JP2003103553A - 表示素子用プラスチック基板および表示素子用プラスチック基板の製造方法 - Google Patents
表示素子用プラスチック基板および表示素子用プラスチック基板の製造方法Info
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- JP2003103553A JP2003103553A JP2001305242A JP2001305242A JP2003103553A JP 2003103553 A JP2003103553 A JP 2003103553A JP 2001305242 A JP2001305242 A JP 2001305242A JP 2001305242 A JP2001305242 A JP 2001305242A JP 2003103553 A JP2003103553 A JP 2003103553A
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- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐熱性、耐薬品性に優れ、平均線膨張係数が
低く、かつ、表面平滑性が良好であることを特徴とする
表示素子用プラスチック基板を提供する。 【解決手段】 繊維布に樹脂を含浸・乾燥させたプリプ
レグであるコア層を、金属箔に熱硬化性樹脂をコートし
熱硬化させた表面層２層で前記熱硬化性樹脂が内側にな
るようにして挟み込み、加熱成形後、金属箔を除去する
表示素子用プラスチック基板の製造方法。
低く、かつ、表面平滑性が良好であることを特徴とする
表示素子用プラスチック基板を提供する。 【解決手段】 繊維布に樹脂を含浸・乾燥させたプリプ
レグであるコア層を、金属箔に熱硬化性樹脂をコートし
熱硬化させた表面層２層で前記熱硬化性樹脂が内側にな
るようにして挟み込み、加熱成形後、金属箔を除去する
表示素子用プラスチック基板の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐熱性、耐薬品
性、寸法安定性に優れた、反射型薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴと称する）液晶表示素子、有機・無機ＥＬ表
示素子、プラズマディスプレー素子等の表示素子に好適
な表示素子用プラスチック基板の製造方法に関する。
性、寸法安定性に優れた、反射型薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴと称する）液晶表示素子、有機・無機ＥＬ表
示素子、プラズマディスプレー素子等の表示素子に好適
な表示素子用プラスチック基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、表示素子には薄膜化、軽量化、大
型化、任意の形状化、曲面表示対応などの高度な要求が
ある。特に、携帯機器については軽量化、高耐久性が強
く要求され、これらの利用が拡大されるにつれて、従来
のガラス基板に変わりプラスチックを基板とする表示パ
ネルが検討され、一部で実用化され始めた。しかし、最
近になってさらに液晶のカラー動画化に伴い高速応答性
が要求され、ＴＦＴの需要が高まりつつあるが、 ＴＦ
Ｔ用液晶表示基板には依然としてガラス基板が使われて
おり、軽量化、高耐久性の強い要求からプラスチック化
が望まれている。しかしながら、従来のプラスチック表
示素子用基板では、耐熱性が十分ではなく金属半導体や
絶縁膜をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）で形成
する工程で反りや変形を起こす恐れがあった。また、基
板をなす樹脂層と電極との熱膨張率の差が大きいため、
特に加工時に高い温度変化にさらされるＴＦＴ液晶基板
用途に於いては、透明電極に亀裂が生じ易く抵抗値の増
大が生じたり、時には断線といった事態に陥ることもあ
り、その実用化にはまだ至っていない。一方、反射型液
晶表示素子は低消費電力の点から注目されており、これ
ら基板のプラスチック化の試みも行われている。例え
ば、特開平１１−２８１２号公報においてはガラスエポ
キシ積層板等の樹脂を含浸させた繊維布を含む積層板を
反射型液晶表示基板に用いることが示されている。しか
しながら、ガラスエポキシ積層板では、ガラスクロスの
織りによる凹凸形状が基板表面にも現れ、特に高精細な
画像が要求される近年では、表面をさらに平滑化する必
要があった。
型化、任意の形状化、曲面表示対応などの高度な要求が
ある。特に、携帯機器については軽量化、高耐久性が強
く要求され、これらの利用が拡大されるにつれて、従来
のガラス基板に変わりプラスチックを基板とする表示パ
ネルが検討され、一部で実用化され始めた。しかし、最
近になってさらに液晶のカラー動画化に伴い高速応答性
が要求され、ＴＦＴの需要が高まりつつあるが、 ＴＦ
Ｔ用液晶表示基板には依然としてガラス基板が使われて
おり、軽量化、高耐久性の強い要求からプラスチック化
が望まれている。しかしながら、従来のプラスチック表
示素子用基板では、耐熱性が十分ではなく金属半導体や
絶縁膜をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）で形成
する工程で反りや変形を起こす恐れがあった。また、基
板をなす樹脂層と電極との熱膨張率の差が大きいため、
特に加工時に高い温度変化にさらされるＴＦＴ液晶基板
用途に於いては、透明電極に亀裂が生じ易く抵抗値の増
大が生じたり、時には断線といった事態に陥ることもあ
り、その実用化にはまだ至っていない。一方、反射型液
晶表示素子は低消費電力の点から注目されており、これ
ら基板のプラスチック化の試みも行われている。例え
ば、特開平１１−２８１２号公報においてはガラスエポ
キシ積層板等の樹脂を含浸させた繊維布を含む積層板を
反射型液晶表示基板に用いることが示されている。しか
しながら、ガラスエポキシ積層板では、ガラスクロスの
織りによる凹凸形状が基板表面にも現れ、特に高精細な
画像が要求される近年では、表面をさらに平滑化する必
要があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、 耐熱性、
耐薬品性に優れ、平均線膨張係数が低く、かつ、表面平
滑性が良好であることを特徴とする表示素子用プラスチ
ック基板を提供することである。
耐薬品性に優れ、平均線膨張係数が低く、かつ、表面平
滑性が良好であることを特徴とする表示素子用プラスチ
ック基板を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、
