JP2003043949A

JP2003043949A - 平面型表示装置

Info

Publication number: JP2003043949A
Application number: JP2001230131A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Nakano; 雅章中野
Original assignee: Advanced Display Inc
Current assignee: Advanced Display Inc
Priority date: 2001-07-30
Filing date: 2001-07-30
Publication date: 2003-02-14

Abstract

(57)【要約】【課題】簡単な構成で動画表示に適したインパルス型
表示のアクティブ駆動方式平面型表示装置を実現する【解決手段】互いに交差して配置された複数の信号線
および複数の走査線、該信号線と走査線との交点に設け
られたスイッチング素子、該スイッチング素子に接続さ
れた電荷保持手段、および該電荷保持手段により保持さ
れた信号レベルに対応して光学応答を示す光学応答手段
とを有し、走査線への信号印加によってスイッチング素
子をオンさせ信号線上の信号を前記電荷保持手段に書き
込むマトリクス型の平面型表示装置であって、電荷保持
手段の容量成分と電荷保持手段の電荷を放電する抵抗成
分とからなる時定数が１フィールド期間以下とされてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マトリクス型のア
クティブ駆動方式平面型表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】マトリクス型のアクティブ駆動方式平面
型表示装置の代表例として、ＴＦＴ（Thin Film Transi
stor）と液晶とを組み合わせたＴＦＴ液晶表示装置があ
る。

【０００３】図１３にＴＦＴ液晶表示装置の一例を示
す。図１３（ａ）はＴＦＴ液晶表示装置の構成を模式的
に表した図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＢ部
部分拡大図である。ＴＦＴ液晶表示装置は、ＴＦＴ液晶
パネル１００およびＴＦＴ液晶パネル１００を駆動する
ためのゲートドライバ２００、ソースドライバ３００か
らなり、ＴＦＴ液晶パネル１００はｎ行×ｍ列のマトリ
クス状に配列された液晶画素１０３（以下、画素と略称
する)を備えている。各画素１０３の近傍にはＴＦＴ１
０４がそれぞれ設けられ、ＴＦＴ１０４のドレイン電極
１１０は画素１０３の電極（以下、画素電極と称する）
に接続されている。画素電極に対向して、対向電極１０
５が設けられている。対向電極１０５は、すべての画素
１０３に共通である。また、各ＴＦＴ１０４のドレイン
電極１１０には保持容量１２０が配設されており、保持
容量１２０の他端は共通電極１２１を介して対向電極１
０５へと接続されている。

【０００４】ｎ行×ｍ列の画素１０３に対応し、ＴＦＴ
液晶パネル１００にはｎ本の走査線１０１が平行に配設
されている。ｊ番目の走査線１０１にはｊ行目のＴＦＴ
１０４のゲート電極が接続されている。また、走査線１
０１に直交するようにｍ本の信号線１０２が平行に配設
されている。ｉ番目の信号線１０２にはｉ列目のＴＦＴ
１０４のソース電極（信号入力端子）が接続されてい
る。

【０００５】ＴＦＴ液晶パネル１００はゲートドライバ
２００およびソースドライバ３００を含む駆動回路によ
って駆動される。ゲートドライバ２００およびソースド
ライバ３００は、ＴＦＴ液晶パネル１００の走査線１０
１および信号線１０２にそれぞれ接続されている。コン
トロール回路（図示されていない）から、サンプリング
クロックＣＬＫや水平同期信号Ｈｓｙｎｃ、走査パルス
ＧＡＴＥなどの制御信号がソースドライバ３００および
ゲートドライバ２００に供給される。また、画像信号Ｄ
ＡＴＡがソースドライバ３００へと供給される。

【０００６】図１４は、従来のＴＦＴ液晶表示装置のＴ
ＦＴ液晶パネル１００について、画素の構成を示した図
である。図１４において、ＴＦＴガラス基板５０３と対
向基板５００とのあいだの空間５２０に液晶材料が封入
されている。対向基板５００の外面には偏光板５１１が
設けられ、内面にはフィルタ層５０１および対向電極５
０２が設けられている。フィルタ層５０１には、カラー
表示のためのカラーフィルタや不要部分の遮光を目的と
したブラックマトリクスが設けられている（図示せ
ず）。また、対向電極５０２は透明な導電性材料から形
成されている。

【０００７】一方、ＴＦＴガラス基板５０３上には、Ｔ
ＦＴ５０６、走査線５０５、信号線５０４、画素電極５
０７および共通電極５０８が形成されている。共通電極
５０８の一部は画素電極５０７と絶縁層を介してオーバ
ーラップしており、このオーバーラップ部によって保持
容量５０９が形成されている。さらにＴＦＴガラス基板
５０３の外面には、偏光板５１０が設けられている。

【０００８】ＴＦＴガラス基板５０３および対向基板５
００の内面には適当な配向処理が施され、空間５２０の
液晶材料は、対向基板５００側とＴＦＴガラス基板５０
３側とで分子長軸方向が９０度ねじられた関係にある、
いわゆるツイスト配向とされている。また、対向基板５
００に設けた偏光板５１１の吸収軸Ｑ₁と、ＴＦＴガラ
ス基板５０３に設けた偏光板５１０の吸収軸Ｑ₀は、９
０度ねじられた位置関係にあり、いわゆる直交ニコル配
置とされている。さらに、液晶パネル１００のＴＦＴガ
ラス基板５０３側外面には、バックライトなどの照明光
源５５０が設けられている。

【０００９】図１３のＴＦＴ液晶表示装置における各信
号のタイミングを図１５に示す。

【００１０】ソースドライバ３００は、水平同期信号Ｈ
ｓｙｎｃのパルスによって開始される各水平走査期間に
おいて、シリアルに入力される画像信号ＤＡＴＡをサン
プリングクロックＣＬＫにしたがってサンプリングす
る。サンプリングにより、ｍ本の信号線に対応するｍ個
の画像信号が生成される。サンプリングされた各画像信
号の振幅に応じた電圧が生成され、つづく水平走査期間
で各信号線に印加される。たとえば、ｊ番目の水平走査
期間ｊＨでサンプリングされた各画像信号の振幅に応
じ、電圧Ｖ_s（ｊ，ｉ）：（ｉ＝１，２，３，…，ｍ）
が生成され、続くｊ＋１番目の水平走査期間（ｊ＋１）
Ｈにおいて、対応する各信号線１０２にそれぞれ印加さ
れる。

【００１１】他方、ゲートドライバ２００は、水平走査
期間（ｊ＋１）Ｈ中にｊ番目の走査線１０１にパルス信
号Ｖｇを印加する（図１５においてｇ_jはｊ番目の走査
線１０１の電圧を示している）。パルス信号Ｖｇの印加
により、ｊ番目の走査線１０１に接続されたｍ個のＴＦ
Ｔ１０４であるＴＲ（ｊ，ｉ）：（ｉ＝１，２，…，
ｍ）がオンし、ＴＲ（ｊ，ｉ）のドレイン電極（すなわ
ち画素電極）にそれぞれの信号線の電圧Ｖ_s（ｊ，ｉ）
が発生する。

