JP2003132538A - 光情報記録装置 - Google Patents
光情報記録装置Info
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- JP2003132538A JP2003132538A JP2001325913A JP2001325913A JP2003132538A JP 2003132538 A JP2003132538 A JP 2003132538A JP 2001325913 A JP2001325913 A JP 2001325913A JP 2001325913 A JP2001325913 A JP 2001325913A JP 2003132538 A JP2003132538 A JP 2003132538A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 DVD−RAMバージョン2.0にて、記憶
容量が2.6ギガバイト/面から4.7ギガバイト/面
と高密度化が進み、DVD−RAM媒体上の記録スポッ
トをより精度良く制御する必要がでてきた。しかし、P
wとPeの比を一定に保ったままパワーを変化させて再
生ジッタ最適値を求めるこれまでの方法では、所要のジ
ッタ以下に制御することが困難となった。 【解決手段】 DVD−RAMディスクの最内周に備え
られたDrive Test Zoneの1トラック2
5セクタにおいて、少なくとも一部あるいは全部のセク
タに対して、セクタ毎に異なる記録パワー(Pw)と消
去パワー(Pe)の組み合わせで試し書きを行ない、再
生時のジッタに基づくエラーエッジ数を最小化する記録
パワーと消去パワーを求める記録パワー調整手段を備え
た。
容量が2.6ギガバイト/面から4.7ギガバイト/面
と高密度化が進み、DVD−RAM媒体上の記録スポッ
トをより精度良く制御する必要がでてきた。しかし、P
wとPeの比を一定に保ったままパワーを変化させて再
生ジッタ最適値を求めるこれまでの方法では、所要のジ
ッタ以下に制御することが困難となった。 【解決手段】 DVD−RAMディスクの最内周に備え
られたDrive Test Zoneの1トラック2
5セクタにおいて、少なくとも一部あるいは全部のセク
タに対して、セクタ毎に異なる記録パワー(Pw)と消
去パワー(Pe)の組み合わせで試し書きを行ない、再
生時のジッタに基づくエラーエッジ数を最小化する記録
パワーと消去パワーを求める記録パワー調整手段を備え
た。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク等の記
録媒体に対する記録パワー調整技術に係り、特に、高密
度情報記録に対応した光情報記録装置に関する。
録媒体に対する記録パワー調整技術に係り、特に、高密
度情報記録に対応した光情報記録装置に関する。
【0002】
【従来の技術】DVD−RAMの媒体では、レーザー光
を用いて書き込みを行ない、レーザー光の熱に基づく相
変化によって結晶質状態あるいはアモルファス状態のマ
ークを形成しており、前記マークが結晶質状態あるいは
アモルファス状態で光の反射率が異なることを利用して
情報の再生を行なっている。
を用いて書き込みを行ない、レーザー光の熱に基づく相
変化によって結晶質状態あるいはアモルファス状態のマ
ークを形成しており、前記マークが結晶質状態あるいは
アモルファス状態で光の反射率が異なることを利用して
情報の再生を行なっている。
【0003】しかし、実際の光ディスク装置では、周囲
温度、レーザーの波長、光スポット歪等の動的な変動の
影響のために、光源の出力設定を一定に保ったとしても
情報記録面を所定の温度に保つことは難しく、実際には
ユーザデータを記録する前に、装填された媒体に用意さ
れたテスト領域に記録を行なってレーザーパワーを調整
する「試し書き」が実施されている。そして、この試し
書きは、媒体の装填時の他、装置の電源投入時、装置再
生においてWrite Errorの疑義を生じた場
合、一定温度以上になった場合にも行なわれる為、短時
間でのチェックが要求される。一方、試し書きに対する
記録品質の評価は、再生時のジッタと呼ばれる位相誤差
分布を用いる。ジッタを数値化する為、例えば、再生信
号を二値化回路にてパルス化し、PLL回路のチャネル
クロック信号と比較して一定時間幅以上ずれたエッジ数
をカウントするエラーエッジ数の手法が取られている。
温度、レーザーの波長、光スポット歪等の動的な変動の
影響のために、光源の出力設定を一定に保ったとしても
情報記録面を所定の温度に保つことは難しく、実際には
ユーザデータを記録する前に、装填された媒体に用意さ
れたテスト領域に記録を行なってレーザーパワーを調整
する「試し書き」が実施されている。そして、この試し
書きは、媒体の装填時の他、装置の電源投入時、装置再
生においてWrite Errorの疑義を生じた場
合、一定温度以上になった場合にも行なわれる為、短時
間でのチェックが要求される。一方、試し書きに対する
記録品質の評価は、再生時のジッタと呼ばれる位相誤差
分布を用いる。ジッタを数値化する為、例えば、再生信
号を二値化回路にてパルス化し、PLL回路のチャネル
クロック信号と比較して一定時間幅以上ずれたエッジ数
をカウントするエラーエッジ数の手法が取られている。
【0004】図3はジッタ分布とエラーエッジ数の関係
を示す模式図であり、横軸はジッタ分布(時間)を、縦
軸はジッタ数を示す。チャネルクロックがTwのジッタ
分布は曲線31で示されている。ジッタ分布に対して、
ハッチング部分のエッジがエラーエッジ数としてカウン
トされ、ジッタの大きい再生パルスほどエラーエッジ数
を検出する確率が高い。即ち、t1〜t2、及び−t1
〜−t2の間のジッタは、例えば3チャンネルクロック
を2チャンネルクロックとして読み取られ、読み取り不
可になる可能性がある。再生信号を二値化した再生パル
スのエッジをPLL回路のチャネルクロック信号により
検出する光情報記録装置におけるジッタは、再生パルス
のエッジがチャネルクロックのエッジから時間ずれを起
こす為に生じ、そのずれ量が大きくなるほど再生信号の
誤検出を引き起こす確率が高くなる。そこで、誤検出を
引き起こさない範囲でずれ量に対するしきい値を設け
て、それ以上のずれ量を示す再生パルスに対しては、そ
のエッジ数をエラーエッジ数としてカウントする。この
エラーエッジ数を抑える為には、再生パルスのエッジを
チャネルクロックの中心付近に合わす必要があり、媒体
に対する記録をレーザーの熱でマークを形成させる記録
方式では、記録時のパワーが最も大きく関係する。そこ
で、試し書きでエラーエッジ数を最小化する記録時のパ
ワーを求める必要がある。
を示す模式図であり、横軸はジッタ分布(時間)を、縦
軸はジッタ数を示す。チャネルクロックがTwのジッタ
分布は曲線31で示されている。ジッタ分布に対して、
