JP2003057826A - Photosensitive resin composition - Google Patents

Photosensitive resin composition

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JP2003057826A
JP2003057826A JP2001250535A JP2001250535A JP2003057826A JP 2003057826 A JP2003057826 A JP 2003057826A JP 2001250535 A JP2001250535 A JP 2001250535A JP 2001250535 A JP2001250535 A JP 2001250535A JP 2003057826 A JP2003057826 A JP 2003057826A
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acid
atom
compound
substituent
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JP2001250535A
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Shinichi Kanna
慎一 漢那
Kazuyoshi Mizutani
一良 水谷
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Fuji Photo Film Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an excellent photosensitive resin composition having sufficient transmittance when a source of light having <=160 nm wavelength, specifically F2 excimer laser light (157 nm) is used and ensuring small line edge roughness and small dependence on development time. SOLUTION: The photosensitive resin composition comprises a resin which is decomposed by the action of an acid having a specified structure to increase its solubility in an alkali developing solution, a compound which generates the acid represented by the formula A1 H when irradiated with active light or radiation, an ionic compound represented by the formula B<+> A2 <-> , a solvent and a surfactant, and the acid A1 H generated by irradiation with active light or radiation and the ionic compound B<+> A2 <-> carry out a salt exchange reaction represented by the formula A1 H+B<+> A2 <-> →B<+> A1 <-> +A2 H.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、超LSI、高容量
マイクロチップの製造などのマイクロリソグラフィープ
ロセスや、その他のフォトファブリケーションプロセス
に好適に用いられる感光性樹脂組成物に関するものであ
る。更に詳しくは、160nm以下の真空紫外光を使用
して高精細化したパターンを形成し得るポジ型レジスト
組成物に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photosensitive resin composition suitable for use in microlithography processes such as manufacturing of ultra-LSIs and high-capacity microchips and other photofabrication processes. More specifically, the present invention relates to a positive resist composition capable of forming a highly refined pattern using vacuum ultraviolet light of 160 nm or less.

【従来の技術】集積回路はその集積度を益々高めてお
り、超LSIなどの半導体基板の製造においては、クオ
ーターミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加
工が必要とされるようになってきた。パターンの微細化
を図る手段の一つとして、レジストのパターン形成の際
に使用される露光光源の短波長化が知られている。
2. Description of the Related Art The degree of integration of integrated circuits is increasing more and more, and in the manufacture of semiconductor substrates such as VLSI, it has become necessary to process ultrafine patterns having a line width of less than quarter micron. It was As one of means for achieving a finer pattern, it is known to shorten the wavelength of an exposure light source used when forming a resist pattern.

【0002】例えば64Mビットまでの集積度の半導体
素子の製造には、現在まで高圧水銀灯のi線(365n
m)が光源として使用されてきた。この光源に対応する
ポジ型レジストとしては、ノボラック樹脂と感光物とし
てのナフトキノンジアジド化合物を含む組成物が、数多
く開発され、0.3μm程度までの線幅の加工において
は十分な成果をおさめてきた。また256Mビット以上
集積度の半導体素子の製造には、i線に代わりKrFエ
キシマレーザー光(248nm)が露光光源として採用
されてきた。更に1Gビット以上の集積度の半導体製造
を目的として、近年より短波長の光源であるArFエキ
シマレーザー光(193nm)の使用、更には0.1μ
m以下のパターンを形成する為にF2エキシマレーザー
光(157nm)の使用が検討されている。
For example, to manufacture a semiconductor device having an integration degree of up to 64 Mbits, up to now, the i-line (365n) of a high pressure mercury lamp has been used.
m) has been used as a light source. As a positive resist compatible with this light source, many compositions containing a novolac resin and a naphthoquinonediazide compound as a photosensitive material have been developed, and have achieved sufficient results in processing line widths up to about 0.3 μm. . Further, KrF excimer laser light (248 nm) has been adopted as an exposure light source instead of the i-line in the manufacture of a semiconductor device having an integration degree of 256 Mbits or more. Furthermore, for the purpose of manufacturing semiconductors with a degree of integration of 1 Gbit or more, the use of ArF excimer laser light (193 nm), which is a light source with a shorter wavelength in recent years, has a
The use of F2 excimer laser light (157 nm) for forming a pattern of m or less has been studied.

【0003】これら光源の短波長化に合わせ、レジスト
材料の構成成分及びその化合物構造も大きく変化してい
る。KrFエキシマレーザー光による露光用のレジスト
組成物として、248nm領域での吸収の小さいポリ
(ヒドロキシスチレン)を基本骨格とし酸分解基で保護
した樹脂を主成分として用い、遠紫外光の照射で酸を発
生する化合物(光酸発生剤)を組み合わせた組成物、所
謂化学増幅型レジストが開発されてきた。
With the shortening of the wavelength of these light sources, the constituent components of the resist material and the compound structure thereof have changed greatly. As a resist composition for exposure by KrF excimer laser light, poly (hydroxystyrene) having a small absorption in the 248 nm region is used as a main skeleton and a resin protected with an acid decomposing group is used as a main component, and an acid is irradiated by irradiation with far ultraviolet light. A composition, which is a so-called chemically amplified resist, in which a generated compound (photo-acid generator) is combined has been developed.

【0004】また、ArFエキシマレーザー光(193
nm)露光用のレジスト組成物として、193nmに吸
収を持たない脂環式構造をポリマーの主鎖又は側鎖に導
入した酸分解性樹脂を使用した化学増幅型レジストが開
発されてきている。
In addition, ArF excimer laser light (193
As a resist composition for exposure, a chemically amplified resist using an acid-decomposable resin in which an alicyclic structure having no absorption at 193 nm is introduced in the main chain or side chain of a polymer has been developed.

【0005】F2エキシマレーザー光(157nm)に
対しては、上記脂環型樹脂においても157nm領域の
吸収が大きく、目的とする0.1μm以下のパターンを
得るには不十分であることが判明し、これに対し、フッ
素原子(パーフルオロ構造)を導入した樹脂が157n
mに十分な透明性を有することがProc. SPIE. Vol.367
8. 13頁(1999)にて報告され、有効なフッ素樹脂の構
造がProc. SPIE. Vol.3999. 330頁(2000)、同357頁
(2000)、同365頁(2000)、WO−00/17712
号等に提案され、フッ素含有樹脂を含有するレシスト組
成物の検討がなされてきている。
With respect to F 2 excimer laser light (157 nm), even the above alicyclic resin has large absorption in the 157 nm region, and it is proved that it is insufficient to obtain a target pattern of 0.1 μm or less. However, in contrast to this, the resin containing a fluorine atom (perfluoro structure) is 157n
Proc. SPIE. Vol.367 has sufficient transparency for m.
8. Reported on page 13 (1999), effective structure of fluororesin is Proc. SPIE. Vol. 3999. 330 (2000), 357 (2000), 365 (2000), WO-00. / 17712
No. 4, pp. 187-242, and studies on a resist composition containing a fluorine-containing resin have been made.

【0006】しかしながら、F2エキシマレーザー光露
光用のフッ素樹脂を含有するレジスト組成物は、ライン
エッジラフネス、現像時間依存性などの問題があり、こ
れらの点の解決が望まれていた。ラインエッジラフネス
とは、レジストの特性に起因して、レジストのラインパ
ターンと基板界面のエッジが、ライン方向と垂直な方向
に不規則に変動した形状を呈することを言う。このパタ
ーンを真上から観察するとエッジが凸凹(±数nm〜数
十nm程度)に見える。この凸凹は、エッチング工程に
より基板に転写されるため、凸凹が大きいと電気特性不
良を引き起こし、歩留まりを低下させることになる。ま
た、現像時間依存性とは、現像時間の変動によりパター
ン寸法の変化の程度を言う。現像時間依存性が大きい
と、ウエハー面内の寸法均一性が悪化し、プロセスの制
御性が困難となる。
However, a resist composition containing a fluorine resin for F 2 excimer laser light exposure has problems such as line edge roughness and development time dependency, and it has been desired to solve these problems. The line edge roughness means that, due to the characteristics of the resist, the edge of the resist line pattern and the substrate interface has a shape that irregularly fluctuates in the direction perpendicular to the line direction. When this pattern is observed from directly above, the edges look uneven (± several nm to several tens of nm). Since the unevenness is transferred to the substrate by the etching process, if the unevenness is large, the electrical characteristics will be deteriorated and the yield will be reduced. Further, the development time dependency means the degree of change in the pattern dimension due to the change in the development time. If the development time dependency is large, the dimensional uniformity within the wafer surface deteriorates, and the process controllability becomes difficult.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、160nm以下、特にF2エキシマレーザー光(1
57nm)の露光光源の使用に好適な感光性樹脂組成物
を提供することであり、具体的には157nmの光源使
用時に十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネ
ス、現像時間依存性が小さく優れた感光性樹脂組成物を
提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, the object of the present invention is to obtain a light of 160 nm or less, especially F 2 excimer laser light (1
(57 nm) exposure light source, and to provide a suitable photosensitive resin composition. Specifically, it exhibits sufficient transmissivity when using a 157 nm light source, and has excellent line edge roughness and development time dependency. Another object of the present invention is to provide a photosensitive resin composition.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的が以下の特
定の組成物を使用することで見事に達成されることを見
出し、本発明に到達した。即ち、本発明は下記構成であ
る。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention, as a result of diligent study in consideration of the above-mentioned various characteristics, have found that the object of the present invention can be successfully achieved by using the following specific composition. Has reached the present invention. That is, the present invention has the following configuration.

【0009】(1) (A)下記一般式(I)、(I
I)及び(VI)で示される繰り返し単位を各々少なく
とも一つ有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像
液に対する溶解度を増大する樹脂、(B1)活性光線ま
たは放射線の照射により、一般式A1Hで表される酸を
発生する化合物、(B2)一般式B+2 -で表されるイ
オン性化合物、(C)溶剤、及び(D)界面活性剤を含
有する感光性樹脂組成物であり、活性光線または放射線
の照射により(B1)成分により発生する酸A1Hとイ
オン性化合物B+2 -が A1H + B+2 - → B+1 - + A2H (但し、Hは水素原子、A1は酸A1Hから水素原子を除
いた残基、B+は当該イオン性化合物のカチオン部、A2
-はアニオン部を表す。A1 -はA1に由来するアニオン、
2は水素原子イオンとの結合によりイオン性が低下し
たA2 -に由来する基を表す。)で表される塩交換反応を
行うことを特徴とする感光性樹脂組成物。
(1) (A) The following general formulas (I) and (I
I) and (VI) each having at least one repeating unit, which decomposes by the action of an acid and increases the solubility in an alkali developing solution, (B1) by irradiation with actinic rays or radiation, a compound represented by the general formula A 1 a compound capable of generating an acid represented by H, (B2) the general formula B + a 2 - ionic compound represented by in (C) a solvent, and (D) a photosensitive resin composition containing a surface active agent There, upon irradiation with actinic rays or radiation (B1) an acid generated by component a 1 H and ionic compounds B + a 2 - is a 1 H + B + a 2 - → B + a 1 - + a 2 H ( Here, H is a hydrogen atom, A 1 is a residue obtained by removing a hydrogen atom from the acid A 1 H, B + is a cation portion of the ionic compound, and A 2 is
- represents an anion portion. A 1 - is an anion derived from A 1 ,
A 2 represents a group derived from A 2 having a reduced ionicity due to the bond with a hydrogen atom ion. The photosensitive resin composition characterized by performing the salt exchange reaction represented by these.

【0010】[0010]

【化3】 [Chemical 3]

【0011】一般式(I)、(II)及び(VI)中、
1、R5、R17a及びR17は、同じでも異なっていても
よく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を
有していてもよいアルキル基を表す。R2、R3、R6
びR7は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハ
ロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基又は置換基を有
していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アル
コキシ基、アシル基、アシロキシ基、アルケニル基、ア
リール基若しくはアラルキル基を表す。R50〜R 55は、
同じでも異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子又
は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。但し、
50〜R55の内、少なくとも1つは、フッ素原子又は少
なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアル
キル基を表す。R4は、下記一般式(IV)又は(V)
の基を表す。R18は、−C(R18d)(R18e
(R18f)又は−C(R18d)(R18e)(OR18g)を表
す。R18d〜R 18gは、同じでも異なっていてもよく、水
素原子又は置換基を有していてもよい、アルキル基、シ
クロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基若しくは
アリール基を表す。R18d、R18e、R18fの内の2つ又
はR18d、R18e、R18gの内の2つが結合して環を形成
してもよい。
In the general formulas (I), (II) and (VI),
R1, RFive, R17aAnd R17Are the same or different
Often, hydrogen atom, halogen atom, cyano group or substituent
It represents an alkyl group which may have. R2, R3, R6Over
And R7May be the same or different and may be a hydrogen atom,
Possess a rogen atom, cyano group, hydroxyl group or substituent
Optionally, an alkyl group, a cycloalkyl group, an
Coxy group, acyl group, acyloxy group, alkenyl group,
Represents a reel group or an aralkyl group. R50~ R 55Is
They may be the same or different and may be hydrogen atom, fluorine atom or
Represents an alkyl group which may have a substituent. However,
R50~ R55Of these, at least one is a fluorine atom or
At least one hydrogen atom is replaced by a fluorine atom
Represents a kill group. RFourIs the following general formula (IV) or (V)
Represents the group of. R18Is -C (R18d) (R18e)
(R18f) Or -C (R18d) (R18e) (OR18 g) Table
You R18d~ R 18 gCan be the same or different, water
An alkyl group, optionally substituted with an atom or a substituent,
Chloroalkyl group, alkenyl group, aralkyl group or
Represents an aryl group. R18d, R18e, R18fTwo of the
Is R18d, R18e, R18 gTwo of them combine to form a ring
You may.

【0012】[0012]

【化4】 [Chemical 4]

【0013】一般式(IV)中、R11、R12及びR
13は、同じでも異なっていてもよく、置換基を有してい
てもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル
基、アラルキル基又はアリール基を表す。一般式(V)
中、R14及びR15は、同じでも異なっていてもよく、水
素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表
す。R16は、置換基を有していてもよい、アルキル基、
シクロアルキル基、アラルキル基若しくはアリール基を
表す。R14〜R16の内の2つが結合し、環を形成しても
よい。
In the general formula (IV), R 11 , R 12 and R
13 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group or an aryl group, which may be the same or different and may have a substituent. General formula (V)
R 14 and R 15, which may be the same or different, each represent a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent. R 16 is an alkyl group which may have a substituent,
It represents a cycloalkyl group, an aralkyl group or an aryl group. Two of R 14 to R 16 may combine with each other to form a ring.

【0014】(2)(B1)成分が、活性光線または放
射線の照射により少なくとも1つのフッ素原子で置換さ
れた脂肪族あるいは芳香族のスルホン酸を発生する化合
物であり、(B2)成分が、塩交換反応により、フッ素
原子を含有しない脂肪族あるいは芳香族のスルホン酸、
又は、脂肪族あるいは芳香族のカルボン酸を発生するイ
オン性化合物であることを特徴とする前記(1)に記載
の感光性樹脂組成物。 (3)(B1)成分が、活性光線または放射線の照射に
よりフッ素原子を含有しない脂肪族あるいは芳香族のス
ルホン酸を発生する化合物であり、(B2)成分が、塩
交換反応により、脂肪族あるいは芳香族のカルボン酸を
発生するイオン性化合物であることを特徴とする前記
(1)に記載の感光性樹脂組成物。 (4)(B1)成分が、活性光線または放射線の照射に
より少なくとも1つのフッ素原子で置換された脂肪族あ
るいは芳香族のカルボン酸を発生する化合物であり、
(B2)成分が、塩交換反応により、フッ素原子を含有
しない脂肪族あるいは芳香族のカルボン酸を発生するイ
オン性化合物であることを特徴とする前記(1)に記載
の感光性樹脂組成物。
(2) The component (B1) is a compound which generates an aliphatic or aromatic sulfonic acid substituted with at least one fluorine atom upon irradiation with actinic rays or radiation, and the component (B2) is a salt. By an exchange reaction, an aliphatic or aromatic sulfonic acid containing no fluorine atom,
Alternatively, the photosensitive resin composition as described in (1) above, which is an ionic compound that generates an aliphatic or aromatic carboxylic acid. (3) The component (B1) is a compound that generates a fluorine atom-free aliphatic or aromatic sulfonic acid upon irradiation with actinic rays or radiation, and the component (B2) is an aliphatic or aromatic compound produced by a salt exchange reaction. The photosensitive resin composition as described in (1) above, which is an ionic compound that generates an aromatic carboxylic acid. (4) The component (B1) is a compound which generates an aliphatic or aromatic carboxylic acid substituted with at least one fluorine atom upon irradiation with actinic rays or radiation,
The photosensitive resin composition as described in (1) above, wherein the component (B2) is an ionic compound which generates an aliphatic or aromatic carboxylic acid containing no fluorine atom by a salt exchange reaction.

【0015】更に以下の態様が好ましい。 (5)上記一般式(VI)中、R18が、下記一般式(V
I−A)で表されることを特徴とする前記(1)〜
(4)のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
Further, the following embodiments are preferable. (5) In the above general formula (VI), R 18 is the following general formula (V
IA) is represented by the above (1) to
The photosensitive resin composition according to any one of (4).

【0016】[0016]

【化5】 [Chemical 5]

【0017】一般式(VI−A)中、R18a及びR
18bは、同じでも異なっていてもよく、置換基を有して
いてもよいアルキル基を表す。R18cは、置換基を有し
ていてもよいシクロアルキル基を表す。
In the general formula (VI-A), R 18a and R 18
18b may be the same or different and represents an alkyl group which may have a substituent. R 18c represents a cycloalkyl group which may have a substituent.

【0018】(6) 上記一般式(VI)中、R18が、
下記一般式(VI−B)で表されることを特徴とする前
記(1)〜(5)のいずれかに記載の感光性樹脂組成
物。
(6) In the general formula (VI), R 18 is
The photosensitive resin composition according to any one of (1) to (5) above, which is represented by the following general formula (VI-B).

【0019】[0019]

【化6】 [Chemical 6]

【0020】一般式(VI−B)中、R18hは、置換基
を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アル
キニル基、アラルキル基又はアリール基を表す。Zは、
一般式(VI−B)中の炭素原子とともに単環又は多環
の脂環基を構成する原子団を表す。
In the general formula (VI-B), R 18h represents an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aralkyl group or an aryl group which may have a substituent. Z is
It represents an atomic group constituting a monocyclic or polycyclic alicyclic group together with the carbon atom in the general formula (VI-B).

【0021】(7) 上記一般式(VI)中、R18が、
下記一般式(VI−C)で表されることを特徴とする前
記(1)〜(6)のいずれかに記載の感光性樹脂組成
物。
(7) In the general formula (VI), R 18 is
The photosensitive resin composition according to any one of (1) to (6) above, which is represented by the following general formula (VI-C).

【0022】[0022]

【化7】 [Chemical 7]

【0023】一般式(VI−C)中、R18'は、置換基
を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アル
キニル基、アラルキル基又はアリール基を表す。
In formula (VI-C), R 18 ' represents an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aralkyl group or an aryl group which may have a substituent.

【0024】(8) 上記一般式(I)のR1、一般式
(II)のR5及び一般式(VI)のR 17の少なくとも
1つが、トリフルオロメチル基であることを特徴とする
前記(1)〜(7)のいずれかに記載の感光性樹脂組成
物。
(8) R in the general formula (I)1, General formula
R of (II)FiveAnd R in the general formula (VI) 17At least
One of which is a trifluoromethyl group
The photosensitive resin composition according to any one of (1) to (7) above.
Stuff.

【0025】(9) (A)の樹脂が、更に下記一般式
(III)又は(VII)で表される繰り返し単位を少
なくとも1つ有することを特徴とする前記(1)〜
(8)のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
(9) The resin of (A) further has at least one repeating unit represented by the following general formula (III) or (VII), wherein (1) to
The photosensitive resin composition according to any one of (8).

