JP2003110456A - 高周波回路、複合高周波部品及びそれを用いた通信装置 - Google Patents

高周波回路、複合高周波部品及びそれを用いた通信装置

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JP2003110456A
JP2003110456A JP2001296099A JP2001296099A JP2003110456A JP 2003110456 A JP2003110456 A JP 2003110456A JP 2001296099 A JP2001296099 A JP 2001296099A JP 2001296099 A JP2001296099 A JP 2001296099A JP 2003110456 A JP2003110456 A JP 2003110456A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 回路を構成する部品(素子)数を減らすこと
で回路を簡略化し、複合高周波部品の小型化、特に低背
化と、高性能化を可能にする高周波回路および、それを
実現した複合高周波部品および通信装置を提供する。 【構成】 第1の共通端子と第1の入力端子と第1の出力
端子と第1の入出力端子とを有し、第1の入力端子、第
1の出力端子および第1の入出力端子のいずれか1つの
端子が、第1の共通端子に切換接続されるスイッチ部
と、第2の共通端子と第2の入力端子と第3の入力端子
とを有する第1のダイプレクサと、第3の共通端子と第
3の出力端子と第4の出力端子とを有する第2のダイプ
レクサとを備えてなり、前記第1の入力端子が前記第2
の共通端子に接続され、前記第2の出力端子が前記第3
の共通端子に接続されていることを特徴とする高周波回
路。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信システ
ムなどの通信装置に用いる高周波回路、それを実現した
複合高周波部品、及びそれを用いた通信装置に関し、特
に複数の通信システムに対応する高周波回路、それを実
現した複合高周波部品、及びそれを用いた通信装置に関
する。
【0002】現在、移動体通信装置として、多数の通信
方式/複数の高周波帯域が有る。例えば、TDMA方式
としては、ヨーロッパでは900MHz帯を使用したE
GSM(Extended Global; Syste
m; communication)通信システムや1.
8GHz帯を使用したDCS(Digital; Cel
lular; System)通信システムがあり、2つ
の通信システムで動作可能なデュアルバンド携帯電話器
が提案されている。例えば、特開2001−18590
2号や特開2000−49651号に開示されたDCS
とEGSMとのデュアルバンド携帯電話器は、DCSの
周波数帯とEGSMの周波数帯とに対応し、ある時はD
CSの周波数帯で通信をし、またある時はEGSMの周
波数帯で通信をする。このように、複数の規格の周波数
帯を扱うことにより、一方の規格の周波数帯で通信が不
可能である場合には、他方の規格の周波数帯で通信をす
ることができる。
【0003】さらには、例えば1.9GHz帯を使用す
るPCS(Personal Communicati
on Services)通信システムなど、他の通信
システムも加え、3つの通信システムで動作が可能トリ
プルバンド携帯電話器も提案されている。特開2000
−165288号には、3つの通信システムで動作可能
な複合高周波部品及び移動体通信装置が開示されてい
る。
【0004】図1は、一般的なトリプルバンド携帯電話
器のフロントエンド部を示すブロック図であり、近接し
た周波数を備える第1及び第2の通信システムに1.8
GHz帯のDCS及び1.9GHz帯のPCS、それら
と周波数が異なる第3の通信システムに900MHz帯
のEGSMとした場合の一例を示したものである。
【0005】トリプルバンド携帯電話器に用いられる複
合高周波部品20は、アンテナ1、ダイプレクサ2、第
1乃至第3のダイオードスイッチ3〜5、第1及び第2
のフィルタ6,7を備える。ダイプレクサ2は、送信の
際にはDCS、PCSあるいはEGSMの送信信号を結
