JP2003142529A - Adhesive film, semiconductor package or semiconductor device using it and method for manufacturing the same - Google Patents
Adhesive film, semiconductor package or semiconductor device using it and method for manufacturing the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、接着フィルム、そ
れを用いた半導体パッケージまたは半導体装置に関す
る。また、本発明は、半導体パッケージまたは半導体装
置の製造方法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an adhesive film, a semiconductor package or a semiconductor device using the same. The present invention also relates to a method of manufacturing a semiconductor package or a semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】電子機器の高機能化等の要求に伴い、こ
れらの電子機器に使用される半導体パッケージも、従来
にも増して、小型化かつ多ピン化が進んできている。近
年、プリント配線板上に半導体素子を実装する方式とし
て、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）やＣＳ
Ｐ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）等のエリ
ア実装型の新しいパッケージ方式が提案されている。2. Description of the Related Art With the demand for higher functionality of electronic devices, semiconductor packages used in these electronic devices are becoming smaller and more pins than ever before. In recent years, as a method of mounting a semiconductor element on a printed wiring board, BGA (Ball Grid Array) or CS
A new area mounting type package system such as P (Chip Scale Package) has been proposed.
【０００３】ＢＧＡやＣＳＰ方式のプリント配線板への
半導体パッケージの実装には、半田ボールで形成された
バンプによる半田接合が採用されている。また、ＢＧＡ
やＣＳＰの作製工程における、半導体素子の電極と半導
体搭載用基板の端子との電気的接続方法にも、半田接合
が使われる場合が多い。For mounting a semiconductor package on a BGA or CSP type printed wiring board, solder bonding using bumps formed of solder balls is adopted. Also, BGA
In many cases, solder bonding is also used in the method of electrically connecting the electrode of the semiconductor element and the terminal of the semiconductor mounting substrate in the manufacturing process of the CSP.
【０００４】一般に、半田接合の場合、半田表面と対面
する電極の金属表面に付着する酸化物等を除去するた
め、あるいは半田接合時における金属表面での再酸化を
防止するために半田付け用フラックスが使用される。し
かし、半田接合後にフラックスが残存していると、高
温、多湿時に、電気絶縁性の低下やプリント配線の腐食
等の問題を生じる。そこで、現在、半田接合後、残存フ
ラックスを洗浄除去することを行っている。しかし、洗
浄剤の廃棄に関する環境問題や、洗浄工程の追加による
コストアップなどの欠点がある。Generally, in the case of soldering, a flux for soldering is used in order to remove oxides or the like adhering to the metal surface of the electrode facing the solder surface or to prevent reoxidation on the metal surface during solder bonding. Is used. However, if the flux remains after soldering, problems such as deterioration of electrical insulation and corrosion of printed wiring occur at high temperature and high humidity. Therefore, at present, after soldering, residual flux is washed and removed. However, there are drawbacks such as environmental problems related to the disposal of the cleaning agent and cost increase due to the addition of the cleaning process.
【０００５】また、半導体パッケージの小型化、かつ多
ピン化は、バンプの微細化を必要とするが、その反面、
接合強度、接続信頼性の低下が懸念される。そこで、バ
ンプ接続部分の信頼性を得るため、半導体素子と半導体
素子搭載用基板、あるいは半導体パッケージとプリント
配線板との間隙に、アンダーフィルと呼ばれる絶縁樹脂
を充填して、バンプ接続部分を封止、補強する検討がさ
れている。しかし、アンダーフィルを充填し、硬化させ
る工程が必要となるため、製造工程が複雑化し、製造コ
ストが高くなるという問題がある。Further, miniaturization of bumps and miniaturization of semiconductor packages require miniaturization of bumps, but on the other hand,
There is concern that the joint strength and connection reliability will decrease. Therefore, in order to obtain the reliability of the bump connection portion, an insulating resin called underfill is filled in the gap between the semiconductor element and the semiconductor element mounting substrate or the semiconductor package and the printed wiring board to seal the bump connection portion. , Reinforcement is being considered. However, there is a problem that the manufacturing process becomes complicated and the manufacturing cost becomes high because a step of filling and curing the underfill is required.
【０００６】フラックスやアンダーフィル技術の問題を
解決する手段として、半田接合後の残存フラックスが除
去不要で、且つ半導体素子と半導体素子搭載用基板との
間隙に樹脂を流し込む工程も不要なノンフローアンダー
フィルの開発も検討されている。ノンフローアンダーフ
ィルは、樹脂中に除去不要なフラックス成分が含まれて
おり、フラックスを必要とせず、予め半導体素子搭載基
板等に供給する点でアンダーフィルと異なっている。As a means for solving the problems of the flux and underfill technology, there is no need to remove the residual flux after soldering, and there is no need for the step of pouring resin into the gap between the semiconductor element and the semiconductor element mounting substrate. The development of Phil is also being considered. The non-flow underfill differs from the underfill in that the resin contains a flux component that does not need to be removed, does not require the flux, and is supplied to the semiconductor element mounting substrate in advance.
【０００７】ノンフローアンダーフィルを用いた方法
は、半導体素子搭載基板やプリント配線板上にノンフロ
ーアンダーフィル樹脂を予めディスペンサーなどで必要
量が供給される。搭載部品を位置合わせして、搭載した
後、リフロー処理することにより、半田接合すると同時
に、半導体素子と半導体素子搭載用基板等の間隙を封止
するものである。しかし、ノンフローアンダーフィルを
用いた方法は、その性状と供給方法のために、薄型の半
導体素子や半導体パッケージを搭載する場合には、裏面
にノンフローアンダーフィル樹脂が付着したりすること
があった。この裏面へのノンフローアンダーフィル樹脂
への付着は、ヒートシンクの貼り付けの際や、半導体素
子を積層する(実装面積の縮小化を目的とする半導体素
子を積層したマルチチップパッケージなど)際に不具合
が生じる原因となっていた。In the method using the non-flow underfill, the required amount of the non-flow underfill resin is previously supplied onto the semiconductor element mounting substrate or the printed wiring board by a dispenser or the like. After the mounted components are aligned and mounted, and then reflowed, solder bonding is performed, and at the same time, the gap between the semiconductor element and the semiconductor element mounting substrate or the like is sealed. However, the non-flow underfill resin may adhere to the back surface of the non-flow underfill resin when a thin semiconductor element or semiconductor package is mounted due to its properties and supply method. It was Adhesion to the non-flow underfill resin on this back surface is a problem when attaching a heat sink or when stacking semiconductor elements (such as a multi-chip package in which semiconductor elements are stacked to reduce the mounting area). Was the cause.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、フラ
ックス機能を有し、かつ接着時の作業性が向上する接着
フィルムおよびそれを用いた半導体パッケージおよび半
導体装置を提供することである。また、本発明の目的
は、製造が容易、かつ歩留まりの少ない半導体パッケー
ジおよび半導体装置の製造方法を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an adhesive film having a flux function and improving workability at the time of adhesion, a semiconductor package and a semiconductor device using the same. It is another object of the present invention to provide a semiconductor package and a semiconductor device manufacturing method which are easy to manufacture and have a low yield.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１９）記載の本発明により達成される。
（１）半導体素子また半導体パッケージを実装する際に
用いる接着フィルムであって、少なくとも１つ以上のフ
ェノール性水酸基を有する第１の樹脂と、第２の樹脂
と、前記第２の樹脂よりも重量平均分子量の低い第３の
樹脂とを含むことを特徴とする接着フィルム。
（２）更にフラックス助剤を含むものである上記（１）
に記載の接着フィルム。
（３）前記第１の樹脂は、フェノール樹脂である上記
（１）または（２）に記載の接着フィルム。
（４）前記第２の樹脂は、エポキシ樹脂である上記
（１）ないし（３）のいずれかに記載の接着フィルム。
（５）前記第２の樹脂の重量平均分子量は、１，０００
以上である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の
接着フィルム。
（６）前記第３の樹脂は、エポキシ樹脂である上記
（１）ないし（５）のいずれかに記載の接着フィルム。
（７）前記第３の樹脂は、常温で液状である上記（１）
ないし（６）のいずれかに記載の接着フィルム。
（８）前記第３の樹脂の重量平均分子量は、２００〜６
００である上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の
接着フィルム。
（９）軟化温度が４０〜１５０℃である上記（１）ない
し（８）のいずれかに記載の接着フィルム。
（１０）溶融粘度が１〜５０００ｍＰａ・ｓである上記
（１）ないし（９）のいずれかに記載の接着フィルム。
（１１）厚さが３〜８０μｍである上記（１）ないし
（１０）のいずれかに記載の接着フィルム。
（１２）半導体素子とインターポーザとが上記（１）な
いし（１１）のいずれかに記載の接着フィルムで実装さ
れていることを特徴とする半導体パッケージ。
（１３）半導体パッケージとプリント配線板とが上記
（１）ないし（１１）のいずれかに記載の接着フィルム
で実装されていることを特徴とする半導体装置。
（１４）半導体素子とインターポーザとを実装して半導
体パッケージを製造する方法であって、半導体素子とイ
ンターポーザとの間に接着フィルムを設置し、前記半導
体素子、接着フィルムおよびインターポーザを圧着して
実装することを特徴とする半導体パッケージの製造方
法。
（１５）前記接着フィルムを、あらかじめインターポー
ザに設置しているものである上記（１４）に記載の半導
体パッケージの製造方法。
（１６）前記接着フィルムを、あらかじめ半導体素子に
設置しているものである上記（１４）または（１５）に
記載の半導体パッケージの製造方法。
（１７）半導体パッケージとプリント配線板とを実装し
て半導体装置を製造する方法であって、半導体パッケー
ジとプリント配線板との間に接着フィルムを設置し、前
記半導体パッケージ、接着フィルムおよびプリント配線
板を圧着して実装することを特徴とする半導体装置の製
造方法。
（１８）前記接着フィルムを、あらかじめ半導体パッケ
ージに設置しているものである上記（１７）に記載の半
導体装置の製造方法。
（１９）前記接着フィルムを、あらかじめプリント配線
板に設置しているものである上記（１７）または（１
８）に記載の半導体装置の製造方法。Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to (19). (1) An adhesive film used for mounting a semiconductor element or a semiconductor package, the first resin having at least one or more phenolic hydroxyl groups, the second resin, and the weight higher than that of the second resin. An adhesive film comprising a third resin having a low average molecular weight. (2) The above (1) which further contains a flux auxiliary agent.