（１）繊維布に樹脂を含浸・乾燥させたプリプレグであ
るコア層を、金属箔に熱硬化性樹脂をコートし熱硬化さ
せた表面層２層で前記熱硬化性樹脂が内側になるように
して挟み込み、加熱成形後、金属箔を除去する表示素子
用プラスチック基板の製造方法。 （２）前記金属箔の表面平滑性が５００ｎｍ以下である
（１）の表示素子用プラスチック基板の製造方法。 （３）前記表面層に使用する熱硬化性樹脂が少なくとも
シアネート樹脂を含むことを特徴とする（１）、（２）
の表示素子用プラスチック基板の製造方法。 （４）前記表面層１層の厚みが３〜５０μmである
（１）〜（３）の表示素子用プラスチック基板の製造方
法。 （５）前記コア層が、少なくともシアネート樹脂を含む
ことを特徴とする（１）〜（４）の表示素子用プラスチ
ック基板の製造方法。 （６）前記コア層が、少なくともシアネート樹脂と無機
充填材とを含むことを特徴とする（１）〜（５）の表示
素子用プラスチック基板の製造方法。 （７）前記無機充填材が、平均粒径２μm以下の球状溶
融シリカであることを特徴とする（１）〜（６）の表示
素子用プラスチック基板の製造方法。 （８）表面層の熱硬化性樹脂硬化物と硬化したコア層と
の３０〜２００℃での平均線膨張係数の差が、０〜１０
０ｐｐｍであることを特徴とする（１）〜（７）の表示
素子用プラスチック基板の製造方法。 （９）３０〜２００℃での平均線膨張係数が−５〜７０
ｐｐｍで、且つ厚みが５０〜１０００μmである（１）
〜（８）の製造方法で製造された表示素子用プラスチッ
ク基板。である。
るコア層を、金属箔に熱硬化性樹脂をコートし熱硬化さ
せた表面層２層で前記熱硬化性樹脂が内側になるように
して挟み込み、加熱成形後、金属箔を除去する表示素子
用プラスチック基板の製造方法。 （２）前記金属箔の表面平滑性が５００ｎｍ以下である
（１）の表示素子用プラスチック基板の製造方法。 （３）前記表面層に使用する熱硬化性樹脂が少なくとも
シアネート樹脂を含むことを特徴とする（１）、（２）
の表示素子用プラスチック基板の製造方法。 （４）前記表面層１層の厚みが３〜５０μmである
（１）〜（３）の表示素子用プラスチック基板の製造方
法。 （５）前記コア層が、少なくともシアネート樹脂を含む
ことを特徴とする（１）〜（４）の表示素子用プラスチ
ック基板の製造方法。 （６）前記コア層が、少なくともシアネート樹脂と無機
充填材とを含むことを特徴とする（１）〜（５）の表示
素子用プラスチック基板の製造方法。 （７）前記無機充填材が、平均粒径２μm以下の球状溶
融シリカであることを特徴とする（１）〜（６）の表示
素子用プラスチック基板の製造方法。 （８）表面層の熱硬化性樹脂硬化物と硬化したコア層と
の３０〜２００℃での平均線膨張係数の差が、０〜１０
０ｐｐｍであることを特徴とする（１）〜（７）の表示
素子用プラスチック基板の製造方法。 （９）３０〜２００℃での平均線膨張係数が−５〜７０
ｐｐｍで、且つ厚みが５０〜１０００μmである（１）
〜（８）の製造方法で製造された表示素子用プラスチッ
ク基板。である。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明のプラスチック基板は透過
光を使用しない反射型液晶表示基板あるいはトップエミ
ッション型ＥＬ表示素子用基板等に用いるものであるた
め、透明性は要求されない。このプラスチック基板の厚
みは、５０〜１０００μｍ、好ましくは７０〜７００μ
ｍ、より好ましくは８０〜６００μｍ、さらに好ましく
は１００〜５００μｍである。下限値未満では基板の剛
性が維持できないおそれがあり、上限値を超えると重量
が大きくなりすぎるため、軽量化を目的とするプラスチ
ック化のメリットが失われてしまうおそれがある。ま
た、３０〜２００℃での平均熱線膨張係数は−５〜７０
ｐｐｍ、好ましくは、−３〜３０ｐｐｍ、より好ましく
は０〜２０ｐｐｍの範囲である。平均線膨張係数がこの
範囲をはずれると配線に用いられる金属の平均線膨張係
数との差が大きくなるため、高温にさらされたとき断線
を生じるおそれがある。また、少なくとも一方の面の表
面平滑性は５００ｎｍ以下である事が好ましい。ここで
言う表面平滑性とは、表面構造解析顕微鏡New View 503
2(Zygo Corporation製)により視野：1.44mmラ1.08mmで観
察を行った時の最高点と最低点との距離である。従って
表面平滑性は低い程良く、より好ましくは、４００ｎｍ
以下であり、更に好ましくは３００ｎｍ以下である。こ
の距離が前記上限値を越える場合には、断線を起こすこ
となく金属半導体や絶縁膜をＣＶＤで形成することが困
難である。
光を使用しない反射型液晶表示基板あるいはトップエミ
ッション型ＥＬ表示素子用基板等に用いるものであるた
め、透明性は要求されない。このプラスチック基板の厚
みは、５０〜１０００μｍ、好ましくは７０〜７００μ
ｍ、より好ましくは８０〜６００μｍ、さらに好ましく
は１００〜５００μｍである。下限値未満では基板の剛
性が維持できないおそれがあり、上限値を超えると重量
が大きくなりすぎるため、軽量化を目的とするプラスチ
ック化のメリットが失われてしまうおそれがある。ま
た、３０〜２００℃での平均熱線膨張係数は−５〜７０
ｐｐｍ、好ましくは、−３〜３０ｐｐｍ、より好ましく
は０〜２０ｐｐｍの範囲である。平均線膨張係数がこの
範囲をはずれると配線に用いられる金属の平均線膨張係
数との差が大きくなるため、高温にさらされたとき断線
を生じるおそれがある。また、少なくとも一方の面の表
面平滑性は５００ｎｍ以下である事が好ましい。ここで
言う表面平滑性とは、表面構造解析顕微鏡New View 503
2(Zygo Corporation製)により視野：1.44mmラ1.08mmで観
察を行った時の最高点と最低点との距離である。従って
表面平滑性は低い程良く、より好ましくは、４００ｎｍ
以下であり、更に好ましくは３００ｎｍ以下である。こ
の距離が前記上限値を越える場合には、断線を起こすこ
となく金属半導体や絶縁膜をＣＶＤで形成することが困
難である。
【０００６】本発明のコア層に使用する樹脂のＴｇは特
に限定しないが、耐熱性の観点から２５０℃以上である
ことが好ましい。具体的にはシアネート樹脂、ビスマレ
イミドを構成成分として含む熱硬化型のポリイミド樹
脂、多官能エポキシ樹脂などを挙げることができる。な
かでも、シアネート樹脂を主成分として含むことが特に
好ましい。本発明に用いるシアネート樹脂としては、ビ
スフェノールジシアネート、ジ（４−シアネート−３，
５−ジメチルフェニル）メタン、４，４’−チオジフェ
ニルシアネート、２，２’−ジ（４−シアネートフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、ビスフェノールＥジシア
