JP2003124248A - Wire bond jig, manufacturing method of semiconductor and method of wire bonding - Google Patents

Wire bond jig, manufacturing method of semiconductor and method of wire bonding

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JP2003124248A JP2001315759A JP2001315759A JP2003124248A JP 2003124248 A JP2003124248 A JP 2003124248A JP 2001315759 A JP2001315759 A JP 2001315759A JP 2001315759 A JP2001315759 A JP 2001315759A JP 2003124248 A JP2003124248 A JP 2003124248A
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bonding
wire bond
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Yasuteru Miyashita
保輝 宮下
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Sony Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To stabilize wire bond work by fixing a lead frame under a stabilized condition in the manufacturing process of a semiconductor package or a wire bonding process. SOLUTION: A wire bond jig employed in the wire bond work with respect to a semiconductor chip provided on the lead frame is provided with a main body 11 for loading the lead frame, an adsorption area 12, in which a porous substance is arranged on the main body 11, and a vacuum take-out port 13 for adsorption, which is connected to the adsorption area 12 to adsorb the adsorption area 12 by vacuum, while the lead frame is adsorbed and fixed in the adsorption area 12 by vacuum adsorption effected through the vacuum take-out port 13 for adsorption.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造方法等
に関し、より詳しくは、リードフレームを固定する際に
用いられるワイヤボンド治具に改良を加えた半導体製造
方法等に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing method and the like, and more particularly to a semiconductor manufacturing method and the like in which a wire bond jig used for fixing a lead frame is improved.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来より、半導体のリードフレームの上
にチップを乗せて金線を張るワイヤボンド工程の後に樹
脂封止工程によりモールド成型を行い、樹脂封止型半導
体パッケージを製造する半導体製造方法が採用されてい
る。このような半導体製造方法により製造される樹脂封
止型半導体パッケージでは、近年、コストダウンの要求
が強く、ノンリードタイプの樹脂封止パッケージにおい
ても例外ではない。このコストダウンの要求を満たす解
の一つとして、一括モールド成型という手法が検討され
ている。2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor manufacturing method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor package by performing a molding process by a resin encapsulation process after a wire bonding process of placing a chip on a semiconductor lead frame and stretching a gold wire. Has been adopted. In the resin-sealed semiconductor package manufactured by such a semiconductor manufacturing method, cost reduction is strongly demanded in recent years, and the non-lead type resin-sealed package is no exception. As one of the solutions that satisfy the demand for cost reduction, a method called collective molding is being studied.

【０００３】図６(ａ),(ｂ)は、既存金型と一括モール
ド金型との違いを説明するための図であり、図６(ａ)は
既存金型を、図６(ｂ)は一括モールド金型を示してい
る。ここで、図６(ａ)に示す既存金型では、金型押えし
ろ２０１は、１つ１つのチップ２０４の周りを囲み、チ
ップ２０４の周りにあるリード２０３を押えている。一
方、チップ２０４の取り個数を増やす目的で一つ一つの
チップ２０４の間隔を非常に狭くした一括モールド金型
では、図６(ａ)に示すようなチップ２０４ごとに囲む金
型押えしろ２０１を設けることができない。そのため
に、一括モールド金型では、図６(ｂ)に示すように、複
数のチップ２０４をまとめてリードフレーム全体を囲む
ように、金型押えしろ２０２が形成される。FIGS. 6 (a) and 6 (b) are views for explaining the difference between the existing mold and the collective mold, and FIG. 6 (a) shows the existing mold and FIG. 6 (b). Indicates a collective molding die. Here, in the existing die shown in FIG. 6A, the die holding blank 201 surrounds each chip 204 and holds the leads 203 around the chips 204. On the other hand, in a batch molding die in which the intervals between the individual chips 204 are made extremely small for the purpose of increasing the number of chips 204 to be taken, a die holding space 201 surrounding each chip 204 as shown in FIG. Cannot be provided. Therefore, in the collective molding die, as shown in FIG. 6B, a die pressing margin 202 is formed so as to collectively enclose a plurality of chips 204 and surround the entire lead frame.

【０００４】この一括モールド成型に際し、ワイヤボン
ド後の樹脂封止工程で、リードフレームの端子部分に樹
脂が回り込まないようにする必要があることから、通
常、リードフレームの裏面にシートを貼った状態で各工
程の作業が行われる。In this batch molding, it is necessary to prevent the resin from wrapping around the terminal portion of the lead frame in the resin sealing step after wire bonding. Therefore, the sheet is usually attached to the back surface of the lead frame. The work of each process is performed.

