JP2003140979A - Recording method to eeprom - Google Patents

Recording method to eeprom

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JP2003140979A
JP2003140979A JP2001342878A JP2001342878A JP2003140979A JP 2003140979 A JP2003140979 A JP 2003140979A JP 2001342878 A JP2001342878 A JP 2001342878A JP 2001342878 A JP2001342878 A JP 2001342878A JP 2003140979 A JP2003140979 A JP 2003140979A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a recording method to EEPROM, capable of writing without exceeding a write frequency limit of the EEPROM, and effectively using up the physical memory space of the EEPROM. SOLUTION: In this recording method to the EEPROM, the maximum write frequency for writing to the conventional memory is fixed as Nmax. The physical memory space of the EEPROM is previously divided in each area as a unit for simultaneous writing. The write frequency information for specifying the write frequency N to the area in writing in the memory in the area is simultaneously written in a memory with a first specified address in the area, whereby writing is performed to a memory in the other area keeping away from the area whose write frequency N obtained from the write frequency information of the first specified address in writing is Nmax or more.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、EEPROMへの
記録方法に係る。特に書き込み回数に仕様上の回数の制
限があるというEEPROMの性質を考慮した点に特徴
の有るEEPROMへの記録方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an EEPROM recording method. In particular, the present invention relates to an EEPROM recording method, which is characterized in that the property of the EEPROM that the number of times of writing is limited by the specifications is taken into consideration.

【0002】[0002]

【従来の技術】EEPROM(Erectrically Erazable
and Programmable Read Only Memory)は電気的に消去
と書き込みが可能な読み取り専用記憶素子である。特別
な消去装置が不要であり、システムに組み込んだまま消
去、再書き込みができる。プログラムの格納の他に、シ
ステムのBIOSやブートストラップコードを格納する
だけでなく、ユーザーの環境ごとに異なるような設定項
目のデータを格納するためにも用いられる。
2. Description of the Related Art EEPROM (Erectrically Erazable)
and Programmable Read Only Memory) is a read-only memory element that can be electrically erased and written. No special erasing device is required, and erasing and rewriting can be done with the system installed. In addition to storing programs, it is used not only to store system BIOS and bootstrap code, but also to store data of setting items that differ for each user environment.

【0003】さらに、軽量小型であり、ハードディスク
の様な機構部分を持たず振動に強い特性を生かして、運
動する装置であって特に軽量小型を要求される航空機等
のデータ格納にも用いられる。その記録方法として以下
の方法が有る。 (1)通常のメモリ(RAM)と同様に、EEPROM
の物理的メモリ空間に各変数を割り当てて、データを格
納する。 (2)EEPROMの物理的メモリ空間を複数の記憶領
域に分け、ヘッダー情報に基づき記憶領域を選択し、デ
ータを格納する。
Furthermore, it is lightweight and compact, and it is a device that exercises by utilizing the characteristics that are strong against vibration without having a mechanical part such as a hard disk, and is also used for data storage of an aircraft or the like which is particularly required to be lightweight and compact. The following methods are available as the recording method. (1) EEPROM as well as ordinary memory (RAM)
Each variable is allocated to the physical memory space of and the data is stored. (2) The physical memory space of the EEPROM is divided into a plurality of storage areas, the storage area is selected based on the header information, and the data is stored.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上述のEEPROMへ
の記録方法の場合、(1)では、EEPROMの物理的
メモリ空間の一部領域しか利用できない。(2)では、
EEPROMの物理的メモリ空間の全領域を利用するこ
とができるが、EEPROMの書き込み回数の仕様上の
制限回数まであとどのくらいの余裕があるかが分から
ず、書き込み制限回数を超えて書き込んだ結果、データ
を失う恐れが有る。
In the case of the above-mentioned EEPROM recording method, in (1), only a partial area of the physical memory space of the EEPROM can be used. In (2),
Although it is possible to use the entire area of the physical memory space of the EEPROM, it is not possible to know how much space is left until the number of times the EEPROM is written is limited by the specifications. There is a risk of losing

