JP2003029249A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】より簡易な構成にて的確に階調表示や２値的な
表示を行うことのできる表示装置を提供する。 【解決手段】干渉フィルタＭ１は、例えばファブリ・ペ
ロー共振器と帯域フィルタとを備えて構成される。これ
により、ファブリ・ペロー共振器によって所望の波長の
光を選択的に透過させる。また、所望の波長以外の光が
ファブリ・ペロー共振器から透過する場合、帯域フィル
タによって遮断する。干渉フィルタＭ１を透過する光の
透過率は、入射角変更部Ｍ２によって光の入射角が変更
されることで、調整することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、画像や映像などを
表示する表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の表示装置の１つとして、液晶表
示装置がある。この液晶表示装置は、液晶によって光の
偏向方向を変更することで、偏向板から透過する光の光
量を可変制御するものである。また、この表示装置をカ
ラー表示装置とする場合には、レッド（Ｒ）、グリーン
（Ｇ）、ブルー（Ｂ）の３原色にそれぞれ対応した各波
長の光を選択的に透過させる一組のカラーフィルタを１
つの画素とする加法混合方式が一般的に適用される。な
お、上記カラーフィルタの色素としては通常、上記３原
色に対応した色の顔料や染料などが用いられている。

【０００３】ところで、この液晶表示装置には、液晶に
対する光の入射態様によって透過型と反射型とがある。
図１９に、従来の一般的なアクティブマトリクス方式の
透過型液晶表示装置の構造を示す。

【０００４】同図１９に示されるように、基板（ガラス
基板）１００側に、ＩＴＯ（IndiumTin Oxide）からな
る第１の透明電極１０１がマトリクス状に形成されてい
る。この第１の透明電極１０１は、これに対応してマト
リクス状に配置されている薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１０２に接続されている。そして、このＴＦＴ１０２に
よって透明電極１０１への印加電圧が制御される。更
に、基板１００の最上層には、ポリイミドからなる配向
膜１０３が形成されている。この配向膜１０３の表面に
は、液晶分子を所定方向に配向させるべく配向処理が施
されている。

【０００５】一方、これと対向する基板（ガラス基板）
１１０側には、上記Ｒ、Ｇ、Ｂに対応したカラーフィル
タ１１１が上記透明電極１０１に対応して形成されてい
る。また、このカラーフィルタ１１１に隣接して、上記
ＴＦＴ１０２へ光が照射されることによる同ＴＦＴのｐ
ｎ接合部のキャリアの光励起を回避すべく、遮光膜１１
２が形成されている。そして、これらカラーフィルタ１
１１及び遮光膜１１２上には、ＩＴＯからなる対向電極
１１３及び配向膜１１４が順次堆積形成されている。

【０００６】これら一対の基板１００及び１１０は、ス
ペーサ１２０を介して貼り合わせられ、両者の間にネマ
ティック液晶１２１が封入されている。これにより、液
晶１２１は、配向膜１０３及び１１４によって所定方向
に配向される。更に、これら基板１００及び１１０の外
側には、互いにその偏向方向を直行させる態様にて、そ
れぞれ第１の偏光板１３１と第２の偏光板１３２とが配
設されている。

【０００７】そして、図示しないバックライトによっ
て、偏向板１３２側から液晶１２１へ光が入射される。
この際、液晶１２１への印加電圧が閾値以下であるとき
には、偏向板１３２によって所定方向に偏向された光
は、液晶１２１によってその偏向方向が９０度回転する
ために、偏向板１３１を通過する。これに対し、液晶１
２１への印加電圧が閾値を超えると、液晶１２１の分子
は、配向膜１０３及び１１４によって配向された状態か
らこれら配向膜１０３及び１１４面と直行する方向へと
変位されるようになる。このため、偏向板１３２を介し
て入射した光は、液晶１２１を透過した後も、その偏向
方向がさほど変化せず、偏向板１３１によって遮断され
るようになる。このように透過型の液晶表示装置におい
ては、液晶１２１への印加電圧を制御することで階調表
示や２値的な表示が可能となる。

【０００８】また、図２０は、従来の一般的なアクティ
ブマトリクス方式の反射型液晶表示装置の構造を示した
ものである。同図２０に示す反射型液晶表示装置におい
て、先の図１９に示した透過型液晶表示装置との違い
は、上記偏向板１３１上に更に反射膜１４０が形成され
ていることである。この場合、液晶１２１への印加電圧
が閾値以下であるときには、偏向板１３２側から入射し
た光は、反射板１４０で反射して偏向板１３２から出射
する。すなわち、偏向板１３２によって所定方向に偏向
された光は、液晶１２１によってその偏向方向が９０度
回転する。このために、偏向板１３１を透過して反射板
１４０に達し、この反射板１４０で反射した後、液晶１
２１によって再度その偏向方向が９０度回転して偏向板
１３２から出射する。そして、この場合も、液晶１２１
への印加電圧が閾値を超えると、偏向板１３２を介して
入射した光が再度、同偏向板１３２を介して出射する量
が減少していく。このため、この反射型の液晶表示装置
においても、上記透過型の液晶表示装置と同様、階調表
示や２値的な表示が可能となる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
液晶表示装置においては、透過型であれ、あるいは反射
型であれ、所望のカラーにて階調表示や２値的な表示を
行うためには、カラーフィルタと偏向板とが必要である
ために、部品点数の増大が無視できないものとなってい
る。そして、このように部品点数が増大することで、コ
ストの増加を招くのみならず、その製造が煩雑になるな
どの問題も避けられないものとなっている。

【００１０】本発明は、こうした実情に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、より簡易な構成にて的確に階
調表示や２値的な表示を行うことのできる表示装置を提
供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】以下、上記目的を達成す
るための手段及びその作用効果について記載する。請求
項１に記載の発明は、連続あるいは不連続に分布した光
の中から特定の波長領域の光を取り出す干渉フィルタ
と、該干渉フィルタに入射する光の入射角を変更する入
射角変更手段とを備え、前記光の入射角の変更に伴う前
記干渉フィルタの透過率の変化によって輝度変更を行う
ことをその要旨とする。

【００１２】上記構成では、干渉フィルタによって所定
の波長領域の光を選択的に透過させるとともに、入射角
の変更によってこの光の透過率を可変制御する。したが
って、上記構成によれば、偏向板及びカラーフィルタを
用いる従来の液晶表示装置と比較して、より簡易な構成
にて所定のカラーの階調表示や２値的な表示を行うこと
ができるようになる。

【００１３】請求項２記載の発明は、請求項1記載の発
明において、前記干渉フィルタが、スペーサとこれを挟
む反射膜とからなるファブリ・ペロー共振器を備えてな
ることをその要旨とする。

【００１４】上記構成によれば、干渉フィルタに、特定
の波長に対する顕著な選択性を付与することができるよ
うになる。この請求項２記載の発明は、請求項３記載の
発明によるように、前記反射膜が、互いに屈折率の異な
る膜が交互に形成されてなるようにしてもよい。

