JP2003057670A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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JP2003057670A
JP2003057670A JP2001246987A JP2001246987A JP2003057670A JP 2003057670 A JP2003057670 A JP 2003057670A JP 2001246987 A JP2001246987 A JP 2001246987A JP 2001246987 A JP2001246987 A JP 2001246987A JP 2003057670 A JP2003057670 A JP 2003057670A
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JP
Japan
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electrode
electrodes
pixel electrode
pixel
liquid crystal
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Application number
JP2001246987A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshiaki Nakayoshi
良彰 仲吉
Nagatoshi Kurahashi
永年 倉橋
Masahiro Ishii
正宏 石井
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve optical efficiency. SOLUTION: Pixel electrodes PX and opposing electrodes CT, which are used to generate electric field between the electrodes PX, are provided in the pixel regions of the liquid crystal side located on the other substrate of substrates SUB that are oppositely arranged through liquid crystals. The electrodes PX and CT are respectively made up with a plurality of electrodes which are alternatively arranged and extended in one direction and crossed with respect to the direction in a belt shape. Among these electrodes, electrodes having wider widths are provided. The separation width between the electrode whose width is set wider and an adjacent electrode is set larger than the separation width of the other adjacent electrode.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、いわゆる横電界方式と称される液晶表示装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a so-called lateral electric field type liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】横電界方式と称される液晶表示装置は、
液晶を介し対向配置される一対の基板のうち一方の基板
の液晶側の各画素領域に、画素電極とこの画素電極との
間に電界を生じせしめる対向電極を備え、前記電界のう
ち基板とほぼ平行な成分によって液晶の光透過率を制御
させるように構成されている。そして、これら画素電極
および対向電極は、たとえば、それぞれ一方向に延在し
該方向に交差する方向に交互に配置される帯状の複数の
電極からなっている。
2. Description of the Related Art A liquid crystal display device called a horizontal electric field type is
A counter electrode for generating an electric field between a pixel electrode and the pixel electrode is provided in each pixel region on the liquid crystal side of one of the pair of substrates arranged to face each other with the liquid crystal interposed therebetween. The parallel components are configured to control the light transmittance of the liquid crystal. The pixel electrode and the counter electrode are each composed of, for example, a plurality of strip-shaped electrodes that extend in one direction and are alternately arranged in a direction intersecting the direction.

【0003】小さな駆動電圧で液晶の光透過率を制御さ
せるためには、画素電極と対向電極との離間距離を小さ
くすることが好ましく、このことから、それぞれの画素
電極とこの画素電極と隣接する対向電極との各離間距離
はそれぞれ等しくするように設定されていた。
In order to control the light transmittance of the liquid crystal with a small driving voltage, it is preferable to reduce the distance between the pixel electrode and the counter electrode. From this fact, each pixel electrode is adjacent to the pixel electrode. The separation distances from the counter electrode were set to be equal.

【0004】この場合、画素電極および対向電極はそれ
ぞれ同じ幅であることを前提に、いわゆるV−T(画素
電極と対向電極との間に印加する駆動電圧−透過率)曲
線を作成し、このV−T曲線は極大点を有することか
ら、最も透過率を高くするために、各電極の離間距離を
どれ位にすればよいか、あるいは画素電極と対向電極と
の間の駆動電圧をどれ位にすればよいかを決定してい
た。すなわち、このようにすることにより、同じ駆動電
圧を印加するにしても最も光効率の良好な表示を達成す
ることができていた。
In this case, a so-called V-T (driving voltage applied between the pixel electrode and the counter electrode-transmittance) curve is prepared on the assumption that the pixel electrode and the counter electrode have the same width. Since the VT curve has a maximum point, what distance should be set between the electrodes in order to maximize the transmittance, or how much the drive voltage between the pixel electrode and the counter electrode should be set. I was deciding what to do. That is, by doing so, even if the same drive voltage is applied, it is possible to achieve a display with the best light efficiency.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような構
成からなる液晶表示装置において、近年、ある不都合な
点を解消するために、たとえば特定の対向電極の幅をそ
れ以外の他の電極の幅よりも太くするような構成のもの
が知られるに至っている。
However, in the liquid crystal display device having such a structure, in order to solve a certain disadvantage in recent years, for example, the width of a specific counter electrode is changed to the width of other electrodes. It has become known that the structure is thicker than that.

【0006】このため、画素電極の一方の側には幅が太
い対向電極が配置され他方の側には通常の幅の対向電極
が配置されるという構成となり、該画素電極と幅の太い
対向電極との間の電気力線は該画素電極と通常の幅の対
向電極との間の電気力線が多くなってしまっていた。こ
のことは、換言すれば、該画素電極の一方の側の対向電
極との間の電界は他方の側の対向電極との間の電界より
も大きくなってしまうことを意味する。
Therefore, a counter electrode having a large width is arranged on one side of the pixel electrode and a counter electrode having a normal width is arranged on the other side. The pixel electrode and the counter electrode having a large width are arranged. The lines of electric force between the pixel electrode and the counter electrode having a normal width are increased. In other words, this means that the electric field between the pixel electrode and the counter electrode on one side becomes larger than the electric field between the pixel electrode and the counter electrode on the other side.

