JP2003075412A - Method and apparatus for detection of defect in film - Google Patents

Method and apparatus for detection of defect in film

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JP2003075412A
JP2003075412A JP2001262252A JP2001262252A JP2003075412A JP 2003075412 A JP2003075412 A JP 2003075412A JP 2001262252 A JP2001262252 A JP 2001262252A JP 2001262252 A JP2001262252 A JP 2001262252A JP 2003075412 A JP2003075412 A JP 2003075412A
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defect
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current
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Hideo Kurashima
秀夫 倉島
Shoichi Inaba
正一 稲葉
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Toyo Seikan Kaisha Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily and surely detect whether a defect exists in a multilayer film comprising a metal film layer which is generated in an injection-port molding and working operation or the like. SOLUTION: The apparatus used to detect the defect in the multilayer film 1 comprising the metal film layer is provided with a high-voltage power supply 21 and a pair of electrodes 22a, 22b which apply a voltage to the thickness direction of the multilayer film 1, an ammeter 23 which detects a current flowing when the voltage is applied by the power supply 21 and a quality judgment means 24 by which the current detected by the ammeter 23 is compared with a preset prescribed judgment reference value and by which the multilayer film 1 is judged to be containing the defect when the detected current is larger than the judgment reference value. The apparatus is constituted in such a way that the power supply 21 applies the voltage while the rise time to the multilayer film 1 is being delayed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フィルム、特に内
層に金属膜層を有する多層フィルムのクラック,ピンホ
ール等の欠陥を検出する方法に関し、特に、印加電圧の
立上げ時間を遅延させ、また、充電電流や電圧低下量の
積分値を求めることにより、充電電流の増加や気中放電
による影響を受けることなく、フィルムの欠陥の有無を
容易かつ確実に検出,判定することができる、注口成形
が施されるフィルムの欠陥判定に好適なフィルムの欠陥
検出方法及び欠陥検出装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for detecting defects such as cracks and pinholes in a film, particularly a multilayer film having a metal film layer as an inner layer, and more particularly to delaying the rise time of an applied voltage, By determining the integral value of the charging current and the amount of voltage drop, the presence or absence of film defects can be detected and judged easily and reliably without being affected by the increase in charging current or air discharge. The present invention relates to a film defect detection method and a film defect detection device suitable for defect determination of a film to be molded.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、表層となるナイロン層やPET
(ポリエチレンテレフタレート)層,PE(ポリエチレ
ン)層等からなる樹脂層の間に、内層となる金属箔層や
金属蒸着層からなる金属膜層を形成した多層フィルム
は、軽量,柔軟かつ耐久性に優れ、加工が容易で、安価
に製造できることから、各種製品の容器,包装材料とし
て広く使用されている。
2. Description of the Related Art Generally, a nylon layer or PET which is a surface layer
A multilayer film in which a metal film layer made of an inner metal foil layer or a metal vapor deposition layer is formed between resin layers made of (polyethylene terephthalate) layer, PE (polyethylene) layer, etc. is excellent in light weight, flexibility and durability. Since it is easy to process and can be manufactured at low cost, it is widely used as containers and packaging materials for various products.

【0003】最近では、このような多層フィルムからな
る容器が、例えば台所洗剤や洗濯洗剤,糊剤,漂白剤,
洗髪洗剤,洗顔洗剤等、各種の液体製品の詰替え用容器
として使用されるようになっている。家庭等で使用され
る台所用や洗濯用等の洗剤は、中身の洗剤がなくなって
もプラスチック樹脂等からなる容器本体は半永久的に使
用が可能であることから、中身の洗剤のみが詰替え用と
提供されることがあり、このような詰替え用洗剤等の容
器として、軽量で耐久性,耐水性に富み、処分も容易な
多層フィルム製の容器が使用されている。
Recently, containers made of such a multilayer film have been used, for example, in kitchen detergents, laundry detergents, sizing agents, bleaching agents,
It has come to be used as a refill container for various liquid products such as hair wash detergent and face wash detergent. For kitchen and laundry detergents used at home etc., the container body made of plastic resin can be used semi-permanently even if the detergent inside the container is used up, so only the detergent inside can be refilled. As a container for such a refilling detergent or the like, a container made of a multi-layer film that is lightweight, has excellent durability and water resistance, and is easy to dispose of is used.

【0004】ここで、このような多層フィルム製の液体
用容器では、中身の液体を他の容器に移し替える際の容
易性,利便性を向上させるために、容器表面にいわゆる
注口成形加工が施されることがある。多層フィルム製容
器は、柔軟性,可撓性に富むという長所が、液体の詰替
え等の際には、容器が撓み易く、特に大容量の液体容器
として使用した場合、所望の方向や箇所に液体を流出さ
せることが難しくなるという短所ともなっていた。そこ
で、このような多層フィルム製容器の柔軟性,可撓性を
補完する手段として、注口成形加工が開発されるように
なった。
In such a multi-layered liquid container, a so-called spout molding process is performed on the surface of the container in order to improve the ease and convenience of transferring the liquid content to another container. May be given. The advantage of the multi-layered film container is that it is flexible and flexible, and the container easily bends when refilling liquid, etc., and when used as a large-capacity liquid container, it can be placed in a desired direction or location. It was also a disadvantage that it became difficult to drain the liquid. Therefore, spout molding has been developed as a means for complementing the flexibility and flexibility of such a container made of a multilayer film.

【0005】図8は、この種の注口成形加工が施された
多層フィルム製容器の外観図であり、図8(a)は容器
の貼合わせ前の状態を、図8(b)は容器の完成状態を
示している。注口成形加工は、図8(a)及び(b)に
示すように、多層フィルム1が貼り合わされ、裁断され
て形成される容器3の、液体の注ぎ口部3a(図8
(b)の容器左上部分)の近傍に溝部を形成するもの
で、図8に示す容器3では、液体の流出方向に沿って二
本の注口成形部2が、成形機によって多層フィルム1の
外(表)面側に膨出成形されるようになっている。この
ような注口成形加工を行うことにより、多層フィルム製
容器の撓みが規制されるとともに、液体は注口成形部に
沿って流出されるので、液体の詰替え等が容易かつ確実
に行えるようになり、可撓性に富む多層フィルム製容器
の補完手段として採用されるようになってきている。
FIG. 8 is an external view of a multi-layered film container that has been subjected to this type of spout molding process. FIG. 8 (a) shows the state before bonding the containers, and FIG. 8 (b) shows the container. Shows the completed state of. As shown in FIGS. 8 (a) and 8 (b), the spout molding process is performed by pouring the liquid pouring portion 3a (see FIG. 8) of the container 3 formed by laminating and cutting the multilayer film 1.
A groove is formed in the vicinity of (upper left part of the container in (b)). In the container 3 shown in FIG. 8, two injection molding parts 2 are formed along the liquid outflow direction by a molding machine. It is designed to be bulged on the outer (front) surface side. By performing such a spout molding process, the bending of the multilayer film container is regulated and the liquid flows out along the spout molding portion, so that the refilling of the liquid can be easily and reliably performed. Therefore, it has come to be adopted as a complementing means for a container made of a multi-layered film which is rich in flexibility.

【0006】ところで、このような注口成形加工を多層
フィルム上に加圧成形すると、薄いナイロン層やPET
層,PE層等からなる多層フィルムに、加工時の加圧力
によって、特にフィルムの散粉剤が固まったりした異物
等を加工時にかみこむと、クラックやピンホール等が生
じることがあった。このため、このような注口成形を形
成する多層フィルムに対しては、注口成形の加工処理
後、多層フィルムを貼り合わせて容器とする前に、多層
フィルムにクラック等の欠陥が生じているかどうかの検
査を行うことが必要となった。
By the way, when such a spout molding process is pressure-molded on a multilayer film, a thin nylon layer or PET is formed.
When a foreign matter or the like in which the dusting agent of the film is solidified is caught in a multilayer film composed of layers, PE layers, etc., during processing, cracks or pinholes may occur. Therefore, for a multilayer film forming such a spout molding, after the spout molding processing, before the multilayer film is laminated to form a container, is there a defect such as a crack in the multilayer film? It was necessary to carry out some inspection.

【0007】このような多層フィルムのクラック等を検
出する方法として、本発明者は、まず、多層フィルムの
厚み方向に高電圧を印加して、このときに流れる電流を
検知,分析することによりクラック等の有無を検出する
発明に想到した(以下、これを「基本発明」と称す
る)。この基本発明は、フィルムの厚み方向に高電圧を
印加することにより、電極とフィルムが一種のコンデン
サ(キャパシタ)を構成することを応用したものであ
る。
As a method for detecting such cracks in the multilayer film, the present inventor first applies a high voltage in the thickness direction of the multilayer film, and detects and analyzes the current flowing at this time to detect cracks. The present invention has been devised to detect the presence or absence of such a phenomenon (hereinafter referred to as "basic invention"). This basic invention is an application of the fact that electrodes and a film form a kind of capacitor by applying a high voltage in the thickness direction of the film.

【0008】多層フィルムに高電圧を印加すると、電極
と多層フィルムからなるコンデンサに充電電流が流れる
が、多層フィルムにクラック等の欠陥があると、孔の大
きさ等に関係したインピーダンスでコンデンサと並列に
接続回路が形成されたことになり、一種の放電が生じ
る。この放電電流により、多層フィルムに欠陥がある場
合には、欠陥がない場合に比べて大きな電流が流れるこ
とになる。すなわち、多層フィルム上の欠陥の有無によ
って流れる電流値が異なることになるので、この電流の
波高値を検知,判定することにより、フィルム上の欠陥
の有無を検出することが可能となるものであった。
When a high voltage is applied to the multilayer film, a charging current flows through the capacitor composed of the electrode and the multilayer film. However, if the multilayer film has a defect such as a crack, the capacitor is parallel to the capacitor due to the impedance related to the size of the hole. This means that a connection circuit has been formed in the, and a kind of discharge occurs. This discharge current causes a larger current to flow when the multilayer film has a defect than when there is no defect. That is, since the current value that flows depends on the presence or absence of a defect on the multilayer film, it is possible to detect the presence or absence of a defect on the film by detecting and determining the peak value of this current. It was

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな高電圧の印加によりフィルムの欠陥を検出する基本
発明では、特に金属膜層を有する多層フィルムに対し
て、正確な欠陥の検出,判定が行えないという問題が発
生した。金属箔層やアルミ蒸着層等の金属膜層を有する
多層フィルムでは、金属膜層がフィルム全体に形成され
るため、金属膜層の面積が大きくなり、電極と多層フィ
ルムで構成されるコンデンサの静電容量が増大し、充電
電流が大きくなってしまう。このため、正常な場合の充
電電流と、クラック等により生じる放電電流との区別が
つかなくなるという問題が生じた。
However, in the basic invention for detecting defects in a film by applying such a high voltage, accurate detection and determination of defects can be performed particularly in a multilayer film having a metal film layer. There was the problem of not having. In a multilayer film having a metal film layer such as a metal foil layer or an aluminum vapor deposition layer, since the metal film layer is formed on the entire film, the area of the metal film layer becomes large and the static electricity of the capacitor composed of the electrode and the multilayer film is reduced. The electric capacity increases and the charging current also increases. For this reason, there arises a problem that it is impossible to distinguish the charging current in a normal case from the discharging current generated by a crack or the like.

【0010】また、このようにフィルムに対して高電圧
を印加する基本発明では、特に内層に金属層が存在する
場合、高い電圧が誘起されて、例えばフィルムを貼り合
わせる製袋機のフレーム等との間に気中放電が発生する
ことがあった。このような気中放電が発生すると、欠陥
のない正常なフィルムに高電圧を印加した場合にも、検
知される電流値が大きくなり、クラック等の欠陥がある
場合に流れる放電電流との区別が困難となった。このよ
うに、高電圧を印加して電流の波高値を比較する基本発
明では、フィルム上の欠陥の検出について限界があり、
特に金属膜層を有する多層フィルムに対して、正確な欠
陥の判定が行えないという問題が生じた。
Further, in the basic invention for applying a high voltage to the film as described above, a high voltage is induced particularly when a metal layer is present in the inner layer, and the film is applied to, for example, a frame of a bag-making machine for laminating films. In the meantime, air discharge may occur. When such an air discharge occurs, even when a high voltage is applied to a normal film without defects, the detected current value becomes large, and it can be distinguished from the discharge current that flows when there are defects such as cracks. It became difficult. In this way, in the basic invention in which a high voltage is applied to compare the peak value of the current, there is a limit in detecting defects on the film,
In particular, with respect to a multi-layer film having a metal film layer, there arises a problem that accurate defect determination cannot be performed.

