JP2003086663A - Holder of article being processed, processing unit and ceramic susceptor for semiconductor manufacturing device - Google Patents

Holder of article being processed, processing unit and ceramic susceptor for semiconductor manufacturing device

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JP2003086663A
JP2003086663A JP2001275448A JP2001275448A JP2003086663A JP 2003086663 A JP2003086663 A JP 2003086663A JP 2001275448 A JP2001275448 A JP 2001275448A JP 2001275448 A JP2001275448 A JP 2001275448A JP 2003086663 A JP2003086663 A JP 2003086663A
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tungsten
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Hirohiko Nakada
博彦 仲田
Hiroshi Hiiragidaira
啓 柊平
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly reliable holder of an article being processed, a processing unit and a ceramic susceptor for semiconductor manufacturing device. SOLUTION: The holder 12 of an article being processed comprises a ceramic basic body 13 having electric circuits 3a, 3b, 14 and 15 and provided with screw holes, anchor members 22 and 25 screwed fixedly into the screw holes of the ceramic basic body 13, and power supply conductive members 4, 17 and 18 connected electrically with the electric circuits 3a, 3b, 14 and 15.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、被処理物保持
体、処理装置および半導体製造装置用セラミックスサセ
プタに関し、より特定的には、高い信頼性を有する被処
理物保持体、この被処理物保持体を用いた処理装置およ
び半導体製造装置用セラミックスサセプタに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a workpiece holder, a processing apparatus, and a ceramics susceptor for a semiconductor manufacturing apparatus, and more specifically, a workpiece holder having high reliability and the workpiece holder. The present invention relates to a processing apparatus using a body and a ceramic susceptor for semiconductor manufacturing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程では、被処
理物である半導体基板に対して成膜処理やエッチング処
理などが行われる。このような基板に対する処理を行う
処理装置では、処理の際に半導体基板を保持するための
基板保持構造体であるサセプタが設置されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor device manufacturing process, a film forming process or an etching process is performed on a semiconductor substrate which is an object to be processed. In a processing apparatus for processing such a substrate, a susceptor, which is a substrate holding structure for holding a semiconductor substrate during processing, is installed.

【0003】このような従来のサセプタの例は、たとえ
ば特開平10−273371号公報に開示されている。
上記特開平10−273371号公報においては、加熱
用のヒータ回路などに対応する導電性部材が埋め込まれ
たセラミックス部材を備えるサセプタが開示されてい
る。上記特開平10−273371号公報では、セラミ
ックス部材に開口部が形成され、上記導電性部材に電力
を供給するための金属製部材がこの開口部の内部に配置
されている。導電性部材と金属製部材とは活性金属ロウ
材(以下、ロウ材ともいう)を用いて接合されている。
上記特開平10−273371号公報では、金属製部材
に対するロウ材の「流れ性」を制御することにより、所
定の接合強度をえることができるとしている。
An example of such a conventional susceptor is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 10-273371.
The above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 10-273371 discloses a susceptor including a ceramic member in which a conductive member corresponding to a heater circuit for heating is embedded. In Japanese Patent Laid-Open No. 10-273371, an opening is formed in the ceramic member, and a metal member for supplying electric power to the conductive member is arranged inside the opening. The conductive member and the metal member are joined by using an active metal brazing material (hereinafter, also referred to as brazing material).
In Japanese Patent Laid-Open No. 10-273371, it is stated that a predetermined joining strength can be obtained by controlling the "flowability" of the brazing material with respect to the metal member.

【0004】また、他の例として、特開平11−120
53号公報では、ヒータ回路などに対応する導電性部材
が埋め込まれたセラミックス部材を備えるサセプタであ
って、このセラミックス部材に開口部が形成され、上記
導電性部材に電力を供給するための金属性部材がこの開
口部の内部に配置されたものが開示されている。開口部
の底面には導電性の端子が配置され、導電性部材と金属
製部材とはこの端子を介して電気的に接続される。金属
製部材はロウ材を用いて開口部内に固定されるととも
に、上記端子と接続される。また、開口部の内部に位置
し、モリブデン(Mo)やモリブデン合金を含む金属製
部材を雰囲気(空気などの酸化性雰囲気など)から保護
するため、開口部の内部には金属製部材を囲むように雰
囲気保護体が配置されている。上記特開平11−120
53号公報では、このような雰囲気保護体を配置するこ
とにより、金属製部材を雰囲気から保護することができ
るとしている。
As another example, Japanese Patent Laid-Open No. 11-120
No. 53, a susceptor including a ceramic member in which a conductive member corresponding to a heater circuit or the like is embedded is formed, and an opening is formed in the ceramic member, and the susceptor is made of metal for supplying electric power to the conductive member. It is disclosed that the member is arranged inside this opening. A conductive terminal is arranged on the bottom surface of the opening, and the conductive member and the metal member are electrically connected via this terminal. The metal member is fixed in the opening using a brazing material and is connected to the terminal. Also, in order to protect the metal member located inside the opening and containing molybdenum (Mo) or molybdenum alloy from the atmosphere (oxidizing atmosphere such as air), surround the metal member inside the opening. Atmosphere protector is placed in. JP-A-11-120
According to Japanese Patent Laid-Open No. 53-53, the metal member can be protected from the atmosphere by disposing such an atmosphere protector.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
のサセプタには以下のような問題がある。すなわち、上
記特開平10−273371号公報に開示されたサセプ
タでは、開口部の内部において金属製部材とセラミック
ス部材の表面との間にロウ材の「たまり」が発生した場
合、ロウ材とセラミックス部材を構成するセラミックス
(窒化アルミニウム)との熱膨張係数の差によって、ロ
ウ付け後またはサセプタに対するヒートサイクル試験を
実施した際に、セラミックス部材にクラックが発生す
る。この結果、金属製部材とセラミックス部材との接合
部の接合強度が大幅に低下する。さらに、この接合部か
らサセプタが破壊する恐れもあり、サセプタの信頼性が
大幅に低下するという問題があった。
However, the above-mentioned conventional susceptor has the following problems. That is, in the susceptor disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-273371, when a "lump" of brazing material occurs between the metal member and the surface of the ceramic member inside the opening, the brazing material and the ceramic member Due to the difference in the coefficient of thermal expansion with the ceramic (aluminum nitride) that constitutes the above, cracks occur in the ceramic member after brazing or when a heat cycle test is performed on the susceptor. As a result, the joint strength at the joint between the metal member and the ceramic member is significantly reduced. Further, there is a possibility that the susceptor may be broken from this joint portion, and there is a problem that reliability of the susceptor is significantly reduced.

【0006】また、上記特開平11−12053号公報
に開示されたサセプタでは、雰囲気保護体を金属製部材
へと接合すると同時に金属製部材を雰囲気から隔離する
ため、複数個所においてロウ付けが行われている。しか
し、このロウ付けされた部分の内の1箇所でもロウ付け
が不充分である、あるいはヒートサイクルなどの熱履歴
によりロウ付け部にクラックなどが発生すると、雰囲気
ガスが金属製部材側へとリークすることになる。このた
め、金属製部材などが劣化(酸化)することになり、や
はりサセプタの信頼性が大幅に低下することになってい
た。
Further, in the susceptor disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 11-12053, the atmosphere protector is joined to the metal member and at the same time the metal member is isolated from the atmosphere, so that brazing is performed at a plurality of locations. ing. However, if brazing is insufficient even at one of the brazed parts, or if cracks or the like occur in the brazed part due to heat history such as a heat cycle, atmospheric gas leaks to the metal member side. Will be done. For this reason, the metal member and the like are deteriorated (oxidized), and the reliability of the susceptor is also significantly reduced.

【0007】一方、ロウ付け部でのクラックの発生を抑
制するため、ロウ材の使用量を少なくすると、金属製部
材とセラミックス部材との接合強度が低くなるという問
題が発生する。
On the other hand, if the amount of brazing material used is reduced in order to suppress the occurrence of cracks in the brazed portion, there arises a problem that the bonding strength between the metal member and the ceramic member becomes low.

【0008】このように、金属製部材とセラミックス部
材との接合部において、クラック等の発生を抑制すると
同時に充分な接合強度を実現することにより、高い信頼
性を有する被処理物保持体としてのサセプタを実現する
ことは従来困難であった。
As described above, by suppressing the occurrence of cracks and the like and at the same time achieving sufficient bonding strength at the joint between the metal member and the ceramic member, the susceptor as a workpiece holder having high reliability. It has been difficult to realize the above.

【0009】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたものであり、この発明の目的は、高い信
頼性を有する被処理物保持体、処理装置および半導体製
造装置用セラミックスサセプタを提供することである。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a highly-reliable workpiece holder, a processing apparatus, and a ceramic susceptor for a semiconductor manufacturing apparatus. Is to provide.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】この発明の1の局面にお
ける被処理物保持体は、被処理物を保持する被処理物保
持体であって、電気回路を有し、ネジ穴が形成されたセ
ラミックス基体と、セラミックス基体のネジ穴にねじ込
まれることにより固定されたアンカー部材と、アンカー
部材に接続され、電気回路と電気的に接続されている給
電用導電部材とを備える。
The object holder according to one aspect of the present invention is an object holder for holding an object, has an electric circuit, and has a screw hole formed therein. A ceramic base, an anchor member fixed by being screwed into a screw hole of the ceramic base, and a power supply conductive member connected to the anchor member and electrically connected to an electric circuit are provided.

【0011】このようにすれば、ロウ材を用いることな
くアンカー部材をセラミックス基体に確実に接続・固定
することができるので、アンカー部材とセラミックス基
体との接合部の接合強度を充分高くできる。また、電気
回路と電気的に接続されるように、給電用導電部材をこ
のアンカー部材に固定することにより、給電用導電部材
から電気回路へと確実に電力を供給することができる。
With this configuration, the anchor member can be reliably connected and fixed to the ceramic base without using a brazing material, so that the joint strength at the joint between the anchor member and the ceramic base can be sufficiently increased. Further, by fixing the power feeding conductive member to the anchor member so as to be electrically connected to the electric circuit, it is possible to reliably supply power from the power feeding conductive member to the electric circuit.

【0012】また、アンカー部材とセラミックス基体と
の接合部にロウ材を使用しないので、ロウ材とセラミッ
クス基体を構成するセラミックスとの熱膨張係数の差異
に起因する上記接合部のセラミックス基体でのクラック
や割れの発生を防止できる。この結果、アンカー部材と
セラミックス基体との接合部の信頼性を向上させること
ができる。したがって、被処理物保持体の信頼性を向上
させることができる。
Further, since no brazing material is used at the joint between the anchor member and the ceramic base, cracks in the ceramic base at the joint due to the difference in thermal expansion coefficient between the brazing material and the ceramics constituting the ceramic base. It is possible to prevent the occurrence of cracks. As a result, the reliability of the joint between the anchor member and the ceramic substrate can be improved. Therefore, the reliability of the object holder can be improved.

【0013】上記1の局面における被処理物保持体で
は、電気回路がスクリーン印刷法を利用したメタライズ
法により形成された層であることが好ましい。
In the object to be treated holder according to the above aspect 1, the electric circuit is preferably a layer formed by a metallizing method utilizing a screen printing method.

【0014】この場合、スクリーン印刷法を利用するの
で、電気回路の回路パターンについて任意のパターンを
容易に形成できる。このため、電気回路の回路パターン
の選択の自由度を大きくできる。
In this case, since the screen printing method is used, it is possible to easily form an arbitrary pattern of the circuit pattern of the electric circuit. Therefore, the degree of freedom in selecting the circuit pattern of the electric circuit can be increased.

【0015】上記1の局面における被処理物保持体で
は、アンカー部材と給電用導電部材とが一体となってい
てもよい。
In the object holder according to the first aspect, the anchor member and the power feeding conductive member may be integrated.

【0016】この場合、被処理物保持体を構成する部品
点数を削減することができる。上記1の局面における被
処理物保持体では、アンカー部材に導電部材用ネジ穴が
形成されていてもよく、給電用導電部材は導電部材用ネ
ジ穴にねじ込むことが可能なネジ部を含んでいてもよ
い。給電用導電部材のネジ部をアンカー部材の導電部材
用ネジ穴に固定することにより、給電用導電部材はアン
カー部材に接続されていてもよい。
In this case, the number of parts constituting the workpiece holder can be reduced. In the workpiece holder according to the above aspect, the anchor member may be provided with a screw hole for a conductive member, and the conductive member for power supply includes a screw portion that can be screwed into the screw hole for a conductive member. Good. The conductive member for power feeding may be connected to the anchor member by fixing the screw part of the conductive member for power feeding to the screw hole for the conductive member of the anchor member.

【0017】この場合、ロウ材を用いることなく、アン
カー部材に給電用導電部材をネジ構造によって接合でき
る。このため、アンカー部材と給電用導電部材との接合
部においてロウ材が存在することに起因して熱応力が発
生することを防止できる。この結果、被処理物保持体の
信頼性をより向上させることができる。
In this case, the conductive member for power feeding can be joined to the anchor member by the screw structure without using the brazing material. Therefore, it is possible to prevent the thermal stress from being generated due to the presence of the brazing material at the joint between the anchor member and the power supply conductive member. As a result, the reliability of the object holder can be further improved.