ハッチング部分のエッジがエラーエッジ数としてカウン
トされ、ジッタの大きい再生パルスほどエラーエッジ数
を検出する確率が高い。即ち、t1〜t2、及び−t1
〜−t2の間のジッタは、例えば3チャンネルクロック
を2チャンネルクロックとして読み取られ、読み取り不
可になる可能性がある。再生信号を二値化した再生パル
スのエッジをPLL回路のチャネルクロック信号により
検出する光情報記録装置におけるジッタは、再生パルス
のエッジがチャネルクロックのエッジから時間ずれを起
こす為に生じ、そのずれ量が大きくなるほど再生信号の
誤検出を引き起こす確率が高くなる。そこで、誤検出を
引き起こさない範囲でずれ量に対するしきい値を設け
て、それ以上のずれ量を示す再生パルスに対しては、そ
のエッジ数をエラーエッジ数としてカウントする。この
エラーエッジ数を抑える為には、再生パルスのエッジを
チャネルクロックの中心付近に合わす必要があり、媒体
に対する記録をレーザーの熱でマークを形成させる記録
方式では、記録時のパワーが最も大きく関係する。そこ
で、試し書きでエラーエッジ数を最小化する記録時のパ
ワーを求める必要がある。
【0005】図2は再生波形と記録波形の関係をしめす
波形図であり、図2(a)は再生波形5Tw(Tw;チ
ャネルクロック)を示し、図2(b)はその記録波形を
示す。記録波形としては、図2(b)に示すように、記
録パワーPw、消去パワーPe、ボトムパワーPbの3
種類のパワーを用いている。試し書きも、この3種類の
パワーを用いる。
波形図であり、図2(a)は再生波形5Tw(Tw;チ
ャネルクロック)を示し、図2(b)はその記録波形を
示す。記録波形としては、図2(b)に示すように、記
録パワーPw、消去パワーPe、ボトムパワーPbの3
種類のパワーを用いている。試し書きも、この3種類の
パワーを用いる。
【0006】従って、試し書きは、厳密には、記録パワ
ーPw、消去パワーPe、ボトムパワーPbのそれぞれ
を組み合わせ、この組み合わせ変化させてエラーエッジ
数を最小とする組み合わせを求めるのであるが、組み合
わせ数が非常に多く時間がかかり過ぎて実用的ではな
い。そこで、最適パワーを簡便に得る方法として、例え
ば、特開平10−320777号公報ではPwとPeの
比を一定としてエラーエッジ数を求めている。実際、記
憶容量が2.6ギガバイト/面のDVD−RAMバージ
ョン1.0では、この方法を用いてもあまり問題が無い
が、バージョン2.0では書けなくなる場合がある。
ーPw、消去パワーPe、ボトムパワーPbのそれぞれ
を組み合わせ、この組み合わせ変化させてエラーエッジ
数を最小とする組み合わせを求めるのであるが、組み合
わせ数が非常に多く時間がかかり過ぎて実用的ではな
い。そこで、最適パワーを簡便に得る方法として、例え
ば、特開平10−320777号公報ではPwとPeの
比を一定としてエラーエッジ数を求めている。実際、記
憶容量が2.6ギガバイト/面のDVD−RAMバージ
ョン1.0では、この方法を用いてもあまり問題が無い
が、バージョン2.0では書けなくなる場合がある。
【0007】また、特開2000−251256号公報
には、OPC動作において、まず、記憶パワーと消去パ
ワーの最適な比又は最適な組み合わせの近似式を求め、
それを利用して記録パワーと消去パワーの一方又は両方
を変化させて試し書きを行なうことによって最適な記録
パワー及び消去パワーを求めることが記載されている。
には、OPC動作において、まず、記憶パワーと消去パ
ワーの最適な比又は最適な組み合わせの近似式を求め、
それを利用して記録パワーと消去パワーの一方又は両方
を変化させて試し書きを行なうことによって最適な記録
パワー及び消去パワーを求めることが記載されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】DVD−RAMバージ
ョン2.0になり、記憶容量が2.0になると、記憶容
量が2.6ギガバイト/面から4.7ギガバイト/面と
高密度化が進み、PwとPeの比を一定に保ったままパ
ワーを変化させてエラーエッジ数を最小とするという、
これまでの方法では、エラーエッジ数を所要数以下に制
御することが困難となり、DVD−RAM媒体上の記録
マークを書くための記録パワー及び消去パワーをより精
度良く制御する必要がでてきた。
ョン2.0になり、記憶容量が2.0になると、記憶容
量が2.6ギガバイト/面から4.7ギガバイト/面と
高密度化が進み、PwとPeの比を一定に保ったままパ
ワーを変化させてエラーエッジ数を最小とするという、
これまでの方法では、エラーエッジ数を所要数以下に制
御することが困難となり、DVD−RAM媒体上の記録
マークを書くための記録パワー及び消去パワーをより精
度良く制御する必要がでてきた。
【0009】図4はエラーエッジ数の特性図であり、図
4(a)は記録パワーを一定にして、消去パワーを変化
させた場合の特性図であり、図4(b)は消去パワーを
一定にして記録パワーを変化させた場合の特性図であ
る。図4(a)において、横軸は消去パワーを示し、縦
軸はエラーエッジ数を示す。また、図4(b)におい
て、横軸は記録パワーを示し、縦軸はエラーエッジ数を
示す。図4(a)において、曲線41はPw(記録パワ
ー)を11.0mWと一定にしてPe(消去パワー)を
変化させた場合のエラーエッジ数を示し、及び曲線42
はPwを11.2mWと一定にしてPe(消去パワー)
を走査した場合のエラーエッジ数を示している。曲線4
1、42より明らかなように、Pwの違いによりエラー
エッジ数を最小化するPeが異なっている。Pwが1
1.0mWの場合は、曲線41より明らかなように、P
eが5.0mWの場合にエラーエッジ数が最小になり、
Pwが11.2mWの場合は、曲線42より明らかなよ
うに、Peが4.5mWの場合にエラーエッジ数が最小
になる。一方、図4(b)において、曲線43は図4
(a)で求めたPeの内、Peを4.5mWとしてPw
を走査した場合のエラーエッジ数を示し、曲線44はP
eを5.0mWと一定にして、Pwを走査した場合のエ
ラーエッジ数を示す。曲線43、44から明らかなよう
に、Peのわずかな違いにより最小エラーエッジ数が大
きく変動しており、Peが4.5mWの場合、Pwが1
1.2mWのときにエラーエッジ数が8と最小になり、
Peが5.0mWの場合、Pwが11.0mWのときに
エラーエッジ数が15と最小になる。すなわち、Pwあ
るいはPeの一方を固定し他方を走査する記録パワー調
整手段では、始めに固定としたPwあるいはPeが最適
値でないとエラーエッジ数を最小化することが困難とな
る。
4(a)は記録パワーを一定にして、消去パワーを変化
させた場合の特性図であり、図4(b)は消去パワーを
一定にして記録パワーを変化させた場合の特性図であ
る。図4(a)において、横軸は消去パワーを示し、縦
軸はエラーエッジ数を示す。また、図4(b)におい