合し、受信の際にはDCS、PCSあるいはEGSMに
受信信号を分配する役目を担う。第1のダイオードスイ
ッチ3は、DCS及びPCSの送信部側とDCS及びP
CSの受信部側とを切り換え、第2のダイオードスイッ
チ4は、DCSの受信部Rxd側とPCSの受信部Rx
p側とを切り換え、第3のダイオードスイッチ5は、E
GSMの送信部Txg側と受信部Rxg側とを切り換え
る役目を担う。第1のフィルタ6は、DCS、PCSの
送受信信号を通過させ、2次高調波及び3次高調波を減
衰させ、第2のフィルタ7は、EGSMの送受信信号を
通過させ、3次高調波を減衰させる役目を担う。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】複合高周波部品20
は、携帯電話などの通信装置に搭載されることから、小
型化が要求されている。同時に、通信品質向上のための
複合高周波部品の高性能化も要求されている。
【0007】ダイオード、コンデンサ、インダクタ等で
構成されるダイオードスイッチ、コイルやコンデンサで
構成されるダイプレクサやフィルタを備える従来の複合
高周波部品20は、多数の部品(素子)で構成され、さ
らには、非常に複雑な回路構成となっている。特に、ダ
イオードなど多層基板の内部に形成することのできない
チップ部品などは、多層基板上に搭載するため、複合高
周波部品の小型化の妨げとなっていた。また、多数の部
品(素子)が複雑な回路で構成されていることから、部
品(素子)同士を接続するための回路配線が多層基板内
で複数の基板にわたって複雑に引き回されている。別の
基板に配置された部品(素子)同士を接続するためには
通常、基板にビアを設け接続する。そのため、回路配線
が長くなり、伝送損失の増加や,回路配線同士のカップ
リングによるノイズ発生などを引き起こすといった場合
があった。
【0008】例えば、特開2000−49651号に開
示されているマルチバンド用高周波スイッチモジュール
では、通信システムの送受信を切り換えるスイッチはダ
イオードと伝送線路とコンデンサとから構成され、伝送
線路などはビアを用い複数の基板にわたって形成されて
おり、伝送線路や別の基板に形成されているコンデンサ
などの接続も同様にビアを介して接続されている。その
結果、多層基板の厚みが大きくなり低背化が困難である
場合があった。
【0009】そこで、本発明の目的は、回路を構成する
部品(素子)数を減らすことで回路を簡略化し、複合高
周波部品の小型化、特に低背化と、高性能化を可能にす
る高周波回路および、それを実現した複合高周波部品お
よび通信装置を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】本発明の
請求項1に記載の高周波回路は、第1の共通端子と第1
の入力端子と第1の出力端子と第1の入出力端子とを有
し、第1の入力端子、第1の出力端子および第1の入出
力端子のいずれか1つの端子が、第1の共通端子に切換
接続されるスイッチ部と、第2の共通端子と第2の入力
端子と第3の入力端子とを有する第1のダイプレクサ
と、第3の共通端子と第3の出力端子と第4の出力端子
とを有する第2のダイプレクサとを備えてなり、前記第
1の入力端子が前記第2の共通端子に接続され、前記第
2の出力端子が前記第3の共通端子に接続されているこ
とを特徴とする。
【0011】また、本発明の高周波回路は、前記第1の
入力端子と前記第2の共通端子との間にフィルタが接続
されていることを特徴とする。フィルタとしては、ロー
パスフィルタなどが挙げられる。
【0012】さらに、本発明の高周波回路は、前記スイ
ッチ部がGaAs半導体素子を含むスイッチ素子とコン
デンサとからなることを特徴とする。
【0013】本発明の複合高周波部品は、複数の誘電体
基板を積層してなる多層基板を有してなる複合高周波部
品であって、第1の共通端子と第1の入力端子と第1の出
力端子と第1の入出力端子とを有し、第1の入力端子、
第1の出力端子および第1の入出力端子のいずれか1つ
の端子が、第1の共通端子に切換接続されるスイッチ部
と、第2の共通端子と第2の入力端子と第3の入力端子
とを有する第1のダイプレクサと、第3の共通端子と第