【0007】したがって、この領域において画素電極と
対向電極との間の電圧が高くなっているのと等価であ
り、V−T曲線の極大点からずれた部分で駆動されてい
ることから所定の透過率が得られず、光効率の損失がな
されていることになる。本発明は、このような事情に基
づいてなされたものであり、その目的は光効率を良好に
させた液晶表示装置を提供するものである。
Therefore, it is equivalent to that the voltage between the pixel electrode and the counter electrode is high in this region, and since it is driven at a portion deviated from the maximum point of the VT curve, a predetermined transmission is performed. Therefore, the efficiency cannot be obtained and the light efficiency is lost. The present invention has been made under such circumstances, and an object thereof is to provide a liquid crystal display device having improved light efficiency.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。 手段1.本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶
を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の
画素領域に、画素電極とこの画素電極との間に電界を生
じせしめる対向電極を備え、前記画素電極および対向電
極はそれぞれ一方向に延在し該方向に交差する方向に交
互に配置される帯状の複数の電極からなり、これら各電
極のうち他の電極よりも幅広に設定される電極を備え、
この幅広に設定された前記電極とそれに隣接する電極の
離間幅は、他の隣接する電極の離間幅よりも大きく設定
されていることを特徴とするものである。
Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows. Means 1. The liquid crystal display device according to the present invention is provided with, for example, a pixel electrode on one side of each of the substrates opposed to each other with the liquid crystal interposed therebetween, and a counter electrode for generating an electric field between the pixel electrode and the pixel electrode. The pixel electrode and the counter electrode each include a plurality of strip-shaped electrodes that extend in one direction and are alternately arranged in a direction intersecting with the direction, and are set wider than the other electrodes among these electrodes. Equipped with electrodes,
The width of the gap between the electrode and the electrode adjacent to the wide electrode is set to be larger than the gap between the adjacent electrodes.

【0009】手段2.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基
板の液晶側の画素領域に、ゲート信号線からの走査信号
によって作動されるスイッチング素子と、このスイッチ
ング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給
される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じせ
しめる対向電極とを有し、前記画素電極および対向電極
はそれぞれ一方向に延在し該方向に交差する方向に交互
に配置される帯状の複数の電極からなり、複数の前記対
向電極のうち前記ドレイン信号線と絶縁膜を介して重畳
される対向電極を備え、この対向電極は他の電極よりも
幅が広く形成され、かつ、ドレイン信号線に重畳される
前記対向電極とそれに隣接する電極との離間幅は、他の
隣接する電極の離間幅よりも大きく設定されていること
を特徴とするものである。
Means 2. A liquid crystal display device according to the present invention includes, for example, a switching element that is operated by a scanning signal from a gate signal line in a pixel region on the liquid crystal side of one of the substrates that are arranged to face each other via a liquid crystal, and the switching element A pixel electrode to which a video signal is supplied from the drain signal line via the pixel electrode and a counter electrode for generating an electric field between the pixel electrode and the pixel electrode, and the pixel electrode and the counter electrode extend in one direction. The counter electrode includes a plurality of strip-shaped electrodes that are alternately arranged in a direction intersecting with the direction, and includes a counter electrode that overlaps the drain signal line among the plurality of counter electrodes via an insulating film. The width of the counter electrode is wider than that of the other electrode, and the gap between the counter electrode and the adjacent electrode overlapped with the drain signal line is set to be larger than the gap between other adjacent electrodes. And it is characterized in that they are.

【0010】手段3.本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基
板の液晶側の画素領域に、ゲート信号線からの走査信号
によって作動されるスイッチング素子と、このスイッチ
ング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給
される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じせ
しめる対向電極とを有し、前記画素電極および対向電極
はそれぞれ一方向に延在し該方向に交差する方向に交互
に配置される帯状の複数の電極からなり、複数の前記画
素電極のうち前記スイッチング素子と電気的に接続され
た画素電極は他の電極よりも幅広に形成され、かつ、ス
イッチング素子と電気的に接続された前記画素電極とそ
れに隣接する電極との離間幅は、他の電極の離間幅より
も大きく設定されていることを特徴とするものである。
Means 3. A liquid crystal display device according to the present invention includes, for example, a switching element that is operated by a scanning signal from a gate signal line in a pixel region on the liquid crystal side of one of the substrates that are arranged to face each other via a liquid crystal, and the switching element A pixel electrode to which a video signal is supplied from the drain signal line via the pixel electrode and a counter electrode for generating an electric field between the pixel electrode and the pixel electrode, and the pixel electrode and the counter electrode extend in one direction. The plurality of pixel electrodes, which are alternately arranged in a direction intersecting with the direction, each of the plurality of pixel electrodes, the pixel electrode electrically connected to the switching element is formed wider than the other electrodes. Further, a separation width between the pixel electrode electrically connected to the switching element and an electrode adjacent to the pixel electrode is set to be larger than a separation width of other electrodes. It is intended.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。 実施例1. 《等価回路》図2は、本発明による液晶表示装置の一実
施例を示す等価回路図である。同図は等価回路図である
が、実際の幾何学的配置に対応させて描いている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a liquid crystal display device according to the present invention will be described below with reference to the drawings. Example 1. << Equivalent Circuit >> FIG. 2 is an equivalent circuit diagram showing an embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention. Although this figure is an equivalent circuit diagram, it is drawn corresponding to the actual geometrical arrangement.

