JP2003130327A

JP2003130327A - 排ガス処理装置

Info

Publication number: JP2003130327A
Application number: JP2001328773A
Authority: JP
Inventors: Noboru Takarayama; 登寳山; Fumihiko Hanayama; 文彦花山; Kenji Kumagai; 健志熊谷; Shinichiro Nomura; 伸一郎野村; Yasutsune Katsuta; 康常勝田
Original assignee: Babcock Hitachi KK
Current assignee: Mitsubishi Power Ltd
Priority date: 2001-10-26
Filing date: 2001-10-26
Publication date: 2003-05-08

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体製造工程から排出される排ガスに含ま
れる弗素化合物の分解効率を向上させる。【解決手段】半導体製造工程から排出される弗素化合
物及びシランを含むガス中の前記シランを燃焼して生成
するシリカ粉を除去した排ガスを一の蓄熱器２７ａで予
熱した後に燃焼し、燃焼後の排ガスで他の蓄熱器２７ｂ
を加熱し、前記一の蓄熱器と前記他の蓄熱器を交互に変
える交番燃焼方式により前記弗素化合物を分解する排ガ
ス処理装置において、前記シリカ粉を除去した排ガスに
前記弗素化合物の分解に要する量論比より過剰な水また
は水蒸気を添加する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、排ガス処理装置に
係り、特に、半導体製造工程からの弗素化合物を含む排
ガスを分解処理する装置に関する。ここで、本明細書に
おいて弗素化合物とは、特定フロンＣＦＣ、弗化炭素Ｐ
ＦＣ（ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_８等）、弗化炭化水素
ＨＦＣ、三弗化窒素ＮＦ_３、六弗化硫黄ＳＦ_６等の弗素
化合物を含むものとする。

【０００２】

【従来の技術】地球温暖化やオゾン層破壊等の地球環境
問題から温室効果ガスのＣＯ_２やフロン等の排出量が問
題となっている。冷蔵庫やエアコン等の冷媒に使われた
フロン（ＣＦＣ)については、オゾン層を破壊するため
早くから規制が掛けられ、代替フロンが使用されてい
る。しかし、例えば半導体製造工程等に使われているフ
ロン（ＰＦＣ）等の弗素化合物については、現在規制が
掛けられておらず、処理されずに大気へ放出されてい
る。この半導体製造工程等に使われるＰＦＣ等は、排出
される温室効果ガス全体の１％(PFC、CFC、HFCで10％、
CO₂は全体の60％)と少ないものの非常に安定した物質
で、地球温暖化係数(GWP：100-Year Global Warming Po
tential、CO₂=1とする)が6、500から24、000と非常に高
く、例えばＣＦ_４は6500、Ｃ_２Ｆ_６は9200である。1997
年12月に行われたCOP3京都会議では地球温暖化防止に向
け削減対象ガスに採択され、2008年から2012年までに先
進国全体で温室効果ガスを５％削減(日本は６％削減、1
990年と比較)を目標としている。さらに第３回WSC(世界
半導体会議、1999年/４月)では総量で10％(1995年と比
較)削減することが決定した。そこで、今後ＰＦＣの排
出規制が厳しくなると考えられＰＦＣを扱う半導体製造
工場等では回収・再利用、除害処理、代替ガスの利用・開
発等を考えている。

【０００３】現在、国や主な半導体関係会社を集めた団
体(一例ASET)等が対策を検討しているが、ＰＦＣの回収
・再利用については費用や再生ＰＦＣの純度に問題があ
り、代替ガスについてはコストが高く生産との採算が合
わない等の問題があり、除害処理して排出することが今
のところよいとされている。

