JP2003140164A - Method of repairing multilayered wiring, method of connecting multilayered wiring, method of repairing display device and method of manufacturing display device - Google Patents
Method of repairing multilayered wiring, method of connecting multilayered wiring, method of repairing display device and method of manufacturing display deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は多層配線リペア方
法、多層配線接続方法、表示装置リペア方法、及び表示
装置の製造方法に関し、例えば、ＰＦＡ（Polymer Film
on Array）構造を有する液晶表示装置における引出し
配線部に適用可能な、多層配線リペア方法、多層配線接
続方法、表示装置リペア方法、及び表示装置の製造方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer wiring repair method, a multilayer wiring connection method, a display device repair method, and a display device manufacturing method, for example, a PFA (Polymer Film).
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a multilayer wiring repair method, a multilayer wiring connection method, a display device repair method, and a display device manufacturing method applicable to a lead-out wiring portion in a liquid crystal display device having an on Array structure.
【０００２】[0002]
【従来の技術】パーソナルコンピュータ、その他各種モ
ニタ用の画像表示装置として、液晶表示装置の普及は目
覚しいものがある。液晶表示装置は、透過型と反射型の
タイプとを有している。又、中型以上の液晶表示装置に
関しては、各画素にＴＦＴ（Thin Film Transistor）や
ＭＩＭ（Metal Insulator Metal）などのスイッチング
素子が形成されている、アクティブ・マトリックス型が
広く使用されている。透過型のアクティブ・マトリック
ス液晶表示は、一般に、液晶表示パネルと、その背面に
配置されたバックライト・ユニットと、を有する。液晶
表示パネルは、その透過光を制御することにより、画像
表示を行う。液晶表示パネルは、ＴＦＴ（Thin Film Tr
ansistor）がアレイ上に形成されたアレイ基板と、カラ
ーフィルタ基板と、これら２つの基板の間に封入された
液晶材料とを有している。液晶表示装置は、その画素構
造によっていくつかのタイプに分けられる。そのいくつ
かは、ＩＰＳ（In Plane Switchig）タイプやＴＮ（Twi
sted Nematic）タイプと呼ばれるものである。ＩＰＳ
は、アレイ基板上に画素電極と対向電極を櫛歯状に配置
し、液晶に基板平面方向の電界をかけることによって、
液晶の光の透過を制御するものである。2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices have been remarkably popular as image display devices for personal computers and other various monitors. The liquid crystal display device has a transmissive type and a reflective type. In addition, for a liquid crystal display device of medium size or more, an active matrix type in which a switching element such as a TFT (Thin Film Transistor) or MIM (Metal Insulator Metal) is formed in each pixel is widely used. A transmissive active matrix liquid crystal display generally has a liquid crystal display panel and a backlight unit arranged on the back surface thereof. The liquid crystal display panel displays an image by controlling the transmitted light. The liquid crystal display panel is a TFT (Thin Film Tr
an anstor) has an array substrate formed on the array, a color filter substrate, and a liquid crystal material enclosed between these two substrates. Liquid crystal display devices are classified into several types according to their pixel structure. Some of them are IPS (In Plane Switchig) type and TN (Twi
It is called the sted Nematic type. IPS
Is a combination of pixel electrodes and counter electrodes arranged in a comb shape on the array substrate and applying an electric field to the liquid crystal in the substrate plane direction,
It controls the transmission of light from the liquid crystal.
【０００３】これらとは別に、最近、画素の開口率を向
上させる画素構造として、ＰＦＡ（Polymer Film on Ar
ray）構造が注目を集めている。ＰＦＡ構造は、スイッ
チグ素子を形成したアレイ基板上に厚いポリマの層を形
成し、そのポリマ層の上に画素電極を形成する。信号線
の上に、ポリマ層を介して画素電極を重ねることができ
るので、開口率の増加を望むことができる。Apart from these, recently, as a pixel structure for improving the aperture ratio of a pixel, a PFA (Polymer Film on Ar) is used.
ray) structure is attracting attention. In the PFA structure, a thick polymer layer is formed on an array substrate on which a switching element is formed, and a pixel electrode is formed on the polymer layer. Since the pixel electrode can be overlaid on the signal line via the polymer layer, an increase in aperture ratio can be expected.
【０００４】図８は、ＰＦＡ構造を有する画素の平面図
である。ＰＦＡ構造は、ＴＮタイプにもＩＰＳタイプに
も適用することができる。図８に示されている画素は、
ＴＮタイプの画素構造にＰＦＡが適用されている。図８
において、８０１はＴＦＴ、８０２は蓄積容量、８０３
はゲート線もしくはゲート電極、８０４はアモルファス
・シリコン層、８０５は信号線、８０６はソース／ドレ
イン電極、８０７は画素電極である。ＴＦＴ８０１のＯ
Ｎ／ＯＦＦをゲート線によって選択することによって、
信号線８０５を介して入力される画素信号の画素電極８
０７への入力を制御する。蓄積容量８０２は、画素信号
の保持特性を改善する。FIG. 8 is a plan view of a pixel having a PFA structure. The PFA structure can be applied to both TN type and IPS type. The pixel shown in FIG.
PFA is applied to a TN type pixel structure. Figure 8
, 801 is a TFT, 802 is a storage capacitor, 803
Is a gate line or a gate electrode, 804 is an amorphous silicon layer, 805 is a signal line, 806 is a source / drain electrode, and 807 is a pixel electrode. O of TFT801
By selecting N / OFF by the gate line,
Pixel electrodes 8 for pixel signals input via the signal line 805
Control the input to 07. The storage capacitor 802 improves the retention characteristic of the pixel signal.
【０００５】図９は、図８の画素構造のＡ−Ａ’の線で
の断面に相当する、断面構造を示している。図９に示さ
れているゲート線のパッド部は、図８には記載されてい
ない。図９において、ＴＦＴ８０１は、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍ
ｏの積層構造を有するゲート配線層９０１、酸化シリコ
ンＳｉＯｘで形成されたゲート絶縁膜層９０２、アモル
ファス・シリコン層９０３、オーミック層９０４、Ｓｉ
Ｎｘエッチング・ストッパ層９０５、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ
の積層構造を有する信号線層９０６、及び、ＳｉＮｘパ
ッシベーション層９０７、を有している。パッシベーシ
ョン層９０７の上に、厚いポリマ層９０８が形成されて
おり、その上にＩＴＯ画素電極層９０９が形成されてい
る。画素電極層９０９は、ポリマ層９０８に形成された
ビアを介して信号線層９０６と接続されている。FIG. 9 shows a sectional structure corresponding to the section taken along the line AA ′ of the pixel structure of FIG. The pad portion of the gate line shown in FIG. 9 is not shown in FIG. In FIG. 9, the TFT 801 is Mo / Al / M.
a gate wiring layer 901 having a laminated structure of o, a gate insulating film layer 902 formed of silicon oxide SiOx, an amorphous silicon layer 903, an ohmic layer 904, and Si.
Nx etching stopper layer 905, Mo / Al / Mo
And a signal line layer 906 having a laminated structure and a SiNx passivation layer 907. A thick polymer layer 908 is formed on the passivation layer 907, and an ITO pixel electrode layer 909 is formed thereon. The pixel electrode layer 909 is connected to the signal line layer 906 via a via formed in the polymer layer 908.
【０００６】蓄積容量８０２は、ゲート配線層９０１と
画素電極層９０９と、それらの間に形成されたゲート絶
縁膜層９０２とを有している。ゲート絶縁膜層９０２の
上にはアモルファス・シリコン層９０３とオーミック層
９０４が積層されており、画素電極層９０９と接続され
ている。パッド部９１０は、表示領域の外側の周辺領域
に形成されている。パッド部は９１０、ゲート線と、ド
ライバＩＣとの接続に使用される。パッド部は、Ｍｏ／
Ａｌ／Ｍｏの積層構造を有するゲート配線層９０１と画
素電極層９０９とが積層されて、構成されている。図示
されていないが、信号線もドライバＩＣとの接続に使用
されるパッド部を有している。The storage capacitor 802 has a gate wiring layer 901, a pixel electrode layer 909, and a gate insulating film layer 902 formed between them. An amorphous silicon layer 903 and an ohmic layer 904 are stacked on the gate insulating film layer 902 and connected to the pixel electrode layer 909. The pad portion 910 is formed in the peripheral area outside the display area. The pad portion 910 is used for connecting the gate line and the driver IC. Pad part is Mo /
A gate wiring layer 901 having a laminated structure of Al / Mo and a pixel electrode layer 909 are laminated and configured. Although not shown, the signal line also has a pad portion used for connection with the driver IC.
【０００７】ＰＦＡ構造の液晶表示装置の製造におい
て、ドライバＩＣと接続される接続パッド部の抵抗が、
高抵抗となる製品が非常に多く見出されるという問題が
発生した。これは特に、ゲート線の引き出し配線におい
て顕著であった。従来のＰＦＡ構造ではない液晶表示装
置においては、ゲート引出し配線の接続パッド部分の抵
抗（図５における配線部５０５の両端部の抵抗値に相
当）は、およそ６４オームであった。しかし、上記のＰ
ＦＡ構造の液晶表示装置においては、接続パッド部分の
抵抗は２００オーム以上の値を有していた。接続パッド
部分がこのように高い抵抗を有すると、ドライバＩＣと
の接続を行うことができず、不良品として廃棄処分を行
わなければならない。In the manufacture of the PFA structure liquid crystal display device, the resistance of the connection pad portion connected to the driver IC is
There was a problem that very many products with high resistance were found. This was particularly remarkable in the lead wiring of the gate line. In the conventional liquid crystal display device having no PFA structure, the resistance of the connection pad portion of the gate lead-out wiring (corresponding to the resistance value at both ends of the wiring portion 505 in FIG. 5) was about 64 ohms. However, the above P
In the liquid crystal display device having the FA structure, the resistance of the connection pad portion was 200 ohms or more. If the connection pad portion has such a high resistance, it cannot be connected to the driver IC and must be discarded as a defective product.
【０００８】発明者らはこの問題について調査研究を行
い、この問題が、ＩＴＯ画素電極層９０９とＭｏ／Ａｌ
／Ｍｏゲート配線層９０１のＭｏ層との間に形成され
た、ＭｏＯ3金属酸化物層に起因していることを見出し
た。ＰＦＡ構造の液晶表示装置においては、信号線層９
０６を形成した後に、ポリマ層９０８を積層する。ポリ
マ層９０８のパターニング処理において、ゲート線パッ
ド９１０のＭｏ表面は露出されている。このため、この
ポリマ層の形成工程においてＭｏ層の表面が酸化し、絶
縁酸化層ＭｏＯ3が形成されると考えられる。[0008] The inventors conducted research and study on this problem and found that the problem was that the ITO pixel electrode layer 909 and Mo / Al
/ Mo gate wiring layer 901 was found to be caused by the MoO 3 metal oxide layer formed between the Mo layer and the Mo layer. In the liquid crystal display device having the PFA structure, the signal line layer 9
After forming 06, a polymer layer 908 is laminated. In the patterning process of the polymer layer 908, the Mo surface of the gate line pad 910 is exposed. Therefore, it is considered that the surface of the Mo layer is oxidized in the step of forming the polymer layer to form the insulating oxide layer MoO 3 .