て、横軸は記録パワーを示し、縦軸はエラーエッジ数を
示す。図4(a)において、曲線41はPw(記録パワ
ー)を11.0mWと一定にしてPe(消去パワー)を
変化させた場合のエラーエッジ数を示し、及び曲線42
はPwを11.2mWと一定にしてPe(消去パワー)
を走査した場合のエラーエッジ数を示している。曲線4
1、42より明らかなように、Pwの違いによりエラー
エッジ数を最小化するPeが異なっている。Pwが1
1.0mWの場合は、曲線41より明らかなように、P
eが5.0mWの場合にエラーエッジ数が最小になり、
Pwが11.2mWの場合は、曲線42より明らかなよ
うに、Peが4.5mWの場合にエラーエッジ数が最小
になる。一方、図4(b)において、曲線43は図4
(a)で求めたPeの内、Peを4.5mWとしてPw
を走査した場合のエラーエッジ数を示し、曲線44はP
eを5.0mWと一定にして、Pwを走査した場合のエ
ラーエッジ数を示す。曲線43、44から明らかなよう
に、Peのわずかな違いにより最小エラーエッジ数が大
きく変動しており、Peが4.5mWの場合、Pwが1
1.2mWのときにエラーエッジ数が8と最小になり、
Peが5.0mWの場合、Pwが11.0mWのときに
エラーエッジ数が15と最小になる。すなわち、Pwあ
るいはPeの一方を固定し他方を走査する記録パワー調
整手段では、始めに固定としたPwあるいはPeが最適
値でないとエラーエッジ数を最小化することが困難とな
る。
【0010】特開2000−251256号公報記載の
技術では、PwとPeの両方を変化させて最適値をもと
めているため、最初に正確な値を求めようとすると時間
がかかると言う問題点がある。
技術では、PwとPeの両方を変化させて最適値をもと
めているため、最初に正確な値を求めようとすると時間
がかかると言う問題点がある。
【0011】本発明の目的は上記の欠点を解決し、記録
パワーと消去パワーを独立に組み合わせてエラーエッジ
数を最小とし、かつ、短時間で試し書きを行なう技術を
提供することを目的とする。
パワーと消去パワーを独立に組み合わせてエラーエッジ
数を最小とし、かつ、短時間で試し書きを行なう技術を
提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明ではDVD−RA
Mの最内周に備えられたテスト領域であるDriveT
est Zoneを用いて記録、再生を行なう試し書き
を実施する。DVD−RAMバージョン2.0では、D
rive Test Zoneが1トラック25セクタ
で構成されている。その少なくとも一部あるいは全部の
セクタに対して、セクタ毎に異なる記録パワー(Pw)
と消去パワー(Pe)の組み合わせで試し書きを行な
う。
Mの最内周に備えられたテスト領域であるDriveT
est Zoneを用いて記録、再生を行なう試し書き
を実施する。DVD−RAMバージョン2.0では、D
rive Test Zoneが1トラック25セクタ
で構成されている。その少なくとも一部あるいは全部の
セクタに対して、セクタ毎に異なる記録パワー(Pw)
と消去パワー(Pe)の組み合わせで試し書きを行な
う。
【0013】再生時のジッタの数値化は、前記各セクタ
の再生信号を二値化回路にてパルス化し、PLL回路の
チャネルクロック信号と比較して一定時間幅以上ずれた
エッジ数をカウントしたエラーエッジ数として行ない、
セクタ毎にエラーエッジ数と記録パワー(Pw)と消去
パワー(Pe)をメモリに格納し、記録した全てのセク
タの再生を終えるとともに、前記メモリに格納している
各セクタの中から、予め設定したエラーエッジ基準値を
満足するセクタを選別し、このセクタの記録パワー(P
w)と消去パワー(Pe)を用いてデータ記録のレーザ
ーパワーを最適化するレーザーパワー判別手段を備え
る。
の再生信号を二値化回路にてパルス化し、PLL回路の
チャネルクロック信号と比較して一定時間幅以上ずれた
エッジ数をカウントしたエラーエッジ数として行ない、
セクタ毎にエラーエッジ数と記録パワー(Pw)と消去
パワー(Pe)をメモリに格納し、記録した全てのセク
タの再生を終えるとともに、前記メモリに格納している
各セクタの中から、予め設定したエラーエッジ基準値を
満足するセクタを選別し、このセクタの記録パワー(P
w)と消去パワー(Pe)を用いてデータ記録のレーザ
ーパワーを最適化するレーザーパワー判別手段を備え
る。
【0014】上記レーザーパワーを最適化において、ジ
ッタ最小を得るレーザーパワー判別手段として、メモリ
に格納している各セクタの中でエラーエッジ数が最小
で、かつ、予め設定したエラーエッジ基準値を満足する
セクタを選別することより最適な記録パワー(Pw)と
消去パワー(Pe)を実現する。
ッタ最小を得るレーザーパワー判別手段として、メモリ
に格納している各セクタの中でエラーエッジ数が最小
で、かつ、予め設定したエラーエッジ基準値を満足する
セクタを選別することより最適な記録パワー(Pw)と
消去パワー(Pe)を実現する。
【0015】また、温度等の変化が大きく、発光条件が
不安定化し易い条件下に対する、ジッタ許容範囲の大き
いレーザーパワー判別手段として、前記メモリに格納し
ている各セクタの中からエラーエッジ数最小値から少な
くとも3番目までのセクタを選択するとともに、前記複
数のセクタの記録パワー値(Pw)と消去パワー値(P
e)の各々の平均値から最適な記録パワー(Pw)と消
去パワー(Pe)を実現する。
不安定化し易い条件下に対する、ジッタ許容範囲の大き
いレーザーパワー判別手段として、前記メモリに格納し
ている各セクタの中からエラーエッジ数最小値から少な
くとも3番目までのセクタを選択するとともに、前記複
数のセクタの記録パワー値(Pw)と消去パワー値(P
e)の各々の平均値から最適な記録パワー(Pw)と消
去パワー(Pe)を実現する。
【0016】1回の試し書きで所要数以下のエラーエッ
ジ数に達しない場合は、1回目の試し書きでエラーエッ
ジ数が最も少なかった近傍にて再度PwとPeを詳細に
組み合わせてセクタ毎の試し書きを行ない、エラーエッ
ジ数を最小化するPwとPeを求める。
ジ数に達しない場合は、1回目の試し書きでエラーエッ
ジ数が最も少なかった近傍にて再度PwとPeを詳細に
組み合わせてセクタ毎の試し書きを行ない、エラーエッ
ジ数を最小化するPwとPeを求める。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、一例として、DVD−RAM記録再生装置の試し書
き方法に適用した場合について、図を参照しながら説明
する。図1は記録パワーと消去パワーの組み合わせと組
み合わせ毎のエラーエッジ数を示すテーブルであり、図
1(a)は記録パワー調整を行なうための記録パワーと
消去パワーの設定例を示すテーブルであり、図1(b)
は記録パワーと消去パワーの各設定毎のエラーエッジ数
を示すテーブルである。図1(a)において、パワー1
