JP2003059660A - Manufacturing method of self-luminescence display - Google Patents

Manufacturing method of self-luminescence display

Info

Publication number
JP2003059660A
JP2003059660A JP2001248091A JP2001248091A JP2003059660A JP 2003059660 A JP2003059660 A JP 2003059660A JP 2001248091 A JP2001248091 A JP 2001248091A JP 2001248091 A JP2001248091 A JP 2001248091A JP 2003059660 A JP2003059660 A JP 2003059660A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lower electrode
light emitting
display device
self
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001248091A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akio Suzuki
昭夫 鈴木
Ikuo Matsunaga
郁夫 松永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2001248091A priority Critical patent/JP2003059660A/en
Publication of JP2003059660A publication Critical patent/JP2003059660A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a self-luminescence display device that is capable of displaying a high resolution image and improving the display quality. SOLUTION: The manufacturing method of an organic EL display device, in which a display element pinching a luminous layer between a pair of electrodes is arranged in a matrix-shape on the substrate, comprises a process of forming a lower electrode 62 independently for each display element and a process of forming a luminous layer by impressing prescribed voltage on the nozzle 82 for injecting a liquid-droplet 84 of the luminous material and the lower electrode 62 respectively, and injecting toward the lower electrode 62 while keeping the liquid-drop 84 from the nozzle 82 in charged state in the prescribed potential.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、自己発光型表示
装置の製造方法に係り、特に、各表示素子にスイッチン
グ素子が設けられたアクティブマトリクス型自己発光型
表示装置の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a self-luminous display device, and more particularly to a method for manufacturing an active matrix self-luminous display device in which each display element is provided with a switching element.

【0002】[0002]

【従来の技術】有機EL表示装置は、液晶表示装置と比
較して、高速応答、広視野角、薄型軽量といった特徴を
有する自己発光型表示装置である。有機EL表示装置に
おいては、支持基板、例えばガラス基板上に、走査線、
走査線に直交するように配置された信号線、走査線と信
号線との交点付近に配置されたスイッチング素子として
の画素TFT、画素TFTに接続されマトリクス状に配
置された表示素子などを有し、各表示素子からのEL発
光により文字や画像を表示させている。
2. Description of the Related Art An organic EL display device is a self-luminous display device having characteristics such as high speed response, wide viewing angle, and thin and light weight as compared with a liquid crystal display device. In the organic EL display device, a scanning line, a scanning line,
It has a signal line arranged orthogonal to the scanning line, a pixel TFT as a switching element arranged near the intersection of the scanning line and the signal line, a display element connected to the pixel TFT and arranged in a matrix. Characters and images are displayed by EL emission from each display element.

【0003】表示素子は、支持基板側に配置される下部
電極と、下部電極上に配置される発光層と、発光層上に
配置される上部電極とによって構成される。このような
表示素子は、例えば各色毎にストライプ状に形成され
る。
The display element is composed of a lower electrode arranged on the support substrate side, a light emitting layer arranged on the lower electrode, and an upper electrode arranged on the light emitting layer. Such a display element is formed in a stripe shape for each color, for example.

【0004】このような有機EL表示装置において、小
型且つ高精細な表示デバイスを実現するためには、画素
サイズ及び画素ピッチをできるだけ小さくする必要があ
る。発光層としては、低分子材料や、高分子材料が用い
られる。低分子材料を用いた発光層は、主に、蒸着法に
よって形成される。また、高分子材料を用いた発光層
は、高精細化に適したインクジェット方式によって形成
されることが多い。
In such an organic EL display device, in order to realize a small and high-definition display device, it is necessary to make the pixel size and the pixel pitch as small as possible. A low molecular weight material or a high molecular weight material is used for the light emitting layer. The light emitting layer using a low molecular weight material is mainly formed by a vapor deposition method. A light emitting layer using a polymer material is often formed by an inkjet method suitable for high definition.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】高分子材料の発光層を
インクジェット方式によって形成する場合、ノズルから
吐出される発光材料の液滴を目標部(下部電極上)に正
確に塗布するために、液滴離れを向上するための工夫が
なされている。
When a light emitting layer made of a polymer material is formed by an ink jet method, in order to accurately apply a droplet of the light emitting material discharged from a nozzle to a target portion (on the lower electrode), Ingenuity has been made to improve drop separation.

【0006】しかしながら、液滴がノズルから離れた
後、目標部の塗布面に到着するまでの間の飛行軌道にお
ける曲がり等のバラツキは制御されていない。このた
め、複数の色の発光材料を塗布する場合、隣接する表示
素子間の発光層で混色が発生し、表示品位を著しく低下
させるおそれがある。
However, variations such as bending in the flight trajectory after the droplet leaves the nozzle until it reaches the coating surface of the target portion are not controlled. Therefore, when the light emitting materials of a plurality of colors are applied, color mixing may occur in the light emitting layer between the adjacent display elements, and the display quality may be significantly deteriorated.

【0007】この発明は、上述した問題点に鑑みなされ
たものであって、その目的は、高精細な画像を表示可能
であるとともに、表示品位を向上することが可能な自己
発光型表示装置の製造方法を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is to provide a self-luminous display device capable of displaying a high-definition image and improving display quality. It is to provide a manufacturing method.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、請求項1は、基板上に一対の電極間に
発光層を挟持した表示素子がマトリクス状に配置された
自己発光型表示装置の製造方法において、前記一対の電
極のうちの下部電極を表示素子毎に独立に形成する工程
と、発光材料の液滴を吐出するノズルと、前記下部電極
とにそれぞれ所定電圧を印加し、前記ノズルからの液滴
を所定電位に帯電した状態で前記下部電極上に向けて吐
出して、発光層を形成する工程と、を備えたことを特徴
とする。
In order to solve the above-mentioned problems and to achieve the object, a first aspect of the present invention is a self-luminous device in which display elements having a light-emitting layer sandwiched between a pair of electrodes are arranged in a matrix on a substrate. In the method for manufacturing a display device, a step of independently forming a lower electrode of the pair of electrodes for each display element, a nozzle for ejecting droplets of a light emitting material, and a predetermined voltage applied to the lower electrode, respectively. And discharging the droplets from the nozzle toward the lower electrode in a state of being charged to a predetermined potential to form a light emitting layer.

【0009】請求項2は、基板上に一対の電極間に発光
層を挟持した表示素子がマトリクス状に配置された自己
発光型表示装置の製造方法において、前記一対の電極の
うちの下部電極を表示素子毎に独立に形成する工程と、
前記表示素子の各々を分離する隔壁絶縁膜を形成する工
程と、発光材料の液滴を吐出するノズルと、前記下部電
極とにそれぞれ所定電圧を印加し、前記ノズルからの液
滴を所定電位に帯電した状態で前記下部電極上に向けて
吐出して、発光層を形成する工程と、を備えたことを特
徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in a method of manufacturing a self-luminous display device in which display elements having a light emitting layer sandwiched between a pair of electrodes are arranged in a matrix on a substrate, the lower electrode of the pair of electrodes is used. A step of independently forming each display element,
A step of forming a partition insulating film for separating each of the display elements, a nozzle for ejecting a droplet of a luminescent material, and a predetermined voltage are applied to the lower electrode, and the droplet from the nozzle is set to a predetermined potential. A step of discharging in a charged state toward the lower electrode to form a light emitting layer.

【0010】請求項6は、基板上に配置される複数の信
号線と、前記信号線に略直交して配置される複数の走査
線と、これら交点付近に配置されるスイッチング素子
と、前記スイッチング素子に接続され一対の電極間に発
光層を挟持した表示素子と、がマトリクス状に配置され
た自己発光型表示装置の製造方法において、前記一対の
電極のうちの下部電極を表示素子毎に独立に形成する工
程と、前記表示素子の各々を分離する隔壁絶縁膜を形成
する工程と、発光材料の液滴を吐出するノズルと、前記
下部電極とにそれぞれ所定電圧を印加し、前記ノズルか
らの液滴を所定電位に帯電した状態で前記下部電極上に
向けて吐出して、発光層を形成する工程と、を備えたこ
とを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, a plurality of signal lines arranged on the substrate, a plurality of scanning lines arranged substantially orthogonal to the signal lines, a switching element arranged near these intersections, and the switching element. In a method of manufacturing a self-luminous display device in which a display element connected to the element and sandwiching a light emitting layer between a pair of electrodes and a display element are arranged in a matrix, a lower electrode of the pair of electrodes is independent for each display element. , A step of forming a partition insulating film for separating each of the display elements, a nozzle for ejecting droplets of a light emitting material, and a predetermined voltage are applied to the lower electrode, respectively. Forming a light emitting layer by discharging droplets onto the lower electrode in a state of being charged to a predetermined potential.

【0011】請求項11は、基板上に一対の電極間に発
光層を挟持した表示素子がマトリクス状に配置された自
己発光型表示装置の製造方法において、前記一対の電極
のうちの下部電極を表示素子毎に独立に形成する工程
と、発光材料の液滴を吐出するノズルと、前記ノズルの
周囲に配置された電界制御リング、前記下部電極とにそ
れぞれ所定電圧を印加し、前記ノズルからの液滴を所定
電位に帯電した状態で前記下部電極上に向けて吐出し
て、発光層を形成する工程と、を備えたことを特徴とす
る。
According to an eleventh aspect of the present invention, in a method of manufacturing a self-luminous display device in which display elements having a light emitting layer sandwiched between a pair of electrodes are arranged in a matrix on a substrate, the lower electrode of the pair of electrodes is A step of independently forming each display element, a nozzle for ejecting droplets of a light emitting material, an electric field control ring arranged around the nozzle, and a predetermined voltage are applied to the lower electrode, and Forming a light emitting layer by discharging droplets onto the lower electrode in a state of being charged to a predetermined potential.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、この発明の自己発光型表示
装置の製造方法の一実施の形態について有機EL表示装
置を例にとり図面を参照して説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of a method of manufacturing a self-luminous display device according to the present invention will be described below with reference to the drawings by taking an organic EL display device as an example.

【0013】図1は、この発明の一実施の形態にかかる
有機EL表示装置の構成を概略的に示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram schematically showing the structure of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention.

【0014】図1に示すように、有機EL表示装置1
は、アレイ基板100を備えている。このアレイ基板1
00は、画像を表示する表示エリア102を有してい
る。この表示エリア102は、例えば対角10.4型
(対角10.4インチ)のサイズを有し、その精細度
は、150ppi(pixel per inch)で
ある。有機EL表示装置では、表示エリア102にマト
リクス状に配置された赤、緑、青にそれぞれ発光する3
種類の発光部すなわち表示素子40を備えて構成されて
いる。
As shown in FIG. 1, an organic EL display device 1
Includes an array substrate 100. This array substrate 1
00 has a display area 102 for displaying an image. The display area 102 has, for example, a diagonal 10.4 type (diagonal 10.4 inch) size, and its definition is 150 ppi (pixel per inch). In the organic EL display device, red, green, and blue lights that are respectively arranged in a matrix in the display area 102 are emitted.
It is configured by including a light emitting portion of a kind, that is, the display element 40.

