JP4083592B2

JP4083592B2 - Adhesive film, semiconductor package using the same, and semiconductor device

Info

Publication number: JP4083592B2
Application number: JP2003034577A
Authority: JP
Inventors: 達弘吉田; 猛八月朔日; 政貴新井; 孝幸馬塲
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 2003-02-13
Filing date: 2003-02-13
Publication date: 2008-04-30
Anticipated expiration: 2023-02-13
Also published as: JP2004244486A

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive film which has a flux function and can improve the workability in bonding, and a semiconductor package and a semiconductor device using it. <P>SOLUTION: The adhesive film is used for mounting a semiconductor element or a semiconductor device. It comprises essentially a phenolic novolak resin (A) having a softening point of 100°C or lower, a film-forming resin (B) and an epoxy resin (C). The semiconductor package is obtained by mounting a semiconductor element and an interposer with the adhesive film. The semiconductor device is obtained by mounting a semiconductor package and a printed wiring board with the adhesive film. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、接着フィルム、それを用いた半導体パッケージまたは半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の高機能化等の要求に伴い、これらの電子機器に使用される半導体パッケージも、従来にも増して、小型化かつ多ピン化が進んできている。
近年、プリント配線板上に半導体素子を実装する方式として、ＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒａｙ）やＣＳＰ（ＣｈｉｐＳｃａｌｅＰａｃｋａｇｅ）等のエリア実装型の新しいパッケージ方式が提案されている。
【０００３】
ＢＧＡやＣＳＰ方式のプリント配線板への半導体パッケージの実装には、半田ボールで形成されたバンプによる半田接合が採用されている。
また、ＢＧＡやＣＳＰの作製工程における、半導体素子の電極と半導体搭載用基板の端子との電気的接続方法にも、半田接合が使われる場合が多い。
【０００４】
一般に、半田接合の場合、半田表面と対面する電極の金属表面に付着する酸化物等を除去するため、あるいは半田接合時における金属表面での再酸化の防止するために半田付け用フラックスが使用される。
しかし、半田接合後にフラックスが残存していると、高温、多湿時に、電気絶縁性の低下やプリント配線の腐食等の問題を生じる。
そこで、現在、半田接合後、残存フラックスを洗浄除去することを行っている。しかし、洗浄剤の廃棄に関する環境問題や、洗浄工程の追加によるコストアップなどの欠点がある。
【０００５】
また、半導体パッケージの小型化、かつ多ピン化は、バンプの微細化を必要とするが、その反面、接合強度、接続信頼性の低下が懸念される。そこで、バンプ接続部分の信頼性を得るため、半導体素子と半導体素子搭載用基板、あるいは半導体パッケージとプリント配線板との間隙に、アンダーフィルと呼ばれる絶縁樹脂を充填して、バンプ接続部分を封止、補強する検討がされている。しかし、アンダーフィルを充填し、硬化させる工程が必要となるため、製造工程が複雑化し、製造コストが高くなるという問題がある（特許文献１、参照）。
【０００６】
フラックスやアンダーフィル技術の問題を解決する手段として、半田接合後の残存フラックスが除去不要で、且つ半導体素子と半導体素子搭載用基板との間隙に樹脂を流し込む工程も不要なノンフローアンダーフィルの開発も検討されている。ノンフローアンダーフィルは、樹脂中に除去不要なフラックス成分が含まれており、フラックスを必要とせず、予め半導体素子搭載基板等に供給する点でアンダーフィルと異なっている。
【０００７】
ノンフローアンダーフィルを用いた方法は、半導体素子搭載基板やプリント配線板上にノンフローアンダーフィル樹脂を予めディスペンサーなどで必要量が供給される。搭載部品を位置合わせして、搭載した後、リフロー処理することにより、半田接合すると同時に、半導体素子と半導体素子搭載用基板等の間隙を封止するものである。しかし、ノンフローアンダーフィルを用いた方法は、その性状と供給方法のために、薄型の半導体素子や半導体パッケージを搭載する場合には、裏面にノンフローアンダーフィル樹脂が付着したりすることがあった。
この裏面へのノンフローアンダーフィル樹脂への付着は、ヒートシンクの貼り付けの際や、半導体素子を積層する(実装面積の縮小化を目的とする半導体素子を積層したマルチチップパッケージなど)際に不具合が生じる原因となっていた。
【０００８】
【特許文献】
特開２００２−２９３８８３号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、フラックス機能を有し、かつ接着時の作業性が向上する接着フィルムおよびそれを用いた半導体パッケージおよび半導体装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（５）記載の本発明により達成される。
接着フィルム。
（１）半導体素子または半導体パッケージを実装する際に用いる接着フィルムであって、軟化点が１００℃以下であるフェノールノボラック樹脂（Ａ）と、造膜用樹脂（Ｂ）と、前記造膜用樹脂よりも重量平均分子量が低いエポキシ樹脂（Ｃ）と、フラックス助剤とを含み、前記フラックス助剤が、フェノール、アルキルフェノール、ビフェノール、ナフトール、ハイドロキノン、レゾルシノール、カテコール、メチリデンジフェノール、エチリデンジフェノール、イソプロピリデンジフェノール、ヒドロキシベンゾイックアシッド、ジヒドロキシベンゾイックアシッド、フェノールフタリンよりなる群から選ばれる少なくとも 1 種であることを特徴とする接着フィルム。
（２）前記造膜用樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が、１，０００以上である請求項１または２に記載の接
（３）軟化温度が４０〜１５０℃である（１）または（２）に記載の接着フィルム。
（４）半導体素子とインターポーザとが請求項１ないし（３）のいずれかに記載の接着フィルムで実装されていることを特徴とする半導体パッケージ。
（５）半導体パッケージとプリント配線板とが（１）ないし（４）のいずれかに記載の接着フィルムで実装されていることを特徴とする半導体装置。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の接着フィルム、それを用いた半導体パッケージまたは半導体装置について説明する。
本発明の接着フィルムは、半導体素子または半導体装置を実装する際に用いる接着フィルムであって、軟化点が１００℃以下であるフェノールノボラック樹脂（Ａ）と、造膜用樹脂（Ｂ）と、前記造膜用樹脂よりも重量平均分子量が低いエポキシ樹脂（Ｃ）とを必須成分として含むことを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の半導体パッケージは、半導体素子とインターポーザ（半導体素子搭載用基板）とが上述の接着フィルムで実装されているものであることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の半導体装置（半導体パッケージが実装された基板）は、半導体パッケージとプリント配線板とが上述の接着フィルムで実装されているものであることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の接着フィルムは、半導体素子または半導体パッケージを実装するために用いるものである。これにより、従来のノンフローアンダーフィル樹脂で問題となっていた半導体素子等への樹脂の付着を防止することができる。また、フィルム状態で半導体素子等に設置できるので作業性を向上することができる。
前記半導体素子を実装する場合、例えば半導体素子をインターポーザに実装する場合等が挙げられる。
また、前記半導体パッケージを実装する場合、例えば半導体パッケージをプリント配線板に実装する場合等が挙げられる。このような場合に、本発明の接着フィルムを用いることができる。
また、本発明の接着フィルムは、半田接合時にフラックスとして作用し、同時に半導体素子とインターポーザや、半導体パッケージとプリント配線板などの接合面を接着・封止するものとして機能するものである。
【００１５】
本発明の接着フィルムは、軟化点が１００℃以下であるフェノールノボラック樹脂を含む。これにより、半田及び金属表面の酸化物などの汚れを除去し、半田接合用フラックスとして作用することができる。その理由は、前記フェノール性水酸基が還元作用を有するため、半田表面や対面する電極の金属表面に付着する酸化物等を除去できるからである。
更に、フラックスとして作用したフェノールノボラック樹脂は、残存フラックスの除去を不要とすることができる。その理由は、フェノールノボラック樹脂が半田接合後の加熱過程でエポキシ樹脂（Ｃ）と硬化反応するので揮発分等が発生しないからである。残存フラックスの除去を不要とすることができると、半田接合後の洗浄工程を不要にでき、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、接合強度、信頼性の高い半田接合が可能となる。
【００１６】
前記フェノールノボラック樹脂（Ａ）の軟化点は１００℃以下であり、さらに軟化点は４０〜９５℃であることが好ましい。フェノールノボラック樹脂（Ａ）の軟化点が前記下限値未満であるとボイド発生の原因になる場合があり、前記上限値を超えると半田接合時における樹脂の流動性が低下し、半田接続信頼性を向上する効果が低下する場合がある。
前記軟化点は、例えばＪＩＳＫ６９１０に準じて測定することができる。
【００１７】
前記フェノールノボラック樹脂を構成するフェノール化合物としては、例えばフェノール、クレゾール、ビスフェノール等が挙げられる。
また、多官能フェノールノボラック樹脂を用いることにより、半田接合時間を短くすることが可能である。これらの中でもフェノールで構成されるフェノールノボラック樹脂（未変性のフェノールノボラック樹脂）が好ましい。これにより、特に膜強度を向上することができる。
【００１８】
前記フェノールノボラック樹脂（特に未変性のフェノールノボラック樹脂）の重量平均分子量は、特に限定されないが、３００〜１，５００であることが好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると半田リフロー等において該フェノールノボラック樹脂が揮発することにより、フラックス作用を向上する効果が低下する場合がある。また、重量平均分子量が前記上限値を超えると、半田接合時における樹脂の流動性が低下し、半田接続信頼性を向上する効果が低下する場合がある。
前記重量平均分子量は、例えばＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）を用いたポリスチレン換算により求めることができる。
【００１９】
前記成分フェノールノボラック樹脂の含有量は、特に限定されないが、接着フィルムを構成する樹脂全体の１０〜５０重量％が好ましく、特に１８〜３６重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとフラックスとしての作用を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると接着・封止強度および信頼性を向上する効果が低下する場合がある。
【００２０】
本発明の接着フィルムでは、造膜用樹脂（Ｂ）を含む。これにより、フィルムへの成形性を向上することができる。
前記造膜用樹脂（Ｂ）とは、フィルムへの製膜性の向上に寄与する樹脂であり、例えばノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノール型シアネート樹脂等のシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂等の熱可塑性樹脂が挙げられる。これらの中でも、ビスフェノール型エポキシ樹脂（特に長鎖型のビスフェノール型エポキシ樹脂）が好ましい。これにより、半導体素子とインターポーザ等との接着・封止性をより向上することができる。この様な造膜用樹脂を含むことにより、フィルム状態に容易にすることができる。
【００２１】
前記造膜用樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、特に限定されないが、１，０００以上が好ましく、特に２，０００〜１０，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であるとボイドの発生等により製膜性が低下する場合があり、前記上限値を超えると半田接合時における樹脂の流動性が低下し、半田接合接続の信頼性を向上する効果が低下する場合がある。
前記重量平均分子量は、例えばＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）を用いたポリスチレン換算により求めることができる。
【００２２】
前記造膜用樹脂（Ｂ）の含有量は、特に限定されないが、接着フィルムを構成する樹脂全体の１０〜６０重量％が好ましく、特に２５〜４５重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとボイドの発生等により製膜性が低下する場合があり、前記上限値を超えると半田接合時における樹脂の流動性が低下し、半田接合接続の信頼性を向上する効果が低下する場合がある。
【００２３】
本発明の接着フィルムでは、前記造膜用樹脂よりも重量平均分子量が低いエポキシ樹脂（Ｃ）を含む。エポキシ樹脂（Ｃ）は、造膜用樹脂（Ｂ）よりも重量平均分子量が低いことにより、本発明の接着フィルムに接着性を付与することができる。更に、接着フィルムにアンダーフィルとしての作用を付与することができる。
エポキシ樹脂（Ｃ）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂等の臭素化型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアネートなどの複素環式エポキシ樹脂のほか、脂環式型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ビスフェノール型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、フラックス性を特に向上することができる。
【００２４】
前記エポキシ樹脂（Ｃ）は、特に限定されないが、常温で液状であることが好ましい。これにより、半導体素子や半導体パッケージを実装する際の、インターポーザやプリント配線板などの回路凹凸の埋め込み性を向上することができる。更に、インターポーザやプリント配線板の成形性を向上することができる。また、フィルムの柔軟性を向上することができ、それによって作業性を向上することができる。