【０００５】一方、ワイヤボンド工程においては、ワイ
ヤボンド装置の作業部にワイヤボンド用治具が用いられ
る。図７は、従来から用いられているワイヤボンド治具
２１１を示した図である。図７に示す従来のワイヤボン
ド治具２１１では、図７の上図に示すように、一列に並
んだ複数の吸着孔２１２が設けられており、この吸着孔
２１２の位置は、マトリクス状に配列されるチップの一
列に対応し、各チップの中央に位置するように配置され
ている。この各吸着孔２１２は、図７の下図(図７の上
図に対する断面図)に示すように、貫通した孔となって
いる。On the other hand, in the wire bonding process, a wire bonding jig is used in the working part of the wire bonding apparatus. FIG. 7 is a diagram showing a conventionally used wire bond jig 211. In the conventional wire bond jig 211 shown in FIG. 7, a plurality of adsorption holes 212 arranged in a line are provided as shown in the upper diagram of FIG. 7, and the positions of the adsorption holes 212 are arranged in a matrix. Corresponding to a row of chips to be formed, the chips are arranged so as to be located at the center of each chip. Each of the suction holes 212 is a through hole as shown in the lower diagram of FIG. 7 (a cross-sectional view with respect to the upper diagram of FIG. 7).

【０００６】図８は、ワイヤボンド工程に際して従来の
ワイヤボンド治具２１１にチップ２０４等を固定した状
態を説明するための図である。リードフレーム２０７に
は、ダイパッド２０５とチップ２０４、リード２０３が
設けられる。ワイヤボンド治具２１１の吸着孔２１２の
ある位置にリードフレーム２０７を搬送した後、ワイヤ
ボンド治具２１１の吸着孔２１２から真空吸着が行われ
る。この真空吸着により、リードフレーム２０７の裏面
に貼られたシート２０８を介してダイパッド２０５を中
心に吸着力が働き、リードフレーム２０７を固定した状
態にて、金属ワイヤ２０６の接合がなされる。FIG. 8 is a view for explaining a state in which the chip 204 and the like are fixed to the conventional wire bonding jig 211 in the wire bonding process. The lead frame 207 is provided with the die pad 205, the chip 204, and the leads 203. After the lead frame 207 is transported to the position where the suction holes 212 of the wire bond jig 211 are present, vacuum suction is performed from the suction holes 212 of the wire bond jig 211. Due to this vacuum suction, a suction force acts around the die pad 205 via the sheet 208 attached to the back surface of the lead frame 207, and the metal wire 206 is bonded while the lead frame 207 is fixed.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、シート
２０８を介しているものの、通常、吸着孔２１２はダイ
パッド２０５の下面付近にしか設けられず、金属ワイヤ
２０６におけるリード２０３側の接合に際してリード２
０３の固定が不十分になる。その結果、金属ワイヤ２０
６の接合に使用するツールであるキャピラリがリード２
０３に接触した際、リード２０３がキャピラリの移動方
向にずれてしまい、接合に必要な印加荷重および超音波
が伝わらず、また、リード２０３の変形にもつながる場
合があった。However, although the sheet 208 is interposed, the suction hole 212 is usually provided only near the lower surface of the die pad 205, and the lead 2 is attached to the metal wire 206 on the side of the lead 203.
03 is not fixed enough. As a result, the metal wire 20
Capillary, which is the tool used for joining 6 is lead 2
When the lead 203 was contacted, the lead 203 was displaced in the moving direction of the capillary, the applied load and ultrasonic waves required for joining were not transmitted, and the lead 203 was sometimes deformed.

【０００８】また、ワイヤボンディングを行う際にリー
ド２０３を押えるウィンドクランパが用いられる。この
とき、チップ２０４の間隔が広い場合には一つ一つのチ
ップ２０４を囲むリード２０３をウィンドクランパにて
押えることができるが、チップ間隔が非常に狭い場合に
は、ウィンドクランパをチップ２０４の間に設けること
ができず、リード２０３の固定が不十分となる。Further, a wind clamper for pressing the lead 203 at the time of wire bonding is used. At this time, if the intervals between the chips 204 are wide, the leads 203 surrounding the individual chips 204 can be pressed by the wind clamper. However, if the intervals between the chips are very narrow, the wind clamper is placed between the chips 204. Therefore, the lead 203 cannot be fixed sufficiently.

【０００９】更に、これらの対策として、リード２０３
の下面付近にも吸着孔２１２を設ける案も考えられる
が、リード２０３の太さは約０.２ｍｍ程度しかなく、
吸着孔２１２をその下面付近に設けることは難しい。ま
た更に、仮に下面付近に設けることができたとしても、
リード２０３の数(例えば３１本)毎に設ける必要がある
ことから、ワイヤボンド治具２１１の大幅なコストアッ
プにつながり、コスト低減に相反してしまう。Further, as a countermeasure against these, the lead 203
It is possible to provide a suction hole 212 near the lower surface of the lead 203, but the thickness of the lead 203 is only about 0.2 mm,
It is difficult to provide the suction holes 212 near the lower surface thereof. Furthermore, even if it can be provided near the lower surface,
Since it is necessary to provide each of the leads 203 (for example, 31), the cost of the wire bond jig 211 is significantly increased, which is contrary to the cost reduction.

【００１０】本発明は、以上のような技術的課題を解決
するためになされたものであって、その目的とするとこ
ろは、半導体パッケージの製造工程であるワイヤボンド
工程において、リードフレームを安定した状態にて固定
することにより、ワイヤボンド作業の安定化を図ること
にある。The present invention has been made to solve the above technical problems, and its object is to stabilize a lead frame in a wire bonding process which is a manufacturing process of a semiconductor package. By fixing in this state, it is intended to stabilize the wire bonding work.

