JP2003110394A - 高周波回路、複合高周波部品及びそれを用いた通信装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 回路を構成する部品（素子）数を減らすこと
で回路を簡略化し、複合高周波部品の小型化、特に低背
化と、高性能化を可能にする高周波回路および、それを
実現した複合高周波部品および通信装置を提供する。 【構成】 第1の共通端子と第１の出力端子と第1の入力
端子と第２の入力端子とを有し、第1の出力端子、第１
の入力端子および第２の入力端子のいずれか１つの端子
が、第1の共通端子に切換接続されるスイッチ部と、第
２の共通端子と第２の出力端子と第３の出力端子とを有
する第1のダイプレクサと、第３の共通端子と第３の入
力端子と第4の入力端子とを有する第２のダイプレクサ
とからなり、前記第１の出力端子が前記第２の共通端子
に接続され、前記第３の入力端子が前記第３の共通端子
に接続されている高周波回路。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信システ
ムなどの通信装置に用いる高周波回路、それを実現した
複合高周波部品、及びそれを用いた通信装置に関し、特
に複数の通信システムに対応する高周波回路、それを実
現した複合高周波部品、及びそれを用いた通信装置に関
する。

【０００２】現在、移動体通信装置として、多数の通信
システム／複数の高周波帯域が有る。例えば、ＴＤＭＡ
方式としては、ヨーロッパでは９００ＭＨｚ帯を使用し
たＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ; Ｓｙｓｔｅｍ; ｃｏｍｍｕｎ
ｉｃａｔｉｏｎ）通信システムや１．８ＧＨｚ帯を使用
したＤＣＳ（Ｄｉｇｉｔａｌ; Ｃｅｌｌｕｌａｒ; Ｓｙ
ｓｔｅｍ）通信システムがあり、２つの通信システムで
動作可能なデュアルバンド携帯電話器が提案されてい
る。例えば、特開２００１−１８５９０２号や特開２０
００−４９６５１号に開示されたＤＣＳとＧＳＭとのデ
ュアルバンド携帯電話器は、ＤＣＳの周波数帯とＧＳＭ
の周波数帯とに対応し、ある時はＤＣＳの周波数帯で通
信をし、またある時はＧＳＭの周波数帯で通信をする。
このように、複数の規格の周波数帯を扱うことにより、
一方の規格の周波数帯で通信が不可能である場合には、
他方の規格の周波数帯で通信をすることができる。

【０００３】さらには、例えば１．９ＧＨｚ帯を使用す
るＰＣＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉ
ｏｎ Ｓｅｒｖｉｃｅｓ）通信システムなど、他の通信
システムも加え、３つの通信システムで動作が可能トリ
プルバンド携帯電話器も提案されている。特開２０００
−１６５２８８号には、３つの通信システムで動作可能
な複合高周波部品及び移動体通信装置が開示されてい
る。

【０００４】図１は、一般的なトリプルバンド携帯電話
器のフロントエンド部を示すブロック図であり、近接し
た周波数を備える第１及び第２の通信システムに１．８
ＧＨｚ帯のＤＣＳ及び１．９ＧＨｚ帯のＰＣＳ、それら
と周波数が異なる第３の通信システムに９００ＭＨｚ帯
のＧＳＭとした場合の一例を示したものである。

【０００５】トリプルバンド携帯電話器に用いられる複
合高周波部品２０は、アンテナ１、ダイプレクサ２、第
１乃至第３のダイオードスイッチ３〜５、第１及び第２
のフィルタ６，７を備える。ダイプレクサ２は、送信の
際にはＤＣＳ、ＰＣＳあるいはＧＳＭの送信信号を結合
し、受信の際にはＤＣＳ、ＰＣＳあるいはＧＳＭに受信
信号を分配する役目を担う。第１のダイオードスイッチ
３は、ＤＣＳ及びＰＣＳの送信部側とＤＣＳ及びＰＣＳ
の受信部側とを切り換え、第２のダイオードスイッチ４
は、ＤＣＳの受信部Ｒｘｄ側とＰＣＳの受信部Ｒｘｐ側
とを切り換え、第３のダイオードスイッチ５は、ＧＳＭ
の送信部Ｔｘｇ側と受信部Ｒｘｇ側とを切り換える役目
を担う。第１のフィルタ６は、ＤＣＳ、ＰＣＳの送受信
信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減衰さ
せ、第２のフィルタ７は、ＧＳＭの送受信信号を通過さ
せ、３次高調波を減衰させる役目を担う。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】複合高周波部品２０
は、携帯電話などの通信装置に搭載されることから、小
型化が要求されている。同時に、通信品質向上のための
複合高周波部品の高性能化も要求されている。