〜パワー18は試し書き時のPwとPeの組み合わせを
示しており、本実施例では試し書き時にPwとPeの2
つの値を調整する。試し書きに使用する領域は最内周に
備えられたDrive Test Zoneである。
て、一例として、DVD−RAM記録再生装置の試し書
き方法に適用した場合について、図を参照しながら説明
する。図1は記録パワーと消去パワーの組み合わせと組
み合わせ毎のエラーエッジ数を示すテーブルであり、図
1(a)は記録パワー調整を行なうための記録パワーと
消去パワーの設定例を示すテーブルであり、図1(b)
は記録パワーと消去パワーの各設定毎のエラーエッジ数
を示すテーブルである。図1(a)において、パワー1
〜パワー18は試し書き時のPwとPeの組み合わせを
示しており、本実施例では試し書き時にPwとPeの2
つの値を調整する。試し書きに使用する領域は最内周に
備えられたDrive Test Zoneである。
【0018】図5はドライブ、テスト、ゾーンにおける
試し書きの使用領域及びパワー設定例をしめす模式図で
ある。図5に示すように、Drive Test Zo
neは1トラックに25セクタ設けられている。本実施
例では、18通りのパワーの組み合わせをセクタ毎に割
り当てている。パワーの組み合わせ数はDriveTe
st Zoneの1トラックで試し書きを行なえること
ができる25セクタ以下の任意の数が好適である。図1
(b)の中の数値は図1(a)に示す各パワー1〜18
のPwとPeの組み合わせで試し書きを行った際のエラ
ーエッジ数である。
試し書きの使用領域及びパワー設定例をしめす模式図で
ある。図5に示すように、Drive Test Zo
neは1トラックに25セクタ設けられている。本実施
例では、18通りのパワーの組み合わせをセクタ毎に割
り当てている。パワーの組み合わせ数はDriveTe
st Zoneの1トラックで試し書きを行なえること
ができる25セクタ以下の任意の数が好適である。図1
(b)の中の数値は図1(a)に示す各パワー1〜18
のPwとPeの組み合わせで試し書きを行った際のエラ
ーエッジ数である。
【0019】図6はジッタに対するエラーエッジ数の特
性図であり、横軸に光ディスク装置で発生するジッタ
(%)を、縦軸にエラージッタ数を示す。図より明らか
なように、ジッタの増加に対してエラーエッジ数は2次
関数的に増加している。DVD−RAMバージョン2.
0の規格では、再生時のジッタが8%以下になるように
記録することが定義されていることから、実施例の光デ
ィスク装置ではエラーエッジ数が15以下の場合にジッ
タの規格を満たすことができる。
性図であり、横軸に光ディスク装置で発生するジッタ
(%)を、縦軸にエラージッタ数を示す。図より明らか
なように、ジッタの増加に対してエラーエッジ数は2次
関数的に増加している。DVD−RAMバージョン2.
0の規格では、再生時のジッタが8%以下になるように
記録することが定義されていることから、実施例の光デ
ィスク装置ではエラーエッジ数が15以下の場合にジッ
タの規格を満たすことができる。
【0020】図7は記録パワーと消去パワーの組み合わ
せによるエラーエッジ数の関係を示す等高線図であり、
横軸に記録パワー(Pw(mW))を、縦軸に消去パワ
ー(Pe(mW))を示す。図において、71はエラー
エッジ数が0〜15の領域を示し、同様に、72はエラ
ーエッジ数が15〜30の領域を、73はエラーエッジ
数が30〜45の領域を、74はエラーエッジ数が45
〜60の領域を、75はエラーエッジ数が60〜75の
領域を、76はエラーエッジ数が75〜90の領域を、
77はエラーエッジ数が90〜105の領域を、78は
エラーエッジ数が105〜120の領域を、79はエラ
ーエッジ数が120〜135の領域を、80はエラーエ
ッジ数が135〜150の領域を示す。
せによるエラーエッジ数の関係を示す等高線図であり、
横軸に記録パワー(Pw(mW))を、縦軸に消去パワ
ー(Pe(mW))を示す。図において、71はエラー
エッジ数が0〜15の領域を示し、同様に、72はエラ
ーエッジ数が15〜30の領域を、73はエラーエッジ
数が30〜45の領域を、74はエラーエッジ数が45
〜60の領域を、75はエラーエッジ数が60〜75の
領域を、76はエラーエッジ数が75〜90の領域を、
77はエラーエッジ数が90〜105の領域を、78は
エラーエッジ数が105〜120の領域を、79はエラ
ーエッジ数が120〜135の領域を、80はエラーエ
ッジ数が135〜150の領域を示す。
【0021】本等高線図はエラーエッジ数とPwとPe
の関係を精度良く得る目的で、PwとPeを詳細に変化
させてエラーエッジ数を測定して、エラーエッジ数を等
高線にしたものである。図に示すように、エラーエッジ
数はPw=11mW、Pe=4.5mW付近を極小値と
して外側に向けて放射状に高くなる分布が得られた。次
に、図1(a)に示すパワーの組み合わせを用いて試し
書きを行なった結果が図1(b)であり、最もエラーエ
ッジ数の小さいパワーの組み合わせはPw=11.2m
W、Pe=4.8mWでエラーエッジ数は8となり、図
7のパワーの組み合わせにおおよそ一致した。
の関係を精度良く得る目的で、PwとPeを詳細に変化
させてエラーエッジ数を測定して、エラーエッジ数を等
高線にしたものである。図に示すように、エラーエッジ
数はPw=11mW、Pe=4.5mW付近を極小値と
して外側に向けて放射状に高くなる分布が得られた。次
に、図1(a)に示すパワーの組み合わせを用いて試し
書きを行なった結果が図1(b)であり、最もエラーエ
ッジ数の小さいパワーの組み合わせはPw=11.2m
W、Pe=4.8mWでエラーエッジ数は8となり、図
7のパワーの組み合わせにおおよそ一致した。
【0022】しかし、求められる再生品質がより高い場
合、あるいは、媒体の特性によっては、1回の試し書き
で所要のエラーエッジ数に達しないために、最適パワー
の組み合わせが決定できない場合がある。このような場
合、パワーの範囲、変化量を変化させて試し書きを繰り
返す。図8に試し書きを2回行なう例を示す。図8は記
録パワーと消去パワーの組み合わせと組み合わせ毎のエ
ラーエッジ数を示すテーブルであり、図8(a)は記録
パワーと消去パワーの設定例に対する1回目のエラーエ
ッジ数を示すテーブルであり、図8(b)はエラーエッ
ジ数が最小の点を中心に記録パワーと消去パワーを変え
た場合の設定毎のエラーエッジ数を示すテーブルであ
る。1回目の試し書きではPw、Peを各々0.5mW
ずつ変化させて記録を行ない、再生して得られた最小エ
ラーエッジ数は20であり、許容エラーエッジ数15以
下を満足することが出来なかった。そこで2回目の試し
書きでは、パワー範囲を狭めて綿密な試し書きを実施し
た。即ち、1回目の結果から条件を満たすパワーの組み
合わせとしてPw=10〜11mW、Pe=4〜5mW
