JP2003077966A - Inspection device of semiconductor circuit - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハの上面に複
数個製造された各半導体回路の全電極パッドに接触可能
な接触部を備えた分割型のコンタクト構造体が上記各半
導体回路に対応するように配置された状態で保持され、
上記各半導体回路を検査する検査装置に関し、特に、上
記各コンタクト構造体の底面の高さを調節して全体とし
て平坦化する半導体回路の検査装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention corresponds to each of the above-mentioned semiconductor circuits in a divided type contact structure having a contact portion capable of contacting all of the electrode pads of each semiconductor circuit manufactured on the upper surface of a wafer. Is held in the state
The present invention relates to an inspection device for inspecting each semiconductor circuit, and more particularly to an inspection device for a semiconductor circuit that adjusts the height of the bottom surface of each contact structure to flatten it as a whole.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、半導体集積回路の製造プロセスに
おいて、図4に示す一枚のウェハ1の上面に製造された
各半導体回路2の信頼性を確保するためのバーンインテ
ストを上記ウェハ1上の全半導体回路2,2,…に対し
て一括して行う、いわゆるウェハ・バーンイン技術が実
用化されるようになっている。このようなウェハ・バー
ンイン技術を実現するためには、上記ウェハ1上の全半
導体回路2,2,…に形成された数万点以上の総ての電
極パッド3,3,…に対して一括して接触させて確実に
電気的接続が可能な接触部を備えた半導体回路の検査装
置が必要とされている。そのような半導体回路の検査装
置として、上記ウェハ1上の1個の半導体回路2におけ
る全電極パッド3に接触可能な分割型のコンタクト構造
体を複数個有し、上記複数個のコンタクト構造体が平面
的に配列された半導体回路の検査装置が開発されてい
る。2. Description of the Related Art In recent years, in a semiconductor integrated circuit manufacturing process, a burn-in test for ensuring the reliability of each semiconductor circuit 2 manufactured on the upper surface of one wafer 1 shown in FIG. A so-called wafer burn-in technique, which is performed collectively for all the semiconductor circuits 2, 2, ... Has been put into practical use. In order to realize such a wafer burn-in technique, all of the electrode pads 3, 3, ... Of tens of thousands or more formed on all the semiconductor circuits 2, 2 ,. There is a need for a semiconductor circuit inspection device having a contact portion that can be brought into contact with each other to ensure reliable electrical connection. As such a semiconductor circuit inspection device, a plurality of split type contact structures capable of contacting all the electrode pads 3 in one semiconductor circuit 2 on the wafer 1 are provided, and the plurality of contact structures are provided. 2. Description of the Related Art Inspection devices for semiconductor circuits arranged in a plane have been developed.
【0003】従来のこの種の半導体回路の検査装置は、
例えば図5(a)に示すように、基部材6の下面に、上
記ウェハ1の上面に複数個製造された各半導体回路2の
全電極パッド3(図4参照)に同時接触可能なコンタク
タ4を備えた分割型のコンタクト構造体5を複数個有
し、この複数個のコンタクト構造体5,5,…のそれぞ
れが図4に示す各半導体回路2,2,…に対応するよう
に配置された状態で上記基部材6に吊上げ保持されて構
成されていた。A conventional inspection apparatus for this type of semiconductor circuit is
For example, as shown in FIG. 5A, a contactor 4 that can simultaneously contact the lower surface of the base member 6 with all the electrode pads 3 (see FIG. 4) of each semiconductor circuit 2 manufactured on the upper surface of the wafer 1. Has a plurality of split type contact structures 5, each of which is arranged so as to correspond to each of the semiconductor circuits 2, 2 ,. In this state, the base member 6 is suspended and held in the above state.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の半導体回路の検査装置においては、上記各コンタク
ト構造体5を保持する複数本のスタットネジ7の精度誤
差や、該コンタクト構造体5の構成部品であるシリコン
基板8やカバー9の厚みの製造誤差を吸収することがで
きないため、図5(b)に示すように、上記各コンタク
ト構造体5の下部に位置するコンタクタ4,4の底面の
高さに差dが生じ、全体として平坦化されない部位が存
在していた。そのため、ウェハ・バーンインテストにお
いて、上記コンタクタ4の底面に設けられたプローブ端
子群10がウェハ1上の全電極パッド3に適切に接触さ
れず、上記ウェハ1の上面にかかる荷重が部分的に集中
することがあった。そのため、上記電極パッド3を損傷
したり、上記プローブ端子群10と電極パッド3との接
触が不安的になることがあった。However, in such a conventional semiconductor circuit inspecting apparatus, the accuracy error of the plurality of stat screws 7 for holding each of the contact structures 5 and the contact structure 5 cannot be prevented. Since it is not possible to absorb the manufacturing error of the thickness of the silicon substrate 8 and the cover 9 which are the component parts, as shown in FIG. 5B, the bottom surfaces of the contactors 4 and 4 located under the contact structures 5 are There was a difference d in height, and there was a site that was not flattened as a whole. Therefore, in the wafer burn-in test, the probe terminal group 10 provided on the bottom surface of the contactor 4 is not properly contacted with all the electrode pads 3 on the wafer 1, and the load applied on the upper surface of the wafer 1 is partially concentrated. There was something to do. Therefore, the electrode pad 3 may be damaged, or the contact between the probe terminal group 10 and the electrode pad 3 may become unstable.
