KR100661825B1 - Array substrate of transflective liquid crystal display device and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반사형 액정 표시장치와 투과형 액정 표시장치의 겸용이 가능한 반사투과 액정 표시장치로서, 스위칭 영역과 화소영역이 정의된 기판과; The present invention is as a transreflective liquid crystal display device function is capable of reflection type liquid crystal display and a transmissive liquid crystal display device, a switching area and a pixel area defined substrate; 상기 기판 상의 전면에 형성되고, 상기 화소영역의 일 부분에 투과홀이 형성된 반사판과; It is formed in the entire surface of the substrate, reflection in a portion of the pixel region formed with a penetration hole; 상기 반사판 상의 전면에 걸쳐 형성된 제 1 보호막과; A first protective film formed over the entire surface of the reflection plate and; 상기 반사판 상의 제 1 보호막 상의 상기 스위칭 영역에 형성된 게이트 전극과; A gate electrode formed on the switching area on the first protective film on said reflective plate and; 상기 게이트 전극 및 기판의 전면을 덮는 게이트 절연막과; A gate insulating film covering the entire surface of the gate electrode and the substrate; 상기 게이트 전극 상부 상기 게이트 절연막 상에 형성되며, 채널이 형성된 액티브층과; It is formed on the gate electrode above the gate insulating film, an active layer and a channel is formed; 상기 액티브층과 접촉하며, 상기 채널과 이격되어 각각 형성된 소스 및 드레인 전극과; In contact with the active layer, the channel and are spaced apart each of which is formed the source and drain electrodes; 상기 소스 및 드레인 전극과 기판 전면에 걸쳐 형성되고, 상기 드레인 전극의 일부가 노출된 드레인 콘택홀을 갖는 제 2 보호막과, 상기 제 2 보호막 상에 형성되며, 상기 드레인 콘택홀을 통해 노출된 드레인 전극과 접촉하는 화소전극을 포함하는 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판에 관해 개시하고 있다. Is formed over the source and drain electrodes and substrate surface, and a second protective layer having a drain contact hole partially exposing the drain electrode, is formed on the second protective film, a drain electrode exposed through the drain contact hole, and it discloses on the array substrate of the reflection type liquid crystal display including a pixel electrode in contact.

Description

반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조방법{Array substrate of transflective liquid crystal display device and method for fabricating the same} An array substrate of the reflection type liquid crystal display and a method of manufacturing the same {Array substrate of transflective liquid crystal display device and method for fabricating the same}

도 1은 백라이트에서 나온 빛의 각 층별 투과도를 도식적으로 나타낸 그래프. Figure 1 is a graphical schematic representation of the floor each transmission of light from the backlight.

도 2는 종래의 반사형 액정 표시장치의 한 화소에 해당하는 부분을 도시한 평면도. Figure 2 is a plan view showing a portion corresponding to the conventional reflective-type pixel of the liquid crystal display device.

도 3은 종래의 반사형 액정 표시장치의 한 화소부에 해당하는 단면을 도시한 단면도. Fig 3 shows a cross section corresponding to a pixel portion of a conventional reflective liquid crystal display section.

도 4는 종래 반사투과형 액정 표시장치의 한 화소부에 해당하는 평면을 도시한 평면도. Figure 4 is a plan view showing the plane of one pixel portion of a conventional reflection type liquid crystal display.

도 5a 내지 도 5d는 도 4의 절단선인 Ⅴ-Ⅴ로 자른 단면의 제작 공정을 나타내는 공정도. Figures 5a through 5d are process drawings showing a manufacturing process of a cross section cut in Ⅴ-Ⅴ cutting predecessors in Fig.

도 6은 반사투과형 액정 표시장치의 동작을 설명한 도면. Figure 6 is a view for explaining the operation of the reflection type liquid crystal display.

도 7은 도 6의 A 부분을 확대한 도면. Figure 7 is an enlarged view of the A portion of Fig.

도 8은 본 발명의 실시예에 따른 반사투과형 액정 표시장치의 평면을 도시한 도면. 8 is a diagram showing a plane of the reflection type liquid crystal display according to an embodiment of the invention.

도 9a 내지 도 9d는 도 8의 절단선 Ⅸ-Ⅸ로 자른 단면의 제작공정을 도시한 공정도. Figure 9a through 9d are process drawings showing a manufacturing process of a cross section cut at the cutting line Ⅸ-Ⅸ in Fig.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉 <Description of the Related Art>

150 : 게이트 배선 152 : 게이트 전극 150: a gate wiring 152: gate electrode

160 : 데이터 배선 162 : 소스 전극 160: data wiring 162: source electrode

164 : 드레인 전극 166 : 드레인 콘택홀 164: drain electrode 166: drain contact hole,

168 : 화소전극 154 : 투과홀 168: pixel electrode 154: a penetration hole

156 : 반사판 170 : 제 1 보호막 156: reflector 170: a first protective film

172 : 게이트 절연막 174 : 액티브층 172: Gate insulating film 174: Active layer

176 : 제 2 보호막 CH : 채널 176: second protective CH: channel

본 발명은 액정 표시장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 고 개구율 및 고 반사효율을 갖는 반사 및 투과 겸용의 반사투과(transflective)형 액정표시장치에 관한 것이다. The present invention relates to a liquid crystal display device and, more particularly, relates to a high aperture ratio and a high reflection reflection and reflection of the transmission combined transmission (transflective) liquid crystal display device having an efficiency.

최근 정보화 사회로 시대가 급진전함에 따라, 대량의 정보를 처리하고 이를 표시하는 디스플레이(display)분야가 발전하고 있다. As the recent rapid progress in the information society age, and processing large amounts of information, and display (display) the development of the field to display it.

근대까지 브라운관(cathode-ray tube ; CRT)이 표시장치의 주류를 이루고 발 전을 거듭해 오고 있다. To modern CRT; the mainstream of display devices (cathode-ray tube CRT) has been repeated to the former.

그러나, 최근 들어 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 시대상에 부응하기 위해 평판 표시장치(flat panel display)의 필요성이 대두되었다. However, the need for a flat panel display (flat panel display) has emerged in recent years in order to meet the sidaesang such as thin, light weight, low consumption power consumption. 이에 따라 색 재현성이 우수하고 박형인 박막 트랜지스터형 액정 표시소자(Thin film transistor-liquid crystal display device ; 이하 TFT-LCD라 한다)가 개발되었다. The color reproducibility in accordance with excellent bakhyeongin thin film transistor type liquid crystal display device; have been developed (Thin film transistor-liquid crystal display device hereinafter referred to as TFT-LCD).