【００１１】また、他の目的は、ワイヤボンドに際して
高い接合強度を得るとともに、リード変形を防止するこ
とにある。Another object is to obtain a high bonding strength in wire bonding and prevent lead deformation.

【００１２】[0012]

【課題を解決するための手段】かかる目的のもと、本発
明は、リードフレームに設けられた半導体チップに対す
るワイヤボンド作業に用いられるワイヤボンド治具であ
って、リードフレームを載置する本体と、この本体に対
して多孔物質が配設される吸着領域とを備え、この吸着
領域にてリードフレームを吸着固定することを特徴とし
ている。Based on the above object, the present invention is a wire bond jig used for wire bonding work to a semiconductor chip provided on a lead frame, and a main body on which the lead frame is mounted. And a suction area in which a porous material is arranged with respect to the main body, and the lead frame is suction-fixed in the suction area.

【００１３】ここで、多孔物質に形成される孔の大きさ
は、ワイヤボンドされるリードの幅よりも小さいことを
特徴とすれば、リードを正しい位置にて吸着できる点で
好ましい。また、この吸着領域は、リードフレームに対
してマトリクス状に配置される半導体チップおよびこの
半導体チップと接続されるリードの組の少なくとも一列
を同時に吸着固定することを特徴とすれば、安定したワ
イヤボンド作業を実現できる点で優れている。Here, it is preferable that the size of the holes formed in the porous material is smaller than the width of the leads to be wire-bonded, because the leads can be adsorbed at the correct positions. Further, this adsorption area is characterized by simultaneously adsorbing and fixing at least one row of the semiconductor chips arranged in a matrix with respect to the lead frame and the set of leads connected to this semiconductor chip, and a stable wire bond. It is excellent in that it can accomplish work.

【００１４】更に、吸着領域に連結され、この吸着領域
を真空吸着するための吸着用真空取出し口を更に備えた
ことを特徴とすれば、この吸着用真空取出し口から満遍
なく吸気できる点で好ましい。ここで、この吸着用真空
取出し口は、多孔物質の下部から連結されるように構成
される場合の他、多孔物質の横方向(ワイヤボンド治具
の横方向)から引くように構成することも可能である。
また更に、この吸着領域の表面位置は、本体における表
面のツラ位置と一致またはこのツラ位置よりも若干低く
なるように構成されていることを特徴とすることができ
る。Further, it is preferable that a suction vacuum extraction port for vacuum suctioning the suction region is further provided, which is connected to the suction region so that air can be uniformly sucked from the suction vacuum extraction port. Here, the suction vacuum outlet may be configured to be connected from the lower portion of the porous material, or may be configured to be pulled from the lateral direction of the porous material (lateral direction of the wire bond jig). It is possible.
Still further, the surface position of the suction area can be configured so as to coincide with or slightly lower than the surface position of the main body.

【００１５】他の観点から把えると、本発明が適用され
る半導体製造方法は、ダイシングされた半導体チップを
リードフレーム上にダイボンドする工程と、ダイボンド
された半導体チップに対してワイヤボンドを施す工程
と、ワイヤボンドが施された半導体チップに対してモー
ルドを施す工程とを含み、このワイヤボンドを施す工程
は、多孔物質からなる吸着領域に対してリードフレーム
が吸着固定された状態にてワイヤボンドが施されること
を特徴としている。From another point of view, a semiconductor manufacturing method to which the present invention is applied includes a step of die-bonding a diced semiconductor chip onto a lead frame, and a step of wire-bonding the die-bonded semiconductor chip. And a step of molding the wire-bonded semiconductor chip, the step of wire-bonding the wire-bonding in a state in which the lead frame is adsorbed and fixed to an adsorption region made of a porous material. It is characterized by being applied.

【００１６】ここで、このワイヤボンドを施す工程は、
ワイヤボンド作業が施されるリードフレームが一列ごと
に吸着領域に搬送され、搬送された後に吸着固定される
ことを特徴とすれば、半導体チップを搭載したダイパッ
ドおよびリードを確実に固定し、安定したワイヤボンド
作業を実現することができる。Here, the step of applying the wire bond is as follows.
If the lead frame on which the wire bonding work is performed is transferred to the suction area for each row and is fixed by suction after being transferred, the die pad and the leads on which the semiconductor chips are mounted are securely fixed, and stable. Wire bond work can be realized.

【００１７】更に、本発明が適用されるワイヤボンド方
法は、マトリクス状に並ぶ複数の半導体チップがダイボ
ンドされたリードフレームをこのマトリクス状の一列ご
とに搬送し、ワイヤボンド治具の多孔物質からなる吸着
領域に搬送されたリードフレーム上の半導体チップを吸
着固定し、吸着固定された半導体チップに対してワイヤ
ボンド作業を施し、マトリクス状に並ぶワイヤボンド作
業が施された列の次の一列を吸着領域に搬送することを
特徴としている。Further, in the wire bonding method to which the present invention is applied, the lead frame, to which a plurality of semiconductor chips arranged in a matrix are die-bonded, is conveyed row by row in the matrix and is made of a porous material of a wire bonding jig. The semiconductor chips on the lead frame transported to the suction area are sucked and fixed, and the semiconductor chips that have been sucked and fixed are wire-bonded, and the next row after the row that has been wire-bonded in a matrix is sucked. It is characterized by being transported to the area.