【００１５】これにより、干渉フィルタを透過する光の
透過率について、その入射角の変化に対する応答性を向
上させることができる。請求項４記載の発明は、請求項
２又は３記載の発明において、前記干渉フィルタは、前
記ファブリ・ペロー共振器による共振波長に対応してこ
の波長領域の光を選択的に透過する帯域フィルタを更に
備えることをその要旨とする。

【００１６】上記構成によれば、所望の波長領域以外の
波長を有する光がファブリ・ペロー共振器を透過する場
合であれ、これを上記帯域フィルタにて遮光すること
で、干渉フィルタからこの光が透過されることを好適に
抑制することができる。

【００１７】なお、請求項４記載の発明における帯域フ
ィルタは、請求項５記載の発明によるように、レーザー
ミラー（ＬＭ）型フィルタ、及びロングウェイブパス
（ＬＷＰ）型フィルタ、及びショートウェイブパス（Ｓ
ＷＰ）型フィルタの少なくとも１つからなるとして構成
することで、上記特性を有する帯域フィルタを容易に実
現することができる。

【００１８】請求項６記載の発明は、請求項１〜５のい
ずれかに記載の発明において、前記干渉フィルタが誘電
体多層膜型からなることをその要旨とする。上記構成に
よれば、光吸収率の少ない誘電体多層膜型の干渉フィル
タを用いることで、光利用率の高い表示装置を実現する
ことができるようになる。

【００１９】請求項７記載の表示装置は、請求項１〜６
のいずれかに記載の発明において、特定の波長領域の光
を吸収する手段を更に備えることをその要旨とする。上
記構成によれば、特定の波長領域の光を吸収する手段を
備えるために、特定の波長領域の光に対する選択性を更
に向上させることができるようになる。すなわち、例え
ば干渉フィルタが、所望の波長の光に対し選択性を有し
且つその光の入射角の変化によって透過率を変化させは
するものの、それ以外の波長領域の光をも透過させてし
まう場合であれ、上記手段を用いることでこれを遮断す
ることができる。この手段は、干渉フィルタに特定の波
長領域の光を吸収する色素を含有させたり、干渉フィル
タの外部に特定の波長領域の光を吸収する色素を含有し
た部材を設けたりすることで実現することができる。

【００２０】なお、上記請求項１〜７のいずれかに記載
の表示装置は、請求項８記載の発明によるように、前記
入射角変更手段を液晶によって構成することで、その実
現も容易である。

【００２１】また、請求項１〜８のいずれかに記載の表
示装置は、請求項９記載の発明によるように、前記干渉
フィルタとして、３原色に対応した波長の光を選択的に
透過する各別のフィルタを備える構成とすることで、そ
のカラー表示化も容易である。

【００２２】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
にかかる表示装置の第１の実施形態について、図面を参
照しつつ説明する。

【００２３】図１に本実施形態にかかる表示装置の概念
図を示す。同図１に示すように、この表示装置は、干渉
フィルタＭ１と、同干渉フィルタＭ１に入射する光の入
射角を変更する入射角変更部Ｍ２とを備えている。そし
て、干渉フィルタＭ１によって、特定の波長領域の光を
透過させる。ここにおいて、入射角変更部Ｍ２によって
光の入射角が変更されると、干渉フィルタＭ１の透過率
（干渉フィルタＭ１からの出射光量／干渉フィルタＭ１
への入射光量）が変化する。この干渉フィルタＭ１の透
過率によって輝度変更を行うことができる。しかも、こ
うした構成によれば、特定のカラーの表示と階調表示又
は２値的な表示との２つ機能を干渉フィルタによって実
現することができるようになる。

【００２４】詳しくは、本実施形態では、この干渉フィ
ルタＭ１として誘電体多層膜型のものを用いる。この誘
電体多層膜型のものは光の吸収率が小さいために、これ
を用いることで、光利用率の高い表示装置を実現するこ
とができるようになる。また、上記入射角変更部を液晶
にて構成する。これにより、液晶に電圧を印加するとい
う簡易な制御によって入射角の制御が可能となる。

【００２５】より詳しくは、本実施形態では、上記干渉
フィルタＭ１を、ファブリ・ペロー共振器を備えて構成
する。このファブリ・ペロー共振器は、図２に示される
ように、スペーサＳの両側に反射膜Ｒを備えた構成を有
する。このファブリ・ペロー共振器は、スペーサＳの光
学的な膜厚を半波長とする光（共振波長）を選択的に透
過させる性質を有する。ここで、光学的な膜厚は、実際
の膜厚を屈折率で割ったものであり、スペーサＳの膜厚
「ｄ０」とその屈折率「ｎ０」とを用いて、「ｄ０／ｎ
０」と定義される。したがって、スペーサＳの長さ「ｄ
０」を適切に設定することで、所望の波長の光を選択的
に透過させることができるようになる。

【００２６】このファブリ・ペロー共振器として、本実
施形態では、図３（ａ）に示されるように、反射膜Ｒと
して互いに屈折率の異なる膜が交互に形成されたものを
用いるシングルハーフウェイブ（ＳＨＷ）型のものを用
いる。詳しくは、図３（ａ）に示されるように、第１の
膜ｆ１と同第１の膜ｆ１よりも屈折率の小さな第２の膜
ｆ２とが、その光学的な膜厚を上記ファブリ・ペロー共
振器にて透過させようとする光の波長の４分の１に設定
されて交互に形成されたものを用いる。

【００２７】このＳＨＷ型のファブリ・ペロー共振器
（ＳＨＷ型干渉フィルタ）においては、上記多層膜構造
を有する反射膜の膜数を適度に多くすることが望まし
い。以下、これについてシミュレーション結果を踏まえ
て説明する。

【００２８】図４〜図７は、上記ＳＨＷ型のファブリ・
ペロー共振器の光学特性のシミュレーション結果であ
る。すなわち、図４（ａ）は、図４（ｂ）に示す条件
下、液晶側から光を入射させたときのガラス基板側への
光の透過率を示すシミュレーション結果である。すなわ
ち、このシミュレーションでは、図４（ｂ）に示すよう
に、ガラス基板（図中、Ｎｓ）上に、ＮＳＧ（Nondorpe
d Silicate Glass）、ＢＰＳＧ（Boro-PhosphoSilicate
Glass）、ＮＳＧ（図中、層数Ｎ１〜Ｎ３）、ＳＨＷ型
のファブリ・ペロー共振器（図中、層数Ｎ４〜Ｎ９）、
ＩＴＯ、ポリイミド（図中、層数Ｎ１０、Ｎ１１）が積
層形成されたものが想定されている。そして、ポリイミ
ドと面する液晶（図中、層数Ｎ０）側から様々な入射角
（基板面の直行方向を０度として、０度、５度、１０
度、１５度、２０度）で光を入射したときの、透過率の
変化が図４（ａ）に示されている。

【００２９】なお、ここでは、上記ＳＨＷ型のファブリ
・ペロー共振器として、グリーン（Ｇ）用のものを想定
し、図４（ｂ）に示す設定波長（共振波長）λを「５４
０ｎｍ」とした。これにより、図４（ａ）に示すよう
に、上記ＳＨＷ型のファブリ・ペロー共振器は、波長
「５４０ｎｍ」近傍に透過率のピークを持つようにな
る。