TFT-LCD의 동작을 살펴보면, 박막 트랜지스터에 의해 임의의 화소(pixel)가 스위칭 되면, 스위칭된 임의의 화소는 하부광원의 빛을 투과할 수 있게 한다. In operation of the TFT-LCD, when a pixel (pixel) is switched by a thin film transistor, the switching a pixel makes it possible to transmit the light of the lower light source.

상기 스위칭 소자는 반도체층을 비정질 실리콘으로 형성한, 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(amorphous silicon thin film transistor ; a-Si:H TFT)가 주류를 이루고 있다. The switching element is a semiconductor layer of amorphous silicon, the amorphous silicon thin film transistor: an (amorphous silicon thin film transistor a H-Si TFT) is the mainstream. 이는 비정질 실리콘 박막이 저가의 유리기판과 같은 대형 절연기판 상에 저온에서 형성하는 것이 가능하기 때문이다. This is because it is possible that the amorphous silicon thin film formed at a low temperature on a large insulating substrate such as a glass substrate of low-cost.

일반적으로 사용되는 TFT-LCD는 패널의 하부에 위치한 백라이트라는 광원의 빛에 의해 영상을 표현하는 방식을 써왔다. In general TFT-LCD has been used as a writing method for representing the image by the light of the light source of the backlight located on the lower portion of the panel.

그러나, TFT-LCD는 백라이트에 의해 입사된 빛의 3∼8%만 투과하는 매우 비효율적인 광 변조기이다. However, TFT-LCD is a very inefficient light modulator to a transmission 3 to 8% of the incident light only by the backlight.

두 장의 편광의 투과도는 45%, 하판과 상판의 유리 두 장의 투과도는 94%, TFT어레이 및 화소의 투과도는 약 65%, 컬러필터 외의 투과도는 27%라고 가정하면 TFT-LCD의 광 투과도는 약 7.4%이다. Transmission of two pieces of polarized glass two sheets of transmission of 45%, the lower plate and upper plate is assuming 94% transmission rate other than the transmittance of the TFT array and the pixel is 65%, the color filter is 27% of the light transmittance of the TFT-LCD is about It is 7.4%.

도 1은 백라이트에서 나온 빛의 각 층별 투과도를 도식적으로 나타낸 도면이다. 1 is a view schematically illustrating a floor each transmission of light from the backlight.

상술한 바와 같이 실제로 TFT-LCD를 통해 보는 빛의 양은 백라이트에서 생성된 광의 약 7%정도이므로, 고 휘도의 TFT-LCD에서는 백라이트의 밝기가 밝아야 하고, 상기 백라이트에 의한 전력 소모가 크다. Since the TFT-LCD of the light actually generated from the back light amount of light seen by about 7% as described above, in the TFT-LCD having high luminescence brightness, and the brightness of the backlight's light up, a greater power consumption by the backlight.

따라서, 충분한 백라이트의 전원 공급을 위해서는 전원 공급 장치의 용량을 크게 하여, 무게가 많이 나가는 배터리(battery)를 사용해 왔다. Therefore, to the power supply to the backlight sufficient to increase the capacity of the power supply, it has used the battery (battery) out of a lot of weight. 그러나 이 또한 장시간 사용할 수 없었다. However, this could also be used for a long time.

상술한 문제점을 해결하기 위해 최근에 백라이트 광을 사용하지 않는 반사형 TFT-LCD가 연구되었다. A reflective TFT-LCD does not use the last backlight beam in order to solve the above problems have been studied. 이는 자연광을 이용하여 동작하므로, 백라이트가 소모하는 전력량을 절약할 수 있는 효과가 있기 때문에 장시간 휴대상태에서 사용이 가능하고, 한 화소부 전체가 개구부가 되기 때문에 개구율 또한 기존의 백라이트형 TFT-LCD보다 우수하다. Which operates by using a natural light, because it is an effect that it is possible to save the amount of power that the backlight consumes a long time and can be used in a mobile state, the pixel portion because the whole become an aperture opening ratio also more conventional backlight type TFT-LCD great.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 반사형 TFT-LCD에 관해 설명한다. With reference to the accompanying drawings, it will be described in the reflective TFT-LCD.

일반적인 TFT-LCD는 하부 기판이라 불리는 박막 트랜지스터 배열 기판(TFT array substrate), 상부 기판이라 불리는 컬러필터 기판(color filter substrate)등으로 구성된다. Typical TFT-LCD is composed of an array substrate a thin film transistor known as the lower substrate (TFT array substrate), called the upper substrate color filter substrate (color filter substrate) and the like. 이하 설명될 내용은 하부 기판인 박막 트랜지스터 배열 기판에 관한 것이다. Information to be described below is directed to the lower substrate of the thin film transistor array substrate.

먼저, 종래의 반사형 TFT-LCD(100)의 한 픽셀에 해당하는 평면도인 도 2를 참조하여 설명하면, 기판 상에 행으로 배열된 N 번째 게이트 배선(8)과 N-1 번째 게이트 배선(6)이 위치하고, 열로 배열된 M 번째 데이터 배선(2)과 M+1 번째 데이터 배선(4)이 매트릭스(matrix)를 이루고 있다. First, a conventional reflection-type TFT-LCD (100) which will be described with reference to the plan view of Figure 2 corresponding to the pixels, arranged in a row on the substrate N-th gate wiring 8 and the N-1 th gate wiring of ( 6) is located, the M-th data line 2 and the M + 1 th data line (4) arranged to heat the can forms a matrix (matrix).

그리고, N 번째의 게이트 배선(8)의 소정의 위치에 게이트 전극(18)이 위치하고, M 번째 데이터 배선에 소스 전극(12)이 상기 게이트 전극(18) 상에 소정의 길이로 오버랩(overlap) 되게 형성되어있다. And, N gate electrode 18 at a predetermined position of the gate wiring 8 of the second is positioned, overlapping the M th data line, the source electrode 12 with a predetermined length on the gate electrode 18 (overlap) to be formed.