【００１８】ここで、この半導体チップの吸着固定は、
多孔物質の一部に連結された口から真空吸着することを
特徴とすれば、多孔物質の性質を利用して、吸着領域か
らほぼ均等に真空吸着を行い、リードフレームを固定す
ることができる点で好ましい。Here, the adsorption and fixation of this semiconductor chip is performed by
If the vacuum adsorption is performed from the port connected to a part of the porous material, the property of the porous material can be used to perform almost even vacuum adsorption from the adsorption region to fix the lead frame. Is preferred.

【００１９】[0019]

【発明の実施の形態】以下、添付図面に示す実施の形態
に基づいて本発明を詳細に説明する。図１(ａ),(ｂ)
は、本実施の形態が適用されるワイヤボンド治具を説明
するための図である。図１(ａ)は、ワイヤボンド治具１
０を上方向から見た平面図であり、図１(ｂ)は、図１
(ａ)の中央部の断面を示した図である。このワイヤボン
ド治具１０は、半導体パッケージの製造工程であるワイ
ヤボンド工程で使用するワイヤボンダーと呼ばれる装置
の作業部にて、リードフレームの中のダイパッドおよび
リードを固定するのに用いる治具として使用するもので
ある。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described below in detail based on the embodiments shown in the accompanying drawings. 1 (a), (b)
[FIG. 6] is a diagram for explaining a wire bond jig to which the present embodiment is applied. FIG. 1A shows a wire bond jig 1.
0 is a plan view of 0 as viewed from above, and FIG.
It is the figure which showed the cross section of the center part of (a). This wire bond jig 10 is used as a jig used for fixing a die pad and a lead in a lead frame in a working portion of an apparatus called a wire bonder used in a wire bond step which is a semiconductor package manufacturing step. To do.

【００２０】ワイヤボンド設備では、リードフレームの
ダイパッド上に搭載されたチップからリードに金属ワイ
ヤを接続する際、安定した作業と高い接合性を得るため
に、ダイパッドおよびリードを固定する必要がある。そ
こで、本実施の形態では、図１(ａ)に示すように、ワイ
ヤボンド治具１０に対し、多孔物質からなる吸着領域１
２を本体１１に設けるように構成した。また、図１(ｂ)
に示すように、この吸着領域１２から連続する吸着用真
空取出し口１３が本体１１に１箇所、設けられている。In wire bond equipment, when connecting a metal wire from a chip mounted on a die pad of a lead frame to a lead, it is necessary to fix the die pad and the lead in order to obtain stable work and high bondability. Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 1A, the adsorption region 1 made of a porous material is attached to the wire bond jig 10.
2 is provided on the main body 11. Also, FIG. 1 (b)
As shown in (1), one suction vacuum extraction port 13 continuous from the suction region 12 is provided in the main body 11.

【００２１】ここで、吸着領域１２に用いられる多孔物
質は、規則的または不規則に配列された穴(細孔)を有す
る多孔質金属、発泡金属、セラミック、多孔質ガラス等
からなり、この細孔を利用して、吸着用真空取出し口１
３を介して引かれる吸着用真空によりリードフレームが
吸着される。この吸着領域１２に用いられる多孔物質
は、ワイヤボンド治具１０の本体１１に対して接着剤に
よる接着や圧入等によって取り付けられる。但し、ワイ
ヤボンド作業に際して２５０℃程度まで温度が上昇する
場合があることから、ワイヤボンド作業に際して予想さ
れる温度上昇に対応した耐熱性が要求される。Here, the porous material used in the adsorption region 12 is made of a porous metal, a foam metal, a ceramic, a porous glass or the like having holes (pores) arranged regularly or irregularly. Vacuum extraction port for suction using the hole 1
The lead frame is attracted by the attraction vacuum that is pulled through 3. The porous substance used in the adsorption region 12 is attached to the main body 11 of the wire bond jig 10 by adhesion with an adhesive, press fitting, or the like. However, since the temperature may rise up to about 250 ° C. during the wire bonding work, heat resistance corresponding to the temperature rise expected during the wire bonding work is required.

