JP2003135953A - 真空紫外光照射装置 - Google Patents

真空紫外光照射装置

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JP2003135953A
JP2003135953A JP2001334535A JP2001334535A JP2003135953A JP 2003135953 A JP2003135953 A JP 2003135953A JP 2001334535 A JP2001334535 A JP 2001334535A JP 2001334535 A JP2001334535 A JP 2001334535A JP 2003135953 A JP2003135953 A JP 2003135953A
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dielectric
electrode
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Shigeki Ito
茂樹 伊藤
Atsushi Miyamoto
篤 宮本
Wataru Sasaki
亘 佐々木
Shoichi Kubodera
昌一 窪寺
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Air Water Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】真空紫外光の被処理物への照射効率を高くする
ことができる真空紫外光照射装置を提供する。 【解決手段】電圧の印加により真空紫外光を放つガスが
充填される容器1内に、2枚一組の平板状の電極部A,
Bが放電空間をあけて対峙して配置されている。そのう
ちの一方の電極部Aは、平板状の電極2の表面に平板状
の誘電体3が装着されている。また、他方の電極部B
は、平板状の電極2の表面に真空紫外光の照射対象とな
る被処理物4が配置され、この被処理物4の表面を覆う
ようにして誘電体6が配置されており、この誘電体6
は、放たれる真空紫外光を透過するものとなっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体バリア放電
を利用したエキシマランプ等の真空紫外光照射装置に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、真空紫外光は、被処理物に照
射され、その被処理物の殺菌,洗浄,および塗料や樹脂
の硬化等の処理に用いられている。そして、その真空紫
外光を照射する真空紫外光照射装置は、一般に、図6に
示すように、誘電体バリア放電Xを利用したエキシマラ
ンプ60が容器61内に収容されている。
【0003】上記エキシマランプ60は、外側管部と内
側管部とが同軸に隙間をあけて2重管状に形成された誘
電体63と、上記外側管部の外周面と内側管部の内周面
とにそれぞれ周設された電極62a,62bと、上記2
重管状の誘電体63の一端部に気密に設けられた真空紫
外光取出窓66とを備えている。また、上記誘電体63
の他端部は気密に閉口され、上記隙間には希ガスが充填
されている。
【0004】そして、高周波電源68により上記電極6
2a,62b間に高周波高電圧を印加することにより、
上記隙間に誘電体バリア放電Xを起こして真空紫外光を
発生させ、その真空紫外光を上記真空紫外光取出窓66
から被処理物64に照射し、上記殺菌等の処理を施す。
【0005】また、上記真空紫外光照射装置と異なり、
図7に示すように、真空紫外光取出窓76が容器71内
に配設され、被処理物74も容器71内に配置できるよ
うになっているものが提案されている(特開平11−3
17202号公報参照)。すなわち、このものは、希ガ
スが充填されている容器71内に、円柱状の電極72
a,72bが隙間をあけて一平面に並設され、1本おき
の電極72aの外周面に誘電体73が周設され、上記電
極72a,72bの並びと平行に真空紫外光取出窓76
が設けられており、この真空紫外光取出窓76と距離を
おいて被処理物74が載置できるようになっている。
【0006】そして、上記と同様に、高周波電源78に
より上記電極72a,72b間に高周波高電圧を印加し
て真空紫外光を被処理物74に照射し、上記殺菌等の処
理を施す。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の真空紫外光照射装置では、電極と被処理物との間に
距離があるため、真空紫外光の被処理物への照射効率が
低い。
【0008】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、真空紫外光の被処理物への照射効率を高くする
ことができる真空紫外光照射装置の提供をその目的とす
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、電圧の印加により真空紫外光を放つガス