【0012】図2において、液晶を介して互いに対向配
置される一対の透明基板SUB1、SUB2があり、該
液晶は一方の透明基板SUB1に対する他方の透明基板
SUB2の固定を兼ねるシール材SLによって封入され
ている。
In FIG. 2, there is a pair of transparent substrates SUB1 and SUB2 arranged to face each other with a liquid crystal interposed therebetween, and the liquid crystal is enclosed by a sealing material SL which also fixes one transparent substrate SUB1 to the other transparent substrate SUB2. ing.

【0013】シール材SLによって囲まれた前記一方の
透明基板SUB1の液晶側の面には、そのx方向に延在
しy方向に並設されたゲート信号線GLとy方向に延在
しy方向に並設されたドレイン信号線DLとが形成され
ている。
On the liquid crystal side surface of the one transparent substrate SUB1 surrounded by the seal material SL, the gate signal lines GL extending in the x direction and juxtaposed in the y direction and the y direction extending in the y direction. A drain signal line DL is formed side by side in the direction.

【0014】各ゲート信号線GLと各ドレイン信号線D
Lとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部A
Rを構成するようになっている。
Each gate signal line GL and each drain signal line D
The region surrounded by L and L constitutes a pixel region, and the matrix-shaped aggregate of these pixel regions is the liquid crystal display unit A.
It constitutes R.

【0015】また、x方向に並設される各画素領域のそ
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向
電圧信号線CLが形成されている。この対向電圧信号線
CLは各画素領域の後述する対向電極CTに映像信号に
対して基準となる電圧を供給するための信号線となるも
のである。
Further, a common counter voltage signal line CL running in each pixel area is formed in each of the pixel areas arranged in parallel in the x direction. The counter voltage signal line CL serves as a signal line for supplying a reference voltage for a video signal to a counter electrode CT described later in each pixel region.

【0016】さらに、これら各対向電圧信号線CLはそ
の一端が共通接続されてシール材SLの外方に形成され
た対向電圧端子CTMに接続され、この対向電圧端子C
TMから電圧が供給されるようになっている。
Further, one end of each of the counter voltage signal lines CL is commonly connected to a counter voltage terminal CTM formed outside the sealing material SL, and the counter voltage terminal C is formed.
The voltage is supplied from TM.

【0017】各画素領域には、その片側のゲート信号線
GLからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タTFTと、この薄膜トランジスタTFTを介して片側
のドレイン信号線DLからの映像信号が供給される画素
電極PXが形成されている。
In each pixel region, a thin film transistor TFT which is operated by a scanning signal from a gate signal line GL on one side thereof and a pixel electrode to which a video signal from the drain signal line DL on one side is supplied via the thin film transistor TFT. PX is formed.

【0018】この画素電極PXは、前記対向電圧信号線
CLと接続された対向電極CTとの間に電界を発生さ
せ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるよう
になっている。
The pixel electrode PX generates an electric field between the counter voltage signal line CL and the counter electrode CT connected thereto, and the electric field controls the light transmittance of the liquid crystal.

【0019】前記ゲート信号線GLのそれぞれの一端は
前記シール材SLを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Vの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Vの入
力端子は透明基板SUB1の外部に配置されるプリント
基板からの信号が入力されるようになっている。
One end of each of the gate signal lines GL extends beyond the seal material SL, and the extended end constitutes a terminal to which an output terminal of the vertical scanning drive circuit V is connected. . Further, a signal from a printed circuit board arranged outside the transparent substrate SUB1 is input to the input terminal of the vertical scanning drive circuit V.

【0020】垂直走査駆動回路Vは複数個の半導体装置
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線どうしが
グループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装
置があてがわれるようになっている。
The vertical scanning drive circuit V comprises a plurality of semiconductor devices, and a plurality of gate signal lines adjacent to each other are grouped, and one semiconductor device is assigned to each of these groups.

【0021】同様に、前記ドレイン信号線DLのそれぞ
れの一端は前記シール材SLを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Heの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Heの入力端子は透明基板SUB1の外部に配置
されるプリント基板からの信号が入力されるようになっ
ている。
Similarly, one end of each of the drain signal lines DL extends beyond the sealing material SL, and the extended end constitutes a terminal to which the output terminal of the video signal driving circuit He is connected. Has become. Further, the input terminal of the video signal drive circuit He is adapted to receive a signal from a printed circuit board arranged outside the transparent substrate SUB1.

【0022】この映像信号駆動回路Heも複数個の半導
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
DLどうしがグループ化され、これら各グループ毎に一
個の半導体装置があてがわれるようになっている。
The video signal driving circuit He is also composed of a plurality of semiconductor devices, and a plurality of drain signal lines DL adjacent to each other are grouped, and one semiconductor device is applied to each of these groups. There is.

【0023】前記各ゲート信号線GLは、垂直走査回路
Vからの走査信号によって、その一つが順次選択される
ようになっている。また、前記各ドレイン信号線DLの
それぞれには、映像信号駆動回路Heによって、前記ゲ
ート信号線GLの選択のタイミングに合わせて映像信号
が供給されるようになっている。
One of the gate signal lines GL is sequentially selected by a scanning signal from the vertical scanning circuit V. Further, a video signal is supplied to each of the drain signal lines DL by a video signal drive circuit He at the timing of selecting the gate signal line GL.