3の出力端子と第4の出力端子とを有する第2のダイプ
レクサとからなり、前記第1の入力端子が前記第2の共
通端子に接続され、前記第2の出力端子が前記第3の共
通端子に接続され、前記スイッチ部は、GaAs半導体
素子を含むスイッチ素子とコンデンサとからなり、前記
スイッチ素子は前記多層基板上に搭載され、前記第1の
ダイプレクサおよび第2のダイプレクサが前記多層基板
の内部に形成されていることを特徴とする。
【0014】また、本発明の複合高周波部品は、前記第
1の入力端子と前記第2の共通端子との間にフィルタが
接続され、該フィルタは前記多層基板の内部に形成され
ていることを特徴とする。フィルタとしてはローパスフ
ィルタなどが挙げられる。
【0015】さらに、本発明の複合高周波部品は、前記
スイッチ部を構成するコンデンサが多層基板上にチップ
部品として搭載されていることを特徴とする。
【0016】本発明の通信装置は、前記高周波回路を用
いたことを特徴とする。
【0017】本発明の通信装置は、前記複合高周波部品
を用いたことを特徴とする。
【0018】本発明の高周波回路及び複合高周波部品
は、前記第3の出力端子と前記第4の出力端子のそれぞ
れに表面弾性波フィルタが接続され、前記表面弾性波フ
ィルタが基板表面に搭載されていてもよい。
【0019】本発明の高周波回路及び複合高周波部品
は、ノイズ除去のためのインダクタ及びコンデンサを含
む回路が前記第1の共通端子に接続され、前記多層基板
の内部に形成されていても良い。
【0020】上記の構成することにより本発明の高周波
回路および複合高周波部品は、回路を構成する部品(素
子)数を減らすことができるため、回路構成が簡素化さ
れる。また、複数の基板にわたって形成されていた送受
信を切り換えるためのスイッチ部を構成する部品(素
子)の伝送線路を省略することができるため、多層基板
を薄く形成することができ、複合高周波部品全体とし
て、小型化及び低背化が可能となる。さらに、回路を構
成する部品(素子)同士を接続すらための配線の長さが
短くなることで、伝送損失の増加を抑制し、配線同士の
カップリングによるノイズ発生を防止することができ
る。
【0021】また、本発明の高周波回路および複合高周
波部品は、使用する周波数帯域が近接する第1通信シス
テム及び第2通信システム、並びに、これら第1及び第
2通信システムと使用する周波数帯域が離れた第3通信
システムに対応することが可能となる。さらに、前記第
1通信システムは、CDMA方式の通信システムであ
り、前記第1通信システムの送信部及び受信部とは、回
路配線のみまたは回路配線のみによって結ばれている高
周波回路としてもよい。CDMA方式の通信システムと
しては、W−CDMA通信システムやUMTS(Univers
al Mobile Telecommunications System)通信システム等
が挙げられる。
【0022】本発明の複合高周波部品は、第1のダイプ
レクサと第2のダイプレクサとスイッチ部、さらには、
フィルタやノイズ除去のための回路とを、多層基板に一
体化し、GaAs半導体素子を含むスイッチ素子を多層
基板上に搭載し、第1のダイプレクサと第2のダイプレ
クサ、フィルタ、ノイズ除去のための回路とを多層基板
の内部に形成することで、複合高周波部品の小型化が可
能となる。
【0023】また、本発明の複合高周波部品は、スイッ
チ部にGaAs半導体素子を用いることで、複数の通信
システムの送受信を切り換えるスイッチ部を構成する部
品(素子)が少なくて済む。そのため、高周波回路が簡
略化される。また、多層基板上に搭載される部品(素
子)も少なくて済むために複合高周波部品の小型化が可
能となる。さらには、多層基板上に搭載する部品数が減
少することで部品実装の作業性も向上する。
【0024】本発明の複合高周波部品のスイッチ部を構
成するコンデンサは、直流電流カット用のコンデンサの
機能を有している。通常、直流電流カット用のコンデン
サは大容量のものが用いられるが、多層基板に内層する
場合には、コンデンサ電極の電極面積を大きくしたり、
あるいは複数層にもわたってコンデンサ電極を形成しな
ければならないため、多層基板の小型化の妨げとなる場
合がある。しかし、本発明の複合高周波部品は、スイッ