【0005】そこで、本発明は、このような問題点に対
処し、上記複数個のコンタクト構造体の底面の高さを調
節してそれぞれの底面を全体として平坦化することによ
り、ウェハ上の電極パッドの損傷を防止し、該電極パッ
ドとコンタクト構造体の接触部との接触を安定化するこ
とができる半導体回路の検査装置を提供することを目的
とする。Therefore, the present invention addresses such a problem, and adjusts the heights of the bottom surfaces of the plurality of contact structures to flatten the bottom surfaces of the contact structures as a whole, thereby forming electrodes on the wafer. An object of the present invention is to provide a semiconductor circuit inspection device capable of preventing damage to a pad and stabilizing contact between the electrode pad and a contact portion of a contact structure.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による半導体回路の検査装置は、基部材の下
面に、ウェハの上面に複数個製造された各半導体回路の
全電極パッドに接触可能な接触部を備えた分割型のコン
タクト構造体を複数個有し、この複数個のコンタクト構
造体のそれぞれが上記各半導体回路に対応するように配
置された状態で上記基部材に吊上げ保持され、上記各半
導体回路を検査する検査装置において、上記各コンタク
ト構造体の底面の高さを調節してそれぞれの底面を全体
として平坦化する手段を備えたものである。In order to achieve the above object, a semiconductor circuit inspecting apparatus according to the present invention is provided with a bottom surface of a base member and all electrode pads of a plurality of semiconductor circuits manufactured on the top surface of a wafer. A plurality of split-type contact structures having contactable contact portions are provided, and the plurality of contact structures are respectively lifted and held on the base member in a state of being arranged so as to correspond to each of the semiconductor circuits. The inspection device for inspecting each semiconductor circuit includes means for adjusting the height of the bottom surface of each contact structure to flatten each bottom surface as a whole.
【0007】このような構成により、上記各コンタクト
構造体の底面の高さが上記底面高さ調節手段により調節
され、それぞれの底面が全体として平坦化される。With this structure, the height of the bottom surface of each contact structure is adjusted by the bottom surface height adjusting means, and each bottom surface is flattened as a whole.
【0008】また、上記各コンタクト構造体の底面高さ
調節手段は、上記コンタクト構造体の吊上げ保持具と、
該吊上げ保持具の首部と基部材の上面との間に挟まれた
吊上げ用弾性体とを備えたものである。これにより、上
記コンタクト構造体の吊上げ保持具の締め付けを調節す
ると、上記吊上げ保持具の首部と基部材の上面との間に
挟まれた吊上げ用弾性体が変形し、上記各コンタクト構
造体の底面の高さが調節される。Further, the bottom surface height adjusting means of each of the contact structures includes a lifting holder for the contact structures.
A lifting elastic body sandwiched between the neck portion of the lifting holder and the upper surface of the base member. Thereby, when the tightening of the lifting holder of the contact structure is adjusted, the lifting elastic body sandwiched between the neck of the lifting holder and the upper surface of the base member is deformed, and the bottom surface of each contact structure is deformed. The height of is adjusted.
【0009】そして、上記各コンタクト構造体は、その
上面の周縁に上記基部材の下面への接触を防止する接触
防止部材を備えたものである。これにより、上記各コン
タクト構造体の接触面がウェハの上面と接触して上方に
移動しても、上記接触防止部材によりコンタクト構造体
の上面と基部材の下面との接触が防止される。Further, each of the contact structures is provided with a contact prevention member for preventing contact with the lower surface of the base member at the peripheral edge of the upper surface thereof. Thus, even if the contact surface of each of the contact structures comes into contact with the upper surface of the wafer and moves upward, the contact preventing member prevents the upper surface of the contact structure from contacting the lower surface of the base member.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明による
半導体回路の検査装置の実施形態を示す側面断面図であ
る。この半導体回路の検査装置は、図4に示す一枚のウ
ェハ1の上面に製造された複数個の半導体回路2,2,
…の信頼性をウェハレベルで検査するウェハ・バーンイ
ンテストを行うときに用いる装置で、図1(a)に示す
ように、分割型のコンタクト構造体5と、基部材6と、
スタットネジ7とを有し、さらに各コンタクト構造体の
底面高さ調節手段を備えて構成されている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a side sectional view showing an embodiment of a semiconductor circuit inspection apparatus according to the present invention. This semiconductor circuit inspection apparatus includes a plurality of semiconductor circuits 2, 2 manufactured on the upper surface of one wafer 1 shown in FIG.