【0011】本発明は、このような本発明者がなした基
本発明を改良し、あらゆるフィルムに対する正確な欠陥
検出を行うために提案されたものであり、フィルムに対
する印加電圧の立上げ時間を遅延させ、また、充電電流
や電圧低下量の積分値を求めることにより、充電電流の
増加や気中放電による影響を受けることなく、フィルム
の欠陥の有無を容易かつ確実に検出,判定することがで
きる、特に、注口成形が施されるフィルムの欠陥判定に
好適なフィルムの欠陥検出方法及び欠陥検出装置の提供
を目的とする。
The present invention has been proposed in order to improve the basic invention made by the present inventor as described above and to perform accurate defect detection for all films. The rise time of the applied voltage to the film is delayed. In addition, by obtaining the integral value of the charging current and the amount of voltage drop, it is possible to easily and surely detect and determine the presence or absence of a film defect without being affected by the increase of the charging current or the air discharge. In particular, it is an object of the present invention to provide a film defect detection method and a film defect detection device suitable for defect determination of a film to which spout molding is applied.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の請求項1記載のフィルムの欠陥検出方法
は、フィルムの欠陥を検出する方法であって、前記フィ
ルムの厚み方向に、立上げ時間を遅延させつつ電圧を印
加するとともに、このときに流れる電流が所定値を超え
たときに、前記フィルムに欠陥があるものと判定する方
法としてある。
In order to achieve the above object, the method for detecting a defect in a film according to claim 1 of the present invention is a method for detecting a defect in a film, which comprises standing in the thickness direction of the film. This is a method of applying a voltage while delaying the raising time and determining that the film has a defect when the current flowing at this time exceeds a predetermined value.

【0013】特に、請求項2では、前記所定値を、前記
フィルムに欠陥がない場合に流れる電流値とした方法と
してある。
Particularly, in the second aspect, the predetermined value is a value of a current flowing when there is no defect in the film.

【0014】このような方法からなる本発明のフィルム
の欠陥検出方法によれば、フィルムに印加される高電圧
の最大値までの立上げ時間を、例えば2000ボルトの
印加電圧を通常は50msで立ち上げるところを、10
0〜150msまで遅延させるようにしてあり、これに
よって、フィルムの充電電流を小さくすることができ
る。コンデンサ(キャパシタ)に直流電圧を印加する場
合の充電電流は、キャパシタンスを比例定数とする電圧
の時間微分に比例するので(i=C・dv/dt)、電
圧印加手段で印加電圧の立上げ時間を遅らせることによ
り、コンデンサを構成するフィルムの充電電流を小さく
することができる。
According to the film defect detecting method of the present invention having such a method, the rise time to the maximum value of the high voltage applied to the film, for example, the applied voltage of 2000 V is usually raised for 50 ms. Place to raise 10
The delay is set to 0 to 150 ms, which can reduce the charging current of the film. Since the charging current when a DC voltage is applied to a capacitor is proportional to the time derivative of the voltage with the capacitance being a proportional constant (i = C · dv / dt), the voltage application means raises the applied voltage. By delaying, the charging current of the film forming the capacitor can be reduced.

【0015】これにより、特に金属膜層を有する多層フ
ィルムの充電電流の波高値を低くすることができ、欠陥
のない場合の充電電流の波高値とクラック等の欠陥があ
る場合に生じる放電電流の波高値の差を大きくすること
ができ、両者を明確に区別することができる。従って、
フィルムの良否を判定する基準値として、フィルムに欠
陥がない場合の充電電流の電流値等を設定することによ
り、この基準値を超える電流が検知された場合にフィル
ムに欠陥ありと判定することができ、注口成形加工等に
よって生じるフィルムの欠陥を、容易かつ正確に検出す
ることができる。
As a result, the peak value of the charging current of the multilayer film having the metal film layer can be lowered, and the peak value of the charging current when there is no defect and the discharge current which occurs when there is a defect such as a crack. The difference in peak value can be increased, and the two can be clearly distinguished. Therefore,
By setting the current value of the charging current when there is no defect in the film as a reference value for determining the quality of the film, it is possible to determine that the film has a defect when a current exceeding this reference value is detected. Therefore, it is possible to easily and accurately detect a film defect caused by a spout molding process or the like.

【0016】一方、請求項3記載のフィルムの欠陥検出
方法は、フィルムの欠陥を検出する方法であって、前記
フィルムの厚み方向に電圧を印加するとともに、このと
きに流れる電流の積分値を算出し、算出した電流の積分
値が所定値を超えたときに、前記フィルムに欠陥がある
ものと判定する方法としてある。
On the other hand, the film defect detection method according to claim 3 is a method for detecting a film defect, wherein a voltage is applied in the thickness direction of the film and an integral value of the current flowing at this time is calculated. Then, when the calculated integrated value of the current exceeds a predetermined value, it is determined that the film has a defect.

【0017】特に、請求項4では、前記フィルムに電圧
を印加したときに流れる電流が最大値に到達した後、所
定時間経過以後の電流の積分値を算出する方法としてあ
る。
In particular, the fourth aspect is a method of calculating an integral value of the current after a predetermined time has elapsed after the current flowing when a voltage was applied to the film reached the maximum value.

【0018】このような方法からなる本発明のフィルム
の欠陥検出装置によれば、一定期間の充電電流及び放電
電流の積分値を算出し、この積分値に基づいてフィルム
上の欠陥の有無を判定するようにしてあるので、単なる
充電電流の波高値の比較ではなく、電流の積分値の比較
よってフィルムの良否を判定することができる。フィル
ムに欠陥がない場合には、通常のコンデンサと同様、充
電電流は、充電終了後、小さくなるのに対し、フィルム
上にクラック等の欠陥がある場合に生じる放電電流は、
正常な場合の充電電流よりも長い時間電流が流れること
になる。従って、フィルムに欠陥がある場合の電流の積
分値は、欠陥がない場合の電流の積分値と比較して大き
くなるので、この積分値を所定の判定基準値と比較,判
定することにより、フィルムの良否を明確に判別するこ
とができる。
According to the film defect detecting apparatus of the present invention having such a method, the integrated value of the charging current and the discharging current for a certain period is calculated, and the presence or absence of a defect on the film is judged based on the integrated value. Therefore, the quality of the film can be determined by comparing the integral value of the current, not by simply comparing the peak value of the charging current. If there is no defect in the film, the charging current will be smaller after the end of charging, as with a normal capacitor, whereas the discharge current that occurs when there is a defect such as a crack on the film is
The current will flow for a longer time than the charging current in the normal case. Therefore, the integral value of the current when there is a defect in the film becomes larger than the integral value of the current when there is no defect, so by comparing this integral value with a predetermined judgment reference value, the film is The quality of can be clearly discriminated.

【0019】これにより、特に多層フィルムの金属膜層
による充電電流の増大や、単発的,偶発的に生じる気中
放電によって、充電電流と放電電流の波高値の区別が困
難となる場合でも、検知される電流の積分値を比較,判
定することにより、両者を明確に区別することができ、
注口成形加工等によって生ずるフィルム上の欠陥を確実
に検出することが可能となる。特に、充電電流が最大値
に到達して充電が終了した後、一定時間経過後の積分電
流値を算出,判定することにより、単発的,偶発的に発
生する気中放電等の影響を無視することができ、より確
実かつ正確なフィルムの良否の判定を行うことができ
る。
Thus, even when it becomes difficult to distinguish the peak value of the charging current from the peak value of the discharging current due to an increase in the charging current due to the metal film layer of the multi-layer film or an aerial or accidental air discharge. By comparing and judging the integrated value of the current, the two can be clearly distinguished,
It is possible to reliably detect defects on the film caused by the injection molding process or the like. In particular, after the charging current reaches the maximum value and the charging is completed, the integrated current value after a lapse of a certain time is calculated and determined, thereby ignoring the influence of the aerial or accidental air discharge. Therefore, the quality of the film can be determined more reliably and accurately.

【0020】一方、請求項5記載のフィルムの欠陥検出
方法は、フィルムの欠陥を検出する方法であって、前記
フィルムの厚み方向に電圧を印加するとともに、この印
加電圧の低下量を算出し、算出した電圧低下量が所定値
を超えたときに、前記フィルムに欠陥があるものと判定
する方法としてある。
On the other hand, the film defect detection method according to claim 5 is a method for detecting a film defect, wherein a voltage is applied in the thickness direction of the film, and a decrease amount of the applied voltage is calculated. This is a method of determining that the film has a defect when the calculated voltage decrease amount exceeds a predetermined value.

【0021】特に、請求項6では、前記電圧低下量の積
分値を算出し、算出した電圧低下量の積分値が所定値を
超えたときに、前記フィルムに欠陥があるものと判定す
る方法としてある。
In particular, as a method for calculating the integrated value of the voltage drop amount and determining that the film has a defect when the integrated value of the calculated voltage drop amount exceeds a predetermined value. is there.

【0022】このような方法からなる本発明のフィルム
の欠陥検出装置によれば、フィルムに印加される電圧の
低下量を検知するとともに、この印加電圧の低下量又は
その低下量の積分値に基づいてフィルムの欠陥の有無を
判定するようにしてあり、充電電流の波高値によらず、
印加電圧の電圧低下量が所定の値を超えるか否かによっ
てフィルムの良否を判定することができる。フィルムに
印加される電圧は、フィルム上に欠陥のない正常な場合
には一定の傾斜をもって上昇及び低下する。これに対
し、フィルム上にクラック等の欠陥がある場合は、大き
な放電電流が流れることにより、印加されている電圧が
低下し、その結果、放電が止まり、再び電圧が上昇して
放電電流が流れる、というように放電の繰り返しが激し
く生ずることになる。従って、フィルムに欠陥がある場
合の電圧低下量は、欠陥がない場合の電圧低下量と比較
して大きくなるので、この印加電圧の低下量を検出,判
定することで、フィルム上の欠陥の有無を確実に検出す
ることが可能となる。
According to the film defect detecting apparatus of the present invention having such a method, the decrease amount of the voltage applied to the film is detected, and the decrease amount of the applied voltage or the integrated value of the decrease amount is used. It is designed to determine the presence or absence of film defects, regardless of the peak value of the charging current,
Whether the film is good or bad can be determined by whether or not the amount of voltage drop of the applied voltage exceeds a predetermined value. The voltage applied to the film rises and falls with a constant slope in the normal case where there are no defects on the film. On the other hand, if there is a defect such as a crack on the film, a large discharge current flows, the applied voltage drops, and as a result, the discharge stops and the voltage rises again and the discharge current flows. As a result, repeated discharges occur violently. Therefore, the amount of voltage drop when there is a defect in the film is larger than the amount of voltage drop when there is no defect. Therefore, by detecting and determining the amount of decrease in the applied voltage, the presence or absence of defects on the film Can be reliably detected.

【0023】これにより、充電電流の大きさや、偶発的
に発生する気中放電による電流の波高値に影響されるこ
となく、印加電圧の低下量の比較,判定によって、注口
成形加工等で生じるフィルムの欠陥を検出することがで
き、フィルムの良否を確実かつ正確に判定することがで
きる。特に、印加される電圧の低下量の積分値を算出す
ると、電圧が激しく昇降を繰り返す欠陥時と、電圧の昇
降が生じない正常時とでは、フィルム上に欠陥がある場
合の電圧低下量の積分値が、欠陥がない場合の電圧低下
量の積分値と比較して大きくなる。従って、この電圧低
下量の積分値を算出,判定することにより、フィルムの
欠陥の有無によって積分値の差が大きくなるので、両者
を明確に区別することができ、より正確なフィルムの良
否の判定が行えるようになる。
As a result, by comparing and determining the amount of decrease in the applied voltage without being affected by the magnitude of the charging current or the peak value of the current due to accidental air discharge, it occurs in the spout molding process or the like. Film defects can be detected, and the quality of the film can be reliably and accurately determined. In particular, when the integrated value of the amount of decrease in the applied voltage is calculated, the integral of the amount of voltage decrease when there is a defect on the film at the time of a defect in which the voltage repeatedly rises and falls The value becomes larger than the integrated value of the voltage drop amount when there is no defect. Therefore, by calculating and determining the integrated value of this voltage drop amount, the difference between the integrated values increases depending on the presence or absence of a defect in the film, so that the two can be clearly distinguished, and a more accurate determination of the quality of the film can be made. Will be able to.

【0024】そして、請求項7記載のフィルムの欠陥検
出方法は、前記フィルムに、立上げ時間を遅延させつつ
電圧を印加する方法としてある。
The film defect detection method according to claim 7 is a method of applying a voltage to the film while delaying the start-up time.