【0018】上記1の局面における被処理物保持体で
は、アンカー部材と給電用導電部材とがロウ付により接
続されていてもよい。
In the workpiece holder according to the first aspect, the anchor member and the power supply conductive member may be connected by brazing.

【0019】この場合、アンカー部材と給電用導電部材
との接触面積を増加させることができるので、アンカー
部材と給電用導電部材との接合部の接触抵抗を低減でき
る。
In this case, since the contact area between the anchor member and the power feeding conductive member can be increased, the contact resistance at the joint between the anchor member and the power feeding conductive member can be reduced.

【0020】上記1の局面における被処理物保持体で
は、電気回路がセラミックス基体のネジ穴の周囲にまで
延在する一部分を含んでいてもよい。上記1の局面にお
ける被処理物保持体は電気回路の一部分上に接触するよ
うに配置された導電性の接続部材を備えていてもよく、
給電用導電部材は、アンカー部材に接続された際接続部
材と接触する凸部を有していてもよい。
In the object holder according to the first aspect, the electric circuit may include a part extending to the periphery of the screw hole of the ceramic substrate. The workpiece holder in the above aspect 1 may include a conductive connecting member arranged so as to be in contact with a part of the electric circuit,
The power supply conductive member may have a convex portion that comes into contact with the connection member when connected to the anchor member.

【0021】この場合、接続部材の大きさや形状を調整
することにより、接続部材と電気回路の一部分との接触
面積および接続部材と給電用導電部材の凸部との接触面
積を充分大きくすることが可能になる。この結果、給電
用導電部材から電気回路の一部分までの経路の接触抵抗
を低減できる。電気回路へ電流を供給する際、上記経路
の接触抵抗が大きいと、その接続部において発熱が起き
る。そして、このような発熱は被処理物保持体の均熱性
を乱す原因になる。しかし、本発明によれば、上記のよ
うに接触抵抗を低減できるので、上記のような均熱性の
乱れを抑制できる。
In this case, by adjusting the size and shape of the connecting member, the contact area between the connecting member and a part of the electric circuit and the contact area between the connecting member and the convex portion of the power supply conductive member can be made sufficiently large. It will be possible. As a result, it is possible to reduce the contact resistance of the path from the power supply conductive member to a part of the electric circuit. When supplying a current to an electric circuit, if the contact resistance of the above path is large, heat is generated at the connection portion. Then, such heat generation causes disturbance of the uniform heat distribution of the object-to-be-treated holder. However, according to the present invention, since the contact resistance can be reduced as described above, it is possible to suppress the above-mentioned disturbance of the heat uniformity.

【0022】上記1の局面における被処理物保持体で
は、電気回路がアンカー部材と接触する延在部を含んで
いてもよい。
In the workpiece holder according to the first aspect, the electric circuit may include an extending portion that comes into contact with the anchor member.

【0023】ここで、上記延在部は、たとえばタングス
テン(W)ペーストを所定の領域に塗布した上でメタラ
イズ法により形成することができる。この場合、上述の
ような接続部材を別途用意する必要がない。このため、
被処理物保持体の構成を簡略化できる。
Here, the extending portion can be formed by, for example, applying a tungsten (W) paste to a predetermined region and then performing a metallizing method. In this case, it is not necessary to separately prepare the above connecting member. For this reason,
The structure of the workpiece holder can be simplified.

【0024】上記1の局面における被処理物保持体で
は、電気回路がタングステン、モリブデンおよびこれら
の合金からなる群から選択される少なくとも1種を含ん
でいてもよい。
In the workpiece holder according to the above aspect, the electric circuit may include at least one selected from the group consisting of tungsten, molybdenum and alloys thereof.

【0025】ここで、上記タングステン(W)、モリブ
デン(Mo)およびこれらの合金は、いずれもセラミッ
クス基体を構成するセラミックスとの熱膨張係数の差が
比較的小さい材料である。このため、これらの材料によ
り電気回路を形成すれば(電気回路を焼き付ければ)、
この電気回路の存在に起因してセラミックス基体が反る
といった不良の発生を抑制できる。
Here, the above tungsten (W), molybdenum (Mo) and their alloys are all materials having a relatively small difference in coefficient of thermal expansion from the ceramic constituting the ceramic substrate. Therefore, if an electric circuit is formed from these materials (if the electric circuit is baked),
It is possible to suppress the occurrence of defects such as the warp of the ceramic substrate due to the presence of this electric circuit.

【0026】上記1の局面における被処理物保持体で
は、アンカー部材がタングステン、モリブデン、および
これらの合金、コバール、銅−タングステン合金、銅−
モリブデン合金、銅−ニッケル−鉄−タングステン合金
からなる群から選択される少なくとも1種を含んでいて
もよい。
In the workpiece holder according to the above aspect, the anchor member is made of tungsten, molybdenum, or an alloy thereof, Kovar, copper-tungsten alloy, copper-.
It may contain at least one selected from the group consisting of molybdenum alloys and copper-nickel-iron-tungsten alloys.

【0027】ここで、アンカー部材の材料として、タン
グステン(W)またはモリブデン(Mo)およびこれら
の合金を用いた場合、電気回路を構成する材料もこれら
タングステンまたはモリブデンを用いることで、電気回
路とアンカー部材とを同じ材料(つまり熱膨張係数がほ
ぼ等しい材料)で構成することができる。そして、電気
回路とアンカー部材とが接触するような場合(たとえ
ば、給電用導電部材からアンカー部材を介して電気回路
に電力が供給される場合)、この電気回路とアンカー部
材との接合部において、熱膨張係数の差に起因する熱応
力の発生を抑制できる。
Here, when tungsten (W) or molybdenum (Mo) and their alloys are used as the material of the anchor member, the electric circuit and the anchor are also formed by using these tungsten or molybdenum as the material constituting the electric circuit. The member and the member can be made of the same material (that is, materials having substantially equal coefficients of thermal expansion). Then, when the electric circuit and the anchor member come into contact with each other (for example, when electric power is supplied from the conductive member for power feeding to the electric circuit through the anchor member), at the joint between the electric circuit and the anchor member, Generation of thermal stress due to the difference in thermal expansion coefficient can be suppressed.

【0028】また、アンカー部材の材料として、コバー
ル、銅−タングステン合金、銅−モリブデン合金および
銅−ニッケル−鉄−タングステン合金の少なくともいず
れか1種が用いられた場合、アンカー部材と電気回路を
接合する工程を比較的低温で行うことができる。さら
に、これらの材料はいずれもその熱膨張係数の値がセラ
ミックスの熱膨張係数の値に近い。したがって、被処理
物保持体の温度が変化する場合(たとえば、電気回路と
してのヒータ回路を使用して被処理物保持体の温度が上
昇・下降するような場合)、アンカー部材とセラミック
ス基体との接触部に発生する熱応力を低減できる。
When at least one of Kovar, copper-tungsten alloy, copper-molybdenum alloy and copper-nickel-iron-tungsten alloy is used as the material of the anchor member, the anchor member and the electric circuit are joined. The step of performing can be performed at a relatively low temperature. Further, the coefficient of thermal expansion of each of these materials is close to that of ceramics. Therefore, when the temperature of the workpiece holder changes (for example, when the temperature of the workpiece holder rises and falls by using a heater circuit as an electric circuit), the anchor member and the ceramic substrate are separated from each other. The thermal stress generated in the contact portion can be reduced.

【0029】上記1の局面における被処理物保持体で
は、給電用導電部材がタングステン、モリブデン、およ
びこれらの合金、コバール、銅−タングステン合金、銅
−モリブデン合金、銅−ニッケル−鉄−タングステン合
金からなる群から選択される少なくとも1種を含んでい
てもよい。
In the workpiece holder according to the above aspect, the power-supplying conductive member is made of tungsten, molybdenum, alloys thereof, Kovar, copper-tungsten alloy, copper-molybdenum alloy, copper-nickel-iron-tungsten alloy. It may contain at least one selected from the group consisting of

【0030】この場合、給電用導電部材をアンカー部材
と同じ材料により構成することができる。また、給電用
導電部材はアンカー部材に接続される。そして、給電用
導電部材の材料として上記のようなアンカー部材の材料
と同様の(熱膨張係数の比較的近い)材料を選択するこ
とで、給電用導電部材とアンカー部材との接続部に発生
する熱応力を低減できる。
In this case, the power supply conductive member can be made of the same material as the anchor member. Further, the power supply conductive member is connected to the anchor member. Then, by selecting the same material as the material of the anchor member (relatively close in coefficient of thermal expansion) as the material of the conductive member for power supply, it is generated at the connecting portion between the conductive member for power supply and the anchor member. Thermal stress can be reduced.

【0031】上記1の局面における被処理物保持体で
は、セラミックス基体が窒化アルミニウム、窒化珪素、
酸化アルミニウムおよび炭化珪素からなる群から選択さ
れる少なくとも1種を含んでいてもよい。
In the object holder according to the first aspect, the ceramic substrate is aluminum nitride, silicon nitride,
It may contain at least one selected from the group consisting of aluminum oxide and silicon carbide.

【0032】ここで、窒化アルミニウム(AlN)は腐
食性雰囲気に対して十分な耐久性を示す。また、窒化ア
ルミニウムを用いたセラミックス基体は、不純物として
のパーティクルの発生確率が他の材料よりも低い。した
がって、シリコンウェハの処理に窒化アルミニウムを用
いた被処理物保持体を利用すれば、処理を行うチャンバ
の内部でのパーティクルの発生が極めて少ない上に、処
理に用いる反応性ガス(腐食性ガス)により被処理物保
持体が損傷を受けることもないので、シリコンウェハの
処理を安定して行うことができる。また、窒化アルミニ
ウムは熱伝導率が高いので、均熱性に優れた被処理物保
持体を実現できる。
Here, aluminum nitride (AlN) has sufficient durability against a corrosive atmosphere. In addition, the ceramic substrate using aluminum nitride has a lower probability of generation of particles as impurities than other materials. Therefore, if the object holder using aluminum nitride is used for the processing of the silicon wafer, the generation of particles inside the processing chamber is extremely small, and the reactive gas (corrosive gas) used for the processing is used. As a result, the object holder is not damaged, so that the silicon wafer can be stably processed. Further, since aluminum nitride has a high thermal conductivity, it is possible to realize a workpiece holder having excellent thermal uniformity.

【0033】また、炭化珪素も熱伝導率が高いので、窒
化アルミニウムと同様に均熱性に優れた被処理物保持体
を実現できる。
Further, since silicon carbide also has a high thermal conductivity, it is possible to realize an object-to-be-processed holder having an excellent thermal uniformity like aluminum nitride.

【0034】また、酸化アルミニウム(Al23)は他
のセラミックスに比べて比較的安価であるので、被処理
物保持体に適用すればその製造コストを低減できる。
Further, since aluminum oxide (Al 2 O 3 ) is relatively inexpensive as compared with other ceramics, its manufacturing cost can be reduced if it is applied to a workpiece holder.

【0035】また、窒化珪素(Si34)は強度が高い
ため、この窒化珪素を被処理物保持体に適用すること
で、ヒートサイクル耐性に優れる被処理物保持体を得る
ことができる。
Further, since silicon nitride (Si 3 N 4 ) has a high strength, by applying this silicon nitride to the object holder, it is possible to obtain an object holder having excellent heat cycle resistance.

【0036】上記1の局面における被処理物保持体で
は、電気回路がヒータ、静電吸着用電極およびプラズマ
形成用電極からなる群から選択される少なくとも1つを
含むことが好ましい。また、上記電気回路は、ヒータ、
静電吸着用電極およびプラズマ形成用電極からなる群か
ら選択される少なくとも2つ以上を含んでいてもよい。
In the object holder according to the above aspect, the electric circuit preferably includes at least one selected from the group consisting of a heater, an electrostatic attraction electrode, and a plasma forming electrode. Further, the electric circuit is a heater,
It may include at least two or more selected from the group consisting of an electrostatic attraction electrode and a plasma formation electrode.

【0037】この発明の他の局面における処理装置は、
上記1の局面における被処理物保持体を備える。
A processing apparatus according to another aspect of the present invention is
The workpiece holder according to the above aspect 1 is provided.

【0038】このように、高い信頼性を有する被処理物
保持体を適用することにより、半導体基板などの被処理
物に対する処理を安定して実施することが可能な処理装
置を実現できる。
As described above, by applying the workpiece holder having high reliability, it is possible to realize a processing apparatus capable of stably performing processing on an object to be processed such as a semiconductor substrate.

【0039】この発明の別の局面における半導体製造装
置用セラミックスサセプタは、上記1の局面における被
処理物保持体を有する。
A ceramic susceptor for a semiconductor manufacturing apparatus according to another aspect of the present invention has the object-to-be-treated holding body according to the above-described aspect.