【0024】《画素の構成》図1は、前記画素領域の構
成の一実施例を示す平面図で、図2の丸印内に示す構成
を示している。また、図1のIII−III線における断面を
図3に示している。図1において、透明基板SUB1の
液晶側の面に、まず、x方向に延在しy方向に並設され
る一対のゲート信号線GLが形成されている。これらゲ
ート信号線GLは後述の一対のドレイン信号線DLとと
もに矩形状の領域を囲むようになっており、この領域を
画素領域として構成するようになっている。
<< Pixel Structure >> FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of the structure of the pixel region, and shows the structure shown in the circle in FIG. A cross section taken along the line III-III in FIG. 1 is shown in FIG. In FIG. 1, first, on the surface of the transparent substrate SUB1 on the liquid crystal side, a pair of gate signal lines GL extending in the x direction and juxtaposed in the y direction are formed. These gate signal lines GL surround a rectangular area together with a pair of drain signal lines DL described later, and this area is configured as a pixel area.

【0025】このようにゲート信号線GLが形成された
透明基板SUB1の表面にはたとえばSiNからなる絶
縁膜GIが該ゲート信号線GLをも被って形成されてい
る。この絶縁膜GIは、後述のドレイン信号線DLの形
成領域においては前記ゲート信号線GLに対する層間絶
縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタTFTの
形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての機能を、
後述の容量素子Cstgの形成領域においてはその誘電
体膜としての機能を有するようになっている。
An insulating film GI made of, for example, SiN is formed on the surface of the transparent substrate SUB1 on which the gate signal lines GL have been formed as described above so as to cover the gate signal lines GL as well. The insulating film GI functions as an interlayer insulating film for the gate signal line GL in the formation region of the drain signal line DL described later, and functions as a gate insulation film in the formation region of the thin film transistor TFT described later.
It has a function as a dielectric film in a formation region of a capacitive element Cstg described later.

【0026】そして、この絶縁膜GIの表面であって、
前記ゲート信号線GLの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスSiからなる半導体層ASが形成され
ている。この半導体層ASは、薄膜トランジスタTFT
のそれであって、その上面にドレイン電極SD1および
ソース電極SD2を形成することにより、ゲート信号線
GLの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のMIS型
トランジスタを構成することができる。
On the surface of this insulating film GI,
A semiconductor layer AS made of, for example, amorphous Si is formed so as to overlap a part of the gate signal line GL. This semiconductor layer AS is a thin film transistor TFT.
In addition, by forming the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 on the upper surface thereof, it is possible to configure the MIS transistor having the inverted stagger structure in which a part of the gate signal line GL is used as the gate electrode.

【0027】ここで、前記ドイレン電極SD1およびソ
ース電極SD2はドレイン信号線DLの形成の際に同時
に形成されるようになっている。すなわち、y方向に延
在されx方向に並設されるドレイン信号線DLが形成さ
れ、その一部が前記半導体層ASの上面にまで延在され
てドレイン電極SD1が形成され、また、このドレイン
電極SD1と薄膜トランジスタTFTのチャネル長分だ
け離間されてソース電極SD2が形成されている。
Here, the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 are formed at the same time when the drain signal line DL is formed. That is, the drain signal line DL extending in the y direction and arranged in parallel in the x direction is formed, and a part of the drain signal line DL extends to the upper surface of the semiconductor layer AS to form the drain electrode SD1. A source electrode SD2 is formed apart from the electrode SD1 by the channel length of the thin film transistor TFT.

【0028】このソース電極SD2は半導体層AS面か
ら画素領域側へ延在され、その延在部は、たとえば、図
中(+)y方向へ延在した後、(+)x方向へ、さらに
(−)y方向へというように“コ”字状のパターンをな
し、画素電極PXとして形成されている。
The source electrode SD2 extends from the surface of the semiconductor layer AS toward the pixel region side, and the extending portion extends, for example, in the (+) y direction in the figure, and then in the (+) x direction. The pixel electrode PX is formed as a “U” -shaped pattern such as in the (−) y direction.

【0029】この場合の画素電極PXは、画素領域内に
そのy方向に延在しx方向に並設される2本の画素電極
(画素電極群)として形成されるようになっている。そ
して、これら各画素電極PXはその幅がwに設定されて
いる。
The pixel electrode PX in this case is formed as two pixel electrodes (pixel electrode group) extending in the y direction and arranged in parallel in the x direction in the pixel region. The width of each of these pixel electrodes PX is set to w.

【0030】ここで、該画素電極PXの材料として、上
述のようにドレイン信号線DLと同じ材料で構成したも
のである。しかし、これに限定されることはなく、該ド
レイン信号線DLと異なる材料で構成するようにしても
よい。この場合、該ドレイン信号線DLの形成工程と異
なる工程で形成せざるを得なくなるが、たとえばITO
(Indium Tin Oxide)等のような透光性の材料で構成す
ることができ、画素の開口率を向上させることができる
ようになる。
The pixel electrode PX is made of the same material as the drain signal line DL as described above. However, the present invention is not limited to this, and the drain signal line DL may be made of a different material. In this case, there is no choice but to form the drain signal line DL in a step different from the step of forming the drain signal line DL.
(Indium Tin Oxide) or the like can be used for the translucent material, and the aperture ratio of the pixel can be improved.

【0031】なお、半導体層ASとドレイン電極SD1
およびソース電極SD2との界面には高濃度の不純物が
ドープされた薄い層が形成され、この層はコンタクト層
として機能するようになっている。
Incidentally, the semiconductor layer AS and the drain electrode SD1
A thin layer doped with a high concentration of impurities is formed at the interface with the source electrode SD2, and this layer functions as a contact layer.

