JP2003058417A - Storage device - Google Patents

Storage device

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JP2003058417A JP2001250504A JP2001250504A JP2003058417A JP 2003058417 A JP2003058417 A JP 2003058417A JP 2001250504 A JP2001250504 A JP 2001250504A JP 2001250504 A JP2001250504 A JP 2001250504A JP 2003058417 A JP2003058417 A JP 2003058417A
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Kazuya Iwata
Juichi Shiyouraiden
Akio Takeuchi
重一 小来田
和也 岩田
昭夫 竹内
Original Assignee
Matsushita Electric Ind Co Ltd
松下電器産業株式会社
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    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023Free address space management
    • G06F12/0238Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nonvolatile storage device which can perform physical erasure in proper timing and control fast, high-efficiency erasure and to provide a nonvolatile storage device which never runs short of free capacity because of unnecessary stored data even when one physical block has a partial logical block where ineffective data are written and a partial logical block where effective data are written. SOLUTION: Erasure processing is divided into logical erasure and physical erasure and has a table of physical blocks or partial logical blocks where ineffective data are written. Consequently, the physical erasure can be performed anytime in proper timing matching other processes without performing the physical erasure and logical erasure at the same time. Further, only effective partial logical blocks are copied into other physical blocks, which are erased so that data can be stored without wasting a storage medium.

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、データの書き換えが可能な記憶装置に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention relates to a storage device capable of rewriting data. 【0002】 【従来の技術】音楽データや映像データを取り扱う携帯機器の記憶装置として、データの書き換えが可能で、携帯性が高く、電池等によるバックアップが不要であるフラッシュメモリ等の不揮発性メモリを備えた記憶装置が使われるようになってきた。 2. Description of the Related Art A storage device of the mobile device for handling music data or video data, the data can be rewritten, portability is high, the non-volatile memory such as a flash memory is unnecessary backup by a battery or the like includes storage devices has come to be used. フラッシュメモリ等の不揮発性記憶媒体は、データの書き込み時(メモリセルに0 Non-volatile storage medium such as a flash memory, writing data (in a memory cell 0
又は1のデータを書き込む。 Or write one of the data. )と、消去時(例えば消去領域のメモリセルのデータを全て1にする。)とでは、 And) than the erasing (e.g.. Which all the data of the memory cell in the erased area 1),
全く異なる方法で駆動・制御される。 It is driven and controlled in a completely different way. 又、フラッシュメモリ等の不揮発性記憶媒体においては、データの書き込み単位とデータの消去単位が異なる。 Further, in the nonvolatile storage medium such as a flash memory, the erase unit of the write unit and the data of the data it is different. 【0003】図13を用いて、従来の不揮発性記憶媒体を有する記憶装置を説明する。 [0003] Figure 13 with a storage device is described having a conventional non-volatile storage medium. 図13は従来の不揮発性記憶媒体を有する記憶装置の構成を示す。 Figure 13 shows the structure of a memory device having a conventional non-volatile storage medium. 図13において、131は不揮発性記憶装置、138はデータ入出力装置である。 13, 131 non-volatile memory device, 138 is a data input-output device. 不揮発性記憶装置131は、不揮発性記憶媒体132、制御部133を有する。 The nonvolatile memory device 131 includes non-volatile storage medium 132, the control unit 133. さらに制御部13 Further, the control unit 13
3は、論理アドレス/物理アドレス変換テーブル13 3, the logical address / physical address conversion table 13
4、エントリテーブル(第1のテーブル)136、入出力制御部137を有する。 4, has an entry table (first table) 136, input-output control unit 137. 【0004】不揮発性記憶装置131は、不揮発性記憶媒体132に新たなデータを書き込む時、エントリテーブル136を参照して消去済みの物理ブロックを検出し、その物理ブロックに新たなデータを書き込む。 [0004] non-volatile memory device 131, when new data is written to the nonvolatile storage medium 132, by referring to the entry table 136 detects an erased physical block, new data is written to the physical block. 次に、不揮発性記憶装置131は、新たなデータの論理的なアドレスと、新たなデータを書き込んだ物理ブロックの物理アドレス(不揮発性記憶媒体132の物理的な位置を特定するアドレス)とを対応付けて、論理アドレス/物理アドレス変換テーブル134に書き込む。 Next, the nonvolatile memory device 131, corresponding with the logical address of the new data, and the physical address of writing new data physical block (address specifying the physical location of the non-volatile storage medium 132) put in, it writes the logical address / physical address conversion table 134. もし書き込み時に消去済みの物理ブロックを検出することが出来なければ、不揮発性記憶媒体132を先頭番地の物理ブロックから順次チェックして、無効なデータが書き込まれた物理ブロックを検出する。 If to be able to detect the erased physical block at the time of writing, by sequentially checking the non-volatile storage medium 132 from the physical block of the leading address, for detecting the invalid data is written physical block. 消去部(図示していない)は、無効なデータが書き込まれた物理ブロックを消去する。 Erasing unit (not shown) deletes the invalid data is written physical block. その後、不揮発性記憶装置131は、当該消去済みの物理ブロックに新たなデータを書き込む。 Thereafter, the nonvolatile memory device 131 writes the new data to the erased physical block. 次に、 next,
不揮発性記憶装置131は、新たなデータの論理的なアドレスと、新たなデータを書き込んだ物理ブロックの物理アドレスとを対応付けて、論理アドレス/物理アドレス変換テーブル134に書き込む。 The nonvolatile memory device 131 in association with the logical address of the new data, and the physical address of writing new data physical block is written into the logical address / physical address conversion table 134. 【0005】一旦、フラッシュメモリに内に書き込まれたデータを書き換え又は読み出しのために書き込まれたデータにアクセスするには、フラッシュメモリ内における該当データの物理アドレスが特定される必要がある。 [0005] Once the access to the written for rewriting or reading the data written to the inner in the flash memory data, it is necessary physical address of the data in the flash memory is specified.