【0026】[0026]

【化8】 [Chemical 8]

【0027】一般式(III)中、R8は、水素原子、
ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよい
アルキル基を表す。R9及びR10は、同じでも異なって
いてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置
換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル
基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アルケニ
ル基、アリール基若しくはアラルキル基を表す。一般式
(VII)中、R19及びR20は、同じでも異なっていて
もよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基
を有していてもよいアルキル基を表す。R21は、水素原
子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル
基又は−D−CN基を表す。Dは、単結合又は2価の連
結基を表す。
In the general formula (III), R 8 is a hydrogen atom,
It represents a halogen atom, a cyano group or an alkyl group which may have a substituent. R 9 and R 10 may be the same or different, and may have a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or a substituent, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, It represents an alkenyl group, an aryl group or an aralkyl group. In formula (VII), R 19 and R 20, which may be the same or different, each represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or an alkyl group which may have a substituent. R 21 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an optionally substituted alkyl group, or -D-CN group. D represents a single bond or a divalent linking group.

【0028】(10)(A)の樹脂が、更に下記一般式
(VIII)〜(XVII)で表される繰り返し単位を
少なくとも一つ有することを特徴とする前記(1)〜
(9)のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
(10) The resin of (A) further has at least one repeating unit represented by the following general formulas (VIII) to (XVII), wherein (1) to (1)
The photosensitive resin composition according to any one of (9).

【0029】[0029]

【化9】 [Chemical 9]

【0030】一般式(VIII)〜(XVII)中、R
25、R26及びR27は、同じでも異なっていてもよく、水
素原子、フッ素原子又は置換基を有していてもよい、ア
ルキル基、シクロアルキル基若しくはアリール基を表
す。R28、R29及びR30は、同じでも異なっていてもよ
く、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロア
ルキル基又はアリール基を表す。また、R25とR26、R
27とR28、R29とR30とは、互いに結合して環を形成し
てもよい。R31、R35、R37、R40及びR44は、同じで
も異なっていてもよく、水素原子又は置換基を有してい
てもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基若
しくはアルコキシカルボニル基を表す。R 32、R33、R
34、R41、R42及びR43は、同じでも異なっていてもよ
く、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していても
よい、アルキル基若しくはアルコキシ基を表す。R36
びR39は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハ
ロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいア
ルキル基を表す。R38は、置換基を有していてもよい、
アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基又はアリ
ール基を表す。B1及びB2は、単結合又は2価の連結基
を表す。B3は、2価の連結基を表す。nは、0又は1
を表す。
In the general formulas (VIII) to (XVII), R
twenty five, R26And R27Can be the same or different, water
An elementary atom, a fluorine atom or an optionally substituted group,
Represents a alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group.
You R28, R29And R30Can be the same or different
, Optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group
It represents a alkyl group or an aryl group. Also, Rtwenty fiveAnd R26, R
27And R28, R29And R30And are linked together to form a ring
May be. R31, R35, R37, R40And R44Is the same
May be different from each other and have a hydrogen atom or a substituent.
May be alkyl group, cycloalkyl group, acyl group
Specifically, it represents an alkoxycarbonyl group. R 32, R33, R
34, R41, R42And R43Can be the same or different
Even if it has a hydrogen atom, a halogen atom or a substituent
Represents an alkyl group or an alkoxy group. R36Over
And R39May be the same or different and may be a hydrogen atom,
Rogen atom, cyano group or an optionally substituted group
Represents a rukyl group. R38May have a substituent,
Alkyl group, cycloalkyl group, aralkyl group or ari
Group. B1And B2Is a single bond or a divalent linking group
Represents B3Represents a divalent linking group. n is 0 or 1
Represents

【0031】(11) 更に、(D)フッ素系及び/又
はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とする前
記(1)〜(10)のいずれかに記載の感光性樹脂組成
物。 (12) 更に、(E)酸拡散抑制剤として、窒素原子
を有する塩基性化合物を含有することを特徴とする前記
(1)〜(11)のいずれかに記載の感光性樹脂組成
物。 (13) 波長157nmのF2レーザー光による照射
用であることを特徴とする前記(1)〜(12)のいず
れかに記載の感光性樹脂組成物。
(11) The photosensitive resin composition as described in any of (1) to (10) above, which further comprises (D) a fluorine-based and / or silicon-based surfactant. (12) The photosensitive resin composition as described in any of (1) to (11) above, which further comprises a basic compound having a nitrogen atom as the (E) acid diffusion inhibitor. (13) The photosensitive resin composition as described in any of (1) to (12) above, which is for irradiation with F 2 laser light having a wavelength of 157 nm.

【0032】[0032]

【発明の実施の形態】以下、本発明に使用する化合物に
ついて詳細に説明する。 [1]本発明の樹脂(A) 本発明における樹脂(A)は、上記一般式(I)、(I
I)及び(VI)で示される繰り返し単位を各々少なく
とも一つ有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像
液に対する溶解度を増大する樹脂である。本発明におけ
る樹脂(A)は、一般式(VI)中のR18が、上記一般
式(VI−A)、(VI−B)又は(VI−C)で表さ
れることが好ましい。本発明における樹脂(A)は、更
に、上記一般式(III)及び(VII)〜(XVI
I)で示される繰り返し単位を少なくとも一つ有してい
てもよい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The compounds used in the present invention are described in detail below. [1] Resin (A) of the Present Invention The resin (A) of the present invention has the general formulas (I) and (I
A resin having at least one repeating unit represented by each of I) and (VI), which decomposes by the action of an acid and increases the solubility in an alkali developing solution. In the resin (A) of the present invention, R 18 in the general formula (VI) is preferably represented by the above general formula (VI-A), (VI-B) or (VI-C). The resin (A) in the present invention further has the above general formulas (III) and (VII) to (XVI).
It may have at least one repeating unit represented by I).

【0033】一般式(I)、(II)及び(VI)中、
1、R5、R17a及びR17は、同じでも異なっていても
よく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を
有していてもよいアルキル基を表す。R2、R3、R6
びR7は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハ
ロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基又は置換基を有
していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アル
コキシ基、アシル基、アシロキシ基、アルケニル基、ア
リール基若しくはアラルキル基を表す。R50〜R 55は、
同じでも異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子又
は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。但し、
50〜R55の内、少なくとも1つは、フッ素原子又は少
なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアル
キル基を表す。R4は、下記一般式(IV)又は(V)
の基を表す。R18は、−C(R18d)(R18e
(R18f)又は−C(R18d)(R18e)(OR18g)を表
す。R18d〜R 18gは、同じでも異なっていてもよく、水
素原子又は置換基を有していてもよい、アルキル基、シ
クロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基若しくは
アリール基を表す。R18d、R18e、R18fの内の2つ又
はR18d、R18e、R18gの内の2つが結合して環を形成
してもよい。
In the general formulas (I), (II) and (VI),
R1, RFive, R17aAnd R17Are the same or different
Often, hydrogen atom, halogen atom, cyano group or substituent
It represents an alkyl group which may have. R2, R3, R6Over
And R7May be the same or different and may be a hydrogen atom,
Possess a rogen atom, cyano group, hydroxyl group or substituent
Optionally, an alkyl group, a cycloalkyl group, an
Coxy group, acyl group, acyloxy group, alkenyl group,
Represents a reel group or an aralkyl group. R50~ R 55Is
They may be the same or different and may be hydrogen atom, fluorine atom or
Represents an alkyl group which may have a substituent. However,
R50~ R55Of these, at least one is a fluorine atom or
At least one hydrogen atom is replaced by a fluorine atom
Represents a kill group. RFourIs the following general formula (IV) or (V)
Represents the group of. R18Is -C (R18d) (R18e)
(R18f) Or -C (R18d) (R18e) (OR18 g) Table
You R18d~ R 18 gCan be the same or different, water
An alkyl group, optionally substituted with an atom or a substituent,
Chloroalkyl group, alkenyl group, aralkyl group or
Represents an aryl group. R18d, R18e, R18fTwo of the
Is R18d, R18e, R18 gTwo of them combine to form a ring
You may.

【0034】一般式(IV)中、R11、R12及びR
13は、同じでも異なっていてもよく、置換基を有してい
てもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル
基、アラルキル基又はアリール基を表す。一般式(V)
中、R14及びR15は、同じでも異なっていてもよく、水
素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表
す。R16は、置換基を有していてもよい、アルキル基、
シクロアルキル基、アラルキル基若しくはアリール基を
表す。R14〜R16の内の2つが結合し、環を形成しても
よい。
In the general formula (IV), R 11 , R 12 and R
13 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group or an aryl group, which may be the same or different and may have a substituent. General formula (V)
R 14 and R 15, which may be the same or different, each represent a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent. R 16 is an alkyl group which may have a substituent,
It represents a cycloalkyl group, an aralkyl group or an aryl group. Two of R 14 to R 16 may combine with each other to form a ring.

【0035】一般式(VI−A)中、R18a及びR
18bは、同じでも異なっていてもよく、置換基を有して
いてもよいアルキル基を表す。R18cは、置換基を有し
ていてもよいシクロアルキル基を表す。一般式(VI−
B)中、R18hは、置換基を有していてもよい、アルキ
ル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基又は
アリール基を表す。Zは、一般式(VI−B)中の炭素
原子とともに単環又は多環の脂環基を構成する原子団を
表す。一般式(VI−C)中、R18'は、置換基を有し
ていてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル
基、アラルキル基又はアリール基を表す。
In the general formula (VI-A), R 18a and R 18
18b may be the same or different and represents an alkyl group which may have a substituent. R 18c represents a cycloalkyl group which may have a substituent. General formula (VI-
In B), R 18h represents an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aralkyl group or an aryl group, which may have a substituent. Z represents an atomic group forming a monocyclic or polycyclic alicyclic group together with the carbon atom in the general formula (VI-B). In general formula (VI-C), R 18 ′ represents an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aralkyl group or an aryl group, which may have a substituent.

【0036】一般式(III)中、R8は、水素原子、
ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよい
アルキル基を表す。R9及びR10は、同じでも異なって
いてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置
換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル
基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アルケニ
ル基、アリール基若しくはアラルキル基を表す。一般式
(VII)中、R19及びR20は、同じでも異なっていて
もよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基
を有していてもよいアルキル基を表す。R21は、水素原
子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル
基又は−D−CN基を表す。Dは、単結合又は2価の連
結基を表す。
In the general formula (III), R 8 is a hydrogen atom,
It represents a halogen atom, a cyano group or an alkyl group which may have a substituent. R 9 and R 10 may be the same or different, and may have a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or a substituent, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, It represents an alkenyl group, an aryl group or an aralkyl group. In formula (VII), R 19 and R 20, which may be the same or different, each represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or an alkyl group which may have a substituent. R 21 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an optionally substituted alkyl group, or -D-CN group. D represents a single bond or a divalent linking group.

【0037】一般式(VIII)〜(XVII)中、R
25、R26及びR27は、同じでも異なっていてもよく、水
素原子、フッ素原子又は置換基を有していてもよい、ア
ルキル基、シクロアルキル基若しくはアリール基を表
す。R28、R29及びR30は、同じでも異なっていてもよ
く、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロア
ルキル基又はアリール基を表す。また、R25とR26、R
27とR28、R29とR30とは、互いに結合して環を形成し
てもよい。R31、R35、R37、R40及びR44は、同じで
も異なっていてもよく、水素原子又は置換基を有してい
てもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基若
しくはアルコキシカルボニル基を表す。R 32、R33、R
34、R41、R42及びR43は、同じでも異なっていてもよ
く、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していても
よい、アルキル基若しくはアルコキシ基を表す。R36
びR39は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハ
ロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいア
ルキル基を表す。R38は、置換基を有していてもよい、
アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基又はアリ
ール基を表す。B1及びB2は、単結合又は2価の連結基
を表す。B3は、2価の連結基を表す。nは、0又は1
を表す。
In the general formulas (VIII) to (XVII), R
twenty five, R26And R27Can be the same or different, water
An elementary atom, a fluorine atom or an optionally substituted group,
Represents a alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group.
You R28, R29And R30Can be the same or different
, Optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group
It represents a alkyl group or an aryl group. Also, Rtwenty fiveAnd R26, R
27And R28, R29And R30And are linked together to form a ring
May be. R31, R35, R37, R40And R44Is the same
May be different from each other and have a hydrogen atom or a substituent.
May be alkyl group, cycloalkyl group, acyl group
Specifically, it represents an alkoxycarbonyl group. R 32, R33, R
34, R41, R42And R43Can be the same or different
Even if it has a hydrogen atom, a halogen atom or a substituent
Represents an alkyl group or an alkoxy group. R36Over
And R39May be the same or different and may be a hydrogen atom,
Rogen atom, cyano group or an optionally substituted group
Represents a rukyl group. R38May have a substituent,
Alkyl group, cycloalkyl group, aralkyl group or ari
Group. B1And B2Is a single bond or a divalent linking group
Represents B3Represents a divalent linking group. n is 0 or 1
Represents

【0038】上記アルキル基としては、直鎖状及び分岐
状アルキル基を挙げることができ、例えば炭素数1〜8
個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘ
キシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基を好まし
く挙げることができる。シクロアルキル基としては、単
環型でも良く、多環型でも良い。単環型としては炭素数
3〜8個のものであって、例えばシクロプロピル基、シ
クロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル
基、シクロオクチル基を好ましく挙げることができる。
多環型としては炭素数6〜20個のものであって、例え
ばアダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、
カンファニル基、ジシクロペンチル基、a−ピネル基、
トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アン
ドロスタニル基等を好ましく挙げることができる。尚、
シクロアルキル基は、環を構成する炭素原子の一部が酸
素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換され
たものも含むものとする。
Examples of the above alkyl group include linear and branched alkyl groups, for example, having 1 to 8 carbon atoms.
Specific examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, hexyl group, 2-ethylhexyl group, and octyl group. The cycloalkyl group may be monocyclic or polycyclic. The monocyclic type has 3 to 8 carbon atoms, and preferred examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group.
The polycyclic type has 6 to 20 carbon atoms and includes, for example, an adamantyl group, a norbornyl group, an isobornyl group,
Camphanyl group, dicyclopentyl group, a-pinel group,
Preferable examples include tricyclodecanyl group, tetracyclododecyl group, androstanyl group. still,
The cycloalkyl group is intended to include those in which a part of carbon atoms constituting the ring is substituted with a hetero atom such as an oxygen atom, a sulfur atom or a nitrogen atom.

【0039】アリール基としては、例えば炭素数6〜1
5個のアリール基であって、具体的には、フェニル基、
トリル基、ジメチルフェニル基、2,4,6−トリメチ
ルフェニル基、ナフチル基、アントリル基、9,10−
ジメトキシアントリル基等を好ましく挙げることができ
る。アラルキル基としては、例えば炭素数7〜12個の
アラルキル基であって、具体的には、ベンジル基、フェ
ネチル基、ナフチルメチル基等を好ましく挙げることが
できる。
The aryl group has, for example, 6 to 1 carbon atoms.
5 aryl groups, specifically, a phenyl group,
Tolyl group, dimethylphenyl group, 2,4,6-trimethylphenyl group, naphthyl group, anthryl group, 9,10-
Preferred examples thereof include a dimethoxyanthryl group. The aralkyl group is, for example, an aralkyl group having a carbon number of 7 to 12, and specific examples thereof include a benzyl group, a phenethyl group and a naphthylmethyl group.

【0040】アルケニル基としては、例えば炭素数2〜
8個のアルケニル基であって、具体的には、ビニル基、
アリル基、ブテニル基、シクロヘキセニル基を好ましく
挙げることができる。アルコキシ基としては、例えば炭
素数1〜8個のアルコキシ基であって、具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プ
ロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、アリルオキシ
基、オクトキシ基等を好ましく挙げることができる。
The alkenyl group has, for example, 2 to 2 carbon atoms.
8 alkenyl groups, specifically vinyl groups,
An allyl group, a butenyl group, and a cyclohexenyl group can be preferably mentioned. The alkoxy group is, for example, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, and specifically, a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, a butoxy group, a pentoxy group, an allyloxy group, an octoxy group. A group and the like can be preferably mentioned.

【0041】アシル基としては、例えば炭素数1〜10
個のアシル基であって、具体的には、ホルミル基、アセ
チル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ピバロイル
基、オクタノイル基、ベンゾイル基等を好ましく挙げる
ことができる。アシルオキシ基としては、炭素数2〜1
2個のアシルオキシ基が好ましく、例えばアセトキシ
基、プロピオニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等が挙
げられる。アルキニル基としては、炭素数2〜5のアル
キニル基が好ましく、例えばエチニル基、プロピニル
基、ブチニル基等を挙げることができる。アルコキシカ
ルボニル基としては、t−ブトキシカルボニル基、t−
アミロキシカルボニル基、1−メチル−1−シクロヘキ
シルオキシカルボニル基等の3級のアルコキシカルボニ
ル基が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等を挙げることがで
きる。
The acyl group has, for example, 1 to 10 carbon atoms.
Specific examples of the acyl groups include formyl group, acetyl group, propanoyl group, butanoyl group, pivaloyl group, octanoyl group and benzoyl group. The acyloxy group has 2 to 1 carbon atoms.
Two acyloxy groups are preferable, and examples thereof include an acetoxy group, a propionyloxy group, and a benzoyloxy group. The alkynyl group is preferably an alkynyl group having 2 to 5 carbon atoms, and examples thereof include an ethynyl group, a propynyl group and a butynyl group. Examples of the alkoxycarbonyl group include t-butoxycarbonyl group and t-
Examples thereof include tertiary alkoxycarbonyl groups such as amyloxycarbonyl group and 1-methyl-1-cyclohexyloxycarbonyl group. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and the like.

【0042】2価の連結基とは、置換基を有していても
よい、2価の、アルキレン基、シクロアルキレン基、ア
ルケニレン基若しくはアリーレン基又は−O−CO−R
22a−、−CO−O−R22b−、−CO−N(R22c)−
22d−を表す。R22a、R22 b及びR22dは、同じでも異
なっていてもよく、単結合又はエーテル基、エステル
基、アミド基、ウレタン基若しくはウレイド基を有して
いてもよい、2価の、アルキレン基、シクロアルキレン
基、アルケニレン基若しくはアリーレン基を表す。R
22cは、水素原子又は置換基を有していてもよい、アル
キル基、シクロアルキル基、アラルキル基若しくはアリ
ール基を表す。
The divalent linking group means a divalent alkylene group, cycloalkylene group, alkenylene group or arylene group or -O-CO-R which may have a substituent.
22a -,-CO-O- R22b -,-CO-N ( R22c )-
Represents R22d- . R 22a, R 22 b and R 22 d may be the same or different, a single bond or an ether group, an ester group, which may have an amide group, a urethane group or a ureido group, a divalent alkylene group Represents a cycloalkylene group, an alkenylene group or an arylene group. R
22c represents a hydrogen atom or an alkyl group, cycloalkyl group, aralkyl group or aryl group which may have a substituent.

【0043】アルキレン基としては、直鎖状及び分岐状
アルキレン基を挙げることができ、例えば、メチレン
基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレ
ン基、オクチレン基等の炭素数1〜8個のものが挙げら
れる。シクロアルキレン基としては、シクロペンチレン
基、シクロヘキシレン基等の炭素数5〜8個のものが挙
げられる。アルケニレン基としては、好ましくは置換基
を有していても良いエテニレン基、プロペニレン基、ブ
テニレン基等の炭素数2〜6個のものが挙げられる。ア
リーレン基としては、好ましくは置換基を有していても
良いフェニレン基、トリレン基、ナフチレン基等の炭素
数6〜15個のものが挙げられる。
Examples of the alkylene group include linear and branched alkylene groups. Examples thereof include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group, and an octylene group having 1 to 8 carbon atoms. There are things. Examples of the cycloalkylene group include those having 5 to 8 carbon atoms such as a cyclopentylene group and a cyclohexylene group. As the alkenylene group, those having 2 to 6 carbon atoms such as an ethenylene group, a propenylene group and a butenylene group, which may have a substituent, can be mentioned. The arylene group is preferably an arylene group having a carbon number of 6 to 15, such as a phenylene group, a tolylene group and a naphthylene group which may have a substituent.

【0044】R18d〜R18fの内の2つ、R18d、R18e
18gの内の2つ、R14〜R16の内の2つ、R25
26、R27とR28或いはR29とR30が互いに結合して形
成する環としては、例えば3〜8員環であり、具体的に
はシクロプロパン環、シクロペンタン環、シクロヘキサ
ン環、テトラメチレンオキシド環、ペンタメチレンオキ
シド環、ヘキサメチレンオキシド環、フラン環、ピラン
環、ジオキソノール環、1,3−ジオキソラン環等が挙
げられる。
Two of R 18d to R 18f , R 18d , R 18e ,
The ring formed by combining two of R 18g , two of R 14 to R 16 , R 25 and R 26 , R 27 and R 28 or R 29 and R 30 with each other is, for example, 3 to 8-membered ring, specifically, cyclopropane ring, cyclopentane ring, cyclohexane ring, tetramethylene oxide ring, pentamethylene oxide ring, hexamethylene oxide ring, furan ring, pyran ring, dioxonol ring, 1,3-dioxolane Examples include rings.