【００２２】また、吸着領域１２は、縦が約４０ｍｍ、
横(幅)が約１０ｍｍ程度であり、例えばワイヤボンド治
具１０の本体１１の厚さが５ｍｍ程度であるとすると厚
さが約２〜２.５ｍｍ程度である。但し、多孔物質の構
造によっては、薄皮１枚程度であっても構わない。横
(幅)の寸法は、順次、搬送されるリードフレームに対し
てマトリクス状に配置された半導体チップの一列、また
は数列を吸引できるように構成すれば、ワイヤボンド作
業を行う際に、実際に作業が行われる箇所に対して、充
分な吸着固定を施すことができる。更に、吸着領域１２
は、ワイヤボンド治具１０の本体１１の表面とそのツラ
位置(表面の高さ)が一致していることが好ましく、ワイ
ヤボンド作業に支障のないレベル(例えば０.３ｍｍ程
度)まで、そのツラ位置よりも若干、低くなるように構
成しても構わない。このように、吸着領域１２が本体１
１のツラ位置から突出しないように構成すれば、リード
フレームの搬送を円滑に行うことが可能となる。The suction area 12 has a length of about 40 mm,
The width (width) is about 10 mm, and for example, if the thickness of the main body 11 of the wire bond jig 10 is about 5 mm, the thickness is about 2 to 2.5 mm. However, depending on the structure of the porous material, only one thin skin may be used. side
If the width (width) dimension is configured to be able to suck one row or several rows of semiconductor chips arranged in a matrix with respect to the lead frame to be sequentially transported, the wire bonding work is actually performed. Sufficient adsorption and fixation can be applied to the place where Further, the suction area 12
It is preferable that the surface of the main body 11 of the wire bond jig 10 and its flag position (the height of the surface) are the same, and the flag can be adjusted to a level that does not hinder the wire bonding work (for example, about 0.3 mm). It may be configured to be slightly lower than the position. In this way, the suction area 12 is
If the lead frame is configured so as not to project from the single hook position, the lead frame can be smoothly transported.

【００２３】図２は、多孔物質によって吸着を行ってい
る様子を示した説明図である。この図２では、多孔物質
によって一度に吸着される一列の中における１つのチッ
プセットが示されている。リードフレーム２０の裏面に
はシート２４が貼られ、また、リードフレーム２０の表
面には、ダイパッド２５、ダイパッド２５の上に設けら
れるチップ２１、リード２３が設けられ、チップ２１と
リード２３とは金属ワイヤ２２にて接続される。FIG. 2 is an explanatory view showing a state in which adsorption is performed by a porous substance. In FIG. 2, one chipset is shown in a row that is adsorbed by the porous material at one time. A sheet 24 is attached to the back surface of the lead frame 20, and a die pad 25, a chip 21 and a lead 23 provided on the die pad 25 are provided on the front surface of the lead frame 20, and the chip 21 and the lead 23 are made of metal. Connected by wires 22.

【００２４】本実施の形態では、このように、ワイヤボ
ンド治具１０に多孔物質を埋設した吸着領域１２を設
け、ダイパッド２５およびリード２３の固定に際して、
この多孔物質からなる吸着領域１２の下部方向に設けた
吸着用真空取出し口１３から吸着用真空を引くように構
成した。これにより、ダイパッド２５の下面およびリー
ド２３の下面に限らず、リードフレーム２０全体に貼ら
れたシート２４全体を吸着し、高い吸着力を得ることが
できる。尚、多孔物質の表面に露出させる孔は、リード
２３の幅よりも小さくし、孔数は、リード２３の大きさ
やデザインによって適宜変更することが望ましい。適切
な孔の大きさ、孔数を選定することで、満遍なくリード
２３やチップ２１を吸着することが可能となる。In this embodiment, the wire bonding jig 10 is thus provided with the adsorption region 12 in which the porous material is embedded, and when the die pad 25 and the lead 23 are fixed,
A suction vacuum is drawn from a suction vacuum outlet 13 provided in the lower part of the suction region 12 made of this porous material. As a result, not only the lower surface of the die pad 25 and the lower surface of the lead 23 but also the entire sheet 24 attached to the entire lead frame 20 can be adsorbed and a high adsorption force can be obtained. The holes exposed on the surface of the porous material are preferably smaller than the width of the lead 23, and the number of holes is preferably changed depending on the size and design of the lead 23. By selecting an appropriate size and number of holes, the leads 23 and the chips 21 can be evenly sucked.

【００２５】図３(ａ),(ｂ)は、本実施の形態が適用さ
れるワイヤボンド治具１０の他の例を示した図である。
図３(ａ)は、ワイヤボンド治具１０を上方向から見た平
面図であり、図３(ｂ)は、図３(ａ)の中央部の断面を示
した図である。図１(ａ),(ｂ)では、吸着用真空取出し
口１３を多孔物質からなる吸着領域１２の下部方向に設
け、下部方向から真空吸引をするように構成したが、こ
こでは、図３(ｂ)に示すように、吸着領域１２の横方向
に吸着用真空取出し口１４を設け、ワイヤボンド治具１
０の横方向から吸着用真空を引くように構成されてい
る。尚、吸着用真空を引く方向は、これらに限らず、ワ
イヤボンド治具１０の縦方向を含めて作業に際して最も
良好な位置とすることができる。3 (a) and 3 (b) are views showing another example of the wire bond jig 10 to which this embodiment is applied.
FIG. 3A is a plan view of the wire bond jig 10 seen from above, and FIG. 3B is a view showing a cross section of the central portion of FIG. 3A. In FIGS. 1 (a) and 1 (b), the vacuum suction port 13 for adsorption is provided in the lower direction of the adsorption region 12 made of a porous material, and vacuum suction is performed from the lower direction. As shown in b), the suction vacuum outlet 14 is provided in the lateral direction of the suction area 12, and the wire bonding jig 1
The suction vacuum is drawn from the lateral direction of 0. Note that the suction vacuum is not limited to these directions, but may be the most favorable position for the work, including the vertical direction of the wire bond jig 10.