【０００４】除害する方法としては各種方法があるが、
フロン等の弗素化合物は非常に安定した物質で、分解す
るのに大きなエネルギーが必要で非常に難しい。従来フ
ロン等を含有した排ガスの分解方法として、助燃料(水
素、メタン、天然ガス、プロパンガスや油など)を用い
て通常の燃焼温度雰囲気下(約900℃前後)でラジカルと
燃焼副生成物の水とともに分解を行う燃焼方式(特開平
９-108532、特開平９-42643、特開平３-51611、特開昭6
3-279014)や、燃焼方式の一つとして廃棄物溶融炉を利
用し水または水蒸気を予めフロンと混合しその混合ガス
を燃焼雰囲気内に導入して廃棄物と一緒にフロンを分解
する方法(特開平９-196349)、また酸化触媒を用いて分
解(分解時の温度約700℃)を行う触媒方式(特開平10-192
653、特開平10-235185他)や、カルシウム(Ca)等を用い
てフロンと化学反応させて分離する吸着剤方式(特開平
８-240382、特開平９-269114他)、さらに酸素または無
酸素領域で電気炉等を用いて熱エネルギーと生成水ある
いは水及び水蒸気を添加して分解処理する加熱・熱分解
方式(特開平11-33345、特開平10-263355、特開平10-349
他)、さらにフロンの解離のため瞬時にエネルギーを与
えてフロンを分解する爆轟方式(特開平６-54925、特開
平６-117620他)及び分解にプラズマの高エネルギを利用
したプラズマまたはマイクロ波方式(特開平７-299159、
特開平９-248424他)等がある。また燃焼方式の一つで、
交番燃焼による廃熱回収により空気を予熱(約800℃に)
し、予熱空気と助燃料により雰囲気温度を1000℃以上に
して被処理ガス(フロン等)を高効率分解する高温空気燃
焼及び交番燃焼方式(特願平11-245555、特願平11-18617
3)等がある。

【０００５】燃焼方式でフロンを処理する場合とは、燃
焼火炎中に発生するラジカルとの酸化反応によりフロン
を分解する仕組みである。また、加熱・熱分解方式で
は、熱エネルギで分解する方法であるが、分解時に非常
に大きなエネルギを必要とするので分解に必要な水ある
いは水蒸気を添加して分解を促進させる方法がとられて
いる。

【０００６】半導体製造工場では近年、クリーンルーム
等系内の汚れを防止するため、油等を使用した封止液の
無いドライポンプで半導体製造装置であるＣＶＤ装置等
を真空排気している。ドライポンプはその軸封に多量の
窒素ガスを使用しており、また、爆発の危険性があるガ
スを含んでいる場合にはこの窒素ガスで爆発下限濃度以
下に希釈して、各製造プロセスガスと共に排気してい
る。その排ガスには、半導体材料ガスであるシラン（Si
H₄）等や半導体製造装置やウエハの清浄に使われるク
リーニングガスで毒性の強い三弗化窒素ＮＦ_３や難燃
(難分解)性のＣＦ₄(パーフルオロメタン：ＰＦＣの一
つ)等の有害成分が含まれており、地球温暖化防止のた
め、そのまま大気中に排出することができないため、除
害処理をする必要がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、フロン等の
弗素化合物ガスの分解は、水を加えた燃焼・加水分解反
応(火炎内で分解反応させるため、火炎・分解反応という
こともある) によりおこなわれる。この分解反応は、例
えばＰＦＣのうちＣＦ_４につてはC-F結合、Ｃ_２Ｆ_６に
ついてはC-C結合を分離したのち、水と酸化反応させる
ことが必要であるが、これらの結合エネルギーは高いこ
とから分離が容易でなく、また単に水を噴霧または蒸発
させて排ガスに混合しても酸化反応は促進されない。

【０００８】本発明の課題は、半導体製造工程から排出
されるガスに含まれる弗素化合物の分解効率を向上させ
ることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の排ガス処理装置は、半導体製造工程から排
出される弗素化合物及びシランを含むガス中の前記シラ
ンを燃焼して生成するシリカ粉を除去した排ガスを一の
蓄熱器で予熱した後に燃焼し、燃焼後の排ガスで他の蓄
熱器を加熱し、前記一の蓄熱器と前記他の蓄熱器を交互
に変える交番燃焼方式により前記弗素化合物を分解する
排ガス処理装置において、前記シリカ粉を除去した排ガ
スに前記弗素化合物の分解に要する量論比より過剰な水
または水蒸気を添加することを特徴とする。

【００１０】このような構成とすることにより、高温雰
囲気の燃焼によって弗素化合物はその結合が切り離さ
れ、それと同時に燃焼場で発生するＯＨラジカルにより
切り離された弗素等を酸化して、処理しやすい物質に変
えることができる。特に、量論比より過剰な水または水
蒸気を添加することにより、水または水蒸気と分解対象
の弗素化合物との混合が十分に行われる。その結果、Ｏ
Ｈラジカルによる酸化反応が促進されるので、弗素化合
物の分解効率が向上する。

