JP2003115380A - Manufacturing method of organic electroluminescence equipment, electronic device - Google Patents
Manufacturing method of organic electroluminescence equipment, electronic deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」と略称する。）装置
の製造方法および電子機器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an organic electroluminescence (hereinafter abbreviated as "organic EL") device and an electronic device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】有機ＥＬ素子を画素に対応させて備える
有機ＥＬ表示体は、高輝度で自発光であること、直流低
電圧駆動が可能であること、応答性が高速であること、
固体有機膜による発光であることから、表示性能に優れ
ているとともに、薄型化、軽量化、低消費電力化が可能
であるため、将来的に液晶表示体に代わるものとして期
待されている。2. Description of the Related Art An organic EL display body provided with organic EL elements corresponding to pixels is self-luminous with high brightness, can be driven at a DC low voltage, and has a high responsiveness.
Since it emits light from a solid organic film, it has excellent display performance, and can be made thinner, lighter, and consume less power, and is therefore expected to replace liquid crystal displays in the future.
【０００３】特に、駆動方式がアクティブマトリックス
方式であるアクティブマトリックス型有機ＥＬ表示体
は、画素毎にトランジスタと容量を備えているため、高
輝度での高精細化が可能であり、多階調化や表示体の大
型化に対応できる。このトランジスタとしては、透明で
大面積の基板上に有機ＥＬ表示体を形成するために、ガ
ラス基板に形成可能な低温多結晶シリコン膜を活性層と
する薄膜トランジスタを使用することが、従来より提案
されている。In particular, an active matrix type organic EL display whose driving method is an active matrix method is provided with a transistor and a capacitor for each pixel, so that it is possible to realize high definition with high brightness and to realize multiple gradations. It is also possible to cope with the large size of the display. As this transistor, it has been conventionally proposed to use a thin film transistor whose active layer is a low temperature polycrystalline silicon film that can be formed on a glass substrate in order to form an organic EL display on a transparent and large area substrate. ing.
【０００４】多結晶シリコン薄膜を活性層とする薄膜ト
ランジスタを備えた有機ＥＬ表示体において、薄膜トラ
ンジスタと有機ＥＬ素子は以下のようにして製造され
る。先ず、図４（ａ）〜（ｄ）の工程によって、ガラス
基板１上に薄膜トランジスタを形成する。この薄膜トラ
ンジスタ製造工程としては、先ず、ガラス基板１上に、
ＳｉＨ4を用いたＰＥＣＶＤ法やＳｉ2 Ｈ6 を用いたＬ
ＰＣＶＤ法により、アモルファスシリコンを成膜する。
次に、エキシマレーザー等によるレーザー照射法または
固相成長法によって、このアモルファスシリコンを再結
晶化させて、多結晶シリコン膜１２とする。図４（ａ）
はこの状態を示す。次に、この多結晶シリコン膜１２を
パターニングした後、ゲート絶縁膜１３を成膜し、さら
にその上に成膜およびパターニングによってゲート電極
１４を形成する。図４（ｂ）はこの状態を示す。In an organic EL display body provided with a thin film transistor having a polycrystalline silicon thin film as an active layer, the thin film transistor and the organic EL element are manufactured as follows. First, a thin film transistor is formed on the glass substrate 1 by the steps of FIGS. In this thin film transistor manufacturing process, first, on the glass substrate 1,
PECVD method using SiH 4 and L using Si 2 H 6
Amorphous silicon is formed by the PCVD method.
Next, the amorphous silicon is recrystallized by a laser irradiation method using an excimer laser or the like or a solid phase growth method to form a polycrystalline silicon film 12. Figure 4 (a)
Indicates this state. Next, after patterning the polycrystalline silicon film 12, a gate insulating film 13 is formed, and a gate electrode 14 is formed on the gate insulating film 13 by film formation and patterning. FIG. 4B shows this state.
【０００５】次に、リンやボロンなどの不純物を、ゲー
ト電極１４を用いて自己整合的に多結晶シリコン膜１２
に打ち込む。これにより、ゲート電極１４の両側にソー
ス・ドレイン領域１５を形成し、ＣＭＯＳＦＥＴを形成
する。次に、第１層間絶縁膜１６を成膜し、この絶縁膜
にコンタクトホールを開けた後、ソース・ドレイン電極
１７を成膜およびパターニングによって形成する。図４
（ｃ）はこの状態を示す。次に、第２層間絶縁膜１８を
成膜し、この絶縁膜にコンタクトホールを開けた後、Ｉ
ＴＯ電極（画素用電極）１９を成膜およびパターニング
によって形成する。図４（ｄ）はこの状態を示す。Next, impurities such as phosphorus and boron are self-aligned using the gate electrode 14 to form the polycrystalline silicon film 12.
