JP2003133378A - Method of manufacturing inspection system and electronic device - Google Patents

Method of manufacturing inspection system and electronic device

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JP2003133378A
JP2003133378A JP2002269375A JP2002269375A JP2003133378A JP 2003133378 A JP2003133378 A JP 2003133378A JP 2002269375 A JP2002269375 A JP 2002269375A JP 2002269375 A JP2002269375 A JP 2002269375A JP 2003133378 A JP2003133378 A JP 2003133378A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make clear which components of foreign matters there are and the manner of their distribution. SOLUTION: A system has a process for processing the wafer, a process for inspecting the processed wafer, a process for analyzing the wafer by using coordinate data, included in an inspection result obtained by inspection and a process for displaying information on an analysis result, obtained by analysis with the coordinate data contained in the inspection result made to correspond to identification of the wafer.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ上異物の分
析結果をその分布にあわせて表示して電子デバイスを製
造する方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an electronic device by displaying the analysis result of foreign matter on a wafer according to its distribution.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造においてはウェハに付着する
異物が歩留り低下の重大な要因になる。そこでウェハに
付着した異物を計数して、異物発生量管理をしたり、ウ
ェハに付着した異物を分析して異物発生源を解析したり
していた。
2. Description of the Related Art In semiconductor manufacturing, foreign substances adhering to wafers are a significant factor in reducing yield. Therefore, the foreign matter adhering to the wafer is counted to control the amount of foreign matter generated, and the foreign matter adhering to the wafer is analyzed to analyze the foreign matter generation source.

【0003】従来半導体ウェハに付着した異物を分析す
るとき、ウェハの異物の付着している部分を切断して小
片にして、分析装置にかけていた。しかし、ウェハを切
断する手間がかかること、切断の際、ウェハの切り粉が
表面に付着してしまう等の不都合があった。そこで、ウ
ェハ上の異物を検出する機能とそのままウェハを切断せ
ずに付着異物を分析する機能の2つの機能を合わせ持つ
装置が開発された(特開昭60−218845)。前記
発明の装置では異物を検出し、その座標を記録し、該座
標の異物を分析していた。該装置により異物を切断する
手間が省け、切り粉が表面に付着しなくなったことによ
り、誤って切り粉を分析することがなくなった。
Conventionally, when analyzing foreign substances adhering to a semiconductor wafer, the portion of the wafer on which the foreign substances are adhering is cut into small pieces, which are then subjected to an analyzer. However, there are inconveniences such that it takes time and effort to cut the wafer and that chips of the wafer adhere to the surface during the cutting. Therefore, an apparatus having both the function of detecting foreign matter on a wafer and the function of analyzing adhering foreign matter without cutting the wafer as it is has been developed (Japanese Patent Laid-Open No. 60-218845). The apparatus of the invention detects a foreign substance, records the coordinates, and analyzes the foreign substance at the coordinate. The apparatus saves the trouble of cutting the foreign matter, and the cutting powder no longer adheres to the surface, so that the cutting powder is not erroneously analyzed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来分析した
異物は成分情報のみを利用して、その位置情報を利用し
ていなかったので、どんな成分の異物がウェハ上でどの
ように分布していたか判らなかった。
However, since the foreign matter analyzed in the past utilizes only the component information and not its position information, what kind of component the foreign matter was distributed on the wafer and how it was distributed. I didn't understand.

【0005】本発明の目的は、どんな成分の異物がウェ
ハ上でどのように分布しているか明らかにして電子デバ
イスを製造するものである。該目的が達成されると、異
物のウェハ付着状況が一目瞭然に判るので、異物発生原
因を解明することが容易になる。
An object of the present invention is to manufacture an electronic device by clarifying what kind of component foreign matter is distributed on a wafer. When the object is achieved, the state of foreign matter adhering to the wafer can be seen at a glance, and it becomes easy to elucidate the cause of foreign matter generation.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、ウエハを処理する工程と、該ウェハの外
観上の欠陥を検出する工程と、該検出して得た外観上の
欠陥の前記ウェハ上での位置情報を用いて前記外観上の
欠陥の詳細な情報を得る工程と、該外観上の欠陥の詳細
な情報を前記検出して得た外観上の欠陥の前記ウェハ上
での位置情報に対応させて前記ウェハを識別する情報と
ともに表示する工程とを有する電子デバイスの製造方法
であって、前記検出した外観上の欠陥をSEMで分析す
ることにより前記詳細な情報を得、前記外観上の欠陥を
SEMで分析して得た情報を該外観上の欠陥の位置の情
報と共に、記号で表示するものである。
In order to achieve the above object, the present invention provides a step of processing a wafer, a step of detecting a defect on the appearance of the wafer, and a step of detecting the appearance obtained by the detection. A step of obtaining detailed information on the appearance defect by using position information of the defect on the wafer; and a step on the wafer of the appearance defect obtained by detecting the detailed information on the appearance defect. And a step of displaying the information together with the information for identifying the wafer in association with the position information in step 1, wherein the detailed information is obtained by analyzing the detected external defect with an SEM. The information obtained by analyzing the appearance defect by SEM is displayed as a symbol together with the information on the position of the appearance defect.

