JP2003107455A - Liquid crystal display device and its manufacturing method - Google Patents

Liquid crystal display device and its manufacturing method

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JP2003107455A
JP2003107455A JP2001298911A JP2001298911A JP2003107455A JP 2003107455 A JP2003107455 A JP 2003107455A JP 2001298911 A JP2001298911 A JP 2001298911A JP 2001298911 A JP2001298911 A JP 2001298911A JP 2003107455 A JP2003107455 A JP 2003107455A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device with enhanced reliability of its reflection electrode, brightness, and manufacturing yield. SOLUTION: In the liquid crystal display device which has a couple of transparent substrates placed opposite to each other with a liquid crystal layer inbetween, and on one of the substrates, a plurality of scanning wires, a plurality of signal wires crossing the scanning wires, and thin film transistors in the vicinity of each crossing are provided, which has a protection film formed to cover the thin film transistors and the signal wires, and a pixel electrode formed by being connected to the source electrodes of the thin film transistors thereon and in which the pixel electrode is made of a material with a high light reflection efficiency with respect to an incident light from the surface, linear minute recessed parts or projections regularly laid out and recessed parts or projections irregularly laid out over the linear recessed parts or projections, are formed in a protection film under the pixel electrode.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に反射電極を有する薄膜トランジスタ(TFT)
方式等のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその
製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a thin film transistor (TFT) having a reflective electrode.
The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device such as a display system and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置はバックライトからの光の
透過と遮断を液晶パネルで切り替えることにより画像の
表示を行う透過型液晶表示装置と周囲から入射する光を
反射して利用する反射型液晶表示装置とがある。
2. Description of the Related Art A liquid crystal display device is a transmissive liquid crystal display device that displays an image by switching transmission and blocking of light from a backlight by a liquid crystal panel and a reflective liquid crystal device that reflects and uses light incident from the surroundings. There is a display device.

【0003】透過型液晶表示装置はバックライトの消費
電力が大きく、また外光により視認性を低下する欠点を
有することから、屋外で主に使用する携帯情報端末用表
示装置としては最善ではない。
Since the transmissive liquid crystal display device has the drawback that the power consumption of the backlight is large and the visibility is deteriorated by external light, it is not the best as a display device for a portable information terminal mainly used outdoors.

【0004】一方反射型液晶表示装置は低消費電力であ
りかつ薄型軽量の特徴を持つことから携帯情報端末用表
示装置に広く利用されている。
On the other hand, the reflection type liquid crystal display device is widely used as a display device for portable information terminals because it has low power consumption and is thin and lightweight.

【0005】反射型液晶表示装置の反射電極表面には明
るさとコントラストを向上させるために微細な凹凸を不
規則に形成して外光の反射効率を高めるように構成され
ており、その技術は例えば特開平6−75238に開示
されている。
In order to improve brightness and contrast, minute irregularities are irregularly formed on the surface of the reflective electrode of the reflective liquid crystal display device so as to enhance the reflection efficiency of external light. It is disclosed in JP-A-6-75238.

【0006】前記の微細な凹凸は形状制御のしやすさか
ら反射電極下の樹脂で形成している。
The fine irregularities are formed of resin under the reflective electrode for ease of shape control.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら樹脂と金
属の密着性は弱く、部分的に反射電極が樹脂から剥がれ
反射効率低下の問題を生じさせる。
However, the adhesion between the resin and the metal is weak, and the reflective electrode is partially peeled off from the resin, which causes a problem of reduction in reflection efficiency.

【0008】凹凸の密度を増やすことにより樹脂と金属
の密着性の改善が見込めるが、入射光の散乱特性をよく
するために凹凸を不規則に配置させなければならない制
限があり密着性の強化に不充分である。
It is expected that the adhesiveness between the resin and the metal will be improved by increasing the density of the irregularities, but there is a limitation that irregularities should be arranged irregularly in order to improve the scattering characteristics of the incident light, and the adhesion is enhanced. Not enough.

【0009】本発明の目的は上記従来技術の問題を解消
し、反射画素電極部における樹脂と金属の密着が強く、
かつ外光を映りこみなく反射させる電極を用いた液晶表
示装置とその製造方法を提供することにある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and the resin and metal are strongly adhered to each other in the reflective pixel electrode portion,
Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device using an electrode that reflects external light without being reflected, and a manufacturing method thereof.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本願が提供する課題を解
決するための手段の代表的なものは次のようになる。
The typical means for solving the problems provided by the present application are as follows.

【0011】(手段1)透明基板と、液晶層を挟んで前
記透明基板と対向配置される他方の基板を有し、前記他
方の基板上に複数の走査配線と、該走査配線と交差する
方向に配線された複数の信号配線と、その各交差部近傍
に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジス
タおよび前記信号配線を覆うように形成された保護膜
と、前記保護膜上部に形成され前記薄膜トランジスタの
ソース電極に電気的に接続された画素電極を有し前記画
素電極が光反射性を有する材料から形成されている液晶
表示装置において、前記保護膜の前記画素電極の下部の
領域に、複数の細い線状の凹部または凸部が形成された
第1の領域と、前記第1の領域間に配置され凹部または凸
部が形成された第2の領域を有し、前記第1の領域での細
い線状の凹部または凸部の幅はほぼ規則的であり、前記
第2の領域の幅は前記規則的な幅より大きくする。
(Means 1) A transparent substrate and another substrate which is arranged to face the transparent substrate with a liquid crystal layer interposed therebetween, and a plurality of scanning wirings on the other substrate and a direction intersecting the scanning wirings. A plurality of signal wirings wired to each other, a thin film transistor provided near each intersection thereof, a protective film formed to cover the thin film transistor and the signal wiring, and a source of the thin film transistor formed on the protective film. In a liquid crystal display device having a pixel electrode electrically connected to an electrode, the pixel electrode being formed of a material having light reflectivity, a plurality of thin lines are formed in a region of the protective film below the pixel electrode. -Shaped recesses or protrusions are formed in the first region, and a second region is formed between the first region is formed in the recesses or protrusions, a thin line in the first region Concave or convex The width is almost regular, the width of the second region is larger than the regular width.

【0012】(手段2)透明基板と、液晶層を挟んで前
記透明基板と対向配置される他方の基板を有し、前記他
方の基板上に複数の走査配線と、該走査配線と交差する
方向に配線された複数の信号配線と、その各交差部近傍
に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジス
タおよび前記信号配線を覆うように形成された保護膜
と、前記保護膜上部に形成され前記薄膜トランジスタの
ソース電極に電気的に接続された画素電極を有し前記画
素電極が光反射性を有する材料から形成されている液晶
表示装置において、前記保護膜の前記画素電極の下部の
領域に、複数の細い線状の凹部または凸部が形成された
第1の領域と、前記第1の領域間にまたがり凹部または凸
部が形成された第2の領域を有し、前記第1の領域での細
い線状の凹部または凸部の幅はほぼ規則的であり、前記
第2の領域を不規則に配置する。
(Means 2) A transparent substrate and another substrate which is arranged to face the transparent substrate with a liquid crystal layer interposed therebetween, and a plurality of scanning wirings on the other substrate, and a direction intersecting the scanning wirings. A plurality of signal wirings wired to each other, a thin film transistor provided near each intersection thereof, a protective film formed to cover the thin film transistor and the signal wiring, and a source of the thin film transistor formed on the protective film. In a liquid crystal display device having a pixel electrode electrically connected to an electrode, the pixel electrode being formed of a material having light reflectivity, a plurality of thin lines are formed in a region of the protective film below the pixel electrode. Area having a concave or convex shape and a second area having a concave or convex portion extending between the first areas, and a thin linear shape in the first area. Concave or convex The width of the parts is approximately regular and the second regions are arranged irregularly.

