JP2003131180A - 光サブキャリア変調器 - Google Patents
光サブキャリア変調器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ミリ波にも適用可能であり、かつ低コストな
光サブキャリア変調器を実現する。 【解決手段】 高周波信号源から出力される高周波信号
を光サブキャリア信号に変換する光サブキャリア変調器
において、高周波信号を２分岐し、互いの位相を反転さ
せて出力する分岐移相手段と、分岐移相手段から出力さ
れる一方の高周波信号により変調されたレーザ光を出力
するレーザ光源と、レーザ光源から出力されるレーザ光
を分岐移相手段から出力される他方の高周波信号により
変調する光変調器とを備える。
光サブキャリア変調器を実現する。 【解決手段】 高周波信号源から出力される高周波信号
を光サブキャリア信号に変換する光サブキャリア変調器
において、高周波信号を２分岐し、互いの位相を反転さ
せて出力する分岐移相手段と、分岐移相手段から出力さ
れる一方の高周波信号により変調されたレーザ光を出力
するレーザ光源と、レーザ光源から出力されるレーザ光
を分岐移相手段から出力される他方の高周波信号により
変調する光変調器とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波または
ミリ波を用いた移動体通信、無線ＬＡＮシステム、放送
網で用いられる光サブキャリア変調器に関する。
ミリ波を用いた移動体通信、無線ＬＡＮシステム、放送
網で用いられる光サブキャリア変調器に関する。
【０００２】
【従来の技術】光サブキャリア伝送方式は、光無線ホス
ト局でレーザ光を高周波の無線信号で変調し、この変調
光を光ファイバを介して光無線アクセスポイントまで伝
送し、光無線アクセスポイントで無線信号に変換して信
号を電波で無線端末まで伝送する方式である。その光無
線ホスト局の処理である無線信号でレーザ光を変調する
のが光サブキャリア変調器である。
ト局でレーザ光を高周波の無線信号で変調し、この変調
光を光ファイバを介して光無線アクセスポイントまで伝
送し、光無線アクセスポイントで無線信号に変換して信
号を電波で無線端末まで伝送する方式である。その光無
線ホスト局の処理である無線信号でレーザ光を変調する
のが光サブキャリア変調器である。
【０００３】光サブキャリア変調器としては、これまで
レーザダイオードの直接変調、半導体光変調器やＬiＮb
Ｏ3 光変調器（ＬＮ変調器）が用いられている。いずれ
も、技術的な問題あるいは実用上の価格の問題などか
ら、一般に40ＧHz程度までの変調に用いられてきた。
レーザダイオードの直接変調、半導体光変調器やＬiＮb
Ｏ3 光変調器（ＬＮ変調器）が用いられている。いずれ
も、技術的な問題あるいは実用上の価格の問題などか
ら、一般に40ＧHz程度までの変調に用いられてきた。
【０００４】一方、周波数が40ＧHzを越える無線信号の
変調では、搬送波抑圧変調と呼ばれるＬＮ変調器の特殊
な使い方による発生法が知られている。この方法を用い
た従来の光サブキャリア変調器の構成例および動作原理
を図５に示す。図５(a) は構成例を示し、図５(b) 〜
(d) は動作原理を示す。
変調では、搬送波抑圧変調と呼ばれるＬＮ変調器の特殊
な使い方による発生法が知られている。この方法を用い
た従来の光サブキャリア変調器の構成例および動作原理
を図５に示す。図５(a) は構成例を示し、図５(b) 〜
(d) は動作原理を示す。
【０００５】図５(a) において、レーザダイオード（Ｌ
Ｄ）１は、電流源６から供給される定電流により駆動さ
れ、出力パワーと波長が一定な連続レーザ光を出射す
る。この連続レーザ光は、電圧源７および高周波信号源
５に接続されたＬＮ変調器８に入力され、高周波信号源
５が発生する周波数の２倍の周波数の変調が行われる。
Ｄ）１は、電流源６から供給される定電流により駆動さ
れ、出力パワーと波長が一定な連続レーザ光を出射す
る。この連続レーザ光は、電圧源７および高周波信号源
５に接続されたＬＮ変調器８に入力され、高周波信号源
５が発生する周波数の２倍の周波数の変調が行われる。