【0025】このような方法からなる本発明のフィルム
の欠陥検出方法によれば、フィルムに高電圧を印加する
際に、印加電圧の最大値までの立上げ時間を遅延させる
ようにしてあるので、特に金属膜層を有する多層フィル
ムの充電電流を小さくすることができる。これにより、
フィルムの欠陥の有無を充電電流の積分値に基づいて判
定する場合や、印加電圧の電圧低下量に基づいて判定す
る場合にも、充電電流の波高値を低くすることで、フィ
ルムに欠陥がない場合の電流値を、欠陥がある場合の電
流値と比較してさらに小さくすることができるので、注
口成形加工等によって生じるフィルム上の欠陥の有無を
より明確に区別して、さらに正確な良否判定を行うこと
が可能となる。
According to the film defect detection method of the present invention having such a method, when the high voltage is applied to the film, the start-up time to the maximum value of the applied voltage is delayed. In particular, the charging current of a multi-layer film having a metal film layer can be reduced. This allows
When the presence or absence of a defect in the film is determined based on the integrated value of the charging current, or when the determination is based on the voltage drop amount of the applied voltage, the peak value of the charging current is lowered, so that there is no defect in the film. In this case, the current value in the case can be made smaller than the current value in the case where there is a defect, so that the presence or absence of a defect on the film caused by spout molding processing can be more clearly distinguished, and a more accurate pass / fail judgment can be made. It becomes possible to do.

【0026】一方、請求項8記載のフィルムの欠陥検出
装置は、フィルムの欠陥を検出する装置であって、前記
フィルムの厚み方向に、立上げ時間を遅延させつつ電圧
を印加する電圧印加手段と、この電圧印加手段により電
圧を印加したときに流れる電流を検知する電流検知手段
と、この電流検知手段により検知した電流を、予め設定
した所定の判定基準値と比較し、検知した電流が所定の
判定基準値より大きいときに、当該フィルムに欠陥があ
るものと判定する良否判定手段と、を備える構成として
ある。
On the other hand, the film defect detection device according to claim 8 is a device for detecting a film defect, and a voltage application means for applying a voltage in the thickness direction of the film while delaying the rise time. , Comparing the current detected by the current detecting means for detecting a current flowing when a voltage is applied by the voltage applying means with a predetermined reference value set in advance, and detecting the detected current as a predetermined value. When it is larger than the judgment reference value, the film is judged to be defective.

【0027】このような構成からなる本発明のフィルム
の欠陥検出装置によれば、フィルムに高電圧を印加する
電圧印加手段を備えることにより、印加電圧の最大値ま
での立上げ時間を遅延させて、フィルムの充電電流を小
さくすることができる。これにより、高電圧電源等の既
存の電圧印加手段を用いて、特に金属膜層を有する多層
フィルムの充電電流の波高値を低くして、欠陥のない場
合の充電電流の波高値とクラック等の欠陥がある場合に
生じる放電電流の波高値とを明確に区別することができ
るので、特別な装置や複雑な手段を別途設けることな
く、注口成形加工等によって生じるフィルム上の欠陥の
有無を容易かつ正確に検出,判定することができる欠陥
検出装置を提供することが可能となる。
According to the film defect detecting apparatus of the present invention having such a structure, by providing the film with voltage applying means for applying a high voltage, the rise time to the maximum value of the applied voltage is delayed. The film charging current can be reduced. Thereby, by using the existing voltage applying means such as a high-voltage power supply, the peak value of the charging current of the multi-layer film having the metal film layer is lowered, and the peak value of the charging current in the absence of defects and cracks, etc. Since it is possible to clearly distinguish the peak value of the discharge current that occurs when there is a defect, it is easy to determine whether there is a defect on the film caused by spout molding processing without separately providing special equipment or complicated means. Further, it is possible to provide a defect detection device that can detect and judge accurately.

【0028】また、請求項9記載のフィルムの欠陥検出
装置は、フィルムの欠陥を検出する装置であって、前記
フィルムの厚み方向に電圧を印加する電圧印加手段と、
この電圧印加手段により電圧を印加したときに流れる電
流を検知する電流検知手段と、この電流検知手段により
検知した電流の積分値を算出するとともに、この積分値
を、予め設定した所定の判定基準値と比較し、積分値が
判定基準値より大きいときに、当該フィルムに欠陥があ
るものと判定する良否判定手段と、を備える構成として
ある。
A film defect detecting device according to claim 9 is a device for detecting a film defect, and a voltage applying means for applying a voltage in a thickness direction of the film,
A current detection unit that detects a current flowing when a voltage is applied by the voltage application unit, and an integrated value of the current detected by the current detection unit are calculated, and the integrated value is set to a preset predetermined reference value. And a quality determination unit that determines that the film has a defect when the integrated value is larger than the determination reference value.

【0029】このような構成からなる本発明のフィルム
の欠陥検出装置によれば、一定期間における充電電流及
び放電電流の積分値を算出,判定する良否判定手段を備
えることにより、フィルム上の欠陥の有無を、単なる充
電電流の波高値の比較ではなく、電流の積分値の比較よ
って判定することができる。これにより、フィルムの金
属膜層による充電電流の増大や、単発的,偶発的に生じ
る気中放電によって、充電電流と放電電流の波高値の区
別が困難な場合でも、積分電流判定回路等の既存の回路
等を備えることで、電流の積分値を用いてフィルムの良
否を判定することができ、特別な装置や複雑な手段を必
要とすることなく、注口成形加工等により生ずるフィル
ム上の欠陥を確実に検出して、正確な良否判定が行える
欠陥検出装置を実現することができる。
According to the film defect detection apparatus of the present invention having such a structure, by providing the quality judgment means for calculating and judging the integrated value of the charging current and the discharging current in a certain period, the defect on the film can be detected. The presence / absence can be determined by comparing the integrated value of the current, not by simply comparing the peak value of the charging current. As a result, even if it is difficult to distinguish the peak values of the charging current and the discharging current due to an increase in the charging current due to the metal film layer of the film, or an aerial discharge that occurs sporadically or accidentally, existing integration current determination circuits, etc. By including the circuit etc. of, it is possible to judge the quality of the film by using the integrated value of the current, and without the need for special equipment or complicated means, defects on the film caused by spout molding processing etc. It is possible to realize a defect detection device capable of surely detecting the defect and accurately determining the quality.

【0030】一方、請求項10記載のフィルムの欠陥検
出装置は、フィルムの欠陥を検出する装置であって、前
記フィルムの厚み方向に電圧を印加する電圧印加手段
と、この電圧印加手段で印加された電圧の低下量を検知
するとともに、検知した電圧の低下量を、予め設定した
所定の判定基準値と比較し、電圧の低下量が判定基準値
より大きいときに、当該フィルムに欠陥があるものと判
定する良否判定手段と、を備える構成としてある。
On the other hand, a film defect detecting device according to a tenth aspect is a device for detecting a film defect, which comprises a voltage applying means for applying a voltage in the thickness direction of the film and the voltage applying means for applying the voltage. In addition to detecting the amount of voltage decrease, the detected amount of voltage decrease is compared with a preset predetermined reference value, and when the amount of voltage decrease is larger than the reference value, the film is defective. And a pass / fail determination means for determining.

【0031】特に、請求項11では、前記良否判定手段
が、検知した電圧の低下量の積分値を算出するととも
に、この積分値を、予め設定した所定の判定基準値と比
較し、積分値が判定基準値より大きいときに、当該フィ
ルムに欠陥があるものと判定する構成としてある。
Particularly, in the eleventh aspect, the pass / fail judgment means calculates an integrated value of the detected amount of decrease in the voltage and compares the integrated value with a predetermined judgment reference value set in advance, and the integrated value is determined. When the value is larger than the judgment reference value, it is judged that the film has a defect.

【0032】このような構成からなる本発明のフィルム
の欠陥検出装置によれば、電圧印加手段の印加電圧の低
下量を検知,判定する良否判定手段を設けることによ
り、フィルム上の欠陥の有無を、充電電流の波高値によ
らず、印加電圧の電圧低下量によって判定することがで
きる。これにより、電圧低下判定回路等の既存の回路を
用いることで、印加電圧の低下量の比較によって、注口
成形加工等で生じるフィルムの欠陥を検出することがで
き、充電電流の大きさや、偶発的な気中放電による電流
の波高値に影響されることなく、フィルムの良否を確実
かつ正確に判定することが可能となる欠陥検出装置を提
供することができる。
According to the film defect detecting apparatus of the present invention having such a structure, by providing the quality determining means for detecting and determining the amount of decrease in the voltage applied by the voltage applying means, it is possible to determine whether or not there is a defect on the film. It can be determined by the voltage drop amount of the applied voltage regardless of the peak value of the charging current. Therefore, by using the existing circuit such as the voltage drop judgment circuit, it is possible to detect the film defect caused by the spout molding process by comparing the applied voltage drop amount. It is possible to provide a defect detection apparatus capable of surely and accurately determining the quality of a film without being affected by the peak value of the current due to aerial air discharge.

【0033】また、請求項12記載のフィルムの欠陥検
出装置は、前記電圧印加手段が、前記フィルムの厚み方
向に、立上げ時間を遅延させつつ電圧を印加する構成と
してある。
Further, in the film defect detecting device of the twelfth aspect, the voltage applying means applies the voltage in the thickness direction of the film while delaying the rising time.

【0034】このような構成からなる本発明のフィルム
の欠陥検出装置によれば、フィルムに高電圧を印加する
電圧印加手段が、印加電圧の最大値までの立上げ時間を
遅延させることにより、特に金属膜層を有する多層フィ
ルムの充電電流を小さくすることができる。これによ
り、フィルムの欠陥の有無を充電電流の積分値を判定す
る積分電流判定回路や、印加電圧の電圧低下量を判定す
る電圧低下判定回路を備える場合にも、電圧印加手段を
備えることで、充電電流の波高値を低くすることがで
き、特別な装置,手段を要することなく、注口成形加工
等によって生じるフィルム上の欠陥の有無をより確実に
検出し、さらに正確な良否判定を行が可能となる欠陥検
出装置を実現することができる。
According to the film defect detecting apparatus of the present invention having such a structure, the voltage applying means for applying a high voltage to the film delays the rising time to the maximum value of the applied voltage, The charging current of the multilayer film having the metal film layer can be reduced. Thereby, even if the integrated current determination circuit that determines the integral value of the charging current to determine the presence or absence of a defect in the film, and the voltage drop determination circuit that determines the amount of voltage drop of the applied voltage, by providing the voltage applying means, The peak value of the charging current can be lowered, the presence or absence of defects on the film caused by spout molding processing can be detected more reliably without requiring special equipment or means, and a more accurate pass / fail judgment can be performed. A possible defect detecting device can be realized.

【0035】さらに、請求項13記載のフィルムの欠陥
検出装置は、前記電圧印加手段に備えられる一対の電極
のうち、少なくとも一方の電極を、導電性ブラシ電極と
した構成としてある。
Further, in the film defect detecting device of the thirteenth aspect, at least one of the pair of electrodes provided in the voltage applying means is a conductive brush electrode.

【0036】このような構成からなる本発明のフィルム
の欠陥検出装置によれば、電圧印加手段の電極を、先端
が針状となる導電性ブラシ電極で構成することにより、
電極先端の電界強度を高くすることができ、印加電圧を
高くすることなく、フィルム上に生じたクラック,ピン
ホール等の欠陥の検出性を向上させることができ、特
に、フィルム表面に溝状に形成され、他のフィルム面と
高低差のある注口成形部等の欠陥を検査する際の電極と
して好適である。
According to the film defect detecting apparatus of the present invention having such a structure, the electrode of the voltage applying means is constituted by the conductive brush electrode having a needle-like tip,
The electric field strength at the electrode tip can be increased, and the detectability of defects such as cracks and pinholes generated on the film can be improved without increasing the applied voltage. It is suitable as an electrode when inspecting for defects such as a spout molding portion that is formed and has a height difference from other film surfaces.

【0037】[0037]

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかるフィルムの
欠陥検出方法及び欠陥検出装置の好ましい実施形態につ
いて、図面を参照しつつ説明する。 [第一実施形態]まず、図1及び図2を参照して、本発
明にかかるフィルムの欠陥検出方法及び欠陥検出装置の
第一実施形態について説明する。図1は、本発明の第一
実施形態にかかるフィルムの欠陥検出装置を示す説明図
であり、(a)は本実施形態にかかる欠陥検出装置を備
えたフィルムの注口成形加工装置を示す概略平面図で、
(b)は、(a)における欠陥検出装置を模式的に示す
概略正面図である。図2は、本実施形態にかかる欠陥検
出装置の電極部分を模式的に示す概略正面図であり、
(a)はフィルムに欠陥がない場合、(b)は欠陥があ
る場合を示している。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of a film defect detection method and a film defect detection apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. First Embodiment First, with reference to FIGS. 1 and 2, a first embodiment of a film defect detection method and a film defect detection apparatus according to the present invention will be described. FIG. 1 is an explanatory view showing a film defect detection apparatus according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1A is a schematic view showing a film spout molding processing apparatus equipped with the defect detection apparatus according to the present embodiment. In plan view,
(B) is a schematic front view which shows typically the defect detection apparatus in (a). FIG. 2 is a schematic front view schematically showing the electrode portion of the defect detection device according to the present embodiment,
(A) shows the case where there is no defect in the film, and (b) shows the case where there is a defect.