【0013】(手段3)透明基板と、液晶層を挟んで前
記透明基板と対向配置される他方の基板を有し、前記他
方の基板上に複数の走査配線と、該走査配線と交差する
方向に配線された複数の信号配線と、その各交差部近傍
に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジス
タおよび前記信号配線を覆うように形成された保護膜
と、前記保護膜上部に形成され前記薄膜トランジスタの
ソース電極にコンタクトホールを介して電気的に接続さ
れた画素電極をする液晶表示装置において、前記コンタ
クトホールの少なくとも一部を平面的に見て波型形状と
する。
(Means 3) A transparent substrate and another substrate which is arranged to face the transparent substrate with a liquid crystal layer interposed therebetween, and a plurality of scanning wirings on the other substrate and a direction intersecting the scanning wirings. A plurality of signal wirings wired to each other, a thin film transistor provided near each intersection thereof, a protective film formed to cover the thin film transistor and the signal wiring, and a source of the thin film transistor formed on the protective film. In a liquid crystal display device having a pixel electrode electrically connected to an electrode through a contact hole, at least a part of the contact hole has a wavy shape when seen in a plan view.

【0014】さらに、手段3において前記保護膜の前記
画素電極の下部の領域にほぼ規則的に配置された複数の
線状の凹部または凸部を有し、前記波型形状は前記複数
の線状の凹部または凸部とほぼ同様の規則性を有するよ
う構成する。
Further, the means 3 has a plurality of linear concave portions or convex portions substantially regularly arranged in a region of the protective film below the pixel electrode, and the corrugated shape has a plurality of linear shapes. It has a regularity similar to that of the concave portion or the convex portion.

【0015】さらに、手段3あるいは4において前記波
形形状は前記ほぼ規則的に配置された複数の線状の凹部
または凸部の延長線上または隣接したところに形成す
る。
Further, in the means 3 or 4, the corrugated shape is formed on or adjacent to an extension line of the plurality of linear recesses or projections which are substantially regularly arranged.

【0016】さらに、手段1ないし5において前記ほぼ
規則的に配置された線状の凹部または凸部の間隔は50
%以内の誤差となるよう配置する。
Further, in the means 1 to 5, the spacing between the substantially regularly arranged linear concave portions or convex portions is 50.
Arrange so that the error is within%.

【0017】さらに、手段1ないし5において前記ほぼ
規則的に配置された線状の凹部または凸部の間隔は10
%以内の誤差となるよう配置する。
Further, in the means 1 to 5, the interval between the linear concaves or convexes arranged substantially regularly is 10
Arrange so that the error is within%.

【0018】さらに、手段1ないし5において前記ほぼ
規則的に配置された線状の凹部または凸部の周期が1μ
m〜6μmとなるよう配置する。
Further, in the means 1 to 5, the period of the linear recesses or protrusions arranged substantially regularly is 1 μm.
It is arranged so as to be from m to 6 μm.

【0019】さらに、手段1ないし5において前記ほぼ
規則的に配置された前記凹部の深さまたは前記凸部の高
さが0.001μm〜1μmとなるよう配置する。
Further, the means 1 to 5 are arranged such that the depth of the concave portions or the height of the convex portions which are substantially regularly arranged is 0.001 μm to 1 μm.

【0020】(手段4)感光性樹脂を塗布し、線状の遮
光パタンと線状の開口パタンを規則的に配置させたマス
クを使用して前記樹脂を露光する工程と、ドットまたは
帯状の遮光パタンを不規則に配置させたマスクを使用し
て前記樹脂を露光する工程とがあり、前記樹脂をアルカ
リ液により現像してパターンを形成する。
(Means 4) A step of applying a photosensitive resin and exposing the resin using a mask in which linear light-shielding patterns and linear opening patterns are regularly arranged, and dot- or band-shaped light-shielding There is a step of exposing the resin using a mask in which patterns are irregularly arranged, and the resin is developed with an alkaline solution to form a pattern.

【0021】(手段5)感光性樹脂を塗布し、規則的に
配置された線状の遮光パタンおよび線状の開口パタンと
不規則に配置されたドットまたは帯状の遮光パタンを有
するマスクを使用して前記樹脂を露光し、その後前記樹
脂をアルカリ液により現像してパターンを形成する。
(Means 5) A photosensitive resin is applied, and a mask having regularly arranged linear light-shielding patterns and linear opening patterns and irregularly arranged dots or strip-shaped light-shielding patterns is used. To expose the resin, and then develop the resin with an alkaline solution to form a pattern.

【0022】本発明によれば画素電極と保護膜の密着強
度を向上し、信頼性が高く、反射率の高い液晶表示装置
を実現できる。また規則性部と不規則性部を併せ持つこ
とにより、さらに外光を映りこみなく反射させる電極を
有する液晶表示装置を実現できる。
According to the present invention, it is possible to improve the adhesion strength between the pixel electrode and the protective film, realize a liquid crystal display device having high reliability and high reflectance. Further, by having both the regular portion and the irregular portion, it is possible to realize a liquid crystal display device having an electrode that further reflects external light without being reflected.

【0023】またコンタクトホール部を波型としたこと
により仮に応力でコンタクトホールの一辺に剥がれ応力
が生じてもそれが辺全体に波及することを防止できるた
め、接続不良となる率を大幅に低減でき、高い信頼性を
有する液晶表示装置を実現できる。
Further, since the contact hole portion has a corrugated shape, even if peeling stress occurs on one side of the contact hole due to stress, it is possible to prevent the stress from spreading to the entire side, so that the rate of connection failure is greatly reduced. Thus, a liquid crystal display device having high reliability can be realized.

【0024】本発明のさらなる手段に関しては以下の説
明において明らかとなるであろう。
Further means of the invention will be apparent in the following description.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下本発明による液晶表示装置及
びその製造方法の実施例を図面を用いて説明する。 (実施例1)図1は本発明による液晶表示装置の一実施
例を示す全体等価回路図である。同図は等価回路である
が、実際の幾何学的配置に対応させて描いている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described below with reference to the drawings. (Embodiment 1) FIG. 1 is an overall equivalent circuit diagram showing one embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention. Although the figure is an equivalent circuit, it is drawn corresponding to the actual geometrical arrangement.

【0026】図1において、液晶を介して互いに対向配
置される一対の透明基板SUB1、SUB2があり、該
液晶は一方の透明基板SUB1に対する他方の透明基板
SUB2の固定を兼ねるシール材SEによって封入され
ている。
In FIG. 1, there is a pair of transparent substrates SUB1 and SUB2 arranged to face each other with a liquid crystal interposed therebetween, and the liquid crystal is enclosed by a seal material SE which also fixes one transparent substrate SUB1 to the other transparent substrate SUB2. ing.

【0027】シール材SEによって囲まれた前記一方の
透明基板SUB1の液晶側の面には、そのX方向に延在
しY方向に併設されたゲート信号線GLとY方向に延在
しX方向に併設されたドレイン信号線DLとが形成され
ている。
On the liquid crystal side surface of the one transparent substrate SUB1 surrounded by the sealing material SE, the gate signal line GL extending in the X direction and provided in the Y direction and the X direction extending in the Y direction. And a drain signal line DL attached to the.

【0028】各ゲート信号線GLと各ドレイン信号線D
Lとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部A
Rを構成するようになっている。
Each gate signal line GL and each drain signal line D
The region surrounded by L and L constitutes a pixel region, and the matrix-shaped aggregate of these pixel regions is the liquid crystal display unit A.
It constitutes R.