【０００７】ダイオード、コンデンサ、インダクタ等で
構成されるダイオードスイッチ、コイルやコンデンサで
構成されるダイプレクサやフィルタを備える従来の複合
高周波部品２０は、多数の部品（素子）で構成され、さ
らには、非常に複雑な回路構成となっている。特に、ダ
イオードなど多層基板の内部に形成することのできない
チップ部品などは、多層基板上に搭載するため、複合高
周波部品の小型化の妨げとなっていた。また、多数の部
品（素子）が複雑な回路で構成されていることから、部
品（素子）同士を接続するための回路配線が多層基板内
で複数の基板にわたって複雑に引き回されている。別の
基板に配置された部品（素子）同士を接続するためには
通常、基板にビアを設け接続する。そのため、回路配線
が長くなり、伝送損失の増加や回路配線同士のカップリ
ングによるノイズ発生などを引き起こすといった場合が
あった。

【０００８】例えば、特開２０００−４９６５１に開示
されているマルチバンド用高周波スイッチモジュールで
は、通信システムの送受信を切り換えるスイッチはダイ
オードと伝送線路とコンデンサとから構成され、伝送線
路などはビアを用い複数の基板にわたって形成されてお
り、伝送線路や別の基板に形成されているコンデンサな
どの接続も同様にビアを介して接続されている。その結
果、多層基板の厚みが大きくなり低背化が困難である場
合があった。

【０００９】そこで、本発明の目的は、回路を構成する
部品（素子）数を減らすことで回路を簡略化し、複合高
周波部品の小型化、特に低背化と、高性能化を可能にす
る高周波回路および、それを実現した複合高周波部品お
よび通信装置を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】本発明の
請求項１に記載の高周波回路は第1の共通端子と第１の
入力端子と第1の出力端子と第２の出力端子とを有し、
第1の入力端子、第１の出力端子および第２の出力端子
のいずれか１つの端子が、第1の共通端子に切換接続さ
れるスイッチ部と、第２の共通端子と第２の入力端子と
第３の入力端子とを有する第1のダイプレクサと、第３
の共通端子と第３の出力端子と第4の出力端子とを有す
る第２のダイプレクサとを備えてなり、前記第１の入力
端子が前記第２の共通端子に接続され、前記第２の出力
端子が前記第３の共通端子に接続されていることを特徴
とする。

【００１１】また、本発明の高周波回路は、前記第1の
入力端子と前記第２の共通端子との間にフィルタが接続
されていることを特徴とする。フィルタとしては、ロー
パスフィルタなどが挙げられる。

【００１２】さらに、本発明の高周波回路は、前記スイ
ッチ部がGａＡｓ半導体素子を含むスイッチ素子とコン
デンサとからなることを特徴とする。

【００１３】本発明の複合高周波部品は、複数の誘電体
基板を積層してなる多層基板を有してなる複合高周波部
品であって、第1の共通端子と第１の入力端子と第1の出
力端子と第２の出力端子とを有し、第1の入力端子、第
１の出力端子および第２の出力端子のいずれか１つの端
子が、第1の共通端子に切換接続されるスイッチ部と、
第２の共通端子と第２の入力端子と第３の入力端子とを
有する第1のダイプレクサと、第３の共通端子と第３の
出力端子と第4の出力端子とを有する第２のダイプレク
サとからなり、前記第１の入力端子が前記第２の共通端
子に接続され、前記第２の出力端子が前記第３の共通端
子に接続され、前記スイッチ部は、GａＡｓ半導体素子
を含むスイッチ素子とコンデンサとからなり、前記スイ
ッチ素子は前記多層基板上に搭載され、前記第１のダイ
プレクサおよび第２のダイプレクサが前記多層基板の内
部に形成されていることを特徴とする。