【０００９】一方、液晶表示装置の製造工程において、
レーザを使用してリペア処理を行うことが知られてい
る。これは、レーザを使用して配線層に孔を形成し、あ
るいは、レーザＣＶＤと呼ばれる技術を使用して配線を
形成することで目的が達成される。しかし、パッド部に
はドライバＩＣを接続しなければならない。この接続
は、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）の配線フィルムと
接続パッドをＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film ）
によって接続することによって実現される。あるいは、
ドライバＩＣを直接ガラス基板上に実装するＣＯＧ（Ch
ip On glass）と呼ばれる方法で実現される。従って、
パッド部の表面は一定の均一性が維持されていなければ
ならない。従来のレーザ・リペアのように、レーザによ
って孔を穿つ方法では、パッド表面が荒れ、均一性が維
持されず、ドライバＩＣとパッドとを接続することがで
きなかった。On the other hand, in the manufacturing process of the liquid crystal display device,
It is known to use a laser to perform the repair process. This is achieved by using a laser to form holes in the wiring layer or using a technique called laser CVD to form the wiring. However, a driver IC must be connected to the pad section. For this connection, the wiring film of TCP (Tape Carrier Package) and the connection pad are ACF (Anisotropic Conductive Film)
It is realized by connecting by. Alternatively,
COG (Ch that mounts the driver IC directly on the glass substrate
It is realized by a method called ip On Glass). Therefore,
The surface of the pad portion must maintain a certain degree of uniformity. In the method of forming a hole with a laser as in the conventional laser repair, the pad surface is roughened, the uniformity is not maintained, and the driver IC and the pad cannot be connected.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的の一つ
は、多層配線の構造を一定以上維持しながら、配線間の
導通あるいは多層配線の低抵抗化を可能とすることであ
る。SUMMARY OF THE INVENTION One of the objects of the present invention is to enable the continuity between wirings or the reduction of resistance of the multilayer wiring while maintaining the structure of the multilayer wiring above a certain level.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】以下に本発明に係る解決
手段を説明する。以下の説明において、内容の理解のた
めに、実施形態に記載された要素のいくつかを（）内に
記載する。これは解決手段の一例を示すものであって、
解決手段の範囲が、言及された要素、あるいは、実施形
態の記載に限定されるものではない。The means for solving the present invention will be described below. In the following description, some of the elements described in the embodiments are described in parentheses for understanding the content. This is an example of a solution,
The scope of the solution is not limited to the elements mentioned or the description of the embodiments.
【００１２】第１の発明に係るリペア方法は、第１の導
電層（Ｍｏ層７０３）と、第２の導電層（ＩＴＯ層７０
１）と、第１及び第２の導電層の間に形成された絶縁層
（ＭｏＯ3層７０２）と、を有する多層配線（接続配線
部５０３〜５０５）のリペア方法である。多層配線に第
２導電層側から予め定めらた照射エネルギーのレーザ光
を照射するステップと、レーザ照射において、第２導電
層を溶融することなく絶縁層を加熱するステップと、絶
縁層を加熱することにより、第２の導電層と第１の導電
層とを接続するステップと、を有する。第２導電層を溶
融することなく第２の導電層と前記第１の導電層とを接
続するので、多層配線の構造を一定以上維持しながら、
配線間の導通あるいは多層配線の低抵抗化を可能とす
る。In the repair method according to the first invention, the first conductive layer (Mo layer 703) and the second conductive layer (ITO layer 70) are used.
1) and an insulating layer (MoO 3 layer 702) formed between the first and second conductive layers, which is a method for repairing multilayer wiring (connection wiring portions 503 to 505). The step of irradiating the multilayer wiring with laser light having a predetermined irradiation energy from the second conductive layer side, the step of heating the insulating layer without melting the second conductive layer in the laser irradiation, and the step of heating the insulating layer. Thereby connecting the second conductive layer and the first conductive layer. Since the second conductive layer and the first conductive layer are connected to each other without melting the second conductive layer, while maintaining the structure of the multilayer wiring above a certain level,
It enables conduction between wirings or lowers resistance of multilayer wiring.
【００１３】第２の発明に係るリペア方法は、第１の発
明におけるリペア方法において、第２の導電層は多層配
線の表面層であり、第１の導電層は第１の金属導体で形
成され、第２の導電層は第２の金属導体で形成され、絶
縁層は第１もしくは第２の金属導体の酸化物である。表
面層が溶融されないので、表面層の均一性を一定以上に
維持することができる。A repair method according to a second invention is the repair method according to the first invention, wherein the second conductive layer is a surface layer of the multi-layer wiring and the first conductive layer is formed of a first metal conductor. , The second conductive layer is formed of a second metal conductor, and the insulating layer is an oxide of the first or second metal conductor. Since the surface layer is not melted, the uniformity of the surface layer can be maintained above a certain level.
【００１４】第３の発明に係るリペア方法は、第２の発
明における接続するステップにおいて、レーザ照射によ
る熱によって絶縁層における酸素の結合が切断されるこ
とにより、絶縁体が導体に変化することで接続する。
尚、例えば、絶縁層が窒化物である場合は、窒素の結合
を熱エネルギーで切断することによって導体に変化させ
ることができる。In the repair method according to the third aspect of the invention, in the connecting step of the second aspect of the invention, the insulator is changed into a conductor by cutting the bond of oxygen in the insulating layer by the heat generated by the laser irradiation. Connecting.
Note that, for example, when the insulating layer is a nitride, it can be converted into a conductor by cutting the bond of nitrogen with thermal energy.
【００１５】第４の発明に係るリペア方法は、第１の発
明におけるレーザ照射において、多層配線の表面に気体
を吹き付けることによって、多層配線を冷却する。これ
により、熱による表面あるいはその他の部分の劣化を改
善することができる。In the repair method according to the fourth aspect of the invention, in the laser irradiation of the first aspect of the invention, the multilayer wiring is cooled by blowing a gas onto the surface of the multilayer wiring. This can improve the deterioration of the surface or other parts due to heat.
【００１６】第５の発明に係るリペア方法は、第１の発
明におけるリペア方法において、絶縁層はＭｏＯ3であ
り、レーザの照射エネルギーは、５ｍＪ／ｍｍ２以上、
８ｍＪ／ｍｍ２以下である。第６の発明に係るリペア方
法は、第２の発明におけるリペア方法において、第２の
導電層はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で構成されてお
り、絶縁層は第１の金属導体の酸化物である。A repair method according to a fifth invention is the repair method according to the first invention, wherein the insulating layer is MoO 3 and the laser irradiation energy is 5 mJ / mm 2 or more,
It is 8 mJ / mm2 or less. A repair method according to a sixth invention is the repair method according to the second invention, wherein the second conductive layer is made of ITO (Indium Tin Oxide) and the insulating layer is an oxide of the first metal conductor. .
【００１７】第７の発明に係る多層配線における接続方
法は、第１の導電体層（Ｍｏ層７０３）と、第２の導電
体層（ＩＴＯ層７０１）と、第１及び第２の導電層の間
に形成された絶縁体層（ＭｏＯ3層７０２）と、を有す
る多層配線（接続配線部５０３〜５０５）における接続
方法である。多層配線に第２の導電体層側からレーザ光
を照射するステップと、レーザ照射によって前記絶縁体
層を加熱することにより、絶縁体層の一部を導電体層に
変化させるステップと、変化された導電層によって、第
１の導電層と第２の導電層とを接続するステップとを有
する。これにより、絶縁層によって分離された２つの導
体層を電気的に接続し、抵抗値を下げることができる。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method of connecting in a multi-layer wiring, comprising a first conductor layer (Mo layer 703), a second conductor layer (ITO layer 701), first and second conductor layers. And an insulating layer (MoO 3 layer 702) formed between the wirings, and in a multilayer wiring (connection wiring portions 503 to 505). The step of irradiating the multilayer wiring with laser light from the second conductor layer side, and the step of heating the insulator layer by laser irradiation to change a part of the insulator layer into the conductor layer are changed. Connecting the first conductive layer and the second conductive layer with the conductive layer. This makes it possible to electrically connect the two conductor layers separated by the insulating layer and reduce the resistance value.
【００１８】第８の発明に係る多層配線における接続方
法は、第７の発明における接続方法において、絶縁体層
は金属酸化物層であり、導電体層に変化させるステップ
は、金属酸化物の酸素の結合を切断することにより金属
酸化物を導電体に変化させるものである。尚、例えば、
絶縁層が窒化物である場合は、窒素の結合を熱エネルギ
ーで切断することによって導体に変化させることができ
る。The connecting method in the multi-layer wiring according to the eighth invention is the connecting method according to the seventh invention, wherein the insulator layer is a metal oxide layer, and the step of changing to the conductor layer is oxygen of the metal oxide. The metal oxide is changed to a conductor by breaking the bond of. In addition, for example,
When the insulating layer is a nitride, it can be converted into a conductor by breaking the bond of nitrogen with thermal energy.
【００１９】第９の発明に係る多層配線における接続方
法は、第７の発明における接続方法において、第１の導
電体層は第１の金属導体層であり、第２の導電体層は第
２の金属導体層であり、絶縁体層は、第１もしくは第２
の金属導体の酸化物である、ものである。A connection method in a multilayer wiring according to a ninth aspect is the connection method according to the seventh aspect, wherein the first conductor layer is the first metal conductor layer and the second conductor layer is the second metal layer. Of the metal conductor layer, the insulator layer is the first or second
Is an oxide of the metal conductor of.
【００２０】第１０の発明に係る多層配線における接続
方法は、第７の発明における接続方法において、レーザ
照射によって、第２導電体層と前記絶縁体層とに、孔が
形成されない、ものである。これにより、多層配線の構
造を一定以上維持しながら、配線間の導通あるいは多層
配線の低抵抗化を可能とする。The connection method in the multilayer wiring according to the tenth invention is the connection method according to the seventh invention, wherein holes are not formed in the second conductor layer and the insulator layer by laser irradiation. . As a result, it is possible to reduce the resistance of the multi-layer wiring or the conduction between the wirings while maintaining the structure of the multi-layer wiring to a certain level or more.
