JP2003124130A - 真空成膜装置 - Google Patents
真空成膜装置Info
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- JP2003124130A JP2003124130A JP2001317810A JP2001317810A JP2003124130A JP 2003124130 A JP2003124130 A JP 2003124130A JP 2001317810 A JP2001317810 A JP 2001317810A JP 2001317810 A JP2001317810 A JP 2001317810A JP 2003124130 A JP2003124130 A JP 2003124130A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ガスを半導体基板に均一に流すことによって、
半導体基板に均一な膜厚を作り、また、ガスの排気もス
ム−ズに行なえるようにした真空槽を提供する。 【解決手段】側面に排気ポート２を有し、内部に上下動
可能な半導体基板保持部３を設ける。半導体基板保持部
３の下部には、円盤状の底板６２と、底板６２の円周上
に設けた立上がり部６３とからなる皿状体６１を固着
し、皿状体６１の下方に半導体基体４を装着した真空槽
６０とする。皿状体６１の底板６２に、半導体基板保持
部３近傍でその中心に対して点対称の位置にスリット状
の通気孔６４を形成する。
半導体基板に均一な膜厚を作り、また、ガスの排気もス
ム−ズに行なえるようにした真空槽を提供する。 【解決手段】側面に排気ポート２を有し、内部に上下動
可能な半導体基板保持部３を設ける。半導体基板保持部
３の下部には、円盤状の底板６２と、底板６２の円周上
に設けた立上がり部６３とからなる皿状体６１を固着
し、皿状体６１の下方に半導体基体４を装着した真空槽
６０とする。皿状体６１の底板６２に、半導体基板保持
部３近傍でその中心に対して点対称の位置にスリット状
の通気孔６４を形成する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、ＩＣ製造の前工程
である、ウエハ−にガスを供給して成膜形成工程に用い
る真空成膜装置に関するもので、反応種のすみやかな排
気と膜厚が均一となるようにしたものである。
である、ウエハ−にガスを供給して成膜形成工程に用い
る真空成膜装置に関するもので、反応種のすみやかな排
気と膜厚が均一となるようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスでは、ＣＶＤ（Chem
ical Vapor Deposition）やイオン注入あるいはエッチ
ングなどの種々の真空処理が行なわれることにより半導
体デバイスが形成されている。このような真空処理を行
なうにあたって、図３のような真空成膜装置を用いてい
る。図３において、真空槽１内の半導体基板４は、上下
動可能な半導体基板保持部３の下面に装着された皿状体
６によって支持されている。また、真空槽１の下方には
半導体基板４に流すガスのガス供給部７が、また、側面
には真空槽１内部を真空排気するための排気ポ−ト２が
設けられ、排気ポ−ト２は真空ポンプ（図示せず）に通
じている。
ical Vapor Deposition）やイオン注入あるいはエッチ
ングなどの種々の真空処理が行なわれることにより半導
体デバイスが形成されている。このような真空処理を行
なうにあたって、図３のような真空成膜装置を用いてい
る。図３において、真空槽１内の半導体基板４は、上下
動可能な半導体基板保持部３の下面に装着された皿状体
６によって支持されている。また、真空槽１の下方には
半導体基板４に流すガスのガス供給部７が、また、側面
には真空槽１内部を真空排気するための排気ポ−ト２が
設けられ、排気ポ−ト２は真空ポンプ（図示せず）に通
じている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来装
置は、ガス供給部７から導入されたガスは、例えば、プ