チ部を構成するコンデンサを多層基板上に搭載するため
に多層基板を小型化ひいては複合高周波部品の小型化を
可能とする。
【0025】また、本発明の通信装置も、本発明の高周
波回路および複合高周波部品を用いることで同様の作用
効果を奏するものである。
【0026】
【発明の実施の形態】本発明の1つの実施例である複合
高周波部品201は図2に示すような構成となってい
る。
【0027】図2と図3において、ガラスセラミックな
どの誘電体基板を絶縁層とし、AgもしくはAg合金を
主成分とした導電層とする多層基板101の内部に形成
された図示しない第1のダイプレクサ21、第2のダイ
プレクサ22、ローパスフィルタ61と、多層基板上1
02に搭載されたGaAs半導体素子315とコンデン
サ316、317、318、319とからなるスイッチ
部31により構成されている。また、多層基板101は
略直方体形状であり、4つの側面には、下方が半円筒状
の凹部とされ、その内側面が導体層とされたキャステレ
ーション401が複数個形成されている。複合高周波部
品201は、このキャステレーション401により、他
の基板上に搭載接続することができる。また、キャステ
レーション401は、高周波回路におけるアンテナ端
子、各通信システムの送受信部端子、制御端子、接地端
子などに対応する。
【0028】本発明の複合高周波部品201に形成され
ている使用する周波数帯域が近接する第1通信システム
及び第2通信システム、並びに、これら第1及び第2通
信システムと使用する周波数帯域が離れた第3通信シス
テムに対応したトリプルバンド携帯電話器に用いる高周
波回路9について図3と図4を参照して説明する。図3
はブロック図であり、図4は回路図である。ここで、本
実施例では、第一の通信システムとして、CDMA方式
の通信システムのUMTS(Universal MobileTelecommu
nicationsSystem)、第2の通信システムとしてTDMA
方式のDCS、第3の通信システムとしてTDMA方式
のEGSMとする。
【0029】図4において、高周波回路9は、アンテナ
端子ANTに接続され各通信システムの送信信号と受信信
号とを切り換えるスイッチ部31とEGSMとDCSの
通信システムの送信部に接続される第1のダイプレクサ
21とEGSMとDCSの通信システムの受信部に接続
される第2のダイプレクサ22、各通信システムから送
信部からの送信信号において2次高調波及び3次高調波
を減衰させるローパスフィルタ61とを有している。ス
イッチ部31は、アンテナに接続される第1の共通端子
314とローパスフィルタの第1のフィルタ端子611
に接続される第1の入力端子311と、UMTSの送受
信部端子TRX1に接続される第1の入出力端子312
と、第2のダイプレクサ22の第3の共通端子221に
接続される第1の出力端子313を有している。
【0030】スイッチ部は、GaAs半導体素子を含む
スイッチ素子315とコンデンサ316、317、31
8、319とで構成されている。またスイッチ素子は第
1の共通端子と第1の入力端子の接続/切断を制御する
第1制御端子VC1、第1の共通端子と第1の入出力端
子の接続/切断を制御する第2の制御端子VC2、第1
の共通端子と第1の出力端子の接続/切断を制御する第
3の制御端子VC3を有している。ここで、コンデンサ
316、317、318、319は制御端子VC1、V
C2、VC3からの直流電流をカットするための機能を
有しており、30pF程度以上の容量のものが使用され
る。
【0031】第1のダイプレクサ21は、ローパスフィ
ルタの第2のフィルタ端子612に接続される第2の共
通端子211とDCS送信部端子TX2に接続される第
2入力端子212とEGSMの送信部端子TX1に接続
される第3の入力端子213とを有している。また、第
1のダイプレクサ21は第2の共通端子211と第2の
出力端子212との間で、DCS送信部端子TX2から
の送信信号を通過させるハイパスフィルタの機能と、第
2の共通端子211と第3の出力端子213との間で、
EGSMの送信部端子TX1からの送信信号を通過させ
るローパスフィルタの機能とを備えている。
【0032】第1のダイプレクサ21は、コンデンサ1