【００２１】第１１の発明に係る表示装置のリペア方法
は、マトリクッス上に配置された複数の画素を有する表
示領域（３０４）と、前記表示領域の外側に形成された
周辺領域（３０５）と、を有する表示装置、のリペア方
法である。周辺領域は、第１の導電層と、第２の導電層
と、第１及び第２の導電層の間に形成された絶縁物層
と、を有する接続配線部（接続配線部５０３〜５０５）
を有している。接続配線部はドライバＩＣ部品と接続さ
れる。リペア方法は、接続配線部に、第２の導電層側か
らレーザ光を照射するステップと、レーザ照射によっ
て、第２の導電層のレーザ照射側表面を溶融することな
く絶縁物層を加熱するステップと、絶縁物層を加熱する
ことにより、第２の導電層と第１の導電層とを接続する
ステップと、を有する。これにより、接続配線部を有効
にリペア処理することができる。ここでドライバＩＣ部
品とは、例えばＣＯＧ（Chip On Glass）におけるドラ
イバ・チップや、ドライバ・チップを実装されたＴＣＰ
（Tape Carrier Package）を含む言葉であり、ドライバ
ＩＣを有する全ての部品を含むものである。A display device repair method according to an eleventh aspect of the present invention is a display region (304) having a plurality of pixels arranged on a matrix, and a peripheral region (305) formed outside the display region. A method of repairing a display device having: The peripheral region has a connection wiring portion (connection wiring portions 503 to 505) having a first conductive layer, a second conductive layer, and an insulator layer formed between the first and second conductive layers.
have. The connection wiring portion is connected to the driver IC component. The repair method includes a step of irradiating the connection wiring portion with laser light from the second conductive layer side, and a step of heating the insulating layer by laser irradiation without melting the laser irradiation side surface of the second conductive layer. And heating the insulating layer to connect the second conductive layer and the first conductive layer. As a result, the connection wiring portion can be effectively repaired. Here, the driver IC component is, for example, a driver chip in COG (Chip On Glass) or a TCP on which the driver chip is mounted.
It is a term including (Tape Carrier Package) and includes all parts having a driver IC.
【００２２】第１２の発明に係る表示装置のリペア方法
は、第１１の発明における加熱するステップにおいて、
接続配線部の表面に気体を吹き付けることによって、接
続配線部を冷却する、ものである。これにより、熱によ
る表面あるいはその他の部分の劣化を改善することがで
きる。A repairing method for a display device according to a twelfth aspect of the present invention is, in the heating step in the eleventh aspect,
By blowing a gas onto the surface of the connection wiring portion, the connection wiring portion is cooled. This can improve the deterioration of the surface or other parts due to heat.
【００２３】第１３の発明に係る表示装置のリペア方法
は、第１１の発明における照射するステップにおいて、
接続配線部がドライバＩＣ部品と接続される接続パッド
部にレーザ光を照射し、加熱するステップにおいて、接
続配線部の表面の均一性を乱さない、ものである。これ
により、大きな支障なく、接続配線部にドライバＩＣ部
品とを接続することができる。つまり、均一性を乱さな
いとは、接続配線部の表面とドライバＩＣ部品とを接続
することができる程度に、表面の均一性が維持されてい
ることを意味する。A method of repairing a display device according to a thirteenth invention is the method of irradiating in the eleventh invention,
In the step of irradiating and heating the connection pad portion where the connection wiring portion is connected with the driver IC component, the uniformity of the surface of the connection wiring portion is not disturbed. As a result, it is possible to connect the driver IC component to the connection wiring portion without causing any serious trouble. In other words, not disturbing the uniformity means that the uniformity of the surface is maintained to the extent that the surface of the connection wiring portion and the driver IC component can be connected.
【００２４】第１４の発明に係る表示装置のリペア方法
は、第１１の発明における表示装置のリペア方法におい
て、第２の導電層は接続配線部の表面層であり、第１の
導電体層は金属導電体から構成され、絶縁体層は第１導
電体の酸化物であり、接続するステップは酸化物の酸素
の結合を切断することによって、酸化物を導体に変化さ
せる、ものである。尚、例えば、絶縁層が窒化物である
場合は、窒素の結合を熱エネルギーで切断することによ
って導体に変化させることができる。A display device repairing method according to a fourteenth invention is the display device repairing method according to the eleventh invention, wherein the second conductive layer is a surface layer of the connection wiring portion and the first conductive layer is It is composed of a metal conductor, the insulator layer is an oxide of the first conductor, and the connecting step is to break the bond of oxygen of the oxide to convert the oxide into a conductor. Note that, for example, when the insulating layer is a nitride, it can be converted into a conductor by cutting the bond of nitrogen with thermal energy.
【００２５】第１５の発明に係る表示装置のリペア方法
は、第１１の発明における表示装置のリペア方法におい
て、表示装置は、表示領域内においてマトリックス状に
配置された複数の配線の上に形成された有機絶縁体層
（図２、ポリマ層）と、有機絶縁体層の上に形成された
複数の画素電極とを有している。さらに、接続配線部は
表示領域内に配置された配線と接続されており、第２の
導電層は画素電極と同じ材料によって形成されている。
これにより、有機絶縁体層の形成に起因する接続配線の
欠陥をリペア処理すことができる。A display device repairing method according to a fifteenth invention is the display device repairing method according to the eleventh invention, wherein the display device is formed on a plurality of wirings arranged in a matrix in the display area. And an organic insulator layer (FIG. 2, polymer layer) and a plurality of pixel electrodes formed on the organic insulator layer. Further, the connection wiring portion is connected to the wiring arranged in the display area, and the second conductive layer is formed of the same material as the pixel electrode.
This makes it possible to repair defects in the connection wiring due to the formation of the organic insulator layer.
【００２６】第１６の発明に係る表示装置のリペア方法
は、第１１の発明における表示装置のリペア方法におい
て、第１の導電層はＭｏ層であり、絶縁物層はＭｏＯ3
層であり、第２の導電層はＩＴＯ層である。さらに、接
続するステップは、酸化物の酸素の結合を切断すること
によって、酸化物を導体に変化させる。A display device repairing method according to a sixteenth invention is the display device repairing method according to the eleventh invention, wherein the first conductive layer is a Mo layer and the insulating layer is MoO 3.
Layer and the second conductive layer is an ITO layer. In addition, the connecting step transforms the oxide into a conductor by breaking the oxygen bonds of the oxide.
【００２７】第１７の発明に係る表示装置の製造方法
は、マトリックス状に配置された、複数の信号線と複数
の走査線とを有する表示装置の製造方法である。複数の
走査線を形成するステップと、複数の信号線を形成する
ステップと、複数の走査線と前記複数の信号線の交差部
それぞれの近傍に、画素電極を形成するステップと、を
有する。さらに、複数の信号線もしくは走査線の一つの
引き出し配線部（５０３、６０３、６０４）であって、
第１の導電層と第２の導電層と第１及び第２の導電層と
の間に形成された絶縁体層と、を有する引出し配線部
に、レーザ光を照射するステップを有する。レーザ照射
において、予め定めらた照射エネルギーのレーザ光を照
射することにより、引き出し配線部の表面を溶融するこ
となく絶縁体層を加熱し、第１の導電層と第２の導電層
とを接続するステップを備える。これにより、引き出し
配線部の構造を一定以上維持しながら、配線間の導通あ
るいは引き出し配線部の低抵抗化を可能とする。A method of manufacturing a display device according to a seventeenth invention is a method of manufacturing a display device having a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines arranged in a matrix. The method includes forming a plurality of scanning lines, forming a plurality of signal lines, and forming a pixel electrode near each intersection of the plurality of scanning lines and the plurality of signal lines. Further, one lead wiring portion (503, 603, 604) of a plurality of signal lines or scanning lines,
The method has a step of irradiating a laser beam to a lead wiring portion having a first conductive layer, a second conductive layer, and an insulator layer formed between the first and second conductive layers. In the laser irradiation, by irradiating a laser beam having a predetermined irradiation energy, the insulating layer is heated without melting the surface of the lead-out wiring portion and the first conductive layer and the second conductive layer are connected. The step of performing. As a result, it is possible to reduce the resistance of the lead-out wiring portion or the continuity between the wirings while maintaining the structure of the lead-out wiring portion above a certain level.
【００２８】第１８の発明に係る表示装置の製造方法
は、第１７の発明における表示装置の製造方法におい
て、さらに、複数の走査線及び信号線を形成した後に、
有機絶縁体層を形成するステップを有している。画素電
極は有機絶縁体層の上に形成され、形成された複数の信
号線の引き出し配線部表面に、画素電極の材料で配線層
が積層される。第２導電層は、画素電極材料の配線層で
あり、第１の導電体層は第１の金属導体で構成され、絶
縁体層は第１の金属導体の酸化物である。これにより、
有機絶縁体層の形成に起因する接続配線の欠陥をリペア
処理すことができる。A method of manufacturing a display device according to an eighteenth invention is the same as the method of manufacturing a display device according to the seventeenth invention, further comprising forming a plurality of scanning lines and signal lines,
There is the step of forming an organic insulator layer. The pixel electrode is formed on the organic insulating layer, and the wiring layer is laminated with the material of the pixel electrode on the surface of the lead wiring portion of the formed plurality of signal lines. The second conductive layer is a wiring layer of a pixel electrode material, the first conductive layer is composed of a first metal conductor, and the insulator layer is an oxide of the first metal conductor. This allows
It is possible to repair the defects of the connection wiring due to the formation of the organic insulator layer.
【００２９】第１９の発明に係る表示装置の製造方法
は、第１８の発明における加熱接続するステップにおい
て、酸化物の酸素の結合を熱エネルギーによって切断す
ることによって、酸化物を導体に変化させる。尚、例え
ば、絶縁層が窒化物である場合は、窒素の結合を熱エネ
ルギーで切断することによって導体に変化させることが
できる。In the method for manufacturing a display device according to the nineteenth invention, in the step of heating and connecting in the eighteenth invention, the oxide is changed into a conductor by cutting the bond of oxygen of the oxide by thermal energy. Note that, for example, when the insulating layer is a nitride, it can be converted into a conductor by cutting the bond of nitrogen with thermal energy.
【００３０】第２０の発明に係る表示装置の製造方法
は、第１７の発明におけるレーザ照射において、引き出
し配線部の表面に気体を吹き付けることによって、引き
出し配線部を冷却する。これにより、熱による表面ある
いはその他の部分の劣化を改善することができる。In the method of manufacturing a display device according to the twentieth aspect of the invention, in the laser irradiation of the seventeenth aspect of the invention, the extraction wiring portion is cooled by blowing gas onto the surface of the extraction wiring portion. This can improve the deterioration of the surface or other parts due to heat.
【００３１】第２１の発明に係る表示装置の製造方法
は、第１７の発明における表示装置の製造方法におい
て、レーザの照射エネルギーは、５ｍＪ／ｍｍ２以上、
８ｍＪ／ｍｍ２以下である。第２２の発明に係る表示装
置の製造方法は、第２１の発明における表示装置の製造
方法において、第１の導電層はＭｏ層であり、絶縁物層
はＭｏＯ3層であり、第２の導電層はＩＴＯ層である。A method for manufacturing a display device according to a twenty-first invention is the method for manufacturing a display device according to the seventeenth invention, wherein the laser irradiation energy is 5 mJ / mm 2 or more.