ラズマＣＶＤ（Plasma Chemical Vapor Deposition）装
置のプラズマ放電により半導体基板４に成膜するもので
あるが、ガスの流れにムラが生ずるために半導体基板４
に均一に流れず、そのために、半導体基板４に均一な膜
厚を作り難く、また、排気もスム−ズに行なえないとい
う不具合があった。
置は、ガス供給部７から導入されたガスは、例えば、プ
ラズマＣＶＤ（Plasma Chemical Vapor Deposition）装
置のプラズマ放電により半導体基板４に成膜するもので
あるが、ガスの流れにムラが生ずるために半導体基板４
に均一に流れず、そのために、半導体基板４に均一な膜
厚を作り難く、また、排気もスム−ズに行なえないとい
う不具合があった。
【０００４】そこで、本発明は、上記不具合を解決する
ために下記の手段を講じた。請求項１記載の真空成膜装
置は、側面に排気ポート２を有し、内部に半導体基板保
持部３を設け、該半導体基板保持部３の下部には、底板
６２と該底板６２の周上に設けた立上がり部６３とから
なる皿状体６１を設け、該皿状体６１の下方に半導体基
板４を装着可能とした真空槽６０において、前記皿状体
６１の底板６２に通気孔６４を設けたことを特徴とす
る。請求項２記載の真空成膜装置は、上記手段におい
て、半導体基板保持部３近傍で半導体基板保持部３の中
心に対して点対称の位置に前記通気孔６４を形成したこ
とを特徴とする。請求項３記載の真空成膜装置は、側面
に排気ポート２を有し、内部に半導体基板保持部３を設
け、該半導体基板保持部３の下部には、第１底板８２と
該第１底板８２の周上に設けた第１立上がり部８３と、
該第１立上がり部８３の周上に設けた第２立上がり部８
３とからなる皿状体８１を設け、該皿状体８１の下方に
半導体基板４を装着可能とした真空槽８０において、第
１底板８２には第１通気孔８６を、また、第１立上がり
部８３には第２通気孔８７を形成したことを特徴とす
る。請求項４記載の真空成膜装置は、上記請求項３記載
の手段において、第１通気孔８６と第２通気孔８７とを
形成するに当り、半導体基板保持部３近傍で半導体基板
保持部３の中心に対して点対称の位置に形成したことを
特徴とする。請求項５記載の真空成膜装置は、請求項３
記載の手段において、第１立上がり部８３を複数本の柱
状体とし、該各柱状体間を第２通気孔８７としたことを
特徴とする。
ために下記の手段を講じた。請求項１記載の真空成膜装
置は、側面に排気ポート２を有し、内部に半導体基板保
持部３を設け、該半導体基板保持部３の下部には、底板
６２と該底板６２の周上に設けた立上がり部６３とから
なる皿状体６１を設け、該皿状体６１の下方に半導体基
板４を装着可能とした真空槽６０において、前記皿状体
６１の底板６２に通気孔６４を設けたことを特徴とす
る。請求項２記載の真空成膜装置は、上記手段におい
て、半導体基板保持部３近傍で半導体基板保持部３の中
心に対して点対称の位置に前記通気孔６４を形成したこ
とを特徴とする。請求項３記載の真空成膜装置は、側面
に排気ポート２を有し、内部に半導体基板保持部３を設
け、該半導体基板保持部３の下部には、第１底板８２と
該第１底板８２の周上に設けた第１立上がり部８３と、
該第１立上がり部８３の周上に設けた第２立上がり部８
３とからなる皿状体８１を設け、該皿状体８１の下方に
半導体基板４を装着可能とした真空槽８０において、第
１底板８２には第１通気孔８６を、また、第１立上がり
部８３には第２通気孔８７を形成したことを特徴とす
る。請求項４記載の真空成膜装置は、上記請求項３記載
の手段において、第１通気孔８６と第２通気孔８７とを
形成するに当り、半導体基板保持部３近傍で半導体基板
保持部３の中心に対して点対称の位置に形成したことを
特徴とする。請求項５記載の真空成膜装置は、請求項３
記載の手段において、第１立上がり部８３を複数本の柱
状体とし、該各柱状体間を第２通気孔８７としたことを
特徴とする。
【０００５】
【実施例１】以下、本発明の実施例１を図１に基づいて
説明する。前記従来例と同じ部材は同じ符号を使用す
る。真空成膜装置の真空槽１は、その側面に排気ポート
２が設けられ、更に、内部に半導体基板４を保持する基
板保持部３が上下移動可能に設けられている。基板保持