【０００６】図５(b) はＬＮ変調器８における印加電圧
に対する光透過率の関係を示す。図５(c) はＬＮ変調器
８に印加する高周波信号の波形、図５(d) はＬＮ変調器
８の出力光波形を示す。ＬＮ変調器８の光透過率は、図
５(b) に示すように印加電圧に対して正弦関数の２乗に
比例する。すなわち、光透過率をＴ、比例定数をＡ、半
波長電圧をＶpi、オフセット電圧をＶo 、印加電圧をＶ
とすると、これらの間には Ｔ＝Ａsin2｛２π(Ｖ−Ｖo)／Ｖpi｝ の関係がある。ここで、ＬＮ変調器８には電圧源７から
Ｖo の定電圧を印加する。この状態で図５(c) に示すよ
うに、高周波信号源５から正弦波かつ振幅全体が２Ｖpi
を越えない高周波信号を印加すると、図５(d) に示す出
力光が得られる。すなわち、入力された高周波信号の周
波数に対して、出力光の周波数は２倍に変換されている
ことが分かる。したがって、この方法を用いれば、30Ｇ
Hz帯域のＬＮ変調器によって60ＧHzに変調された光サブ
キャリアを得ることができる。
に対する光透過率の関係を示す。図５(c) はＬＮ変調器
８に印加する高周波信号の波形、図５(d) はＬＮ変調器
８の出力光波形を示す。ＬＮ変調器８の光透過率は、図
５(b) に示すように印加電圧に対して正弦関数の２乗に
比例する。すなわち、光透過率をＴ、比例定数をＡ、半
波長電圧をＶpi、オフセット電圧をＶo 、印加電圧をＶ
とすると、これらの間には Ｔ＝Ａsin2｛２π(Ｖ−Ｖo)／Ｖpi｝ の関係がある。ここで、ＬＮ変調器８には電圧源７から
Ｖo の定電圧を印加する。この状態で図５(c) に示すよ
うに、高周波信号源５から正弦波かつ振幅全体が２Ｖpi
を越えない高周波信号を印加すると、図５(d) に示す出
力光が得られる。すなわち、入力された高周波信号の周
波数に対して、出力光の周波数は２倍に変換されている
ことが分かる。したがって、この方法を用いれば、30Ｇ
Hz帯域のＬＮ変調器によって60ＧHzに変調された光サブ
キャリアを得ることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＬＮ変調器
を用いた搬送波抑圧変調は、上記のような特徴をもつ反
面、次のような課題がある。ＬＮ変調器のオフセット電
圧Ｖo は、ＬＮ変調器１台ごとに異なる定数であるの
で、必要な光サブキャリア変調器１台ごとに電圧源７の
電圧設定が必要である。さらに、オフセット電圧Ｖo は
経時的にも変化することが知られており、安定に動作さ
せるためには光サブキャリア変調器はその監視装置と電
圧源７へのフィードバック回路が必要であった。
を用いた搬送波抑圧変調は、上記のような特徴をもつ反
面、次のような課題がある。ＬＮ変調器のオフセット電
圧Ｖo は、ＬＮ変調器１台ごとに異なる定数であるの
で、必要な光サブキャリア変調器１台ごとに電圧源７の
電圧設定が必要である。さらに、オフセット電圧Ｖo は
経時的にも変化することが知られており、安定に動作さ
せるためには光サブキャリア変調器はその監視装置と電
圧源７へのフィードバック回路が必要であった。
【０００８】さらに、搬送波抑圧変調法で用いられるＬ
Ｎ変調器の駆動電圧は一般に高く、概ねＶpi＝５Ｖ程度
であり、これを駆動する高周波信号源は18dBｍ（63ｍ
Ｗ）程度の高出力を発生するものが必要であった。
Ｎ変調器の駆動電圧は一般に高く、概ねＶpi＝５Ｖ程度
であり、これを駆動する高周波信号源は18dBｍ（63ｍ
Ｗ）程度の高出力を発生するものが必要であった。
【０００９】本発明は、ミリ波にも適用可能であり、か
つ低コストな光サブキャリア変調器を提供することを目
的とする。
つ低コストな光サブキャリア変調器を提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、高周波信号源から出力される高周波信号を光サブキ
ャリア信号に変換する光サブキャリア変調器において、
高周波信号を２分岐し、互いの位相を反転させて出力す
る分岐移相手段と、分岐移相手段から出力される一方の
高周波信号により変調されたレーザ光を出力するレーザ
光源と、レーザ光源から出力されるレーザ光を分岐移相