【００１２】したがって、ＴＲ（ｊ，ｉ）に接続されて
いる画素１０３の液晶材料に印加される電圧Ｖ_LC（ｊ，
ｉ）は、ドレイン電極の電圧Ｖ_s（ｊ，ｉ）と対向電極
１０５に印加されている電極Ｖ_cとの差電圧、すなわち
Ｖ_s（ｊ，ｉ）−Ｖ_cである。

【００１３】以上のように、ＴＦＴをオンさせて信号線
の電圧を画素電極に印加し、画素電極と対向電極とのあ
いだの差電圧を各画素の液晶材料に印加する動作を、以
下では「書き込み」と称する。１番目からｎ番目までの
水平走査期間において、ｎ本の各走査線にそれぞれ接続
された画素への「書き込み」が順次行なわれ、１画面す
なわち１フィールドの書き込みが完了する。

【００１４】図１６は、図１４に示した画素について、
液晶材料に印加される電圧Ｖ_LC(ｊ，ｉ）と透過率との
関係を示した光学応答特性図である。すでに図１４にて
説明したように、液晶材料の配向処理は９０°ねじれの
ＴＮモードとされており、偏光板の組み合わせが直交ニ
コルであるために、一般的にノーマリーホワイトと呼ば
れるように、液晶材料に印加される電圧Ｖ_LC(ｊ，ｉ）
が小さいときに透過率が大きく（すなわち白表示）、電
圧Ｖ_LC(ｊ，ｉ）が大きくなるほど透過率が低く（すな
わち表示が黒に）なる。

【００１５】ｊ＋１番目の水平走査期間（ｊ＋１）Ｈで
の書き込み期間が終了したのち、ｊ番目の走査線１０１
に接続されたＴＦＴ１０４であるＴＲ（ｊ，ｉ）：（ｉ
＝１，２，…，ｍ）はオフ状態となる。したがって、各
画素の画素電極はつぎのフィールドで再度書き込みパル
スＶｇが印加されるまでのあいだ信号線から電気的に切
り離された状態となる。このとき、液晶材料に印加され
ている電圧Ｖ_LC（ｊ，ｉ）は放電によって変動する。放
電の時定数は、各画素の抵抗値および容量値から定ま
る。各画素の抵抗値は、液晶材料のもつ比抵抗やＴＦＴ
のオフ抵抗で決定され、同じく容量値は液晶材料そのも
のによる容量と共通電極５０８と画素電極５０７とのオ
ーバーラップによって形成される保持容量５０９で決定
される。そして、一般に、液晶の比抵抗やＴＦＴのオフ
抵抗からなる抵抗値は約１０¹²Ω、液晶材料による容量
は０．１ｐＦ程度であり、保持容量を約０．５ｐＦと充
分大きく構成することによって、これらからなる時定数
が約０．５〜０．６秒と１フィールド期間（約１０ｍｓ
ｅｃオーダー）に比べて充分大きくなるように設定され
ている。したがって、書き込み期間が終了したのち、つ
ぎの書き込み期間までのＴＦＴのオフ期間（以下、保持
期間とよぶ）のあいだ、液晶材料への印加電圧Ｖ
_LC（ｊ，ｉ）は書き込み期間終了時点の値をほぼそのま
ま保持することが可能となる。

【００１６】以上のように液晶表示装置においてＴＦＴ
を用いることで、書き込んだ電圧のメモリー機能を有
し、低クロストーク、高コントラスト、高精細な表示を
実現することが可能となり、高画質な画像を提供するこ
とが可能となった。

【００１７】しかし、ＣＲＴ方式の表示装置に比べる
と、ＴＦＴ方式の液晶表示装置は動画像に対する応答特
性が悪くボケが生じるという欠点を有している。この原
因としては、一般的に液晶材料そのものの応答が遅く、
電圧を印加してからその電圧によって定まる透過率にな
るまでに一定時間を要するという点があげられる。しか
し、液晶材料の配向モードや電極の構成、あるいは液晶
材料そのものを改良して応答時間を早めても、依然とし
て動画像に対する応答特性はＣＲＴ方式の表示装置に比
べて劣っている。これは、ＴＦＴ方式の液晶表示装置に
おいては、各画素の透過率が１フィールドごとに、すな
わちフィールド同期で変化することが原因であるといわ
れている。

【００１８】ＣＲＴ方式の表示装置とＴＦＴ方式の液晶
表示装置について、その表示方式を図１７，１８を用い
て説明する。図１７に、ＣＲＴ方式の表示装置の一画素
における発光強度（輝度）の変化を、図１８に、ＴＦＴ
液晶表示装置における一画素の発光強度（輝度）の変化
を示す。

【００１９】一般に、表示装置において連続して画像が
表示されているように見えるのは、人間の眼の残光特性
によるものである。ＣＲＴなどの表示装置では、蛍光体
面を電子銃で走査し、電子ビームによって蛍光体を発光
させて画像を表示している。したがって、図１７に示す
ように、各画素は１フィールドの期間Ｔのうち、電子ビ
ームが命中しているμｓｅｃオーダーの時間しか発光し
ていない。つまり、ＣＲＴでは、インパルス型表示方式
とよばれるように、各画素はほとんどの時間黒表示であ
り、μｓｅｃのオーダーの時間にだけ点灯（表示）を行
なっている。したがって、ＣＲＴなどの表示装置では、
画像は飛び飛びに表示され、その飛び飛びのあいだの画
像を人間の視覚認識系が補完して知覚するため動画ボケ
は発生しない。

【００２０】これに対し、ＴＦＴ液晶表示装置は、ホー
ルド型表示方式とよばれているように、各画素の透過率
は１フィールド期間のあいだ固定値（一定）である。つ
まり図１８に示すように、フィールドごとに画素電極の
電位が急峻に書きかえられる。そのため、人間がＴＦＴ
液晶表示装置の画像を見ると目の残光特性により、表示
画像がなめらかではなくステップ状に変化しているよう
に見え、画像ボケが発生してしまう。これは、液晶の配
向モードや電圧の印加方法を工夫して液晶材料の応答を
速めたとしても、解消することはできない。