部３の下部には、本発明の皿状体６１が装着されてい
る。前記皿状体６１は、円盤状の底板６２と、底板６２
の円周に設けた立上がり部６３とからなり、底板６２に
は通気孔６４が、半導体基板保持部３近傍で半導体基板
保持部３の中心に対して点対称の位置にスリット状の通
気孔６４が形成される。また、真空槽１の内壁と立上が
り部６３とのギャップ（隙間）により形成される排気コ
ンダクタンスは、通気孔６４に比べ十分小さく設計され
る。
説明する。前記従来例と同じ部材は同じ符号を使用す
る。真空成膜装置の真空槽１は、その側面に排気ポート
２が設けられ、更に、内部に半導体基板４を保持する基
板保持部３が上下移動可能に設けられている。基板保持
部３の下部には、本発明の皿状体６１が装着されてい
る。前記皿状体６１は、円盤状の底板６２と、底板６２
の円周に設けた立上がり部６３とからなり、底板６２に
は通気孔６４が、半導体基板保持部３近傍で半導体基板
保持部３の中心に対して点対称の位置にスリット状の通
気孔６４が形成される。また、真空槽１の内壁と立上が
り部６３とのギャップ（隙間）により形成される排気コ
ンダクタンスは、通気孔６４に比べ十分小さく設計され
る。
【０００６】上記構成において、真空槽１内に半導体基
板４が導入され、基板保持部３に支持されると、真空槽
１の皿状体６１の底板６２には通気孔６４を設けてある
ので、ガス供給部７からのガスは、半導基板４の全体を
包みこむように均一に流れて真空槽１から排出される。
その結果、半導体基板４には、均一な膜が形成される。
板４が導入され、基板保持部３に支持されると、真空槽
１の皿状体６１の底板６２には通気孔６４を設けてある
ので、ガス供給部７からのガスは、半導基板４の全体を
包みこむように均一に流れて真空槽１から排出される。
その結果、半導体基板４には、均一な膜が形成される。
【０００７】
【実施例２】次に、実施例２を図２に基づいて説明す
る。前記第１実施例とは、基板保持部３に装着されてい
る皿状体８１が相違するのみなので、この皿状体８１に
ついて説明する。図２において、皿状体８１は、第１底
板８２と、該第１底板８２の円周上に設けられた第１立
上がり部８３と、該第１立上がり部８３に連結された第
２底板８４とからなる。そして、第１通気孔８６と第２
通気孔８７とを形成するに当り、半導体基板保持部３近
傍で半導体基板保持部３の中心に対して点対称の位置に
形成したことを特徴とする。更に具体的には、第１立上
がり部８３を柱状体とし、該柱状体間を第２通気孔８７
とした。また、第１底板８２には、半導体基板保持部３
近傍で半導体基板保持部３の中心に同芯状に第１通気孔
８６がスリット状に形成される。
る。前記第１実施例とは、基板保持部３に装着されてい
る皿状体８１が相違するのみなので、この皿状体８１に
ついて説明する。図２において、皿状体８１は、第１底
板８２と、該第１底板８２の円周上に設けられた第１立
上がり部８３と、該第１立上がり部８３に連結された第
２底板８４とからなる。そして、第１通気孔８６と第２
通気孔８７とを形成するに当り、半導体基板保持部３近
傍で半導体基板保持部３の中心に対して点対称の位置に
形成したことを特徴とする。更に具体的には、第１立上
がり部８３を柱状体とし、該柱状体間を第２通気孔８７
とした。また、第１底板８２には、半導体基板保持部３
近傍で半導体基板保持部３の中心に同芯状に第１通気孔
８６がスリット状に形成される。
【０００８】このような構成おいて、ガス供給部７から
のガスは、第１通気孔８６、第２通気孔８7 を介して半
導体基板保持部３に供給されるので、なお一層均一に流
れ、半導体基板４には均一な膜が形成される。
のガスは、第１通気孔８６、第２通気孔８7 を介して半
導体基板保持部３に供給されるので、なお一層均一に流
れ、半導体基板４には均一な膜が形成される。
【０００９】各実施例では、ガス供給部７は、プラズマ
ＣＶＤ（Plasma Chemical Vapor Deposition）装置のガ
ス供給部としたが、熱ＣＶＤ装置及びＭＢＥ装置におけ
る成膜用のガス供給部としてもよい。更に、ガス供給部
７は、前記プラズマＣＶＤの一方の電極として、或いは