そこで、フラッシュメモリ内に書き込まれたデータの論理アドレスを、フラッシュメモリ内の物理アドレスに変換するテーブルがRAM上に設けられている。 Therefore, the logical address of data written in the flash memory, a table for converting the physical address in the flash memory is provided on the RAM. 【0006】 【発明が解決しようとする課題】しかし、外部のデータ入出力装置108からデータ書き込み要求があってから無効なデータを有する物理ブロックを消去し、その後新たなデータを書き込む従来の記憶装置は、消去済みの物理ブロックがなくなると書き込み速度が遅くなるという問題を有していた。 [0006] The present invention is to provide, however, erases the physical block having invalid data from an external data input device 108 after there is a data write request, then writes the new data conventional storage device had a problem that the writing speed becomes slower erased physical block is eliminated. 記憶装置が、データの書き込み単位 Storage device, the write unit of data
(例えば物理ブロックを分割した領域(「部分論理ブロック」と呼ぶ。))とデータの消去単位(物理ブロック)とが異なるフラッシュメモリを有する場合がある。 (For example, an area obtained by dividing the physical blocks (referred to as "partial logical block".)) And the data erasing unit (physical block) may have different flash memory. そのようなフラッシュメモリにおいては、1個の物理ブロックの中に有効なデータが書き込まれている部分論理ブロックと、無効なデータが書き込まれている部分論理ブロックとが含まれる場合がある。 In such a flash memory, may be included and one valid partial logical block data is written into the physical block, a partial logical blocks invalid data is written. そのような物理ブロックを消去して、その物理ブロックに新たなデータを書き込むことは出来ない。 To erase such a physical block, it is not possible to write new data to the physical block. そのような物理ブロックが不揮発性記憶媒体内に増加すると、不揮発性記憶媒体の使用効率が低下する。 When such physical block is increased in non-volatile storage medium, it decreases the efficiency of use of non-volatile storage medium. そのような物理ブロックが増加して消去済みの物理ブロックがなくなれば、実質的に不使用の記録領域が残っているにもかかわらず、新たなデータを記録することが出来なくなる。 If there is no such a physical block to erased increased physical block, substantially despite remaining recording area unused, it becomes impossible to record new data. 【0007】本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、複数論理ブロックが単一物理ブロックに対応する記憶制御、もしくは、複数論理ブロックが複数物理ブロックに対応する記憶制御を実施する記憶システム等において、論理的消去と物理的消去を分離し、無効なデータが書き込まれている物理ブロック又は部分論理ブロックのテーブルを持つことにより、消去の制御を高速かつ効率的に実施する記憶装置を提供することを目的とする。 [0007] The present invention, above problems solves the storage control multiple logical block corresponds to a single physical block, or storage to implement the storage control multiple logical blocks corresponding to a plurality physical blocks in systems such as to separate the logical erasing physically erased, by having a physical block or the partial logical block table has invalid data is written, a storage device that implements the control of the erase fast and efficient an object of the present invention is to provide. 【0008】また、近年では携帯機器で取り扱う情報量が増大する傾向にあり、これに対処するために、記憶装置にある不揮発性メモリを増加させることで、記憶装置の記憶容量の増大を図っている。 [0008] In recent years there is a tendency that the amount of information handled by the mobile device is increased, in order to cope with this, to increase the non-volatile memory in the memory device, the aim of increasing the storage capacity of the storage device there. しかし、前記記憶容量の増大は前記テーブルの容量の増大につながり、そのためRAMの容量の増大が条件となりコストアップの大きな要因となっていた。 However, the increase in the storage capacity leads to an increase in capacity of the table, therefore increasing the amount of RAM has been a major increase in cost becomes conditions. 本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、不揮発性メモリ上にもテーブルを持つことにより記憶装置の記憶容量が増大してもRAMの容量を増大する必要のない記憶装置を提供することを目的とする。 The present invention is intended to solve the above problems, to provide the necessary no storage device for increasing the capacity of RAM storage capacity increases the memory by having a table in the nonvolatile memory and an object thereof. 【0009】 【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため、本発明は下記の構成を有する。 [0009] In order to solve the above object, according to an aspect of the present invention has the following constitution. 請求項1に記載の発明は、不揮発性記憶媒体と、第1のテーブル作成部と、 According to one aspect of the present invention, a non-volatile storage medium, a first table generating unit,
第2のテーブル作成部と、論理アドレス/物理アドレス変換テーブル作成部と、消去部と、を有し、前記不揮発性記憶媒体は複数の物理ブロックを有し、前記物理ブロックは、データを格納するためのデータ領域と、その物理ブロックにデータが書き込まれているか否かを示す第1のデータと、その物理ブロックに書き込まれているデータが無効なデータであるか否かを示す第2のデータとを有し、前記第1のテーブル作成部は、前記物理ブロックのアドレスと前記第1のデータとの関係を示す第1のテーブルを作成し、前記第2のテーブル作成部は、前記物理ブロックのアドレスと前記第2のデータとの関係を示す第2のテーブルを作成し、前記論理アドレス/物理アドレス変換テーブル作成部は、前記第1のテーブルに基づいて論理アド A second table creating unit includes a logical address / physical address conversion table creating unit, and a deleting unit, wherein the non-volatile storage medium includes a plurality of physical blocks, the physical block, stores the data second data indicating a data area, a first data indicating whether the data in the physical block has been written, whether the data written in the physical block is invalid data for has the door, the first table creation unit creates the first table showing the relationship between the physical block address and the first data, the second table creating unit, the physical block create a second table of addresses and showing the relationship between the second data, the logical address / physical address conversion table generation unit, a logical address based on said first table スに新たな物理アドレスを割り当てて、論理アドレス/物理アドレス変換テーブルを生成し、前記消去部は、前記第2のテーブルに基づいて、無効なデータが書き込まれた物理ブロックのデータを消去する、ことを特徴とする記憶装置である。 Assigning a new physical address to the scan, and generates the logical address / physical address conversion table, the erased part, based on the second table, invalid data erasing data of the written physical block, it is a storage device according to claim. 【0010】請求項2に記載の発明は、不揮発性記憶媒体と、第1のテーブル作成部と、第2のテーブル作成部と、論理アドレス/物理アドレス変換テーブル作成部と、消去部と、を有し、前記不揮発性記憶媒体は複数の物理ブロックを有し、前記物理ブロックは、データを格納するためのデータ領域と、その物理ブロックにデータが書き込まれているか否かを示す第1のデータを有し、 [0010] According to a second aspect of the invention, a non-volatile storage medium, a first table creating section, a second table creating unit, and a logical address / physical address conversion table creating unit, and a deleting unit, the has the non-volatile storage medium includes a plurality of physical blocks, the physical blocks includes a data area for storing data, a first data indicating whether the data in the physical block has been written have,
前記物理ブロックを分割した領域は、その領域に書き込まれているデータ又はその領域に関連づけられた前記領域のそれぞれに書き込まれているデータが無効なデータであるか否かを示す第2のデータを有し、前記第1のテーブル作成部は、前記物理ブロックのアドレスと前記第1のデータとの関係を示す第1のテーブルを作成し、前記第2のテーブル作成部は、前記領域のアドレスと前記第2のデータとの関係を示す第2のテーブルを作成し、 Regions obtained by dividing the physical block, the second data indicating whether the data written in each of the regions associated with the data or the area are written to that area is an invalid data It has the first table creation unit creates the first table showing the relationship between the physical block address and the first data, the second table creation unit, the address of the area create a second table showing the relationship between the second data,