The adhesive film described in. (3) The adhesive film according to (1) or (2) above, wherein the first resin is a phenol resin. (4) The adhesive film according to any one of (1) to (3), wherein the second resin is an epoxy resin. (5) The weight average molecular weight of the second resin is 1,000.
The adhesive film as described in any one of (1) to (4) above. (6) The adhesive film according to any one of (1) to (5), wherein the third resin is an epoxy resin. (7) The third resin is liquid at room temperature (1)
The adhesive film according to any one of (1) to (6). (8) The weight average molecular weight of the third resin is 200 to 6
The adhesive film according to any one of (1) to (7) above, which is 00. (9) The adhesive film according to any one of (1) to (8) above, which has a softening temperature of 40 to 150 ° C. (10) The adhesive film as described in any of (1) to (9) above, which has a melt viscosity of 1 to 5000 mPa · s. (11) The adhesive film as described in any of (1) to (10) above, which has a thickness of 3 to 80 μm. (12) A semiconductor package, in which a semiconductor element and an interposer are mounted with the adhesive film according to any one of (1) to (11). (13) A semiconductor device in which a semiconductor package and a printed wiring board are mounted with the adhesive film according to any one of (1) to (11). (14) A method of manufacturing a semiconductor package by mounting a semiconductor element and an interposer, wherein an adhesive film is provided between the semiconductor element and the interposer, and the semiconductor element, the adhesive film and the interposer are pressure-bonded and mounted. A method of manufacturing a semiconductor package, comprising: (15) The method for manufacturing a semiconductor package according to (14), wherein the adhesive film is installed on an interposer in advance. (16) The method for manufacturing a semiconductor package according to the above (14) or (15), wherein the adhesive film is previously installed on a semiconductor element. (17) A method of manufacturing a semiconductor device by mounting a semiconductor package and a printed wiring board, wherein an adhesive film is provided between the semiconductor package and the printed wiring board, and the semiconductor package, the adhesive film and the printed wiring board are provided. A method for manufacturing a semiconductor device, which comprises crimping and mounting. (18) The method for manufacturing a semiconductor device according to the above (17), wherein the adhesive film is previously installed in a semiconductor package. (19) The above-mentioned (17) or (1) in which the adhesive film is previously installed on a printed wiring board.
8) The method for manufacturing a semiconductor device described in 8).
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明の接着フィルム、そ
れを用いた半導体パッケージまたは半導体装置、および
半導体パッケージまたは半導体装置の製造方法について
説明する。本発明の接着フィルムは、半導体素子または
半導体装置を実装する際に用いる接着フィルムであっ
て、少なくとも１つ以上のフェノール性水酸基を有する
第１の樹脂と、第２の樹脂と、前記第２の樹脂よりも重
量平均分子量の低い第３の樹脂とを含むことを特徴とす
るものである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The adhesive film of the present invention, a semiconductor package or semiconductor device using the same, and a method for manufacturing a semiconductor package or semiconductor device will be described below. The adhesive film of the present invention is an adhesive film used for mounting a semiconductor element or a semiconductor device, and includes a first resin having at least one or more phenolic hydroxyl groups, a second resin, and the second resin. And a third resin having a weight average molecular weight lower than that of the resin.
【００１１】また、本発明の半導体パッケージは、半導
体素子とインターポーザ（半導体素子搭載用基板）とが
上述の接着フィルムで実装されているものであることを
特徴とするものである。The semiconductor package of the present invention is characterized in that the semiconductor element and the interposer (semiconductor element mounting substrate) are mounted by the above-mentioned adhesive film.
【００１２】また、本発明の半導体装置（半導体パッケ
ージが実装された基板）は、半導体パッケージとプリン
ト配線板とが上述の接着フィルムで実装されているもの
であることを特徴とするものである。The semiconductor device (substrate on which the semiconductor package is mounted) of the present invention is characterized in that the semiconductor package and the printed wiring board are mounted by the above-mentioned adhesive film.
【００１３】また、本発明の半導体パッケージの製造方
法は、半導体素子とインターポーザとを実装して半導体
パッケージを製造する方法であって、半導体素子とイン
ターポーザとの間に接着フィルムを設置し、前記半導体
素子、接着フィルムおよび基板を圧着して実装すること
を特徴とするものである。The semiconductor package manufacturing method of the present invention is a method of manufacturing a semiconductor package by mounting a semiconductor element and an interposer, wherein an adhesive film is provided between the semiconductor element and the interposer, It is characterized in that the element, the adhesive film and the substrate are pressure-bonded and mounted.
【００１４】また、本発明の半導体装置（半導体パッケ
ージが実装された基板）の製造方法は、半導体パッケー
ジをプリント配線板に実装して半導体装置を製造する方
法であって、半導体パッケージとプリント配線板との間
に接着フィルムを設置し、前記半導体パッケージ、接着
フィルムおよびプリント配線板を圧着して実装すること
を特徴とするものである。A method of manufacturing a semiconductor device (a substrate on which a semiconductor package is mounted) according to the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device by mounting the semiconductor package on a printed wiring board, which comprises the semiconductor package and the printed wiring board. An adhesive film is provided between the semiconductor package, the adhesive film, and the printed wiring board, and the semiconductor package, the adhesive film, and the printed wiring board are mounted by pressure bonding.
【００１５】まず、接着フィルムについて説明する。本
発明の接着フィルムは、半導体素子または半導体パッケ
ージを実装するために用いるものである。これにより、
従来のノンフローアンダーフィル樹脂で問題となってい
た半導体素子等への樹脂の付着を防止することができ
る。また、フィルム状態で半導体素子等に設置できるの
で作業性を向上することができる。前記半導体素子を実
装する場合、例えば半導体素子をインターポーザに実装
する場合等が挙げられる。また、前記半導体パッケージ
を実装する場合、例えば半導体パッケージをプリント配
線板に実装する場合等が挙げられる。このような場合
に、本発明の接着フィルムを用いることができる。本発
明の接着フィルムは、半田接合時にフラックスとして作
用し、同時に半導体素子とインターポーザや、半導体パ
ッケージとプリント配線板などの接合面を接着・封止す
るものとして機能するものである。First, the adhesive film will be described. The adhesive film of the present invention is used for mounting a semiconductor element or a semiconductor package. This allows
It is possible to prevent the resin from adhering to a semiconductor element or the like, which has been a problem with the conventional non-flow underfill resin. Further, since it can be installed in a film state on a semiconductor element or the like, workability can be improved. When the semiconductor element is mounted, for example, the semiconductor element is mounted on an interposer. Moreover, when mounting the said semiconductor package, for example, when mounting a semiconductor package on a printed wiring board, etc. are mentioned. In such a case, the adhesive film of the present invention can be used. The adhesive film of the present invention acts as a flux at the time of solder bonding, and at the same time, functions as bonding and sealing the bonding surfaces of the semiconductor element and the interposer, the semiconductor package and the printed wiring board, and the like.
【００１６】本発明の接着フィルムは、少なくとも１つ
以上フェノール性水酸基を有する第１の樹脂を含む。こ
れにより、半田及び金属表面の酸化物などの汚れを除去
し、半田接合用フラックスとして作用することができ
る。その理由は、前記フェノール性水酸基が還元作用を
有するため、半田表面や対面する電極の金属表面に付着
する酸化物等を除去できるからである。更に、フラック
スとして作用した第１の樹脂は、残存フラックスの除去
を不要とすることができる。その理由は、第１の樹脂が
半田接合後の加熱過程で硬化するので揮発分等が発生し
ないからである。残存フラックスの除去を不要とするこ
とができると、半田接合後の洗浄工程を不要にでき、高
温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、接合強度、信
頼性の高い半田接合が可能となる。The adhesive film of the present invention contains at least one first resin having at least one phenolic hydroxyl group. This removes stains such as oxides on the solder and the metal surface, and can act as a flux for solder joining. The reason is that the phenolic hydroxyl group has a reducing action, so that oxides and the like attached to the solder surface or the metal surface of the facing electrode can be removed. Further, the first resin that has acted as a flux can eliminate the need to remove the residual flux. The reason is that the first resin is hardened in the heating process after soldering, and thus volatile matter and the like are not generated. If the removal of the residual flux can be eliminated, the cleaning process after soldering can be eliminated, the electrical insulation can be maintained even in a high temperature and high humidity atmosphere, and soldering with high bonding strength and reliability can be performed.