【0029】各画素領域には、その片側のゲート信号線
GLからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タTFTと、この薄膜トランジスタTFTを介して片側
のドレイン信号線DLからの映像信号が供給される画素
電極PX1が形成されている。
Each pixel region is provided with a thin film transistor TFT operated by a scanning signal from the gate signal line GL on one side and a pixel electrode to which a video signal from the drain signal line DL on one side is supplied via the thin film transistor TFT. PX1 is formed.

【0030】この画素電極PX1は、透明基板SUB2
上に形成された対向透明電極PX2との間に電界を発生
させ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるよ
うになっている。
This pixel electrode PX1 is a transparent substrate SUB2.
An electric field is generated between the counter transparent electrode PX2 formed above and the light transmittance of the liquid crystal is controlled by this electric field.

【0031】前記ゲート信号線GLのそれぞれの一端は
前記シール材SEを超えて延在され、その延在端は垂直
信号駆動回路Vの出力端子が接続されている端子を構成
するようになっている。
One end of each of the gate signal lines GL extends beyond the sealing material SE, and the extended end constitutes a terminal to which the output terminal of the vertical signal drive circuit V is connected. There is.

【0032】また、前記垂直走査駆動回路Vの入力端子
は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板から
の信号が入力されるようになっている。
Further, a signal from a printed circuit board arranged outside the liquid crystal display panel is inputted to an input terminal of the vertical scanning drive circuit V.

【0033】垂直走査駆動回路Vは複数個の半導体装置
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線GLどう
しがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導
体装置があてがわれるようになっている。
The vertical scanning drive circuit V comprises a plurality of semiconductor devices, a plurality of gate signal lines GL adjacent to each other are grouped, and one semiconductor device is assigned to each group. .

【0034】同様に、前記ドレイン信号線DLのそれぞ
れの一端は前記シール材SEを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Heの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。
Similarly, one end of each of the drain signal lines DL extends beyond the sealing material SE, and the extended end constitutes a terminal to which the output terminal of the video signal driving circuit He is connected. Has become.

【0035】また、映像信号駆動回路Heの入力端子は
液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板からの
信号が入力されるようになっている。
The input terminal of the video signal drive circuit He is adapted to receive a signal from a printed circuit board arranged outside the liquid crystal display panel.

【0036】この映像信号駆動回路Heも複数個の半導
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
DLどうしがグループ化され、これら各グループ毎に一
個の半導体装置があてがわれるようになっている。
The video signal driving circuit He is also composed of a plurality of semiconductor devices, and a plurality of drain signal lines DL adjacent to each other are grouped, and one semiconductor device is assigned to each group. There is.

【0037】前記各ゲート信号線GLは、垂直走査回路
Vからの走査信号によって、その一つが順次選択される
ようになっている。
One of the gate signal lines GL is sequentially selected by the scanning signal from the vertical scanning circuit V.

【0038】また、前記各ドレイン信号線DLのそれぞ
れには、映像信号駆動回路Heによって、前記ゲート信
号線GLの選択のタイミングにあわせて映像信号が供給
されるようになっている。
A video signal is supplied to each of the drain signal lines DL by a video signal drive circuit He at the timing of selecting the gate signal line GL.

【0039】図2は、前記画素領域における構成を示し
た平面図(画素電極PX1表面の凹凸は図示していな
い)で、同図のA−A線における断面図を図3、B−B
線における断面図を図4に示している。
FIG. 2 is a plan view showing the structure in the pixel region (the unevenness on the surface of the pixel electrode PX1 is not shown), and FIG. 3 and BB are sectional views taken along line AA of FIG.
A cross-sectional view taken along the line is shown in FIG.

【0040】図3における領域RE1及び図4における
領域RE2の断面構造は、図2に示した領域RE内であ
れば同様の断面構造が得られ、図2に示したA−A線ま
たはB―B線における断面図に限るものではない。
As for the sectional structure of the region RE1 in FIG. 3 and the region RE2 in FIG. 4, the same sectional structure can be obtained as long as it is within the region RE shown in FIG. 2, and the line A--A or B-- shown in FIG. The sectional view is not limited to the line B.

【0041】透明基板SUB1の液晶側の面に、まずX
方向に延在しY方向に併設される一対(一方は図示せ
ず)のゲート信号線GLが形成されている。
On the surface of the transparent substrate SUB1 on the liquid crystal side, first, X
A pair of gate signal lines GL (one of which is not shown) extending in the Y direction and arranged side by side in the Y direction is formed.

【0042】これらゲート信号線GLは後述の一対(一
方は図示せず)のドレイン信号線とともに矩形状の領域
を囲むようになっており、この領域を画素領域として構
成するようになっている。
These gate signal lines GL surround a rectangular area together with a pair of drain signal lines (one of which is not shown) described later, and this area is configured as a pixel area.

【0043】このようにゲート信号線GLが形成された
透明基板のSUB表面には例えばSiNからなる絶縁膜
GIが該ゲート信号線GLを覆って形成されている。
An insulating film GI made of, for example, SiN is formed on the SUB surface of the transparent substrate on which the gate signal line GL is formed in such a manner as to cover the gate signal line GL.

【0044】この絶縁膜GIは、後述のドレイン信号線
DLの形成領域においては前記ゲート信号線GLに対す
る層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタ
TFTの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての
機能を、後述の容量素子Caddの形成領域においてはそ
の誘電体としての機能を有するようになっている。
The insulating film GI functions as an interlayer insulating film for the gate signal line GL in the formation region of the drain signal line DL described later, and functions as a gate insulation film in the formation region of the thin film transistor TFT described later. In the formation area of the capacitive element Cadd, which will be described later, the piezoelectric element functions as a dielectric.

【0045】そして、この絶縁膜GIの表面であって、
前記ゲート信号線GLの一部に重畳するようにして例え
ばアモルファスSiからなる半導体層ASが形成されて
いる。
On the surface of this insulating film GI,
A semiconductor layer AS made of, for example, amorphous Si is formed so as to overlap a part of the gate signal line GL.

【0046】また、前記半導体層ASは、多結晶Siで
あってもよい。
The semiconductor layer AS may be polycrystalline Si.

【0047】この半導体層ASは、薄膜トランジスタT
FTのそれであって、その上面にドレイン電極SD1及
びソース電極SD2を形成することにより、ゲート信号
線GLの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のMIS
型トランジスタを構成することができる。
This semiconductor layer AS is a thin film transistor T.
By forming the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 on the upper surface of the FT, the MIS having the inverted stagger structure in which a part of the gate signal line GL is used as the gate electrode.
Type transistors can be constructed.

【0048】ここで、前記ドレイン電極SD1及びソー
ス電極SD2はドレイン信号線DLの形成の際に同時に
形成されるようになっている。
Here, the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 are formed at the same time when the drain signal line DL is formed.

【0049】すなわち、Y方向に延在されるドレイン信
号線が形成され、その一部が前記半導体層ASの上面に
まで延在されてドレイン電極SD1が形成され、また、
このドレイン電極SD1と薄膜トランジスタTFTのチ
ャネル長分だけ離間されてソース電極SD2が形成され
ている。
That is, a drain signal line extending in the Y direction is formed, a part of which extends to the upper surface of the semiconductor layer AS to form the drain electrode SD1.
A source electrode SD2 is formed apart from the drain electrode SD1 by the channel length of the thin film transistor TFT.

【0050】このソース電極SD2は半導体層AS面か
ら画素領域側の絶縁膜GIの上面に至るまで若干延在さ
れ、後述の画素電極PXとの接続を図るためのコンタク
ト部が形成されている。
The source electrode SD2 slightly extends from the surface of the semiconductor layer AS to the upper surface of the insulating film GI on the pixel region side, and a contact portion for connecting to a pixel electrode PX described later is formed.