前記論理アドレス/物理アドレス変換テーブル作成部は、前記第1のテーブルに基づいて論理アドレスに新たな物理アドレスを割り当てて、論理アドレス/物理アドレス変換テーブルを生成し、前記消去部は、前記第2のテーブルに基づいて、無効なデータが書き込まれた物理ブロックのデータを消去する、ことを特徴とする記憶装置である。 The logical address / physical address conversion table generation unit allocates a new physical address to the logical address based on the first table, and generates the logical address / physical address conversion table, the erased portion, the second based on the table, invalid data erasing data of the written physical block, it is a storage device according to claim. 【0011】請求項3に記載の発明は、前記論理アドレス/物理アドレス変換テーブルは、第1の論理アドレス/物理アドレス変換テーブルと、第2の論理アドレス/ [0011] The invention according to claim 3, wherein the logical address / physical address conversion table, a first logical address / physical address conversion table, a second logical address /
物理アドレス変換テーブルとを含み、少なくとも1つの前記物理ブロックは、複数の論理アドレスと物理アドレスとの関係を示す第2の論理アドレス/物理アドレス変換テーブルを更に有し、前記第1の論理アドレス/物理アドレス変換テーブルは、前記第2の論理アドレス/物理アドレス変換テーブルと、前記第2の論理アドレス/ And a physical address conversion table, at least one of said physical block further has a second logical address / physical address conversion table showing the relationship between the plurality of logical addresses and physical addresses, the first logical address / physical address conversion table, and the second logical address / physical address conversion table, the second logical address /
物理アドレス変換テーブルが格納されている物理ブロックのアドレスとの関係を示し、前記物理ブロックに書き込まれたデータが無効になった場合は、前記論理アドレス/物理アドレス変換テーブル作成部は、対応する前記第2の論理アドレス/物理アドレス変換テーブルを、新たな物理ブロックに書き換え、前記第1の論理アドレス/物理アドレス変換テーブルを書き換える、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の記憶装置である。 Shows the relationship between the address of the physical block physical address conversion table is stored, if the data written in the physical block is disabled, the logical address / physical address conversion table generation unit, said corresponding a second logical address / physical address conversion table, rewriting a new physical block, rewriting the first logical address / physical address conversion table, that memory device according to claim 1 or claim 2, wherein it is. 【0012】請求項4に記載の発明は、不揮発性記憶媒体と、データ書き込み部と、消去部と、を有し、前記不揮発性記憶媒体は複数の物理ブロック群を有し、前記物理ブロック群は複数の物理ブロックを有し、前記物理ブロックは、前記物理ブロックを分割した複数の領域を有し、前記データ書き込み部は、それぞれ異なる物理ブロック群に属する複数の前記領域の集合である論理ブロックを単位としてデータを書き込み、且つ前記論理ブロックを構成する複数の前記領域の集合を示すリンクテーブルを生成し、前記消去部は、前記論理ブロックに含まれるひとつの前記領域にデータが無効であることを書き込むことにより前記リンクテーブルで関連付けられた全ての前記領域に書き込まれたデータを無効化し、前記物理ブロックに含まれ [0012] According to a fourth aspect of the invention includes a non-volatile storage medium, and a data writing unit, and a deleting unit, wherein the non-volatile storage medium includes a plurality of physical blocks, the physical block group logical block has a plurality of physical blocks, the physical block has a plurality of regions obtained by dividing the physical block, the data writing unit is a set of a plurality of the regions belonging to different physical block group respectively writes data in units of, and creates a link table indicating a set of a plurality of said areas constituting the logical block, the erase unit, that the data is invalid in said region of one included in the logic block invalidates the data written into all of the regions associated with the link table by writing, it included in the physical block 全ての前記領域が無効化された後、 After all of the regions are invalidated,
その物理ブロックを消去する、ことを特徴とする記憶装置である。 Erases the physical block, it is a storage device according to claim. 【0013】本発明により、不揮発性記憶媒体全体でどの物理ブロックが消去済みであり、どの物理ブロック又は部分論理ブロックに無効なデータが書き込まれているかを、不揮発性記憶媒体全体として管理する記憶装置を実現できる。 [0013] The present invention, which physical blocks in the entire non-volatile storage medium is erased, which physical block or partial invalid data in the logical block is written, a storage device that manages the entire nonvolatile storage medium It can be realized. 機会があれば何時でも消去部は無効なデータが書き込まれている物理ブロックを消去することができる。 Erasing section at any time if there is an opportunity may be erased physical blocks invalid data is written. このため、消去要求に対し、高速、かつ、効率的な制御が可能となる。 Thus, to erase request, high speed, and enables efficient control. 1個の物理ブロックが、無効なデータが書き込まれた部分論理ブロックと有効なデータが書き込まれた部分論理ブロックとを有する場合に、有効な部分論理ブロックのみを他の物理ブロック内にコピーし、その物理ブロックを消去することができる。 One physical block, if the invalid data and an written partial logical blocks and valid data is written partial logical blocks, copies only valid partial logical block to another physical block, it is possible to erase the physical block. 【0014】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施をするための最良の形態を具体的に示した実施例について、図面とともに記載する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Hereinafter, the best specific embodiment shown the form for the implementation of the present invention will be described in conjunction with the accompanying drawings. 【0015】《実施例1》図1〜12を用いて、実施例1の不揮発性記憶媒体を有する記憶装置を説明する。 [0015] Using an "Example 1" Figure 1-12, a storage device having a nonvolatile memory medium of Example 1 will be described. 図1は、本発明の実施例1の不揮発性記憶媒体を有する記憶装置の構成を示す。 Figure 1 shows the structure of a memory device having a nonvolatile storage medium of Example 1 of the present invention. 本発明の実施例1の記憶装置が、 Storage device of the first embodiment of the present invention,
従来例(図13)と異なるところは論理アドレス/物理アドレス変換テーブル134の替わりに間接アドレス変換テーブル(第1の論理アドレス/物理アドレス変換テーブル)4を有し、データ有効性テーブル(第2のテーブル)5を追加したことである。 Prior art (FIG. 13) differs from the has an indirect address conversion table (first logical address / physical address conversion table) 4 instead of the logical address / physical address conversion table 134, data validity table (second is that you add a table) 5. それ以外は同一の構成を有する。 Otherwise it has the same configuration. 図1において、1は不揮発性記憶装置、8はデータ入出力装置である。 In Figure 1, 1 is a non-volatile memory device, 8 is a data input-output device. 不揮発性記憶装置1は、不揮発性記憶媒体2、制御部3を有する。 The nonvolatile memory device 1 includes a non-volatile storage medium 2, a controller 3. さらに制御部3は、 Furthermore, the control unit 3,
間接アドレス変換テーブル(第1の論理アドレス/物理アドレス変換テーブル)4、データ有効性テーブル(第2 Indirect address conversion table (first logical address / physical address conversion table) 4, data validity table (second
のテーブル)5、エントリテーブル(第1のテーブル) Of table) 5, entry table (first table)
6、入出力制御部7を有する。 6, has an input-output control unit 7. 【0016】不揮発性記憶装置1は、不揮発性記憶媒体2に新たなデータを書き込む時、エントリテーブル6を参照して消去済みの物理ブロックを検出し、その物理ブロックに新たなデータを書き込む。 The nonvolatile memory device 1, when the new data is written to the nonvolatile storage medium 2, referring to the entry table 6 detects an erased physical block, new data is written to the physical block. 次に、不揮発性記憶装置1は、新たなデータの論理的なアドレスと、新たなデータを書き込んだ物理ブロックの物理アドレス(不揮発性記憶媒体2の物理的な位置を特定するアドレス)とを対応付けて、間接アドレス変換テーブル(第1の論理アドレス/物理アドレス変換テーブル)4と不揮発性記憶媒体内に有する直接アドレス変換テーブル(第2の論理アドレス/物理アドレス変換テーブル)に書き込む。 Next, the nonvolatile memory device 1, corresponding with the logical address of the new data, and the physical address of writing new data physical block (address specifying the physical location of the non-volatile storage medium 2) attached to, written to the indirect address translation table (first logical address / physical address conversion table) 4 directly address conversion table (second logical address / physical address conversion table) with the non-volatile storage medium.