【００１７】前記第１の樹脂としては、例えばフェノー
ルノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹
脂、多官能フェノールノボラック樹脂等のノボラック型
フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリビニ
ルフェノール樹脂等が挙げられる。これらの中でもフェ
ノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック
樹脂、多官能フェノールノボラック樹脂から選ばれる少
なくとも１種以上のフェノール樹脂が好ましく、特に多
官能フェノールノボラック樹脂が好ましい。これによ
り、半田接合時間を短くすることができる。また、接着
フィルムの濡れ広がり率を向上することができる。濡れ
広がり率が向上すると、半田接続信頼性を向上すること
ができる。ここで、濡れ広がり率とは、半田ボール径Ｈ
と濡れ広がった半田の高さＤを測定し、（Ｈ−Ｄ）／Ｈ
で計算される値をいう。Examples of the first resin include novolac type phenol resins such as phenol novolac resin, alkylphenol novolac resin and polyfunctional phenol novolac resin, resol type phenol resin and polyvinylphenol resin. Among these, at least one phenol resin selected from a phenol novolac resin, an alkylphenol novolac resin, and a polyfunctional phenol novolac resin is preferable, and a polyfunctional phenol novolac resin is particularly preferable. As a result, the solder joining time can be shortened. In addition, the wetting and spreading rate of the adhesive film can be improved. When the wetting and spreading rate is improved, the solder connection reliability can be improved. Here, the wetting and spreading rate is the solder ball diameter H.
And measure the height D of the solder that spreads by wetting, (HD) / H
The value calculated by.
【００１８】また、前記第１の樹脂は、１個のベンゼン
環上に２個以上のフェノール性水酸基を有するフェノー
ル化合物とホルムアルデヒドとを、酸性触媒下で縮合反
応させて得られる多官能フェノール樹脂であっても構わ
ない。１個のベンゼン環上に２個以上のフェノール性水
酸基を有するフェノール化合物としては、例えばカテコ
ール、レゾルシン、ハイドロキノン、ハイドロキシハイ
ドロキノン、ピロガロール等を挙げることができる。こ
れらの中でもカテコールおよび／またはレゾルシンが好
ましい。これにより、第１の樹脂の縮合反応を容易にす
ることができる。The first resin is a polyfunctional phenol resin obtained by condensation reaction of a phenol compound having two or more phenolic hydroxyl groups on one benzene ring and formaldehyde under an acidic catalyst. It doesn't matter. Examples of the phenol compound having two or more phenolic hydroxyl groups on one benzene ring include catechol, resorcin, hydroquinone, hydroxyhydroquinone and pyrogallol. Among these, catechol and / or resorcin is preferable. This can facilitate the condensation reaction of the first resin.
【００１９】前記第１の樹脂の重量平均分子量は、特に
限定されないが、６，０００以下が好ましく、特に３，
０００以下が好ましく、最も３００〜１，０００が好ま
しい。重量平均分子量が前記下限値未満であると、半田
リフロー等において前記第１の樹脂の揮発により、フラ
ックス作用を向上する効果が低下する場合がある。ま
た、重量平均分子量が前記上限値を超えると、半田接合
時における樹脂の流動性が低下し、半田接続信頼性を向
上する効果が低下する場合がある。The weight average molecular weight of the first resin is not particularly limited, but is preferably 6,000 or less, particularly 3,
It is preferably 000 or less, and most preferably 300 to 1,000. If the weight average molecular weight is less than the lower limit, volatilization of the first resin during solder reflow or the like may reduce the effect of improving the flux action. On the other hand, when the weight average molecular weight exceeds the upper limit value, the fluidity of the resin at the time of solder joining may be lowered, and the effect of improving the solder connection reliability may be lowered.
【００２０】前記第１の樹脂の軟化点は、特に限定され
ないが、３０〜１５０℃であることが好ましく、特に４
０〜１４０℃が好ましい。第１の樹脂の軟化点が前記下
限値未満であるとボイド発生の原因になる場合があり、
前記上限値を超えると半田接合時における樹脂の流動性
が低下し、半田接続信頼性を向上する効果が低下する場
合がある。The softening point of the first resin is not particularly limited, but is preferably 30 to 150 ° C., particularly 4
0-140 degreeC is preferable. If the softening point of the first resin is less than the lower limit, it may cause the occurrence of voids,
If the upper limit is exceeded, the fluidity of the resin during soldering may decrease, and the effect of improving solder connection reliability may decrease.
【００２１】前記第１の樹脂の含有量は、特に限定され
ないが、接着フィルムを構成する樹脂全体の１０〜５０
重量％が好ましく、特に１５〜３５重量％が好ましい。
第１の樹脂の含有量が前記下限値未満であるとフラック
スとしての作用が向上する効果が低下する場合があり、
前記上限値を超えると接着・封止強度および信頼性が低
下する場合がある。The content of the first resin is not particularly limited, but is 10 to 50 based on the entire resin constituting the adhesive film.
Weight% is preferable, and 15 to 35 weight% is particularly preferable.
If the content of the first resin is less than the lower limit value, the effect of improving the action as a flux may decrease,
If the upper limit is exceeded, the adhesion / sealing strength and reliability may decrease.
【００２２】本発明の接着フィルムでは、特に限定され
ないが、更にフラックス助剤を含むことが好ましい。こ
れにより、接着フィルムのフラックス機能をより向上す
ることができる。前記フラックス助剤としては、例えば
フェノール、アルキルフェノール、ビフェノール、ナフ
トール、ハイドロキノン、レゾルシノール、カテコー
ル、メチリデンジフェノール、エチリデンジフェノー
ル、イソプロピリデンジフェノール、ヒドロキシベンゾ
イックアシッド、ジヒドロキシベンゾイックアシッド、
フェノールフタリン等が挙げられる。The adhesive film of the present invention is not particularly limited, but preferably further contains a flux auxiliary agent. Thereby, the flux function of the adhesive film can be further improved. Examples of the flux aid include phenol, alkylphenol, biphenol, naphthol, hydroquinone, resorcinol, catechol, methylidene diphenol, ethylidene diphenol, isopropylidenediphenol, hydroxybenzoic acid, dihydroxybenzoic acid,
Phenolphthaline etc. are mentioned.
【００２３】前記フラックス助剤の含有量は、特に限定
されないが、接着フィルムを構成する樹脂全体の０．５
〜２０重量％が好ましく、特に１〜１０重量％が好まし
い。前記フラックス助剤の含有量が前記下限値未満であ
るとフラックス機能をより向上させる効果が低下する場
合があり、前記上限値を超えると吸湿耐熱性が低下する
場合がある。The content of the flux auxiliary agent is not particularly limited, but is 0.5% of the total resin constituting the adhesive film.
-20% by weight is preferable, and 1-10% by weight is particularly preferable. If the content of the flux auxiliary agent is less than the lower limit value, the effect of further improving the flux function may be reduced, and if it exceeds the upper limit value, the heat resistance after moisture absorption may be reduced.
【００２４】本発明の接着フィルムでは、前記第１の樹
脂とは異なる第２の樹脂を含む。前記第２の樹脂として
は、例えばノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール
型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ノボラック型シアネ
ート樹脂、ビスフェノール型シアネート樹脂等のシアネ
ート樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエー
テルイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂等の熱可塑
性樹脂が挙げられる。これらの中でも、ビスフェノール
型エポキシ樹脂（特に長鎖型のビスフェノール型エポキ
シ樹脂）が好ましい。これにより、半導体素子とインタ
ーポーザ等との接着・封止性をより向上することができ
る。この様な第２の樹脂を含むことにより、フィルム状
態に容易にすることができる。The adhesive film of the present invention contains a second resin different from the first resin. Examples of the second resin include epoxy resins such as novolac type epoxy resins and bisphenol type epoxy resins, thermosetting resins such as novolac type cyanate resins and cyanate resins such as bisphenol type cyanate resins, polyimide resins, polyetherimide resins. , And thermoplastic resins such as polyether sulfone resin. Among these, a bisphenol type epoxy resin (particularly a long chain type bisphenol type epoxy resin) is preferable. This makes it possible to further improve the adhesion / sealing property between the semiconductor element and the interposer or the like. By including such a second resin, it can be easily made into a film state.
【００２５】前記第２の樹脂の重量平均分子量は、特に
限定されないが、１，０００以上が好ましく、特に２，
０００〜１０，０００が好ましい。前記第２の樹脂の重
量平均分子量が前記下限値未満であるとボイドの発生等
により製膜性が低下する場合があり、前記上限値を超え
ると半田接合時における樹脂の流動性が低下し、半田接
続信頼性を向上する効果が低下する場合がある。The weight average molecular weight of the second resin is not particularly limited, but is preferably 1,000 or more, particularly 2,
000 to 10,000 is preferable. If the weight average molecular weight of the second resin is less than the lower limit, the film formability may decrease due to the occurrence of voids, and if it exceeds the upper limit, the fluidity of the resin during solder bonding decreases. The effect of improving the solder connection reliability may decrease.
【００２６】前記第２の樹脂の含有量は、特に限定され
ないが、接着フィルムを構成する樹脂全体の１０〜６０
重量％が好ましく、特に２５〜４５重量％が好ましい。
前記第２の樹脂の含有量が前記下限値未満であるとボイ
ドの発生等により製膜性が低下する場合があり、前記上
限値を超えると半田接合時における樹脂の流動性が低下
し、半田接続信頼性を向上する効果が低下する場合があ
る。The content of the second resin is not particularly limited, but may be 10 to 60 based on the entire resin constituting the adhesive film.