【0051】なお、半導体層ASとドレイン電極SD1
及びソース電極SD2との界面には高濃度の不純物がド
ープされた薄い層が形成され、この層はコンタクト層と
して機能するようになっている。
The semiconductor layer AS and the drain electrode SD1
A thin layer doped with a high concentration of impurities is formed at the interface with the source electrode SD2, and this layer functions as a contact layer.

【0052】このコンタクト層は、例えば半導体AS層
の形成時に、その表面にすでに高濃度の不純物層が形成
されており、その上面に形成したドレイン電極SD1及
びソース電極SD2のパターンをマスクとしてそれから
露出された前記不純物をエッチングすることによって形
成することができる。
A high-concentration impurity layer is already formed on the surface of the contact layer when the semiconductor AS layer is formed, and the contact layer is exposed by using the pattern of the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 formed on the upper surface as a mask. It can be formed by etching the formed impurities.

【0053】このように薄膜トランジスタTFT、ドレ
イン信号線DL、ドレイン電極SD1、及びソース電極
SD2が形成された透明基板の表面には保護膜PCが形
成されている。
As described above, the protective film PC is formed on the surface of the transparent substrate on which the thin film transistor TFT, the drain signal line DL, the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 are formed.

【0054】この場合保護膜PCは、薄膜トランジスタ
TFTの液晶LCとの直接の接触を回避させて該薄膜ト
ランジスタTFTの特性劣化を防止する役割を果たして
いる。
In this case, the protective film PC plays a role of avoiding direct contact of the thin film transistor TFT with the liquid crystal LC and preventing characteristic deterioration of the thin film transistor TFT.

【0055】更に、薄膜トランジスタTFTの半導体層
ASと前記保護膜PCの間に窒化シリコン(SiNx)
からなる無機絶縁膜を形成することにより、薄膜トラン
ジスタTFTの特性劣化防止の信頼性を向上させること
ができる。
Further, silicon nitride (SiNx) is provided between the semiconductor layer AS of the thin film transistor TFT and the protective film PC.
By forming the inorganic insulating film made of, it is possible to improve the reliability of preventing the characteristic deterioration of the thin film transistor TFT.

【0056】また、保護膜PCは、後述する画素電極P
X1の下地であり、前記画素電極PX1の表面の凹凸を
形成する層となる。
Further, the protective film PC is a pixel electrode P which will be described later.
It is a base of X1 and serves as a layer for forming irregularities on the surface of the pixel electrode PX1.

【0057】また、本発明では、保護膜PCにポジ型の
感光性高分子樹脂を用いているが、ネガ型の感光性高分
子樹脂を用いても凹凸を形成することができる。
Further, in the present invention, the positive type photosensitive polymer resin is used for the protective film PC, but the unevenness can be formed also by using the negative type photosensitive polymer resin.

【0058】図5は、本発明で使用した保護膜PC表面
に凹凸を形成するためのマスク平面図で、同図のC−C
線における断面図を図6、同図のD−D線における断面
図を図7に示している。
FIG. 5 is a plan view of a mask for forming irregularities on the surface of the protective film PC used in the present invention.
6 is a sectional view taken along the line D and FIG. 7 is a sectional view taken along the line D-D in FIG.

【0059】図6における領域RE3及び図7における
領域RE4の断面構造は、図5に示した遮光パタンSH
3で囲まれた領域内であれば同様の断面構造が得られ、
図5に示したC−C線またはD―D線における断面図に
限るものではない。
The cross-sectional structure of the region RE3 in FIG. 6 and the region RE4 in FIG. 7 is the same as the light-shielding pattern SH shown in FIG.
A similar cross-sectional structure can be obtained within the region surrounded by 3.
The sectional view is not limited to the line CC or the line DD shown in FIG.

【0060】図6において、遮光パタンSHはマスク基
板QU上に光透過率が低い材料、例えばクロム(Cr)
で形成されている。開口パタンKA1及び開口パタンC
HXは、マスク基板QU上にクロムがない箇所を表して
いる。
In FIG. 6, the light shielding pattern SH is formed on the mask substrate QU with a material having a low light transmittance, such as chromium (Cr).
Is formed by. Opening pattern KA1 and opening pattern C
HX represents a portion where there is no chrome on the mask substrate QU.

【0061】マスクのある領域RE3では、線状の遮光
パタンSH1の幅W1と線状の開口パタンKA1の幅D
1の和LXの周期で規則的に配置されている。
In the masked area RE3, the width W1 of the linear light-shielding pattern SH1 and the width D of the linear opening pattern KA1.
They are regularly arranged in the cycle of the sum LX of 1.

【0062】また、本実施例では、前記LXを2μmと
している。
Further, in this embodiment, the LX is set to 2 μm.

【0063】一方、図7において、マスク基板QU上に
形成された遮光パタンSH2は、マスクのある領域RE
4では不規則的に配置されている。
On the other hand, in FIG. 7, the light-shielding pattern SH2 formed on the mask substrate QU is a masked region RE.
In No. 4, they are arranged irregularly.

【0064】この場合の遮光パタンSH2は、平面的に
みて円形が好ましいが、四角形あるいは八角形といった
多角形でもよい。
The light-shielding pattern SH2 in this case is preferably circular in plan view, but may be polygonal such as quadrangle or octagon.

【0065】また、マスク基板QU上に形成された開口
パタンCHXは、後述する画素電極PX1と薄膜トラン
ジスタTFTのソース電極SD2を電気的に接続するコ
ンタクトホールCHを形成するためのパタンである。図
中において、理解をしやすくするために、開口パタンC
HXはハッチングされているが、開口パタンKA1同様
に光が透過する領域である。
The opening pattern CHX formed on the mask substrate QU is a pattern for forming a contact hole CH that electrically connects the pixel electrode PX1 and the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT described later. In the figure, in order to facilitate understanding, the opening pattern C
Although HX is hatched, it is a region through which light is transmitted like the opening pattern KA1.

【0066】上記のようなマスクを透過させ保護膜PC
に照射した光の露光量は、開口パタンCHXの箇所では
200mJ/cm2とし、開口パタンKA1の箇所では光
の干渉と回折を利用し40mJ/cmとしている。
A protective film PC which allows the mask as described above to pass therethrough.
Exposure of light irradiated to, in place of the opening pattern CHX and 200 mJ / cm 2, is set to 40 mJ / cm 2 by using interference and diffraction of light at the location of the opening pattern KA1.

【0067】上記のように露光した後、アルカリ液によ
り現像して保護膜PCにパターンを形成している。
After the exposure as described above, the pattern is formed on the protective film PC by developing with an alkaline solution.

【0068】また、必要に応じて、続いて保護膜PCの
焼成処理をしてもよい。
If necessary, the protective film PC may be subsequently baked.

【0069】このように保護膜PCが形成された透明基
板のSUB1表面には例えばアルミニウム(Al)から
なる画素電極PX1が該保護膜PC上に形成されてい
る。
A pixel electrode PX1 made of, for example, aluminum (Al) is formed on the surface of SUB1 of the transparent substrate on which the protective film PC is thus formed.

【0070】画素電極PX1は、入射光に対して光反射
効率の高い材料であればよく、モリブデン(Mo)、チ
タン(Ti)、タンタル(Ta)、タングステン
(W)、クロム(Cr)、銀(Ag)のような金属を使
用してもよい。
The pixel electrode PX1 may be made of any material having high light reflection efficiency with respect to incident light, such as molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), tungsten (W), chromium (Cr), silver. A metal such as (Ag) may be used.