【００１１】また、水または水蒸気は、蓄熱器での予熱
前に添加することが好ましい。処理ガスと水の混合が十
分に保たれ、水も予熱を経て燃焼下の高温雰囲気におか
れるので、ＯＨラジカルも十分に発生するから、弗素化
合物の分解が促進される。

【００１２】また、量論比で１０倍以上の水または水蒸
気を添加することが好ましい。水または水蒸気と分解対
象の弗素化合物との混合がより一層十分に行われるの
で、分解効率がより向上するからである。

【００１３】さらに、蓄熱器による予熱後の排ガスの燃
焼は、１０００℃以上の高温雰囲気とするのが好まし
い。ＰＦＣ等の弗素化合物の結合の分離とＯＨラジカル
の発生を促進できるので、弗素化合物の分解を向上でき
るからである。

【００１４】また、量論比以上の水または水蒸気を添加
して燃焼するので、燃焼炉内の局所高温部が無くなり、
均一な温度分布となるのでサーマルＮＯ_ｘの発生を減少
させることができる。

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１から図３を参照して説明する。図１は本発明を
適用してなる排ガス処理装置の一実施形態の構成図、図
２は本発明を適用してなる排ガス処理装置の一実施形態
の系統概念図、図３はＣＦ_４の水量論比と温度における
分解効率を示した図である。図１及び図２に示すよう
に、本実施形態の排ガス処理装置は、半導体製造装置か
ら排出されるガスに含まれるシラン（SiO₂）を燃焼す
るシラン燃焼炉１を有する。半導体製造プロセスの主と
してＣＶＤ装置から排出されるガスには、シランやＰＦ
Ｃが含まれており、排ガスの前処理としてシランを燃焼
処理する。シランやＰＦＣを含む排ガス２は、排ガス入
口３からシラン燃焼炉1に入り、助燃料４５ａ及びブロ
ワ５から供給される燃焼用空気７ａとともに、パイロッ
トバーナ９によりシランが燃焼される。シランは燃焼に
よりシリカ（SiO₂）粉となり、そしてシリカ粉の混じ
った排ガス１３は、バグフィルタ１５に入りシリカ粉が
捕集される。捕集されたシリカ粉１８は、払い落され、
タンク内水１７ａとともに、湿式により装置系外の図２
に示す処理設備４７へ搬送され、処分される。シラン燃
焼炉１には冷却水注入口１１ａから冷却水が注入され、
炉内冷却後の冷却水はタンク内水１７ａとして排出され
る。シリカ粉を除去した排ガスは、流路２１を通り途中
で燃焼用空気７ｂが加えられ、ほぼ常温となって、ＰＦ
Ｃ分解炉３２の流路切換機２５に入る。なお、シランを
含まない排ガス等のようにシラン燃焼の必要がないとき
は、ブロワ５から直接に流路２３を通りＰＦＣ分解炉３
２へ入る。ＰＦＣ分解炉３２の流路切換機２５から入っ
たシリカ粉除去後の排ガスは、蓄熱器２７ａに入り約８
００℃まで予熱される。予熱後の排ガスは、主バーナ２
９ａより助燃料４５ｂが投入され、ＰＦＣ分解炉３２の
燃焼炉３１内で１０００℃以上の雰囲気におかれる。こ
の高温雰囲気内で、主バーナ２９ａの近傍に設けた注入
口３３ａから水または水蒸気が注入され、ＰＦＣを燃焼
・加水分解する。分解されたガスは、他の蓄熱器２７ｂ
で熱回収がされ、冷却管３０ｂにおいて冷却水注入口１
１ｂからの冷却水により排ガスの温度を約２００℃以下
とされて、流路切換機２５から流路３７を通り、吸収塔
３９へ入る。吸収塔３９では、ＰＦＣ分解後に生成され
た弗化水素（ＨＦ）を除去した排ガスをブロワ４１によ
って大気４３へ排出し、含まれていた水１７ｂも排出す
る。