が充填される容器と、この容器内に配設され空間をあけ
て対向する少なくとも2個一組の電極とを備えた真空紫
外光照射装置であって、上記電極の対向する面の少なく
とも一部に被処理物が配置され、この被処理物の表面に
面対向するように上記真空紫外光を透過する誘電体が配
置されている真空紫外光照射装置を第1の要旨とし、対
向する上記電極の少なくとも一方が導体からなる被処理
物であり、この被処理物導体の表面に上記真空紫外光を
透過する誘電体が配置されている真空紫外光照射装置を
第2の要旨とする。
【0010】すなわち、本発明の第1の真空紫外光照射
装置は、電極の対向する面の少なくとも一部に被処理物
が配置され、この被処理物の表面に面対向するように真
空紫外光を透過する誘電体が配置されているため、上記
電極に所定の電圧を印加し、上記電極間の空間に真空紫
外光を発生させた際に、その真空紫外光を効率よく被処
理物の表面に照射することができるとともに、被処理物
の表面を保護することができる。
【0011】また、本発明の第2の真空紫外光照射装置
は、対向する上記電極の少なくとも一方が導体からなる
被処理物であり、この被処理物導体の表面に真空紫外光
を透過する誘電体が配置されているため、上記電極に所
定の電圧を印加し、上記電極間の空間に真空紫外光を発
生させた際に、その真空紫外光を効率よく被処理物の表
面に照射することができるとともに、被処理物の表面を
保護することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態を図
面にもとづいて詳しく説明する。
【0013】図1は、本発明の真空紫外光照射装置の第
1の実施の形態を示している。この実施の形態におい
て、真空紫外光照射装置は、電圧の印加により真空紫外
光を放つガスが充填される容器1内に、2枚一組の平板
状の電極部A,Bが放電空間をあけて対向して配置され
ている。そのうちの一方(図1の上側)の電極部Aは、
容器1内で固定されており、平板状の電極2の表面に平
板状の誘電体3が配置されている。また、他方(図1の
下側)の電極部Bは、容器1内で固定されている平板状
の電極2の表面に真空紫外光の照射対象となる被処理物
4が配置され、この被処理物4の表面を覆うようにして
誘電体6が配置されており、この誘電体6は、放たれる
真空紫外光を透過するものとなっている。そして、上記
2つの電極部A,Bは、それぞれの誘電体3,6を内側
にして対向している。また、上記真空紫外光照射装置に
は、上記電極部A,Bに電圧を印加できる電源ケーブル
7が備えられている。
【0014】上記容器1は、ステンレス鋼や合成樹脂等
の耐蝕材からなっている。また、上記容器1は、上記誘
電体6付き被処理物4を出し入れできる構造になってお
り、その誘電体6付き被処理物4を出し入れしたのち
は、気密状態を保持できるようになっている。さらに、
上記容器1は、上記ガスを充填,放出,還流できる構造
になっている。
【0015】そして、上記真空紫外光照射装置を用いた
被処理物4への真空紫外光の照射は、つぎのようにして
行うことができる。すなわち、まず、被処理物4の表面
を覆うようにして誘電体6を配置し、その誘電体6付き
被処理物4を上記容器1に入れて電極2の表面に配置す
る。ついで、上記容器1を気密状態にしたのち、上記容
器1内に所定のガスを充填して所定の圧力にする。つぎ
に、上記電源ケーブル7を高周波交流電源8に接続し、
真空紫外光を放つように所定の電圧を上記電極部A,B
に印加する。このようにすることにより、上記2つの電
極部A,Bの間に誘電体バリア放電Xが起こって真空紫
外光が発生し、その真空紫外光が誘電体6を透して上記
被処理物4に照射される。そして、その照射を終える
と、上記誘電体6付き被処理物4を上記容器1から取り
出し、その誘電体6付き被処理物4から上記誘電体6を
取り除いて上記被処理物4を得る。
【0016】このように、上記実施の形態によれば、被
処理物4を電極2の表面に配置させた状態で、誘電体バ
リア放電Xを起こして真空紫外光を発生させ、その真空
紫外光を上記被処理物4に照射しているため、その照射
効率が高い。したがって、被処理物4に所定の効果が現
れるまでに要する照射時間を短くしたり、その照射に要
する電気的エネルギーを少なくしたりすることができ
る。また、被処理物4は、真空紫外光の照射効率をより
高めることができる点で、電極2の表面に接触している
ことが好ましい。
【0017】また、被処理物4を電極2の表面に配置さ
せるため、被処理物4の周縁形状や面積に対応して電極
2および誘電体3,6の周縁形状や面積を簡単に設定す
ることができる。したがって、被処理物4の面積が広く
なっても、簡単に対応することができる。
【0018】さらに、誘電体6が被処理物4の表面を覆
うように配置されているため、誘電体6が被処理物4の
表面を保護し、誘電体バリア放電Xによる被処理物4の