【0045】Zは、一般式(VI−B)中の炭素原子と
ともに単環又は多環の脂環基を構成する原子団を表す。
単環の脂環基としては、炭素数3〜8のものが好まし
く、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等
を挙げることができる。多環の脂環基としては、炭素数
6〜20のものが好ましく、例えばアダマンチル基、ノ
ルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシ
クロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル
基、テトラシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を
挙げることができる。
Z represents an atomic group constituting a monocyclic or polycyclic alicyclic group together with the carbon atom in the general formula (VI-B).
The monocyclic alicyclic group preferably has 3 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. As the polycyclic alicyclic group, those having 6 to 20 carbon atoms are preferable, and examples thereof include an adamantyl group, a norbornyl group, an isobornyl group, a camphanyl group, a dicyclopentyl group, an α-pinel group, a tricyclodecanyl group, and tetracyclododecyl. Group, androstanyl group and the like.

【0046】上記アルキル基、シクロアルキル基、アル
コキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルキニル基、
アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ
カルボニル基、アルキレン基、シクロアルキレン基、ア
ルケニレン基、アリーレン基等は、置換基を有していて
もよい。これらの基に置換される置換基としては、アミ
ノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシ
ル基、カルボキシル基等の活性水素を有するものや、ハ
ロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原
子)、アルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、ブトキシ基等)、チオエーテル基、アシル基
(アセチル基、プロパノイル基、ベンゾイル基等)、ア
シロキシ基(アセトキシ基、プロパノイルオキシ基、ベ
ンゾイルオキシ基等)、アルコキシカルボニル基(メト
キシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシ
カルボニル基等)、アルキル基(メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基)、シクロアルキル基(シクロヘ
キシル基)、アリール基(フェニル基)、シアノ基、ニ
トロ基等が挙げられる。
The above alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, alkynyl group,
The alkenyl group, aryl group, aralkyl group, alkoxycarbonyl group, alkylene group, cycloalkylene group, alkenylene group, arylene group and the like may have a substituent. Substituents substituted on these groups include those having active hydrogen such as amino group, amide group, ureido group, urethane group, hydroxyl group and carboxyl group, and halogen atoms (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, Iodine atom), alkoxy group (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, etc.), thioether group, acyl group (acetyl group, propanoyl group, benzoyl group, etc.), acyloxy group (acetoxy group, propanoyloxy group, benzoyl) Oxy group, etc.), alkoxycarbonyl group (methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group, etc.), alkyl group (methyl group, ethyl group,
Propyl group, butyl group), cycloalkyl group (cyclohexyl group), aryl group (phenyl group), cyano group, nitro group and the like.

【0047】本発明において、一般式(I)のR1、一
般式(II)のR5及び一般式(VI)のR17の少なく
とも1つは、トリフルオロメチル基であることが好まし
い。
In the present invention, at least one of R 1 of general formula (I), R 5 of general formula (II) and R 17 of general formula (VI) is preferably a trifluoromethyl group.

【0048】本発明(A)の樹脂に含まれる、酸の作用
により分解しアルカリ可溶性を示す基としては、例えば
−O−C(R18d)(R18e)(R18f)、−O−C(R
18d)(R18e)(OR18g)、−O−COO−C
(R18d)(R18e)(R18f)、−O−C(R01)(R
02)COO−C(R18d)(R18e)(R18f)、−CO
O−C(R18d)(R18e)(R18f)、−COO−C
(R18d)(R18e)(OR18g)等が挙げられる。R18d
〜R18gは、水素原子を除き、前記と同義である。
01、R 02は、水素原子又は上記で示した置換基を有し
ていても良いアルキル基、シクロアルキル基、アルケニ
ル基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。
Action of acid contained in the resin of the present invention (A)
Examples of the group that is decomposed by and shows alkali solubility include
-OC (R18d) (R18e) (R18f), -OC (R
18d) (R18e) (OR18 g), -O-COO-C
(R18d) (R18e) (R18f), -OC (R01) (R
02) COO-C (R18d) (R18e) (R18f), -CO
OC (R18d) (R18e) (R18f), -COO-C
(R18d) (R18e) (OR18 g) And the like. R18d
~ R18 gIs the same as defined above except for a hydrogen atom.
R01, R 02Has a hydrogen atom or a substituent shown above.
Optional alkyl group, cycloalkyl group, alkene
Represents an alkyl group, an aralkyl group or an aryl group.

【0049】好ましい具体例としては、t−ブチル基、
t−アミル基、1−アルキル−1−シクロヘキシル基、
2−アルキル−2−アダマンチル基、2−アダマンチル
−2−プロピル基、2−(4−メチルシクロヘキシル)
−2−プロピル基等の3級アルキル基のエーテル基又は
エステル基、1−アルコキシ−1−エトキシ基、テトラ
ヒドロピラニル基等のアセタール基又はアセタールエス
テル基、t−アルキルカーボネート基、t−アルキルカ
ルボニルメトキシ基等が好ましく挙げられる。更に好ま
しくは、1−アルコキシ−1−エトキシ基、テトラヒド
ロピラニル基等のアセタール基である。アセタール基の
場合、酸分解性が大きく、併用する酸発生化合物の選択
の幅が広がり、感度の向上、露光後加熱までの経時での
性能変動等の点で有効である。特に好ましくはアセター
ル基の1−アルコキシ成分として上記パーフルオロアル
キル基から由来するアルコキシ基を含有するアセタール
基である。この場合、短波の露光光(例えばF2エキシ
マレーザー光の157nm)での透過性がいっそう向上
させることができる。
A preferred specific example is a t-butyl group,
t-amyl group, 1-alkyl-1-cyclohexyl group,
2-alkyl-2-adamantyl group, 2-adamantyl-2-propyl group, 2- (4-methylcyclohexyl)
Ether group or ester group of tertiary alkyl group such as 2-propyl group, acetal group or acetal ester group such as 1-alkoxy-1-ethoxy group, tetrahydropyranyl group, t-alkyl carbonate group, t-alkylcarbonyl A methoxy group and the like are preferable. More preferably, it is an acetal group such as a 1-alkoxy-1-ethoxy group or a tetrahydropyranyl group. In the case of an acetal group, the acid decomposability is large, the range of selection of the acid generating compound to be used in combination is widened, and it is effective in terms of the improvement of sensitivity, performance fluctuation with the elapse of time after exposure and heating. Particularly preferred is an acetal group containing an alkoxy group derived from the above perfluoroalkyl group as the 1-alkoxy component of the acetal group. In this case, the transmittance of short-wave exposure light (for example, 157 nm of F 2 excimer laser light) can be further improved.

【0050】一般式(I)で示される繰り返し単位の含
量は、樹脂(A)中において、一般的に5〜80モル
%、好ましくは7〜75モル%、更に好ましくは10〜
70モル%の範囲で使用される。一般式(II)で示さ
れる繰り返し単位の含量は、樹脂(A)中において、一
般的に5〜80モル%、好ましくは7〜70モル%、更
に好ましくは10〜65モル%の範囲で使用される。一
般式(VI)で表される繰り返し単位の含量は、樹脂
(A)中において、一般的に1〜70モル%、好ましく
は1〜65モル%、更に好ましくは5〜60モル%の範
囲で使用される。一般式(III)で表される繰り返し
単位の含量は、樹脂(A)中において、一般的に1〜4
0モル%、好ましくは3〜35モル%、更に好ましくは
5〜30モル%の範囲で使用される。一般式(VII)
で表される繰り返し単位の含量は、樹脂(A)中におい
て、一般的に1〜40モル%、好ましくは3〜35モル
%、更に好ましくは5〜30モル%の範囲で使用され
る。一般式(VIII)〜(X)で表される繰り返し単
位の含量は、樹脂(A)中において、一般的に1〜40
モル%、好ましくは3〜35モル%、更に好ましくは5
〜30モル%の範囲で使用される。一般式(XI)〜
(XIII)で表される繰り返し単位の含量は、樹脂
(A)中において、一般的に1〜40モル%、好ましく
は3〜35モル%、更に好ましくは5〜30モル%の範
囲で使用される。一般式(XIV)で表される繰り返し
単位の含量は、樹脂(A)中において、一般的に1〜4
0モル%、好ましくは3〜35モル%、更に好ましくは
5〜30モル%の範囲で使用される。一般式(XV)で
表される繰り返し単位の含量は、樹脂(A)中におい
て、一般的に1〜40モル%、好ましくは3〜35モル
%、更に好ましくは5〜30モル%の範囲で使用され
る。一般式(XVI)で表される繰り返し単位の含量
は、樹脂(A)中において、一般的に1〜40モル%、
好ましくは3〜35モル%、更に好ましくは5〜30モ
ル%の範囲で使用される。一般式(XVII)で表され
る繰り返し単位の含量は、樹脂(A)中において、一般
的に1〜40モル%、好ましくは3〜35モル%、更に
好ましくは5〜30モル%の範囲で使用される。
The content of the repeating unit represented by the general formula (I) in the resin (A) is generally 5 to 80 mol%, preferably 7 to 75 mol%, more preferably 10 to
Used in the range of 70 mol%. The content of the repeating unit represented by the general formula (II) in the resin (A) is generally 5 to 80 mol%, preferably 7 to 70 mol%, more preferably 10 to 65 mol%. To be done. The content of the repeating unit represented by the general formula (VI) in the resin (A) is generally 1 to 70 mol%, preferably 1 to 65 mol%, more preferably 5 to 60 mol%. used. The content of the repeating unit represented by the general formula (III) is generally 1 to 4 in the resin (A).
It is used in an amount of 0 mol%, preferably 3 to 35 mol%, more preferably 5 to 30 mol%. General formula (VII)
The content of the repeating unit represented by is generally 1 to 40 mol%, preferably 3 to 35 mol%, more preferably 5 to 30 mol% in the resin (A). The content of the repeating units represented by the general formulas (VIII) to (X) is generally 1 to 40 in the resin (A).
Mol%, preferably 3 to 35 mol%, more preferably 5
It is used in the range of ˜30 mol%. General formula (XI)-
The content of the repeating unit represented by (XIII) in the resin (A) is generally 1 to 40 mol%, preferably 3 to 35 mol%, more preferably 5 to 30 mol%. It The content of the repeating unit represented by the general formula (XIV) is generally 1 to 4 in the resin (A).
It is used in an amount of 0 mol%, preferably 3 to 35 mol%, more preferably 5 to 30 mol%. The content of the repeating unit represented by the general formula (XV) in the resin (A) is generally 1 to 40 mol%, preferably 3 to 35 mol%, more preferably 5 to 30 mol%. used. The content of the repeating unit represented by the general formula (XVI) is generally 1 to 40 mol% in the resin (A),
It is preferably used in the range of 3 to 35 mol%, more preferably 5 to 30 mol%. The content of the repeating unit represented by the general formula (XVII) in the resin (A) is generally 1 to 40 mol%, preferably 3 to 35 mol%, more preferably 5 to 30 mol%. used.

【0051】本発明(A)の樹脂は、上記のような繰り
返し構造単位以外にも、更に本発明の感光性樹脂の性能
を向上させる目的で、他の重合性モノマーを共重合させ
ても良い。
The resin of the present invention (A) may be copolymerized with other polymerizable monomers in addition to the above repeating structural units for the purpose of further improving the performance of the photosensitive resin of the present invention. .

【0052】使用することができる共重合モノマーとし
ては、以下に示すものが含まれる。例えば、上記以外の
アクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル
酸エステル類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビ
ニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、クロ
トン酸エステル類などから選ばれる付加重合性不飽和結
合を1個有する化合物である。
Copolymerizable monomers that can be used include those shown below. For example, addition-polymerizable unsaturated bonds selected from acrylic acid esters, acrylamides, methacrylic acid esters, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, styrenes, crotonic acid esters, etc. other than the above It is a compound having one.

【0053】具体的には、例えばアクリル酸エステル
類、例えばアルキル(アルキル基の炭素原子数は1〜1
0のものが好ましい)アクリレート(例えば、アクリル
酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、ア
クリル酸アミル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル
酸エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、クロルエチル
アクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート2,
2−ジメチルヒドロキシプロピルアクリレート、5−ヒ
ドロキシペンチルアクリレート、トリメチロールプロパ
ンモノアクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリ
レート、グリシジルアクリレート、ベンジルアクリレー
ト、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリル
アクリレート、など)アリールアクリレート(例えばフ
ェニルアクリレートなど);
Specifically, for example, acrylic acid esters such as alkyl (wherein the alkyl group has 1 to 1 carbon atoms).
0 is preferred) Acrylate (eg, methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, amyl acrylate, cyclohexyl acrylate, ethylhexyl acrylate, octyl acrylate, chloroethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate 2,
2-dimethylhydroxypropyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, trimethylolpropane monoacrylate, pentaerythritol monoacrylate, glycidyl acrylate, benzyl acrylate, furfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, etc.) Aryl acrylate (eg phenyl acrylate etc.);

【0054】メタクリル酸エステル類、例えば、アルキ
ル(アルキル基の炭素原子数は1〜10のものが好まし
い)メタクリレート(例えば、メチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソ
プロピルメタクリレート、アミルメタクリレート、ヘキ
シルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、
ベンジルメタクリレート、クロルベンジルメタクリレー
ト、オクチルメタクリレート、2−ヒドロキシエチルメ
タクリレート、4−ヒドロキシブチルメタクリレート、
5−ヒドロキシペンチルメタクリレート、2,2−ジメ
チル−3−ヒドロキシプロピルメタクリレート、トリメ
チロールプロパンモノメタクリレート、ペンタエリスリ
トールモノメタクリレート、グリシジルメタクリレー
ト、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルメタクリレートなど)、アリールメタクリレート(例
えば、フェニルメタクリレート、クレジルメタクリレー
ト、ナフチルメタクリレートなど);
Methacrylic acid esters, for example, alkyl (alkyl groups preferably having 1 to 10 carbon atoms) methacrylate (for example, methyl methacrylate,
Ethylmethacrylate, propylmethacrylate, isopropylmethacrylate, amylmethacrylate, hexylmethacrylate, cyclohexylmethacrylate,
Benzyl methacrylate, chlorobenzyl methacrylate, octyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate,
5-hydroxypentyl methacrylate, 2,2-dimethyl-3-hydroxypropyl methacrylate, trimethylolpropane monomethacrylate, pentaerythritol monomethacrylate, glycidyl methacrylate, furfuryl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, etc., aryl methacrylate (for example, phenyl methacrylate) , Cresyl methacrylate, naphthyl methacrylate, etc.);

【0055】アクリルアミド類、例えば、アクリルアミ
ド、N−アルキルアクリルアミド、(アルキル基として
は、炭素原子数1〜10のもの、例えば、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、t−ブチル基、ヘプチ
ル基、オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ヒ
ドロキシエチル基、ベンジル基などがある。)、N−ア
リールアクリルアミド(アリール基としては、例えばフ
ェニル基、トリル基、ニトロフェニル基、ナフチル基、
シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、カルボキシ
フェニル基などがある。)、N,N−ジアルキルアクリ
ルアミド(アルキル基としては、炭素原子数1〜10の
もの、例えば、メチル基、エチル基、ブチル基、イソブ
チル基、エチルヘキシル基、シクロヘキシル基などがあ
る。)、N,N−ジアリールアクリルアミド(アリール
基としては、例えばフェニル基などがある。)、N−メ
チル−N−フェニルアクリルアミド、N−ヒドロキシエ
チル−N−メチルアクリルアミド、N−2−アセトアミ
ドエチル−N−アセチルアクリルアミドなど;
Acrylamides such as acrylamide, N-alkylacrylamide, and the like (alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, such as methyl, ethyl, propyl, butyl, t-butyl, and heptyl. Group, octyl group, cyclohexyl group, benzyl group, hydroxyethyl group, benzyl group, etc.), N-arylacrylamide (as the aryl group, for example, phenyl group, tolyl group, nitrophenyl group, naphthyl group,
There are cyanophenyl group, hydroxyphenyl group, carboxyphenyl group and the like. ), N, N-dialkylacrylamide (the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, butyl group, isobutyl group, ethylhexyl group, cyclohexyl group, etc.), N, N-diarylacrylamide (an aryl group includes, for example, a phenyl group), N-methyl-N-phenylacrylamide, N-hydroxyethyl-N-methylacrylamide, N-2-acetamidoethyl-N-acetylacrylamide, etc. ;

【0056】メタクリルアミド類、例えば、メタクリル
アミド、N−アルキルメタクリルアミド(アルキル基と
しては、炭素原子数1〜10のもの、例えば、メチル
基、エチル基、t−ブチル基、エチルヘキシル基、ヒド
ロキシエチル基、シクロヘキシル基などがある。)、N
−アリールメタクリルアミド(アリール基としては、フ
ェニル基などがある。)、N,N−ジアルキルメタクリ
ルアミド(アルキル基としては、エチル基、プロピル
基、ブチル基などがある。)、N,N−ジアリールメタ
クリルアミド(アリール基としては、フェニル基などが
ある。)、N−ヒドロキシエチル−N−メチルメタクリ
ルアミド、N−メチル−N−フェニルメタクリルアミ
ド、N−エチル−N−フェニルメタクリルアミドなど;
アリル化合物、例えば、アリルエステル類(例えば、酢
酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラウ
リン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸アリ
ル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリルな
ど)、アリルオキシエタノールなど;
Methacrylamides, such as methacrylamide, N-alkylmethacrylamides (wherein the alkyl group is one having 1 to 10 carbon atoms, such as methyl group, ethyl group, t-butyl group, ethylhexyl group, hydroxyethyl group). Group, cyclohexyl group, etc.), N
-Aryl methacrylamide (an aryl group includes a phenyl group, etc.), N, N-dialkyl methacrylamide (an alkyl group includes an ethyl group, a propyl group, a butyl group, etc.), N, N-diaryl. Methacrylamide (such as a phenyl group as an aryl group), N-hydroxyethyl-N-methylmethacrylamide, N-methyl-N-phenylmethacrylamide, N-ethyl-N-phenylmethacrylamide, etc .;
Allyl compounds, such as allyl esters (eg, allyl acetate, allyl caproate, allyl caprylate, allyl laurate, allyl palmitate, allyl stearate, allyl benzoate, allyl acetoacetate, allyl lactate), allyloxyethanol Such;

【0057】ビニルエーテル類、例えば、アルキルビニ
ルエーテル(例えば、ヘキシルビニルエーテル、オクチ
ルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキ
シルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、
エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエ
ーテル、1−メチル−2,2−ジメチルプロピルビニル
エーテル、2−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキ
シエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニル
エーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエ
チルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチル
ビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒド
ロフルフリルビニルエーテルなど)、ビニルアリールエ
ーテル(例えばビニルフェニルエーテル、ビニルトリル
エーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−
2,4−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエ
ーテル、ビニルアントラニルエーテルなど);
Vinyl ethers such as alkyl vinyl ethers (eg, hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether, decyl vinyl ether, ethylhexyl vinyl ether, methoxyethyl vinyl ether,
Ethoxyethyl vinyl ether, chloroethyl vinyl ether, 1-methyl-2,2-dimethylpropyl vinyl ether, 2-ethylbutyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, diethylene glycol vinyl ether, dimethylaminoethyl vinyl ether, diethylaminoethyl vinyl ether, butylaminoethyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, Tetrahydrofurfuryl vinyl ether, etc.), vinyl aryl ether (eg vinyl phenyl ether, vinyl tolyl ether, vinyl chlorophenyl ether, vinyl-
2,4-dichlorophenyl ether, vinyl naphthyl ether, vinyl anthranyl ether, etc.);

【0058】ビニルエステル類、例えば、ビニルブチレ
ート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテ
ート、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビ
ニルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジ
クロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニル
ブトキシアセテート、ビニルフェニルアセテート、ビニ
ルアセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル−β−
フェニルブチレート、ビニルシクロヘキシルカルボキシ
レート、安息香酸ビニル、サルチル酸ビニル、クロル安
息香酸ビニル、テトラクロル安息香酸ビニル、ナフトエ
酸ビニルなど;
Vinyl esters such as vinyl butyrate, vinyl isobutyrate, vinyl trimethyl acetate, vinyl diethyl acetate, vinyl barrate, vinyl caproate, vinyl chloroacetate, vinyl dichloroacetate, vinyl methoxyacetate, vinyl butoxyacetate. , Vinyl phenylacetate, vinyl acetoacetate, vinyl lactate, vinyl-β-
Phenyl butyrate, vinyl cyclohexyl carboxylate, vinyl benzoate, vinyl salicylate, vinyl chlorobenzoate, vinyl tetrachlorobenzoate, vinyl naphthoate, etc .;