【0040】半導体製造装置用セラミックスサセプタ
は、温度の上げ下げなどヒートサイクルのかかる過酷な
条件で使用される。そして、本発明による被処理物保持
体を適用することにより、このような過酷な使用条件下
においても高い信頼性を有する半導体製造装置用セラミ
ックスサセプタを実現できる。
The ceramic susceptor for semiconductor manufacturing equipment is used under harsh conditions such as temperature rise and fall that require heat cycles. Then, by applying the object holder according to the present invention, it is possible to realize a ceramic susceptor for a semiconductor manufacturing apparatus having high reliability even under such a severe use condition.

【0041】[0041]

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一ま
たは相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は
繰返さない。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following drawings, the same or corresponding parts will be denoted by the same reference numerals and the description thereof will not be repeated.

【0042】(実施の形態1)図1は、本発明による保
持体を用いた処理装置示す部分断面模式図である。図2
は、図1に示した保持体において、ヒータ回路と電極線
との接合部を示す部分拡大断面模式図である。図1およ
び2を参照して、本発明による保持体の実施の形態1を
説明する。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a schematic partial sectional view showing a processing apparatus using a holder according to the present invention. Figure 2
FIG. 2 is a partially enlarged schematic sectional view showing a joint between a heater circuit and an electrode wire in the holder shown in FIG. 1. Embodiment 1 of the holder according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

【0043】図1および2を参照して、処理装置のチャ
ンバ内部に配置された本発明による被処理物保持体とし
ての保持体12は、セラミックス基体13と、このセラ
ミックス基体13の裏面側に接続された筒状部材16と
を備える。保持体12は、筒状部材16の下部において
チャンバの壁面(図示せず)と接続されている。尚、処
理装置としては、半導体製造装置であるエッチング装置
や成膜装置などが挙げられる。この場合、保持体12は
半導体製造装置用セラミックスサセプタとしての機能を
有する。
With reference to FIGS. 1 and 2, a holder 12 as an object holder according to the present invention, which is arranged inside a chamber of a processing apparatus, is connected to a ceramic base 13 and a back surface side of the ceramic base 13. And a tubular member 16 that is formed. The holding body 12 is connected to a wall surface (not shown) of the chamber at a lower portion of the tubular member 16. Examples of the processing device include an etching device and a film forming device which are semiconductor manufacturing devices. In this case, the holder 12 has a function as a ceramic susceptor for semiconductor manufacturing equipment.

【0044】セラミックス基体13は、セラミックスか
らなる基体ベース1と、この基体ベース1の内部に埋設
された電気回路としての静電吸着用電極14、プラズマ
用電極15およびヒータ回路3a、3bとを含む。な
お、電気回路としては、上記静電吸着用電極14、プラ
ズマ用電極15およびヒータ回路3a、3bのうちの少
なくとも1つあるいは2つ以上を形成してもよい。セラ
ミックス基体13の裏面側には、開口部19、21が形
成されている。開口部19の底部にはネジ穴5が形成さ
れ、このネジ穴5にアンカー部材としての金属製のアン
カー2がねじ込まれることにより固定されている。な
お、図2においては、説明を簡略化するために開口部1
9は示されていない。
The ceramic base 13 includes a base 1 made of ceramics, an electrostatic attraction electrode 14 as an electric circuit embedded inside the base 1, a plasma electrode 15 and heater circuits 3a and 3b. . As the electric circuit, at least one or two or more of the electrostatic attraction electrode 14, the plasma electrode 15, and the heater circuits 3a and 3b may be formed. Openings 19 and 21 are formed on the back surface side of the ceramic base 13. A screw hole 5 is formed at the bottom of the opening 19, and a metal anchor 2 as an anchor member is screwed into the screw hole 5 to be fixed. It should be noted that in FIG.
9 is not shown.

【0045】また、開口部21の底部にもネジ穴が形成
され、このネジ穴にアンカー部材としての金属製のアン
カー22がねじ込まれることにより固定されている。ま
た、セラミックス基体13の裏面の中央部には、静電吸
着用電極14の裏面にまで到達する他の開口部が形成さ
れている。他の開口部には、アンカー25がねじ込まれ
ることにより固定されている。アンカー25の上部表面
は静電吸着用電極14と接触している。アンカー2、2
2、25には、後述するようにそれぞれ給電用導電部材
としての電極線4、17、18が接続されている。この
結果、静電吸着用電極14、プラズマ用電極15および
ヒータ回路3には、後述するようにそれぞれ電極線1
7、18、4が電気的に接続される。これらの電極線
4、17、18は、筒状部材16の内周側に配置されて
いる。
A screw hole is also formed in the bottom of the opening 21, and a metal anchor 22 as an anchor member is screwed into the screw hole to be fixed. Further, another opening is formed at the center of the back surface of the ceramic substrate 13 so as to reach the back surface of the electrostatic attraction electrode 14. The anchor 25 is fixed to the other opening by being screwed. The upper surface of the anchor 25 is in contact with the electrostatic attraction electrode 14. Anchors 2, 2
Electrode wires 4, 17, and 18 as power supply conductive members are connected to 2 and 25, respectively, as described later. As a result, the electrode lines 1 are respectively attached to the electrostatic attraction electrode 14, the plasma electrode 15 and the heater circuit 3 as described later.
7, 18, and 4 are electrically connected. These electrode wires 4, 17, and 18 are arranged on the inner peripheral side of the tubular member 16.

【0046】図2に示すように、ヒータ回路3a、3b
と電極線4とは、金属製のアンカー2を介して電気的に
接続されている。すなわち、セラミックス基体13を構
成する基体ベース1に、開口部19(図1参照)が形成
され、この開口部19の底部にアンカー2を挿入・固定
するためのネジ穴5が形成されている。ネジ穴5に挿入
可能なように、アンカー2の側面にはネジ部6が形成さ
れている。このネジ穴5に、上述のようにアンカー2が
ねじ込まれて固定されている。
As shown in FIG. 2, heater circuits 3a and 3b.
The electrode wire 4 and the electrode wire 4 are electrically connected via a metal anchor 2. That is, an opening 19 (see FIG. 1) is formed in the base 1 that constitutes the ceramic base 13, and a screw hole 5 for inserting and fixing the anchor 2 is formed in the bottom of the opening 19. A threaded portion 6 is formed on the side surface of the anchor 2 so as to be inserted into the screw hole 5. The anchor 2 is screwed and fixed in the screw hole 5 as described above.

【0047】また、このアンカー2の上部表面には、電
極線4の電極端部8を挿入固定するための内周側ネジ穴
7が形成されている。そして、このアンカー2の内周側
ネジ穴7に、電極線4の電極端部8が挿入固定されてい
る。この電極端部8の側面にも、内周側ネジ穴7に挿入
可能なようにネジ溝を有するネジ部が形成されている。
An inner peripheral screw hole 7 for inserting and fixing the electrode end 8 of the electrode wire 4 is formed on the upper surface of the anchor 2. Then, the electrode end portion 8 of the electrode wire 4 is inserted and fixed in the screw hole 7 on the inner peripheral side of the anchor 2. A threaded portion having a threaded groove is formed on the side surface of the electrode end portion 8 so as to be inserted into the inner peripheral side screw hole 7.

【0048】そして、ネジ穴5に挿入固定されたアンカ
ー2の上部表面に接触するように、ヒータ回路3bが基
体ベース1の表面からこのアンカー2の上部表面にまで
延在するように形成されている。この結果、ヒータ回路
3a、3bは、アンカー2および電極端部8を介して電
極4と電気的に接続されている。
A heater circuit 3b is formed so as to extend from the surface of the substrate base 1 to the upper surface of the anchor 2 so as to come into contact with the upper surface of the anchor 2 inserted and fixed in the screw hole 5. There is. As a result, the heater circuits 3a and 3b are electrically connected to the electrode 4 via the anchor 2 and the electrode end portion 8.

【0049】また、図1に示すように、セラミックス基
体13の底面に形成された開口部21の底部にはネジ穴
が形成され、このネジ穴に金属製のアンカー22がねじ
込まれることにより固定されている。アンカー22は、
基本的にアンカー2と同様の構造を有する。ネジ穴に挿
入固定されたアンカー22の上面24は、プラズマ用電
極15の下面23に接触している。そして、アンカー2
2の上面24と反対側に位置する面には、内周側ネジ穴
が形成されている。この内周側ネジ穴には、電極線17
の端部がねじ込まれて固定されている。電極線17の端
部は、電極線4の電極端部8と同様の形状となってい
る。この結果、プラズマ用電極15は、その下面23に
接触するアンカー22を介して電極線17と電気的に接
続されている。
Further, as shown in FIG. 1, a screw hole is formed in the bottom of the opening 21 formed in the bottom surface of the ceramic base 13, and a metal anchor 22 is screwed into the screw hole to be fixed. ing. The anchor 22 is
Basically, it has the same structure as the anchor 2. The upper surface 24 of the anchor 22 inserted and fixed in the screw hole is in contact with the lower surface 23 of the plasma electrode 15. And anchor 2
An inner peripheral side screw hole is formed on a surface of the second member opposite to the upper surface 24. The electrode wire 17 is inserted into the screw hole on the inner peripheral side.
The end of is fixed by screwing. The ends of the electrode wires 17 have the same shape as the electrode ends 8 of the electrode wires 4. As a result, the plasma electrode 15 is electrically connected to the electrode wire 17 via the anchor 22 that contacts the lower surface 23 of the plasma electrode 15.

【0050】また、セラミックス基体13の裏面中央部
に形成された他の開口部は、その側面にネジ溝が形成さ
れたネジ穴であり、他の開口部(ネジ穴)に金属製のア
ンカー25がねじ込まれることにより固定されている。
アンカー25は基本的にアンカー2と同様の構造を有す
る。ネジ穴に挿入固定されたアンカー25の上面は、静
電吸着用用電極14の下面に接触している。そして、ア
ンカー25の上面と反対側に位置する面には、内周側ネ
ジ穴が形成されている。この内周側ネジ穴には、電極線
18の端部がねじ込まれて固定されている。電極線18
の端部は、電極線4の電極端部8と同様の形状となって
いる。この結果、静電吸着用電極14は、その下面に接
触するアンカー25を介して電極線18と電気的に接続
されている。
The other opening formed in the center of the back surface of the ceramic base 13 is a screw hole having a thread groove formed on the side surface thereof, and the metal anchor 25 is formed in the other opening (screw hole). Is fixed by screwing.
The anchor 25 has basically the same structure as the anchor 2. The upper surface of the anchor 25 inserted and fixed in the screw hole is in contact with the lower surface of the electrostatic attraction electrode 14. An inner peripheral threaded hole is formed on the surface of the anchor 25 opposite to the upper surface. The end of the electrode wire 18 is screwed into and fixed to the inner peripheral side screw hole. Electrode wire 18
The end portion of is the same shape as the electrode end portion 8 of the electrode wire 4. As a result, the electrostatic attraction electrode 14 is electrically connected to the electrode wire 18 via the anchor 25 that contacts the lower surface thereof.

【0051】次に、図1および2に示した保持体12の
製造方法を簡単に説明する。まず、従来の一般的な方法
を用いてヒータ回路3aなどが形成されたセラミックス
基体13を準備する。このセラミックス基体13を構成
する基体ベース1において、所定の領域に開口部19を
形成した後、この開口部19の底部にアンカー2を挿入
固定するためのネジ穴5を形成する。そして、このネジ
穴5に、外周部をネジ加工した金属製のアンカー2をね
じ込んで固定する。このアンカー2の材料としてはタン
グステン(W)、あるいはモリブデン(Mo)などを用
いることができる。なお、このアンカー2においては、
中心部に既に述べたように内周側ネジ穴7が形成されて
いる。
Next, a method for manufacturing the holder 12 shown in FIGS. 1 and 2 will be briefly described. First, the ceramic substrate 13 on which the heater circuit 3a and the like are formed is prepared by using a conventional general method. After forming the opening 19 in a predetermined region of the base 1 that constitutes the ceramic base 13, the screw hole 5 for inserting and fixing the anchor 2 is formed in the bottom of the opening 19. Then, the metal anchor 2 whose outer peripheral portion is threaded is screwed into the screw hole 5 to be fixed. As a material of the anchor 2, tungsten (W), molybdenum (Mo), or the like can be used. In addition, in this anchor 2,
The inner peripheral side screw hole 7 is formed in the central portion as already described.