또한, 상기 소스 전극(12)과 대응되게 드레인 전극(14)이 형성되어 있고, 상기 드레인 전극(14) 상에 위치한 콘택홀(16)을 통해 반사 전극(10)이 상기 드레인 전극(14)과 전기적으로 접촉하고 있다. Further, the source electrode 12 and the response to be the drain electrode 14 are formed, the drain electrode 14 is reflected through a contact hole 16 is located on the electrode 10, the drain electrode 14 and the and electrical contact. 일반적으로, 상기 반사전극(10)은 반사율이 우수한 금속이 쓰인다. In general, the reflection electrode 10 are used is superior in reflectivity metal.

도 3은 도 2의 절단선 Ⅲ-Ⅲ으로 자른 단면을 도시한 단면도로써, 상기 종래의 반사형 TFT-LCD의 단면 구조가 잘 나타나있다. Figure 3 is as cross sectional view showing a cross section cut by the cut of Fig. 2, line Ⅲ-Ⅲ, there is a cross-sectional view of the conventional reflection-type TFT-LCD shown well.

상기 반사형 TFT-LCD의 단면 구조를 살펴보면, 기판(1) 상에 게이트 전극(18)이 형성되고, 상기 게이트 전극(18) 상에는 게이트 절연막(20)이 형성되고, 상기 게이트 전극(18) 상부 상기 게이트 절연막(20) 상에는 반도체층(22)이 형성되며, 상기 반도체층(22)과 접촉하는 소스 및 드레인 전극(12, 14)이 형성되어 있다. The reflective Looking at the sectional structure of the type TFT-LCD, the substrate 1, the gate electrode 18 is formed on the gate insulating film 20 formed on the gate electrode 18 is formed on the gate electrode 18, the upper the gate insulating film 20, semiconductor layer 22 is formed on, the semiconductor layer 22, source and drain electrodes (12, 14) which is in contact with is formed.

그리고, 상기 소스 및 드레인 전극(12, 14)과 노출된 기판 전면에는 보호막(24)이 형성되어 있다. And, a protective film 24 is formed in front of the exposed substrate and the source and drain electrodes 12,14. 상기 보호막(24)에는 상기 드레인 전극(14)의 일부가 노출되도록 형성된 드레인 콘택홀(16)이 형성되어 있으며, 상기 드레인 콘택홀(16)을 통해 상기 드레인 전극(14)과 접촉하는 반사전극(10)이 상기 보호막(24) 상에 형성되어 있다. A reflective electrode in contact with the protective film 24 has the drain electrode 14 part and the drain contact hole 16 is formed so as to be exposed is formed, through the drain contact hole 16 of the drain electrode 14 ( 10) is formed on said protective film (24).

상술한 바와 같은 반사형 TFT-LCD는 백라이트와 같은 내부적 광원을 사용하 지 않고, 자연의 빛 내지는 외부의 인조 광원을 사용하여 구동하기 때문에 장시간 사용이 가능하다. Since the drive uses a reflective TFT-LCD does not use an internal light source, natural light external naejineun artificial light source such as a backlight as described above can be used for a long time.

즉, 반사형 TFT-LCD는 외부의 자연광을 상기 반사 전극(10)에 반사시켜, 반사된 빛을 이용하는 구조로 되어 있다. That is, the reflective TFT-LCD is reflected by the external natural light in the reflection electrode 10, and is used in the reflected light structure.

그러나, 자연광 또는 인조 광원이 항상 존재하는 것은 아니다. However, it not by natural or artificial light source is always present. 즉, 상기 반사형 TFT-LCD는 자연광이 존재하는 낮이나, 외부 인조광이 존재하는 사무실 및 건물 내부에서는 사용이 가능할지 모르나, 자연광이 존재하지 않는 야간에는 상기 반사형 TFT-LCD를 사용할 수 없게 된다. That is, the reflective TFT-LCD is moreuna whether day or, in the inner office and the building to outside the artificial light is present can be used for natural light is present, in the night natural light that does not exist can not be used for the reflective TFT-LCD do.

따라서, 상기의 문제점을 해결하기 위해 반사형 액정 표시장치와 투과형 액정 표시장치의 장점을 수용하면서, 주/야간 동시에 사용할 수 있는 반사투과형 액정 표시장치가 연구/개발되었다. Thus, the reflection type liquid crystal display which, while receiving the advantage, day / night can be used at the same time of the reflection type liquid crystal display and a transmissive liquid crystal display device to solve the above problem research has / have been developed.

도 4는 종래 반사투과형 액정 표시장치의 평면을 도시한 평면도로서, 가로방향으로 게이트 배선(50)이 형성되며, 상기 게이트 배선(50)에서 돌출 연장된 게이트 전극(52)이 형성되어 있다. 4 is a plan view showing a plan view of a conventional reflection type liquid crystal display, the gate wiring 50 in the lateral direction is formed, a gate electrode 52 is formed extending protrusion at said gate wire (50).

그리고, 세로방향으로 데이터 배선(60)이 형성되며, 상기 게이트 전극(52)이 형성된 부근의 데이터 배선(60)에서 연장된 소스전극(62)이 상기 게이트 전극(52)과 소정면적 오버랩되어 형성된다. Then, the vertical direction and the data line 60 is formed by forming the source electrode 62 extends from the data line 60 in the vicinity of the gate electrode 52 is formed by overlapping the gate electrode 52 and the predetermined area do.

또한, 상기 게이트 전극(52)을 중심으로 상기 소스전극(62)과 대응되는 위치에 드레인 전극(64)이 형성되어 있다. Further, the drain electrode 64 at a position corresponding to the source electrode 62 is formed with respect to the gate electrode 52.

드레인 전극(64)은 상기 드레인 전극(64) 상에 형성된 콘택홀(66)을 통해 두 개의 서로 다른 물질로 형성된 화소부(68, 70)와 접촉하고 있다. A drain electrode 64 is in contact with the display unit (68, 70) formed of two different materials through a contact hole 66 is formed on the drain electrode 64. 즉, 실질적으로 불투명한 금속재질로 형성된 반사전극(68)과 실질적으로 투명한 도전성 재질로 형성된 화소전극(70)이 그것인데, 상기 반사전극(68)은 내부에 투과홀(72)을 더욱 포함하고 있다. That is, inde pixel electrode 70 is reflected substantially formed of a metal material opaque to the electrode 68 is substantially formed as a transparent conductive material with it, and the reflective electrode 68 further comprises a penetration hole (72) therein have.

상기 투과홀(72)은 네모형상 등이며, 그 기능에 관해서는 추후에 설명한다. The penetration hole 72 has a square shape, etc., for that function will be described later.