【００３０】図５（ａ）、図６（ａ）、図７（ａ）は、
それぞれ図５（ｂ）、図６（ｂ）、図７（ｂ）に示すよ
うに、上記ＳＨＷ型のファブリ・ペロー共振器の反射膜
の層数を増大させた場合のシミュレーション結果であ
る。

【００３１】このように、多層構造を有する反射膜の層
数を増大させるほど、設定波長λ（「５４０ｎｍ」）近
傍の波長を有する光の透過率が入射角の増大に伴って迅
速に低減するようになる。したがって、上記層数を適切
に確保することで、光の入射角の変化によってその透過
率を的確に変化させることができるようになる。

【００３２】ただし、例えば図７（ａ）に示されるＳＨ
Ｗ型のファブリ・ペロー共振器を透過する光は、設定波
長（共振波長）λ（「５４０ｎｍ」）近傍の波長を有す
る光のみならず、「４００ｎｍ」近傍の波長を有する光
も多量に透過する。そこで、本実施形態では、干渉フィ
ルタＭ１として、共振波長領域の光を選択的に透過する
帯域フィルタを更に備えるようにする。このように、帯
域フィルタを備えることで、所望とする波長の光以外の
波長領域の光を遮光することができるようになる。

【００３３】こうした帯域フィルタとしては、例えば以
下のものがある。 ａ．レーザーミラー（ＬＭ）型フィルタ：特定波長領域
の光を反射する ｂ．ショートウェイブパス（ＳＷＰ）型フィルタ：特定
の波長よりも短い波長の光を透過する ｃ．ロングウェイブパス（ＬＷＰ）型フィルタ：特定の
波長よりも長い波長の光を透過する ここで、上記ａ〜ｃにかかる各フィルタの特性について
更に説明する。

【００３４】ＬＭ型フィルタは、図８（ａ）に示される
ように、第１の膜ｆ３と同第１の膜ｆ３よりも屈折率の
小さな第２の膜ｆ４とが交互に形成され、両側が第１の
膜ｆ３とされるものである。これは、屈折率の大きい方
の膜をＨ、屈折率の小さい方の膜をＬとしてこれらの繰
り返しをＰ回とすると（ＨＬ）^PＨと表記される。な
お、ここで、第１の膜ｆ３及び第２の膜ｆ４は、それぞ
れその光学的膜厚が反射させようとする波長の４分の１
に設定されている。

【００３５】これに対し、ＳＷＰ型フィルタは、図４
（ｂ）に示されるように、（Ｌ／２Ｈ Ｌ／２）^Pで定
義されるフィルタである。ここで、図４（ｂ）に示され
る両端の光学的膜厚は上記特定波長の８分の１に、ま
た、それ以外の膜の光学的膜厚は上記特定波長の４分の
１に、それぞれ設定されている。このフィルタの分光特
性を示すシミュレーション結果を図９に示す。図９
（ａ）は、図９（ｂ）によって条件の設定されたＳＷＰ
型フィルタへの入射角の変化に対する透過率の関係を示
す。ここで、図９（ｂ）の条件における設定波長λは、
「４１０ｎｍ」にしてある。（なお、図９（ａ）に示さ
れように、図９（ｂ）の条件設定においては特定波長以
上の光を透過する特性が得られた。）また、ＬＷＰ型フ
ィルタは、図８（ｃ）に示されるように、（Ｈ／２ Ｌ
Ｈ／２）^Pで定義されるフィルタである。ここで、図
８（ｃ）に示す両端の光学的膜厚は上記特定波長の８分
の１に、また、それ以外の膜の光学的膜厚は上記特定波
長の４分の１に、それぞれ設定されている。このフィル
タの分光特性を示すシミュレーション結果を図１０に示
す。図１０（ａ）は、図１０（ｂ）によって条件の設定
されたＬＷＰ型フィルタへの入射角の変化に対する透過
率の関係を示す。ここで、図１０（ｂ）の条件における
設定波長λは、「４１０ｎｍ」にしてある。

【００３６】このように、図９（ｂ）及び図１０（ｂ）
に示した条件によって設定されたＳＷＬ型フィルタやＬ
ＷＰ型フィルタは、入射角の変化による影響をほとんど
受けず、所定の波長領域の光を選択的に透過させる特性
を有する。

【００３７】ここで、先の図７に示したＳＨＷ型フィル
タに順じたフィルタと先の図９に示したＳＷＰ型フィル
タとを組み合わせて干渉フィルタを構成した場合の分光
特性についてのシミュレーション結果を図１１に示す。
図１１（ａ）は、図１１（ｂ）に示す態様にて条件設定
された干渉フィルタへの入射光の入射角の変化に対する
透過率の変化を示す。同図１１（ａ）に示されるよう
に、この干渉フィルタは、設定波長である「５４０ｎ
ｍ」近傍の波長領域の光を選択的に透過させるととも
に、入射角の変更に応答して透過率を変化させる性質を
有する。

【００３８】また、図１２には、図１１（ｂ）によって
条件設定された干渉フィルタにおいて、ＳＷＰ型フィル
タの代わりに先の図１０（ｂ）にて条件設定されたＬＷ
Ｐ型フィルタを用いたときの分光特性を示す。

【００３９】これら図１１及び図１２で用いた干渉フィ
ルタは、設定波長領域に対して顕著な選択性を示すとと
もに、入射角の変更に応答して透過率を変化させる性質
を有する。ただし、図１１において用いた干渉フィルタ
の方が、設定波長領域における選択性が顕著であったた
め、本実施形態では、図１１にかかる干渉フィルタをＧ
用の干渉フィルタとして用いることとする。すなわち、
本実施形態のＧ用干渉フィルタは、ＳＨＷ型フィルタ及
びＳＷＰ型フィルタを以下の条件で組み合わせたものと
する。 （イ）ＳＨＷ型フィルタ：設定波長を「５４０ｎｍ」と
し、反射膜として屈折率「１．４６」の膜と屈折率
「２．２４」の膜とを積層した計１０層、スペーサとし
て屈折率「２．２４」の膜 （ロ）ＳＷＰ型フィルタ：設定波長を「４１０ｎｍ」と
し、また、異なる２つの屈折率を「１．４６」（Ｌ）、
「２．２４」（Ｈ）として、（Ｌ／２ Ｈ Ｌ／２）⁶
とした計１３層の膜 こうして総計３４層、膜厚「２．３４μｍ」からなる干
渉フィルタとなる。

【００４０】本実施形態では、Ｂ及びＲ用の干渉フィル
タについても、上述した態様にてＳＨＷ型フィルタと帯
域フィルタとを適宜組み合わせて構成する。ちなみに、
本実施形態におけるＢ用干渉フィルタは、ＳＨＷ型フィ
ルタ及びＬＭ型フィルタを以下の条件で組み合わせたも
のとする。 （ハ）ＳＨＷ型フィルタ：設定波長を「４６０ｎｍ」と
し、反射膜として屈折率「１．４６」の膜と屈折率
「２．２４」の膜とを積層した計１１層、スペーサとし
て屈折率「１．４６」の膜 （ニ）ＬＭ型フィルタ：設定波長を「６２０ｎｍ」と
し、屈折率「１．４６」の膜と、屈折率「２．２４」の
膜とを７組積層した計１４層の膜 こうして総計３７層、膜厚「２．８１μｍ」からなる干
渉フィルタを形成する。この干渉フィルタの分光特性を
図１３に示す。