【0059】スチレン類、例えば、スチレン、アルキル
スチレン(例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレ
ン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルス
チレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキ
シルスチレン、シクロヘキシルスチレン、デシルスチレ
ン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフ
ルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセ
トキシメチルスチレンなど)、アルコキシスチレン(例
えば、メトキシスチレン、4−メトキシ−3−メチルス
チレン、ジメトキシスチレンなど)、ハロゲンスチレン
(例えば、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリク
ロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルス
チレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードス
チレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、2
−ブロム−4−トリフルオルメチルスチレン、4−フル
オル−3−トリフルオルメチルスチレンなど)、カルボ
キシスチレン、ビニルナフタレン;
Styrenes such as styrene, alkylstyrenes (eg methylstyrene, dimethylstyrene, trimethylstyrene, ethylstyrene, diethylstyrene, isopropylstyrene, butylstyrene, hexylstyrene, cyclohexylstyrene, decylstyrene, benzylstyrene, chloromethyl). Styrene, trifluoromethylstyrene, ethoxymethylstyrene, acetoxymethylstyrene, etc.), alkoxystyrene (eg, methoxystyrene, 4-methoxy-3-methylstyrene, dimethoxystyrene, etc.), halogen styrene (eg, chlorostyrene, dichlorostyrene). , Trichlorostyrene, tetrachlorostyrene, pentachlorostyrene, bromstyrene, dibromostyrene, iodostyrene, fluoros Ren, trifluoromethyl styrene, 2
-Bromo-4-trifluoromethylstyrene, 4-fluoro-3-trifluoromethylstyrene, etc.), carboxystyrene, vinylnaphthalene;

【0060】クロトン酸エステル類、例えば、クロトン
酸アルキル(例えば、クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘ
キシル、グリセリンモノクロトネートなど);イタコン
酸ジアルキル類(例えば、イタコン酸ジメチル、イタコ
ン酸ジエチル、イタコン酸ジブチルなど);マレイン酸
あるいはフマール酸のジアルキルエステル類(例えば、
ジメチルマレレート、ジブチルフマレートなど)等があ
る。その他、一般的には共重合可能である付加重合性不
飽和化合物であればよい。
Crotonic acid esters, for example, alkyl crotonic acid (eg, butyl crotonic acid, hexyl crotonic acid, glycerin monocrotonate, etc.); Dialkyl itaconic acid (eg, dimethyl itaconic acid, diethyl itaconic acid, dibutyl itaconic acid, etc.) ); Dialkyl esters of maleic acid or fumaric acid (eg,
Dimethyl maleate, dibutyl fumarate, etc.) and the like. In addition, any addition-polymerizable unsaturated compound that is generally copolymerizable may be used.

【0061】以下に、一般式(I)で表される繰り返し
構造単位の具体例を示すが、本発明がこれに限定される
ものではない。
Specific examples of the repeating structural unit represented by formula (I) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0062】[0062]

【化10】 [Chemical 10]

【0063】[0063]

【化11】 [Chemical 11]

【0064】[0064]

【化12】 [Chemical 12]

【0065】[0065]

【化13】 [Chemical 13]

【0066】[0066]

【化14】 [Chemical 14]

【0067】[0067]

【化15】 [Chemical 15]

【0068】[0068]

【化16】 [Chemical 16]

【0069】[0069]

【化17】 [Chemical 17]

【0070】以下に、一般式(II)で表される繰り返
し構造単位の具体例を示すが、本発明がこれに限定され
るものではない。
Specific examples of the repeating structural unit represented by the general formula (II) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0071】[0071]

【化18】 [Chemical 18]

【0072】[0072]

【化19】 [Chemical 19]

【0073】[0073]

【化20】 [Chemical 20]

【0074】[0074]

【化21】 [Chemical 21]

【0075】以下に、一般式(III)で表される繰り
返し構造単位の具体例を示すが、本発明がこれに限定さ
れるものではない。
Specific examples of the repeating structural unit represented by the general formula (III) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0076】[0076]

【化22】 [Chemical formula 22]

【0077】以下に、一般式(VII)で表される繰り
返し構造単位の具体例を示すが、本発明がこれらに限定
されるものではない。
Specific examples of the repeating structural unit represented by the general formula (VII) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0078】[0078]

【化23】 [Chemical formula 23]

【0079】以下に、一般式(VIII)〜(XII
I)で表される繰り返し構造単位の具体例を示すが、本
発明がこれらに限定されるものではない。
In the following, general formulas (VIII) to (XII
Specific examples of the repeating structural unit represented by I) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0080】[0080]

【化24】 [Chemical formula 24]

【0081】[0081]

【化25】 [Chemical 25]

【0082】[0082]

【化26】 [Chemical formula 26]

【0083】[0083]

【化27】 [Chemical 27]

【0084】以下に、一般式(VI)及び(XVII)
で表される繰り返し構造単位の具体例を示すが、本発明
がこれらに限定されるものではない。
In the following, general formulas (VI) and (XVII)
Specific examples of the repeating structural unit represented by are shown below, but the present invention is not limited thereto.

【0085】[0085]

【化28】 [Chemical 28]

【0086】[0086]

【化29】 [Chemical 29]

【0087】[0087]

【化30】 [Chemical 30]

【0088】[0088]

【化31】 [Chemical 31]

【0089】[0089]

【化32】 [Chemical 32]

【0090】[0090]

【化33】 [Chemical 33]

【0091】[0091]

【化34】 [Chemical 34]

【0092】[0092]

【化35】 [Chemical 35]

【0093】一般式(XV)で表される繰り返し構造単
位の具体例としては、例えば、前記ビニールエーテル類
により形成される繰り返し構造単位を挙げることができ
る。
Specific examples of the repeating structural unit represented by formula (XV) include the repeating structural unit formed by the vinyl ethers.

【0094】上記具体例で表される繰り返し構造単位
は、各々1種で使用しても良いし、複数を混合して用い
ても良い。上記繰り返し構造単位を有する本発明の樹脂
(A)の好ましい分子量は、重量平均で1,000〜2
00,000であり、更に好ましくは3,000〜2
0,000の範囲で使用される。分子量分布は1〜10
であり、好ましくは1〜3、更に好ましくは1〜2の範
囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、
解像度、レジスト形状、及びレジストパターンの側壁が
スムーズであり、ラフネス性に優れる。本発明の樹脂
(A)の添加量は組成物の全固形分を基準として、一般
的に50〜99.5重量%、好ましくは60〜98重量
%、更に好ましくは65〜95重量%の範囲で使用され
る。
The repeating structural units shown in the above specific examples may be used alone or in combination of two or more. The preferred molecular weight of the resin (A) of the present invention having the repeating structural unit is 1,000 to 2 on a weight average basis.
0,000, and more preferably 3,000 to 2
Used in the range of 10,000. Molecular weight distribution is 1-10
And preferably in the range of 1 to 3, more preferably 1 to 2. The smaller the molecular weight distribution,
The resolution, the resist shape, and the side wall of the resist pattern are smooth, and the roughness is excellent. The addition amount of the resin (A) of the present invention is generally in the range of 50 to 99.5% by weight, preferably 60 to 98% by weight, more preferably 65 to 95% by weight, based on the total solid content of the composition. Used in.

【0095】[2] B1及びB2成分 本発明の感光性樹脂組成物は、活性光線または放射線、
特にF2エキシマレーザー光の照射により、 A1H + B+2 - → B+1 - + A2H で表される塩交換反応をし得る、一般式A1Hで表され
る酸を発生する化合物(B1成分)及び一般式B+2 -
で表されるイオン性化合物(B2成分)とを含有する。
ここで、Hは水素原子を表し、A1は活性光線または放
射線の照射により発生する酸から水素原子を除いた残基
を表す。B+は当該イオン性化合物におけるカチオン
部、A2 -はアニオン部を表す。A1 -はA1に由来するア
ニオン、A2は水素原子イオンとの結合によりイオン性
が低下したA2 -に由来する基を表す。活性光線または放
射線の照射により発生する一般式A1Hで表される酸
は、通常、有機酸でありプロトン供与体として機能す
る。また、一般式B+2 -で表されるイオン性化合物は
オニウム塩が好ましい。活性光線または放射線の照射に
より発生した強酸が、塩交換反応を通して弱酸に置き換
わることで、活性光線または放射線の照射部/非照射部
の界面(低エネルギー量照射域)近傍における強酸の濃
度分布のコントラストを高めることができる。
[2] B1 and B2 Components The photosensitive resin composition of the present invention comprises actinic rays or radiation,
Especially by the irradiation of F 2 excimer laser light, A 1 H + B + A 2 - → B + A 1 - + A 2 may represented by salt exchange reaction with H, the acid represented by the general formula A 1 H generating a compound (B1 component) and the general formula B + a 2 -
And an ionic compound (B2 component) represented by
Here, H represents a hydrogen atom, and A 1 represents a residue obtained by removing a hydrogen atom from an acid generated by irradiation with actinic rays or radiation. B + represents a cation portion and A 2 represents an anion portion in the ionic compound. A 1 - is an anion, A 2 derived from A 1 is A 2 ionic drops by binding with the hydrogen atoms ion - represents a group derived from a. The acid represented by the general formula A 1 H generated by irradiation with actinic rays or radiation is usually an organic acid and functions as a proton donor. In general formula B + A 2 - the ionic compound represented by the onium salt is preferred. The strong acid generated by the irradiation of actinic rays or radiation is replaced by weak acid through the salt exchange reaction, and the contrast of the strong acid concentration distribution near the interface (low energy dose irradiation area) between the irradiated / irradiated areas of active light or radiation is low. Can be increased.

【0096】活性光線または放射線の照射により、一般
式A1Hで表される酸を発生する化合物(B1成分)、
と一般式B+2 -で表されるイオン性化合物(B2成
分)は、一般に、活性光線又は放射線の照射により分解
して酸を発生する化合物(光酸発生剤)として使用され
ているものから選択することができる。即ち、光カチオ
ン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類
の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に
使用されている公知の光(400〜200nmの紫外
線、遠紫外線、特に好ましくは、g線、h線、i線、K
rFエキシマレーザー光)、ArFエキシマレーザー
光、F2エキシマレーザー光、電子線、X線、分子線又
はイオンビームにより酸を発生する化合物及びそれらの
混合物を適宜に選択して使用することができる。
A compound (B1 component) which generates an acid represented by the general formula A 1 H upon irradiation with actinic rays or radiation,
The formula B + A 2 - in the ionic compound represented by (B2 component), which generally is used as the compound capable of generating an acid (photoacid generator) upon irradiation with actinic rays or radiation You can choose from. That is, a photo-initiator for photo-cationic polymerization, a photo-initiator for photo-radical polymerization, a photo-decoloring agent for dyes, a photo-discoloring agent, or known light (UV rays of 400 to 200 nm, far UV rays, particularly preferably g rays, h rays, i rays, K
rF excimer laser light), ArF excimer laser light, F 2 excimer laser light, compounds that generate an acid by electron beam, X-ray, molecular beam or ion beam, and mixtures thereof can be appropriately selected and used.

【0097】このような化合物としては、たとえば S.
I. Schlesinger, Photogr. Sci. Eng., 18, 387 (197
4)、T. S. Bal et al, Polymer, 21, 423(1980)等に記
載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,055号、同4,06
9,056号、同 Re 27,992号、特開平3-140140号等に記載
のアンモニウム塩、D. C. Necker et al, Macromolecul
es, 17, 2468(1984)、C. S. Wen et al, Teh, Proc. Co
nf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo,Oct(1988)、米国特
許第4,069,055号、同4,069,056号等に記載のホスホニウ
ム塩、J. V. Crivello et al, Macromorecules, 10(6),
1307(1977)、Chem.& Eng. News, Nov. 28, p31(198
8)、欧州特許第104,143号、同339,049号、同第410,201
号、特開平2-150848号、特開平2-296514 号等に記載の
ヨードニウム塩、J. V. Crivello et al, Polymer J. 1
7, 73(1985)、J. V. Crivello et al., J.Org. Chem.,
43, 3055(1978)、W. R. Watt et al, J. Polymer Sci.,
PolymerChem. Ed., 22, 1789(1984)、J. V. Crivello
et al, Polymer Bull., 14, 279(1985)、J. V. Crivell
o et al, Macromorecules, 14(5), 1141(1981)、J. V.
Crivello et al, J. Polymer Sci., Polymer Chem. E
d., 17, 2877(1979)、欧州特許第370,693号、同161,811
号、同410,201号、同339,049号、同233,567号、同297,4
43号、同297,442号、米国特許第4,933,377号、同3,902,
114号、同4,760,013号、同4,734,444号、同2,833,827
号、獨国特許第2,904,626号、同3,604,580号、同3,604,
581号等に記載のスルホニウム塩、J. V. Crivello et a
l, Macromorecules, 10(6), 1307(1977)、J. V. Crivel
lo et al, J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17,
1047(1979)等に記載のセレノニウム塩、C. S. Wen et a
l, Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo,
Oct(1988)等に記載のアルソニウム塩等のオニウム塩、
米国特許第3,905,815号、特公昭46-4605号、特開昭48-3
6281号、特開昭55-32070号、特開昭60-239736号、特開
昭61-169835号、特開昭61-169837号、特開昭62-58241
号、特開昭62-212401号、特開昭63-70243号、特開昭63-
298339号等に記載の有機ハロゲン化合物、K. Meier et
al, J. Rad. Curing, 13(4), 26(1986)、T. P. Gill et
al, Inorg. Chem., 19, 3007(1980)、D. Astruc,Acc.
Chem. Res., 19(12), 377(1896)、特開平2-161445号等
に記載の有機金属/有機ハロゲン化物、S. Hayase et a
l, J. Polymer Sci., 25, 753(1987)、E.Reichmanis et
al, J. Pholymer Sci., Polymer Chem. Ed., 23, 1(19
85)、Q. Q. Zhuetal, J. Photochem., 36, 85, 39, 317
(1987)、B. Amit et al, Tetrahedron Lett.,(24)2205
(1973)、D. H. R. Barton et al, J. Chem Soc., 3571
(1965)、P. M. Collins et al, J. Chem. Soc., Perkin
I, 1695(1975)、M. Rudinstein et al, Tetrahedron L
ett., (17), 1445(1975)、J. W. Walker et al, J. Am.
Chem. Soc., 110, 7170(1988)、S. C. Busman et al,
J. Imaging Technol.,11(4), 191(1985)、H. M. Houlih
an et al, Macromolecules, 21, 2001(1988)、P. M.Col
lins et al, J. Chem. Soc., Chem. Commun., 532(197
2)、S. Hayase et al, Macromolecules, 18, 1799(198
5)、E. Reichmanis et al, J. Electrochem. Soc., Sol
id State Sci. Technol., 130(6)、F. M. Houlihan et
al, Macromolcules, 21,2001(1988)、欧州特許第0290,7
50号、同046,083号、同156,535号、同271,851号、同0,3
88,343号、米国特許第3,901,710号、同4,181,531号、特
開昭60-198538号、特開昭53-133022号等に記載の0−ニ
トロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.TUNOOKA
et al, Polymer Preprints Japan, 35(8)、G. Berneret
al, J. Rad. Curing, 13(4)、 W. J. Mijs et al, Coa
ting Technol., 55(697),45(1983), Akzo、H. Adachi e
t al, Polymer Preprints, Japan, 37(3)、欧州特許第0
199,672号、同84515号、同044,115号、同618,564号、同
0101,122号、米国特許第4,371,605号、同4,431,774
号、特開昭64-18143号、特開平2-245756号、特開平3-14
0109号等に記載のイミノスルフォネ−ト等に代表される
光分解してスルホン酸を発生する化合物、特開昭61-166
544号等に記載のジスルホン化合物等を挙げることがで
きる。
Examples of such a compound include S.
I. Schlesinger, Photogr. Sci. Eng., 18, 387 (197
4), TS Bal et al, Polymer, 21, 423 (1980) and other diazonium salts, U.S. Pat.Nos. 4,069,055 and 4,06.
9,056, Re 27,992, ammonium salts described in JP-A-3-140140, DC Necker et al, Macromolecul
es, 17, 2468 (1984), CS Wen et al, Teh, Proc. Co
nf.Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo, Oct (1988), U.S. Pat.
1307 (1977), Chem. & Eng. News, Nov. 28, p31 (198
8), European Patent Nos. 104,143, 339,049, and 410,201.
JP-A No. 2-150848, JP-A No. 2-296514, etc., iodonium salts, JV Crivello et al, Polymer J. 1
7, 73 (1985), JV Crivello et al., J.Org. Chem.,
43, 3055 (1978), WR Watt et al, J. Polymer Sci.,
Polymer Chem. Ed., 22, 1789 (1984), JV Crivello
et al, Polymer Bull., 14, 279 (1985), JV Crivell
o et al, Macromorecules, 14 (5), 1141 (1981), JV
Crivello et al, J. Polymer Sci., Polymer Chem. E
d., 17, 2877 (1979), European Patent No. 370,693, and 161,811.
No. 410, No. 410, 201, No. 339,049, No. 233,567, No. 297, 4
No. 43, No. 297,442, U.S. Patent No. 4,933,377, No. 3,902,
No. 114, No. 4,760,013, No. 4,734,444, No. 2,833,827
Patent No. 2,904,626, No. 3,604,580, No. 3,604,
Sulfonium salts described in No. 581, etc., JV Crivello et a
l, Macromorecules, 10 (6), 1307 (1977), JV Crivel
lo et al, J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17,
1047 (1979) and other selenonium salts, CS Wen et a
l, Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo,
Onium salts such as arsonium salts described in Oct (1988),
U.S. Pat.No. 3,905,815, Japanese Patent Publication No. 46-4605, Japanese Patent Laid-Open No. 48-3
6281, JP-A-55-32070, JP-A-60-239736, JP-A-61-169835, JP-A-61-169837, JP-A-62-58241
JP-A-62-212401, JP-A-63-70243, JP-A-63-
Organic halogen compounds described in No. 298339, K. Meier et.
al, J. Rad. Curing, 13 (4), 26 (1986), TP Gill et
al, Inorg. Chem., 19, 3007 (1980), D. Astruc, Acc.
Chem. Res., 19 (12), 377 (1896), Japanese Patent Application Laid-Open No. H2-161445, organometallic / organic halides, S. Hayase et a
l, J. Polymer Sci., 25, 753 (1987), E. Reichmanis et
al, J. Pholymer Sci., Polymer Chem. Ed., 23, 1 (19
85), QQ Zhuetal, J. Photochem., 36, 85, 39, 317
(1987), B. Amit et al, Tetrahedron Lett., (24) 2205.
(1973), DHR Barton et al, J. Chem Soc., 3571.
(1965), PM Collins et al, J. Chem. Soc., Perkin.
I, 1695 (1975), M. Rudinstein et al, Tetrahedron L
ett., (17), 1445 (1975), JW Walker et al, J. Am.
Chem. Soc., 110, 7170 (1988), SC Busman et al,
J. Imaging Technol., 11 (4), 191 (1985), HM Houlih
an et al, Macromolecules, 21, 2001 (1988), PMCol
lins et al, J. Chem. Soc., Chem. Commun., 532 (197
2), S. Hayase et al, Macromolecules, 18, 1799 (198
5), E. Reichmanis et al, J. Electrochem. Soc., Sol
id State Sci. Technol., 130 (6), FM Houlihan et
al, Macromolcules, 21, 2001 (1988), European Patent 0290,7
50, 046,083, 156,535, 271,851, 0,3
88,343, U.S. Pat.
et al, Polymer Preprints Japan, 35 (8), G. Berneret
al, J. Rad. Curing, 13 (4), WJ Mijs et al, Coa
ting Technol., 55 (697), 45 (1983), Akzo, H. Adachi e
t al, Polymer Preprints, Japan, 37 (3), European Patent No. 0
No. 199,672, No. 84515, No. 044,115, No. 618,564, No.
0101,122, U.S. Pat.Nos. 4,371,605 and 4,431,774
JP-A-64-18143, JP-A-2-245756, JP-A-3-14
Compounds which generate sulfonic acid by photolysis represented by iminosulfonates described in JP-A No. 61-166.
Examples thereof include disulfone compounds described in No. 544 and the like.