【0015】表示素子40は、素子毎に独立島状に形成
される第1電極すなわち下部電極と、下部電極に対向し
て配置され各素子に共通に形成される第2電極すなわち
上部電極と、これら電極間に保持される高分子系の有機
発光材料からなる発光層と、によって構成される。
The display element 40 has a first electrode or lower electrode formed in an island shape for each element, and a second electrode or upper electrode which is arranged so as to face the lower electrode and is formed commonly to each element. And a light emitting layer made of a high molecular organic light emitting material held between these electrodes.

【0016】このアレイ基板100は、表示エリア10
2において、2つの薄膜トランジスタすなわちTFT1
0及び20と、蓄積容量素子30と、表示素子40とを
備えている。表示素子40は、スイッチング素子として
の画素TFT10を介して選択され、表示素子40に対
する励起電力は、駆動素子20により制御される。
The array substrate 100 has a display area 10
2, two thin film transistors or TFT1
0 and 20, a storage capacitor element 30, and a display element 40. The display element 40 is selected via the pixel TFT 10 as a switching element, and the excitation power for the display element 40 is controlled by the drive element 20.

【0017】また、アレイ基板100は、表示素子40
の行方向に沿って配置された複数の走査線Yと、表示素
子40の列方向に沿って配置された複数の信号線Xと、
表示素子40の下部電極側に電源を供給するための電源
供給線VLと、を備えている。さらに、アレイ基板10
0は、その周辺エリア104に、走査線Yに駆動信号を
供給する走査線駆動回路106と、信号線Xに駆動信号
を供給する信号線駆動回路108と、を備えている。
The array substrate 100 also includes a display element 40.
A plurality of scanning lines Y arranged along the row direction, and a plurality of signal lines X arranged along the column direction of the display element 40,
A power supply line VL for supplying power to the lower electrode side of the display element 40. Further, the array substrate 10
0 has a scanning line driving circuit 106 that supplies a driving signal to the scanning line Y and a signal line driving circuit 108 that supplies a driving signal to the signal line X in its peripheral area 104.

【0018】走査線Yは、走査線駆動回路106に接続
され、信号線Xは、信号線駆動回路108に接続されて
いる。画素TFT10は、走査線Yと信号線Xとの交差
部近傍に配置されている。駆動素子20は、表示素子4
0と直列に接続されている。また、蓄積容量素子30
は、画素TFT10と直列に、且つ駆動素子20と並列
に接続されている。
The scanning line Y is connected to the scanning line drive circuit 106, and the signal line X is connected to the signal line drive circuit 108. The pixel TFT 10 is arranged near the intersection of the scanning line Y and the signal line X. The drive element 20 is the display element 4
0 is connected in series. In addition, the storage capacitor element 30
Are connected in series with the pixel TFT 10 and in parallel with the driving element 20.

【0019】電源供給線VLは、表示エリア102の周
囲に配置された下部電極電源線110に接続されてい
る。表示素子40の上部電極側端は、表示エリア102
の周囲に配置されコモン電位すなわち接地電位を供給す
る上部電極電源線112に接続されている。
The power supply line VL is connected to the lower electrode power supply line 110 arranged around the display area 102. The end of the display element 40 on the upper electrode side is the display area 102.
Is connected to the upper electrode power supply line 112 that supplies a common potential, that is, a ground potential.

【0020】より詳細に説明すると、画素TFT10の
ゲート電極は走査線Yに接続され、ソース電極は信号線
Xに接続され、ドレイン電極は蓄積容量素子30の一端
及び駆動素子20のゲート電極に接続されている。駆動
素子20のソース電極は電源供給線VLに接続され、ド
レイン電極は表示素子40の下部電極に接続されてい
る。蓄積容量素子30の他端は、電源供給線VLに接続
されている。
More specifically, the gate electrode of the pixel TFT 10 is connected to the scanning line Y, the source electrode is connected to the signal line X, and the drain electrode is connected to one end of the storage capacitor element 30 and the gate electrode of the driving element 20. Has been done. The source electrode of the drive element 20 is connected to the power supply line VL, and the drain electrode is connected to the lower electrode of the display element 40. The other end of the storage capacitor element 30 is connected to the power supply line VL.

【0021】画素TFT10は、対応走査線Yを介して
選択されたときに対応信号線Xの駆動信号を駆動素子2
0及び蓄積容量素子30に書き込み、駆動素子20の駆
動を制御する。駆動信号に基づいて駆動素子20のゲー
ト電圧を調整し、電源供給線VLから表示素子40に所
望の駆動電流を供給する。
The pixel TFT 10 drives the drive signal of the corresponding signal line X when selected through the corresponding scanning line Y.
0 and the storage capacitor element 30 are written to control the driving of the driving element 20. The gate voltage of the drive element 20 is adjusted based on the drive signal, and a desired drive current is supplied from the power supply line VL to the display element 40.

【0022】図2は、図1に示した有機EL表示装置の
一部構造を概略的に示す断面図であり、ここでは、特に
1画素分の表示素子の構造を示している。ここでは、支
持基板と対向する側にEL光を取り出す上面発光方式の
表示装置を例に取り説明する。
FIG. 2 is a sectional view schematically showing a partial structure of the organic EL display device shown in FIG. 1. Here, the structure of a display element for one pixel is particularly shown. Here, a top-emission display device that extracts EL light from the side facing the support substrate will be described as an example.

【0023】図2に示すように、アレイ基板100にお
いて、支持基板120としてのガラス基板などの絶縁性
基板上には、画素TFT10、駆動素子20、走査線駆
動回路106、信号線駆動回路108などが一体的に形
成されている。これらは、その半導体層にポリシリコン
薄膜を用いたTFTにより構成され、同一工程で形成さ
れる。これらTFTは、支持基板120上に配置された
ポリシリコン半導体層Pと、第1絶縁膜52を介して配
置されたゲート電極Gと、第1絶縁膜52及び第2絶縁
膜54を介してポリシリコン半導体層Pのソース領域P
Sにコンタクトしたソース電極Sと、第1絶縁膜52及
び第2絶縁膜54を介してポリシリコン半導体層Pのド
レイン領域PDにコンタクトしたドレイン電極Dと、を
備えている。
As shown in FIG. 2, in the array substrate 100, a pixel TFT 10, a driving element 20, a scanning line driving circuit 106, a signal line driving circuit 108, etc. are provided on an insulating substrate such as a glass substrate as a supporting substrate 120. Are integrally formed. These are composed of TFTs using a polysilicon thin film for their semiconductor layers, and are formed in the same step. These TFTs include a polysilicon semiconductor layer P arranged on the support substrate 120, a gate electrode G arranged via a first insulating film 52, a polysilicon film formed via a first insulating film 52 and a second insulating film 54. Source region P of the silicon semiconductor layer P
A source electrode S in contact with S and a drain electrode D in contact with the drain region PD of the polysilicon semiconductor layer P via the first insulating film 52 and the second insulating film 54 are provided.

【0024】表示素子40は、第2絶縁膜54上に配置
された第3絶縁膜56上に配置されている。1画素分の
表示素子40は、ストライプ状に配置された隔壁絶縁膜
130によって区画されている。この表示素子40の下
部電極62は、光透過性導電材料であるITOを用いて
陽極とし、さらに、ここでは、効率よくEL光を表示面
側へ出射するよう反射金属層60を備えて構成されてい
る。
The display element 40 is arranged on the third insulating film 56 arranged on the second insulating film 54. The display element 40 for one pixel is partitioned by the partition insulating film 130 arranged in a stripe shape. The lower electrode 62 of the display element 40 is made of ITO, which is a light-transmissive conductive material, as an anode, and is provided with a reflective metal layer 60 so that EL light is efficiently emitted to the display surface side. ing.

【0025】すなわち、金属反射層60は、第3絶縁膜
56上に配置され、駆動素子20のドレイン電極Dに接
続されている。この金属反射層60は、アルミニウムと
モリブデンとを積層するなどの遮光性の金属によって形
成されている。このように、下部電極62が、ITO
(Indium Tin Oxide:インジウム・テ
ィン・オキサイド)やIZO(インジウム・ジンク・オ
キサイド)などの光透過性導電材料によって形成される
場合には、EL発光が支持基板120側に漏れるのを抑
制するため、下部電極62の下層に金属反射層60を備
えることが望ましい。また、下部電極を陽極として用い
る場合には、Pd(パラジウム)、Pt(白金)、Au
(金)などの光反射性を有する貴金属材料を用いる場合
には、金属反射層を省略しても良い。
That is, the metal reflection layer 60 is arranged on the third insulating film 56 and is connected to the drain electrode D of the driving element 20. The metal reflection layer 60 is formed of a light-shielding metal such as a laminate of aluminum and molybdenum. In this way, the lower electrode 62 is made of ITO.
(Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide) or other light-transmissive conductive material, in order to prevent EL emission from leaking to the support substrate 120 side, It is desirable to provide the metal reflective layer 60 under the lower electrode 62. When the lower electrode is used as the anode, Pd (palladium), Pt (platinum), Au
When using a noble metal material having light reflectivity such as (gold), the metal reflective layer may be omitted.

【0026】発光層64は、下部に配置された下部電極
62と、下部電極62に対向配置された上部電極66と
の間に挟持されている。なお、発光層64は、各色共通
に形成されるホール輸送層、エレクトロン輸送層、及び
各色毎に形成される有機発光層の3層積層で構成されて
も良く、機能的に複合された2層または単層で構成され
ても良い。例えば、ホール輸送層は、陽極(下部電極)
62上に配置され、芳香族アミン誘導体やポリチオフェ
ン誘導体、ポリアニリン誘導体などの薄膜によって形成
されている。有機発光層は、ホール輸送層上に配置さ
れ、赤、緑、または青に発光する有機化合物によって形
成されている。この有機発光層は、例えば高分子系材料
を採用する場合には、PPV(ポリパラフェニレンビニ
レン)やポリフルオレン誘導体またはその前駆体などを
積層して構成されている。
The light emitting layer 64 is sandwiched between a lower electrode 62 arranged below and an upper electrode 66 opposed to the lower electrode 62. In addition, the light emitting layer 64 may be formed of a three-layered stack including a hole transporting layer, an electron transporting layer formed commonly for each color, and an organic light emitting layer formed for each color. Alternatively, it may be composed of a single layer. For example, the hole transport layer is the anode (lower electrode)
It is arranged on 62 and is formed by a thin film of an aromatic amine derivative, a polythiophene derivative, a polyaniline derivative, or the like. The organic light emitting layer is disposed on the hole transport layer and is formed of an organic compound that emits red, green, or blue light. This organic light emitting layer is formed by laminating PPV (polyparaphenylene vinylene), a polyfluorene derivative or a precursor thereof when a polymer material is used, for example.