なお、液状とは、常温で流動性を示すものをいう。前記エポキシ樹脂（Ｃ）の溶融粘度は、特に限定されないが、５００Ｐａ・ｓ以下が好ましく、特に１〜３００Ｐａ・ｓが好ましい。前記溶融粘度は、Ｅ型粘度計を用いて、温度２５℃、せん断速度０．５、１．０、２．５および５．０ｒｐｍの各条件で測定したものである。前記溶融粘度は、前記各条件の中で、最も低い回転数で測定可能であった値を用いるものとする。
【００２５】
前記エポキシ樹脂（Ｃ）の重量平均分子量は、特に限定されないが、２００〜６００が好ましく、特に２５０〜５００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であるとフィルムの表面にタックが発生する場合があり、前記上限値を超えると回路の凹凸埋め込み性を向上する効果が低下する場合がある。
【００２６】
前記エポキシ樹脂（Ｃ）の含有量は、特に限定されないが、接着フィルムを構成する樹脂全体の１０〜６０重量％であることが好ましく、特に２０〜４５重量％であることが好ましい。含有量が前記下限値未満であると接着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると回路の凹凸埋め込み性を向上する効果が低下する場合がある。
【００２７】
本発明の接着フィルムでは、特に限定されないが、更にフラックス助剤を含むことが好ましい。これにより、接着フィルムのフラックス機能をより向上させることができる。
前記フラックス助剤としては、例えばフェノール、アルキルフェノール、ビフェノール、ナフトール、ハイドロキノン、レゾルシノール、カテコール、メチリデンジフェノール、エチリデンジフェノール、イソプロピリデンジフェノール、ヒドロキシベンゾイックアシッド、ジヒドロキシベンゾイックアシッド、フェノールフタリン等が挙げられる。
【００２８】
前記フラックス助剤の含有量は、特に限定されないが、接着フィルムを構成する樹脂全体の０．５〜２０重量％が好ましく、特に１〜１０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとフラックス機能をより向上させる効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると吸湿耐熱性が低下する場合がある。
【００２９】
前記接着フィルムの軟化温度は、特に限定されないが、４０〜１５０℃が好ましく、特に５０〜１４０℃が好ましい。軟化温度が前記下限値未満であるとボイドが発生したり、しわが発生したりする場合があり、前記上限値を超えると半田接合時における樹脂の流動性が低下し、半田接続信頼性を向上する効果が低下する場合がある。軟化温度は、例えば粘弾性測定装置（ＤＭＡ、ＴＡインスツルメンツ製）を用いて５℃／分で測定することができる（弾性率の変曲点を軟化温度とした）。
【００３０】
前記接着フィルムの溶融粘度は、特に限定されないが、１〜５，０００ｍＰａ・ｓが好ましく、特に５〜４，０００ｍＰａ・ｓが好ましい。前記溶融粘度が前記下限値未満であるとボイドが発生したり、しわが発生したりする場合があり、前記上限値を超えると半田接合時における樹脂の流動性が低下し、半田接続信頼性を向上する効果が低下する場合がある。
なお、前記接着フィルムの溶融粘度は、例えば動的粘弾性装置を用いて、直径２５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍの円盤状の治具にフィルムを挟み、２４０℃、周波数１Ｈｚで測定することができる。
【００３１】
前記接着フィルムの厚さは、搭載する半導体素子や半導体パッケージのバンプ高さに応じて調整される。
そのため、前記接着フィルムの厚さは、特に限定されないが、３〜８０μｍが好ましく、特に５〜７５μｍが好ましい。これにより、従来のアンダーフィル等の方法では接着・封止が困難であった厚さの範囲内においても接着・封止を可能とすることができる。
【００３２】
次に本発明の接着フィルムを用いて、半導体素子とインターポーザとを接着する場合について説明する。
以下に半導体素子と、インターポーザとが接着している状態を図１に示す好適な実施の形態に基づいて詳細に説明する。図１は、半導体パッケージを概略的に示す断面図である。
半導体素子１には、半田バンプ２が接合されている。
接着フィルム３は、半導体素子１とインターポーザ４との間に設置される。なお、接着フィルム３は、あらかじめ半導体素子１またはインターポーザ４に設置されていても構わない。接着フィルム３をあらかじめ半導体素子１に設置する場合、例えば半導体素子１と接着フィルム３とを位置合わせし、ボンダーで接合することができる。また、接着フィルム３をあらかじめインターポーザ４に設置する場合、ラミネートロールを用いて接合することができる。
【００３３】
そして、半導体素子１、接着フィルム３およびインターポーザ４は、好ましくは加熱下で圧着され、半導体パッケージの形状となる。なお、ここで接着フィルム３は、軟化して半導体素子１とインターポーザ４との間を封止する。
次に、前記半導体パッケージ形状のものを半田リフローし、半田バンプ２をインターポーザ４のビア孔５に半田接続して最終的に図２に示す様な半導体パッケージ１１を得ることができる。
また、前記半導体パッケージ１１を更に１５０〜１８０℃、１〜２時間加熱処理することが好ましい。これにより、接着フィルムを完全に硬化することができる。
【００３４】
本発明の接着フィルムは、半田接合段階ではフラックス機能を発揮して金属表面の酸化物の除去等を行う。そして、半田接合後は、熱硬化して絶縁封止接着材として機能するため、電気絶縁性の低下やインターポーザの腐食等を生じない。
また、本発明の接着フィルムは、半田接合後に半導体素子とインターポーザとの間隙に充填されアンダーフィルとしての作用（半田接続の信頼性を向上）を有するものである。
また、本発明の接着フィルムは、フィルム状であるのでアンダーフィルで生じていた半導体素子への樹脂の付着が防止できるものである。
更に、本発明の接着フィルムは、フィルム状であるので半導体パッケージの製造に関する作業性に優れている。
【００３５】
次に、本発明の接着フィルムを用いて、半導体パッケージとプリント配線板とを接着する場合について説明する。
以下に半導体パッケージと、プリント配線板とが接着している状態を図３に示す好適な実施の形態に基づいて詳細に説明する。図３は、半導体装置を概略的に示す断面図である。
半導体パッケージ１１には、半田バンプ２が接合されている。
接着フィルム３は、半導体パッケージ１１とプリント配線板６との間に設置される。プリント配線板６は、多層構造で所望の回路６０が形成されている。接着フィルム３は、予め半導体パッケージ１１またはプリント配線板６に設置されていても構わない。接着フィルム３をあらかじめ半導体パッケージ５に設置する場合、例えば半導体パッケージ１１と接着フィルム３とを位置合わせし、ボンダーで接合することができる。また、接着フィルム３をあらかじめプリント配線板６に設置する場合、ラミネートロールを用いて接合することができる。
そして、半導体パッケージ１１、接着フィルム３およびプリント配線板６は、好ましくは加熱下で圧着され、半導体装置の形状となる。なお、ここで接着フィルム３は、軟化して半導体パッケージ１１とプリント配線板６との間を封止する。
【００３６】
次に、前記半導体装置形状のものを半田リフローし、半田バンプ２をプリント配線板に半田接続して最終的に図４に示す様な半導体装置１２を得ることができる。
また、前記半導体装置を更に１５０〜１８０℃、１〜２時間加熱処理することが好ましい。これにより、接着フィルムを完全に硬化することができる。
【００３７】
本発明の接着フィルムは、半田接合段階ではフラックス機能を発揮して金属表面の酸化物の除去等を行う。そして、半田接合後は、熱硬化して絶縁封止接着材として機能するため、電気絶縁性の低下やプリント配線の腐食等を生じない。
また、本発明の接着フィルムは、フィルム状であるのでアンダーフィルで生じていた半導体パッケージへの樹脂の付着が防止できるものである。
更に、本発明の接着フィルムは、フィルム状であるので半導体装置の製造に関する作業性に優れている。
【００３８】
【実施例】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３９】
接着フィルムの製造例
（実施例１）
成分（Ａ）の樹脂としてフェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ−ＨＦ−３、軟化点８５℃、重量平均分子量８５０）を２０重量％、成分（Ｂ）の樹脂としてビスフェノール型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＥＰ−４００７Ｐ、重量平均分子量約５，０００）を３０重量％、成分（Ｃ）の樹脂としてビスフェノール型エポキシ樹脂（大日本インキ化学社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８３０Ｓ、重量平均分子量約４００、溶融粘度３．５Ｐａ・ｓ）を４０重量％、フラックス助剤としてフェノールフタリンを９．９重量％、硬化触媒として２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成社製、２ＰＨＺ）を０．１重量％用いた。
上述の各樹脂および添加剤をメチルエチルケトンにレジンコンテント約６０％になるように溶解して樹脂ワニスを得た。樹脂ワニスをコンマコーターでＰＥＴフィルム上に最高温度１２０℃で塗布して、厚さ６０μｍ（半導体パッケージ用接着フィルム）、１５０μｍ（半導体装置用接着フィルム）の接着フィルムを得た。
【００４０】
（実施例２）
成分（Ａ）の樹脂としてフェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ−５３１９４、軟化点９２℃、重量平均分子量１，４００）を用いた以外は、実施例１と同様にした。
【００４１】
（実施例３）
樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
成分（Ａ）の樹脂としてフェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ−ＨＦ−３、軟化点８５℃）を４０重量％、成分（Ｂ）の樹脂としてビスフェノール型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＥＰ−４００７Ｐ、重量平均分子量約５，０００）を２５重量％、成分（Ｃ）の樹脂としてビスフェノール型エポキシ樹脂（大日本インキ化学社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８３０Ｓ、重量平均分子量約４００、溶融粘度３．５Ｐａ・ｓ）を２５重量％、フラックス助剤としてフェノールフタリンを９．９重量％、硬化触媒として２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成社製、２ＰＨＺ）を０．１重量％用いた。
【００４２】
（実施例４）
樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
成分（Ａ）の樹脂としてフェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ−ＨＦ−３、軟化点８５℃）を１５重量％、成分（Ｂ）の樹脂としてビスフェノール型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＥＰ−４００７Ｐ、重量平均分子量約５，０００）を３２重量％、成分（Ｃ）の樹脂としてビスフェノール型エポキシ樹脂（大日本インキ化学社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８３０Ｓ、重量平均分子量約４００、溶融粘度３．５Ｐａ・ｓ）を４３重量％、フラックス助剤としてフェノールフタリンを９．９重量％、硬化触媒として２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成社製、２ＰＨＺ）を０．１重量％用いた。
【００４３】
（実施例５）
成分（Ｂ）の樹脂としてフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＹＬ−６７４６、重量平均分子量約３０，０００）を用いた以外は、実施例１と同様にした。
【００４４】
（実施例６）
成分（Ｂ）の樹脂としてビスフェノール型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＥＰ−４００４Ｐ、重量平均分子量約１，５００）を用いた以外は、実施例１と同様にした。
【００４５】
（実施例７）
フラックス助剤を用いずに樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
成分（Ａ）の樹脂としてフェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ−ＨＦ−３、軟化点８５℃）を２５．９重量％、成分（Ｂ）の樹脂としてビスフェノール型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＥＰ−４００７Ｐ、重量平均分子量約５，０００）を３４重量％、成分（Ｃ）の樹脂としてビスフェノール型エポキシ樹脂（大日本インキ化学社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８３０Ｓ、重量平均分子量約４００、溶融粘度３．５Ｐａ・ｓ）を４０重量％、硬化触媒として２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成社製、２ＰＨＺ）を０．１重量％用いた。
【００４６】
（比較例１）
成分（Ａ）の樹脂とフラックス助剤を用いずに、成分（Ｂ）の樹脂を４５重量％、成分（Ｃ）の樹脂を５３重量％、硬化触媒を２重量％とした以外は、実施例１と同様にした。
【００４７】
（比較例２）
成分（Ａ）のフェノールノボラック樹脂として、軟化温度が１００℃を超えるもの（住友ベークライト社製、ＰＲ−５３１９５、軟化温度１１０℃、重量平均分子量３，０００）を用いた以外は、実施例１と同様にした。
【００４８】
（比較例３）
成分（Ｂ）の樹脂を用いずに、成分（Ｃ）の樹脂を７０重量％とした以外は、実施例１と同様にした。
【００４９】
（比較例４）
成分（Ｃ）の樹脂を用いずに、成分（Ｂ）の樹脂を７０重量％とした以外は、実施例１と同様にした。
【００５０】
実施例１〜７および比較例１〜３について、下記▲１▼〜▲４▼の評価を行った。各評価については、厚さ６０μｍの接着フィルムを用いて以下の方法で行った。得られた結果を樹脂組成とともに表１に示す。
▲１▼濡れ広がり率
濡れ広がり率は、半田ボール径Ｈと濡れ広がった半田の高さＤを測定し、（Ｈ−Ｄ）／Ｈで計算される値を求めた。値が大きいほどフラックス機能に優れることを表す。なお、銅板上に接着フィルム（サイズ）を設置し、２４０℃、３０秒間放置した後に測定した。比較例１における濡れずとは、半田が広がらなかったことを示す。
【００５１】
▲２▼軟化温度
軟化温度は、（ＤＭＡ、ＴＡインスツルメンツ製）を用いて５℃／分で測定した。軟化温度は、弾性率の変曲点とした。
【００５２】
▲３▼タックの有無
タックの有無は、接着フィルムを指触で評価した。各記号は、以下の通りである。
◎：タック無し。
○：タック少しあるが実用可能である。
△：タック少しあり実用不可能である。
×：タック有り。
【００５３】
▲４▼絶縁抵抗
半田メッキが施された導体間隔５０μｍのくし形パターンを有する、絶縁信頼性試験用プリント配線板を使用し、このプリント配線板に接着フィルムを設置した。
ピーク温度２４０℃に設定されたリフロー炉に上述のプリント配線板を通した後、１８０℃で６０分熱処理して接着フィルムを硬化させ、試験用プリント配線板として、絶縁抵抗を測定した（処理前）。
次に、上述のプリント配線板を８５℃／８５％の雰囲気中で、直流電圧５０Ｖを印加し、１０００時間経過後の絶縁抵抗を測定した（処理後）。測定時の印加電圧は１００Ｖで１分とした。
【００５４】
【表１】

