００２９】また、本発明になる偏析促進層により、DC
媒体ノイズの削減幅とAC媒体ノイズの削減幅を互いに制
御することも可能であり、その目的に応じて、DC媒体ノ
イズとAC媒体ノイズの削減バランスを適宜制御すること
ができる。偏析促進層にBを添加する方法としては、偏
析促進層を複層構造とし、磁気ヘッド側偏析促進層にB
を含む材料を用いる方法や、偏析促進層にBをイオン注
入する方法等を採用することによって実現できる。ま
た、これらの方法を組合わせて、磁性層成膜中に、磁性
層中のB元素濃度を連続的に、或いは段階的に制御し
て、磁性層―偏析促進層構成、或いは磁性層―偏析促進
層―B添加偏析促進層構成を形成することもできる。な
お、偏析促進層表層におけるBの含有量は、0〜10at%が
好ましく、さらに、0〜8at%が望ましい。10at%を越える
と配向性劣化作用が現れる。

【００３０】なお、本発明における磁性層の材料は特に
限定されない。磁性層としては、例えば、CoCrPtB系、C
oCrPtTa系、CoCrPtNi系、CoCrPt系、CoCrNiTa系、CoCrT
a系、CoCrNi系、CoCrPtTaB系等の合金材料などが挙げら
れる。中でも、Pt含有合金は高保磁力な磁性層であるの
で、本発明には好ましい。また、本発明は前述してきた
目的からも、高保磁力化の容易な、磁性粒子の微細な、
CoCrPtB系磁性層において、その効果を発揮できるので
望ましい。また、これら磁性層は、S/N比の向上や、熱
揺らぎ耐性の向上等を目的として、非磁性体、常磁性
体、弱磁性体、反強磁性体等で分割されていても良い。

【００３１】前述のように、熱揺らぎ耐性の向上を目的
として磁性層を非磁性体で分割した磁性層は、一般に、
AFC膜(Anti-Ferro-Coupled-Film)、すなわち反強磁性結
合膜と呼ばれている。詳述すれば、この場合の磁性層の
構造は、反強磁性交換相互作用を制御する強磁性材料か
らなる第１の磁性層と、強磁性材料からなる第２の磁性
層と、前記第１の磁性層と第２の磁性層との間に形成さ
れて、反強磁性交換相互作用を誘導する。非磁性体から
なるスペーサ層とを備える磁性層構造を有している。こ
の場合、スペーサ層によって分割されている前記第１の
磁性層と第２の磁性層の組成・膜厚は、同一である必要
はなく、反強磁性交換相互作用を損なわない範囲で適宜
調整できる。AFC膜からなる磁性層は、非磁性体からな
るスペーサ層で分割され、前期スペーサ層を介して、前
記分割された磁性層が互いに反強磁性結合をしているの
で、熱揺らぎ現象が抑制でき、熱揺らぎ耐性が向上する
ので、本発明にとって特に好ましい。AFC膜からなる磁
性層は、スペーサ層で分割されているため、AFC膜を備
えない磁性層に比べて、Ｏ/Ｗ特性や、NLTS特性が悪い
という課題があった。本発明では、前述のように、Ｏ/
Ｗ特性やNLTS特性を向上させる作用効果があるので、AF
C膜を備える磁気記録媒体に本発明を適用した場合、Ｏ/
Ｗ特性やNLTS特性を悪化させることなく、磁気記録媒体
の熱揺らぎ耐性を向上させることができるので、有用性
が特に高い。本発明において、前述の非磁性体からなる
スペーサ層の膜厚は4Å〜10Å、特に7Å〜9Åとする
と、スペーサ層を介して、磁性層間に反強磁性結合が好
適に作用し、熱揺らぎ耐性が向上するので好ましい。

【００３２】前記スペーサ層には、Ruを含むhcp構造か
らなる材料を用いると、磁性層との格子整合性が高く、
磁性層のエピタキシャル成長を助長し、Ｓ/Ｎ比を向上
させることができるので好ましい。この場合の材料とし
て、Ru、CoRu、NiRuなどが挙げられる。Ruを用いた場合
は前述のスペーサ層の備える作用効果が高く、特に好ま
しい。なお、磁性層をＡＦＣ膜構造とする場合は、反強
磁性交換相互作用を制御する強磁性材料からなる第１の
磁性層の膜厚は、5〜80Åとするのが好ましい。5Å未
満、または80Åを超えると、反強磁性交換相互作用を制
御する作用が十分で無くなる。また、第１の磁性層は、
Co合金、中でもCoCr合金を用いると、熱揺らぎ耐性が高
くなるので好ましい。第１の磁性層にCoCr合金を用いた
場合は、Crの組成比を22at％未満とすると、反強磁性交
換相互作用を制御する作用が高くなるので好ましい。

