JP2003078180A - 圧電トランス - Google Patents

圧電トランス

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JP2003078180A
JP2003078180A JP2002245156A JP2002245156A JP2003078180A JP 2003078180 A JP2003078180 A JP 2003078180A JP 2002245156 A JP2002245156 A JP 2002245156A JP 2002245156 A JP2002245156 A JP 2002245156A JP 2003078180 A JP2003078180 A JP 2003078180A
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electrodes
piezoelectric transformer
vibration
electrode
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Masanori Ueda
政則 上田
Akira Suga
晃 須賀
Hidekuni Fukushima
英訓 福島
Noboru Wakatsuki
昇 若月
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の表面と裏面にそれぞれ一対の櫛形電極
を取り付け、一方の電極の櫛歯と他方の電極の櫛歯とを
平行状に配置した圧電トランスにおける不要振動(特に
基板の厚み方向の振動)の抑制を図る。 【解決手段】 圧電体基板20の幅すべり振動の共振周
波数をf1、厚みすべり振動の共振周波数をf2とする
と、f2/f1>1の関係、すなわちf1<f2となる
ように、圧電体基板20の厚さtや電極21a、21b
(及び22a、22b)のピッチを設定する。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、圧電トランス、詳しく
は、交流電圧の昇圧や降圧に用いられる圧電トランスに
関する。 【0002】電気エネルギーを機械振動に変換して昇圧
若しくは降圧し、再び電気エネルギーに変換して取り出
す圧電トランスは、電磁トランスのように電磁ノイズを
発生せず、また、磁性体材料や巻線等の高周波損失の大
きな材料を使用しないため、比較的容易に高周波化が可
能であり、例えば、スイッチング電源の昇圧/降圧デバ
イスとして注目されている。 【0003】 【従来の技術】圧電トランスの原理は、圧電体基板(以
下、単に「基板」と言う)の表裏に取り付けた一対の入
力電極間に交流電圧を印加してその電極間の基板に機械
的振動を発生させ、この振動を同じく基板の表裏に取り
付けた別の一対の出力電極から取り出すものであるが、
基板の支持が困難で、また、内部抵抗も大きく、大電力
を取り扱えないという欠点を有していた。 【0004】そこで、本願発明者らは、かかる欠点を克
服した「エネルギー閉じ込め型の圧電トランス」を先に
提案している(特願平4−23931号 平成4年2月
10日出願)。 【0005】この先願に係る圧電トランスは、基板の表
面と裏面にそれぞれ一対の櫛形電極を取り付け、一方の
電極の櫛歯と他方の電極の櫛歯とを平行状に配置したも
ので、表面の一対の櫛形電極が入力電極(あるいは出力
電極)、裏面の一対の櫛形電極が出力電極(あるいは入
力電極)として用いられる。入力電極に交流電圧を印加
すると、櫛歯のピッチに応じた周波数の弾性波が基板に
生じ、この弾性波が基板の端面で反射して特定の周波数
で共振する。また、圧電反作用によって、電極交差部の
カットオフ周波数が低下し、エネルギーが閉じ込められ
る。 【0006】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
先願に係る圧電トランスにあっては、いわゆる圧電反作
用を利用したエネルギーの閉じ込め効果により、基板の
支持が容易で、低損失、かつ大電力の取り扱いが可能に
なるというメリットがあるものの、インハーモニック
オーバートーンのようなスプリアスや伝送損失の抑制、
不要振動(特に基板の厚み方向の振動)の抑制、ウ
エハから素子を切り出す際の切断面の微細な欠け、いわ
ゆるチッピングを少なくするといった点で改善すべき余