【００５５】
表１から明らかなように実施例１〜７は、濡れ広がり率に優れており、フラックス機能が高いことが示された。
また、実施例１、２、４および７は、タックが無く作業性にも特に優れていた。
また、実施例１、２、４、６および７は、絶縁信頼性にも優れていた。
【００５６】
次に、半導体パッケージについての実施例および比較例を説明する。半導体パッケージの製造
（実施例１Ａ〜７Ａ、比較例１Ａ、２Ａおよび４Ａ）
接着フィルムとして実施例１〜７、比較例１、２および４で得られたものを各々用いて半導体パッケージを製造した。インターポーザへの半導体素子の実装は以下のように行った。
接着フィルムは、あらかじめインターポーザに５Ｔｏｒｒで真空ラミネートした。
マウントツールで半田バンプを有するフリップチップタイプの半導体素子を吸着して移送し、半導体素子と８０℃に予熱したインターポーザ（接着フィルムを設置した）の位置合わせを行った。その後、半導体素子をインターポーザに搭載した。そして、最適温度で、３ｋｇ／ｃｍ^２、１０秒間熱圧着した。次に、最高温度２４０℃、２２０℃以上で３０秒間の設定リフロー炉を通した。その後、１８０℃、６０分間アフターキュアして、半導体パッケージを得た。
【００５７】
（比較例５Ａ）
フリップチップ（テンリュウテクニクス社製ＦＢＴ５００）にフラックス（九州松下電器株式会社製、ＭＳＰ５１１）を塗布し、インターポーザに搭載して半田接続した。フラックス洗浄後にキャピラリーフローのアンダーフィル（住友ベークライト社製ＣＲＰ−４１５２Ｓ）を流し込み、１８０℃で６０分間加熱して半導体パッケージを得た。
【００５８】
実施例１Ａ〜７Ａおよび比較例１Ａ、２Ａ、４Ａおよび５Ａについて、下記▲１▼〜▲４▼の評価を行った。各評価については、以下の方法で行った。得られた結果を表２に示す。
▲１▼ダイシェア強度
ダイシェア強度は、デイジ社製万能型ボンドテスターＰＣ２４００Ｔで測定した。
【００５９】
▲２▼導通抵抗
導通抵抗は、得られたサンプルの導通抵抗を四端子法により測定した。各記号は以下の通りである。
○：導通抵抗が１０ｍΩ以下である。
△：導通抵抗が１０ｍΩを超える場合である。
×：導通しない。
【００６０】
▲３▼作業性
作業性は、比較例４Ａの作業工数を基準（１０）として、評価した。また、半導体素子への樹脂の付着については、目視で評価した。各記号は以下の通りである。
◎：樹脂の付着全く無し。
○：樹脂が一部付着するが実用上使用可。
△：樹脂が一部付着し、実用上使用不可。
×：樹脂が付着し、使用不可。
【００６１】
▲４▼ＴＣ（温度サイクル）試験
３００個のバンプを介して半導体素子とインターポーザを接続するデイジーチェーン型の評価用半導体パッケージを１０個作製した。
上述の評価用半導体パッケージの導通を確認後、−５０℃で１０分、１２５℃で１０分を１サイクルとする温度サイクル（ＴＣ）試験を実施した。ＴＣ試験１０００サイクル後の断線不良個数を評価した。
【００６２】
【表２】