不揮発性記憶媒体2のデータを消去する場合については図10〜12で後述する。 The case of erasing data in the non-volatile storage medium 2 will be described later in Figures 10-12. 【0017】図2は、本発明の実施例1の不揮発性記憶装置1の不揮発性記憶媒体2の構成を示す。 [0017] Figure 2 shows a non-volatile storage medium 2 configuration of the nonvolatile memory device 1 of the first embodiment of the present invention. 図2において、1−1、1−2、…1−2048、2−1、…8− 2, 1-1, 1-2, ... 1-2048,2-1, ... 8-
2048はそれぞれ1個の物理ブロックを表す。 2048 each represents one physical block. 物理ブロック1−1、…1−2048をまとめて第1の物理ブロック群と言う。 Physical block 1-1, collectively ... 1-2048 say that the first physical block group. 第2の物理ブロック群から第8の物理ブロック群も同様である。 Physical block group of the 8 second physical block group is similar. 1個の不揮発性記憶媒体2 One non-volatile storage medium 2
(記憶素子)はそれぞれ2048(=2 11 )個の物理ブロックを有する8個の物理ブロック群から成り、合計16 (Storage element) consists respectively 2048 (= 2 11) 8 physical block group having a number of physical blocks, a total of 16
384(=2 14 )個の物理ブロックを有する。 Having 384 (= 2 14) pieces of physical blocks. 【0018】また、8個のブロック群のそれぞれから1 [0018] In addition, 1 from each of the eight blocks
個の物理ブロックを選択し1個の物理ブロックセットを構成する。 Select the number of physical blocks constituting one physical block set. 例えば図のように、1−1、2−2、3− For example, as shown, 1-1,2-2,3-
3、4−3、5−2、6−2048、7−1、8−3を第1の物理ブロックセットと呼ぶ。 The 3,4-3,5-2,6-2048,7-1,8-3 referred to as a first physical block set. 不揮発性記憶媒体2 Non-volatile storage medium 2
はデータを書き込むのに時間がかかる。 It takes a long time to write the data. このため、制御部3は入力した8個のデータをまとめて物理ブロックセットに1度に書き込む。 Therefore, the control unit 3 writes once the physical block set together eight data input. 8個の物理ブロック(1個の物理ブロックセット)に同時にデータを書き込むことによりデータのビット幅が8倍になり、不揮発性記憶装置1 The bit width of the data by writing the eight physical blocks (one physical block set) at the same time the data becomes 8 times, the nonvolatile memory device 1
の実行的な書き込み速度を8倍にすることができる。 The execution specific writing speed can be eight times. しかし、同一の物理ブロック群の複数の物理ブロックには同時に書き込みはできない。 However, it can not write simultaneously to a plurality of physical blocks of the same physical block group. 【0019】図3は、本発明の実施例1の不揮発性記憶装置1の不揮発性記憶媒体2の第1の物理ブロックセットの構成を示す。 [0019] Figure 3 shows a first physical block set configuration of a nonvolatile memory medium 2 in the nonvolatile memory device 1 of the first embodiment of the present invention. 図3において、物理ブロック1−1 3, a physical block 1-1
は、8個の部分論理ブロック1−1A、1−1B、1− Is, eight partial logical block 1-1A, 1-1B, 1-
1C、…1−1Hから成る。 1C, ... consists of 1-1H. 物理ブロックセット内に含まれる全ての物理ブロックから部分論理ブロックを1個ずつ順番に選択し、1個の論理ブロックを構成する。 Sequentially selects from all physical blocks included in the physical block in the set partial logical block one by one, constituting one logical block. 例えば図のように、1−1A、2−2A、3−3A、4− For example, as in Fig, 1-1A, 2-2A, 3-3A, 4-
3A、5−2A、6−2048A、7−1A、8−3A 3A, 5-2A, 6-2048A, 7-1A, 8-3A
を第1の論理ブロックと呼ぶ。 It called a first logical block. 1個の物理ブロック、論理ブロックは32ページであり、1個の部分論理ブロックは4ページである。 One physical block, the logical block is 32 pages, one partial logical block is four pages. 【0020】図4は、本発明の実施例1の不揮発性記憶装置1の不揮発性記憶媒体2の物理ブロックの冗長領域の詳細を示す。 [0020] Figure 4 shows details of the redundancy area of ​​the nonvolatile storage medium 2 of the physical block of the nonvolatile memory device 1 of the first embodiment of the present invention. 部分論理ブロックはデータを記録するデータ領域の他に、冗長領域を有する。 Partial logical block to another data area for recording data, a redundant area. 第1の物理ブロック群のそれぞれの部分論理ブロックは冗長領域に有効性フラグを有する。 Each partial logical block of the first physical block group has a validity flag in the redundant area. 第1の物理ブロック群の幾つかの部分論理ブロックは冗長領域にリンクテーブルを有し、又は直接アドレス変換テーブル(第2の論理アドレス/物理アドレス変換テーブル)を有し、又はリンクテーブル及び直接アドレス変換テーブルを有する。 Some portions logical blocks of the first physical block group has a link table in the redundant area, or directly has an address conversion table (second logical address / physical address conversion table), or the link table and directly address It includes a conversion table. 【0021】直接アドレス変換テーブルは、第1の物理ブロック群に含まれる8つの部分論理ブロックについての論理アドレスから物理アドレス(部分論理ブロックの物理的なアドレス)への変換テーブルである。 The direct address conversion table is a conversion table of logical addresses of the eight partial logical blocks included in the first physical block group into a physical address (a physical address of a partial logical blocks). リンクテーブルは、論理ブロックを構成している第2〜第8の物理ブロック群に含まれる7つの部分論理ブロック(第1 Link table, seven partial logical blocks included in the second to the physical block group eighth constituting the logical block (first
の物理ブロック群に含まれ、そのリンクテーブルを有する部分論理ブロックを除く)の物理アドレス(部分論理ブロックの物理的なアドレス)テーブルである。 It included in the physical block group, which is a physical address) table of the physical address (partial logical blocks excluding the portions logical blocks) with the link table. 有効性フラグは、直接アドレス変換テーブルの有効無効を示すフラグである。 Effectiveness flag is a flag indicating valid or invalid of the direct address translation table. 第2〜8の物理ブロック群の部分論理ブロックの幾つかは冗長領域に直接アドレス変換テーブルを有する。 Some of the 2-8 physical block group partial logical block has a direct address translation table in the redundant area. 【0022】各物理ブロックの先頭の部分論理ブロックは、その部分論理ブロックが含まれる物理ブロックが消去済みか否かを判定できる第1のデータを有する。 The beginning of the partial logical block of each physical block has a first data physical block containing that partial logical blocks can be determined whether erased. 第1 First
のデータは、例えば8ビットのデータであってFFHであればその物理ブロックは消去済みであり、FFH以外の値であればその物理ブロックは消去済みでない。 The data are the physical block is already erased if FFH an 8-bit data, for example, the physical block if the value of the non-FFH is not erased. 第1 First
のデータは、その物理ブロックが消去済みであるか否かの判定をする以外の用途を有していても良い。 Data may have applications other than the physical block is determined whether or not erased. 書き込みは物理ブロックセットを単位として行い、消去は物理ブロックを単位として行う。 Writing is performed physical block set as a unit, erasing performs physical block units. 書き込んだデータが有効であるか否かは論理ブロック単位で決定できる。 Whether written data is valid it can be determined in units of logical blocks. 【0023】図5は、本発明の実施例1の不揮発性記憶装置1のデータ有効性テーブル5の構成を示す。 [0023] FIG. 5 shows a configuration of a data validity table 5 of the nonvolatile memory device 1 of the first embodiment of the present invention. 不揮発性記憶装置1の第2のテーブル作成部(図示していない) The second table creating unit of the nonvolatile memory device 1 (not shown)