【0071】図示していないが、アクティブマトリクス
基板の液晶LCと接する面(界面)には、液晶分子を初
期配向させるための配向膜が成膜されている。
Although not shown, an alignment film for initial alignment of liquid crystal molecules is formed on the surface (interface) in contact with the liquid crystal LC of the active matrix substrate.

【0072】上記のようにして形成して得られたSUB
1上の表面には、領域RE1では周期Lで規則的に配置
された凹凸CO1が形成され、また、領域RE2では不
規則に配置された凹凸CO2が形成される。
SUB obtained by forming as described above
On the surface on 1, the irregularities CO1 regularly arranged in the period L are formed in the region RE1, and the irregularities CO2 irregularly arranged in the region RE2 are formed.

【0073】前記凹凸CO1の凹凸高さは、0.001
μm〜1μmであればよく、本実施例では0.4μmと
している。
The unevenness height of the unevenness CO1 is 0.001.
It suffices if it is from 1 μm to 1 μm, and in this embodiment, it is 0.4 μm.

【0074】前記凹凸CO1は、周期Lで規則的に形成
されており、本実施例では2μmとしている。
The concavities and convexities CO1 are regularly formed with a cycle L, and in this embodiment, they are 2 μm.

【0075】一方、不規則に配置された凹凸CO2の平
均の高さは、図2の領域REにおいて、0.1〜2μm
の範囲であれば入射光を散乱させることができ、本実施
例では0.7μmとしている。
On the other hand, the average height of the irregularly arranged irregularities CO2 is 0.1 to 2 μm in the area RE of FIG.
The incident light can be scattered within this range, and is set to 0.7 μm in this embodiment.

【0076】また、隣接する前記凹凸CO2の頂点間の
平均的な間隔は、10μmから30μmであればよく、
本実施例では15μmとした。
The average distance between the vertices of the adjacent irregularities CO2 may be 10 μm to 30 μm,
In this embodiment, the thickness is 15 μm.

【0077】図14は、図2のコンタクトホールCHの
近傍の領域Eの拡大図である。
FIG. 14 is an enlarged view of a region E near the contact hole CH in FIG.

【0078】本実施例におけるコンタクトホールCHは
四角形の形状で、厳密には角が丸くなった形状である。
In the present embodiment, the contact hole CH has a quadrangular shape, and strictly has a shape with rounded corners.

【0079】前記コンタクトホールCHは上述のような
形状に限るものではなく、円形あるいは楕円形であって
もよい。
The contact hole CH is not limited to the above-mentioned shape, but may be circular or elliptical.

【0080】画素電極PX1と保護膜PCの密着は、保
護膜PC表面の規則的な凹凸CO1の存在により表面積
が増大し、アンカー効果によって強化される。
The close contact between the pixel electrode PX1 and the protective film PC is strengthened by the anchor effect because the surface area is increased due to the presence of regular irregularities CO1 on the surface of the protective film PC.

【0081】図8は画素電極PX1と保護膜PCの密着
強度を示した図である。同図の横軸に示した不規則に配
置された凹凸の密度は、凸部の頂点の個数を画素面積で
除した値を示すもので、例えば、画素面積16000μ
の中に不規則に配置された凸部の頂点が160個あ
る場合では、0、01個/μmとなる。実用範囲にお
ける不規則に配置された凹凸の密度は、入射光の拡散性
を考慮し、0.005個/μmから0.015個/μm
である。従って、規則的な凹凸CO1を有する本発明
構造は、実用範囲において従来構造よりも画素電極PX
1と保護膜PCの密着強度が強くなっていることを示し
ている。
FIG. 8 is a diagram showing the adhesion strength between the pixel electrode PX1 and the protective film PC. The density of irregularly arranged irregularities shown on the horizontal axis of the figure indicates a value obtained by dividing the number of vertices of the convex portion by the pixel area. For example, the pixel area is 16000 μ.
In the case where there are 160 vertices of irregularly arranged convex portions in m 2, the number is 0,01 / μm 2 . The density of irregularly arranged irregularities in the practical range is 0.005 pieces / μm 2 to 0.015 pieces / μm in consideration of the diffusibility of incident light.
It is 2 . Therefore, the structure of the present invention having the regular concavities and convexities CO1 has a pixel electrode PX in the practical range as compared with the conventional structure.
1 indicates that the adhesion strength between the protective film PC and the protective film PC is stronger.

【0082】また、不規則に配置された凹凸CO2が存
在するため、外光の反射効率は高い。 (実施例2)実施例2は、実施例1よりもコンタクトホ
ールCHにおける画素電極PX1と保護膜PCの密着強
度を強くしたものである。
Further, since the irregularly arranged irregularities CO2 are present, the reflection efficiency of external light is high. (Example 2) In Example 2, the adhesion strength between the pixel electrode PX1 and the protective film PC in the contact hole CH is made stronger than in Example 1.

【0083】図15は図2のコンタクトホールCHの近
傍の領域Eの拡大図を示している。
FIG. 15 is an enlarged view of a region E near the contact hole CH in FIG.

【0084】コンタクトホールCHの一部の領域に平面
的にみて波型形状が存在することにより、画素電極PX
1と保護膜PCの接する面積が増大し、アンカー効果に
よってコンタクトホールCHの画素電極PX1と保護膜
PCの密着が強くなる。
Since the wavy shape exists in a plan view in a partial region of the contact hole CH, the pixel electrode PX
The area where 1 and the protective film PC are in contact with each other is increased, and the anchor effect strengthens the adhesion between the pixel electrode PX1 in the contact hole CH and the protective film PC.

【0085】従って、画素電極PX1の剥離による反射
率の低下が防止される。
Therefore, it is possible to prevent a decrease in reflectance due to peeling of the pixel electrode PX1.

【0086】またコンタクトホールの平面的に見た周囲
長が増大する。これにより、周囲長の増大によりコンタ
クトホール部での断線確率を低減できるとともに、波型
としたことにより仮に応力でコンタクトホールの一辺に
剥がれ応力が生じてもそれが辺全体に波及することを防
止できるため、接続不良となる率を大幅に低減でき、高
い信頼性が実現できる。 (実施例3)実施例3は、実施例1よりもコンタクトホ
ールCHにおける画素電極PX1と保護膜PCの密着強
度を強くしたものである。
Further, the perimeter of the contact hole in plan view increases. This increases the perimeter and reduces the probability of wire breakage in the contact hole, and the corrugation prevents the contact hole from spreading to the entire side even if peeling stress occurs on one side of the contact hole. Therefore, the rate of connection failure can be significantly reduced, and high reliability can be realized. (Example 3) In Example 3, the adhesion strength between the pixel electrode PX1 and the protective film PC in the contact hole CH is made stronger than in Example 1.

【0087】図16、図17は図2のコンタクトホール
CHの近傍の領域Eの拡大図を示している。
16 and 17 are enlarged views of the region E near the contact hole CH in FIG.

【0088】コンタクトホールCHの領域に平面的にみ
て波型形状が存在することにより、画素電極PX1と保
護膜PCの接する面積が増大し、アンカー効果によって
コンタクトホールCHの画素電極PX1と保護膜PCの
密着が強くなる。
The presence of the wavy shape in a plan view in the region of the contact hole CH increases the contact area between the pixel electrode PX1 and the protective film PC, and the anchor effect causes the pixel electrode PX1 of the contact hole CH and the protective film PC to be in contact with each other. Will become tighter.

【0089】従って、画素電極PX1の剥離による反射
率の低下が防止される。
Therefore, the reduction of the reflectance due to the peeling of the pixel electrode PX1 is prevented.