【００６３】
表２から明らかなように実施例１Ａ〜７Ａは、高いダイシェア強度を有しており、パッケージ信頼性に優れることが示された。
また、実施例１Ａ〜７Ａは、絶縁信頼性にも優れていた。
更に、実施例１Ａ〜７Ａは、高いダイシェア強度を有した状態で、作業工数が低減されているものであった。
【００６４】
次に、半導体パッケージ実装基板についての実施例および比較例を説明する。半導体パッケージ実装基板の製造
（実施例１Ｂ〜７Ｂ）
接着フィルムとして実施例１〜７で各々得られたものを、半導体パッケージとして実施例１Ａ〜７Ａで各々得られたものを用いて半導体装置を製造した。プリント配線板への半導体パッケージの実装は、以下のように行った。
接着フィルムは、あらかじめプリント配線板に５Ｔｏｒｒで真空ラミネートした。
実装の方法は、接着フィルム付きプリント配線板に、実施例１Ａ〜７Ａの半導体パッケージを搭載して、ピーク温度２４０℃に設定されたリフロー炉を通した後、１６０℃で６０分熱処理して接着フィルムを硬化させ、半導体パッケージ実装基板を作製した。
【００６５】
（比較例５Ｂ）
プリント配線板に前記市販のフラックスを塗布し、比較例５Ａの半導体パッケージを搭載して、ピーク温度２４０℃に設定されたリフロー炉を通した。リフロー半田接合後、イソプロピルアルコールで洗浄して使用し、さらに、前記アンダーフィルを充填した。
【００６６】
実施例１Ｂ〜７Ｂおよび比較例５Ｂについて、作業性の評価を行った。作業性は、比較例５Ｂの作業工数を基準（１０）として評価した。得られた結果を表３に示す。
【００６７】
【表３】