ネート、フェノール／ジシクロペンタジエン共重合体の
シアネート、フェノールノボラック型シアネート樹脂、
クレゾールノボラック型シアネート樹脂、及び／又はそ
のプレポリマーを用いることができる。中でも耐熱性が
高く線膨張係数が低いことからノボラック型シアネート
樹脂及び／又はそのプレポリマーが好ましい。ここでい
うノボラック型シアネート樹脂とは任意のノボラック樹
脂と、ハロゲン化シアン等のシアネート化試薬とを反応
させることで得られるもので、またこの得られた樹脂を
加熱することでプレポリマー化することが出来る。本発
明におけるノボラック型シアネート樹脂の数平均分子量
は、２５０未満であると、架橋密度が小さく、耐熱性や
線膨張係数に劣る場合があり、９００を超えると、架橋
密度が上がりすぎて反応が完結できない場合があるた
め、２６０〜９００であることが望ましく、より好まし
くは３００〜６００である。また、プレポリマーを用い
る際には、上記数平均分子量のノボラック型シアネート
樹脂をメチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、シ
クロヘキサノン等の溶媒に可溶な範囲でプレポリマー化
して用いることが望ましい。本発明で言うところの数平
均分子量は、東ソー株式会社製ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ
装置（使用カラム：ＳＵＰＥＲ Ｈ４０００、ＳＵＰＥ
Ｒ Ｈ３０００、ＳＵＰＥＲ Ｈ２０００×２、溶離
液：ＴＨＦ）を用いて、ポリスチレン換算のゲルパーミ
エーションクロマトグラフィー報で測定した値である。
本発明のコア層に用いる樹脂組成物は、上記ノボラック
シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーに、エポキ
シ樹脂、フェノール樹脂等の他の熱硬化樹脂、フェノキ
シ樹脂、溶剤可溶性ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオ
キシド、ポリエーテルスルホン等の一種類以上の熱可塑
性樹脂を併用しても良い。併用する量は樹脂組成物の１
〜４０重量％が好ましい。１重量％未満であると添加効
果が発現されにくく、４０重量％を超えるとノボラック
型シアネートの耐熱性、熱膨張等の特性が損なわれる場
合がある。
に限定しないが、耐熱性の観点から２５０℃以上である
ことが好ましい。具体的にはシアネート樹脂、ビスマレ
イミドを構成成分として含む熱硬化型のポリイミド樹
脂、多官能エポキシ樹脂などを挙げることができる。な
かでも、シアネート樹脂を主成分として含むことが特に
好ましい。本発明に用いるシアネート樹脂としては、ビ
スフェノールジシアネート、ジ（４−シアネート−３，
５−ジメチルフェニル）メタン、４，４’−チオジフェ
ニルシアネート、２，２’−ジ（４−シアネートフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、ビスフェノールＥジシア
ネート、フェノール／ジシクロペンタジエン共重合体の
シアネート、フェノールノボラック型シアネート樹脂、
クレゾールノボラック型シアネート樹脂、及び／又はそ
のプレポリマーを用いることができる。中でも耐熱性が
高く線膨張係数が低いことからノボラック型シアネート
樹脂及び／又はそのプレポリマーが好ましい。ここでい
うノボラック型シアネート樹脂とは任意のノボラック樹
脂と、ハロゲン化シアン等のシアネート化試薬とを反応
させることで得られるもので、またこの得られた樹脂を
加熱することでプレポリマー化することが出来る。本発
明におけるノボラック型シアネート樹脂の数平均分子量
は、２５０未満であると、架橋密度が小さく、耐熱性や
線膨張係数に劣る場合があり、９００を超えると、架橋
密度が上がりすぎて反応が完結できない場合があるた
め、２６０〜９００であることが望ましく、より好まし
くは３００〜６００である。また、プレポリマーを用い
る際には、上記数平均分子量のノボラック型シアネート
樹脂をメチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、シ
クロヘキサノン等の溶媒に可溶な範囲でプレポリマー化
して用いることが望ましい。本発明で言うところの数平
均分子量は、東ソー株式会社製ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ
装置（使用カラム：ＳＵＰＥＲ Ｈ４０００、ＳＵＰＥ
Ｒ Ｈ３０００、ＳＵＰＥＲ Ｈ２０００×２、溶離
液：ＴＨＦ）を用いて、ポリスチレン換算のゲルパーミ
エーションクロマトグラフィー報で測定した値である。
本発明のコア層に用いる樹脂組成物は、上記ノボラック
シアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーに、エポキ
シ樹脂、フェノール樹脂等の他の熱硬化樹脂、フェノキ
シ樹脂、溶剤可溶性ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオ
キシド、ポリエーテルスルホン等の一種類以上の熱可塑
性樹脂を併用しても良い。併用する量は樹脂組成物の１
〜４０重量％が好ましい。１重量％未満であると添加効
果が発現されにくく、４０重量％を超えるとノボラック
型シアネートの耐熱性、熱膨張等の特性が損なわれる場
合がある。
【０００７】本発明のコア層に用いる樹脂組成物は、前
記樹脂成分と共に無機充填材を併用することが好まし
い。無機充填材は弾性率を高め、線膨張係数を低下さ
せ、吸水性を低下させるために配合されるものである。
無機充填材としては、例えばタルク、アルミナ、ガラ
ス、シリカ、マイカ等が挙げられるが、特に限定はしな
い。これらの中では溶融シリカが低熱膨張性に優れる点
で好ましい。さらに溶融シリカの中でも平均粒径２μｍ
以下の球状溶融シリカを用いることが充填性向上の点で
好ましい。また、平均粒径は粘度制御の点で０．２μｍ
以上が好ましい。本発明で平均粒径は株式会社堀場製作
所粒度分布測定装置 ＬＡ９２０を用いて、レーザ回折
／散乱法で測定を行った。無機充填材の配合量として
は、樹脂成分１００重量部に対して、１０〜４００重量
部が好ましく、より好ましくは４０〜３００重量部であ
る。１０重量部より少ないと無機充填材を添加すること
による低熱膨張化の効果が少なく、４００重量部を超え
ると樹脂組成物中の無機充填材の割合が大きすぎて、樹
脂ワニスのガラス基材への塗布、含浸などの操作が困難
となる傾向がある。本発明のコア層に用いる樹脂組成物
には、カップリング剤を添加することが好ましい。カッ
プリング剤は樹脂と無機充填材の界面との濡れ性を向上