地があった。 [目的]そこで、本発明の目的は不要振動(特に基板の
厚み方向の振動)を抑制することにある。 【0007】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的達成
のために、圧電体基板の表面と裏面にそれぞれ一対の櫛
形電極を取り付け、一方の電極の櫛歯と他方の電極の櫛
歯とを平行状に配置した構造を有する圧電トランスにお
いて、圧電体基板の幅方向の振動の共振周波数が、圧電
体基板の厚み方向の振動の共振周波数よりも低いことを
特徴としている。 【0008】表裏電極を有する圧電トランスの厚み方向
の振動抑制には、圧電体基板の幅方向の振動の共振周波
数が、圧電体基板の厚み方向の振動の共振周波数よりも
低くなる関係に設定すればよい。 【0009】 【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1〜図7は圧電トランスの一実施例を示す図で
ある。 【0010】まず、原理的な構成を説明すると、図1
(a)において、1は圧電体基板(以下、単に「基板」
と言う)、2a、2bは基板1の表面に取り付けられた
一対の電極であり、電極2aの先端を通る直線と電極2
bの先端を通る直線との距離はLで表されている。電極
2a、2bに交流電圧を印加すると、一方の電極2aと
他方の電極2bに矢印イ、ロで示す逆向きのすべり振動
(幅すべり振動)が発生し、この振動は、矢印ハの向き
に伝播する。 【0011】ここで、距離Lを大きくすると、図1
(b)に示すように、インハーモニックオーバートーン
のようなスプリアスを多く含むようになり、使い勝手が
悪いものになる。図2及び図3は、距離Lをb1とした
場合のスプリアス周波数を示す図である。この例では、
負荷ショート時の共振周波数frと負荷オープン時の反
共振周波数faとの間に、f1、f2及びf3といった3
種類のスプリアスが含まれている。スプリアスの抑制に
は、距離Lを小さくするのが効果的である。 【0012】他方、距離Lは振動エネルギーの伝播ロス
にも影響する。すなわち、図4に示すように、距離Lを
小さくするほどロスが大きくなる。ロスを増大させずに
充分なスプリアスの抑制効果を得るには、距離Lを、基
板1の幅方向の振動の共振波長λの6〜10倍(6λ〜
10λ)に設定するのがよい。 【0013】次に、具体的な構成を説明すると、図5
(a)において、10は基板であり、基板10の表面
(及び裏面)には、一対の櫛形の電極11a、11bが
取り付けられている。電極11a、11bの櫛歯のピッ
チは圧電トランスの駆動周波数の波長に合わせてあり、
且つ、互いに非接触で距離Lだけ平行している。なお、
12aは一方の電極11aの引出し配線パターン、12
bは他方の電極11bの引出し配線パターン、13a、
13bは端子である。また、櫛歯の矢印は、幅すべり振
動の方向を表している。 【0014】かかる構造を有する圧電トランスは、図5
(b)にその接続図を示すように、表面側(又は裏面
側)の一対の電極11a、11bに交流電圧源14を接
続し、裏面側(又は表面側)の一対の電極11a、11
bに負荷15を接続して用いられる。 【0015】図6は距離Lとスプリアスとの対応関係を
示す図(図2を具体化したもの)であり、この例では、
負荷オープン時の反共振周波数faと負荷ショート時の
共振周波数frとの間に、4種類のスプリアスa〜d
(インハーモニックオーバートーン)が認められる。圧
電トランスの動作範囲(共振周波数)は負荷条件によっ
て変動するが、スプリアスを無くすには、少なくとも、
平行距離Lが共振波長λの10倍(10λ)以下の領域
で使用するのが望ましい。 【0016】他方、図7は距離Lと共振抵抗(すなわち
伝播ロス)との対応関係を示す図(図4を具体化したも
の)であり、この例では、負荷ショート時の特性線e及
び負荷オープン時の特性線fの双方共に、距離Lが小さ
くなるほどロスが増えている。 【0017】ロスの許容誤差を考慮すると、少なくと
も、平行距離Lが共振波長λの6倍(6λ)以上の領域
で使用するのが望ましい。 【0018】従って、ロスを増加させることなく、充分
なスプリアス抑制効果を得るには、図6及び図7の記載
から、一対の電極11a、11bの櫛歯の平行距離L
を、共振波長λの6倍から10倍(6λ〜10λ)に設
定すればよいことがわかる。 【0019】図8〜図12は本発明に係る圧電トランス