【0052】このように、基体ベース1のネジ穴5にア
ンカー2をねじ込んで固定した後、ヒータ回路3aとこ
の金属製のアンカー2との間を電気的に接続するため
に、スクリーン印刷法を用いて、ヒータ回路3bが形成
されるべき領域上にタングステン(W)ペーストを塗布
する。そして、窒素雰囲気中で加熱温度を1600℃と
した条件で焼成することにより(いわゆるメタライズ法
を用いて)、ヒータ回路3bを形成する。なお、ヒータ
回路3bは、図示していないが他のヒータ回路3aと電
気的に接続された状態になっている。この結果、アンカ
ー2とヒータ回路3a、3bとを電気的に接続すること
ができる。この後、アンカー2の内周側ネジ穴7に電極
線4の電極端部8をねじ込んで固定することにより、図
2に示したような構造を得る。
As described above, after the anchor 2 is screwed and fixed in the screw hole 5 of the base body 1, the screen printing method is used to electrically connect the heater circuit 3a and the metal anchor 2 to each other. Then, a tungsten (W) paste is applied on the area where the heater circuit 3b is to be formed. Then, the heater circuit 3b is formed by firing in a nitrogen atmosphere at a heating temperature of 1600 ° C. (using a so-called metallizing method). Although not shown, the heater circuit 3b is in a state of being electrically connected to another heater circuit 3a. As a result, the anchor 2 and the heater circuits 3a and 3b can be electrically connected. Thereafter, the electrode end portion 8 of the electrode wire 4 is screwed into the screw hole 7 on the inner peripheral side of the anchor 2 to be fixed, thereby obtaining the structure shown in FIG.

【0053】また、プラズマ用電極15と電極線17と
の接続部は、以下のように形成される。すなわち、セラ
ミックス基体13を構成する基体ベース1において、所
定の領域に開口部21を形成する。この開口部21の底
部にアンカー22を挿入固定するためのネジ穴を形成す
る。このとき、ネジ穴はプラズマ用電極15の下面23
を露出させるように形成する。そして、このネジ穴に、
外周部をネジ加工した金属製のアンカー22をねじ込ん
で固定する。このとき、アンカー22の上面24をプラ
ズマ用電極15の下面23に接触させる。このアンカー
22の材料としてはタングステン(W)、あるいはモリ
ブデン(Mo)などを用いることができる。なお、この
アンカー22においては、中心部に既に述べたように内
周側ネジ穴が形成されている。そして、この内周側ネジ
穴に電極線17の端部をねじ込んで固定することによ
り、図1に示したような構造を得る。
The connecting portion between the plasma electrode 15 and the electrode wire 17 is formed as follows. That is, the opening 21 is formed in a predetermined region of the base body 1 that constitutes the ceramic base body 13. A screw hole for inserting and fixing the anchor 22 is formed at the bottom of the opening 21. At this time, the screw holes are formed on the lower surface 23 of the plasma electrode 15.
Is formed so as to expose. And in this screw hole,
A metal anchor 22 having a threaded outer periphery is screwed in and fixed. At this time, the upper surface 24 of the anchor 22 is brought into contact with the lower surface 23 of the plasma electrode 15. As a material for the anchor 22, tungsten (W), molybdenum (Mo), or the like can be used. In this anchor 22, the inner peripheral side screw hole is formed in the central portion as already described. Then, the end portion of the electrode wire 17 is screwed into and fixed to the screw hole on the inner peripheral side to obtain the structure as shown in FIG.

【0054】なお、静電吸着用電極14と電極線18と
の接続部の製造方法は、基本的に上述のプラズマ用電極
15と電極線17との接続部の製造方法と同様である。
また、上述したプラズマ用電極15と電極線17との接
続部の構造は、静電吸着用電極14と電極線18との接
続部に適用してもよい。
The method of manufacturing the connection between the electrostatic attraction electrode 14 and the electrode wire 18 is basically the same as the method of manufacturing the connection between the plasma electrode 15 and the electrode wire 17 described above.
Further, the structure of the connecting portion between the plasma electrode 15 and the electrode wire 17 described above may be applied to the connecting portion between the electrostatic attraction electrode 14 and the electrode wire 18.

【0055】また、アンカー2、22、25の材料とし
てコバール、Cu−W合金、Cu−Mo合金、銅−ニッ
ケル−鉄−タングステン合金などを用いることもでき
る。アンカー2の材料として上記のような導電体を用い
た場合、基体ベース1に形成されたヒータ回路3aとア
ンカー2との電気的な接続を行なうため、ヒータ回路3
bが形成されるべき領域上に銀ペーストをスクリーン印
刷法により配置した後、窒素雰囲気中で加熱温度が90
0℃という条件で熱処理を行なう。このようにして、ヒ
ータ回路3a、3bとアンカー2とを電気的に接続する
ことができる。
As the material for the anchors 2, 22, 25, Kovar, Cu-W alloy, Cu-Mo alloy, copper-nickel-iron-tungsten alloy, etc. can be used. When the above-mentioned conductor is used as the material of the anchor 2, the heater circuit 3a formed on the base body 1 and the anchor 2 are electrically connected to each other.
After the silver paste is placed on the region where b is to be formed by the screen printing method, the heating temperature is 90
Heat treatment is performed under the condition of 0 ° C. In this way, the heater circuits 3a and 3b and the anchor 2 can be electrically connected.

【0056】このように、図1および2に示した保持体
12では、ロウ材を用いることなくアンカー2をセラミ
ックス基体13に確実に接続・固定することができるの
で、アンカー2とセラミックス基体13との接合部(接
続部ともいう)の接合強度を充分高くできる。また、電
気回路としてのヒータ回路3a、3bと電気的に接続さ
れるように、給電用導電部材としての電極線4をこのア
ンカー2に固定することにより、電極線4からヒータ回
路3a、3bへと確実に電力を供給することができる。
As described above, in the holder 12 shown in FIGS. 1 and 2, since the anchor 2 can be securely connected and fixed to the ceramic base 13 without using a brazing material, the anchor 2 and the ceramic base 13 can be connected to each other. The joint strength of the joint portion (also referred to as a connection portion) can be sufficiently increased. Further, by fixing the electrode wire 4 serving as a power supply conductive member to the anchor 2 so as to be electrically connected to the heater circuits 3a and 3b serving as electric circuits, the electrode wire 4 moves to the heater circuits 3a and 3b. And the power can be reliably supplied.

【0057】また、アンカー2とセラミックス基体13
との接合部にロウ材を使用しないので、ロウ材とセラミ
ックス基体13を構成するセラミックスとの熱膨張係数
の差異に起因する上記接合部のセラミックス基体13で
のクラックや割れの発生を防止できる。この結果、アン
カー2とセラミックス基体13との接合部の信頼性を向
上させることができる。
Further, the anchor 2 and the ceramic base 13
Since a brazing material is not used in the joint portion with the, it is possible to prevent the occurrence of cracks or breaks in the ceramic substrate 13 at the joint portion due to the difference in the thermal expansion coefficient between the brazing material and the ceramics constituting the ceramic substrate 13. As a result, the reliability of the joint between the anchor 2 and the ceramic base 13 can be improved.

【0058】図1および2に示した保持体12では、セ
ラミックス基体13を形成する工程において電気回路と
してのヒータ回路3a、3b、静電吸着用電極14およ
びプラズマ用電極15がスクリーン印刷法を利用したメ
タライズ法により形成されることが好ましい。この場
合、スクリーン印刷法を利用するので、ヒータ回路3
a、3b、静電吸着用電極14およびプラズマ用電極1
5の回路パターンについて任意のパターンを容易に形成
できる。このため、ヒータ回路3a、3b、静電吸着用
電極14およびプラズマ用電極15の回路パターンの選
択の自由度を大きくできる。
In the holder 12 shown in FIGS. 1 and 2, the heater circuits 3a and 3b as electric circuits, the electrostatic attraction electrode 14 and the plasma electrode 15 are formed by the screen printing method in the step of forming the ceramic substrate 13. It is preferably formed by the metallization method described above. In this case, since the screen printing method is used, the heater circuit 3
a, 3b, electrostatic attraction electrode 14 and plasma electrode 1
An arbitrary pattern can be easily formed for the circuit pattern of No. 5. Therefore, the degree of freedom in selecting the circuit patterns of the heater circuits 3a and 3b, the electrostatic attraction electrode 14, and the plasma electrode 15 can be increased.

【0059】また、図1および2に示した保持体12で
は、すでに述べたようにアンカー2に導電部材用ネジ穴
としての内周側ネジ穴7が形成されている。また、電極
線4は内周側ネジ穴7にねじ込むことが可能なネジ部と
しての電極端部8を含んでいる。そして、電極線4の電
極端部8をアンカー2の内周側ネジ穴7に固定すること
により、電極線4はアンカー2に接続されている。
Further, in the holder 12 shown in FIGS. 1 and 2, the anchor 2 is formed with the inner peripheral side screw hole 7 as the screw hole for the conductive member, as described above. The electrode wire 4 also includes an electrode end portion 8 as a screw portion that can be screwed into the inner peripheral side screw hole 7. Then, the electrode wire 4 is connected to the anchor 2 by fixing the electrode end portion 8 of the electrode wire 4 to the inner peripheral side screw hole 7 of the anchor 2.

【0060】このため、ロウ材を用いることなく、アン
カー2に電極線4をネジ構造によって接合できる。した
がって、アンカー2と電極線4との接合部においてロウ
材が存在することに起因して熱応力が発生することを防
止できる。この結果、保持体12の信頼性を向上させる
ことができる。
Therefore, the electrode wire 4 can be joined to the anchor 2 by a screw structure without using a brazing material. Therefore, it is possible to prevent thermal stress from being generated due to the presence of the brazing material at the joint between the anchor 2 and the electrode wire 4. As a result, the reliability of the holder 12 can be improved.

【0061】また、図1および2に示した保持体12で
は、ヒータ回路3a、3bがアンカー2と接触する延在
部としてのヒータ回路3bを含んでいる。このため、電
極線4とヒータ回路3a、3bとをアンカー2により電
気的に接続できるので、アンカー2以外の部材(電極線
4とヒータ回路3a、3bとを電気的に接続するための
接続部材)を別途用意する必要がない。したがって、保
持体12の構成を簡略化できる。
Further, in the holder 12 shown in FIGS. 1 and 2, the heater circuits 3a and 3b include the heater circuit 3b as an extending portion which comes into contact with the anchor 2. Therefore, since the electrode wire 4 and the heater circuits 3a and 3b can be electrically connected by the anchor 2, a member other than the anchor 2 (a connecting member for electrically connecting the electrode wire 4 and the heater circuits 3a and 3b). ) Need not be prepared separately. Therefore, the structure of the holder 12 can be simplified.

【0062】(実施の形態2)図3は、本発明による保
持体の実施の形態2を説明するための部分断面拡大模式
図である。図3は図2に対応する。図3を参照して、本
発明による保持体の実施の形態2を説明する。
(Embodiment 2) FIG. 3 is an enlarged schematic partial cross-sectional view for explaining Embodiment 2 of the holding body according to the present invention. FIG. 3 corresponds to FIG. Embodiment 2 of the holder according to the present invention will be described with reference to FIG.

【0063】図3を参照して、保持体は基本的には図1
および2に示した保持体と同様の構造を備えるが、ヒー
タ回路3a、3bと電極線4との接続部の構造が異な
る。すなわち、基体ベース1の開口部19(図1参照)
の底部に形成されたネジ穴5にねじ込まれたアンカー2
には、その中央部に開口部20(ザグリ部)が形成され
ている。そして、このアンカー2と電極線4とは、ロウ
材9により電気的に接続されている。
Referring to FIG. 3, the holder is basically the same as in FIG.
The holder has the same structure as that of the holders 2 and 2, but the structure of the connecting portion between the heater circuits 3a and 3b and the electrode wire 4 is different. That is, the opening 19 of the base body 1 (see FIG. 1)
Anchor 2 screwed into the screw hole 5 formed in the bottom of the
An opening portion 20 (counterbore portion) is formed in the central portion of the. The anchor 2 and the electrode wire 4 are electrically connected by the brazing material 9.

【0064】このようにしても、本発明による保持体の
実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
Even in this case, the same effect as the first embodiment of the holder according to the present invention can be obtained.

【0065】また、アンカー2と電極線4とがロウ付に
より接続されているので、アンカー2と電極線4との間
にロウ材9が配置されることになる。この結果、アンカ
ー2と電極線4との接触面積が増加するので、アンカー
2と電極線4との接合部の接触抵抗を低減できる。
Further, since the anchor 2 and the electrode wire 4 are connected by brazing, the brazing material 9 is arranged between the anchor 2 and the electrode wire 4. As a result, the contact area between the anchor 2 and the electrode wire 4 increases, so that the contact resistance at the joint between the anchor 2 and the electrode wire 4 can be reduced.

【0066】なお、図3に示した保持体の製造方法は、
基本的に図1および2に示した保持体の製造方法と同様
である。すなわち、従来の一般的な方法を用いてヒータ
回路3aなどが形成されたセラミックス基体を準備す
る。このセラミックス基体を構成する基体ベース1にお
いて、所定の領域に開口部を形成した後、この開口部の
底部にアンカー2を挿入固定するためのネジ穴5を形成
する。そして、このネジ穴5に、外周部にネジ部6が形
成された金属製のアンカー2をねじ込んで固定する。こ
のアンカー2においては、中心部に既に述べたように開
口部20があらかじめ形成されている。
The method of manufacturing the holder shown in FIG.
This is basically the same as the method for manufacturing the holding body shown in FIGS. That is, a ceramic substrate on which the heater circuit 3a and the like are formed is prepared by using a conventional general method. After forming an opening in a predetermined region in the base 1 that constitutes this ceramic base, a screw hole 5 for inserting and fixing the anchor 2 is formed in the bottom of this opening. Then, the metal anchor 2 having the screw portion 6 formed on the outer peripheral portion thereof is screwed into and fixed to the screw hole 5. In this anchor 2, the opening portion 20 is formed in advance in the central portion as already described.