상기 화소전극(70)은 상기 반사전극(68) 내부에 형성된 투과홀(72)보다 면적이 크면 된다. The pixel electrode 70 is transmitted through the area than the hole 72 formed inside the reflective electrode 68 is larger. 즉, 상기 투과홀(72)을 상기 화소전극(70)이 가리는 형상으로 반사투과형 액정 표시장치는 형성된다. That is, the penetration hole 72 in the covering the pixel electrode 70 is shaped reflection-transmission type liquid crystal display device is formed.

도 5a 내지 도 5d는 반사투과형 액정 표시장치의 평면도를 도시한 도 4의 절단선 Ⅴ-Ⅴ로 자른 단면의 제작공정을 도시한 공정도로서, 도 5a 내지 도 5d를 참조하여 제조공정을 상세히 설명한다. Figure 5a to Figure 5d by a process chart showing a manufacturing process of a cross section cut a top view of a reflection type liquid crystal display as shown by section line Ⅴ-Ⅴ of Figure 4, with reference to Figures 5a through 5d will now be described a manufacturing process .

도 5a는 기판(1) 상에 게이트 전극(52)을 형성하는 단계를 도시한 도면이다. Figure 5a is a view showing a step of forming a gate electrode 52 on the substrate 1. 상기 게이트 전극(52)은 내식성이 강한 크롬, 텅스텐 등의 금속이 쓰일 수 있으며, 저저항의 알루미늄 합금 등도 쓰인다. The gate electrode 52 is a metal such as a strong corrosion resistance, chromium, and tungsten can be used, also used an aluminum alloy having a low resistance.

도 5b에 도시된 도면은 게이트 절연막(80) 및 반도체층(82)과 소스 및 드레인 전극(62, 64)을 형성하는 단계를 도시하고 있다. The diagram shown in Figure 5b shows a step of forming a gate insulating film 80 and the semiconductor layer 82 and the source and drain electrodes 62,64.

즉, 상기 게이트 절연막(80)은 상기 게이트 전극(52)을 덮는 형태로 기판(1) 상에 형성하고, 반도체층(82)은 상기 게이트 전극(52) 상부 상기 게이트 절연막(80) 상에 형성한다. That is, formed on the gate insulating film 80. The semiconductor layer 82 is the gate electrode 52 above the gate insulating film 80 is formed on the substrate 1 to form to cover the gate electrode 52, do. 이후, 소스 및 드레인 전극(62, 64)을 상기 반도체층(82) 상에 형성한다. Thereafter, the source and drain electrodes 62,64 are formed on the semiconductor layer (82).

이후, 도 5c에 도시된 도면에서와 같이 상기 소스 및 드레인 전극(62, 64)과 노출된 게이트 절연막(80) 상에 보호막(84)을 증착하고, 상기 드레인 전극(64)의 일부가 노출되도록 제 1 드레인 콘택홀(66)을 형성한다. Then, the portion of the source, as shown in the figure and the drain electrode depositing a protective film 84 on the gate insulating film 80 is exposed, and 62 and 64, and the drain electrode 64 shown in Figure 5c to expose first to form a drain contact hole 66. 상기 보호막(84)은 절연특성이 있고, 내습성 및 광투과율이 우수한 실리콘 질화막(SiN x ), 실리콘 산화막(SiO 2 ) 등이 주로 쓰인다. The protective film 84 has insulating properties, and moisture resistance and light transmittance is excellent silicon nitride film (SiN x), silicon oxide (SiO 2), etc. used mainly.

상기 제 1 드레인 콘택홀(66) 형성 후에 상기 드레인 전극(64)과 접촉하는 화소전극(70)을 형성한다. It said first drain contact hole 66 is formed after forming the pixel electrode 70 contacting the drain electrode 64. 상기 화소전극(70)은 바람직하게는 광투과율이 우수한 인듐-틴-옥사이드(ITO)가 주로 쓰인다. The pixel electrode 70 preferably has excellent light transmittance of indium-tin-oxide (ITO) is mainly used.

도 5d는 반사전극(68)을 형성하는 단계를 도시한 도면이다. Figure 5d is a view showing the step of forming a reflective electrode (68). 상기 반사전극(68)은 상기 화소전극(70) 상부에 위치하게 되는데, 상기 화소전극(70) 상에 층간절연막(86)으로 광투과율이 우수한 BCB(benzocyclobutene)를 증착하고 상기 제 1 드레인 콘택홀(66)이 형성된 부근에 상기 화소전극(70)의 일부가 노출되도록 제 2 드레인 콘택홀(66')을 패터닝한다. The reflective electrode 68 there is positioned above the pixel electrode 70, the deposition of inter-layer insulating film 86 is excellent BCB (benzocyclobutene) light transmittance on the pixel electrode 70 and the first drain contact hole, the second pattern the drain contact hole 66 'to 66, a portion of the pixel electrode 70 in the vicinity of the formed impression.

이후, 상기 층간 절연막(86) 상에 상기 화소전극(70)과 접촉하는 반사전극(68)을 형성한다. Then, to form the reflection electrode 68 in contact with the pixel electrode 70 on the interlayer insulating film 86.

상기 반사전극(70)은 실질적으로 불투명하고, 광 반사율이 우수한 금속이 쓰인다. The reflective electrode 70 is substantially non-transparent, and is excellent in light reflectance metal used.

도 6은 상술한 반사투과형 TFT-LCD의 한 화소에 대한 단면을 도시한 단면도로써, 도 6을 참조하여 반사투과 TFT-LCD의 작동에 관해 설명하면 다음과 같다. Figure 6 when in reference to Fig. 6 as showing a cross-section in a pixel of the above-described reflective transflective type TFT-LCD of reflection cross-sectional view explaining the transmission TFT-LCD works as follows. 여 기서, 도 6에 도시된 도면은 본 발명의 실시예에 따른 공정을 도시한 도 5a 내지 도 5d의 개략적인 부분만 표현하였다. , Where, the figure shown in Figure 6 is only expressed schematic section of the Fig. 5a shows a process according to an embodiment of the invention through 5d. 즉, 도 6은 투과홀과 반사 및 화소전극부분을 중점으로 도시하였다. That is, Figure 6 is shown the penetration hole and the reflective electrode and the pixel portion in focus.