21、122、およびインダクタンス123からなるロ
ーパスフィルタと、コンデンサ127、128、129
及びインダクタンス130からなるハイパスフィルタと
で構成される。
【0033】第2のダイプレクサ22は、スイッチ部3
1の第2の入力端子313に接続される第3の共通端子
221とDCSの受信部端RX2に接続される第3の出
力端子223とEGSMの受信部端子RX1に接続され
る第2出力端子224とを有している。また、第2のダ
イプレクサ22は第3の共通端子221と第2の出力端
子224との間で、スイッチ部31の第1の出力端子3
13からのEGSMの送信信号を通過させるローパスフ
ィルタの機能と、第3の共通端子221と第3の出力端
子223との間で、スイッチ部31の第2の出力端子か
らのDCSの受信信号を通過させるハイパスフィルタの
機能とを備えている。
【0034】第2のダイプレクサ22は、コンデンサ1
24、125およびインダクタンス126からなるロー
パスフィルタと、コンデンサ131、132、133及
びインダクタンス134からなるハイパスフィルタとで
構成される。
【0035】上述した第1と第2のダイプレクサはロー
パスフィルタとハイパスフィルタとを組み合わせてなる
ものであるが、これに限定されるわけではなく、この組
み合わせ以外のローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、
ノッチフィルタ、バンドパスフィルタ等を任意に組み合
わせたダイプレクサを用いても良い。
【0036】ローパスフィルタ61はスイッチ部31の
第1の入力端子311と第1のダイプレクサ21の第2
の共通端子211との間に接続されている。これによ
り、第1のダイプレクサ21とEGSMの送信端子TX1
およびDCSの送信部端子TX2との間に接続するより
も、ローパスフィルタの数を少なくできる。すなわち、
部品(素子)の数を増やすことなく、送信信号の高調波
を除去することができる。
【0037】ローパスフィルタ61は、コンデンサ13
6、137、1138、139、140およびインダク
タンス141、142を備え、2段のローパスフィルタ
で構成される
【0038】このような構成を有する本発明の高周波回
路9では、各通信システムの送信もしくは受信の際で
は、以下のように動作する。EGSMの送信信号は、E
GSMの送信部端子TX1から第1のダイプレクサ21
が有する第3の入力端子213に入力され、ダイプレク
サ21を構成するローパスフィルタを通過し、第1のダ
イプレクサ21が有する第2の共通端子211に出力さ
れ、ローパスフィルタ61を介して、スイッチ部31の
第1の入力端子311に入力され、スイッチ部31の第
1の共通端子314から出力される。このとき、スイッ
チ素子315の第1制御端子VC1に第1の共通端子31
4と第1の入力端子311とを接続するように信号が送
信され、第2、第3制御端子VC2、VC3からは第1の入
出力端子と第1の出力端子は切断するように信号が送信
される。一方、EGSMの受信信号は、スイッチ部31
の第1の共通端子314から入力され、第1の出力端子
313から出力される。出力されたEGSM受信信号
は、第2のダイプレクサ22の第3の共通端子221か
ら入力され、第2のダイプレクサ22を構成するローパ
スフィルタを通過し、第2の出力端子224から出力さ
れEGSM受信部端子RX1へと送られる。このとき、
スイッチ素子315の第3制御端子に第1の共通端子3
14と第1の出力端子313とを接続するように信号が
送信され、第1制御端子VC1と第2制御端子VC2に
第1の入力端子311と第1の入出力端子312は切断す
るように信号が送信される。
【0039】また、DCS送信信号は、DCS送信部端
子TX2から第1のダイプレクサ21が有する第2の入
力端子212に入力され、第1のダイプレクサ21を構
成するハイパスフィルタを通過し、第1のダイプレクサ
21が有する第2の共通端子211に出力され、ローパ
スフィルタ61を通過して、スイッチ部31の第1の入
力端子311に入力され、スイッチ部31の第1の共通
端子314から出力される。このとき、スイッチ素子3
15の第1制御端子VC1に第1の共通端子314と第