表面への損傷を防止することができる。また、誘電体6
は、被処理物4の表面の保護を確実にする点で、被処理
物4の表面に接触していることが好ましい。
【0019】なお、上記実施の形態では、誘電体6付き
被処理物4を出し入れしたが、電極部Bを出し入れする
ようにしてもよい。すなわち、この場合には、電極2を
容器1内で固定しないようにする。そして、真空紫外光
を照射する際には、まず、電極2の表面に被処理物4を
配置し、この被処理物4の表面を覆うようにして誘電体
6を配置することにより上記電極部Bを作製する。そし
て、その電極部Bを容器1内の所定の位置に配置する。
そののち、上記実施の形態と同様にして真空紫外光を照
射し、その照射を終えると、上記電極部Bを上記容器1
から取り出し、その電極部Bから上記電極2および誘電
体6を取り除いて上記被処理物4を得るようにする。
【0020】図2は、本発明の真空紫外光照射装置の第
2の実施の形態を示している。この実施の形態におい
て、真空紫外光照射装置は、凹凸状または波形状に形成
された被処理物14に対応させたものである。すなわ
ち、上記被処理物14が配置されている側(図2の下
側)の電極部Dにおける電極12の表面および誘電体1
6が、その被処理物14の形状に対応した凹凸状または
波形状に形成されている。また、その凹凸状または波形
状に対応するように、上記電極部Dに対向する電極部C
の誘電体5および電極12の表面も凹凸状または波形状
に形成されている。それ以外の部分は、上記第1の実施
の形態と同様であり、同様の部分には同じ符号を付して
いる。このように、被処理物14の形状に対応して電極
12の表面および誘電体16の形状を簡単に設定するこ
とができるため、被処理物14の形状が平板状でなくて
も、簡単に対応することができる。そして、上記第1の
実施の形態と同様の作用・効果を奏する。また、電極部
Dの被処理物14の凹凸状または波形状に対応して各電
極部C,Dの電極12の表面および誘電体5,16が形
成されているため、真空紫外光を被処理物14の凹凸状
または波形状表面に満遍なく照射することができる。そ
の結果、被処理物14の形状が平板状でなくても、被処
理物14への処理を均一にすることができる。
【0021】図3は、本発明の真空紫外光照射装置の第
3の実施の形態を示している。この実施の形態におい
て、真空紫外光照射装置は、被処理物24が導体からな
る場合に対応させたものである。すなわち、被処理物2
4が導体からなる場合には、被処理物24が電極の役割
をすることができるため、上記第1の実施の形態におけ
る被処理物4が配置される側(図1の下側)の電極部B
の電極2を省略することができる。このため、この実施
の形態では、図3に示すように、被処理物24が配置さ
れている側(図3の下側)の電極部Eでは、上記電極2
(図1参照)が設けられていない。それ以外の部分は、
上記第1の実施の形態と同様であり、同様の部分には同
じ符号を付している。
【0022】そして、真空紫外光を照射する際には、ま
ず、被処理物24の表面を覆うようにして誘電体6を配
置することにより上記電極部Eを作製する。そして、そ
の電極部Eを容器1内の所定の位置に配置する。そのの
ち、上記第1の実施の形態と同様にして真空紫外光を照
射し、その照射を終えると、上記電極部Eを上記容器1
から取り出し、その電極部Eから上記誘電体6を取り除
いて上記被処理物24を得るようにする。
【0023】このように、この実施の形態の場合には、
被処理物24が電極の役割をすることができるため、真
空紫外光照射装置の構造を簡素化することができる。そ
して、上記第1の実施の形態と同様の作用・効果を奏す
る。
【0024】図4は、本発明の真空紫外光照射装置の第
4の実施の形態を示している。この実施の形態におい
て、真空紫外光照射装置は、上記第1の実施の形態にお
ける上側の電極部A(図1参照)をその下側の電極部B
と同じものにしたものである。それ以外の部分は、上記
第1の実施の形態と同様であり、同様の部分には同じ符
号を付している。この実施の形態の場合には、真空紫外
光を2枚の被処理物4に同時に照射できるため、被処理
物4を効率よく処理することができる。そして、上記第
1の実施の形態と同様の作用・効果を奏する。
【0025】図5は、本発明の真空紫外光照射装置の第
5の実施の形態を示している。この実施の形態におい
て、真空紫外光照射装置は、上記第1の実施の形態にお
ける電極部A(図1の上側)の誘電体3を省略したもの
である。すなわち、この真空紫外光照射装置は、2つの
電極部B,Fの間で誘電体バリア放電Xが起こり、その
誘電体バリア放電Xにより被処理物4の表面を損傷させ
ないように誘電体6が被処理物4の表面を覆うように配
置されていればよいため、上側の電極部Fは、誘電体3
(図1参照)を省略した構成にすることができる。それ
以外の部分は、上記第1の実施の形態と同様であり、同
様の部分には同じ符号を付している。そして、上記第1