させることにより、ガラスクロスに対して樹脂および充
填材を均一に定着させ、耐熱性や吸湿性を改良する効果
が認められる。カップリング剤としては通常用いられる
ものなら何でも使用できるが、これらの中でもエポキシ
シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、
アミノシランカップリング剤及びシリコーンオイル型カ
ップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング
剤を使用することが無機充填材界面との濡れ性が高く、
耐熱性向上の点で好ましい。本発明でカップリング剤
は、無機充填材に対して０．０５重量％以上、３重量％
以下が望ましい。本発明の樹脂組成物にシアネート樹脂
を用いる場合には、樹脂組成物に硬化促進剤を添加する
ことが好ましい。硬化促進剤としては、公知のものを用
いることができ、例としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテ
ン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト等
の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、
ジアザビシクロ[２，２，２]オクタン等の３級アミン
類、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチ
ル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−
ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−
メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダ
ゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェ
ノール、フェノールノボラック樹脂等のフェノール化合
物および有機酸等、またはこれらの混合物等が挙げられ
る。これらの中でもフェノールノボラック樹脂が硬化
性、イオン性不純物が少ない等の点で好ましい。本発明
で硬化促進剤の配合量は使用条件に応じて適宜変更する
ことが可能であるが、ノボラック型シアネート樹脂およ
び／またはそのプレポリマーを基準として０．０５重量
％以上、１０重量％以下であることが望ましい。
記樹脂成分と共に無機充填材を併用することが好まし
い。無機充填材は弾性率を高め、線膨張係数を低下さ
せ、吸水性を低下させるために配合されるものである。
無機充填材としては、例えばタルク、アルミナ、ガラ
ス、シリカ、マイカ等が挙げられるが、特に限定はしな
い。これらの中では溶融シリカが低熱膨張性に優れる点
で好ましい。さらに溶融シリカの中でも平均粒径２μｍ
以下の球状溶融シリカを用いることが充填性向上の点で
好ましい。また、平均粒径は粘度制御の点で０．２μｍ
以上が好ましい。本発明で平均粒径は株式会社堀場製作
所粒度分布測定装置 ＬＡ９２０を用いて、レーザ回折
／散乱法で測定を行った。無機充填材の配合量として
は、樹脂成分１００重量部に対して、１０〜４００重量
部が好ましく、より好ましくは４０〜３００重量部であ
る。１０重量部より少ないと無機充填材を添加すること
による低熱膨張化の効果が少なく、４００重量部を超え
ると樹脂組成物中の無機充填材の割合が大きすぎて、樹
脂ワニスのガラス基材への塗布、含浸などの操作が困難
となる傾向がある。本発明のコア層に用いる樹脂組成物
には、カップリング剤を添加することが好ましい。カッ
プリング剤は樹脂と無機充填材の界面との濡れ性を向上
させることにより、ガラスクロスに対して樹脂および充
填材を均一に定着させ、耐熱性や吸湿性を改良する効果
が認められる。カップリング剤としては通常用いられる
ものなら何でも使用できるが、これらの中でもエポキシ
シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、
アミノシランカップリング剤及びシリコーンオイル型カ
ップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング
剤を使用することが無機充填材界面との濡れ性が高く、
耐熱性向上の点で好ましい。本発明でカップリング剤
は、無機充填材に対して０．０５重量％以上、３重量％
以下が望ましい。本発明の樹脂組成物にシアネート樹脂
を用いる場合には、樹脂組成物に硬化促進剤を添加する
ことが好ましい。硬化促進剤としては、公知のものを用
いることができ、例としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテ
ン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト等
の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、
ジアザビシクロ[２，２，２]オクタン等の３級アミン
類、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチ
ル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−
ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−
メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダ
ゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェ
ノール、フェノールノボラック樹脂等のフェノール化合
物および有機酸等、またはこれらの混合物等が挙げられ
る。これらの中でもフェノールノボラック樹脂が硬化
性、イオン性不純物が少ない等の点で好ましい。本発明
で硬化促進剤の配合量は使用条件に応じて適宜変更する
ことが可能であるが、ノボラック型シアネート樹脂およ
び／またはそのプレポリマーを基準として０．０５重量
％以上、１０重量％以下であることが望ましい。
【０００８】本発明でコア層に用いられる繊維布は特に
限定されるものではなく、種々の無機系または有機系の
繊維布を用いることができる。 その具体例としては、
Ｅガラス（無アルカリガラス）、Ｓガラス、Ｄガラス、
クォーツ、高誘電率ガラス等のガラスクロス、ケブラー
（商品名：デュポン・東レ・ケブラー社製）、テクノー
ラ（商品名：帝人社製）、コーネックス（商品名：帝人
社製）に代表されるポリ -p-フェニレンフタルアミド、
ポリ -m-フェニレンフタルアミド、p-フェニレンフタル