【0007】また、ウエハを処理する工程と、該ウェハ
の外観上の欠陥を検出する工程と、該検出して得た外観
上の欠陥の前記ウェハ上での位置情報を用いて前記外観
上の欠陥の詳細な情報を得る工程と、該外観上の欠陥の
詳細な情報を前記検出して得た外観上の欠陥の前記ウェ
ハ上での位置情報に対応させて前記ウェハを識別する情
報とともに表示するとともに該外観上の欠陥の詳細な情
報を該欠陥の前記ウェハ上での位置に対応させて画面上
に記号化して表示する工程とを有するものである。
Further, the process of processing the wafer, the process of detecting a defect on the appearance of the wafer, and the position information on the wafer of the defect on the appearance obtained by the detection are used to determine the appearance of the wafer. A step of obtaining detailed information of the defect and a display together with information for identifying the wafer in correspondence with the position information on the wafer of the external defect obtained by detecting the detailed information of the external defect In addition, the detailed information of the defect on the external appearance is symbolized and displayed on the screen in correspondence with the position of the defect on the wafer.

【0008】また、前記外観上の欠陥を所定のカテゴリ
に分類して表示すると共に、複数のカテゴリに属する欠
陥がある場合はその内の1つを表示するものである。
The appearance defects are displayed by classifying them into a predetermined category, and if there are defects belonging to a plurality of categories, one of them is displayed.

【0009】また、ウエハを処理する工程と、該ウェハ
の外観上の欠陥を検出する工程と、該検出して得た外観
上の欠陥の前記ウェハ上での位置情報を用いて前記外観
上の欠陥の詳細な情報を得る工程と、該外観上の欠陥の
詳細な情報を前記検出して得た外観上の欠陥の前記ウェ
ハ上での位置情報に対応させて前記ウェハを識別する情
報とともに表示するとともに該外観上の欠陥の詳細な情
報を複数のカテゴリーに分類して表示する工程とを有す
るものである。
Further, a step of processing the wafer, a step of detecting a defect on the appearance of the wafer, and a position information on the wafer of the appearance defect obtained by the detection are used to detect the appearance of the wafer. A step of obtaining detailed information of the defect and a display together with information for identifying the wafer in correspondence with the position information on the wafer of the external defect obtained by detecting the detailed information of the external defect And a step of displaying detailed information on the appearance defect by classifying it into a plurality of categories.

【0010】また、前記複数のカテゴリに属する欠陥が
ある場合はその内の1つを表示するものである。
Further, if there is a defect belonging to the plurality of categories, one of them is displayed.

【0011】また、ウエハを処理する工程と、処理され
た該ウェハを検査する工程と、該検査して得た検査結果
に含まれる座標データを用いて該ウェハを分析する工程
と、該分析して得た分析結果の情報を前記検査結果に含
まれる座標データに対応させて前記ウェハを識別する情
報とともに表示する工程とを有するものである。
Further, a step of processing the wafer, a step of inspecting the processed wafer, a step of analyzing the wafer using coordinate data included in the inspection result obtained by the inspection, and a step of performing the analysis. And a step of displaying the information of the obtained analysis result in association with the coordinate data included in the inspection result together with the information for identifying the wafer.

【0012】また、前記分析結果の情報を所定のカテゴ
リに分類して表示すると共に、複数のカテゴリに属する
分析結果の情報がある場合はその内の1つを表示するも
のである。
Further, the analysis result information is classified into a predetermined category and displayed, and if there is analysis result information belonging to a plurality of categories, one of them is displayed.

