JP2003071258A - 多孔質基板 - Google Patents
多孔質基板Info
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- JP2003071258A JP2003071258A JP2001269301A JP2001269301A JP2003071258A JP 2003071258 A JP2003071258 A JP 2003071258A JP 2001269301 A JP2001269301 A JP 2001269301A JP 2001269301 A JP2001269301 A JP 2001269301A JP 2003071258 A JP2003071258 A JP 2003071258A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】膜厚が薄くともピンホール等のない膜部が形成
できる気体分離膜用の多孔質基板を提供するものであ
る。 【解決手段】混合ガスから特定のガスを選択的に透過さ
せる気体分離膜に用いられる膜部を支持する多孔質基板
であって、この多孔質基板は多孔質セラミックスあるい
は多孔質ガラスからなり、その表面粗さがＲａで膜部の
厚さの値の１／１０以下であることを特徴とする多孔質
基板である。
できる気体分離膜用の多孔質基板を提供するものであ
る。 【解決手段】混合ガスから特定のガスを選択的に透過さ
せる気体分離膜に用いられる膜部を支持する多孔質基板
であって、この多孔質基板は多孔質セラミックスあるい
は多孔質ガラスからなり、その表面粗さがＲａで膜部の
厚さの値の１／１０以下であることを特徴とする多孔質
基板である。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多孔質基板に係わ
り、特に気体分離膜に用いられる膜部を支持する多孔質
基板に関する。
り、特に気体分離膜に用いられる膜部を支持する多孔質
基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】水素混合ガスから高純度の水素ガスを分
離し回収する手段として、水素を選択的に透過させるＰ
ｄ系金属膜を使用する方法が既に実用化されている。Ｐ
ｄ及びその合金膜が示す水素選択透過現象は、水素混合
ガス中の水素分子がＰｄ膜に吸着されて原子状態にな
り、さらに、イオン化し膜の反対側に拡散して再結合
し、再び水素分子になるために起こるとされている。水
素の透過量は次式（１）に示されるように膜厚ｔに反比
例するためＰｄ系膜の膜厚ｔが薄くなれば水素の透過量
Ｑを大きくすることができる。
離し回収する手段として、水素を選択的に透過させるＰ
ｄ系金属膜を使用する方法が既に実用化されている。Ｐ
ｄ及びその合金膜が示す水素選択透過現象は、水素混合
ガス中の水素分子がＰｄ膜に吸着されて原子状態にな
り、さらに、イオン化し膜の反対側に拡散して再結合
し、再び水素分子になるために起こるとされている。水
素の透過量は次式（１）に示されるように膜厚ｔに反比
例するためＰｄ系膜の膜厚ｔが薄くなれば水素の透過量
Ｑを大きくすることができる。
【０００３】
【数１】
ここで、Ａ、Ｂは定数、△Ｐは圧力差、Ｔは絶対温度、
Ｒはガス定数である。
Ｒはガス定数である。
【０００４】このように膜厚を薄くすることは、水素透
過量を大きくするのに有効であるだけでなく、高価なＰ
ｄ材料を減らすことからも好ましい。しかしながら、Ｐ
ｄ等の金属膜を単独で薄くするには、その強度の関係か
ら限界があり、そのためにこれまでにＰｄ系金属膜を保
持するための次のような様々な多孔質基板が検討されて
きた。金属製の多孔質基板で基板材料からＰｄ膜への金
属拡散を防止するために表面層を酸化させたもの、柱状
構造膜を中間層として取り入れたもの（特開平１０−２
９７９０６号）、多孔質基板の平均細孔径と水素分離膜
の厚みを最適化したもの（特開２０００−３１７２８２
号）、複数の水素流通孔を有する金属補強板を重ねた金
属多孔質支持体に関するもの（特開平９−２５５３０６
号）等の検討がされたが、いずれも十分な効果が得られ
なかった。