スパッタ装置においては、マグネトロンスパッタソ−ス
としてもよい。なお、上記実施例１，２において、半導
体基板４を保持する基板保持部３が上下移動可能に設け
られている例を示したが、本発明は、基板保持部３が固
定式のものであってもよい。また、上記特許請求の範囲
の項では、実施例との対応関係を明瞭にするために図面
符号を付したが、本発明はこれに限定されるものではな
い。
ＣＶＤ（Plasma Chemical Vapor Deposition）装置のガ
ス供給部としたが、熱ＣＶＤ装置及びＭＢＥ装置におけ
る成膜用のガス供給部としてもよい。更に、ガス供給部
７は、前記プラズマＣＶＤの一方の電極として、或いは
スパッタ装置においては、マグネトロンスパッタソ−ス
としてもよい。なお、上記実施例１，２において、半導
体基板４を保持する基板保持部３が上下移動可能に設け
られている例を示したが、本発明は、基板保持部３が固
定式のものであってもよい。また、上記特許請求の範囲
の項では、実施例との対応関係を明瞭にするために図面
符号を付したが、本発明はこれに限定されるものではな
い。
【００１０】
【発明の効果】以上実施例から明らかなように本発明
は、皿状体の底板に通気孔を設けるという簡単な構成
で、ガス供給部からのガスは、半導基板の全体を包みこ
むように流れ、半導体基板に均一に成膜を形成する。更
に、皿状体を、第１底板と、該第１底板の円周上に設け
られた第１立上がり部と、該第１立上がり部に連結され
た第２底板と、第２底板の円周上に設けられた第２立上
がり部とし、そして、第１底板に第１通気孔を、第１立
上がり部に第二通気孔を設けたので、なお一層半導体基
板４に均一な成膜が形成される。更に、ガスのすみやか
な排気ができる。
は、皿状体の底板に通気孔を設けるという簡単な構成
で、ガス供給部からのガスは、半導基板の全体を包みこ
むように流れ、半導体基板に均一に成膜を形成する。更
に、皿状体を、第１底板と、該第１底板の円周上に設け
られた第１立上がり部と、該第１立上がり部に連結され
た第２底板と、第２底板の円周上に設けられた第２立上
がり部とし、そして、第１底板に第１通気孔を、第１立
上がり部に第二通気孔を設けたので、なお一層半導体基
板４に均一な成膜が形成される。更に、ガスのすみやか
な排気ができる。
【図１】本発明の実施例１の真空槽６０の縦断面図
（Ａ）及び図１のＡ−Ａ線矢視図（Ｂ）。
（Ａ）及び図１のＡ−Ａ線矢視図（Ｂ）。
【図２】本発明の実施例２の真空槽８０の縦断面図及び
図１のＢ−Ｂ線矢視図（Ｂ）。
図１のＢ−Ｂ線矢視図（Ｂ）。
【図３】従来例を示す真空槽の縦断面図。
１・・・真空槽（従来例） ２・・・排気ポート
３・・・半導体基板保持部 ４・・・半導体基板 ６
・・・皿状体 ７・・・ガス供給部 ６０・・真空槽（実施例１） ６１・・皿状体 ６２・・底板 ６３・・
立上がり部 ６４・・通気孔 ８０・・真空槽（実施例２） ８１・・皿状体 ８２・・第１底板 ８３・・
第１立上がり部 ８４・・第２底板 ８５・・第２立上がり部 ８６・・第１通気孔 ８７・・第２通気孔
・・・皿状体 ７・・・ガス供給部 ６０・・真空槽（実施例１） ６１・・皿状体 ６２・・底板 ６３・・
立上がり部 ６４・・通気孔 ８０・・真空槽（実施例２） ８１・・皿状体 ８２・・第１底板 ８３・・
第１立上がり部 ８４・・第２底板 ８５・・第２立上がり部 ８６・・第１通気孔 ８７・・第２通気孔
Claims (5)
- 【請求項１】 側面に排気ポート２を有し、内部に半導
体基板保持部３を設け、該半導体基板保持部３の下部に
は、底板６２と該底板６２の周上に設けた立上がり部６
３とからなる皿状体６１を設け、該皿状体６１の下方に
半導体基板４を装着可能とした真空槽６０において、前
記皿状体６１の底板６２に通気孔６４を設けたことを特
徴とする真空成膜装置。 - 【請求項２】 半導体基板保持部３近傍で半導体基板保
持部３の中心に対して点対称の位置に前記通気孔６４を
形成したことを特徴とする請求項１記載の真空成膜装
置。 - 【請求項３】 側面に排気ポート２を有し、内部に半導
体基板保持部３を設け、該半導体基板保持部３の下部に
は、第１底板８２と該第１底板８２の周上に設けた第１