アミドおよび3,4'- ジフェニルエーテルフタルアミドの
共重合体等からなる芳香族ポリアミド系繊維布やアラミ
ド系繊維布、ポリエステル繊維布、ナイロン繊維布、ポ
リベンザゾール繊維布、炭素繊維布等が挙げられる。
好ましくはガラスクロスである。織布フィラメントの織
り方についても特に限定されるものではなく、平織り、
ななこ織り、朱子織り、綾織り等の構造を有する織物で
も良く、好ましくは平織りである。 また、織布に限定
されるのではなく不織布であってもかまわない。繊維の
厚みも特に限定されるものではないが、３０〜２００μ
ｍであることが好ましく、より好ましくは４０〜１００
μｍである。本発明でコア層に用いられる繊維布は、樹
脂成分との濡れ性を改善する目的で各種のシランカップ
リング剤、ボランカップリング剤、チタネート系カップ
リング剤、アルミニウム系カップリング剤等の表面処理
剤で処理されても良いが、特に限定はしない。
限定されるものではなく、種々の無機系または有機系の
繊維布を用いることができる。 その具体例としては、
Ｅガラス（無アルカリガラス）、Ｓガラス、Ｄガラス、
クォーツ、高誘電率ガラス等のガラスクロス、ケブラー
（商品名：デュポン・東レ・ケブラー社製）、テクノー
ラ（商品名：帝人社製）、コーネックス（商品名：帝人
社製）に代表されるポリ -p-フェニレンフタルアミド、
ポリ -m-フェニレンフタルアミド、p-フェニレンフタル
アミドおよび3,4'- ジフェニルエーテルフタルアミドの
共重合体等からなる芳香族ポリアミド系繊維布やアラミ
ド系繊維布、ポリエステル繊維布、ナイロン繊維布、ポ
リベンザゾール繊維布、炭素繊維布等が挙げられる。
好ましくはガラスクロスである。織布フィラメントの織
り方についても特に限定されるものではなく、平織り、
ななこ織り、朱子織り、綾織り等の構造を有する織物で
も良く、好ましくは平織りである。 また、織布に限定
されるのではなく不織布であってもかまわない。繊維の
厚みも特に限定されるものではないが、３０〜２００μ
ｍであることが好ましく、より好ましくは４０〜１００
μｍである。本発明でコア層に用いられる繊維布は、樹
脂成分との濡れ性を改善する目的で各種のシランカップ
リング剤、ボランカップリング剤、チタネート系カップ
リング剤、アルミニウム系カップリング剤等の表面処理
剤で処理されても良いが、特に限定はしない。
【０００９】本発明のコア層に用いる樹脂組成物には、
必要に応じて、本発明の効果を阻害しない範囲で、滑
剤、耐熱剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、顔料、光安定
剤等の成分を配合することができる。本発明のコア層
は、樹脂組成物を繊維布に含浸・乾燥することによりプ
リプレグとし、このプリプレグは１枚又は複数枚として
使用することができる。本発明のコア層に用いる樹脂組
成物を繊維布に含浸するには、アルコール類、エーテル
類、アセタール類、ケトン類、エステル類、アルコール
エステル類、ケトンアルコール類、エーテルアルコール
類、ケトンエーテル類、ケトンエステル類やエステルエ
ーテル類などの有機溶媒を用いてワニスにし、繊維布に
塗布・乾燥することによってプリプレグを得ることがで
きる。また、本発明の樹脂組成物を無溶剤にて繊維布に
塗布・乾燥することでプリプレグを得ることもできる。
必要に応じて、本発明の効果を阻害しない範囲で、滑
剤、耐熱剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、顔料、光安定
剤等の成分を配合することができる。本発明のコア層
は、樹脂組成物を繊維布に含浸・乾燥することによりプ
リプレグとし、このプリプレグは１枚又は複数枚として
使用することができる。本発明のコア層に用いる樹脂組
成物を繊維布に含浸するには、アルコール類、エーテル
類、アセタール類、ケトン類、エステル類、アルコール
エステル類、ケトンアルコール類、エーテルアルコール
類、ケトンエーテル類、ケトンエステル類やエステルエ
ーテル類などの有機溶媒を用いてワニスにし、繊維布に
塗布・乾燥することによってプリプレグを得ることがで
きる。また、本発明の樹脂組成物を無溶剤にて繊維布に
塗布・乾燥することでプリプレグを得ることもできる。
【００１０】また、本発明で表面層に使用する熱硬化性
樹脂としては特に限定するものではないが、コア層との
３０〜２００℃での平均線膨張係数の差が、０〜１００
ｐｐｍであることが好ましい。更に好ましくは、０〜７
０ｐｐｍであり、最も好ましくは０〜４０ｐｐｍであ
る。平均線膨張係数の差が１００ｐｐｍを越える場合に
は、基板加工時の高い温度変化により、層間剥離を起こ
したり、表面層に亀裂が生じたりするおそれがある。本
発明の表面層１層の厚みは、３〜５０μmであることが
好ましい。更に好ましくは、５〜２０μm、最も好まし
くは、１０〜１５μｍである。この範囲内であれば、層
間剥離を起こすことなく、十分な表面平滑性を得ること
ができる。本発明で、コア層に表面層を積層させる方法
としては、金属箔に熱硬化性樹脂をコートし熱硬化させ
た表面層２層で、硬化させた熱硬化性樹脂が内側になる
ように挟み込み、加熱成形後、更にエッチングまたは剥
離等の処理により金属箔を除去すればよい。金属箔への
熱硬化性樹脂のコートには、通常のコートで用いられる
様々な方法が利用できる。金属箔の材質は特に限定され
るものではなく、市販のものが使用できる。この場合、
金属箔の表面平滑性としては、５００nm以下のものが好
ましく使用できる。更に好ましくは、４００nm以下であ
り、最も好ましくは３００nm以下である。表面平滑性が
５００ｎｍを越える場合には、得られる基板の表面平滑
性が不十分である場合がある。また、本発明の表示素子
用プラスチック基板は、必要に応じて耐湿・耐ガス透過
性等のバリア加工、ハードコート加工および透明電極加
工等が施されてもかまわない。
樹脂としては特に限定するものではないが、コア層との
３０〜２００℃での平均線膨張係数の差が、０〜１００
ｐｐｍであることが好ましい。更に好ましくは、０〜７
０ｐｐｍであり、最も好ましくは０〜４０ｐｐｍであ
る。平均線膨張係数の差が１００ｐｐｍを越える場合に
は、基板加工時の高い温度変化により、層間剥離を起こ
したり、表面層に亀裂が生じたりするおそれがある。本
発明の表面層１層の厚みは、３〜５０μmであることが
好ましい。更に好ましくは、５〜２０μm、最も好まし
くは、１０〜１５μｍである。この範囲内であれば、層
間剥離を起こすことなく、十分な表面平滑性を得ること
ができる。本発明で、コア層に表面層を積層させる方法
としては、金属箔に熱硬化性樹脂をコートし熱硬化させ
た表面層２層で、硬化させた熱硬化性樹脂が内側になる