手段から出力される他方の高周波信号により変調する光
変調器とを備える。
は、高周波信号源から出力される高周波信号を光サブキ
ャリア信号に変換する光サブキャリア変調器において、
高周波信号を２分岐し、互いの位相を反転させて出力す
る分岐移相手段と、分岐移相手段から出力される一方の
高周波信号により変調されたレーザ光を出力するレーザ
光源と、レーザ光源から出力されるレーザ光を分岐移相
手段から出力される他方の高周波信号により変調する光
変調器とを備える。
【００１１】なお、光変調器として電界吸収型光変調器
を用い、レーザ光源とモノリシック集積した構成として
もよい（請求項２）。
を用い、レーザ光源とモノリシック集積した構成として
もよい（請求項２）。
【００１２】請求項３に記載の発明は、高周波信号源か
ら出力される高周波信号を光サブキャリア信号に変換す
る光サブキャリア変調器において、連続光を発生するレ
ーザ光源と、高周波信号を２分岐し、互いの位相を反転
させて出力する分岐移相手段と、レーザ光源から出力さ
れる連続光を分岐移相手段から出力される一方の高周波
信号により変調する第１の光変調器と、第１の光変調器
から出力される変調光を分岐移相手段から出力される他
方の高周波信号により変調する第２の光変調器とを備え
る。
ら出力される高周波信号を光サブキャリア信号に変換す
る光サブキャリア変調器において、連続光を発生するレ
ーザ光源と、高周波信号を２分岐し、互いの位相を反転
させて出力する分岐移相手段と、レーザ光源から出力さ
れる連続光を分岐移相手段から出力される一方の高周波
信号により変調する第１の光変調器と、第１の光変調器
から出力される変調光を分岐移相手段から出力される他
方の高周波信号により変調する第２の光変調器とを備え
る。
【００１３】なお、第１の光変調器および第２の光変調
器として電界吸収型光変調器を用い、レーザ光源とモノ
リシック集積した構成としてもよい（請求項４）。
器として電界吸収型光変調器を用い、レーザ光源とモノ
リシック集積した構成としてもよい（請求項４）。
【００１４】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）図１は、本発
明の光サブキャリア変調器の第１の実施形態の構成を示
す。
明の光サブキャリア変調器の第１の実施形態の構成を示
す。
【００１５】図１において、レーザダイオード（ＬＤ）
１は、電流源６から所定のバイアス電流が供給される。
レーザダイオード１の出力光は光変調器２に入力され
る。光変調器２は、電圧源７から所定のバイアス電圧が
印加される。高周波信号源５から出力される高周波信号
は、電力分配器３に入力されて電力が２等分され、その
一方がレーザダイオード１に供給されるとともに、他方
が移相器４を介して位相反転させて光変調器２に供給さ
れる。なお、電力分配器３と移相器４は１つの素子で同
様の機能を果たすものを用いてもよい。
１は、電流源６から所定のバイアス電流が供給される。
レーザダイオード１の出力光は光変調器２に入力され
る。光変調器２は、電圧源７から所定のバイアス電圧が
印加される。高周波信号源５から出力される高周波信号
は、電力分配器３に入力されて電力が２等分され、その
一方がレーザダイオード１に供給されるとともに、他方
が移相器４を介して位相反転させて光変調器２に供給さ
れる。なお、電力分配器３と移相器４は１つの素子で同
様の機能を果たすものを用いてもよい。
【００１６】ここで、高周波信号源５は、例えば周波数
12.5ＧHz帯を発生させるマイクロ波の無線送信機であ
り、出力は15dBｍである。レーザダイオード１は、例え
ば波長1.55μｍ帯ＤＦＢレーザダイオードが用いられ、
高周波信号源５からの高周波信号（電力12dBｍ）によ
り、1.55μｍ帯のレーザ光を変調して出力する。なお、
レーザダイオード１は、直接変調の高周波特性がよい状
態で使用するために、電流源６から電流閾値の３倍の電
流にバイアスされており、これにより12.5ＧHz帯の直接
変調を行うことができる。光変調器２は、帯域15ＧHzの
例えば半導体量子井戸構造を採用した電界吸収型光変調