【００４１】これに対し、本実施形態のＲ用干渉フィル
タは、ＳＨＷ型フィルタ及びＬＷＰ型フィルタを以下の
条件で組み合わせたものとする。 （ホ）ＳＨＷ型フィルタ：設定波長を「６１０ｎｍ」と
し、反射膜として屈折率「１．４６」の膜と屈折率
「２．２４」の膜とを積層した計１１層、スペーサとし
て屈折率「１．４６」の膜 （ヘ）ＬＷＰ型フィルタ：設定波長を「４６０ｎｍ」と
し、また、異なる２つの屈折率を「１．４６」（Ｌ）、
「２．２４」（Ｈ）として、（Ｈ／２ Ｌ Ｈ／２）⁶
とした計１３層の膜 こうして総計３６層、膜厚「２．８６μｍ」とする干渉
フィルタを形成する。この干渉フィルタの分光特性を図
１４に示す。

【００４２】ここで、上記各Ｒ用、Ｇ用、Ｂ用の干渉フ
ィルタを用いた本実施形態の表示装置の構成について説
明する。この表示装置は、アクティブマトリクス方式の
透過型の表示装置である。すなわち、この表示装置は、
各画素内に、各原色に対応して、上記各干渉フィルタ
と、液晶と、同液晶に電圧を印加する一対の電極と、こ
れら一対の電極に印加する電圧を制御する駆動素子とを
備えて構成されている。詳しくは、上記液晶は、電圧無
印加時にそのディレクタが干渉フィルタ面に対して直行
するよう設定されている。図１５に、この表示装置の断
面構成を示す。

【００４３】同図１５に示されるように、透明ガラス基
板１０側には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１が形成
されている。また、このＴＦＴ１１の形成された透明ガ
ラス基板１０の上方にはシリコン酸化膜１２が形成され
ている。このシリコン酸化膜１２上にはＩＴＯからなる
透明電極１３がマトリクス状に形成されている。そし
て、この透明電極１３とＴＦＴ１１のソース１１ｓとが
シリコン酸化膜１２に設けられるコンタクトホール１２
ｃを介して電気的に接続されている。更に、これらシリ
コン酸化膜１２及び透明電極１３上には、ポリイミドか
らなる配向膜１４が形成されている。

【００４４】一方、これと対向する基板（ガラス基板）
２０側には、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応した上記各干渉フィルタ
２１が、上記透明電極１３に対応して形成されている。
ここで、上述した互いに屈折率の異なる誘電体多層膜と
して、屈折率の高い方を酸化チタン（ＴｉＯ２）膜と、
また屈折率の小さい方を酸化シリコン膜とした。そし
て、これら基板２０や干渉フィルタ２１上にＩＴＯから
なる対向電極２２、ポリイミドからなる配向膜２３が順
次積層形成されている。

【００４５】そして、これら透明ガラス基板１０及び基
板２０は、スペーサ（図示略）で基板間距離が一定に保
たれつつ、対向して貼り合わされている。そして、これ
ら透明ガラス基板１０及び基板２０間には、電圧無印加
時にはそのディレクタが干渉フィルタ２１の面に対して
垂直に立つ、誘電率異方性が負のネマティック液晶が封
入されている。

【００４６】そして、透明ガラス基板１０のうち、ＴＦ
Ｔ１１の形成された面に対向する面には、同ＴＦＴ１１
に対応して例えばクロム（Ｃｒ）などの金属やブラック
カーボンなどからなる遮光膜４０が形成されている。そ
して、透明ガラス基板１０の遮光膜４０の形成された面
は保護膜４１で覆われている。

【００４７】上記表示装置によれば、透明ガラス基板１
０側からバックライト（図示略）を用いて液晶３０に光
を入射させるとともに、透明電極１３及び対向電極２２
間の電圧をＴＦＴ１１によって制御することで、階調表
示を行うことができる。しかも、液晶と干渉フィルタの
みによりカラー階調表示が可能となることから、カラー
フィルタ及び偏向板を備える従来の液晶表示装置と比べ
て部品点数を低減させることができる。

【００４８】以下、この表示装置の製造方法について説
明する。すなわち、この一連の製造工程においては、ま
ず図１５に示した透明ガラス基板１０上に、ポリシリコ
ン薄膜１１ｐ、ゲート絶縁膜１１ｆ、ゲート電極１１ｇ
を順次形成する。そして、イオン注入法や熱拡散法を用
いてポリシリコン薄膜１１ｐにソース１１ｓやドレイン
１１ｄを形成する。

【００４９】こうしてＴＦＴ１１を形成した後、透明ガ
ラス基板１０の上方全面にシリコン酸化膜１２を形成
し、更に、このシリコン酸化膜１２にコンタクトホール
１２ｃを形成する。そして、このコンタクトホール１２
ｃに導電物を充填するとともに、これと電気的に接続さ
れる態様にて透明電極１３を形成する。

【００５０】更に、これらの上方全面にポリイミドを塗
布し、熱処理によってこれを硬化させる。そして、この
硬化したポリイミドに配向処理を施すことで、上記配向
膜１４を形成する。

【００５１】一方、基板２０側には、上記各原色に対応
した干渉フィルタ２１をスパッタリングや電子ビーム蒸
着法等によって成膜する。その後、対向電極２２や配向
膜２３を上記透明電極１３や配向膜１４と同様にして形
成する。

【００５２】次に、スペーサ（図示略）によって基板間
距離を一定に保ちつつ、接着性シール材（図示略）を介
して基板２０を透明ガラス基板１０に貼り合せる。そし
て、これら透明ガラス基板１０及び基板２０間に液晶３
０を注入し、封止用樹脂（図示略）にて、透明ガラス基
板１０及び基板２０間の空間を外部に対して封止する。
更に、遮光膜４０、保護膜４１を形成する。

【００５３】以上のように、本実施形態にかかる表示装
置においては、従来の液晶表示装置の製造工程において
必要とされた偏光板の形成工程を削減することができ
る。以上説明した本実施形態によれば、以下の効果が得
られるようになる。

【００５４】（１）各原色に対応した干渉フィルタ２１
と液晶３０とを用いることでカラー階調表示を行うこと
ができる。 （２）干渉フィルタとしてＳＨＷ型ファブリ・ペロー共
振器を備えることで、各原色に対応した特定の波長領域
の光に対する顕著な選択性を上記干渉フィルタに付与す
ることができる。

【００５５】（３）干渉フィルタとしてＳＨＷ型ファブ
リ・ペロー共振器に加えて同共振器の共振波長領域の光
を選択的に透過させる帯域フィルタを更に備えることと
した。これにより、各原色に対応した特定の波長領域以
外の光の透過を的確に抑制することができる。

【００５６】（４）誘電体多層膜型の干渉フィルタを用
いることで、干渉フィルタ内での光の吸収を好適に抑制
することができ、ひいては、光の利用率の高い干渉フィ
ルタを実現できる。