ように挟み込み、加熱成形後、更にエッチングまたは剥
離等の処理により金属箔を除去すればよい。金属箔への
熱硬化性樹脂のコートには、通常のコートで用いられる
様々な方法が利用できる。金属箔の材質は特に限定され
るものではなく、市販のものが使用できる。この場合、
金属箔の表面平滑性としては、５００nm以下のものが好
ましく使用できる。更に好ましくは、４００nm以下であ
り、最も好ましくは３００nm以下である。表面平滑性が
５００ｎｍを越える場合には、得られる基板の表面平滑
性が不十分である場合がある。また、本発明の表示素子
用プラスチック基板は、必要に応じて耐湿・耐ガス透過
性等のバリア加工、ハードコート加工および透明電極加
工等が施されてもかまわない。
【００１１】
【実施例】次に本発明について、実施例及び比較例を挙
げて詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限
り、以下の実施例に制限されるものではない。 （実施例１）ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャ
パン株式会社製ＰＴ６０）１００重量部及びフェノール
ノボラック樹脂（住友デュレズ製ＰＲ−５１７１４）２
重量部をメチルエチルケトンに常温で溶解し、エポキシ
シランカップリング剤（日本ユニカー製Ａ−１８７）１
重量部、球状溶融シリカ（株式会社アドマテックス製Ｓ
Ｏ−２５Ｒ 平均粒径０．５μｍ ）１５０部を添加
し、高速攪拌機を用いて１０分攪拌した。調製したワニ
スをガラスクロス（厚さ２００μｍ、日東紡績製、ＷＥ
Ａ−７６２８）に含浸し、１２０℃の加熱炉で２分乾燥
してワニス固形分（プリプレグ中に樹脂とシリカの占め
る成分）が約５０％のプリプレグを得た。ノボラック型
シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製ＰＴ６０）
１００重量部及びフェノールノボラック樹脂（住友デュ
レズ製ＰＲ−５１７１４）２重量部をメチルエチルケト
ンに常温で溶解したものを表面平滑性が２６８ｎｍであ
るアルミ箔（５０μm）にコートし、加熱硬化させるこ
とによって樹脂層が２０μmである表面層用ラミネート
フィルムを得た。この表面層用ラミネートフィルム２層
の間に、樹脂層を内側にして、前記プリプレグ２枚を挟
み込み、鏡面のステンレス板を当て板として、圧力４Ｍ
Ｐａ、温度２２０℃で１時間加熱加圧成形を行い、２５
０℃の乾燥機で窒素雰囲気下１時間硬化させ、表面のア
ルミ箔をエッチングすることにより基板を得た。
げて詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限
り、以下の実施例に制限されるものではない。 （実施例１）ノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャ
パン株式会社製ＰＴ６０）１００重量部及びフェノール
ノボラック樹脂（住友デュレズ製ＰＲ−５１７１４）２
重量部をメチルエチルケトンに常温で溶解し、エポキシ
シランカップリング剤（日本ユニカー製Ａ−１８７）１
重量部、球状溶融シリカ（株式会社アドマテックス製Ｓ
Ｏ−２５Ｒ 平均粒径０．５μｍ ）１５０部を添加
し、高速攪拌機を用いて１０分攪拌した。調製したワニ
スをガラスクロス（厚さ２００μｍ、日東紡績製、ＷＥ
Ａ−７６２８）に含浸し、１２０℃の加熱炉で２分乾燥
してワニス固形分（プリプレグ中に樹脂とシリカの占め
る成分）が約５０％のプリプレグを得た。ノボラック型
シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製ＰＴ６０）
１００重量部及びフェノールノボラック樹脂（住友デュ
レズ製ＰＲ−５１７１４）２重量部をメチルエチルケト
ンに常温で溶解したものを表面平滑性が２６８ｎｍであ
るアルミ箔（５０μm）にコートし、加熱硬化させるこ
とによって樹脂層が２０μmである表面層用ラミネート
フィルムを得た。この表面層用ラミネートフィルム２層
の間に、樹脂層を内側にして、前記プリプレグ２枚を挟
み込み、鏡面のステンレス板を当て板として、圧力４Ｍ
Ｐａ、温度２２０℃で１時間加熱加圧成形を行い、２５
０℃の乾燥機で窒素雰囲気下１時間硬化させ、表面のア
ルミ箔をエッチングすることにより基板を得た。
【００１２】（実施例２）球状溶融シリカＳＯ−２５Ｒ
を５０重量部、エポキシシランカップリング剤Ａ−１８
７を０．４重量部にした以外は、実施例１と同様にして
プリプレグを得た。ノボラック型シアネート樹脂（ロン
ザジャパン株式会社製ＰＴ３０）１００重量部及びフェ
ノールノボラック樹脂（住友デュレズ製ＰＲ−５１７１
４）２重量部をメチルエチルケトンに常温で溶解したも
のを表面平滑性が４２７ｎｍである圧延銅箔（３５μ
m）にコートし、加熱硬化させることによって樹脂層が
２０μmである表面層用ラミネートフィルムを得た。こ
の表面層用ラミネートフィルム２層の間に、樹脂層を内
側にして、前記プリプレグ２枚を挟み込み、鏡面のステ
ンレス板を当て板として、圧力４ＭＰａ、温度２２０℃
で１時間加熱加圧成形を行い、２５０℃の乾燥機で窒素
雰囲気下１時間硬化させ、表面の銅箔をエッチングする
ことにより基板を得た。 （実施例３）球状溶融シリカＳＯ−２５Ｒ及びエポキシ
シランカップリング剤Ａ−１８７を用いていないこと以
外は、実施例１と同様にしてプリプレグを得た。ノボラ
ック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製ＰＴ
３０）１００重量部及びフェノールノボラック樹脂（住
友デュレズ製ＰＲ−５１７１４）２重量部をメチルエチ
ルケトンに常温で溶解したものを表面平滑性が４２７ｎ
ｍである圧延銅箔（３５μm）にコートし、加熱硬化さ
せることによって樹脂層が１０μmである表面層用ラミ
ネートフィルムを得た。この表面層用ラミネートフィル
ム２層の間に、樹脂層を内側にして、前記プリプレグ２
枚を挟み込み、鏡面のステンレス板を当て板として、圧
力４ＭＰａ、温度２２０℃で１時間加熱加圧成形を行
い、２５０℃の乾燥機で窒素雰囲気下１時間硬化させ、
表面の銅箔を剥離することにより基板を得た。
を５０重量部、エポキシシランカップリング剤Ａ−１８
７を０．４重量部にした以外は、実施例１と同様にして
プリプレグを得た。ノボラック型シアネート樹脂（ロン
ザジャパン株式会社製ＰＴ３０）１００重量部及びフェ
ノールノボラック樹脂（住友デュレズ製ＰＲ−５１７１
４）２重量部をメチルエチルケトンに常温で溶解したも
のを表面平滑性が４２７ｎｍである圧延銅箔（３５μ
m）にコートし、加熱硬化させることによって樹脂層が
２０μmである表面層用ラミネートフィルムを得た。こ