Drive into. As a result, the source / drain regions 15 are formed on both sides of the gate electrode 14 to form the CMOSFET. Next, a first interlayer insulating film 16 is formed, contact holes are opened in this insulating film, and then source / drain electrodes 17 are formed by film formation and patterning. Figure 4
(C) shows this state. Next, a second interlayer insulating film 18 is formed, a contact hole is opened in this insulating film, and then I
The TO electrode (pixel electrode) 19 is formed by film formation and patterning. FIG. 4D shows this state.
【０００６】次に、図５（ａ）に示すように、第２層間
絶縁膜１８の上に密着層２１を成膜して、ＩＴＯ電極
（画素用電極）１９の上の画素領域に開口部を形成す
る。次に、この密着層２１の上に層間層２２を成膜し
て、密着層２１の開口部の上に開口部を形成する。次
に、酸素プラズマやＣＦ4 プラズマ等を用いたプラズマ
処理を行うことにより、ＩＴＯ電極（画素用電極）１９
上の開口部の表面の濡れ性を良好にする。その後、この
開口部内に有機ＥＬ素子を構成する正孔注入層２３と発
光層２４を形成する。これらの層は、スピンコート法、
スキージ塗り法、インクジェット法等の液相プロセス、
またはスパッタリング法や蒸着法等の真空プロセスによ
って形成される。Next, as shown in FIG. 5A, an adhesion layer 21 is formed on the second interlayer insulating film 18, and an opening is formed in the pixel region on the ITO electrode (pixel electrode) 19. To form. Next, the interlayer layer 22 is formed on the adhesion layer 21, and an opening is formed on the opening of the adhesion layer 21. Next, a plasma treatment using oxygen plasma, CF 4 plasma, or the like is performed to obtain an ITO electrode (pixel electrode) 19
Improves the wettability of the surface of the upper opening. After that, the hole injection layer 23 and the light emitting layer 24 which form the organic EL element are formed in the opening. These layers are spin coated,
Liquid phase process such as squeegee coating method, inkjet method,
Alternatively, it is formed by a vacuum process such as a sputtering method or an evaporation method.
【０００７】次に、図５（ｂ）に示すように、発光層２
４の上に陰極２５をなす金属薄膜を形成した後、合成樹
脂層２６およびガラス板６で封止する。すなわち、陰極
２５の上に例えばエポキシ樹脂系の熱硬化型接着剤を塗
布し、この接着剤層の上にガラス板６を載せて硬化させ
る。このように、アクティブマトリックス型有機ＥＬ表
示体を作製する際には、ガラス基板１上に半導体素子層
４および有機ＥＬ素子層５を形成している。通常の有機
ＥＬ表示体では、半導体素子層４と有機ＥＬ素子層５と
の合計厚さは１μｍ程度であり、ガラス基板１としては
厚さ１ｍｍ程度のものを使用している。Next, as shown in FIG. 5B, the light emitting layer 2
After forming a metal thin film which forms the cathode 25 on the surface 4, the synthetic resin layer 26 and the glass plate 6 are sealed. That is, for example, an epoxy resin type thermosetting adhesive is applied on the cathode 25, and the glass plate 6 is placed on the adhesive layer and cured. As described above, when the active matrix type organic EL display body is manufactured, the semiconductor element layer 4 and the organic EL element layer 5 are formed on the glass substrate 1. In a normal organic EL display body, the total thickness of the semiconductor element layer 4 and the organic EL element layer 5 is about 1 μm, and the glass substrate 1 having a thickness of about 1 mm is used.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】従来より、有機ＥＬ装
置には厚さを薄くしたいという要求がある。上述の方法
で作製される有機ＥＬ装置の厚さを薄くするためには、
ガラス基板を薄くすることが有効であるが、この方法で
ガラス基板を薄くすることには限界がある。また、透明
なガラス基板上に透明電極を形成し、有機発光層からの
発光をガラス基板側から観察する有機ＥＬ装置では、ガ
ラス基板と空気との界面での反射に伴って大きな光損失
が生じるため、これを小さくする工夫が必要となる。Conventionally, there is a demand for reducing the thickness of organic EL devices. In order to reduce the thickness of the organic EL device manufactured by the above method,
Although thinning the glass substrate is effective, there is a limit to thinning the glass substrate by this method. Further, in an organic EL device in which a transparent electrode is formed on a transparent glass substrate and light emission from the organic light emitting layer is observed from the glass substrate side, a large light loss occurs due to reflection at the interface between the glass substrate and air. Therefore, it is necessary to take measures to reduce this.