【0027】上部電極66は、発光層64上に各表示素
子40に共通に配置され、光透過性導電材料によって形
成されている。ここでは、上部電極66を陰極とするの
で、例えばCa(カルシウム)を光透過性を有する程度
に薄く、およそ30nmの厚さで形成する。なお、Ca
上にITOなどの透明導電膜を積層しても良い。
The upper electrode 66 is disposed on the light emitting layer 64 in common with each display element 40, and is made of a light transmissive conductive material. Here, since the upper electrode 66 is used as the cathode, for example, Ca (calcium) is formed to a thin thickness of about 30 nm and has a thickness of about 30 nm. Note that Ca
A transparent conductive film such as ITO may be laminated on top.

【0028】このように構成された表示素子40では、
下部電極62と上部電極66との間に挟持された発光層
64に電子及びホールを注入し、これらを再結合させる
ことにより励起子を生成し、この励起子の失活時に生じ
る所定波長の光放出により発光する。このEL発光は、
アレイ基板100の表示面側すなわち上部電極66側か
ら出射される。
In the display element 40 thus constructed,
Electrons and holes are injected into the light-emitting layer 64 sandwiched between the lower electrode 62 and the upper electrode 66, excitons are generated by recombining these, and light having a predetermined wavelength generated when the excitons are deactivated. It emits light upon emission. This EL emission is
The light is emitted from the display surface side of the array substrate 100, that is, the upper electrode 66 side.

【0029】ところで、上述したように、支持基板12
0と対向する側を表示面とする上面発光方式の有機EL
表示装置1においては、上部電極66側からEL発光を
出射させる必要がある。このため、上部電極66は、光
透過性を有する導電性部材によって形成される。この光
透過性導電材料は、材料自体の透明度が高い透明導電材
料を用いて形成するか、あるいは、材料自体の透明度の
低い材料を薄く形成して透過性を持たせるように形成す
ることができる。
By the way, as described above, the support substrate 12
Top-emitting organic EL whose display surface is the side facing 0
In the display device 1, it is necessary to emit EL light emission from the upper electrode 66 side. Therefore, the upper electrode 66 is formed of a light-transmissive conductive member. This light-transmissive conductive material can be formed by using a transparent conductive material having high transparency itself, or can be formed by thinly forming a material having low transparency itself so as to have transparency. .

【0030】上述した実施の形態では、上部電極66を
陰極とし、その材料にCaを用いる場合について説明し
たが、これに限定されず、アルカリ土類金属や、アルカ
リ金属、希土類金属などを用いても良い。
In the above-described embodiment, the case where the upper electrode 66 is used as the cathode and Ca is used as the material has been described, but the present invention is not limited to this, and alkaline earth metal, alkali metal, rare earth metal or the like may be used. Is also good.

【0031】このような光透過性導電材料をシート状に
成膜する上部電極66として適用した場合、表示エリア
102面内で電位が異なり、表示ムラなどの表示不良を
発生するおそれがある。
When such a light-transmissive conductive material is applied as the upper electrode 66 for forming a film in the form of a sheet, the potential is different within the surface of the display area 102, and display defects such as display unevenness may occur.

【0032】そこで、この実施の形態に係る有機EL表
示装置1では、表示素子40の上部電極66と電気的に
接続され、表示エリア102に配置された補助配線70
を備えている。この補助配線70は、図2に示すよう
に、表示エリア102における各画素を電気的に分離す
る隔壁絶縁膜130上に配置されている。
Therefore, in the organic EL display device 1 according to this embodiment, the auxiliary wiring 70 electrically connected to the upper electrode 66 of the display element 40 and arranged in the display area 102.
Is equipped with. As shown in FIG. 2, the auxiliary wiring 70 is arranged on the partition insulating film 130 that electrically separates each pixel in the display area 102.

【0033】また、各補助配線70は、図1に示すよう
に、上部電極66に電源を供給するための上部電極電源
線112に共通に電気的に接続され、表示エリア102
にわたり互いに連結されている。これにより、補助配線
70には、上部電極66と同様に、接地電位が供給され
る。
Further, as shown in FIG. 1, each auxiliary wiring 70 is electrically connected in common to an upper electrode power supply line 112 for supplying power to the upper electrode 66, and the display area 102.
Are connected to each other. As a result, the ground potential is supplied to the auxiliary wiring 70 similarly to the upper electrode 66.

【0034】この補助配線70は、例えば、アルミニウ
ム(Al)をモリブデン(Mo)でサンドイッチしたM
o/Al/Mo(MAM)構造で形成されている。この
MAM構造補助配線70の抵抗率は、約3μΩcmであ
る。また、少なくともその一部が補助配線70の上に積
層配置された上部電極66をCa/ITOによって形成
した場合、その抵抗率は、実測で約500μΩcmであ
って、MAM構造補助配線70と比較して2桁強の大き
な値を示した。
The auxiliary wiring 70 is, for example, M in which aluminum (Al) is sandwiched with molybdenum (Mo).
It has an o / Al / Mo (MAM) structure. The resistivity of the MAM structure auxiliary wiring 70 is about 3 μΩcm. When the upper electrode 66, at least a part of which is laminated on the auxiliary wiring 70, is formed of Ca / ITO, its resistivity is about 500 μΩcm in actual measurement, which is lower than that of the MAM structure auxiliary wiring 70. It showed a large value of over two digits.

【0035】なお、上述した実施の形態では、補助配線
70をMAM構造で構成したが、他の金属材料で構成し
ても良い。例えば、補助配線70は、アルミニウム、銅
(抵抗率:1.7μΩcm)、金(抵抗率:2.4μΩ
cm)、銀、チタン(抵抗率:5.0μΩcm)、タン
グステン(抵抗率:5.6μΩcm)などの金属単体膜
や、銀・パラジウム・銅(抵抗率:2.2μΩcm)、
アルミニウム・ネオジウム(抵抗率:4.7μΩc
m)、アルミニウム・パラジウム・銅などの合金膜、も
しくは、それらを少なくとも1層含む多層膜のいずれか
で形成しても良い。
Although the auxiliary wiring 70 has the MAM structure in the above-described embodiment, it may have another metal material. For example, the auxiliary wiring 70 includes aluminum, copper (resistivity: 1.7 μΩcm), gold (resistivity: 2.4 μΩ).
cm), silver, titanium (resistivity: 5.0 μΩcm), tungsten (resistivity: 5.6 μΩcm) and other simple metal films, silver / palladium / copper (resistivity: 2.2 μΩcm),
Aluminum neodymium (resistivity: 4.7 μΩc
m), an alloy film of aluminum / palladium / copper, or a multi-layer film containing at least one layer of them.

【0036】また、上述した実施の形態においては、下
部電極をITOで形成し、上部電極をCa/ITOで形
成する場合について述べたが、これに限定されず、電極
の極性に合わせて最適な材料を選択することが望まし
い。例えば、下部電極を陰極としてBa(バリウム)で
形成し、上部電極を陽極としてITOで形成することが
できる。
Further, in the above-mentioned embodiment, the case where the lower electrode is made of ITO and the upper electrode is made of Ca / ITO has been described, but the present invention is not limited to this, and it is optimal according to the polarity of the electrode. It is desirable to select the material. For example, the lower electrode can be formed of Ba (barium) as a cathode, and the upper electrode can be formed of ITO as an anode.

【0037】ところで、上述した有機EL表示装置1
は、以下のようにして製造される。
By the way, the above-mentioned organic EL display device 1
Is manufactured as follows.

【0038】すなわち、支持基板120上に、金属材料
や絶縁材料の成膜、パターニングなどの処理を繰り返
し、画素TFT10、駆動素子20、蓄積容量素子3
0、第1乃至第3絶縁膜52、54、56などを形成す
る。続いて、第3絶縁膜56のコンタクトホール56c
を介して駆動素子20のドレイン電極Dに接続された下
部電極62を表示素子40毎に独立に形成する。この実
施の形態では、反射金属層を介して駆動素子20のドレ
イン電極と下部電極が接続される。
That is, processing such as film formation and patterning of a metal material or an insulating material is repeated on the support substrate 120, and the pixel TFT 10, the driving element 20, the storage capacitor element 3
0, first to third insulating films 52, 54, 56 and the like are formed. Subsequently, the contact hole 56c of the third insulating film 56
The lower electrode 62 connected to the drain electrode D of the driving element 20 via the is formed independently for each display element 40. In this embodiment, the drain electrode and the lower electrode of the driving element 20 are connected via the reflective metal layer.

【0039】続いて、表示素子40の各々を分離する隔
壁絶縁膜130をストライプ状に形成する。2本の隔壁
絶縁膜130に囲まれた複数の表示素子40は、列ごと
に同一の色に発光する。
Subsequently, a partition insulating film 130 for separating each display element 40 is formed in a stripe shape. The plurality of display elements 40 surrounded by the two partition insulating films 130 emit light of the same color for each column.

【0040】続いて、隔壁絶縁膜130上に補助配線7
0を形成する。この補助配線70は、少なくとも異なる
色の各表示素子間の隔壁絶縁膜130上に配置され、こ
の実施の形態の場合では、ストライプ状に形成される。
Subsequently, the auxiliary wiring 7 is formed on the partition insulating film 130.
Form 0. The auxiliary wiring 70 is arranged at least on the partition insulating film 130 between the display elements of different colors, and in the case of this embodiment, it is formed in a stripe shape.

【0041】続いて、下部電極62上に発光層64を形
成する。この発光層形成工程では、インクジェット法が
用いられる。そして、発光材料の液滴が所望の位置に吐
出されるよう対象の下部電極に引力が働くよう制御す
る。また、他の下部電極との間に斥力が働くよう制御し
ても良く、さらに、構造に応じて補助配線や信号線との
間の斥力を調整しても良い。
Subsequently, a light emitting layer 64 is formed on the lower electrode 62. An ink jet method is used in this light emitting layer forming step. Then, control is performed so that attractive force acts on the target lower electrode so that the droplet of the light emitting material is ejected to a desired position. Further, it may be controlled so that a repulsive force acts on another lower electrode, and the repulsive force between the auxiliary wiring and the signal line may be adjusted according to the structure.

【0042】まず、表示素子を順次駆動して、蓄積容量
素子30に所定電位を書き込む。このとき、発光層64
を形成する発光材料の液滴が塗布される塗布列の下部電
極62に電圧V1が印加されるとともに、発光材料の液
滴が塗布されない列の下部電極62に電圧V2が印加さ
れる。そして、画素TFT10がオフの状態で塗布列の
両脇に配置された信号線に電圧V3が印加されるととも
に、他の信号線に電圧V4が印加される。さらに、補助
配線70に電圧V5を印加する。このような状態におい
て、発光材料の液滴を吐出するインクジェット装置のノ
ズルに電圧V6を印加することにより、ノズルからの液
滴を所定電位V7に帯電した状態で下部電極62に向け
て吐出する。
First, the display elements are sequentially driven to write a predetermined potential in the storage capacitor element 30. At this time, the light emitting layer 64
The voltage V1 is applied to the lower electrode 62 of the coating column to which the droplets of the luminescent material forming the are coated, and the voltage V2 is applied to the lower electrode 62 of the column to which the droplets of the luminescent material are not coated. Then, while the pixel TFT 10 is off, the voltage V3 is applied to the signal lines arranged on both sides of the coating column, and the voltage V4 is applied to the other signal lines. Further, the voltage V5 is applied to the auxiliary wiring 70. In such a state, by applying the voltage V6 to the nozzle of the inkjet device that ejects the droplet of the light emitting material, the droplet from the nozzle is ejected toward the lower electrode 62 while being charged to the predetermined potential V7.