Weight% is preferable, and 25 to 45 weight% is particularly preferable.
When the content of the second resin is less than the lower limit value, the film forming property may be deteriorated due to generation of voids and the like, and when it exceeds the upper limit value, the fluidity of the resin at the time of solder joining is decreased, and The effect of improving the connection reliability may be reduced.
【００２７】本発明では、前記第２の樹脂よりも重量平
均分子量の低い第３の樹脂を含む。これにより、フィル
ムに接着性を付与することができる。更に、フィルムに
アンダーフィルとしての作用を付与することができる。
前記第３の樹脂は、例えばノボラック型エポキシ樹脂、
ビスフェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ノボ
ラック型シアネート樹脂、ビスフェノール型シアネート
樹脂等のシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂等を挙げるこ
とができる。前記第３の樹脂は、第２の樹脂と異なる種
類の樹脂を使用することもできるが、硬化性の点で同じ
種類の樹脂を使用することが好ましい。The present invention includes a third resin having a weight average molecular weight lower than that of the second resin. This makes it possible to impart adhesiveness to the film. Further, it is possible to impart an action as an underfill to the film.
The third resin is, for example, a novolac type epoxy resin,
Examples thereof include epoxy resins such as bisphenol type epoxy resins, novolac type cyanate resins, and thermosetting resins such as cyanate resins such as bisphenol type cyanate resins. The third resin may be of a different type from the second resin, but it is preferable to use the same type of resin in terms of curability.
【００２８】前記第３の樹脂は、特に限定されないが、
常温で液状であることが好ましい。これにより、半導体
素子や半導体パッケージを実装する際の、インターポー
ザやプリント配線板などの回路凹凸の埋め込み性を向上
することができる。更に、インターポーザやプリント配
線板の成形性を向上することができる。また、フィルム
の柔軟性を向上することができ、それによって作業性を
向上することができる。なお、液状とは、常温で流動性
を示すものをいう。前記第３の溶融粘度は、特に限定さ
れないが、５００Ｐａ・ｓ以下が好ましく、特に１〜３
００Ｐａ・ｓが好ましい。前記溶融粘度は、Ｅ型粘度計
を用いて、温度２５℃、せん断速度０．５、１．０、
２．５および５．０ｒｐｍの各条件で測定したものであ
る。前記溶融粘度は、前記各条件の中で、最も低い回転
数で測定可能であった値を用いるものとする。The third resin is not particularly limited,
It is preferably liquid at room temperature. As a result, it is possible to improve the embeddability of circuit irregularities such as an interposer or a printed wiring board when mounting a semiconductor element or a semiconductor package. Furthermore, the formability of the interposer and the printed wiring board can be improved. In addition, the flexibility of the film can be improved, and thus workability can be improved. In addition, the liquid state refers to a substance that exhibits fluidity at room temperature. The third melt viscosity is not particularly limited, but is preferably 500 Pa · s or less, particularly 1 to 3
00 Pa · s is preferable. The melt viscosity was measured using an E-type viscometer at a temperature of 25 ° C., a shear rate of 0.5, 1.0,
It is measured under each condition of 2.5 and 5.0 rpm. As the melt viscosity, a value that can be measured at the lowest rotation speed among the above conditions is used.
【００２９】前記第３の樹脂の重量平均分子量は、特に
限定されないが、２００〜６００が好ましく、特に２５
０〜５００が好ましい。前記第３の樹脂の重量平均分子
量が前記下限値未満であるとフィルムの表面にタックが
発生する場合があり、前記上限値を超えると回路の凹凸
埋め込み性を向上する効果が低下する場合がある。The weight average molecular weight of the third resin is not particularly limited, but is preferably 200 to 600, and particularly 25.
0 to 500 is preferable. If the weight average molecular weight of the third resin is less than the lower limit value, tack may occur on the surface of the film, and if it exceeds the upper limit value, the effect of improving unevenness embedding property of the circuit may be deteriorated. .
【００３０】また、前記第３の樹脂の含有量は、特に限
定されないが、接着フィルムを構成する樹脂全体の１０
〜６０重量％であることが好ましく、特に２０〜４５重
量％であることが好ましい。前記第３の樹脂の含有量が
前記下限値未満であると接着性を向上する効果が低下す
る場合があり、前記上限値を超えると回路の凹凸埋め込
み性を向上する効果が低下する場合がある。The content of the third resin is not particularly limited, but is 10% of the total resin constituting the adhesive film.
It is preferably from 60 to 60% by weight, particularly preferably from 20 to 45% by weight. When the content of the third resin is less than the lower limit value, the effect of improving the adhesiveness may be reduced, and when it exceeds the upper limit value, the effect of improving the unevenness embedding property of the circuit may be reduced. .
【００３１】前記接着フィルムの軟化温度は、特に限定
されないが、４０〜１５０℃が好ましく、特に５０〜１
４０℃が好ましい。軟化温度が前記下限値未満であると
ボイドが発生したり、しわが発生したりする場合があ
り、前記上限値を超えると半田接合時における樹脂の流
動性が低下し、半田接続信頼性を向上する効果が低下す
る場合がある。軟化温度は、例えば粘弾性測定装置（Ｄ
ＭＡ、ＴＡインスツルメンツ製）を用いて５℃／分で測
定することができる（弾性率の変曲点を軟化温度とし
た）。The softening temperature of the adhesive film is not particularly limited, but is preferably 40 to 150 ° C., particularly 50 to 1
40 ° C. is preferred. If the softening temperature is lower than the lower limit value, voids may occur or wrinkles may occur, and if the softening temperature is higher than the upper limit value, the fluidity of the resin at the time of solder joining is lowered, and the solder connection reliability is improved. The effect of doing this may decrease. The softening temperature is, for example, a viscoelasticity measuring device (D
MA, manufactured by TA Instruments) can be used to measure at 5 ° C./min (inflection point of elastic modulus is defined as softening temperature).
【００３２】また、前記接着フィルムの溶融粘度は、特
に限定されないが、１〜５０００ｍＰａ・ｓが好まし
く、特に５〜４０００ｍＰａ・ｓが好ましい。前記溶融
粘度が前記下限値未満であるとボイドが発生したり、し
わが発生したりする場合があり、前記上限値を超えると
半田接合時における樹脂の流動性が低下し、半田接続信
頼性を向上する効果が低下する場合がある。なお、前記
接着フィルムの溶融粘度は、例えば動的粘弾性装置を用
いて、直径２５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍの円盤状の治具に
フィルムを挟み、２４０℃、周波数１Ｈｚで測定するこ
とができる。The melt viscosity of the adhesive film is not particularly limited, but is preferably 1 to 5000 mPa · s, and particularly preferably 5 to 4000 mPa · s. When the melt viscosity is less than the lower limit value, voids may be generated or wrinkles may occur, and when the melt viscosity exceeds the upper limit value, the fluidity of the resin during solder bonding is decreased, and the solder connection reliability is improved. The improvement effect may be reduced. The melt viscosity of the adhesive film can be measured, for example, by using a dynamic viscoelastic device at 240 ° C. and a frequency of 1 Hz by sandwiching the film in a disc-shaped jig having a diameter of 25 mm and a thickness of 0.8 mm. .
【００３３】前記接着フィルムの厚さは、搭載する半導
体素子や半導体パッケージのバンプ高さに応じて調整さ
れる。そのため、前記接着フィルムの厚さは、特に限定
されないが、３〜８０μｍが好ましく、特に５〜７５μ
ｍが好ましい。これにより、従来のアンダーフィル等の
方法では接着・封止が困難であった厚さの範囲内におい
ても接着・封止を可能とすることができる。The thickness of the adhesive film is adjusted according to the bump height of the semiconductor element or semiconductor package to be mounted. Therefore, the thickness of the adhesive film is not particularly limited, but is preferably 3 to 80 μm, and particularly 5 to 75 μm.
m is preferred. As a result, it is possible to perform the adhesion / sealing even within the range of the thickness, which is difficult to adhere / seal by the conventional method such as underfill.