器を用いることができる。この光変調器２は高消光比が
得られるように電圧源７によって−２Ｖに逆バイアスさ
れている。
12.5ＧHz帯を発生させるマイクロ波の無線送信機であ
り、出力は15dBｍである。レーザダイオード１は、例え
ば波長1.55μｍ帯ＤＦＢレーザダイオードが用いられ、
高周波信号源５からの高周波信号（電力12dBｍ）によ
り、1.55μｍ帯のレーザ光を変調して出力する。なお、
レーザダイオード１は、直接変調の高周波特性がよい状
態で使用するために、電流源６から電流閾値の３倍の電
流にバイアスされており、これにより12.5ＧHz帯の直接
変調を行うことができる。光変調器２は、帯域15ＧHzの
例えば半導体量子井戸構造を採用した電界吸収型光変調
器を用いることができる。この光変調器２は高消光比が
得られるように電圧源７によって−２Ｖに逆バイアスさ
れている。
【００１７】図２は、第１の実施形態の動作原理を示
す。図２において、(a) は高周波信号源５から出力され
る高周波信号電流、(b) はレーザダイオード１の出力光
強度、(c) は光変調器２の光透過率、(d) は光変調器２
の出力光強度である。なお、いずれも横軸は時間であ
る。
す。図２において、(a) は高周波信号源５から出力され
る高周波信号電流、(b) はレーザダイオード１の出力光
強度、(c) は光変調器２の光透過率、(d) は光変調器２
の出力光強度である。なお、いずれも横軸は時間であ
る。
【００１８】図２(a) の高周波信号電流は、搬送波周波
数12.5ＧHzに対応して周期Ｔ＝80psである。レーザダイ
オード１からは、この電流と相似した出力光が出射され
る。光変調器２では、高周波信号源５の高周波信号が移
相器４により位相反転して印加されるので、その光透過
率は図２(c) に示されるように位相反転している。光変
調器２の出力光は、図２(b) と(c) の積となるので図２
(d) に示すようになり、その周期は図２(a) 〜(c) の周
期80psの半分の40psとなる。すなわち、サブキャリアの
周波数は、元の搬送波周波数12.5ＧHzの２倍の25ＧHzと
なることが分かる。
数12.5ＧHzに対応して周期Ｔ＝80psである。レーザダイ
オード１からは、この電流と相似した出力光が出射され
る。光変調器２では、高周波信号源５の高周波信号が移
相器４により位相反転して印加されるので、その光透過
率は図２(c) に示されるように位相反転している。光変
調器２の出力光は、図２(b) と(c) の積となるので図２
(d) に示すようになり、その周期は図２(a) 〜(c) の周
期80psの半分の40psとなる。すなわち、サブキャリアの
周波数は、元の搬送波周波数12.5ＧHzの２倍の25ＧHzと
なることが分かる。
【００１９】このように第１の実施形態の構成では、レ
ーザダイオードや光変調器に特段周波数特性の優れた部
品を使うことなく、部品特性の２倍の周波数の光サブキ
ャリアを発生させることができる。また、従来構成のよ
うなオフセット電圧の監視や制御回路も不要となる。
ーザダイオードや光変調器に特段周波数特性の優れた部
品を使うことなく、部品特性の２倍の周波数の光サブキ
ャリアを発生させることができる。また、従来構成のよ
うなオフセット電圧の監視や制御回路も不要となる。
【００２０】（第２の実施形態）図３は、本発明の光サ
ブキャリア変調器の第２の実施形態の構成を示す。本実
施形態の特徴は、第１の実施形態においてレーザダイオ
ード１を直接変調していたものを外部変調器を用いて変
調するところにある。
ブキャリア変調器の第２の実施形態の構成を示す。本実
施形態の特徴は、第１の実施形態においてレーザダイオ
ード１を直接変調していたものを外部変調器を用いて変
調するところにある。
【００２１】図３において、レーザダイオード（ＬＤ）
１は、電流源６から供給される定電流により駆動され、
出力パワーと波長が一定な連続レーザ光を出射する。こ
の連続レーザ光は、第１の光変調器２ａに入力される。
光変調器２ａは、第１の電圧源７ａから所定のバイアス
電圧が印加される。第１の光変調器２ａの変調光は、第
２の光変調器２ｂに入力される。光変調器２ｂは、第２