반사모드에서는 외부 즉, 상판(106)을 통해 입사된 외부광(110)을 상기 반사전극(68)이 상판(106)으로 다시 반사시키는 역할을 하게된다. Reflection mode from the outside that is, to play a role in the the external light 110 enters through the top plate 106, the reflection electrode 68 is reflected back to the top plate 106. The

이 때, 스위칭 소자(미도시)로부터 상기 반사전극(68)이 신호를 인가받으면 상기 액정층(100)의 상변화가 일어나게 되고, 이에 따라 재 반사되는 광량의 변화가 있게되어 상기 광량의 변화에 따라 상기 상판에 형성된 컬러필터(104)에 의해 착색되는 색의 변화에 따라 상기 반사전극(68)에 인가된 신호는 화상으로 표현된다. At this time, and the reflective electrode 68 from the switching element (not shown) When applying this signal to take place a phase change of the liquid crystal layer 100, it is possible the change in the quantity of light re-reflected accordingly to a change in the amount of light according to a signal applied to the reflective electrode 68 according to the change of the color to be colored by the color filter 104 formed on the upper panel is represented by the image.

그리고, 투과모드에서는 상기 백라이트(102)에서 생성된 빛(112)이 상기 반사전극(68) 내부에 형성된 투과홀(72)에 위치하는 화소전극(70)을 통해 상판(106)으로 투과되게 되는 것이다. Then, the transmission mode, the light 112 generated from the backlight 102 to be transmitted through the top plate 106 through the pixel electrode 70 which is located in a penetration hole 72 is formed inside the reflective electrode 68, will be.

이 때, 상기 반사모드와 마찬가지로 상기 스위칭 소자의 작용에 의해 상기 화소전극(70)에 신호가 인가되면, 상기 액정층(100)의 상이 변화되게 되고, 이 때 백라이트(102)에서 방출되고 액정층을 투과한 빛(112)은 상기 상판(106)에 형성된 컬러필터(104)에 의해 착색되어 컬러화면으로 볼 수 있다. At this time, if the same manner as in the reflective mode by the action of the switching element is a signal to the pixel electrode 70, and make different changes in the liquid crystal layer 100, when being emitted from the backlight 102, the liquid crystal layer light 112 passes through is colored by the color filter 104 formed on the upper panel 106 can be seen as a colored surface.

도 7은 도 5d의 A 부분을 확대한 단면도로서, 드레인 전극(64)과 상기 화소 전극(70) 및 반사전극(68)이 접촉된 부분을 중심으로 도시한 도면이다. 7 is a view showing a center part A of a sectional view enlarged as the drain electrode 64 and the pixel electrode 70 and the reflective electrode 68 is in contact with part of Figure 5d.

종래의 반사투과형 액정 표시장치에서는 도 7에 도시된 도면에서와 같이, 상기 드레인 전극(64)에 상기 화소전극(70)을 접촉시키기 위해 상기 드레인 전극(64)과 상기 화소전극(70)의 사이에 위치하는 보호막(84)을 사진식각 공정을 거쳐서 제 1 드레인 콘택홀(66)을 형성한 후, 상기 제 1 드레인 콘택홀(66')을 통해 상기 드레인 전극(64)과 접촉하는 방법을 사용하였다. Conventional reflection-transmission type liquid crystal display in the as in the drawing shown in FIG. 7 apparatus, between the drain electrode 64 and the pixel electrode 70 so as to contact with the pixel electrode 70 to the drain electrode 64 a protective film 84 which is located through a photolithography process after forming the first drain contact hole 66, using a method which is in contact with the drain electrode 64 through the first drain contact hole 66 ' It was.

또한, 상기 반사전극(68)을 상기 드레인 전극(64)에 접촉시키기 위해 층간 절연막(86)에 제 2 드레인 콘택홀(66')을 형성한 후, 드레인 전극(64)과 접촉하는 화소전극(70)을 통해 간접적으로 드레인 전극(64)에 접촉시키는 방법을 사용하였다. Further, after forming the second drain contact hole (66 '), the reflection electrode 68 in the interlayer insulating film 86 so as to contact the drain electrode 64, a pixel which is in contact with the drain electrode 64, the electrode ( 70) to a method for indirect contact with the drain electrode 64 it was used with.

상기와 같이 드레인 전극(64)에 상기 화소전극(70)과 상기 반사전극(68)을 접촉시키기 위해 제 1, 2 드레인 콘택홀을 형성하였으며, 이에 따라, 사진식각 공정이 많이 사용되는 문제점이 발생한다. Has formed a first, second drain contact hole so as to contact with the pixel electrode 70 and the reflective electrode 68, the drain electrode 64 as described above, and therefore, a problem in that the photo etch process intensive generation do.

즉, 상기 사진식각 공정은 노광공정과 식각공정으로 분리할 수 있으며, 상기 사진식각 공정을 한번만 줄여도, 불량의 감소와 수율을 향상할 수 있다. That is, the photolithography process may be separated into the exposure process and the etching process, it is possible to improve the yield and reduce the defects of the photolithography process one time, cutting,.

한편, 종래의 반사투과형 액정 표시장치에서는 실질적으로 불투명 금속이 사용되는 반사전극(68)이 제일 마지막 단계에서 이루어지기 때문에, 상기 반사전극 형성시 사진식각 공정에서 반사전극의 자체 반사율에 의해 얼라인 키(align key)를 인식하지 못하는 문제점이 발생할 수 있는 단점이 있다. On the other hand, the conventional reflection type liquid crystal display in the substantially non-transparent metals are used reflective electrode 68. For this reason, is done at the last stage, the reflective electrode formed during photo alignment key by its own reflection in the reflective electrode in an etching process which is there is a disadvantage that can cause problems does not recognize the (align key).

상술한 종래의 반사투과형 액정 표시장치의 문제점을 해결하기 위해 본 발명 에서는 제작공정이 간단한 반사투과형 액정 표시장치의 제작방법을 제공하는데 그 목적이 있다. According to the present invention to address the above problems of the conventional reflection type liquid crystal display described above there is provided a manufacturing step of the manufacturing method simple reflection type liquid crystal display.