【００５７】（５）液晶３０として、電圧無印加時にそ
のディレクタが干渉フィルタ２１の面に対して垂直とな
るものを用いた。これにより、ノーマリーホワイト型の
表示装置を実現することができる。

【００５８】（第２の実施形態）以下、本発明にかかる
表示装置の第２の実施形態について、上記第１の実施形
態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

【００５９】上記第１の実施形態では、入射角変更部Ｍ
２としてネマティック液晶を用いた。これに対し、本実
施形態では、入射角変更部Ｍ２として高分子分散液晶を
用いる。この高分子分散液晶は、電圧無印加時には同液
晶に入射される光を散乱し、電圧印加時には同液晶が電
界方向に配列するものである。したがって、電圧を印加
すること生成する電界の方向を光の入射方向とすること
で、入射光の散乱態様を電圧の印加によって可変制御す
ることができる。

【００６０】図１６に、本実施形態にかかる表示装置の
断面構造を示す。同図１６に示されるように、この表示
装置は、透明ガラス基板１０及び基板２０間に高分子分
散液晶３１が充填されている。また、この表示装置に
は、配向膜が設けられていない。この表示装置の製造に
関しては、先の第１の実施形態で示した製造工程から、
透明ガラス基板１０及び基板２０に配向膜１４及び２３
を形成する工程を省略する。そして、透明ガラス基板１
０と基板２０とが貼り合わされた後、両者間にモノマー
と液晶との混合液を注入し、透明ガラス基板１０及び基
板２０間の空間を外部に対して封止する。そして、モノ
マーと液晶との混合液に紫外線を照射することで、モノ
マー重合が促進され、直径「1μｍ」ほどの液晶のドロ
ップアウト３２が生成される。

【００６１】以上説明した本実施形態によれば、先の第
１の実施形態の上記（１）〜（４）の効果に加えて更に
以下の効果が得られるようになる。 （６）入射角変更部Ｍ２として高分子分散液晶を用いる
ことで、配向膜を備えることなく入射角変更部Ｍ２を適
切に構成することができる。

【００６２】（第３の実施形態）以下、本発明にかかる
表示装置の第３の実施形態について、上記第１の実施形
態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

【００６３】上記第１の実施形態では、透過型の表示装
置に本発明を適用した。これに対し、本実施形態では、
反射型の表示装置に本発明を適用する。この反射型の表
示装置は、液晶の充填された一対の基板のうちの一方の
基板について、その液晶の充填されている側の面に対向
する面に反射板が形成されたものである。そして、この
場合、反射板の形成されていない側の基板面から入射し
た光によって、同反射板の形成されていない側の基板面
に映像等を表示することができる。

【００６４】図１７に、本実施形態にかかる表示装置の
断面構造を示す。図１７に示されるように、ここでは、
透明ガラス基板１０側にアルミニウム（Ａｌ）等、高反
射率を有する材料からなる反射板５０が設けられてい
る。この表示装置の製造に関しては、先の第１の実施形
態における遮光膜４０や保護膜４１の形成工程を省略
し、代わりに、上記高反射率を有する材料を蒸着、又は
貼り付けることで、反射板５０を形成する。

【００６５】以上説明した本実施形態によれば、先の第
１の実施形態の上記（１）〜（５）の効果を得ることが
できる。 （第４の実施形態）なお、上記第３の実施形態は、以下
のように変更して実施してもよい。

【００６６】・第２の実施形態において示したような高
分子分散液晶を備えた表示装置を反射型にて構成しても
よい。この表示装置の一例を図１８に示す。この表示装
置も、透明ガラス基板１０側にアルミニウム（Ａｌ）
等、高反射率を有する材料からなる反射板５０を備えて
いる。

【００６７】（第１〜第４の実施形態の変形例）上記第
１〜第４の各実施形態は、以下のように変更して実施し
てもよい。 ・表示装置の構成は、図１５〜図１８に例示したものに
限らない。例えば、図１５や図１７に例示した表示装置
において、透明電極１３等の上方全面、対向電極２２等
の上方全面にスピンオングラス膜等を設けて平坦化した
後、配向膜を形成するようにしてもよい。これにより、
配向処理が容易となる。また、干渉フィルタの形成され
た基板やＴＦＴの形成された基板と、バックライトから
の光が入射する側との位置関係についても適宜変更して
よい。

【００６８】・アクティブマトリクス方式にて液晶を駆
動するものに限らず、例えば、単純マトリクス方式にて
液晶を駆動してもよい。 ・Ｒ、Ｇ、Ｂの３原色を用いてフルカラー表示をする表
示装置に限らず、例えば、赤色等、特定の色にて表示を
行う表示装置においても本発明を適用することはでき
る。

【００６９】・また、階調表示を行う表示装置に限ら
ず、２値的な表示を行う表示装置においても本発明を適
用することはできる。 ・液晶については、上記各実施形態で例示したものに限
らない。要は、干渉フィルタに入射する光の入射角を変
更することのできるものであればよい。

【００７０】・また、上記入射角変更部Ｍ２は液晶を備
えた構成に限らず、干渉フィルタに入射する光の入射角
を変更することのできるものであればよい。この際、例
えばこの入射角変更手段自身が発光機能を兼ね備えてい
てもよい。

【００７１】・上記各実施形態では、干渉フィルタ内の
光学的膜厚を、設定波長又はその整数分の１として設定
したがこれに限らない。例えば、多層膜構造において各
層の膜厚に「５％」程度のランダムなばらつきの付与さ
れた構成としてもよい。これにより、例えばリップル
等、上記ＳＨＷ型干渉フィルタから設定波長以外の光が
透過する率を低減することができる。

【００７２】・誘電体多層膜として用いる膜は、上記各
実施形態で例示したものに限らない。ただし、互いの屈
折率が「０．５」以上はなれている２つの膜を用いるこ
とが望ましい。例えば、屈折率の小さい側の膜として、
フッ化マグネシウム（ＭｇＦ ₂：屈折率「１．３
８」）、フッ化トリウム（ＴｈＦ₄：屈折率「１．５
５」）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃：屈折率「１．６
３」）を用いてもよい。また、屈折率の大きな側の膜と
して、窒化シリコン（Ｓｉ₃Ｎ₄：屈折率「２．０」）、
酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂：屈折率「２．０３」）、
酸化ハフニウム（ＨｆＯ₂：屈折率「２．０５」）、酸
化セレン（ＣｅＯ₂：屈折率「２．２５」）、硫化亜鉛
（ＺｎＳ：屈折率「２．３５」）を用いてもよい。

【００７３】・帯域フィルタとしては、上記実施形態で
例示したものに限らず、用いられるＳＨＷ型フィルタ等
のファブリ・ペロー共振器に応じて適宜変更して用いて
よい。

【００７４】・所望の波長領域の光に対する選択性が確
保できれば、帯域フィルタを用いなくてもよい。この選
択性の確保については、用いる多層膜構造の調整のみな
らず、例えば透過型の表示装置において、バックライト
として適切なものを用いることで入射される光の波長分
布を適宜調整することで行ってもよい。

【００７５】・干渉フィルタに特定の波長領域の光を吸
収する色素を含有させたり、干渉フィルタの外部に特定
の波長領域の光を吸収する色素を含有した部材を設けた
りしてもよい。これによっても、上記帯域フィルタと同
様の作用効果を奏することができる。