【0067】その後、図1および2に示した保持体と同
様の手法により、ヒータ回路3aとこの金属製のアンカ
ー2との間を電気的に接続するヒータ回路3bを形成し
た。なお、ヒータ回路3bは、図示していないが他のヒ
ータ回路3aと電気的に接続された状態になっている。
この後、アンカー2の開口部20に電極線4の端部が挿
入される。そして、ロウ材9により電極線4が開口部2
0の内部に固定されることにより、図3に示したような
構造を得る。
Thereafter, a heater circuit 3b for electrically connecting the heater circuit 3a and the metal anchor 2 was formed by the same method as the holder shown in FIGS. Although not shown, the heater circuit 3b is in a state of being electrically connected to another heater circuit 3a.
After this, the ends of the electrode wires 4 are inserted into the openings 20 of the anchor 2. Then, the brazing material 9 causes the electrode wire 4 to open the opening 2
By being fixed inside 0, a structure as shown in FIG. 3 is obtained.

【0068】(実施の形態3)図4は、本発明による保
持体の実施の形態3を説明するための部分断面拡大模式
図である。図4は図2に対応する。図4を参照して、本
発明による保持体の実施の形態3を説明する。
(Third Embodiment) FIG. 4 is an enlarged schematic partial cross-sectional view for explaining a third embodiment of the holder according to the present invention. FIG. 4 corresponds to FIG. A third embodiment of the holder according to the present invention will be described with reference to FIG.

【0069】図4を参照して、保持体は基本的に図1お
よび2に示した保持体と同様の構造を備えるが、電極線
4とヒータ回路3a、3bとの接続部の構造が異なって
いる。すなわち、図4に示すように、基体ベース1に形
成されたネジ穴5に、図2に示したアンカー2と同様の
構造を備えるアンカー2をねじ込んで固定する。次に、
ネジ穴5の上部を囲むとともにヒータ回路3bと接触す
るように導電体からなるワッシャー11を配置する。こ
のワッシャー11は金属からなり、中央部にほぼ円形状
の平面形状である開口部が形成されたドーナツ形状の外
観を有している。
Referring to FIG. 4, the holder basically has the same structure as the holder shown in FIGS. 1 and 2, but the structure of the connecting portion between electrode wire 4 and heater circuits 3a and 3b is different. ing. That is, as shown in FIG. 4, the anchor 2 having the same structure as the anchor 2 shown in FIG. 2 is screwed and fixed in the screw hole 5 formed in the base body 1. next,
A washer 11 made of a conductive material is arranged so as to surround the upper portion of the screw hole 5 and come into contact with the heater circuit 3b. The washer 11 is made of metal and has a donut-shaped appearance in which an opening having a substantially circular planar shape is formed in the central portion.

【0070】そして、電極線4には、アンカー2の内周
側ネジ穴7にねじ込むことが可能なねじ部を有する電極
端部8と、この電極端部8上に位置し、ワッシャー11
を押圧することが可能なフランジ部10とが形成されて
いる。この電極線4の電極端部8を内周側ネジ穴7にね
じ込んで固定する。このとき、フランジ部10はワッシ
ャー11の上部表面を押圧する。この結果、電極線4と
ヒータ回路3a、3bとは、フランジ部10、ワッシャ
ー11を介して電気的に接続される。このようにして
も、本発明による保持体の実施の形態1と同様の効果を
得ることができる。
Then, the electrode wire 4 has an electrode end portion 8 having a threaded portion which can be screwed into the inner peripheral side screw hole 7 of the anchor 2, and the washer 11 located on the electrode end portion 8.
And a flange portion 10 capable of pressing. The electrode end portion 8 of the electrode wire 4 is screwed into the inner peripheral side screw hole 7 and fixed. At this time, the flange portion 10 presses the upper surface of the washer 11. As a result, the electrode wire 4 and the heater circuits 3a and 3b are electrically connected via the flange portion 10 and the washer 11. Even in this case, the same effect as that of the first embodiment of the holder according to the present invention can be obtained.

【0071】また、図4に示した保持体12では、電気
回路としてのヒータ回路3a、3bがセラミックス基体
13を構成する基体ベース1のネジ穴6の周囲にまで延
在する一部分としてのヒータ回路3bを含んでいる。さ
らに、このヒータ回路3b上に接触するように導電性の
接続部材としてのワッシャー11が配置されている。さ
らに、電極線4には、アンカー2に接続された際ワッシ
ャー11と接触する凸部としてのフランジ部10が形成
されている。
Further, in the holder 12 shown in FIG. 4, the heater circuits 3a and 3b as electric circuits are part of the heater circuit 3a, 3b extending to the periphery of the screw hole 6 of the base body 1 constituting the ceramic base body 13. 3b is included. Further, a washer 11 as a conductive connecting member is arranged so as to come into contact with the heater circuit 3b. Further, the electrode wire 4 is formed with a flange portion 10 as a convex portion that comes into contact with the washer 11 when connected to the anchor 2.

【0072】このため、ワッシャー11の大きさや形状
を調整することにより、ワッシャー11とヒータ回路3
bとの接触面積およびワッシャー11と電極線4のフラ
ンジ部10との接触部の接触面積を充分大きくすること
が可能になる。この結果、電極線4からヒータ回路3b
までの経路の接触抵抗を低減できる。ヒータ回路3a、
3bへ電流を供給する際、上記経路の接触抵抗が大きい
と、上記接触部において発熱が起きる。そして、このよ
うな発熱は保持体12の均熱性を乱す原因になる。しか
し、図4に示した本発明による保持体12では、上述の
ように接触抵抗を低減できるので、このような均熱性の
乱れを抑制できる。
Therefore, by adjusting the size and shape of the washer 11, the washer 11 and the heater circuit 3 can be adjusted.
It is possible to sufficiently increase the contact area with b and the contact area between the washer 11 and the flange portion 10 of the electrode wire 4. As a result, from the electrode wire 4 to the heater circuit 3b
The contact resistance of the route to can be reduced. Heater circuit 3a,
When the current is supplied to 3b, if the contact resistance of the path is large, heat is generated at the contact portion. Then, such heat generation causes a disturbance in the thermal uniformity of the holder 12. However, in the holder 12 according to the present invention shown in FIG. 4, since the contact resistance can be reduced as described above, such a disturbance of the heat uniformity can be suppressed.

【0073】(実施の形態4)図5は、本発明による保
持体の実施の形態4を説明するための部分断面拡大模式
図である。図5は図2に対応する。図5を参照して、本
発明による保持体の実施の形態4を説明する。
(Fourth Embodiment) FIG. 5 is an enlarged schematic partial cross-sectional view for explaining a fourth embodiment of the holder according to the present invention. FIG. 5 corresponds to FIG. A fourth embodiment of the holder according to the present invention will be described with reference to FIG.

【0074】図5を参照して、保持体は基本的には図1
および2に示した保持体と同様の構造を備えるが、電極
線4とヒータ回路3a、3bとの接続部の構造が異なっ
ている。すなわち、基体ベース1に形成されたネジ穴5
に、電極線4と同一部品として形成されたアンカー2を
ねじ込んで固定している。電極線4とアンカー2とは一
つの部品として一体に形成されている。アンカー2の材
料としてはタングステンもしくはモリブデンを用いるこ
とができる。図5に示した保持体によっても、本発明の
実施の形態1による保持体と同様の効果を得ることがで
きる。
Referring to FIG. 5, the holder is basically the same as in FIG.
The holder has the same structure as that shown in FIGS. 2 and 3, but the structure of the connecting portion between the electrode wire 4 and the heater circuits 3a and 3b is different. That is, the screw holes 5 formed in the base body 1
The anchor 2 formed as the same component as the electrode wire 4 is screwed in and fixed. The electrode wire 4 and the anchor 2 are integrally formed as one component. As the material of the anchor 2, tungsten or molybdenum can be used. The holder shown in FIG. 5 can also achieve the same effect as the holder according to the first embodiment of the present invention.

【0075】また、アンカー2と電極線4とが一体にな
っているので、保持体12を構成する部品点数を削減で
きる。
Further, since the anchor 2 and the electrode wire 4 are integrated, the number of parts constituting the holder 12 can be reduced.

【0076】図5に示した保持体の製造方法は、図1お
よび2に示した保持体の製造方法と基本的に同様であ
る。すなわち、ヒータ回路3aなどが形成されたセラミ
ックス基体を従来の一般的な方法を用いて準備する。こ
のセラミックス基体を構成する基体ベース1において、
所定の領域に開口部を形成した後、この開口部の底部に
アンカー2を挿入固定するためのネジ穴5を形成する。
そして、このネジ穴5に、外周部にネジ部6が形成され
た金属製のアンカー2をねじ込んで固定する。このアン
カー2は、電極線4と同一部品になっている。
The method of manufacturing the holder shown in FIG. 5 is basically the same as the method of manufacturing the holder shown in FIGS. That is, a ceramic substrate on which the heater circuit 3a and the like are formed is prepared by using a conventional general method. In the base 1 that constitutes this ceramic base,
After forming an opening in a predetermined area, a screw hole 5 for inserting and fixing the anchor 2 is formed in the bottom of this opening.
Then, the metal anchor 2 having the screw portion 6 formed on the outer peripheral portion thereof is screwed into and fixed to the screw hole 5. The anchor 2 is the same part as the electrode wire 4.

【0077】その後、図1および2に示した保持体と同
様の手法により、ヒータ回路3aとこの金属製のアンカ
ー2との間を電気的に接続するヒータ回路3bを形成し
た。この結果、アンカー2と一体化している電極線4と
ヒータ回路3a、3bとを電気的に接続することができ
る。このようにして、図5に示した保持体を得る。
After that, the heater circuit 3b for electrically connecting the heater circuit 3a and the metal anchor 2 was formed by the same method as the holder shown in FIGS. As a result, the electrode wire 4 integrated with the anchor 2 and the heater circuits 3a and 3b can be electrically connected. In this way, the holder shown in FIG. 5 is obtained.

【0078】(実施の形態5)図6は、本発明による保
持体の実施の形態5を示す部分断面拡大模式図である。
図5は図2に対応する。図6を参照して、本発明による
保持体の実施の形態5を説明する。
(Fifth Embodiment) FIG. 6 is an enlarged schematic partial cross-sectional view showing a fifth embodiment of a holder according to the present invention.
FIG. 5 corresponds to FIG. A fifth embodiment of the holder according to the present invention will be described with reference to FIG.

【0079】図6を参照して、保持体は基本的には図4
に示した保持体と同様の構造を備えるが、電極線4とヒ
ータ回路3a、3bとの接続部の構造が異なる。すなわ
ち、ネジ穴5を基体ベース1に形成した後、このネジ穴
5の周囲に配置されたヒータ回路3bと接触するよう
に、金属製のワッシャー11が配置される。この金属製
ワッシャー11は、中央部に開口部が形成されたドーナ
ツ形状の外観を有している。そして、このワッシャー1
1の中央部の開口部を介してネジ穴5にアンカー2を挿
入固定する。このアンカー2は、電極線4と同一部品と
して構成されている。また、アンカー2の上部には、フ
ランジ部10が形成されている。このフランジ部10
は、ワッシャー11を押圧することが可能なように形成
されている。このような形状の電極線4とアンカー2と
が一体となった部品を用いると、アンカー2をネジ穴5
へとねじ込むことにより、フランジ部10がワッシャー
11を押圧することになる。このため電極線4とヒータ
回路3a、3bとは、フランジ部10およびワッシャー
11を介して電気的に接続される。この結果、図4に示
した保持体と同様の効果を得ることができる。また、電
極線4とアンカー2とが一体になっているので、保持体
12を構成する部品点数を削減できる。
Referring to FIG. 6, the holder is basically the same as in FIG.
Although it has the same structure as the holder shown in FIG. 3, the structure of the connecting portion between the electrode wire 4 and the heater circuits 3a and 3b is different. That is, after forming the screw hole 5 in the base body 1, the metal washer 11 is arranged so as to come into contact with the heater circuit 3b arranged around the screw hole 5. The metal washer 11 has a donut-shaped appearance with an opening formed in the center. And this washer 1
The anchor 2 is inserted and fixed in the screw hole 5 through the opening in the central portion of 1. The anchor 2 is configured as the same part as the electrode wire 4. A flange portion 10 is formed on the upper portion of the anchor 2. This flange part 10
Are formed so that the washer 11 can be pressed. When a component in which the electrode wire 4 and the anchor 2 having such a shape are integrated is used, the anchor 2 is screwed into the screw hole 5.
By being screwed in, the flange portion 10 presses the washer 11. Therefore, the electrode wire 4 and the heater circuits 3a and 3b are electrically connected via the flange portion 10 and the washer 11. As a result, the same effect as the holding body shown in FIG. 4 can be obtained. Moreover, since the electrode wire 4 and the anchor 2 are integrated, the number of parts constituting the holder 12 can be reduced.