【００６８】
表３から明らかなように、実施例１Ｂ〜７Ｂは、作業性に優れていた。
また、実施例１Ｂ〜７Ｂは、前記温度サイクル試験の不良品個数が実質０であった。
【００６９】
【発明の効果】
本発明によれば、特に優れたフラックス機能を有し、かつ接着時の作業性を向上することができる接着フィルムおよびそれを用いた半導体パッケージおよび半導体装置を得ることができる。
また、接着フィルムに特定の樹脂を使用する場合、特に半田接続信頼性に優れる半導体パッケージおよび半導体装置を得ることができる。
また、本発明によれば、製造が容易、かつ歩留まりの少ない半導体パッケージおよび半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の接着フィルムを半導体パッケージに使用する際の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の半導体パッケージの一例を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の接着フィルムを半導体装置に使用する際の一例を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１半導体素子
２半田バンプ
３接着フィルム
４インターポーザ
５ビア孔
６プリント配線板
６０回路
１１半導体パッケージ
１２半導体装置（半導体パッケージ実装基板）[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an adhesive film, a semiconductor package or a semiconductor device using the adhesive film.
[0002]
[Prior art]
With the demand for higher functionality of electronic devices, semiconductor packages used in these electronic devices are becoming smaller and more pins than ever before.
In recent years, as a method for mounting a semiconductor element on a printed wiring board, a new area mounting type package method such as BGA (Ball Grid Array) or CSP (Chip Scale Package) has been proposed.
[0003]
For mounting a semiconductor package on a BGA or CSP type printed wiring board, solder bonding using bumps formed of solder balls is employed.
Also, solder bonding is often used for the electrical connection method between the electrode of the semiconductor element and the terminal of the semiconductor mounting substrate in the manufacturing process of the BGA or CSP.
[0004]
In general, in the case of solder joint, a soldering flux is used to remove oxides attached to the metal surface of the electrode facing the solder surface or to prevent reoxidation on the metal surface during solder joint. The
However, if the flux remains after soldering, problems such as deterioration of electrical insulation and corrosion of printed wiring occur at high temperatures and high humidity.
Therefore, currently, after soldering, the remaining flux is cleaned and removed. However, there are disadvantages such as environmental problems related to the disposal of the cleaning agent and cost increase due to the addition of a cleaning process.
[0005]
Further, miniaturization of the semiconductor package and the increase in the number of pins require finer bumps, but on the other hand, there is a concern that the bonding strength and connection reliability may be reduced. Therefore, in order to obtain the reliability of the bump connection part, the gap between the semiconductor element and the semiconductor element mounting substrate or the semiconductor package and the printed wiring board is filled with an insulating resin called underfill to seal the bump connection part. Reinforcement has been studied. However, since a process of filling and curing the underfill is required, there is a problem that the manufacturing process becomes complicated and the manufacturing cost increases (see Patent Document 1).
[0006]
Development of non-flow underfill that eliminates the need to remove residual flux after soldering and eliminates the need to pour resin into the gap between the semiconductor element and the substrate for mounting the semiconductor element as a means of solving the problems of flux and underfill technology Has also been considered. The non-flow underfill is different from the underfill in that a flux component that does not need to be removed is contained in the resin, the flux is not required, and it is supplied to a semiconductor element mounting substrate or the like in advance.
[0007]
In the method using non-flow underfill, a necessary amount of non-flow underfill resin is supplied in advance by a dispenser or the like onto a semiconductor element mounting substrate or a printed wiring board. After the mounted components are aligned and mounted, a reflow process is performed so that solder bonding is performed and at the same time the gap between the semiconductor element and the substrate for mounting the semiconductor element is sealed. However, the method using non-flow underfill may cause non-flow underfill resin to adhere to the back surface when mounting thin semiconductor elements or semiconductor packages due to its properties and supply method. It was.
This adhesion to the non-flow underfill resin on the back surface is a problem when attaching heat sinks or stacking semiconductor elements (multichip packages with stacked semiconductor elements for the purpose of reducing the mounting area). Was the cause.
[0008]
[Patent Literature]
JP 2002-29383A
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
The objective of this invention is providing the adhesive film which has a flux function, and the workability | operativity at the time of adhesion | attachment, and a semiconductor package and semiconductor device using the same are provided.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
Such purposes are as follows (1) to (5This is achieved by the described invention.
Adhesive film.
(1) A phenol novolac resin (A), a film-forming resin (B), and a film-forming resin, which are adhesive films used for mounting a semiconductor element or a semiconductor package and have a softening point of 100 ° C. or less. An epoxy resin (C) having a lower weight average molecular weight thanA flux auxiliary agent, wherein the flux auxiliary agent is phenol, alkylphenol, biphenol, naphthol, hydroquinone, resorcinol, catechol, methylidene diphenol, ethylidene diphenol, isopropylidene diphenol, hydroxybenzoic acid, dihydroxybenzoic acid , At least selected from the group consisting of phenolphthalene 1 Is a seedAn adhesive film characterized by that.
(23. The contact according to claim 1, wherein the film-forming resin (B) has a weight average molecular weight of 1,000 or more.
(3) Softening temperature is 40-150 ° C (1)Or (2)The adhesive film as described in 2.
(4A semiconductor element and an interposer3The semiconductor package is mounted with the adhesive film according to any one of the above.
(5) The semiconductor package and printed wiring board are (1) to (4The semiconductor device is mounted with the adhesive film according to any one of the above.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the adhesive film of the present invention and the semiconductor package or semiconductor device using the adhesive film will be described.
The adhesive film of the present invention is an adhesive film used when mounting a semiconductor element or a semiconductor device, and a phenol novolac resin (A) having a softening point of 100 ° C. or less, a film-forming resin (B), An epoxy resin (C) having a weight average molecular weight lower than that of the film-forming resin is included as an essential component.
[0012]
The semiconductor package of the present invention is characterized in that a semiconductor element and an interposer (semiconductor element mounting substrate) are mounted with the above-described adhesive film.
[0013]
In addition, a semiconductor device (a substrate on which a semiconductor package is mounted) of the present invention is characterized in that the semiconductor package and the printed wiring board are mounted with the above-described adhesive film.
[0014]
The adhesive film of the present invention is used for mounting a semiconductor element or a semiconductor package. Thereby, it is possible to prevent the resin from adhering to a semiconductor element or the like, which has been a problem with the conventional non-flow underfill resin. Moreover, since it can install in a semiconductor element etc. in a film state, workability | operativity can be improved.
When mounting the said semiconductor element, the case where a semiconductor element is mounted in an interposer etc. is mentioned, for example.
Moreover, when mounting the said semiconductor package, the case where a semiconductor package is mounted in a printed wiring board etc. is mentioned, for example. In such a case, the adhesive film of the present invention can be used.
The adhesive film of the present invention acts as a flux during solder bonding, and at the same time functions to bond and seal the bonding surfaces of a semiconductor element and an interposer, a semiconductor package and a printed wiring board, and the like.
[0015]
The adhesive film of this invention contains the phenol novolak resin whose softening point is 100 degrees C or less. As a result, dirt such as solder and oxide on the metal surface can be removed, and it can act as a solder bonding flux. The reason is that since the phenolic hydroxyl group has a reducing action, oxides and the like attached to the solder surface and the metal surface of the facing electrode can be removed.
Furthermore, the phenol novolac resin that has acted as a flux can eliminate the removal of the residual flux. The reason is that the phenol novolac resin undergoes a curing reaction with the epoxy resin (C) in the heating process after the solder bonding, so that no volatile matter or the like is generated. If the removal of the residual flux can be made unnecessary, a cleaning step after solder joining can be made unnecessary, and electrical insulation can be maintained even in a high temperature and high humidity atmosphere, and solder joining with high joining strength and reliability becomes possible.
[0016]
The phenol novolac resin (A) has a softening point of 100 ° C. or lower, and preferably has a softening point of 40 to 95 ° C. If the softening point of the phenol novolac resin (A) is less than the lower limit value, voids may be generated. If the softening point exceeds the upper limit value, the fluidity of the resin at the time of soldering decreases and the solder connection reliability is reduced. The improvement effect may be reduced.
The softening point can be measured according to, for example, JIS K6910.
[0017]
Examples of the phenol compound constituting the phenol novolac resin include phenol, cresol, bisphenol and the like.
Moreover, it is possible to shorten soldering time by using polyfunctional phenol novolak resin. Among these, phenol novolak resins composed of phenol (unmodified phenol novolac resins) are preferable. Thereby, especially film | membrane intensity | strength can be improved.
[0018]
Although the weight average molecular weight of the said phenol novolak resin (especially unmodified phenol novolak resin) is not specifically limited, It is preferable that it is 300-1,500. If the weight average molecular weight is less than the lower limit value, the phenol novolac resin volatilizes in solder reflow or the like, and the effect of improving the flux action may be reduced. On the other hand, if the weight average molecular weight exceeds the upper limit, the fluidity of the resin at the time of solder bonding is lowered, and the effect of improving the solder connection reliability may be lowered.
The said weight average molecular weight can be calculated | required by polystyrene conversion using GPC (gel permeation chromatography), for example.
[0019]
Although content of the said component phenol novolak resin is not specifically limited, 10 to 50 weight% of the whole resin which comprises an adhesive film is preferable, and 18 to 36 weight% is especially preferable. If the content is less than the lower limit, the effect of improving the action as a flux may be reduced, and if the content exceeds the upper limit, the effect of improving the adhesion / sealing strength and reliability may be reduced.
[0020]
The adhesive film of the present invention contains a film-forming resin (B). Thereby, the moldability to a film can be improved.
The film-forming resin (B) is a resin that contributes to improving the film-forming property on the film. For example, epoxy resins such as novolak type epoxy resins and bisphenol type epoxy resins, novolak type cyanate resins, and bisphenol type cyanate resins. Thermosetting resins such as cyanate resins such as phenoxy resins, polyvinyl butyral resins, polyimide resins, polyetherimide resins, polyphenylene oxide resins, and polyethersulfone resins. Among these, bisphenol-type epoxy resins (particularly long-chain bisphenol-type epoxy resins) are preferable. Thereby, the adhesion / sealing property between the semiconductor element and the interposer or the like can be further improved. By including such a film-forming resin, the film can be easily formed.
[0021]
The weight average molecular weight of the film-forming resin (B) is not particularly limited, but is preferably 1,000 or more, and particularly preferably 2,000 to 10,000. If the weight average molecular weight is less than the lower limit, the film formability may be reduced due to the occurrence of voids, etc., and if the upper limit is exceeded, the fluidity of the resin at the time of solder bonding is reduced, and the reliability of the solder joint connection There is a case where the effect of improving is reduced.
The said weight average molecular weight can be calculated | required by polystyrene conversion using GPC (gel permeation chromatography), for example.
[0022]
Although content of the said resin for film forming (B) is not specifically limited, 10 to 60 weight% of the whole resin which comprises an adhesive film is preferable, and 25 to 45 weight% is especially preferable. If the content is less than the lower limit, the film forming property may be reduced due to the occurrence of voids, etc.If the content exceeds the upper limit, the fluidity of the resin at the time of solder bonding is lowered, and the reliability of the solder joint connection is reduced. The improvement effect may be reduced.
[0023]
The adhesive film of the present invention contains an epoxy resin (C) having a weight average molecular weight lower than that of the film-forming resin. The epoxy resin (C) can impart adhesiveness to the adhesive film of the present invention by having a weight average molecular weight lower than that of the film-forming resin (B). Furthermore, the effect | action as an underfill can be provided to an adhesive film.
Examples of the epoxy resin (C) include bisphenol type epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resins and bisphenol F type epoxy resins, novolac type epoxy resins such as phenol novolac type epoxy resins and cresol novolak type epoxy resins, and brominated bisphenol A. Type epoxy resin, brominated epoxy resin such as brominated phenol novolac type epoxy resin, heterocyclic epoxy resin such as triglycidyl isocyanate, alicyclic type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl Examples include ester type epoxy resins. Among these, bisphenol type epoxy resins are preferable. Thereby, especially flux property can be improved.
[0024]
The epoxy resin (C) is not particularly limited, but is preferably liquid at normal temperature. Thereby, the embedding property of circuit irregularities such as an interposer and a printed wiring board when mounting a semiconductor element or a semiconductor package can be improved. Furthermore, the moldability of the interposer and the printed wiring board can be improved. Further, the flexibility of the film can be improved, thereby improving the workability.
In addition, a liquid state means what shows fluidity | liquidity at normal temperature. The melt viscosity of the epoxy resin (C) is not particularly limited, but is preferably 500 Pa · s or less, and particularly preferably 1 to 300 Pa · s. The melt viscosity is measured using an E-type viscometer under conditions of a temperature of 25 ° C., shear rates of 0.5, 1.0, 2.5, and 5.0 rpm. As the melt viscosity, a value that can be measured at the lowest rotational speed among the above conditions is used.
[0025]
Although the weight average molecular weight of the said epoxy resin (C) is not specifically limited, 200-600 are preferable and 250-500 are especially preferable. If the weight average molecular weight is less than the lower limit, tackiness may occur on the surface of the film. If the weight average molecular weight exceeds the upper limit, the effect of improving the unevenness embedding property of the circuit may be reduced.
[0026]
Although content of the said epoxy resin (C) is not specifically limited, It is preferable that it is 10 to 60 weight% of the whole resin which comprises an adhesive film, and it is preferable that it is especially 20 to 45 weight%. If the content is less than the lower limit, the effect of improving adhesiveness may be reduced, and if the content exceeds the upper limit, the effect of improving the unevenness embedding property of the circuit may be reduced.
[0027]
Although it does not specifically limit in the adhesive film of this invention, It is preferable that a flux adjuvant is further included. Thereby, the flux function of an adhesive film can be improved more.
Examples of the flux auxiliary agent include phenol, alkylphenol, biphenol, naphthol, hydroquinone, resorcinol, catechol, methylidene diphenol, ethylidene diphenol, isopropylidene diphenol, hydroxybenzoic acid, dihydroxybenzoic acid, and phenolphthaline. Is mentioned.
[0028]
Although content of the said flux adjuvant is not specifically limited, 0.5-20 weight% of the whole resin which comprises an adhesive film is preferable, and 1-10 weight% is especially preferable. If the content is less than the lower limit, the effect of further improving the flux function may be reduced, and if the content exceeds the upper limit, the moisture absorption heat resistance may be reduced.
[0029]
Although the softening temperature of the said adhesive film is not specifically limited, 40-150 degreeC is preferable and 50-140 degreeC is especially preferable. If the softening temperature is less than the lower limit value, voids or wrinkles may occur. If the softening temperature exceeds the upper limit value, the fluidity of the resin at the time of soldering decreases and the solder connection reliability is improved. Effect may be reduced. The softening temperature can be measured at, for example, 5 ° C./minute using a viscoelasticity measuring device (DMA, manufactured by TA Instruments) (the inflection point of the elastic modulus is defined as the softening temperature).
[0030]
The melt viscosity of the adhesive film is not particularly limited, but is preferably 1 to 5,000 mPa · s, and particularly preferably 5 to 4,000 mPa · s. If the melt viscosity is less than the lower limit, voids may be generated or wrinkles may occur.If the melt viscosity exceeds the upper limit, the fluidity of the resin at the time of soldering decreases, and the solder connection reliability is reduced. The improvement effect may be reduced.
The melt viscosity of the adhesive film can be measured at 240 ° C. and a frequency of 1 Hz by using a dynamic viscoelastic device, for example, by sandwiching the film in a disc-shaped jig having a diameter of 25 mm and a thickness of 0.8 mm. .
[0031]
The thickness of the adhesive film is adjusted according to the bump height of the semiconductor element or semiconductor package to be mounted.
Therefore, the thickness of the adhesive film is not particularly limited, but is preferably 3 to 80 μm, particularly preferably 5 to 75 μm. Thereby, adhesion / sealing can be achieved even within a thickness range in which adhesion / sealing is difficult by a conventional method such as underfill.
[0032]
Next, the case where a semiconductor element and an interposer are bonded using the adhesive film of the present invention will be described.
Hereinafter, a state where the semiconductor element and the interposer are bonded will be described in detail based on a preferred embodiment shown in FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a semiconductor package.
Solder bumps 2 are bonded to the semiconductor element 1.
The adhesive film 3 is installed between the semiconductor element 1 and the interposer 4. The adhesive film 3 may be installed in advance on the semiconductor element 1 or the interposer 4. When the adhesive film 3 is installed in the semiconductor element 1 in advance, for example, the semiconductor element 1 and the adhesive film 3 can be aligned and bonded with a bonder. Moreover, when installing the adhesive film 3 in the interposer 4 beforehand, it can join using a laminate roll.
[0033]
And the semiconductor element 1, the adhesive film 3, and the interposer 4 are preferably crimped | bonded under heating, and become a shape of a semiconductor package. Here, the adhesive film 3 softens and seals between the semiconductor element 1 and the interposer 4.
Next, the semiconductor package shape is reflowed with solder, and the solder bumps 2 are soldered to the via holes 5 of the interposer 4 to finally obtain the semiconductor package 11 as shown in FIG.
The semiconductor package 11 is preferably further heat-treated at 150 to 180 ° C. for 1 to 2 hours. Thereby, an adhesive film can be hardened | cured completely.
[0034]
The adhesive film of the present invention exhibits a flux function at the solder joint stage to remove oxide on the metal surface. And after soldering, since it hardens | cures and functions as an insulation sealing adhesive material, an electrical insulation fall, corrosion of an interposer, etc. do not arise.
In addition, the adhesive film of the present invention is filled in the gap between the semiconductor element and the interposer after soldering and has an action as an underfill (improves the reliability of solder connection).
Moreover, since the adhesive film of this invention is a film form, adhesion of the resin to the semiconductor element which had arisen by the underfill can be prevented.
Furthermore, since the adhesive film of this invention is a film form, it is excellent in the workability | operativity regarding manufacture of a semiconductor package.
[0035]
Next, the case where a semiconductor package and a printed wiring board are adhere | attached using the adhesive film of this invention is demonstrated.
Hereinafter, a state in which the semiconductor package and the printed wiring board are bonded will be described in detail based on a preferred embodiment shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the semiconductor device.
Solder bumps 2 are bonded to the semiconductor package 11.
The adhesive film 3 is installed between the semiconductor package 11 and the printed wiring board 6. A desired circuit 60 is formed on the printed wiring board 6 in a multilayer structure. The adhesive film 3 may be previously installed on the semiconductor package 11 or the printed wiring board 6. When the adhesive film 3 is installed in the semiconductor package 5 in advance, for example, the semiconductor package 11 and the adhesive film 3 can be aligned and bonded with a bonder. Moreover, when installing the adhesive film 3 in the printed wiring board 6 previously, it can join using a laminate roll.
And the semiconductor package 11, the adhesive film 3, and the printed wiring board 6 are preferably crimped | bonded under heating, and become a shape of a semiconductor device. Here, the adhesive film 3 softens and seals between the semiconductor package 11 and the printed wiring board 6.
[0036]
Next, the semiconductor device shape is reflowed by solder, and the solder bumps 2 are soldered to the printed wiring board to finally obtain the semiconductor device 12 as shown in FIG.
The semiconductor device is preferably further heat-treated at 150 to 180 ° C. for 1 to 2 hours. Thereby, an adhesive film can be hardened | cured completely.
[0037]
The adhesive film of the present invention exhibits a flux function at the solder joint stage to remove oxide on the metal surface. And after soldering, since it hardens | cures and functions as an insulation sealing adhesive material, an electrical insulation fall, corrosion of a printed wiring, etc. do not arise.
In addition, since the adhesive film of the present invention is in a film form, it can prevent the resin from adhering to the semiconductor package caused by underfill.
Furthermore, since the adhesive film of this invention is a film form, it is excellent in workability | operativity regarding manufacture of a semiconductor device.
[0038]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to this.
[0039]
Production example of adhesive film
Example 1
20% by weight of phenol novolac resin (manufactured by Sumitomo Bakelite, PR-HF-3, softening point 85 ° C., weight average molecular weight 850) as component (A) resin, and bisphenol type epoxy resin (Japan) as component (B) resin Epoxy resin, EP-4007P, weight average molecular weight of about 5,000 is 30% by weight, and component (C) is a bisphenol type epoxy resin (Dainippon Ink Chemical Co., EPICLON-830S, weight average molecular weight of about 400). , 40 wt% of melt viscosity 3.5 Pa · s), 9.9 wt% of phenolphthalin as a flux auxiliary agent, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole as a curing catalyst (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 2PHZ) 0.1% by weight was used.
Each resin and additives described above were dissolved in methyl ethyl ketone so that the resin content was about 60% to obtain a resin varnish. The resin varnish was applied on a PET film at a maximum temperature of 120 ° C. with a comma coater to obtain an adhesive film having a thickness of 60 μm (adhesive film for a semiconductor package) and 150 μm (adhesive film for a semiconductor device).
[0040]
(Example 2)
The same procedure as in Example 1 was performed except that a phenol novolac resin (manufactured by Sumitomo Bakelite, PR-53194, softening point 92 ° C., weight average molecular weight 1,400) was used as the resin of component (A).
[0041]
(Example 3)
The same procedure as in Example 1 was conducted except that the resin varnish was mixed as follows.
Phenol novolac resin (Sumitomo Bakelite Co., Ltd., PR-HF-3, softening point 85 ° C.) is 40% by weight as the component (A) resin, and bisphenol type epoxy resin (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.) EP-4007P, weight average molecular weight of about 5,000), 25% by weight, component (C) resin bisphenol type epoxy resin (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd., EPICLON-830S, weight average molecular weight of about 400, melt viscosity 5 Pa · s) is 25 wt%, phenol phthaline is 9.9 wt% as a flux aid, and 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 2PHZ) is 0.1 wt. %Using.
[0042]
Example 4
The same procedure as in Example 1 was conducted except that the resin varnish was mixed as follows.
15% by weight of phenol novolac resin (Sumitomo Bakelite, PR-HF-3, softening point 85 ° C.) as the component (A) resin, and bisphenol type epoxy resin (Japan Epoxy Resin Co., Ltd.) as the component (B) resin, EP-4007P, weight average molecular weight of about 5,000) is 32% by weight, and the resin of component (C) is a bisphenol type epoxy resin (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, EPICLON-830S, weight average molecular weight of about 400, melt viscosity 5 Pa · s) 43 wt%, phenol phthaline 9.9 wt% as flux aid, and 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 2 PHZ) 0.1 wt. %Using.
[0043]
(Example 5)
Example 1 was repeated except that a phenoxy resin (YL-6746, weight average molecular weight of about 30,000, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.) was used as the component (B) resin.
[0044]
(Example 6)
The same procedure as in Example 1 was conducted, except that a bisphenol type epoxy resin (manufactured by Japan Epoxy Resin, EP-4004P, weight average molecular weight of about 1,500) was used as the component (B) resin.
[0045]
(Example 7)
The same procedure as in Example 1 was conducted except that the resin varnish was blended as follows without using a flux aid.
25.9% by weight of phenol novolak resin (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd., PR-HF-3, softening point 85 ° C.) as component (A) resin, and bisphenol type epoxy resin (Japan Epoxy Resin Co., Ltd.) as component (B) resin Manufactured by EP-4007P, weight average molecular weight of about 5,000), 34% by weight of bisphenol type epoxy resin (Dainippon Ink Chemical Co., EPICLON-830S, weight average molecular weight of about 400, melt viscosity) 3.5 Pa · s) was used at 40% by weight, and 0.1% by weight of 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 2PHZ) was used as a curing catalyst.
[0046]
(Comparative Example 1)
Example except that component (A) resin and flux auxiliary were not used, but component (B) resin was 45% by weight, component (C) resin was 53% by weight, and curing catalyst was 2% by weight. Same as 1.
[0047]
(Comparative Example 2)
Example 1 except that the phenol novolac resin of component (A) has a softening temperature exceeding 100 ° C. (manufactured by Sumitomo Bakelite, PR-53195, softening temperature 110 ° C., weight average molecular weight 3,000). The same was done.
[0048]
(Comparative Example 3)
The same procedure as in Example 1 was performed except that the resin of the component (C) was changed to 70% by weight without using the resin of the component (B).
[0049]
(Comparative Example 4)
The same procedure as in Example 1 was performed except that the resin of the component (B) was changed to 70% by weight without using the resin of the component (C).
[0050]
For Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3, the following (1) to (4) were evaluated. About each evaluation, it performed with the following method using the 60-micrometer-thick adhesive film. The obtained results are shown in Table 1 together with the resin composition.
▲ 1 ▼ Wet spread rate
The wetting spread rate was determined by measuring the solder ball diameter H and the height D of the wet spread solder and calculating a value calculated by (HD) / H. The larger the value, the better the flux function. In addition, it measured after installing the adhesive film (size) on a copper plate and leaving it to stand at 240 degreeC for 30 second. The term “not wet” in Comparative Example 1 indicates that the solder did not spread.
[0051]
(2) Softening temperature
The softening temperature was measured at 5 ° C./min using (DMA, manufactured by TA Instruments). The softening temperature was the inflection point of the elastic modulus.
[0052]
(3) Presence or absence of tack
The presence or absence of tack was evaluated by touching the adhesive film. Each symbol is as follows.
A: No tack.
○: Although there is a little tack, it is practical.
Δ: A little tacky and impractical.
×: There is tack.
[0053]
(4) Insulation resistance
A printed wiring board for insulation reliability test having a comb-shaped pattern with a conductor interval of 50 μm plated with solder was used, and an adhesive film was placed on the printed wiring board.
After passing the above-mentioned printed wiring board through a reflow oven set at a peak temperature of 240 ° C., the adhesive film was cured by heat treatment at 180 ° C. for 60 minutes, and the insulation resistance was measured as a printed wiring board for testing (before treatment) ).
Next, a DC voltage of 50 V was applied to the above-mentioned printed wiring board in an atmosphere of 85 ° C./85%, and the insulation resistance after 1000 hours was measured (after treatment). The applied voltage during measurement was 100 V for 1 minute.
[0054]
[Table 1]