の一実施例を示す図である。図8(a)において、20
は基板である。基板20の表面と裏面には、それぞれ一
対の電極21a、21b(裏面側にあっては電極22
a、22b)が取り付けられており、表裏電極を有する
圧電トランスを構成している。 【0020】表面側(又は裏面側)の一対の電極21
a、21bに交流電圧を印加すると、一対の電極21
a、21b間に、図8(b)に示すような幅すべり振動
が発生する。ここで矢印ニは一方の電極21a側の振動
方向、矢印ホは他方の電極21b側の振動方向である。
すなわち、一対の電極21a、21b間では振動方向が
逆向きになる。 【0021】ところで、かかる構造の圧電トランスで
は、基板20の表と裏で電極が対向しているため、この
対向電極(例えば電極21bと電極22b)間でも振動
が発生する。この振動は、図8(c)に示すように、基
板20の厚みt方向に逆向きの振動(矢印ヘ、ト参照)
であり、圧電トランスの周波数特性を劣化させる原因と
なるものである。 【0022】厚み振動(特に厚みすべり振動)は、幅す
べり振動の共振周波数をf1、厚みすべり振動の共振周
波数をf2とすると、f2/f1>1の関係、すなわち
f1<f2となるように、基板20の厚さtや電極21
a、21b(及び22a、22b)のピッチを設定する
ことにより抑制できる。 【0023】図9及び図10は、圧電トランスの具体例
であり、図9はLiNbO3のXカット板を基板30に
用いた例、図10はLiNbO3の回転Yカット板を基
板40に用いた例である。図9において、基板30の表
面と裏面には、それぞれ一対の櫛状電極31a、31b
(裏面側は電極32aの一部のみが見える)が取り付け
られており、また、図10において、基板40の表面と
裏面には、それぞれ一対の櫛状電極41a、41b(裏
面側は電極42aの一部のみが見える)が取り付けられ
ている。これらの例も、幅すべり振動の共振周波数f1
と厚みすべり振動の共振周波数f2との関係をf2/f
1>1に設定し、周波数特性の劣化の原因となる厚みす
べり振動を抑制している他、さらに、以下に述べるよう
な種々の構造状の最適化を図っている。 【0024】ここで、図9及び図10において、k24
15は電気機械結合係数である。Xカットの場合はk24
が幅すべり振動、k15が厚みすべり振動の各電気機械結
合係数となり、回転Yカットの場合はk24が厚みすべり
振動、k15が幅すべり振動の各電気機械結合係数とな
る。 【0025】図11はX軸を中心にLiNbO3結晶を
回転させた場合の電気機械結合係数k24(Xカット板の
場合幅すべり振動の結合係数)とk15(Xカット板の場
合厚みすべり振動の結合係数)の特性図である。縦軸が
係数の値、横軸が回転角度であり、係数の値が大きいほ
ど振動が励振されやすいことを示している。例えば、X
カット板の場合に厚みすべり振動を抑えつつ、幅すべり
振動の伝達効率を高めるには、k24>k15の領域(好ま
しくは170°付近の領域)を選べばよい。 【0026】すなわち、幅すべり振動を効率よく励振さ
せるには、Xカット板の場合、元の結晶軸Yに対して1
70°±20°だけ回転させたY’軸を音の伝播方向と
するのがよく、又は、回転Yカット板では40°±50
°回転Yカット板を用い、その音の伝播方向をX軸方向
とするのがよい。特に、40°±10°の範囲では、図
11に示すように、厚み振動の電気機械結合係数k24
小さいから、より効果的である。 【0027】これらのカット方位の範囲では、幅すべり
振動の波長λと基板の厚さt(tは厚みすべり振動の1
/2波長に相当)との間で、λ/2t>1.1の関係が
成立すればよい。さらに、40°±10°の回転Yカッ
ト板の場合には、λ/2t>0.9の関係が成立すれば
よい。 【0028】図12〜図17は圧電トランスの他の実施
例を示す図である。図12において、50は基板であ
り、基板50の表面には、入力用又は出力用の一対の電
極51a、51bに加えて、ダミーの電極(個数は一
例)52a、52bが取り付けられている。 【0029】ここで、ダミー電極52a、52bは、ウ
エハから基板50を切り出す際のカット線(言い替えれ
ば基板50の輪郭線)に沿って設けるのがポイントであ
るが、カット線のうち、入力用又は出力用の電極51
a、51bが設けられている部分と、基板50の短辺側