【０００９】本発明は、有機ＥＬ素子を構成する積層体
を基板上に形成する工程を有する有機ＥＬ装置の製造方
法において、この方法で得られる有機ＥＬ装置の厚さを
薄くすることおよび光損失を低減することを課題とす
る。The present invention is a method for manufacturing an organic EL device having a step of forming a laminated body constituting an organic EL element on a substrate, in which the thickness of the organic EL device obtained by this method is reduced and the light loss is reduced. The challenge is to reduce
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、陽極層と陰極層と両電極層間の有機発光
層とを少なくとも有する積層体を、光が照射されること
で剥離作用を発揮する材料からなる剥離層を介して、基
板上に形成した後に、前記剥離層に光を照射して前記積
層体を基板から剥離することを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法を提供する。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention peels a laminate having at least an anode layer, a cathode layer, and an organic light-emitting layer between both electrode layers by irradiation with light. A method for manufacturing an organic electroluminescent device, which comprises peeling the laminate from the substrate by irradiating the peeling layer with light after forming on a substrate through a peeling layer made of a material exhibiting an action. provide.
【００１１】本発明の方法によれば、有機ＥＬ素子を構
成する積層体を基板上に形成した後に、この積層体から
基板を容易に剥離することができる。この方法におい
て、剥離層をなす材料としては、水素を含有する非晶質
シリコンを用い、照射光の光源としては、高効率で高出
力の紫外線光源であるエキシマレーザを用いることが好
ましい。水素の含有率は２原子％以上２０原子％以下で
あることが好ましい。According to the method of the present invention, after the laminated body constituting the organic EL element is formed on the substrate, the substrate can be easily peeled from the laminated body. In this method, it is preferable that amorphous silicon containing hydrogen is used as the material forming the release layer, and an excimer laser which is a highly efficient and high-output ultraviolet light source is used as the light source of the irradiation light. The hydrogen content is preferably 2 at% or more and 20 at% or less.
【００１２】エキシマレーザとしては、Ａｒ2 （発振波
長１２６ｎｍ）、Ｋｒ2 （発振波長１４７ｎｍ）、Ｘｅ
2 （発振波長１７２ｎｍ）等の希ガスエキシマレーザ
や、ＡｒＦ（発振波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦ（発振波長
２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌ（発振波長３０８ｎｍ）等の希
ガスハイドライドエキシマレーザが挙げられる。本発明
の方法では、これらのうちＸｅＣｌエキシマレーザを用
いることが好ましい。The excimer laser includes Ar 2 (oscillation wavelength 126 nm), Kr 2 (oscillation wavelength 147 nm), Xe.
2 (oscillation wavelength 172 nm) and rare gas excimer lasers such as ArF (oscillation wavelength 193 nm), KrF (oscillation wavelength 248 nm), and XeCl (oscillation wavelength 308 nm). Of these, the XeCl excimer laser is preferably used in the method of the present invention.
【００１３】水素を含有する非晶質シリコンからなる剥
離層にエキシマレーザ等の高効率で高出力の光が照射さ
れると、この剥離層から水素が放出されて剥離層内の圧
力が高くなる。したがって、この剥離層にエキシマレー
ザ等の光を照射することにより、剥離層の層内、剥離層
と基板との界面、および剥離層と積層体との界面の少な
くとも何れかの位置で、積層体が基板から剥離される。When the exfoliation layer made of amorphous silicon containing hydrogen is irradiated with light of high efficiency and high output such as excimer laser, hydrogen is released from the exfoliation layer and the pressure in the exfoliation layer increases. . Therefore, by irradiating the release layer with light such as an excimer laser, the laminate is formed at least at any position within the release layer, at the interface between the release layer and the substrate, and at the interface between the release layer and the laminate. Are separated from the substrate.
【００１４】積層体の前記照射光透過率が低い場合に
は、この照射光（剥離用の照射光）を透過させる材料か
らなる基板を用い、この基板側から剥離のための光照射
を行うことが好ましい。本発明の方法は、前記積層体
を、基板が剥離される面の側で発光を観察するように構
成した場合に、好適に適用される。When the above-mentioned irradiation light transmittance of the laminate is low, a substrate made of a material that transmits this irradiation light (irradiation light for peeling) is used, and light irradiation for peeling is performed from this substrate side. Is preferred. The method of the present invention is preferably applied when the laminate is configured to observe light emission on the side of the surface from which the substrate is peeled off.
【００１５】本発明の方法は、前記積層体が、両電極層
よりも基板側に、有機エレクトロルミネッセンス素子を
駆動する半導体素子層を有する場合、例えば、有機ＥＬ
装置としてアクティブマトリックス型有機ＥＬ表示体を
製造する場合、にも適用できる。この場合には、積層
体を基板から剥離した後に、この積層体の剥離面に半導
体素子層を保護する薄膜を形成すること、あるいは基
板上の剥離層の直上に絶縁性薄膜を形成し、この絶縁性
薄膜上に前記半導体素子層を形成することが好ましい。
また、この絶縁性薄膜は、基板の剥離後に半導体素子層
を保護する薄膜となるが、半導体素子層を含む前記積層
体の形成時には、半導体素子層の下地層あるいは金属配
線の絶縁層としても作用する。In the method of the present invention, when the laminate has a semiconductor element layer for driving an organic electroluminescence element on the substrate side of both electrode layers, for example, an organic EL element is used.