【００７６】・干渉フィルタとしては、ファブリ・ペロ
ー共振器を備えたものに限らない。要は、入射される光
に対して所定の波長領域の光を選択的に透過させるとと
もに、その入射角が変更されることで透過率が変化する
ものであればよい。また、この際、誘電体多層膜型に限
らない。

【００７７】（第５の実施形態）上記干渉フィルタを用
いた表示装置や、従来の液晶表示装置等の非発光型の表
示装置において、その駆動方式としてアクティブマトリ
クス方式を適用した場合には、駆動素子の形成された部
分とそれ以外の部分とで大きな段差が生じる。このよう
な段差を有したまま配向膜を形成する場合、その配向処
理に不都合をきたすことがある。これに対し、例えばＵ
ＳＰ ５７２１６０１号に見られるように、スピンオン
グラス（ＳＯＧ）を用いて平坦化を行うことで、こうし
た段差を解消する手法が提案され用いられてきた。

【００７８】ところで、ＳＯＧは吸湿性を有し、またガ
スを放出するという性質があるため、同ＳＯＧを平坦化
膜として用いると表示装置としての品位の低下を招くこ
とがある。すなわち、ＳＯＧからガスが放出されること
で、配向膜が劣化したり、同ガスの液晶層への進入によ
って気泡が発生したりして、表示装置としてのコントラ
ストの低下を招くことがある。更に、このガスが駆動素
子としてのトランジスタ等を劣化させることもある。

【００７９】そこで従来、アクティブマトリクス方式の
表示装置内において、平坦化膜として用いられるＳＯＧ
膜の上下にパッシベーション膜を形成するようにしてい
た。図２６に、ＳＯＧ膜の上下にパッシベーション膜の
形成された表示装置を示す。同図２６に示されるよう
に、ガラス基板２１０上には、駆動素子としての薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）２２０が形成されている。このＴ
ＦＴ２２０は、ポリシリコン層２２０ｐに形成されてい
るソース２２０ｓやドレイン２２０ｄ、チャネル２２０
ｃ、更にチャネル２２０ｃ上に形成されているゲート酸
化膜２２０ｆ、ゲート電極２２０ｇ等を備えて構成され
ている。更に、ガラス基板２１０及びＴＦＴ２２０上に
は、層間絶縁膜２３０が形成されている。そして、この
層間絶縁膜２３０には、コンタクトホール２３１、２３
２内に充填された導電物を介してソース２２０ｓ、ドレ
イン２２０ｄがそれぞれ配線２３３、２３４と電気的に
接続されている。

【００８０】これら、層間絶縁膜２３０や配線２３３、
２３４上には、パッシベーション膜２４０を介して、ガ
ラス基板２１０上方を平坦化するためのＳＯＧ膜２４１
が形成されている。そして、このＳＯＧ膜２４１の上方
は、パッシベーション膜２５０にて覆われている。

【００８１】このパッシベーション膜２４０、２５０の
材質としては、まず、ノンドープ酸化珪素（ＮＳＧ）膜
や、シリコン窒化膜（Ｓｉ₃Ｎ₄）が考えられる。しか
し、Ｓｉ₃Ｎ₄膜は、膜の応力が大きいためにあまり厚く
できないこと、更に、成膜方法としてプラズマＣＶＤな
どが用いられるために、成膜時に駆動素子を劣化させて
しまうこと、などの問題があった。このため、通常、Ｎ
ＳＧ膜が用いられてきた。

【００８２】ただし、パッシベーション膜２５０の上部
には、通常、ＩＴＯ等からなる透明電極が形成される
が、この透明電極を形成すべく透明電極材料をドライエ
ッチングすると、ＮＳＧ膜からなるパッシベーション膜
２５０も同時にエッチングされる。これに対し、パッシ
ベーション膜としての機能を保つべくエッチング後のそ
の膜厚を「１５００Å」以上とするためには、透明電極
形成時のエッチングを考慮してＮＳＧ膜の膜厚を厚くす
る必要があった。

【００８３】しかし、ＮＳＧ膜は、「３５００Å」以上
に厚くすると、同ＮＳＧ膜の臨界膜厚となり、その後の
工程においてひびが入るおそれがある。このように、ア
クティブマトリクス方式の表示装置においては、その品
位を保つことのできる適切なパッシベーション膜が求め
られていた。

【００８４】そこで、本実施形態では、アクティブマト
リクス方式の表示装置において、以下の特徴を有して、
その表示品位を確保することのできるパッシベ-ション
膜を形成する。

【００８５】図２１に、本実施形態にかかる表示装置の
構成を示す。この図２１においては、先の図２６と同一
については便宜上、同一の符号を付した。同図２１に示
されるように、先の図２６同様、ノンドープ酸化珪素
（ＮＳＧ）からなるパッシベーション膜２４０上に、平
坦化膜としてＳＯＧ膜２４１が回転塗布形成されてい
る。その上層には、パッシベーション膜２６０及びＩＴ
Ｏからなる透明電極２７０が形成されている。そして、
この透明電極２７０は、パッシベーション膜２６０、Ｓ
ＯＧ膜２４１、パッシベーション膜２４０に形成された
コンタクトホール２７１内に充填された導電物を介して
配線２３３と電気的に接続されている。

【００８６】上記パッシベーション膜２６０は、ＳＯＧ
膜２４１側から順に、膜厚「１５００Å」のＮＳＧ膜２
６１、膜厚「１０００Å」のＢＰＳＧ膜２６２、膜厚
「１０００Å」のＮＳＧ膜２６３の３層からなる。ここ
で、ＢＰＳＧ膜２６２は、ボロンの酸化物及びリンの酸
化物が添加された酸化珪素膜である。このように、ＮＳ
Ｇ膜２６１、２６３の間にＢＰＳＧ膜２６２を設けるこ
とで、上記ひび割れ等の問題を回避しつつも、パッシベ
ーション膜２６０としての膜厚を十分に厚いものとする
ことができ、パッシベート機能を十分に確保することが
できる。

【００８７】こうして形成されたパッシベーション膜２
６０においては、同図２１に示されるように、透明電極
２７０のパターン形成後においもＮＳＧ膜２６１をほぼ
エッチングされないまま残すことができる。ちなみに、
透明電極２７０のパターン形成におけるドライエッチン
グ条件は、臭化水素（ＨＢｒ）によるメインエッチング
の後、塩素（Ｃｌ２）によるオ-バーエッチングを行う
というものである。この透明電極２７０のパターン形成
は、上記条件によるエッチングとその後の表面処理によ
って行われる。

【００８８】以上説明した本実施形態によれば、以下の
効果が得られるようになる。 （７）パッシベーション膜２６０を、ＮＳＧ膜２６１、
２６３とその間のＢＰＳＧ膜２６２とによって形成し
た。これにより、上記ひび割れ等の問題を生じることな
く十分な膜厚にてパッシベーション膜を形成することが
できる。