【００１５】流路切換機２５は、蓄熱器２７ｂに十分熱
が貯えられる時間、例えば約３０〜１２０秒間隔で切換
える。切換えられると、シリカ粉除去後の排ガスは、燃
焼用空気７ｂとともに、流路切換機２５から蓄熱器２７
ｂで予熱され、主バーナ２９ｂより助燃料４５ｃが投入
され、燃焼による高温雰囲気内で水または水蒸気が注入
口３３ｂから注入される。この場合、蓄熱器２７ｂの手
前に位置する冷却管３０ｂでは冷却はしない。燃焼・加
水分解された排ガスは、蓄熱器２７ａで熱回収され、冷
却管３０ａで冷却されて流路切換機２５からＰＦＣ分解
炉３２を出て吸収塔３９で同様に処理される。このよう
に予熱、燃焼、熱回収を流路切換により交互に繰り返
し、蓄熱器の役割をかえる交番燃焼を行う。

【００１６】次に、本発明の特徴部について説明する。
本発明の解決課題で述べたように、半導体製造装置から
排出されるガスに含まれるＰＦＣ等の弗素化合物は、結
合エネルギー大きいため、分解が容易でなくかつ分解効
率も悪い。この問題を解決すべく、本発明は、交番燃焼
による分解炉にＰＦＣ等の分解に必要な水の量論比より
過剰となる水または水蒸気を添加することを特徴とす
る。すなわち、シランを燃焼によりシリカ粉に変えて除
去された排ガスは、蓄熱器２７ａ（または２７ｂ）で約
８００℃に予熱される。約８００℃に予熱された排ガス
は、主バーナ２９ａ（または２９ｂ）より助燃料が投入
され、燃焼炉３１内で約１０００℃以上の雰囲気におか
れる。そして、主バーナの近傍に設けられた注入口３３
ａ（または３３ｂ）から水または水蒸気を注入する。ま
た、燃焼炉３１に助燃バーナ３５とその近傍に水または
水蒸気の注入口３３ｃを必要に応じて設ける。注入する
水または水蒸気の量は、弗素化合物の分解に必要な量論
比よりも過剰となるようにする。分解については後述す
る反応式でもわかるように、水分子が必要であり、排ガ
スの弗素化合物分子の回りに多くの水分子があることが
必要であり、量論比よりも多くあることが分解の効率向
上につながる。ＰＦＣガスやその他の地球温暖化ガス等
の弗素化合物は、分解に際して、まず弗素化合物の結
合、例えばＣＦ_４についてはＣ−Ｆ結合、Ｃ_２Ｆ_６につ
いてはＣ−Ｃ結合を分離したのち、水と反応させること
が必要である。燃焼炉内のＰＦＣガス等の弗素化合物の
結合を分離させるためには、雰囲気としては高温(約100
0℃以上)にする方が効果的である。高温にすることで弗
素化合物の結合分離と水との反応を促進することにな
り、より確実に有害ガスの分解が可能となる。ちなみに
ＰＦＣ等を構成する平均結合エネルギは、C-F結合：427
kJ/mol、C-C結合：335kJ/mol、C-H結合：414kJ/mol、S-
F結合：324kJ/mol、N-F結合：234kJ/mol、H-F結合：565
kJ/mol、F-F結合：155kJ/mol(一般化学、化学便覧より)
で、C-F結合のみで構成されているＣＦ_４が最も平均結
合エネルギが高いためＰＦＣ等の中では安定した物質
で、最も分解が難しいとされている。