【0013】これによって特定の成分の異物分布を知る
ことができるようになり、例えば成分ごとの分布の形状
から、発塵の原因となった治具、装置等が判明する。
As a result, it becomes possible to know the foreign substance distribution of a specific component, and for example, the shape of the distribution of each component reveals the jig, device, etc. that caused dust generation.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明の実施例を図面と共に説明
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0015】実施例1 本実施例において本発明に必要な機器構成を説明する。
図1を説明する。検査装置1はウェハ上の異物を検出す
ることができる異物検査装置であって、検出した異物の
ウェハ上の座標を出力できる装置であればよい。該検査
装置として、日立電子エンジニアリング(株)社製IS
−1010が利用できる。分析装置2はウェハを切断せ
ずに異物を分析できる分析装置であって、検査装置1の
座標データをもとに異物を分析できる装置であればよ
い。分析装置2では検査装置1で検出した順に全て異物
を分析する。該分析装置としては多数の装置が市販され
ている。ワークステーション3は異物座標データと異物
分析データを記録し、該2つのデータを突き合わせる機
能と突き合わせた結果を表示できる機能があればよい。
データ転送手段4は異物座標データを検査装置1から分
析装置2に渡す手段であって、検査装置1でプリントア
ウトされたデータを作業者が分析装置2に入力してもよ
いし、フロッピディスクやメモリカード等軽可能な記憶
媒体で渡してもよいし、ネットワークを介してデータを
渡してもよい。データ転送手段5は分析装置2からワー
クステーション3に異物座標データと異物分析データを
渡す手段であって、実現方法はデータ転送手段4と同じ
である。表示手段200に異物座標データと異物分析デ
ータを合わせたものを表示する。
Embodiment 1 In this embodiment, a device configuration necessary for the present invention will be described.
FIG. 1 will be described. The inspection device 1 may be a foreign substance inspection device capable of detecting a foreign substance on a wafer, and may be any device capable of outputting the coordinates of the detected foreign substance on the wafer. As the inspection device, IS manufactured by Hitachi Electronic Engineering Co., Ltd.
-1010 is available. The analyzer 2 may be an analyzer that can analyze foreign matter without cutting the wafer, and can analyze foreign matter based on the coordinate data of the inspection apparatus 1. The analysis device 2 analyzes all foreign substances in the order detected by the inspection device 1. A large number of such analyzers are commercially available. The workstation 3 may have a function of recording the foreign matter coordinate data and the foreign matter analysis data, and a function of matching the two data and a function of displaying a result of the matching.
The data transfer means 4 is means for passing the foreign matter coordinate data from the inspection device 1 to the analysis device 2, and the operator may input the data printed out by the inspection device 1 to the analysis device 2, or a floppy disk or The data may be passed through a light-weight storage medium such as a memory card, or may be passed over a network. The data transfer means 5 is means for transferring the foreign matter coordinate data and the foreign matter analysis data from the analysis device 2 to the workstation 3, and the implementation method is the same as that of the data transfer means 4. The display unit 200 displays the combined foreign matter coordinate data and foreign matter analysis data.

【0016】実施例2 ここでは実施例1の代案を示す。図2における異物解析
装置100は異物を検出し、更に該異物を分析できる機
能を有した装置で、例えば先に述べた特開昭60−21
8845に記載した装置で実現できる。ワークステーシ
ョン6はワークステーション3と同じ役割を果たす。デ
ータ転送手段7はデータ転送手段5と同じ役割を果た
す。表示手段200に異物座標データと異物分析データ
を合わせたものを表示する。
Second Embodiment Here, an alternative to the first embodiment will be shown. The foreign substance analysis device 100 in FIG. 2 is a device having a function of detecting a foreign substance and further analyzing the foreign substance. For example, Japanese Patent Laid-Open No. 60-21 mentioned above.
It can be realized by the device described in 8845. The workstation 6 plays the same role as the workstation 3. The data transfer means 7 plays the same role as the data transfer means 5. The display unit 200 displays the combined foreign matter coordinate data and foreign matter analysis data.