は、電源投入時にデータ有効性テーブル5をRAM上に生成し、その後必要に応じてテーブルのデータを変更する。 The data validity table 5 at power-up and generated on RAM, and changing the table of data as then necessary. 図5において、データ有効性テーブル5は、それぞれのビットが部分論理ブロックに対応したビットマップの構成をとる。 5, data validity table 5 takes each bit is the configuration of the bit map corresponding to the partial logical blocks. それぞれのビットは、該当する部分論理ブロックの書き込みデータの有効性を示す。 Each bit, indicating the validity of the write data of the corresponding partial logical blocks. 各ビットは、0が「書き込みデータ無効」、1が「書き込みデータ有効」を示す。 Each bit is 0 is "invalid write data" 1 indicates "write data valid". 【0024】図6は、本発明の実施例1の不揮発性記憶装置1のエントリテーブル6の構成を示す。 [0024] FIG. 6 shows a configuration of an entry table 6 of the nonvolatile memory device 1 of the first embodiment of the present invention. 不揮発性記憶装置1の第1のテーブル作成部(図示していない)は、 First table creation unit of the nonvolatile memory device 1 (not shown)
電源投入時にエントリテーブル6をRAM上に生成し、 The entry table 6 generated on the RAM when the power is turned on,
その後必要に応じてテーブルのデータを変更する。 Then change the table of data as needed. 図6 Figure 6
において、エントリテーブル6は、それぞれのビットが物理ブロックに対応したビットマップの構成をとる。 In the entry table 6, each bit takes the configuration of a bit map corresponding to the physical block. それぞれのビットは、該当する物理ブロックの状態を示す。 Each bit indicates a state of the relevant physical block. 各ビットは、0が「使用中、又は不良ブロック」、 Each bit is 0 is "busy, or bad blocks"
1が「消去済」を示す。 1 indicates "erased". 【0025】図7は、本発明の実施例1の不揮発性記憶装置1の起動時のフローチャートである。 FIG. 7 is a flowchart of a startup nonvolatile memory device 1 of the first embodiment of the present invention. 図7において、ステップ701で第1のテーブル作成部は、第1のデータに基づいてエントリテーブル6をRAM上に生成する。 7, a first table generating unit in step 701, the entry table 6 produces in the RAM based on the first data. ステップ702で第2のテーブル作成部は、有効性フラグ及び直接アドレス変換テーブルに基づいてデータ有効性テーブル5をRAM上に生成する。 The second table generating unit in step 702, the data validity table 5 generates on the RAM on the basis of the validity flag and direct address translation table. 1個の部分論理ブロックを読むことにより、その論理ブロックの直接アドレス変換テーブルで関連付けられた8個の論理ブロックのデータ有効性テーブル5の値を決定することができる。 By reading one partial logical blocks, it is possible to determine the value of data validity table 5 of the eight logical blocks associated with the direct address translation table of the logical block. ステップ703で論理アドレスに基づいて間接アドレス変換テーブル4をRAM上に生成しこのフローチャートを終了する。 In step 703 based on the logical address indirect address translation table 4 generated on the RAM and ends this flowchart. 【0026】図8は、本発明の実施例1の不揮発性記憶装置1の読み出し時のフローチャートである。 [0026] FIG. 8 is a flowchart at the time of reading the nonvolatile memory device 1 of the first embodiment of the present invention. 図8において、ステップ801で読み出し要求が外部から入力される。 8, the read request is input from the outside in step 801. ステップ802で間接アドレス変換テーブル4に基づいて直接アドレス変換テーブルを特定する。 Step 802 identifies a direct address translation table based on the indirect address translation table 4. ステップ803で直接アドレス変換テーブルに基づいて物理アドレスを特定する。 To identify the physical address based on the direct address translation table at step 803. ステップ804で物理アドレスよりデータを読み出しこのフローチャートを終了する。 In Step 804 reads data from the physical address and ends this flowchart. 【0027】図9は、本発明の実施例1の不揮発性記憶装置1の書き込み時のフローチャートである。 [0027] FIG 9 is a flowchart at the time of writing of the nonvolatile memory device 1 of the first embodiment of the present invention. 図9において、新規にデータが書き込まれるときステップ901 9, step when new data is written 901
で書き込み要求が外部から入力される。 In the write request is input from the outside. ステップ902 Step 902
で新規物理ブロックの取得が必要か否か判断する。 In the acquisition of new physical block it is judged whether it is necessary. 必要な場合は、ステップ903に進みエントリテーブル6に基づいて消去済みの物理ブロックを特定する。 If necessary, to identify the erased physical block based on the entry table 6 proceeds to step 903. ステップ904で第1のテーブル作成部は、エントリテーブル6 The first table generating unit in step 904, the entry table 6
上のその物理ブロックの値を0「使用中、又は不良ブロック」に更新する。 The value of the physical block of the upper updated to 0 "during use, or bad blocks". ステップ902で必要でない場合は、ステップ903、904をスキップする。 If not required in step 902, skipping steps 903 and 904. 【0028】ステップ905でその論理ブロックに含まれる第1の物理ブロック群の部分論理ブロックのリンクテーブルを生成する。 [0028] generating a first physical block group link table portion logical blocks included in the logical block in step 905. ステップ906でその論理ブロックに含まれる第1の物理ブロック群の部分論理ブロックの有効性フラグを有効に設定する。 The effectiveness flag of the partial logical block of the first physical block group included in the logical block in step 906 is set to enable. ステップ907で直接アドレス変換テーブルを生成する。 Generating a direct address translation table at step 907. ステップ908でその物理ブロックに新規なデータを書き込む。 Writing new data to the physical block in step 908. その物理ブロックの先頭の部分論理ブロックの第1のデータは書き込まれていることを示す値に設定される。 The first data of the leading portion logical block of the physical block is set to a value indicating that it is written. ステップ9 Step 9
09で第2のテーブル作成部は、データ有効性テーブル5上のその論理ブロックに含まれる部分論理ブロックの値を1「書き込みデータ有効」に更新する。 The second table creating unit 09 updates the value of the partial logical blocks included in the logical block on a data validity table 5 in 1 "write data valid". ステップ9 Step 9
10で間接アドレス変換テーブル4を更新しこのフローチャートを終了する。 10 updates the indirect address translation table 4 and ends this flowchart. 【0029】図10は、本発明の実施例1の不揮発性記憶装置1の消去時のフローチャートである。 FIG. 10 is a flowchart of the erasure of the nonvolatile memory device 1 of the first embodiment of the present invention. 図10において、ステップ1001で消去要求が外部から入力される。 10, erase request at step 1001 is input from the outside. ステップ1002でその論理ブロックに含まれる第1の物理ブロック群の部分論理ブロックの有効性フラグを無効に設定する。 The effectiveness flag of the partial logical block of the first physical block group included in the logical block in step 1002 is disabled. ステップ1003で直接アドレス変換テーブルを更新する。 Update directly address conversion table at step 1003. ステップ1004で第2のテーブル作成部は、データ有効性テーブル5上の消去対象の論理ブロックの値を0「書き込みデータ無効」に更新する。 The second table generating unit in step 1004 updates the value of logical block to be erased on the data validity table 5 to 0 "invalid write data". ステップ1005で間接アドレス変換テーブル4を更新する。 Update indirect address translation table 4 in step 1005. ステップ1001〜1005は論理的消去である。 Step 1001 to 1005 is logically erased. 【0030】次にステップ1006で消去部は、その物理ブロックのすべてのデータを消去する。 [0030] Next erasing section at step 1006, erasing all the data in the physical block. 例えばデータは全て1になる。 For example, the data is all in one. その物理ブロックの第1のデータは消去済みであることを示す値に設定される。 The first data of the physical block is set to a value indicating that the erased. ステップ10 Step 10
