JP2003031908A

JP2003031908A - 半導体光デバイス

Info

Publication number: JP2003031908A
Application number: JP2001220030A
Authority: JP
Inventors: Kenji Kono; 健治河野; Takayuki Yamanaka; 孝之山中; Munehisa Tamura; 宗久田村
Original assignee: Anritsu Corp; Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Anritsu Corp; Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 2001-07-19
Filing date: 2001-07-19
Publication date: 2003-01-31

Abstract

(57)【要約】【課題】光機能部の温度上昇を抑制する。【解決手段】光吸収機能と発光機能との少なくとも一
方の光機能を有する光機能部２，３，４が半導体基板１
上に形成され、光機能の実行に伴って光機能部に熱が発
生する半導体光デバイスにおいて、光機能部で発生した
熱を半導体基板１を含む当該光機能部の周囲部材へ分散
させるための熱伝導材料１１を、光機能部と周囲部材と
の間に熱的に介在させている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光、光吸収、受
光、光変調等の光に関する各種の光機能を有した半導体
光デバイスに関する。

【０００２】

【従来の技術】発光、光吸収、受光、光変調等の光に関
する光機能を実現できる各種の半導体光デバイスの一例
として、光を吸収する光機能を有するハイメサ型半導体
光変調器からなる半導体光デバイスの概略構成を図５に
示す。

【０００３】n⁺-InPからなる基板１上に、n-InPからな
る下部クラッド層２、多重量子井戸層３、ｐ-InPからな
る上部クラッド層４、p⁺-InGaAsからなるコンタクト層
５が形成されている。このコンタクト層５の上面にｐ電
極６が取付けられ、基板１の下面にｎ電極７が取付けら
れている。さらに、側面にポリイミド８が形成されてい
る。このポリイミド８の上面でかつｐ電極６における側
方に突出したボンディングパッド部６ａにボンディング
ワイヤ９が接続されている。

【０００４】多重量子井戸層（Multiple Quantum Wel
l）３は、i-InGaAsPからなるウェルと、このウェルとは
バンドギャップエネルギーが異なるi-InGaAsPからなる
バリアとを複数組み合わせて構成されている。なお、こ
の多重量子井戸層３はノンドープであるので、以下、i-
MQW層３と略記する。

【０００５】また、このハイメサ型半導体光変調器から
なる半導体光デバイスでは、ｐ電極６における側方に突
出したボンディングパッド部６ａの電気的キャパシタン
スを低減するために、ボンディングパッド部６ａの下に
は比誘電率が小さなポリイミド８を使用している。

【０００６】また、n-InPからなる下部クラッド層２、i
-MQW層３、及びp-InPからなる上部クラッド層４は光を
導波する光導波路を構成している。ここでi-MQW層３は
その屈折率が、n-InPからなる下部クラッド層２、及びp
-InPからなる上部クラッド層４の各屈折率よりも高く、
光を導波する中心的な役割をするコアとして機能してい
る。なお、ハイメサ断面構造を有する光導波路を構成し
ている凸状のリッジ部の幅Ｗと長さＬは各々２μｍおよ
び２００μｍ程度である。

【０００７】このような構成のハイメサ型半導体光変調
器からなる半導体光デバイスの動作を説明する。光入射
端面１０から入射した光は、前述した光導波路を伝搬す
る間に、ＯＮ／ＯＦＦ変調されて、リッジ部に形成され
た光導波路における光入射端面１０の反対の光出射端面
から出射される、図６に、ｐ電極６とｎ電極７との間に
電界を印加していない時と逆バイアス電界を印加した時
との各光吸収係数特性を、入射される光の波長λを変数
として示す。図中、この光変調器を動作させる波長λを
動作波長λ_Sとして示した。

【０００８】図６の光吸収係数特性からも理解できるよ
うに、電界が印加されていない場合には、光変調器を動
作する動作波長λ_Sにおいては光の吸収係数は十分小さ
く、光入射端面１０に入射した光は反対側の光出射端面
からそのまま出射される。一方、ｐ電極６とｎ電極７と
の間に逆バイアス電圧を印加すると、光の吸収スペクト
ラムは長波長側に移動するため、この光変調器の動作波
長λ_Sにおいて光の吸収係数が大きくなり、光は吸収さ
れ、反対側の光出射端面から出射されない。