【００３３】磁性層の組成比は、要求される磁気特性、
及び磁気記録特性に応じて適宜調整される。例えば、磁
性層がCoPtB系合金の場合では、Co:45〜89at%, Pt:5〜2
0at%, B:0.5〜10at%、さらに、磁性層がCrを含む場合
は、Cr:5〜25at%とすることが好ましい。磁性層の膜厚
は、所望のMrtとするためにある程度の制約を受け、磁
性層の組成に応じても適宜調整される。また下地層40と
磁性層60との間に図１(b)に示すようなオンセット層50
(非強磁性オンセット層51, 強磁性オンセット層52)を形
成することもできる。非強磁性オンセット層51として
は、例えば、CoCr, CoCrB, CoCrNb等のCoCr系合金(Cr>3
0at%)や、CoRu, Ru, Os等が挙げられ、また、強磁性オ
ンセット52としては、例えば、CoCrPtTa, CoCrPt, CoPt
Ta, CoPt, CoCrTa, CoCrPtTaB等が挙げられる。オンセ
ット層50の膜厚は、磁性層60の保磁力及びMrtの応じて
適宜調整される。好ましくは10〜80Å、さらに好ましく
は、15〜60Åが望ましい。

【００３４】また、オンセット層50が、非強磁性オンセ
ット層51と強磁性オンセット層52とする場合は、それぞ
れ好ましい膜厚の範囲は、5〜15Å、10〜40Åとするの
がよい。また、非強磁性オンセット層51と強磁性オンセ
ット層52の膜厚比(非強磁性オンセット層膜厚/強磁性オ
ンセット層膜厚)は、3/2〜1/8とすることが望ましい。
また、これらのオンセット層50には、S/N比を向上させ
る目的で、結晶粒の微細化の観点からさらにO, N, C, H
等を添加しても良い。オンセット層50にこれらの元素を
添加する方法としては、スパッタリングターゲット中に
これらの元素が含有したものを使用し、不活性ガス雰囲
気下でスパッタにより成膜する方法や、酸素ガス、窒素
ガス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、一酸化炭素ガ
ス、二酸化炭素ガス、メタンガス、アンモニアガス、シ
アンガス、水、等に不活性ガスを混合した、混合ガス雰
囲気下で反応性スパッタリング法により成膜する方法等
がある。この場合、非強磁性オンセット層51にこれらの
元素を添加させ、強磁性オンセット層52には、これらの
元素を添加させない方が好ましい。なぜなら、これら元
素の添加により強磁性オンセット層52の磁化が低下し、
強磁性オンセット層の機能が低下するからである。

【００３５】なお、本発明になる偏析促進層は、これま
で論じてきた目的とメカニズムから判るように、磁気記
録媒体の記録再生方式に特に限定を設ける必要がない。
即ち、面内記録方式において同様、垂直記録方式等に供
する磁気記録媒体においても効果を発揮する。なお、本
発明になる偏析促進層と作用を更に促進するために、偏
析促進層形成以前、あるいは以後、もしくは双方におい
て、室温〜摂氏300度の範囲内で温度処理を行うのが好
ましい。なぜならば、偏析促進層に含有される偏析促進
元素が、磁性層表層部に浸透することを助けるからであ
る。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気記録媒体につ
いて、実施例によりさらに説明する。さらに比較のため
に、比較例についても説明する。 (実施例１〜５)、（実施例７〜９）、(比較例1〜5) 本実施例の磁気記録媒体は、図１に示すとおり、ガラス
基板10上にプリコート層20、シード層30、下地層40、オ
ンセット層50、磁性層60、偏析促進層70、保護層80、潤
滑層90を順次形成してなる磁気ディスク100である。