の表面層用ラミネートフィルム２層の間に、樹脂層を内
側にして、前記プリプレグ２枚を挟み込み、鏡面のステ
ンレス板を当て板として、圧力４ＭＰａ、温度２２０℃
で１時間加熱加圧成形を行い、２５０℃の乾燥機で窒素
雰囲気下１時間硬化させ、表面の銅箔をエッチングする
ことにより基板を得た。 （実施例３）球状溶融シリカＳＯ−２５Ｒ及びエポキシ
シランカップリング剤Ａ−１８７を用いていないこと以
外は、実施例１と同様にしてプリプレグを得た。ノボラ
ック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製ＰＴ
３０）１００重量部及びフェノールノボラック樹脂（住
友デュレズ製ＰＲ−５１７１４）２重量部をメチルエチ
ルケトンに常温で溶解したものを表面平滑性が４２７ｎ
ｍである圧延銅箔（３５μm）にコートし、加熱硬化さ
せることによって樹脂層が１０μmである表面層用ラミ
ネートフィルムを得た。この表面層用ラミネートフィル
ム２層の間に、樹脂層を内側にして、前記プリプレグ２
枚を挟み込み、鏡面のステンレス板を当て板として、圧
力４ＭＰａ、温度２２０℃で１時間加熱加圧成形を行
い、２５０℃の乾燥機で窒素雰囲気下１時間硬化させ、
表面の銅箔を剥離することにより基板を得た。
【００１３】（比較例１）樹脂成分として臭素化エポキ
シ樹脂７５重量部（ジャパンエポキシレジン製エピコー
ト５０４７）及びクレゾールノボラック型エポキシ樹脂
２５重量部（ジャパンエポキシレジン製エピコート１８
０）を用い、硬化剤してジシアンジアミド２．３重量部
（日本カーバイド製）及び２−メチルイミダゾール０．
２重量部（四国化成製２ＭＺ）を用いた以外、実施例３
と同様にしてプリプレグを得た。このプリプレグを２枚
重ね、離型処理した鏡面のステンレス板を当て板とし
て、圧力４ＭＰａ、温度２２０℃で１時間加熱加圧成形
を行い、２５０℃の乾燥機で窒素雰囲気下１時間後硬化
することによって基板を得た。 （比較例２）球状溶融シリカＳＯ−２５Ｒを５０重量
部、エポキシシランカップリング剤Ａ−１８７を０．４
重量部添加したこと以外は、比較例１と同様にして基板
を得た。これらの基板を以下の評価方法で評価した。
シ樹脂７５重量部（ジャパンエポキシレジン製エピコー
ト５０４７）及びクレゾールノボラック型エポキシ樹脂
２５重量部（ジャパンエポキシレジン製エピコート１８
０）を用い、硬化剤してジシアンジアミド２．３重量部
（日本カーバイド製）及び２−メチルイミダゾール０．
２重量部（四国化成製２ＭＺ）を用いた以外、実施例３
と同様にしてプリプレグを得た。このプリプレグを２枚
重ね、離型処理した鏡面のステンレス板を当て板とし
て、圧力４ＭＰａ、温度２２０℃で１時間加熱加圧成形
を行い、２５０℃の乾燥機で窒素雰囲気下１時間後硬化
することによって基板を得た。 （比較例２）球状溶融シリカＳＯ−２５Ｒを５０重量
部、エポキシシランカップリング剤Ａ−１８７を０．４
重量部添加したこと以外は、比較例１と同様にして基板
を得た。これらの基板を以下の評価方法で評価した。
【００１４】＜評価方法＞
平均線膨張係数： セイコー電子製ＴＭＡ／ＳＳ１２
０Ｃ型熱応力歪測定装置を用いて、窒素の存在下、１分
間に５℃の割合で温度を室温から（熱変形温度−２０
℃）まで上昇させて２０分間保持した後、１分間に５℃
の割合で温度を室温まで冷却し５分間室温で保持させ
た。その後、再度、１分間に５℃の割合で温度を上昇さ
せて、３０℃〜２００℃の時の値を測定して求めた。
（熱変形温度から２０℃を引いた温度が３５０℃以上の
ときは３５０℃とした。） 耐溶剤性： ４０℃のジメチルスルホキシド（ＤＭＳ
Ｏ）溶液に試料を浸漬して６０分放置。試料を取り出し
た後、目視にて外観を観察した。 耐配向剤性： スピンコーター上に試料を設置。その
表面にＣＲＤ−８２０１（住友ベークライト製）を滴下
した後 ２５００ｒｐｍでスピンコートを実施。１８０
℃、６０分乾燥処理後、目視にて外観を観察した。 耐液晶性： 基板の表面にメルク社製ＺＬＩ−４７９
２を１滴滴下する。１２０℃のオーブン内に投入して６
０分放置する。試料を取り出した後、目視にて外観を観
察する。 表面平滑性： 表面構造解析顕微鏡New View 5032(Zy
go Corporation製)により視野：1.44mm×1.08mmで観察
を行い、最高点と最低点との距離を測定した。
０Ｃ型熱応力歪測定装置を用いて、窒素の存在下、１分
間に５℃の割合で温度を室温から（熱変形温度−２０
℃）まで上昇させて２０分間保持した後、１分間に５℃
の割合で温度を室温まで冷却し５分間室温で保持させ
た。その後、再度、１分間に５℃の割合で温度を上昇さ
せて、３０℃〜２００℃の時の値を測定して求めた。
（熱変形温度から２０℃を引いた温度が３５０℃以上の
ときは３５０℃とした。） 耐溶剤性： ４０℃のジメチルスルホキシド（ＤＭＳ
Ｏ）溶液に試料を浸漬して６０分放置。試料を取り出し
た後、目視にて外観を観察した。 耐配向剤性： スピンコーター上に試料を設置。その
表面にＣＲＤ−８２０１（住友ベークライト製）を滴下
した後 ２５００ｒｐｍでスピンコートを実施。１８０
℃、６０分乾燥処理後、目視にて外観を観察した。 耐液晶性： 基板の表面にメルク社製ＺＬＩ−４７９
２を１滴滴下する。１２０℃のオーブン内に投入して６
０分放置する。試料を取り出した後、目視にて外観を観
察する。 表面平滑性： 表面構造解析顕微鏡New View 5032(Zy
go Corporation製)により視野：1.44mm×1.08mmで観察
を行い、最高点と最低点との距離を測定した。
【００１５】評価結果を表−１及び２に示す。
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】この結果から明らかなように、実施例１〜
３はいずれも比較例１、２に比べて、表面 平滑性が良
好であり、平均線膨張係数が低く、また、耐薬品性も問
題が無かった。この ような積層体を構成部材として用
いることにより、好適な表示素子用基板を得ることが
できる。
３はいずれも比較例１、２に比べて、表面 平滑性が良
好であり、平均線膨張係数が低く、また、耐薬品性も問
題が無かった。この ような積層体を構成部材として用
いることにより、好適な表示素子用基板を得ることが
できる。
【００１８】
【発明の効果】本発明の表示素子用プラスチック基板の
製造方法によれば、高度の耐熱性、耐薬品性を有し、か
つ、平均線膨張係数が低く、さらに表面平滑性の良好な
プラスチック基板を得ることができる。本発明の表示素
子用プラスチック基板は反射型薄膜トランジスタ表示素
子、有機・無機ＥＬ表示素子、プラズマディスプレー素
子等、幅広い表示素子用途に、好適に用いることができ
る。