【0080】本発明の実施の形態1〜5においては、電
気回路としてのヒータ回路3a、3b、静電吸着用電極
14およびプラズマ用電極15がタングステン、モリブ
デンおよびこれらの合金からなる群から選択される少な
くとも1種を含むことが好ましい。
In the first to fifth embodiments of the present invention, the heater circuits 3a and 3b as electric circuits, the electrostatic attraction electrode 14 and the plasma electrode 15 are selected from the group consisting of tungsten, molybdenum and alloys thereof. It is preferable to include at least one of

【0081】ここで、上記タングステン(W)、モリブ
デン(Mo)およびこれらの合金は、いずれもセラミッ
クス基体13を構成するセラミックスとの熱膨張係数の
差が比較的小さい材料である。このため、これらの材料
により電気回路を形成すれば、この電気回路の存在に起
因してセラミックス基体13が反るといった不良の発生
を抑制できる。
Here, the above tungsten (W), molybdenum (Mo) and their alloys are all materials having a relatively small difference in thermal expansion coefficient from the ceramics constituting the ceramic base 13. Therefore, if the electric circuit is formed of these materials, it is possible to suppress the occurrence of defects such as the warp of the ceramic substrate 13 due to the existence of the electric circuit.

【0082】また、本発明の実施の形態1〜5において
は、アンカー2がタングステン、モリブデン、およびこ
れらの合金、コバール、銅−タングステン合金、銅−モ
リブデン合金、銅−ニッケル−鉄−タングステン合金か
らなる群から選択される少なくとも1種を含んでいても
よい。
In the first to fifth embodiments of the present invention, the anchor 2 is made of tungsten, molybdenum, alloys thereof, Kovar, copper-tungsten alloy, copper-molybdenum alloy, copper-nickel-iron-tungsten alloy. It may contain at least one selected from the group consisting of

【0083】アンカー2の材料として、タングステン
(W)またはモリブデン(Mo)およびこれらの合金を
用いた場合、ヒータ回路3a、3bなどもこれらタング
ステンまたはモリブデンにより形成することで、ヒータ
回路3a、3bとアンカー2とを熱膨張係数がほぼ等し
い材料で構成することができる。そして、本発明の実施
の形態1、2および4のようにヒータ回路3bとアンカ
ー2とが接触するような場合、このヒータ回路3bとア
ンカー2との接合部において、熱膨張係数の差に起因す
る熱応力の発生を抑制できる。
When tungsten (W) or molybdenum (Mo) and their alloys are used as the material of the anchor 2, the heater circuits 3a and 3b are also formed of these tungsten or molybdenum, thereby forming the heater circuits 3a and 3b. The anchor 2 can be made of a material having a substantially equal thermal expansion coefficient. When the heater circuit 3b and the anchor 2 are in contact with each other as in the first, second, and fourth embodiments of the present invention, due to the difference in the coefficient of thermal expansion at the joint between the heater circuit 3b and the anchor 2. It is possible to suppress the occurrence of thermal stress.

【0084】また、アンカー2の材料として、コバー
ル、銅−タングステン合金、銅−モリブデン合金および
銅−ニッケル−鉄−タングステン合金の少なくともいず
れか1種を用いる場合、アンカー2とヒータ回路3a、
3bとを接合する工程を比較的低温で行うことができ
る。さらに、これらの材料はいずれもその熱膨張係数の
値がセラミックスの熱膨張係数の値に近い。したがっ
て、保持体12の温度が変化する場合、アンカー2とセ
ラミックス基体13との接触部に発生する熱応力を低減
できる。
When at least one of Kovar, copper-tungsten alloy, copper-molybdenum alloy and copper-nickel-iron-tungsten alloy is used as the material of the anchor 2, the anchor 2 and the heater circuit 3a,
The step of joining with 3b can be performed at a relatively low temperature. Further, the coefficient of thermal expansion of each of these materials is close to that of ceramics. Therefore, when the temperature of the holding body 12 changes, the thermal stress generated in the contact portion between the anchor 2 and the ceramic base 13 can be reduced.

【0085】また、本発明の実施の形態1〜5において
は、電極線4がタングステン、モリブデン、およびこれ
らの合金、コバール、銅−タングステン合金、銅−モリ
ブデン合金、銅−ニッケル−鉄−タングステン合金から
なる群から選択される少なくとも1種を含んでいてもよ
い。
Further, in the first to fifth embodiments of the present invention, the electrode wire 4 is made of tungsten, molybdenum, and alloys thereof, Kovar, copper-tungsten alloy, copper-molybdenum alloy, copper-nickel-iron-tungsten alloy. It may include at least one selected from the group consisting of:

【0086】この場合、電極線4をアンカー2と同じ材
料により構成することができる。このため、電極線4と
アンカー2との接続部に発生する熱応力を低減できる。
In this case, the electrode wire 4 can be made of the same material as the anchor 2. Therefore, the thermal stress generated at the connection between the electrode wire 4 and the anchor 2 can be reduced.

【0087】また、本発明の実施の形態1〜5において
は、セラミックス基体13を構成する基体ベース1が窒
化アルミニウム、窒化珪素、酸化アルミニウムおよび炭
化珪素からなる群から選択される少なくとも1種を含ん
でいてもよい。
Further, in the first to fifth embodiments of the present invention, base body 1 constituting ceramics base 13 contains at least one selected from the group consisting of aluminum nitride, silicon nitride, aluminum oxide and silicon carbide. You can leave.

【0088】窒化アルミニウムは腐食性雰囲気に対して
十分な耐久性を示す。また、窒化アルミニウムを用いた
セラミックス基体13は、不純物としてのパーティクル
の発生確率が他の材料よりも低い。したがって、シリコ
ンウェハの処理に窒化アルミニウムを用いた保持体12
を利用すれば、処理を行うチャンバの内部でのパーティ
クルの発生が極めて少ない上に、処理に用いる反応性ガ
スにより保持体12が損傷を受けることもない。このた
め、シリコンウェハの処理を安定して行うことができ
る。また、窒化アルミニウムは熱伝導率が高いので、均
熱性に優れた保持体12を実現できる。また、炭化珪素
も熱伝導率が高いので、窒化アルミニウムと同様に均熱
性に優れた保持体12を実現できる。
Aluminum nitride has sufficient durability against a corrosive atmosphere. Further, the ceramic base 13 using aluminum nitride has a lower probability of generation of particles as impurities than other materials. Therefore, the holder 12 using aluminum nitride for processing the silicon wafer
By using, the generation of particles inside the chamber for processing is extremely small, and the holding body 12 is not damaged by the reactive gas used for processing. Therefore, it is possible to stably process the silicon wafer. Further, since aluminum nitride has a high thermal conductivity, it is possible to realize the holding body 12 having excellent thermal uniformity. Further, since silicon carbide also has a high thermal conductivity, it is possible to realize the holding body 12 having excellent thermal uniformity as with aluminum nitride.

【0089】また、酸化アルミニウムは他のセラミック
スに比べて比較的安価であるので、保持体12に適用す
ればその製造コストを低減できる。また、窒化珪素は強
度が高いため、この窒化珪素を保持体12に適用するこ
とで、ヒートサイクル耐性に優れる保持体12を得るこ
とができる。
Further, since aluminum oxide is relatively inexpensive as compared with other ceramics, if it is applied to the holder 12, its manufacturing cost can be reduced. Further, since silicon nitride has high strength, by applying this silicon nitride to the holder 12, the holder 12 having excellent heat cycle resistance can be obtained.

【0090】[0090]

【実施例】以下、本発明の効果を確認するため、本発明
による保持体の試料を作製して、それぞれの試料につい
て電気回路としてのヒータ回路と電極線との接続部の密
着強度を測定するとともに、ヒートサイクル試験を実施
することによりその耐久性を調査した。以下、その試験
法および結果について説明する。
EXAMPLES In order to confirm the effects of the present invention, samples of the holder according to the present invention will be prepared below, and the adhesion strength of the connection between the heater circuit as an electric circuit and the electrode wire will be measured for each sample. At the same time, the durability was investigated by conducting a heat cycle test. The test method and the result will be described below.

【0091】まず、以下の表1に示すような組成の原料
粉末を準備した。
First, raw material powders having the compositions shown in Table 1 below were prepared.

【0092】[0092]

【表1】 [Table 1]

【0093】上記の表1における組成−1〜4に示した
それぞれの原料粉末に、バインダおよび溶剤を加え、ボ
ールミルを用いて混合することによりスラリーを作製し
た。この組成−1〜4の原料粉末からなる4種のスラリ
ーを、ドクターブレード法を用いてシート状にすること
によりグリーンシート(シートとも言う)を作製した。
次に、作製したグリーンシートを、焼結後の寸法が直径
350mmの円形になるように切断した。この切断した
シートの表面に、ヒータ回路となるべきタングステンペ
ーストを、スクリーン印刷法により所定のパターンとな
るように形成した。次に、このヒータ回路となるべきタ
ングステンペーストを塗布したシート上に、さらに複数
のシートを積層して配置した。
A slurry was prepared by adding a binder and a solvent to each of the raw material powders shown in Compositions 1 to 4 in Table 1 above and mixing them using a ball mill. A green sheet (also referred to as a sheet) was produced by forming four types of slurries composed of the raw material powders of Compositions 1 to 4 into a sheet shape using a doctor blade method.
Next, the produced green sheet was cut so that the dimension after sintering was a circle having a diameter of 350 mm. On the surface of the cut sheet, a tungsten paste to be a heater circuit was formed by a screen printing method so as to have a predetermined pattern. Next, a plurality of sheets were further laminated and arranged on the sheet coated with the tungsten paste to serve as the heater circuit.

【0094】そして、他のシートとして、プラズマ用電
極となるべきタングステンペーストがスクリーン印刷法
により所定のパターンとなるように塗布されたシートお
よび静電吸着用電極となるべきタングステンペーストが
スクリーン印刷法により所定のパターンとなるように塗
布されたシートを準備した。これらの他のシートを、上
述のヒータ回路となるべきタングステンペーストが塗布
されたシートの上にさらに積層した。このようにして、
組成−1〜4のそれぞれの原料からなる4種類シートの
積層体を得た。この積層体を窒素雰囲気中で加熱温度が
700℃という条件で熱処理することにより脱脂処理を
行なった。
Then, as another sheet, a sheet on which a tungsten paste to be a plasma electrode is applied by a screen printing method to have a predetermined pattern and a tungsten paste to be an electrostatic attraction electrode are screen printing method. A sheet coated so as to have a predetermined pattern was prepared. These other sheets were further laminated on the sheet coated with the tungsten paste to be the above-mentioned heater circuit. In this way
A laminated body of four types of sheets made of the respective raw materials of composition-1 to 4 was obtained. The laminated body was subjected to a degreasing treatment by heat treatment in a nitrogen atmosphere at a heating temperature of 700 ° C.

【0095】次に、表1の組成−1に示された原料粉末
からなる積層体については、窒素雰囲気中で加熱温度が
1800℃という条件で焼結工程を行なった。また、表
1における組成−2で示した原料粉末からなる積層体に
ついては、窒素雰囲気中で加熱温度が1700℃という
条件で焼結工程を行なった。また、表1における組成−
3で示された原料粉末を用いた積層体については、窒素
雰囲気中において加熱温度が1600℃という条件で焼
結工程を行なった。また、表1に示した組成−4で示さ
れた原料を用いた積層体については、窒素雰囲気中にお
いて加熱温度が2000℃という条件で焼結工程を実施
した。このようにして、それぞれの組成1〜4からなる
セラミックス基体(サセプタ)を作製した。
Next, the laminated body made of the raw material powder shown in the composition-1 of Table 1 was subjected to a sintering process in a nitrogen atmosphere at a heating temperature of 1800 ° C. Further, the sintering process was performed on the laminated body composed of the raw material powder shown in Composition-2 in Table 1 under the condition that the heating temperature was 1700 ° C. in the nitrogen atmosphere. The composition in Table 1-
The laminated body using the raw material powder shown in No. 3 was subjected to a sintering step in a nitrogen atmosphere at a heating temperature of 1600 ° C. Further, with respect to the laminated body using the raw material represented by the composition-4 shown in Table 1, the sintering step was performed under the condition that the heating temperature was 2000 ° C. in the nitrogen atmosphere. In this way, a ceramic substrate (susceptor) composed of each composition 1 to 4 was produced.

【0096】次に、電気回路を構成するヒータ回路、静
電吸着用電極およびプラズマ用電極の給電部(電極線と
の接続部)に開口部を形成した。この開口部の底部にネ
ジ加工を行なうことによりネジ穴を形成した。
Next, openings were formed in the heater circuit, the electrostatic attraction electrode, and the plasma electrode constituting the electric circuit, at the power supply portions (connection portions with the electrode wires). A screw hole was formed by screwing the bottom of the opening.