An apparatus used when performing a wafer burn-in test for inspecting the reliability of ... At the wafer level. As shown in FIG. 1A, a split type contact structure 5, a base member 6,
It has a stat screw 7 and a bottom surface height adjusting means for each contact structure.
【0011】上記コンタクト構造体5は、図4に示すウ
ェハ1の上面に複数個製造された1個の半導体回路2に
おける全電極パッド3,3,…に同時接触させて検査信
号を送受信するもので、図2に示すように、コンタクタ
4と、シリコン基板8と、カバー9とを備えて成る。The contact structure 5 is in contact with all the electrode pads 3, 3, ... In one semiconductor circuit 2 manufactured in plural on the upper surface of the wafer 1 shown in FIG. Then, as shown in FIG. 2, it comprises a contactor 4, a silicon substrate 8 and a cover 9.
【0012】上記コンタクタ4は、上記ウェハ1上に複
数個製造された各半導体回路2の全電極パッド3,3,
…(図4参照)に接触されるもので、上記各半導体回路
2の形状と略同様の大きさを有する薄膜であり、その下
面には接触部として上記1個の半導体回路2における全
電極パッド3,3,…の配置に一致するようにプローブ
端子群10(図1(b)参照)が形成されている。な
お、ここでは上記コンタクタ4は、例えば縦が約25m
m、横が約50mmの矩形状とする。The contactors 4 are all electrode pads 3, 3, of each semiconductor circuit 2 manufactured in plural on the wafer 1.
(See FIG. 4), which is a thin film having substantially the same size as the shape of each of the semiconductor circuits 2 described above. The probe terminal group 10 (see FIG. 1B) is formed so as to match the arrangement of 3, 3, .... The contactor 4 has a length of about 25 m, for example.
It is a rectangular shape with m and a width of about 50 mm.
【0013】このコンタクタ4の上面には、図2に示す
ように、シリコン基板8が接着されている。上記シリコ
ン基板8は、上記プローブ端子群10に対応した回路パ
ターン11(図1(a)参照)を形成するもので、該回
路パターン11に検査信号を送受信する接続部12が設
けられている。なお、上記接続部12は、後述の基板コ
ネクタ18に接続されて検査信号が送受信されるように
なっている。As shown in FIG. 2, a silicon substrate 8 is bonded to the upper surface of the contactor 4. The silicon substrate 8 forms a circuit pattern 11 (see FIG. 1A) corresponding to the probe terminal group 10, and the circuit pattern 11 is provided with a connecting portion 12 for transmitting and receiving an inspection signal. The connecting portion 12 is connected to a board connector 18, which will be described later, so that an inspection signal can be transmitted and received.
【0014】このシリコン基板8の上面には、図2に示
すように、カバー9が接合されている。上記カバー9
は、上記シリコン基板8上に形成された回路パターン1
1を覆って保護する部材となるもので、その上面の四隅
には4個のネジ孔13が設けられており、略中央部には
横方向に延びた開口部14が形成されている。なお、上
記開口部14が形成される位置は、上記シリコン基板8
に設けられた接続部12の上方に相当する。A cover 9 is bonded to the upper surface of the silicon substrate 8 as shown in FIG. The cover 9
Is a circuit pattern 1 formed on the silicon substrate 8.
It serves as a member for covering and protecting 1, and has four screw holes 13 at four corners of its upper surface, and an opening 14 extending in the lateral direction is formed at a substantially central portion. The position where the opening 14 is formed is at the silicon substrate 8
It corresponds to above the connecting portion 12 provided in the.