過量を大きくするのに有効であるだけでなく、高価なＰ
ｄ材料を減らすことからも好ましい。しかしながら、Ｐ
ｄ等の金属膜を単独で薄くするには、その強度の関係か
ら限界があり、そのためにこれまでにＰｄ系金属膜を保
持するための次のような様々な多孔質基板が検討されて
きた。金属製の多孔質基板で基板材料からＰｄ膜への金
属拡散を防止するために表面層を酸化させたもの、柱状
構造膜を中間層として取り入れたもの（特開平１０−２
９７９０６号）、多孔質基板の平均細孔径と水素分離膜
の厚みを最適化したもの（特開２０００−３１７２８２
号）、複数の水素流通孔を有する金属補強板を重ねた金
属多孔質支持体に関するもの（特開平９−２５５３０６
号）等の検討がされたが、いずれも十分な効果が得られ
なかった。
【０００５】また、シリカやゼオライトからなるＣＯ２
分離膜についても同様に膜の厚みを薄くすることによっ
て気体の透過量が多くなる。
分離膜についても同様に膜の厚みを薄くすることによっ
て気体の透過量が多くなる。
【０００６】また、水素分離膜やＣＯ２分離膜等の気体
分離膜は、分離機構が異なっていても、気体の透過量は
ほとんどその膜厚に依存する。それ故、膜厚をできるだ
け薄くすることが望まれており、従来の多孔質基板で
は、基板となる多孔体の細孔径を制御しているが、その
粗さを十分に制御できないため、この基板に表面粗さ
（凹凸）が存在し、膜厚が数μｍ以下ではピンホール等
のない膜部を形成することは不可能であった。
分離膜は、分離機構が異なっていても、気体の透過量は
ほとんどその膜厚に依存する。それ故、膜厚をできるだ
け薄くすることが望まれており、従来の多孔質基板で
は、基板となる多孔体の細孔径を制御しているが、その
粗さを十分に制御できないため、この基板に表面粗さ
（凹凸）が存在し、膜厚が数μｍ以下ではピンホール等
のない膜部を形成することは不可能であった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで、膜厚が薄くと
もピンホール等のない膜部が形成できる気体分離膜用の
多孔質基板が要望されていた。本発明は上述した事情を
考慮してなされたもので、膜厚が薄くともピンホール等
のない膜部が形成できる気体分離膜用の多孔質基板を提
供することを目的とする。
もピンホール等のない膜部が形成できる気体分離膜用の
多孔質基板が要望されていた。本発明は上述した事情を
考慮してなされたもので、膜厚が薄くともピンホール等
のない膜部が形成できる気体分離膜用の多孔質基板を提
供することを目的とする。
【０００８】本発明者らは上記課題に鑑み、膜厚と多孔
質基板の関係について基板の孔径のみではなく、基板の
表面粗さについても鋭意検討し、基板の孔径と表面粗さ
をコントロールすることで薄くてもピンホール等のない
無欠陥の膜部ができることを見出した。本発明はかかる
知見に基づくものである。
質基板の関係について基板の孔径のみではなく、基板の
表面粗さについても鋭意検討し、基板の孔径と表面粗さ
をコントロールすることで薄くてもピンホール等のない
無欠陥の膜部ができることを見出した。本発明はかかる
知見に基づくものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の１つの態様によれば、混合ガスから特定の
ガスを選択的に透過させる気体分離膜に用いられる膜部
を支持する多孔質基板であって、この多孔質基板は多孔
質セラミックスあるいは多孔質ガラスからなり、その表
面粗さがＲａで前記膜部の厚さの値の１／１０以下であ
ることを特徴とする多孔質基板が提供される。これによ
り、気体分離膜の膜部を薄くしてもピンホール等のない
気体分離膜を製造できる。
め、本発明の１つの態様によれば、混合ガスから特定の
ガスを選択的に透過させる気体分離膜に用いられる膜部
を支持する多孔質基板であって、この多孔質基板は多孔
質セラミックスあるいは多孔質ガラスからなり、その表
面粗さがＲａで前記膜部の厚さの値の１／１０以下であ
ることを特徴とする多孔質基板が提供される。これによ
り、気体分離膜の膜部を薄くしてもピンホール等のない
気体分離膜を製造できる。
【００１０】好適な一例では、上記多孔質基板は、その