を予測し、二回目はPw=10.3〜10.8mW、P
e=4.3〜4.8mWの範囲でパワー変化量をPw=
0.1mW、Pe=0.1mWとして試し書きを行な
い、Pw=10.7mW、Pe=4.7mWにてエラー
エッジ数7を実現できた。
合、あるいは、媒体の特性によっては、1回の試し書き
で所要のエラーエッジ数に達しないために、最適パワー
の組み合わせが決定できない場合がある。このような場
合、パワーの範囲、変化量を変化させて試し書きを繰り
返す。図8に試し書きを2回行なう例を示す。図8は記
録パワーと消去パワーの組み合わせと組み合わせ毎のエ
ラーエッジ数を示すテーブルであり、図8(a)は記録
パワーと消去パワーの設定例に対する1回目のエラーエ
ッジ数を示すテーブルであり、図8(b)はエラーエッ
ジ数が最小の点を中心に記録パワーと消去パワーを変え
た場合の設定毎のエラーエッジ数を示すテーブルであ
る。1回目の試し書きではPw、Peを各々0.5mW
ずつ変化させて記録を行ない、再生して得られた最小エ
ラーエッジ数は20であり、許容エラーエッジ数15以
下を満足することが出来なかった。そこで2回目の試し
書きでは、パワー範囲を狭めて綿密な試し書きを実施し
た。即ち、1回目の結果から条件を満たすパワーの組み
合わせとしてPw=10〜11mW、Pe=4〜5mW
を予測し、二回目はPw=10.3〜10.8mW、P
e=4.3〜4.8mWの範囲でパワー変化量をPw=
0.1mW、Pe=0.1mWとして試し書きを行な
い、Pw=10.7mW、Pe=4.7mWにてエラー
エッジ数7を実現できた。
【0023】一方、外部温度等の要因によりレーザー発
光が安定しにくい条件等で記録を行なう場合の試し書き
では、Pw、Pe許容範囲の広い最適パワーを選択した
方が実用性に富む。例えば、発光パワーが設定値に対し
てばらつく場合、エラーエッジ数の最小のパワーより発
光パワーずれの許容範囲の広いパワーを選択した方が良
い。
光が安定しにくい条件等で記録を行なう場合の試し書き
では、Pw、Pe許容範囲の広い最適パワーを選択した
方が実用性に富む。例えば、発光パワーが設定値に対し
てばらつく場合、エラーエッジ数の最小のパワーより発
光パワーずれの許容範囲の広いパワーを選択した方が良
い。
【0024】図9はエラーエッジ数が最小になった3点
を記録パワー、消去パワーを軸として座標化した模式図
であり、図1(b)の試し書きにおいてエラーエッジ数
が15以下のPw、Peの組み合わせから、エラーエッ
ジ数が最小から3番目までのPw、Peを座標上に表し
たものである。即ち、エラーエッジ数が8となるPw=
11.2mW、Pe=4.5mW、エラーエッジ数が1
4となるPw=11.4mW、Pe=4.0mW、エラ
ーエッジ数が15となるPw=11.4mW、Pe=
5.0mWを、横軸にPw(mW)を、縦軸にPe(m
W)を表した場合の図形を示す。図7の結果から、Pw
とPeに対するエラーエッジ数はある1点のPwとPe
を極小値とする等高線で表せることから、エラーエッジ
数が15以下の隣り合う3つのPw及びPeの間もエラ
ーエッジ数15以下のパワーの組み合わせであると予測
される。従って、本実施例では、エラーエッジ数が15
以下で、かつ、エラーエッジ数が最小値から3番目まで
の3点で構成される三角形の重心91を、許容範囲の大
きいPwとPeとして、Pw=11.3mW、Pe=
4.5mWを得た。三角形の重心91は各辺の中点とそ
の対角を結んだ直線の交点であり、三角形の重心は頂点
がいかなる点を取った場合でも三角形の内部に位置する
性質を利用している。
を記録パワー、消去パワーを軸として座標化した模式図
であり、図1(b)の試し書きにおいてエラーエッジ数
が15以下のPw、Peの組み合わせから、エラーエッ
ジ数が最小から3番目までのPw、Peを座標上に表し
たものである。即ち、エラーエッジ数が8となるPw=
11.2mW、Pe=4.5mW、エラーエッジ数が1
4となるPw=11.4mW、Pe=4.0mW、エラ
ーエッジ数が15となるPw=11.4mW、Pe=
5.0mWを、横軸にPw(mW)を、縦軸にPe(m
W)を表した場合の図形を示す。図7の結果から、Pw
とPeに対するエラーエッジ数はある1点のPwとPe
を極小値とする等高線で表せることから、エラーエッジ
数が15以下の隣り合う3つのPw及びPeの間もエラ
ーエッジ数15以下のパワーの組み合わせであると予測
される。従って、本実施例では、エラーエッジ数が15
以下で、かつ、エラーエッジ数が最小値から3番目まで
の3点で構成される三角形の重心91を、許容範囲の大
きいPwとPeとして、Pw=11.3mW、Pe=
4.5mWを得た。三角形の重心91は各辺の中点とそ
の対角を結んだ直線の交点であり、三角形の重心は頂点
がいかなる点を取った場合でも三角形の内部に位置する
性質を利用している。
【0025】図10は本発明による光ディスク装置の一
実施例を示す構成例である。記録データ信号は、エンコ
ーダ1001でNRZI信号に、記録パルス発生器10
02でPw、Pe、Pbの3値で構成されるパルス信号
に変換された後、レーザードライバ1004に入力され
てレーザー駆動電流としてピックアップ1013に送ら
れる。
実施例を示す構成例である。記録データ信号は、エンコ
ーダ1001でNRZI信号に、記録パルス発生器10
02でPw、Pe、Pbの3値で構成されるパルス信号
に変換された後、レーザードライバ1004に入力され
てレーザー駆動電流としてピックアップ1013に送ら
れる。
【0026】一方、再生信号はピックアップ1013内
のフォトダイオードで光信号が電気信号に変換された
後、アンプ1005に入力されて増幅され、イコライザ
1006によって波形等化、二値化回路1007にて二
値化され、エラーエッジ測定部1009にて、二値化さ
れた信号とPLL1008で発生するクロック信号の差
をエラーエッジ数として、エラーエッジ解析部1010
のメモリに格納されると共に、このエラーエッジ数はパ
ワー制御部1003に供給され、レーザードライバ10
04のパワーが制御される。
のフォトダイオードで光信号が電気信号に変換された
後、アンプ1005に入力されて増幅され、イコライザ
1006によって波形等化、二値化回路1007にて二
値化され、エラーエッジ測定部1009にて、二値化さ
れた信号とPLL1008で発生するクロック信号の差
をエラーエッジ数として、エラーエッジ解析部1010
のメモリに格納されると共に、このエラーエッジ数はパ
ワー制御部1003に供給され、レーザードライバ10
04のパワーが制御される。
【0027】図11はメモリに格納される記録パワー、
消去パワー及びエラーエッジ数のテーブルの一実施例を
示す模式図である。エラーエッジ数は記録したセクタ順
にPw及びPeと共に配列してエラーエッジ解析部10
10のメモリ格納される。そして、任意のセクタ数の再