【００１７】次に、各結合を分離したのち酸化させて、
二酸化炭素(CO₂)とHFの副生成物にして処理するわけで
あるが、単純に水を噴霧または蒸発させて処理されるガ
スに混合しても酸化反応は促進されない。炭化水素と酸
素の燃焼などからできるhydoroxyl radical(OH・：OHラ
ジカル)を発生させて酸化させる方法がよい。酸化力の
強さを表す指標として標準電極電位というものがある。
代表的物質の標準電極電位はF₂：3.05V、OH：2.38V、
O₃：2.08V （化学便覧より)であり、これらの反応から
生じる物質の中では、このOHラジカルの標準酸化電位は
F₂に次ぐものでオゾン（Ｏ_３）よりも大きく酸化性が強
い。したがって、燃焼中に発生するOHラジカルを利用し
て分解をした方が効率的である。これらの分解反応を促
進させるためには、温度による依存性もあるが、まだ反
応していないガスが十分に高温域で、OHラジカルと接触
し、分解反応を進めることが望ましい。このため、分解
炉内での十分な混合と反応時間が、分解促進及び効率向
上へつながる。以上の条件を考慮すると，ＰＦＣ等の高
分解効率を目指す場合，(a)十分な量の水との反応，(b)
雰囲気温度の高温化，(c) 燃焼雰囲気中での反応，(d)
十分な混合(滞留時間)が重要な条件となることが分か
る。よって、主バーナ２９ａ、２９ｂの近傍の水注入口
３３ａ、３３ｂから水または水蒸気を量論比より過剰に
水を添加することにより、高温の燃焼場で酸化力の強い
OHラジカルを十分に作れ、バーナ２９ａ、２９ｂの近傍
からの注入により排ガスと混合する時間が十分に確保で
き、ＰＦＣガス等の結合を分離し、OHラジカルとの反応
を促進させることができるので、ＰＦＣガス等の分解効
率を向上できる。また、水の添加はにより燃焼炉内の局
所高温部がなくなり、均一な温度分布となるのでサーマ
ルＮＯ_Ｘの発生を減少させることができる。

【００１８】次に、ＰＦＣガスのＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、そ
の他の地球温暖化ガスである弗素化合物ガスのＮＦ_３、
ＳＦ_６の燃焼・加水分解の反応式を示す。

【００１９】 CF₄ + 2H₂O ＝ CO₂ + 4HF （１Ａ） CF₄ ＋ C₃H₈ ＋ 5O₂ ＝ 4CO₂ ＋ 4HF ＋ 2H₂O （１Ｂ） C₂F₆ + 1/2O₂ + 3H₂O ＝ 2CO₂ + 6HF (２Ａ) C₂F₆ ＋ C₃H₈ ＋ 11/2O₂ ＝ 5CO₂ ＋ 6HF ＋ H₂O (２Ｂ) 2NF₃ + 1/2O₂ + 3H₂O ＝ 2NO₂ + 6HF (３Ａ) 2NF₃ + C₃H₈ ＋ 11/2O₂＝ 2NO₂ + 3CO₂ + 6HF + H₂O (３Ｂ) SF₆ + H₂ + 2H₂O ＝ SO₂ + 6HF (４Ａ) SF₆ + C₃H₈ ＋ 5O₂ + H₂ ＝ SO₂ + 3CO₂ + 6HF + 2H₂O (４Ｂ) 式（１Ｂ）、(２Ｂ)、（３Ｂ）、（４Ｂ）は、それぞれ
ＰＦＣ分解炉３２の主バーナ２９ａ、２９ｂから供給さ
れる助燃料のプロパン（Ｃ_３Ｈ_８）の反応も考慮した場
合を示している。

【００２０】特開2001-65841号公報に示すように、排ガ
ス処理装置では電気炉を用いた基礎分解実験で雰囲気温
度を1100〜1200℃とし、水を二流体もしくは微細にでき
る一流体スプレイにより噴霧して供給した。加水分解す
る上で理論上の必要水量は，例えばCF₄を分解すると，
式(1Ａ)によりＣＦ_４１molに対し水(H₂O)２mol(この値
を量論量という)必要になる。ここで，燃焼炉３１内の
温度を保つための助燃料４５ｂ、４５ｃ(ここではプロ
パン：C₃H₈とする)の燃焼副生成物として放出される水
を考えると，生成される水の量はＣＦ_４を分解するため
に必要な量論量よりも多く生成されることになる(式(1
Ｂ)参照)。したがって，理論上では水を投入しなくとも
完全に分解してしまうことになるが，実際はガスの流れ
や，分解されるガス分子の回りに水分子が十分あるかど
うか，混合状態などにより分解は上手く完了しない。そ
のため，反応を促進させ分解を完全にさせるためには，
水を十分に投入する方が望ましい。排ガス処理装置及び
分解実験で確認した条件は，助燃料４５ｂ、４５ｃの燃
焼副生成水と注入水量の合計から計算すると，量論比
(量論量との比率)で10倍以上(助燃料の燃焼副生成水，
量論比で４程度を含む)あれば分解効率が向上する。す
なわち、弗素化合物であるＰＦＣガス等の分解に添加す
る水または水蒸気の量とは、燃料の燃焼により生成する
水の量と燃焼炉に注入する水または水蒸気の合計量をい
う。