【0017】実施例3 ここでは実施例1の代案を示す。図3における検査装置
8は検査装置1と同じ機能を有するが、異物の座標デー
タを分析装置9とワークステーション10に転送する。
分析装置9は分析装置2と同じ機能を有する。ワークス
テーション10はワークステーション3と同じ機能を有
する。データ転送手段11はデータ転送手段4と同じも
のである。データ転送手段12は異物検査装置8からワ
ークステーション10に異物座標データを転送する手段
で、実現方法はデータ転送手段4と同じものである。デ
ータ転送手段14は分析装置9からワークステーション
10に異物の分析データを転送する手段で、実現方法は
データ転送手段4と同じである。表示手段200に異物
座標データと異物分析データを合わせたものを表示す
る。
Embodiment 3 Here, an alternative to Embodiment 1 will be shown. The inspection device 8 in FIG. 3 has the same function as the inspection device 1, but transfers the coordinate data of the foreign matter to the analysis device 9 and the workstation 10.
The analyzer 9 has the same function as the analyzer 2. The workstation 10 has the same function as the workstation 3. The data transfer means 11 is the same as the data transfer means 4. The data transfer means 12 is means for transferring the foreign matter coordinate data from the foreign matter inspection apparatus 8 to the workstation 10, and the method of implementation is the same as that of the data transfer means 4. The data transfer means 14 is means for transferring the foreign substance analysis data from the analyzer 9 to the workstation 10, and the implementation method is the same as that of the data transfer means 4. The display unit 200 displays the combined foreign matter coordinate data and foreign matter analysis data.

【0018】実施例4 ワークステーション3の中の処理を説明する。本実施例
は実施例1と実施例2の機器構成に対応する。図1にお
いて分析装置からワークステーション3は異物の座標デ
ータと分析データを受取り、データテーブル15を作成
する。データテーブル15のフォーマットを図4に示
す。データテーブル15は少なくとも異物座標データ1
6と異物分析データ17からなる。必要に応じて異物ご
との異物ID18、付帯情報19を持たせる。図4では
付帯情報19の例として異物の大きさに関する情報を挙
げている。ここでは異物の粒径を3つに分類して大きい
順にL,M,Sとして記述している。データテーブル1
5は分析したウェハ毎に1つ作成し、それぞれにウェハ
の識別子20を割り付けて区別する。異物IDの付け方
としてウェハ識別子の後にデータが送られてきた順に通
し番号を付ける方法がある。ワークステーション3は、
作業者がウェハ識別子を入力すると該識別子が一致する
データテーブル15を検索し、該当するデータを表示手
段200に表示する。
Embodiment 4 The processing in the workstation 3 will be described. The present embodiment corresponds to the device configurations of the first and second embodiments. In FIG. 1, the workstation 3 receives the foreign substance coordinate data and the analysis data from the analysis device, and creates the data table 15. The format of the data table 15 is shown in FIG. The data table 15 has at least foreign particle coordinate data 1
6 and foreign matter analysis data 17. A foreign matter ID 18 and additional information 19 for each foreign matter are provided as necessary. In FIG. 4, information about the size of the foreign matter is given as an example of the incidental information 19. Here, the particle size of the foreign matter is classified into three and described as L, M, and S in descending order. Data table 1
A number 5 is created for each analyzed wafer, and a wafer identifier 20 is assigned to each to distinguish them. As a method of assigning a foreign matter ID, there is a method of assigning serial numbers in the order in which data is sent after the wafer identifier. Workstation 3
When the operator inputs the wafer identifier, the data table 15 having the same identifier is searched, and the corresponding data is displayed on the display means 200.

【0019】実施例5 実施例4の代案を説明する。本実施例は実施例3で説明
した機器構成に対応する。図3においてワークステーシ
ョン10は検査装置8から異物の座標データを受取り、
座標データテーブル21を作成する。座標データテーブ
ルのフォーマットを図5で示す。座標データテーブル2
1はウェハ識別子22、異物ID23、異物座標データ
24からなる。必要に応じて付帯情報25を加えても良
い。付帯情報25は実施例4で示したように異物粒径を
示す情報等がある。またワークステーション10は分析
装置9から異物分析データを受取り、分析データテーブ
ル26を作成する。分析データテーブルのフォーマット
を図6に示す。分析データテーブル26はウェハ識別子
27、異物ID28、異物分析データ29からなる。
Embodiment 5 An alternative to Embodiment 4 will be described. This embodiment corresponds to the device configuration described in the third embodiment. In FIG. 3, the workstation 10 receives the coordinate data of the foreign matter from the inspection device 8,
The coordinate data table 21 is created. The format of the coordinate data table is shown in FIG. Coordinate data table 2
Reference numeral 1 includes a wafer identifier 22, a foreign matter ID 23, and foreign matter coordinate data 24. Additional information 25 may be added as necessary. The additional information 25 includes information indicating the particle size of the foreign matter as shown in the fourth embodiment. Further, the workstation 10 receives the foreign substance analysis data from the analysis device 9 and creates the analysis data table 26. The format of the analysis data table is shown in FIG. The analysis data table 26 includes a wafer identifier 27, a foreign matter ID 28, and foreign matter analysis data 29.