【００１４】また、本発明の複合高周波部品は、前記第
1の入力端子と前記第２の共通端子との間にフィルタが
接続され、該フィルタは前記多層基板の内部に形成され
ていることを特徴とする。フィルタとしてはローパスフ
ィルタなどが挙げられる。

【００１５】さらに、本発明の複合高周波部品は、前記
スイッチ部を構成するコンデンサが多層基板上にチップ
部品として搭載されていることを特徴とする。

【００１６】本発明の通信装置は、前記高周波回路を用
いたことを特徴とする。

【００１７】本発明の通信装置は、前記複合高周波部品
を用いたことを特徴とする。

【００１８】本発明の高周波回路及び複合高周波部品
は、前記第３の出力端子と前記第４の出力端子のそれぞ
れに表面弾性波フィルタが接続され、前記表面弾性波フ
ィルタが基板表面に搭載されていてもよい。

【００１９】本発明の高周波回路及び複合高周波部品
は、ノイズ除去のためのインダクタ及びコンデンサを含
む回路が前記第１の共通端子に接続され、前記多層基板
の内部に形成されていても良い。

【００２０】上記の構成することにより本発明の高周波
回路および複合高周波部品は、回路を構成する部品（素
子）数を減らすことができるため、回路構成が簡素化さ
れる。また、複数の基板にわたって形成されていた送受
信を切り換えるためのスイッチ部を構成する部品（素
子）の伝送線路を省略することができるため、多層基板
を薄く形成することができ、複合高周波部品全体とし
て、小型化及び低背化が可能となる。さらに、回路を構
成する部品（素子）同士を接続すらための配線の長さが
短くなることで、伝送損失の増加を抑制し、配線同士の
カップリングによるノイズ発生を防止することができ
る。

【００２１】また、本発明の高周波回路および複合高周
波部品は、使用する周波数帯域が近接する第１通信シス
テム及び第２通信システム、並びに、これら第１及び第
２通信システムと使用する周波数帯域が離れた第３通信
システムに対応することが可能となる。

【００２２】本発明の複合高周波部品は、第１のダイプ
レクサと第２のダイプレクサとスイッチ部、さらには、
フィルタやノイズ除去のための回路とを、多層基板に一
体化し、ＧａＡｓ半導体素子を含むスイッチ素子を多層
基板上に搭載し、第１のダイプレクサと第２のダイプレ
クサ、フィルタ、ノイズ除去のための回路とを多層基板
の内部に形成することで、複合高周波部品の小型化が可
能となる。

【００２３】また、本発明の複合高周波部品は、スイッ
チ部にＧａＡｓ半導体素子を用いることで、複数の通信
システムの送受信を切り換えるスイッチ部を構成する部
品（素子）が少なくて済む。そのため、高周波回路が簡
略化される。また、多層基板上に搭載される部品（素
子）も少なくて済むために複合高周波部品の小型化が可
能となる。さらには、多層基板上に搭載する部品数が減
少することで部品実装の作業性も向上する。

【００２４】本発明の複合高周波部品のスイッチ部を構
成するコンデンサは、直流電流カット用のコンデンサの
機能を有している。通常、直流電流カット用のコンデン
サは大容量のものが用いられるが、多層基板に内層する
場合には、コンデンサ電極の電極面積を大きくしたり、
あるいは複数層にもわたってコンデンサ電極を形成しな
ければならないため、多層基板の小型化の妨げとなる場
合がある。しかし、本発明の複合高周波部品は、スイッ
チ部を構成するコンデンサを多層基板上に搭載するため
に多層基板を小型化ひいては複合高周波部品の小型化を
可能とする。

【００２５】また、本発明の通信装置も、本発明の高周
波回路および複合高周波部品を用いることで同様の作用
効果を奏するものである。

【００２６】

【発明の実施の形態】本発明の１つの実施例である複合
高周波部品２０１は図２に示すような構成となってい
る。

【００２７】図２と図３において、ガラスセラミックな
どの誘電体基板を絶縁層とし、ＡｇもしくはＡｇ合金を
主成分とした導電層とする多層基板１０１の内部に形成
された図示しない第１のダイプレクサ２１、第２のダイ
プレクサ２２、ローパスフィルタ６１と、多層基板上１
０２に搭載されたＧａＡｓ半導体素子３１５とコンデン
サ３１６、３１７、３１８、３１９とからなるスイッチ
部３１により構成されている。また、多層基板１０１は
略直方体形状であり、４つの側面には、下方が半円筒状
の凹部とされ、その内側面が導体層とされたキャステレ
ーション４０１が複数個形成されている。複合高周波部
品２０１は、このキャステレーション４０１により、他
の基板上に搭載接続することができる。また、キャステ
レーション４０１は、高周波回路におけるアンテナ端
子、各通信システムの送受信部端子、制御端子、接地端
子などに対応する。