【００２１】この条件で分解実験を実施した結果を図３
に示す。実験は1170℃及び1010℃で水を量論比４と10の
条件で行った。量論比４は水の注入が無い条件で助燃料
の燃焼により生成した水の量を考慮した値である。量論
比10は助燃料の燃焼生成水＋量論比６の水を注入したと
きの実験結果である。実験した２条件の温度雰囲気下で
は水を注入しない量論比４よりも燃焼炉で水を注入した
量論比10の方が分解率が向上することが分かった。さら
に、このように水を注入することによりサーマルＮＯ_Ｘ
の発生が約40ppm程度抑えられ、実験では20ppm（1010℃
の条件）となった。

【００２２】本実施形態では、水の注入する位置を主バ
ーナ２９ａ、２９ｂの出口近傍の高温雰囲気中に直接注
入したが、排ガスが蓄熱器で予熱された直後、あるいは
予熱される前の流路切換機２５の通過前後のいずれかに
水または水蒸気を注入してもよい。注入位置が蓄熱器の
手前、すなわち排ガスが蓄熱器で予熱される前の位置で
あるときは、処理ガスと水の混合が十分になる滞留時間
となるので、燃焼用空気７ｂと水が蓄熱器で予熱、主バ
ーナからの助燃料の燃焼によりＯＨラジカルの形成が促
進されるので、ＰＦＣ等を含む排ガスの分解効率が向上
する。また排ガスの分解対象は、ＰＦＣガスに限らず、
ＮＦ_３やＳＦ_６等の温暖化ガス、その他の弗素化合物の
ガスも含むものとする。

【発明の効果】本発明によれば、半導体製造工程から排
出されるガスに含まれる弗素化合物の分解効率を向上さ
せることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用してなる排ガス処理装置の一実施
形態の構成図である。

【図２】本発明を適用してなる排ガス処理装置の一実施
形態の系統概念図である。

【図３】ＰＦＣガスであるＣＦ_４の水量論比と温度にお
ける分解効率を示した図である。

【符号の説明】

１シラン燃焼炉３排ガス入り口５ブロワ７ａ、７ｂ燃焼用空気９パイロットバーナ１５バグフィルタ２５流路切換機２７ａ、２７ｂ蓄熱器２９ａ、２９ｂ主バーナ３０ａ、３０ｂ冷却管３１燃焼炉３２ＰＦＣ分解炉３３ａ、３３ｂ、３３ｃ水注入口３５助燃バーナ３９吸収塔

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｂ０１Ｄ 53/68 Ｂ０１Ｄ 53/34 １３４Ｃ 53/70 １３４Ｅ (72)発明者熊谷健志広島県呉市宝町６番９号バブコック日立株式会社呉事業所内 (72)発明者野村伸一郎広島県呉市宝町３番36号バブコック日立株式会社呉研究所内 (72)発明者勝田康常広島県呉市宝町３番36号バブコック日立株式会社呉研究所内Ｆターム(参考） 3K023 QA12 SA00 3K070 DA05 DA37 DA39 3K078 AA05 BA20 BA26 CA24 4D002 AA22 AA26 AC07 BA01 BA05 BA12 BA20 5F045 AB32 AC01 AC02 EG07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体製造工程から排出される弗素化合
物及びシランを含むガス中の前記シランを燃焼して生成
するシリカ粉を除去した排ガスを一の蓄熱器で予熱した
後に燃焼し、燃焼後の排ガスで他の蓄熱器を加熱し、前
記一の蓄熱器と前記他の蓄熱器を交互に変える交番燃焼
方式により前記弗素化合物を分解する排ガス処理装置に
おいて、前記シリカ粉を除去した排ガスに前記弗素化合物の分解
に要する量論比より過剰な水または水蒸気を添加するこ
とを特徴とする排ガス処理装置。
【請求項２】請求項１において、量論比で１０倍以上
の前記水または水蒸気を添加することを特徴とする排ガ
ス処理装置。