【0005】本発明は以上に述べた問題点に鑑み案出さ
れたもので、従来のEEPROMへの記録方法にかわっ
て、EEPROMの書き込み回数制限を越えることなく
書き込みを行い、EEPROMの物理的メモリ空間を有
効に使いきることの出来るEEPROMへの記録方法を
提供しようとする。
The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems. Instead of the conventional EEPROM recording method, writing is performed without exceeding the EEPROM write count limit, and the physical memory of the EEPROM is written. An attempt is made to provide a recording method to the EEPROM that can use up the space effectively.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るメモリへの書き込みをする最大書き込
み回数をNmaxと定めたEEPROMへの記録方法
は、EEPROMの物理メモリ空間を書き込みが同時に
行える単位である複数のエリアに予め区分し、前記エリ
ア内のメモリに書き込みを行った際に該エリアへの書き
込み回数Nを特定する書き込み回数情報を該エリア内の
第一の特定番地のメモリに同時に書き込み、前記エリア
内のメモリに書き込みを行う際に該エリア内の前記第一
の特定番地の前記書き込み回数情報から得られる前記書
き込み回数NがNmax以上である場合には未だ書き込
みが行われていない他の前記エリア内のメモリに書き込
みをするものとした。
In order to achieve the above object, the EEPROM recording method according to the present invention, in which the maximum number of times of writing to the memory is defined as Nmax, is a method of simultaneously writing in the physical memory space of the EEPROM. The number of times of writing, which is divided into a plurality of areas which are units that can be performed in advance, and which specifies the number of times N of writing in the memory in the area is written in the memory of the first specific address in the area. When writing simultaneously and writing to the memory in the area, if the number N of writings obtained from the number-of-writings information of the first specific address in the area is Nmax or more, the writing is still performed. It is assumed that data is written in the memory in the other area which is not present.

【0007】上記本発明の構成により、Nmaxがメモ
リへの書き込みをする最大書き込み回数であり、エリア
がEEPROMの物理メモリ空間に書き込みが同時に行
える単位であり、前記エリア内のメモリに書き込みを行
った際に該エリアへの書き込み回数Nを特定する書き込
み回数情報を該エリア内の第一の特定番地のメモリに同
時に書き込み、前記エリア内のメモリに書き込みを行う
際に該書き込み回数NがNmax以上となった前記エリ
アを避けて他の前記エリア内のメモリに書き込みをする
ので、書き込み回数NがNmaxを越えてエリア内のメ
モリに書き込みをすることがなく、書き込み回数NがN
maxを越えてない他のエリアのメモリに次々に書き込
みをすることが出来る。
According to the above-mentioned configuration of the present invention, Nmax is the maximum number of times of writing to the memory, the area is a unit in which writing can be simultaneously performed in the physical memory space of the EEPROM, and writing is performed in the memory in the area. At the same time, the write count information for specifying the write count N in the area is simultaneously written in the memory of the first specific address in the area, and the write count N is Nmax or more when writing in the memory in the area. Since the data is written in the memory in the other area while avoiding the above-mentioned area, the number of writing N does not exceed Nmax and the data in the memory in the area is not written.
It is possible to write to the memories in other areas that do not exceed max one after another.

【0008】さらに、本発明に係るEEPROMへの記
録方法は、前記エリアのメモリ空間と同一又は小さいメ
モリ空間を有する仮想メモリ空間であるページを定義
し、各々の前記ページには前記エリアが割り付けられて
おり、前記ページへのデータの書き込みが発生した際に
前記ページに割り付けられた前記エリア内のメモリに書
き込みを行うものとした。上記本発明の構成により、ペ
ージが前記エリアのメモリ空間と同一又は小さいメモリ
空間を有する仮想メモリ空間であり、前記エリアが各々
の前記ページに割り付けられており、前記ページへのデ
ータの書き込みが発生した際に前記ページに割り付けら
れた前記エリア内のメモリに書き込みを行うので、ペー
ジに割り付けられた一つのエリアの物理メモリ空間また
は複数のエリアの内の最新のエリアの物理メモリ空間へ
データを書き込むことで、そのページへの書き込みが発
生したデータを保存することが出来る。
Further, the recording method in the EEPROM according to the present invention defines a page which is a virtual memory space having a memory space which is the same as or smaller than the memory space of the area, and the area is allocated to each of the pages. Therefore, when the writing of the data to the page occurs, the writing is performed to the memory in the area allocated to the page. According to the configuration of the present invention described above, the page is a virtual memory space having the same or smaller memory space as the memory space of the area, the area is allocated to each of the pages, and writing of data to the page occurs. At this time, since data is written to the memory in the area allocated to the page, data is written to the physical memory space of one area allocated to the page or the physical memory space of the latest area of the plurality of areas. By doing so, the data that has been written to the page can be saved.

【0009】また、本発明に係るEEPROMへの記録
方法は、一つのページが該ページへのデータを書き込ん
だ最新のエリアと一対一に関連づけられている管理テー
ブルを用意し、前記ページへのデータの書き込みが発生
した際に前記管理テーブルを参照して該ページに関連づ
けられた前記エリア内のメモリに書き込みを行うものと
した。上記本発明の構成により、管理テーブルが一つの
ページが該ページへのデータを書き込んだ最新のエリア
と一対一に関連づけられ、前記ページへのデータの書き
込みが発生した際に前記管理テーブルを参照して該ペー
ジに関連づけられた前記エリア内のメモリに書き込みを
行うので、管理テーブルを参照してページに関連づけら
れた最新のエリアを即座に見つけて、そのエリアにデー
タを書き込むことができる。
The EEPROM recording method according to the present invention prepares a management table in which one page is associated with the latest area in which data is written in the page in a one-to-one correspondence, and the data in the page is recorded. When the above writing occurs, the management table is referred to and the writing in the memory in the area associated with the page is performed. According to the configuration of the present invention, one page is associated with the management table in a one-to-one correspondence with the latest area in which data is written to the page, and the management table is referred to when data writing to the page occurs. Since the data is written in the memory in the area associated with the page, the latest area associated with the page can be immediately found by referring to the management table and the data can be written in the area.