の実施の形態と同様の作用・効果を奏する。
【0026】上記各実施の形態では、誘電体3,5,
6,16は、板状でも膜状でもよく、膜状の場合には、
電極2.12や被処理物4,14,24の表面にスパッ
タリング等により誘電体3,5,6,16を膜状に形成
する。そして、上記被処理物4,14,24について
は、照射を終えて誘電体6,16付き被処理物4,1
4,24を容器1から取り出したのちに、酸により上記
膜状の誘電体6,16を溶解したり、その膜状の誘電体
6,16が厚い(50μm以上)場合には剥離等の物理
的手段を施したりする等して、上記膜状の誘電体6,1
6を取り除く。そして、誘電体3,5,6,16が膜状
である場合にも、上記第1の実施の形態と同様の作用・
効果を奏する。さらに、この場合には、図2に示す被処
理物14のように表面形状が複雑な凹凸状等であった
り、被処理物4,14,24が大面積であったりして
も、上記被処理物4,14,24の形状に合わせて、膜
状の誘電体6,16を簡単に造膜することができる。
【0027】また、上記真空紫外光を透過する誘電体
6,16は、厚みが薄いほど、被処理物4,14,24
の処理効率がよくなり、その厚みは、特に限定されるも
のではないが、通常、誘電体6,16が板状の場合で2
〜10mmの範囲,膜状の場合で1〜30μmの範囲で
ある。そして、上記各実施の形態では、誘電体6,16
の広さを被処理物4,14,24と同等のものとして図
示したが、誘電体バリア放電Xをより均一にする点で、
誘電体6,16の広さを被処理物4,14,24よりも
大きくすることが好ましく、より好ましくは、被処理物
4,14,24の周側部も誘電体6,16で覆うことで
ある。
【0028】なお、上記容器1内に充填されるガスとし
ては、誘電体バリア放電Xにより真空紫外光を放つガス
等があげられ、例えば、アルゴン,クリプトン,キセノ
ン,またはこれらの組み合わせとなるアルゴンとクリプ
トンとの混合気体,クリプトンとキセノンとの混合気体
等があげられる。また、上記容器1内における上記ガス
の圧力は、特に限定されるものではないが、0.01〜
1MPaの範囲であることが好ましく、通常、0.1M
Pa程度である。
【0029】また、上記真空紫外光を透過する誘電体
6,16は、石英,マグネシウムフロライド,リチウム
フロライド,カルシウムフロライド,バリウムフロライ
ド,またはサファイア等からなり、放たれる真空紫外光
の波長に応じて、適宜選択して用いられる。すなわち、
上記石英等の誘電体6,16の材質には、真空紫外光の
波長によって、透すものと透さないものとがある。ま
た、その真空紫外光の波長は、上記容器1内に充填され
るアルゴン等のガスの種類によって決定される。したが
って、誘電体6,16の材質は、上記容器1内に充填さ
れるガスの種類によって、適宜選択される。例えば、誘
電体6,16の材質が石英である場合には、上記ガスが
キセノンである場合に放たれる真空紫外光(波長:17
2nm)を良好に透すが、上記ガスがアルゴンである場
合に放たれる真空紫外光(波長:126nm)を殆ど透
さない。
【0030】さらに、上記誘電体バリア放電Xを起こす
際の電圧は、電極2,12、誘電体3,5,6,16お
よび被処理物4,14,24によって異なり、特に限定
されるものではなく、誘電体バリア放電Xを起こすよう
に適宜設定すればよい。また、上記高周波交流電源8の
周波数は、通常、1kHz〜100kHzの範囲である
が、特に限定されるものではなく、誘電体バリア放電X
を起こせば、一般的な高周波交流電源8として使用され
ている13.56MHzでもよい。
【0031】そして、上記各真空紫外光照射装置におけ
る2つの電極部A〜Fの間の距離は、通常、数mm〜数
十mmの範囲が好ましい。
【0032】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
【0033】
【実施例1】図1に示す真空紫外光照射装置を用い、被
処理物4として30mm×30mmのポリイミドフィル
ムを用いた。また、容器1内に充填するガスとしてキセ
ノンを用い、それに対応させて、誘電体3として50m
m×50mm×3mm(厚み)の合成石英板を用いた。
そして、上記ポリイミドフィルムに真空紫外光を1分間
照射した。そして、真空紫外光を照射していないポリイ
ミドフィルムと照射したポリイミドフィルムのそれぞれ
の表面と純水との接触角を、エルマ社製G−1−100
0型接触角測定器で測定した。その結果、照射していな
いものの接触角が60°であったのに対して、照射した
ものの接触角は15°になっており、表面が改質されて
いた。また、真空紫外光を照射したポリイミドフィルム
の表面には、ほとんど損傷がなかった。
【0034】
【比較例1】図6に示す真空紫外光照射装置を用いた。
被処理物64,充填するガスは、上記実施例1と同様の
ものとした。そして、上記ポリイミドフィルムに真空紫
外光を照射し、その表面と純水との接触角が15°にな