【００３７】ガラス基板は化学強化されたアルミノシリ
ケートガラスからなり、その表面粗さは、Rmax=3.2nm、
Ra=0.3nmに鏡面研磨されている。プリコート層は２層の
合金膜からなり、下層の合金膜21はNiPの窒化膜(膜厚30
0Å)からなり、上層の合金膜22はCrZrの窒化膜(膜厚30
Å)からなる。合金膜22におけるNiとPとの原子組成比は
80:20である。また合金膜22におけるCrとZrとの原子組
成比は60：40である。2層の合金膜20に含まれる窒素の
含有量は、4at%である。2層の合金膜20はそれぞれ、Ar5
0%, N2:50%の混合ガス雰囲気中でスパッタリングにより
連続して成膜される。

【００３８】基板10を200℃に加熱した後、予熱下で合
金膜20をスパッタリングにより成膜する。シード層30は
基板を再度200℃に加熱した後、NiAl薄膜により形成さ
れる。NiAl薄膜はNi:50at%、Al:50at%の組成比で構成さ
れる。下地層40はCrV薄膜(膜厚100Å)で磁性層60の結晶
構造と配向性を制御するために設けられている。このCr
V薄膜は、Cr:80at%、V:20at%の組成比である。

【００３９】また、図1(b)に示すように、下地層40と磁
性層60との間にオンセット層50を介在させることができ
る。オンセット層50を単層で構成する場合には、非磁性
のhcp構造からなるCoCr薄膜(膜厚30Å)、Co:65at%, Cr:
35at%とすることができる。磁性層60はCoCrPtB合金薄膜
である。CoCrPtB各々の含有量は、Co:60at%, Cr:20at%,
Pt:14at%, B:6at%である。磁性層60の形成の後、偏析
促進層70を成膜する。

【００４０】実施例１〜５における偏析促進層70は、Co
CrPtTa合金薄膜である。CoCrPtTa各々の含有量は、Co:7
0at%, Cr:19at%, Pt:9at%, Ta:2at%である。実施例7〜
９における偏析促進層70は、CoCrTa合金薄膜である。Co
CrTa各々の含有量は、Co:73at%, Cr:22at%, Ta:5at%で
ある。比較例１〜５は、上記偏析促進層70が形成されて
いない磁気記録媒体である。偏析促進層70の形成が無い
点以外は、実施例と同様の磁気記録媒体である。保護層
80は磁性層60を保護するためのものであり、膜厚45Åの
水素化カーボン膜からなる。潤滑層90は、膜厚８Åのパ
ーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑剤であり、磁
気ヘッドと磁気記録媒体との間に潤滑効果を設けてい
る。なお、実施例1〜５、７〜９及び、比較例１〜５
の、磁性層及び偏析促進層の膜厚については表１に掲げ
る。

【００４１】

【表１】

【００４２】次に、上述の構成からなる磁気記録媒体の
製造方法について説明する。まず、イオン交換によって
化学強化されたガラス基板の主表面を精密研磨によって
鏡面とする(Rmax=3.2nm, Ra=0.3nm)。次に、このガラス
基板の主表面上にインライン方式スパッタリング装置に
よって、プリコート層20、シード層30、下地層40、オン
セット層50、磁性層60、偏析促進層70、保護層80を形成
した。次いで、保護層80上にパーフルオロポリエーテル
からなる液体潤滑剤をディップ法により塗布し潤滑層90
を形成した。

【００４３】次に、磁気特性、磁気記録特性の測定方法
について説明する。保磁力(Hc)、残留磁化膜厚比(Mr
t)、保磁力角型比(S*)については、VSM(Vibrating Samp
le Magnetometer、振動試料型磁気測定装置)により測定
した（測定時の最大印加静磁場は5kOeである。)。信号
出力(TAA)、S/N比、O/W特性、NLTS特性についてはグー
ジック(Guzik)社製の電磁変換特性測定装置( Guzik RWA
-1632)を用いた。測定に用いた磁気ヘッドは、浮上量が
20nmのGMR(Giant Magneto Resistance、巨大磁気抵抗)
型再生素子をもつヘッド(以下GMRヘッド)である。記録
トラック幅は、2.0umであり、再生トラック幅は0.5umで
ある。