【0090】またコンタクトホールの平面的に見た周囲
長が増大する。これにより、周囲長の増大によりコンタ
クトホール部での断線確率を低減できるとともに、波型
としたことにより仮に応力でコンタクトホールの一辺に
剥がれ応力が生じてもそれが辺全体に波及することを防
止できるため、接続不良となる率を大幅に低減でき、高
い信頼性が実現できる。 (実施例4)実施例4は実施例1よりも画素電極PX1
と保護膜PCの密着を強化し外光の反射効率を高める為
に、不規則に配置された凹凸上に線状の凹凸を規則的に
配置した形状を形成したものである。
Further, the perimeter of the contact hole in plan view increases. This increases the perimeter and reduces the probability of wire breakage in the contact hole, and the corrugation prevents the contact hole from spreading to the entire side even if peeling stress occurs on one side of the contact hole. Therefore, the rate of connection failure can be significantly reduced, and high reliability can be realized. (Embodiment 4) The embodiment 4 has a pixel electrode PX1 more than the embodiment 1.
In order to strengthen the adhesion of the protective film PC and enhance the reflection efficiency of external light, a shape in which linear irregularities are regularly arranged on the irregularly arranged irregularities is formed.

【0091】図9は図2のA−A線における断面図で、
図3に対応した図となっている。
FIG. 9 is a sectional view taken along line AA of FIG.
The diagram corresponds to FIG. 3.

【0092】図9のような表面形状を得るために、薄膜
トランジスタTFTのドレイン電極SD1、及びソース
電極SD2が形成された後に感光性樹脂からなる保護膜
PCを塗布し、後述する図11のマスクを利用し露光量
200mJ/cmで露光する工程と、後述する図12
のマスクを利用し露光量40mJ/cmで露光する工
程を経て、アルカリ液で現像する。
In order to obtain the surface shape as shown in FIG. 9, a protective film PC made of a photosensitive resin is applied after the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT are formed, and the mask of FIG. 11 described later is applied. And a step of performing exposure at an exposure dose of 200 mJ / cm 2 by using FIG.
The mask is used to expose at an exposure dose of 40 mJ / cm 2 , and then developed with an alkaline solution.

【0093】また、必要に応じて、続いて保護膜PCの
焼成処理をしてもよい。
If necessary, the protective film PC may be subsequently fired.

【0094】この場合図10のマスクと図11のマスク
の利用する順番を変えても、凹凸を形成することができ
る。
In this case, the unevenness can be formed by changing the order in which the mask of FIG. 10 and the mask of FIG. 11 are used.

【0095】図10及び図11は、本発明で使用した保
護膜PC表面に凹凸を形成するためのマスク平面図で、
図10のJ−J線における断面図を図12、図11のI
−I線における断面図を図13に示している。
FIG. 10 and FIG. 11 are plan views of a mask for forming irregularities on the surface of the protective film PC used in the present invention.
12 and 11 are cross-sectional views taken along line JJ of FIG.
A sectional view taken along the line -I is shown in FIG.

【0096】図12における領域RE6の断面構造は、
図10に示した遮光パタンSH3で囲まれた領域内であ
れば同様の断面構造が得られ、図10に示したJ−J線
における断面図に限るものではない。同様に、図13に
おける領域RE7の断面構造は、図11に示した遮光パ
タンSH6で囲まれた領域内であれば同様の断面構造が
得られ、図11に示したI−I線における断面図に限る
ものではない。
The cross sectional structure of the region RE6 in FIG.
The same cross-sectional structure can be obtained as long as it is within the region surrounded by the light-shielding pattern SH3 shown in FIG. 10, and the cross-sectional view taken along the line JJ shown in FIG. Similarly, the cross-sectional structure of the region RE7 in FIG. 13 is the same as that in the region surrounded by the light shielding pattern SH6 shown in FIG. 11, and the cross-sectional view taken along the line I-I shown in FIG. It is not limited to.

【0097】図12のマスクのある領域RE6には、線
状の遮光パタンSH4と開口パタンKA2があり、遮光
パタンSH4の幅WX1と開口パタンKA2の幅DX1
の和XXの周期で規則的に配置されている。
In the masked region RE6 of FIG. 12, there are a linear light-shielding pattern SH4 and an opening pattern KA2. The width WX1 of the light-shielding pattern SH4 and the width DX1 of the opening pattern KA2.
Are regularly arranged in the period of XX.

【0098】また、本実施例では、前記XXを2μmと
している。
Further, in this embodiment, XX is set to 2 μm.

【0099】一方、図11のマスクにおいて、QU上に
形成された遮光パタンSH5は、マスクのある領域RE
7では不規則に配置されている。
On the other hand, in the mask of FIG. 11, the light-shielding pattern SH5 formed on the QU is the masked region RE.
In No. 7, they are arranged irregularly.

【0100】この場合の遮光パタンSH5は、平面的に
見て円形が好ましいが、四角形あるいは八角形といった
多角形でもよい。
The light-shielding pattern SH5 in this case is preferably circular in plan view, but may be polygonal such as quadrangular or octagonal.

【0101】次に保護膜PCが形成された透明基板のS
UB1表面には例えばアルミニウム(Al)からなる画
素電極PX1が該保護膜PC上に形成されている。
Next, S of the transparent substrate on which the protective film PC is formed
A pixel electrode PX1 made of aluminum (Al), for example, is formed on the surface of the UB1 on the protective film PC.

【0102】また、図示していないが、アクティブマト
リクス基板の液晶LCと接する面(界面)には、液晶分
子を初期配向させるための配向膜が成膜されている。
Although not shown, an alignment film for initial alignment of liquid crystal molecules is formed on the surface (interface) of the active matrix substrate which is in contact with the liquid crystal LC.

【0103】上記のようにして形成して得られたSUB
1上の表面は、領域RE6において、図中太い点線で描
かれている不規則に配置された凹凸CO4上に線状の凹
凸CO3が周期Xで規則的に配置された形状となってい
る。
SUB obtained by forming as described above
In the region RE6, the surface on the top of No. 1 has a shape in which linear irregularities CO3 are regularly arranged in a cycle X on irregular irregularities CO4 drawn by a thick dotted line in the figure.

【0104】本実施例では、周期Xを2μmとしている
また、前記凹凸CO3の凹凸高さは、0.001μm〜
1μmであればよく、本実施例では0.001μm〜1
μmとしている。
In this embodiment, the cycle X is set to 2 μm, and the height of the unevenness of the unevenness CO3 is 0.001 μm.
1 μm is sufficient, and 0.001 μm to 1 in this embodiment.
μm.

【0105】一方、不規則に配置された凹凸CO4の平
均の高さは、図2の領域REにおいて、0.1〜2μm
の範囲であれば入射光を散乱させることができ、本実施
例では0.7μmとしている。
On the other hand, the average height of the irregularly arranged irregularities CO4 is 0.1 to 2 μm in the region RE of FIG.
The incident light can be scattered within this range, and is set to 0.7 μm in this embodiment.

【0106】また、コンタクトホールCHは平面的にみ
て波型形状である。
Further, the contact hole CH has a corrugated shape in a plan view.

【0107】図18は本実施例における画素電極PX1
と保護膜PCの密着強度を示した図である。
FIG. 18 shows the pixel electrode PX1 in this embodiment.
It is a figure which showed the adhesion strength of the protective film PC.

【0108】画素電極PX1と保護膜PCの密着は、保
護膜PC表面の規則的な凹凸CO3の存在により表面積
が増大し、アンカー効果によって強化される。
The close contact between the pixel electrode PX1 and the protective film PC is strengthened by the anchor effect because the surface area is increased due to the presence of regular irregularities CO3 on the surface of the protective film PC.