【０００９】こうして、ｐ電極６とｎ電極７との間の逆
バイアス電圧をＯＮあるいはＯＦＦすることにより、光
導波路を伝搬中の光もＯＦＦあるいはＯＮされ、電気信
号を光信号へと変換することができる。

【００１０】このハイメサ型光変調器からなる半導体光
デバイスにおいて、光を吸収する機能を有する光導波路
を構成するi-MQW層３は、両側面を比誘電率ε_rが小さな
空気（ε_r＝１）で囲まれており、かつｐ電極６のボン
ディングパッド部６ａの下にはやはり比誘電率ε_rが小
さなポリイミド８（ε_r＝３〜４）を使用しているの
で、その電気的キャパシタンスＣは小さい。したがっ
て、電気的キャパシタンスＣと負荷抵抗Ｒから制限され
る、いわゆるＣＲ定数リミットによる変調周波数限界
（＝１/πＲＣ）は、i-MQW層３の左右を半導体で埋め込
んだ埋め込み構造のものより高く、ハイメサ型光変調器
の半導体光デバイスは高速光変調に適していると言え
る。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た半導体光デバイスにおいても、まだ改良すべき次のよ
うな課題があった。

【００１２】図７（ａ）に、逆バイアス印加時における
光吸収に伴い発生してリッジ部に留まる熱量を、ハイメ
サ構造の光導波路を構成しているリッジ部の長手方向に
おける光入射端面１０からの距離（伝搬距離）ｚの関数
として示している。さらに、図７（ｂ）に、逆バイアス
印加時における光吸収に伴い発生してリッジ部に留まる
熱量を、ハイメサ構造の光導波路を構成しているリッジ
部の幅方向におけるメサ中心からの距離の関数として示
している。

【００１３】まず、図７（ａ）に示すリッジ部の長手方
向について考察する。長手方向においては、入射した光
は、コアであるn-InPからなる下部クラッド層２、i-MQW
層３、p-InPからなる上部クラッド層４で構成される光
導波路を伝播する間にその強度ＩがＩ＝Ｉ₀ｅｘｐ（−αｚ） …(1) のように、指数関数の式に従ってi-MQW層３により吸収
される。ここで、Ｉ₀は光入射端面１０における入射光
のパワー、αは吸収係数、ｚは光入射端面１０からの距
離である。

【００１４】指数関数は変数に対して急速に減衰する関
数であるから、光は光入射端面１０から短い距離ｚの間
にほとんど吸収され、電流に変換される。

【００１５】一方、図７（ｂ）に示すリッジ部の幅方向
について考察する。断面構造がハイメサ構造であるリッ
ジ部の左右は空気である。空気の熱伝導率は半導体に比
べて数桁小さいため、発生した熱はリッジ部の外部へは
ほとんど伝わらない。

【００１６】したがって、リッジ部の長手方向には光の
光入射端面１０からの短い距離ｚ内に、リッジ部の横方
向にはハイメサ構造からなるリッジ部に熱が溜まること
になる。特に、高いパワーの光が入射すると、駆動電圧
Vと光電流Iの積で表されるジュール熱（Ｐ＝Ｖ・Ｉ）が
ハイメサ断面構造からなるリッジ部に溜まるため、リッ
ジ部がこの高いジュール熱のために破損する。

【００１７】さらに、コアであるn-InPからなる下部ク
ラッド層２、i-MQW層３、p-InPからなる上部クラッド層
４で構成される光導波路の温度が過度に上昇すると、変
調特性が劣化する。

【００１８】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、光機能部に発生する熱を効率的に周囲部材
へ分散させることができ、たとえ高いパワーの光が入射
したり、高い駆動電圧が印加されたとしても、光機能部
の温度上昇を確実に抑制でき、光機能部で実行される光
機能を高いレベルに維持した状態でデバイス全体の信頼
性を確保できる半導体光デバイスを提供することを目的
とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明は、光吸収機能と
発光機能との少なくとも一方の光機能を有する光機能部
が半導体基板上に形成され、光機能の実行に伴って光機
能部に熱が発生する半導体光デバイスに適用される。