【0020】分析装置9においては検査装置8から送ら
れてきた座標データの順に全て異物を分析する。その結
果を分析装置9はワークステーション10に送る。ワー
クステーションがウェハ毎にデータが送られてきた順に
それぞれ通し番号を付けることによって異物ID23、
異物ID28は、一致する。
In the analyzer 9, all foreign substances are analyzed in the order of the coordinate data sent from the inspection device 8. The analysis device 9 sends the result to the workstation 10. By adding serial numbers to the workstation in the order in which the data is sent for each wafer, the foreign matter ID 23,
The foreign matter ID 28 matches.

【0021】ワークステーション10は座標データテー
ブル21と分析データテーブル26から異物IDを介し
て、実施例4に示したデータテーブル15を作成する。
結果を表示手段200に表示する。
The workstation 10 creates the data table 15 shown in the fourth embodiment from the coordinate data table 21 and the analysis data table 26 via the foreign substance ID.
The result is displayed on the display means 200.

【0022】実施例6 本実施例においてデータテーブル15の内容の表示方法
の実施例を示す。まず、分析結果をいくつかのカテゴリ
に分ける。例を図7に示す。カテゴリ1としてNaおよ
びClを含むもの、カテゴリ2としてFeを含むもの、
カテゴリ3としてSiを含むもの、カテゴリ4としてC
を含むもの、カテゴリ5としてその他と分類する。も
し、複数のカテゴリに属するものがあればカテゴリ番号
の小さいものに優先的に属させる。
Embodiment 6 In this embodiment, an embodiment of a method of displaying the contents of the data table 15 will be shown. First, the analysis results are divided into several categories. An example is shown in FIG. Category 1 containing Na and Cl, Category 2 containing Fe,
Those containing Si as category 3, C as category 4
And others are classified as category 5. If there are items that belong to multiple categories, the one with the smallest category number is given priority.

【0023】ワークステーションはCRTに表示したウ
ェハ上に異物座標データに基づいて異物の検出箇所にプ
ロットを行う(図8、30)。プロットする際の記号と
して、各異物が属する前述のカテゴリ番号を用いる。例
を図8に示す。ここではNaCl(塩分)とC(炭素化
合物)が右下すみに楕円上に付着しているのが判る。
The workstation plots on the wafer displayed on the CRT at the foreign matter detection position based on the foreign matter coordinate data (FIGS. 8 and 30). The above-mentioned category number to which each foreign substance belongs is used as a symbol for plotting. An example is shown in FIG. Here, it can be seen that NaCl (salt) and C (carbon compound) are attached on an ellipse in the lower right corner.

【0024】これから作業者が誤って指を触れてしまっ
たものであることが判る。
From this, it can be understood that the operator accidentally touched the finger.

【0025】実施例7 本実施例においては分析装置3または異物解析装置10
0または分析装置9の分析能力に対して記載する。本発
明で用いる前記装置は、有機分析を行うものでも、無機
分析を行うものであってもよい。有機分析を行うものの
場合、実施例6に掲げた分類カテゴリを有機物質または
有機物質を構成する基にすればよい。
Embodiment 7 In this embodiment, the analyzer 3 or the foreign substance analyzer 10 is used.
0 or the analysis capability of the analyzer 9 will be described. The device used in the present invention may perform organic analysis or inorganic analysis. In the case of performing organic analysis, the classification categories listed in Example 6 may be used as the organic substances or the groups constituting the organic substances.