【0010】さらに、本発明に係るEEPROMへの記
録方法は、前記エリアの第二の特定番地に該エリアが割
り付けられたページを識別するページ識別コードを書き
込むものとした。上記本発明の構成により、前記エリア
の第二の特定番地に該エリアが割り付けられたページを
識別するページ識別コードを書き込まれているので、そ
のページ識別コードと第一の特定番地から得られる書き
込み回数Nからページに関連づけられた最新のエリアを
見つけて、そのエリアにデータを書き込むことができ
る。
Further, in the recording method in the EEPROM according to the present invention, the page identification code for identifying the page to which the area is allocated is written in the second specific address of the area. With the above-mentioned configuration of the present invention, since the page identification code for identifying the page to which the area is assigned is written in the second specific address of the area, the writing obtained from the page identification code and the first specific address From the number of times N, the latest area associated with the page can be found and data can be written to that area.

【0011】さらに、本発明に係るEEPROMへの記
録方法は、前記エリアの第三の特定番地に該エリアに書
き込みを行った最新の日付を特定する日付情報を書き込
み、その日付情報を用いて過去と同頻度で書き込みをお
こなった場合にすべてのエリアの前記書き込み回数Nが
最大書き込み回数Nmax以上になりうる日付を予測す
るものとした。上記本発明の構成により、前記エリアの
第三の特定番地から最新の日付情報を得て、その日付情
報を用いて過去と同頻度で書き込みをおこなった場合に
すべてのエリアの前記書き込み回数Nが最大書き込み回
数Nmaxに近づくかNmaxを越える日付を予測する
ので、EEPROMが使用不能になる日付が概略判断で
きる。
Further, in the EEPROM recording method according to the present invention, the date information for specifying the latest date of writing in the area is written in the third specific address of the area, and the past date is used by using the date information. In the case where writing is performed at the same frequency, the date on which the number of times N of writing in all areas can be the maximum number of times of writing Nmax or more is predicted. With the above configuration of the present invention, when the latest date information is obtained from the third specific address in the area and writing is performed at the same frequency as in the past using the date information, the number of writing times N in all areas is Since the date nearing the maximum write count Nmax or exceeding Nmax is predicted, the date when the EEPROM cannot be used can be roughly determined.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
を、図面を参照して説明する。なお、各図において、共
通する部分には同一の符号を付し、重複した説明を省略
する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In each drawing, common portions are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

【0013】本発明の実施形態に係るEEPROMへの
記録方法を説明する。図1は、本発明の実施形態の概念
図である。
A recording method in the EEPROM according to the embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a conceptual diagram of an embodiment of the present invention.

【0014】最初に、本発明の実施形態に係るEEPR
OMへの記録方法を実施する装置を説明する。図4は、
本発明の実施形態を実施する装置の概念図である。装置
1は、CPU2とプログラム3とRAM4とEEPRO
M5とI/O6とを備える。CPU2は、プログラム3
に従って計測を行い、計測データをRAM4に一時保管
した後、EEPROM5へ記録する。プログラム3は、
計測とデータ保存の手順をあらわしたソフトウェアであ
る。プログラム3は、データ計測ルーチンとデータ格納
ルーチンとを有する。RAM4は、計測をしたデータを
一時保管するランダムアクセスメモリである。EEPR
OM5は、計測したデータを保管する電気的書き換え可
能なリードオンリーメモリーである。I/O6は、セン
サ7とつながり、所望の計測データを取り込む。
First, the EEPR according to the embodiment of the present invention.
An apparatus for implementing the OM recording method will be described. Figure 4
It is a conceptual diagram of the apparatus which implements embodiment of this invention. The device 1 includes a CPU 2, a program 3, a RAM 4 and an EEPRO.
It has M5 and I / O6. CPU2 is program 3
According to the measurement, the measurement data is temporarily stored in the RAM 4 and then recorded in the EEPROM 5. Program 3 is
This software represents the procedure for measurement and data storage. The program 3 has a data measurement routine and a data storage routine. The RAM 4 is a random access memory that temporarily stores measured data. EEPR
The OM 5 is an electrically rewritable read-only memory that stores measured data. The I / O 6 is connected to the sensor 7 and takes in desired measurement data.