【００２０】そして、上記課題を解消するために、本発
明の半導体光デバイスにおいては、光機能部で発生した
熱を半導体基板を含む当該光機能部の周囲部材へ分散さ
せるための熱伝導材料を、光機能部と周囲部材との間に
熱的に介在させている。

【００２１】また、別の発明は、上述した発明の半導体
光デバイスにおいて、光機能部をリッジ構造としてい
る。

【００２２】さらに、別の発明は、上述した発明の半導
体光デバイスにおいて、熱伝導材料を光機能部及び周囲
部材に物理的に接触させている。

【００２３】さらに、別の発明は、上述した発明の半導
体光デバイスにおいて、熱伝導材料を、誘電体材料から
なる膜を介して、光機能部及び周囲部材に物理的に接触
させている。

【００２４】このように構成された半導体光デバイスに
おいては、光機能部で発生した熱を、半導体基板を含む
当該光機能部の周囲部材へ分散させるための熱伝導材料
が設けられているので、光機能部で発生した熱は、この
光機能部の周囲部材へ効率的に分散される。その結果、
光機能部にジュール熱が留まらず、光機能部が形成され
たリッジ部が熱に起因して損傷を受けることはなく、光
機能部で実行される光機能の性能が低下することはな
い。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施形態を図面
を用いて説明する。（第１実施形態）図１は本発明の第１実施形態に係る半
導体光デバイスの概略構成を示す斜視図である。図５に
示す従来の半導体光デバイスと同一部分には同一符号を
付して重複する部分の詳細説明を省略する。なお、この
第１実施形態の半導体光デバイスは、図５に示す従来の
半導体光デバイスと同様に、光を吸収する光機能を有す
るハイメサ型半導体光変調器に適用されている。

【００２６】図５に示す従来の半導体光デバイスと同様
に、n⁺-InPからなる基板１上に、n-InPからなる下部ク
ラッド層２、i-MQW層（多重量子井戸層）３、ｐ-InPか
らなる上部クラッド層４、p⁺-InGaAsからなるコンタク
ト層５が形成されている。このコンタクト層５の上面に
ｐ電極６が取付けられ、基板１の下面にｎ電極７が取付
けられている。さらに、側面にポリイミド８が形成され
ている。このポリイミド８の上面でかつｐ電極６におけ
る側方に突出したボンディングパッド部６ａにボンディ
ングワイヤ９が接続されている。

【００２７】そして、下部クラッド層２、i-MQW層３、
上部クラッド層４、コンタクト層５、及びｐ電極６は、
断面がハイメサ構造を有したリッジ部を構成する。

【００２８】さらに、この第１実施形態の半導体光デバ
イスにおいては、n-InPからなる下部クラッド層２、i-M
QW層３、ｐ-InPからなる上部クラッド層４で構成される
光機能部が組込まれたリッジ部の側面と、n⁺-InPからな
る基板１の上面１ａとの間に、熱伝導材料としての熱伝
導ペースト１１が充填されている。この熱伝導ペースト
１１は、光機能部が組込まれたリッジ部と周辺部材とし
ての基板１の上面１ａに直接接触されている。この熱伝
導ペースト１１は、きわめて高い熱伝導効率を有した、
例えば、シリコングリス等の材料が採用される。

【００２９】次に、このように構成された第１実施形態
の半導体光デバイスの動作原理を説明する。この第１実
施形態の半導体光デバイスにおいても、図５に示した従
来の半導体光デバイスと同様に、ｐ電極６とｎ電極７と
の間に逆バイアス電圧Ｖが印加された状態においては、
光入射端面１０から光導波路へ入射された光は、i-MQW
層３で吸収される結果、光電流Ｉが生じ、リッジ部内に
ジュール熱Ｐ（＝Ｖ・Ｉ）が発生する。

【００３０】図２（ａ）に、逆バイアス印加時における
光吸収に伴い発生してリッジ部内に留まる熱量を、ハイ
メサ断面構造の光導波路を構成しているリッジ部の長手
方向における光入射端面１０からの距離（伝搬距離）ｚ
の関数として示している。さらに、図２（ｂ）に、逆バ
イアス印加時における光吸収に伴い発生してリッジ部内
に留まる熱量を、ハイメサ断面構造の光導波路を構成し
ているリッジ部の幅方向におけるメサ中心からの距離の
関数として示している。なお、参考のために、図７
（ａ）、（ｂ）に示した熱伝導ペースト１１を採用しな
い従来の半導体光デバイスにおける各特性値を破線で示
している。