【0043】例えば、図3に示すように、下部電極62
が絶縁膜(第3絶縁膜)を介して駆動素子と接続される
構造で、補助配線が隔壁絶縁膜上に配置される場合に
は、補助配線とノズルとの間、下部電極とノズルとの間
の電界により、発光材料の吐出精度を向上させることが
できる。
For example, as shown in FIG. 3, the lower electrode 62
Is connected to the drive element through an insulating film (third insulating film), and when the auxiliary wiring is arranged on the partition insulating film, the auxiliary wiring and the nozzle, between the lower electrode and the nozzle, are formed. By the electric field between them, the discharge accuracy of the light emitting material can be improved.

【0044】すなわち、下部電極62と補助配線70と
の間に電圧(E2)を印加する。また同時に、下部電極
62とインクジェット装置80のノズル82との間にも
電圧(E1+E2)を印加する。これにより、下部電極
62にプラスの電荷、補助配線70及びノズル82にマ
イナスの電荷をそれぞれ帯電させる。
That is, the voltage (E2) is applied between the lower electrode 62 and the auxiliary wiring 70. At the same time, the voltage (E1 + E2) is applied between the lower electrode 62 and the nozzle 82 of the inkjet device 80. As a result, the lower electrode 62 is charged with a positive charge, and the auxiliary wiring 70 and the nozzle 82 are charged with a negative charge.

【0045】なお、印加電圧E1、E2の値は、ノズル
82から吐出される液滴84の大きさ、液滴84の吐出
速度、ノズル82から標的としての下部電極62までの
距離などの液滴84の塗布条件により異なり、その条件
により最適値となるよう調整して決める。この実施の形
態では、例えば、液滴の大きさが約40μmであり、吐
出速度が3乃至10mm/secであり、ノズルから下
部電極62までの距離が約1mmである。
The values of the applied voltages E1 and E2 are droplets such as the size of the droplets 84 ejected from the nozzle 82, the ejection speed of the droplets 84, and the distance from the nozzle 82 to the target lower electrode 62. It depends on the coating conditions of No. 84 and is adjusted and determined to be the optimum value according to the conditions. In this embodiment, for example, the droplet size is about 40 μm, the ejection speed is 3 to 10 mm / sec, and the distance from the nozzle to the lower electrode 62 is about 1 mm.

【0046】これにより、ノズル82内の液滴もマイナ
スに帯電するので、ノズル82から液滴84を吐出する
際に、標的方向すなわち下部電極62に向かう飛行軌道
から外れて補助配線70方向に向かった液滴84は、補
助配線70との斥力により反発されると同時に下部電極
62との引力により引き寄せられる。したがって、ノズ
ル82から吐出された液滴84の飛行軌道を、標的であ
る下部電極62に向かう方向に軌道修正することが可能
となる。
As a result, the liquid droplets in the nozzle 82 are also negatively charged, so that when the liquid droplets 84 are ejected from the nozzle 82, they deviate from the flight trajectory toward the target direction, that is, the lower electrode 62, and head toward the auxiliary wiring 70. The droplets 84 are repelled by the repulsive force with the auxiliary wiring 70 and at the same time attracted by the attractive force with the lower electrode 62. Therefore, it becomes possible to correct the flight trajectory of the droplet 84 ejected from the nozzle 82 in the direction toward the lower electrode 62 which is the target.

【0047】発光層形成工程の後、上部電極66を形成
して、アレイ基板100が製造される。
After the light emitting layer forming step, the upper electrode 66 is formed and the array substrate 100 is manufactured.

【0048】上述した実施の形態によれば、液滴の飛行
軌道を修正することにより、吐出液滴の塗布領域マージ
ンを小さく設定することが可能となり、表示素子を高精
細化した場合であっても、発光材料の塗布精度を向上さ
せることが可能となる。このため、隣接する異なる色の
表示素子における発光層での混色を防止することが可能
となり、表示品位を向上することが可能となる。
According to the above-described embodiment, by correcting the flight trajectory of the droplet, it is possible to set the application area margin of the discharged droplet to be small, and the display element is made finer. Also, it becomes possible to improve the coating accuracy of the light emitting material. For this reason, it is possible to prevent color mixing in the light emitting layers of adjacent display elements of different colors, and it is possible to improve the display quality.

【0049】上述した実施の形態では、隔壁絶縁膜13
0上に補助配線70を配置したが、必ずしも補助配線7
0を配置する必要はない。すなわち、図4に示すよう
に、補助配線70を削除した他は上述した実施の形態と
同一の構成であっても、発光層64を形成する際に、下
部電極−ノズル間の電界を制御して発光材料の塗布精度
を向上することが可能である。
In the above-described embodiment, the partition insulating film 13
Although the auxiliary wiring 70 is arranged on 0, the auxiliary wiring 7 is not always
It is not necessary to place 0. That is, as shown in FIG. 4, even when the auxiliary wiring 70 is removed and the configuration is the same as that of the above-described embodiment, the electric field between the lower electrode and the nozzle is controlled when the light emitting layer 64 is formed. It is possible to improve the coating accuracy of the light emitting material.

【0050】この実施の形態では、表示素子40の各々
を分離する隔壁絶縁膜130をストライプ状に形成した
後、下部電極62上に発光層64を形成する。この発光
層形成工程では、例えば、図5に示すように、下部電極
62とインクジェット装置80のノズル82との間にも
電圧(E1)を印加する。これにより、下部電極62に
マイナスの電荷、ノズル82にマイナスの電荷をそれぞ
れ帯電させる。
In this embodiment, the partition insulating film 130 for separating each display element 40 is formed in a stripe shape, and then the light emitting layer 64 is formed on the lower electrode 62. In this light emitting layer forming step, for example, as shown in FIG. 5, a voltage (E1) is also applied between the lower electrode 62 and the nozzle 82 of the inkjet device 80. As a result, the lower electrode 62 is charged with a negative charge and the nozzle 82 is charged with a negative charge.

【0051】これにより、ノズル82内の液滴もマイナ
スに帯電するので、ノズル82から液滴84を吐出する
際に、標的方向すなわち下部電極62に向かう飛行軌道
から外れた液滴84は、下部電極62との引力により引
き寄せられる。したがって、ノズル82から吐出された
液滴84の飛行軌道を、標的である下部電極62に向か
う方向に軌道修正することが可能となる。
As a result, the liquid droplets in the nozzle 82 are also negatively charged, so that when the liquid droplets 84 are ejected from the nozzles 82, the liquid droplets 84 that have deviated from the flight trajectory toward the target direction, that is, the lower electrode 62 It is attracted by the attractive force with the electrode 62. Therefore, it becomes possible to correct the flight trajectory of the droplet 84 ejected from the nozzle 82 in the direction toward the lower electrode 62 which is the target.

【0052】この図4及び図5に示した実施の形態にお
ける発光層形成工程の後に、図2及び図3に示した先の
実施の形態のように、隔壁絶縁膜130上に補助配線7
0を配置しても良い。
After the light emitting layer forming step in the embodiment shown in FIGS. 4 and 5, the auxiliary wiring 7 is formed on the partition insulating film 130 as in the previous embodiment shown in FIGS.
You may arrange 0.

【0053】図2及び図3に示した実施の形態では、補
助配線70を隔壁絶縁膜130上に配置したが、補助配
線70は、必ずしも隔壁絶縁膜130上に配置しなくて
も良い。すなわち、図6に示すように、補助配線70を
隔壁絶縁膜130の下層、例えば反射金属層あるいは下
部電極と同一平面上に配置してもよく、発光層64を形
成する際に、下部電極とノズルとの間、及び補助配線と
ノズルとの間の電界を制御して発光材料の塗布精度を向
上することが可能である。
Although the auxiliary wiring 70 is arranged on the partition insulating film 130 in the embodiment shown in FIGS. 2 and 3, the auxiliary wiring 70 does not necessarily have to be arranged on the partition insulating film 130. That is, as shown in FIG. 6, the auxiliary wiring 70 may be arranged on the same layer as the lower layer of the partition insulating film 130, for example, the reflective metal layer or the lower electrode. It is possible to improve the coating accuracy of the light emitting material by controlling the electric field between the nozzle and between the auxiliary wiring and the nozzle.

【0054】この実施の形態では、隣接する異なる色の
表示素子間に補助配線70を形成し、この補助配線70
を覆うように表示素子40の各々を分離する隔壁絶縁膜
130をストライプ状に形成した後、下部電極62上に
発光層64を形成する。補助配線70は、反射電極ある
いは下部電極62と同一の材料で同一工程で形成するこ
とができる。これにより、工程数を増加することなく補
助配線70を形成することができる。
In this embodiment, the auxiliary wiring 70 is formed between the adjacent display elements of different colors, and the auxiliary wiring 70 is formed.
A partition insulating film 130 for separating each display element 40 is formed in a stripe shape so as to cover the display element 40, and then a light emitting layer 64 is formed on the lower electrode 62. The auxiliary wiring 70 can be formed of the same material as the reflective electrode or the lower electrode 62 in the same process. As a result, the auxiliary wiring 70 can be formed without increasing the number of steps.

【0055】また発光層形成工程では、例えば、図7に
示すように、下部電極62と補助配線70との間に電圧
(E2)を印加する。また同時に、下部電極62とイン
クジェット装置80のノズル82との間にも電圧(E1
+E2)を印加する。これにより、下部電極62にプラ
スの電荷、補助配線70及びノズル82にマイナスの電
荷をそれぞれ帯電させる。
In the light emitting layer forming step, for example, as shown in FIG. 7, a voltage (E2) is applied between the lower electrode 62 and the auxiliary wiring 70. At the same time, a voltage (E1) is also applied between the lower electrode 62 and the nozzle 82 of the inkjet device 80.
+ E2) is applied. As a result, the lower electrode 62 is charged with a positive charge, and the auxiliary wiring 70 and the nozzle 82 are charged with a negative charge.

【0056】これにより、ノズル82内の液滴もマイナ
スに帯電するので、ノズル82から液滴84を吐出する
際に、標的方向すなわち下部電極62に向かう飛行軌道
から外れて補助配線70方向に向かった液滴84は、補
助配線70との斥力により反発されると同時に下部電極
62との引力により引き寄せられる。したがって、ノズ
ル82から吐出された液滴84の飛行軌道を、標的であ
る下部電極62に向かう方向に軌道修正することが可能
となる。
As a result, the liquid droplets in the nozzles 82 are also negatively charged, so that when the liquid droplets 84 are ejected from the nozzles 82, they deviate from the flight trajectory toward the target direction, that is, the lower electrode 62, and head toward the auxiliary wiring 70. The droplets 84 are repelled by the repulsive force with the auxiliary wiring 70 and at the same time attracted by the attractive force with the lower electrode 62. Therefore, it becomes possible to correct the flight trajectory of the droplet 84 ejected from the nozzle 82 in the direction toward the lower electrode 62 which is the target.