【0098】B1成分とB2成分の組み合わせとして
は、好ましくは、以下の組み合わせを挙げることができ
る。
As the combination of the B1 component and the B2 component, the following combinations can be preferably mentioned.

【0099】B1成分として、活性光線または放射線の
照射により、少なくとも1つのフッ素原子で置換された
脂肪族あるいは芳香族のスルホン酸を発生する化合物で
あり、B2成分として、アニオンとしてフッ素原子を含
有しない脂肪族あるいは芳香族のスルホン酸、又は、フ
ッ素原子を有していてもよい脂肪族あるいは芳香族のカ
ルボン酸を有するイオン性化合物である組み合わせ。
The component B1 is a compound which generates an aliphatic or aromatic sulfonic acid substituted with at least one fluorine atom upon irradiation with actinic rays or radiation, and the component B2 does not contain a fluorine atom as an anion. A combination which is an ionic compound having an aliphatic or aromatic sulfonic acid or an aliphatic or aromatic carboxylic acid which may have a fluorine atom.

【0100】B1成分として、活性光線または放射線の
照射により、フッ素原子を含有しない脂肪族あるいは芳
香族のスルホン酸を発生する化合物であり、B2成分と
して、アニオンとしてフッ素原子を有していてもよい脂
肪族あるいは芳香族のカルボン酸を有するイオン性化合
物である組み合わせ。
The component B1 is a compound which generates an aliphatic or aromatic sulfonic acid containing no fluorine atom upon irradiation with actinic rays or radiation, and the component B2 may have a fluorine atom as an anion. A combination that is an ionic compound having an aliphatic or aromatic carboxylic acid.

【0101】B1成分として、活性光線または放射線の
照射により、少なくとも1つのフッ素原子で置換された
脂肪族あるいは芳香族のカルボン酸を発生する化合物で
あり、B2成分として、アニオンとしてフッ素原子を含
有しない脂肪族あるいは芳香族のカルボン酸を有するイ
オン性化合物である組み合わせ。
The component B1 is a compound which generates an aliphatic or aromatic carboxylic acid substituted with at least one fluorine atom upon irradiation with actinic rays or radiation, and does not contain a fluorine atom as an anion as the component B2. A combination that is an ionic compound having an aliphatic or aromatic carboxylic acid.

【0102】〔a〕活性光線または放射線の照射により
フッ素含有スルホン酸を発生する化合物(及びアニオン
としてフッ素含有スルホン酸を有するイオン性化合物)
について説明する。
[A] A compound capable of generating a fluorine-containing sulfonic acid upon irradiation with actinic rays or radiation (and an ionic compound having a fluorine-containing sulfonic acid as an anion)
Will be described.

【0103】例えば、下記の一般式(PAG3)で表さ
れるヨードニウム塩、または一般式(PAG4)で表さ
れるスルホニウム塩を挙げることができる。
For example, an iodonium salt represented by the following general formula (PAG3) or a sulfonium salt represented by the following general formula (PAG4) can be mentioned.

【0104】[0104]

【化36】 [Chemical 36]

【0105】式中、Ar1、Ar2は、各々独立に、置換
もしくは未置換のアリール基を示す。R203、R204、R
205は、各々独立に、置換もしくは未置換のアルキル
基、アリール基を示す。Z-は、少なくとも1つのフッ
素原子を有するスルホン酸アニオンを示す。また
203、R204、R205のうちの2つおよびAr1、Ar2
はそれぞれの単結合または置換基を介して結合してもよ
い。
In the formula, Ar 1 and Ar 2 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group. R 203 , R 204 , R
205 each independently represents a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group. Z represents a sulfonate anion having at least one fluorine atom. Also, two of R 203 , R 204 , and R 205 and Ar 1 and Ar 2
May be bonded via their respective single bonds or substituents.

【0106】Ar1、Ar2、R203、R204、R205とし
てのアリール基としては、好ましくは、炭素数6〜14
のアリール基、アルキル基としては、好ましくは炭素数
1〜8のアルキル基である。好ましい置換基としては、
アリール基に対しては炭素数1〜8のアルコキシ基、炭
素数1〜8のアルキル基、炭素数2〜9のアルコキシカ
ルボニル基、炭素数2〜9のアルキルカルボニルアミノ
基、ニトロ基、カルボキシル基、ヒドロキシ基、ハロゲ
ン原子及びフェニルチオ基であり、アルキル基に対して
は炭素数1〜8のアルコキシ基、炭素数5〜14のアリ
ール基、炭素数6〜15のアリールカルボニル基、カル
ボキシル基及びハロゲン原子を挙げることができる。
The aryl group as Ar 1 , Ar 2 , R 203 , R 204 and R 205 preferably has 6 to 14 carbon atoms.
The aryl group and the alkyl group are preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. Preferred substituents include
For an aryl group, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 9 carbon atoms, an alkylcarbonylamino group having 2 to 9 carbon atoms, a nitro group, a carboxyl group , A hydroxy group, a halogen atom and a phenylthio group, and for an alkyl group, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an aryl group having 5 to 14 carbon atoms, an arylcarbonyl group having 6 to 15 carbon atoms, a carboxyl group and halogen. Atoms can be mentioned.

【0107】Z-のスルホン酸アニオンとしては、好ま
しくは、少なくとも1つのフッ素原子を有する炭素数1
〜20の脂肪族炭化水素及び炭素数5〜20の芳香族炭
化水素を挙げることができる。これらは置換基を有して
いてもよく、置換基としては、例えば、炭素数1〜10
のフッ素置換していてもよいアルコキシ基、炭素数2〜
11のフッ素置換していてもよいアルコキシカルボニル
基、フェニルアミノ基、フェニルカルボニル基、ハロゲ
ン原子、水酸基を挙げることができる。芳香族炭化水素
に対しては、さらに炭素数1〜15のアルキル基を挙げ
ることができる。尚、脂肪族スルホン酸アニオンについ
ては、特に、フッ素原子をスルホン酸のα炭素原子上に
有するアニオンは、酸強度が高く、フッ素原子を有さな
いアニオンに対して容易に塩交換を行う傾向にある。ま
た、パーフルオロ脂肪族スルホン酸は更に酸強度が高
い。
The sulfonate anion of Z preferably has at least one fluorine atom and has 1 carbon atom.
Examples thereof include aliphatic hydrocarbons having 20 to 20 carbon atoms and aromatic hydrocarbons having 5 to 20 carbon atoms. These may have a substituent, and the substituent has, for example, 1 to 10 carbon atoms.
An optionally substituted fluorine-containing alkoxy group having 2 to 2 carbon atoms
Examples thereof include an optionally substituted fluorine-containing alkoxycarbonyl group, a phenylamino group, a phenylcarbonyl group, a halogen atom and a hydroxyl group. Further examples of the aromatic hydrocarbon include an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms. Incidentally, regarding the aliphatic sulfonate anion, in particular, an anion having a fluorine atom on the α carbon atom of the sulfonic acid has a high acid strength, and tends to easily undergo salt exchange with an anion having no fluorine atom. is there. Further, perfluoroaliphatic sulfonic acid has higher acid strength.

【0108】以下に具体例を挙げるが、これらに限定さ
れるものではない。
Specific examples will be given below, but the present invention is not limited thereto.

【0109】[0109]

【化37】 [Chemical 37]

【0110】[0110]

【化38】 [Chemical 38]

【0111】[0111]

【化39】 [Chemical Formula 39]

【0112】[0112]

【化40】 [Chemical 40]

【0113】[0113]

【化41】 [Chemical 41]

【0114】[0114]

【化42】 [Chemical 42]

【0115】[0115]

【化43】 [Chemical 43]

【0116】[0116]

【化44】 [Chemical 44]

【0117】[0117]

【化45】 [Chemical formula 45]

【0118】[0118]

【化46】 [Chemical formula 46]

【0119】[0119]

【化47】 [Chemical 47]

【0120】〔b〕 活性光線または放射線の照射によ
りフッ素非含有スルホン酸を発生する化合物及びアニオ
ンとしてフッ素非含有スルホン酸を有するイオン性化合
物として、例えば、先の一般式(PAG3)及び(PA
G4)において、Z-がフッ素原子を有しないスルホン
酸アニオンであるヨードニウム塩及びスルホニウム塩を
挙げることができる。
[B] Examples of the compound generating a fluorine-free sulfonic acid upon irradiation with actinic rays or radiation and the ionic compound having a fluorine-free sulfonic acid as an anion include, for example, the above general formulas (PAG3) and (PA).
Examples of G4) include iodonium salts and sulfonium salts in which Z is a sulfonate anion having no fluorine atom.

【0121】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
Specific examples thereof include, but are not limited to, the compounds shown below.

【0122】[0122]

【化48】 [Chemical 48]

【0123】[0123]

【化49】 [Chemical 49]

【0124】[0124]

【化50】 [Chemical 50]

【0125】[0125]

【化51】 [Chemical 51]

【0126】[0126]

【化52】 [Chemical 52]

【0127】[0127]

【化53】 [Chemical 53]

【0128】[0128]

【化54】 [Chemical 54]

【0129】[0129]

【化55】 [Chemical 55]

【0130】また、下記一般式(PAG5)で表される
ジスルホン誘導体または一般式(PAG6)で表される
イミノスルホネート誘導体を挙げることができる。
Further, a disulfone derivative represented by the following general formula (PAG5) or an iminosulfonate derivative represented by the general formula (PAG6) can be given.

【0131】[0131]

【化56】 [Chemical 56]

【0132】式中、Ar3、Ar4は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。R 206は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Aは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。
In the formula, Ar3, ArFourReplace each independently
Or an unsubstituted aryl group. R 206Is replaced or
An unsubstituted alkyl group and an aryl group are shown. If A is replaced
Or unsubstituted alkylene group, alkenylene group, aryle
Group.

【0133】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
Specific examples include the compounds shown below, but the invention is not limited thereto.

【0134】[0134]

【化57】 [Chemical 57]

【0135】[0135]

【化58】 [Chemical 58]

【0136】[0136]

【化59】 [Chemical 59]

【0137】[0137]

【化60】 [Chemical 60]

【0138】また、下記一般式(PAG7)で表される
ジアゾジスルホン誘導体を挙げることができる。
Further, a diazodisulfone derivative represented by the following general formula (PAG7) can be given.

【0139】[0139]

【化61】 [Chemical formula 61]

【0140】式中、Rは、直鎖、分岐又は環状アルキル
基、あるいは置換していてもよいアリール基を表す。
In the formula, R represents a linear, branched or cyclic alkyl group or an aryl group which may be substituted.

【0141】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
Specific examples include the compounds shown below, but the invention is not limited thereto.

【0142】[0142]

【化62】 [Chemical formula 62]

【0143】上記〔a〕及び〔b〕で説明した化合物
は、過ヨウ素酸塩を用いて芳香族化合物を反応させ、得
られたヨードニウム塩を対応するスルホン酸に塩交換す
ることにより合成可能である。また、アリールマグネシ
ウムブロミドなどのアリールグリニャール試薬と置換又
は無置換のフェニルスルホキシドを反応させ、得られた
トリアリールスルホニウムハライドを対応するスルホン
酸と塩交換する方法で合成できる。また、置換又は無置
換のフェニルスルホキシドと対応する芳香族化合物をメ
タンスルホン酸/五酸化二リンあるいは塩化アルミニウ
ムなどの酸触媒を用いて縮合、塩交換する方法、ジアリ
ールヨードニウム塩とジアリールスルフィドを酢酸銅な
どの触媒を用いて縮合、塩交換する方法などによって合
成できる。塩交換は、いったんハライド塩に導いた後に
酸化銀などの銀試薬を用いてスルホン酸塩に変換する方
法、あるいはイオン交換樹脂を用いることでも塩交換で
きる。また、塩交換に用いるスルホン酸あるいはスルホ
ン酸塩は、市販のものを用いるか、あるいは市販のスル
ホン酸ハライドの加水分解などによって得ることができ
る。
The compounds described in the above [a] and [b] can be synthesized by reacting an aromatic compound with a periodate and subjecting the obtained iodonium salt to salt exchange with the corresponding sulfonic acid. is there. Alternatively, it can be synthesized by reacting an aryl Grignard reagent such as aryl magnesium bromide with a substituted or unsubstituted phenyl sulfoxide, and subjecting the obtained triarylsulfonium halide to salt exchange with the corresponding sulfonic acid. Further, a method of condensing and salt-exchange of a substituted or unsubstituted phenyl sulfoxide and the corresponding aromatic compound with an acid catalyst such as methanesulfonic acid / diphosphorus pentoxide or aluminum chloride, and a method of diaryl iodonium salt and diaryl sulfide with copper acetate. It can be synthesized by a method such as condensation and salt exchange using a catalyst such as. The salt exchange can also be performed by a method of once converting to a halide salt and then converting to a sulfonate by using a silver reagent such as silver oxide, or by using an ion exchange resin. The sulfonic acid or sulfonate used for the salt exchange may be a commercially available product, or may be obtained by hydrolysis of a commercially available sulfonic acid halide.

【0144】〔c〕活性光線または放射線の照射により
フッ素含有カルボン酸を発生する化合物及びアニオンと
してフッ素含有カルボン酸を有するイオン性化合物につ
いて説明する。
[C] A compound that generates a fluorine-containing carboxylic acid upon irradiation with actinic rays or radiation and an ionic compound that has a fluorine-containing carboxylic acid as an anion will be described.

【0145】フッ素置換された脂肪族カルボン酸として
は、酢酸、プロピオン酸、n−酪酸、イソ酪酸、バレリ
アン酸、トリメチル酢酸、カプロン酸、ヘプタン酸、カ
プリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリル酸、ミ
リスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ウンデカン
酸、ドデカン酸、トリデカン酸等の脂肪族カルボン酸の
フッ素置換物が挙げられる。これらは、水酸基、アルコ
キシ基、ハロゲン原子を置換基として有していてもよ
い。また、その脂肪族鎖の中に酸素原子、硫黄原子、カ
ルボニル基、カルボキシル基、スルホニル基などの連結
基を含んでいるものが好ましい。好ましいフッ素置換さ
れた脂肪族カルボン酸として、下記の一般式で表される
ものを挙げることができる。 L−(CH2)p(CF2)q(CH2)r−COOH 一般式中、Lは、水素原子又はフッ素原子を表す。p及
びrは、各々独立に0〜15の整数、qは1〜15の整
数を表す。この一般式におけるアルキル鎖の水素原子又
はフッ素原子は、フッ素原子で置換されていてもよいア
ルキル基(好ましくは炭素数1〜5)、フッ素原子で置
換されていてもよいアルコキシ基(好ましくは炭素数1
〜5)、または、水酸基で置換されていてもよい。上記
フッ素置換された脂肪族カルボン酸としては、好ましく
はその炭素数が2〜20、より好ましくは4〜20であ
る飽和脂肪族カルボン酸のフッ素置換物であることが好
ましい。この炭素数を4個以上とすることで、発生する
カルボン酸分解性の拡散性が低下し、露光から後加熱ま
での経時による線幅変化をより抑制できる。なかでも、
炭素数4〜18個の直鎖又は分岐飽和脂肪族カルボン酸
のフッ素置換物が好ましい。
Examples of the fluorine-substituted aliphatic carboxylic acid include acetic acid, propionic acid, n-butyric acid, isobutyric acid, valerianic acid, trimethylacetic acid, caproic acid, heptanoic acid, caprylic acid, pelargonic acid, capric acid, lauric acid, Examples thereof include fluorine-substituted products of aliphatic carboxylic acids such as myristic acid, palmitic acid, stearic acid, undecanoic acid, dodecanoic acid and tridecanoic acid. These may have a hydroxyl group, an alkoxy group, or a halogen atom as a substituent. Further, it is preferable that the aliphatic chain contains a linking group such as an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group, a carboxyl group or a sulfonyl group. Examples of preferable fluorine-substituted aliphatic carboxylic acid include those represented by the following general formula. L- (CH 2) p (CF 2) q (CH 2) r-COOH general formula, L is a hydrogen atom or a fluorine atom. p and r each independently represent an integer of 0 to 15, and q represents an integer of 1 to 15. The hydrogen atom or the fluorine atom of the alkyl chain in this general formula is an alkyl group optionally substituted by a fluorine atom (preferably having a carbon number of 1 to 5) or an alkoxy group optionally substituted by a fluorine atom (preferably a carbon atom). Number 1
~ 5) or may be substituted with a hydroxyl group. The above-mentioned fluorine-substituted aliphatic carboxylic acid is preferably a fluorine-substituted saturated aliphatic carboxylic acid having 2 to 20 carbon atoms, and more preferably 4 to 20 carbon atoms. By setting the carbon number to 4 or more, the diffusibility of the generated carboxylic acid decomposability is lowered, and the line width change due to the passage of time from exposure to post-heating can be further suppressed. Above all,
A fluorine-substituted product of a linear or branched saturated aliphatic carboxylic acid having 4 to 18 carbon atoms is preferable.

【0146】また、上記フッ素置換された芳香族族カル
ボン酸としては、炭素数が7〜20、より好ましくは7
〜15であり、更に好ましくは7〜11である芳香族カ
ルボン酸のフッ素置換物であることが好ましい。具体的
には、安息香酸、置換安息香酸、ナフトエ酸、置換ナフ
トエ酸、アントラセンカルボン酸、置換アントラセンカ
ルボン酸(ここで、置換基としてはアルキル基、アルコ
キシ基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基、アシル
基、アシルオキシ基、ニトロ基、アルキルチオ基、アリ
ールチオ基が挙げられる)等の芳香族カルボン酸のフッ
素置換物が挙げられる。なかでも、安息香酸、置換安息
香酸のフッ素置換物が好ましい。
The fluorine-substituted aromatic carboxylic acid has 7 to 20 carbon atoms, and more preferably 7 carbon atoms.
It is preferably a fluorine-substituted aromatic carboxylic acid having a molecular weight of 15 to 15, more preferably 7 to 11. Specifically, benzoic acid, substituted benzoic acid, naphthoic acid, substituted naphthoic acid, anthracenecarboxylic acid, substituted anthracenecarboxylic acid (wherein the substituent is an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, an aryl group, an acyl group). Group, an acyloxy group, a nitro group, an alkylthio group, an arylthio group), and the like, and a fluorine-substituted product of an aromatic carboxylic acid. Among them, benzoic acid and fluorine-substituted products of substituted benzoic acid are preferable.

【0147】これらフッ素原子で置換された脂肪族ある
いは芳香族のカルボン酸は、カルボキシル基以外の骨格
に存在する水素原子の1個以上がフッ素原子で置換され
たものであり、特に好ましくはカルボキシル基以外の骨
格に存在する水素原子すべてがフッ素原子で置換された
脂肪族あるいは芳香族のカルボン酸(パーフルオロ飽和
脂肪族カルボン酸あるいはパーフルオロ芳香族カルボン
酸)である。これにより、感度が一層優れるようにな
る。尚、脂肪族カルボン酸アニオンについては、特に、
フッ素原子をカルボン酸のα炭素原子上に有するアニオ
ンは、酸強度が高く、フッ素原子を有さないカルボン酸
アニオンに対して容易に塩交換を行う傾向にある。ま
た、パーフルオロ脂肪族スルホン酸は更に酸強度が高
い。
The aliphatic or aromatic carboxylic acid substituted with a fluorine atom is one in which one or more hydrogen atoms existing in the skeleton other than the carboxyl group are substituted with a fluorine atom, and particularly preferably the carboxyl group. Is an aliphatic or aromatic carboxylic acid (perfluoro saturated aliphatic carboxylic acid or perfluoroaromatic carboxylic acid) in which all hydrogen atoms existing in the skeleton other than are substituted with fluorine atoms. Thereby, the sensitivity is further improved. Regarding the aliphatic carboxylate anion,
The anion having a fluorine atom on the α carbon atom of the carboxylic acid has high acid strength and tends to easily undergo salt exchange with the carboxylic acid anion having no fluorine atom. Further, perfluoroaliphatic sulfonic acid has higher acid strength.