【００３１】図２（ａ）、（ｂ）に示すように、従来の
半導体光デバイスに比較してリッジ部に留まる熱量が大
幅に低減していることが理解できる。

【００３２】すなわち、リッジ部の側面と基板１の上面
１ａとを熱的に接続する熱伝導ペースト１１は、その熱
伝導率が空気の熱伝導率よりも数桁大きいため、リッジ
部に発生した熱は直ちに熱伝導ペースト１１内に伝えら
れた後、熱伝導率の大きなn⁺-InPからなる基板１に分散
される。

【００３３】そのため、ハイメサ断面構造を有するリッ
ジ部に熱が溜まることを防げるので、リッジ部の温度が
上昇して熱により損傷を受けることはない。

【００３４】もちろん、熱伝導ペースト１１を採用した
場合にも、長手方向には式(1)のように熱は指数関数に
従って発生する。しかしながら、発生したジュール熱は
熱伝導ペース１１により基板１に導かれ分散されるの
で、留まる熱量は小さくなり、そのピーク値（式(1)内
のＩ₀）は低く抑えられている。

【００３５】（第２実施形態）図３は本発明の第２実施
形態に係る半導体光デバイスの概略構成を示す斜視図で
ある。図１に示す第１実施形態の半導体光デバイスと同
一部分には同一符号を付して重複する部分の詳細説明を
省略する。

【００３６】この第２実施形態の半導体光デバイスにお
いては、ハイメサ断面形状を有するリッジ部のポリイミ
ド８が形成された側面の全面に亘って熱伝導ペースト１
１が形成されているのではなく、光入射端面１０からポ
リイミド８までの間にこの熱伝導ペースト１１が形成さ
れている。そして、ポリイミド８から光出射端面までの
間にはこの熱伝導ペースト１１が形成されていない。

【００３７】このように構成された第２実施形態の半導
体光デバイスの特徴を説明する。この第２実施形態の半
導体光デバイスにおぃても、リッジ部の長手方向には前
述した式(1)のように熱は指数関数に従って発生する。
指数関数は急速に値が小さくなる特徴があることを利用
して、リッジ部の側面における光入射端面１０側のみに
熱伝導ペースト１１を付着させている。

【００３８】リッジ部の側面全体に熱伝導ペースト１１
が付着してはいないという点では、熱の分散効果は、図
１に示した第１実施形態の半導体光デバイスにおける熱
の分散効果ほど大きくはない。しかしながら、光の吸収
に伴う熱の主な発生箇所には熱伝導ペースト１１が付着
しており、リッジ部内の熱を効果的に基板１を含む周囲
部材に分散している。

【００３９】したがって、この第２実施形態の半導体光
デバイスにおいても、リッジ部の熱による損傷を防ぐこ
とができるので実用上十分であると言える。

【００４０】なお、図３に示したように、ハイメサ断面
形状を有するリッジ部のポリイミド８が形成されていな
い左側の側面は、図１に示した第１の実施形態の半導体
光デバイスように、リッジ部の長手方向全体に熱伝導ペ
ースト１１を付着させ、右側は図３に示した第２実施形
態の半導体光デバイスのように、リッジ部の前半にのみ
熱伝導ペースト１１を付着させてもよいことは言うまで
もない。

【００４１】（第３実施形態）図４は本発明の第３実施
形態に係る半導体光デバイスの概略構成を示す斜視図で
ある。図１に示す第１実施形態の半導体光デバイスと同
一部分には同一符号を付して重複する部分の詳細説明を
省略する。

【００４２】この第３実施形態の半導体光デバイスにお
いては、リッジ部の側面と基板１の上面には、このリッ
ジ部の側面と基板１の上面を保護するための例えばＳｉ
Ｏ₂からなるパッシベーション用の誘電体膜１２を形成
している。具体的には、このこのパッシベーション用の
誘電体膜１２を形成して、この誘電体膜１２の上から熱
伝導ペースト１２を付着させている。