07で第1のテーブル作成部は、エントリテーブル6上のその物理ブロックの値を1「消去済」に更新する。 First table creation unit 07 updates the value of the physical blocks on the entry table 6 in 1 "erased". ステップ1006、1007で物理的消去を行いこのフローチャートを終了する。 It performs physical erase at step 1006 and ends this flowchart. なお物理的消去は、論理的消去の直後に実施する必要はなく、保留にしておき別の事象により実施しても良い。 Note physical erasure need not be performed immediately after the logical erasing may be performed by different events keep on hold. 【0031】それぞれ別個の物理ブロックに含まれる複数の部分論理ブロックを有する論理ブロックを論理的に消去する場合、その論理ブロックのデータ有効性フラグを無効に設定し、直接アドレス変換テーブルを更新する。 [0031] When erasing each logical block having a plurality of partial logical blocks included in separate physical blocks logically to disable the data validity flag of the logic blocks, and updates the direct address translation table. その論理ブロックを直接アドレス変換テーブルから除外し、その論理ブロックに代わる新たな論理ブロックがあれば、新たな論理ブロックを直接アドレス変換テーブルに追加する。 Its exclude logical blocks directly from the address translation table, if there is a new logical block in place of the logical blocks, adding a new logical block directly to the address translation table. 一般に更新された直接アドレス変換テーブルは、更新前のテーブルが書かれていた部分論理ブロックと物理位置が異なる部分論理ブロックに書かれる故、間接アドレス変換テーブルも更新され、データ有効性テーブルも更新される。 Generally direct address conversion table is updated, because the partial logical block and the physical position table has been written before the update is written into different partial logical blocks, also indirect address conversion table is updated, data validity table is also updated that. 有効性フラグと直接アドレス変換テーブルの書き換えのみで当該直接アドレス変換テーブルに関連付けられた全ての論理ブロックを無効化することができる。 You can disable all the logical blocks associated with the direct address translation table only rewriting of the validity flag a direct address translation table. 【0032】図11は、本発明の実施例1の不揮発性記憶装置1のエントリテーブル6とデータ有効性テーブル5のデータの組み合わせを示す。 [0032] FIG. 11 shows a combination of data of the nonvolatile memory device 1 of the entry table 6 and data validity table 5 of Example 1 of the present invention. 図11において、物理的消去を行う場合、エントリテーブルとデータ有効性テーブルを検索することで物理的消去を行う物理ブロックを選択する。 11, when performing physical erase, select a physical block for physical erasure by searching the entry table and data validity table. データ有効性テーブル5のそれぞれのビットは部分論理ブロックに対応しており、エントリテーブル6のそれぞれのビットは物理ブロックに対応している。 Each bit of the data validity table 5 corresponds to the partial logic block, each bit of the entry table 6 corresponds to the physical block. このため、エントリテーブル1ビットは、データ有効性テーブルの連続する8ビットに対応している。 Therefore, entry table 1 bit corresponds to 8 bits of consecutive data validity table. 【0033】エントリテーブルが0「使用中、又は不良ブロック」で、対応するデータ有効性テーブルの8ビットがすべて0「書き込みデータ無効」のとき、この物理ブロックを物理的に消去できる。 The "in use or bad block" entry table 0, when all 8 bits of the corresponding data validity table 0 "invalid write data", can delete this physical block physically. エントリテーブルが0 Entry table 0
「使用中、又は不良ブロック」で、対応するデータ有効性テーブルの8ビットの内6個が0「書き込みデータ無効」で2個が1「書き込みデータ有効」のとき、この物理ブロックを物理的に消去できない。 In "in use, or bad block", when six of the eight bits of the corresponding data validity table 0 2 in "invalid write data" 1 "write data valid", physically the physical block It can not be erased. エントリテーブルが0「使用中、又は不良ブロック」で、対応するデータ有効性テーブルの8ビットの内2個が0「書き込みデータ無効」で6個が1「書き込みデータ有効」のとき、この物理ブロックを物理的に消去できない。 "During use, or bad block" entry table 0, when two of the 8 bits of the corresponding data validity table 0 6 in "invalid write data" 1 "write data valid", this physical block that can not be physically erased. エントリテーブルが0「使用中、又は不良ブロック」で、対応するデータ有効性テーブルの8ビットがすべて1「書き込みデータ有効」のとき、この物理ブロックを物理的に消去できない。 "During use, or bad block" entry table 0, when all 8 bits of the corresponding data validity table 1 "write data valid", can not be erased by the physical block physically. 【0034】エントリテーブルが1「消去済」であればこの物理ブロックは消去済みである。 [0034] If the entry table is a 1 "erased" this physical block is erased. このように、物理的消去を行う場合、エントリテーブルが0「使用中、又は不良ブロック」で、対応するデータ有効性テーブルの8ビットがすべて0「書き込みデータ無効」の物理ブロックを検索することで物理的消去を行う物理ブロックを選択する。 Thus, when performing physical erase, "in use, or bad block" entry table 0, that 8 bits of the corresponding data validity table to find the physical blocks of all 0 "invalid write data" selecting a physical block for physical erasing. 【0035】物理ブロックが有効なデータを有する部分論理ブロックと無効なデータを有する部分論理ブロックとを有する場合、有効なデータを他の物理ブロックにコピーすることにより、その物理ブロックを消去することができる。 [0035] When a physical block and a partial logical block having invalid data and partial logical block having a valid data by copying valid data to another physical block, it erases the physical block it can. 物理ブロックが有する8個の部分論理ブロックの中で、有効なデータを有する部分論理ブロックの数が少なく無効なデータを有する部分論理ブロックの数が多ければ、コピーに必要な他の物理ブロックの数が少なくて済み、且つ短時間でコピーを完了してその物理ブロックを消去することができる。 Among the eight partial logical blocks physical block has, the more the number of partial logical blocks having a number less invalid data portions logical blocks having valid data, a number of other physical blocks required for copying fewer and short time to complete the copy can be erased its physical block. 図12を用いて、物理ブロックが有効なデータを有する部分論理ブロックと無効なデータを有する部分論理ブロックとを有する場合の効率的な物理ブロック消去を行うための処理について説明する。 With reference to FIG. 12, the physical block is processed will be described for efficient physical block erase when having a partial logical block having invalid data and partial logical block having valid data. 図12は、本発明の実施例1の不揮発性記憶装置1の効率化処理のフローチャートである。 Figure 12 is a flowchart of efficient processing of the nonvolatile memory device 1 of the first embodiment of the present invention. 【0036】図12において、ステップ1201でkに初期値1を設定する。 [0036] In FIG 12, an initial value 1 to k at step 1201. ステップ1202でiに初期値1 The initial value to i in step 1202 1
を設定する。 To set. ステップ1203で物理ブロック番号jに初期値1を設定する。 An initial value 1 to the physical block number j in step 1203. ステップ1204で第j番目の物理ブロック内の8個の部分論理ブロックのデータ有効性テーブルの値が1「書き込みデータ有効」の数の和mを求める。 The value of the data validity table eight partial logical blocks in the j-th physical block in step 1204 determine the number of the sum m of 1 "write data valid". ステップ1205でmとkが等しいか否か判断する。 m and k are determines whether equal in step 1205. mとkが等しい場合、ステップ1206に進みj If m and k are equal, j proceeds to step 1206
の値(L(i)=j)を記憶する。 Storing the value (L (i) = j). ステップ1207でiに1を加算する。 It adds 1 to i in step 1207. ステップ1205でmとkが等しくない場合は、ステップ1206、1207をスキップする。 If m and k are not equal in step 1205, skipping steps 1206 and 1207.