It can also be applied to the case of manufacturing an active matrix type organic EL display device as a device. In this case, after peeling the laminate from the substrate, a thin film for protecting the semiconductor element layer may be formed on the peel surface of the laminate, or an insulating thin film may be formed directly on the peel layer on the substrate. It is preferable to form the semiconductor element layer on the insulating thin film.
Further, this insulating thin film serves as a thin film that protects the semiconductor element layer after the substrate is peeled off, but also acts as a base layer of the semiconductor element layer or an insulating layer of metal wiring when forming the laminate including the semiconductor element layer. To do.
【００１６】本発明はまた、本発明の方法で製造された
有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた電子機器を
提供する。The present invention also provides an electronic device equipped with the organic electroluminescence device manufactured by the method of the present invention.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図１〜３を用いて本発明の一実施形態に相当
する方法を説明する。この実施形態の方法では、先ず、
図１（ａ）に示すように、ガラス基板１上に、剥離層
２、ＳｉＯ2 膜（絶縁性薄膜）３、半導体素子層４、お
よび有機ＥＬ素子層５を順次形成した後、有機ＥＬ素子
層５上に接着剤によりガラス板６を固定する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below. A method corresponding to one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the method of this embodiment, first,
As shown in FIG. 1A, after a peeling layer 2, a SiO 2 film (insulating thin film) 3, a semiconductor element layer 4, and an organic EL element layer 5 are sequentially formed on a glass substrate 1, an organic EL element is formed. The glass plate 6 is fixed on the layer 5 with an adhesive.
【００１８】剥離層２としては、水素を８原子％含有す
る非晶質シリコン膜を、低圧ＣＶＤ法により厚さ１２０
ｎｍで形成した。このシリコン膜は、Ｓｉ2 Ｈ6 ガスを
原料ガスとして用い、雰囲気温度４２５℃の条件で形成
した。ＳｉＯ2 膜３は、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共
鳴）−ＣＶＤ法により、ＳｉＨ4 とＯ2 の混合ガスを原
料ガスとして用い、雰囲気温度１００℃の条件で、厚さ
２００ｎｍに形成した。As the peeling layer 2, an amorphous silicon film containing 8 atomic% of hydrogen is formed to a thickness of 120 by a low pressure CVD method.
nm. This silicon film was formed under the conditions of an atmospheric temperature of 425 ° C. using Si 2 H 6 gas as a source gas. The SiO 2 film 3 was formed to a thickness of 200 nm by ECR (electron cyclotron resonance) -CVD method using a mixed gas of SiH 4 and O 2 as a source gas at an ambient temperature of 100 ° C.
【００１９】半導体素子層４および有機ＥＬ素子層５の
形成と、有機ＥＬ素子層５上への接着剤によるガラス板
６の固定は、従来技術で説明した図４および図５に示す
方法で行った。すなわち、この実施形態の方法で作製す
る有機ＥＬ装置はアクティブマトリックス型有機ＥＬ表
示体であり、先ず、半導体素子層４として、従来技術で
説明した図４（ａ）〜（ｃ）に示す各工程で、各画素に
対応する薄膜トランジスタを形成した。ただし、従来技
術の図４（ａ）の工程では、ガラス基板１上に直接、多
結晶シリコン膜１２を形成しているが、この実施形態の
方法では、図２に示すように、剥離層２およびＳｉＯ2
膜３がこの順に形成された状態のガラス基板１上に、多
結晶シリコン膜１２を形成した。The formation of the semiconductor element layer 4 and the organic EL element layer 5 and the fixing of the glass plate 6 on the organic EL element layer 5 with an adhesive are carried out by the method shown in FIGS. It was That is, the organic EL device manufactured by the method of this embodiment is an active matrix type organic EL display, and first, as the semiconductor element layer 4, each step shown in FIGS. Then, a thin film transistor corresponding to each pixel was formed. However, although the polycrystalline silicon film 12 is directly formed on the glass substrate 1 in the step of FIG. 4A of the conventional technique, in the method of this embodiment, as shown in FIG. And SiO 2
A polycrystalline silicon film 12 was formed on the glass substrate 1 in which the film 3 was formed in this order.
【００２０】次に、有機ＥＬ素子層５として、従来技術
で説明した図４（ｄ）および図５（ａ），（ｂ）に示す
各工程で、各画素に対応する有機ＥＬ素子を形成した
後、ガラス板６の固定を行った。その結果、図３に示す
状態となった。次に、図１（ａ）に示すように、この状
態で、ガラス基板１の下方に配置したＸｅＣｌエキシマ
レーザ発振装置から、ガラス基板１の全面に向けてＸｅ
Ｃｌエキシマレーザ７を照射した。照射条件は、エネル
ギー密度１６０ｍＪ／ｃｍ2 、照射時間２０ｎｓｅｃと
した。これにより、剥離層２から水素が放出されて剥離
層２内の圧力が高くなり、剥離層２が破壊されてガラス
基板１がＳｉＯ2 膜３から容易に剥離される。図１
（ｂ）はこの状態を示す。Next, as the organic EL element layer 5, an organic EL element corresponding to each pixel was formed in each step shown in FIG. 4 (d) and FIGS. 5 (a) and 5 (b) described in the prior art. After that, the glass plate 6 was fixed. As a result, the state shown in FIG. 3 was obtained. Next, as shown in FIG. 1A, in this state, XeCl excimer laser oscillating device arranged below the glass substrate 1 moves Xe toward the entire surface of the glass substrate 1.