るまでの時間を測定した。その結果、その時間は2分で
あった。
【0035】これら実施例1と比較例1とを比較する
と、ポリイミドフィルムの表面の改質は、実施例1の方
が短時間ででき、照射効率が高いことがわかる。
【0036】
【発明の効果】以上のように、本発明の第1の真空紫外
光照射装置によれば、電極の対向する面の少なくとも一
部に被処理物が配置され、この被処理物の表面に面対向
するように真空紫外光を透過する誘電体が配置されてい
るため、上記電極に所定の電圧を印加し、上記電極間の
空間に真空紫外光を発生させた際に、その真空紫外光を
効率よく被処理物の表面に照射することができるととも
に、被処理物の表面を保護することができる。
【0037】また、本発明の第2の真空紫外光照射装置
によれば、対向する上記電極の少なくとも一方が導体か
らなる被処理物であり、この被処理物導体の表面に真空
紫外光を透過する誘電体が配置されているため、上記電
極に所定の電圧を印加し、上記電極間の空間に真空紫外
光を発生させた際に、その真空紫外光を効率よく被処理
物の表面に照射することができるとともに、被処理物の
表面を保護することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の真空紫外光照射装置の第1の実施の形
態を示す説明図である。
【図2】本発明の真空紫外光照射装置の第2の実施の形
態を示す説明図である。
【図3】本発明の真空紫外光照射装置の第3の実施の形
態を示す説明図である。
【図4】本発明の真空紫外光照射装置の第4の実施の形
態を示す説明図である。
【図5】本発明の真空紫外光照射装置の第5の実施の形
態を示す説明図である。
【図6】従来の真空紫外光照射装置を示す説明図であ
る。
【図7】従来の真空紫外光照射装置を示す説明図であ
る。
【符号の説明】
A,B 電極部 1 容器 2 電極 3,6 誘電体 4 被処理物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G21K 5/00 G21K 5/00 B W Z H01J 65/00 H01J 65/00 E H01L 21/304 645 H01L 21/304 645D (72)発明者 伊藤 茂樹 大阪府堺市築港新町2丁6番地40 エア・ ウォーター株式会社堺事業所内 (72)発明者 宮本 篤 大阪府堺市築港新町2丁6番地40 エア・ ウォーター株式会社堺事業所内 (72)発明者 佐々木 亘 宮崎県宮崎市大字田吉4862番地3 (72)発明者 窪寺 昌一 宮崎県宮崎市学園木花台南2丁目9番地6 Fターム(参考) 3B116 AA04 AB01 BC01 4C058 AA01 BB06 EE26 KK02 KK12 KK21 KK23 KK50 4F042 AA02 DA01 DB44 4G075 AA30 BA10 BB10 CA25 CA33 CA65 DA02 DA18 EB31 EC21 EE12 FB01 FB06 FC15

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電圧の印加により真空紫外光を放つガス
    が充填される容器と、この容器内に配設され空間をあけ
    て対向する少なくとも2個一組の電極とを備えた真空紫
    外光照射装置であって、上記電極の対向する面の少なく
    とも一部に被処理物が配置され、この被処理物の表面に
    面対向するように上記真空紫外光を透過する誘電体が配
    置されていることを特徴とする真空紫外光照射装置。
  2. 【請求項2】 電圧の印加により真空紫外光を放つガス
    が充填される容器と、この容器内に配設され空間をあけ
    て対向する少なくとも2個一組の電極とを備えた真空紫
    外光照射装置であって、対向する上記電極の少なくとも
    一方が導体からなる被処理物であり、この被処理物導体
    の表面に上記真空紫外光を透過する誘電体が配置されて
    いることを特徴とする真空紫外光照射装置。
  3. 【請求項3】 誘電体が膜状である請求項1または2記
    載の真空紫外光照射装置。
  4. 【請求項4】 誘電体が、石英,マグネシウムフロライ
    ド,リチウムフロライド,カルシウムフロライド,バリ
    ウムフロライド,またはサファイアからなる群から、放
    たれる真空紫外光の波長に応じて、選ばれるひとつであ
    る請求項1〜3のいずれか一項に記載の真空紫外光照射
    装置。
  5. 【請求項5】 容器内のガスの圧力が0.01〜1MP
    aの範囲である請求項1〜4のいずれか一項に記載の真
    空紫外光照射装置。
JP2001334535A 2001-10-31 2001-10-31 真空紫外光照射装置 Withdrawn JP2003135953A (ja)

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