【0057】以上、図2乃至図7に示した3つの実施の
形態では、支持基板上に回路素子を集積し、この回路素
子上に有機EL素子を配置し、支持基板と対向する側に
透過性を有する電極を配置して、EL発光をこの光透過
性電極から取り出す、いわゆる上面発光方式の有機EL
表示装置を例に取り説明したが、EL発光を支持基板側
から取り出す、いわゆる下面発光方式の有機EL表示装
置に適用してもよく、この場合には反射金属層は不要で
ある。次に、下面発光方式の有機EL表示装置を例にと
り説明する。例えば、図8及び図14に示すように、第
2絶縁膜54上に配置された下部電極62が駆動素子2
0のソース電極Sに電気的に接続され、また、下部電極
62と同一層に配置された信号線Xが駆動素子20のド
レイン電極Dと一体に形成されている。
As described above, in the three embodiments shown in FIGS. 2 to 7, the circuit element is integrated on the supporting substrate, the organic EL element is arranged on the circuit element, and the organic EL element is transmitted to the side facing the supporting substrate. An organic EL of a so-called top emission type in which an electrode having a light-emitting property is arranged and EL light emission is taken out from the light-transmitting electrode.
Although the display device has been described as an example, it may be applied to a so-called bottom emission organic EL display device in which EL light emission is taken out from the supporting substrate side, and in this case, the reflective metal layer is not necessary. Next, a bottom emission organic EL display device will be described as an example. For example, as shown in FIGS. 8 and 14, the lower electrode 62 disposed on the second insulating film 54 is the driving element 2
The signal line X electrically connected to the source electrode S of 0 and arranged in the same layer as the lower electrode 62 is formed integrally with the drain electrode D of the driving element 20.

【0058】この有機EL表示装置は、以下のようにし
て製造される。
This organic EL display device is manufactured as follows.

【0059】すなわち、支持基板120上に、金属材料
や絶縁材料の成膜、パターニングなどの処理を繰り返
し、画素TFT10、駆動素子20のポリシリコン半導
体層P及びゲート電極G、蓄積容量素子30、第1及び
第2絶縁膜52、54などを形成する。続いて、第2絶
縁膜54上に下部電極62を表示素子40毎に独立に形
成する。続いて、駆動素子20のソース電極S及びドレ
イン電極Dなどを形成する。このとき、ソース電極S
は、信号線Xと一体に形成される。駆動素子20のドレ
イン電極Dは、下部電極62に電気的に接続されてい
る。
That is, processing such as film formation and patterning of a metal material or an insulating material is repeated on the support substrate 120, and the pixel TFT 10, the polysilicon semiconductor layer P and the gate electrode G of the driving element 20, the storage capacitor element 30, The first and second insulating films 52 and 54 are formed. Subsequently, the lower electrode 62 is independently formed for each display element 40 on the second insulating film 54. Then, the source electrode S, the drain electrode D, etc. of the drive element 20 are formed. At this time, the source electrode S
Are formed integrally with the signal line X. The drain electrode D of the drive element 20 is electrically connected to the lower electrode 62.

【0060】続いて、表示素子40の各々を分離する隔
壁絶縁膜130をストライプ状に形成する。2本の隔壁
絶縁膜130に囲まれた複数の表示素子40は、列ごと
に同一の色に発光する。
Subsequently, the partition insulating film 130 for separating each of the display elements 40 is formed in a stripe shape. The plurality of display elements 40 surrounded by the two partition insulating films 130 emit light of the same color for each column.

【0061】続いて、下部電極62上に発光層64を形
成する。この実施の形態のように、信号線と下部電極と
が同一平面上に配置される構造では、信号線とノズルと
の間、下部電極とノズルとの間の電界を制御して発光材
料の吐出精度を向上させることができる。
Subsequently, the light emitting layer 64 is formed on the lower electrode 62. In the structure in which the signal line and the lower electrode are arranged on the same plane as in this embodiment, the electric field between the signal line and the nozzle and between the lower electrode and the nozzle are controlled to eject the luminescent material. The accuracy can be improved.

【0062】すなわち、この発光層形成工程では、例え
ば、図9に示すように、下部電極62と信号線Xとの間
に電圧(E2)を印加する。また同時に、下部電極62
とインクジェット装置80のノズル82との間にも電圧
(E1+E2)を印加する。これにより、下部電極62
にプラスの電荷、信号線X及びノズル82にマイナスの
電荷をそれぞれ帯電させる。
That is, in this light emitting layer forming step, for example, as shown in FIG. 9, a voltage (E2) is applied between the lower electrode 62 and the signal line X. At the same time, the lower electrode 62
The voltage (E1 + E2) is also applied between the nozzle and the nozzle 82 of the inkjet device 80. As a result, the lower electrode 62
And the signal line X and the nozzle 82 are charged with a negative charge.

【0063】これにより、ノズル82内の液滴もマイナ
スに帯電するので、ノズル82から液滴84を吐出する
際に、標的方向すなわち下部電極62に向かう飛行軌道
から外れて信号線X方向に向かった液滴84は、信号線
Xとの斥力により反発されると同時に下部電極62との
引力により引き寄せられる。したがって、ノズル82か
ら吐出された液滴84の飛行軌道を、標的である下部電
極62に向かう方向に軌道修正することが可能となる。
As a result, the liquid droplets in the nozzle 82 are also negatively charged, so that when the liquid droplets 84 are ejected from the nozzle 82, they deviate from the flight trajectory toward the target direction, that is, the lower electrode 62, and head toward the signal line X direction. The droplets 84 are repelled by the repulsive force with the signal line X and are attracted by the attractive force with the lower electrode 62 at the same time. Therefore, it becomes possible to correct the flight trajectory of the droplet 84 ejected from the nozzle 82 in the direction toward the lower electrode 62 which is the target.

【0064】この図8、図9及び図14に示した実施の
形態に補助配線を追加しても良い。また、図10に示す
ように、補助配線70を隔壁絶縁膜130上に配置した
後に、発光層を形成する場合には、補助配線とノズルと
の間、下部電極とノズルとの間、信号線とノズルとの間
の電界を制御して発光材料の塗布精度を向上することも
可能である。
Auxiliary wiring may be added to the embodiment shown in FIGS. 8, 9 and 14. In addition, as shown in FIG. 10, when the light emitting layer is formed after the auxiliary wiring 70 is arranged on the partition insulating film 130, the auxiliary wiring 70 and the nozzle, the lower electrode and the nozzle, and the signal line. It is also possible to improve the coating accuracy of the light emitting material by controlling the electric field between the nozzle and the nozzle.

【0065】この実施の形態では、表示素子40の各々
を分離する隔壁絶縁膜130をストライプ状に形成した
後に、隔壁絶縁膜130上に補助配線70を形成する。
この補助配線70は、少なくとも異なる色の各表示素子
間の隔壁絶縁膜130上に配置され、この実施の形態の
場合には、ストライプ状に形成される。
In this embodiment, the partition insulating film 130 for separating each display element 40 is formed in a stripe shape, and then the auxiliary wiring 70 is formed on the partition insulating film 130.
The auxiliary wiring 70 is arranged at least on the partition insulating film 130 between the display elements of different colors, and in the case of this embodiment, it is formed in a stripe shape.

【0066】続いて、下部電極62上に発光層64を形
成する。この発光層形成工程では、例えば、図11に示
すように、下部電極62と信号線Xとの間に電圧(E
3)を印加する。また同時に、下部電極62と補助配線
70との間に電圧(E2+E3)を印加する。また同時
に、下部電極62とインクジェット装置80のノズル8
2との間にも電圧(E1+E2+E3)を印加する。こ
れにより、下部電極62にプラスの電荷、補助配線7
0、信号線X及びノズル82にマイナスの電荷をそれぞ
れ帯電させる。
Subsequently, the light emitting layer 64 is formed on the lower electrode 62. In the light emitting layer forming step, for example, as shown in FIG. 11, a voltage (E) is applied between the lower electrode 62 and the signal line X.
3) is applied. At the same time, a voltage (E2 + E3) is applied between the lower electrode 62 and the auxiliary wiring 70. At the same time, the lower electrode 62 and the nozzle 8 of the inkjet device 80
The voltage (E1 + E2 + E3) is also applied between 2 and. As a result, a positive charge is applied to the lower electrode 62 and the auxiliary wiring 7
0, the signal line X, and the nozzle 82 are charged with negative charges.

【0067】これにより、ノズル82内の液滴もマイナ
スに帯電するので、ノズル82から液滴84を吐出する
際に、標的方向すなわち下部電極62に向かう飛行軌道
から外れて補助配線70方向に向かった液滴84は、補
助配線70との斥力及び信号線Xとの斥力により反発さ
れると同時に下部電極62との引力により引き寄せられ
る。したがって、ノズル82から吐出された液滴84の
飛行軌道を、標的である下部電極62に向かう方向に軌
道修正することが可能となる。
As a result, the liquid droplets in the nozzle 82 are also negatively charged, so that when the liquid droplets 84 are ejected from the nozzle 82, they deviate from the flight trajectory toward the target direction, that is, the lower electrode 62, and head toward the auxiliary wiring 70. The droplets 84 are repelled by the repulsive force with the auxiliary wiring 70 and the repulsive force with the signal line X, and at the same time attracted by the attractive force with the lower electrode 62. Therefore, it becomes possible to correct the flight trajectory of the droplet 84 ejected from the nozzle 82 in the direction toward the lower electrode 62 which is the target.

【0068】上述した図2乃至図11に示した実施の形
態では、下部電極とインクジェット装置のノズルとの間
に電圧を印加する他に、下部電極と信号線や補助配線と
の間に電圧を印加して液滴の飛行軌道を制御したが、図
12に示すように、インクジェット装置80のノズル8
2付近に電界制御リング86を配置する構成であって
も、発光層64を形成する際に、発光材料の塗布精度を
向上することが可能である。
In the embodiment shown in FIGS. 2 to 11 described above, in addition to applying a voltage between the lower electrode and the nozzle of the ink jet device, a voltage is applied between the lower electrode and the signal line or auxiliary wiring. Although the application was applied to control the flight trajectory of the droplet, as shown in FIG.
Even with the configuration in which the electric field control ring 86 is disposed near 2, it is possible to improve the coating accuracy of the light emitting material when forming the light emitting layer 64.

【0069】この実施の形態では、表示素子40の各々
を分離する隔壁絶縁膜130をストライプ状に形成した
後、下部電極62上に発光層64を形成する。この発光
層形成工程では、例えば、図12に示すように、下部電
極62とインクジェット装置80の電界制御リング86
との間にも電圧(E2)を印加する。下部電極62とイ
ンクジェット装置80のノズル82との間にも電圧(E
1+E2)を印加する。これにより、下部電極62にプ
ラスの電荷、ノズル82及び電界制御リング86にマイ
ナスの電荷をそれぞれ帯電させる。
In this embodiment, the partition insulating film 130 for separating each display element 40 is formed in a stripe shape, and then the light emitting layer 64 is formed on the lower electrode 62. In this light emitting layer forming step, for example, as shown in FIG. 12, the lower electrode 62 and the electric field control ring 86 of the ink jet device 80.
The voltage (E2) is also applied between and. A voltage (E) is also applied between the lower electrode 62 and the nozzle 82 of the inkjet device 80.
1 + E2) is applied. As a result, the lower electrode 62 is charged with a positive charge, and the nozzle 82 and the electric field control ring 86 are charged with a negative charge.