【0038】まず、本実施形態にかかる欠陥検出装置が
備えられるフィルムの注口成形加工装置の概略について
説明する。本実施形態にかかるフィルムの注口成形加工
装置は、図8で示した多層フィルム製の容器3の製造工
程において、多層フィルム1に注口成形部2を膨出成形
加工によって形成する装置であり、図1に示すように、
注口成形機10と、欠陥検出装置20,除電部30及び
製袋機40を備えている。多層フィルム1は、図2に示
すように、表層となるナイロン層1a、PET層1b及
びPE層1cからなり、ナイロン層1aとPET層1b
の間に内層となる金属膜層1dを備えている。金属膜層
1dはアルミ等の金属箔層や金属蒸着層により形成され
ている。
First, an outline of a film spout molding apparatus equipped with the defect detection apparatus according to this embodiment will be described. The film spout molding processing apparatus according to the present embodiment is an apparatus for forming the spout molding section 2 on the multilayer film 1 by swell molding in the manufacturing process of the multilayer film container 3 shown in FIG. , As shown in FIG.
It is equipped with a spout molding machine 10, a defect detection device 20, a static eliminator 30, and a bag making machine 40. As shown in FIG. 2, the multilayer film 1 includes a nylon layer 1a serving as a surface layer, a PET layer 1b and a PE layer 1c, and a nylon layer 1a and a PET layer 1b.
And a metal film layer 1d which is an inner layer. The metal film layer 1d is formed of a metal foil layer such as aluminum or a metal vapor deposition layer.

【0039】注口成形機10は、多層フィルム1に注口
成形部2を膨出成形する成形手段である。この注口成形
機10で形成される注口成形部2は、図8に示したよう
に、容器3を構成する多層フィルム1に形成される溝部
で、容器3の注ぎ口3a近傍から液体の流出方向に沿っ
て二本の注口成形部2が膨出成形されるようになってい
る。この注口成形部2を形成することで、多層フィルム
製容器の撓みが規制され、容器の内容物となる液体が注
口成形部2に沿って流出されることになり、可撓性に富
む多層フィルム製容器の補完手段として機能するように
なっている。そして、この注口成形機10における注口
成形加工により、多層フィルム1には、図2(b)に示
すようなクラックやピンホール等の欠陥1eが生じるこ
とがある。
The spout molding machine 10 is a molding means for bulging the spout molding part 2 on the multilayer film 1. As shown in FIG. 8, the spout molding portion 2 formed by the spout molding machine 10 is a groove portion formed in the multilayer film 1 forming the container 3, and the liquid is injected from the vicinity of the pouring port 3 a of the container 3. Two spout molding parts 2 are bulged and molded along the outflow direction. By forming the spout molding part 2, the bending of the multilayer film container is regulated, and the liquid serving as the content of the container is discharged along the spout molding part 2, which is highly flexible. It is designed to function as a complement to a multi-layer film container. Then, due to the injection molding process in the injection molding machine 10, defects 1e such as cracks and pinholes as shown in FIG. 2B may occur in the multilayer film 1.

【0040】欠陥検出装置20は、注口成形機10によ
って形成された多層フィルム1の注口成形部2に高電圧
を印加して、多層フィルム1にクラック等の欠陥が生じ
ているか否かを検出,判定する装置であり、図1(a)
に示すように、注口成形機10の近傍に配設されてい
る。この欠陥検出装置20の詳細は後述する。
The defect detection device 20 applies a high voltage to the spout molding part 2 of the multilayer film 1 formed by the spout molding machine 10 to determine whether or not defects such as cracks are generated in the multi-layer film 1. This is a device for detecting and judging, and is shown in FIG.
As shown in FIG. Details of the defect detection device 20 will be described later.

【0041】除電部30は、欠陥検出装置20で印加さ
れる高電圧によって多層フィルム1に帯電した電荷を除
去する除電手段であり、本実施形態では、多層フィルム
1の表面に接触する導電性の除電ブラシによって構成し
てある。このような除電ブラシを用いることにより、多
層フィルム1に帯電した電荷を確実に除電することがで
きる。なお、除電手段としては、除電ブラシだけでな
く、除電リボンや除電バーなどを用いることができる。
The charge removing unit 30 is a charge removing unit that removes the electric charges charged in the multilayer film 1 by the high voltage applied by the defect detection device 20. In this embodiment, the charge removing unit 30 is a conductive member that contacts the surface of the multilayer film 1. It is composed of a static elimination brush. By using such an antistatic brush, it is possible to surely eliminate the electric charges charged in the multilayer film 1. As the charge eliminating means, not only the charge eliminating brush but also a charge eliminating ribbon or a charge eliminating bar can be used.

【0042】製袋機40は、注口成形工程,欠陥検出工
程及び除電工程を経た多層フィルム1を、袋状に貼り合
わせ、かつ裁断して容器にするシール手段及び裁断手段
を少なくとも有している。この製袋機40では、図1に
示すように、上側及び下側でそれぞれ加工,搬送される
二枚の多層フィルム1を袋状に貼り合わせるようになっ
ており、これを所定の形状,大きさに裁断することによ
り、図8(b)に示したような多層フィルム製の容器3
が形成されることになる。従って、多層フィルム1を加
工,搬送する注口成形機10,欠陥検出装置20及び除
電部30は、図示は省略するが、上側及び下側の多層フ
ィルム1に対してそれぞれ設けられるようになってい
る。
The bag-making machine 40 has at least a sealing means and a cutting means for laminating the multilayer film 1 which has undergone the spout molding step, the defect detection step and the static elimination step, into a bag shape and cutting it into a container. There is. In this bag-making machine 40, as shown in FIG. 1, two multi-layer films 1 processed and conveyed on the upper side and the lower side, respectively, are stuck together in a bag shape, and this is formed into a predetermined shape and size. The container 3 made of a multilayer film as shown in FIG.
Will be formed. Therefore, although not shown, the spout molding machine 10 for processing and conveying the multilayer film 1, the defect detection device 20, and the static eliminator 30 are provided for the upper and lower multilayer films 1, respectively. There is.

【0043】なお、以上のような構成からなる注口成形
加工装置は、後述する欠陥検出装置を備えることを除い
ては、既存の注口成形加工装置や多層フィルム製容器形
成装置と同様の構成,機能となっている。従って、本実
施形態においては、既存の装置と同様の構成部分につて
は、詳細な説明は省略する。
The spout molding apparatus having the above-described structure has the same structure as that of the existing spout molding apparatus or multilayer film container forming apparatus, except that it is provided with a defect detection apparatus described later. , Has become a function. Therefore, in this embodiment, detailed description of the same components as those of the existing device will be omitted.

【0044】次に、本実施形態の欠陥検出装置20の構
成及び動作について説明する。欠陥検出装置20は、注
口成形加工を行うことによって多層フィルム1に生ずる
クラックやピンホール等の欠陥(図2(b)に示す欠陥
部1e)を検出する装置であり、図1(b)に示すよう
に、電圧印加手段となる高電圧電源21及び電極22
と、電流計23及び良否判定回路24を備えている。
Next, the structure and operation of the defect detection apparatus 20 of this embodiment will be described. The defect detection device 20 is a device that detects defects (defects 1e shown in FIG. 2B) such as cracks and pinholes generated in the multilayer film 1 by performing the injection molding process, and FIG. As shown in FIG.
And an ammeter 23 and a pass / fail judgment circuit 24.

【0045】高電圧電源21は、多層フィルム1の厚み
方向に配設される一対の電極22(22a,22b)を
介して、多層フィルム1に形成された注口成形部2に高
電圧を印加するようになっている。本実施形態では、注
口成形部2に約1000〜10000ボルト、好ましく
は、2000〜8000ボルトの高電圧を印加する電源
となっている。多層フィルム1は、表層のナイロン層1
aが約15μmと薄いため、印加電圧を高くし過ぎると
破壊されるおそれがある。そこで、本実施形態では、高
電圧電源21の印加電圧を約1000〜10000ボル
トとしてある。
The high-voltage power supply 21 applies a high voltage to the spout molding part 2 formed in the multilayer film 1 via a pair of electrodes 22 (22a, 22b) arranged in the thickness direction of the multilayer film 1. It is supposed to do. In the present embodiment, the power source applies a high voltage of about 1000 to 10000 V, preferably 2000 to 8000 V to the spout molding unit 2. The multilayer film 1 is a surface nylon layer 1
Since a is as thin as about 15 μm, it may be destroyed if the applied voltage is too high. Therefore, in the present embodiment, the applied voltage of the high voltage power supply 21 is set to about 1000 to 10000 volts.

【0046】一対の電極22は、図1(b)及び図2に
示すように、一方が高電位となる導電性ブラシ電極22
a、もう一方が低電位(アース電位)となる金属電極2
2bにより構成してある。具体的には、導電性ブラシ電
極22aは注口成形部2より一回り大きな面積を有し、
金属電極22bは注口成形部2をカバーする大きさの長
方形状に形成してある。導電性ブラシ電極22aは、電
極の先端が針状となるので、先端の電界強度が高くな
り、印加電圧を高くすることなく、クラック,ピンホー
ル等の検出性を向上させることが可能であり、特に溝状
に形成され、他のフィルム表面と高低差のある注口成形
部2を検査する欠陥検出装置20の電極として好適であ
る。
As shown in FIGS. 1B and 2, the pair of electrodes 22 is a conductive brush electrode 22 in which one has a high potential.
a, a metal electrode 2 in which the other has a low potential (earth potential)
2b. Specifically, the conductive brush electrode 22a has a slightly larger area than the spout molding portion 2,
The metal electrode 22b is formed in a rectangular shape having a size to cover the spout molding part 2. Since the conductive brush electrode 22a has a needle-shaped tip, the electric field strength at the tip is increased, and it is possible to improve the detectability of cracks, pinholes, etc. without increasing the applied voltage. In particular, it is suitable as an electrode of the defect detection device 20 for inspecting the spout molding portion 2 which is formed in a groove shape and has a height difference from other film surfaces.

【0047】なお、電極22を導電性ブラシで構成する
場合、多層フィルム1の散粉剤が電極に溜まることがあ
るので、これを防止するために、印加電圧は、間欠印加
又は間欠接触とすることが好ましい。また、この電極2
2の形状としては、双方とも導電性ブラシ電極又は金属
電極とすることもでき、注口成形部2の表面に均等に接
触できる限り、他の電極を採用してもよい。
When the electrode 22 is composed of a conductive brush, the dusting agent of the multilayer film 1 may collect in the electrode. Therefore, in order to prevent this, the applied voltage should be intermittently applied or intermittently contacted. Is preferred. Also, this electrode 2
The shape of 2 may be a conductive brush electrode or a metal electrode, and another electrode may be adopted as long as it can evenly contact the surface of the spout molding portion 2.

【0048】電流計23は、図1(b)に示すように、
高電圧電源21に直列に接続される電流検知手段で、高
電圧電源21の印加電圧により発生する電流を検知する
ようになっている。多層フィルム1の厚み方向に高電圧
電源21により高電圧が印加されると、一対の電極22
と多層フィルム1によりコンデンサが構成されて充電電
流が流れることになり、この電流値が電流計23で検知
されるようになっている。ここで、多層フィルム1にク
ラック等の欠陥があると、孔の大きさ等に関係したイン
ピーダンスでコンデンサと並列に接続回路が形成された
ことになり、放電電流が発生し、この放電電流が電流計
23で検知されることになる。
The ammeter 23, as shown in FIG.
The current detecting means connected in series to the high-voltage power supply 21 detects the current generated by the applied voltage of the high-voltage power supply 21. When a high voltage is applied from the high voltage power source 21 in the thickness direction of the multilayer film 1, the pair of electrodes 22
The multilayer film 1 constitutes a capacitor and a charging current flows, and the current value is detected by the ammeter 23. Here, if the multilayer film 1 has a defect such as a crack, it means that the connection circuit is formed in parallel with the capacitor due to the impedance related to the size of the hole, and the discharge current is generated. A total of 23 will be detected.

【0049】そして、本実施形態では、電圧印加手段と
なる高電圧電源21が、多層フィルムへの電圧印加の立
上げ時間を遅延させるようにしてある。コンデンサ(キ
ャパシタ)に直流電圧を印加する場合の充電電流は、キ
ャパシタンスを比例定数とする電圧の時間微分に比例す
る(i=C・dv/dt)。従って、高電圧電源21に
よる印加電圧の立上げ時間を遅らせることにより、発生
する充電電流を小さくすることができる。
In this embodiment, the high voltage power source 21 serving as voltage applying means delays the rise time of voltage application to the multilayer film. The charging current when a DC voltage is applied to a capacitor is proportional to the time derivative of the voltage with the capacitance being a proportional constant (i = C · dv / dt). Therefore, by delaying the rise time of the voltage applied by the high-voltage power supply 21, the generated charging current can be reduced.