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明の実施により、ウェハ上の異物の
分布状況と各異物の成分が一目で判る。異物の分布状況
から治具、装置等の形状が推定できる。また異物成分か
ら発塵源となっている治具、装置、プロセス等に用いて
いる材料、材質が容易に解析できるようになった。この
ため、従来に比して格段に異物発生源を解析する作業が
容易になり、製造ラインの異物水準を引下げ、製品の歩
留りを向上させることができる。
As a result of the practice of the present invention, the distribution of foreign matter on the wafer and the components of each foreign matter can be seen at a glance. The shapes of jigs, devices, etc. can be estimated from the distribution of foreign matter. In addition, it is now possible to easily analyze the materials and materials used in jigs, equipment, processes, etc. that are sources of dust from foreign matter components. For this reason, the work of analyzing the foreign matter generation source is much easier than in the past, and the foreign matter level of the manufacturing line can be lowered and the product yield can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of the present invention.

【図2】図1の代案を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an alternative of FIG.

【図3】図1の代案を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an alternative of FIG.

【図4】データテーブル15のフォーマットを示す図で
ある。
FIG. 4 is a diagram showing a format of a data table 15.

【図5】座標データテーブル21のフォーマットを示す
図である。
5 is a diagram showing a format of a coordinate data table 21. FIG.

【図6】分析データテーブルのフォーマットを示す図で
ある。
FIG. 6 is a diagram showing a format of an analysis data table.

【図7】出力例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an output example.

【図8】ウェハ上の異物検出箇所を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing foreign matter detection points on a wafer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…検査装置 2…分析装置 3…ワークステーション 4…データ転送手段 5…データ転送手段 6…ワークステーション 7…データ転送手段 8…検査装置 9…分析装置 10…ワークステーション 11…データ転送手段 12…データ転送手段 14…データ転送手段 15…データテーブル 16…異物座標データ 17…異物分析データ 18…異物ID 19…付帯情報 20…ウェハ識別子 21…座標データテーブル 22…ウェハ識別子 23…異物ID 24…異物座標データ 25…付帯情報 26…分析データテーブル 27…ウェハ識別子 27…異物ID 29…異物分析データ 30…異物を示すプロット 100…異物解析装置 200…表示手段 1 ... Inspection device 2 ... Analysis device 3 ... work station 4 ... Data transfer means 5 ... Data transfer means 6 ... Workstation 7 ... Data transfer means 8 ... Inspection device 9 ... Analysis device 10 ... Workstation 11 ... Data transfer means 12 ... Data transfer means 14 ... Data transfer means 15 ... Data table 16 ... Foreign object coordinate data 17 ... Foreign substance analysis data 18 ... Foreign substance ID 19 ... Supplementary information 20 ... Wafer identifier 21 ... Coordinate data table 22 ... Wafer identifier 23 ... Foreign matter ID 24 ... Foreign matter coordinate data 25 ... Attached information 26 ... Analysis data table 27 ... Wafer identifier 27 ... Foreign matter ID 29 ... Foreign matter analysis data 30 ... Plot showing foreign matter 100 ... Foreign matter analyzer 200 ... Display means

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─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成14年10月2日(2002.10.
2)
[Submission date] October 2, 2002 (2002.10.
2)

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】発明の名称[Name of item to be amended] Title of invention

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【発明の名称】検査システム及び電子デバイスの製造方
Title: Inspection system and method for manufacturing electronic device

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】特許請求の範囲[Name of item to be amended] Claims

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【特許請求の範囲】[Claims]