1の入力端子311とを接続するように信号が送信さ
れ、第2、第3制御端子VC2、VC3からは第1の入出力端
子312と第1の出力端子313は切断するように信号
が送信される。一方、DCSの受信信号は、スイッチ部
31の第1の共通端子314から入力され、第1の出力
端子313から出力される。出力されたDCS受信信号
は、第2のダイプレクサ22の第3の共通端子221か
ら入力され、第3の出力端子223から出力されDCS
受信部端子RX2へと送られる。このとき、スイッチ素
子315の第3制御端子VC3に第1の共通端子314
と第1の出力端子313とを接続するように信号が送信
され、第1制御端子VC1と第2制御端子VC2には、
第1の入力端子311と第1の入出力端子312は切断す
るように信号が送信される。
【0040】また、UMTS送信信号は、UMTSの送
信部端子TRX1からスイッチ部31の第1の入出力端
子312に入力され、スイッチ部31の第1の共通端子
314から出力される。このとき、スイッチ素子315
の第1制御端子VC2に第1の共通端子314と第1の
入出力端子312とを接続するように信号が送信され、
第1、第3制御端子VC1、VC3からは第1の入力端子3
11と第1の出力端子313は切断するように信号が送
信される。一方、UMTSの受信信号は、スイッチ部3
1の第1の共通端子314から入力され、第1の入出力
端子312から出力される。出力されたUMTS受信信
号は、UMTS受信部端子TRX1へと送られる。この
とき、送信時と同様に、スイッチ素子315の第1制御
端子VC2に第1の共通端子314と第1の入出力端子
312とを接続するように信号が送信され、第1、第3
制御端子VC1、VC3からは第1の入力端子311と第1
の出力端子313は切断するように信号が送信される。
【0041】なお、EGSMとDCSとUMTSのトリ
プルバンド携帯電話器の場合、EGSMの送信信号が、
880MHzから915MHz、受信信号が925MH
zから960MHz、DCSの送信信号が1710MH
zから1785MHz、受信信号が1805MHzから
1880MHz、UMTSの送信信号が1920MHz
から1980MHz、受信信号が2110MHzから2
170MHzである。よって、スイッチ素子315は、
その周波数帯域が1000MHzから2000MHz程
度である、GaAs半導体からなるGaAsMMICを
用いている。また、各通信システムの送受信の切換がG
aAsMMICを用いるだけで行うことができるため、
高周波回路を構成する部品(素子)数が減少し、複合高
周波部品の小型化が可能となる。GaAsMMICはチ
ップ部品として構成されているため、複合高周波部品に
用いる場合は、多層基板上に搭載される。また、GaA
sMMICの各端子と第1、第2のダイプレクサやロー
パスフィルタなどの部品(素子)との接続は図示しない
電極パッドを介して多層基板内に形成される第1、第2
のダイプレクサやローパスフィルタと接続される。
【0042】一方、GaAsMMICは、静電気の影響
を非常に受けやすいデバイスであることから、静電気防
止回路を高周波回路に付加してもよい。具体的には、ア
ンテナ端子とスイッチ部31の第一の共通電極との間に
コンデンサとインダクタンスを含む回路を設ける。ま
た、前記静電気防止回路も多層基板内に形成できる可能
性があり、複合高周波部品の小型化が維持できる。
【0043】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は実施形態に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更して適用でき
ることはいうまでもない。例えば、第2のダイプレクサ
とEGSMとDCSの各受信部端子との間にそれぞれ、
表面弾性波フィルタ(SAWフィルタ)を接続しても良
い。SAWフィルタを付加した高周波回路を複合高周波
部品に用いる場合には、SAWフィルタを多層基板に搭
載する。多層基板に設けた凹部に、SAWフィルタを搭
載してもよい。また、前記凹部は、GaAsMMICチ
ップ素子が搭載されている面に形成してもよいが、Ga
AsMMICチップ素子が搭載されていない多層基板の