【0050】これまで、アルミ蒸着層等からなる金属膜
層1dを有する多層フィルム1では、フィルム全体に形
成される金属膜層1dによって静電容量が増大し、印加
電圧によって生じる充電電流が大きくなってしまい、ク
ラック等の欠陥によって生じる放電電流と区別がつかな
くなり、正確な欠陥判定が行えなかった。そこで、本実
施形態では、高電圧電源21による印加電圧の立上げ時
間を遅らせることにより、発生する充電電流を小さくす
るようにしてある。
Up to now, in the multilayer film 1 having the metal film layer 1d made of an aluminum vapor deposition layer or the like, the capacitance is increased by the metal film layer 1d formed on the entire film, and the charging current generated by the applied voltage is increased. As a result, it cannot be distinguished from the discharge current caused by defects such as cracks, and accurate defect determination cannot be performed. Therefore, in the present embodiment, the charging current generated is reduced by delaying the rise time of the voltage applied by the high-voltage power supply 21.

【0051】具体的には、本実施形態では、高電圧電源
21による印加電圧の最大値までの立上げ時間を、例え
ば、2000ボルトの印加電圧を通常は50msで立ち
上げるところを、100〜150ms程度に遅延させる
ようにしてある。このように印加電圧の立上げ時間を遅
らせると、電圧の時間微分(dv/dt)が小さくなる
ので、キャパシタンスを比例定数とする電圧の時間微分
に比例定数とする充電電流(i=C・dv/dt)の値
を小さくすることができる。そして、この電流計23で
検知された電流値が良否判定回路24に入力され、検知
された電流値に基づく多層フィルム1の欠陥の有無の判
定が行われる。
Specifically, in this embodiment, the rise time to the maximum value of the applied voltage from the high voltage power source 21 is 100 to 150 ms when the applied voltage of 2000 V is normally raised to 50 ms. It is designed to be delayed. When the rise time of the applied voltage is delayed in this way, the time derivative (dv / dt) of the voltage becomes small, so that the charging current (i = C · dv) that makes the capacitance a proportional constant and the time derivative of the voltage a proportional constant. The value of / dt) can be reduced. Then, the current value detected by the ammeter 23 is input to the quality determination circuit 24, and the presence / absence of a defect in the multilayer film 1 is determined based on the detected current value.

【0052】良否判定回路24は、図1(b)に示すよ
うに、設定部24aと比較部24bを備えている。設定
部24aは、電流計23で検知される電流値と比較され
る所定の判定基準値が予め設定されており、本実施形態
では、多層フィルム1に欠陥がない場合に流れる充電電
流値を判定基準値として設定してある。本実施形態で
は、上述したように、多層フィルム1の充電電流の波高
値を低くすることができるので、クラック等の欠陥があ
る場合に生じる放電電流の波高値との差を大きくするこ
とができ、両者を明確に区別することができる。これに
よって、良否の判定基準値として多層フィルム1に欠陥
がない場合の充電電流の電流値を設定して、この判定基
準値を超える電流が検知された場合に欠陥ありと判定す
ることができる。
As shown in FIG. 1B, the quality determination circuit 24 includes a setting section 24a and a comparison section 24b. The setting unit 24a is preset with a predetermined determination reference value that is compared with the current value detected by the ammeter 23, and in the present embodiment, determines the charging current value that flows when there is no defect in the multilayer film 1. It is set as a reference value. In the present embodiment, as described above, the peak value of the charging current of the multilayer film 1 can be lowered, so that the difference between the peak value of the discharging current generated when there is a defect such as a crack can be increased. , The two can be clearly distinguished. Thus, the current value of the charging current when the multilayer film 1 has no defect can be set as the determination reference value for acceptability, and it can be determined that there is a defect when a current exceeding the determination reference value is detected.

【0053】比較部24bは、電流計23で検知された
電流値と、設定部24aに予め設定された設定値が入力
されるようになっており、両者を比較して、多層フィル
ム1の欠陥の有無を判定する判定手段となっている。具
体的には、まず、多層フィルム1に欠陥がない正常な場
合には、印加電圧の立上げ時間が遅くなることから、充
電電流の値が小さくなり、電流計23で検知される電流
の波高値も小さくなる。そして、この波高値は、設定部
24aに設定された判定基準値と同じ値となるので、比
較部24bでは、多層フィルム1に欠陥がないと判定さ
れる。
The comparing section 24b is adapted to input the current value detected by the ammeter 23 and the preset value set in the setting section 24a. It is a determining means for determining the presence or absence of. Specifically, first, when the multilayer film 1 is normal and has no defect, the rise time of the applied voltage is delayed, so that the value of the charging current becomes small and the wave of the current detected by the ammeter 23 is reduced. High price also becomes small. Since this peak value is the same value as the determination reference value set in the setting unit 24a, the comparison unit 24b determines that the multilayer film 1 has no defect.

【0054】一方、多層フィルム1にクラック等の欠陥
(図2(b)の欠陥部1d参照)がある場合は、印加電
圧によって放電電流が発生し、瞬間的に大きな電流が流
れ、電流計23で検知される電流の波高値も、欠陥がな
い場合の波高値よりも大きくなる。従って、この波高値
は、設定部24aに設定された判定基準値より大きくな
るので、比較部24bでは、多層フィルム1に欠陥があ
ると判定されることになる。これによって、多層フィル
ム1の欠陥の有無が検出され、特に金属膜層1dの存在
によって充電電流が大きくなって、クラック等の欠陥に
よって生じる放電電流と区別がつかなくなるという上述
した基本発明の問題を解消することができる。
On the other hand, when the multilayer film 1 has a defect such as a crack (see the defective portion 1d in FIG. 2B), a discharge current is generated by the applied voltage, and a large current flows momentarily, and the ammeter 23 The peak value of the electric current detected at is also larger than the peak value when there is no defect. Therefore, this crest value becomes larger than the determination reference value set in the setting unit 24a, so that the comparison unit 24b determines that the multilayer film 1 has a defect. As a result, the presence or absence of defects in the multilayer film 1 is detected, and in particular, the presence of the metal film layer 1d increases the charging current, making it impossible to distinguish from the discharge current caused by defects such as cracks. It can be resolved.

【0055】なお、比較部24bにおける判定結果は、
信号として出力され、例えば、図示しないディスプレイ
等を介して外部に表示等されることになる。また、この
ように検知される電流の波高値に基づいて多層フィルム
1の欠陥の有無を判定する良否判定手段として、電流値
を検知する電流計23のモニタを人的に監視することに
よって良否判定を行うことも可能である。
The comparison result in the comparison section 24b is as follows.
It is output as a signal and displayed externally, for example, via a display or the like not shown. Further, as a quality determination means for determining the presence / absence of a defect in the multilayer film 1 based on the peak value of the current thus detected, the quality determination is performed by manually monitoring the monitor of the ammeter 23 for detecting the current value. It is also possible to do

【0056】以上説明したように、本実施形態のフィル
ムの欠陥検出方法及び欠陥検出装置によれば、多層フィ
ルム1に高電圧を印加する電圧印加手段となる高電圧電
源21が、印加電圧の最大値までの立上げ時間を遅延さ
せることにより、金属膜層1dを有する多層フィルム1
の充電電流を小さくすることができる。これにより、特
に金属膜層1dを有する多層フィルム1の充電電流の波
高値を小さくすることができるので、欠陥のない場合の
充電電流の波高値とクラック等の欠陥がある場合に生じ
る放電電流の波高値との差を大きくして、両者を明確に
区別することができ、多層フィルム1上の欠陥の有無を
容易かつ正確に検出,判定することが可能となる。しか
も、本実施形態では、高電圧電源21において印加電圧
の立上げ時間を遅延させるようにしてあるので、特別な
装置や複雑な手段等を別途必要とすることなく、既存の
装置を利用して多層フィルム1の良否を正確に判定する
ことができる。
As described above, according to the film defect detecting method and the defect detecting apparatus of the present embodiment, the high voltage power source 21 serving as a voltage applying means for applying a high voltage to the multilayer film 1 has the maximum applied voltage. Multilayer film 1 having metal film layer 1d by delaying the start-up time to the value
The charging current can be reduced. As a result, the peak value of the charging current of the multilayer film 1 having the metal film layer 1d can be reduced, so that the peak value of the charging current when there is no defect and the discharge current that occurs when there is a defect such as a crack. The difference between the peak value and the peak value can be increased so that they can be clearly distinguished, and the presence or absence of a defect on the multilayer film 1 can be easily and accurately detected and determined. Moreover, in this embodiment, since the rising time of the applied voltage is delayed in the high voltage power source 21, the existing device can be used without requiring a special device or a complicated means separately. The quality of the multilayer film 1 can be accurately determined.

【0057】[第二実施形態]次に、図3〜図5を参照
して、本発明の第二実施形態にかかるフィルムの欠陥検
出方法及び欠陥検出装置について説明する。図3は、本
発明の第二実施形態にかかる欠陥検出装置を模式的に示
す概略正面図である。図4は、本実施形態にかかる欠陥
検出方法及び装置で検出される印加電圧,充電電流,放
電電流及び積分電流値を示すグラフ部である。また、図
5は、図4に示す印加電圧,充電電流,放電電流及び積
分電流値の関係を模式的に示すグラフ図である。
[Second Embodiment] Next, a film defect detecting method and a film defect detecting apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a schematic front view schematically showing the defect detecting device according to the second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a graph part showing applied voltage, charge current, discharge current and integrated current values detected by the defect detecting method and apparatus according to the present embodiment. Further, FIG. 5 is a graph diagram schematically showing the relationship among the applied voltage, the charging current, the discharging current, and the integrated current value shown in FIG.

【0058】これらの図に示す本実施形態にかかる欠陥
検出方法及び装置は、上述した第一実施形態の変形実施
形態であり、第一実施形態における欠陥検出装置に、フ
ィルムの欠陥の有無を検出,判定する良否判定手段とな
る積分器,ゲートパルス回路及び積分電流判定回路を備
えることにより、充電電流の積分値を算出,判定するこ
とによりフィルムの良否を判定するようにしたものであ
る。従って、その他の構成部分は、第一実施形態と同様
となっており、同様の構成部分については、図中で第一
実施形態と同一符号を付し、詳細な説明は省略する。
The defect detecting method and apparatus according to the present embodiment shown in these figures are modified embodiments of the above-described first embodiment, and the defect detecting apparatus in the first embodiment detects the presence or absence of a film defect. By providing an integrator, a gate pulse circuit, and an integrated current determination circuit, which are the quality determination means for determination, the quality of the film is determined by calculating and determining the integrated value of the charging current. Therefore, the other components are the same as those in the first embodiment, and the same components are designated by the same reference numerals as those in the first embodiment in the drawings, and detailed description thereof will be omitted.

【0059】本実施形態の欠陥検出装置20として、図
3に示すように、フィルムの欠陥の有無を判定する良否
判定手段25となる積分器25a,ゲートパルス回路2
5b及び積分電流判定回路25cを備えている。この積
分器25a,ゲートパルス回路25b及び積分電流判定
回路25cからなる良否判定手段25は、電流計23で
検知される電流値に基づき、充電電流及び放電電流の積
分電流値を算出するとともに、この積分電流値を所定の
判定基準値と比較することによって、フィルムの良否を
判定するようになっている。具体的には、積分電流判定
回路25cは、電流計23から入力される電流値の積分
値を算出する演算部、所定の判定基準値を設定する設定
部、算出された積分電流値を判定基準値と比較する比較
部を備えるようになっている(図示省略)。そして、算
出された電流の積分値が、予め設定された所定の判定基
準値より大きいときに、フィルムに欠陥があるものと判
定されようになっている。なお、積分電流判定回路25
cによる判定結果については、所定の態様で外部に表示
等される。
As shown in FIG. 3, the defect detecting apparatus 20 of the present embodiment has an integrator 25a serving as a pass / fail judgment means 25 for judging the presence / absence of a film defect, and a gate pulse circuit 2.
5b and an integrated current determination circuit 25c. The pass / fail judgment unit 25 including the integrator 25a, the gate pulse circuit 25b, and the integrated current judgment circuit 25c calculates the integrated current value of the charging current and the discharging current based on the current value detected by the ammeter 23, and The quality of the film is judged by comparing the integrated current value with a predetermined judgment reference value. Specifically, the integrated current determination circuit 25c includes a calculation unit that calculates an integrated value of the current value input from the ammeter 23, a setting unit that sets a predetermined determination reference value, and a calculated reference value of the integrated current value. A comparison unit for comparing with the value is provided (not shown). Then, when the integrated value of the calculated current is larger than a preset predetermined determination reference value, it is determined that the film has a defect. The integrated current determination circuit 25
The determination result by c is externally displayed in a predetermined manner.