生が終了すると、エラーエッジ解析部1010は、エラ
ーエッジ数と記録パワーの関係を解析し最適パワーを求
める。1回目で最適パワーが求まらない場合は1回目の
最小エラーエッジ数近傍にて詳細に試し書きを行なう為
のパワーの範囲と変化量をパワー制御部1003に設定
し、1回目と同様にセクタ毎に試し書きを行ない、エラ
ーエッジ数を最小とするPw、Peを求める。
消去パワー及びエラーエッジ数のテーブルの一実施例を
示す模式図である。エラーエッジ数は記録したセクタ順
にPw及びPeと共に配列してエラーエッジ解析部10
10のメモリ格納される。そして、任意のセクタ数の再
生が終了すると、エラーエッジ解析部1010は、エラ
ーエッジ数と記録パワーの関係を解析し最適パワーを求
める。1回目で最適パワーが求まらない場合は1回目の
最小エラーエッジ数近傍にて詳細に試し書きを行なう為
のパワーの範囲と変化量をパワー制御部1003に設定
し、1回目と同様にセクタ毎に試し書きを行ない、エラ
ーエッジ数を最小とするPw、Peを求める。
【0028】図12は試し書き制御の処理動作の一実施
例を示すフローチャートである。図において、ステップ
1201で図1(a)に示すような設定パワーと記録セ
クタ番号のパターンを決定し、図11に示したメモリの
セクタ番号、Pw、Peの項目に格納する。ステップ1
202で指定セクタに対する記録指示を行ない、ステッ
プ1203で記録指示されたパワーをレーザードライバ
に設定する。ステップ1204で各セクタの記録終了を
監視し、終了したらステップ1205で記録済セクタ数
を加算する。ステップ1206で記録済セクタ数とステ
ップ1201で決定した記録セクタ数を比較し、記録セ
クタ数に達した場合ステップ1207以降の再生処理に
移行する。ステップ1206で記録セクタ数に達してい
ない場合(Noの場合)、ステップ1203で前記メモ
リに格納した各セクタの設定パワーのうち次セクタに該
当するパワーをレーザードライバに設定する。記録セク
タ数に達するまでステップ1203〜1206で各セク
タの記録を繰り返す。ステップ1206で記録セクタ数
の記録が終了すると、ステップ1207で記録した各セ
クタにー対し再生指示を発行する。ステップ1208で
各セクタの再生終了を監視し、終了したらステップ12
09で再生済セクタ数を加算する。ステップ1210で
エラーエッジ測定部1009からエラーエッジ数を取得
し前記メモリに格納する。ステップ1208〜1211
で各セクタの再生を繰り返す。ステップ1211で記録
済の全セクタの再生が終了すると、ステップ1212に
おいてメモリに格納している各セクタの記録パワーとエ
ラーエッジ数の情報から最適Pw、Peパワーの選択処
理を行なう。ステップ1212で所要のエラーエッジ数
を満足するPwとPeを求めることができた場合はステ
ップ1213の判定で試し書き終了となるが、決定でき
なかった場合は、実際のリトライ回数と任意のリトライ
制限回数を比較しリトライ可能な場合はステップ120
1の処理に戻る。ステップ1201はメモリに格納され
たエラーエッジ数情報とPw、Pe設定情報から次記録
パワー設定を決定する。2回目以降の試し書き時の記録
パワー設定は前回記録したセクタのうち最小エラーエッ
ジ数であったPw、Peを高パワー方向及び低パワー方
向のパワー変化の中心値とし、パワーの走査範囲はP
w、Peともに前記で定めた中心パワーから、前回の記
録でのパワー変化の最小単位程度の幅を高パワー方向及
び低パワー方向に変化させる程度で良い。次設定パワー
は図11で示したPe、Pwの項目にセクタ番号ごとに
格納され、1回目の試し書きと同様の1202以降の処
理へと移行する。1213でリトライ回数が制限回数を
越えた場合は、試し書きはエラー終了処理を行なう。
例を示すフローチャートである。図において、ステップ
1201で図1(a)に示すような設定パワーと記録セ
クタ番号のパターンを決定し、図11に示したメモリの
セクタ番号、Pw、Peの項目に格納する。ステップ1
202で指定セクタに対する記録指示を行ない、ステッ
プ1203で記録指示されたパワーをレーザードライバ
に設定する。ステップ1204で各セクタの記録終了を
監視し、終了したらステップ1205で記録済セクタ数
を加算する。ステップ1206で記録済セクタ数とステ
ップ1201で決定した記録セクタ数を比較し、記録セ
クタ数に達した場合ステップ1207以降の再生処理に
移行する。ステップ1206で記録セクタ数に達してい
ない場合(Noの場合)、ステップ1203で前記メモ
リに格納した各セクタの設定パワーのうち次セクタに該
当するパワーをレーザードライバに設定する。記録セク
タ数に達するまでステップ1203〜1206で各セク
タの記録を繰り返す。ステップ1206で記録セクタ数
の記録が終了すると、ステップ1207で記録した各セ
クタにー対し再生指示を発行する。ステップ1208で
各セクタの再生終了を監視し、終了したらステップ12
09で再生済セクタ数を加算する。ステップ1210で
エラーエッジ測定部1009からエラーエッジ数を取得
し前記メモリに格納する。ステップ1208〜1211
で各セクタの再生を繰り返す。ステップ1211で記録
済の全セクタの再生が終了すると、ステップ1212に
おいてメモリに格納している各セクタの記録パワーとエ
ラーエッジ数の情報から最適Pw、Peパワーの選択処
理を行なう。ステップ1212で所要のエラーエッジ数
を満足するPwとPeを求めることができた場合はステ
ップ1213の判定で試し書き終了となるが、決定でき
なかった場合は、実際のリトライ回数と任意のリトライ
制限回数を比較しリトライ可能な場合はステップ120
1の処理に戻る。ステップ1201はメモリに格納され
たエラーエッジ数情報とPw、Pe設定情報から次記録
パワー設定を決定する。2回目以降の試し書き時の記録
パワー設定は前回記録したセクタのうち最小エラーエッ
ジ数であったPw、Peを高パワー方向及び低パワー方
向のパワー変化の中心値とし、パワーの走査範囲はP
w、Peともに前記で定めた中心パワーから、前回の記
録でのパワー変化の最小単位程度の幅を高パワー方向及
び低パワー方向に変化させる程度で良い。次設定パワー
は図11で示したPe、Pwの項目にセクタ番号ごとに
格納され、1回目の試し書きと同様の1202以降の処
理へと移行する。1213でリトライ回数が制限回数を
越えた場合は、試し書きはエラー終了処理を行なう。
【0029】なお、本発明による試し書きの趣旨は、試
し書き時に2値のパワーレベルの組み合わせで記録した
マークの再生時のジッタを評価することで最適な記録パ
ワーを求める事であり、DVD−RAMなどの相変化光
ディスクに限定するものではなく、DVD−Rなどの穴
あけ型のライトワンス媒体にも適応可能である。
し書き時に2値のパワーレベルの組み合わせで記録した
マークの再生時のジッタを評価することで最適な記録パ