表面を構成する粒子が球状の均一粒子からなり、その平
均粒子径が０．５μｍ以下の単一粒子で構成され、か
つ、前記表面が研磨された状態である。また、他の好適
な一例では、上記多孔質基板は、数μｍ以下の表面構成
粒子の粒間を、その粒間より小さい球状粒子で埋めた複
合球状粒子で構成された表面を有する。これにより、表
面粗さがＲａで膜部の厚さの値の１／１０以下である多
孔質板を製造できる。
表面を構成する粒子が球状の均一粒子からなり、その平
均粒子径が０．５μｍ以下の単一粒子で構成され、か
つ、前記表面が研磨された状態である。また、他の好適
な一例では、上記多孔質基板は、数μｍ以下の表面構成
粒子の粒間を、その粒間より小さい球状粒子で埋めた複
合球状粒子で構成された表面を有する。これにより、表
面粗さがＲａで膜部の厚さの値の１／１０以下である多
孔質板を製造できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明に係わる多孔質基板の一実
施の形態について図面を参照し水素分離膜に用いた例で
説明する。
施の形態について図面を参照し水素分離膜に用いた例で
説明する。
【００１２】図１は本発明に係わる多孔質基板を用いた
水素分離膜の概念図である。
水素分離膜の概念図である。
【００１３】図１に示すように、気体分離膜、例えば、
水素分離膜１は、本発明に係わる多孔質基板２と、この
多孔質基板２の表面２ｃに形成された膜部、例えば、水
素透過性の膜部３とからなっている。
水素分離膜１は、本発明に係わる多孔質基板２と、この
多孔質基板２の表面２ｃに形成された膜部、例えば、水
素透過性の膜部３とからなっている。
【００１４】上記多孔質基板２は、多孔質セラミックス
または多孔質ガラス、例えば、アルミナからなり、基部
層２ａと、この基部層２ａ上に形成された第１層２ｂか
らなっている。
または多孔質ガラス、例えば、アルミナからなり、基部
層２ａと、この基部層２ａ上に形成された第１層２ｂか
らなっている。
【００１５】基部層２ａは、例えば、♯６０以下のアル
ミナ造粒粉を焼成して形成される平均粒径が約２０μｍ
の球状均一アルミナ粒子で形成され、多数に気孔を有し
平板状をなしている。
ミナ造粒粉を焼成して形成される平均粒径が約２０μｍ
の球状均一アルミナ粒子で形成され、多数に気孔を有し
平板状をなしている。
【００１６】また、第１層２ｂは、例えば、平均粒径が
約０．５μｍ以下の球状アルミナで形成され、多数の気
孔を有している。この平均粒径が０．５μｍを超える
と、平坦な表面を得ることができず、表面に薄く蒸着さ
れた膜部にはピンホールが生じるため、膜部を薄くする
ことができない。
約０．５μｍ以下の球状アルミナで形成され、多数の気
孔を有している。この平均粒径が０．５μｍを超える
と、平坦な表面を得ることができず、表面に薄く蒸着さ
れた膜部にはピンホールが生じるため、膜部を薄くする
ことができない。
【００１７】さらに、第１層２ｂの表面２ｃは、表面粗
さが、Ｒａで膜部３の厚さの値の１／１０以下、例え
ば、約０．５μｍになっている。この厚さの値の１／１
０を超えると、表面に薄く蒸着された膜部にはピンホー
ルが生じるため、膜部を薄くすることができない。
さが、Ｒａで膜部３の厚さの値の１／１０以下、例え
ば、約０．５μｍになっている。この厚さの値の１／１
０を超えると、表面に薄く蒸着された膜部にはピンホー
ルが生じるため、膜部を薄くすることができない。
【００１８】上記膜部３は、例えば、厚さが約５μｍの
Ｐｄ膜からなり、第１層２ｂの表面２ｃに蒸着されてい
る。
Ｐｄ膜からなり、第１層２ｂの表面２ｃに蒸着されてい
る。
【００１９】次に本発明に係わる多孔質基板の製造方法
について、図３に示す製造フロー図に従って説明する。
について、図３に示す製造フロー図に従って説明する。
【００２０】所定平均粒径の球状アルミナをＰＶＡ（ポ
リビニルアルコール）で造粒し、♯６０以下の造粒粉を
製造する（ＳＴ１）。
リビニルアルコール）で造粒し、♯６０以下の造粒粉を
製造する（ＳＴ１）。
【００２１】この造粒粉を金型プレスで成形し、例え
ば、平板形状の成形体を製造する（ＳＴ２）。