【0060】以下、本実施形態における積分電流値を用
いたフィルムの良否判定方法について、図4及び図5を
参照しつつ、多層フィルム1に4000ボルトの高電圧
が印加される場合を例にとって説明する(図4及び図5
(a)参照)。4000ボルトの高電圧が印加される
と、まず、多層フィルム1に欠陥がない場合には、図4
に示すように、充電電流として最大値が約2mAの電流
が流れ、充電が終了した後は、電流値は短時間で小さく
なる(図5(b)参照)。これに対し、多層フィルム1
にクラック等の欠陥がある場合には、クラック等によっ
て電極間に放電が生じ、図4及び図5に示すように、最
大値が充電電流とほぼ等しい約2mAの放電電流が、正
常な場合の充電電流よりも長い時間電流が流れることに
なる(図5(c)参照)。
Hereinafter, the film quality judgment method using the integrated current value in the present embodiment will be described with reference to FIGS. 4 and 5 as an example in which a high voltage of 4000 V is applied to the multilayer film 1. Yes (Figs. 4 and 5
(See (a)). When a high voltage of 4000 V is applied, first, in the case where the multilayer film 1 has no defect,
As shown in, a maximum current of about 2 mA flows as the charging current, and the current value decreases in a short time after the charging is completed (see FIG. 5B). On the other hand, the multilayer film 1
When there is a defect such as a crack in the battery, a discharge occurs between the electrodes due to the crack or the like, and as shown in FIGS. 4 and 5, the maximum discharge current of about 2 mA, which is almost equal to the charging current, is normal. The current flows for a longer time than the charging current (see FIG. 5 (c)).

【0061】この場合、電流計23で検知される電流の
波高値は、正常時,異常時とも約2mAとなり、この波
高値のみでは両者を判別することはできない。一方、良
否判定手段25の積分電流判定回路25cでは、電流計
23で検知される充電電流及び放電電流について、一定
期間における所定の閾値を超える電流の積分値が算出さ
れるようになっており、図4及び図5に示すように、算
出される積分値は、異常時の方が正常時よりも大きくな
る(図5(d)参照)。この積分値が、所定の判定基準
値と比較されることにより、積分値が判定基準値より大
きいときには多層フィルム1に欠陥があるものと判定さ
れ、これによって、多層フィルム1上の欠陥1eの有無
が検出されることになる。
In this case, the peak value of the current detected by the ammeter 23 is about 2 mA both in the normal state and in the abnormal state, and it is not possible to discriminate between the peak values alone. On the other hand, the integrated current determination circuit 25c of the quality determination unit 25 is configured to calculate an integrated value of a current exceeding a predetermined threshold value for a certain period for the charging current and the discharging current detected by the ammeter 23, As shown in FIGS. 4 and 5, the calculated integrated value is larger in the abnormal state than in the normal state (see FIG. 5D). By comparing this integrated value with a predetermined judgment reference value, it is judged that the multilayer film 1 has a defect when the integrated value is larger than the judgment reference value, whereby the presence or absence of the defect 1e on the multilayer film 1 is determined. Will be detected.

【0062】このように電流の積分値を用いて多層フィ
ルム1の良否判定を行うことにより、瞬間的に生じる放
電の影響を無視することができる。上述したように、電
圧印加により多層フィルム1の欠陥を検出しようとする
場合、クラック等の欠陥により発生する放電に加えて、
多層フィルム1の金属膜層1dが導体となって高い電圧
が誘起され、多層フィルム1を貼り合わせる製袋機のフ
レーム等との間に気中放電が発生することがある。この
ような気中放電が発生すると、欠陥のない正常な部分に
高電圧を印加した場合でも、検知される電流値が大きく
なるため、電流の波高値を比較するだけでは、欠陥があ
る場合に流れる放電電流と区別がつかない場合がある。
By thus judging the quality of the multilayer film 1 using the integrated value of the current, the influence of the instantaneous discharge can be neglected. As described above, in the case of detecting a defect of the multilayer film 1 by applying a voltage, in addition to the discharge generated by the defect such as a crack,
The metal film layer 1d of the multilayer film 1 serves as a conductor to induce a high voltage, and an air discharge may occur between the multilayer film 1 and a frame of a bag-making machine for laminating the multilayer film 1. When such an air discharge occurs, even if a high voltage is applied to a normal part with no defect, the detected current value becomes large. It may be indistinguishable from the flowing discharge current.

【0063】そこで、電極間に流れる電流の一定期間の
積分値を算出し、この積分値に基づいて欠陥の有無を判
定することにより、瞬間的に流れる電流の影響を無視す
ることが可能となる。これにより、本実施形態の欠陥検
出装置20では、多層フィルム1の充電電流が増大して
も、また、高電圧印加による単発的,偶発的な気中放電
が生じた場合でも、積分電流判定回路25cで電流の積
分値を算出し、これを所定の判定基準値と比較すること
によって、多層フィルム1の欠陥を確実に検出すること
が可能となる。
Therefore, by calculating the integral value of the current flowing between the electrodes for a certain period and determining the presence / absence of a defect based on this integral value, the influence of the instantaneously flowing current can be ignored. . As a result, in the defect detection device 20 of the present embodiment, even if the charging current of the multilayer film 1 is increased, or even if a single or accidental air discharge occurs due to the high voltage application, the integrated current determination circuit. By calculating the integrated value of the current at 25c and comparing this with a predetermined judgment reference value, it becomes possible to reliably detect the defect of the multilayer film 1.

【0064】さらに、本実施形態の積分電流判定回路2
5cでは、電流計23で検知される電流が最大値に到達
した後、所定時間経過以後の電流の積分値を算出し、こ
れによって多層フィルム1の欠陥の有無を判定するよう
にしてある。図5に示すように、多層フィルム1に欠陥
がない正常時と、欠陥のある異常時とでは、電流が最大
値に到達する時間はほぼ等しく、ほとんど差がない。一
方、電流が最大値に到達した後は、正常な場合には、充
電終了後短時間で電流値が小さくなるのに対し、欠陥が
ある場合には、電流は最大値のまま一定期間継続する。
Furthermore, the integrated current judging circuit 2 of the present embodiment
In 5c, after the current detected by the ammeter 23 reaches the maximum value, the integrated value of the current after a lapse of a predetermined time is calculated, and the presence or absence of a defect in the multilayer film 1 is determined by this. As shown in FIG. 5, the time when the current reaches the maximum value is almost the same when there is no defect in the multilayer film 1 and the time when the defect is abnormal, and there is almost no difference. On the other hand, after the current reaches the maximum value, if it is normal, the current value decreases in a short time after the end of charging, whereas if there is a defect, the current continues at the maximum value for a certain period. .

【0065】そこで、本実施形態の積分電流判定回路2
5では、図5に示すように、充電電流及び放電電流が最
大値に到達して充電が終了した後、一定時間、例えば、
10msec経過した後の積分電流値を算出するように
してある。これによって、正常時と異常時における積分
値の差をより大きくすることができ、両者の判別をより
容易かつ明確に行えるようになる。これにより、図5
(d)に示すように、所定の判定基準値を予め設定して
おき、この判定基準値を超える場合を異常、すなわち多
層フィルム1に欠陥があると判定し、この判定基準値を
超えない場合には正常、すなわち多層フィルム1に欠陥
なしと判定することができる。
Therefore, the integrated current determination circuit 2 of this embodiment
5, as shown in FIG. 5, after the charging current and the discharging current have reached the maximum values and the charging has been completed, for a certain period of time, for example,
The integrated current value after 10 msec has elapsed is calculated. As a result, the difference between the integrated values in the normal state and the abnormal state can be increased, and the two can be discriminated from each other more easily and clearly. As a result, FIG.
As shown in (d), a predetermined judgment reference value is set in advance, and when the judgment reference value is exceeded, it is determined as abnormal, that is, the multilayer film 1 is defective, and when the judgment reference value is not exceeded. Therefore, it can be determined that the multilayer film 1 is normal, that is, the multilayer film 1 has no defect.

【0066】以上のように、本実施形態にかかるフィル
ムの欠陥検出方法及び欠陥検出装置では、良否判定手段
25として積分電流判定回路25cを設けることによ
り、多層フィルム1上の欠陥の有無を、単なる充電電流
の波高値の比較ではなく、一定期間の電流の積分値を算
出,比較することにより判定するようにしてある。すな
わち、電極間に一定期間流れる電流の積分値は、多層フ
ィルム1に欠陥があると、欠陥がない正常の場合と比較
して積分値が大きくなるので、この積分値を比較,判定
することで、電流の波高値によることなく、多層フィル
ム1の欠陥の有無を正確に検出することができる。
As described above, in the film defect detecting method and the defect detecting apparatus according to the present embodiment, by providing the integrated current judging circuit 25c as the quality judging means 25, the presence / absence of the defect on the multilayer film 1 can be simply judged. Instead of comparing the peak values of the charging current, the integrated value of the current for a certain period is calculated and compared to make the determination. That is, when the multilayer film 1 has a defect, the integrated value of the current flowing between the electrodes for a certain period becomes larger than that in the normal case where there is no defect. Therefore, by comparing and determining the integrated value. The presence or absence of defects in the multilayer film 1 can be accurately detected regardless of the peak value of the current.

【0067】これにより、特に多層フィルム1の金属膜
層1dによる充電電流の増大や、単発的,偶発的に生じ
る気中放電によって、電流計23により検知される電流
の波高値ではその区別が困難となる場合でも、電流の積
分値の比較によって多層フィルム1の欠陥を確実に検出
することができ、正確な良否判定を行うことが可能とな
る。特に、充電電流が最大値に到達して充電が終了した
後、一定時間経過後の積分電流値を算出して判定するこ
とにより、単発的,偶発的に発生する気中放電等の影響
を無視することができ、より確実かつ正確な多層フィル
ム1の良否の判定を行うことができる。しかも、本実施
形態では、既存の回路と同様の構成からなる積分電流判
定回路25において充電電流の積分値を算出,判定する
ようにしてあるので、特別な装置や複雑な手段等を別途
必要とすることなく、既存の装置を利用して多層フィル
ム1の良否を正確に判定することができる。
As a result, it is difficult to distinguish the peak value of the current detected by the ammeter 23 due to the increase of the charging current due to the metal film layer 1d of the multilayer film 1 and the aerial and accidental air discharge. Even in such a case, the defects of the multilayer film 1 can be reliably detected by comparing the integrated values of the currents, and accurate pass / fail determination can be performed. Especially, after the charging current reaches the maximum value and charging is completed, the integrated current value after a lapse of a certain time is calculated to make a determination, thereby ignoring the influence of air discharge, etc. that occurs sporadically or accidentally. Therefore, the quality of the multilayer film 1 can be determined more reliably and accurately. Moreover, in the present embodiment, since the integral value of the charging current is calculated and determined by the integral current determining circuit 25 having the same configuration as the existing circuit, a special device, a complicated means, etc. are separately required. Without doing so, the quality of the multilayer film 1 can be accurately determined using the existing device.

【0068】なお、本実施形態の欠陥検出装置20にお
いて、第一実施形態の場合と同様に、電圧印加手段とな
る高電圧電源21について、多層フィルム1への電圧印
加の立上げ時間を遅延させる構成とすることもできる。
このようにすると、高電圧電源21が印加電圧の最大値
までの立上げ時間を遅延させることにより、特に金属膜
層1dを有する多層フィルム1の充電電流を小さくする
ことができ、多層フィルム1の欠陥の有無を充電電流の
積分値に基づいて判定する本実施形態においても、充電
電流の波高値を低くして、放電電流と波高値との差を明
確にすることができ、欠陥検出装置として、より正確な
良否判定を行うことができる。
In the defect detecting apparatus 20 of this embodiment, as in the case of the first embodiment, the rise time of voltage application to the multilayer film 1 is delayed for the high voltage power supply 21 which is the voltage applying means. It can also be configured.
In this way, the high-voltage power supply 21 delays the rise time of the applied voltage up to the maximum value, so that the charging current of the multilayer film 1 having the metal film layer 1d can be particularly reduced, and the multilayer film 1 Also in the present embodiment, which determines the presence or absence of a defect based on the integrated value of the charging current, the peak value of the charging current can be lowered to clarify the difference between the discharge current and the peak value. It is possible to make a more accurate pass / fail judgment.