【0109】同様に平面的にみて周期Sの波型形状のあ
るコンタクトホールCHにおいて、画素電極PX1と保
護膜PCの密着は、表面積が増大し、アンカー効果によ
って強化される。
Similarly, in the contact hole CH having a corrugated shape with a period S in a plan view, the close contact between the pixel electrode PX1 and the protective film PC has an increased surface area and is strengthened by the anchor effect.

【0110】また、不規則に配置された凹凸CO3が存
在するため、外光の反射効率は高い。
Further, since the irregularly arranged irregularities CO3 are present, the reflection efficiency of external light is high.

【0111】またコンタクトホールの平面的に見た周囲
長が増大する。これにより、周囲長の増大によりコンタ
クトホール部での断線確率を低減できるとともに、波型
としたことにより仮に応力でコンタクトホールの一辺に
剥がれ応力が生じてもそれが辺全体に波及することを防
止できるため、接続不良となる率を大幅に低減でき、高
い信頼性が実現できる。
Further, the perimeter of the contact hole in plan view increases. This increases the perimeter and reduces the probability of wire breakage in the contact hole, and the corrugation prevents the contact hole from spreading to the entire side even if peeling stress occurs on one side of the contact hole. Therefore, the rate of connection failure can be significantly reduced, and high reliability can be realized.

【0112】[0112]

【発明の効果】以上説明したことから明らかとなるよう
に、本発明によれば画素電極と保護膜の密着強度を向上
し、信頼性が高く、反射率の高い液晶表示装置を実現で
きる。また規則性部と不規則性部を併せ持つことによ
り、さらに外光を映りこみなく反射させる電極を有する
液晶表示装置を実現できる。またコンタクトホール部を
波型としたことにより仮に応力でコンタクトホールの一
辺に剥がれ応力が生じてもそれが辺全体に波及すること
を防止できるため、接続不良となる率を大幅に低減で
き、高い信頼性を有する液晶表示装置を実現できる。ま
た製造においては歩留まりの向上を図ることができる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, it is possible to realize a liquid crystal display device having an improved adhesion strength between a pixel electrode and a protective film, a high reliability and a high reflectance. Further, by having both the regular portion and the irregular portion, it is possible to realize a liquid crystal display device having an electrode that further reflects external light without being reflected. In addition, since the contact hole portion has a corrugated shape, even if peeling stress occurs on one side of the contact hole due to stress, it can be prevented from spilling over the entire side, so that the rate of connection failure can be greatly reduced, which is high. A reliable liquid crystal display device can be realized. Further, in manufacturing, the yield can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す全
体等価回路である。
FIG. 1 is an overall equivalent circuit showing an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図2】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing an embodiment of a pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図3】一実施例における図2のA−A線の断面図であ
る。
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 2 in one embodiment.

【図4】一実施例における図2のB−B線の断面図であ
る。
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 2 in one embodiment.

【図5】図3及び図4の画素電極表面形状を形成するた
めのホトマスクの説明図である。
5 is an explanatory view of a photomask for forming the surface shape of the pixel electrode in FIGS. 3 and 4. FIG.

【図6】図5のC−C線における断面図である。6 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.

【図7】図5のD−D線における断面図である。7 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG.

【図8】画素電極と画素電極下地である樹脂の密着強度
を本発明の一実施例と従来で比較したグラフである。
FIG. 8 is a graph comparing the adhesion strength between the pixel electrode and the resin that is the base of the pixel electrode between the embodiment of the present invention and the related art.

【図9】他の実施例における図2のA−A線の断面図で
ある。
FIG. 9 is a sectional view taken along line AA of FIG. 2 in another embodiment.

【図10】他の実施例における図9の画素電極表面形状
を形成するためのホトマスクの説明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram of a photomask for forming the pixel electrode surface shape of FIG. 9 in another embodiment.

【図11】他の実施例における図9の画素電極表面形状
を形成するためのホトマスクの説明図である。
FIG. 11 is an explanatory diagram of a photomask for forming the surface shape of the pixel electrode of FIG. 9 in another embodiment.

【図12】図10のJ−J線における断面図である。12 is a sectional view taken along line JJ of FIG.

【図13】図11のI−I線における断面図である。13 is a cross-sectional view taken along the line I-I of FIG.

【図14】一実施例における図2のE領域の拡大平面図
である。
FIG. 14 is an enlarged plan view of a region E of FIG. 2 in one embodiment.

【図15】他の実施例における図2のE領域の拡大平面
図である。
FIG. 15 is an enlarged plan view of a region E of FIG. 2 according to another embodiment.

【図16】他の実施例における図2のE領域の拡大平面
図である。
16 is an enlarged plan view of a region E of FIG. 2 in another embodiment.

【図17】他の実施例における図2のE領域の拡大平面
図である。
FIG. 17 is an enlarged plan view of a region E of FIG. 2 in another embodiment.

【図18】画素電極と画素電極下地である樹脂の密着強
度を本発明の他の実施例と従来で比較したグラフであ
る。
FIG. 18 is a graph comparing the adhesion strength between the pixel electrode and the resin that is the base of the pixel electrode with that of another example of the present invention in the related art.

【記号の説明】[Explanation of symbols]

SUB…透明基板、GL…ゲート信号線、DL…ドレイ
ン信号線、AS…半導体層、TFT…薄膜トランジス
タ、PX…画素電極、GI…絶縁膜、PS…保護膜、L
C…液晶、CH…コンタクトホール、QU…透明基板、
KA…マスクにおける開口パタン、SH…マスクにおけ
る遮光パタン、SD…ソース・ドレイン電極、CO…画
素表面の凹凸形状。
SUB ... Transparent substrate, GL ... Gate signal line, DL ... Drain signal line, AS ... Semiconductor layer, TFT ... Thin film transistor, PX ... Pixel electrode, GI ... Insulating film, PS ... Protective film, L
C ... liquid crystal, CH ... contact hole, QU ... transparent substrate,
KA ... Opening pattern in mask, SH ... Shading pattern in mask, SD ... Source / drain electrode, CO ... Concavo-convex shape of pixel surface.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桶 隆太郎 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Fターム(参考) 2H090 HA04 HA05 HA06 HB07X HC05 HC11 HC12 HD06 HD08 LA01 LA04 LA20 2H091 FA16 FD04 GA02 GA07 GA13 LA12 LA16 2H092 GA19 HA05 JA26 JA46 JB56 KB25 MA10 MA14 MA18 NA18 NA29 PA12 5F110 AA30 BB01 CC07 GG02 GG13 GG15 HK09 HL02 HL03 HL04 HM20 NN02 NN03 NN24 NN27 NN40 NN72    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Ryutaro Oke             Hitachi, Ltd. 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba             Factory Display Group F-term (reference) 2H090 HA04 HA05 HA06 HB07X                       HC05 HC11 HC12 HD06 HD08                       LA01 LA04 LA20                 2H091 FA16 FD04 GA02 GA07 GA13                       LA12 LA16                 2H092 GA19 HA05 JA26 JA46 JB56                       KB25 MA10 MA14 MA18 NA18                       NA29 PA12                 5F110 AA30 BB01 CC07 GG02 GG13                       GG15 HK09 HL02 HL03 HL04                       HM20 NN02 NN03 NN24 NN27                       NN40 NN72