【0070】これにより、ノズル82内の液滴もマイナ
スに帯電するので、ノズル82から液滴84を吐出する
際に、標的方向すなわち下部電極62に向かう飛行軌道
から外れた液滴84は、電界制御リング86との斥力に
より反発されると同時に下部電極62との引力により引
き寄せられる。したがって、ノズル82から吐出された
液滴84の飛行軌道を、標的である下部電極62に向か
う方向に軌道修正することが可能となる。
As a result, the liquid droplets in the nozzle 82 are also negatively charged, so that when the liquid droplets 84 are ejected from the nozzles 82, the liquid droplets 84 that have deviated from the flight trajectory toward the target direction, that is, toward the lower electrode 62, have an electric field. It is repulsed by the repulsive force with the control ring 86 and at the same time attracted by the attractive force with the lower electrode 62. Therefore, it becomes possible to correct the flight trajectory of the droplet 84 ejected from the nozzle 82 in the direction toward the lower electrode 62 which is the target.

【0071】図13には、例えば、図2及び図3に示し
た発光層形成工程における電圧E1及び電圧E2と塗布
精度(標的位置の中心からのずれ量)との関係の一例が
示されている。図13に示した関係に従えば、中心から
のずれ量の許容値は、20μm以下であるため、例え
ば、E1は、約50Vとし、E2は、約5Vとすること
が望ましい。
FIG. 13 shows an example of the relationship between the voltages E1 and E2 and the coating accuracy (the amount of deviation from the center of the target position) in the light emitting layer forming process shown in FIGS. There is. According to the relationship shown in FIG. 13, the permissible value of the amount of deviation from the center is 20 μm or less. Therefore, for example, it is desirable that E1 be about 50V and E2 be about 5V.

【0072】以上説明したように、この発明の自己発光
型表示装置、すなわち有機EL表示装置の製造方法によ
れば、インクジェット装置のノズルから吐出される液滴
と塗布標的となる下部電極との間に相対的に大きな電位
差を形成し、同時に、液滴と補助配線との間、液滴と信
号線との間、液滴とノズル周辺に配置された電解制御リ
ングとの間に相対的に小さな電位差を形成する。これに
より、ノズルから液滴を吐出する際に、標的方向すなわ
ち下部電極に向かう飛行軌道から外れた液滴は、補助配
線、信号線、電界制御リングなどとの斥力により反発さ
れると同時に下部電極との引力により引き寄せられる。
したがって、ノズルから吐出された液滴の飛行軌道を、
標的である下部電極に向かう方向に軌道修正することが
可能となる。
As described above, according to the method for manufacturing the self-luminous display device of the present invention, that is, the organic EL display device, the space between the liquid droplet ejected from the nozzle of the ink jet device and the lower electrode which is the coating target. To form a relatively large potential difference between the droplet and the auxiliary wiring, between the droplet and the signal line, and between the droplet and the electrolytic control ring arranged around the nozzle. Form a potential difference. As a result, when the droplet is ejected from the nozzle, the droplet that is off the flight trajectory toward the target direction, that is, the lower electrode is repelled by the repulsive force with the auxiliary wiring, the signal line, the electric field control ring, etc., and at the same time the lower electrode is ejected. Is attracted by the attractive force of.
Therefore, the flight trajectory of the droplet ejected from the nozzle is
The trajectory can be corrected in the direction toward the target lower electrode.

【0073】このように、液滴の飛行軌道を修正するこ
とにより、吐出液滴の塗布領域マージンを小さく設定す
ることが可能となり、表示素子を高精細化した場合であ
っても、発光材料の塗布精度を向上させることが可能と
なる。このため、隣接する異なる色の表示素子における
発光層での混色を防止することが可能となり、表示品位
を向上することが可能となる。
As described above, by correcting the flight trajectory of the droplets, it is possible to set the application area margin of the discharged droplets small, and even when the display element is made fine, the light emitting material It is possible to improve the coating accuracy. For this reason, it is possible to prevent color mixing in the light emitting layers of adjacent display elements of different colors, and it is possible to improve the display quality.

【0074】なお、この発明は、上述した実施の形態だ
けに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で様々に変形可能である。
The present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be variously modified without departing from the scope of the invention.

【0075】[0075]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、高精細な画像を表示可能であるとともに、表示品位
を向上することが可能な自己発光型表示装置の製造方法
を提供することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a method of manufacturing a self-luminous display device capable of displaying a high-definition image and improving the display quality. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は、この発明の一実施の形態にかかる有機
EL表示装置の構成を概略的に示す図である。
FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図2は、図1に示した有機EL表示装置の一部
を概略的に示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a part of the organic EL display device shown in FIG.

【図3】図3は、図2に示した有機EL表示装置の発光
層を形成する工程を説明するための概念図である。
FIG. 3 is a conceptual diagram for explaining a step of forming a light emitting layer of the organic EL display device shown in FIG.

【図4】図4は、他の有機EL表示装置の一部を概略的
に示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a part of another organic EL display device.

【図5】図5は、図4に示した有機EL表示装置の発光
層を形成する工程を説明するための概念図である。
5 is a conceptual diagram for explaining a process of forming a light emitting layer of the organic EL display device shown in FIG.

【図6】図6は、他の有機EL表示装置の一部を概略的
に示す断面図である。
FIG. 6 is a sectional view schematically showing a part of another organic EL display device.

【図7】図7は、図6に示した有機EL表示装置の発光
層を形成する工程を説明するための概念図である。
FIG. 7 is a conceptual diagram for explaining a step of forming a light emitting layer of the organic EL display device shown in FIG.

【図8】図8は、他の有機EL表示装置の一部を概略的
に示す断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a part of another organic EL display device.

【図9】図9は、図8に示した有機EL表示装置の発光
層を形成する工程を説明するための概念図である。
9 is a conceptual diagram for explaining a step of forming a light emitting layer of the organic EL display device shown in FIG.

【図10】図10は、他の有機EL表示装置の一部を概
略的に示す断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a part of another organic EL display device.

【図11】図11は、図10に示した有機EL表示装置
の発光層を形成する工程を説明するための概念図であ
る。
11 is a conceptual diagram for explaining a step of forming a light emitting layer of the organic EL display device shown in FIG.

【図12】図12は、有機EL表示装置の発光層を形成
する他の工程を説明するための概念図である。
FIG. 12 is a conceptual diagram for explaining another step of forming the light emitting layer of the organic EL display device.

【図13】図13は、発光層形成工程における電圧と塗
布精度との関係の一例を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing an example of a relationship between voltage and coating accuracy in a light emitting layer forming step.

【図14】図14は、図8に示した有機EL表示装置の
一部を概略的に示す平面図である。
FIG. 14 is a plan view schematically showing a part of the organic EL display device shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…有機EL表示装置 10…画素TFT 20…駆動素子 30…蓄積助容量素子 40…表示素子 60…金属反射層 62…下部電極 64…発光層 66…上部電極 70…補助配線 80…インクジェット装置 82…ノズル 86…電界制御リング 100…アレイ基板 102…表示エリア 106…走査線駆動回路 108…信号線駆動回路 110…下部電極電源線 112…上部電極電源線 130…隔壁絶縁膜 VL…電源供給線 1 ... Organic EL display device 10 ... Pixel TFT 20 ... Drive element 30 ... Storage capacitor element 40 ... Display element 60 ... Metal reflective layer 62 ... Lower electrode 64 ... Light emitting layer 66 ... Upper electrode 70 ... Auxiliary wiring 80 ... Inkjet device 82 ... Nozzle 86 ... Electric field control ring 100 ... Array substrate 102 ... Display area 106 ... Scan line drive circuit 108 ... Signal line drive circuit 110 ... Lower electrode power line 112 ... upper electrode power supply line 130 ... Partition insulating film VL ... Power supply line

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/14 H05B 33/14 B 33/22 33/22 Z Fターム(参考) 3K007 AB04 AB17 AB18 BA06 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 5C094 AA05 AA08 AA43 BA03 BA12 BA27 CA19 CA24 DA13 EA10 FA01 FA02 FB01 FB20 GB10 5G435 AA04 AA17 BB05 CC09 CC12 HH01 HH20 KK05 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H05B 33/14 H05B 33/14 B 33/22 33/22 ZF term (reference) 3K007 AB04 AB17 AB18 BA06 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 5C094 AA05 AA08 AA43 BA03 BA12 BA27 CA19 CA24 DA13 EA10 FA01 FA02 FB01 FB20 GB10 5G435 AA04 AA17 BB05 CC09 CC12 HH01 HH20 KK05