【００８９】（８）パッシベーション膜２６０の最下層
の膜であるＮＳＧ膜の膜厚を「１５００Å」とした。こ
れにより、透明電極２７０の形成時において透明電極２
７０の形成されていない領域のＢＰＳＧ膜２６２やＮＳ
Ｇ膜２６３がエッチング除去された後、同領域において
もパッシベーション膜としての機能を十分に維持するこ
とができる。

【００９０】なお、上記第５の実施形態は、以下のよう
に変更して実施してもよい。・パッシベーション膜２６
０において、ＮＳＧ膜２６１及び２６３間に設ける層と
しては、上記ＢＰＳＧ膜２６２に限らない。例えば、図
２２に示すように、ＰＳＧ膜２６５を用いてもよい。こ
れは、リンの酸化物を添加した酸化珪素膜を同じく膜厚
「１０００Å」にて形成したものである。また、例え
ば、図２３に示されるように、ＢＳＧ膜２６６を用いて
もよい。これは、ボロンの酸化物を添加した酸化珪素膜
を同じく膜厚「１０００Å」にて形成したものである。

【００９１】（第６の実施形態）上記第５の実施形態で
は、パッシベーション膜２６０を、ＮＳＧ膜２６１、２
６３とその間のＢＰＳＧ膜２６２とによって形成するこ
とで、上記ひび割れ等の問題を生じることなく十分な膜
厚を確保した。ただし、こうしたパッシベーション膜２
６０を形成した場合、先の図２１に示したように、透明
電極２７０の形成後、ＢＰＳＧ膜２６２の一部の側面が
露出することとなる。

【００９２】そこで、本実施形態では、ＢＰＳＧ膜の上
層に、透明電極２７０の形成時において用いられるエッ
チングに対し、ＮＳＧ膜やＢＰＳＧ膜と比較して選択比
の大きな膜を形成する。詳しくは、本実施形態では、窒
化シリコン（Ｓｉ₃Ｎ₄）膜を用いる。これにより、透明
電極２７０の形成時、このＳｉ₃Ｎ₄膜の上層のＮＳＧ膜
がエッチングされるとはいえ、このエッチングは、同Ｓ
ｉ₃Ｎ₄膜内でとまる。したがって、ＢＰＳＧ膜が露出す
ることを回避することができる。

【００９３】図２４に、本実施形態のパッシベーション
膜２６０ｎの断面構成を示す。図２４に示されるよう
に、パッシベーション膜２６０ｎは、ＳＯＧ膜２４１側
から順に、膜厚「１５００Å」のＮＳＧ膜２６１、膜厚
「１０００Å」のＢＰＳＧ膜２６２、膜厚「５００Å」
のＳｉ₃Ｎ₄膜２６７、膜厚「１０００Å」のＮＳＧ膜２
６３の４層からなる。

【００９４】以上説明した本実施形態によれば、以下の
効果が得られるようになる。 （９）ＢＰＳＧ膜の上層に、窒化シリコン（Ｓｉ₃Ｎ₄）
膜を設けてパッシベーション膜２６０ｎを形成したため
に、透明電極２７０の形成時にＢＰＳＧ膜が露出するこ
とを回避することができる。

【００９５】なお、上記第６の実施形態は、以下のよう
に変更して実施してもよい。 ・ＢＰＳＧ膜の代わりに、上記第６の実施形態の変形例
として例示したＰＳＧ膜やＢＳＧ膜を用いてもよい。

【００９６】その他、上記第５及び第６の実施形態及び
その変形例は、以下のように変更して実施してもよい。
・上記ＮＳＧ膜２６１、２６３、ＢＰＳＧ膜２６２、Ｐ
ＳＧ膜２６５、ＢＳＧ膜２６６、Ｓｉ₃Ｎ₄膜２６７の膜
厚については、パッシベーション膜としての機能を維持
することのできる範囲で適宜変更してよい。

【００９７】・パッシベーション膜の構造としては、上
記各実施形態及びその変形例に記載さたものに限らな
い。その最上層と最下層とがＮＳＧ膜で形成され、それ
らの間に、リンの酸化物及びボロンの酸化物の少なくと
も一方の添加された酸化珪素膜とＮＳＧ膜との多層膜が
備えられたものであってもよい。この際、これら多層膜
よりも選択比の大きな膜を更に備える場合には、以下の
配置態様にて形成すればよい。 ｘ．リンの酸化物及びボロンの酸化物の少なくとも一方
の添加された酸化珪素膜のうちの最上層の膜の上層に形
成する。 ｙ．上記最上層のＮＳＧ膜に隣接してその下層に形成す
る。

【００９８】（第７の実施形態）上記第５の実施形態で
は、パッシベーション膜２６０を、ＮＳＧ膜２６１、２
６３とその間のＢＰＳＧ膜２６２とによって形成するこ
とで、上記ひび割れ等の問題を生じることなく十分な膜
厚を確保した。これに対し、本実施形態では、図２５に
示されるように、ＮＳＧ膜を積層形成することでパッシ
ベーション膜２８０を形成する。このように、上記臨界
膜厚よりも十分に薄いＮＳＧ薄膜を積層形成すること
で、ＮＳＧ膜を単層で形成した場合と比較してその積層
形成されたＮＳＧ膜の臨界膜厚を増大させることができ
る。

【００９９】以上説明した本実施形態によれば、以下の
効果が得られるようになる。 （１０）上記臨界膜厚よりも十分に薄いＮＳＧ薄膜を積
層形成することで、ＮＳＧ膜を単層で形成した場合と比
較して積層形成されたＮＳＧ膜の臨界膜厚を増大させる
ことができる。これにより、ＮＳＧのみを用いてパッシ
ベーション膜を形成した場合であれ、透明電極１７０形
成後においても、パッシベート効果を維持した膜を実現
することができる。

【０１００】なお、上記第７の実施形態は、以下のよう
に変更して実施してもよい。 ・例えば、Ｓｉ₃Ｎ₄膜等、透明電極の形成時において用
いられるエッチングに対し、ＮＳＧ膜と比較して選択比
の大きな膜を間に設けてもよい。

【０１０１】上記第５〜第７の実施形態及びその変形例
から把握することのできる技術思想としては、以下のも
のがある。 （１）駆動素子の形成された透明基板上を平坦化すべく
平坦化膜が形成されるとともに、該平坦化膜上にパッシ
ベーション膜を介して透明電極の形成された表示装置に
おいて、前記パッシベーション膜は、その最上層及び最
下層としてのノンドープ酸化珪素膜と、リンの酸化物及
びボロンの酸化物の少なくとも一方をドープした酸化珪
素膜とを備えてなることを特徴とする表示装置。

【０１０２】上記構成によれば、リンの酸化物及びボロ
ンの酸化物の少なくとも一方をドープした酸化珪素膜を
備えることで、ひび割れ等を生じることなく、パッシベ
ーション膜の膜厚を厚くすることができる。したがっ
て、透明電極の形成時にこのパッシベーション膜の上面
がエッチングされる場合であれ、表示品位を保つことの
できるパッシベーション膜を実現することができるよう
になる。

【０１０３】（２）前記パッシベーション膜は、リンの
酸化物及びボロンの酸化物の少なくとも一方をドープし
た酸化珪素膜の上層の膜として前記透明電極の形成に用
いるエッチングに対して選択比の確保できるエッチング
ストップ膜を更に備える（１）記載の表示装置。