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】透明基板と、液晶層を挟んで前記透明基板
と対向配置される他方の基板を有し、前記他方の基板上
に複数の走査配線と、該走査配線と交差する方向に配線
された複数の信号配線と、その各交差部近傍に設けられ
た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタおよび前
記信号配線を覆うように形成された保護膜と、前記保護
膜上部に形成され前記薄膜トランジスタのソース電極に
電気的に接続された画素電極を有し前記画素電極が光反
射性を有する材料から形成されている液晶表示装置にお
いて、前記保護膜の前記画素電極の下部の領域に、複数
の細い線状の凹部または凸部が形成された第1の領域
と、前記第1の領域間に配置され凹部または凸部が形成
された第2の領域を有し、前記第1の領域での細い線状の
凹部または凸部の幅はほぼ規則的であり、前記第2の領
域の幅は前記規則的な幅より大きいことを特徴とする液
晶表示装置。
1. A transparent substrate and another substrate which is arranged to face the transparent substrate with a liquid crystal layer interposed therebetween, and a plurality of scanning wirings on the other substrate and wirings in a direction intersecting with the scanning wirings. A plurality of signal lines, a thin film transistor provided in the vicinity of each intersection thereof, a protective film formed so as to cover the thin film transistor and the signal line, and a source electrode of the thin film transistor formed on the protective film. In a liquid crystal display device having an electrically connected pixel electrode and the pixel electrode formed of a material having light reflectivity, a plurality of thin linear lines are formed in a region of the protective film below the pixel electrode. A first region in which a concave portion or a convex portion is formed and a second region in which the concave portion or the convex portion is formed are arranged between the first regions, and a thin linear shape in the first region. The width of the recess or protrusion is A liquid crystal display device, wherein the liquid crystal display device is substantially regular and the width of the second region is larger than the regular width.
【請求項2】透明基板と、液晶層を挟んで前記透明基板
と対向配置される他方の基板を有し、前記他方の基板上
に複数の走査配線と、該走査配線と交差する方向に配線
された複数の信号配線と、その各交差部近傍に設けられ
た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタおよび前
記信号配線を覆うように形成された保護膜と、前記保護
膜上部に形成され前記薄膜トランジスタのソース電極に
電気的に接続された画素電極を有し前記画素電極が光反
射性を有する材料から形成されている液晶表示装置にお
いて、前記保護膜の前記画素電極の下部の領域に、複数
の細い線状の凹部または凸部が形成された第1の領域
と、前記第1の領域間にまたがり凹部または凸部が形成
された第2の領域を有し、前記第1の領域での細い線状の
凹部または凸部の幅はほぼ規則的であり、前記第2の領
域が不規則に配置されていることを特徴とする液晶表示
装置。
2. A transparent substrate and another substrate which is arranged to face the transparent substrate with a liquid crystal layer interposed therebetween, and a plurality of scanning wirings on the other substrate and wirings in a direction intersecting with the scanning wirings. A plurality of signal wirings, a thin film transistor provided near each intersection thereof, a protective film formed to cover the thin film transistor and the signal wiring, and a source electrode of the thin film transistor formed on the protective film. In a liquid crystal display device having pixel electrodes electrically connected to each other, wherein the pixel electrodes are formed of a material having light reflectivity, a plurality of thin linear lines are formed in a region of the protective film below the pixel electrodes. A first region in which a concave portion or a convex portion is formed and a second region in which a concave portion or a convex portion is formed across the first region, and a thin linear concave portion in the first region Or the width of the convex part is A liquid crystal display device, which is substantially regular and in which the second regions are irregularly arranged.
【請求項3】透明基板と、液晶層を挟んで前記透明基板
と対向配置される他方の基板を有し、前記他方の基板上
に複数の走査配線と、該走査配線と交差する方向に配線
された複数の信号配線と、その各交差部近傍に設けられ
た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタおよび前
記信号配線を覆うように形成された保護膜と、前記保護
膜上部に形成され前記薄膜トランジスタのソース電極に
コンタクトホールを介して電気的に接続された画素電極
をする液晶表示装置において、前記コンタクトホールの
少なくとも一部が平面的に見て波型形状であることを特
徴とする液晶表示装置。
3. A transparent substrate and another substrate which is arranged to face the transparent substrate with a liquid crystal layer interposed therebetween, and a plurality of scanning wirings on the other substrate and wirings in a direction intersecting with the scanning wirings. A plurality of signal wirings, a thin film transistor provided near each intersection thereof, a protective film formed to cover the thin film transistor and the signal wiring, and a source electrode of the thin film transistor formed on the protective film. A liquid crystal display device having a pixel electrode electrically connected through a contact hole, wherein at least a part of the contact hole has a corrugated shape in a plan view.
【請求項4】前記保護膜の前記画素電極の下部の領域に
ほぼ規則的に配置された複数の線状の凹部または凸部を
有し、前記波型形状は前記複数の線状の凹部または凸部
とほぼ同様の規則性を有することを特徴とする請求項3
に記載の液晶表示装置。
4. A plurality of linear concave portions or convex portions arranged substantially regularly in a region of the protective film below the pixel electrode, wherein the corrugated shape has a plurality of linear concave portions or 4. A regularity substantially similar to that of the convex portion.
The liquid crystal display device according to item 1.
【請求項5】前記波形形状は前記ほぼ規則的に配置され
た複数の線状の凹部または凸部の延長線上または隣接し
たところに形成されていることを特徴とする請求項3あ
るいは4のいずれかに記載の液晶表示装置。
5. The corrugated shape is formed on or adjacent to an extension line of the plurality of linear recesses or projections which are substantially regularly arranged. The liquid crystal display device according to claim 1.
【請求項6】前記ほぼ規則的に配置された線状の凹部ま
たは凸部の間隔は50%以内の誤差であることを特徴と
する請求項1ないし5のいずれかに記載の液晶表示装
置。
6. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein an interval of the linear recesses or protrusions arranged in a regular manner has an error within 50%.
【請求項7】前記ほぼ規則的に配置された線状の凹部ま
たは凸部の間隔は10%以内の誤差であることを特徴と
する請求項1ないし5のいずれかに記載の液晶表示装
置。
7. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein an interval between the linear recesses or protrusions arranged substantially regularly is within 10%.
【請求項8】前記ほぼ規則的に配置された線状の凹部ま
たは凸部の周期が1μm〜6μmであることを特徴とす
る請求項1ないし5のいずれかに記載の液晶表示装置。
8. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the substantially regular linear recesses or protrusions have a period of 1 μm to 6 μm.
【請求項9】前記ほぼ規則的に配置された前記凹部の深
さまたは前記凸部の高さが0.001μm〜1μmであ
ることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載
の液晶表示装置。
9. The liquid crystal according to claim 1, wherein the depth of the concave portions or the height of the convex portions which are substantially regularly arranged is 0.001 μm to 1 μm. Display device.
【請求項10】基板表面全面を覆うように感光性樹脂を
塗布し、線状の遮光パタンと線状の開口パタンを規則的
に配置させたマスクを使用して前記樹脂を露光する工程
と、ドットまたは帯状の遮光パタンを不規則に配置させ
たマスクを使用して前記樹脂を露光する工程とがあり、
前記樹脂をアルカリ液により現像してパターンを形成す
ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
10. A step of applying a photosensitive resin so as to cover the entire surface of the substrate, and exposing the resin using a mask in which linear light-shielding patterns and linear opening patterns are arranged regularly. There is a step of exposing the resin using a mask in which dots or strips of light-shielding patterns are irregularly arranged,
A method for manufacturing a liquid crystal display device, which comprises developing the resin with an alkaline solution to form a pattern.
【請求項11】感光性樹脂を塗布し、規則的に配置され
た線状の遮光パタンおよび線状の開口パタンと不規則に
配置されたドットまたは帯状の遮光パタンを有するマス
クを使用して露光し、前記樹脂をアルカリ液により現像
してパターンを形成することを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。
11. A photosensitive resin is applied, and exposure is carried out using a mask having regularly arranged linear light-shielding patterns and linear opening patterns and irregularly arranged dot-shaped or band-shaped light-shielding patterns. Then, the resin is developed with an alkaline solution to form a pattern, which is a method for manufacturing a liquid crystal display device.
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