【００２１】そこで、この問題を解決すべく、ＴＦＴ液
晶表示装置においてインパルス型表示を実現するための
手段がいくつか提案されている。

【００２２】その一つの例が、必要な画像データを書き
込んだあと、つぎのフィールドの画像を書き込むまでの
あいだに、強制的に黒色画像を画素に書き込む方法であ
る。

【００２３】図１９に、この方法における各信号のタイ
ミングと画素の輝度を示す。図１９において、ｇ₁，
ｇ₂，…，ｇ_nは、それぞれ１，２，…，ｎ番目の走査線
の電圧をあらわし、Ｐ₁，Ｐ₂，…，Ｐ_nは、それぞれ
１，２，…，ｎ番目の走査線上のある画素について、輝
度の変化をあらわしている。この方法では、図１３と同
様の液晶パネルにおいて、画素への書き込みを２倍のス
ピードで行ない、１フィールド期間Ｔの前半で全画素へ
の画像の書き込みを完了してしまう。そして、１フィー
ルド期間Ｔの後半で、再度全画素への画像の書き込みを
おこなうが、このときは全画素に黒画像データを書き込
む。

【００２４】したがって、図１９にＰ₁，Ｐ₂，…，Ｐ_n
で示すように、各画素は１フィールド期間の半分の期間
は一定の透過率（輝度）を保ち、残りの半分の期間は黒
表示となる。このような書き込み方法を実施することに
より、各画素の輝度が１フィールド期間のあいだホール
ドされることはなく、よりインパルス型に近い表示を実
現することができる。

【００２５】また、ＴＦＴ液晶表示装置においてインパ
ルス型表示を実現するためのほかの方法が、たとえば特
開２０００−３２１９９３公報に記載されている。特開
２０００−３２１９９３公報では、液晶パネルの構成や
画素への電圧書き込み方法は従来と同一のままとし、液
晶パネルの照明光源であるバックライトを複数の蛍光管
で構成し、これらの蛍光管を液晶パネルの画像書き込み
に同期させて順次間欠的に点灯させる方法が提案されて
いる。

【００２６】この方式の液晶表示装置について、図２０
にその構成を、図２１に各信号のタイミングおよび画素
の輝度を示す。

【００２７】図２０において、液晶パネル１００の背面
にバックライト５６が配置されている。バックライト５
６は、ｒ本の蛍光管５６ａ，５６ｂ，５６ｃ，…，５６
ｈ，…，５６ｋ，…，５６ｒからなる。これらｒ本の蛍
光管は、それぞれ独立してオン／オフが可能なように構
成されており、それぞれ液晶パネル１００の走査線の書
き込み方向に順次点灯され、その後一定期間後、順次非
点灯となっていくように制御される。

【００２８】図２１において、ｇ_aは上から１番目の蛍
光管５６ａの付近の走査線の電圧を、ｇ_hはｈ番目の蛍
光管５６ａの付近の走査線の電圧を、ｇ_kはｋ番目の蛍
光管５６ａの付近の走査線の電圧をそれぞれ表してい
る。図１５で説明した従来例と同様、各走査線に順次選
択パルスを印加していく。各走査線に接続されたＴＦＴ
が順次オンとなり、各画素の液晶材料に電圧Ｖ
_LC（ａ），Ｖ_LC（ｈ），Ｖ_LC（ｋ）が印加される。

【００２９】走査線への選択パルスの印加に同期して、
対応する蛍光管を点灯させる。すなわち、蛍光管５６ａ
の付近の走査線（図２１のｇ_a）に選択パルスが印加さ
れるのにあわせ、蛍光管５６ａを点灯させる。同様に、
走査線電圧ｇ_h，ｇ_kへの選択パルスの入力にあわせ、蛍
光管５６ｈ，５６ｋがそれぞれ点灯される。点灯は短時
間であり、各画素の輝度Ｐ_a，Ｐ_h，Ｐ_kは蛍光管の点灯
期間だけ電圧Ｖ_LC（ａ），Ｖ_LC（ｈ），Ｖ_LC（ｋ）に対
応した値となり、その他の期間は黒表示となる。

【００３０】このように、各走査線の選択にあわせて背
後の蛍光管を点消灯することにより、従来と同様各画素
の透過率は１フィールド期間のあいだ一定のまま、各画
素を１フィールド中の一定期間だけ発光させることがで
き、インパルス型の表示を実現することができる。

【００３１】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
ＴＦＴ液晶表示装置ではホールド型表示方式であるがた
めに、動画像の表示を行なうとボケが発生するという問
題があった。

【００３２】この問題を解決するために、画素への書き
込みを２倍のスピードで行ない、１フィールド期間Ｔの
前半で画素への画像の書き込みを完了し、１フィールド
期間Ｔの後半で画素に黒画像データを書き込む方法で
は、入力された画像信号を高速で処理する必要があり高
速の回路素子が必要となる。また、ソースドライバに、
外部から供給される画像信号と表示装置内で用意する黒
画像信号とを切り換える回路が必要である。したがっ
て、この方法は表示装置のコストアップを招くという問
題を有する。

【００３３】一方、バックライトの順次点灯によってイ
ンパルス型表示を実現しようとする方法では、蛍光管が
複数必要となるうえに、これら複数の蛍光管の点灯を制
御する回路が必要となり、やはり表示装置のコストアッ
プを招くという問題を有している。

【００３４】本発明は前記に鑑みなされたもので、簡単
な構成で動画表示に適したインパルス型表示のアクティ
ブ駆動方式平面型表示装置を実現することを目的とす
る。

【００３５】

【課題を解決するための手段】そこで本発明の平面型表
示装置は、互いに交差して配置された複数の信号線およ
び複数の走査線と、信号線と走査線との交点に設けられ
たスイッチング素子と、スイッチング素子に接続された
電荷保持手段と、電荷保持手段により保持された信号レ
ベルに対応して光学応答を示す光学応答手段とを有し、
走査線への信号印加によってスイッチング素子をオンさ
せ、信号線上の信号を電荷保持手段に書き込むマトリク
ス型の平面型表示装置であって、電荷保持手段の容量成
分と電荷保持手段の電荷を放電する抵抗成分とからなる
時定数を１フィールド期間以下としたことを特徴とす
る。

【００３６】電荷保持手段と並列に電荷保持手段の電荷
を放電するための抵抗体を設けることにより、電荷保持
手段の容量成分と電荷保持手段の電荷を放電する抵抗成
分とからなる時定数を１フィールド期間以下とするとよ
い。

【００３７】抵抗体を設ける場合には、その抵抗体は、
スイッチング素子を構成するシリコン材料によって形成
するとよい。スイッチング素子形成のためのシリコン材
料膜形成プロセスおよびパターニングプロセスによって
抵抗体を形成することができる。また、光学応答手段と
しては、ノーマリーブラックに構成した液晶素子を用い
ることが可能である。