ワーを求める事であり、DVD−RAMなどの相変化光
ディスクに限定するものではなく、DVD−Rなどの穴
あけ型のライトワンス媒体にも適応可能である。
【0030】以上述べたように、本発明によれば、Dr
ive Test Zoneの各セクタごとに異なるP
wとPeを組み合わせて試し書きを行ない、再生時のジ
ッタをエラーエッジ数に置き換えて、エラーエッジ数を
最小とするPwとPeの組み合わせを得ることよりDV
D−RAMバージョン2.0の4.7ギガバイト/面と
高密度に対しても所望のジッタを実現するとともに、試
し書きの所要時間負担も軽減することができる。更に、
パワーずれ余裕を加味したPwとPeを選択することに
よって、レーザー発光が不安定化し易い条件に対して記
録品質の安定化を実現する。
ive Test Zoneの各セクタごとに異なるP
wとPeを組み合わせて試し書きを行ない、再生時のジ
ッタをエラーエッジ数に置き換えて、エラーエッジ数を
最小とするPwとPeの組み合わせを得ることよりDV
D−RAMバージョン2.0の4.7ギガバイト/面と
高密度に対しても所望のジッタを実現するとともに、試
し書きの所要時間負担も軽減することができる。更に、
パワーずれ余裕を加味したPwとPeを選択することに
よって、レーザー発光が不安定化し易い条件に対して記
録品質の安定化を実現する。
【0031】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、D
rive Test Zoneのセクタ毎に異なるPw
とPeを組み合わせて試し書きを行ない、再生時のジッ
タをエラーエッジ数に置き換えて、エラーエッジ数を最
小とするPwとPeの組み合わせを得ることより、高密
度の記録ディスクにたいしても所望のジッタを実現する
とともに、試し書きの所要時間負担も軽減することがで
きる。また、パワーずれ余裕を加味したPwとPeを選
択することによって、レーザー発光が不安定化し易い条
件に対して記録品質の安定化を実現する。
rive Test Zoneのセクタ毎に異なるPw
とPeを組み合わせて試し書きを行ない、再生時のジッ
タをエラーエッジ数に置き換えて、エラーエッジ数を最
小とするPwとPeの組み合わせを得ることより、高密
度の記録ディスクにたいしても所望のジッタを実現する
とともに、試し書きの所要時間負担も軽減することがで
きる。また、パワーずれ余裕を加味したPwとPeを選
択することによって、レーザー発光が不安定化し易い条
件に対して記録品質の安定化を実現する。
【図1】記録パワーと消去パワーの組み合わせと組み合
わせ毎のエラーエッジ数を示すテーブルである。
わせ毎のエラーエッジ数を示すテーブルである。
【図2】再生波形と記録波形の関係をしめす波形図であ
る。
る。
【図3】ジッタ分布とエラーエッジ数の関係を示す模式
図である。
図である。
【図4】記録パワーを一定にして、消去パワーを変化さ
せえた場合及び消去パワーを一定にして記録パワーを変
化させた場合の特性図である。
せえた場合及び消去パワーを一定にして記録パワーを変
化させた場合の特性図である。
【図5】ドライブ、テスト、ゾーンにおける試し書きの
使用領域及びパワー設定例をしめす模式図である。
使用領域及びパワー設定例をしめす模式図である。
【図6】ジッタに対するエラーエッジ数の特性図であ
る。
る。
【図7】記録パワーと消去パワーの組み合わせによるエ
ラーエッジ数の関係を示す等高線図である。
ラーエッジ数の関係を示す等高線図である。
【図8】記録パワーと消去パワーの組み合わせと組み合
わせ毎のエラーエッジ数を示すテーブルである。
わせ毎のエラーエッジ数を示すテーブルである。
【図9】エラーエッジ数が最小になった3点を記録パワ
ー、消去パワーを軸として座標化した模式図である。
ー、消去パワーを軸として座標化した模式図である。
【図10】本発明による光ディスク装置の一実施例を示
す構成例である。
す構成例である。
【図11】メモリに格納される記録パワー、消去パワー
及びエラーエッジ数のテーブルの一実施例を示す模式図
である。
及びエラーエッジ数のテーブルの一実施例を示す模式図
である。
【図12】は試し書き制御の処理動作の一実施例を示す
フローチャートである。
フローチャートである。
1001…エンコーダ、1002…記録パルス発生器、
1003…パワー制御部、1004…レーザードライ
バ、1005…アンプ、1006…イコライザ、100
7…二値化回路、1008…PLL、1009…エラー
エッジ測定部、1010…エラーエッジ解析部、101
1…デコーダ、1013…ピックアップ。
1003…パワー制御部、1004…レーザードライ
バ、1005…アンプ、1006…イコライザ、100
7…二値化回路、1008…PLL、1009…エラー
エッジ測定部、1010…エラーエッジ解析部、101
1…デコーダ、1013…ピックアップ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Fターム(参考) 5D044 BC04 CC04 DE03 EF03 FG11
5D090 AA01 BB04 CC01 CC05 CC16
CC18 EE01 FF11 FF21 HH01
JJ12 KK03 LL08
5D119 AA23 AA26 BA01 BB03 DA01
DA09 EC09 HA16 HA19 HA45
HA52
5D789 AA23 AA26 BA01 BB03 DA01
DA09 EC09 HA16 HA19 HA45
HA52
Claims (5)
- 【請求項1】レーザーの記録パワーと消去パワーの複数
の組み合わせを記憶するメモリと、該組み合わせ毎のパ
ワーで、記録媒体のテスト領域の異なるセクタに記録す
る手段と、該記録されたセクタ毎のジッタから最適の記
録パワーと消去パワーを判別する判別手段と、該判別手
段の出力によって該レーザーのパワーを設定する記録制
御手段とを備えることを特徴とする光情報記録装置。 - 【請求項2】レーザー光を出力して、記録媒体に対して
データの記録を行なう光ヘッドと、該記録媒体のテスト
領域の少なくとも一部あるいは全てのセクタに対して、
セクタ毎に異なる記録パワーと消去パワーの組み合わせ
で試し書き記録を行なう手段と、該各セクタの再生時の
ジッタを最適化する記録パワーと消去パワーを判別する
レーザーパワー判別手段と、該光ヘッドで該記録媒体に
データ記録を行なう際に、該レーザーパワー判別手段で
得られたレーザーパワーの設定を行なう記録制御手段と
を備えることを特徴とする光情報記録装置。 - 【請求項3】請求項1記載の光情報記録装置において、
該各セクタの再生信号をパルス化する二値化回路と、チ
ャネルクロック信号を出力するPLL回路と、該パルス
化された再生信号とチャネルクロックを比較して一定時
間幅以上ずれたエッジ数をカウントしてエラーエッジ数
とするエッジ数カウント手段とを設けることによってジ