【0015】図1は、本発明の実施形態のメモリ空間図
である。メモリ空間には、ページ空間100とデータ記
録空間300と管理テーブル200とを備える。ページ
空間100は仮想のメモリ空間であり、プログラム3の
データ計測ルーチンはこのページ空間100に対して書
き込み、読み込みを行う。ページ空間100は、複数の
ページ101,102・・をもち、個々のページ10
1,102・・は一意の識別コードを持つ。ここでは、
説明の便宜のために、識別コードをページ1、ページ
2、・・・・とする。各ページ101,102・・は、
計測の都合に適合したデータ数を格納できるだけの空間
を有する。データ計測ルーチンが、特定のページ10
1,102・・に対して書き込み命令または読み込み命
令を行うと、データ格納ルーチンが管理テーブル200
により参照されたデータ記録空間200へ書き込みまた
は読み込みを行う。
FIG. 1 is a memory space diagram of an embodiment of the present invention. The memory space includes a page space 100, a data recording space 300, and a management table 200. The page space 100 is a virtual memory space, and the data measurement routine of the program 3 writes to and reads from this page space 100. The page space 100 has a plurality of pages 101, 102, ...
.. have a unique identification code. here,
For convenience of explanation, the identification codes are page 1, page 2, ... Each page 101, 102 ...
It has a space that can store the number of data that is suitable for the convenience of measurement. The data measurement routine uses a specific page 10
When a write command or a read command is issued to 1, 102 ...
The data recording space 200 referred to by is written or read.

【0016】データ記録空間300は、EEPROM5
の物理メモリー空間に設けられる。データ記録空間30
0は、複数のエリア310,320・・で構成される。
ここで、エリア310,320・・とは、EEPROM
5の物理メモリ空間に書き込みが同時に行える単位であ
る。エリアは、EEPROM5の物理メモリ空間を同時
に書き込みが行える最小単位でもよいし、最小単位の複
数の組み合わせでもよい。各エリア310,320・・
は一意の識別コードを持つ。ここでは、説明の便宜のた
めに、エリア0、エリア1、・・・とする。各々エリア
310,320・・は、一つの管理領域とデータ領域と
を備える。管理領域は、後述するEEPROM5への記
録方法を実施するための管理データを保存する領域であ
り、ページ番号を保存する領域311(以下、ページ番
号領域311と呼ぶ。)と書き込み回数を保存する領域
312(以下、書き込み回数領域312という。)と日
付情報を保存する領域313(以下、日付領域313と
いう。)とを有する。データ領域314・・は、計測さ
れたデータを格納するメモリー領域である。
The data recording space 300 has an EEPROM 5
It is provided in the physical memory space of. Data recording space 30
0 is composed of a plurality of areas 310, 320 ...
Here, the areas 310, 320, ... Are EEPROMs.
5 is a unit in which writing can be performed simultaneously in the physical memory space. The area may be a minimum unit capable of simultaneously writing in the physical memory space of the EEPROM 5, or may be a combination of a plurality of minimum units. Areas 310, 320 ...
Has a unique identification code. Here, for convenience of explanation, it is assumed that area 0, area 1, ... Each area 310, 320, ... Has one management area and one data area. The management area is an area for storing management data for carrying out a recording method in the EEPROM 5, which will be described later, and an area 311 for storing a page number (hereinafter referred to as a page number area 311) and an area for storing the number of writes. It has an area 312 (hereinafter referred to as a write count area 312) and an area 313 for storing date information (hereinafter referred to as a date area 313). The data area 314 ... Is a memory area for storing measured data.

【0017】ページ番号領域311は、そのエリア31
0に割り付けられたページ番号を格納するメモリ空間で
ある(第二の特定番地の領域に相当する)。初期値はN
ULLであって、所定の手続きでそのエリアが特定のペ
ージに割り付けられた時に、その直後に行われるエリア
内のメモリへの書き込み処理ルーチンの中で、割り付け
られたページ番号を書き込まれる。書き込み回数領域3
12は、そのエリア内のメモリに書き込み処理が発生し
た回数を格納するメモリ空間である(第一の特定番地の
領域に相当する)。初期値はNULLであって、そのエ
リア内のメモリ番地に書き込み処理が発生した際に、そ
の書き込み処理ルーチンの中で、例えば、書き込み回数
領域に格納されたコードをインクリメントして書き込み
を行われる。日付領域313は、そのエリア内のメモリ
番地に書き込み処理が発生した最新の日の日付を格納す
る空間である(第三の特定番地の領域に相当する)。初
期値はNULLであって、書き込み回数領域に書き込み
が発生した同一書き込み処理ルーチン内で、CPUの内
部タイマーのもつ日付を書き込まれる。ここで、NUL
Lはシステムが定める特定のコードであり、例えば、
「FFFF」である。
The page number area 311 has an area 31.
It is a memory space for storing the page number assigned to 0 (corresponding to the area of the second specific address). Initial value is N
In the case of the ULL, when the area is allocated to a specific page by a predetermined procedure, the allocated page number is written in the memory write processing routine in the area immediately after that. Write count area 3
Reference numeral 12 denotes a memory space (corresponding to the area of the first specific address) that stores the number of times writing processing has occurred in the memory in the area. The initial value is NULL, and when the writing process occurs at the memory address in the area, the code stored in the writing count region is incremented and writing is performed in the writing process routine. The date area 313 is a space for storing the date of the latest date when the writing process occurred in the memory address in the area (corresponding to the area of the third specific address). The initial value is NULL, and the date held by the internal timer of the CPU is written in the same write processing routine in which writing has occurred in the write count area. Where NUL
L is a specific code defined by the system, for example,
It is "FFFF".