の電圧源７ｂから所定のバイアス電圧が印加される。高
周波信号源５から出力される高周波信号は、電力分配器
３に入力されて電力が２等分され、その一方が第１の光
変調器２ａに供給されるとともに、他方が移相器４を介
して位相反転させて第２の光変調器２ｂに供給される。
１は、電流源６から供給される定電流により駆動され、
出力パワーと波長が一定な連続レーザ光を出射する。こ
の連続レーザ光は、第１の光変調器２ａに入力される。
光変調器２ａは、第１の電圧源７ａから所定のバイアス
電圧が印加される。第１の光変調器２ａの変調光は、第
２の光変調器２ｂに入力される。光変調器２ｂは、第２
の電圧源７ｂから所定のバイアス電圧が印加される。高
周波信号源５から出力される高周波信号は、電力分配器
３に入力されて電力が２等分され、その一方が第１の光
変調器２ａに供給されるとともに、他方が移相器４を介
して位相反転させて第２の光変調器２ｂに供給される。
【００２２】ここで、高周波信号源５は、例えば周波数
30ＧHz帯を発生させるマイクロ波の無線送信機である。
レーザダイオード１は、例えば波長1.55μｍ帯ＤＢＲレ
ーザダイオードが用いられ。光変調器２ａ，２ｂは、帯
域30ＧHzの例えば半導体量子井戸構造を採用した電界吸
収型光変調器を用いることができる。この光変調器２は
高消光比が得られるように、電圧源７によって−２Ｖに
逆バイアスされている。
30ＧHz帯を発生させるマイクロ波の無線送信機である。
レーザダイオード１は、例えば波長1.55μｍ帯ＤＢＲレ
ーザダイオードが用いられ。光変調器２ａ，２ｂは、帯
域30ＧHzの例えば半導体量子井戸構造を採用した電界吸
収型光変調器を用いることができる。この光変調器２は
高消光比が得られるように、電圧源７によって−２Ｖに
逆バイアスされている。
【００２３】図４は、第２の実施形態の動作原理を示
す。図４において、(a) は高周波信号源５から出力され
る高周波信号電流、(b) はレーザダイオード１の出力光
強度（一定）、(c) は光変調器２ａの光透過率、(d) は
光変調器２ｂの光透過率、(e)は光変調器２の出力光強
度である。なお、いずれも横軸は時間である。
す。図４において、(a) は高周波信号源５から出力され
る高周波信号電流、(b) はレーザダイオード１の出力光
強度（一定）、(c) は光変調器２ａの光透過率、(d) は
光変調器２ｂの光透過率、(e)は光変調器２の出力光強
度である。なお、いずれも横軸は時間である。
【００２４】図４(a）の高周波信号電流は、搬送波周波
数30ＧHzに対応して周期Ｔ＝33.3psである。光変調器２
ａ，２ｂに印加される高周波信号は、移相器４により位
相が互いに反転して印加されるので、その光透過率は図
４(c),(d) に示されるように位相反転している。光変調
器２の出力光は、図４(b),(c),(d) の３重積となるので
図４(e) に示すようになり、その周期は図２(a),(c),
(d) の周期33.3psの半分の16.7psとなる。すなわち、サ
ブキャリアの周波数は、元の搬送波周波数30ＧHzの２倍
の60ＧHzとなることが分かる。
数30ＧHzに対応して周期Ｔ＝33.3psである。光変調器２
ａ，２ｂに印加される高周波信号は、移相器４により位
相が互いに反転して印加されるので、その光透過率は図
４(c),(d) に示されるように位相反転している。光変調
器２の出力光は、図４(b),(c),(d) の３重積となるので
図４(e) に示すようになり、その周期は図２(a),(c),
(d) の周期33.3psの半分の16.7psとなる。すなわち、サ
ブキャリアの周波数は、元の搬送波周波数30ＧHzの２倍
の60ＧHzとなることが分かる。
【００２５】このように第２の実施形態の構成は、光変
調器を２段接続した構成により２倍の周波数の光サブキ
ャリアを発生できる。すなわち、帯域30ＧHzまでの部品
の構成で60ＧHzの光サブキャリアを発生させることがで
きるので、光サブキャリア変調器を安価に製造すること
ができる。また、従来構成のようなオフセット電圧の監
視や制御回路も不要となる。
調器を２段接続した構成により２倍の周波数の光サブキ