It is 8 mJ / mm2 or less. A method for manufacturing a display device according to a twenty-second invention is the method for manufacturing a display device according to the twenty-first invention, wherein the first conductive layer is a Mo layer, the insulator layer is a MoO 3 layer, and the second conductive layer is a conductive layer. The layer is an ITO layer.
【００３２】[0032]
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態である液晶表
示装置のリペア方法が、図を参照して以下に説明され
る。本形態のリペア処理においては、ドライバＩＣ部品
が接続される、接続配線の接続パッド部に、所定エネル
ギーの赤外レーザ光が照射される。このレーザ照射によ
って、接続パッド部の表面を大きく荒らすことなく、接
続パッド部の抵抗値を下げることができる。以下におい
て、ＰＦＡ（Polymer Film on Array）・ＴＮ（Twisted
Nematic）タイプの液晶表示装置について説明される
が、本発明が、ＩＰＳやＳＴＮ（Super Twisted Nemati
c）などの他のタイプの液晶表示装置、有機ＥＬ表示装
置などの他の表示装置、あるいは、表示装置に限らない
他の製品のリペア処理あるいは製造工程に適用可能であ
ることは当業者であれば明らかであろう。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A method of repairing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the repair process of the present embodiment, the connection pad portion of the connection wiring, to which the driver IC component is connected, is irradiated with infrared laser light having a predetermined energy. By this laser irradiation, the resistance value of the connection pad portion can be reduced without significantly roughening the surface of the connection pad portion. In the following, PFA (Polymer Film on Array) and TN (Twisted)
A liquid crystal display device of the Nematic type will be described. However, the present invention is not limited to IPS and STN (Super Twisted Nemati).
Those skilled in the art should be able to apply to other types of liquid crystal display devices such as c), other display devices such as organic EL display devices, or repair processing or manufacturing processes of other products not limited to display devices. Would be obvious.
【００３３】以下に、ＴＦＴアレイ基板の製造工程につ
いて説明する。ＴＦＴはボトムゲート型（逆スタガ型）
である。従って、ゲート電極及びゲート線が下層に形成
され、その上に絶縁層が堆積される。この絶縁層の上に
ソース／ドレイン電極、及び、信号線が配置される。半
導体としてa-Siが使用されている。図１は、ＰＦＡタイ
プＬＣＤ（Liquid Crystal Display）の画素構造を示す
平面図である。図１において、１０１はＴＦＴ、１０２
は蓄積容量、１０３はゲート線もしくはゲート電極、１
０４はアモルファス・シリコン層、１０５は信号線、１
０６はソース／ドレイン電極、１０７は画素電極であ
る。ＴＦＴ１０１のＯＮ／ＯＦＦをゲート線によって選
択することによって、信号線１０５を介して入力される
画素信号の画素電極１０７への入力を制御する。蓄積容
量１０２は、画素信号の保持特性を改善する。The manufacturing process of the TFT array substrate will be described below. TFT is bottom gate type (inverted stagger type)
Is. Therefore, the gate electrode and the gate line are formed in the lower layer, and the insulating layer is deposited thereon. Source / drain electrodes and signal lines are arranged on the insulating layer. A-Si is used as a semiconductor. FIG. 1 is a plan view showing a pixel structure of a PFA type LCD (Liquid Crystal Display). In FIG. 1, 101 is a TFT and 102
Is a storage capacitor, 103 is a gate line or gate electrode, 1
04 is an amorphous silicon layer, 105 is a signal line, 1
Reference numeral 06 is a source / drain electrode, and 107 is a pixel electrode. By selecting ON / OFF of the TFT 101 with a gate line, input of a pixel signal input through the signal line 105 to the pixel electrode 107 is controlled. The storage capacitor 102 improves the retention characteristic of the pixel signal.
【００３４】図２は、ＰＦＡタイプＬＣＤの製造工程を
説明する。図２における各断面図は、図１の画素構造の
Ａ−Ａ’の線での断面に相当する。図２に示されている
ゲート線のパッド部は、図１には記載されていない。パ
ッド部は、アレイ基板の周辺領域に形成される。尚、信
号線のパッド部は、説明を省略する。信号線のパッド部
は、信号線の積層構造の上にＩＴＯ層が積層された構造
である。各配線及び絶縁膜の形成は、材料の堆積、フォ
トリソグラフィ処理、エッチング処理によって形成され
る。材料の堆積は、スパッタ法や真空蒸着による物理気
相付着、もしくは、プラズマＣＶＤ等の化学気相付着に
よって行われる。フォトリソグラフィ処理は、フォトレ
ジストの付着、マスク・パターンを介した感光、現像に
よるレジスト・パターンの形成、そして、レジストの剥
離の各処理によって行われる。FIG. 2 illustrates a manufacturing process of a PFA type LCD. Each sectional view in FIG. 2 corresponds to a section taken along the line AA ′ of the pixel structure in FIG. The pad portion of the gate line shown in FIG. 2 is not shown in FIG. The pad portion is formed in the peripheral region of the array substrate. The description of the pad portion of the signal line is omitted. The pad portion of the signal line has a structure in which an ITO layer is laminated on the laminated structure of the signal line. The wiring and the insulating film are formed by depositing a material, a photolithography process, and an etching process. The material is deposited by physical vapor deposition by sputtering or vacuum evaporation, or chemical vapor deposition such as plasma CVD. The photolithography process is performed by each process of adhering a photoresist, exposing through a mask pattern, forming a resist pattern by development, and removing the resist.
【００３５】エッチング処理は、プラズマ・スパッタリ
ング、ＲＩＥスパッタリング等のドライエッチング、も
しくは、エッチング液を使用したウェットエッチングに
よって行われる。これらの処理は、各工程において好適
なものが選択される。これらの処理は広く知られた技術
であり、詳細な説明を行わない。The etching treatment is performed by dry etching such as plasma sputtering or RIE sputtering, or wet etching using an etching solution. For these treatments, a suitable treatment is selected in each step. These processes are well known techniques and will not be described in detail.
【００３６】以下に、図２の各図面を参照して、アレイ
基板製造工程を説明する。図２−Ａ．ガラス基板上にゲ
ート線層を、薄膜付着及びエッチングの技術を利用して
パターイングする。ゲート線層は、上層からＭｏ／Ａｌ
／Ｍｏの積層構造を有している。ゲート線層の形成にお
いて、ゲート線、パッド部の下層、及び蓄積容量を形成
する導体部が形成される。蓄積容量の導体部はゲート配
線から連続して形成されており、これは、いわゆるＣｓ
オン・ゲート構造と呼ばれる構造である。もちろん、ゲ
ート配線とは分離して導体部を形成することも可能であ
る。The array substrate manufacturing process will be described below with reference to the drawings of FIG. Figure 2-A. The gate line layer is patterned on the glass substrate using thin film deposition and etching techniques. The gate line layer is Mo / Al from the top.
/ Mo has a laminated structure. In forming the gate line layer, the gate line, the lower layer of the pad portion, and the conductor portion forming the storage capacitor are formed. The conductor portion of the storage capacitor is formed continuously from the gate wiring, which is the so-called Cs.
This is a structure called an on-gate structure. Of course, the conductor portion can be formed separately from the gate wiring.
【００３７】図２−Ｂ．次に、ゲート絶縁膜層を、酸化
シリコン（SiOx）もしくは窒化シリコン（SiNx）で形成
する。その後、a-Si層をパターニングし、その上にエッ
チングストッパ層を窒化シリコンをパターングすること
で形成する。エッチングストッパ層は、後の信号線層な
どのパターニングによってa-Siがエッチングもしくは劣
化することを防止する。FIG. 2-B. Next, a gate insulating film layer is formed using silicon oxide (SiO x ) or silicon nitride (SiN x ). After that, the a-Si layer is patterned, and an etching stopper layer is formed thereon by patterning silicon nitride. The etching stopper layer prevents a-Si from being etched or deteriorated by patterning a signal line layer or the like later.
【００３８】図２−Ｃ．次に、信号線層とa-Si層との接
触を向上させるための、オーミック層をn+ a-Siで形成
し、a-Si層とn＋a-Si層を同時にフォト・リソグラフィ
ー処理、及び、エッチング処理し、a-Si層とn＋a-Si層
のパターンを形成する。信号線層をその上にパターニン
グする。信号線層はゲート線層と同様の構造を有してお
り、上層からＭｏ／Ａｌ／Ｍｏを有する積層構造であ
る。図２−Ｄ．続いて、窒化シリコンでパッシベーショ
ン層をパターニングする。FIG. 2-C. Next, in order to improve the contact between the signal line layer and the a-Si layer, an ohmic layer is formed of n + a-Si, and the a-Si layer and the n + a-Si layer are simultaneously photolithographically processed and etched. Then, a pattern of a-Si layer and n + a-Si layer is formed. The signal line layer is patterned thereon. The signal line layer has the same structure as the gate line layer, and has a laminated structure including Mo / Al / Mo from the upper layer. Figure 2-D. Subsequently, the passivation layer is patterned with silicon nitride.
【００３９】図２−Ｅ．その上にポリマー層をパターニ
ングする。ポリマ層にはアクリル系樹脂を使用すること
ができる。ポリマの塗布前に基板を洗浄し、細長いスリ
ットでポリマを塗布した後に、スピンコータでスピンさ
せてポリマを薄く延ばす。その後、露光処理及び現像処
理を行う。ＵＶ光を照射した後に、約２２０〜２４０℃
で４５分間のアニール処理が施される。FIG. 2-E. A polymer layer is patterned thereon. An acrylic resin can be used for the polymer layer. The substrate is washed before the application of the polymer, the polymer is applied with the elongated slit, and then the polymer is thinly spread by spinning with a spin coater. After that, exposure processing and development processing are performed. After irradiating with UV light, about 220-240 ℃
Is annealed for 45 minutes.
【００４０】図２−Ｆ．ポリマ層の上にＩＴＯ層がパタ
ーニングされる。ＩＴＯ層は画素電極を形成する。ＩＴ
Ｏ層はゲート線の引き出し配線部におけるパッド部上に
も形成される。ゲート線パッド部は、最上層としてのＩ
ＴＯ層と、その下に、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ層を有してい
る。画素電極とＴＦＴのソース／ドレイン電極とは、
又、画素電極と蓄積容量とは、ポリマ層に形成されたビ
アを通じて接続される。FIG. 2-F. The ITO layer is patterned on the polymer layer. The ITO layer forms the pixel electrode. IT
The O layer is also formed on the pad portion in the lead wiring portion of the gate line. The gate line pad portion is I as the uppermost layer.