【0148】好ましくは、上記のようなフッ素原子で置
換された脂肪族あるいは芳香族のカルボン酸のアニオン
をカウンターアニオンとして有するオニウム塩化合物
(スルホニウム塩、ヨードニウム塩等)、カルボン酸エ
ステル基を有するイミドカルボキシレート化合物あるい
はニトロベンジルエステル化合物等が挙げられる。より
好ましくは上記一般式(I)〜(III)で表される化合
物が挙げられる。これにより、感度、解像力、露光マー
ジンが一層優れるようになる。この化合物に活性光線ま
たは放射線を照射することより、一般式(I)〜(II
I)のX-に相当する少なくとも1つのフッ素原子で置換
された飽和脂肪族あるいは芳香族のカルボン酸を発生
し、光酸発生剤として機能する。
Preferably, an onium salt compound (sulfonium salt, iodonium salt, etc.) having an anion of an aliphatic or aromatic carboxylic acid substituted with a fluorine atom as a counter anion, or an imide having a carboxylic acid ester group is preferable. Examples thereof include a carboxylate compound and a nitrobenzyl ester compound. More preferably, the compounds represented by the above general formulas (I) to (III) can be mentioned. As a result, the sensitivity, resolution and exposure margin are further improved. By irradiating this compound with actinic rays or radiation, the compounds of the general formulas (I) to (II
X of I) - at least one saturated aliphatic or aromatic carboxylic acid substituted with fluorine atoms corresponding to occur, to function as a photoacid generator.

【0149】[0149]

【化63】 [Chemical formula 63]

【0150】(上記式中、R1 〜R37は、各々独立に、
水素原子、直鎖、分岐あるいは環状アルキル基、直鎖、
分岐あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲ
ン原子、または−S−R38基を表す。ここでR38は直
鎖、分岐、環状アルキル基またはアリール基を表す。X
-は、少なくとも1つのフッ素原子で置換された脂肪族
あるいは芳香族のカルボン酸のアニオンである。) X-は、好ましくはパーフルオロ脂肪族カルボン酸ある
いはパーフルオロ芳香族カルボン酸のアニオンであり、
特に好ましくは炭素数4個以上のフッ素置換アルキルカ
ルボン酸のアニオンである。
(In the above formula, R 1 ~ R 37 are each independently
Hydrogen atom, straight chain, branched or cyclic alkyl group, straight chain,
It represents a branched or cyclic alkoxy group, a hydroxy group, a halogen atom, or a —S—R 38 group. Here, R 38 represents a linear, branched, or cyclic alkyl group or aryl group. X
- is an anion of at least one aliphatic or aromatic carboxylic acid substituted with a fluorine atom. ) X is preferably an anion of perfluoroaliphatic carboxylic acid or perfluoroaromatic carboxylic acid,
Particularly preferred is an anion of a fluorine-substituted alkylcarboxylic acid having 4 or more carbon atoms.

【0151】一般式(I)〜(III)における、R1〜R
38の直鎖、分岐アルキル基としては、置換基を有しても
よい、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル
基、sec−ブチル基、t−ブチル基のような炭素数1
〜4個のものが挙げられる。環状アルキル基としては、
置換基を有してもよい、シクロプロピル基、シクロペン
チル基、シクロヘキシル基のような炭素数3〜8個のも
のが挙げられる。R1〜R37のアルコキシ基としては、
メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロ
ポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−
ブトキシ基、t−ブトキシ基のような炭素数1〜4個の
ものが挙げられる。R1〜R37のハロゲン原子として
は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げ
ることができる。R38のアリール基としては、フェニル
基、トリル基、メトキシフェニル基、ナフチル基等の炭
素数6〜14個のものが挙げられる。アリール基は置換
基を有してもよい。これらの置換基として好ましくは、
炭素数1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素
原子、塩素原子、沃素原子)、炭素数6〜10個のアリ
ール基、炭素数2〜6個のアルケニル基、シアノ基、ヒ
ドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、
ニトロ基等が挙げられる。
R 1 to R in the general formulas (I) to (III)
The linear or branched alkyl group of 38 may have a substituent and has 1 carbon atom such as methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, sec-butyl group or t-butyl group.
Up to four. As the cyclic alkyl group,
Examples thereof include those having 3 to 8 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group which may have a substituent. As the alkoxy group for R 1 to R 37 ,
Methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-
Examples thereof include those having 1 to 4 carbon atoms such as butoxy group and t-butoxy group. Examples of the halogen atom of R 1 to R 37 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. Examples of the aryl group of R 38 include those having 6 to 14 carbon atoms such as phenyl group, tolyl group, methoxyphenyl group and naphthyl group. The aryl group may have a substituent. As these substituents, preferably,
Alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, iodine atom), aryl group having 6 to 10 carbon atoms, alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, cyano group, hydroxy group, carboxy Group, alkoxycarbonyl group,
Examples thereof include a nitro group.

【0152】本発明で使用される一般式(I)〜(II
I)で表されるヨードニウム化合物あるいはスルホニウ
ム化合物は、その対アニオンX-として、少なくとも1
つのフッ素原子で置換された飽和脂肪族あるいは芳香族
のカルボン酸のアニオンを有する。これらのアニオン
は、該カルボン酸(−COOH)の水素原子が離脱した
アニオン(−COO-)である。
General formulas (I) to (II used in the present invention
The iodonium compound or sulfonium compound represented by I) has at least 1 as its counter anion X −.
It has an anion of a saturated aliphatic or aromatic carboxylic acid substituted with one fluorine atom. These anions are anions (—COO ) from which a hydrogen atom of the carboxylic acid (—COOH) has been desorbed.

【0153】以下に、具体例を示すが、本発明はこれら
に限定されるものではない。一般式(I)で表される光
酸発生剤の具体例(I−1f)〜(I〜36f):
Specific examples will be shown below, but the present invention is not limited thereto. Specific examples (I-1f) to (I to 36f) of the photo-acid generator represented by the general formula (I):

【0154】[0154]

【化64】 [Chemical 64]

【0155】[0155]

【化65】 [Chemical 65]

【0156】[0156]

【化66】 [Chemical formula 66]

【0157】[0157]

【化67】 [Chemical formula 67]

【0158】[0158]

【化68】 [Chemical 68]

【0159】一般式(II)で表される光酸発生剤の具体
例(II−1f)〜(II〜67f):
Specific examples (II-1f) to (II to 67f) of the photoacid generator represented by the general formula (II):

【化69】 [Chemical 69]

【0160】[0160]

【化70】 [Chemical 70]

【0161】[0161]

【化71】 [Chemical 71]

【0162】[0162]

【化72】 [Chemical 72]

【0163】[0163]

【化73】 [Chemical formula 73]

【0164】[0164]

【化74】 [Chemical 74]

【0165】[0165]

【化75】 [Chemical 75]

【0166】[0166]

【化76】 [Chemical 76]

【0167】[0167]

【化77】 [Chemical 77]

【0168】一般式(III)で表される光酸発生剤の具
体例(III−1f)〜(III〜4f):
Specific examples (III-1f) to (III to 4f) of the photoacid generator represented by the general formula (III):

【0169】[0169]

【化78】 [Chemical 78]

【0170】その他の光酸発生剤の具体例(IV−1f)
〜(V〜4f):
Specific examples of other photoacid generators (IV-1f)
~ (V ~ 4f):

【0171】[0171]

【化79】 [Chemical 79]

【0172】上記一般式(I)で表される化合物は、過
ヨウ素酸塩を用いて芳香族化合物を反応させ、得られた
ヨードニウム塩を対応するカルボン酸に塩交換すること
により合成可能である。一般式(II)、一般式(III)
で表される化合物は、例えば、アリールマグネシウムブ
ロミドなどのアリールグリニャール試薬と置換又は無置
換のフェニルスルホキシドを反応させ、得られたトリア
リールスルホニウムハライドを対応するカルボン酸と塩
交換する方法で合成できる。また、置換又は無置換のフ
ェニルスルホキシドと対応する芳香族化合物をメタンス
ルホン酸/五酸化二リンあるいは塩化アルミニウムなど
の酸触媒を用いて縮合、塩交換する方法、ジアリールヨ
ードニウム塩とジアリールスルフィドを酢酸銅などの触
媒を用いて縮合、塩交換する方法などによって合成でき
る。塩交換は、いったんハライド塩に導いた後に酸化銀
などの銀試薬を用いてカルボン酸塩に変換する方法、あ
るいはイオン交換樹脂を用いることでも塩交換できる。
また、塩交換に用いるカルボン酸あるいはカルボン酸塩
は、市販のものを用いるか、あるいは市販のカルボン酸
ハライドの加水分解などによって得ることができる。
The compound represented by the above general formula (I) can be synthesized by reacting an aromatic compound with a periodate and subjecting the obtained iodonium salt to salt exchange with a corresponding carboxylic acid. . General formula (II), general formula (III)
The compound represented by can be synthesized by, for example, reacting an aryl Grignard reagent such as aryl magnesium bromide with a substituted or unsubstituted phenyl sulfoxide, and subjecting the obtained triarylsulfonium halide to salt exchange with a corresponding carboxylic acid. Further, a method of condensing and salt-exchange of a substituted or unsubstituted phenyl sulfoxide and the corresponding aromatic compound with an acid catalyst such as methanesulfonic acid / diphosphorus pentoxide or aluminum chloride, and a method of diaryl iodonium salt and diaryl sulfide with copper acetate. It can be synthesized by a method such as condensation and salt exchange using a catalyst such as. The salt exchange can also be performed by a method of once converting to a halide salt and then converting to a carboxylate using a silver reagent such as silver oxide, or by using an ion exchange resin.
The carboxylic acid or carboxylic acid salt used for salt exchange may be a commercially available one, or may be obtained by hydrolysis of a commercially available carboxylic acid halide.

【0173】アニオン部分としてのフッ素置換されたカ
ルボン酸は、テロメリゼーション法(テロマー法ともい
われる)もしくはオリゴメリゼーション法(オリゴマー
法ともいわれる)により製造されたフルオロ脂肪族化合
物から導かれるものを用いたものも好ましい。これらの
フルオロ脂肪族化合物の製造法に関しては、例えば、
「フッ素化合物の合成と機能」(監修:石川延男、発
行:株式会社シーエムシー、1987)の117〜11
8ページや、「Chemistry of Organic Fluorine Compo
unds II」(Monograph 187,Ed by Milos Hudlicky and
Attila E. Pavlath, American Chemical Society 199
5)の747−752ページに記載されている。テロメ
リゼーション法とは、沃化物等の連鎖移動常数の大きい
アルキルハライドをテローゲンとして、テトラフルオロ
エチレン等のフッ素含有ビニル化合物のラジカル重合を
行い、テロマーを合成する方法である(Scheme-1に例を
示した)。テロマー法による合成においては炭素鎖長の
異なる複数の化合物の混合物が得られるが、これを混合
物のまま使用してもよいし、精製して用いてもよい。
As the fluorine-substituted carboxylic acid as the anion moiety, one derived from a fluoroaliphatic compound produced by the telomerization method (also called telomer method) or the oligomerization method (also called oligomer method) is used. Those that have been used are also preferable. Regarding the production method of these fluoroaliphatic compounds, for example,
117-11 of "Synthesis and Function of Fluorine Compound" (Supervised by Nobuo Ishikawa, Issued: CMC, 1987)
See page 8 and "Chemistry of Organic Fluorine Compo
unds II "(Monograph 187, Ed by Milos Hudlicky and
Attila E. Pavlath, American Chemical Society 199
5) pp. 747-752. The telomerization method is a method of synthesizing a telomer by radically polymerizing a fluorine-containing vinyl compound such as tetrafluoroethylene with an alkyl halide having a large chain transfer constant such as iodide as a telogen (example in Scheme-1. showed that). In the synthesis by the telomer method, a mixture of a plurality of compounds having different carbon chain lengths can be obtained, and this mixture may be used as it is or may be purified before use.

【0174】〔d〕 活性光線または放射線の照射によ
りフッ素非含有カルボン酸を発生する化合物及びアニオ
ンとしてフッ素非含有カルボン酸を有するイオン性化合
物の具体例を挙げるが、これらに限定するものではな
い。
[D] Specific examples of the compound generating a fluorine-free carboxylic acid upon irradiation with actinic rays or radiation and the ionic compound having a fluorine-free carboxylic acid as an anion are mentioned, but the invention is not limited thereto.

【0175】例えば、下記一般式(AI)〜(AV)で
示される化合物を挙げることができる。
Examples thereof include compounds represented by the following general formulas (AI) to (AV).

【0176】[0176]

【化80】 [Chemical 80]

【0177】上記式において、R301 〜R337は、各々
独立に水素原子、直鎖、分岐あるいは環状アルキル基、
直鎖、分岐あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシ基、
ハロゲン原子、または−S−R0基を表す。R0は直鎖、
分岐、環状アルキル基またはアリール基を表す。Ra、
Rbは、各々独立に水素原子、ニトロ基、ハロゲン原
子、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルコキ
シ基を表す。Rc、Rdは、各々独立にハロゲン原子、
置換基を有していてもよい、アルキル基又はアリール基
を表す。RcとRdとが結合して芳香環、単環あるいは
多環の環状炭化水素(これらの環内には酸素原子、窒素
原子を含んでいてもよい)を形成してもよい。Y1、Y2
は、炭素原子を表し、Y1−Y2結合は、単結合でも2重
結合でもよい。上記X-は、下記式で示されるカルボン
酸化合物がアニオンになったものを表す。X1、X2は、
各々独立に、下記式で示されるカルボン酸化合物がカル
ボキシル基部分でエステル基となったものを表す。
In the above formula, R 301 to R 337 are each independently a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group,
Linear, branched or cyclic alkoxy group, hydroxy group,
It represents a halogen atom or a —S—R 0 group. R 0 is a straight chain,
Represents a branched, cyclic alkyl group or aryl group. Ra,
Rb's each independently represent a hydrogen atom, a nitro group, a halogen atom, or an optionally substituted alkyl group or alkoxy group. Rc and Rd are each independently a halogen atom,
It represents an alkyl group or an aryl group which may have a substituent. Rc and Rd may combine to form an aromatic ring, a monocyclic or polycyclic cyclic hydrocarbon (these rings may contain an oxygen atom and a nitrogen atom). Y 1 , Y 2
Represents a carbon atom, and the Y 1 -Y 2 bond may be a single bond or a double bond. The above X represents an anion of the carboxylic acid compound represented by the following formula. X 1 and X 2 are
Each independently represents a compound in which a carboxylic acid compound represented by the following formula becomes an ester group at the carboxyl group portion.

【0178】[0178]

【化81】 [Chemical 81]

【0179】[0179]

【化82】 [Chemical formula 82]

【0180】上記式中、R338は、炭素数1〜30の直
鎖状、分岐状あるいは環状のアルキル基(ここで、アル
キル基の鎖中に酸素原子、窒素原子を含んでいてもよ
い)、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状の
アルケニル基、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしく
は環状のアルキニル基、炭素数1〜20の直鎖状、分岐
状あるいは環状のアルコキシル基、前記アルキル基の水
素原子の少なくとも一部がハロゲン原子および/または
水酸基で置換された基、前記アルケニル基の水素原子の
少なくとも一部がハロゲン原子および/または水酸基で
置換された基、あるいは炭素数6〜20の置換もしくは
非置換のアリール基を示す。ここで、アリール基の置換
基としてはアルキル基、ニトロ基、水酸基、アルコキシ
基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子
を挙げることができる。
In the above formula, R 338 is a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms (wherein the chain of the alkyl group may contain an oxygen atom or a nitrogen atom). A linear, branched or cyclic alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, a linear, branched or cyclic alkynyl group having 1 to 20 carbon atoms, a linear or branched chain having 1 to 20 carbon atoms, or Cyclic alkoxyl group, a group in which at least a part of hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with a halogen atom and / or a hydroxyl group, and a group in which at least a part of hydrogen atoms of the alkenyl group are substituted with a halogen atom and / or a hydroxyl group. Or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms. Here, examples of the substituent of the aryl group include an alkyl group, a nitro group, a hydroxyl group, an alkoxy group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, and a halogen atom.

【0181】R339は、単結合あるいは、炭素数1〜2
0の直鎖状、分岐状あるいは環状のアルキレン基(ここ
で、アルキレン基の鎖中に酸素原子、窒素原子を含んで
いてもよい)、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしく
は環状のアルケニレン基、前記アルキレン基の水素原子
の少なくとも一部がハロゲン原子および/または水酸基
で置換された基、前記アルケニレン基の水素原子の少な
くとも一部がハロゲン原子で置換された基、あるいは炭
素数2〜20のアルコキアルキレン基を示し、複数存在
するR338、R339は相互に同一でも異なってもよい。
R 339 is a single bond or has 1 to 2 carbon atoms.
A straight-chain, branched or cyclic alkylene group having 0 (here, an oxygen atom or a nitrogen atom may be contained in the chain of the alkylene group), a straight-chain, branched or cyclic having 1 to 20 carbon atoms Alkenylene group, a group in which at least a part of hydrogen atoms of the alkylene group is substituted with a halogen atom and / or a hydroxyl group, a group in which at least a part of hydrogen atoms of the alkenylene group is substituted with a halogen atom, or a carbon number of 2 It indicates 20 alkoxide alkylene group, R 338, R 339 existing in plural numbers may be the same or different from each other.

【0182】R340は水酸基またはハロゲン原子を示
し、複数存在するR340は相互に同一でも異なってもよ
い。m、n、pおよびqは各々独立に、0〜3の整数
で、m+n≦5、p+q≦5である。zは0または1で
ある。
R 340 represents a hydroxyl group or a halogen atom, and a plurality of R 340 s may be the same or different from each other. m, n, p and q are each independently an integer of 0 to 3, and m + n ≦ 5 and p + q ≦ 5. z is 0 or 1.

【0183】前記一般式(AI)〜(AV)における、
301〜R337、Ra、Rb、Rc、Rd、R0における
直鎖、分岐アルキル基としては、置換基を有してもよ
い、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、
sec−ブチル基、t−ブチル基のような炭素数1〜4
個のものが挙げられる。環状アルキル基としては、置換
基を有してもよい、シクロプロピル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基のような炭素数3〜8個のものが
挙げられる。R301〜R337、Ra、Rbのアルコキシ基
としては、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキ
シ基、プロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ
基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基のような炭素
数1〜4個のものが挙げられる。R301〜R337、Ra、
Rb、Rc、Rdのハロゲン原子としては、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができ
る。R0、Rc、Rdのアリール基としては、フェニル
基、トリル基、メトキシフェニル基、ナフチル基のよう
な置換基を有してもよい炭素数6〜14個のものが挙げ
られる。これらの置換基として好ましくは、炭素数1〜
4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素
原子、沃素原子)、炭素数6〜10個のアリール基、炭
素数2〜6個のアルケニル基、シアノ基、ヒドロキシ
基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基
等が挙げられる。
In the above general formulas (AI) to (AV),
As the straight chain or branched alkyl group for R 301 to R 337 , Ra, Rb, Rc, Rd, and R 0 , a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, which may have a substituent,
1 to 4 carbon atoms such as sec-butyl group and t-butyl group
There are individual ones. Examples of the cyclic alkyl group include those having a carbon number of 3 to 8, such as cyclopropyl group, cyclopentyl group and cyclohexyl group, which may have a substituent. The alkoxy group of R 301 to R 337 , Ra, and Rb has a carbon number such as methoxy group, ethoxy group, hydroxyethoxy group, propoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group, and t-butoxy group. One to four can be mentioned. R 301 to R 337 , Ra,
Examples of the halogen atom of Rb, Rc, and Rd include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Examples of the aryl group of R 0 , Rc, and Rd include those having 6 to 14 carbon atoms which may have a substituent such as a phenyl group, a tolyl group, a methoxyphenyl group, and a naphthyl group. These substituents preferably have 1 to 1 carbon atoms.
4 alkoxy groups, halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, iodine atom), aryl group having 6 to 10 carbon atoms, alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, cyano group, hydroxy group, carboxy group, alkoxycarbonyl Group, nitro group and the like.

【0184】RcとRdとが結合して形成する、芳香
環、単環あるいは多環の環状炭化水素(これらの環内に
は酸素原子、窒素原子を含んでいてもよい)としては、
ベンゼン構造、ナフタレン構造、シクロヘキサン構造、
ノルボルネン構造、オキサビシクロ構造等が挙げられ
る。
The aromatic ring, monocyclic or polycyclic cyclic hydrocarbon formed by combining Rc and Rd (which may contain an oxygen atom or a nitrogen atom) includes
Benzene structure, naphthalene structure, cyclohexane structure,
Examples thereof include a norbornene structure and an oxabicyclo structure.