【0032】このコンタクト層は、たとえば半導体層A
Sの形成時に、その表面にすでに高濃度の不純物層が形
成されており、その上面に形成したドレイン電極SD1
およびソース電極SD2のパターンをマスクとしてそれ
から露出された前記不純物層をエッチングすることによ
って形成することができる。
This contact layer is, for example, the semiconductor layer A.
When S is formed, a high-concentration impurity layer is already formed on the surface thereof, and the drain electrode SD1 formed on the upper surface of the impurity layer is formed.
And the impurity layer exposed from the pattern of the source electrode SD2 as a mask may be etched.

【0033】このように薄膜トランジスタTFT、ドイ
レン信号線DL、ドレイン電極SD1、およびソース電
極SD2が形成された透明基板SUB1の表面にはたと
えばSiNからなる保護膜PSV1、さらにその上面に
有機材料層からなる保護膜PSV2が形成されている。
As described above, the transparent substrate SUB1 on which the thin film transistor TFT, the drain signal line DL, the drain electrode SD1 and the source electrode SD2 are formed has a protective film PSV1 made of, for example, SiN, and an organic material layer on the upper surface thereof. A protective film PSV2 is formed.

【0034】この保護膜PSV1、PSV2は前記薄膜
トランジスタTFTの液晶との直接の接触を回避させて
該薄膜トランジスタTFTの特性劣化を防止せんとする
もので、有機材料層からなる保護膜PSV2を用いてい
るのは保護膜全体として誘電率を下げるためである。
The protective films PSV1 and PSV2 are intended to prevent direct contact with the liquid crystal of the thin film transistor TFT to prevent characteristic deterioration of the thin film transistor TFT, and the protective film PSV2 made of an organic material layer is used. The reason is to lower the dielectric constant of the entire protective film.

【0035】保護膜PSV2の上面には対向電極CTが
形成されている。この対向電極CTは、少なくとも画素
領域の中央を図中y方向に延在しその幅がwの対向電極
CT、該画素領域の両脇に配置されているドレイン信号
線DLに重畳しかつ該ドレイン信号線DLよりも幅の広
い幅W(>w)を有する対向電極CTからなる電極群か
ら構成されている。
A counter electrode CT is formed on the upper surface of the protective film PSV2. The counter electrode CT extends at least in the center of the pixel region in the y direction in the drawing and has a width w, and the counter electrode CT overlaps with the drain signal line DL arranged on both sides of the pixel region and the drain. The counter electrode CT is composed of an electrode group having a width W (> w) wider than the signal line DL.

【0036】ここで、ドレイン信号線DLに重畳する対
向電極CTの幅が該ドレイン信号線DLのそれよりも大
きく形成されている理由は、該ドレイン信号線DLから
の電界がその上方の対向電極CTに終端させやすくし
て、画素電極PXに終端するのを防止するためである。
画素電極PXに該電界が終端した場合にそれがノイズと
なってしまうからである。
The reason why the width of the counter electrode CT overlapping the drain signal line DL is larger than that of the drain signal line DL is that the electric field from the drain signal line DL is above the counter electrode. This is to facilitate termination to CT and prevent termination to the pixel electrode PX.
This is because if the electric field ends in the pixel electrode PX, it becomes noise.

【0037】この場合、画素領域の中央を走行する対向
電極CT(その幅はw)とその両脇の各画素電極PXと
距離dを隔てて離間されており、また、ドレイン信号線
DLに重畳されている対向電極CT(その幅はW)とそ
の両脇の各画素電極PXと距離D(>d)を隔てて離間
されている。
In this case, the counter electrode CT (whose width is w) running in the center of the pixel region and the pixel electrodes PX on both sides of the counter electrode CT are separated from each other by a distance d, and also overlap the drain signal line DL. The counter electrode CT (its width is W) and the pixel electrodes PX on both sides of the counter electrode CT are separated by a distance D (> d).

【0038】すなわち、ドレイン信号線DLに重畳され
ている対向電極CTは、それ以外の他の電極よりも幅が
広く形成されていることに対応させて、該対向電極CT
とそれに隣接する画素電極PXとの離間距離を、他の隣
接する電極の離間幅よりも大きく設定している。
That is, the counter electrode CT superposed on the drain signal line DL has a width wider than that of the other electrodes, so that the counter electrode CT is formed.
The distance between the pixel electrode PX and the adjacent pixel electrode PX is set larger than the distance between the other adjacent electrodes.

【0039】このような構成とすることにより、画素領
域の中央を走行する対向電極CTとこれに隣接する各画
素電極PXとの間の領域において、そのV−T曲線に基
づく特性に応じて最大の光効率を達成するための幅dを
設定できるとともに、ドレイン信号線DLに重畳される
対向電極CTとこれに隣接する画素領域電極PXとの間
の領域において、そのV−T曲線に基づく特性に応じて
最大の光効率を達成するための幅Dを設定できる。この
ため、画素領域全体として最大の光効率を得ることがで
きるようになる。
With such a structure, in the region between the counter electrode CT running in the center of the pixel region and each pixel electrode PX adjacent to the counter electrode CT, the maximum is obtained according to the characteristic based on the VT curve. The width d for achieving the light efficiency can be set, and the characteristics based on the VT curve in the region between the counter electrode CT superimposed on the drain signal line DL and the pixel region electrode PX adjacent to the counter electrode CT. The width D for achieving the maximum light efficiency can be set according to Therefore, the maximum light efficiency can be obtained in the entire pixel area.