【００２８】本発明の複合高周波部品２０１に形成され
ている使用する周波数帯域が近接する第１通信システム
及び第２通信システム、並びに、これら第１及び第２通
信システムと使用する周波数帯域が離れた第３通信シス
テムに対応したトリプルバンド携帯電話器に用いる高周
波回路９について図３と図４を参照して説明する。図３
はブロック図であり、図４は回路図である。本実施例で
は、第３の通信システムをＧＳＭ、第1の通信システム
をＤＣＳと第２の通信システムをＰＣＳとする。

【００２９】図４において、高周波回路９は、アンテナ
端子ANTに接続され各通信システムの送信信号と受信信
号とを切り換えるスイッチ部３１と各通信システムの送
信部に接続される第１のダイプレクサ２１と各通信シス
テムの受信部に接続される第２のダイプレクサ２２、各
通信システムから送信部からの送信信号において２次高
調波及び３次高調波を減衰させるローパスフィルタ６１
とを有している。スイッチ部３１は、アンテナに接続さ
れる第１の共通端子３１４とローパスフィルタの第1の
フィルタ端子６１１に接続される第１の入力端子３１１
と、ＰＣＳの受信部端子ＲＸ３に接続される第１の出力
端子３１２と、第２のダイプレクサ２２の第３の共通端
子２２１に接続される第２の出力端子３１３を有してい
る。

【００３０】スイッチ部は、ＧａＡｓ半導体素子を含む
スイッチ素子３１５とコンデンサ３１６、３１７、３１
８、３１９とで構成されている。またスイッチ素子は第
１の共通端子と第１の入力端子の接続／切断を制御する
第１制御端子ＶＣ１、第１の共通端子と第１の出力端子
の接続／切断を制御する第２の制御端子ＶＣ２、第１の
共通端子と第２の出力端子の接続／切断を制御する第３
の制御端子ＶＣ３を有している。ここで、コンデンサ３
１６、３１７、３１８、３１９は制御端子ＶＣ１、ＶＣ
２、ＶＣ３からの直流電流をカットするための機能を有
しており、３０ｐＦ程度以上の容量のものが使用され
る。

【００３１】第１のダイプレクサ２１は、ローパスフィ
ルタの第２のフィルタ端子６１２に接続される第２の共
通端子２１１とＤＣＳとＰＣＳとの共通の送信部端子Ｔ
Ｘ２に接続される第２入力端子２１２とＧＳＭの送信部
端子ＴＸ１に接続される第３の入力端子２１３とを有し
ている。また、第１のダイプレクサ２１は第２の共通端
子２１１と第２の入力端子２１２との間で、ＤＣＳとＰ
ＣＳとの共通の送信部端子ＴＸ２からの送信信号を通過
させるハイパスフィルタの機能と、第２の共通端子２１
１と第３の入力端子２１３との間で、ＧＳＭの送信部端
子ＴＸ１からの送信信号を通過させるローパスフィルタ
の機能とを備えている。

【００３２】第１のダイプレクサ２１は、コンデンサ１
２１、１２２、およびインダクタンス１２３からなるロ
ーパスフィルタと、コンデンサ１２７、１２８、１２９
及びインダクタンス１３０からなるハイパスフィルタと
で構成される。

【００３３】第２のダイプレクサ２２は、スイッチ部３
１の第２の出力端子３１３に接続される第３の共通端子
２２１とＤＣＳの受信部端ＲＸ２に接続される第４の出
力端子２２３とＧＳＭの受信部端子ＲＸ１に接続される
第３出力端子２２４とを有している。また、第２のダイ
プレクサ２２は第３の共通端子２２１と第３の出力端子
２２４との間で、スイッチ部３１の第２の出力端子３１
３からのＧＳＭの送信信号を通過させるローパスフィル
タの機能と、第３の共通端子２２１と第４の出力端子２
２３との間で、スイッチ部３１の第２の出力端子２２１
からのＤＣＳの受信信号を通過させるハイパスフィルタ
の機能とを備えている。