It has a TO layer and a Mo / Al / Mo layer below it. The pixel electrode and the source / drain electrode of the TFT are
Also, the pixel electrode and the storage capacitor are connected through a via formed in the polymer layer.
【００４１】尚、各層は他の材料で形成することができ
る。例えば、Ａｌの代わりにＡｌＮｄ合金を使用し、あ
るいは、ＭｏＷ合金などを配線材料として使用すること
ができる。あるいは、ゲート線層を、ゲート絶縁層と、
酸化シリコンと窒化シリコンの２層構造とすることがで
きる。Each layer can be formed of other materials. For example, an AlNd alloy can be used instead of Al, or a MoW alloy or the like can be used as a wiring material. Alternatively, the gate line layer and the gate insulating layer,
A two-layer structure of silicon oxide and silicon nitride can be used.
【００４２】接続パッド部のリペア処理が、以下に、説
明される。リペア処理は、表示装置の製造方法における
工程として実施される。接続パッド部に所定エネルギー
のレーザ光を照射することによって、接続パッドの表面
の均一性を維持しつつ、接続パッド部の抵抗値を下げる
ことができる。図３は、液晶表示パネル３０１の全体を
示す平面図である。液晶表示パネル３０１は、図におい
て、下側のＴＦＴアレイ基板３０２と、その上のＣＦ
（Color Filter）基板３０３と、を有している。ＣＦ基
板上３０３には各画素に対応する色（ＲＧＢ）を有する
ＣＦ層が形成されている。透過型液晶表示装置は、バッ
クライト（不図示）からの光を液晶表示パネル３０１に
入射し、各画素を透過する透過光量を制御することによ
って、画像表示を行う。The repair process of the connection pad section will be described below. The repair process is performed as a step in the manufacturing method of the display device. By irradiating the connection pad portion with laser light having a predetermined energy, it is possible to reduce the resistance value of the connection pad portion while maintaining the uniformity of the surface of the connection pad. FIG. 3 is a plan view showing the entire liquid crystal display panel 301. The liquid crystal display panel 301 includes a TFT array substrate 302 on the lower side and a CF on it in the figure.
(Color Filter) substrate 303. A CF layer having a color (RGB) corresponding to each pixel is formed on the CF substrate 303. The transmissive liquid crystal display device displays an image by causing light from a backlight (not shown) to enter the liquid crystal display panel 301 and controlling the amount of light transmitted through each pixel.
【００４３】図３において、３０４は画素がマトリック
ス状に配置され、画像の表示を行う表示領域、３０５は
表示領域の外側に形成された周辺領域である。周辺領域
の一つのＹ辺上に複数のゲート・ドライバＩＣが接続さ
れる。図３において、これらは、直接、ＴＦＴアレイ基
板３０１のガラス基板上に設置される。これは、ＣＯＧ
（Chip On Glass）と呼ばれる技術である。３０６はド
ライバＩＣが実装される部分を示している。一方、一つ
のＸ辺には、複数のデータ・ドライバＩＣが接続され
る。データ・ドライバは、ＴＣＰ（Tape Carrier Packa
ge）の配線フィルムを介してアレイ基板３０２に接続さ
れる。ここでＴＣＰは、配線を有するフィルムとその上
に実装されたドライバＩＣを有している。尚、ドライバ
とアレイ基板の接続は、ＣＯＧもしくはＴＡＢ（Tape A
utomated Bonding）のいずれを使用することもできる。In FIG. 3, 304 is a display area in which pixels are arranged in a matrix and an image is displayed, and 305 is a peripheral area formed outside the display area. A plurality of gate driver ICs are connected on one Y side of the peripheral region. In FIG. 3, these are directly installed on the glass substrate of the TFT array substrate 301. This is COG
This is a technology called (Chip On Glass). Reference numeral 306 indicates a portion where the driver IC is mounted. On the other hand, a plurality of data driver ICs are connected to one X side. The data driver is TCP (Tape Carrier Packa)
ge) wiring film is connected to the array substrate 302. Here, the TCP has a film having wiring and a driver IC mounted thereon. The driver is connected to the array substrate by COG or TAB (Tape A
utomated Bonding) can be used.
【００４４】リペア処理は、周辺領域に形成された配線
部であって、ドライバＩＣとの接続に使用される接続配
線部の接続パッド部に、レーザ光を照射することによっ
て行われる。ここで、接続パッド部とは、ドライバもし
くはＴＣＰ（これらをドライバＩＣ部品と呼ぶ）と、ア
レイ基板上の周辺領域における接続配線部と、が接続さ
れる部分を意味する。ゲート・ドライバ用の接続配線部
は、周辺領域におけるアレイ基板３０２上のＹ辺に形成
されている。データ・ドライバの用の接続配線部は、周
辺領域におけるアレイ基板３０２上Ｘ辺に形成されてい
る。接続配線とドライバＩＣとは、接続配線部と連続し
て形成された接続パッド部を介して接続される。接続配
線部及び接続パッド部については、図５及び６を参照し
て、後に説明する。The repair process is performed by irradiating the connection pad portion of the wiring portion formed in the peripheral region, which is used for the connection with the driver IC, with the laser beam. Here, the connection pad portion means a portion where the driver or TCP (these are referred to as driver IC components) and the connection wiring portion in the peripheral region on the array substrate are connected. The connection wiring portion for the gate driver is formed on the Y side on the array substrate 302 in the peripheral region. The connection wiring portion for the data driver is formed on the X side of the array substrate 302 in the peripheral region. The connection wiring and the driver IC are connected via the connection pad portion formed continuously with the connection wiring portion. The connection wiring portion and the connection pad portion will be described later with reference to FIGS.
【００４５】図４は、接続パッド部のリペア処理に使用
することができるレーザ装置を説明している。図４にお
いて、４０１は赤外レーザ光を発振するＹＬＦレーザ発
振器、４０２はレーザ光を減衰するアッテネータ、４０
３はレーザ光の通過／遮断を制御する可変スリット、４
０４はダイクロック・ミラー、４０５は加工レンズ、４
０６気体噴射ノズル、４０７はレーザ照射の位置合わせ
に利用されるＣＣＤカメラ、４０８は液晶表示パネルを
平面上でＸ−Ｙ方向に移動させるＸ−Ｙステージ、であ
る。１０５３ｎｍのレーザ光を使用することができる。
尚、ＹＡＧレーザ等、他の赤外線レーザ装置を使用する
ことが可能であり、パルス・レーザもしくは連続出力レ
ーザのいずれも使用することができる。FIG. 4 illustrates a laser device that can be used for repairing the connection pad portion. In FIG. 4, 401 is a YLF laser oscillator that oscillates infrared laser light, 402 is an attenuator that attenuates laser light, and 40
3 is a variable slit for controlling passage / blocking of laser light, 4
04 is a dichroic mirror, 405 is a processed lens, 4
06 gas injection nozzle, 407 is a CCD camera used for alignment of laser irradiation, and 408 is an XY stage for moving the liquid crystal display panel in a XY direction on a plane. Laser light of 1053 nm can be used.
It should be noted that other infrared laser devices such as a YAG laser can be used, and either a pulse laser or a continuous output laser can be used.
【００４６】レーザ発振器４０１より出力されたレーザ
光は、アッテネータ及び可変スリットを介してダイクロ
ックミラーで反射される。反射されたレーザ光は加工レ
ンズを介してアレイ基板上の接続パッド部に照射され
る。レーザ照射部分には気体噴射ノズル４０６によって
気体が噴射され、照射部の温度の上昇を抑制する。吹き
付ける気体は、空気や窒素を使用することができる。接
続パッド部の最上層がＩＴＯ層であるので、加熱されて
も酸化することがない。最上層がＩＴＯ以外の金属層で
ある場合は、最上層金属の酸化を防ぐために、水素など
の還元気体や窒素などの酸素を含まない気体を使用する
ことができる。Ｘ−Ｙステージ４０８を移動することに
よって、レーザ光を所定の方向にスキャンさせる。The laser light output from the laser oscillator 401 is reflected by the dichroic mirror through the attenuator and the variable slit. The reflected laser light is applied to the connection pad portion on the array substrate via the processing lens. Gas is jetted by the gas jet nozzle 406 to the laser irradiation portion, and the temperature rise of the irradiation portion is suppressed. Air or nitrogen can be used as the gas to be sprayed. Since the uppermost layer of the connection pad portion is the ITO layer, it does not oxidize even when heated. When the uppermost layer is a metal layer other than ITO, a reducing gas such as hydrogen or a gas containing no oxygen such as nitrogen can be used to prevent oxidation of the uppermost metal. By moving the XY stage 408, the laser light is scanned in a predetermined direction.
【００４７】図５は、Ｙ辺に形成された接続配線部及び
接続パッド部を示す平面図である。図示された接続配線
部及び接続パッド部の数は、実際の製品を反映していな
い。これら接続パッド部とゲート・ドライバは、ＣＯＧ
技術によってＡＣＦを使用して直接に接続される。図５
において、５０１はＴＦＴアレイ基板端、５０２はＣＦ
基板端である。５０３は表示領域内のゲート線につなが
る引出し配線部、５０４及び５０５はゲート・ドライバ
間を接続するドライバ間接続配線部である。接続配線部
は、引出し配線部５０３とドライバ間接続配線部５０
４、５０５と、を有している。配線部５０３〜５０５に
おいて、黒い部分がレーザ未照射部分であり、白い部分
がレーザ照射部分である。５０４及び５０５の両端部に
レーザ光が照射される。FIG. 5 is a plan view showing the connection wiring portion and the connection pad portion formed on the Y side. The numbers of connection wiring portions and connection pad portions shown in the drawing do not reflect the actual product. These connection pads and the gate driver are COG
Depending on the technology, it is directly connected using ACF. Figure 5
In the figure, 501 is the end of the TFT array substrate, and 502 is CF.
It is the substrate edge. Reference numeral 503 is a lead wiring portion connected to a gate line in the display area, and reference numerals 504 and 505 are driver connection wiring portions connecting the gate and the driver. The connection wiring portion includes the lead-out wiring portion 503 and the inter-driver connection wiring portion 50.
4 and 505. In the wiring portions 503 to 505, the black portion is the laser non-irradiated portion and the white portion is the laser irradiated portion. Both ends of 504 and 505 are irradiated with laser light.