【００３８】

【発明の実施の形態】以下、本発明のマトリクス型のア
クティブ駆動方式平面型表示装置についてさらに詳細に
説明する。

【００３９】実施の形態１図１に本発明の一実施の形態におけるＴＦＴ液晶表示装
置を示す。図１（ａ）は本実施の形態のＴＦＴ液晶表示
装置の構成を模式的に表した図であり、図１（ｂ）は図
１（ａ）のＡ部部分拡大図である。ＴＦＴ液晶表示装置
は、ＴＦＴ液晶パネル１０およびＴＦＴ液晶パネル１０
を駆動するためのゲートドライバ２００、ソースドライ
バ３００からなり、ＴＦＴ液晶パネル１０はｎ行×ｍ列
のマトリクス状に配列された液晶画素１０３（以下、画
素と略称する)を備えている。各画素１０３の近傍には
ＴＦＴ１０４がそれぞれ設けられ、ＴＦＴ１０４のドレ
イン電極１１０は画素１０３の電極１０６（以下、画素
電極と称する）に接続されている。画素電極１０６に対
向して、対向電極１０５が設けられている。対向電極１
０５は、すべての画素１０３に共通である。また、画素
電極１０６には保持容量１２０が接続されており、保持
容量１２０の他端は共通電極１２１を介して対向電極１
０５へと接続されている。また、抵抗１３０が保持容量
１０２と並列に設けられている。抵抗１３０の一端は画
素電極１０６に接続され、他端は共通電極１２１に接続
されている。

【００４０】ｎ行×ｍ列の画素１０３に対応し、ＴＦＴ
液晶パネル１０にはｎ本の走査線１０１が平行に配設さ
れている。ｊ番目の走査線１０１にはｊ行目のＴＦＴ１
０４のゲート電極が接続されている。また、走査線１０
１に直交するようにｍ本の信号線１０２が平行に配設さ
れている。ｉ番目の信号線１０２にはｉ列目のＴＦＴ１
０４のソース電極（信号入力端子）が接続されている。

【００４１】ＴＦＴ液晶パネル１０はゲートドライバ２
００およびソースドライバ３００を含む駆動回路によっ
て駆動される。ゲートドライバ２００およびソースドラ
イバ３００は、ＴＦＴ液晶パネル１０の走査線１０１お
よび信号線１０２にそれぞれ接続されている。コントロ
ール回路（図示されていない）から、サンプリングクロ
ックＣＬＫや水平同期信号Ｈｓｙｎｃ、走査パルスＧＡ
ＴＥなどの制御信号がソースドライバ３００およびゲー
トドライバ２００に供給される。また、画像信号ＤＡＴ
Ａがソースドライバ３００へと供給される。

【００４２】図１のＴＦＴ液晶表示装置の各画素の構成
について、図２および図３を参照してさらに説明する。
図２は、図１に示した本実施の形態のＴＦＴ液晶表示装
置について、ＴＦＴ液晶パネル１０の一画素の構成を示
した図である。また、図３は図２におけるＴＦＴガラス
基板５０３の上面図である。

【００４３】図２において、ＴＦＴガラス基板５０３と
対向基板５００とのあいだの空間５２０に液晶材料が封
入されている。対向基板５００の外面には偏光板５１１
が設けられ、内面にはフィルタ層５０１および透明対向
電極５０２が設けられている。フィルタ層５０１には、
カラー表示のためのカラーフィルタや不要部分の遮光を
目的としたブラックマトリクスが設けられている（図示
せず）。また、透明対向電極５０２は、図１における対
向電極１０５に対応する。

【００４４】一方、ＴＦＴガラス基板５０３上には、ア
モルファスシリコンからなるＴＦＴ５０６、金属膜から
形成されるゲートバスライン５０５（図１の走査線１０
１に対応）、別の金属膜から形成されるソースバスライ
ン５０４（図１の信号線１０２に対応）、ＩＴＯ膜から
形成される画素電極５０７および共通電極５０８が形成
されている。共通電極５０８はゲートバスライン５０５
と同一の金属膜から形成され、その一部が画素電極５０
７と絶縁層を介してオーバーラップすることによって、
保持容量５０９が形成されている。また、絶縁層にはコ
ンタクトホールが設けられ、このコンタクトホール内に
形成されたアモルファスシリコンの高抵抗体５３０によ
って、共通電極５０８と画素電極５０７とが接続されて
いる。このとき、アモルファス高抵抗体の大きさは１０
μｍ□程度で、その抵抗値は１０ ¹⁰Ωオーダーに設定さ
れている。

【００４５】ここで、共通電極５０８と画素電極５０７
とのあいだの絶縁層はＴＦＴのゲート絶縁膜と同一の膜
から形成され、アモルファスシリコンの高抵抗体５３０
は、ＴＦＴのアモルファスシリコン膜と同一の膜から形
成される。したがって、従来の液晶表示装置とくらべ、
形成すべき膜の枚数およびパターニングに用いるフォト
マスクの枚数とも同一であり、工程数やコストの増加を
招くことはない。

【００４６】ＴＦＴガラス基板５０３の外面には、偏光
板５１０が設けられている。本実施の形態においては、
対向基板５００に設けた偏光板５１１の吸収軸Ｒ₁と、
ＴＦＴガラス基板５０３に設けた偏光板５１０の吸収軸
Ｒ₀とが、互いに平行とされている。

【００４７】ＴＦＴガラス基板５０３および対向基板５
００の内面には適当な配向処理が施され、空間５２０の
液晶材料は、対向基板５００側とＴＦＴガラス基板５０
３側とで分子長軸方向が９０度ねじられた関係にある、
いわゆるツイスト配向とされている。さらに、液晶パネ
ル１０のＴＦＴガラス基板５０３側外面には、バックラ
イトなどの照明光源５５０が設けられている。

【００４８】ここで、アモルファスシリコンの高抵抗体
５３０（図１の抵抗１３０に相当）による抵抗値Ｒ₁お
よび保持容量５０９（図１の保持容量１２０に相当）に
よる容量値Ｃ₁は、画素１０３内の液晶材料のもつ抵抗
値と容量値をそれぞれＲ_p、Ｃ _pとし、Ｒ₁とＲ_pの並列抵
抗値をＲ_t、Ｃ₁とＣ_pの並列容量値をＣ_tで表わしたと
き、Ｃ_t×Ｒ_t＜Ｔ（Ｔは１フィールド期間）なる関係を
満たすように設定されている。

【００４９】また、図４に本実施の形態の液晶表示装置
の一画素について、液晶材料への印加電圧Ｖ_LC（ｊ，
ｉ）と透過率の関係を示す。液晶材料の配向処理が９０
度ねじれのＴＮモードであり、両基板に設けた偏光板の
吸収軸が互いに平行であるために、一般的にノーマリー
ブラックと呼ばれるように、液晶材料への印加電圧が小
さくなればなるほど透過率が低く（黒く）なる。