또한, 개구율이 향상된 반사투과형 액정 표시장치를 제공하는데 본 발명의 또 다른 목적이 있다. In addition, to provide an improved aperture ratio is reflection type liquid crystal display has a further object of the present invention.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는 스위칭 영역과 화소영역이 정의된 기판과; According to the present invention to achieve the above object, a switching area and a pixel area defined substrate; 상기 기판 상에 형성되고, 상기 화소영역 상에 투과홀이 형성된 반사판과; A reflector formed on the substrate, having a penetration hole on the pixel region; 상기 반사판을 포함하는 상기 기판 상에 형성된 제 1 보호막과; A first protective film formed on the substrate including the reflective plate, and; 상기 스위칭 영역의 상기 제 1 보호막 상에 형성된 게이트 전극과; Wherein the gate electrode formed on the first protective film of the switching region; 상기 게이트 전극을 포함한 상기 기판 상에 형성된 게이트 절연막과; A gate insulating film formed on the substrate including the gate electrode; 상기 게이트 전극 상부의 상기 게이트 절연막 상에 형성되며, 채널이 형성된 액티브층과; It is formed on the gate insulating film of the gate electrode thereon, an active layer and a channel is formed; 상기 액티브층과 접촉하며, 서로 이격되어 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극과; In contact with the active layer, a source electrode and a drain electrode spaced apart from each other and that is formed by; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 포함한 상기 기판 상에 형성되고, 상기 드레인 전극이 노출되는 드레인 콘택홀을 갖는 제 2 보호막과; It is formed on the substrate including the source electrode and the drain electrode, and a second protective layer having a drain contact hole that expose the drain electrode; 상기 제 2 보호막 상에 형성되며, 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극;을 포함하는 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판을 제공한다. The second is formed on the second protective film, a pixel electrode contacting the drain electrode through the drain contact holes; provides an array substrate of the reflection type liquid crystal display comprising a.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 스위칭 영역과 화소영역이 정의된 기판을 구비하는 단계와; The present invention to accomplish the above object, comprising: a substrate of the switching area and the pixel area defined as; 상기 기판 상에 형성되며, 상기 화소영역 상에 투과홀을 가진 반사판을 형성하는 단계와; It is formed on the substrate, forming a reflecting plate having penetration holes on the pixel region; 상기 반사판을 포함하는 상기 기판 상에 제 1 보호막을 형성하는 단계와; Forming a first protective film on said substrate including the reflective plate; 상기 스위칭 영역의 상기 제 1 보호막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계과; Dangyegwa of forming a gate electrode on the first protective film of the switching region; 상기 게이트 전극을 포함한 상기 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; Forming a gate insulating film on the substrate including the gate electrode; 상기 게이트 전극과 대응되는 상기 게이트 절연막 상에 액티브층을 형성하는 단계와; Forming an active layer on the gate insulating layer corresponding to the gate electrode; 상기 액티브층과 접촉하며, 서로 이격되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와; And forming a source electrode and a drain electrode which is in contact with the active layer, separated from each other; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 포함한 상기 기판 상에 상기 드레인 전극이 노출되는 드레인 콘택홀을 가지는 제 2 보호막을 형성하는 단계와; On the substrate including the source electrode and the drain electrode, and forming a second protective layer having a drain contact hole and the drain electrode is exposed; 상기 제 2 보호막 상에 형성되며, 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판의 제조방법을 제공한다. The second is formed on the second protective film, thereby forming a pixel electrode contacting the drain electrode through the drain contact holes; provides a process for the production of an array substrate of the reflection type liquid crystal display comprising a.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. With reference to the accompanying drawings, a description will be given of an embodiment according to the present invention;

도 8은 본 발명에 따른 반사투과형 액정 표시장치의 평면을 도시한 평면도로 서, 가로방향으로 게이트 배선(150)이 형성되며, 상기 게이트 배선(150)에서 돌출 연장된 게이트 전극(152)이 형성되어 있다. Figure 8 as a top view of the plane of the reflection type liquid crystal display according to the present invention, the gate wiring 150 in the lateral direction is formed, a gate electrode 152 extends projecting from the gate wiring 150 is formed It is.

그리고, 세로방향으로 데이터 배선(160)이 형성되며, 상기 게이트 전극(152)이 형성된 부근의 데이터 배선(160)에서 연장된 소스전극(162)이 상기 게이트 전극(52)과 소정면적 오버랩되어 형성된다. Then, the vertical to a direction the data line 160 is formed, and forming a source electrode 162 extending from the data line 160 near the gate electrode 152 is formed overlaps the gate electrode 52 and the predetermined area do.

또한, 상기 게이트 전극(152)을 중심으로 상기 소스전극(162)과 대응되는 위치에 드레인 전극(164)이 형성되어 있다. Further, the drain electrode 164 at a position corresponding to the source electrode 162 are formed around the gate electrode 152.

드레인 전극(164)은 상기 드레인 전극(164) 상에 형성된 콘택홀(166)을 통해 화소전극(168)과 접촉하고 있다. The drain electrode 164 is in contact with the pixel electrode 168 through a contact hole 166 formed on the drain electrode 164.

여기서, 상기 화소전극(168)은 실질적으로 투명한 도전성 재질로 형성되며, 종류로는 인듐-틴-옥사이드(ITO), 인듐-징크-옥사이드(IZO) 등이 사용된다. Here, the pixel electrode 168 is formed of a substantially transparent conductive material, the types include indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-oxide is (IZO) and the like are used.

또한, 도 8에는 자세하게 나타나지 않지만, 상기 화소전극(168)의 하부에는 반사판(156)이 형성되며, 상기 반사판은 투과홀(154)을 포함하고 있다. Further, Fig. 8, but not, in the lower portion of the pixel electrode 168 and the reflection plate 156 is formed precisely, the reflective plate includes a penetration hole (154).

상기 화소전극(168)은 상기 반사판(156) 내부에 형성된 투과홀(154)보다 면적이 크면 된다. The pixel electrode 168 is the area than the penetration hole 154 formed inside the reflective plate 156 is larger. 즉, 상기 투과홀(154)을 상기 화소전극(168)이 가리는 형상으로 반사투과형 액정 표시장치는 형성된다. That is, the penetration hole 154, the shape of the pixel electrode 168 covering the reflection type liquid crystal display is formed.

도 9a 내지 도 9d는 도 8의 절단선 Ⅸ-Ⅸ로 자른 단면의 제작공정을 도시한 공정도로서, 본 발명에 따른 반사투과형 액정 표시장치의 제작공정은 기판(1) 상에 반사판(156)을 형성하는 것으로부터 시작된다. As Fig. 9a to flow diagram FIG. 9d illustrates a manufacturing process of a cross section cut at the cutting line Ⅸ-Ⅸ of Figure 8, a reflective transmissive manufacturing process of the liquid crystal display device is a reflector on a substrate (1) 156 according to the invention It begins to form.