ステップ1208で物理ブロック番号jに1を加算する。 1 is added to the physical block number j in step 1208. ステップ1209で物理ブロック番号jが最後の物理ブロック番号より大きいか否か判断する。 Physical block number j to determine whether greater or not than the last physical block number in step 1209. 最後の物理ブロックになるまで、つまりjが最後の物理ブロック番号以下の場合は、ステップ1204に戻り処理を繰り返す。 Until the end of the physical block, that is, if j is less than the last physical block number, repeat the process returns to step 1204. 【0037】全物理ブロックの処理が一通り終了した場合、つまりjが最後の物理ブロック番号より大きい場合は、ステップ1210に進む。 [0037] If the processing of all the physical blocks has been completed is that is, if j is larger than the last physical block number, the process proceeds to step 1210. ステップ1210で第L The L in step 1210
(i)番目の物理ブロックの有効なデータをまとめて他の物理ブロックに書き込む。 (I) th physical block together valid data written to another physical block. ステップ1211で第L(i) In step 1211 the L (i)
番目の物理ブロックを物理的に消去する。 Physically erasing th physical block. ステップ12 Step 12
12で消去を継続するか否か判断する。 To determine whether or not to continue the erase 12. 継続する場合は、ステップ1213に進む。 If you want to continue, the process proceeds to step 1213. 継続しない場合は、このフローチャートを終了する。 If not continued, and ends this flowchart. ステップ1213でkに1 1 in step 1213 to k
を加算する。 It is added to. ステップ1214でkが5以上か否か判断する。 k is determined whether 5 or more in step 1214. kが5より小さい場合は、ステップ1202に戻り処理を繰り返す。 k if less than 5 repeats the processing returns to step 1202. kが5以上の場合は、このフロチャートを終了する。 k is in the case of 5 or more, to end this flow chart. 本実施例では8個の部分論理ブロックの内有効な部分論理ブロックが半分以下の場合効率化処理を行うことにしているが、この値は任意に変更できる。 While decided to carry out the eight partial logical if the inner active partial logical blocks of the block is less than half efficiency process in the present embodiment, this value can be arbitrarily changed. 実施例の記憶装置では、他の物理ブロックにコピーすべき有効なデータが少ない物理ブロックから順番に消去する。 In the storage apparatus of the embodiment deletes the order from valid data is less physical blocks to be copied to another physical block. これにより、効率的な消去が実現できる。 Thus, efficient erasure can be achieved. 【0038】 【発明の効果】本発明によれば、消去処理を論理的消去と物理的消去に分離し、論理的消去のみを先に行い、他の処理に合わせた適切なタイミングで物理的消去を実施する記憶装置を実現できるという有利な効果が得られる。 [0038] According to the present invention, to separate the erasing process to logically erase the physical erasing, it performs only logically erased earlier, physical erase at the right time to suit other process advantageous effect of the storage device to implement can be realized is obtained. 本発明によれば、第2のテーブルを利用して高速かつ効率的な消去を実行する記憶装置を実現できるという有利な効果が得られる。 According to the present invention, an advantageous effect that the storage device can be realized by utilizing a second table to perform fast and efficient erasure is obtained. 本発明によれば、無効なデータが蓄積して空き領域がなくなることを回避できるという効果が得られる。 According to the present invention, effect that can be avoided that the free space disappears and invalid data storage. 【0039】本発明によれば、第2の論理アドレス/物理アドレス変換テーブルを不揮発性記憶媒体に記録することにより、第1の論理アドレス/物理アドレス変換テーブルの情報量を少なくし、論理アドレス/物理アドレス変換テーブルを記憶するために必要なRAMの容量を小さくすることができる。 According to the present invention, by recording a second logical address / physical address conversion table in the nonvolatile storage medium, to reduce the information amount of the first logical address / physical address conversion table, the logical address / it is possible to reduce the amount of RAM required to store the physical address conversion table. 本発明によれば、小さな容量のRAMで論理アドレスを物理アドレスに変換する記憶装置を実現できるという有利は効果が得られる。 According to the present invention, advantageously being able to realize a memory device for converting a logical address into a physical address in a small amount of RAM effects. 本発明によれば、有効性フラグと直接アドレス変換テーブルを利用して効率的な論理ブロックの無効化を実行する記憶装置を実現できるという有利な効果が得られる。 According to the present invention, an advantageous effect that the storage device can be realized to perform the invalidation of the validity flag directly by using the address conversion table efficient logical block is obtained.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の実施例1の不揮発性記憶媒体を有する記憶装置の構成図【図2】本発明の実施例1の記憶装置の不揮発性記憶媒体の構成図【図3】本発明の実施例1の記憶装置の不揮発性記憶媒体の第1の物理ブロックセットの構成図【図4】本発明の実施例1の記憶装置の不揮発性記憶媒体の物理ブロックの冗長領域の詳細図【図5】本発明の実施例1の記憶装置のデータ有効性テーブルの構成図【図6】本発明の実施例1の記憶装置のエントリテーブルの構成図【図7】本発明の実施例1の記憶装置の起動時のフローチャート【図8】本発明の実施例1の記憶装置の読み出し時のフローチャート【図9】本発明の実施例1の記憶装置の書き込み時のフローチャート【図10】本発明の実施例1の記憶装置の消去時 Construction of a nonvolatile storage medium of the storage device of the first embodiment of the block diagram of a memory device having a nonvolatile storage medium [2] The present invention of Example 1 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS [Figure 1] The present invention [Figure 3] of the physical block of the first non-volatile storage medium of the storage device of the first embodiment of the block diagram of a physical block set [4] the present invention non-volatile storage medium of the storage device of the first embodiment of the present invention block diagram of data validity table storage block diagram of an entry table of the storage device of the first embodiment of the invention; FIG 7 embodiment 1 of the redundant detailed view of a region [5] the present invention flow chart of writing the storage device of example 1 of the flow chart Figure 9 the exemplary embodiment of the present invention when the storage device of example 1 of the flow chart the present invention; FIG startup of the storage device of the first embodiment of the read invention 10] erasing the memory device of the first embodiment of the present invention のフローチャート【図11】本発明の実施例1の記憶装置のエントリテーブルとデータ有効性テーブルのデータの組み合わせを示す図【図12】本発明の実施例1の記憶装置の効率化処理のフローチャート【図13】従来の不揮発性記憶媒体を有する記憶装置の構成図【符号の説明】 1、131 不揮発性記憶装置2、132 不揮発性記憶媒体3、133 制御部4 間接アドレス変換テーブル(第1の論理アドレス/物理アドレス変換テーブル) 5 データ有効性テーブル(第2のテーブル) 6、136 エントリテーブル(第1のテーブル) 7、137 入出力制御部8、138 データ入出力装置134 論理アドレス/物理アドレス変換テーブル Flow chart of the flow chart 11 of efficient processing of the storage device of the first embodiment of the present diagram showing a combination of data entry table and data validity table of the storage device of the first embodiment of the invention the present invention; FIG [ 13] conventional block diagram of a memory device having a nonvolatile storage medium [eXPLANATION oF sYMBOLS] 1,131 nonvolatile memory 2,132 nonvolatile storage medium 3,133 controller 4 indirect address translation table (first logical address / physical address conversion table) 5 data validity table (second table) 6,136 entry table (first table) 7,137 output control unit 8,138 data input-output device 134 the logical address / physical address conversion table