ば、平板形状の成形体を製造する（ＳＴ２）。
【００２２】この成形体を所定の温度、時間、例えば、
１３００℃で２時間焼成し、基部層を製造する（ＳＴ
３）。
１３００℃で２時間焼成し、基部層を製造する（ＳＴ
３）。
【００２３】得られた焼成体（基部層）の表面に上記同
様の所定平均粒径の球状アルミナを所定重量比含むＰＶ
Ａの分散スラリを塗布する（ＳＴ４）。
様の所定平均粒径の球状アルミナを所定重量比含むＰＶ
Ａの分散スラリを塗布する（ＳＴ４）。
【００２４】分散スラリに分散されたアルミナ粒子は、
基部層の造粒粉間の凹部に流れ込み、基部層の表面に存
在する凹部は全て塞がれる状態になる。
基部層の造粒粉間の凹部に流れ込み、基部層の表面に存
在する凹部は全て塞がれる状態になる。
【００２５】この分散スラリが塗布された焼成体を所定
の温度、時間、例えば、１２００℃で２時間焼成し、基
部層上に第１層を形成する（ＳＴ５）。
の温度、時間、例えば、１２００℃で２時間焼成し、基
部層上に第１層を形成する（ＳＴ５）。
【００２６】第１層の表面に存在するアルミナ粒子は、
ＳＴ３の成形体の焼成温度より１００℃ほど低い温度で
焼成されているため、結合力が弱い。
ＳＴ３の成形体の焼成温度より１００℃ほど低い温度で
焼成されているため、結合力が弱い。
【００２７】この第１層の表面を研磨布等により研磨す
る（削り落とす）（ＳＴ６）。
る（削り落とす）（ＳＴ６）。
【００２８】ＳＴ５で第１層の表面に焼結されたアルミ
ナ粒子は、その結合力が弱いため、研磨によって表面は
平坦に研磨される。
ナ粒子は、その結合力が弱いため、研磨によって表面は
平坦に研磨される。
【００２９】さらに、研磨後の焼成体を所定の温度、時
間、例えば、１３００℃で２時間焼成する（ＳＴ７）。
間、例えば、１３００℃で２時間焼成する（ＳＴ７）。
【００３０】このような製造工程を経て、表面が球状の
均一粒子で形成され表面粗さがＲａで膜部の厚さの値の
１／１０以下である多孔質板を製造することができる。
均一粒子で形成され表面粗さがＲａで膜部の厚さの値の
１／１０以下である多孔質板を製造することができる。
【００３１】次に他の実施形態について説明する。
【００３２】図２は本発明に係わる他の実施形態の多孔
質基板を用いた水素分離膜の概念図である。
質基板を用いた水素分離膜の概念図である。
【００３３】図２に示すように、水素気体分離膜１１
は、本実施形態の多孔質基板１２と、この多孔質基板１
２の表面１２ｃに形成された水素透過性の膜部１３とか
らなっている。
は、本実施形態の多孔質基板１２と、この多孔質基板１
２の表面１２ｃに形成された水素透過性の膜部１３とか
らなっている。
【００３４】上記多孔質基板１２は、アルミナからな
り、基部層１２ａと、この基部層１２ａ上に形成された
第１層１２ｂと、この第１層１２ｂ上に形成された第２
層１２ｄとからなっている。
り、基部層１２ａと、この基部層１２ａ上に形成された
第１層１２ｂと、この第１層１２ｂ上に形成された第２
層１２ｄとからなっている。
【００３５】基部層１２ａは、上述した実施形態の基部
層と同様の構造をなしている。
層と同様の構造をなしている。
【００３６】第１層１２ｂは、その表面が上述した実施
形態のＳＴ５で焼成さてたと同じ状態（ＳＴ６の研磨工
程前の状態）にあり、平均粒径が約０．５μｍ以下の球
状アルミナで形成されているが、表面粗さがＲａで膜部
１３の厚さの値の１／１０以下、例えば、約０．５μｍ
にはなっていない。
形態のＳＴ５で焼成さてたと同じ状態（ＳＴ６の研磨工
程前の状態）にあり、平均粒径が約０．５μｍ以下の球
状アルミナで形成されているが、表面粗さがＲａで膜部
１３の厚さの値の１／１０以下、例えば、約０．５μｍ
にはなっていない。
【００３７】また、第２層１２ｄは、平均粒径が０．０
１μｍ程度のアルミナ微細粒子からなっており、基部層
１２ａの表面の粒子間の凹部を塞ぐように形成され、表
面１２ｃは複合球状粒子で構成されている。この複合球
状粒子構成により、表面１２ｄの表面粗さがＲａで膜部
１３の厚さの値の１／１０以下、例えば、約０．５μｍ
になっている。
１μｍ程度のアルミナ微細粒子からなっており、基部層
１２ａの表面の粒子間の凹部を塞ぐように形成され、表