Irradiation with Cl excimer laser 7 was performed. The irradiation conditions were energy density of 160 mJ / cm 2 and irradiation time of 20 nsec. As a result, hydrogen is released from the peeling layer 2 to increase the pressure in the peeling layer 2, the peeling layer 2 is broken, and the glass substrate 1 is easily peeled from the SiO 2 film 3. Figure 1
(B) shows this state.
【００２１】以上のように、この実施形態の方法では、
半導体素子層４および有機ＥＬ素子層５により積層体Ｓ
を構成し（すなわち、有機ＥＬ素子層５を少なくとも有
する積層体Ｓは、両電極層１９，２５よりもガラス基板
１側に半導体素子層４を有し）、剥離層２の直上にＳｉ
Ｏ2 膜（絶縁性薄膜）３を形成し、このＳｉＯ2 膜３の
上に半導体素子層４を形成している。そして、ガラス基
板１をＳｉＯ2 膜３から剥離することによって、基板が
無く、剥離面がＳｉＯ2 膜（絶縁性薄膜）３で保護され
た有機ＥＬ表示体が得られる。As described above, in the method of this embodiment,
The laminate S including the semiconductor element layer 4 and the organic EL element layer 5
(That is, the laminated body S having at least the organic EL element layer 5 has the semiconductor element layer 4 on the glass substrate 1 side with respect to both electrode layers 19 and 25), and Si is provided directly on the peeling layer 2.
An O 2 film (insulating thin film) 3 is formed, and a semiconductor element layer 4 is formed on the SiO 2 film 3. Then, by peeling the glass substrate 1 from the SiO 2 film 3, there is no substrate, and an organic EL display body having a peeled surface protected by the SiO 2 film (insulating thin film) 3 is obtained.
【００２２】したがって、この実施形態の方法によれ
ば、有機ＥＬ装置の厚さを薄くできるとともに、ガラス
基板と空気との界面での反射に伴う光損失が無くなる分
だけ光損失が低減される。その結果、厚さが薄く、しか
も発光効率の高い有機ＥＬ装置が得られる。また、半導
体素子層４がＳｉＯ2 膜３で保護されているため、半導
体素子層４が劣化し難い。Therefore, according to the method of this embodiment, the thickness of the organic EL device can be reduced, and the light loss due to the reflection at the interface between the glass substrate and the air can be reduced. As a result, an organic EL device having a small thickness and high luminous efficiency can be obtained. Further, since the semiconductor element layer 4 is protected by the SiO 2 film 3, the semiconductor element layer 4 is unlikely to deteriorate.
【００２３】なお、ＳｉＯ2 （酸化硅素）膜３の代わり
に、水分や酸素の遮断性能がより高いＳｉ3 Ｎ4 （窒化
硅素）膜、酸化硅素膜と窒化硅素膜との積層膜、酸窒化
硅素膜等を設けることによって、半導体素子層４の劣化
防止効果をより高くすることができる。また、この実施
形態では、剥離層２の直上にＳｉＯ2 膜（絶縁性薄膜）
３を形成し、その上に積層体Ｓを形成しているが、剥離
層２の直上に積層体Ｓを形成し、ガラス基板１を剥離し
た後に、この積層体Ｓの剥離面に絶縁性薄膜等を形成す
ることによって半導体素子層４を保護してもよい。Instead of the SiO 2 (silicon oxide) film 3, a Si 3 N 4 (silicon nitride) film having a higher moisture and oxygen barrier performance, a laminated film of a silicon oxide film and a silicon nitride film, and an oxynitride film. By providing a silicon film or the like, the effect of preventing deterioration of the semiconductor element layer 4 can be further enhanced. In addition, in this embodiment, a SiO 2 film (insulating thin film) is provided directly on the peeling layer 2.
3 is formed and the laminated body S is formed thereon. After the laminated body S is formed immediately above the peeling layer 2 and the glass substrate 1 is peeled off, an insulating thin film is formed on the peeled surface of the laminated body S. The semiconductor element layer 4 may be protected by forming the above.