【００５０】以上のように構成された本実施の形態のＴ
ＦＴ液晶表示装置について、各信号のタイミングと画素
の輝度、すなわち得られる表示を図５を参照して説明す
る。

【００５１】ソースドライバ３００は、水平同期信号Ｈ
ｓｙｎｃのパルスによって開始される各水平走査期間に
おいて、シリアルに入力される画像信号データＤＡＴＡ
をサンプリングクロックＣＬＫにしたがってサンプリン
グする。このサンプリングにより、ｍ本の信号線に対応
するｍ個の画像信号が生成される。サンプリングされた
各画像信号の振幅に応じた電圧が生成され、つづく水平
走査期間で各信号線に印加される。たとえば、ｊ番目の
水平走査期間ｊＨでサンプリングされた画像信号の振幅
に応じ、電圧Ｖ_s（ｊ，ｉ）：（ｉ＝１，２，…，ｍ）
が生成され、ｊ＋１番目の水平走査期間（ｊ＋１）Ｈ中
に各信号線１０２に並列に印加される。

【００５２】一方、ゲートドライバ２００は、水平走査
期間ｊＨ中にｊ−１番目の走査線に選択パルスＶｇを印
加する（図５におけるｇ_j-1，ｇ_j，ｇ_j+1が、それぞれ
ｊ−１，ｊ，ｊ＋１番目の走査線の電圧を示してい
る）。選択パルスＶｇの印加により、ｊ−１番目の走査
線１０１に接続されたＴＦＴ１０４であるＴＲ（ｊ−
１，ｉ）：（ｉ＝１，２，…，ｍ）がオンし、ＴＲ（ｊ
−１，ｉ）のドレイン電極に各信号線の電圧Ｖ_s（ｊ−
１，ｉ）が発生する。

【００５３】したがって、選択パルスＶｇの印加期間が
終了しｊ−１番目の走査線の電圧ｇ _j-1が再びオフレベ
ルに戻るとき、ＴＲ（ｊ−１，ｉ）に接続されている画
素の液晶材料への印加電圧Ｖ_LC（ｊ−１，ｉ）は、ＴＲ
（ｊ−１，ｉ）のドレイン電極電圧Ｖ_s（ｊ−１，ｉ）
と対向電極に印加されている電圧Ｖ_cとの差電圧、すな
わちＶ_s（ｊ−１，ｉ）−Ｖ_cになる。

【００５４】以上のように、ＴＦＴをオンさせて信号線
の電圧を画素電極に印加し、画素電極と対向電極とのあ
いだの差電圧を各画素の液晶材料に印加する動作を、
「書き込み」と称する。１番目からｎ番目までの水平走
査期間において、ｎ本の走査線に順次選択パルスＶｇを
印加してＴＦＴをオンさせ、ｎ行ある画素に順次書き込
みを行なうことにより、１画面すなわち１フィールド分
の全画素への書き込みが完了する。

【００５５】ところで、図５に電圧Ｖ_LC（ｊ−１，ｉ）
で示したように、ｊ番目の水平走査期間ｊＨにおいて電
圧Ｖ_s（ｊ−１，ｉ）−Ｖ_cが書き込まれたｊ−１列目の
画素は、選択パルスＶｇすなわち書き込み期間の終了後
ＴＦＴがオフとなり、信号線から切り離される。このた
め、各画素の液晶材料への印加電圧Ｖ_LC（ｊ−１，ｉ）
は、各画素の抵抗値および容量値から定まる時定数（Ｃ
_t×Ｒ_t）で放電を行ない変動することになる。

【００５６】ここで、先に説明したとおり、本実施の形
態においては、時定数（Ｃｔ×Ｒｔ）が１フィールド期
間よりも短く設定されているので、液晶材料への印加電
圧Ｖ _LC（ｊ−１，ｉ）は比較的急速に放電し、つぎの書
き込みが開始される時には液晶材料への印加電圧Ｖ
_LC（ｊ−１，ｉ）は、前フィールドで書き込みが完了し
たときの電圧Ｖｓ（ｊ−１，ｉ）−Ｖ_cにくらべ約３分
の１以下に減衰する。

【００５７】ここで、液晶パネル１０は図４に示した光
学応答特性をもつノーマリーブラックに構成されている
ので、印加電圧Ｖ_LC（ｊ−１，ｉ）の減衰とともに画素
の透過率すなわち輝度Ｐ（ｊ−１，ｉ）が低下する（正
確には、液晶材料の応答速度が高速ではないため、印加
電圧Ｖ_LC（ｊ−１，ｉ）の減衰にやや遅れて、画素の透
過率すなわち輝度Ｐ（ｊ−１，ｉ）が低下する）。

【００５８】したがって図６に示すように、各画素が１
フィールド期間のうちの一部の時間だけ表示を行ない、
その他の時間では表示を行なわない（すなわち輝度Ｐが
ほぼゼロ＝黒表示になる）インパルス型の表示を実現す
ることができる。なお、図６においてＰ_a，Ｐ_b，Ｐ
_cは、それぞれ液晶パネル１０の上部、中央部、下部の
画素について輝度の時間変化を表している。

【００５９】以上のように、本実施の形態では、ノーマ
リーブラックに構成した液晶素子を使用するとともに、
画素電極と共通電極とのあいだに高抵抗体を設けること
により、抵抗値および容量値から定まる画素の時定数を
１フィールド期間よりも短くした。その結果、特別な高
速の回路素子や多数の蛍光管、蛍光管の点灯を制御する
ための回路などを必要とせずに、インパルス型の表示を
実現することができ、動画表示においてボケのない表示
装置を実現することが可能になった。

【００６０】なお、本実施の形態では、スイッチング素
子であるＴＦＴがアモルファスシリコンによる場合につ
いて説明したが、ＴＦＴが高温ポリシリコンや低温ポリ
シリコンで構成されている場合でも、共通電極５０８と
画素電極５０７とを接続する高抵抗体５３０（図１の抵
抗１３０に相当）を同じく高温ポリシリコンや低温ポリ
シリコンで構成して、工程数やコストの増加を招くこと
なく動画の表示性能に優れた表示装置を得ることが可能
である。

【００６１】実施の形態２本発明のほかの実施の形態を、図７を用いて説明する。
図７は本実施の形態のＴＦＴ液晶表示装置におけるＴＦ
Ｔガラス基板の上面図である。

【００６２】本実施の形態（図７）では、図３に示した
実施の形態１と同様、共通電極５０８の一部が画素電極
５０７と絶縁層を介してオーバーラップしており、この
オーバーラップ部により保持容量５０９が形成されてい
る。しかし、本実施の形態（図７）では、図３に示した
実施の形態１に比べ、オーバーラップ部５０９の面積が
１０分の１〜１００分の１の大きさとなっている。