【0097】次に、以下に示すように、セラミックス基
体の裏面側に配置される筒状部材を作製した。まず、表
1に示した組成1〜4からなるスラリーを、それぞれス
プレードライ法により顆粒状とした。次に、この顆粒状
の原料を用いて、ドライプレス法により円柱状の成形体
を形成した。この円柱状の成形体に対して、窒素気流中
において加熱温度が700℃という条件で脱脂処理を行
なった。次に、脱脂処理を行なった後、組成−1〜4の
原料を用いた成形体のそれぞれに対して、セラミックス
基体を作製する場合の焼結工程と同様の条件を用いて焼
結工程を実施した。
Next, as shown below, a cylindrical member arranged on the back surface side of the ceramic substrate was prepared. First, each of the slurries having the compositions 1 to 4 shown in Table 1 was granulated by a spray drying method. Next, using this granular raw material, a cylindrical molded body was formed by a dry pressing method. This cylindrical molded body was subjected to a degreasing treatment in a nitrogen stream at a heating temperature of 700 ° C. Next, after performing degreasing treatment, a sintering process is performed on each of the molded bodies using the raw materials of Compositions 1 to 4 under the same conditions as the sintering process for producing a ceramic substrate. did.

【0098】焼結工程の後、出来上がった円柱状の焼結
体を機械加工することにより、内周側の直径(内径)が
50mm、外径が60mm、軸方向の長さが200mm
という筒状部材を作製した。
After the sintering step, the finished cylindrical sintered body is machined so that the inner diameter is 50 mm, the outer diameter is 60 mm, and the axial length is 200 mm.
That is, a tubular member was manufactured.

【0099】次に、この筒状部材の一方の端面に、Al
23−Y23−AlNのスラリーを塗布した。そして、
このスラリーを塗布した端面をセラミックス基体の裏面
と密着させた。その後、組成−1〜4のセラミックス基
体のそれぞれを作製する際の焼結工程の条件と同様の条
件を用いて、筒状部材とセラミックス基体とを接合する
ための熱処理を実施する。このようにして、筒状部材と
セラミックス基体との接合体を得る。なお、電気回路と
してのヒータ回路、静電吸着用電極およびプラズマ用電
極と、これらの電気回路へ外部から給電するための電極
線との接続部は、すべて筒状部材の内周側に配置され
る。
Next, on one end face of this tubular member, Al
2 O 3 -Y 2 O 3 -AlN of the slurry was applied. And
The end surface coated with this slurry was brought into close contact with the back surface of the ceramic substrate. Then, heat treatment for joining the tubular member and the ceramic substrate is carried out under the same conditions as in the sintering step for producing each of the ceramic substrates having compositions-1 to 4. In this way, a joined body of the tubular member and the ceramic substrate is obtained. It should be noted that the heater circuit as an electric circuit, the electrode for electrostatic adsorption and the electrode for plasma, and the connection portion of the electrode wire for supplying electric power to these electric circuits from outside are all arranged on the inner peripheral side of the tubular member. It

【0100】次に、上述のようにして作製した筒状部材
とセラミックス基体との接合体において、そのセラミッ
クス基体に形成されたネジ穴に金属製のアンカーをねじ
込むなど所定の工程を実施することにより、電極線と電
気回路を構成するヒータ回路とを接続した。この接続方
法としては、図1〜6で示した本発明の実施の形態1〜
5に示した方法を実施した。このようにして、本発明の
実施の形態1〜5に示した接続構造をそれぞれ備える試
料を作製した。なお、アンカーとしては、たとえば直径
が6mm、高さが6mm、外周側壁に形成されたネジ
(外周ネジ)のピッチは並目であり、アンカーの中央部
に形成された内周側ネジ穴(電極線を固定するためのネ
ジ穴)は、直径が3mm、深さが4mmであってネジの
ピッチは並目としたような金属製アンカーを用いること
ができる。
Next, in the joined body of the cylindrical member and the ceramic substrate manufactured as described above, a predetermined process such as screwing a metal anchor into a screw hole formed in the ceramic substrate is carried out. , The electrode wire was connected to a heater circuit forming an electric circuit. As this connection method, Embodiments 1 to 1 of the present invention shown in FIGS.
The method shown in 5 was carried out. In this way, samples having the connection structures shown in the first to fifth embodiments of the present invention were produced. As the anchor, for example, the diameter is 6 mm, the height is 6 mm, and the pitch of the screw (outer peripheral screw) formed on the outer peripheral side wall is coarse, and the inner peripheral side screw hole (electrode) formed in the central portion of the anchor. A metal anchor having a diameter of 3 mm and a depth of 4 mm and a screw pitch of coarse thread can be used for the screw hole for fixing the wire.

【0101】金属製のアンカーの材料としては、タング
ステン、モリブデン、コバール、Cu−W合金、Cu−
Mo合金、Cu−Ni−Fe−W合金などの材料を用い
た。また、電極線の材料として、タングステン、モリブ
デン、コバール、Cu−W合金、Cu−Mo合金、Cu
−Ni−Fe−W合金などを用いた。このようにして、
表2および3に示すように48種類の試料を作製した。
以下、各試料の具体的な構成を表2および3に示す。
Materials for the metal anchor include tungsten, molybdenum, kovar, Cu-W alloy, and Cu-.
Materials such as Mo alloy and Cu-Ni-Fe-W alloy were used. In addition, as a material of the electrode wire, tungsten, molybdenum, kovar, Cu-W alloy, Cu-Mo alloy, Cu
A -Ni-Fe-W alloy or the like was used. In this way
As shown in Tables 2 and 3, 48 kinds of samples were prepared.
Hereinafter, specific configurations of each sample are shown in Tables 2 and 3.

【0102】[0102]

【表2】 [Table 2]

【0103】[0103]

【表3】 [Table 3]

【0104】表2および3を参照して、アンカー材質お
よび電極材質の欄におけるW、Mo、Cu−W、Cu−
Moとの記載は、それぞれタングステン、モリブデン、
銅−タングステン合金、銅−モリブデン合金を意味す
る。また、アンカー/電極接続構造の欄における「ネ
ジ」との記載は、アンカー2と電極線4との接続が実施
の形態1または3に示したようなネジ構造により行われ
ていることを示す。また、「銀ロウ」との記載は、アン
カー2と電極線4との接続が実施の形態2に示したよう
な銀ロウ材を用いたロウ付けにより行われていることを
示す。また、「一体構造」との記載は、本願の実施の形
態4または5のようにアンカー2と電極線4とが一体に
なっている構造を示す。
Referring to Tables 2 and 3, W, Mo, Cu-W, Cu- in the columns of anchor material and electrode material
Descriptions of Mo are tungsten, molybdenum, and
It means a copper-tungsten alloy and a copper-molybdenum alloy. Further, the description of “screw” in the column of the anchor / electrode connection structure indicates that the anchor 2 and the electrode wire 4 are connected by the screw structure as shown in the first or third embodiment. Further, the description “silver brazing” indicates that the anchor 2 and the electrode wire 4 are connected by brazing using the silver brazing material as shown in the second embodiment. Further, the description of “integrated structure” refers to a structure in which the anchor 2 and the electrode wire 4 are integrated as in the fourth or fifth embodiment of the present application.

【0105】また、アンカー/電気回路接続構造の欄に
おける「Wペースト」との記載は、本願の実施の形態
1、2または4に示したように、タングステン(W)ペ
ーストを用いたメタライズ法により、アンカー2の表面
に接触するように電気回路としてのヒータ回路3bが形
成された構造を示す。また、「Wワッシャー」、「Au
ワッシャー」、「Moワッシャー」との記載は、それぞ
れ本願の実施の形態3または5に示したように、ワッシ
ャー11を用いた構造を示す。Wワッシャーとはタング
ステン製ワッシャーが用いられることを示す。Auワッ
シャーおよびMoワッシャーとは、それぞれ金(Au)
製ワッシャーまたはモリブデン(Mo)製ワッシャーが
用いられることを示す。
Further, the description of "W paste" in the column of the anchor / electrical circuit connection structure is based on the metallizing method using the tungsten (W) paste as shown in the first, second or fourth embodiment of the present application. Shows a structure in which a heater circuit 3b as an electric circuit is formed so as to come into contact with the surface of the anchor 2. In addition, "W washer", "Au
The expressions "washer" and "Mo washer" indicate the structure using the washer 11 as shown in the third or fifth embodiment of the present application. The W washer indicates that a tungsten washer is used. Au washer and Mo washer are gold (Au) respectively
Indicates that a washer made of molybdenum or a washer made of molybdenum (Mo) is used.

【0106】また、表2および3には、それぞれの試料
に対して、給電部の密着強度の測定結果およびヒートサ
イクル試験の結果を示している。なお、密着強度の測定
方法としては、以下のような方法を用いた。
Tables 2 and 3 show the measurement results of the adhesion strength of the power supply section and the results of the heat cycle test for each sample. The following method was used to measure the adhesion strength.

【0107】まず、各試料のセラミックス基体を固定す
る。そして、この状態で電極線をセラミックス基体から
離れる方向に0.5mm/秒の速度で引張ることによ
り、電極線とセラミックス基体のヒータ回路との接続部
がどの程度の荷重にまで耐えることができるかを測定し
た。
First, the ceramic substrate of each sample is fixed. Then, in this state, by pulling the electrode wire in the direction away from the ceramic substrate at a speed of 0.5 mm / sec, how much load can the connection portion between the electrode wire and the heater circuit of the ceramic substrate withstand? Was measured.

【0108】また、ヒートサイクル試験の試験条件とし
ては、窒素気流中で室温から800℃まで昇温した後、
冷却するというサイクルを繰返す試験を行なった。な
お、試験の際の昇温速度は20℃/分であり、温度が8
00℃の状態(高温状態)での保持時間および室温にま
で冷却した状態(室温状態)での保持時間は、ともに3
0分とした。そして、このヒートサイクルを各試料につ
いてそれぞれ1000回繰返した後、試料にクラックな
どが発生していないかどうかを確認した。
Further, the test conditions for the heat cycle test are as follows: after raising the temperature from room temperature to 800 ° C. in a nitrogen stream,
A test in which a cycle of cooling was repeated was performed. The rate of temperature increase during the test was 20 ° C./min, and the temperature was 8
The holding time in the state of 00 ° C (high temperature state) and the holding time in the state of being cooled to room temperature (room temperature state) are both 3
It was set to 0 minutes. Then, after repeating this heat cycle 1000 times for each sample, it was confirmed whether or not a crack was generated in the sample.

【0109】表2からもわかるように、本発明による保
持体の実施例である試料1〜48においては、給電部の
密着強度(接続部が耐えることができた荷重)がいずれ
も20kg以上となっていることから、本発明の実施例
の試料はいずれも十分な強度を示していることがわか
る。また、ヒートサイクル試験の結果について、本発明
による保持体の実施例である試料は、上述のようなヒー
トサイクルを1000回繰返した後においても、特にク
ラックなどの発生は見られず十分な耐久性を備えている
ことがわかる。
As can be seen from Table 2, in Samples 1 to 48, which are working examples of the holder according to the present invention, the adhesion strength of the power feeding portion (the load that the connecting portion could withstand) was 20 kg or more. From the above, it can be seen that all the samples of the examples of the present invention exhibit sufficient strength. Further, regarding the results of the heat cycle test, the sample which is an example of the holder according to the present invention showed sufficient cracking resistance even after the heat cycle as described above was repeated 1000 times and no sufficient cracking was observed. You can see that it has.

【0110】一方、比較例として、上述の組成−1〜4
のスラリーを用いて、上述した試料を作製した手法と同
様の手法によりセラミックス基体を作製した。ただし、
このセラミックス基体に対しては、特にネジ加工によっ
てネジ穴を形成することなく、単に穴加工を施した。そ
してその穴の内部に円筒状のタングステンアンカーを挿
入した。そして、この穴の側壁とアンカーの側壁との
間、およびアンカーとこのセラミックス基体のヒータ回
路との間を、タングステンメタライズ法を用いて接着し
た。アンカーには電極線をロウ付けにより接合した。こ
のようにして、比較例としての試料を作成した。
On the other hand, as comparative examples, the above-mentioned compositions-1 to 4 were used.
Using the slurry of No. 3, a ceramic substrate was prepared by the same method as the method of preparing the sample described above. However,
This ceramic substrate was simply drilled without forming a screw hole by screwing. Then, a cylindrical tungsten anchor was inserted inside the hole. Then, the side wall of the hole and the side wall of the anchor, and the side wall of the anchor and the heater circuit of the ceramic base were bonded by using the tungsten metallizing method. An electrode wire was joined to the anchor by brazing. In this way, a sample as a comparative example was prepared.