面１２ｃは複合球状粒子で構成されている。この複合球
状粒子構成により、表面１２ｄの表面粗さがＲａで膜部
１３の厚さの値の１／１０以下、例えば、約０．５μｍ
になっている。
【００３８】さらに、本実施形態の多孔質基板の製造方
法について、図４に示す製造工程フロー図に従って説明
する。
法について、図４に示す製造工程フロー図に従って説明
する。
【００３９】上述した実施形態の製造方法におけるＳＴ
１乃至ＳＴ５と同様の工程により、基部層上に平均粒径
が約０．５μｍ以下の球状アルミナからなる第１層で形
成された焼成体が製造される（ＳＴ１１〜ＳＴ１５）。
１乃至ＳＴ５と同様の工程により、基部層上に平均粒径
が約０．５μｍ以下の球状アルミナからなる第１層で形
成された焼成体が製造される（ＳＴ１１〜ＳＴ１５）。
【００４０】さらに、この焼成体の第１層の表面に、Ｐ
ＶＡに平均粒径が０．０１μｍ程度の微細なアルミナ球
状粒子をスラリ分散させたスラリを、塗布する（ＳＴ１
６）。
ＶＡに平均粒径が０．０１μｍ程度の微細なアルミナ球
状粒子をスラリ分散させたスラリを、塗布する（ＳＴ１
６）。
【００４１】スラリが塗布された焼成体を所定の温度、
時間、例えば、１０００℃で２時間焼成する（ＳＴ１
７）。
時間、例えば、１０００℃で２時間焼成する（ＳＴ１
７）。
【００４２】このような製造工程を経て、表面が微細な
球状の均一粒子で形成され表面粗さがＲａで膜部の厚さ
の値の１／１０以下である多孔質板を製造することがで
きる。
球状の均一粒子で形成され表面粗さがＲａで膜部の厚さ
の値の１／１０以下である多孔質板を製造することがで
きる。
【００４３】従って、上述した各実施形態で説明したよ
うに、本発明に係わる多孔質板は、表面粗さがＲａで膜
部の厚さの値の１／１０以下であり、これを用いれば、
水素気体分離膜の膜部を薄くしてもピンホール等のない
水素気体分離膜を製造することができる。
うに、本発明に係わる多孔質板は、表面粗さがＲａで膜
部の厚さの値の１／１０以下であり、これを用いれば、
水素気体分離膜の膜部を薄くしてもピンホール等のない
水素気体分離膜を製造することができる。
【００４４】なお、上述した各実施形態においては、水
素分離膜に用いた例で説明したが、本発明に係わる多孔
質基板は、ＣＯ２分離膜その他のガス分離膜用として使
用できる。
素分離膜に用いた例で説明したが、本発明に係わる多孔
質基板は、ＣＯ２分離膜その他のガス分離膜用として使
用できる。
【００４５】
【実施例】（実施例） 平均粒子径０．５μｍの住友化
学社製の球状アルミナ（スミコランダム）をＰＶＡで造
粒し、♯６０以下の造粒粉を得た。この造粒粉を金型プ
レスで成形し、外径３０ｍｍ、厚さ３ｍｍの成形体を作
製した。この成形体大気中１３００℃で２時間焼成し多
孔質基板を得た。この多孔質基板の表面は造粒粉より成
形されているため、表面には多数の数μｍを越える凹凸
が存在する。この多孔質基板表面に上記の球状アルミナ
を１０重量％含む（ＰＶＡ２重量％）分散スラリーを塗
布する。分散されたアルミナ粒子は造粒粉間の凹部に流
れ込み、多孔質基板表面に存在した凹部は全て塞がれた
状態になる。このまま、大気中１２００℃で２時間焼成
する。多孔質基板表面に存在するアルミナ粒子は基板の
焼成温度より１００℃ほど低い温度で焼成されているた
め、結合力が弱い。従って、この表面粒子を研磨布等を
用いて削き落とす（研磨する）と、光沢を帯びて表面が
非常に整った高平坦な多孔質基板が得られる。この研磨
作業後、再度１２００℃、あるいは１３００℃で再焼成
させて多孔質基板を得た。
学社製の球状アルミナ（スミコランダム）をＰＶＡで造
粒し、♯６０以下の造粒粉を得た。この造粒粉を金型プ
レスで成形し、外径３０ｍｍ、厚さ３ｍｍの成形体を作
製した。この成形体大気中１３００℃で２時間焼成し多
孔質基板を得た。この多孔質基板の表面は造粒粉より成
形されているため、表面には多数の数μｍを越える凹凸
が存在する。この多孔質基板表面に上記の球状アルミナ
を１０重量％含む（ＰＶＡ２重量％）分散スラリーを塗
布する。分散されたアルミナ粒子は造粒粉間の凹部に流
れ込み、多孔質基板表面に存在した凹部は全て塞がれた