底面に形成すると、平面的に見て多層基板が小型化する
ため好ましい。
【0044】さらには、UMTSの送受信部端子TRX
1に、UMTSの送信信号と受信信号を切り換えるデュ
プレクサを接続してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のトリプルバンド用携帯電話器に用いられ
るトリプルバンド用高周波回路のブロック図である。
【図2】本発明の一実施例である複合高周波部品の斜視
図である。
【図3】本発明の一実施例である高周波回路のブロック
図である。
【図4】本発明の一実施例である高周波回路図である。
【符号の説明】
9 高周波回路 311 第1の入力端子 312 第1の入出力端子 313 第1の出力端子 314 第1の共通端子 31 スイッチ部 315 スイッチ素子 316〜319 コンデンサ 21 第1のダイプレクサ 22 第2のダイプレクサ 211 第2の共通端子 212 第2の入力端子 213 第3の入力端子 221 第3の共通端子 224 第3の出力端子 223 第4の出力端子 61 ローパスフィルタ ;

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の共通端子と第1の入力端子と第1の
    出力端子と第1の入出力端子とを有し、第1の入力端
    子、第1の出力端子および第1の入出力端子のいずれか
    1つの端子が、第1の共通端子に切換接続されるスイッ
    チ部と、第2の共通端子と第2の入力端子と第3の入力
    端子とを有する第1のダイプレクサと、第3の共通端子
    と第3の出力端子と第4の出力端子とを有する第2のダ
    イプレクサとを備えてなり、前記第1の入力端子が前記
    第2の共通端子に接続され、前記第2の出力端子が前記
    第3の共通端子に接続されていることを特徴とする高周
    波回路。
  2. 【請求項2】 前記第1の入力端子と前記第2の共通端
    子との間にフィルタが接続されていることを特徴とす
    る、請求項1に記載の高周波回路。
  3. 【請求項3】 前記スイッチ部はGaAs半導体素子を
    含むスイッチ素子とコンデンサとからなることを特徴と
    する、請求項1および2のいずれか1項に記載の高周波
    回路。
  4. 【請求項4】 複数の誘電体基板を積層してなる多層基
    板を有してなる複合高周波部品であって、第1の共通端
    子と第1の入力端子と第1の出力端子と第1の入出力端
    子とを有し、第1の入力端子、第1の出力端子および第
    1の入出力端子のいずれか1つの端子が、第1の共通端
    子に切換接続されるスイッチ部と、第2の共通端子と第
    2の入力端子と第3の入力端子とを有する第1のダイプ
    レクサと、第3の共通端子と第3の出力端子と第4の出
    力端子とを有する第2のダイプレクサとからなり、前記
    第1の入力端子が前記第2の共通端子に接続され、前記
    第2の出力端子が前記第3の共通端子に接続され、前記
    スイッチ部は、GaAs半導体素子を含むスイッチ素子
    とコンデンサとからなり、前記スイッチ素子は前記多層
    基板上に搭載され、前記第1のダイプレクサおよび第2
    のダイプレクサが前記多層基板の内部に形成されている
    ことを特徴とする複合高周波部品。
  5. 【請求項5】 前記第1の入力端子と前記第2の共通端
    子との間にフィルタが接続され、該フィルタは前記多層
    基板の内部に形成されていることを特徴とする請求項4
    に記載の複合高周波部品。
  6. 【請求項6】前記スイッチ部を構成するコンデンサが多
    層基板上にチップ部品として搭載されていることを特徴
    とする請求項4もしくは5に記載の複合高周波部品。
  7. 【請求項7】 請求項1及至3のいずれか1項に記載の
    高周波回路を用いたことを特徴とする通信装置。
  8. 【請求項8】 請求項4及至6のいずれか1項に記載の
    複合高周波部品を用いたことを特徴とする通信装置。
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