【0015】以上のように構成された分割型のコンタク
ト構造体5は、一枚のウェハ1上に複数個形成された各
半導体回路2,2,…に対応するように並べられる。こ
こでは、一枚のウェハ1の上面には、図4に示すよう
に、例えば22個の半導体回路2,2,…が製造されて
いるものとし、上記コンタクト構造体5は、図3に示す
ように、22個の位置決め窓15を備えたガイド枠16
によって上記22個の半導体回路2の配置に対応するよ
うに位置決めされており、個々に分割された状態で並べ
られる。The divided contact structure 5 constructed as described above is arranged so as to correspond to each semiconductor circuit 2, 2, ... Formed on a single wafer 1. Here, as shown in FIG. 4, for example, 22 semiconductor circuits 2, 2, ... Are manufactured on the upper surface of one wafer 1, and the contact structure 5 is shown in FIG. So that the guide frame 16 with 22 positioning windows 15
Are positioned so as to correspond to the arrangement of the above-mentioned 22 semiconductor circuits 2 and are arranged in an individually divided state.
【0016】上記基部材6は、上記ガイド枠16によっ
て位置決めされた22個のコンタクト構造体5,5,…
をその下面にて保持するもので、図1(a)に示すよう
に、ネジ通し孔17及び基板コネクタ18が、上記ガイ
ド枠16によって位置決めされた各コンタクト構造体5
に対応する位置に設けられている。上記ネジ通し孔17
は、スタットネジ7の軸部20が貫通するもので、図2
に示すカバー9の上面に形成された各ネジ孔13,1
3,…に対応する位置に設けられている。また、上記基
板コネクタ18は、図1(a)に示すように、上記コン
タクト構造体5のシリコン基板8に設けられた接続部1
2に接続してその回路パターン11に検査信号を送受信
するもので、上記各コンタクト構造体5の各接続部1
2,12,…に相当する位置に配設されている。なお、
上記各基板コネクタ18,18,…には、それぞれ信号
伝送ケーブル19,19,…が接続されており、これら
の信号伝送ケーブル18は、図示省略のテスタに接続さ
れている。また、上記基部材6の上面は、研磨により平
坦化加工が施されている。The base member 6 has 22 contact structures 5, 5, ... Positioned by the guide frame 16.
Is held by the lower surface thereof, and as shown in FIG. 1A, the screw through hole 17 and the board connector 18 are positioned by the guide frame 16 and each contact structure 5 is positioned.
Is provided at a position corresponding to. The screw through hole 17
Is the one through which the shaft portion 20 of the stat screw 7 penetrates.
Screw holes 13, 1 formed on the upper surface of the cover 9 shown in FIG.
It is provided at a position corresponding to 3, .... Further, as shown in FIG. 1A, the board connector 18 is provided with a connecting portion 1 provided on the silicon substrate 8 of the contact structure 5.
2 for transmitting and receiving inspection signals to and from the circuit pattern 11, and each connection portion 1 of each contact structure 5 described above.
Are arranged at positions corresponding to 2, 12, .... In addition,
.. are connected to the respective board connectors 18, 18, ..., And these signal transmission cables 18 are connected to a tester (not shown). Further, the upper surface of the base member 6 is flattened by polishing.
【0017】上記スタットネジ7は、図1(a)に示す
ように、上記ガイド枠16によって位置決めされた各コ
ンタクト構造体5を、それぞれ基部材6の下面にて保持
するもので、その首部22の下方の軸部20は上記基部
材6に形成されたネジ通し孔17を貫通可能な長さに形
成され、その先端部21には上記コンタクト構造体5の
カバー9に形成されたネジ孔13(図2参照)に螺合可
能なネジ山が切られている。これにより、上記ガイド枠
16によって分割して位置決めされた各コンタクト構造
体5は、それぞれ例えば4本のスタットネジ7によって
上記基部材6の下面にて吊上げ保持することができる。As shown in FIG. 1A, the stat screw 7 holds each contact structure 5 positioned by the guide frame 16 on the lower surface of the base member 6, and the neck portion 22 thereof. The shaft portion 20 below is formed to have a length capable of penetrating the screw through hole 17 formed in the base member 6, and the tip portion 21 thereof has a screw hole 13 formed in the cover 9 of the contact structure 5. (See FIG. 2) Threads that can be screwed are cut. As a result, each contact structure 5 divided and positioned by the guide frame 16 can be lifted and held on the lower surface of the base member 6 by, for example, four stat screws 7.
【0018】なお、図1(a)に示すように、上記22
個のコンタクト構造体5,5,…を位置決めするガイド
枠16の上面と、該ガイド枠16を保持する基板6の下
面との間には、荷重吸収材32が設けられている。この
荷重吸収材32は、例えばシリコンゴムなどの耐熱性弾
性体によって形成されており、上記各コンタクト構造体
5のコンタクタ4が上記ウェハ1の上面に接触したとき
の接触圧力を吸収するようになっている。It should be noted that, as shown in FIG.