【００２６】次に、本実施の形態が適用される一括モー
ルドラインによる半導体チップの製造方法について説明
する。図４は、一括モールドラインによる半導体チップ
の製造方法を説明するための図である。まず、高密度化
されたリードフレーム２０を準備し(ステップ１０１)、
リードフレーム２０の裏面にシート２４をテープ貼付け
する(ステップ１０２)。一方、チップ２１をダイシング
した(ステップ１０３)後に、このチップ２１をリードフ
レーム２０上にダイボンドする(ステップ１０４)。Next, a method of manufacturing a semiconductor chip by a collective molding line to which this embodiment is applied will be described. FIG. 4 is a diagram for explaining a method of manufacturing a semiconductor chip by a collective molding line. First, the lead frame 20 having a high density is prepared (step 101),
The sheet 24 is attached to the back surface of the lead frame 20 by tape (step 102). On the other hand, after dicing the chip 21 (step 103), the chip 21 is die-bonded onto the lead frame 20 (step 104).

【００２７】次に、本実施の形態における特徴的な構成
であるワイヤボンド治具１０を用いたワイヤボンド工程
に移行し、ワイヤボンド治具１０によりリードフレーム
２０が吸着用真空により固定され、リード２３とチップ
２１が金属ワイヤ２２により接続される(ステップ１０
５)。その後、図６(ｂ)に示すような一括モールド金型
によりモールド成型が行われる(ステップ１０６)。そし
て、テープ剥離によりシート２４がリードフレーム２０
から剥がされる(ステップ１０７)。Next, the process proceeds to a wire bonding process using the wire bonding jig 10 which is a characteristic configuration of the present embodiment, and the lead frame 20 is fixed by the vacuum for suction by the wire bonding jig 10, 23 and the chip 21 are connected by a metal wire 22 (step 10
5). After that, molding is performed by a collective molding die as shown in FIG. 6B (step 106). Then, by peeling the tape, the sheet 24 becomes the lead frame 20.
It is peeled off (step 107).

【００２８】次に、パッケージの表面に製品名や社名を
マーキングするマーキング工程に移行し(ステップ１０
８)、端子部分についてのはんだメッキを行う外装メッ
キが行われる(ステップ１０９)。その後、一体成型され
ているウェハをダイシング用のシートに貼り付けるマウ
ント工程を経て(ステップ１１０)、パッケージのダイシ
ングが行われる(ステップ１１１)。そして、ダイシング
された半導体チップを測定等のためにトレイに乗せるピ
ックアップ工程を経て(ステップ１１２)、最終測定が行
われ(ステップ１１３)、一連の製造工程が終了する。Next, the process moves to a marking process for marking the product name or company name on the surface of the package (step 10
8), exterior plating is performed to perform solder plating on the terminal portion (step 109). After that, a mounting process of attaching the integrally molded wafer to a dicing sheet (step 110) and dicing of the package are performed (step 111). Then, after a pickup process of placing the diced semiconductor chips on a tray for measurement or the like (step 112), final measurement is performed (step 113), and a series of manufacturing processes is completed.

【００２９】図５(ａ)〜(ｄ)は、図４のステップ１０５
であるワイヤボンド作業を説明するための図である。ワ
イヤボンド作業では、図５(ａ)に示すように、まず、リ
ードフレーム２０を多数枚収める収納ケースであるロー
ダ部のマガジン４１から、前述したワイヤボンド治具１
０に対し、リードフレーム２０が順次、供給される。ま
た、ワイヤボンド治具１０のワイヤボンド作業エリアで
ある吸着領域１２には、筒状で構成されるヘッドを用い
て金属ワイヤ２２を張るためのボンディングヘッド４２
が設けられている。FIGS. 5A to 5D show step 105 in FIG.
It is a figure for demonstrating the wire bond work which is. In the wire bonding work, as shown in FIG. 5A, first, from the magazine 41 of the loader section, which is a storage case for storing a large number of lead frames 20, the wire bond jig 1
For 0, the lead frames 20 are sequentially supplied. Further, in the suction area 12 which is the wire bonding work area of the wire bonding jig 10, a bonding head 42 for tensioning the metal wire 22 by using a cylindrical head.
Is provided.