製造方法によれば、高度の耐熱性、耐薬品性を有し、か
つ、平均線膨張係数が低く、さらに表面平滑性の良好な
プラスチック基板を得ることができる。本発明の表示素
子用プラスチック基板は反射型薄膜トランジスタ表示素
子、有機・無機ＥＬ表示素子、プラズマディスプレー素
子等、幅広い表示素子用途に、好適に用いることができ
る。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ０８Ｌ 79/00 Ｃ０８Ｌ 79/00 Ｚ ５Ｇ４３５
Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３８ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３８
9/30 ３１０ 9/30 ３１０
Ｆターム(参考） 4F072 AA07 AB05 AB06 AB07 AB09
AB10 AB28 AB29 AD15 AD43
AE00 AF03 AF06 AG03 AG16
AG19 AH02 AK05 AK14 AL12
AL13
4F100 AA01A AA20A AB01C AB17
AK01A AK01B AK01D AK33
AK51A BA04 BA07 BA10A
BA10D CA23A DG11A DH01A
EJ82A GB43 JA02A JA02D
JB13B JB13D JK15C YY00C
YY00D
4F204 AA37 AA42 AB11 AB17 AD03
AG01 AG03 AH36 FB01 FB11
FF01 FF05 FF50 FG02 FG09
FW21
4J002 CM021 DJ016 GF00 GQ00
5C094 AA15 AA43 BA03 BA27 BA31
BA43 CA19 DA11 EB01 FA04
FB01 FB15 GB10 JA01 JA08
JA20
5G435 AA14 BB05 BB12 BB16 HH14
HH20 KK00 LL07 LL08
Claims (9)
- 【請求項１】 繊維布に樹脂を含浸・乾燥させたプリプ
レグであるコア層を、金属箔に熱硬化性樹脂をコートし
熱硬化させた表面層２層で前記熱硬化性樹脂が内側にな
るようにして挟み込み、加熱成形後、金属箔を除去する
表示素子用プラスチック基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記金属箔の表面平滑性が５００ｎｍ以
下である請求項１記載の表示素子用プラスチック基板の
製造方法。 - 【請求項３】 前記表面層に使用する熱硬化性樹脂が少
なくともシアネート樹脂を含むことを特徴とする請求項
１または２記載の表示素子用プラスチック基板の製造方
法。 - 【請求項４】 前記表面層１層の厚みが３〜５０μmで
ある請求項１〜３何れか１項記載の表示素子用プラスチ
ック基板の製造方法。 - 【請求項５】 前記コア層が、少なくともシアネート樹
脂を含むことを特徴とする請求項１〜４何れか１項記載
の表示素子用プラスチック基板の製造方法。 - 【請求項６】 前記コア層が、少なくともシアネート樹
脂と無機充填材とを含むことを特徴とする請求項１〜５
何れか１項記載の表示素子用プラスチック基板の製造方
法。 - 【請求項７】 前記無機充填材が、平均粒径２μm以下
の球状溶融シリカであることを特徴とする請求項１〜６
何れか１項記載の表示素子用プラスチック基板の製造方
法。 - 【請求項８】 表面層の熱硬化性樹脂硬化物と硬化した
コア層との３０〜２００℃での平均線膨張係数の差が、
０〜１００ｐｐｍであることを特徴とする請求項１〜７
何れか１項記載の表示素子用プラスチック基板の製造方
法。 - 【請求項９】 ３０〜２００℃での平均線膨張係数が−
５〜７０ｐｐｍで、且つ厚みが５０〜１０００μmであ
る請求項１〜８何れか１項記載の製造方法で製造された
表示素子用プラスチック基板。
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|---|---|---|---|
| JP2001305242A JP3818638B2 (ja) | 2001-10-01 | 2001-10-01 | 表示素子用プラスチック基板および表示素子用プラスチック基板の製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001305242A JP3818638B2 (ja) | 2001-10-01 | 2001-10-01 | 表示素子用プラスチック基板および表示素子用プラスチック基板の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP2001305242A Expired - Lifetime JP3818638B2 (ja) | 2001-10-01 | 2001-10-01 | 表示素子用プラスチック基板および表示素子用プラスチック基板の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| US20090091878A1 (en) * | 2006-04-24 | 2009-04-09 | Nitto Denko Corporation | Image Display Device Reinforcing Sheet, Image Display Device and Method for Reinforcing the Same |
| KR100964575B1 (ko) | 2003-12-24 | 2010-06-21 | 삼성전자주식회사 | 유연한 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 적용되는캐리어 기판 |
| JP2011007986A (ja) * | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、および電子機器 |
| US20130140531A1 (en) * | 2011-12-05 | 2013-06-06 | Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University | Foldable thin film transistor |
| JPWO2013014759A1 (ja) * | 2011-07-27 | 2015-02-23 | トヨタ自動車株式会社 | 固体電池の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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