【００４８】接続パッド部は、ドライバ間接続配線部５
０４、５０５と引き出し配線部５０３のそれぞれの一部
として形成されている。ドライバ間接続配線部５０４、
５０５は、信号線層のパターニング・ステップと画素電
極ＩＴＯ層のパターニング・ステップにおいて形成する
ことができ、上層からＩＴＯ／Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの構造
を有している。引き出し配線部５０３は、上層からＩＴ
Ｏ／Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの構造を有している。接続パッド
部も同じ構造を有している。実際には、Ｍｏ層とＩＴＯ
層との間に、好ましくないＭｏ酸化物絶縁層が形成され
ている。このＭｏ酸化物絶縁層のために、接続パッド部
の抵抗値が大きくなり、ドライバＩＣの実装を妨げる。
尚、接続パッド部は他の配線部よりも幅広としても、同
じ幅であってもよい。The connection pad portion is the inter-driver connection wiring portion 5
04 and 505 and the lead wiring portion 503, respectively. Driver connection wiring section 504,
505 can be formed in the patterning step of the signal line layer and the patterning step of the pixel electrode ITO layer, and has a structure of ITO / Mo / Al / Mo from the upper layer. The lead-out wiring portion 503 is IT from the upper layer.
It has a structure of O / Mo / Al / Mo. The connection pad portion also has the same structure. Actually, Mo layer and ITO
An undesirable Mo oxide insulating layer is formed between the layers. Due to the Mo oxide insulating layer, the resistance value of the connection pad portion becomes large, which hinders the mounting of the driver IC.
The connection pad portion may be wider or the same width as the other wiring portions.
【００４９】接続パッド部にレーザ光が照射される。レ
ーザ光が照射された部分において、表面ＩＴＯ層とＭｏ
層とが接続され、抵抗値が大きく下がる。全ての接続パ
ッドにレーザ光を照射しても、あるいは、一部の接続パ
ッド部のみに選択的にレーザ光を照射することもでき
る。例えば、引き出し配線部の内、とくに流れる電流値
の大きい配線の抵抗値を下げるため、その配線のみにレ
ーザ光を照射することができる。ドライバ間接続配線部
のレーザ光照射においては、複数の接続パッド部に同時
にレーザ光を照射し、Ｙ辺にそって、ドライバ間接続配
線部が延びる方向に、レーザ光がスキャンされる。ドラ
イバ間接続配線部の両端部にレーザ光が照射される。レ
ーザ光のエネルギーは、レーザ照射による接続パッド部
表面の不均一化とパッド部の抵抗値の低下との関係で決
定され、好ましくは、５ｍＪ／ｍｍ２以上、８ｍＪ／ｍ
ｍ２以下である。又、レーザ光のスキャン速度は、好ま
しくは、４０〜２００μｍ/ｓｅｃである。The connection pad is irradiated with laser light. In the part irradiated with the laser beam, the surface ITO layer and Mo
The layer is connected and the resistance value is greatly reduced. It is also possible to irradiate all the connection pads with laser light, or selectively irradiate only some of the connection pad portions with laser light. For example, in the lead-out wiring portion, in order to reduce the resistance value of a wiring having a particularly large current value, it is possible to irradiate only that wiring with laser light. In irradiating the inter-driver connection wiring portion with the laser light, the plurality of connection pad portions are simultaneously irradiated with the laser light, and the laser light is scanned along the Y side in the direction in which the inter-driver connection wiring portion extends. Both ends of the driver connection wiring portion are irradiated with laser light. The energy of the laser light is determined by the relationship between the unevenness of the surface of the connection pad portion due to laser irradiation and the reduction of the resistance value of the pad portion, and preferably 5 mJ / mm 2 or more and 8 mJ / m.
It is m2 or less. The scanning speed of the laser light is preferably 40 to 200 μm / sec.
【００５０】尚、レーザ光の照射は接続パッド部に限ら
ず、接続配線部の他の部分に照射することも可能であ
る。しかし、ＩＴＯ層は導体としては抵抗が大きいの
で、接続パッド部にレーザ光を照射することが好まし
い。レーザ光の照射部分において、表面ＩＴＯ層とＭｏ
層が接続されるので、ドライバＩＣ部品の接続部分とレ
ーザ光照射部分までの間は表面ＩＴＯ層によって電気的
に接続される。ＩＴＯ層は導体としては抵抗が大きいの
で、この距離が大きいと十分な導電性を確保できない場
合がある。The irradiation of the laser light is not limited to the connection pad portion, and it is possible to irradiate the other portion of the connection wiring portion. However, since the ITO layer has a large resistance as a conductor, it is preferable to irradiate the connection pad portion with laser light. The surface ITO layer and Mo in the portion irradiated with laser light
Since the layers are connected, the connection portion of the driver IC component and the laser light irradiation portion are electrically connected by the surface ITO layer. Since the ITO layer has a large resistance as a conductor, sufficient conductivity may not be ensured if this distance is large.
【００５１】図６は、ＴＣＰと接続される、Ｘ辺に形成
された、接続配線部及び接続パッド部を示す平面図であ
る。一つのＴＣＰに接続される複数の接続配線部を示し
ている。尚、実際の接続パッド部及び接続配線部の数
は、図に示されているものよりもはるかに多い。接続配
線部は、表示領域内の信号線に連続している引出し配線
部である。接続パッド部及び接続配線部は、上層からＩ
ＴＯ／Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの構造を有している。接続パッ
ド部には、データ・ドライバがＴＣＰを介して接続され
る。図６において、６０１はＴＦＴアレイ基板端、６０
２はＣＦ基板端である。各接続パッド部６０３はセル基
板端側からＣＦ基板端へ向かって延びており、信号線の
引き出し配線部６０４に連続している。レーザ光は、複
数の接続パッド部を横切って、Ｙ辺に沿ってスキャンさ
れる。６０５は、各接続パッド部のレーザ照射された部
分を示している。レーザ光の好ましいエネルギーは、Ｙ
辺のために使用されたエネルギーと同じである。FIG. 6 is a plan view showing connection wiring portions and connection pad portions formed on the X side, which are connected to TCP. A plurality of connection wiring parts connected to one TCP are shown. Note that the actual numbers of connection pad portions and connection wiring portions are much larger than those shown in the figure. The connection wiring portion is a lead wiring portion that is continuous with the signal line in the display area. The connection pad part and the connection wiring part are I from the upper layer.
It has a structure of TO / Mo / Al / Mo. A data driver is connected to the connection pad section via TCP. In FIG. 6, reference numeral 601 denotes a TFT array substrate end, and 60
Reference numeral 2 is an edge of the CF substrate. Each connection pad portion 603 extends from the cell substrate end side toward the CF substrate end and is continuous with the signal line lead-out wiring portion 604. The laser light is scanned along the Y side across the plurality of connection pad portions. Reference numeral 605 denotes a portion of each connection pad portion irradiated with laser. The preferable energy of the laser light is Y
It is the same energy used for the sides.
【００５２】上記の接続パッド部へのレーザ光照射によ
る抵抗値の低下は、以下のようなプロセスで実現されて
いると理解される。図７は、リペア前とリペア後の接続
パッド部の断面の様子を説明している。図７Ａは赤外レ
ーザ光によってリペアされる前の断面構造であり、図７
Ｂがリペア後の断面構造である。図７において、７０１
はＩＴＯ最上層、７０２がＭｏＯ3層、７０３が導電性
Ｍｏ層、７０４が導電性Ａｌ層、７０５が導電性Ｍｏ層
である。ＭｏＯ3はＭｏの酸化物であり、絶縁体であ
る。７０６はレーザ光照射によって、Ｍｏ酸化物絶縁体
が導体化した部分である。ＩＴＯ層７０１とＭｏ層７０
５との間に絶縁層７０２が存在するため、接続パッド部
表面と接続配線との間の抵抗が大きくなり、ドライバＩ
Ｃの実装に支障をきたす。ＣＯＧ及びＴＡＢにおいて、
ドライバＩＣ部品は接続パッドの表面に接続される。こ
の表面層は表示領域内までは連続していない。又、ＩＴ
Ｏは導体としては抵抗が大きい。従って、ドライバＩＣ
からの電気信号が上手く伝送されない。このＭｏＯ3絶
縁層７０２は、厚膜ポリマ層のパターニング工程におい
てＭｏ層が露出していることで形成されると考えられ
る。It is understood that the reduction of the resistance value due to the laser light irradiation on the connection pad portion is realized by the following process. FIG. 7 illustrates the cross-sectional appearance of the connection pad portion before repair and after repair. 7A is a cross-sectional structure before repair by infrared laser light.
B is a cross-sectional structure after repair. In FIG. 7, 701
Is an ITO uppermost layer, 702 is a MoO 3 layer, 703 is a conductive Mo layer, 704 is a conductive Al layer, and 705 is a conductive Mo layer. MoO 3 is an oxide of Mo and is an insulator. Reference numeral 706 is a portion where the Mo oxide insulator is made into a conductor by laser light irradiation. ITO layer 701 and Mo layer 70
5, the resistance between the surface of the connection pad portion and the connection wiring increases, and the driver I
It hinders the implementation of C. In COG and TAB,
The driver IC component is connected to the surface of the connection pad. This surface layer is not continuous to the inside of the display area. Also IT
O has a large resistance as a conductor. Therefore, the driver IC
The electrical signal from is not transmitted properly. It is considered that the MoO 3 insulating layer 702 is formed by exposing the Mo layer in the patterning process of the thick film polymer layer.
【００５３】レーザ光の照射によってＭｏ酸化物層７０
２の一部が導体化することで、ＩＴＯ層７０１とＭｏ層
７０３との接続抵抗値が大きく下がり、接続パッド部の
抵抗値を下げることができる。導体化された部分が、Ｉ
ＴＯ表面層とＭｏ層とを接続する。ドライバＩＣの接続
端子からの信号は、ＩＴＯ層と導体化部を介して、Ｍｏ
層によって十分に伝送される。ここで注意すべきこと
は、照射されるレーザ光のエネルギーは、ＩＴＯ層の表
面の均一性が維持される程度のエネルギー内に設定され
ている。これは、接続パッド部表面には、ドライバＩＣ
もしくはＴＣＰが接続されるため、表面が荒れている
と、十分な接続を得ることができないからである。これ
は、従来のレーザ・リペア処理と大きくことなるもので
あることが明らかである。従来のレーザ・リペアは、配
線に孔を形成することでリペア処理を行っている。本形
態のリペア処理は、接続パッド部の表面を溶融せず、積
層構造を破壊しない。The Mo oxide layer 70 is formed by irradiation with laser light.
By making part of 2 into a conductor, the connection resistance value between the ITO layer 701 and the Mo layer 703 is greatly reduced, and the resistance value of the connection pad portion can be reduced. The part which is made into a conductor is I
The TO surface layer and the Mo layer are connected. The signal from the connection terminal of the driver IC is transferred to the Mo layer through the ITO layer and the conductor.
Fully transmitted by layers. Here, it should be noted that the energy of the laser light to be irradiated is set within the energy that maintains the uniformity of the surface of the ITO layer. This is the driver IC on the surface of the connection pad.
Alternatively, because TCP is connected, if the surface is rough, a sufficient connection cannot be obtained. It is clear that this is significantly different from the conventional laser repair process. In the conventional laser repair, repair processing is performed by forming holes in the wiring. The repair process of this embodiment does not melt the surface of the connection pad portion and does not destroy the laminated structure.