【0018】管理テーブル200は、RAM4のメモリ
空間に置かれる。場合によっては、前述のEEPROM
5の物理メモリー空間に設けてもよい。管理テーブル2
00は、各ページ101,102・・に割り付けられた
エリア310,320・・を参照するためのルックアッ
プテーブルである。例えば、特定のRAM番地を先頭に
して、ページの識別コードの昇順に、各ページに割り付
けられたエリアの識別コードが並べられる。各ページに
は、所定の手続きでエリアが割り付けられる。
The management table 200 is placed in the memory space of the RAM 4. In some cases, the aforementioned EEPROM
It may be provided in the physical memory space 5. Management table 2
00 is a look-up table for referring to the areas 310, 320, ... Allocated to the pages 101, 102. For example, the identification code of the area allocated to each page is arranged in ascending order of the identification code of the page, starting from the specific RAM address. Areas are assigned to each page by a predetermined procedure.

【0019】次に、本発明の実施形態に係るEEPRO
Mへの記録方法を実施するメモリ格納ルーチンを説明す
る。図3は、本発明の実施形態のフローチャート図であ
る。図2は、本発明の実施形態のメモリの状態の遷移図
である。メモリ格納ルーチンは、書き込みルーチンS1
0と読み込みルーチンS20とメモリフル日付予測ルー
チンS30とを有する。
Next, EEPRO according to the embodiment of the present invention
A memory storing routine for implementing the recording method in M will be described. FIG. 3 is a flowchart of the embodiment of the present invention. FIG. 2 is a state transition diagram of the memory according to the embodiment of the present invention. The memory storing routine is the write routine S1.
0, a read routine S20, and a memory full date prediction routine S30.

【0020】書き込みルーチンS10をフローに従っ
て、説明する。仮想メモリ空間8の中の希望のページへ
の書き込み命令が発生すると、書き込みルーチンS10
が起動する。以下、説明の便宜のためにページ2に書き
込み命令が発生したとして説明する。 <S11:ページ指定>書き込みを要求されたページの
コードである「ページ2」を確認する。 <S12:エリア検索>管理テーブル200を参照し、
「ページ2」を割り付けられているエリアを確認する。
例えば、「ページ2」には、「エリア1」が割り付けら
れている。 <S13:エリア書き込み>「エリア1」のデータ領域
にデータを書き込む。 <S14:書き込み回数をインクリメント>「エリア
1」の書き込み回数領域に格納されている数に1を加算
した値を新たな数として、書き込み回数領域に格納す
る。
The write routine S10 will be described according to the flow. When a write command to a desired page in the virtual memory space 8 occurs, the write routine S10
Will start. Hereinafter, for convenience of description, it is assumed that a write command is generated on page 2. <S11: Page Designation> The code “page 2” of the page requested to be written is confirmed. <S12: Area search> Referring to the management table 200,
Check the area to which "Page 2" is assigned.
For example, "area 1" is assigned to "page 2". <S13: Area writing> Data is written in the data area of "Area 1". <S14: Increment write count> A value obtained by adding 1 to the number stored in the write count area of "Area 1" is stored as a new count in the write count area.