【００４４】最高記録密度(1F)を520kfciとした。信号
出力(TAA)は、12F記録密度(43.4kfci)における再生出力
を観測した。S/N比は、1F記録密度(520kfci)で、磁気記
録媒体上にキャリア信号記録した後に、DC周波数領域か
ら、1Fの1.2倍周波数領域までの媒体ノイズを、スペク
トロアナライザを用いて観測し算出した。S/N比は、一
般に、0.5dB向上すると2Gbit/inch2の記録密度向上に寄
与できる。O/W特性は、12F記録密度でキャリア信号記録
した後に、1F記録密度でキャリアを上書きし、元々の12
F記録密度のキャリア再生出力と、1F上書き後の12Fキャ
リアの残存再生出力を測定して求めた。NLTS特性は、五
次高調波法(fifth harmonic method)を用いた。

【００４５】実施例１〜５、７〜９及び比較例1〜５の
磁気特性、磁気記録特性結果については図２〜図６に掲
げる。また、図２〜図６のグラフに用いた数値は表１に
掲げる。図２は、磁気記録媒体に記録した信号の読み出
し出力と、Ｏ/Ｗ特性との関係を示した図である。横軸
の出力記録信号の記録密度は43.4kfciである。図中、O/
W特性は、グラフの上方向にあるほど向上していること
を示す。偏析促進層の形成によりＯ/Ｗ特性改善効果が
確認された。

【００４６】図３は、NLTS特性の改善効果を示した図で
ある。横軸の出力記録信号の記録密度は、43.4kfciであ
る。図中、グラフの上方向にあるほどNLTS特性が向上し
ていることを示す。偏析促進層の形成により、NLTS特性
の向上効果が確認された。図４は、磁気記録媒体に記録
した信号出力と、S/N比の関係を示したものである。な
お、横軸の出力信号記録密度は、43.4kfciである。図
中、グラフ上方向にあるほどS/N比が向上していること
を示す。偏析促進層の形成によってＳ/Ｎ比の向上が実
現しており、特に、高記録密度化に有利な低Mrt(残留磁
化膜厚比)領域である、信号出力の小さい方向では、大
きなS/N比の向上効果が確認された。

【００４７】図５は、Mrt(残留磁化膜厚比)と保磁力(H
c)の関係を示したものである。偏析促進層の形成がある
場合は、偏析促進層の形成のない場合に比べて、Mrtの
変動に対して安定した保磁力を示しており、偏析促進層
の形成により、工程変動に対して保磁力の変動を小さく
抑え、製造工程の歩留まりを向上させることが確認され
た。

【００４８】図６は、Mrtと保磁力角型比(S*)との関係
を示したものである。図中、グラフの上方向にあるほど
保磁力角型比(S*)が向上していることを示す。偏析促進
層の形成により保磁力角型比(S*)が向上していることが
判る。図２〜図６の説明で前述したように、偏析促進層
が形成された場合(実施例１〜５、７〜９)は、偏析促進
層が無い、従来の媒体(比較例1〜５)に比べて、O/W特性
やNLTS特性等の記録特性が向上され、更にS/N比の高
い、互いトレードオフの束縛から解放された、高記録密
度化の容易な磁気記録媒体を得ることができた。なお、
実施例１〜５、及び実施例７〜９の磁気記録媒体は、所
定規格を満足した良好な熱揺らぎ耐性を示した。

【００４９】（実施例６）実施例６は、実施例２におけ
る偏析促進層と保護層との間に、CoCrPtTaB合金(膜厚20
Å)からなる偏析促進層を介挿した形態の、複層構成の
偏析促進層することにより、偏析促進層の磁気ヘッド側
にBを添加した構成の偏析促進層とした磁気記録媒体で
ある。この点以外は、実施例２と同一の磁気記録媒体で
あり、作成方法も同様である。

【００５０】実施例６の各種磁気特性、磁気記録特性
は、以下のとおりであった。Hcは、3550Oe、Mrtは、0.4
memu/cm²、S*は、0.68であった。信号出力は、2.290mVp
p、S/N比は、28.2dB、O/W特性は、36.6(-dB)、NLTS特性
は、24.3(-dB)であった。表１に掲げる偏析促進層なし
(比較例)の結果に比べて、偏析促進層形成効果が得られ
ており、かつ実施例２よりも諸特性が改善された磁気記
録媒体であった。なお、該CoCrPtTaB合金はCo:63.5at%,
Cr20at%, Pt:10at%, Ta:0.5at%, B:6at%である。ま
た、熱揺らぎ耐性も、所定規格を満足し良好であった。