【００３４】次に半導体パッケージおよびその製造方法
について説明する。以下、本発明の半導体パッケージお
よびその製造方法を図１に示す好適な実施の形態に基づ
いて詳細に説明する。図１は、半導体パッケージを概略
的に示す断面図である。半導体素子１には、半田バンプ
２が接合されている。接着フィルム３は、半導体素子１
とインターポーザ４との間に設置される。なお、接着フ
ィルム３は、あらかじめ半導体素子１またはインターポ
ーザ４に設置されていても構わない。接着フィルム３を
あらかじめ半導体素子１に設置する場合、例えば半導体
素子１と接着フィルム３とを位置合わせし、ボンダーで
接合することができる。また、接着フィルム３をあらか
じめインターポーザ４に設置する場合、ラミネートロー
ルを用いて接合することができる。そして、半導体素子
１、接着フィルム３およびインターポーザ４は、好まし
くは加熱下で圧着され、半導体パッケージの形状とな
る。なお、ここで接着フィルム３は、軟化して半導体素
子１とインターポーザ４との間を封止する。次に、前記
半導体パッケージ形状のものを半田リフローし、半田バ
ンプ２をインターポーザ４のビア孔５に半田接続して最
終的に図２に示す様な半導体パッケージ１１を得ること
ができる。また、前記半導体パッケージ１１を更に１５
０〜１８０℃、１〜２時間加熱処理することが好まし
い。これにより、接着フィルムを完全に硬化することが
できる。本発明の接着フィルムは、半田接合段階ではフ
ラックス機能を発揮して金属表面の酸化物の除去等を行
う。そして、半田接合後は、熱硬化して絶縁封止接着材
として機能するため、電気絶縁性の低下やインターポー
ザの腐食等を生じない。また、本発明の接着フィルム
は、半田接合後に半導体素子とインターポーザとの間隙
に充填されアンダーフィルとしての作用（半田接続の信
頼性を向上）を有するものである。また、本発明の接着
フィルムは、フィルム状であるのでアンダーフィルで生
じていた半導体素子への樹脂の付着が防止できるもので
ある。更に、本発明の接着フィルムは、フィルム状であ
るので半導体パッケージの製造に関する作業性に優れて
いる。Next, a semiconductor package and its manufacturing method will be described. Hereinafter, a semiconductor package and a method for manufacturing the same of the present invention will be described in detail based on the preferred embodiment shown in FIG. FIG. 1 is a sectional view schematically showing a semiconductor package. The solder bumps 2 are bonded to the semiconductor element 1. The adhesive film 3 is the semiconductor element 1
And the interposer 4 are installed. The adhesive film 3 may be installed in advance on the semiconductor element 1 or the interposer 4. When the adhesive film 3 is installed on the semiconductor element 1 in advance, for example, the semiconductor element 1 and the adhesive film 3 can be aligned and bonded with a bonder. In addition, when the adhesive film 3 is installed on the interposer 4 in advance, it can be bonded using a laminating roll. Then, the semiconductor element 1, the adhesive film 3, and the interposer 4 are preferably pressure-bonded under heating to form a semiconductor package. Here, the adhesive film 3 softens to seal between the semiconductor element 1 and the interposer 4. Next, the semiconductor package shape is reflowed by soldering, and the solder bumps 2 are soldered to the via holes 5 of the interposer 4 to finally obtain a semiconductor package 11 as shown in FIG. In addition, the semiconductor package 11 is further provided with 15
It is preferable to perform heat treatment at 0 to 180 ° C. for 1 to 2 hours. Thereby, the adhesive film can be completely cured. The adhesive film of the present invention exerts a flux function at the solder joining stage to remove oxides on the metal surface. Then, after soldering, it is cured by heat and functions as an insulating sealing adhesive, so that deterioration of electrical insulation and corrosion of the interposer do not occur. Further, the adhesive film of the present invention is filled in the gap between the semiconductor element and the interposer after soldering and has an action as an underfill (improvement in reliability of solder connection). Further, since the adhesive film of the present invention is in the form of a film, it is possible to prevent the resin from adhering to the semiconductor element, which has been caused by the underfill. Furthermore, since the adhesive film of the present invention is in the form of a film, it has excellent workability in manufacturing a semiconductor package.
【００３５】次に、半導体装置および半導体装置の製造
方法について説明する。以下、本発明の半導体装置およ
びその製造方法を図３に示す好適な実施の形態に基づい
て詳細に説明する。図３は、半導体装置を概略的に示す
断面図である。半導体パッケージ１１には、半田バンプ
２が接合されている。接着フィルム３は、半導体パッケ
ージ１１とプリント配線板６との間に設置される。プリ
ント配線板６は、多層構造で所望の回路６０が形成され
ている。接着フィルム３は、予め半導体パッケージ１１
またはプリント配線板６に設置されていても構わない。
接着フィルム３をあらかじめ半導体パッケージ１１に設
置する場合、例えば半導体パッケージ１１と接着フィル
ム３とを位置合わせし、ボンダーで接合することができ
る。また、接着フィルム３をあらかじめプリント配線板
６に設置する場合、ラミネートロールを用いて接合する
ことができる。そして、半導体パッケージ１１、接着フ
ィルム３およびプリント配線板６は、好ましくは加熱下
で圧着され、半導体装置の形状となる。なお、ここで接
着フィルム３は、軟化して半導体パッケージ１１とプリ
ント配線板６との間を封止する。次に、前記半導体装置
形状のものを半田リフローし、半田バンプ２をプリント
配線板に半田接続して最終的に図５に示す様な半導体装
置１２を得ることができる。また、前記半導体装置を更
に１５０〜１８０℃、１〜２時間加熱処理することが好
ましい。これにより、接着フィルムを完全に硬化するこ
とができる。本発明の接着フィルムは、半田接合段階で
はフラックス機能を発揮して金属表面の酸化物の除去等
を行う。そして、半田接合後は、熱硬化して絶縁封止接
着材として機能するため、電気絶縁性の低下やプリント
配線の腐食等を生じない。また、本発明の接着フィルム
は、フィルム状であるのでアンダーフィルで生じていた
半導体パッケージへの樹脂の付着が防止できるものであ
る。更に、本発明の接着フィルムは、フィルム状である
ので半導体装置の製造に関する作業性に優れている。Next, a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device will be described. Hereinafter, the semiconductor device and the method for manufacturing the same according to the present invention will be described in detail based on the preferred embodiment shown in FIG. FIG. 3 is a sectional view schematically showing the semiconductor device. The solder bumps 2 are joined to the semiconductor package 11. The adhesive film 3 is installed between the semiconductor package 11 and the printed wiring board 6. The printed circuit board 6 has a multi-layered structure in which a desired circuit 60 is formed. The adhesive film 3 is used for the semiconductor package 11 in advance.
Alternatively, it may be installed on the printed wiring board 6.
When the adhesive film 3 is installed on the semiconductor package 11 in advance, for example, the semiconductor package 11 and the adhesive film 3 can be aligned and bonded with a bonder. In addition, when the adhesive film 3 is installed on the printed wiring board 6 in advance, it can be bonded by using a laminating roll. Then, the semiconductor package 11, the adhesive film 3, and the printed wiring board 6 are preferably pressure-bonded under heating to form a semiconductor device. Here, the adhesive film 3 is softened to seal between the semiconductor package 11 and the printed wiring board 6. Next, the shape of the semiconductor device is reflowed by soldering, and the solder bumps 2 are soldered to the printed wiring board to finally obtain the semiconductor device 12 as shown in FIG. Further, it is preferable that the semiconductor device is further heat-treated at 150 to 180 ° C. for 1 to 2 hours. Thereby, the adhesive film can be completely cured. The adhesive film of the present invention exerts a flux function at the solder joining stage to remove oxides on the metal surface. After soldering, it functions as an insulating sealing adhesive by being hardened by heat, so that deterioration of electrical insulation and corrosion of printed wiring do not occur. Further, since the adhesive film of the present invention is in the form of a film, it is possible to prevent the resin from adhering to the semiconductor package, which has been caused by underfill. Further, since the adhesive film of the present invention is in the form of a film, it has excellent workability in manufacturing a semiconductor device.
【００３６】[0036]
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例に基づい
て詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるもので
はない。EXAMPLES The present invention will now be described in detail with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited thereto.
【００３７】接着フィルムの製造例
（実施例１）第１の樹脂としてフェノールノボラック樹
脂（住友ベークライト社製、ＰＲ−５３６４７）を２０
重量％、第２の樹脂としてビスフェノール型エポキシ樹
脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＥＰ−４００７Ｐ、
重量平均分子量約５，０００）を３０重量％、第３の樹
脂としてビスフェノール型エポキシ樹脂（大日本インキ
化学社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８３０Ｓ、重量平均分子量
約４００、溶融粘度３．５Ｐａ・ｓ）を４０重量％、フ
ラックス助剤としてフェノールフタリンを９．９重量
％、硬化触媒として２−フェニル−４，５−ジヒドロキ
シメチルイミダゾール（四国化成社製、２ＰＨＺ）を
０．１重量％用いた。上述の各樹脂および添加剤をメチ
ルエチルケトンにレジンコンテント約６０％になるよう
に溶解して樹脂ワニスを得た。樹脂ワニスをコンマコー
ターでＰＥＴフィルム上に最高温度１２０℃で塗布し
て、厚さ６０μｍ（半導体パッケージ用接着フィル
ム）、１５０μｍ（半導体装置用接着フィルム）の接着
フィルムを得た。Production Example of Adhesive Film (Example 1) Phenol novolac resin (PR-53647 manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) was used as the first resin.
% By weight, bisphenol type epoxy resin as second resin (manufactured by Japan Epoxy Resins Co., EP-4007P,
30% by weight of a weight average molecular weight of about 5,000) and 40 bisphenol type epoxy resin (EPICLON-830S, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc., weight average molecular weight of about 400, melt viscosity of 3.5 Pa · s) as a third resin. % By weight, 9.9% by weight of phenolphthalein as a flux aid, and 0.1% by weight of 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (2PHZ manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) as a curing catalyst. The above resins and additives were dissolved in methyl ethyl ketone to a resin content of about 60% to obtain a resin varnish. The resin varnish was applied on a PET film with a comma coater at a maximum temperature of 120 ° C. to obtain adhesive films having a thickness of 60 μm (adhesive film for semiconductor package) and 150 μm (adhesive film for semiconductor device).
【００３８】（実施例２）第１の樹脂として多官能フェ
ノールノボラック樹脂（日本化薬社製、Ａ−１４７６）
を１５重量％用い、第３の樹脂の添加量を４５重量％に
した以外は、実施例１と同様にした。Example 2 A polyfunctional phenol novolac resin (A-1476 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) as a first resin.
Was used in the same manner as in Example 1 except that the amount of the third resin added was 45% by weight.