【0021】<S15:Nmaxか?>書き込み回数領
域に書き込んだ数がNmaxに達したか否かを確認す
る。達していなかったら、書き込みルーチンを終了す
る。ここで、Nmaxは、EEPROMの仕様上の書き
込み保証回数を基に定められる数であり、例えば、書き
込み保証回数=10万回に対して、Nmax=5万回で
ある。達していたら、次へ進む。 <S16:新たなエリアを割当>所定の手続きに従い、
「ページ2」に今だ割当られたことのないエリアを割り
当てる。例えば、「エリア43」を割り当てる。「エリ
ア43」のページ番号領域と書き込み回数領域に格納さ
れたコードがNULLとなっている。「エリア43」の
ページ番号領域に「ページ2」を書き込み、書き込み回
数領域に「1」を書き込み、日付領域にタイマーの日付
を書き込む。 <S17:新たなエリアへデータ転送>エリアのデータ
領域に格納されている全てのデータを新たなエリアのデ
ータ領域に転送する。 <S18:管理テーブルを更新>管理テーブル100の
ページのエリア番号の格納されるエリア番号を新たなエ
リア番号に変更する。例えば、「ページ2のエリア番
号」にエリア番号「ページ43」を格納する。
<S15: Nmax? > Check whether the number written in the write count area has reached Nmax. If not reached, the write routine ends. Here, Nmax is a number determined based on the guaranteed number of times of writing in the specifications of the EEPROM, and for example, Nmax = 50,000 times with respect to the guaranteed number of times of writing = 100,000 times. If so, proceed to the next. <S16: Allocate a new area> According to the predetermined procedure,
Allocate an area that has never been allocated to "Page 2". For example, “area 43” is assigned. The code stored in the page number area and the write count area of the "area 43" is NULL. "Page 2" is written in the page number area of "Area 43", "1" is written in the write count area, and the date of the timer is written in the date area. <S17: Data Transfer to New Area> All data stored in the data area of the area is transferred to the data area of the new area. <S18: Update Management Table> The area number where the page area number of the management table 100 is stored is changed to a new area number. For example, the area number "page 43" is stored in "area number of page 2".

【0022】次に、読み込みルーチンS20をフローに
従って、説明する。仮想メモリ空間8の中の希望のペー
ジの読み取り命令が発生すると、読み込みルーチンS2
0が起動する。以下、説明の便宜のためにページ2に書
き込み命令が発生したとして説明する。 <S21:ページ指定>読み込みを要求されたページの
コードである「ページ2」を確認する。 <S22:エリア検索>管理テーブル200を参照し、
「ページ2」を割り付けられているエリアを確認する。
例えば、「ページ2」には、「エリア43」が割り付け
られていたとして、以下の説明をする。 <S23:エリア読み取り>割り付けられたエリアから
データを読み取る。例えば、「エリア43」でデータ領
域から所望のデータを読み込む。
Next, the read routine S20 will be described according to the flow. When a read instruction for a desired page in the virtual memory space 8 is issued, the read routine S2
0 starts. Hereinafter, for convenience of description, it is assumed that a write command is generated on page 2. <S21: Page Designation> The code "page 2" of the page requested to be read is confirmed. <S22: Area search> Referring to the management table 200,
Check the area to which "Page 2" is assigned.
For example, the following description will be made assuming that "area 43" is assigned to "page 2". <S23: Area Read> Data is read from the allocated area. For example, desired data is read from the data area in "area 43".

【0023】次に、メモリ寿命予想ルーチンS30をフ
ローに従って、説明する。 <S31:使用済エリアの数を確認>総エリアのうち、
書き込み回数に格納された数がNmaxに達しているエ
リアの数と残りのエリアの数を確認する。 <S32:最新日付を確認>総エリアの日付の格納され
た日付の内、最も新しい日付と最も古い日付を確認す
る。 <S33:寿命予測>残りのエリアの数と日付とから、
すべてのエリアの書き込み回数がNmaxとなる日付を
外挿法により予測する。
Next, the memory life prediction routine S30 will be described according to the flow. <S31: Confirm the number of used areas> Of the total areas,
The number of areas in which the number stored in the write count reaches Nmax and the number of remaining areas are confirmed. <S32: Confirm latest date> Among the dates in which the dates in the total area are stored, the latest date and the oldest date are confirmed. <S33: Life Prediction> From the number of remaining areas and the date,
A date when the number of writings in all areas becomes Nmax is predicted by extrapolation.

【0024】上述の実施形態のEEPROMへの記録方
法を用いれば、EEPROMへの書き込み回数が許容回
数を超えることなく、EEPROMの全メモリ空間領域
を有効に利用して、EEPROMにデータを保存でき
る。また、計測ルーチンが仮想メモリ空間であるページ
に書き込み又は読み出しをすると、物理メモリ空間であ
るメモリ格納ルーチンに書き込み又は読み出しをするこ
とができ、計測ルーチンを設計、改造しやすくなる。ま
た、ページとエリアの関連を予め記録した管理テーブル
を用いるので、メモリ格納ルーチンが高速に書き込み、
読み出しをすることができる。また、エリアの特定番地
に割り付けられたページのコードが記録してあるので、
計測システム立ち上げ時にこのデータをたどることで、
管理テーブルを生成することができ、管理テーブルを保
存するためにバックアップされた揮発型メモリを用意す
る必要がない。また、書き込みをした日付をエリアに書
き込んでいるので、エリアを使い切る日付を簡単に予測
できる。
If the EEPROM recording method of the above-described embodiment is used, data can be stored in the EEPROM by effectively utilizing the entire memory space area of the EEPROM without exceeding the allowable number of times of writing in the EEPROM. Further, when the measurement routine writes or reads data in a page which is a virtual memory space, it is possible to write or read data in a memory storage routine which is a physical memory space, which facilitates designing and modifying the measurement routine. Moreover, since the management table in which the relation between the page and the area is recorded in advance is used, the memory storing routine writes at a high speed,
It can be read. Also, since the code of the page assigned to the specific address of the area is recorded,
By tracing this data when starting the measurement system,
The management table can be generated, and it is not necessary to prepare a volatile memory backed up to store the management table. Also, since the date of writing is written in the area, it is possible to easily predict the date when the area will be used up.