A load absorbing material 32 is provided between the upper surface of the guide frame 16 for positioning the individual contact structures 5, 5, ... And the lower surface of the substrate 6 holding the guide frame 16. The load absorbing material 32 is formed of a heat resistant elastic body such as silicon rubber, and absorbs the contact pressure when the contactor 4 of each contact structure 5 contacts the upper surface of the wafer 1. ing.
【0019】ここで、本発明においては、図1(a)に
示すように、上記スタットネジ7の首部22と、上記基
部材6の上面との間には、それぞれ吊上げ用弾性体31
が挟まれている。この吊上げ用弾性体31は、上記コン
タクト構造体5のコンタクタ4の底面高さを調節し、そ
れぞれのコンタクタ4の底面を全体として平坦化するも
ので、耐熱性を有する材質、例えばシリコンゴムなどか
ら成り、上記荷重吸収材32よりも弾性率が低い材質で
形成されている。これにより、上記スタットネジ7を例
えば締め付ける方向に回転すると、それに伴って上記吊
上げ用弾性体31が圧縮されて変形するようになるた
め、上記4本のスタットネジ7の締め付けを各々調整す
ると、上記コンタクト構造体5のコンタクタ4の底面高
さを調節することができる。したがって、スタットネジ
7の精度誤差や、コンタクト構造体5の製造誤差を吸収
することができ、図1(b)に示すように、各コンタク
ト構造体5のコンタクタ4の底面高さを全体として平坦
化することができる。なお、上記1個のコンタクト構造
体5を吊上げ保持するスタットネジ7の本数は4本に限
られず、該コンタクト構造体5の底面高さを調節できれ
ば何本でもよく、例えば2本あるいは3本でもよい。こ
のようなスタットネジ7と、吊上げ用弾性体31とで各
コンタクト構造体の底面高さ調節手段を構成する。Here, in the present invention, as shown in FIG. 1A, between the neck portion 22 of the stat screw 7 and the upper surface of the base member 6, the lifting elastic members 31 are respectively provided.
Is sandwiched between. This lifting elastic body 31 adjusts the height of the bottom surface of the contactor 4 of the contact structure 5 and flattens the bottom surface of each contactor 4 as a whole, and is made of a heat resistant material such as silicon rubber. And is made of a material having a lower elastic modulus than the load absorbing material 32. As a result, when the stat screw 7 is rotated, for example, in the tightening direction, the lifting elastic body 31 is compressed and deformed accordingly. Therefore, when the tightening of the four stat screws 7 is adjusted, The bottom height of the contactor 4 of the contact structure 5 can be adjusted. Therefore, the accuracy error of the stat screw 7 and the manufacturing error of the contact structure 5 can be absorbed, and as shown in FIG. 1B, the bottom surface height of the contactor 4 of each contact structure 5 is flat as a whole. Can be converted. The number of stat screws 7 for lifting and holding one contact structure 5 is not limited to four, and any number may be used as long as the height of the bottom surface of the contact structure 5 can be adjusted, for example, two or three. Good. The stat screw 7 and the lifting elastic body 31 constitute bottom surface height adjusting means of each contact structure.
【0020】また、上記吊上げ用弾性体31は、上述の
ように上記荷重吸収材32よりも弾性率が低い材質で形
成されているため、上記底面高さが全体として平坦化さ
れた各コンタクト構造体5が上記ウェハ1の上面に接触
するとき、上記荷重吸収材32が圧縮されて変形する
と、それに伴って上記吊上げ用弾性体31が元の形状に
戻ろうと変形する。これにより、コンタクト構造体5が
滑らかに移動するようになり、上記電極パッド3とプロ
ーブ端子群10との良好な接触が得られる。Further, since the lifting elastic body 31 is formed of a material having a lower elastic modulus than the load absorbing material 32 as described above, each contact structure in which the bottom surface height is flattened as a whole. When the load absorbing material 32 is compressed and deformed when the body 5 contacts the upper surface of the wafer 1, the lifting elastic body 31 deforms to return to its original shape. As a result, the contact structure 5 moves smoothly, and good contact between the electrode pad 3 and the probe terminal group 10 can be obtained.