【００３９】（実施例３）第２の樹脂としてビスフェノ
ール型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、Ｅ
Ｐ−４００４Ｐ、重量平均分子量約７００）を用いた以
外は、実施例１と同様にした。(Example 3) As a second resin, a bisphenol type epoxy resin (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., E
P-4004P and a weight average molecular weight of about 700) were used, and the same procedure as in Example 1 was performed.
【００４０】（実施例４）第１の樹脂を１４重量％、第
２の樹脂を３３重量％、第３の樹脂を４３重量％とした
以外は、実施例１と同様にした。(Example 4) The procedure of Example 1 was repeated except that the first resin was 14% by weight, the second resin was 33% by weight, and the third resin was 43% by weight.
【００４１】（実施例５）第１の樹脂を３６重量％、第
２の樹脂を２５重量％、第３の樹脂を３４重量％、フラ
ックス助剤を４．９重量％とした以外は、実施例１と同
様にした。Example 5 Example 5 was carried out except that the first resin was 36% by weight, the second resin was 25% by weight, the third resin was 34% by weight, and the flux aid was 4.9% by weight. Same as Example 1.
【００４２】（実施例６）フラックス助剤を用いずに、
第１の樹脂を２９．９重量％とした以外は、実施例１と
同様にした。Example 6 Without using a flux auxiliary agent,
Same as Example 1 except that the first resin was 29.9% by weight.
【００４３】（実施例７）第１の樹脂として多官能フェ
ノールノボラック樹脂（日本化薬社製、Ａ−１４７６）
を２４．９重量％、第３の樹脂を４５重量％用いて、フ
ラックス助剤を用いなかった以外は、実施例１と同様に
した。Example 7 As the first resin, a polyfunctional phenol novolac resin (A-1476, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
Was used in the same manner as in Example 1 except that 24.9% by weight, 45% by weight of the third resin and no flux auxiliary agent were used.
【００４４】（比較例１）第１の樹脂およびフラックス
助剤を用いずに、第２の樹脂を４５重量％、第３の樹脂
を５３重量％、硬化触媒を２重量％とした以外は、実施
例１と同様にした。(Comparative Example 1) The first resin and the flux auxiliary agent were not used, but the second resin was 45% by weight, the third resin was 53% by weight, and the curing catalyst was 2% by weight. Same as Example 1.
【００４５】（比較例２）第２の樹脂を用いずに、第３
の樹脂を７０重量％とした以外は、実施例１と同様にし
た。(Comparative Example 2) The third resin was used without using the second resin.
Example 1 was repeated, except that the resin of 70% by weight was used.
【００４６】（比較例３）第３の樹脂を用いずに、第２
の樹脂を７０重量％とした以外は、実施例１と同様にし
た。(Comparative Example 3) The second resin was used without using the third resin.
Example 1 was repeated, except that the resin of 70% by weight was used.
【００４７】実施例１〜７および比較例１〜３につい
て、下記〜の評価を行った。各評価については、厚
さ６０μｍの接着フィルムを用いて以下の方法で行っ
た。得られた結果を樹脂組成とともに表１に示す。
濡れ広がり率
濡れ広がり率は、半田ボール径Ｈと濡れ広がった半田の
高さＤを測定し、（Ｈ−Ｄ）／Ｈで計算される値を求め
た。値が大きいほどフラックス機能に優れることを表
す。なお、銅板上に接着フィルム（サイズ）を設置し、
２４０℃、３０秒間放置した後に測定した。比較例１に
おける濡れずとは、半田が広がらなかったことを示す。The following items 1 to 7 were evaluated for Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3. Each evaluation was performed by the following method using an adhesive film having a thickness of 60 μm. The obtained results are shown in Table 1 together with the resin composition. Wetting and spreading rate The wetting and spreading rate was obtained by measuring the solder ball diameter H and the height D of the solder that spread and wetting, and obtain a value calculated by (HD) / H. The larger the value, the better the flux function. In addition, install an adhesive film (size) on the copper plate,
It was measured after being left at 240 ° C. for 30 seconds. "Wet" in Comparative Example 1 means that the solder did not spread.
【００４８】軟化温度
軟化温度は、（ＤＭＡ、ＴＡインスツルメンツ製）を用
いて５℃／分で測定した。軟化温度は、弾性率の変曲点
とした。Softening Temperature The softening temperature was measured at 5 ° C./min using (DMA, manufactured by TA Instruments). The softening temperature was the inflection point of the elastic modulus.
【００４９】タックの有無
タックの有無は、接着フィルムを指触で評価した。各記
号は、以下の通りである。
◎： タック無し。
○： タック少しあるが実用可能である。
△： タック少しあり実用不可能である。
×： タック有り。Presence or absence of tack The presence or absence of tack was evaluated by touching the adhesive film with a finger. Each symbol is as follows. ◎: No tack. ○: There is a little tack, but it is practical. Δ: There is a little tack and it is not practical. ×: There is tack.
【００５０】絶縁抵抗
半田メッキが施された導体間隔５０μｍのくし形パター
ンを有する、絶縁信頼性試験用プリント配線板を使用
し、このプリント配線板に接着フィルムを設置した。ピ
ーク温度２４０℃に設定されたリフロー炉に上述のプリ
ント配線板を通した後、１８０℃で６０分熱処理して接
着フィルムを硬化させ、試験用プリント配線板として、
絶縁抵抗を測定した（処理前）。次に、上述のプリント
配線板を８５℃／８５％の雰囲気中で、直流電圧５０Ｖ
を印加し、１０００時間経過後の絶縁抵抗を測定した
（処理後）。測定時の印加電圧は１００Ｖで１分とし
た。Insulation resistance A printed wiring board for insulation reliability test having a comb-shaped pattern with a conductor spacing of 50 μm plated with solder was used, and an adhesive film was placed on this printed wiring board. After passing the above-mentioned printed wiring board through the reflow furnace set to the peak temperature of 240 ° C, the adhesive film is cured by heat treatment at 180 ° C for 60 minutes to prepare a test printed wiring board.
The insulation resistance was measured (before treatment). Next, the above-mentioned printed wiring board is subjected to a DC voltage of 50V in an atmosphere of 85 ° C / 85%.
Was applied and the insulation resistance after 1000 hours was measured (after the treatment). The applied voltage at the time of measurement was 100 V for 1 minute.
【００５１】[0051]
【表１】 [Table 1]
【００５２】表１から明らかなように実施例１〜７は、
濡れ広がり率に優れており、フラックス機能が高いこと
が示された。また、特に実施例１、２、４、６および７
は、タックの発生が無く、作業性に優れていることが示
された。また、特に実施例１、４、５および６は、処理
前後で絶縁抵抗の変化が小さく、吸湿絶縁性に優れてい
ることが示された。As is clear from Table 1, Examples 1 to 7 are
It was shown that the wet spread rate was excellent and the flux function was high. Also, in particular, Examples 1, 2, 4, 6 and 7
Showed that no tack was generated and the workability was excellent. In addition, it was shown that, particularly in Examples 1, 4, 5 and 6, the change in insulation resistance before and after the treatment was small, and the moisture absorption insulation was excellent.
【００５３】次に、半導体パッケージについての実施例
および比較例を説明する。半導体パッケージの製造
（実施例１Ａ〜７Ａ）接着フィルムとして実施例１〜７
で得られたものを各々用いて半導体パッケージを製造し
た。インターポーザへの半導体素子の実装は以下のよう
に行った。接着フィルムは、あらかじめインターポーザ
に５Ｔｏｒｒで真空ラミネートした。マウントツールで
半田バンプを有するフリップチップタイプの半導体素子
を吸着して移送し、半導体素子と８０℃に予熱したイン
ターポーザ（接着フィルムを設置した）の位置合わせを
行った。その後、半導体素子をインターポーザに搭載し
た。そして、最適温度で、３ｋｇ／ｃｍ２、１０秒間熱
圧着した。次に、最高温度２４０℃、２２０℃以上で３
０秒間の設定リフロー炉を通した。その後、１８０℃、
６０分間アフターキュアして、半導体パッケージを得
た。Next, examples and comparative examples of the semiconductor package will be described. Manufacturing of semiconductor package (Examples 1A to 7A) Examples 1 to 7 as adhesive films
A semiconductor package was manufactured by using each of the products obtained in the above. The semiconductor element was mounted on the interposer as follows. The adhesive film was vacuum laminated to the interposer at 5 Torr in advance. A flip chip type semiconductor element having solder bumps was adsorbed and transferred by a mounting tool, and the semiconductor element and the interposer preheated to 80 ° C. (with an adhesive film installed) were aligned. Then, the semiconductor element was mounted on the interposer. Then, thermocompression bonding was performed at an optimum temperature of 3 kg / cm 2 for 10 seconds. Next, the maximum temperature of 240 ℃, 220 ℃ or more 3
It was passed through a set reflow oven for 0 seconds. After that, 180 ℃,
After curing for 60 minutes, a semiconductor package was obtained.