【００２４】さらに、本発明の有機ＥＬパネルは、例え
ば、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、
ディジタルスチルカメラ等の各種電子機器に適用するこ
とができる。図６は、モバイル型のパーソナルコンピュ
ータの構成を示す斜視図である。図６において、パーソ
ナルコンピュータ１００は、キーボード１０２を備えた
本体部１０４と、本発明の有機ＥＬ装置からなる表示ユ
ニット１０６とから構成されている。Further, the organic EL panel of the present invention is, for example, a mobile personal computer, a mobile phone,
It can be applied to various electronic devices such as a digital still camera. FIG. 6 is a perspective view showing the configuration of a mobile personal computer. In FIG. 6, the personal computer 100 includes a main body 104 having a keyboard 102, and a display unit 106 including the organic EL device of the present invention.
【００２５】図７は、携帯電話の斜視図である。図７に
おいて、携帯電話２００は、複数の操作ボタン２０２の
他、受話口２０４、送話口２０６と共に、本発明の有機
ＥＬ装置からなる表示パネル２０８を備えている。図８
は、ディジタルスチルカメラ３００の構成を示す斜視図
である。なお、外部機器との接続についても簡易的に示
している。通常のカメラは、被写体の光像によってフィ
ルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ３０
０は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge coupled device)
等の撮像素子により光電変換して撮像信号を生成するも
のである。FIG. 7 is a perspective view of a mobile phone. In FIG. 7, the mobile phone 200 includes a plurality of operation buttons 202, an earpiece 204, a mouthpiece 206, and a display panel 208 including the organic EL device of the present invention. Figure 8
FIG. 3 is a perspective view showing a configuration of a digital still camera 300. Note that the connection with external devices is also shown in a simplified manner. While a normal camera exposes a film by an optical image of a subject, a digital still camera 30
0 is a CCD (Charge coupled device) for the optical image of the subject
The image pickup device, such as the above, performs photoelectric conversion to generate an image pickup signal.
【００２６】ここで、ディジタルスチルカメラ３００に
おけるケース３０２の背面には、本発明の有機ＥＬ装置
からなる表示パネル３０４が設けられ、ＣＣＤによる撮
像信号に基づいて、表示を行う構成となっている。この
ため、表示パネル３０４は、被写体を表示するファイダ
として機能する。また、３０２の観察側（図においては
裏面側）には、光学レンズやＣＣＤ等を含んだ受光ユニ
ット３０６が設けられている。Here, on the back surface of the case 302 of the digital still camera 300, a display panel 304 composed of the organic EL device of the present invention is provided, and display is made based on the image pickup signal from the CCD. Therefore, the display panel 304 functions as a finder that displays the subject. A light receiving unit 306 including an optical lens and a CCD is provided on the observation side of 302 (on the back side in the figure).
【００２７】ここで、撮影者が表示パネル３０４に表示
された被写体像を確認して、シャッタボタン３０８を押
下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路
基板３１０のメモリに転送されて格納される。また、こ
のディジタルスチルカメラ３００にあっては、ケース３
０２の側面にビデオ信号出力端子３１２と、データ通信
用の入出力端子３１４とが設けられている。Here, when the photographer confirms the subject image displayed on the display panel 304 and presses the shutter button 308, the image pickup signal of the CCD at that time is transferred to and stored in the memory of the circuit board 310. It In addition, in this digital still camera 300, the case 3
A video signal output terminal 312 and an input / output terminal 314 for data communication are provided on the side surface of 02.
【００２８】そして、図示されているように、ビデオ信
号出力端子３１２にはテレビモニタ４３０が、データ通
信用の入出力端子３１４にはパーソナルコンピュータ４
４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所
定の操作によって、回路基板３１０のメモリに格納され
た撮像信号が、テレビモニタ４３０やパーソナルコンピ
ュータ４４０に出力される構成となっている。As shown in the drawing, the television monitor 430 is connected to the video signal output terminal 312, and the personal computer 4 is connected to the input / output terminal 314 for data communication.
40 are connected as needed. Furthermore, the image pickup signal stored in the memory of the circuit board 310 is output to the television monitor 430 or the personal computer 440 by a predetermined operation.
【００２９】なお、本発明の有機ＥＬ装置を表示部等と
して適用できる電子機器としては、図６のパーソナルコ
ンピュータ、図７の携帯電話、および図８のディジタル
スチルカメラの他にも、テレビ、ビューファインダ型ま
たはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲ
ーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロ
セッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端
末、およびタッチパネルを備えた機器等を挙げることが
できる。As an electronic apparatus to which the organic EL device of the present invention can be applied as a display unit or the like, in addition to the personal computer shown in FIG. 6, the mobile phone shown in FIG. 7, and the digital still camera shown in FIG. Examples thereof include a finder type or monitor direct view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, a calculator, a word processor, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a device equipped with a touch panel.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
れば、有機ＥＬ素子を構成する積層体を基板上に形成し
た後に、この積層体から基板を容易に剥離することがで
きる。本発明の方法により基板の無い有機ＥＬ装置が得
られることで、有機ＥＬ装置の厚さを薄くできる。As described above, according to the method of the present invention, after the laminated body constituting the organic EL element is formed on the substrate, the substrate can be easily peeled from the laminated body. Since the organic EL device having no substrate is obtained by the method of the present invention, the thickness of the organic EL device can be reduced.