【0021】さらに、上記コンタクト構造体5の上面の
周縁には、図2に示すように、接触防止部材33が設け
られている。この接触防止部材33は、上記コンタクト
構造体5の上面、すなわち上記カバー9の上面が、上記
基部材6の下面に接触することを防止する部材となるも
ので、例えば上記カバー9の上面の周縁を取り囲むよう
な形状を有し、上記荷重吸収材31よりも薄く形成され
ている。これにより、上記コンタクト構造体5の接触面
となるコンタクタ4が上記ウェハ1の上面に接触して該
コンタクト構造体5が上方に移動しても、上記接触防止
部材33によりコンタクト構造体5の上面が基部材6の
下面に接触することがない。なお、上記接触防止部材3
3は、上記カバー9の上面の周縁を取り囲むような形状
に限られず、例えば縦方向のみに取り付けられた断続的
なものでもよい。Further, as shown in FIG. 2, a contact prevention member 33 is provided on the peripheral edge of the upper surface of the contact structure 5. The contact prevention member 33 serves as a member for preventing the upper surface of the contact structure 5, that is, the upper surface of the cover 9, from coming into contact with the lower surface of the base member 6, and is, for example, a peripheral edge of the upper surface of the cover 9. The load absorbing material 31 is formed thinner than the load absorbing material 31. As a result, even if the contactor 4 serving as the contact surface of the contact structure 5 contacts the upper surface of the wafer 1 and the contact structure 5 moves upward, the contact prevention member 33 causes the upper surface of the contact structure 5 to move. Does not contact the lower surface of the base member 6. The contact prevention member 3
The shape of 3 is not limited to the shape surrounding the peripheral edge of the upper surface of the cover 9, and may be, for example, an intermittent shape attached only in the vertical direction.
【0022】また、上記接触防止部材33は、その厚み
が上記荷重吸収材32よりも薄くなるように形成されて
いる。これにより、上記コンタクト構造体5が上方に移
動するときの接触ストロークが確保される。The contact prevention member 33 is formed so that its thickness is thinner than that of the load absorbing material 32. This ensures a contact stroke when the contact structure 5 moves upward.
【0023】次に、このように構成された半導体回路の
検査装置の使用について説明する。ここでは、ウェハの
上面にはいわゆる前工程が既に施されており、図4に示
すように、例えば22個の半導体回路2,2,…が製造
されているとものとし、このようなウェハ1上に対して
ウェハ・バーンインテストを行うとする。まず、上記各
コンタクト構造体の底面高さ調節手段(7,31)によ
り、図1(a)に示す半導体回路の検査装置の各コンタ
クト構造体5,5,…の全コンタクタ4の高さが調節さ
れ、それぞれの底面を全体として平坦化する。このと
き、誤差が±数μm程度にまで平坦化される。Next, the use of the semiconductor circuit inspecting device thus configured will be described. Here, it is assumed that a so-called pre-process has already been performed on the upper surface of the wafer and that, for example, 22 semiconductor circuits 2, 2, ... Are manufactured as shown in FIG. A wafer burn-in test is performed on the top. First, the height of all contactors 4 of each contact structure 5, 5, ... Of the semiconductor circuit inspection apparatus shown in FIG. 1A is adjusted by the bottom height adjusting means (7, 31) of each contact structure. Adjusted to flatten each bottom as a whole. At this time, the error is flattened to about ± several μm.
【0024】次に、上記ウェハ1を図示省略のテスタの
測定用ステージにセットして該テスタを操作する。する
と、図1(b)に示すように、上記平坦化された全コン
タクタ4の下面に形成されたプローブ端子群10と、上
記ウェハ1上に形成された全電極パッド3とが一括して
接触する。そして、ウェハ1全体を加熱しながら各半導
体回路2の信頼性試験を行う。このとき、上記プローブ
端子群10と電極パッド3とは、常に、接触安定性が確
保されている。したがって、安定したウェハ・バーンイ
ンテストを行うことができる。Next, the wafer 1 is set on a measuring stage of a tester (not shown) and the tester is operated. Then, as shown in FIG. 1B, the probe terminal group 10 formed on the lower surface of all the flattened contactors 4 and all the electrode pads 3 formed on the wafer 1 are collectively brought into contact with each other. To do. Then, the reliability test of each semiconductor circuit 2 is performed while heating the entire wafer 1. At this time, contact stability between the probe terminal group 10 and the electrode pad 3 is always ensured. Therefore, a stable wafer burn-in test can be performed.