【００５４】（比較例１Ａおよび３Ａ）接着フィルムと
して比較例１および３で得られたものを各々用いて半導
体パッケージを製造した。インターポーザへの半導体素
子の実装は以下のように行った。接着フィルムは、あら
かじめインターポーザに５Ｔｏｒｒで真空ラミネートし
た。マウントツールで半田バンプを有するフリップチッ
プタイプの半導体素子を吸着して移送し、半導体素子と
予熱したインターポーザ（接着フィルムを設置した）の
位置合わせを行った。その後、半導体素子をインターポ
ーザに搭載した。そして、最適温度で、３ｋｇ／ｃ
ｍ２、１０秒間熱圧着した。次に、最高温度２４０℃、
２２０℃以上で３０秒間の設定リフロー炉を通した。そ
の後、１８０℃、６０分間アフターキュアして、半導体
パッケージを得た。(Comparative Examples 1A and 3A) Semiconductor packages were manufactured by using the adhesive films obtained in Comparative Examples 1 and 3, respectively. The semiconductor element was mounted on the interposer as follows. The adhesive film was vacuum laminated to the interposer at 5 Torr in advance. A flip chip type semiconductor element having solder bumps was adsorbed and transferred with a mounting tool, and the semiconductor element and the preheated interposer (with an adhesive film installed) were aligned. Then, the semiconductor element was mounted on the interposer. And at the optimum temperature, 3 kg / c
m 2 was thermocompression bonded for 10 seconds. Next, the maximum temperature of 240 ℃,
It was passed through a set reflow furnace at 220 ° C or higher for 30 seconds. Then, after-curing was performed at 180 ° C. for 60 minutes to obtain a semiconductor package.
【００５５】（比較例４Ａ）フリップチップ（テンリュ
ウテクニクス社製 ＦＢＴ５００）にフラックス（九州
松下電器株式会社製、ＭＳＰ５１１）を塗布し、インタ
ーポーザに搭載して半田接続した。フラックス洗浄後に
キャピラリーフローのアンダーフィル（住友ベークライ
ト社製 ＣＲＰ−４１５２Ｓ）を流し込み、１８０℃で
６０分間加熱して半導体パッケージを得た。(Comparative Example 4A) Flip chip (FBR500 manufactured by Tenryu Technics Co., Ltd.) was coated with flux (MSP511 manufactured by Kyushu Matsushita Electric Co., Ltd.) and mounted on an interposer for solder connection. After flux cleaning, a capillary flow underfill (CRP-4152S manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) was poured and heated at 180 ° C. for 60 minutes to obtain a semiconductor package.
【００５６】実施例１Ａ〜７Ａおよび比較例１Ａ、３Ａ
および４Ａについて、下記〜の評価を行った。各評
価については、以下の方法で行った。得られた結果を表
２に示す。
ダイシェア強度
ダイシェア強度は、デイジ社製万能型ボンドテスターＰ
Ｃ２４００Ｔで測定した。Examples 1A to 7A and Comparative Examples 1A and 3A
The following items 1 to 4 were evaluated. Each evaluation was performed by the following method. The obtained results are shown in Table 2. Die Shear Strength Die shear strength is a universal bond tester P manufactured by Daiji.
It was measured at C2400T.
【００５７】導通抵抗
導通抵抗は、得られたサンプルの導通抵抗を四端子法に
より測定した。各記号は以下の通りである。
○： 導通抵抗が１０ｍΩ以下である。
△： 導通抵抗が１０ｍΩを超える場合である。
×： 導通しない。Conduction Resistance The conduction resistance of the obtained sample was measured by the four-terminal method. Each symbol is as follows. ◯: Conduction resistance is 10 mΩ or less. Δ: When the conduction resistance exceeds 10 mΩ. X: There is no continuity.
【００５８】作業性
作業性は、比較例４Ａの作業工数を基準（１０）とし
て、評価した。また、半導体素子への樹脂の付着につい
ては、目視で評価した。各記号は以下の通りである。
◎： 樹脂の付着全く無し。
○： 樹脂が一部付着するが実用上使用可。
△： 樹脂が一部付着し、実用上使用不可。
×： 樹脂が付着し、使用不可。Workability The workability was evaluated based on the work man-hour of Comparative Example 4A (10). Further, the resin adhesion to the semiconductor element was visually evaluated. Each symbol is as follows. A: No resin adhered. ○: Some resin adheres, but can be used practically. Δ: A part of the resin adheres and is practically unusable. ×: Resin adheres and cannot be used.
【００５９】ＴＣ（温度サイクル）試験
３００個のバンプを介して半導体素子とインターポーザ
を接続するデイジーチェーン型の評価用半導体パッケー
ジを１０個作製した。上述の評価用半導体パッケージの
導通を確認後、−５０℃で１０分、１２５℃で１０分を
１サイクルとする温度サイクル（ＴＣ）試験を実施し
た。ＴＣ試験１０００サイクル後の断線不良個数を評価
した。TC (Temperature Cycle) Test Ten daisy chain type semiconductor packages for evaluation in which a semiconductor element and an interposer are connected through 300 bumps were manufactured. After confirming the conduction of the above-mentioned evaluation semiconductor package, a temperature cycle (TC) test was carried out with one cycle of -50 ° C for 10 minutes and 125 ° C for 10 minutes. The number of defective disconnection after 1000 cycles of TC test was evaluated.
【００６０】[0060]
【表２】 [Table 2]
【００６１】表２から明らかなように実施例１Ａ〜７Ａ
は、高いダイシェア強度を有しており、パッケージ信頼
性に優れることが示された。更に、実施例１Ａ〜７Ａ
は、高いダイシェア強度を有した状態で、作業工数が低
減されているものであった。As is clear from Table 2, Examples 1A to 7A
Has a high die shear strength and is shown to have excellent package reliability. Furthermore, Examples 1A to 7A
In the state of having high die shear strength, the number of working steps was reduced.
【００６２】次に、半導体パッケージ実装基板について
の実施例および比較例を説明する。半導体パッケージ実
装基板の製造
（実施例１Ｂ〜７Ｂ）接着フィルムとして実施例１〜７
で各々得られたものを、半導体パッケージとして実施例
１Ａ〜７Ａで各々得られたものを用いて半導体装置を製
造した。プリント配線板への半導体パッケージの実装
は、以下のように行った。接着フィルムは、あらかじめ
プリント配線板に５Ｔｏｒｒで真空ラミネートした。実
装の方法は、接着フィルム付きプリント配線板に、実施
例１Ｂ〜７Ｂの半導体パッケージを搭載して、ピーク温
度２４０℃に設定されたリフロー炉を通した後、１６０
℃で６０分熱処理して接着フィルムを硬化させ、半導体
パッケージ実装基板を作製した。なお、比較例１Ｂ〜３
Ｂは、有効な半導体パッケージが得られなかったため、
評価不能であった。Next, examples and comparative examples of the semiconductor package mounting substrate will be described. Manufacturing of semiconductor package mounting substrate (Examples 1B to 7B) Examples 1 to 7 as adhesive films
A semiconductor device was manufactured using each of the products obtained in Example 1A to 7A as a semiconductor package. The semiconductor package was mounted on the printed wiring board as follows. The adhesive film was vacuum laminated on the printed wiring board at 5 Torr in advance. The mounting method was as follows: the semiconductor package of Examples 1B to 7B was mounted on a printed wiring board with an adhesive film, and the resultant was passed through a reflow furnace set at a peak temperature of 240 ° C.
The adhesive film was cured by heat treatment at 60 ° C. for 60 minutes to prepare a semiconductor package mounting substrate. In addition, Comparative Examples 1B to 3
In B, because an effective semiconductor package was not obtained,
It could not be evaluated.
【００６３】（比較例４Ｂ）プリント配線板に前記市販
のフラックスを塗布し、比較例４Ａの半導体パッケージ
を搭載して、ピーク温度２４０℃に設定されたリフロー
炉を通した。リフロー半田接合後、イソプロピルアルコ
ールで洗浄して使用し、さらに、前記アンダーフィルを
充填した。(Comparative Example 4B) The commercially available flux was applied to a printed wiring board, the semiconductor package of Comparative Example 4A was mounted, and the printed wiring board was passed through a reflow furnace set to a peak temperature of 240 ° C. After the reflow soldering, it was washed with isopropyl alcohol and used, and the underfill was filled.
【００６４】実施例１Ｂ〜７Ｂおよび比較例４Ｂについ
て、作業性の評価を行った。作業性は、比較例４Ｂの作
業工数を基準（１０）として評価した。得られた結果を
表３に示す。The workability of Examples 1B to 7B and Comparative Example 4B was evaluated. The workability was evaluated using the work man-hours of Comparative Example 4B as a reference (10). The results obtained are shown in Table 3.
【００６５】[0065]
【表３】 [Table 3]
【００６６】表３から明らかなように、実施例１Ｂ〜７
Ｂは、作業性に優れていた。また、実施例１Ｂ〜７Ｂ
は、前記温度サイクル試験の不良品個数が実質０であっ
た。As is apparent from Table 3, Examples 1B-7
B was excellent in workability. Also, Examples 1B to 7B
The number of defective products in the temperature cycle test was substantially zero.
【００６７】[0067]
【発明の効果】本発明によれば、特に優れたフラックス
機能を有し、かつ接着時の作業性を向上することができ
る接着フィルムおよびそれを用いた半導体パッケージお
よび半導体装置を得ることができる。また、接着フィル
ムに特定の樹脂を使用する場合、特に半田接続信頼性に
優れる半導体パッケージおよび半導体装置を得ることが
できる。また、本発明によれば、製造が容易、かつ歩留
まりの少ない半導体パッケージおよび半導体装置の製造
方法を提供することができる。According to the present invention, it is possible to obtain an adhesive film having a particularly excellent flux function and capable of improving workability at the time of adhesion, a semiconductor package and a semiconductor device using the same. Moreover, when a specific resin is used for the adhesive film, a semiconductor package and a semiconductor device having particularly excellent solder connection reliability can be obtained. Further, according to the present invention, it is possible to provide a semiconductor package and a semiconductor device manufacturing method which are easy to manufacture and have a low yield.