【００５４】所定エネルギーの赤外レーザ光が、ＩＴＯ
最上層側から、接続パッド部に照射される。これによっ
て、ＭｏＯ3絶縁層が加熱され、熱エネルギーによって
酸素の結合が切断される。レーザ光のエネルギーが十分
に小さく、温度上昇が小さいので、ＩＴＯ層もＭｏ層も
溶融されず、ＩＴＯ層表面の均一性も維持される。熱エ
ネルギーによってＭｏＯ3から切り離された酸素は、拡
散もしくは酸化によってＭｏ層に移動すると考えられ
る。ＭｏＯ3絶縁層は、酸素が切り離されることによっ
て、導体に変化し、ＩＴＯ層７０１とＭｏ層７０３との
接続抵抗が大きく低下する。尚、本実施形態において
は、表面層と下層との間に形成された絶縁層についてリ
ペア処理を行ったが、より下層に形成された絶縁層をリ
ペア処理することも可能である。又、酸化物絶縁層に限
らず、窒化物絶縁層を同様の処理により、リペアするこ
とが可能である。Infrared laser light having a predetermined energy is emitted from ITO.
The connection pad portion is irradiated from the uppermost layer side. As a result, the MoO 3 insulating layer is heated, and the oxygen bonds are broken by the thermal energy. Since the energy of the laser light is sufficiently small and the temperature rise is small, neither the ITO layer nor the Mo layer is melted, and the uniformity of the ITO layer surface is maintained. It is considered that oxygen separated from MoO 3 by thermal energy moves to the Mo layer by diffusion or oxidation. The MoO 3 insulating layer changes to a conductor when oxygen is separated, and the connection resistance between the ITO layer 701 and the Mo layer 703 is greatly reduced. Although the insulating layer formed between the surface layer and the lower layer is repaired in the present embodiment, the insulating layer formed in the lower layer may be repaired. Further, not only the oxide insulating layer but also the nitride insulating layer can be repaired by the same process.
【００５５】以上のように、本実施の形態によって、Ｐ
ＦＡタイプのＬＣＤにおける、ドライバＩＣ実装におけ
る問題が解決される。接続パッド部の表面の均一性を維
持しつつ接続パッド部の抵抗値を下げることができ、表
示パネルにドライバＩＣを実装することができる。As described above, according to the present embodiment, P
Problems in driver IC mounting in FA type LCDs are solved. The resistance value of the connection pad portion can be reduced while maintaining the uniformity of the surface of the connection pad portion, and the driver IC can be mounted on the display panel.
【図１】 本実施の形態におけるＰＦＡタイプの液晶表
示装置の、画素構造を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a pixel structure of a PFA type liquid crystal display device according to an embodiment.
【図２】 本実施の形態におけるアレイ基板の製造工程
を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the array substrate in the present embodiment.
【図３】 本実施の形態における液晶表示パネルの平面
図。FIG. 3 is a plan view of a liquid crystal display panel according to the present embodiment.
【図４】 本実施の形態におけるリペア装置の構成図。FIG. 4 is a configuration diagram of a repair device according to the present embodiment.
【図５】 本実施の形態におけるゲート・ドライバ（Ｃ
ＯＧ）が接続される接続配線、及びそのリペアの様子を
説明する図。FIG. 5 shows a gate driver (C according to the present embodiment.
FIG. 6 is a diagram illustrating a connection wiring to which OG) is connected and a state of repairing the connection wiring.
【図６】 本実施の形態におけるデータ・ドライバ（Ｔ
ＡＢ）が接続される接続配線、及びそのリペアの様子を
説明する図。FIG. 6 shows a data driver (T
6A and 6B are diagrams illustrating a connection wiring to which AB) is connected and a state of repair thereof.
【図７】 本実施の形態におけるリペア前後の接続パッ
ド部の構造を説明する断面図。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating the structure of a connection pad portion before and after repair in the present embodiment.
【図８】 従来の技術におけるＰＦＡタイプＬＣＤの画
素構造を説明する平面図。FIG. 8 is a plan view illustrating a pixel structure of a PFA type LCD according to a conventional technique.
【図９】 従来の技術におけるＰＦＡタイプＬＣＤの画
素構造を説明する断面図。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a pixel structure of a PFA type LCD according to a conventional technique.
１０１ ＴＦＴ、１０２ 蓄積容量、１０３ ゲート電
極、１０４ アモルファス・シリコン層、１０５ 信号
線、１０６ ソース／ドレイン電極、１０７ 画素電
極、４０１ ＹＬＦレーザ発振器、４０２ アッテネー
タ、４０３ 可変スリット、４０４ ダイクロック・ミ
ラー、４０５ 加工レンズ、４０６ 気体噴射ノズル、
４０７ ＣＣＤカメラ、４０８ Ｘ−Ｙステージ、５０
１ ＴＦＴアレイ基板端、５０２ ＣＦ基板端、５０３
引出し配線部、５０４、５０５ ドライバ間接続配線
部、６０１ ＴＦＴアレイ基板端、６０２ ＣＦ基板
端、６０３ 接続パッド部、６０４ 引き出し配線部、
７０１ ＩＴＯ最上層、７０２ＭｏＯ3層、７０３ 導
電性Ｍｏ層、７０４ 導電性Ａｌ層、７０５ 導電性Ｍ
ｏ層、７０６ 導体化部分、８０１ ＴＦＴ、８０２
蓄積容量、８０３ ゲート線、８０４ アモルファス・
シリコン層、８０５ 信号線、８０６ ソース／ドレイ
ン電極、８０７ 画素電極、９０１ ゲート配線層、９
０２ ゲート絶縁膜層、９０３ アモルファス・シリコ
ン層、９０４ オーミック層、９０５ ＳｉＮｘエッチ
ング・ストッパ層、９０６ 信号線層、９０７ ＳｉＮ
ｘパッシベーション層、９０８ 厚いポリマ層、９０９
ＩＴＯ画素電極層、101 TFT, 102 storage capacitor, 103 gate electrode, 104 amorphous silicon layer, 105 signal line, 106 source / drain electrode, 107 pixel electrode, 401 YLF laser oscillator, 402 attenuator, 403 variable slit, 404 dichroic mirror, 405 Processing lens, 406 gas injection nozzle,
407 CCD camera, 408 XY stage, 50
1 TFT array substrate edge, 502 CF substrate edge, 503
Lead-out wiring portion, 504, 505 Driver-to-driver connection wiring portion, 601 TFT array substrate end, 602 CF substrate end, 603 connection pad portion, 604 Lead-out wiring portion,
701 ITO uppermost layer, 702MoO 3 layer, 703 conductive Mo layer, 704 conductive Al layer, 705 conductive M
o layer, 706 conductive portion, 801 TFT, 802
Storage capacity, 803 gate line, 804 amorphous
Silicon layer, 805 signal line, 806 source / drain electrode, 807 pixel electrode, 901 gate wiring layer, 9
02 gate insulating film layer, 903 amorphous silicon layer, 904 ohmic layer, 905 SiNx etching stopper layer, 906 signal line layer, 907 SiN
x passivation layer, 908 thick polymer layer, 909
ITO pixel electrode layer,
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３０ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３０Ｚ ３３８ ３３８ (72)発明者 和田 竹彦 滋賀県野洲郡野洲町大字市三宅800番地 日本アイ・ビー・エム株式会社 野洲事業 所内 (72)発明者 小林 繁隆 滋賀県野洲郡野洲町大字市三宅800番地 日本アイ・ビー・エム株式会社 野洲事業 所内 (72)発明者 香山 卓士 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア イ・ビー・エム株式会社 大和事業所内 (72)発明者 森田 英之 滋賀県野洲郡野洲町大字市三宅800番地 日本アイ・ビー・エム株式会社 野洲事業 所内 Ｆターム(参考） 2H092 GA14 GA25 GA35 GA43 GA59 HA14 HA19 JB24 JB33 JB71 JB73 KB01 KB04 KB05 KB25 MA07 MA30 MA46 MA51 NA15 NA16 PA06 QA05 QA07 QA15 5C094 AA10 AA24 AA31 AA42 AA43 AA48 AA53 BA03 BA43 CA19 DA09 DA13 DB01 DB02 DB04 EA04 EA05 EA10 EB02 FA01 FA02 FB02 FB12 FB15 GB10 JA20 5G435 AA14 AA16 AA17 BB12 CC09 EE32 EE37 EE41 HH12 HH14 KK05 KK10 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G09F 9/30 330 330 G09F 9/30 330Z 338 338 (72) Inventor Takehiko Wada Oji City, Yasu-cho, Yasu-gun, Shiga Prefecture 800 Miyake Japan YB M Co., Ltd. Yasu Business Office (72) Inventor Shigetaka Kobayashi 800 Miyake, Yasu-cho, Yasu-gun, Shiga Prefecture Japan IBM Japan Ltd. Yasu Business Office (72) Inventor Kayama Takushi 1623 Shimotsuruma, Yamato-shi, Kanagawa 14 Japan AIBM Co., Ltd. Yamato Plant (72) Inventor Hideyuki Morita 800 Miyake, Yasu-cho, Yasu-gun, Shiga Japan IBM Japan Ltd. Yasu Plant F-term (reference) 2H092 GA14 GA25 GA35 GA43 GA59 HA14 HA19 JB24 JB33 JB71 JB73 KB01 KB04 KB05 KB25 MA 07 MA30 MA46 MA51 NA15 NA16 PA06 QA05 QA07 QA15 5C094 AA10 AA24 AA31 AA42 AA43 AA48 AA53 BA03 BA43 CA19 DA09 DA13 DB01 DB02 DB04 EA04 EA05 EA10 EB02 FA01 FA02 FB02 FB12 FB15 GB10 JA20 5G435 AA14 AA16 AA17 BB12 CC09 EE32 EE37 EE41 HH12 HH14 KK05 KK10
Claims (22)
１及び第２の導電層の間に形成された絶縁層と、を有す
る多層配線のリペア方法であって、 前記多層配線に、前記第２導電層側から予め定めらた照
射エネルギーのレーザ光を照射するステップと、 前記レーザ照射において、前記第２導電層を溶融するこ
となく前記絶縁層を加熱するステップと、 前記絶縁層を加熱することにより、前記第２の導電層と
前記第１の導電層とを接続するステップと、 を有するリペア方法。1. A method for repairing multilayer wiring, comprising: a first conductive layer, a second conductive layer, and an insulating layer formed between the first and second conductive layers, the method comprising: Irradiating the multilayer wiring with a laser beam having a predetermined irradiation energy from the second conductive layer side; in the laser irradiation, heating the insulating layer without melting the second conductive layer; Connecting the second conductive layer and the first conductive layer by heating the insulating layer.