【００３４】第２のダイプレクサ２２は、コンデンサ１
２４、１２５およびインダクタンス１２６からなるロー
パスフィルタと、コンデンサ１３１、１３２、１３３及
びインダクタンス１３４からなるハイパスフィルタとで
構成される。

【００３５】上述した第1と第２のダイプレクサはロー
パスフィルタとハイパスフィルタとを組み合わせてなる
ものであるが、これに限定されるわけではなく、この組
み合わせ以外のローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、
ノッチフィルタ、バンドパスフィルタ等を任意に組み合
わせたダイプレクサを用いても良い。

【００３６】 ローパスフィルタ６１はスイッチ部３１
の第１の入力端子３１１と第１のダイプレクサ２１の第
２の共通端子２１１との間に接続されている。これによ
り、第1のダイプレクサ２１と各通信システムの送信部
端子TX１およびTX２との間に接続するよりも、ローパス
フィルタの数を少なくできる。すなわち、部品（素子）
の数を増やすことなく、送信信号の高調波を除去するこ
とができる。

【００３７】ローパスフィルタ６１は、コンデンサ１３
６、１３７、１１３８、１３９、１４０およびインダク
タンス１４１、１４２を備え、２段のローパスフィルタ
で構成される。

【００３８】このような構成を有する本発明の高周波回
路９では、各通信システムの送信もしくは受信の際で
は、以下のように動作する。ＧＳＭの送信信号は、ＧＳ
Ｍの送信部端子ＴＸ１から第１のダイプレクサ２１が有
する第３の入力端子２１３に入力され、ダイプレクサ２
１を構成するローパスフィルタを通過し、第１のダイプ
レクサ２１が有する第２の共通端子２１１に出力され、
ローパスフィルタ６１を介して、スイッチ部３１の第１
の入力端子３１１に入力され、スイッチ部３１の第１の
共通端子３１４から出力される。このとき、スイッチ素
子３１５の第１制御端子VC１に第１の共通端子３１４と
第１の入力端子３１１とを接続するように信号が送信さ
れ、第２、第3制御端子VC２、VC３からは第１、第2の出
力端子は切断するように信号が送信される。一方、ＧＳ
Ｍの受信信号は、スイッチ部３１の第１の共通端子３１
４から入力され、第２の出力端子３１３から出力され
る。出力されたＧＳＭ受信信号は、第２のダイプレクサ
２２の第３の共通端子２２１から入力され、第2のダイ
プレクサ２２を構成するローパスフィルタを通過し、第
３の出力端子２２４から出力されＧＳＭ受信部端子ＲＸ
１へと送られる。このとき、スイッチ素子３１５の第３
制御端子に第１の共通端子３１４と第２の出力端子３１
３とを接続するように信号が送信され、第１制御端子Ｖ
Ｃ１と第２制御端子ＶＣ２に第1の入力端子３１１と第1
の出力端子３１２は切断するように信号が送信される。

【００３９】また、ＤＣＳ送信信号は、ＤＣＳとＰＣＳ
の共通の送信部端子ＴＸ２から第１のダイプレクサ２１
が有する第２の入力端子２１２に入力され、第1のダイ
プレクサ２１を構成するハイパスフィルタを通過し、第
１のダイプレクサ２１が有する第２の共通端子２１１に
出力され、ローパスフィルタ６１を通過して、スイッチ
部３１の第１の入力端子３１１に入力され、スイッチ部
３１の第１の共通端子３１４から出力される。このと
き、スイッチ素子３１５の第１制御端子ＶＣ１に第１の
共通端子３１４と第１の入力端子３１１とを接続するよ
うに信号が送信され、第２、第3制御端子VC２、VC３か
らは第１、第2の出力端子３１２、３１３は切断するよ
うに信号が送信される。一方、ＤＣＳの受信信号は、ス
イッチ部３１の第１の共通端子３１４から入力され、第
２の出力端子３１３から出力される。出力されたＤＣＳ
受信信号は、第２のダイプレクサ２２の第３の共通端子
２２１から入力され、第４の出力端子２２３から出力さ
れＤＣＳ受信部端子ＲＸ２へと送られる。このとき、ス
イッチ素子３１５の第３制御端子ＶＣ３に第１の共通端
子３１４と第２の出力端子３１３とを接続するように信
号が送信され、第１制御端子ＶＣ１と第２制御端子ＶＣ
２に第1の入力端子３１１と第1の出力端子３１２は切断
するように信号が送信される。