【図１】本発明の接着フィルムを半導体パッケージに使
用する際の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of using the adhesive film of the present invention in a semiconductor package.
【図２】本発明の半導体パッケージの一例を模式的に示
す断面図である。FIG. 2 is a sectional view schematically showing an example of a semiconductor package of the present invention.
【図３】本発明の接着フィルムを半導体装置に使用する
際の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example of using the adhesive film of the present invention in a semiconductor device.
【図４】本発明の半導体装置の一例を模式的に示す断面
図である。FIG. 4 is a sectional view schematically showing an example of a semiconductor device of the present invention.
１ 半導体素子 ２ 半田バンプ ３ 接着フィルム ４ インターポーザ ５ ビア孔 ６ プリント配線板 ６０ 回路 １１ 半導体パッケージ １２ 半導体装置（半導体パッケージ実装基板） 1 Semiconductor element 2 Solder bump 3 Adhesive film 4 Interposer 5 via holes 6 printed wiring board 60 circuits 11 Semiconductor package 12 Semiconductor device (semiconductor package mounting board)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 馬場 孝幸 東京都品川区東品川２丁目５番８号 住友 ベークライト株式会社内 (72)発明者 矢吹 健太郎 東京都品川区東品川２丁目５番８号 住友 ベークライト株式会社内 Ｆターム(参考） 4J004 AA12 AA13 BA02 FA05 4J040 EB031 EC002 GA05 JA09 LA01 LA08 NA20 5F044 LL01 LL04 LL11 LL17 RR17 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Takayuki Baba Sumitomo, 2-5-8 Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Bakelite Co., Ltd. (72) Inventor Kentaro Yabuki Sumitomo, 2-5-8 Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Bakelite Co., Ltd. F-term (reference) 4J004 AA12 AA13 BA02 FA05 4J040 EB031 EC002 GA05 JA09 LA01 LA08 NA20 5F044 LL01 LL04 LL11 LL17 RR17
Claims (19)
する際に用いる接着フィルムであって、 少なくとも１つ以上のフェノール性水酸基を有する第１
の樹脂と、 第２の樹脂と、 前記第２の樹脂よりも重量平均分子量の低い第３の樹脂
とを含むことを特徴とする接着フィルム。1. An adhesive film used for mounting a semiconductor device or a semiconductor package, the first film having at least one or more phenolic hydroxyl groups.
2. An adhesive film, comprising: the above resin, a second resin, and a third resin having a weight average molecular weight lower than that of the second resin.
求項１に記載の接着フィルム。2. The adhesive film according to claim 1, further comprising a flux auxiliary agent.
る請求項１または２に記載の接着フィルム。3. The adhesive film according to claim 1, wherein the first resin is a phenol resin.
請求項１ないし３のいずれかに記載の接着フィルム。4. The adhesive film according to claim 1, wherein the second resin is an epoxy resin.
１，０００以上である請求項１ないし４のいずれかに記
載の接着フィルム。5. The weight average molecular weight of the second resin is
It is 1,000 or more, The adhesive film in any one of Claim 1 thru | or 4.
請求項１ないし５のいずれかに記載の接着フィルム。6. The adhesive film according to claim 1, wherein the third resin is an epoxy resin.
求項１ないし６のいずれかに記載の接着フィルム。7. The adhesive film according to claim 1, wherein the third resin is liquid at room temperature.
００〜６００である請求項１ないし７のいずれかに記載
の接着フィルム。8. The weight average molecular weight of the third resin is 2
The adhesive film according to any one of claims 1 to 7, which is from 00 to 600.
１ないし８のいずれかに記載の接着フィルム。9. The adhesive film according to claim 1, which has a softening temperature of 40 to 150 ° C.
ある請求項１ないし９のいずれかに記載の接着フィル
ム。10. The adhesive film according to claim 1, which has a melt viscosity of 1 to 5000 mPa · s.
いし１０のいずれかに記載の接着フィルム。11. The adhesive film according to claim 1, which has a thickness of 3 to 80 μm.
項１ないし１１のいずれかに記載の接着フィルムで実装
されていることを特徴とする半導体パッケージ。12. A semiconductor package, wherein a semiconductor element and an interposer are mounted with the adhesive film according to any one of claims 1 to 11.
が請求項１ないし１１のいずれかに記載の接着フィルム
で実装されていることを特徴とする半導体装置。13. A semiconductor device in which a semiconductor package and a printed wiring board are mounted with the adhesive film according to any one of claims 1 to 11.
して半導体パッケージを製造する方法であって、 半導体素子とインターポーザとの間に接着フィルムを設
置し、 前記半導体素子、接着フィルムおよびインターポーザを
圧着して実装することを特徴とする半導体パッケージの
製造方法。14. A method of manufacturing a semiconductor package by mounting a semiconductor device and an interposer, wherein an adhesive film is provided between the semiconductor device and the interposer, and the semiconductor device, the adhesive film and the interposer are pressure bonded. A method for manufacturing a semiconductor package, which is characterized by mounting.
ターポーザに設置しているものである請求項１４に記載
の半導体パッケージの製造方法。15. The method of manufacturing a semiconductor package according to claim 14, wherein the adhesive film is previously installed on an interposer.
体素子に設置しているものである請求項１４または１５
に記載の半導体パッケージの製造方法。16. The semiconductor device according to claim 14, wherein the adhesive film is previously installed.
A method for manufacturing a semiconductor package according to.
を実装して半導体装置を製造する方法であって、 半導体パッケージとプリント配線板との間に接着フィル
ムを設置し、 前記半導体パッケージ、接着フィルムおよびプリント配
線板を圧着して実装することを特徴とする半導体装置の
製造方法。17. A method of manufacturing a semiconductor device by mounting a semiconductor package and a printed wiring board, wherein an adhesive film is provided between the semiconductor package and the printed wiring board, and the semiconductor package, the adhesive film and the print. A method of manufacturing a semiconductor device, which comprises mounting a wiring board by crimping.
体パッケージに設置しているものである請求項１７に記
載の半導体装置の製造方法。18. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 17, wherein the adhesive film is previously installed in a semiconductor package.
ント配線板に設置しているものである請求項１７または
１８に記載の半導体装置の製造方法。19. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 17, wherein the adhesive film is previously installed on a printed wiring board.
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004244486A (en) * | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Adhesive film, and semiconductor package and semiconductor device using it |
| JP2004273809A (en) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Adhesive film, and semiconductor package and semiconductor device using the same |
| JP2005307169A (en) * | 2004-03-22 | 2005-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | Filmy adhesive and production method of semiconductor device using this |
| JP2007016127A (en) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Sekisui Chem Co Ltd | Epoxy adhesive composition and bonding method |
| JP2008082967A (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Toshiba Corp | Vibration diagnostic system for rotary machine |
| WO2010073583A1 (en) * | 2008-12-24 | 2010-07-01 | 住友ベークライト株式会社 | Adhesive film, multilayer circuit substrate, component for semiconductor, and semiconductor device |
| JP2012097281A (en) * | 2004-03-22 | 2012-05-24 | Hitachi Chemical Co Ltd | Filmy adhesive and production method of semiconductor device using the same |
| JP2013222833A (en) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Toshiba Corp | Electronic component and electronic apparatus |
| KR20220070426A (en) | 2019-09-30 | 2022-05-31 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | Adhesive for semiconductor, adhesive sheet for semiconductor, and manufacturing method of a semiconductor device |
| KR20230166071A (en) | 2021-03-30 | 2023-12-06 | 가부시끼가이샤 레조낙 | Semiconductor adhesive, semiconductor adhesive sheet, and manufacturing method of semiconductor device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101332857B1 (en) * | 2011-12-22 | 2013-11-22 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Semiconductor package and method for manufacturing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001345349A (en) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Sony Chem Corp | Connection material and connection structure |
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001345349A (en) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Sony Chem Corp | Connection material and connection structure |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004244486A (en) * | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Adhesive film, and semiconductor package and semiconductor device using it |
| JP2004273809A (en) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Adhesive film, and semiconductor package and semiconductor device using the same |
| JP2005307169A (en) * | 2004-03-22 | 2005-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | Filmy adhesive and production method of semiconductor device using this |
| JP2012097281A (en) * | 2004-03-22 | 2012-05-24 | Hitachi Chemical Co Ltd | Filmy adhesive and production method of semiconductor device using the same |
| JP2007016127A (en) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Sekisui Chem Co Ltd | Epoxy adhesive composition and bonding method |
| JP2008082967A (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Toshiba Corp | Vibration diagnostic system for rotary machine |
| WO2010073583A1 (en) * | 2008-12-24 | 2010-07-01 | 住友ベークライト株式会社 | Adhesive film, multilayer circuit substrate, component for semiconductor, and semiconductor device |
| JP2013222833A (en) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Toshiba Corp | Electronic component and electronic apparatus |
| KR20220070426A (en) | 2019-09-30 | 2022-05-31 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | Adhesive for semiconductor, adhesive sheet for semiconductor, and manufacturing method of a semiconductor device |
| KR20230166071A (en) | 2021-03-30 | 2023-12-06 | 가부시끼가이샤 레조낙 | Semiconductor adhesive, semiconductor adhesive sheet, and manufacturing method of semiconductor device |
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