層であり、前記第１の導電層は第１の金属導体で形成さ
れ、前記第２の導電層は第２の金属導体で形成され、前
記絶縁層は前記第１もしくは第２の金属導体の酸化物で
ある、請求項１に記載のリペア方法。2. The second conductive layer is a surface layer of the multi-layer wiring, the first conductive layer is formed of a first metal conductor, and the second conductive layer is a second metal conductor. The repair method according to claim 1, wherein the repair layer is formed by the method described above, and the insulating layer is an oxide of the first or second metal conductor.
による熱によって前記絶縁層における酸素の結合が切断
されることにより、前記絶縁体が導体に変化することで
接続する、請求項２に記載のリペア方法。3. The connecting step according to claim 2, wherein in the connecting step, the insulator is changed into a conductor by breaking a bond of oxygen in the insulating layer due to heat generated by the laser irradiation. Repair method.
て、前記多層配線の表面に気体を吹き付けることによっ
て、前記多層配線を冷却する、請求項１に記載のリペア
方法。4. The repair method according to claim 1, wherein in the laser irradiation, the multilayer wiring is cooled by blowing gas onto the surface of the multilayer wiring.
８ｍＪ／ｍｍ２以下である、請求項１に記載のリペア方
法。5. The insulating layer is MoO 3 , and the irradiation energy of the laser is 5 mJ / mm 2 or more,
The repair method according to claim 1, wherein the repair method is 8 mJ / mm 2 or less.
Oxide）で構成されており、 前記絶縁層は前記第１の金属導体の酸化物である、 請求項２に記載のリペア方法。6. The second conductive layer is made of ITO (Indium Tin).
Oxide), and the insulating layer is an oxide of the first metal conductor.
記第１及び第２の導電層の間に形成された絶縁体層と、
を有する多層配線における接続方法であって、 前記多層配線に、前記第２の導電体層側からレーザ光を
照射するステップと、 前記レーザ照射によって前記絶縁体層を加熱することに
より、前記絶縁体層の一部を導電体層に変化させるステ
ップと、 前記変化された導電層によって、前記第１の導電層と前
記第２の導電層とを接続するステップとを有する、多層
配線における接続方法。7. A first conductor layer, a second conductor layer, and an insulator layer formed between the first and second conductor layers,
And a step of irradiating the multi-layer wiring with laser light from the second conductor layer side, the insulating layer being heated by the laser irradiation. A method of connecting in multilayer wiring, comprising: a step of changing a part of the layer into a conductor layer; and a step of connecting the first conductive layer and the second conductive layer by the changed conductive layer.
導電体層に変化させるステップは、前記金属酸化物の酸
素の結合を切断することにより前記金属酸化物を導電体
に変化させる、前記７に記載の接続方法。8. The insulating layer is a metal oxide layer, and the step of converting into a conductor layer converts the metal oxide into a conductor by breaking oxygen bonds in the metal oxide. The connection method according to 7 above.
あり、 前記第２の導電体層は第２の金属導体層であり、 前記絶縁体層は、前記第１もしくは第２の金属導体の酸
化物である、請求項７に記載の接続方法。9. The first conductor layer is a first metal conductor layer, the second conductor layer is a second metal conductor layer, and the insulator layer is the first or first metal conductor layer. The connection method according to claim 7, which is an oxide of the metal conductor of No. 2.
体層と前記絶縁体層とに、孔が形成されない、請求項７
に記載の接続方法。10. A hole is not formed in the second conductor layer and the insulator layer by the laser irradiation.
Connection method described in.
を有する表示領域と、前記表示領域の外側に形成された
周辺領域と、を有する表示装置であって、 前記周辺領域にドライバＩＣ部品と接続される接続配線
部が形成されており、前記接続配線部は第１の導電層
と、第２の導電層と、前記第１及び第２の導電層の間に
形成された絶縁物層と、を有する表示装置、のリペア方
法であって、 前記接続配線部に、前記第２の導電層側からレーザ光を
照射するステップと、 前記レーザ照射によって、前記第２の導電層のレーザ照
射側表面を溶融することなく前記絶縁物層を加熱するス
テップと、 前記前記絶縁物層を加熱することにより、前記第２の導
電層と前記第１の導電層とを接続するステップと、 を有する、リペア方法。11. A display device having a display region having a plurality of pixels arranged on a matrix, and a peripheral region formed outside the display region, wherein the peripheral region is connected to a driver IC component. A connection wiring portion is formed, the connection wiring portion includes a first conductive layer, a second conductive layer, and an insulating layer formed between the first and second conductive layers. A method of repairing a display device comprising: a step of irradiating the connection wiring portion with laser light from the second conductive layer side; and a laser irradiation side surface of the second conductive layer by the laser irradiation. A step of heating the insulating layer without melting the insulating layer, and a step of connecting the second conductive layer and the first conductive layer by heating the insulating layer. Method.
部の表面に気体を吹き付けることによって、前記接続配
線部を冷却する、請求項１１記載のリペア方法。12. The repair method according to claim 11, wherein in the heating step, the connection wiring portion is cooled by blowing gas onto the surface of the connection wiring portion.
部がドライバＩＣ部品と接続される接続パッド部にレー
ザ光を照射し、 前記加熱するステップは、前記接続配線部の表面の均一
性を乱さない、 請求項１１記載のリペア方法。13. The irradiating step irradiates a laser beam onto a connection pad section where the connection wiring section is connected to a driver IC component, and the heating step disturbs the uniformity of the surface of the connection wiring section. The repair method according to claim 11, which is not provided.
面層であり、前記第１の導電体層は金属導電体から構成
され、前記絶縁体層は前記第１導電体の酸化物であり、
前記接続するステップは前記酸化物の酸素の結合を切断
することによって、前記酸化物を導体に変化させる、 請求項１１に記載のリペア方法。14. The second conductive layer is a surface layer of the connection wiring portion, the first conductive layer is made of a metal conductive material, and the insulating layer is an oxide of the first conductive material. And
The repair method according to claim 11, wherein the connecting step converts the oxide into a conductor by breaking a bond of oxygen in the oxide.
てマトリックス状に配置された複数の配線の上に形成さ
れた有機絶縁体層と、前記有機絶縁体層の上に形成され
た複数の画素電極とを有し、 前記接続配線部は前記表示領域内に配置された配線と接
続されており、 前記第２の導電層は、前記画素電極と同じ材料によって
形成されている、請求項１１に記載のリペア方法。15. The display device comprises an organic insulator layer formed on a plurality of wirings arranged in a matrix in the display region, and a plurality of pixels formed on the organic insulator layer. 12. The electrode according to claim 11, wherein the connection wiring part is connected to a wiring arranged in the display region, and the second conductive layer is formed of the same material as the pixel electrode. The repair method described.
絶縁物層はＭｏＯ3層であり、前記第２の導電層はＩＴ
Ｏ層であり、前記接続するステップは前記酸化物の酸素
の結合を切断することによって、前記酸化物を導体に変
化させる、請求項１１に記載のリペア方法。16. The first conductive layer is a Mo layer, the insulator layer is a MoO 3 layer, and the second conductive layer is IT.
12. The repair method according to claim 11, which is an O layer, and wherein the connecting step changes the oxide into a conductor by breaking oxygen bonds of the oxide.
号線と複数の走査線とを有する表示装置の製造方法であ
って、 前記複数の走査線を形成するステップと、 前記複数の信号線を形成するステップと、 前記複数の走査線と前記複数の信号線の交差部それぞれ
の近傍に、画素電極を形成するステップと、 前記複数の信号線もしくは走査線の一つの引き出し配線
部であって、第１の導電層と第２の導電層と前記第１及
び第２の導電層との間に形成された絶縁体層と、を有す
る引出し配線部に、レーザ光を照射するステップと、 前記レーザ照射において、予め定めらた照射エネルギー
のレーザ光を照射することにより、前記引き出し配線部
の表面を溶融することなく前記絶縁体層を加熱し、前記
第１及び第２の導電層とを接続するステップと、 を有する表示装置の製造方法。17. A method of manufacturing a display device having a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines arranged in a matrix, the method comprising the steps of forming the plurality of scanning lines; A step of forming, a step of forming a pixel electrode in the vicinity of each intersection of the plurality of scanning lines and the plurality of signal lines, and one lead wiring portion of the plurality of signal lines or scanning lines, Irradiating a leader wiring portion having a first conductive layer, a second conductive layer, and an insulator layer formed between the first and second conductive layers with a laser beam; In the irradiation, by irradiating a laser beam having a predetermined irradiation energy, the insulating layer is heated without melting the surface of the extraction wiring portion, and the first and second conductive layers are connected. With steps Method for manufacturing a display device having a.
記複数の走査線及び信号線を形成した後に、有機絶縁体
層を形成するステップを有し、 前記画素電極を形成するステップは、前記有機絶縁体層
の上に前記画素電極を形成し、さらに、前記形成された
複数の信号線の引き出し配線部表面に、前記画素電極の
材料で配線層を積層し、 前記第２導電層は、前記画素電極材料の配線層であり、 前記第１の導電体層は第１の金属導体で構成され、 前記絶縁体層は、前記第１の金属導体の酸化物である、 請求項１７に記載の、表示装置の製造方法。18. The method for manufacturing a display device further includes the step of forming an organic insulator layer after forming the plurality of scanning lines and signal lines, and the step of forming the pixel electrode comprises the steps of: The pixel electrode is formed on an organic insulator layer, and a wiring layer is laminated with the material of the pixel electrode on the surfaces of the lead wiring portions of the formed signal lines, and the second conductive layer is The wiring layer of the pixel electrode material, the first conductor layer is composed of a first metal conductor, and the insulator layer is an oxide of the first metal conductor. Of manufacturing a display device.
物の酸素の結合を熱エネルギーによって切断することに
よって、前記酸化物を導体に変化させる、請求項１８に
記載の製造方法。19. The manufacturing method according to claim 18, wherein in the step of heating and connecting, the oxide is converted into a conductor by breaking the bond of oxygen of the oxide by thermal energy.
て、前記引き出し配線部の表面に気体を吹き付けること
によって、前記引き出し配線部を冷却する、請求項１７
に記載の製造方法。20. The manufacturing method according to claim 17, wherein in the laser irradiation, a gas is blown to the surface of the lead-out wiring section to cool the lead-out wiring section.
The manufacturing method described in.
／ｍｍ２以上、８ｍＪ／ｍｍ２以下である、請求項１７
に記載の製造方法。21. The irradiation energy of the laser is 5 mJ.
/ Mm2 or more and 8 mJ / mm2 or less, 18.
The manufacturing method described in.
絶縁物層はＭｏＯ3層であり、前記第２の導電層はＩＴ
Ｏ層である、請求項２１に記載の製造方法。22. The first conductive layer is a Mo layer, the insulator layer is a MoO 3 layer, and the second conductive layer is IT.
The manufacturing method according to claim 21, which is an O layer.
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