【0040】そして、これら各対向電極CTは、ゲート
信号線GLに重畳された前記対向電極CTと同じ材料か
らなる導電層と一体的に形成されることにより、互いに
電気的に接続されるようになっている。
Then, each of the counter electrodes CT is integrally formed with a conductive layer made of the same material as that of the counter electrode CT overlapped with the gate signal line GL so that they are electrically connected to each other. Has become.

【0041】換言すれば、各対向電極CTは、液晶表示
部ARの全域に形成した導電層に、図中y方向に延在す
る前記画素電極PXの形成部分とその両脇の部分を穴開
けをすることによって形成されている。
In other words, for each counter electrode CT, a conductive layer formed over the entire area of the liquid crystal display portion AR is provided with a hole in the portion where the pixel electrode PX is formed and the portions on both sides thereof, which extend in the y direction in the drawing. It is formed by

【0042】このように構成された対向電極CTは前記
画素電極PXのうち図中x方向に延在する部分と重畳さ
れて形成され、この重畳部において容量素子Cstgが
形成されるようになっている。この容量素子Cstg
は、たとえば画素電極PXに供給された映像信号を比較
的長く蓄積させる等の機能をもたせるようになってい
る。
The counter electrode CT thus constructed is formed so as to overlap the portion of the pixel electrode PX extending in the x direction in the drawing, and the capacitive element Cstg is formed at this overlapping portion. There is. This capacitive element Cstg
Has a function of, for example, accumulating the video signal supplied to the pixel electrode PX for a relatively long time.

【0043】ここで、前記対向電極CTは、金属からな
る非透光性の材料(たとえば、Al、Cr、Mo、T
a、W、Ti、Ni、Cu等、)で構成してもよく、ま
た、開口率の向上を図るため、たとえばITO、IZO
等のような透光性の材料で構成してもよい。
Here, the counter electrode CT is made of a non-translucent material (for example, Al, Cr, Mo, T) made of metal.
a, W, Ti, Ni, Cu, etc.), and in order to improve the aperture ratio, for example, ITO, IZO
It may be made of a translucent material such as.

【0044】そして、このように対向電極CTが形成さ
れた透明基板の上面には該対向電極CTをも被って配向
膜(図示せず)が形成されている。この配向膜は液晶と
直接に当接する膜で、その表面に形成されたラビングに
よって該液晶の分子の初期配向方向を決定づけるように
なっている。
An alignment film (not shown) is formed on the upper surface of the transparent substrate on which the counter electrode CT is thus formed so as to cover the counter electrode CT. This alignment film is a film that directly contacts the liquid crystal, and the rubbing formed on the surface determines the initial alignment direction of the molecules of the liquid crystal.

【0045】実施例2.図4は、本発明による液晶表示
装置の画素の他の実施例を示す平面図で、図1と対応し
た図となっている。図1と比較して異なる構成は、図中
y方向に延在して形成される各画素電極PXのうち、薄
膜トランジスタTFTのソース電極SD2と接続される
側の画素電極PXの幅w’を他の画素電極PXの幅wよ
りも大きく形成し、かつ、幅を大きくした画素電極PX
とその両脇の対向電極CTとの間の距離が若干大きくな
っていることにある。
Example 2. FIG. 4 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG. A configuration different from that of FIG. 1 is that the width w ′ of the pixel electrode PX on the side connected to the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT among the pixel electrodes PX formed to extend in the y direction in the drawing is different. Of the pixel electrode PX formed with a width larger than the width w of the pixel electrode PX of
The distance between the counter electrodes CT on both sides thereof is slightly larger.

【0046】この実施例においても、実施例1と同様な
思想からなり、他の電極と比べて幅を広くした電極が存
在する場合、それに応じて隣接する他の電極との間の離
間距離を大きくし、その値をV−T曲線の特性に応じて
その領域の光効率を最大になるように設定せんとするも
のである。
This embodiment also has the same concept as that of the first embodiment, and when there is an electrode whose width is wider than that of the other electrode, the distance between the adjacent electrodes is adjusted accordingly. The value is increased and the value is set so as to maximize the light efficiency in that region in accordance with the characteristics of the VT curve.

【0047】すなわち、実施例1の構成を前提とした本
実施例の場合、ドレイン信号線DLに重畳して配置され
る対向電極CTとこれに隣接する幅の広い画素電極PX
との間の離間距離D’は実施例1の場合(D)よりも若
干大きくなるとともに、前記画素電極PXと前記対向電
極CTと異なるもう一方側の対向電極との間の離間距離
d’は実施例1の場合(d)よりも若干大きくなるよう
に設定されている。
That is, in the case of the present embodiment based on the configuration of the first embodiment, the counter electrode CT that is arranged so as to overlap the drain signal line DL and the wide pixel electrode PX adjacent to this counter electrode CT.
The separation distance D ′ between the pixel electrode PX and the counter electrode CT is slightly larger than that in the first embodiment (D), and the separation distance d ′ between the pixel electrode PX and the counter electrode on the other side different from the counter electrode CT is It is set to be slightly larger than that in the case of the first embodiment (d).