【００３１】これに加えて、請求項４のように、積層体
を、基板が剥離される面の側で発光を観察するように構
成した場合には、ガラス基板と空気との界面での反射に
伴う光損失が無くなる分だけ光損失が低減される。その
結果、厚さが薄く、しかも発光効率の高い有機ＥＬ装置
が得られる。また、請求項６および７の方法によれば、
剥離面に存在する半導体素子層が保護された状態で、基
板の無い有機ＥＬ装置が得られるため、半導体素子層を
劣化し難くすることができる。In addition to this, when the laminated body is configured to observe light emission on the side of the surface from which the substrate is peeled off as in claim 4, reflection at the interface between the glass substrate and air The light loss is reduced to the extent that the light loss associated with is eliminated. As a result, an organic EL device having a small thickness and high luminous efficiency can be obtained. Further, according to the methods of claims 6 and 7,
Since the organic EL device without the substrate can be obtained in a state where the semiconductor element layer existing on the peeled surface is protected, the semiconductor element layer can be less likely to deteriorate.
【図１】本発明の一実施形態に相当する方法を説明する
図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a method corresponding to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施形態に相当する方法を説明する
図であって、図４（ａ）の工程に対応する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a method corresponding to one embodiment of the present invention, and a diagram corresponding to the step of FIG. 4 (a).
【図３】本発明の一実施形態に相当する方法を説明する
図であって、図５（ｂ）の工程に対応する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a method corresponding to an embodiment of the present invention, and a diagram corresponding to the step of FIG. 5B.
【図４】従来のアクティブマトリックス型有機ＥＬ表示
体の製造方法において、低温多結晶シリコン薄膜を活性
層とする薄膜トランジスタの形成方法を説明する図であ
る。FIG. 4 is a diagram illustrating a method of forming a thin film transistor using a low-temperature polycrystalline silicon thin film as an active layer in a conventional method of manufacturing an active matrix type organic EL display body.
【図５】従来のアクティブマトリックス型有機ＥＬ表示
体の製造方法において、有機ＥＬ素子の形成方法を説明
する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a method of forming an organic EL element in a conventional method of manufacturing an active matrix type organic EL display body.
【図６】本発明の有機ＥＬパネルを適用した電子機器の
一例に相当するパーソナルコンピュータの構成を示す斜
視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a configuration of a personal computer corresponding to an example of an electronic device to which the organic EL panel of the present invention is applied.
【図７】本発明の有機ＥＬパネルを適用した電子機器の
一例に相当する携帯電話の構成を示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone corresponding to an example of an electronic device to which the organic EL panel of the present invention is applied.
【図８】本発明の有機ＥＬパネルを適用した電子機器の
一例に相当するディジタルスチルカメラの背面側の構成
を示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing the configuration on the back side of a digital still camera corresponding to an example of an electronic device to which the organic EL panel of the present invention is applied.
Ｓ 積層体 １ 基板 ２ 剥離層 ３ ＳｉＯ2 膜（絶縁性薄膜） ４ 半導体素子層 ５ 有機ＥＬ素子層 ６ 封止用のガラス板 ７ エキシマレーザ光 １２ 多結晶シリコン膜 １３ 絶縁膜 １４ ゲート電極 １５ ソース・ドレイン領域 １６ 第１層間絶縁膜 １７ ソース・ドレイン電極 １８ 第２層間絶縁膜 １９ ＩＴＯ電極（画素用電極） ２１ 密着層 ２２ 層間層 ２３ 正孔注入層 ２４ 発光層 ２５ 陰極 ２６ 封止用の合成樹脂層 １００ パーソナルコンピュータ １０２ キーボード １０４本体部 １０６ 表示ユニット ２００ 携帯電話 ２０２ 操作ボタン ２０４ 受話口 ２０６ 送話口 ２０８ 表示パネル ３００ ディジタルスチルカメラ ３０２ ケース ３０４ 表示パネル ３０８ シャッタボタン ３１０ 回路基板 ３１２ ビデオ信号出力端子 ３１４ データ通信用の入出力端子 ４３０ テレビモニタ ４４０ パーソナルコンピュータS laminated body 1 substrate 2 peeling layer 3 SiO 2 film (insulating thin film) 4 semiconductor element layer 5 organic EL element layer 6 glass plate 7 for encapsulation excimer laser light 12 polycrystalline silicon film 13 insulating film 14 gate electrode 15 source -Drain region 16 First interlayer insulating film 17 Source / drain electrode 18 Second interlayer insulating film 19 ITO electrode (pixel electrode) 21 Adhesion layer 22 Interlayer layer 23 Hole injection layer 24 Light emitting layer 25 Cathode 26 Synthesis for sealing Resin layer 100 Personal computer 102 Keyboard 104 Main body 106 Display unit 200 Mobile phone 202 Operating button 204 Earpiece 206 Mouthpiece 208 Display panel 300 Digital still camera 302 Case 304 Display panel 308 Shutter button 310 Circuit board 312 Video signal output terminal 314 I / O terminal 430 for data communication Bimonita 440 personal computer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２７Ｚ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｆターム(参考） 3K007 AB03 CA00 DB03 FA00 5C094 AA10 AA15 AA43 BA03 BA27 CA19 DA13 EB10 FA02 FB01 FB02 FB14 FB20 GB10 5F110 AA16 BB01 BB04 CC02 DD13 DD14 DD15 DD17 DD30 GG02 GG13 GG45 GG47 HJ01 HJ13 PP01 PP03 QQ11 5G435 AA03 AA17 AA18 BB05 CC09 HH01 KK05 KK10 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H01L 29/786 H01L 29/78 627Z H05B 33/14 F term (reference) 3K007 AB03 CA00 DB03 FA00 5C094 AA10 AA15 AA43 BA03 BA27 CA19 DA13 EB10 FA02 FB01 FB02 FB14 FB20 GB10 5F110 AA16 BB01 BB04 CC02 DD13 DD14 DD15 DD17 DD30 GG02 GG13 GG45 GG47 HJ01 HJ13 PP01 PP03 QQ11 5G435 AA03 AA17 AA18 BB05 CC05 HKK01 KK01 HH01