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板上に一対の電極間に発光層を挟持した
表示素子がマトリクス状に配置された自己発光型表示装
置の製造方法において、 前記一対の電極のうちの下部電極を表示素子毎に独立に
形成する工程と、 発光材料の液滴を吐出するノズルと、前記下部電極とに
それぞれ所定電圧を印加し、前記ノズルからの液滴を所
定電位に帯電した状態で前記下部電極上に向けて吐出し
て、発光層を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする自己発光型表示装置の製造方
法。
1. A method of manufacturing a self-luminous display device in which display elements having a light emitting layer sandwiched between a pair of electrodes are arranged in a matrix on a substrate, wherein a lower electrode of the pair of electrodes is provided for each display element. A step of independently forming a light emitting material, a nozzle for ejecting a droplet of a luminescent material, and a lower electrode with a predetermined voltage applied to the lower electrode while the droplet from the nozzle is charged to a predetermined potential. And a step of forming a light emitting layer by discharging toward a self-luminous display device.
【請求項2】基板上に一対の電極間に発光層を挟持した
表示素子がマトリクス状に配置された自己発光型表示装
置の製造方法において、 前記一対の電極のうちの下部電極を表示素子毎に独立に
形成する工程と、 前記表示素子の各々を分離する隔壁絶縁膜を形成する工
程と、 発光材料の液滴を吐出するノズルと、前記下部電極とに
それぞれ所定電圧を印加し、前記ノズルからの液滴を所
定電位に帯電した状態で前記下部電極上に向けて吐出し
て、発光層を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする自己発光型表示装置の製造方
法。
2. A method of manufacturing a self-luminous display device in which display elements having a light emitting layer sandwiched between a pair of electrodes are arranged in a matrix on a substrate, wherein a lower electrode of the pair of electrodes is provided for each display element. Independently, a step of forming a partition insulating film for separating each of the display elements, a nozzle for ejecting droplets of a light emitting material, and a predetermined voltage applied to the lower electrode, respectively. And a step of forming a light emitting layer by ejecting liquid droplets from the above toward the lower electrode in a state of being charged to a predetermined potential, and manufacturing a self-luminous display device.
【請求項3】前記自己発光型表示装置の製造方法は、前
記発光層を形成する工程の前に、前記隔壁絶縁膜上に補
助配線を形成する工程をさらに備え、 前記発光層を形成する工程において、 前記補助配線と前記ノズルとの間に斥力が生じるよう前
記補助配線に前記所定電位とは異なる第1電位を印加す
ることを特徴とする請求項2に記載の自己発光型表示装
置の製造方法。
3. The method for manufacturing a self-luminous display device further comprises a step of forming an auxiliary wiring on the partition insulating film before the step of forming the light emitting layer, the step of forming the light emitting layer. 3. The self-luminous display device according to claim 2, wherein a first potential different from the predetermined potential is applied to the auxiliary wiring so that a repulsive force is generated between the auxiliary wiring and the nozzle. Method.
【請求項4】前記自己発光型表示装置は、前記表示素子
の列方向に沿って前記下部電極と同一平面層上に配置さ
れる配線を備え、 前記発光層を形成する工程において、 前記下部電極と前記ノズルとの間に生じる引力より小さ
い引力が前記配線と前記ノズルとの間に生じるよう前記
配線に前記所定電位とは異なる第2電位を印加すること
を特徴とする請求項2に記載の自己発光型表示装置の製
造方法。
4. The self-luminous display device comprises a wiring arranged on the same plane layer as the lower electrode along a column direction of the display element, and in the step of forming the light emitting layer, the lower electrode is formed. The second electric potential different from the predetermined electric potential is applied to the wiring so that an attractive force smaller than the attractive force generated between the wiring and the nozzle is generated between the wiring and the nozzle. Manufacturing method of self-luminous display device.
【請求項5】前記配線は、前記前記隔壁絶縁膜に配され
る開口を介して前記下部電極に対向する上部電極に接続
する補助配線であることを特徴とする請求項4に記載の
自己発光型表示装置の製造方法。
5. The self-luminous light emitting device according to claim 4, wherein the wiring is an auxiliary wiring connected to an upper electrode facing the lower electrode through an opening provided in the partition insulating film. Manufacturing method of die display device.
【請求項6】基板上に配置される複数の信号線と、前記
信号線に略直交して配置される複数の走査線と、これら
交点付近に配置されるスイッチング素子と、前記スイッ
チング素子に接続され一対の電極間に発光層を挟持した
表示素子と、がマトリクス状に配置された自己発光型表
示装置の製造方法において、 前記一対の電極のうちの下部電極を表示素子毎に独立に
形成する工程と、 前記表示素子の各々を分離する隔壁絶縁膜を形成する工
程と、 発光材料の液滴を吐出するノズルと、前記下部電極とに
それぞれ所定電圧を印加し、前記ノズルからの液滴を所
定電位に帯電した状態で前記下部電極上に向けて吐出し
て、発光層を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする自己発光型表示装置の製造方
法。
6. A plurality of signal lines arranged on a substrate, a plurality of scanning lines arranged substantially orthogonal to the signal lines, a switching element arranged near these intersections, and connected to the switching element. And a display element having a light emitting layer sandwiched between a pair of electrodes, and a method for manufacturing a self-luminous display device in which a display element is arranged in a matrix, wherein a lower electrode of the pair of electrodes is independently formed A step of forming a partition insulating film for separating each of the display elements, a nozzle for ejecting droplets of a light emitting material, and a predetermined voltage are applied to the lower electrode, respectively, and the droplets from the nozzle are ejected. A method of manufacturing a self-luminous display device, comprising: a step of ejecting the light emitting layer toward the lower electrode in a state of being charged to a predetermined potential to form a light emitting layer.
【請求項7】前記自己発光型表示装置の製造方法は、前
記発光層を形成する工程の前に、前記隔壁絶縁膜上に補
助配線を形成する工程をさらに備え、 前記発光層を形成する工程において、 前記補助配線と前記ノズルとの間に斥力が生じるよう前
記補助配線に前記所定電位とは異なる第1電位を印加す
ることを特徴とする請求項6に記載の自己発光型表示装
置の製造方法。
7. The method of manufacturing the self-luminous display device further comprises a step of forming an auxiliary wiring on the partition insulating film before the step of forming the light emitting layer, the step of forming the light emitting layer. 7. The self-luminous display device according to claim 6, wherein a first potential different from the predetermined potential is applied to the auxiliary wiring so that a repulsive force is generated between the auxiliary wiring and the nozzle. Method.
【請求項8】前記自己発光型表示装置は、前記表示素子
の列方向に沿って前記下部電極と同一平面層上に配置さ
れる配線を備え、 前記発光層を形成する工程において、 前記下部電極と前記ノズルとの間に生じる引力より小さ
い引力が前記配線と前記ノズルとの間に生じるよう前記
配線に前記所定電位とは異なる第2電位を印加すること
を特徴とする請求項6に記載の自己発光型表示装置の製
造方法。
8. The self-luminous display device comprises a wiring arranged on the same plane layer as the lower electrode along a column direction of the display element, and in the step of forming the light emitting layer, the lower electrode is formed. 7. The second electric potential different from the predetermined electric potential is applied to the wiring so that an attractive force smaller than the attractive force generated between the wiring and the nozzle is generated between the wiring and the nozzle. Manufacturing method of self-luminous display device.
【請求項9】前記配線は、前記前記隔壁絶縁膜に配され
る開口を介して前記下部電極に対向する上部電極に接続
する補助配線であることを特徴とする請求項8に記載の
自己発光型表示装置の製造方法。
9. The self-luminous according to claim 8, wherein the wiring is an auxiliary wiring connected to an upper electrode facing the lower electrode through an opening provided in the partition insulating film. Manufacturing method of die display device.
【請求項10】前記配線は、前記信号線であることを特
徴とする請求項8に記載の自己発光型表示装置の製造方
法。
10. The method for manufacturing a self-luminous display device according to claim 8, wherein the wiring is the signal line.
【請求項11】基板上に一対の電極間に発光層を挟持し
た表示素子がマトリクス状に配置された自己発光型表示
装置の製造方法において、 前記一対の電極のうちの下部電極を表示素子毎に独立に
形成する工程と、 発光材料の液滴を吐出するノズルと、前記ノズルの周囲
に配置された電界制御リング、前記下部電極とにそれぞ
れ所定電圧を印加し、前記ノズルからの液滴を所定電位
に帯電した状態で前記下部電極上に向けて吐出して、発
光層を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする自己発光型表示装置の製造方
法。
11. A method of manufacturing a self-luminous display device in which display elements having a light emitting layer sandwiched between a pair of electrodes are arranged in a matrix on a substrate, wherein a lower electrode of the pair of electrodes is provided for each display element. A step of independently forming a droplet of a luminescent material, an electric field control ring disposed around the nozzle, and the lower electrode with a predetermined voltage respectively applied to the droplet from the nozzle. A method of manufacturing a self-luminous display device, comprising: a step of ejecting the light emitting layer toward the lower electrode in a state of being charged to a predetermined potential to form a light emitting layer.
【請求項12】前記発光材料は、高分子系材料であるこ
とを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載
の自己発光型表示装置の製造方法。
12. The method for manufacturing a self-luminous display device according to claim 1, wherein the light emitting material is a polymer material.
【請求項13】前記自己発光型表示装置は、異なる色を
表示可能な複数の表示素子を備えたことを特徴とする請
求項1乃至11のいずれか1項に記載の自己発光型表示
装置の製造方法。
13. The self-luminous display device according to claim 1, further comprising a plurality of display elements capable of displaying different colors. Production method.
【請求項14】前記補助配線は、各表示素子間にストラ
イプ状に配置されたことを特徴とする請求項3、5、
7,9のいずれか1項に記載の自己発光型表示装置の製
造方法。
14. The auxiliary wiring is arranged in a stripe pattern between the display elements.
10. The method for manufacturing the self-luminous display device according to any one of 7 and 9.
JP2001248091A 2001-08-17 2001-08-17 Manufacturing method of self-luminescence display Pending JP2003059660A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001248091A JP2003059660A (en) 2001-08-17 2001-08-17 Manufacturing method of self-luminescence display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001248091A JP2003059660A (en) 2001-08-17 2001-08-17 Manufacturing method of self-luminescence display

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003059660A true JP2003059660A (en) 2003-02-28

Family

ID=19077313

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001248091A Pending JP2003059660A (en) 2001-08-17 2001-08-17 Manufacturing method of self-luminescence display

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003059660A (en)

Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003303687A (en) * 2002-02-06 2003-10-24 Hitachi Ltd Organic luminous display device
JP2004031335A (en) * 2002-04-30 2004-01-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device and method of fabricating the same
JP2004071365A (en) * 2002-08-07 2004-03-04 Hitachi Ltd Organic light emitting display device
JP2004111369A (en) * 2002-09-19 2004-04-08 Samsung Sdi Co Ltd Organic electroluminescent display device and its manufacturing method
JP2004207217A (en) * 2002-12-11 2004-07-22 Sony Corp Display device and manufacturing method of the same
JP2005019408A (en) * 2003-06-27 2005-01-20 Chi Mei Optoelectronics Corp Organic el element and manufacturing method of the same
JP2005031651A (en) * 2003-06-17 2005-02-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and electronic apparatus
JP2005116507A (en) * 2003-10-09 2005-04-28 Samsung Sdi Co Ltd Flat display device and its manufacturing method
JP2006119618A (en) * 2004-09-21 2006-05-11 Casio Comput Co Ltd Display panel, its driving method and its manufacturing method
JP2006202597A (en) * 2005-01-20 2006-08-03 Seiko Epson Corp Method and equipment for manufacturing light emitting device
KR100609322B1 (en) 2003-04-15 2006-08-03 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Method for forming film, manufacturing method of electronic device, apparatus for forming film and electronic device, electronic instrument
JP2006236839A (en) * 2005-02-25 2006-09-07 Mitsubishi Electric Corp Organic electroluminescent display device
JP2006349753A (en) * 2005-06-13 2006-12-28 Seiko Epson Corp Light emitting device and manufacturing method for the same
JP2007506139A (en) * 2003-09-18 2007-03-15 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド Thin film transistor array panel, flat panel display including the same, and method for manufacturing the same
JP2007128688A (en) * 2005-11-01 2007-05-24 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Display device and manufacturing method of the same
JP2007152349A (en) * 2002-03-13 2007-06-21 Ricoh Co Ltd Functional element substrate manufacturing apparatus and method
JP2008052951A (en) * 2006-08-23 2008-03-06 Sony Corp Method of manufacturing display, and display device
US7382342B2 (en) 2003-06-03 2008-06-03 Sony Corporation Pixel circuit and display device
JP2008134337A (en) * 2006-11-27 2008-06-12 Lg Phillips Lcd Co Ltd Organic el display device
JP2008216975A (en) * 2007-02-08 2008-09-18 Seiko Epson Corp Light emitting device
JP2009277681A (en) * 2008-05-12 2009-11-26 Panasonic Corp Liquid applying apparatus and liquid applying method
US7759859B2 (en) 2002-04-30 2010-07-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2010219115A (en) * 2009-03-13 2010-09-30 Fuji Xerox Co Ltd Light emitting element, exposure head, cartridge, image forming apparatus and method for manufacturing the light emitting element
WO2010140301A1 (en) * 2009-06-04 2010-12-09 パナソニック株式会社 Organic el display panel and method for manufacturing same
US7880380B2 (en) 2003-06-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
JPWO2011158303A1 (en) * 2010-06-18 2013-08-15 パナソニック株式会社 Organic EL display device
US8569774B2 (en) 2010-07-27 2013-10-29 Panasonic Corporation Organic EL display panel and method of manufacturing the same
US9099674B2 (en) 2010-02-19 2015-08-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
CN107579099A (en) * 2017-08-28 2018-01-12 上海天马微电子有限公司 Display panel, preparation method thereof and display device
CN107623083A (en) * 2017-08-31 2018-01-23 上海天马微电子有限公司 Array substrate, organic electroluminescent display panel and ink-jet printing method
CN107706217A (en) * 2017-09-22 2018-02-16 上海天马微电子有限公司 Display panel, display substrate and ink-jet printing method applied to display substrate
CN110137366A (en) * 2018-06-22 2019-08-16 友达光电股份有限公司 Light-emitting component and its manufacturing method
CN110614848A (en) * 2019-09-26 2019-12-27 华中科技大学 Track-induced deposition control system and method for electrohydrodynamic jet printing
CN110827700A (en) * 2019-10-21 2020-02-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 OLED display panel and display device
JP2021182549A (en) * 2003-06-16 2021-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 Light-emitting device
CN115513397A (en) * 2022-08-18 2022-12-23 Tcl华星光电技术有限公司 Display panel, preparation method thereof and display terminal
WO2023178784A1 (en) * 2022-03-22 2023-09-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Method for manufacturing organic display panel, and organic display panel