【0048】なお、この実施例において、各画素電極P
Xのうち薄膜トランジスタTFTのソース電極SD2と
接続される側の画素電極PXの幅を他の画素電極PXの
幅よりも大きく形成したのは、特にこの部分において断
線が生じないようにするためである。
In this embodiment, each pixel electrode P
The width of the pixel electrode PX of X on the side connected to the source electrode SD2 of the thin film transistor TFT is formed to be larger than the width of the other pixel electrode PX in order to prevent disconnection particularly in this portion. .

【0049】実施例3.図5は本発明による液晶表示装
置の画素の他の実施例を示す平面図で、図1に対応した
図となっている。図1の場合と比較して、対向電極CT
がゲート信号線GLと同層で形成されている点で異な
り、その他はほぼ同様の構成となっている。なお、図5
のVI−VI線における断面図を図6に示している。
Example 3. FIG. 5 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention and corresponds to FIG. Compared to the case of FIG. 1, the counter electrode CT
Is formed in the same layer as the gate signal line GL, and is otherwise substantially the same in configuration. Note that FIG.
6 is a sectional view taken along line VI-VI of FIG.

【0050】すなわち、たとえば画素領域の中央におい
てy方向に走行する対向電圧信号線CLがゲート信号線
GLの製造と同時に形成され、この対向電圧信号線CL
には複数の対向電極CTが一体的に形成されている。
That is, for example, the counter voltage signal line CL running in the y direction at the center of the pixel region is formed at the same time as the manufacture of the gate signal line GL, and the counter voltage signal line CL is formed.
A plurality of counter electrodes CT are integrally formed in the.

【0051】各対向電極CTは、画素領域の中央をy方
向に走行する対向電極CT、この対向電極CTと平行し
てドレイン信号線DLと隣接して配置される各対向電極
CTのたとえば3本から構成されている。
Each counter electrode CT is, for example, three counter electrodes CT which run in the center of the pixel region in the y direction, and each counter electrode CT which is arranged parallel to the counter electrode CT and adjacent to the drain signal line DL. It consists of

【0052】ここで、ドレイン信号線DLと隣接して配
置される各対向電極CTは他の対向電極CTよりも幅が
広く形成されている。ドレイン信号線DLからの電気力
線を幅の広い対向電極CTに終端させ、画素電極PXに
終端させないためである。
Here, each counter electrode CT arranged adjacent to the drain signal line DL is formed wider than the other counter electrodes CT. This is because the line of electric force from the drain signal line DL is terminated in the wide counter electrode CT and is not terminated in the pixel electrode PX.

【0053】画素電極PXは実施例1とほぼ同様に2本
のそれからなり、それらを対向電圧信号線CL上で電気
的な接続を図るとともに、その接続部において該対向電
圧信号線CLとの間に容量素子Cstgを形成してい
る。そして、対向電極CTと画素電極PXとの間の離間
距離は実施例1と同様の関係で設定されている。
The pixel electrode PX is composed of two electrodes as in the case of the first embodiment. The pixel electrodes PX are electrically connected on the counter voltage signal line CL, and are connected to the counter voltage signal line CL at the connection portion. The capacitive element Cstg is formed in the. The separation distance between the counter electrode CT and the pixel electrode PX is set in the same relationship as in the first embodiment.

【0054】上述したように、ドレイン信号線DLに隣
接する対向電極CTは他の電極よりも幅が広く形成され
ることから、それに応じて、該対向電極CTとこれに隣
接する画素電極PXとの離間距離を他の隣接する電極間
の離間距離よりも若干大きくしている。
As described above, since the counter electrode CT adjacent to the drain signal line DL is formed wider than the other electrodes, the counter electrode CT and the pixel electrode PX adjacent thereto are correspondingly formed. The separation distance is slightly larger than the separation distance between other adjacent electrodes.

【0055】上述した各実施例では、対向電極CTの本
数を3本とし画素電極PXの本数を2本とした構成につ
いて説明したものであるが、この本数に制限されないこ
とはもちろんである。
In each of the above-described embodiments, the number of counter electrodes CT is three and the number of pixel electrodes PX is two, but the number of counter electrodes CT is not limited to this.

【0056】ドレイン信号線DLからの電気力線の画素
電極PXへの終端を回避するため、対向電極CTを該ド
レイン信号線DLに重畳あるいは隣接させて形成する場
合、対向電極CTの数は画素電極PXより1本多く形成
される。このため、この関係をもたせて対向電極および
画素電極の本数を増加させた構成としてもよいことはい
うまでもない。
In order to avoid the termination of the line of electric force from the drain signal line DL to the pixel electrode PX, when the counter electrode CT is formed so as to overlap or be adjacent to the drain signal line DL, the number of counter electrodes CT is the number of pixels. One more electrode PX is formed. Therefore, it goes without saying that a configuration may be adopted in which the number of counter electrodes and pixel electrodes is increased by providing this relationship.

【0057】また、上述した各実施例では、対向電極C
Tを該ドレイン信号線DLに重畳あるいは隣接させて形
成したものであるが、必ずしもこれに限定されることは
なく、画素電極がドレイン信号線DLに隣接する場合の
構成にも適用できることは言うまでもない。
In each of the above-mentioned embodiments, the counter electrode C is used.
The T is formed so as to overlap or be adjacent to the drain signal line DL, but it is not necessarily limited to this, and needless to say, it is applicable to a configuration in which the pixel electrode is adjacent to the drain signal line DL. .