【００４３】このように構成された第３実施形態の半導
体光デバイスの特徴を説明する。

【００４４】i-MQW層３が光入射端面１０からリッジ部
内へ入射した光を吸収した結果生じる熱は、リッジ部の
側面に形成されたＳｉＯ₂からなる誘電体膜１２を通り
抜けた後、熱伝導ペースト１１により再誘電体膜１２を
通り抜けて基板１に分散される。

【００４５】パッシベーション用のＳｉＯ₂からなる誘
電体膜１２の熱伝導率は空気よりは大きいが、熱伝導ペ
ースト１１よりは小さいので、この第３実施形態におい
てリッジ部から熱を逃がす効果は第１実施形態よりは小
さい。しかしながら、熱伝導率が極めて低い空気で囲ま
れている従来の実施形態と比較すると、本実施形態にお
いてもリッジ部の熱による損傷を防ぐ効果は十分に有す
る。

【００４６】なお、この第３実施形態の半導体光デバイ
スは、第１実施形態の半導体光デバイスを基本とした
が、この第３実施形態の半導体光デバイスで採用したパ
ッシベーション用のＳｉＯ₂からなる誘電体膜１２を図
３に示す第２実施形態の半導体光デバイスに適用するこ
とも可能である。

【００４７】すなわち、パッシベーション用のＳｉＯ₂
からなる誘電体膜１２をリッジ部に形成した後、リッジ
部の側面における光入射端面１０側前半に熱伝導ペース
ト１１を付着させても充分な効果がある。

【００４８】なお、本発明は上述した各実施形態に限定
されるものではない。図４に示す第３実施形態の半導体
光デバイスにおいては、パッシベーション用の誘電体膜
１２の材料としてＳｉＯ₂を想定して、説明したが、こ
の誘電体膜１２としてはＳｉＮｘやポリイミドなどその
他の材料を用いてもよいことは言うまでもない。なお、
ポリイミドは熱伝導率が低いので、パッシベーション用
の誘電体膜１２として使用する場合には極力薄くした方
が効果的である。

【００４９】また、第１〜第３実施形態の各半導体デバ
イスにおいて、ｐ電極６の上に熱伝導ペースト１１がか
ぶさった場合には、熱伝導ペースト１１の比誘電率のた
めに、電気的キャパシタンスがやや大きくなるので高周
波光変調の観点からは少し不利となるが、リッジ部から
より多くの熱を逃がすことができるので、その熱に起因
する損傷を防ぐという意味ではさらに有利となる。

【００５０】また、ポリイミド８の周囲にも熱伝導ペー
スト１１を付加すれば、ポリイミド８内に溜まった熱も
分散できるのでより効果的である。

【００５１】さらに、リッジ部に発生した熱を逃がすた
めの熱伝導材料として、熱伝導ペースト１１を想定して
説明したが、熱伝導率が高いものであれば、オイルや金
属あるいはシート材、さらにはこれらの組み合わせなど
その他の材料でもよいことは言うまでもない。さらに、
電気的な短絡が確実に回避できるならば、銀ペーストで
もよい。

【００５２】また、これまで光吸収部の左右が空気や誘
電体膜であるハイメサ型構造を想定して議論したが、光
吸収部の上部のみがリッジ部であるストリップ装荷型構
造でも良いことは言うまでもない。

【００５３】基板１の材料としてn⁺-InPを想定したが、
ｐ⁺-InP基板や半絶縁性InP基板など、基板１の種類によ
らないことはもちろんであるし、さらに、光吸収部の材
料としてi-InGaAsP/InGaAsP MQWを想定したが、i-InGaA
s/InGaAsP MQW、i-InGaAs/InP MQW層、i-InGaAlAs/InAl
As MQWなど、その他の多重量子井戸でもよいし、i-InGa
Asやi-InGaAlAsなどバルク材料でも良い。

【００５４】さらに、以上の各実施形態においては、半
導体光デバイスとして、ハイメサ型半導体光変調器を想
定したが、光信号を吸収し電気信号に変換する、いわゆ
る半導体受光器もジュール熱を発生するので本発明を適
用できることはもちろんである。