ャリアを発生できる。すなわち、帯域30ＧHzまでの部品
の構成で60ＧHzの光サブキャリアを発生させることがで
きるので、光サブキャリア変調器を安価に製造すること
ができる。また、従来構成のようなオフセット電圧の監
視や制御回路も不要となる。
【００２６】なお、第１の実施形態および第２の実施形
態において、光変調器として電界吸収型光変調器を用い
る場合には、レーザダイオードと電界吸収型光変調器を
モノリシック集積した光部品を用いることも可能であ
り、同様に良好に動作することを確認している。
態において、光変調器として電界吸収型光変調器を用い
る場合には、レーザダイオードと電界吸収型光変調器を
モノリシック集積した光部品を用いることも可能であ
り、同様に良好に動作することを確認している。
【００２７】さらに、電界吸収型光変調器は約１ＶPPの
電圧振幅で駆動させることができる。したがって、第２
の実施形態においても、２つの光変調器を駆動するため
に必要な電力はわずか７dBｍ（５ｍＷ）程度である。
電圧振幅で駆動させることができる。したがって、第２
の実施形態においても、２つの光変調器を駆動するため
に必要な電力はわずか７dBｍ（５ｍＷ）程度である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光サブキ
ャリア変調器は、高周波信号源およびレーザダイオード
や光変調器などの光部品のもつ帯域の２倍の周波数の光
サブキャリアを発生させることができる。すなわち、ミ
リ波帯の発振器やミリ波帯までの帯域をもつ光変調器は
一般に非常に高価であるが、本発明の光サブキャリア変
調器は、所望の高周波信号の半分の周波数帯域の部品で
対応することができるので、著しいコスト低減が可能と
なる。
ャリア変調器は、高周波信号源およびレーザダイオード
や光変調器などの光部品のもつ帯域の２倍の周波数の光
サブキャリアを発生させることができる。すなわち、ミ
リ波帯の発振器やミリ波帯までの帯域をもつ光変調器は
一般に非常に高価であるが、本発明の光サブキャリア変
調器は、所望の高周波信号の半分の周波数帯域の部品で
対応することができるので、著しいコスト低減が可能と
なる。
【００２９】また、周波数100 ＧHz以上の光サブキャリ
アの発生は技術的に難しいが、本発明を用いることによ
り帯域50ＧHz程度の市販の高周波部品と光部品で構成す
ることが可能である。
アの発生は技術的に難しいが、本発明を用いることによ
り帯域50ＧHz程度の市販の高周波部品と光部品で構成す
ることが可能である。
【００３０】さらに、本発明では必要な高周波信号源の
出力も小さくてすむので、送信機コスト低減に効果があ
る。
出力も小さくてすむので、送信機コスト低減に効果があ
る。
【図１】本発明の光サブキャリア変調器の第１の実施形
態の構成を示すブロック図。
態の構成を示すブロック図。
【図２】第１の実施形態の動作原理を説明する図。
【図３】本発明の光サブキャリア変調器の第２の実施形
態の構成を示すブロック図。
態の構成を示すブロック図。
【図４】第２の実施形態の動作原理を説明する図。
【図５】従来の光サブキャリア変調器の構成例および動
作原理を示す図。
作原理を示す図。
１ レーザダイオード
２ 光変調器
３ 電力分配器
４ 移相器
５ 高周波信号源
６ 電流源
７ 電圧源
８ ＬＮ変調器（ＬiＮbＯ3 光変調器）
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０４Ｂ 10/152
(72)発明者 土居 芳行
東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日
本電信電話株式会社内
(72)発明者 伊藤 弘
東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日
本電信電話株式会社内
Ｆターム(参考） 2H079 AA02 AA13 BA01 CA05 DA16
FA02 KA18
5F073 AA63 AA74 AB12 AB21 BA01
5K002 AA02 BA04 BA05 BA13 CA14
Claims (4)