【0058】[0058]

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、光効率を良好にす
ることができる。
As is apparent from the above description,
According to the liquid crystal display device of the present invention, the light efficiency can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明による液晶表示装置の画素の一実施例
を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a pixel of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図2】 本発明による液晶表示装置の一実施例を示す
等価回路図である。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram showing an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図3】 図1のIII−III線における断面図である。3 is a sectional view taken along line III-III in FIG.

【図4】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図5】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing another embodiment of the pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図6】 図5のVI−VI線における断面図である。6 is a sectional view taken along line VI-VI in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

SUB…透明基板、GL…ゲート信号線、DL…ドレイ
ン信号線、GI…絶縁膜、AS…半導体層、TFT…薄
膜トランジスタ、PSV…保護膜、PX…画素電極、C
T…対向電極、CL…対向電圧信号線。
SUB ... Transparent substrate, GL ... Gate signal line, DL ... Drain signal line, GI ... Insulating film, AS ... Semiconductor layer, TFT ... Thin film transistor, PSV ... Protective film, PX ... Pixel electrode, C
T ... counter electrode, CL ... counter voltage signal line.

フロントページの続き (72)発明者 石井 正宏 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Fターム(参考) 2H092 GA15 JA24 JA45 JB06 JB13 PA06 Continued front page    (72) Inventor Masahiro Ishii             Hitachi, Ltd. 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba             Factory Display Group F term (reference) 2H092 GA15 JA24 JA45 JB06 JB13                       PA06

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶を介して対向配置される各基板の一
方の基板の液晶側の画素領域に、画素電極とこの画素電
極との間に電界を生じせしめる対向電極を備え、 前記画素電極および対向電極はそれぞれ一方向に延在し
該方向に交差する方向に交互に配置される帯状の複数の
電極からなり、 これら各電極のうち他の電極よりも幅広に設定される電
極を備え、この幅広に設定された前記電極とそれに隣接
する電極の離間幅は、他の隣接する電極の離間幅よりも
大きく設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
1. A pixel electrode on the liquid crystal side of one of the substrates arranged to face each other with a liquid crystal interposed between the pixel electrode and a counter electrode for generating an electric field between the pixel electrode and the pixel electrode. The counter electrode is composed of a plurality of strip-shaped electrodes that extend in one direction and are alternately arranged in a direction intersecting the direction, and each of the electrodes includes an electrode that is set wider than the other electrodes. A liquid crystal display device, characterized in that a separation width between the electrode set wide and an electrode adjacent thereto is set larger than a separation width between other adjacent electrodes.
【請求項2】 液晶を介して対向配置される各基板の一
方の基板の液晶側の画素領域に、ゲート信号線からの走
査信号によって作動されるスイッチング素子と、このス
イッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号
が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を
生じせしめる対向電極とを有し、 前記画素電極および対向電極はそれぞれ一方向に延在し
該方向に交差する方向に交互に配置される帯状の複数の
電極からなり、 複数の前記対向電極のうち前記ドレイン信号線と絶縁膜
を介して重畳される対向電極を備え、この対向電極は他
の電極よりも幅が広く形成され、 かつ、ドレイン信号線に重畳される前記対向電極とそれ
に隣接する電極との離間幅は、他の隣接する電極の離間
幅よりも大きく設定されていることを特徴とする液晶表
示装置。
2. A switching element operated by a scanning signal from a gate signal line, and a drain signal via the switching element in a pixel area on the liquid crystal side of one of the substrates arranged to face each other with the liquid crystal interposed therebetween. A pixel electrode to which a video signal from a line is supplied, and a counter electrode for generating an electric field between the pixel electrode and the pixel electrode. The pixel electrode and the counter electrode extend in one direction and intersect with each other. A plurality of strip electrodes that are alternately arranged in the direction, and a counter electrode that is overlapped with the drain signal line through an insulating film among the plurality of counter electrodes is provided, and the counter electrode is wider than other electrodes. Is widely formed, and a separation width between the counter electrode and an electrode adjacent to the counter electrode overlapped with the drain signal line is set to be larger than a separation width between other adjacent electrodes. Liquid crystal display device.
【請求項3】 液晶を介して対向配置される各基板の一
方の基板の液晶側の画素領域に、ゲート信号線からの走
査信号によって作動されるスイッチング素子と、このス
イッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号
が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を
生じせしめる対向電極とを有し、 前記画素電極および対向電極はそれぞれ一方向に延在し
該方向に交差する方向に交互に配置される帯状の複数の
電極からなり、 複数の前記画素電極のうち前記スイッチング素子と電気
的に接続された画素電極は他の電極よりも幅広に形成さ
れ、 かつ、スイッチング素子と電気的に接続された前記画素
電極とそれに隣接する電極との離間幅は、他の電極の離
間幅よりも大きく設定されていることを特徴とする液晶
表示装置。
3. A switching element operated by a scanning signal from a gate signal line, and a drain signal via the switching element, in a pixel area on the liquid crystal side of one of the substrates arranged to face each other with the liquid crystal interposed therebetween. A pixel electrode to which a video signal from a line is supplied, and a counter electrode for generating an electric field between the pixel electrode and the pixel electrode. The pixel electrode and the counter electrode extend in one direction and intersect with each other. Of the plurality of pixel electrodes, the pixel electrode electrically connected to the switching element is formed wider than the other electrodes, and the switching element and the switching element are arranged alternately. A liquid crystal display device, wherein a separation width between the electrically connected pixel electrode and an electrode adjacent to the pixel electrode is set to be larger than a separation width of other electrodes.
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