【００５５】なお、熱伝導ペースト１１をリッジ部の側
面に対して部分的に付加する場合にはなるべく光入射端
面１０に近くまで付加したほうが良いが、熱伝導ペース
ト１１が光入射端面１０に付着すると、光が散乱・屈折
されるので、熱伝導ペースト１１が光入射端面１０に付
着しないように、細心の注意を払うことは言うまでもな
い。

【００５６】さらに、本発明は、発熱した光機能部から
熱を周囲部材に分散させるためのものであるから、光を
吸収し電流に変換した結果、熱を発生する半導体光変調
器や半導体受光器のような受動素子のみではなく、電流
を流すことにより発光した結果、熱を発生する半導体レ
ーザのような能動素子にも適用可能である。

【００５７】特に、光を導波するためにリッジ部を有す
るリッジ部型半導体レーザの場合にはそのリッジ部の横
には熱伝導率が小さな空気があるため、リッジ部に熱が
溜まる。そのため、大きな光出力を得るために高い電流
を流すと、発生するジュール熱のために光出力が低下す
る、あるいは発振波長が変動する（約０．１ｎｍ/℃）
という不具合が生じる。したがって、本発明を適用する
ことにより半導体レーザの発振特性を著しく改善するこ
とが可能である。

【００５８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体光
デバイスにおいては、光機能部で発生した熱を周囲部材
へ分散させるための熱伝導材料を光機能部と周囲部材と
の間に熱的に介在させている。

【００５９】したがって、光機能部に発生する熱を効率
的に周囲部材へ分散させることができ、たとえ高いパワ
ーの光が入射したり、高い駆動電圧が印加されたとして
も、光機能部の温度上昇を確実に抑制でき、光機能部で
実行される光機能を高いレベルに維持した状態でデバイ
ス全体の信頼性を確保できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係わる半導体光デバイ
スの概略構成を示す斜視図

【図２】同第１実施形態の半導体光デバイスにおけるリ
ッジ部に発生して留まっている熱量の分布特性を示す図

【図３】本発明の第２実施形態に係わる半導体光デバイ
スの概略構成を示す斜視図

【図４】本発明の第３実施形態に係わる半導体光デバイ
スの概略構成を示す斜視図

【図５】従来の半導体光デバイスの概略構成を示す斜視
図

【図６】一般的な半導体光デバイスの多重量子井戸層に
おける光吸収特性の波長依存性を示す図

【図７】従来の半導体光デバイスにおけるリッジ部に発
生して留まっている熱量の分布特性を示す図

【符号の説明】

１…基板２…下部クラッド層３…i-MQW層４…上部クラッド層５…コンタクト層６…ｐ電極７…ｎ電極８…ポリアミド９…ポインチングワイヤ１０…光入射端面１１…熱伝導ペースト１２…誘電体膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山中孝之東京都千代田区大手町二丁目３番１号日本電信電話株式会社内 (72)発明者田村宗久東京都千代田区大手町二丁目３番１号日本電信電話株式会社内Ｆターム(参考） 2H079 AA02 AA13 BA01 CA04 DA16 EA00 EA07 HA22 5F049 MA04 MB07 NA07 NA09 PA18 QA02 TA05 5F073 AA22 AA74 CA07 CA12 CA15 CB11 EA29

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光吸収機能と発光機能との少なくとも一
方の光機能を有する光機能部が半導体基板上に形成さ
れ、前記光機能の実行に伴って前記光機能部に熱が発生
する半導体光デバイスにおいて、前記光機能部で発生した熱を前記半導体基板を含む当該
光機能部の周囲部材へ分散させるための熱伝導材料を、
前記光機能部と周囲部材との間に熱的に介在させたこと
を特徴とする半導体光デバイス。
【請求項２】前記光機能部がリッジ構造であることを
特徴とする請求項１記載の半導体光デバイス。
【請求項３】前記熱伝導材料を前記光機能部及び周囲
部材に物理的に接触させたことを特徴とする請求項１又
は２記載の半導体光デバイス。
【請求項４】前記熱伝導材料を、誘電体材料からなる
膜を介して、前記光機能部及び周囲部材に物理的に接触
させたことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体光
デバイス。