도 9a에 도시된 도면은 제 1 금속을 사용하여 반사판(156)을 형성하는 단계 를 도시한 도면으로, 먼저, 기판(1)에 스위칭 영역(S) 및 화소영역(P)을 정의하고, 상기 화소영역(P)의 소정의 위치에 투과홀(154)이 형성된 반사판(156)을 형성한다. In view also of the drawings shown in 9a illustrates a step for forming the reflection plate 156 using the first metal, the first, and defining the switching region (S) and a pixel region (P) on the substrate (1), the to form a reflection plate 156 is formed a penetration hole 154 at a predetermined position in the pixel regions (P).

상기 반사판(156)은 상기 투과홀(154)을 제외한 전 영역의 기판을 덮는 형태로 형성된다. The reflection plate 156 is formed into a shape which covers the substrate in all areas except for the penetration hole 154.

여기서, 상기 제 1 금속은 실질적으로 불투명한 금속이 사용되며, 반사율이 우수한 알루미늄-네오디뮴(AlNd) 등의 금속이 사용될 수 있다. Here, the first metal is a substantially opaque metal is used, excellent reflectivity aluminum-metal such as neodymium (AlNd) can be used.

도 9b는 상기 제 1 금속(반사판) 및 상기 제 1 금속 내에 형성된 투과홀(154)의 전면에 걸쳐 제 1 보호층(170)을 형성하는 단계를 도시한 도면이다. Figure 9b is a view showing the step of forming a first passivation layer 170 over the entire surface of the first metal (reflector) and the second penetration holes 154 formed in the first metal.

상기 제 1 보호층(170)은 실리콘 질화막(SiN x ), 실리콘 산화막(SiO 2 ) 등이 사용되며, 상기 스위칭 영역 상부 상기 제 1 보호막(170) 상에 제 2 금속으로 게이트 전극(152)을 형성한다. The first protective layer 170 is a silicon nitride (SiN x), silicon oxide (SiO 2) are used and the like, with a second metal on the switching region above the first protective film 170, gate electrode 152 forms.

도 9c는 상기 스위칭 영역(S)에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 도시한 도면이다. Figure 9c is a diagram showing a step of forming a thin film transistor in the switching region (S).

상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극(152), 게이트 절연막(172), 액티브층(174), 제 2 금속의 소스 및 드레인 전극(162, 164)으로 구성된다. The thin film transistor is of a gate electrode 152, a gate insulating film 172, an active layer 174, source and drain electrodes 162 and 164 of the second metal.

즉, 본 발명에 따른 반사투과형 액정 표시장치의 박막 트랜지스터는 역 스태거드형 박막 트랜지스터로서, 상기 게이트 전극(152)을 덮는 형태로 게이트 절연막(172)이 형성되며, 상기 게이트 전극(152) 상부 상기 게이트 절연막(172) 상에 액티브층(174)이 형성된다. That is, the transistor of the reflection type liquid crystal display according to the present invention, reverse stagger deuhyeong as a thin film transistor, and a gate insulating film 172 is formed into a shape covering the gate electrodes 152, the gate electrode 152 is above the the active layer 174 is formed on the gate insulating film 172. 또한, 상기 액티브층(174)과 접촉하는 형태로 소스 및 드레인 전극(162, 164)이 형성된다. Further, the active layer 174 form the source and drain electrodes (162, 164) in contact with is formed.

여기서, 상기 액티브층(174)은 순수 비정질 실리콘(174a)과 불순물 비정질 실리콘(174b)의 적층구조이며, 상기 소스 및 드레인 전극(162, 164)은 상기 액티브층의 불순물 비정질 실리콘(174b)과 접촉하고 있다. Here, the active layer 174 is a pure amorphous silicon (174a) with an impurity and layered structure of amorphous silicon (174b), the source and drain electrodes 162,164 are in contact with the impurity amorphous silicon (174b) of the active layer and.

그리고, 상기 소스 및 드레인 전극(162, 164)의 사이에 존재하는 불순물 비정질 실리콘을 제거하여 상기 박막 트랜지스터의 채널(CH)을 형성한다. And, to remove impurities existing in the amorphous silicon between the source and drain electrodes (162, 164) form a channel (CH) of the thin film transistor.

도 9d는 화소전극(168)을 형성하는 단계를 도시한 도면이다. Figure 9d is an illustration showing the step of forming the pixel electrode 168.

먼저, 상기 화소전극(168)을 형성하기 전에, 상기 박막 트랜지스터를 보호하는 제 2 보호막(176)을 형성한다. First, before forming the pixel electrode 168, a second protective film 176 for protecting the thin film transistor. 상기 제 2 보호막(176)에는 상기 드레인 전극(164)의 일부가 노출된 드레인 콘택홀(166)이 형성되며, 상기 드레인 콘택홀(166)을 통해 노출된 드레인 전극(164)과 상기 화소전극(168)이 접촉한다. The second protective film 176, the drain contact hole 166 partially exposing the drain electrode 164 are formed, the drain electrode 164 and the pixel exposed through the drain contact hole 166, the electrode ( 168) comes into contact.

상기 화소전극(168)은 상기 화소영역(P)에 형성되며, 상기 반사판(156)에 형성된 투과홀(154)을 수직적으로 가리는 형태로 구성된다. The pixel electrode 168 is formed on the pixel region (P), it is of a type covering the penetration hole 154 formed in the reflecting plate 156 vertically.

또한, 상기 화소전극(168)은 실질적으로 투명한 도전성 금속을 사용하며, 인듐-틴 옥사이드(ITO), 인듐-징크-옥사이드(IZO) 등의 금속 산화물이 사용된다. Further, the pixel electrode 168 is substantially a transparent conductive metal, and indium-tin oxide (ITO), indium-zinc-oxide, such as a metal oxide (IZO) may be used.

상기 화소전극(168)의 형성으로 반사투과형 액정 표시장치의 박막 트랜지스터 어레이 기판은 완성된다. A thin film transistor array substrate of the reflection type liquid crystal display formed of the pixel electrode 168 is completed.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 반사투과형 액정 표시장치에서는 첫 공정으로 반사판을 기판 전면에 형성하였으며, 상기 반사판은 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하지 않기 때문에 종래의 반사투과형 액정 표시장치의 제작공정과 비교해서, 드레인 전극과의 접촉을 위한 콘택홀 공정이 제거되어 제작공정이 줄어드는 효과가 있다. In the reflection type liquid crystal display according to the present invention as described above it was formed by the reflector as the first step in the front substrate, and the reflector is compared manufacturing steps of the conventional reflection type liquid crystal display, and because it does not contact the drain electrode of the thin film transistor Then, the contact hole for the contact process with the drain electrode is removed has an effect the production process decreases.