【0025】[0025]
【発明の効果】本発明は以上のように構成されたので、
請求項1に係る発明によれば、基部材の下面に、ウェハ
の上面に複数個製造された各半導体回路の全電極パッド
に接触可能な接触部を備えた分割型のコンタクト構造体
を複数個有し、この複数個のコンタクト構造体のそれぞ
れが上記各半導体回路に対応するように配置された状態
で上記基部材に吊上げ保持され、上記各半導体回路を検
査する検査装置において、上記各コンタクト構造体の底
面の高さを調節してそれぞれの底面を全体として平坦化
する手段を備えたことにより、上記各コンタクト構造体
の底面の高さを上記底面高さ調節手段により調節するこ
とができ、それぞれの底面を全体として平坦化すること
ができる。これにより、コンタクト構造体の製造誤差な
どを吸収して、上記コンタクト構造体の接触部と、上記
ウェハ上の電極パッドとを一括して接触することができ
る。したがって、安定したウェハ・バーンインテストを
行うことができる。Since the present invention is constructed as described above,
According to the invention of claim 1, a plurality of split-type contact structures are provided on the lower surface of the base member, each of which has a contact portion capable of contacting all electrode pads of each semiconductor circuit manufactured on the upper surface of the wafer. In each of the contact structures, each of the plurality of contact structures is suspended and held by the base member in a state of being arranged so as to correspond to each of the semiconductor circuits, and inspects each of the semiconductor circuits. By providing means for adjusting the height of the bottom surface of the body to flatten each bottom surface as a whole, the height of the bottom surface of each contact structure can be adjusted by the bottom surface height adjusting means, The bottom surface of each can be flattened as a whole. This makes it possible to absorb the manufacturing error of the contact structure and to bring the contact portion of the contact structure into contact with the electrode pads on the wafer at once. Therefore, a stable wafer burn-in test can be performed.
【0026】また、請求項2に係る発明によれば、上記
各コンタクト構造体の底面高さ調節手段は、上記コンタ
クト構造体の吊上げ保持具と、該吊上げ保持具の首部と
基部材の上面との間に挟まれた吊上げ用弾性体とを備え
たものであることにより、上記コンタクト構造体の吊上
げ保持具の締め付けを調節すると、上記吊上げ保持具の
首部と基部材の上面との間に挟まれた吊上げ用弾性体が
変形し、上記各コンタクト構造体の底面の高さを調節す
ることができる。したがって、それぞれの底面を全体と
して平坦化することができる。According to a second aspect of the present invention, the bottom surface height adjusting means of each of the contact structures includes a lifting holder of the contact structure, a neck portion of the lifting holder, and an upper surface of a base member. By adjusting the tightening of the lifting holder of the contact structure, the lifting elastic body is sandwiched between the neck of the lifting holder and the upper surface of the base member. The lifted elastic body is deformed, and the height of the bottom surface of each contact structure can be adjusted. Therefore, each bottom surface can be flattened as a whole.
【0027】そして、請求項3に係る発明によれば、上
記各コンタクト構造体は、その上面の周縁に上記基部材
の下面への接触を防止する接触防止部材を備えたもので
あることにより、上記各コンタクト構造体の接触面がウ
ェハの上面と接触して上方に移動しても、上記接触防止
部材によりコンタクト構造体の上面と基部材の下面との
接触を防止することができる。また、上記コンタクト構
造体が上方に移動するときの接触ストロークを確保する
ことができる。According to the invention of claim 3, each of the contact structures is provided with a contact prevention member for preventing contact with the lower surface of the base member at the peripheral edge of the upper surface thereof. Even if the contact surface of each of the contact structures comes in contact with the upper surface of the wafer and moves upward, the contact preventing member can prevent contact between the upper surface of the contact structure and the lower surface of the base member. Further, it is possible to secure the contact stroke when the contact structure moves upward.
【図1】 本発明による半導体回路の検査装置の実施の
形態を示す側面断面図で、(a)は分割型のコンタクト
構造体が基部材の下面に吊上げ保持される構成を示す全
体図、(b)は上記コンタクト構造体の底面がウェハの
上面に接触する状態を示す拡大図である。FIG. 1 is a side sectional view showing an embodiment of a semiconductor circuit inspection apparatus according to the present invention, FIG. 1 (a) is an overall view showing a structure in which a split-type contact structure is suspended and held on a lower surface of a base member; b) is an enlarged view showing a state where the bottom surface of the contact structure is in contact with the upper surface of the wafer.
【図2】 上記分割型のコンタクト構造体の構造を示す
斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a structure of the split-type contact structure.
【図3】 上記分割型のコンタクト構造体がウェハ上の
各半導体回路の配置に対応するように位置決めされて並
べられた状態を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a state in which the split type contact structure is positioned and arranged so as to correspond to the arrangement of each semiconductor circuit on a wafer.
【図4】 半導体回路が複数個製造されたウェハを示す
平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a wafer on which a plurality of semiconductor circuits are manufactured.
【図5】 従来の半導体回路の検査装置を示す側面断面
図で、(a)は分割型のコンタクト構造体が基部材の下
面に吊上げ保持される構成を示す全体図、(b)は上記
コンタクト構造体の底面がウェハの上面に接触する状態
を示す拡大図である。5A and 5B are side cross-sectional views showing a conventional semiconductor circuit inspection device, FIG. 5A is an overall view showing a structure in which a split-type contact structure is suspended and held on a lower surface of a base member, and FIG. It is an enlarged view showing the state where the bottom of a structure contacts the upper surface of a wafer.