【００４０】また、ＰＣＳ送信信号は、ＤＣＳとＰＣＳ
の共通の送信部端子ＴＸ２から第１のダイプレクサ２１
が有する第２の入力端子ＴＸ２に入力され、ダイプレク
サを構成するハイパスフィルタを通過し第１のダイプレ
クサ２１が有する第２の共通端子２１１に出力され、ロ
ーパスフィルタ６１を通過して、スイッチ部３１の第１
の入力端子３１１に入力され、スイッチ部３１の第１の
共通端子３１４から出力される。このとき、スイッチ素
子３１５の第１制御端子ＶＣ１に第１の共通端子３１４
と第１の入力端子３１１とを接続するように信号が送信
され、第２、第3制御端子VC２、VC３からは第１、第2の
出力端子３１２、３１３は切断するように信号が送信さ
れる。一方、ＰＣＳの受信信号は、スイッチ部３１の第
１の共通端子３１４から入力され、第１の出力端子３１
２から出力される。出力されたＰＣＳ受信信号は、ＰＣ
Ｓ受信部端子ＲＸ３へと送られる。このとき、スイッチ
素子３１５の第２制御端子ＶＣ２に第１の共通端子３１
４と第１の出力端子３１２とを接続するように信号が送
信され、第一制御端子ＶＣ１と第３の制御端子ＶＣ３に
は、第1の入力端子と第２の出力端子は切断するように
信号が送信される。

【００４１】なお、ＧＳＭとＤＣＳとＰＣＳのトリプル
バンド携帯電話器の場合、ＧＳＭの送信信号が、８９０
ＭＨｚから９１５ＭＨｚ、受信信号が９３５ＭＨｚから
９６５ＭＨｚ、ＤＣＳの送信信号が１７１０ＭＨｚから
１７８５ＭＨｚ、受信信号が１８０５ＭＨｚから１８８
０ＭＨｚ、ＰＣＳの送信信号が１８５０ＭＨｚから１９
１０ＭＨｚ、受信信号が１９３０ＭＨｚから１９９０Ｍ
Ｈｚである。よって、スイッチ素子３１５は、その周波
数帯域が１０００ＭＨｚから２０００ＭＨｚ程度であ
る、ＧａＡｓ半導体からなるＧａＡｓＭＭＩＣを用いて
いる。また、各通信システムの送受信の切換がＧａＡｓ
ＭＭＩＣを用いるだけで行うことができるため、高周波
回路を構成する部品（素子）数が減少し、複合高周波部
品の小型化が可能となる。ＧａＡｓＭＭＩＣはチップ部
品として構成されているため、複合高周波部品に用いる
場合は、多層基板上に搭載される。また、ＧａＡｓＭＭ
ＩＣの各端子と第１、第２のダイプレクサやローパスフ
ィルタなどの部品（素子）との接続は図示しない電極パ
ッドを介して多層基板内に形成される第１、第２のダイ
プレクサやローパスフィルタと接続される。

【００４２】一方、ＧａＡｓＭＭＩＣは、静電気の影響
を非常に受けやすいデバイスであることから、静電気防
止回路を高周波回路に付加してもよい。具体的には、ア
ンテナ端子とスイッチ部３１の第一の共通電極との間に
コンデンサとインダクタンスを含む回路を設ける。ま
た、前記静電気防止回路も多層基板内に形成できる可能
性があり、複合高周波部品の小型化が維持できる。