【００５１】比較例３(偏析促進層なし)、実施例２（偏
析促進層あり）、実施例６（偏析促進層表面にB添加）
について、AC媒体ノイズの評価を行った。AC媒体ノイズ
は、規格化媒体ノイズを、キャリア信号記録密度を変化
させることで求めた。規格化媒体ノイズの測定法は、キ
ャリア信号記録密度条件以外はS/N比測定法のときと同
一である。キャリア信号記録密度はDC近傍(20kfci)付近
から、AC周波数領域(500kfci近傍)まで変化させた。各
キャリア信号記録密度において観測された媒体ノイズ値
は、前記12F信号再生出力値により規格化することで、
規格化媒体ノイズとした。規格化媒体ノイズは、12F信
号再生出力値により規格化されているので、つまりS/N
比に対応する指標である。

【００５２】結果を図７で示す。図７で示した、規格化
媒体ノイズの単位のうち、Pnは、観測された媒体ノイズ
のパワー、Voは前記信号再生出力値である。図７から判
ることは、第一に、比較例３(偏析促進層なし)と実施例
２（偏析促進層あり）とを比較することにより、偏析促
進層のS/N比改善効果は、主に、DC媒体ノイズの削減に
よって得られていることが判る。何故ならば、偏析促進
層の形成により、図７のDC近傍(20kfci)の媒体ノイズの
数値が、AC周波数領域(500kfci近傍)よりも選択的に低
下しているからである。即ち、偏析促進層はDC媒体ノイ
ズを選択的に改善しているといえる。

【００５３】次に、実施例２（偏析促進層あり）と実施
例６（偏析促進層表面にB添加）とを比較することによ
り、偏析促進層へのB添加によるS/N比改善効果は、主
に、AC媒体ノイズの削減によって得られていることが判
る。偏析促進層へのB添加により、図７のAC周波数領域
(500kfci近傍) の媒体ノイズの数値が、DC近傍(20kfci)
の媒体ノイズよりも選択的に低下しているからである。
即ち、偏析促進層へのB添加は、AC媒体ノイズを選択的
に改善しているといえる。

【００５４】以上、偏析促進層の形成と、該偏析促進層
表層へのB添加により、DC媒体ノイズとAC媒体ノイズの
双方を同時に削減させた、S/N比の高い磁気記録媒体が
得られた。また、本発明になる偏析促進層を用いて、DC
媒体ノイズの削減幅とAC媒体ノイズの削減幅を互いに制
御することも可能であり、HDD設計上の要請から、目的
に応じてDC媒体ノイズとAC媒体ノイズの削減バランスを
適宜制御することができる。

【００５５】（実施例１０）次に、熱揺らぎ耐性の向上
を目的として、磁性層を非磁性体で分割したAFC膜構造
を備える磁気記録媒体を製造した。(実施例１０) 図８は実施例１０にかかる磁気記録媒体の膜構成を示す
図である。図８に示すとおり、実施例１０の磁気記録媒
体は、基板(ガラス基板)１０上に、プリコート層２０、
シード層30、下地層40、第１の磁性層(下部磁性層)50、
スペーサ層60、第２の磁性層(上部磁性層)70、偏析促進
層80、保護層90、潤滑層95を順次積層したものである。
基板(ガラス基板)１０は、化学強化されたアルミノシリ
ケートガラスからなり、その表面粗さは最大高さＲmax
＝3.2nm、平均表面粗さＲa＝0.3nm(原子間力顕微鏡にて
測定)で鏡面研磨されている。

【００５６】プリコート層２０はCrTiのアモルファス層
(膜厚300オンク゛ストローム(Å))からなる。合金膜におけるCrと
Tiとの原子組成比は55：45である。シード層30はAlRu薄
膜(膜厚250オンク゛ストローム)からなる。AlとRuとの原子組成比
は50：50である。下地層40は、CrＷ薄膜(膜厚100オンク゛スト
ローム)で、磁性層の結晶構造と配向性を良好にするために
設けられている。この下地層40は、Cr：90at％、Ｗ：10
at％の組成比で構成されている。なお、下地層40は、Cr
Ｗ下地層40の結晶粒の微細化を促進させるため、0.75％
のＣＯ₂とＡｒとの混合ガス雰囲気中でスパッタ成膜し
たものである。また、第１の磁性層50は、強磁性のhcp
構造からなるCoCr合金で、膜厚：25オンク゛ストローム、Coは86a
t％、Crは14at％である。スペーサ層60は、非磁性体のh
cp構造からなるRu膜(膜厚7オンク゛ストローム)である。また、第
２の磁性層70は、hcp構造からなる強磁性のCoCrPtB合金
薄膜(膜厚143オンク゛ストローム)で、Co,Cr,Pt,Bの含有量はそれ
ぞれ、Co：59at％、Cr：20at％、Pt：13at％、Ｂ：8at
％である。