【００３０】次に、図５(ｂ)に示すように、ワイヤボン
ド作業が実行されるチップ２１の列が多孔物質からなる
吸着領域１２に搬送され、リードフレーム２０は、シー
ト２４を介して真空にて吸着固定される。この吸着領域
１２にて吸着固定された部分(１列)について、ボンディ
ングヘッド４２によりワイヤボンド作業が行われる。Next, as shown in FIG. 5B, the row of chips 21 on which the wire bonding operation is performed is transferred to the adsorption region 12 made of a porous material, and the lead frame 20 is vacuumed via the sheet 24. It is fixed by adsorption. The wire bonding work is performed by the bonding head 42 on the portion (one row) that is suction-fixed in the suction area 12.

【００３１】その後、１列分のワイヤボンド作業が完了
した後、リードフレーム２０を吸着している真空が解除
される。そして、図５(ｃ)に示すように、次の列が作業
エリアである吸着領域１２に到達されるべく、リードフ
レーム２０が１ピッチ送られる。１ピッチ送られた後
に、リードフレーム２０が真空にて吸着固定され、次の
列に対してワイヤボンド作業が実行される。After the wire bonding work for one row is completed, the vacuum holding the lead frame 20 is released. Then, as shown in FIG. 5C, the lead frame 20 is fed by one pitch so that the next row reaches the suction area 12 which is the work area. After being sent one pitch, the lead frame 20 is vacuum-sucked and fixed, and the wire bonding operation is performed on the next row.

【００３２】これらの処理が順次、実行され、１フレー
ム分のワイヤボンド作業が行われる。この作業が終了す
ると、図５(ｄ)に示すように、作業が完了したリードフ
レーム２０がアンローダのマガジン４３に収納される。These processes are sequentially executed, and the wire bonding work for one frame is performed. When this work is completed, as shown in FIG. 5D, the lead frame 20 on which the work is completed is stored in the magazine 43 of the unloader.

【００３３】このように、本実施の形態が適用されるワ
イヤボンド治具１０では、ワイヤボンド治具１０に埋設
された多孔物質からなる吸着領域１２を設け、多孔物質
の性質を利用して吸着するように構成した。このワイヤ
ボンド治具１０を用いてワイヤボンド作業を実行するこ
とにより、リードフレーム２０に設けられるダイパッド
２５部分だけでなく、シート２４を介してダイパッド２
５およびリード２３全体を満遍なく確実に吸着固定する
ことができる。また、ダイパッド２５およびリード２３
を確実に固定することにより、ワイヤボンド作業の安定
化と高い接合強度が得られる。更には、確実に吸着固定
することで、リード２３の変形を防止することができ
る。As described above, in the wire bond jig 10 to which the present embodiment is applied, the adsorption region 12 made of the porous material embedded in the wire bond jig 10 is provided, and the property of the porous material is used for adsorption. Configured to do so. By performing a wire bonding operation using this wire bonding jig 10, not only the die pad 25 portion provided on the lead frame 20 but also the die pad 2 through the sheet 24.
5 and the entire lead 23 can be evenly and securely sucked and fixed. In addition, the die pad 25 and the leads 23
By securely fixing, the wire bonding work can be stabilized and high bonding strength can be obtained. Further, the lead 23 can be prevented from being deformed by securely sucking and fixing.

【００３４】[0034]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
安定したワイヤボンド作業と高い接合性を得ることがで
きる。As described above, according to the present invention,
It is possible to obtain stable wire bonding work and high bondability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】 (ａ),(ｂ)は、本実施の形態が適用されるワ
イヤボンド治具を説明するための図である。1A and 1B are views for explaining a wire bond jig to which the present embodiment is applied.

【図２】 多孔物質によって吸着を行っている様子を示
した説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a state in which adsorption is performed by a porous substance.

【図３】 (ａ),(ｂ)は、本実施の形態が適用されるワ
イヤボンド治具の他の例を示した図である。3A and 3B are diagrams showing another example of the wire bond jig to which the present embodiment is applied.

【図４】 一括モールドラインによる半導体チップの製
造方法を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a method of manufacturing a semiconductor chip by a collective molding line.

【図５】 (ａ)〜(ｄ)は、図４のステップ１０５である
ワイヤボンド作業を説明するための図である。5 (a) to (d) are views for explaining the wire bonding operation which is step 105 in FIG.

【図６】 (ａ),(ｂ)は、既存金型と一括モールド金型
との違いを説明するための図である。6 (a) and 6 (b) are views for explaining the difference between the existing mold and the collective mold.

【図７】 従来用いられるワイヤボンド治具を示した図
である。FIG. 7 is a view showing a conventionally used wire bond jig.