【００４３】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は実施形態に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更して適用でき
ることはいうまでもない。例えば、第２のダイプレクサ
とＧＳＭとＤＣＳの各受信部端子との間にそれぞれ、表
面弾性波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）を接続しても良
い。ＳＡＷフィルタを付加した高周波回路を複合高周波
部品に用いる場合には、ＳＡＷフィルタを多層基板に搭
載する。多層基板に設けた凹部に、ＳＡＷフィルタを搭
載してもよい。また前記凹部は、ＧａＡｓＭＭＩＣチッ
プ素子が搭載されている面に形成してもよいが、ＧａＡ
ｓＭＭＩＣチップ素子が搭載されていない多層基板の底
面に形成すると、平面的に見て多層基板が小型化するた
め好ましい。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のトリプルバンド用携帯電話器に用いられ
るトリプルバンド用高周波回路のブロック図である。

【図２】本発明の一実施例である複合高周波部品の斜視
図。

【図３】本発明の一実施例である高周波回路のブロック
図である。

【図４】本発明の一実施例である高周波回路図である。

【符号の説明】

９ 高周波回路 ３１１ 第1の入力端子 ３１２ 第1の出力端子 ３１３ 第２の出力端子 ３１４ 第1の共通端子 ３１ スイッチ部 ３１５ スイッチ素子 ３１６〜３１９ コンデンサ ２１ 第1のダイプレクサ ２２ 第２のダイプレクサ ２１１ 第２の共通端子 ２１２ 第２の入力端子 ２１３ 第３の入力端子 ２２１ 第３の共通端子 ２２４ 第３の出力端子 ２２３ 第４の出力端子 ６１ ローパスフィルタ ;

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第1の共通端子と第１の入力端子と第1の
   出力端子と第２の出力端子とを有し、前記第1の入力端
   子、前記第１の出力端子および前記第２の出力端子のい
   ずれか１つの端子が、前記第1の共通端子に切換接続さ
   れるスイッチ部と、第２の共通端子と第２の入力端子と
   第３の入力端子とを有する第1のダイプレクサと、第３
   の共通端子と第３の出力端子と第4の出力端子とを有す
   る第２のダイプレクサとを備えてなり、前記第１の入力
   端子が前記第２の共通端子に接続され、前記第２の出力
   端子が前記第３の共通端子に接続されていることを特徴
   とする高周波回路。
2. 【請求項２】 前記第1の入力端子と前記第２の共通端
   子との間にフィルタが接続されていることを特徴とす
   る、請求項１に記載の高周波回路。
3. 【請求項３】 前記スイッチ部はGａＡｓ半導体素子を
   含むスイッチ素子とコンデンサとからなることを特徴と
   する、請求項１および２のいずれか１項に記載の高周波
   回路。
4. 【請求項４】 複数の誘電体基板を積層してなる多層基
   板を有してなる複合高周波部品であって、第1の共通端
   子と第１の入力端子と第1の出力端子と第２の出力端子
   とを有し、第1の入力端子、第１の出力端子および第２
   の出力端子のいずれか１つの端子が、第1の共通端子に
   切換接続されるスイッチ部と、第２の共通端子と第２の
   入力端子と第３の入力端子とを有する第1のダイプレク
   サと、第３の共通端子と第３の出力端子と第4の出力端
   子とを有する第２のダイプレクサとからなり、前記第１
   の入力端子が前記第２の共通端子に接続され、前記第２
   の出力端子が前記第３の共通端子に接続され、前記スイ
   ッチ部は、GａＡｓ半導体素子を含むスイッチ素子とコ
   ンデンサとからなり、前記スイッチ素子は前記多層基板
   上に搭載され、前記第１のダイプレクサおよび第２のダ
   イプレクサが前記多層基板の内部に形成されていること
   を特徴とする複合高周波部品。
5. 【請求項５】 前記第1の入力端子と前記第２の共通端
   子との間にフィルタが接続され、該フィルタは前記多層
   基板の内部に形成されていることを特徴とする請求項４
   に記載の複合高周波部品。
6. 【請求項６】前記スイッチ部を構成するコンデンサが多
   層基板上にチップ部品として搭載されていることを特徴
   とする請求項４もしくは５に記載の複合高周波部品。
7. 【請求項７】 請求項１及至３のいずれか１項に記載の
   高周波回路を用いたことを特徴とする通信装置。
8. 【請求項８】 請求項４及至６のいずれか１項に記載の
   複合高周波部品を用いたことを特徴とする通信装置。