【００５７】本実施例では、反強磁性交換相互作用を制
御する強磁性材料からなる第１の磁性層50と、強磁性材
料からなる第２の磁性層70と、前記第１の磁性層50と第
２の磁性層70との間に形成されて、反強磁性交換相互作
用を誘導する、非磁性体からなるスペーサ層60とを備え
るAFC膜構造を有している。第２の磁性層70の上に、偏
析促進層80が形成されている。偏析促進層80は、hcp構
造からなるCoCrPtTa合金薄膜の(膜厚：12オンク゛ストローム)
で、Co,Cr,Pt,Taの含有量はそれぞれ、Co：71at％、C
r：18at％、Pt：8at％、Ta：3at％である。保護層90
は、磁性層が磁気ヘッドとの接触によって劣化すること
を防止するためのものであり、膜厚45オンク゛ストロームの水素
化カーボン膜からなる。また、潤滑層95は、パーフルオ
ロポリエーテルの液体潤滑剤からなり、磁気ヘッドとの
接触を緩和している。なお、膜厚は８オンク゛ストロームであ
る。この他の点については、実施例１と同様の製造方法
による磁気記録媒体である。また、結果については、表
２に掲げる。

【００５８】

【表２】

【００５９】（比較例６）次に、実施例１０において、
偏析促進層80を形成しなかった磁気記録媒体を製造した
（比較例６）。このとき、第２の磁性層70の膜厚は152オ
ンク゛ストロームとした。この点以外は、実施例１０と同様の製
造方法による同様の磁気記録媒体である。結果について
は、表２に掲げる。表２に掲げるように、偏析促進層を
設けたことにより、Ｏ/Ｗ特性およびNTLS特性、Ｓ/Ｎ比
が改善されており、ＡＦＣ膜構造を備える磁気記録媒体
にとって、本発明は特に好適であることが分かる。表３
には、実施例１、実施例６、実施例７、実施例１０、比
較例１、比較例６の磁気記録媒体について、熱揺らぎ耐
性を測定した結果を掲げる。

【００６０】

【表３】

【００６１】熱揺らぎ耐性の測定方法は、次のようにし
て測定した。磁気記録媒体を60℃の環境下に保持し、ラ
イトトラック幅が2.0μｍ、リードトラック幅が0.5μ
ｍ、浮上量が20nmのGMRヘッドを用いて、100kFciの線記
録密度で磁気記録媒体に信号をライトした上で、記録信
号が時間経過と共に減衰していく減衰量を、スペクトロ
アナライザーを用いて評価した。単位時間当たりの信号
減衰量が大きいほど、熱揺らぎが発生しやすく、熱揺ら
ぎ耐性の低い磁気記録媒体と言える。表３の結果から、
本発明の構造により熱揺らぎ耐性が向上するため、信号
減衰量が大幅に低減できることが分かる。熱揺らぎによ
る信号減衰量(Thermal Decay)は、小さいければ小さい
ほど、高記録密度化に適し、好適である通常、熱揺らぎ
による信号減衰量は、悪くても0.2(-dB/Decade)より小
さい減衰量が求められ、これを熱揺らぎによる信号減衰
量の所定規格とされる場合が多い。本発明の磁気記録媒
体は、所定規格を満足した良好な熱揺らぎ耐性を示して
いることが分かる。

【００６２】

【発明の効果】以上、詳述したように、本発明では、前
記偏析促進層の形成により、高保磁力でありながら、O/
W特性やNLTS 特性に優れた磁気記録媒体を得ることがで
きた。また、熱揺らぎ耐性とS/N比も同時に改善されて
おり、S/N比改善は、DC媒体ノイズとAC媒体ノイズの双
方を改善させることによって実現されている。また、本
発明になる偏析促進層を用いて、DC媒体ノイズの削減幅
とAC媒体ノイズの削減幅を互いに制御することも可能で
あり、HDD設計上の要請から、目的に応じてDC媒体ノイ
ズとAC媒体ノイズの削減バランスを適宜制御することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる磁気記録媒体の一実施例におけ
る断面構造図。