Cited By (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003303687A (en) * 2002-02-06 2003-10-24 Hitachi Ltd Organic luminous display device
JP4481292B2 (en) * 2002-03-13 2010-06-16 株式会社リコー Functional element substrate manufacturing apparatus and method
JP2007152349A (en) * 2002-03-13 2007-06-21 Ricoh Co Ltd Functional element substrate manufacturing apparatus and method
JP2004031335A (en) * 2002-04-30 2004-01-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device and method of fabricating the same
US7759859B2 (en) 2002-04-30 2010-07-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2004071365A (en) * 2002-08-07 2004-03-04 Hitachi Ltd Organic light emitting display device
JP2004111369A (en) * 2002-09-19 2004-04-08 Samsung Sdi Co Ltd Organic electroluminescent display device and its manufacturing method
US7507609B2 (en) 2002-09-19 2009-03-24 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic electroluminescent display and method of manufacturing the same
US7224115B2 (en) 2002-12-11 2007-05-29 Sony Corporation Display apparatus and method of manufacturing the same
JP2004207217A (en) * 2002-12-11 2004-07-22 Sony Corp Display device and manufacturing method of the same
US7718452B2 (en) 2002-12-11 2010-05-18 Sony Corporation Display apparatus and method of manufacturing the same
KR100609322B1 (en) 2003-04-15 2006-08-03 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Method for forming film, manufacturing method of electronic device, apparatus for forming film and electronic device, electronic instrument
US9147358B2 (en) 2003-06-03 2015-09-29 Sony Corporation Pixel circuit and display device
US8159479B2 (en) 2003-06-03 2012-04-17 Sony Corporation Pixel circuit and display device
US12051367B2 (en) 2003-06-03 2024-07-30 Sony Group Corporation Pixel circuit and display device
US9570007B2 (en) 2003-06-03 2017-02-14 Sony Corporation Pixel circuit and display device
US9911383B2 (en) 2003-06-03 2018-03-06 Sony Corporation Pixel circuit and display device
US9076384B2 (en) 2003-06-03 2015-07-07 Sony Corporation Pixel circuit and display device
US7382342B2 (en) 2003-06-03 2008-06-03 Sony Corporation Pixel circuit and display device
US10170041B2 (en) 2003-06-03 2019-01-01 Sony Corporation Pixel circuit and display device
US8836678B2 (en) 2003-06-03 2014-09-16 Sony Corporation Pixel circuit and display device
JP2021182549A (en) * 2003-06-16 2021-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 Light-emitting device
JP2023054124A (en) * 2003-06-16 2023-04-13 株式会社半導体エネルギー研究所 Light-emitting device
US8917016B2 (en) 2003-06-17 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
US9887241B2 (en) 2003-06-17 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
JP2005031651A (en) * 2003-06-17 2005-02-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and electronic apparatus
JP4593179B2 (en) * 2003-06-17 2010-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
US7880380B2 (en) 2003-06-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
JP4674281B2 (en) * 2003-06-27 2011-04-20 奇美電子股▲ふん▼有限公司 Organic EL device and method for manufacturing the same
JP2005019408A (en) * 2003-06-27 2005-01-20 Chi Mei Optoelectronics Corp Organic el element and manufacturing method of the same
JP2007506139A (en) * 2003-09-18 2007-03-15 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド Thin film transistor array panel, flat panel display including the same, and method for manufacturing the same
US7686666B2 (en) 2003-10-09 2010-03-30 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display device capable of reducing or preventing a voltage drop and method of fabricating the same
JP2005116507A (en) * 2003-10-09 2005-04-28 Samsung Sdi Co Ltd Flat display device and its manufacturing method
JP2006119618A (en) * 2004-09-21 2006-05-11 Casio Comput Co Ltd Display panel, its driving method and its manufacturing method
JP2006202597A (en) * 2005-01-20 2006-08-03 Seiko Epson Corp Method and equipment for manufacturing light emitting device
JP2006236839A (en) * 2005-02-25 2006-09-07 Mitsubishi Electric Corp Organic electroluminescent display device
JP2006349753A (en) * 2005-06-13 2006-12-28 Seiko Epson Corp Light emitting device and manufacturing method for the same
JP2007128688A (en) * 2005-11-01 2007-05-24 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Display device and manufacturing method of the same
US8062695B2 (en) 2006-08-23 2011-11-22 Sony Corporation Method for manufacturing display and display
JP2008052951A (en) * 2006-08-23 2008-03-06 Sony Corp Method of manufacturing display, and display device
US9209233B2 (en) 2006-08-23 2015-12-08 Joled Inc. Method for manufacturing display and display
JP2008134337A (en) * 2006-11-27 2008-06-12 Lg Phillips Lcd Co Ltd Organic el display device
JP2008216975A (en) * 2007-02-08 2008-09-18 Seiko Epson Corp Light emitting device
KR101469767B1 (en) * 2007-02-08 2014-12-05 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Light emitting device and electronic apparatus
JP2009277681A (en) * 2008-05-12 2009-11-26 Panasonic Corp Liquid applying apparatus and liquid applying method
JP2010219115A (en) * 2009-03-13 2010-09-30 Fuji Xerox Co Ltd Light emitting element, exposure head, cartridge, image forming apparatus and method for manufacturing the light emitting element
WO2010140301A1 (en) * 2009-06-04 2010-12-09 パナソニック株式会社 Organic el display panel and method for manufacturing same
JP4621818B1 (en) * 2009-06-04 2011-01-26 パナソニック株式会社 Organic EL display panel and manufacturing method thereof
US9099674B2 (en) 2010-02-19 2015-08-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
JP5627682B2 (en) * 2010-06-18 2014-11-19 パナソニック株式会社 Organic EL display device
US8823612B2 (en) 2010-06-18 2014-09-02 Panasonic Corporation Organic el display device
JPWO2011158303A1 (en) * 2010-06-18 2013-08-15 パナソニック株式会社 Organic EL display device
US8569774B2 (en) 2010-07-27 2013-10-29 Panasonic Corporation Organic EL display panel and method of manufacturing the same
CN107579099A (en) * 2017-08-28 2018-01-12 上海天马微电子有限公司 Display panel, preparation method thereof and display device
CN107579099B (en) * 2017-08-28 2020-07-07 上海天马微电子有限公司 Display panel, preparation method thereof and display device
CN107623083A (en) * 2017-08-31 2018-01-23 上海天马微电子有限公司 Array substrate, organic electroluminescent display panel and ink-jet printing method
US10566532B2 (en) 2017-09-22 2020-02-18 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Display panel, display substrate, and inkjet printing method applicable to the display substrate
CN107706217B (en) * 2017-09-22 2020-06-09 上海天马微电子有限公司 Display panel, display substrate and ink-jet printing method applied to display substrate
CN107706217A (en) * 2017-09-22 2018-02-16 上海天马微电子有限公司 Display panel, display substrate and ink-jet printing method applied to display substrate
CN110137366A (en) * 2018-06-22 2019-08-16 友达光电股份有限公司 Light-emitting component and its manufacturing method
CN110137366B (en) * 2018-06-22 2021-12-07 友达光电股份有限公司 Light emitting element and method for manufacturing the same
CN110614848A (en) * 2019-09-26 2019-12-27 华中科技大学 Track-induced deposition control system and method for electrohydrodynamic jet printing
CN110827700A (en) * 2019-10-21 2020-02-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 OLED display panel and display device
WO2023178784A1 (en) * 2022-03-22 2023-09-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Method for manufacturing organic display panel, and organic display panel
CN115513397A (en) * 2022-08-18 2022-12-23 Tcl华星光电技术有限公司 Display panel, preparation method thereof and display terminal

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003059660A (en) Manufacturing method of self-luminescence display
US10229965B2 (en) Method fabricating organic light emitting diode display device
JP4074099B2 (en) Flat display device and manufacturing method thereof
JP5545335B2 (en) Display device and electronic device
CN111435676B (en) Organic EL display panel and method of manufacturing the same
TWI261480B (en) Display device, manufacturing method for display device, and electronic apparatus
US7601943B2 (en) Electro-optical device having electro-optical elements provided selectively at pixel regions and electronic apparatus
JP4924314B2 (en) Organic EL device and electronic device
US20080090484A1 (en) Method of manufacturing light emitting element and method of manufacturing display apparatus having the same
JP2005327674A (en) Organic electroluminescent display element, display device having the same, and manufacturing method thereof
KR20140067264A (en) Organic electro-luminescent device
JP4226867B2 (en) Display device
KR20050061322A (en) Display device and manufacturing method thereof
US10622412B2 (en) Display panel
US11158681B2 (en) OLED display device and method of manufacturing OLED display device
JP5262343B2 (en) Display device and method of manufacturing display device
JP4306599B2 (en) Pattern forming substrate, electro-optical device, and method of manufacturing electro-optical device
WO2014174803A1 (en) Method for producing el display device
JP4314820B2 (en) Display device and electronic device
JP3783709B2 (en) Electro-optical device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
JP4492368B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
KR101001997B1 (en) Method and Apparatus For Fabricating of Organic Electro-luminescence Display Device
GB2463670A (en) A method for inkjet printing organic electronic devices
JP2005268137A (en) Electrooptical device, manufacturing method for electrooptical device and electronic equipment
JP4370918B2 (en) Drawing device

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20070514