【００６３】また、実施の形態１（図３）では絶縁層に
コンタクトホールを設け、このコンタクトホール内に形
成したアモルファスシリコンの高抵抗体５３０を介して
共通電極５０８と画素電極５０７とを接続しているが、
本実施の形態ではこの高抵抗体５３０は設けられていな
い。つまり、図１の模式図において、抵抗１３０の抵抗
値Ｒ１が無限大になったものと考えることができる。

【００６４】本実施の形態では、共通電極５０８と画素
電極５０７とのオーバーラップ部の面積が小さく、した
がって保持容量５０９による容量値Ｃ₁は小さくでき
る。このため、画素の液晶材料のもつ抵抗値と容量値を
それぞれＲ_p、Ｃ_pとし、Ｒ₁とＲ_pの並列抵抗をＲ_t、Ｃ₁
とＣ_pの並列容量値をＣ_tで表わしたとき、アモルファス
シリコンの高抵抗体５３０を設けなくても（すなわちＲ
１＝無限大でも）、Ｃ _t×Ｒ_t＜Ｔ（Ｔは１フィールド期
間）なる関係を満たすことが可能となる。

【００６５】したがって、図５および図６にて説明した
実施の形態１と同様、書き込み期間の終了後に液晶材料
への印加電圧は比較的急速に放電し、画素の輝度が低下
して黒表示となるので、各画素が１フィールド期間のう
ちの一部の時間だけ表示を行なうインパルス型の表示を
実現することができる。

【００６６】以上のように、本実施の形態では、ノーマ
リーブラックに構成した液晶素子を使用するとともに、
画素電極と共通電極とのあいだに形成される保持容量を
小さくして、抵抗値および容量値から定まる画素の時定
数を短くした。その結果、特別な高速の回路素子や多数
の蛍光管、蛍光管の点灯を制御するための回路などを必
要とせずに、インパルス型の表示を実現することがで
き、動画表示においてボケのない表示装置を実現するこ
とが可能になった。

【００６７】本実施の形態によれば、遮光体であるアモ
ルファスシリコンの高抵抗体５３０を設ける必要がない
ので、液晶パネル１０の開口率を高めることが可能とな
る上に、特別な高速回路や複数の蛍光管、蛍光管の点灯
を制御する回路などを必要とすることなくインパルス型
表示を実現し、動画表示においてもボケのない表示装置
を実現することが可能である。

【００６８】実施の形態３本発明のまた別の実施の形態を、図８を参照して説明す
る。図８は、本実施の形態のＴＦＴ液晶表示装置につい
て、ＴＦＴ液晶パネルの一画素の構成を示した図であ
る。

【００６９】図８において、ＴＦＴガラス基板５０３と
対向基板５００とのあいだの空間５２０に液晶材料が封
入されている。対向基板５００の外面には光学補償フィ
ルム５３０および偏光板５１１が設けられ、内面にはフ
ィルタ層５０１および透明対向電極５０２が設けられて
いる。フィルタ層５０１には、カラー表示のためのカラ
ーフィルタや不要部分の遮光を目的としたブラックマト
リクスが設けられている（図示せず）。

【００７０】一方、ＴＦＴガラス基板５０３上には、前
記実施の形態１（図２，図３を参照）または実施の形態
２（図７を参照）と同様に、ゲートバスラインやソース
バスライン、ＴＦＴや画素電極などが設けられている
（図８では図示を省略した）。

【００７１】また、ＴＦＴガラス基板５０３の外面には
光学補償フィルム５３１および偏光板５１０が設けられ
ており、対向基板５００に設けた偏光板５１１の吸収軸
Ｓ₁と、ＴＦＴガラス基板５０３に設けた偏光板５１０
の吸収軸Ｓ₀とが、互いに平行とされている。

【００７２】ＴＦＴガラス基板５０３および対向基板５
００の内面には適当な配向処理が施され、空間５２０に
封入した低粘度のネマティック液晶材料の分子の長軸
が、対向基板５００側とＴＦＴガラス基板５０３側とで
平行（スプレイ配向）となるようにされている。そし
て、この液晶表示装置において、使用時には液晶材料に
ある一定の電圧を印加し、配向状態を前記のスプレイ配
向から図８に示すベンド配向へと転移させる。このベン
ド配向状態を初期状態とし、さらに表示すべき画像に応
じた電圧を液晶材料に印加する一般的にＯＣＢ（Optica
lly self-Compensated Birefringence）モードとよばれ
る動作モードにて表示を行なう。ＴＦＴガラス基板５０
３および対向基板５００の外面に設けた光学補償フィル
ム５３０、５３１のパラメータを適当に選ぶことによっ
て、図９に示すノーマリーブラックの光学反応特性を得
ることが可能となる。

【００７３】本実施の形態においても、書き込み期間完
了時の液晶への印加電圧Ｖ_LC（ｊ，ｉ）が比較的急速に
放電し、つぎのフィールドの書き込み期間の開始時には
図９のＶ₁付近（つまり黒表示）になるように、画素の
放電の時定数Ｃ_t×Ｒ_tを選定する。これにより、図５に
示したように、画素の輝度Ｐ（ｊ、ｉ）が書き込み期間
の終了後比較的急速に減衰し、図６に示したインパルス
型表示を実現することが可能になる。

【００７４】なお、本実施の形態では液晶の表示モード
としてＯＣＢモードを用いるので、液晶の応答速度を数
ｍｓｅｃ以下にすることができ、１フィールドの周期が
短い高フレームレートの表示画像においてもインパルス
型表示が可能となり、高品質な動画像表示を得ることが
可能である。

【００７５】なお前記各実施の形態では、液晶表示モー
ドとしては、ＴＮモードとＯＣＢモードについて説明し
たが、垂直配向（ＶＡ：Vertical Alignment）モードや
強誘電性液晶（ＦＬＣ）モード、反強誘電性液晶（ＡＦ
ＬＣ）モードを用いることで、各液晶表示モードの特徴
を生かしたインパルス応答型の表示装置を得ることが可
能である。

【００７６】実施の形態４本発明のさらに別の実施の形態を、図１０，図１１およ
び図１２を参照して説明する。図１０は、本実施の形態
の表示装置について、その一画素の構成を示した斜視図
であり、図１１は、図１０におけるＴＦＴガラス基板５
０３の上面図である。また、図１２は、本実施の形態の
表示装置の等価回路を示した図である。

【００７７】図１０において、対向基板５００上にカソ
ード電極５０２が形成されている。一方、ＴＦＴガラス
基板５０３上には、ゲート信号ライン６１０、信号デー
タライン６１１、電源ライン６１２、アノード電極（画
素電極）６１３、ＴＦＴ回路部６２０が形成されてい
る。カソード電極５０２とアノード電極６１３とにはさ
まれた部分には、電子輸送層６０１、有機高分子からな
る発光層６０２およびホール輸送層６０３から構成され
る有機ＥＬ層６００が形成されている。対向基板５００
とＴＦＴガラス基板５０３は、図１０の白ヌキ矢印に示
すとおり重ねあわされる。