【０１０４】上記構成によれば、透明電極の形成に用い
るエッチングに対して選択比の確保できるエッチングス
トップ膜を備えることで、透明電極形成後においても、
リンの酸化物及びボロンの酸化物の少なくとも一方をド
ープした酸化珪素膜の露出を回避することができる。

【０１０５】（３）駆動素子の形成された透明基板上を
平坦化すべく平坦化膜が形成されるとともに、該平坦化
膜上にパッシベーション膜を介して透明電極の形成され
た表示装置において、前記パッシベーション膜は、ノン
ドープ酸化珪素膜が積層形成されてなることを特徴とす
る表示装置。

【０１０６】積層形成されたノンドープ酸化珪素膜のト
ータルの臨界膜厚は、単層のノンドープ酸化珪素膜の臨
界膜厚よりも厚くなる。この点、上記構成によれば、ノ
ンドープ酸化珪素膜を積層形成してパッシベーション膜
が形成されているために、単層のノンドープ酸化珪素膜
の臨界膜厚よりも厚い膜厚にてパッシベーション膜を形
成することができる。

【０１０７】（４）前記パッシベーション膜は、前記積
層形成されたノンドープ酸化珪素膜の間に前記透明電極
の形成に用いるエッチングに対して選択比の確保できる
エッチングストップ膜を更に備える（３）記載の表示装
置。

【０１０８】上記構成によれば、透明電極形成時におい
て、ノンドープ酸化珪素膜のエッチング量を低減させる
ことができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる表示装置の第１の実施形態につ
いて、その概念的な構成を示す図。

【図２】ファブリ・ペロー共振器の断面図。

【図３】ＳＨＷ型干渉フィルタの断面図。

【図４】ＳＨＷ型干渉フィルタの分光特性を示す図。

【図５】ＳＨＷ型フィルタの分光特性を示す図。

【図６】ＳＨＷ型フィルタの分光特性を示す図。

【図７】ＳＨＷ型フィルタの分光特性を示す図。

【図８】帯域フィルタの構成を示す断面図。

【図９】ＳＷＰ型フィルタの分光特性を示す図。

【図１０】ＬＷＰ型フィルタの分光特性を示す図。

【図１１】上記実施形態におけるＧ用干渉フィルタの分
光特性を示す図。

【図１２】Ｇ用干渉フィルタの分光特性を示す図。

【図１３】上記実施形態におけるＢ用干渉フィルタの分
光特性を示す図。

【図１４】上記実施形態におけるＲ用干渉フィルタの分
光特性を示す図。

【図１５】上記実施形態の構成を示す断面図。

【図１６】本発明にかかる表示装置の第２の実施形態に
ついて、その構成を示す断面図。

【図１７】本発明にかかる表示装置の第３の実施形態に
ついて、その構成を示す断面図。

【図１８】本発明にかかる表示装置の第４の実施形態に
ついて、その構成を示す断面図。

【図１９】従来の透過型液晶表示装置の構成を示す断面
図。

【図２０】従来の反射型液晶表示装置の構成を示す断面
図。

【図２１】第５の実施形態の表示装置の構成を示す断面
図。

【図２２】同実施形態の変形例におけるパッシベーショ
ン膜の断面図。

【図２３】同実施形態の変形例におけるパッシベーショ
ン膜の断面図。

【図２４】第６の実施形態の表示装置の構成を示す断面
図。

【図２５】第７の実施形態の表示装置の構成を示す断面
図。

【図２６】従来の表示装置の構成を示す断面図。

【符号の説明】

１０…透明ガラス基板、１１…薄膜トランジスタ、１１
ｄ…ドレイン、１１ｃ…チャネル、１１ｓ…ソース、１
１ｐ…ポリシリコン薄膜、１１ｆ…ゲート絶縁膜、１１
ｇ…ゲート電極、１２…シリコン酸化膜、１３…透明電
極、１４…配向膜、２０…基板、２１…干渉フィルタ、
２２…対向電極、２３…配向膜、３０…液晶、３１…高
分子分散液晶、３２…ドロップアウト、４０…遮光膜、
４１…保護膜、５０…反射板、２１０…ガラス基板、２
２０…薄膜トランジスタ、２２０ｄ…ドレイン、２２０
ｃ…チャネル、２２０ｓ…ソース、２２０ｐ…ポリシリ
コン薄膜、２２０ｆ…ゲート絶縁膜、２２０ｇ…ゲート
電極、２３０…層間絶縁膜、２３１、２３２…コンタク
トホール、２３３，２３４…配線、２４０…パッシベー
ション膜、２４１…ＳＯＧ膜、２５０，２６０，２６０
ｎ…パッシベーション膜、２６１、２６３…ＮＳＧ膜、
２６２…ＢＰＳＧ膜、２６５…ＰＳＧ膜、２６６…ＢＳ
Ｇ膜、２６７…Ｓｉ₃Ｎ₄膜、２７０…透明電極、２７１
…コンタクトホール、２８０…パッシベーション膜。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H079 AA02 BA01 CA21 DA08 KA20 2H091 FA02Y FA08X FA08Z FA14Y FA34Y FA41Z GA01 GA06 GA08 GA13 5C094 AA44 AA45 BA03 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 DB04 EA04 EA07 EB02 ED03 ED11 ED14 ED15

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】連続あるいは不連続に分布した光の中から
   特定の波長領域の光を取り出す干渉フィルタと、該干渉
   フィルタに入射する光の入射角を変更する入射角変更手
   段とを備え、前記光の入射角の変更に伴う前記干渉フィ
   ルタの透過率の変化によって輝度変更を行う表示装置。
2. 【請求項２】前記干渉フィルタが、スペーサとこれを挟
   む反射膜とからなるファブリ・ペロー共振器を備えてな
   る請求項1記載の表示装置。
3. 【請求項３】前記反射膜が、互いに屈折率の異なる膜が
   交互に形成されてなる請求項２記載の表示装置。
4. 【請求項４】前記干渉フィルタは、前記ファブリ・ペロ
   ー共振器による共振波長に対応してこの波長領域の光を
   選択的に透過する帯域フィルタを更に備える請求項２又
   は３記載の表示装置。
5. 【請求項５】前記帯域フィルタは、レーザーミラー（Ｌ
   Ｍ）型フィルタ、及びロングウェイブパス（ＬＷＰ）型
   フィルタ、及びショートウェイブパス（ＳＷＰ）型フィ
   ルタの少なくとも１つからなる請求項４記載の表示装
   置。
6. 【請求項６】前記干渉フィルタが誘電体多層膜型からな
   る請求項１〜５のいずれかに記載の表示装置。
7. 【請求項７】特定の波長領域の光を吸収する手段を更に
   備える請求項１〜６のいずれかに記載の表示装置。
8. 【請求項８】前記入射角変更手段が液晶である請求項１
   〜７のいずれかに記載の表示装置。
9. 【請求項９】請求項１〜８のいずれかに記載の表示装置
   において、前記干渉フィルタとして、３原色に対応した
   波長の光を選択的に透過する各別のフィルタを備えるこ
   とを特徴とする表示装置。