[0055]
As is clear from Table 1, Examples 1 to 7 were excellent in the wet spreading rate and were shown to have a high flux function.
Examples 1, 2, 4 and 7 were particularly excellent in workability without tack.
In addition, Examples 1, 2, 4, 6 and 7 were excellent in insulation reliability.
[0056]
Next, examples and comparative examples of the semiconductor package will be described. Semiconductor package manufacturing
(Examples 1A-7A, Comparative Examples 1A, 2A and 4A)
A semiconductor package was manufactured using the adhesive films obtained in Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1, 2, and 4, respectively. The semiconductor element was mounted on the interposer as follows.
The adhesive film was previously vacuum laminated to the interposer at 5 Torr.
A flip chip type semiconductor element having solder bumps was sucked and transferred by a mounting tool, and the semiconductor element and an interposer (adhesive film installed) preheated to 80 ° C. were aligned. Thereafter, the semiconductor element was mounted on the interposer. And at the optimum temperature, 3 kg / cm²Thermocompression bonding was performed for 10 seconds. Next, it passed through the setting reflow furnace for 30 seconds at the maximum temperature of 240 ° C. and 220 ° C. or more. Thereafter, after-curing at 180 ° C. for 60 minutes, a semiconductor package was obtained.
[0057]
(Comparative Example 5A)
Flux (manufactured by Kyushu Matsushita Electric Co., Ltd., MSP511) was applied to a flip chip (FBT500 manufactured by Tenryu Technics) and mounted on an interposer and soldered. After the flux cleaning, a capillary flow underfill (CRP-4152S manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) was poured and heated at 180 ° C. for 60 minutes to obtain a semiconductor package.
[0058]
For Examples 1A to 7A and Comparative Examples 1A, 2A, 4A and 5A, the following (1) to (4) were evaluated. Each evaluation was performed by the following method. The obtained results are shown in Table 2.
(1) Die shear strength
The die shear strength was measured with a universal bond tester PC2400T manufactured by Daisy.
[0059]
(2) Conduction resistance
For the conduction resistance, the conduction resistance of the obtained sample was measured by the four probe method. Each symbol is as follows.
○: The conduction resistance is 10 mΩ or less.
Δ: When the conduction resistance exceeds 10 mΩ.
×: Not conducting.
[0060]
(3) Workability
The workability was evaluated using the work man-hour of Comparative Example 4A as a reference (10). Further, the adhesion of the resin to the semiconductor element was visually evaluated. Each symbol is as follows.
A: No adhesion of resin.
○: Resin partially adheres, but can be used practically.
Δ: Resin partially adheres and cannot be used practically.
×: Resin adheres and cannot be used.
[0061]
(4) TC (temperature cycle) test
Ten daisy chain type evaluation semiconductor packages for connecting a semiconductor element and an interposer through 300 bumps were produced.
After confirming the continuity of the semiconductor package for evaluation described above, a temperature cycle (TC) test was performed in which one cycle was 10 minutes at −50 ° C. and 10 minutes at 125 ° C. The number of defective disconnections after 1000 cycles of the TC test was evaluated.
[0062]
[Table 2]