【００７８】図１１は、図１０のＴＦＴガラス基板５０
３の上面図であり、ＴＦＴ回路部６２０の構成が詳細に
示されている。

【００７９】ｎ行×ｍ列のマトリクス状に形成された画
素に対応し、各行の画素を順次選択操作するために、ｎ
本のゲート信号ライン６１０が平行に配置されている。
各列の画素に輝度信号データを与えるために、ｍ本の信
号データライン６１１が平行に配置されている。ゲート
信号ライン６１０と信号データライン６１１との交点付
近には、信号データを記憶、保持するために第１のＴＦ
Ｔ（メモリＴＦＴ）６２１が設けられている。第１のＴ
ＦＴ６２１のゲート電極がゲート信号ライン６１０に、
ソース電極が信号データライン６１１にそれぞれ接続さ
れている。

【００８０】さらに、各画素には、有機ＥＬ層６００に
流す電流を制御するために、第２のＴＦＴ（駆動用ＴＦ
Ｔ）６２５が設けられている。第２のＴＦＴ６２５のゲ
ート電極は、第１のＴＦＴ６２１のドレイン電極６２２
に接続され、ソース電極は電源ライン６１２へと接続さ
れている。さらに、第２のＴＦＴ６２５のドレイン電極
は、アノード電極６１３へと接続されている。

【００８１】また、第１のＴＦＴのドレイン電極６２２
は、絶縁層を介して電源ライン６１２とオーバーラップ
し、保持容量６２３を形成している。さらに、絶縁層に
はコンタクトホールが設けられ、このコンタクトホール
内に形成されたアモルファスシリコンの高抵抗体６２４
を介し、ドレイン電極６２２と電源ライン６１２とが接
続されている。アモルファスシリコンの高抵抗体６２４
による抵抗値Ｒ_t、および保持容量６２３による容量値
Ｃ_tは、Ｃ_t×Ｒ_t＜Ｔ（Ｔは１フィールド期間）なる関
係を満たすように設定されている。

【００８２】つぎに本実施の形態の表示装置の動作を説
明する。

【００８３】図５により説明した前記実施の形態１と同
様に、ゲート信号ライン６１０に選択パルスを印加して
第１のＴＦＴを順次選択状態にし、信号データライン６
１１の電位を各画素の保持容量６２３に書き込む。１番
目からｎ番目までの水平走査期間において、ｎ行ある画
素について書き込みが順次行われることにより、すべて
の画素の保持容量６２３に、当該フィールドにおける各
画素の輝度データが書き込まれる。

【００８４】保持容量６２３に書き込まれた電圧が、第
２のＴＦＴ６２５のソース−ゲート電極間に印加される
ので、この電圧に対応した電流が電源ライン６１２から
第２のＴＦＴ６２５のソース−ドレイン電極、アノード
電極６１３、および有機ＥＬ層６００を介して、対向基
板５００上のカソード電極５０２へと流れ込む。このと
き、有機ＥＬ層６００が流れた電流に対応した輝度の光
を発するので、この発光をＴＦＴガラス基板５０３側か
ら観察することにより、画像の表示を得ることができ
る。

【００８５】ところで、各水平走査期間での書き込み、
すなわち各ゲート信号ラインへの選択パルスの印加が終
了した後、そのゲート信号ラインに接続された第１のＴ
ＦＴ６２１はオフ状態となり、つぎのフィールドで再度
書き込みがなされるまで、保持容量６２３に書き込まれ
た電圧は、高抵抗体６２４の抵抗値Ｒ_tと保持容量６２
３の容量値Ｃ_tの時定数（Ｃ_t×Ｒ_t）によって放電し変
動する。

【００８６】ここで、この時定数（Ｃ_t×Ｒ_t）は、すで
に説明したとおり１フィールドの周期より短く設定され
ているので、つぎの書き込みが開始されるときには、保
持容量６２３に書き込まれた電圧は、前フィールドの書
き込みが完了したときの値の約３分の１以下に減衰して
いる。

【００８７】すでに述べたように、有機ＥＬ層６００か
らの発光強度は、保持容量６２３の保持電圧に対応す
る。したがって、本実施の形態においても、各画素の輝
度は図５の輝度Ｐ（ｊ−１，ｉ）に示すように書き込み
期間の終了後比較的急速に減衰し、図６に示したよう
な、各画素が１フィールド期間のうちの一部の時間だけ
表示を行なうインパルス型の表示を実現することができ
る。

【００８８】なお、本実施の形態では、保持容量６２３
と並列に高抵抗体６２４を設けた。しかし、前記実施の
形態２と同様、図１１におけるドレイン電極６２２と電
源ライン６１２とのオーバーラップを少なくして保持容
量６２３の容量値Ｃ_tを小さくし、ドレイン電極６２２
と電源ライン６１２とを接続するコンタクトホールおよ
びアモルファスシリコンの高抵抗体６２４を省略するこ
とも可能である。ただし、この場合には、保持容量６２
３と電気的に並列に存在する種々のリークパスを考慮
し、これらリークパスの総合抵抗値をＲ_tとしたとき
に、Ｃ_t×Ｒ_t＜Ｔ（Ｔは１フィールド期間）なる関係を
満たすように保持容量６２３の容量値Ｃ_tを選ぶ必要が
ある。

【００８９】以上のように、本実施の形態によれば、有
機ＥＬディスプレイのような自発光型のアクティブ駆動
マトリクス型平面表示装置においても、特別な高速の回
路や複数の蛍光管、これら蛍光管の点灯を制御する回路
などを必要とせずに、インパルス型の表示を実現するこ
とが可能となり、動画表示においてボケのない表示装置
を実現することが可能になる。

【００９０】なお、本実施の形態では、スイッチング素
子であるＴＦＴがアモルファスシリコンによる場合につ
いて説明したが、ＴＦＴが高温ポリシリコンや低温ポリ
シリコンで構成されている場合でも、ドレイン電極６２
２と電源ライン６１２とを接続する高抵抗体６２４を同
じく高温ポリシリコンや低温ポリシリコンで構成して、
工程数やコストの増加を招くことなく動画の表示性能に
優れた表示装置を得ることが可能である。

【００９１】

【発明の効果】本発明においては、アクティブ駆動方式
のマトリクス型平面型表示装置の各画素に、画素に書き
込まれた信号レベルを保持するための電荷保持手段と電
荷保持手段の電荷を放電するための抵抗とを備え、これ
ら電荷保持手段の容量値および抵抗の抵抗値からなる時
定数を、１フィールド期間よりも小さくした。したがっ
て、各画素の光学応答を高速化でき、輝度が１フィール
ド期間内に充分減衰するようになるので、簡単な構成で
動画表示に適しボケの発生のないインパルス型の表示を
実現することが可能となる。