【図２】信号出力と、O/W特性との関係を示す図。

【図３】信号出力と、NLTS特性との関係を示す図。

【図４】信号出力と、S/N比との関係を示す図。

【図５】残留磁化膜厚比(Mrt)と、保磁力(Hc)との関係
を示す図。

【図６】残留磁化膜厚比(Mrt)と、保磁力角型比(S*)と
の関係を示す図。

【図７】キャリア信号記録密度と、規格化媒体ノイズと
の関係を示す図。

【図８】本発明に係わる磁気記録媒体の別の実施例にお
ける断面構造図。

【符号の説明】

10:基板 40:下地層 50:オンセット層 60:磁性層 70:偏析促進層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者冨安弘東京都新宿区中落合２丁目７番５号ホーヤ株式会社内 (72)発明者梅澤禎一郎東京都新宿区中落合２丁目７番５号ホーヤ株式会社内 (72)発明者横山知崇東京都新宿区中落合２丁目７番５号ホーヤ株式会社内 (72)発明者佐藤孝シンガポール共和国 638552 リンク２ツアス＃３ホーヤマグネティクスシンガポールプライベートリミテッド内Ｆターム(参考） 5D006 BB02 BB06 BB08 DA03 FA04 FA09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも、基板と、この基板上に形成
された磁性層と、この磁性層上に形成された偏析促進層とを備え、且つ、前記偏析促進層は、前記磁性層表層部に拡散し該表層部
の磁性粒子の孤立化を促進する、偏析促進元素を含有す
ることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】請求項１記載の磁気記録媒体において、前記偏析促進層は、前記磁性層に比べて、透磁率の高い
材料からなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】請求項１または２記載の磁気記録媒体に
おいて、前記偏析促進層は、CoとCrとを含み、且つ、Ta, W及びC
の中から選択された少なくとも一種の元素からなる偏析
促進元素とを含む材料とからなり、前記偏析促進層に含まれる元素の含有量のうち、 Crの含有量は、10at%〜30at%であり、 Ta, W及びCの中から選択された偏析促進元素の含有量
は、0.3at%〜10at%であることを特徴とする磁気記録媒
体。
【請求項４】請求項１乃至３の何れか一に記載の磁気
記録媒体において、前記磁性層は、Co, Pt及びBとを含む材料とからなり、前記磁性層に含まれる元素の含有量のうち、 Ptの含有量は、5〜20at%であり、Bの含有量は、0.5at%
〜10at%であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】請求項１乃至４の何れか一に記載の磁気
記録媒体において、前記偏析促進層の表面に、Bが、0〜10at%添加されてい
ることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】請求項１乃至５の何れか一に記載の磁気
記録媒体において、前記偏析促進層の膜厚は、5〜70Åであり、且つ前記磁
性層の膜厚よりも小さいことを特徴とする磁気記録媒
体。
【請求項７】少なくとも、基板と、この基板上に形成
された磁性層と、この磁性層上に形成された上層とを備え、且つ、前記磁性層は、Co, Pt及びBとを含む材料とからなり、前記磁性層に含まれる元素の含有量のうち、 Ptの含有量は、5〜20at%であり、Bの含有量は、0.5at%
〜10at%であり、前記上層は、CoとCrとを含み、且つ、Ta, W及びCの中か
ら選択された少なくとも一種の元素とを含む材料とから
なり、前記上層に含まれる元素の含有量のうち、 Crの含有量は、10at%〜30at%であり、 Ta, W及びCの中から選択された元素の含有量は、0.3at%
〜10at%であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項８】請求項７に記載の磁気記録媒体におい
て、前記上層の表面に、Bが、0〜10at%添加されていること
を特徴とする磁気記録媒体。
【請求項９】請求項７または８に記載の磁気記録媒体
において、前記上層の膜厚は、5〜70Åであり、且つ前記磁性層の
膜厚よりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１０】請求項１または７に記載の磁気記録媒
体であって、前記磁性層は、非磁性体からなるスペーサ層で分割さ
れ、前記スペーサ層を介して、分割された磁性層が互い
に反強磁性結合をしていることを特徴とする磁気記録媒
体。