【0025】本発明は以上に述べた実施形態に限られる
ものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で各種の変
更が可能である。管理テーブルがRAMにあるとして説
明したらこれに限定されず、EEPROMにおいてもよ
い。
The present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications can be made without departing from the spirit of the invention. If the management table is described as being in the RAM, the present invention is not limited to this and may be in the EEPROM.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明したように本発明のメモリへの
書き込みをする最大書き込み回数をNmaxと定めたE
EPROMは、その構成により、以下の効果を有する。
書き込み回数NがNmaxを越えてエリア内のメモリに
書き込みをすることがなく、書き込み回数NがNmax
を越えてない他のエリアのメモリに次々に書き込みをす
ることが出来る。また、ページに割り付けられた一つの
エリアの物理メモリ空間または複数のエリアの内の最新
のエリアの物理メモリ空間へデータを書き込むことで、
そのページへの書き込みが発生したデータを保存するこ
とが出来る。また、管理テーブルを参照してページに関
連づけられた最新のエリアを即座に見つけて、そのエリ
アにデータを書き込むことができる。また、ページ識別
コードと第一の特定番地から得られる書き込み回数Nか
らページに関連づけられた最新のエリアを見つけて、そ
のエリアにデータを書き込むことができる。また、EE
PROMが使用不能になる日付が概略判断できる。従っ
て、EEPROMの書き込み回数制限を越えることなく
書き込みを行い、EEPROMの物理的メモリ空間を有
効に使いきることの出来るEEPROMへの記録方法を
提供できる。
As described above, the maximum number of times of writing to the memory of the present invention is set to Nmax and E
The EPROM has the following effects due to its configuration.
The number of times of writing N does not exceed Nmax and writing is not performed in the memory in the area, and the number of times of writing N is Nmax.
It is possible to write one after another to the memory of other areas that do not exceed. Also, by writing data to the physical memory space of one area allocated to the page or the physical memory space of the latest area of the plurality of areas,
You can save the data that has been written to the page. Further, it is possible to immediately find the latest area associated with the page by referring to the management table and write the data in the area. Further, the latest area associated with the page can be found from the page identification code and the number of times of writing N obtained from the first specific address, and the data can be written in the area. Also, EE
The date when the PROM becomes unusable can be roughly determined. Therefore, it is possible to provide a recording method to the EEPROM in which writing can be performed without exceeding the number of writing times of the EEPROM and the physical memory space of the EEPROM can be effectively used.

【0027】[0027]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施形態のメモリ空間図である。FIG. 1 is a memory space diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施形態のメモリの状態の遷移図であ
る。
FIG. 2 is a state transition diagram of the memory according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施形態のフローチャート図である。FIG. 3 is a flow chart diagram of an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施形態を実施する装置の概念図であ
る。
FIG. 4 is a conceptual diagram of an apparatus for implementing an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 計測装置 2 CPU 3 プログラム 4 RAM 5 EEPROM 6 I/O 7 センサ 100 ページ空間 101 ページ1 102 ページ2 103 ページ3 104 ページ4 200 管理テーブル 201 ページ1のエリア番号の格納空間 202 ページ2のエリア番号の格納空間 203 ページ3のエリア番号の格納空間 204 ページ4のエリア番号の格納空間 300 データ記録空間 310 エリア0 311 ページ番号領域 312 書き込み回数領域 313 日付領域 314〜 データの格納空間 320 エリア1 330 エリア2 340 エリア3 350 エリア43 1 Measuring device 2 CPU 3 programs 4 RAM 5 EEPROM 6 I / O 7 sensors 100 page space 101 page 1 Page 102 Page 103 3 Page 104 200 management table 201 Storage space for page 1 area number 202 Storage space for page 2 area numbers 203 Storage space for page 3 area numbers 204 Storage space for page 4 area number 300 data recording space 310 area 0 311 page number area 312 write count area 313 Date area 314-Data storage space 320 area 1 330 area 2 340 area 3 350 area 43