立上がり部８３と、該第１立上がり部８３の周上に設け
た第２立上がり部８３とからなる皿状体８１を設け、該
皿状体８１の下方に半導体基板４を装着可能とした真空
槽８０において、第１底板８２には第１通気孔８６を、
また、第１立上がり部８３には第２通気孔８７を形成し
たことを特徴とする真空成膜装置。 - 【請求項４】 第１通気孔８６と第２通気孔８７とを形
成するに当り、半導体基板保持部３近傍で半導体基板保
持部３の中心に対して点対称の位置に形成したことを特
徴とする請求項３記載の真空成膜装置。 - 【請求項５】 第１立上がり部８３を複数本の柱状体と
し、該各柱状体間を第２通気孔８７としたことを特徴と
する請求項３記載の真空成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001317810A JP3779905B2 (ja) | 2001-10-16 | 2001-10-16 | 真空成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001317810A JP3779905B2 (ja) | 2001-10-16 | 2001-10-16 | 真空成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124130A true JP2003124130A (ja) | 2003-04-25 |
| JP3779905B2 JP3779905B2 (ja) | 2006-05-31 |
Family
ID=19135621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001317810A Expired - Fee Related JP3779905B2 (ja) | 2001-10-16 | 2001-10-16 | 真空成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3779905B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04311572A (ja) * | 1991-04-10 | 1992-11-04 | Tokyo Electron Ltd | 成膜処理装置 |
| JPH04350170A (ja) * | 1991-05-27 | 1992-12-04 | Tel Varian Ltd | 成膜処理装置 |
| JPH088239A (ja) * | 1995-06-21 | 1996-01-12 | Kokusai Electric Co Ltd | ウェーハ処理装置 |
| JPH08107072A (ja) * | 1994-10-04 | 1996-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
-
2001
- 2001-10-16 JP JP2001317810A patent/JP3779905B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04311572A (ja) * | 1991-04-10 | 1992-11-04 | Tokyo Electron Ltd | 成膜処理装置 |
| JPH04350170A (ja) * | 1991-05-27 | 1992-12-04 | Tel Varian Ltd | 成膜処理装置 |
| JPH08107072A (ja) * | 1994-10-04 | 1996-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
| JPH088239A (ja) * | 1995-06-21 | 1996-01-12 | Kokusai Electric Co Ltd | ウェーハ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3779905B2 (ja) | 2006-05-31 |
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