【符号の説明】 4…コンタクタ 5…コンタクト構造体 6…基部材 7…スタットネジ 8…シリコン基板 9…カバー 10…プローブ端子 11…回路パターン 12…接続部 13…ネジ孔 14…開口部 15…位置決め窓 16…ガイド枠 17…ネジ通し孔 18…基板コネクタ 19…信号伝送ケーブル 20…軸部 21…先端部 22…首部 31…吊上げ用弾性体 32…荷重吸収材 33…接触防止部材[Explanation of symbols] 4 ... Contactor 5 ... Contact structure 6 ... Base member 7 ... Stat screw 8 ... Silicon substrate 9 ... Cover 10 ... Probe terminal 11 ... Circuit pattern 12 ... Connection part 13 ... Screw hole 14 ... Opening 15 ... Positioning window 16 ... Guide frame 17 ... Screw through hole 18 ... Board connector 19 ... Signal transmission cable 20 ... Shaft 21 ... Tip 22 ... neck 31 ... Elastic body for lifting 32 ... Load absorbing material 33 ... Contact prevention member
フロントページの続き (72)発明者 長谷部 昭 男 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 Fターム(参考) 2G003 AA10 AC01 AG03 AH05 2G011 AA01 AB08 AC14 AE03 2G014 AA01 AA14 AB59 AC10 2G132 AA01 AB03 AF02 AL03 4M106 AA01 BA01 CA70 DD04 DD06 DD09 DD13 Continued front page (72) Inventor Akio Hasebe 5-20-1 Kamimizuhonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Stock Ceremony Company within Hitachi Semiconductor Group F-term (reference) 2G003 AA10 AC01 AG03 AH05 2G011 AA01 AB08 AC14 AE03 2G014 AA01 AA14 AB59 AC10 2G132 AA01 AB03 AF02 AL03 4M106 AA01 BA01 CA70 DD04 DD06 DD09 DD13
Claims (3)
造された各半導体回路の全電極パッドに接触可能な接触
部を備えた分割型のコンタクト構造体を複数個有し、こ
の複数個のコンタクト構造体のそれぞれが上記各半導体
回路に対応するように配置された状態で上記基部材に吊
上げ保持され、上記各半導体回路を検査する検査装置に
おいて、 上記各コンタクト構造体の底面の高さを調節してそれぞ
れの底面を全体として平坦化する手段を備えたことを特
徴とする半導体回路の検査装置。1. A plurality of split-type contact structures, each of which has a contact portion capable of contacting all electrode pads of a plurality of semiconductor circuits manufactured on the upper surface of a wafer, on the lower surface of a base member. In the inspection device for inspecting each of the semiconductor circuits, which is suspended and held by the base member in a state where each of the contact structures is arranged so as to correspond to each of the semiconductor circuits, the height of the bottom surface of each of the contact structures is increased. An apparatus for inspecting a semiconductor circuit, comprising means for adjusting a height to flatten each bottom surface as a whole.
段は、上記コンタクト構造体の吊上げ保持具と、該吊上
げ保持具の首部と基部材の上面との間に挟まれた吊上げ
用弾性体とを備えたことを特徴とする請求項1記載の半
導体回路の検査装置。2. The bottom height adjusting means of each of the contact structures is a lifting holder of the contact structure, and a lifting elastic body sandwiched between a neck of the lifting holder and an upper surface of a base member. 2. The semiconductor circuit inspection apparatus according to claim 1, further comprising:
縁に上記基部材の下面への接触を防止する接触防止部材
を備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体回路の
検査装置。3. The semiconductor circuit inspection apparatus according to claim 1, wherein each of the contact structures is provided with a contact prevention member for preventing contact with the lower surface of the base member on the peripheral edge of the upper surface thereof.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001270369A JP2003077966A (en) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | Inspection device of semiconductor circuit |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2001270369A JP2003077966A (en) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | Inspection device of semiconductor circuit |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2003077966A true JP2003077966A (en) | 2003-03-14 |
Family
ID=19096032
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---|---|---|---|
JP2001270369A Pending JP2003077966A (en) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | Inspection device of semiconductor circuit |
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JP (1) | JP2003077966A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009526992A (en) * | 2006-02-16 | 2009-07-23 | パイコム コーポレイション | Space transformer, manufacturing method of the space transformer, and probe card having the space transformer |
-
2001
- 2001-09-06 JP JP2001270369A patent/JP2003077966A/en active Pending
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