ッタの定量化を行ない、メモリを設け、該メモリに、セ
クタ毎の該エラーエッジ数、記録パワー及び消去パワー
を格納し、該レーザーパワー判別手段は、記録した全て
のセクタの再生が終えると、該メモリに格納している各
セクタの中から、予め設定したエラーエッジ基準値を満
足するセクタを選別し、該セクタの記録パワーと消去パ
ワーを用いてデータ記録のレーザーパワーを設定するこ
とを特徴とする光情報記録装置。 - 【請求項4】請求項3記載の光情報記録装置において、
該レーザーパワー判別手段は、記録した全てのセクタの
再生を終えると、該メモリに格納されている各セクタの
中からエラーエッジ数が最小なセクタを選別し、該セク
タの記録パワーと消去パワーをデータ記録のレーザーパ
ワーとすることを特徴とする光情報記録装置。 - 【請求項5】請求項3記載の光情報記録装置において、
該レーザーパワー判別手段は、該メモリに格納している
各セクタの中からエラーエッジ数が最小値から少なくと
も3番目までのセクタを選択し、該複数のセクタの記録
パワー値と消去パワー値の各々の平均値を記録パワーと
消去パワーとして設定することを特徴とする光情報記録
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001325913A JP2003132538A (ja) | 2001-10-24 | 2001-10-24 | 光情報記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001325913A JP2003132538A (ja) | 2001-10-24 | 2001-10-24 | 光情報記録装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003132538A true JP2003132538A (ja) | 2003-05-09 |
Family
ID=19142383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001325913A Pending JP2003132538A (ja) | 2001-10-24 | 2001-10-24 | 光情報記録装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003132538A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006031040A1 (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Lg Electronics Inc. | Method and apparatus for recording data in the recording medium |
WO2006031039A1 (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Lg Electronics Inc. | Recording medium, and method and apparatus for recording data in the recording medium |
CN1332379C (zh) * | 2003-11-26 | 2007-08-15 | 株式会社东芝 | 写控制参数优化设备与方法以及记录设备与方法 |
JP2009205795A (ja) * | 2003-11-14 | 2009-09-10 | Lg Electron Inc | 光記録媒体の表面上の耐汚染レベルの評価方法および装置並びに光記録媒体 |
US7672207B2 (en) | 2004-09-13 | 2010-03-02 | Lg Electronics Inc. | Recording medium, method and apparatus for recording data in the recording medium having a test area for an optimum power control |
US7719936B2 (en) | 2004-09-13 | 2010-05-18 | Lg Electro{Dot Over (N)}Ics, Inc. | Recording medium, and method and apparatus for recording data in the recording medium |
-
2001
- 2001-10-24 JP JP2001325913A patent/JP2003132538A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009205795A (ja) * | 2003-11-14 | 2009-09-10 | Lg Electron Inc | 光記録媒体の表面上の耐汚染レベルの評価方法および装置並びに光記録媒体 |
CN1332379C (zh) * | 2003-11-26 | 2007-08-15 | 株式会社东芝 | 写控制参数优化设备与方法以及记录设备与方法 |
WO2006031040A1 (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Lg Electronics Inc. | Method and apparatus for recording data in the recording medium |
WO2006031039A1 (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Lg Electronics Inc. | Recording medium, and method and apparatus for recording data in the recording medium |
US7672207B2 (en) | 2004-09-13 | 2010-03-02 | Lg Electronics Inc. | Recording medium, method and apparatus for recording data in the recording medium having a test area for an optimum power control |
US7719936B2 (en) | 2004-09-13 | 2010-05-18 | Lg Electro{Dot Over (N)}Ics, Inc. | Recording medium, and method and apparatus for recording data in the recording medium |
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