[0063]
As is clear from Table 2, Examples 1A to 7A have high die shear strength, and are excellent in package reliability.
Examples 1A to 7A were also excellent in insulation reliability.
Further, in Examples 1A to 7A, the work man-hours were reduced while having high die shear strength.
[0064]
Next, examples and comparative examples of the semiconductor package mounting substrate will be described. Manufacturing of semiconductor package mounting boards
(Examples 1B-7B)
A semiconductor device was manufactured using the adhesive film obtained in each of Examples 1 to 7 and the semiconductor package obtained in Examples 1A to 7A. The semiconductor package was mounted on the printed wiring board as follows.
The adhesive film was previously vacuum laminated to a printed wiring board at 5 Torr.
The mounting method is that the semiconductor packages of Examples 1A to 7A are mounted on a printed wiring board with an adhesive film, passed through a reflow furnace set at a peak temperature of 240 ° C., and then heat-treated at 160 ° C. for 60 minutes for bonding. The film was cured to produce a semiconductor package mounting substrate.
[0065]
(Comparative Example 5B)
The commercially available flux was applied to the printed wiring board, the semiconductor package of Comparative Example 5A was mounted, and passed through a reflow furnace set at a peak temperature of 240 ° C. After reflow soldering, it was used after being washed with isopropyl alcohol, and further filled with the underfill.
[0066]
Workability was evaluated about Examples 1B-7B and Comparative Example 5B. The workability was evaluated using the work man-hour of Comparative Example 5B as a reference (10). The obtained results are shown in Table 3.
[0067]
[Table 3]