【0185】本発明で使用される一般式(AI)〜(A
III)で表されるスルホニウム、ヨードニウム化合物
は、その対アニオンX-として、上記式(C1)〜(C
10)で示されるカルボン酸化合物のうち少なくとも1
種の化合物のカルボキシル基(−COOH)がアニオン
(−COO-)となったものを含む。本発明で使用され
る一般式(AIV)〜(AV)で表される化合物は、置
換基X1、X2として、上記式(C1)〜(C10)で示
されるカルボン酸化合物のうち少なくとも1種の化合物
のカルボキシル基(−COOH)がエステル基(−CO
O−)となった置換基を含む。
General formulas (AI) to (A) used in the present invention
Sulfonium represented III), or an iodonium compound, its counter anion X - is the above formula (C1) ~ (C
At least one of the carboxylic acid compounds represented by 10)
Including those in which the carboxyl group (—COOH) of the seed compound becomes an anion (—COO ). The compounds represented by the general formulas (AIV) to (AV) used in the present invention have at least one of the carboxylic acid compounds represented by the above formulas (C1) to (C10) as the substituents X 1 and X 2. The carboxyl group (-COOH) of the seed compound is an ester group (-CO
O-) is included in the substituent.

【0186】R338における、炭素数1〜30の直鎖
状、分岐状あるいは環状のアルキル基(ここで、アルキ
ル基の鎖中に酸素原子、窒素原子を含んでいてもよい)
としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、シクロヘキシル、ドデシル、1−エトキ
シエチル、アダマンチル等が挙げられる。炭素数1〜2
0の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基として
は、エテニル、プロペニル、イソプロペニル、シクロヘ
キセン等が挙げられる。炭素数1〜20の直鎖状、分岐
状もしくは環状のアルキニル基としては、アセチレン、
プロペニレン等が挙げられる。炭素数1〜20の直鎖
状、分岐状あるいは環状のアルコキシ基としては、メト
キシ、エトキシ、プロピルオキシ、ブトキシ、シクロヘ
キシルオキシ、イソブトキシ、ドデシルオキシ等が挙げ
られる。炭素数6〜20の置換もしくは非置換のアリー
ル基としては、フェニル、ナフチル、アントラニル等が
挙げられる。アリール基の置換基としてはアルキル基、
ニトロ基、水酸基、アルコキシ基、アシル基、アルコキ
シカルボニル基、ハロゲン原子を挙げることができる。
A linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms for R 338 (wherein the chain of the alkyl group may contain an oxygen atom or a nitrogen atom)
Examples thereof include methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, cyclohexyl, dodecyl, 1-ethoxyethyl, adamantyl and the like. 1 to 2 carbon atoms
Examples of the linear, branched or cyclic alkenyl group of 0 include ethenyl, propenyl, isopropenyl, cyclohexene and the like. As the linear, branched or cyclic alkynyl group having 1 to 20 carbon atoms, acetylene,
Propylene and the like can be mentioned. Examples of the linear, branched or cyclic alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms include methoxy, ethoxy, propyloxy, butoxy, cyclohexyloxy, isobutoxy and dodecyloxy. Examples of the substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms include phenyl, naphthyl and anthranyl. The substituent of the aryl group is an alkyl group,
Examples thereof include a nitro group, a hydroxyl group, an alkoxy group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group and a halogen atom.

【0187】R339における、炭素数1〜20の直鎖
状、分岐状あるいは環状のアルキレン基(ここで、アル
キレン基の鎖中に酸素原子、窒素原子を含んでいてもよ
い)、としては、メチレン、エチレン、プロピレン、ブ
チレン、イソブチレン、エトキシエチレン、シクロヘキ
シレン等が挙げられる。炭素数1〜20の直鎖状、分岐
状もしくは環状のアルケニレン基としては、ビニレン、
アリレン等が挙げられる。
As the linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 20 carbon atoms in R 339 (here, an oxygen atom or a nitrogen atom may be contained in the chain of the alkylene group), Examples thereof include methylene, ethylene, propylene, butylene, isobutylene, ethoxyethylene and cyclohexylene. As the linear, branched or cyclic alkenylene group having 1 to 20 carbon atoms, vinylene,
Arylene etc. are mentioned.

【0188】具体例を示すが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。
Although specific examples are shown, the present invention is not limited to these.

【0189】[0189]

【化83】 [Chemical 83]

【0190】[0190]

【化84】 [Chemical 84]

【0191】[0191]

【化85】 [Chemical 85]

【0192】[0192]

【化86】 [Chemical 86]

【0193】[0193]

【化87】 [Chemical 87]

【0194】上記光酸発生剤、すなわち一般式(A
I)、一般式(AII)、一般式(AIII)で表される化
合物は、米国特許第3,734,928号明細書に記載
の方法、Macromolecules, vol. 10, 1307(1977), Journ
al of Organic Chemistry, vol.55, 4222(1990), J. Ra
diat. Curing, vol. 5(1), 2(1978) に記載の方法など
を用い、更にカウンターアニオンを交換することにより
合成できる。一般式(AIV)、一般式(AV)で表さ
れる化合物は、N−ヒドロキシイミド化合物とカルボン
酸クロリドを塩基性条件で反応させる、あるいはニトロ
ベンジルアルコールとカルボン酸クロリドを塩基性条件
下反応させることにより得られる。
The above photoacid generator, that is, the compound represented by the general formula (A
The compounds represented by formula (I), general formula (AII) and general formula (AIII) are described in US Pat. No. 3,734,928, Macromolecules, vol. 10, 1307 (1977), Journ.
al of Organic Chemistry, vol.55, 4222 (1990), J. Ra
It can be synthesized by using the method described in diat. Curing, vol. 5 (1), 2 (1978) or the like and further exchanging the counter anion. The compounds represented by the general formulas (AIV) and (AV) are prepared by reacting an N-hydroxyimide compound with a carboxylic acid chloride under basic conditions or by reacting nitrobenzyl alcohol with a carboxylic acid chloride under basic conditions. It is obtained by

【0195】B1成分とB2成分の添加量の重量比は、
通常1/1〜50/1、好ましくは1/1〜10/1、
特に好ましくは2/1〜5/1である。B1成分とB2
成分の合計量は、組成物全固形分に対し、通常0.5〜
20重量%、好ましくは0.75〜15重量%、より好
ましくは1〜10重量%の範囲である。B1成分及びB
2成分は各々複数種含有してもよい。
The weight ratio of the added amounts of the B1 component and the B2 component is
Usually 1/1 to 50/1, preferably 1/1 to 10/1,
Particularly preferably, it is 2/1 to 5/1. B1 component and B2
The total amount of the components is usually 0.5-based on the total solid content of the composition.
20% by weight, preferably 0.75 to 15% by weight, more preferably 1 to 10% by weight. B1 component and B
The two components may each contain a plurality of types.

【0196】[3]溶剤(C成分) 本発明の組成物は、上記各成分を溶解する溶剤に溶かし
て支持体上に塗布する。ここで使用する溶剤としては、
1−メトキシ−2−プロパノールアセテート、1−メト
キシ−2−プロパノール、エチレンジクロライド、シク
ロヘキサノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ
−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリ
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコー
ルモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メ
チル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エト
キシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン
酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリド
ン、テトラヒドロフラン等が好ましく、1−メトキシ−
2−プロパノールアセテート、1−メトキシ−2−プロ
パノールが特に好ましい。これらの溶剤は、単独あるい
は混合して使用される。
[3] Solvent (Component C) The composition of the present invention is dissolved in a solvent capable of dissolving the above components and coated on a support. As the solvent used here,
1-methoxy-2-propanol acetate, 1-methoxy-2-propanol, ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, γ
-Butyrolactone, methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, toluene, ethyl acetate , Methyl lactate, ethyl lactate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran and the like are preferable, and 1 -Methoxy-
2-Propanol acetate and 1-methoxy-2-propanol are particularly preferable. These solvents may be used alone or as a mixture.

【0197】[4]界面活性剤(D成分) 本発明の感光性樹脂組成物は、界面活性剤を含有する
が、特にフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含
有することが好ましい。すなわち、本発明の感光性樹脂
組成物には、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性
剤及びフッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性
剤のいずれか、あるいは2種以上を特に好ましく含有す
ることができる。これらフッ素系及び/又はシリコン系
界面活性剤の添加は、現像欠陥の抑制及び塗布性の向上
に効果を有する。
[4] Surfactant (Component D) The photosensitive resin composition of the present invention contains a surfactant, and particularly preferably contains a fluorine-based and / or silicon-based surfactant. That is, the photosensitive resin composition of the present invention particularly preferably contains a fluorine-containing surfactant, a silicon-containing surfactant, or a surfactant containing both a fluorine atom and a silicon atom, or two or more kinds thereof. can do. Addition of these fluorine-based and / or silicon-based surfactants is effective in suppressing development defects and improving coatability.

【0198】これらの界面活性剤として、例えば特開昭
62-36663号、特開昭61-226746号、特開昭61-226745号、
特開昭62-170950号、特開昭63-34540号、特開平7-23016
5号、特開平8-62834号、特開平9-54432号、特開平9-598
8号、米国特許5405720号、米国特許5360692号、米国特
許5529881号、米国特許5296330号、米国特許5436098
号、米国特許5576143号、米国特許5296143号、米国特許
5294511号、及び、米国特許5824451号記載の界面活性剤
を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま
用いることもできる。このような市販の界面活性剤とし
て、例えばエフトップEF301、EF303、EF352(新秋田化成
(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)
製)、メガファックF171、F173、F176、F189、R08(大日
本インキ(株)製)、アサヒガードAG710、サーフロンS
−382、SC101、102、103、104、105、106(旭硝子
(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル社
製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤
を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP
−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系界面活性
剤として用いることができる。
Examples of these surfactants include those disclosed in
62-36663, JP-A-61-226746, JP-A-61-226745,
JP 62-170950 A, JP 63-34540 A, JP 7-23016 A
5, JP 8-62834A, JP 9-54432A, JP 9-598A
8, U.S. Pat.No. 5,405,720, U.S. Pat.No. 5,360,692, U.S. Pat.No. 5,528,981, U.S. Pat.No. 5,296,330, U.S. Pat.
U.S. Patent No. 5576143, U.S. Patent No. 5296143, U.S. Patent
5294511 and US Pat. No. 5,824,451 can be mentioned, and the following commercially available surfactants can be used as they are. Examples of such commercially available surfactants include F-top EF301, EF303, EF352 (Shin-Akita Kasei)
Fluoro FC430, 431 (Sumitomo 3M Limited)
Made), MegaFac F171, F173, F176, F189, R08 (made by Dainippon Ink and Chemicals), Asahi Guard AG710, Surflon S
-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Troisol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co., Ltd.) and the like fluorine-based surfactants or silicon-based surfactants can be mentioned. . Also polysiloxane polymer KP
-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as the silicon-based surfactant.

【0199】界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中
の固形分を基準として、通常0.001重量%〜2重量
%、好ましくは0.01重量%〜1重量%である。これ
らの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いく
つかの組み合わせで添加することもできる。
The content of the surfactant is usually 0.001% by weight to 2% by weight, preferably 0.01% by weight to 1% by weight, based on the solid content in the composition of the present invention. These surfactants may be added alone or in some combinations.

【0200】[5]本発明に用いることができる酸拡散
抑制剤(E) 本発明の組成物には、活性光線又は放射線の照射後、加
熱処理までの経時による性能変動(パターンのT−to
p形状形成、感度変動、パターン線幅変動等)や塗布後
の経時による性能変動、更には活性光線又は放射線の照
射後、加熱処理時の酸の過剰な拡散(解像度の劣化)を
防止する目的で、酸拡散抑制剤を添加することが好まし
い。酸拡散抑制剤としては、有機塩基性化合物であり、
例えば塩基性窒素を含有する有機塩基化合物であり、共
役酸のpKa値で4以上の化合物が好ましく使用され
る。具体的には下記式(A)〜(E)の構造を挙げるこ
とができる。
[5] Acid Diffusion Inhibitor (E) Applicable to the Present Invention In the composition of the present invention, the performance variation (T-to-pattern of the pattern) after irradiation with actinic rays or radiation and before heat treatment is increased.
(P shape formation, sensitivity fluctuation, pattern line width fluctuation, etc.) and performance fluctuation with time after coating, and further, after irradiation with actinic rays or radiation, excessive diffusion of acid (deterioration of resolution) during heat treatment. Therefore, it is preferable to add an acid diffusion inhibitor. The acid diffusion inhibitor is an organic basic compound,
For example, an organic base compound containing basic nitrogen, and a compound having a pKa value of the conjugate acid of 4 or more is preferably used. Specifically, the structures of the following formulas (A) to (E) can be mentioned.

【0201】[0201]

【化88】 [Chemical 88]

【0202】ここで、R250 、R251 及びR252 は、同
一でも異なってもよく、水素原子、炭素数1〜6個のア
ルキル基、炭素数1〜6個のアミノアルキル基、炭素数
1〜6個のヒドロキシアルキル基又は炭素数6〜20個
の置換もしくは非置換のアリール基を表し、ここで、R
251とR252は、互いに結合して環を形成してもよい。R
253 、R254 、R255 及びR256 は、同一でも異なって
もよく、炭素数1〜6個のアルキル基を表す。更に好ま
しい化合物は、一分子中に異なる化学的環境の窒素原子
を2個以上有する含窒素塩基性化合物であり、特に好ま
しくは、置換もしくは未置換のアミノ基と窒素原子を含
む環構造の両方を含む化合物もしくはアルキルアミノ基
を有する化合物である。
Here, R 250 , R 251 and R 252 may be the same or different and each is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aminoalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or 1 carbon atom. ~ 6 hydroxyalkyl group or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, wherein R is
251 and R 252 may combine with each other to form a ring. R
253 , R 254 , R 255 and R 256, which may be the same or different, each represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. More preferred compounds are nitrogen-containing basic compounds having two or more nitrogen atoms having different chemical environments in one molecule, and particularly preferably both a substituted or unsubstituted amino group and a ring structure containing a nitrogen atom. It is a compound containing or a compound having an alkylamino group.

【0203】好ましい具体例としては、置換もしくは未
置換のグアニジン、置換もしくは未置換のアミノピリジ
ン、置換もしくは未置換のアミノアルキルピリジン、置
換もしくは未置換のアミノピロリジン、置換もしくは未
置換のインダゾール、イミダゾール、置換もしくは未置
換のピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、置換
もしくは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換のプ
リン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換もしく
は未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペラジ
ン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置換も
しくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙げら
れる。好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキル
基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールア
ミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロ
キシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水
酸基、シアノ基である。
Preferred specific examples are substituted or unsubstituted guanidine, substituted or unsubstituted aminopyridine, substituted or unsubstituted aminoalkylpyridine, substituted or unsubstituted aminopyrrolidine, substituted or unsubstituted indazole, imidazole, Substituted or unsubstituted pyrazole, substituted or unsubstituted pyrazine, substituted or unsubstituted pyrimidine, substituted or unsubstituted purine, substituted or unsubstituted imidazoline, substituted or unsubstituted pyrazoline, substituted or unsubstituted piperazine, substituted Alternatively, unsubstituted aminomorpholine, substituted or unsubstituted aminoalkylmorpholine and the like can be mentioned. Preferred substituents are amino group, aminoalkyl group, alkylamino group, aminoaryl group, arylamino group, alkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, aryl group, aryloxy group, nitro group, hydroxyl group, cyano group. Is.

【0204】特に好ましい化合物として、グアニジン、
1,1−ジメチルグアニジン、1,1,3,3,−テト
ラメチルグアニジン、イミダゾール、2−メチルイミダ
ゾール、4−メチルイミダゾール、N−メチルイミダゾ
ール、2−フェニルイミダゾール、4,5−ジフェニル
イミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾー
ル、2−アミノピリジン、3−アミノピリジン、4−ア
ミノピリジン、2−ジメチルアミノピリジン、4−ジメ
チルアミノピリジン、2−ジエチルアミノピリジン、2
−(アミノメチル)ピリジン、2−アミノ−3−メチル
ピリジン、2−アミノ−4−メチルピリジン、2−アミ
ノ−5−メチルピリジン、2−アミノ−6−メチルピリ
ジン、3−アミノエチルピリジン、4−アミノエチルピ
リジン、
Particularly preferred compounds are guanidine,
1,1-dimethylguanidine, 1,1,3,3-tetramethylguanidine, imidazole, 2-methylimidazole, 4-methylimidazole, N-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 4,5-diphenylimidazole, 2 , 4,5-Triphenylimidazole, 2-aminopyridine, 3-aminopyridine, 4-aminopyridine, 2-dimethylaminopyridine, 4-dimethylaminopyridine, 2-diethylaminopyridine, 2
-(Aminomethyl) pyridine, 2-amino-3-methylpyridine, 2-amino-4-methylpyridine, 2-amino-5-methylpyridine, 2-amino-6-methylpyridine, 3-aminoethylpyridine, 4 -Aminoethylpyridine,

【0205】3−アミノピロリジン、ピペラジン、N−
(2−アミノエチル)ピペラジン、N−(2−アミノエ
チル)ピペリジン、4−アミノ−2,2,6,6−テト
ラメチルピペリジン、4−ピペリジノピペリジン、2−
イミノピペリジン、1−(2−アミノエチル)ピロリジ
ン、ピラゾール、3−アミノ−5−メチルピラゾール、
5−アミノ−3−メチル−1−p−トリルピラゾール、
ピラジン、2−(アミノメチル)−5−メチルピラジ
ン、ピリミジン、2,4−ジアミノピリミジン、4,6
−ジヒドロキシピリミジン、2−ピラゾリン、3−ピラ
ゾリン、N−アミノモルフォリン、N−(2−アミノエ
チル)モルフォリンなどが挙げられるがこれに限定され
るものではない。これらの含窒素塩基性化合物は、単独
であるいは2種以上一緒に用いられる。
3-aminopyrrolidine, piperazine, N-
(2-aminoethyl) piperazine, N- (2-aminoethyl) piperidine, 4-amino-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidine, 2-
Iminopiperidine, 1- (2-aminoethyl) pyrrolidine, pyrazole, 3-amino-5-methylpyrazole,
5-amino-3-methyl-1-p-tolylpyrazole,
Pyrazine, 2- (aminomethyl) -5-methylpyrazine, pyrimidine, 2,4-diaminopyrimidine, 4,6
-Dihydroxypyrimidine, 2-pyrazoline, 3-pyrazoline, N-aminomorpholine, N- (2-aminoethyl) morpholine and the like, but not limited thereto. These nitrogen-containing basic compounds may be used alone or in combination of two or more.

【0206】酸発生剤と有機塩基性化合物の組成物中の
使用割合は、(酸発生剤)/(有機塩基性化合物)(モ
ル比)=2.5〜300であることが好ましい。該モル
比が2.5未満では低感度となり、解像力が低下する場
合があり、また、300を越えると露光後加熱処理まで
の経時でレジストパターンの太りが大きくなり、解像力
も低下する場合がある。(酸発生剤)/(有機塩基性化
合物)(モル比)は、好ましくは5.0〜200、更に
好ましくは7.0〜150である。
The ratio of the acid generator and the organic basic compound used in the composition is preferably (acid generator) / (organic basic compound) (molar ratio) = 2.5 to 300. If the molar ratio is less than 2.5, the sensitivity may be low and the resolution may be lowered. If the molar ratio is more than 300, the resist pattern may become thicker with the lapse of time after the post-exposure heat treatment, and the resolution may be lowered. . The (acid generator) / (organic basic compound) (molar ratio) is preferably 5.0 to 200, more preferably 7.0 to 150.

【0207】精密集積回路素子の製造などにおいてレジ
スト膜上へのパターン形成工程は、基板(例:シリコン
/二酸化シリコン皮覆、ガラス基板、ITO基板等の透
明基板等)上に、本発明の感光性樹脂組成物を塗布し、
次に活性光線又は放射線描画装置を用いて照射を行い、
加熱、現像、リンス、乾燥することにより良好なレジス
トパターンを形成することができる。
In the step of forming a pattern on the resist film in the production of precision integrated circuit devices, etc., the photosensitive film of the present invention is formed on a substrate (eg, silicon / silicon dioxide covering, glass substrate, transparent substrate such as ITO substrate). A resin composition,
Next, irradiation is performed using an actinic ray or radiation drawing device,
A good resist pattern can be formed by heating, developing, rinsing and drying.