- 【請求項１】 高周波信号源から出力される高周波信号
を光サブキャリア信号に変換する光サブキャリア変調器
において、 前記高周波信号を２分岐し、互いの位相を反転させて出
力する分岐移相手段と、 前記分岐移相手段から出力される一方の高周波信号によ
り変調されたレーザ光を出力するレーザ光源と、 前記レーザ光源から出力されるレーザ光を前記分岐移相
手段から出力される他方の高周波信号により変調する光
変調器とを備えたことを特徴とする光サブキャリア変調
器。 - 【請求項２】 前記光変調器として電界吸収型光変調器
を用い、前記レーザ光源とモノリシック集積した構成で
あることを特徴とする請求項１に記載の光サブキャリア
変調器。 - 【請求項３】 高周波信号源から出力される高周波信号
を光サブキャリア信号に変換する光サブキャリア変調器
において、 連続光を発生するレーザ光源と、 前記高周波信号を２分岐し、互いの位相を反転させて出
力する分岐移相手段と、 前記レーザ光源から出力される連続光を前記分岐移相手
段から出力される一方の高周波信号により変調する第１
の光変調器と、 前記第１の光変調器から出力される変調光を前記分岐移
相手段から出力される他方の高周波信号により変調する
第２の光変調器とを備えたことを特徴とする光サブキャ
リア変調器。 - 【請求項４】 前記第１の光変調器および前記第２の光
変調器として電界吸収型光変調器を用い、前記レーザ光
源とモノリシック集積した構成であることを特徴とする
請求項３に記載の光サブキャリア変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001327893A JP2003131180A (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 光サブキャリア変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001327893A JP2003131180A (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 光サブキャリア変調器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003131180A true JP2003131180A (ja) | 2003-05-08 |
Family
ID=19144049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001327893A Pending JP2003131180A (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 光サブキャリア変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003131180A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006246104A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光波長分割多重送信装置、光波長分割多重伝送システム、光送信回路 |
-
2001
- 2001-10-25 JP JP2001327893A patent/JP2003131180A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006246104A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光波長分割多重送信装置、光波長分割多重伝送システム、光送信回路 |
| JP4526123B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2010-08-18 | 日本電信電話株式会社 | 光波長分割多重送信装置、光波長分割多重伝送システム、光送信回路 |
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