【0069】[第三実施形態]さらに、本発明にかかる
フィルムの欠陥検出方法及び欠陥検出装置の第三実施形
態について、図6及び図7を参照しつつ説明する。図6
は、本発明の第三実施形態にかかる欠陥検出装置を模式
的に示す概略正面図である。図7は、本実施形態にかか
る欠陥検出方法及び装置で検出される印加電圧値及び印
加電圧低下量の積分値を示すグラフ部である。
[Third Embodiment] A third embodiment of the film defect detection method and the film defect detection apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7. Figure 6
FIG. 4 is a schematic front view schematically showing a defect detection device according to a third embodiment of the present invention. FIG. 7 is a graph part showing the applied voltage value and the integrated value of the applied voltage decrease amount detected by the defect detecting method and apparatus according to the present embodiment.

【0070】図6に示すように、本実施形態にかかるフ
ィルムの欠陥検出方法及び装置は、上述した第一実施形
態の変形実施形態であり、欠陥検出装置20として、高
電圧電源21と電極の間に直列に接続された高耐圧抵抗
器28と、電極の印加電圧の低下量を検知する分圧抵抗
器26a及び検知された電圧低下量を判定する電圧低下
判定回路26を備えることにより、印加電圧の低下量と
積分値を算出,判定することによりフィルムの良否を判
定するようにしたものである。これは、高電圧電源なる
高電圧印加装置21と電極22の間に高耐圧抵抗器28
を直列に接続することにより、充電電流や放電電流が流
れると、電極22にかかる電圧が低下することを利用し
たものである。
As shown in FIG. 6, the film defect detecting method and apparatus according to the present embodiment is a modification of the above-described first embodiment. As the defect detecting apparatus 20, a high voltage power source 21 and an electrode are used. By providing a high withstand voltage resistor 28 connected in series between them, a voltage dividing resistor 26a that detects the amount of decrease in the voltage applied to the electrodes, and a voltage drop determination circuit 26 that determines the detected amount of voltage drop, The quality of the film is determined by calculating and determining the amount of voltage decrease and the integral value. This is a high breakdown voltage resistor 28 between the high voltage applying device 21 which is a high voltage power source and the electrode 22.
It is utilized that the voltage applied to the electrode 22 is reduced when a charging current or a discharging current flows by connecting in series.

【0071】電圧低下判定回路26は、電極22に並列
に接続された分圧抵抗器26aに接続され、この分圧抵
抗器26aの電圧を検知することにより、電極22に印
加される電圧の低下量を検知するとともに、検知された
印加電圧の低下量の積分値を算出するようになってい
る。具体的には、電圧低下判定回路26は、電極の印加
電圧の低下量検知電圧の入力部、電極印加電圧低下量の
積分値を算出する演算部、所定の判定基準値を設定する
設定部、算出された電圧低下量及び/又はその積分値を
判定基準値と比較する比較部を備えるようになっている
(図示省略)。そして、電圧低下量及び/又はその積分
値が、予め設定された所定の判定基準値より大きいとき
に、多層フィルム1に欠陥があるものと判定される。な
お、この電圧低下判定回路26での判定結果について
も、所定の態様で外部に表示等されることになる。
The voltage drop determination circuit 26 is connected to the voltage dividing resistor 26a connected in parallel to the electrode 22, and the voltage applied to the electrode 22 is lowered by detecting the voltage of the voltage dividing resistor 26a. The amount is detected, and the integrated value of the detected amount of decrease in the applied voltage is calculated. Specifically, the voltage drop determination circuit 26 includes an input unit for detecting a drop amount of a voltage applied to an electrode, a calculation unit for calculating an integrated value of a drop amount of an electrode applied voltage, a setting unit for setting a predetermined determination reference value, A comparison unit (not shown) that compares the calculated voltage decrease amount and / or the integrated value thereof with the determination reference value is provided. Then, when the amount of voltage decrease and / or the integrated value thereof is larger than a predetermined determination reference value set in advance, it is determined that the multilayer film 1 has a defect. The determination result of the voltage drop determining circuit 26 is also displayed outside in a predetermined manner.

【0072】以下、印加電圧の低下量を用いた本実施形
態におけるフィルムの良否判定方法について、図6及び
図7を参照しつつ説明する。図7に示すように、多層フ
ィルム1に電圧が印加されると、印加電圧は、フィルム
上に欠陥のない正常な場合、一定の傾斜をもって上昇及
び低下する。これに対し、多層フィルム1上にクラック
等の欠陥がある場合、大きな放電電流が流れることにな
り、これによって印加されている電圧が低下する。その
結果、放電が止まり、再度電圧が上昇して放電電流が流
れる、というように放電の繰り返しが激しく生ずること
になる(図7に示す「異常」参照)。従って、電圧低下
判定回路26において、この印加電圧の低下量及び/又
はその積分値を算出することで、多層フィルム1上の欠
陥の有無を確実に検出することができる。
The film quality determination method in this embodiment using the amount of decrease in the applied voltage will be described below with reference to FIGS. 6 and 7. As shown in FIG. 7, when a voltage is applied to the multilayer film 1, the applied voltage rises and falls with a certain slope in a normal state where there is no defect on the film. On the other hand, if there are defects such as cracks on the multilayer film 1, a large discharge current will flow, and this will reduce the applied voltage. As a result, the discharge stops, the voltage rises again, and the discharge current flows, so that the discharge is repeatedly repeated (see "abnormality" shown in FIG. 7). Therefore, in the voltage drop determination circuit 26, the presence or absence of a defect on the multilayer film 1 can be reliably detected by calculating the amount of decrease in the applied voltage and / or the integrated value thereof.

【0073】具体的には、まず、電圧低下判定回路26
では、分圧抵抗器26aを介して電極22の印加電圧の
低下量とその積分値が算出される。図7に示すように、
電圧が激しく昇降を繰り返す異常時の場合、電圧の昇降
が生じない正常時よりも積分値が大きくなる。従って、
算出された電圧低下量の積分値を比較,判定することに
より、両者を明確に判別することができる。本実施形態
では、図7に示すように、電圧低下判定回路26の図示
しない設定部に所定の判定基準値を設定してあり、検
知、算出された電圧低下量やその積分値が、図示しない
比較部において判定基準値と比較される。そして、比較
の結果、判定基準値を超える場合は「異常」、すなわち
多層フィルム1に欠陥があると判定され、判定基準を超
えない場合は「正常」、すなわち多層フィルム1に欠陥
なしと判定されるようになっている。
Specifically, first, the voltage drop determination circuit 26
Then, the amount of decrease in the voltage applied to the electrode 22 and its integrated value are calculated via the voltage dividing resistor 26a. As shown in FIG.
In an abnormal case where the voltage rises and falls repeatedly, the integrated value becomes larger than in the normal state where the voltage does not rise and fall. Therefore,
Both can be clearly discriminated by comparing and determining the calculated integral values of the voltage drop amount. In the present embodiment, as shown in FIG. 7, a predetermined determination reference value is set in a setting unit (not shown) of the voltage drop determination circuit 26, and the detected and calculated voltage drop amount and its integrated value are not shown. The comparison unit compares the judgment reference value. Then, as a result of the comparison, if the judgment reference value is exceeded, it is judged as "abnormal", that is, the multilayer film 1 has a defect, and if it does not exceed the judgment reference, "normal", that is, it is judged that the multilayer film 1 has no defect. It has become so.

【0074】このように、多層フィルム1に欠陥がある
場合の電圧低下量及びその積分値は、欠陥がない場合の
電圧低下量,積分値と比較して大きくなるので、これに
よって当該多層フィルムの欠陥の有無を判定することが
可能となる。これによって、充電電流の増大や、気中放
電が生じる場合でも、電圧低下判定回路26によって印
加電圧の低下量とその積分値を算出,比較することで、
多層フィルム1の欠陥を確実に検出することができる。
As described above, the voltage drop amount and the integrated value thereof when the multilayer film 1 has a defect are larger than the voltage drop amount and the integrated value when the multilayer film 1 has no defect. It becomes possible to determine the presence or absence of defects. As a result, even when the charging current increases or the air discharge occurs, the voltage drop determination circuit 26 calculates and compares the amount of decrease in the applied voltage and its integrated value,
It is possible to reliably detect a defect in the multilayer film 1.

【0075】以上説明したように、本実施形態にかかる
フィルムの欠陥検出方法及び欠陥検出装置によれば、印
加電圧の低下量を検知,算出する電圧低下判定回路26
を設けることにより、フィルム上の欠陥の有無を、充電
電流の波高値によらず、印加電圧の電圧低下量によって
判定することができ、特に多層フィルム1の金属膜層1
dによる充電電流の増大の影響を受けることなく、正確
な良否判定を行うことができる。これにより、充電電流
の大きさや、偶発的な気中放電による電流の波高値に影
響されることなく、印加電圧の低下量の比較によってフ
ィルムの良否を確実かつ正確な判定することができる。
As described above, according to the film defect detecting method and the defect detecting apparatus of the present embodiment, the voltage drop determining circuit 26 for detecting and calculating the amount of decrease in the applied voltage.
By providing the above, it is possible to determine the presence or absence of a defect on the film by the amount of voltage drop of the applied voltage, not by the peak value of the charging current. In particular, the metal film layer 1 of the multilayer film 1 can be determined.
Accurate quality determination can be performed without being affected by the increase in charging current due to d. As a result, the quality of the film can be reliably and accurately determined by comparing the amount of decrease in the applied voltage without being affected by the magnitude of the charging current and the peak value of the current due to accidental air discharge.

【0076】特に、本実施形態では、印加電圧の低下量
の積分値を算出,比較するようにしてあるので、電圧が
激しく昇降を繰り返す欠陥部分と、そのような電圧の昇
降が生じない正常部分とを、確実に区別でき、より正確
なフィルムの良否の判定が行えるようになる。しかも、
本実施形態では、既存の回路と同様の構成からなる電圧
低下判定回路26により印加電圧の低下量や積分値を算
出,判定するようにしてあるので、特別な装置や複雑な
手段等を別途必要とすることなく、既存の装置を利用し
てフィルムの良否を正確に判定することができる。な
お、本実施形態では、電圧低下判定回路26において、
印加電圧の低下量の検知と、その積分値の算出の双方を
行うようにしてあるが、印加電圧の低下量の波高値を比
較して正常時と異常時の区別が行える場合には、積分値
の算出を省略することができる。
In particular, in this embodiment, since the integrated value of the amount of decrease in the applied voltage is calculated and compared, a defective portion in which the voltage repeatedly rises and falls and a normal portion in which such voltage rise and fall do not occur. And can be reliably distinguished, and a more accurate film quality determination can be performed. Moreover,
In the present embodiment, the voltage drop determination circuit 26 having the same configuration as the existing circuit is used to calculate and determine the amount of reduction of the applied voltage and the integrated value, so that a special device or complicated means is required separately. The quality of the film can be accurately determined using the existing device. In the present embodiment, in the voltage drop determination circuit 26,
Both the detection of the amount of decrease in applied voltage and the calculation of its integrated value are performed.If the peak value of the amount of decrease in applied voltage is compared to distinguish between normal and abnormal conditions, the integration is performed. The calculation of the value can be omitted.

【0077】また、本実施形態の欠陥検出装置20にお
いて、第一実施形態の場合と同様に、電圧印加手段とな
る高電圧電源21が、フィルムへの電圧印加の立上げ時
間を遅延させる構成とすることもできる。このようにす
ると、高電圧電源21が印加電圧の最大値までの立上げ
時間を遅延させることで、特に金属膜層1dを有する多
層フィルム1の充電電流を小さくすることができ、多層
フィルム1の欠陥の有無を印加電圧の電圧低下量に基づ
いて判定する本実施形態においても、充電電流の波高値
を低くして、放電電流と波高値との差を明確にすること
ができるので、電流値と電圧値の両面からの欠陥検出が
行え、より正確な良否判定を行う欠陥検出装置として好
ましい。
Further, in the defect detecting apparatus 20 of the present embodiment, as in the case of the first embodiment, the high voltage power supply 21 as the voltage applying means delays the rise time of voltage application to the film. You can also do it. In this way, the high voltage power supply 21 delays the rise time of the applied voltage up to the maximum value, so that the charging current of the multilayer film 1 having the metal film layer 1d can be particularly reduced, and the multilayer film 1 Also in the present embodiment in which the presence or absence of a defect is determined based on the amount of voltage drop of the applied voltage, the peak value of the charging current can be lowered to clarify the difference between the discharge current and the peak value. It is preferable as a defect detection device that can detect defects from both sides of the voltage value and the voltage value and can perform more accurate defect determination.