또한, 반사판이 제일 먼저 기판 상에 형성되기 때문에 반사판의 반사에 의한 얼라인 공정에서 불량이 발생하는 확률을 감소시킬 수 있다. Further, since the reflection plate is first formed on the substrate can reduce the probability that a defect occurs in the alignment step with the reflection of the reflection plate.

그리고, 투과홀을 제외한 기판의 전 영역에 반사판이 형성되기 때문에 게이트 전극 및 게이트 배선의 전체와 오버랩되어 반사모드에서의 개구율이 향상되는 장점이 있다. And, since the reflection plate is formed on the entire region of the substrate excluding the penetration hole overlaps the entirety of the gate electrode and the gate wiring has an advantage that aperture ratio is improved in the reflection mode.

상술한 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예들을 따라 반사투과형 액정 표시장치를 제작할 경우 다음과 같은 특징이 있다. When producing a reflection type liquid crystal display according to a preferred embodiment of the present invention as described above has the following characteristics:

첫째, 드레인 전극과 접촉하는 전극이 화소전극 뿐이어서 상기 드레인 전극의 노출을 위한 콘택홀 공정이 종래의 반사투과형 액정 표시장치의 제작공정에 비해 줄어드는 장점이 있다. First, the contact holes only go process for an electrode in contact with the drain electrode of the pixel electrode to expose the drain electrode is reduced has the advantage, compared with the manufacturing steps of a conventional reflection type liquid crystal display.

둘째, 반사판의 제작공정이 제일 처음공정에서 형성되기 때문에, 반사판의 반사에 의한 얼라인 불량을 줄일 수 있는 장점이 있다. Second, because of the manufacturing steps of the reflection plate is formed in the very first step, it is advantageous to reduce alignment failure due to reflection of the reflection plate.

셋째, 투과홀을 제외한 기판의 전 영역에 반사판이 형성되기 때문에 게이트 전극 및 게이트 배선의 전체와 오버랩되어 반사모드에서의 개구율이 향상되는 장점이 있다. Third, since the reflection plate is formed on the entire region of the substrate excluding the penetration hole overlaps the entirety of the gate electrode and the gate wiring has an advantage that aperture ratio is improved in the reflection mode.

Claims (4)

  1. 스위칭 영역과 화소영역이 정의된 기판과; A switching area and a pixel area defined substrate;
    상기 기판 상에 형성되고, 상기 화소영역 상에 투과홀이 형성된 반사판과; A reflector formed on the substrate, having a penetration hole on the pixel region;
    상기 반사판을 포함하는 상기 기판 상에 형성된 제 1 보호막과; A first protective film formed on the substrate including the reflective plate, and;
    상기 스위칭 영역의 상기 제 1 보호막 상에 형성된 게이트 전극과; Wherein the gate electrode formed on the first protective film of the switching region;
    상기 게이트 전극을 포함한 상기 기판 상에 형성된 게이트 절연막과; A gate insulating film formed on the substrate including the gate electrode;
    상기 게이트 전극 상부의 상기 게이트 절연막 상에 형성되며, 채널이 형성된 액티브층과; It is formed on the gate insulating film of the gate electrode thereon, an active layer and a channel is formed;
    상기 액티브층과 접촉하며, 서로 이격되어 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극과; In contact with the active layer, a source electrode and a drain electrode spaced apart from each other and that is formed by;
    상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 포함한 상기 기판 상에 형성되고, 상기 드레인 전극이 노출되는 드레인 콘택홀을 갖는 제 2 보호막과; It is formed on the substrate including the source electrode and the drain electrode, and a second protective layer having a drain contact hole that expose the drain electrode;
    상기 제 2 보호막 상에 형성되며, 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극; The second is formed on the second protective film, a pixel which is in contact with the drain electrode through the contact hole and the drain electrode;
    을 포함하는 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판. An array substrate of the reflection type liquid crystal display comprising a.
  2. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1,
    상기 반사판은 실질적으로 불투명 금속인 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판. The reflection plate is substantially non-transparent metal reflection of a transmission array substrate of the liquid crystal display device.
  3. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1,
    상기 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO), 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 구성된 집단에서 선택된 물질인 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판. The pixel electrode is indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-transmissive reflection of the array substrate of the liquid crystal display material selected from the group consisting of oxide (IZO).
  4. 스위칭 영역과 화소영역이 정의된 기판을 구비하는 단계와; Comprising: a substrate having a switching area and a pixel area defined as;
    상기 기판 상에 형성되며, 상기 화소영역 상에 투과홀을 가진 반사판을 형성하는 단계와; It is formed on the substrate, forming a reflecting plate having penetration holes on the pixel region;
    상기 반사판을 포함하는 상기 기판 상에 제 1 보호막을 형성하는 단계와; Forming a first protective film on said substrate including the reflective plate;
    상기 스위칭 영역의 상기 제 1 보호막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계과; Dangyegwa of forming a gate electrode on the first protective film of the switching region;
    상기 게이트 전극을 포함한 상기 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; Forming a gate insulating film on the substrate including the gate electrode;
    상기 게이트 전극과 대응되는 상기 게이트 절연막 상에 액티브층을 형성하는 단계와; Forming an active layer on the gate insulating layer corresponding to the gate electrode;
    상기 액티브층과 접촉하며, 서로 이격되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와; And forming a source electrode and a drain electrode which is in contact with the active layer, separated from each other;
    상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 포함한 상기 기판 상에 상기 드레인 전극이 노출되는 드레인 콘택홀을 가지는 제 2 보호막을 형성하는 단계와; On the substrate including the source electrode and the drain electrode, and forming a second protective layer having a drain contact hole and the drain electrode is exposed;
    상기 제 2 보호막 상에 형성되며, 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계; Forming a pixel electrode contacting the drain electrode formed on the second protective film, through the drain contact holes;
    를 포함하는 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판의 제조방법. Method for manufacturing a transflective type reflective array substrate of a liquid crystal display device comprising a.
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