状態になる。このまま、大気中１２００℃で２時間焼成
する。多孔質基板表面に存在するアルミナ粒子は基板の
焼成温度より１００℃ほど低い温度で焼成されているた
め、結合力が弱い。従って、この表面粒子を研磨布等を
用いて削き落とす（研磨する）と、光沢を帯びて表面が
非常に整った高平坦な多孔質基板が得られる。この研磨
作業後、再度１２００℃、あるいは１３００℃で再焼成
させて多孔質基板を得た。
【００４６】上記多孔質基板の表面粗さを原子間力顕微
鏡で測定したところＲａは０．１３μｍであった。
鏡で測定したところＲａは０．１３μｍであった。
【００４７】本基板上にＰｄ膜を真空蒸着し、膜厚５μ
ｍの水素分離膜を試作したところ、実用膜として十分な
性能を得た。
ｍの水素分離膜を試作したところ、実用膜として十分な
性能を得た。
【００４８】（比較例） 平均粒子径０．５μｍの住友
化学社製の球状アルミナ（スミコランダム）をＰＶＡで
造粒し、♯６０以下の造粒粉を得た。この造粒粉を金型
プレスで成形し、外径３０ｍｍ、厚み３ｍｍの成形体を
作製した。この成形体を大気中１３００℃で２時間焼成
し多孔質基板を得た。上記多孔質基板の平均細孔径を測
定したところ０．２μｍであった。本基板上にＰｄ膜を
真空蒸着し、膜厚５μｍの水素分離膜を試作したとこ
ろ、ピンホールが発生し、実用膜としての性能を得られ
なかった。
化学社製の球状アルミナ（スミコランダム）をＰＶＡで
造粒し、♯６０以下の造粒粉を得た。この造粒粉を金型
プレスで成形し、外径３０ｍｍ、厚み３ｍｍの成形体を
作製した。この成形体を大気中１３００℃で２時間焼成
し多孔質基板を得た。上記多孔質基板の平均細孔径を測
定したところ０．２μｍであった。本基板上にＰｄ膜を
真空蒸着し、膜厚５μｍの水素分離膜を試作したとこ
ろ、ピンホールが発生し、実用膜としての性能を得られ
なかった。
【００４９】
【発明の効果】本発明に係わる多孔質基板によれば、膜
厚が薄くともピンホール等のない膜部が形成できる気体
分離膜用の多孔質基板を提供することができる。
厚が薄くともピンホール等のない膜部が形成できる気体
分離膜用の多孔質基板を提供することができる。
【図１】本発明に係わる多孔質基板を水素分離膜に用い
た実施形態を示す概念図。
た実施形態を示す概念図。
【図２】本発明に係わる多孔質基板を水素分離膜に用い
た他の実施形態を示す概念図。
た他の実施形態を示す概念図。
【図３】本発明に係わる多孔質基板の実施形態の製造フ
ロー図。
ロー図。
【図４】本発明に係わる多孔質基板の他の実施形態の製
造フロー図。
造フロー図。
１ 水素気体分離膜
２ 多孔質基板
２ａ 基部層
２ｂ 第１層
２ｃ 表面
３ 水素透過性膜
１１ 水素気体分離膜
１２ 多孔質基板
１２ａ 基部層
１２ｂ 第１層
１２ｃ 表面
１２ｄ 第２層
１３ 水素透過性膜
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(72)発明者 上本 英雄
神奈川県秦野市曽屋30番地 東芝セラミッ
クス株式会社開発研究所内
Ｆターム(参考） 4D006 GA41 MA03 MA09 MC02X
MC03X MC04X NA31 NA39
NA45 NA46 PA01 PB18 PB66
4G019 FA11
Claims (3)
- 【請求項１】 混合ガスから特定のガスを選択的に透過
させる気体分離膜に用いられる膜部を支持する多孔質基
板であって、この多孔質基板は多孔質セラミックスある
いは多孔質ガラスからなり、その表面粗さがＲａで前記
膜部の厚さの値の１／１０以下であることを特徴とする
多孔質基板。 - 【請求項２】 上記多孔質基板は、その表面を構成する
粒子が球状の均一粒子からなり、その平均粒子径が０．
５μｍ以下の単一粒子で構成され、かつ、前記表面が研
磨された状態であることを特徴とする請求項１に記載の
多孔質基板。 - 【請求項３】 上記多孔質基板は、数μｍ以下の表面構
成粒子の粒間を、その粒間より小さい球状粒子で埋めた
複合球状粒子で構成された表面を有することを特徴とす