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 メモリへの書き込みをする最大書き込み
回数をNmaxと定めたEEPROMへの記録方法であ
って、EEPROMの物理メモリ空間を書き込みが同時
に行える単位である複数のエリアに予め区分し、前記エ
リア内のメモリに書き込みを行った際に該エリアへの書
き込み回数Nを特定する書き込み回数情報を該エリア内
の第一の特定番地のメモリに同時に書き込み、前記エリ
ア内のメモリに書き込みを行う際に該エリア内の前記第
一の特定番地の前記書き込み回数情報から得られる前記
書き込み回数NがNmax以上である場合には未だ書き
込みが行われていない他の前記エリア内のメモリに書き
込みをする、ことを特徴とするEEPROMへの記録方
法。
1. A method of recording in an EEPROM in which the maximum number of times of writing to a memory is defined as Nmax, wherein a physical memory space of the EEPROM is pre-divided into a plurality of areas which are units in which writing can be performed at the same time. When simultaneously writing the number-of-times information for specifying the number N of times of writing to the memory in the area to the memory of the first specific address in the area and writing to the memory in the area In the case where the number of times of writing N obtained from the number of times of writing of the first specific address in the area is Nmax or more, writing is performed in a memory in another area that has not been written yet. A method for recording data on an EEPROM, which is characterized in that
【請求項2】 前記エリアのメモリ空間と同一又は小さ
いメモリ空間を有する仮想メモリ空間であるページを定
義し、各々の前記ページには前記エリアが割り付けられ
ており、前記ページへのデータの書き込みが発生した際
に前記ページに割り付けられた前記エリア内のメモリに
書き込みを行う、ことを特徴とする請求項1に記載のE
EPROMへの記録方法。
2. A page that is a virtual memory space having a memory space that is the same as or smaller than the memory space of the area is defined, and the area is allocated to each of the pages, and writing of data to the page is performed. The E according to claim 1, wherein when the error occurs, writing is performed in the memory in the area allocated to the page.
Recording method to EPROM.
【請求項3】 一つのページが該ページへのデータを書
き込んだ最新のエリアと一対一に関連づけられている管
理テーブルを用意し、前記ページへのデータの書き込み
が発生した際に前記管理テーブルを参照して該ページに
関連づけられた前記エリア内のメモリに書き込みを行
う、ことを特徴とする請求項2に記載のEEPROMへ
の記録方法。
3. A management table is prepared in which one page is associated with the latest area in which data is written to the page in a one-to-one correspondence, and the management table is stored when data writing to the page occurs. 3. The EEPROM recording method according to claim 2, wherein the writing is performed in the memory in the area associated with the page with reference to the page.
【請求項4】 前記エリアの第二の特定番地に該エリア
が割り付けられたページを識別するページ識別コードを
書き込むことを特徴とする請求項2又は請求項3の一つ
に記載のEEPROMへの記録方法。
4. The EEPROM according to claim 2 or 3, wherein a page identification code for identifying a page to which the area is allocated is written in a second specific address of the area. Recording method.
【請求項5】 前記エリアの第三の特定番地に該エリア
に書き込みを行った最新の日付を特定する日付情報を書
き込み、その日付情報を用いて過去と同頻度で書き込み
をおこなった場合にすべてのエリアの前記書き込み回数
Nが最大書き込み回数Nmax以上になりうる日付を予
測する、ことを特徴とする請求項1乃至請求項4に記載
のEEPROMへの記録方法。
5. When the date information specifying the latest date of writing in the area is written in the third specific address of the area and the writing is performed at the same frequency as the past using the date information, all 5. The method for recording in the EEPROM according to claim 1, wherein a date at which the number of times N of writing of the area can be the maximum number of times of writing Nmax or more is predicted.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008001649A1 (en) * 2006-06-28 2008-01-03 Seiko Epson Corporation Semiconductor storage device management system, semiconductor storage device, host unit, program and semiconductor storage device management method
JP2009087173A (en) * 2007-10-02 2009-04-23 Mitsubishi Electric Corp Apparatus and method for managing flash memory, and program
JP2009157561A (en) * 2007-12-26 2009-07-16 Yamatake Corp Measurement control apparatus, and memory element protection method
JP4837731B2 (en) * 2005-06-08 2011-12-14 サンディスク アイエル リミテッド Flash memory with programmable durability

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4837731B2 (en) * 2005-06-08 2011-12-14 サンディスク アイエル リミテッド Flash memory with programmable durability
WO2008001649A1 (en) * 2006-06-28 2008-01-03 Seiko Epson Corporation Semiconductor storage device management system, semiconductor storage device, host unit, program and semiconductor storage device management method
US7962807B2 (en) 2006-06-28 2011-06-14 Seiko Epson Corporation Semiconductor storage apparatus managing system, semiconductor storage apparatus, host apparatus, program and method of managing semiconductor storage apparatus
JP2009087173A (en) * 2007-10-02 2009-04-23 Mitsubishi Electric Corp Apparatus and method for managing flash memory, and program
JP2009157561A (en) * 2007-12-26 2009-07-16 Yamatake Corp Measurement control apparatus, and memory element protection method

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