[0068]
As is apparent from Table 3, Examples 1B to 7B were excellent in workability.
In Examples 1B to 7B, the number of defective products in the temperature cycle test was substantially zero.
[0069]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to obtain an adhesive film that has a particularly excellent flux function and can improve workability during bonding, and a semiconductor package and a semiconductor device using the adhesive film.
Moreover, when using specific resin for an adhesive film, the semiconductor package and semiconductor device which are especially excellent in solder connection reliability can be obtained.
Furthermore, according to the present invention, it is possible to provide a semiconductor package and a method for manufacturing a semiconductor device that are easy to manufacture and have a low yield.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example when the adhesive film of the present invention is used in a semiconductor package.
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an example of a semiconductor package of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example when the adhesive film of the present invention is used in a semiconductor device.
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing an example of a semiconductor device of the present invention.
[Explanation of symbols]
1 Semiconductor device
2 Solder bump
3 Adhesive film
4 Interposer
5 Via hole
6 Printed wiring board
60 circuits
11 Semiconductor package
12 Semiconductor device (Semiconductor package mounting board)

Claims

An adhesive film used for mounting a semiconductor element or a semiconductor package, which is a phenol novolac resin (A) having a softening point of 100 ° C. or less, a film-forming resin (B), and a weight more than the film-forming resin. An epoxy resin (C) having a low average molecular weight and a flux auxiliary agent, wherein the flux auxiliary agent is phenol, alkylphenol, biphenol, naphthol, hydroquinone, resorcinol, catechol, methylidene diphenol, ethylidene diphenol, isopropylidene diene phenol, adhesive film, which is a hydroxy benzoic acid, dihydroxy benzoic acid, at least one selected from the group consisting of phenolphthalein.

The adhesive film according to claim 1 , wherein the film-forming resin (B) has a weight average molecular weight of 1,000 or more.

The adhesive film according to claim 1 or 2 , wherein the softening temperature is 40 to 150 ° C.

The semiconductor package, characterized in that the semiconductor element and the interposer is mounted with an adhesive film according to any of claims 1 to 3.

The semiconductor device characterized by the semiconductor package and the printed wiring board is mounted with an adhesive film according to any one of claims 1 to 4.