フロントページの続き (72)発明者 竹内 昭夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内Fターム(参考) 5B025 AD08 AE00 AE05 5B060 AA06 AA13 AA14 AB25 AC11 Front page of the continuation (72) inventor Takeuchi, Akio Osaka Prefecture Kadoma Oaza Kadoma 1006 address Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. in the F-term (reference) 5B025 AD08 AE00 AE05 5B060 AA06 AA13 AA14 AB25 AC11

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 不揮発性記憶媒体と、第1のテーブル作成部と、第2のテーブル作成部と、論理アドレス/物理アドレス変換テーブル作成部と、消去部と、を有し、 前記不揮発性記憶媒体は複数の物理ブロックを有し、 前記物理ブロックは、データを格納するためのデータ領域と、その物理ブロックにデータが書き込まれているか否かを示す第1のデータと、その物理ブロックに書き込まれているデータが無効なデータであるか否かを示す第2のデータとを有し、 前記第1のテーブル作成部は、前記物理ブロックのアドレスと前記第1のデータとの関係を示す第1のテーブルを作成し、 前記第2のテーブル作成部は、前記物理ブロックのアドレスと前記第2のデータとの関係を示す第2のテーブルを作成し、 前記論理ア And Claims 1. A non-volatile storage medium, a first table creating section, a second table creating unit, and a logical address / physical address conversion table creating unit, and a deleting unit, Yu and, the non-volatile storage medium includes a plurality of physical blocks, the physical blocks includes a data area for storing data, a first data indicating whether the data in the physical block has been written , and a second data indicating whether the data written in the physical block is invalid data, the first table creating unit, the physical block address and the first data create a first table showing the relationship between, the second table creating unit creates the second table showing the relationship between the physical block addresses and said second data, said logical a ドレス/物理アドレス変換テーブル作成部は、前記第1のテーブルに基づいて論理アドレスに新たな物理アドレスを割り当てて、論理アドレス/物理アドレス変換テーブルを生成し、 前記消去部は、前記第2のテーブルに基づいて、無効なデータが書き込まれた物理ブロックのデータを消去する、 ことを特徴とする記憶装置。 Dress / physical address translation table creation unit on the basis of the first table by assigning a new physical address to the logical address, generates a logical address / physical address conversion table, the erased portion, the second table based on the invalid data erasing data of the written physical block storage device, characterized in that. 【請求項2】 不揮発性記憶媒体と、第1のテーブル作成部と、第2のテーブル作成部と、論理アドレス/物理アドレス変換テーブル作成部と、消去部と、を有し、 前記不揮発性記憶媒体は複数の物理ブロックを有し、 前記物理ブロックは、データを格納するためのデータ領域と、その物理ブロックにデータが書き込まれているか否かを示す第1のデータを有し、前記物理ブロックを分割した領域は、その領域に書き込まれているデータ又はその領域に関連づけられた前記領域のそれぞれに書き込まれているデータが無効なデータであるか否かを示す第2のデータを有し、 前記第1のテーブル作成部は、前記物理ブロックのアドレスと前記第1のデータとの関係を示す第1のテーブルを作成し、 前記第2のテーブル作成部は、前記領域のア 2. A non-volatile storage medium, a first table creating unit, and a second table creating unit, and a logical address / physical address conversion table creating unit, and a deleting unit, wherein the non-volatile memory medium has a plurality of physical blocks, the physical block has a data area for storing data, a first data indicating whether the data in the physical block has been written, the physical block the divided region has a second data indicating whether the data written in each of the regions associated with the data or the area are written to that area is invalid data, said first table creation unit creates the first table showing the relationship between the physical block address and the first data, the second table creation unit a of the region レスと前記第2のデータとの関係を示す第2のテーブルを作成し、 前記論理アドレス/物理アドレス変換テーブル作成部は、前記第1のテーブルに基づいて論理アドレスに新たな物理アドレスを割り当てて、論理アドレス/物理アドレス変換テーブルを生成し、 前記消去部は、前記第2のテーブルに基づいて、無効なデータが書き込まれた物理ブロックのデータを消去する、 ことを特徴とする記憶装置。 Create a second table showing the relationship between the less and the second data, the logical address / physical address conversion table generation unit allocates a new physical address to the logical address based on said first table , generates a logical address / physical address conversion table, the erasing section, based on said second table, invalid data erasing data of the written physical block storage device, characterized in that. 【請求項3】 前記論理アドレス/物理アドレス変換テーブルは、第1の論理アドレス/物理アドレス変換テーブルと、第2の論理アドレス/物理アドレス変換テーブルとを含み、 少なくとも1つの前記物理ブロックは、複数の論理アドレスと物理アドレスとの関係を示す第2の論理アドレス/物理アドレス変換テーブルを更に有し、 前記第1の論理アドレス/物理アドレス変換テーブルは、前記第2の論理アドレス/物理アドレス変換テーブルと、前記第2の論理アドレス/物理アドレス変換テーブルが格納されている物理ブロックのアドレスとの関係を示し、 前記物理ブロックに書き込まれたデータが無効になった場合は、前記論理アドレス/物理アドレス変換テーブル作成部は、対応する前記第2の論理アドレス/物理アドレス変換テ Wherein the logical address / physical address conversion table, a first logical address / physical address conversion table, and a second logical address / physical address conversion table, at least one of the physical blocks includes a plurality further comprising a second logical address / physical address conversion table showing the relationship between the logical addresses and physical addresses, the first logical address / physical address conversion table, said second logical address / physical address conversion table when the second logical address / physical address conversion table showing the relationship between the address of a physical block stored, if the data written in the physical block is disabled, the logical address / physical address conversion table creating unit, the corresponding said second logical address / physical address conversion Te ーブルを、新たな物理ブロックに書き換え、 The Buru, rewritten in a new physical block,
    前記第1の論理アドレス/物理アドレス変換テーブルを書き換える、 ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の記憶装置。 The first logical address / physical address rewrite the conversion table, storage device according to claim 1 or claim 2, characterized in that. 【請求項4】 不揮発性記憶媒体と、データ書き込み部と、消去部と、を有し、 前記不揮発性記憶媒体は複数の物理ブロック群を有し、 前記物理ブロック群は複数の物理ブロックを有し、 前記物理ブロックは、前記物理ブロックを分割した複数の領域を有し、 前記データ書き込み部は、それぞれ異なる物理ブロック群に属する複数の前記領域の集合である論理ブロックを単位としてデータを書き込み、且つ前記論理ブロックを構成する複数の前記領域の集合を示すリンクテーブルを生成し、 前記消去部は、前記論理ブロックに含まれるひとつの前記領域にデータが無効であることを書き込むことにより前記リンクテーブルで関連付けられた全ての前記領域に書き込まれたデータを無効化し、前記物理ブロックに含まれる全ての前記領域が無 4. A non-volatile storage medium, comprising: a data writing unit, and a deleting unit, wherein the non-volatile storage medium includes a plurality of physical blocks, the physical block group have a plurality of physical blocks and, the physical block has a plurality of regions obtained by dividing the physical block, the data write unit writes the data to the logical block units is a set of a plurality of the regions belonging to different physical block group respectively, and said generating a link table showing a set of a plurality of said areas constituting a logical block, the erasing section, the link table by writing the data into the area of ​​one included in the logical block is invalid invalidates the data written into all of the regions associated with all of the areas included in the physical block free 化された後、その物理ブロックを消去する、 ことを特徴とする記憶装置。 After being of, it erases the physical block, a storage device, characterized in that.
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