【0208】本発明の感光性樹脂組成物の現像液として
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモ
ニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピ
ルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−
ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メ
チルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノ
ールアミン、トリエタノーアミン等のアルコ−ルアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アン
モニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、
等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。更
に、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール
等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量
添加して使用することもできる。これらの現像液の中で
好ましくは第四アンモニウム塩、更に好ましくは、テト
ラメチルアンモニウムヒドロオキシド、コリンである。
The developer of the photosensitive resin composition of the present invention includes sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, inorganic alkalis such as aqueous ammonia, ethylamine, n-propylamine. Primary amines such as diethylamine, di-n-
Secondary amines such as butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanamine, quaternary compounds such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and choline. Cyclic amines such as ammonium salts, pyrrole and piperidine,
Aqueous solutions of alkalis such as can be used. Furthermore, alcohols such as isopropyl alcohol and surfactants such as nonionic surfactants may be added to the aqueous solution of the above alkalis in appropriate amounts. Of these developers, quaternary ammonium salts are preferable, and tetramethylammonium hydroxide and choline are more preferable.

【0209】[0209]

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。
EXAMPLES The present invention will now be described in more detail with reference to examples, but the contents of the present invention are not limited thereto.

【0210】1.合成例1(樹脂(2)の合成) 還流管及び窒素導入管を備えた100mlの3つ口フラ
スコ中に、4−(2−ヒドロキシヘキサフルオロイソプ
ロピル)スチレン(セントラル硝子社製)、4−(1−
メトキシエトキシ)スチレン(東ソー社製)、1−アダ
マンタン−1−メチル−エチルメタクリレート(ダイセ
ル社製)を各々モル比50/40/10の割合で仕込ん
だ後、テトラヒドロフランを加え、モノマー濃度30重
量%の反応液全30gを調整した。それを攪拌及び窒素
気流下65℃まで加熱した。アゾ系重合開始剤V−65
(和光純薬工業社製)を前記3つのモノマー合計のモル
数に対して5.0モル%添加し、窒素気流下攪拌しなが
ら8時間反応させた。得られた反応液にヘキサン200
mlを添加し、生成したポリマーを溶液から沈殿させて
未反応モノマーを分離精製した。C13NMRから求めた
ポリマー組成は、51/39/10であった。得られた
ポリマーをGPC(THF溶媒中、標準ポリスチレン換
算)にて分析したところ、重量平均分子量8,400、
分散度2.20、ポリマー中に含まれる分子量1000
以下の割合は15重量%であった。以下同様にして、表
1に示す本発明の樹脂を合成した。
1. Synthesis Example 1 (Synthesis of Resin (2)) 4- (2-hydroxyhexafluoroisopropyl) styrene (manufactured by Central Glass Co., Ltd.), 4- (in a 100 ml three-necked flask equipped with a reflux tube and a nitrogen introduction tube. 1-
(Methoxyethoxy) styrene (manufactured by Tosoh Corporation) and 1-adamantane-1-methyl-ethylmethacrylate (manufactured by Daicel) were charged at a molar ratio of 50/40/10, and then tetrahydrofuran was added to the mixture to prepare a monomer concentration of 30% by weight. A total of 30 g of the reaction solution of was prepared. It was stirred and heated to 65 ° C. under a stream of nitrogen. Azo polymerization initiator V-65
(Manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added in an amount of 5.0 mol% with respect to the total number of moles of the three monomers, and the mixture was reacted for 8 hours while stirring under a nitrogen stream. Hexane 200 was added to the obtained reaction solution.
ml was added, the produced polymer was precipitated from the solution, and the unreacted monomer was separated and purified. The polymer composition determined from C 13 NMR was 51/39/10. When the obtained polymer was analyzed by GPC (in THF solvent, converted to standard polystyrene), the weight average molecular weight was 8,400,
Dispersion degree 2.20, molecular weight 1000 contained in polymer
The following proportion was 15% by weight. Similarly, the resins of the present invention shown in Table 1 were synthesized.

【0211】[0211]

【表1】 [Table 1]

【0212】<トリフェニルスルホニウムノナフロロブ
タンスルホネート(VII−4)の合成>トリフェニルス
ルホニウムヨージド20gをメタノール500mlに溶
解させ、これに酸化銀12.5gを加えて室温で4時間
攪拌した。反応液を濾過して銀化合物を除いた後、この
溶液にノナフロロブタンスルホニックアシッド14.9
gを加え、この溶液を濃縮した。得られた油状物にジイ
ソプロピルエーテル300mlを加えて十分に攪拌した
後、ジイソプロピルエーテルをデカントで除く操作を2
回繰り返した。得られた油状物を減圧乾燥すると目的物
が18g得られた。
<Synthesis of triphenylsulfonium nonafluorobutane sulfonate (VII-4)> 20 g of triphenylsulfonium iodide was dissolved in 500 ml of methanol, 12.5 g of silver oxide was added thereto, and the mixture was stirred at room temperature for 4 hours. After the reaction solution was filtered to remove the silver compound, the solution was treated with nonafluorobutane sulfonic acid 14.9.
g was added and the solution was concentrated. To the obtained oily product, 300 ml of diisopropyl ether was added and sufficiently stirred, and then the procedure of removing the diisopropyl ether by decanting was performed.
Repeated times. The obtained oily substance was dried under reduced pressure to obtain 18 g of the desired product.

【0213】<トリフェニルスルホニウム 4−ドデシ
ルベンゼンスルホネート(PAG4−1)の合成>トリ
フェニルスルホニウムヨージド10gをメタノール50
0mlに溶解させ、これに酸化銀4.44gを加えて室
温で4時間攪拌した。反応液を濾過して銀化合物を除い
た後、この溶液に4−ドデシルベンゼンスルホニックア
シッド4.67gを加え、この溶液を濃縮した。得られ
た油状物にジイソプロピルエーテル300mlを加えて
十分に攪拌した後、ジイソプロピルエーテルをデカント
で除く操作を2回繰り返した。得られた油状物を減圧乾
燥すると目的物が6g得られた。
<Synthesis of triphenylsulfonium 4-dodecylbenzene sulfonate (PAG4-1)> 10 g of triphenylsulfonium iodide was added to 50 parts of methanol.
It was dissolved in 0 ml, 4.44 g of silver oxide was added thereto, and the mixture was stirred at room temperature for 4 hours. After the reaction solution was filtered to remove the silver compound, 4.67 g of 4-dodecylbenzene sulfonic acid was added to this solution, and this solution was concentrated. The operation of adding 300 ml of diisopropyl ether to the obtained oil and stirring the mixture sufficiently, and then removing the diisopropyl ether by decanting was repeated twice. The obtained oily substance was dried under reduced pressure to obtain 6 g of the desired product.

【0214】<トリフェニルスルホニウムノナフロロペ
ンタノエート(II−4f)の合成>トリフェニルスルホ
ニウムヨージド20gをメタノール500mlに溶解さ
せ、これに酸化銀12.5gを加えて室温で4晴間撹拌
した。反応液をろ過して銀化合物を除いた後、この溶液
にノナフロロペンタノイックアシッド14.9gを加
え、この溶液を濃縮した。得られた油状物にジイソプロ
ピルエーテル300mlを加えて十分に撹拌した後、ジ
イソプロピビルエーテルをデカントで除く操作を2回繰
り返した。得られた油状物を減圧乾燥すると目的物が1
8g得られた。
<Synthesis of triphenylsulfonium nonafluoropentanoate (II-4f)> 20 g of triphenylsulfonium iodide was dissolved in 500 ml of methanol, 12.5 g of silver oxide was added thereto, and the mixture was stirred at room temperature for 4 hours. After the reaction solution was filtered to remove the silver compound, 14.9 g of nonafluoropentanoic acid was added to this solution, and this solution was concentrated. The operation of adding 300 ml of diisopropyl ether to the obtained oily substance, stirring the mixture sufficiently, and then removing diisopropivir ether by decanting was repeated twice. When the obtained oily substance is dried under reduced pressure, the target substance is 1
8 g was obtained.

【0215】[実施例1〜28及び比較例1及び2]下
記表2に示すA成分1.2g、B1成分0.024g、
B2成分0.006g、D成分100ppm(ポリマー
溶液に対し)、E成分0.0012gをC成分19.6
gに溶解したポリマー溶液を0.1μmのテフロン(登
録商標)フィルターで濾過しポジ型フォトレジスト液を
調製した。
[Examples 1-28 and Comparative Examples 1 and 2] 1.2 g of A component and 0.024 g of B1 component shown in Table 2 below.
B2 component 0.006 g, D component 100 ppm (based on polymer solution), E component 0.0012 g, C component 19.6
The polymer solution dissolved in g was filtered through a 0.1 μm Teflon (registered trademark) filter to prepare a positive photoresist solution.

【0216】[0216]

【表2】 [Table 2]

【0217】[0217]

【表3】 [Table 3]

【0218】表2における記号の内容は以下のとおりで
ある。 N−1:ヘキサメチレンテトラミン N−2:1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノ
ネン N−3:1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウ
ンデセン W−1:メガファックF176(大日本インキ化学工業
(株)製)(フッ素系) W−2:メガファックR08(大日本インキ化学工業
(株)製)(フッ素及びシリコン系) S−1:乳酸エチル S−2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート S−3:プロピレングリコールモノメチルエーテル 各成分について表2に示した複数使用の比は重量比であ
る。
The contents of the symbols in Table 2 are as follows. N-1: Hexamethylenetetramine N-2: 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene N-3: 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene W-1 : Megafac F176 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) (fluorine-based) W-2: Megafacque R08 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) (fluorine and silicon-based) S-1: Ethyl lactate S -2: Propylene glycol monomethyl ether acetate S-3: Propylene glycol monomethyl ether The ratio of plural uses shown in Table 2 for each component is a weight ratio.

【0219】上記のように調製したポジ型フォトレジス
ト液をスピンコータを利用して反射防止膜(DUV42-6 B
rewerScience. Inc. 製)を塗布したシリコンウエハー
上に均一に塗布し、120℃60秒間加熱乾燥を行い、
膜厚0.1μmのポジ型フォトレジスト膜を形成した。
このレジスト膜に対し、F2レーザーマイクロステッパ
ー(NA=0.60)を用いラインアンドスペース用マ
スクを使用してパターン露光し、露光後すぐに110℃
90秒間ホットプレート上で加熱した。更に2.38%
テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液で2
3℃にて30秒間現像し、30秒間純粋にてリンスした
後、乾燥した。このようにして得られたシリコンウエハ
ー上のパターンを下記の方法でレジスト性能を評価し
た。
The positive photoresist solution prepared as described above was applied to an antireflection film (DUV42-6B) using a spin coater.
rewerScience. Inc.) coated evenly on a silicon wafer, and heated and dried at 120 ° C. for 60 seconds,
A positive photoresist film having a film thickness of 0.1 μm was formed.
This resist film is pattern-exposed using an F2 laser microstepper (NA = 0.60) using a line-and-space mask, and 110 ° C. immediately after the exposure.
Heated on a hot plate for 90 seconds. 2.38%
2 with tetramethylammonium hydroxide aqueous solution
It was developed for 30 seconds at 3 ° C., rinsed for 30 seconds in pure water, and then dried. The resist performance of the pattern on the silicon wafer thus obtained was evaluated by the following method.

【0220】以下のようにして評価した。 〔ラインエッジラフネス〕ラインパターンの長手方向の
エッジ5μmの範囲について、エッジがあるべき基準線
からの距離を測長SEM((株)日立製作所製S−88
40)により50ポイント測定し、標準偏差を求め、3
σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを
示す。
The evaluation was performed as follows. [Line Edge Roughness] For the range of 5 μm edge in the longitudinal direction of the line pattern, measure the distance from the reference line where the edge should be SEM (S-88 manufactured by Hitachi Ltd.)
40), 50 points are measured, the standard deviation is calculated, and 3
σ was calculated. The smaller the value, the better the performance.

【0221】〔現像時間依存性〕現像時間を30秒とし
たときの150nmのラインアンドスペース用マスクパ
ターンの寸法を再現する露光量において、現像時間を9
0秒としたときの同一パターンの形成寸法を側長したと
きの150nmからの寸法差を表す。性能評価結果を表
3に示した。
[Development Time Dependence] When the development time is set to 30 seconds, the development time is set to 9 at the exposure dose for reproducing the dimension of the 150 nm line-and-space mask pattern.
The dimension difference from 150 nm when the formation dimension of the same pattern when 0 second is lengthened is shown. The performance evaluation results are shown in Table 3.

【0222】[0222]

【表4】 [Table 4]

【0223】表3の結果より、本発明の組成物はライン
エッジラフネス及び現像時間依存性が小さく、良好であ
ることが判る。
From the results shown in Table 3, it is understood that the composition of the present invention has a small dependency on the line edge roughness and the development time and is excellent.

【0224】[0224]

【発明の効果】本発明により、ラインエッジラフネス及
び現像時間依存性の問題が改善された感光性樹脂組成物
を提供できる。
According to the present invention, it is possible to provide a photosensitive resin composition in which the problems of line edge roughness and development time dependency are improved.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)下記一般式(I)、(II)及び
(VI)で示される繰り返し単位を各々少なくとも一つ
有する、酸の作用により分解しアルカリ現像液に対する
溶解度を増大する樹脂、(B1)活性光線または放射線
の照射により、一般式A1Hで表される酸を発生する化
合物、(B2)一般式B+2 -で表されるイオン性化合
物、(C)溶剤、及び(D)界面活性剤を含有する感光
性樹脂組成物であり、活性光線または放射線の照射によ
り(B1)成分により発生する酸A1Hとイオン性化合
物B+2 -が A1H + B+2 - → B+1 - + A2H (但し、Hは水素原子、A1は酸A1Hから水素原子を除
いた残基、B+は当該イオン性化合物のカチオン部、A2
-はアニオン部を表す。A1 -はA1に由来するアニオン、
2は水素原子イオンとの結合によりイオン性が低下し
たA2 -に由来する基を表す。)で表される塩交換反応を
行うことを特徴とする感光性樹脂組成物。 【化1】 一般式(I)、(II)及び(VI)中、R1、R5、R
17a及びR17は、同じでも異なっていてもよく、水素原
子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していても
よいアルキル基を表す。R2、R3、R6及びR7は、同じ
でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シ
アノ基、ヒドロキシル基又は置換基を有していてもよ
い、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ア
シル基、アシロキシ基、アルケニル基、アリール基若し
くはアラルキル基を表す。R50〜R 55は、同じでも異な
っていてもよく、水素原子、フッ素原子又は置換基を有
していてもよいアルキル基を表す。但し、R50〜R55
内、少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つ
の水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表
す。R4は、下記一般式(IV)又は(V)の基を表
す。R18は、−C(R18d)(R18e)(R18f)又は−
C(R18d)(R18e)(OR18g)を表す。R18d〜R
18gは、同じでも異なっていてもよく、水素原子又は置
換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル
基、アルケニル基、アラルキル基若しくはアリール基を
表す。R18d、R18e、R18fの内の2つ又はR18d、R
18e、R18gの内の2つが結合して環を形成してもよい。 【化2】 一般式(IV)中、R11、R12及びR13は、同じでも異
なっていてもよく、置換基を有していてもよい、アルキ
ル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基
又はアリール基を表す。一般式(V)中、R14及びR15
は、同じでも異なっていてもよく、水素原子又は置換基
を有していてもよいアルキル基を表す。R16は、置換基
を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、
アラルキル基若しくはアリール基を表す。R14〜R16
内の2つが結合し、環を形成してもよい。
1. (A) The following general formulas (I), (II) and
At least one repeating unit represented by (VI)
Having an acid, it decomposes due to the action of acid
Resins that increase solubility, (B1) actinic rays or radiation
Of the general formula A1Generation of acid represented by H
Compound, (B2) general formula B+A2 -Ionic compound represented by
Containing a compound, (C) solvent, and (D) surfactant
Resin composition, which is exposed to actinic rays or radiation.
Acid A generated by component (B1)1H and ionic compound
Object B+A2 -But A1H + B+A2 -  → B+A1 - + A2H (However, H is a hydrogen atom, A1Is acid A1Remove hydrogen atom from H
Residue, B+Is the cation part of the ionic compound, A2
-Represents an anion part. A1 -Is A1Anion derived from
A2Has reduced ionicity due to binding with hydrogen ion
A2 -Represents a group derived from. ) The salt exchange reaction
A photosensitive resin composition characterized in that it is carried out. [Chemical 1] R in the general formulas (I), (II) and (VI)1, RFive, R
17aAnd R17Can be the same or different and
Child, a halogen atom, a cyano group or a substituent
Represents a good alkyl group. R2, R3, R6And R7Is the same
Or they may be different, such as hydrogen atom, halogen atom,
May have an ano group, a hydroxyl group or a substituent
Alkyl group, cycloalkyl group, alkoxy group,
Sil group, acyloxy group, alkenyl group, aryl group
Represents an aralkyl group. R50~ R 55Is the same but different
May have a hydrogen atom, a fluorine atom or a substituent.
Represents an optionally substituted alkyl group. However, R50~ R55of
At least one of them is a fluorine atom or at least one
Represents an alkyl group in which a hydrogen atom of is substituted with a fluorine atom.
You RFourRepresents a group of the following general formula (IV) or (V)
You R18Is -C (R18d) (R18e) (R18f) Or −
C (R18d) (R18e) (OR18 g) Represents. R18d~ R
18 gMay be the same or different and may be a hydrogen atom or
Alkyl group, cycloalkyl, which may have a substituent
Group, alkenyl group, aralkyl group or aryl group
Represent R18d, R18e, R18f2 of or R18d, R
18e, R18 gTwo of them may combine to form a ring. [Chemical 2] R in the general formula (IV)11, R12And R13Is the same but different
An alkyl group which may have a substituent or may have a substituent.
Group, cycloalkyl group, alkenyl group, aralkyl group
Alternatively, it represents an aryl group. R in the general formula (V)14And R15
May be the same or different and each represents a hydrogen atom or a substituent.
Represents an alkyl group which may have. R16Is a substituent
Which may have an alkyl group, a cycloalkyl group,
Represents an aralkyl group or an aryl group. R14~ R16of
Two of them may combine to form a ring.
【請求項2】(B1)成分が、活性光線または放射線の
照射により少なくとも1つのフッ素原子で置換された脂
肪族あるいは芳香族のスルホン酸を発生する化合物であ
り、(B2)成分が、塩交換反応により、フッ素原子を
含有しない脂肪族あるいは芳香族のスルホン酸、又は、
脂肪族あるいは芳香族のカルボン酸を発生するイオン性
化合物であることを特徴とする請求項1に記載の感光性
樹脂組成物。
2. The component (B1) is a compound which generates an aliphatic or aromatic sulfonic acid substituted with at least one fluorine atom upon irradiation with actinic rays or radiation, and the component (B2) is salt exchange. Depending on the reaction, an aliphatic or aromatic sulfonic acid containing no fluorine atom, or
The photosensitive resin composition according to claim 1, which is an ionic compound that generates an aliphatic or aromatic carboxylic acid.
【請求項3】(B1)成分が、活性光線または放射線の
照射によりフッ素原子を含有しない脂肪族あるいは芳香
族のスルホン酸を発生する化合物であり、(B2)成分
が、塩交換反応により、脂肪族あるいは芳香族のカルボ
ン酸を発生するイオン性化合物であることを特徴とする
請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
3. The component (B1) is a compound capable of generating a fluorine atom-free aliphatic or aromatic sulfonic acid upon irradiation with actinic rays or radiation, and the component (B2) is a compound which undergoes a salt exchange reaction to produce a fatty acid. The photosensitive resin composition according to claim 1, which is an ionic compound that generates a carboxylic acid of a group or an aromatic.
【請求項4】(B1)成分が、活性光線または放射線の
照射により少なくとも1つのフッ素原子で置換された脂
肪族あるいは芳香族のカルボン酸を発生する化合物であ
り、(B2)成分が、塩交換反応により、フッ素原子を
含有しない脂肪族あるいは芳香族のカルボン酸を発生す
るイオン性化合物であることを特徴とする請求項1に記
載の感光性樹脂組成物。
4. The component (B1) is a compound which generates an aliphatic or aromatic carboxylic acid substituted with at least one fluorine atom upon irradiation with actinic rays or radiation, and the component (B2) is salt exchange. The photosensitive resin composition according to claim 1, which is an ionic compound that generates an aliphatic or aromatic carboxylic acid containing no fluorine atom by a reaction.
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