【図８】 ワイヤボンド工程に際して従来のワイヤボン
ド治具にチップ等を固定した状態を説明するための図で
ある。FIG. 8 is a diagram for explaining a state in which a chip or the like is fixed to a conventional wire bonding jig during a wire bonding process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０…ワイヤボンド治具、１１…本体、１２…吸着領
域、１３…吸着用真空取出し口、１４…吸着用真空取出
し口、２０…リードフレーム、２１…チップ、２２…金
属ワイヤ、２３…リード、２４…シート、２５…ダイパ
ッド、４１…ローダ部のマガジン、４２…ボンディング
ヘッド、４３…アンローダのマガジン10 ... Wire bond jig, 11 ... Main body, 12 ... Adsorption region, 13 ... Adsorption vacuum extraction port, 14 ... Adsorption vacuum extraction port, 20 ... Lead frame, 21 ... Chip, 22 ... Metal wire, 23 ... Lead, 24 ... Sheet, 25 ... Die pad, 41 ... Loader magazine, 42 ... Bonding head, 43 ... Unloader magazine

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 リードフレームに設けられた半導体チッ
プに対するワイヤボンド作業に用いられるワイヤボンド
治具であって、 前記リードフレームを載置する本体と、 前記本体に対して多孔物質が配設される吸着領域とを備
え、 前記吸着領域にて前記リードフレームを吸着固定するこ
とを特徴とするワイヤボンド治具。1. A wire bonding jig used for wire bonding work to a semiconductor chip provided on a lead frame, wherein a main body on which the lead frame is mounted and a porous substance are arranged on the main body. A wire bond jig, comprising: a suction area, wherein the lead frame is suction-fixed in the suction area. 【請求項２】 前記多孔物質に形成される孔の大きさ
は、ワイヤボンドされるリードの幅よりも小さいことを
特徴とする請求項１記載のワイヤボンド治具。2. The wire bonding jig according to claim 1, wherein the size of the holes formed in the porous material is smaller than the width of the leads to be wire bonded. 【請求項３】 前記吸着領域は、前記リードフレームに
対してマトリクス状に配置される前記半導体チップおよ
び当該半導体チップと接続されるリードの組の少なくと
も一列を同時に吸着固定することを特徴とする請求項１
記載のワイヤボンド治具。3. The suction area simultaneously sucks and fixes at least one row of the semiconductor chips arranged in a matrix with respect to the lead frame and a set of leads connected to the semiconductor chip. Item 1
The described wire bond jig. 【請求項４】 前記吸着領域に連結され、当該吸着領域
を真空吸着するための吸着用真空取出し口を更に備えた
ことを特徴とする請求項１記載のワイヤボンド治具。4. The wire bond jig according to claim 1, further comprising a vacuum suction port for suction, which is connected to the suction region and vacuum-sucks the suction region. 【請求項５】 前記吸着領域の表面位置は、前記本体に
おける表面のツラ位置と一致または当該ツラ位置よりも
若干低くなるように構成されていることを特徴とする請
求項１記載のワイヤボンド治具。5. The wire bond curer according to claim 1, wherein the surface position of the suction area is configured to coincide with or slightly lower than the surface position of the main body. Ingredient 【請求項６】 ダイシングされた半導体チップをリード
フレーム上にダイボンドする工程と、 ダイボンドされた前記半導体チップに対してワイヤボン
ドを施す工程と、 ワイヤボンドが施された前記半導体チップに対してモー
ルドを施す工程とを含み、 前記ワイヤボンドを施す工程は、多孔物質からなる吸着
領域に対して前記リードフレームが吸着固定された状態
にてワイヤボンドが施されることを特徴とする半導体製
造方法。6. A step of die-bonding a diced semiconductor chip on a lead frame, a step of wire-bonding the die-bonded semiconductor chip, and a molding of the wire-bonded semiconductor chip. And a wire bonding step in which the wire bonding is performed in a state in which the lead frame is suction-fixed to a suction region made of a porous material. 【請求項７】 前記ワイヤボンドを施す工程は、ワイヤ
ボンド作業が施される前記リードフレームが一列ごとに
前記吸着領域に搬送され、搬送された後に吸着固定され
ることを特徴とする請求項６記載の半導体製造方法。7. The step of applying the wire bond is characterized in that the lead frames to which the wire bond operation is applied are conveyed to the adsorption area in rows, and after the conveyance, the lead frame is adsorbed and fixed. A method for manufacturing a semiconductor according to claim 1. 【請求項８】 マトリクス状に並ぶ複数の半導体チップ
がダイボンドされたリードフレームを当該マトリクス状
の一列ごとに搬送し、 ワイヤボンド治具の多孔物質からなる吸着領域に搬送さ
れたリードフレーム上の半導体チップを吸着固定し、 吸着固定された前記半導体チップに対してワイヤボンド
作業を施し、 前記マトリクス状に並ぶ前記ワイヤボンド作業が施され
た列の次の一列を前記吸着領域に搬送することを特徴と
するワイヤボンド方法。8. A semiconductor on a lead frame transferred to an adsorption area made of a porous material of a wire bond jig, by transporting a lead frame die-bonded with a plurality of semiconductor chips arranged in a matrix for each row of the matrix. The chip is suction-fixed, the wire-bonding operation is performed on the semiconductor chip that is suction-fixed, and the next row after the row in which the wire-bonding operation is performed arranged in the matrix is conveyed to the suction area. And wire bonding method. 【請求項９】 前記半導体チップの吸着固定は、前記多
孔物質の一部に連結された口から真空吸着することを特
徴とする請求項８記載のワイヤボンド方法。9. The wire bonding method according to claim 8, wherein the semiconductor chip is adsorbed and fixed by vacuum adsorption through a port connected to a part of the porous material.
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