【００９２】さらに、電荷保持手段の電荷を放電するた
めの抵抗を、ＴＦＴを形成するためのシリコン材料で形
成するため、放電のための抵抗をＴＦＴ形成のためのパ
ターニング工程において同時に形成することができる。
したがって、抵抗の形成のために別途シリコン材料膜を
形成したり、別のパターニング用フォトマスクを用意し
たりする必要はなく、従来の表示装置と同等のコストで
動画表示に適しボケの発生のない表示装置を得ることが
できる。

【００９３】また、画素の液晶材料の容量成分と抵抗成
分、および保持電荷のリークパスの抵抗値によっては、
放電のための抵抗を設けることなく、保持容量の容量値
の設定によって時定数を１フィールド期間よりも小さく
し、動画表示に適したボケの発生のない表示装置を得る
ことができる。

【００９４】さらに、薄型・低消費電力を特徴とするノ
ーマリーブラックのＴＦＴ液晶表示装置を用いて、動画
表示に適したボケの発生しないインパルス型表示の表示
装置を実現することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示装置の構成を概略的に示
した模式図である。

【図２】本発明による液晶表示装置について、画素部の
構成を示した図である。

【図３】本発明による液晶表示装置のＴＦＴガラス基板
の上面図である。

【図４】本発明による液晶表示装置について、画素への
印加電圧と透過率との関係を示した図である。

【図５】本発明による液晶表示装置について、各信号の
タイミングと画素の輝度との関係を示した図である。

【図６】本発明による液晶表示装置について、画素の輝
度変化を示した図である。

【図７】本発明によるほかの液晶表示装置のＴＦＴガラ
ス基板の上面図である。

【図８】本発明によるまた別の液晶表示装置について、
画素部の構成を示した図である。

【図９】図９に示した液晶表示装置について、画素への
印加電圧と透過率との関係を示した図である。

【図１０】本発明によるさらに別の平面型表示装置につ
いて、画素部の構成を示した図である。

【図１１】図１０に示した平面型表示装置のＴＦＴガラ
ス基板の上面図である。

【図１２】図１０に示した平面型表示装置の等価回路を
示した図である。

【図１３】ＴＦＴ液晶表示装置の一例を示した図であ
る。

【図１４】図１３のＴＦＴ液晶表示装置の画素部の構成
を示した図である。

【図１５】従来のＴＦＴ液晶表示装置について、各信号
のタイミングと画素の輝度との関係を示した図である。

【図１６】従来のＴＦＴ液晶表示装置について、画素へ
の印加電圧と透過率との関係を示した図である。

【図１７】インパルス型表示方式の代表であるＣＲＴに
ついて、一画素の輝度の変化を示した図である。

【図１８】ホールド型表示方式の代表であるＴＦＴ液晶
表示装置について、一画素の輝度の変化を示した図であ
る。

【図１９】１フィールド期間中に画像データの書き込み
と黒画像の書き込みとを行なうことによってインパルス
型の表示を実現する従来のＴＦＴ液晶表示装置につい
て、各信号のタイミングと画素の輝度との関係を示した
図である。

【図２０】バックライトとして多数の蛍光管を備え、こ
れらを順次点灯させることによりインパルス型表示方式
を実現する従来のＴＦＴ液晶表示装置について、その構
成を説明するための図である。

【図２１】図２０に示したＴＦＴ液晶表示装置につい
て、各信号および蛍光管の点消灯のタイミングと画素の
輝度との関係を示した図である。

【符号の説明】

１０１走査線１０２信号線１０３画素１０４，５０６ＴＦＴ１２０保持容量１３０抵抗２００ゲートドライバ３００ソースドライバ５００対向基板５０３ＴＦＴガラス基板５０４ソースバスライン５０５ゲートバスライン５０６ＴＦＴ５０９，６２３保持容量５１０，５１１偏光板５２０液晶材料５３０，６２４アモルファスシリコンの高低抗体６００有機ＥＬ層６１０ゲート信号ライン６１１信号データライン６１２電源ライン６２１第１のＴＦＴ（メモリＴＦＴ）６２５第２のＴＦＴ（駆動用ＴＦＴ）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｇ 3/20 ６２４Ｇ０９Ｇ 3/20 ６２４Ｂ６６０６６０Ｖ 3/36 3/36 Ｆターム(参考） 2H092 JA24 JB22 JB51 JB61 KA05 NA01 PA01 PA08 PA11 PA13 QA07 QA13 QA14 2H093 NA16 NC34 NC42 ND04 NE01 NF05 NF17 NF20 5C006 BB16 BC06 EB05 FA12 GA01 5C080 AA10 BB05 DD08 EE19 FF11 JJ02 JJ04 JJ05 JJ06 5C094 AA13 BA03 BA43 CA19 EA04 EA07 FB18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】互いに交差して配置された複数の信号線
および複数の走査線、該信号線と走査線との交点に設け
られたスイッチング素子、該スイッチング素子に接続さ
れた電荷保持手段、および該電荷保持手段により保持さ
れた信号レベルに対応して光学応答を示す光学応答手段
を有し、走査線への信号印加によってスイッチング素子
をオンさせ、信号線上の信号を前記電荷保持手段に書き
込むマトリクス型の平面型表示装置であって、電荷保持手段の容量成分と電荷保持手段の電荷を放電す
る抵抗成分とからなる時定数が、１フィールド期間以下
であることを特徴とする平面形表示装置。
【請求項２】互いに交差して配置された複数の信号線
および複数の走査線、該信号線と走査線との交点に設け
られたスイッチング素子、該スイッチング素子に接続さ
れた電荷保持手段、および該電荷保持手段により保持さ
れた信号レベルに対応して光学応答を示す光学応答手段
を有し、走査線への信号印加によってスイッチング素子
をオンさせ、信号線上の信号を前記電荷保持手段に書き
込むマトリクス型の平面型表示装置であって、前記電荷保持手段と並列に電荷保持手段の電荷を放電す
るための抵抗体を備えたことを特徴とする平面形表示装
置。
【請求項３】電荷保持手段の容量成分と電荷保持手段
の電荷を放電する抵抗成分とからなる時定数が、１フィ
ールド期間以下であることを特徴とする請求項２記載の
平面形表示装置。
【請求項４】前記抵抗体が、スイッチング素子を構成
するシリコン材料によって同時に形成されることを特徴
とする請求項２または３記載の平面型表示装置。
【請求項５】前記光学応答手段がノーマリーブラック
の液晶素子であることを特徴とする請求項１、２、３ま
たは４記載の平面型表示装置。