【0111】その後、この比較例としての試料に対し
て、上述の密着強度の測定およびヒートサイクル試験を
実施した。この結果、比較例としての試料における密着
強度(接続部が耐えることができた荷重)は8kgであ
り、本発明による保持体の試料の密着強度よりも低い値
を示していた。また、ヒートサイクル試験においても、
比較例の試料においてはクラックの発生などが見られ
た。
Then, the above-mentioned measurement of the adhesion strength and the heat cycle test were carried out on the sample as the comparative example. As a result, the adhesion strength (the load that the connecting portion was able to withstand) of the sample as the comparative example was 8 kg, which was lower than the adhesion strength of the sample of the holder according to the present invention. Also, in the heat cycle test,
Occurrence of cracks was observed in the sample of the comparative example.

【0112】今回開示された実施の形態および実施例は
すべての点で例示であって制限的なものではないと考え
られるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態
および実施例ではなくて特許請求の範囲によって示さ
れ、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべ
ての変更が含まれることが意図される。
The embodiments and examples disclosed this time are to be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above-described embodiments and examples but by the scope of the claims, and is intended to include meanings equivalent to the scope of the claims and all modifications within the scope.

【0113】[0113]

【発明の効果】このように、本発明によれば、被処理物
保持体を構成するセラミックス基体に形成された電気回
路と電極線との間の接続部にロウ材を用いることなく、
ネジ構造を有するアンカーを用いるので、接続部の強度
を充分高くすることができると同時に、ヒートサイクル
を受けてもクラックなどの不良の発生を抑制できる。こ
のため、高い信頼性を有する被処理物保持体を得ること
ができる。また、本発明による被処理物保持体を適用す
ることにより、高い信頼性を有する処理装置および半導
体製造装置用セラミックスサセプタを実現できる。
As described above, according to the present invention, the brazing material is not used in the connection portion between the electric circuit and the electrode wire formed on the ceramic substrate constituting the workpiece holder,
Since the anchor having the screw structure is used, the strength of the connection portion can be sufficiently increased, and at the same time, the occurrence of defects such as cracks can be suppressed even when subjected to a heat cycle. For this reason, it is possible to obtain an object holder having high reliability. Further, by applying the workpiece holder according to the present invention, it is possible to realize a highly reliable processing apparatus and a ceramic susceptor for a semiconductor manufacturing apparatus.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明による保持体を用いた処理装置示す部
分断面模式図である。
FIG. 1 is a schematic partial cross-sectional view showing a processing apparatus using a holder according to the present invention.

【図2】 図1に示した保持体において、ヒータ回路と
電極線との接合部を示す部分拡大断面模式図である。
FIG. 2 is a partially enlarged schematic cross-sectional view showing a joint between a heater circuit and an electrode wire in the holder shown in FIG.

【図3】 本発明による保持体の実施の形態2を説明す
るための部分断面拡大模式図である。
FIG. 3 is an enlarged schematic partial cross-sectional view for explaining a second embodiment of the holding body according to the present invention.

【図4】 本発明による保持体の実施の形態3を説明す
るための部分断面拡大模式図である。
FIG. 4 is an enlarged partial cross-sectional schematic view for explaining a third embodiment of a holder according to the present invention.

【図5】 本発明による保持体の実施の形態4を説明す
るための部分断面拡大模式図である。
FIG. 5 is a partially enlarged schematic view for explaining a fourth embodiment of a holder according to the present invention.

【図6】 本発明による保持体の実施の形態5を示す部
分断面拡大模式図である。
FIG. 6 is an enlarged schematic partial cross-sectional view showing a fifth embodiment of a holding body according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基体ベース、2,22,25 アンカー、3a,3
b ヒータ回路、4,17,18 電極線、5 ネジ
穴、6 ネジ部、7 内周側ネジ穴、8 電極端部、9
ロウ材、10 フランジ部、11 ワッシャー、12
保持体、13セラミックス基体、14 静電吸着用電
極、15 プラズマ用電極、16 筒状部材、20,2
1 開口部、23 下面、24 上面。
1 substrate base, 2,22,25 anchors, 3a, 3
b heater circuit, 4, 17, 18 electrode wire, 5 screw hole, 6 screw portion, 7 inner peripheral side screw hole, 8 electrode end portion, 9
Brazing material, 10 flange part, 11 washer, 12
Holding body, 13 ceramics base, 14 electrostatic attraction electrode, 15 plasma electrode, 16 tubular member, 20, 2
1 Opening, 23 Lower surface, 24 Upper surface.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柊平 啓 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目1番1号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内 Fターム(参考) 5F004 AA16 BA00 BB18 BB22 BB26 BB29 5F031 HA02 HA03 HA17 HA18 5F045 BB20 EB02 EB03 EK09 EM02 EM05    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Kei Hiiragi             Sumitomo, 1-1 1-1 Koyokita, Itami City, Hyogo Prefecture             Electric Industry Co., Ltd. Itami Works F-term (reference) 5F004 AA16 BA00 BB18 BB22 BB26                       BB29                 5F031 HA02 HA03 HA17 HA18                 5F045 BB20 EB02 EB03 EK09 EM02                       EM05

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理物を保持する被処理物保持体であ
って、 電気回路を有し、ネジ穴が形成されたセラミックス基体
と、 前記セラミックス基体のネジ穴にねじ込まれることによ
り固定されたアンカー部材と、 前記アンカー部材に接続され、前記電気回路と電気的に
接続されている給電用導電部材とを備える、被処理物保
持体。
1. A workpiece holder for holding a workpiece, the ceramic substrate having an electric circuit and having screw holes, and a ceramic substrate fixed by being screwed into the screw holes of the ceramic substrate. An object-holding body, comprising: an anchor member; and a power-supplying conductive member that is connected to the anchor member and that is electrically connected to the electric circuit.
【請求項2】 前記電気回路はスクリーン印刷法を利用
したメタライズ法により形成された層である、請求項1
に記載の被処理物保持体。
2. The electric circuit is a layer formed by a metallizing method using a screen printing method.
The object holder according to item 1.
【請求項3】 前記アンカー部材と前記給電用導電部材
とは一体となっている、請求項1または2に記載の被処
理物保持体。
3. The workpiece holder according to claim 1, wherein the anchor member and the power feeding conductive member are integrated.
【請求項4】 前記アンカー部材に導電部材用ネジ穴が
形成され、 前記給電用導電部材は、前記導電部材用ネジ穴にねじ込
むことが可能なネジ部を含み、 前記給電用導電部材のネジ部を前記アンカー部材の前記
導電部材用ネジ穴に固定することにより、前記給電用導
電部材は前記アンカー部材に接続されている、請求項1
または2に記載の被処理物保持体。
4. A screw hole for a conductive member is formed in the anchor member, the conductive member for power feeding includes a screw portion that can be screwed into the screw hole for the conductive member, and the screw portion of the conductive member for power feeding. 2. The power-supplying conductive member is connected to the anchor member by fixing a wire to the screw hole for the conductive member of the anchor member.
Alternatively, the object holder according to item 2.
【請求項5】 前記アンカー部材と前記給電用導電部材
とはロウ付により接続されている、請求項1または2に
記載の被処理物保持体。
5. The workpiece holder according to claim 1, wherein the anchor member and the power feeding conductive member are connected by brazing.
【請求項6】 前記電気回路は前記セラミックス基体の
ネジ穴の周囲にまで延在する一部分を含み、 前記電気回路の一部分上に接触するように配置された導
電性の接続部材を備え、 前記給電用導電部材は、前記アンカー部材に接続された
際前記接続部材と接触する凸部を有する、請求項1〜5
のいずれか1項に記載の被処理物保持体。
6. The electric circuit includes a portion extending to the periphery of the screw hole of the ceramic base, and a conductive connecting member arranged to be in contact with a portion of the electric circuit. The conductive member for use has a convex portion that comes into contact with the connecting member when connected to the anchor member.
The object holder according to any one of 1.
【請求項7】 前記電気回路は前記アンカー部材と接触
する延在部を含む、 請求項1〜5のいずれか1項に記載の被処理物保持体。
7. The workpiece holder according to claim 1, wherein the electric circuit includes an extending portion that comes into contact with the anchor member.
【請求項8】 前記電気回路はタングステン、モリブデ
ンおよびこれらの合金からなる群から選択される少なく
とも1種を含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載の
被処理物保持体。
8. The workpiece holder according to claim 1, wherein the electric circuit contains at least one selected from the group consisting of tungsten, molybdenum, and alloys thereof.
【請求項9】 前記アンカー部材は、タングステン、モ
リブデン、およびこれらの合金、コバール、銅−タング
ステン合金、銅−モリブデン合金、銅−ニッケル−鉄−
タングステン合金からなる群から選択される少なくとも
1種を含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の被処
理物保持体。
9. The anchor member comprises tungsten, molybdenum, and alloys thereof, Kovar, copper-tungsten alloy, copper-molybdenum alloy, copper-nickel-iron-.
The workpiece holder according to any one of claims 1 to 8, comprising at least one selected from the group consisting of tungsten alloys.
【請求項10】 前記給電用導電部材は、タングステ
ン、モリブデン、およびこれらの合金、コバール、銅−
タングステン合金、銅−モリブデン合金、銅−ニッケル
−鉄−タングステン合金からなる群から選択される少な
くとも1種を含む、請求項1〜9のいずれか1項に記載
の被処理物保持体。
10. The conductive member for power supply is made of tungsten, molybdenum, alloys thereof, Kovar, or copper.
The workpiece holder according to any one of claims 1 to 9, comprising at least one selected from the group consisting of a tungsten alloy, a copper-molybdenum alloy, and a copper-nickel-iron-tungsten alloy.
【請求項11】 前記セラミックス基体は、窒化アルミ
ニウム、窒化珪素、酸化アルミニウムおよび炭化珪素か
らなる群から選択される少なくとも1種を含む、請求項
1〜10のいずれか1項に記載の被処理物保持体。
11. The object to be treated according to claim 1, wherein the ceramic substrate contains at least one selected from the group consisting of aluminum nitride, silicon nitride, aluminum oxide and silicon carbide. Holding body.
【請求項12】 請求項1〜11のいずれか1項に記載
の被処理物保持体を備える処理装置。
12. A processing apparatus comprising the workpiece holder according to any one of claims 1 to 11.
【請求項13】 請求項1〜11のいずれか1項に記載
の被処理物保持体を有する半導体製造装置用セラミック
スサセプタ。
13. A ceramic susceptor for a semiconductor manufacturing apparatus, which has the workpiece holder according to claim 1.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005056881A (en) * 2003-08-01 2005-03-03 Sumitomo Electric Ind Ltd Susceptor used for semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing device mounted with the same
JP2008305968A (en) * 2007-06-07 2008-12-18 Sei Hybrid Kk Electrode connection structure of wafer holder
JP2009188389A (en) * 2008-01-08 2009-08-20 Ngk Insulators Ltd Joint structure and apparatus for manufacturing semiconductor
JP2011119654A (en) * 2009-10-26 2011-06-16 Shinko Electric Ind Co Ltd Substrate for electrostatic chuck, and electrostatic chuck
JP2012031058A (en) * 2005-12-27 2012-02-16 Ngk Insulators Ltd Aluminum nitride bonded body
KR20180027495A (en) 2015-07-13 2018-03-14 스미토모덴키고교가부시키가이샤 Wafer holding body
JP2019016702A (en) * 2017-07-07 2019-01-31 日本特殊陶業株式会社 Substrate holding device and method for manufacturing the same
JP2020150247A (en) * 2019-03-12 2020-09-17 鴻創應用科技有限公司Hong Chuang Applied Technology Co.,Ltd Ceramic circuit composite construction and manufacturing method thereof
JP2021012933A (en) * 2019-07-05 2021-02-04 日本特殊陶業株式会社 Manufacturing method of component for semiconductor manufacturing device

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005056881A (en) * 2003-08-01 2005-03-03 Sumitomo Electric Ind Ltd Susceptor used for semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing device mounted with the same
JP2012031058A (en) * 2005-12-27 2012-02-16 Ngk Insulators Ltd Aluminum nitride bonded body
JP2008305968A (en) * 2007-06-07 2008-12-18 Sei Hybrid Kk Electrode connection structure of wafer holder
JP2009188389A (en) * 2008-01-08 2009-08-20 Ngk Insulators Ltd Joint structure and apparatus for manufacturing semiconductor
JP2011119654A (en) * 2009-10-26 2011-06-16 Shinko Electric Ind Co Ltd Substrate for electrostatic chuck, and electrostatic chuck
KR20180027495A (en) 2015-07-13 2018-03-14 스미토모덴키고교가부시키가이샤 Wafer holding body
US10886157B2 (en) 2015-07-13 2021-01-05 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Wafer holding unit
KR20230030011A (en) 2015-07-13 2023-03-03 스미토모덴키고교가부시키가이샤 Wafer holding body
JP2019016702A (en) * 2017-07-07 2019-01-31 日本特殊陶業株式会社 Substrate holding device and method for manufacturing the same
JP2020150247A (en) * 2019-03-12 2020-09-17 鴻創應用科技有限公司Hong Chuang Applied Technology Co.,Ltd Ceramic circuit composite construction and manufacturing method thereof
JP2021012933A (en) * 2019-07-05 2021-02-04 日本特殊陶業株式会社 Manufacturing method of component for semiconductor manufacturing device

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