る請求項１に記載の多孔質基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001269301A JP2003071258A (ja) | 2001-09-05 | 2001-09-05 | 多孔質基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001269301A JP2003071258A (ja) | 2001-09-05 | 2001-09-05 | 多孔質基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003071258A true JP2003071258A (ja) | 2003-03-11 |
Family
ID=19095147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001269301A Pending JP2003071258A (ja) | 2001-09-05 | 2001-09-05 | 多孔質基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003071258A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005087356A1 (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-22 | Bussan Nanotech Research Institute, Inc. | 分離膜 |
| JP2006239679A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-09-14 | Ngk Insulators Ltd | 水素分離体及びその製造方法 |
| JP2009125632A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Ngk Insulators Ltd | ガス分離体及びその製造方法 |
| ES2326573A1 (es) * | 2006-11-24 | 2009-10-14 | Ortronic Technology, S.L. | Sistema de climatizacion de edificios. |
| WO2010096988A1 (zh) * | 2009-02-26 | 2010-09-02 | 南京工业大学 | 一种制备负载型钯或钯合金膜的方法 |
-
2001
- 2001-09-05 JP JP2001269301A patent/JP2003071258A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005087356A1 (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-22 | Bussan Nanotech Research Institute, Inc. | 分離膜 |
| JP2006239679A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-09-14 | Ngk Insulators Ltd | 水素分離体及びその製造方法 |
| ES2326573A1 (es) * | 2006-11-24 | 2009-10-14 | Ortronic Technology, S.L. | Sistema de climatizacion de edificios. |
| JP2009125632A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Ngk Insulators Ltd | ガス分離体及びその製造方法 |
| WO2010096988A1 (zh) * | 2009-02-26 | 2010-09-02 | 南京工业大学 | 一种制备负载型钯或钯合金膜的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
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