Claims (8)
層とを少なくとも有する積層体を、光が照射されること
で剥離作用を発揮する材料からなる剥離層を介して、基
板上に形成した後に、前記剥離層に光を照射して前記積
層体を基板から剥離することを特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法。1. A laminated body having at least an anode layer, a cathode layer, and an organic light emitting layer between both electrode layers is provided on a substrate via a peeling layer made of a material exhibiting a peeling action when irradiated with light. After forming, the said peeling layer is irradiated with light and the said laminated body is peeled from a board | substrate, The manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus characterized by the above-mentioned.
質シリコンであり、照射光はエキシマレーザ光である請
求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造
方法。2. The method for manufacturing an organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the material forming the release layer is amorphous silicon containing hydrogen, and the irradiation light is excimer laser light.
材料からなり、剥離のための光照射を基板側から行う請
求項１または２記載の有機エレクトロルミネッセンス装
置の製造方法。3. The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the substrate is made of a material that transmits the irradiation light for peeling, and the irradiation of light for peeling is performed from the substrate side.
で発光を観察するように構成した請求項１記載の有機エ
レクトロルミネッセンス装置の製造方法。4. The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the laminated body is configured to observe light emission on the side of the surface from which the substrate is peeled off.
に、有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動する半導
体素子層を有する請求項１乃至４のいずれか１項に記載
の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。5. The manufacturing of an organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the laminate has a semiconductor element layer that drives the organic electroluminescence element on the substrate side of both electrode layers. Method.
層体の剥離面に半導体素子層を保護する薄膜を形成する
ことを特徴とする請求項５記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス装置の製造方法。6. The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 5, wherein after the laminated body is peeled from the substrate, a thin film for protecting the semiconductor element layer is formed on the peeled surface of the laminated body.
成し、この絶縁性薄膜上に前記半導体素子層を形成する
ことを特徴とする請求項５記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス装置の製造方法。7. The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 5, wherein an insulating thin film is formed directly on the peeling layer on the substrate, and the semiconductor element layer is formed on the insulating thin film. .
れた方法で製造された有機エレクトロルミネッセンス装
置を備えた電子機器。8. An electronic device comprising an organic electroluminescence device manufactured by the method according to claim 1. Description:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001309101A JP2003115380A (en) | 2001-10-04 | 2001-10-04 | Manufacturing method of organic electroluminescence equipment, electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001309101A JP2003115380A (en) | 2001-10-04 | 2001-10-04 | Manufacturing method of organic electroluminescence equipment, electronic device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003115380A true JP2003115380A (en) | 2003-04-18 |
Family
ID=19128305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001309101A Withdrawn JP2003115380A (en) | 2001-10-04 | 2001-10-04 | Manufacturing method of organic electroluminescence equipment, electronic device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003115380A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012133387A (en) * | 2005-12-14 | 2012-07-12 | Canon Inc | Display device |
| WO2019030819A1 (en) * | 2017-08-08 | 2019-02-14 | シャープ株式会社 | El device production method |
-
2001
- 2001-10-04 JP JP2001309101A patent/JP2003115380A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012133387A (en) * | 2005-12-14 | 2012-07-12 | Canon Inc | Display device |
| WO2019030819A1 (en) * | 2017-08-08 | 2019-02-14 | シャープ株式会社 | El device production method |
| US10693070B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for electroluminescence device |
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