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ウエハを処理する工程と、該ウェハの外観
上の欠陥を検出する工程と、該検出して得た外観上の欠
陥の前記ウェハ上での位置情報を用いて前記外観上の欠
陥の詳細な情報を得る工程と、該外観上の欠陥の詳細な
情報を前記検出して得た外観上の欠陥の前記ウェハ上で
の位置情報に対応させて前記ウェハを識別する情報とと
もに表示する工程とを有する電子デバイスの製造方法で
あって、前記検出した外観上の欠陥をSEMで分析する
ことにより前記詳細な情報を得、前記外観上の欠陥をS
EMで分析して得た情報を該外観上の欠陥の位置の情報
と共に、記号で表示することを特徴とする電子デバイス
の製造方法。
1. A step of processing a wafer, a step of detecting a defect on the appearance of the wafer, and a step of detecting the appearance defect by using position information on the wafer of the appearance defect obtained by the detection. A step of obtaining detailed information of the defect and a display together with information for identifying the wafer in correspondence with the position information on the wafer of the external defect obtained by detecting the detailed information of the external defect A method of manufacturing an electronic device, the method including: a step of performing SEM analysis of the detected appearance defect to obtain the detailed information;
A method of manufacturing an electronic device, characterized in that information obtained by analysis by EM is displayed as a symbol together with information on the position of the defect on the appearance.
【請求項2】ウエハを処理する工程と、該ウェハの外観
上の欠陥を検出する工程と、該検出して得た外観上の欠
陥の前記ウェハ上での位置情報を用いて前記外観上の欠
陥の詳細な情報を得る工程と、該外観上の欠陥の詳細な
情報を前記検出して得た外観上の欠陥の前記ウェハ上で
の位置情報に対応させて前記ウェハを識別する情報とと
もに表示するとともに該外観上の欠陥の詳細な情報を該
欠陥の前記ウェハ上での位置に対応させて画面上に記号
化して表示する工程とを有することを特徴とする電子デ
バイスの製造方法。
2. A step of processing a wafer, a step of detecting a defect on the appearance of the wafer, and a step of detecting a defect on the appearance of the wafer by using position information of the defect on the appearance obtained on the wafer. A step of obtaining detailed information of the defect and a display together with information for identifying the wafer in correspondence with the position information on the wafer of the external defect obtained by detecting the detailed information of the external defect And a detailed step of displaying detailed information of the defect on the screen in correspondence with the position of the defect on the wafer, and displaying the symbol on the screen.
【請求項3】前記外観上の欠陥を所定のカテゴリに分類
して表示すると共に、複数のカテゴリに属する欠陥があ
る場合はその内の1つを表示することを特徴とする請求
項1または請求項2記載の電子デバイスの製造方法。
3. The defect according to claim 1, wherein the appearance defect is classified into a predetermined category and displayed, and when there is a defect belonging to a plurality of categories, one of them is displayed. Item 2. A method for manufacturing an electronic device according to Item 2.
【請求項4】ウエハを処理する工程と、該ウェハの外観
上の欠陥を検出する工程と、該検出して得た外観上の欠
陥の前記ウェハ上での位置情報を用いて前記外観上の欠
陥の詳細な情報を得る工程と、該外観上の欠陥の詳細な
情報を前記検出して得た外観上の欠陥の前記ウェハ上で
の位置情報に対応させて前記ウェハを識別する情報とと
もに表示するとともに該外観上の欠陥の詳細な情報を複
数のカテゴリーに分類して表示する工程とを有すること
を特徴とする電子デバイスの製造方法。
4. A step of processing a wafer, a step of detecting a defect on the appearance of the wafer, and a step of detecting the appearance defect by using position information on the wafer of the appearance defect obtained by the detection. A step of obtaining detailed information of the defect and a display together with information for identifying the wafer in correspondence with the position information on the wafer of the external defect obtained by detecting the detailed information of the external defect And a step of classifying and displaying detailed information of the appearance defect in a plurality of categories and displaying the detailed information.
【請求項5】前記複数のカテゴリに属する欠陥がある場
合はその内の1つを表示することを特徴とする請求項4
記載の電子デバイスの製造方法。
5. If there is a defect belonging to the plurality of categories, one of them is displayed.
A method for manufacturing the electronic device described.
【請求項6】ウエハを処理する工程と、処理された該ウ
ェハを検査する工程と、該検査して得た検査結果に含ま
れる座標データを用いて該ウェハを分析する工程と、該
分析して得た分析結果の情報を前記検査結果に含まれる
座標データに対応させて前記ウェハを識別する情報とと
もに表示する工程とを有することを特徴とする電子デバ
イスの製造方法。
6. A step of processing a wafer, a step of inspecting the processed wafer, a step of analyzing the wafer using coordinate data included in the inspection result obtained by the inspection, and a step of performing the analysis. And a step of displaying the information of the obtained analysis result in correspondence with the coordinate data included in the inspection result together with the information for identifying the wafer, and manufacturing the electronic device.
【請求項7】前記分析結果の情報を所定のカテゴリに分
類して表示すると共に、複数のカテゴリに属する分析結
果の情報がある場合はその内の1つを表示することを特
徴とする請求項6記載の電子デバイスの製造方法。
7. The analysis result information is classified into a predetermined category and displayed, and if there is analysis result information belonging to a plurality of categories, one of them is displayed. 6. The method for manufacturing an electronic device according to 6.
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