の両端部分に設ける必要はない。 【0030】このようなダミー電極52a、52bを設
けたことにより、ウエハから基板50を切り出す際の切
断面のチッピングを防止できる。すなわち、図13はダ
ミー電極を設けない場合の基板60の平面図であるが、
程度の差こそあれ基板60の無電極部分に微小な欠損6
1(チッピング)の発生が避けられず、図14に示すよ
うに、チッピングの程度に応じて圧電トランスの性能劣
化を招く。 【0031】本実施例では、切断面のうち、特に圧電ト
ランスの動作に影響を与える長辺側の全てが入力用又は
出力用の電極51a、51bと、ダミー電極52a、5
2bで保護されるので、かかるチッピングの発生を効果
的に防止でき、圧電トランスの性能劣化を回避できる。 【0032】図15は具体的な圧電トランスの例であ
り、この例では、基板70の表面に、櫛形の一対の電極
71a、71bを形成すると共に、この櫛形電極71
a、71bによって保護されない基板70の長辺側の輪
郭線に沿ってダミー電極72a〜72dを形成してい
る。 【0033】図16は基板70を切り出す前のウエハ7
3の平面図である。破線に沿って切断することにより、
1枚のウエハから多数の基板70を切り出す。 【0034】図17はダミー電極の有無とチッピングサ
イズの関係を示す図であり、ダミー電極を設けないとき
に対してダミー電極を設けたときのチッピングサイズが
大幅に減少している。従って、共振抵抗(ロス)を下げ
ることができ、圧電トランスの性能向上を図ることがで
きる。 【0035】 【発明の効果】本発明によれば、不要振動(特に基板の
厚み方向の振動)の抑制を図ることができ、実用性に優
れた圧電トランスを提供できる。
【図面の簡単な説明】 【図1】圧電トランスの一実施例を示す原理構成図であ
る。 【図2】圧電トランスの一実施例を示すスプリアス特性
図である。 【図3】圧電トランスの一実施例を示すスプリアス特性
図である。 【図4】圧電トランスの一実施例を示す平行距離Lとロ
スとの対応関係図である。 【図5】圧電トランスの一実施例を示す具体的な構成図
である。 【図6】圧電トランスの一実施例を示すスプリアス特性
図である。 【図7】圧電トランスの一実施例を示す平行距離Lとロ
スとの対応関係図である。 【図8】本発明に係る圧電トランスの一実施例を示す原
理構成図である。 【図9】本発明に係る圧電トランスの一実施例を示すX
カット板を使用した具体的な構成図である。 【図10】本発明に係る圧電トランスの一実施例を示す
回転Yカット板を使用した具体的な構成図である。 【図11】本発明に係る圧電トランスの一実施例を示す
電気機械結合係数とカット方向の対応関係図である。 【図12】圧電トランスの他の実施例を示す原理構成図
である。 【図13】圧電トランスのチッピング発生状態図であ
る。 【図14】圧電トランスのチッピングサイズとロスとの
対応関係図である。 【図15】圧電トランスの他の実施例を示す具体的な構
成図である。 【図16】ウエハの平面図である。 【図17】ダミー電極の有無とチッピングサイズとの対
応関係図である。 【符号の説明】 1、10、20、30、40、50、70:圧電体基板 2a、2b、11a、11b、21a、21b、22
a、22b、31a、31b、32a、41a、42
b、42a、51a、51b、71a、71b:櫛形電
極 L:平行距離 52a、52b:ダミー電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福島 英訓 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 (72)発明者 若月 昇 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】圧電体基板の表面と裏面にそれぞれ一対の
    櫛形電極を取り付け、 一方の電極の櫛歯と他方の電極の櫛歯とを平行状に配置
    した構造を有する圧電トランスにおいて、 圧電体基板の幅方向の振動の共振周波数が、圧電体基板
    の厚み方向の振動の共振周波数よりも低いことを特徴と
    する圧電トランス。
JP2002245156A 2002-08-26 2002-08-26 圧電トランス Pending JP2003078180A (ja)

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