【0078】なお、本発明のフィルムの欠陥検出方法及
び装置は、上述した実施形態にのみ限定されるものでは
なく、本発明の要旨の範囲で種々の変更実施が可能であ
ることは言うまでもない。例えば、上述した各実施形態
では、フィルムに注口成形加工が施される場合の欠陥検
出装置を例にとって説明したが、特に注口成形加工の場
合に限定されるものではない。また、上述の各実施形態
では、検査対象として、内層に金属膜層を有する多層フ
ィルムを例にとって説明したが、本発明にかかる欠陥検
出方法及び欠陥検出装置は、金属膜層を有しないフィル
ムに対しても、フィルム上の欠陥の有無を容易かつ確実
に検出でき、正確な良否の判定が行えることは勿論であ
る。
It is needless to say that the film defect detection method and apparatus of the present invention are not limited to the above-mentioned embodiments, and various modifications can be made within the scope of the present invention. For example, in each of the above-described embodiments, the defect detection device when the film is subjected to the spout molding process has been described as an example, but the invention is not particularly limited to the case where the spout molding process is performed. Further, in each of the above-described embodiments, as the inspection target, a multilayer film having a metal film layer as an inner layer has been described as an example, but the defect detection method and the defect detection device according to the present invention are applicable to a film having no metal film layer. As a matter of course, the presence / absence of a defect on the film can be detected easily and surely, and the quality can be accurately determined.

【0079】[0079]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のフィルム
の欠陥検出方法及び欠陥検出装置によれば、印加電圧の
立上げ時間を遅延させ、また、充電電流や電圧低下量の
積分値を求めることにより、特に多層フィルムのフィル
ム内層の金属膜層による充電電流の増加や気中放電によ
る影響をなくすことができる。これにより、金属膜層を
有する多層フィルムの欠陥の有無を容易かつ確実に検
出,判定することができ、特に、注口成形が施される多
層フィルムの欠陥判定に好適となる。
As described above, according to the film defect detecting method and the defect detecting apparatus of the present invention, the rise time of the applied voltage is delayed and the integral value of the charging current and the voltage drop amount is obtained. As a result, it is possible to eliminate the increase in charging current due to the metal film layer of the inner layer of the multilayer film and the influence of air discharge. This makes it possible to easily and surely detect and determine the presence / absence of a defect in the multilayer film having the metal film layer, which is particularly suitable for determining the defect in the multilayer film to be spout-molded.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第一実施形態にかかるフィルムの欠陥
検出装置を示す説明図であり、(a)は本実施形態にか
かる欠陥検出装置を備えたフィルムの注口成形加工装置
を示す概略平面図で、(b)は、(a)における欠陥検
出装置を模式的に示す概略正面図である。
FIG. 1 is an explanatory view showing a film defect detection apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1A is a schematic view showing a film spout molding processing apparatus including the defect detection apparatus according to the present embodiment. In a plan view, (b) is a schematic front view schematically showing the defect detection device in (a).

【図2】本発明の第一実施形態にかかる欠陥検出装置の
電極部分を模式的に示す概略正面図であり、(a)はフ
ィルムに欠陥がない場合、(b)は欠陥がある場合であ
る。
FIG. 2 is a schematic front view schematically showing an electrode portion of the defect detection device according to the first embodiment of the present invention, where (a) shows a case where the film has no defect and (b) shows a case where there is a defect. is there.

【図3】本発明の第二実施形態にかかる欠陥検出装置を
模式的に示す概略正面図である。
FIG. 3 is a schematic front view schematically showing a defect detection device according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第二実施形態にかかる欠陥検出方法及
び装置で検出される印加電圧,充電電流,放電電流及び
積分電流値を示すグラフ部である。
FIG. 4 is a graph part showing applied voltage, charge current, discharge current and integrated current values detected by the defect detecting method and apparatus according to the second embodiment of the present invention.

【図5】図4に示す印加電圧,充電電流,放電電流及び
積分電流値の関係を模式的に示すグラフ図である。
5 is a graph diagram schematically showing the relationship among the applied voltage, the charging current, the discharging current, and the integrated current value shown in FIG.

【図6】本発明の第三実施形態にかかる欠陥検出装置を
模式的に示す概略正面図である。
FIG. 6 is a schematic front view schematically showing the defect detection device according to the third embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第三実施形態にかかる欠陥検出方法及
び装置で検出される印加電圧値及び印加電圧低下量の積
分値を示すグラフ部である。
FIG. 7 is a graph part showing an applied voltage value and an integrated value of an applied voltage decrease amount detected by the defect detecting method and apparatus according to the third embodiment of the present invention.

【図8】注口成形加工が施された多層フィルム製容器の
外観図であり、図8(a)は容器の貼合わせ前の状態
を、図8(b)は容器の完成状態を示している。
FIG. 8 is an external view of a multi-layer film container that has been subjected to a spout molding process. FIG. 8 (a) shows a state before laminating the container, and FIG. 8 (b) shows a completed state of the container. There is.

【図9】図8(b)に示すA−A線断面図である。9 is a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 多層フィルム 2 注口成形部 3 容器 10 注口成形機 20 欠陥検出装置 21 高電圧電源 22 電極 22a 導電性ブラシ電極 22b 金属電極 23 電流計 24 良否判定回路 25 良否判定手段 25c 積分電流判定回路 26 電圧低下判定回路 30 除電部 40 製袋機 1 Multi-layer film 2 Injection molding part 3 containers 10 spout molding machine 20 Defect detection device 21 High voltage power supply 22 electrodes 22a Conductive brush electrode 22b metal electrode 23 Ammeter 24 Pass / fail judgment circuit 25 Pass / fail judgment means 25c Integrated current judgment circuit 26 Voltage drop determination circuit 30 Static eliminator 40 bag making machine

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G060 AA08 AA20 AE01 AF02 AF10 AG11 EA07 EB05 EB06 HC07 HC12 KA11    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 2G060 AA08 AA20 AE01 AF02 AF10                       AG11 EA07 EB05 EB06 HC07                       HC12 KA11

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フィルムの欠陥を検出する方法であっ
て、 前記フィルムの厚み方向に、立上げ時間を遅延させつつ
電圧を印加するとともに、このときに流れる電流が所定
値を超えたときに、前記フィルムに欠陥があるものと判
定することを特徴とするフィルムの欠陥検出方法。
1. A method for detecting a defect in a film, which comprises applying a voltage in a thickness direction of the film while delaying a rise time, and when a current flowing at this time exceeds a predetermined value, A method for detecting a defect in a film, comprising determining that the film has a defect.
【請求項2】 前記所定値を、前記フィルムに欠陥がな
い場合に流れる電流値とした請求項1記載のフィルムの
欠陥検出方法。
2. The film defect detecting method according to claim 1, wherein the predetermined value is a current value flowing when the film has no defect.
【請求項3】 フィルムの欠陥を検出する方法であっ
て、 前記フィルムの厚み方向に電圧を印加するとともに、こ
のときに流れる電流の積分値を算出し、算出した電流の
積分値が所定値を超えたときに、前記フィルムに欠陥が
あるものと判定することを特徴とする多層フィルムの欠
陥検出方法。
3. A method of detecting a defect in a film, comprising applying a voltage in a thickness direction of the film, calculating an integral value of a current flowing at this time, and calculating an integral value of the current to a predetermined value. A method for detecting a defect in a multilayer film, comprising determining that the film has a defect when exceeding the limit.
【請求項4】 前記フィルムに電圧を印加したときに流
れる電流が最大値に到達した後、所定時間経過以後の電
流の積分値を算出する請求項3記載のフィルムの欠陥検
出方法。
4. The film defect detection method according to claim 3, wherein an integrated value of the current after a predetermined time has elapsed is calculated after the current flowing when a voltage is applied to the film reaches a maximum value.
【請求項5】 フィルムの欠陥を検出する方法であっ
て、 前記フィルムの厚み方向に電圧を印加するとともに、こ
の印加電圧の低下量を算出し、算出した電圧低下量が所
定値を超えたときに、前記フィルムに欠陥があるものと
判定することを特徴とするフィルムの欠陥検出方法。
5. A method for detecting a defect in a film, wherein a voltage is applied in a thickness direction of the film, and a decrease amount of the applied voltage is calculated, and when the calculated voltage decrease amount exceeds a predetermined value. In addition, a method for detecting a film defect is characterized in that the film is determined to have a defect.
【請求項6】 前記電圧低下量の積分値を算出し、算出
した電圧低下量の積分値が所定値を超えたときに、前記
フィルムに欠陥があるものと判定する請求項5記載のフ
ィルムの欠陥検出方法。
6. The film according to claim 5, wherein the integrated value of the voltage drop amount is calculated, and when the calculated integrated value of the voltage drop amount exceeds a predetermined value, it is determined that the film has a defect. Defect detection method.
【請求項7】 前記フィルムに、立上げ時間を遅延させ
つつ電圧を印加する3,4,5又は6記載のフィルムの
欠陥検出方法。
7. The film defect detection method according to claim 3, 4, 5 or 6, wherein a voltage is applied to the film while delaying the start-up time.
【請求項8】 フィルムの欠陥を検出する装置であっ
て、 前記フィルムの厚み方向に、立上げ時間を遅延させつつ
電圧を印加する電圧印加手段と、 この電圧印加手段により電圧を印加したときに流れる電
流を検知する電流検知手段と、 この電流検知手段により検知した電流を、予め設定した
所定の判定基準値と比較し、検知した電流が判定基準値
より大きいときに、当該フィルムに欠陥があるものと判
定する良否判定手段と、を備えることを特徴とするフィ
ルムの欠陥検出装置。
8. An apparatus for detecting defects in a film, comprising voltage applying means for applying a voltage in the thickness direction of the film while delaying a rise time, and a voltage applying means for applying a voltage. The current detection means for detecting the flowing current and the current detected by the current detection means are compared with a predetermined determination reference value, and when the detected current is larger than the determination reference value, the film has a defect. A defect detecting apparatus for a film, comprising: a quality determining unit that determines that the film is defective.
【請求項9】 フィルムの欠陥を検出する装置であっ
て、 前記フィルムの厚み方向に電圧を印加する電圧印加手段
と、 この電圧印加手段により電圧を印加したときに流れる電
流を検知する電流検知手段と、 この電流検知手段により検知した電流の積分値を算出す
るとともに、この積分値を、予め設定した所定の判定基
準値と比較し、積分値が判定基準値より大きいときに、
当該フィルムに欠陥があるものと判定する良否判定手段
と、を備えることを特徴とするフィルムの欠陥検出装
置。
9. An apparatus for detecting defects in a film, comprising voltage applying means for applying a voltage in the thickness direction of the film, and current detecting means for detecting a current flowing when the voltage is applied by the voltage applying means. And calculating an integral value of the current detected by the current detecting means, comparing this integral value with a preset predetermined judgment reference value, and when the integral value is larger than the judgment reference value,
A defect detecting device for a film, comprising: a quality determining unit that determines that the film has a defect.
【請求項10】 フィルムの欠陥を検出する装置であっ
て、 前記フィルムの厚み方向に電圧を印加する電圧印加手段
と、 この電圧印加手段で印加された電圧の低下量を検知する
とともに、検知した電圧の低下量を、予め設定した所定
の判定基準値と比較し、電圧の低下量が判定基準値より
大きいときに、当該フィルムに欠陥があるものと判定す
る良否判定手段と、を備えることを特徴とするフィルム
の欠陥検出装置。
10. An apparatus for detecting a defect in a film, comprising: voltage applying means for applying a voltage in the thickness direction of the film; and a decrease amount of the voltage applied by the voltage applying means, and detected. Comparing the amount of decrease in voltage with a predetermined determination reference value set in advance, when the amount of decrease in voltage is larger than the determination reference value, it is determined whether the film has a defect determination means, Characteristic film defect detection device.
【請求項11】 前記良否判定手段が、検知した電圧の
低下量の積分値を算出するとともに、この積分値を、予
め設定した所定の判定基準値と比較し、積分値が判定基
準値より大きいときに、当該フィルムに欠陥があるもの
と判定する請求項10記載のフィルムの欠陥検出装置。
11. The quality determining means calculates an integrated value of the detected voltage drop amount and compares the integrated value with a preset predetermined determination reference value, and the integrated value is larger than the determination reference value. 11. The film defect detection device according to claim 10, wherein it is sometimes determined that the film has a defect.
【請求項12】 前記電圧印加手段が、前記フィルムの
厚み方向に、立上げ時間を遅延させつつ電圧を印加する
請求項9,10又は11記載のフィルムの欠陥検出装
置。
12. The film defect detection device according to claim 9, 10 or 11, wherein said voltage application means applies a voltage in the thickness direction of said film while delaying the rise time.
【請求項13】 前記電圧印加手段に備えられる一対の
電極のうち、少なくとも一方の電極を、導電性ブラシ電
極とした請求項8,9,10,11又は12記載のフィ
ルムの欠陥検出装置。
13. The film defect detection device according to claim 8, 9, 10, 11 or 12, wherein at least one of the pair of electrodes provided in the voltage applying means is a conductive brush electrode.
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