JP2003023207A - Semiconductor laser assembly - Google Patents

Semiconductor laser assembly

Info

Publication number
JP2003023207A
JP2003023207A JP2001209794A JP2001209794A JP2003023207A JP 2003023207 A JP2003023207 A JP 2003023207A JP 2001209794 A JP2001209794 A JP 2001209794A JP 2001209794 A JP2001209794 A JP 2001209794A JP 2003023207 A JP2003023207 A JP 2003023207A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
heat sink
units
solder
laser assembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001209794A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hirobumi Suga
博文 菅
Kazunori Kuroyanagi
和典 黒柳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Priority to JP2001209794A priority Critical patent/JP2003023207A/en
Publication of JP2003023207A publication Critical patent/JP2003023207A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser assembly which has good assembling workability and which can surely assure a conductivity between semiconductor laser arrays. SOLUTION: The semiconductor laser assembly 1 comprises a plurality of stages of semiconductor laser units 4 laminated in such a manner that the units 4 mount semiconductor laser arrays 3 and sub-mount bases 6 on heat sinks 2. The assembly 1 further comprises solder housing units 17 provided at positions opposed to upper surfaces of the adjacent bases 6 on lower surface sides of the sinks 2 of the units 4. The units 17 can be adopted by laminating and positioning the units 4 at the time of an assembling work, then heating solders 18 in the housing units 17, joining the bases 6 to the adjacent sinks 2, and simultaneously electrically connecting the bases 6 to the sinks 2.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、固定レーザの励起
や微細加工処理等の光源として利用される半導体レーザ
組立体に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser assembly used as a light source for pumping a fixed laser, fine processing, or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から一般的に利用されているこの種
の半導体レーザ組立体では、半導体レーザアレイの出射
面上に複数のレーザ出射点が設けられている。また、半
導体レーザアレイは、その上面及び下面を一対のサブマ
ウントベースで挟み込み、この状態で半導体レーザアレ
イをヒートシンク上に配置させている。更に、半導体レ
ーザアレイからのレーザ光を集光させる目的で、ロッド
レンズからなる集光レンズをヒートシンク上に接着剤を
介して固定させている。このように、ヒートシンク上に
おいて、半導体レーザアレイをサブマウントベースで挟
むような半導体レーザユニットを構成させ、これをハウ
ジング内で多段に積層させることで、半導体レーザ組立
体が構成される。
2. Description of the Related Art In this type of semiconductor laser assembly that has been generally used, a plurality of laser emission points are provided on the emission surface of a semiconductor laser array. The upper and lower surfaces of the semiconductor laser array are sandwiched by a pair of submount bases, and the semiconductor laser array is placed on the heat sink in this state. Further, for the purpose of condensing the laser light from the semiconductor laser array, a condensing lens made of a rod lens is fixed on the heat sink via an adhesive. As described above, the semiconductor laser unit is formed by sandwiching the semiconductor laser array between the submount bases on the heat sink, and by stacking the semiconductor laser units in multiple stages in the housing, a semiconductor laser assembly is formed.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の半導体レーザ組立体には、次のような課題が存
在している。すなわち、組立て時に半導体レーザユニッ
トを多段に積層させるにあたり、導電性クッション材を
介して互いのユニットを接合させているが、組立て作業
性が悪く、半導体レーザアレイ間の導電性を確実に確保
させることが困難であった。
However, the above-mentioned conventional semiconductor laser assembly has the following problems. That is, when the semiconductor laser units are stacked in multiple stages at the time of assembly, the units are joined to each other via the conductive cushion material, but the assembly workability is poor and the conductivity between the semiconductor laser arrays must be ensured reliably. Was difficult.

【0004】本発明は、上述の課題を解決するためにな
されたもので、特に、組立て作業性を良好にし、しかも
半導体レーザアレイ間の導電性を確実に確保させるよう
にした半導体レーザ組立体を提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and in particular, a semiconductor laser assembly is provided in which the assembling workability is improved and the conductivity between the semiconductor laser arrays is surely secured. The purpose is to provide.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体レー
ザ組立体は、前面の長手方向に沿って複数のレーザ出射
点を配列させた半導体レーザアレイと、半導体レーザア
レイの上面に当接させたサブマウントベースと、上面側
に半導体レーザアレイを配置させたヒートシンクとを有
する半導体レーザユニットを複数段積層させた半導体レ
ーザ組立体であって、ヒートシンクの下面側には、サブ
マウントベースの上面に対面する位置にハンダ収容部を
設け、ハンダ収容部内のハンダによって、サブマウント
ベースとこれに隣接するヒートシンクとを電気的に導通
させたことを特徴とする。
In the semiconductor laser assembly according to the present invention, a semiconductor laser array in which a plurality of laser emission points are arranged along the longitudinal direction of the front surface is brought into contact with the upper surface of the semiconductor laser array. A semiconductor laser assembly in which a plurality of semiconductor laser units each having a submount base and a heat sink having a semiconductor laser array arranged on the upper surface side are stacked, wherein the lower surface side of the heat sink faces the upper surface of the submount base. It is characterized in that a solder accommodating portion is provided at a position where the sub-mount base and the heat sink adjacent thereto are electrically connected by the solder in the solder accommodating portion.

【0006】この半導体レーザ組立体においては、半導
体レーザユニットを複数段積層させた構成を有するもの
であり、各半導体レーザユニットは、ヒートシンク上に
半導体レーザアレイ及びサブマウントベースを搭載させ
たものである。このような半導体レーザユニットのヒー
トシンクの下面側には、隣接するサブマウントベースの
上面に対面する位置にハンダ収容部が設けられている。
このようなハンダ収容部の採用は、組立て作業時におい
て、各半導体レーザユニットを積層させて位置決めした
後に、ハンダ収容部内のハンダを加熱することで、サブ
マウントベースとこれに隣接するヒートシンクとを接合
させると同時に電気的に導通させることを可能にするも
のである。従って、このような位置にハンダ収容部を設
けることは、ハンダを利用した半導体レーザアレイ間の
確実な導電性の確保を達成し、半導体レーザユニットを
多段に積層させる際の組立て作業性の向上を図る。この
ことは、半導体レーザ組立体の大量生産の一助をなすも
のである。
This semiconductor laser assembly has a structure in which a plurality of semiconductor laser units are stacked in layers, and each semiconductor laser unit has a semiconductor laser array and a submount base mounted on a heat sink. . On the lower surface side of the heat sink of such a semiconductor laser unit, a solder accommodating portion is provided at a position facing the upper surface of the adjacent submount base.
When such a solder accommodating portion is adopted, during assembly work, the semiconductor laser units are stacked and positioned, and then the solder in the solder accommodating portion is heated to bond the submount base and the heat sink adjacent thereto. At the same time, it enables electrical conduction. Therefore, by providing the solder accommodating portion at such a position, it is possible to secure reliable conductivity between the semiconductor laser arrays using the solder and improve the assembly workability when stacking the semiconductor laser units in multiple stages. Try. This helps in the mass production of semiconductor laser assemblies.

【0007】また、ヒートシンクの前側に半導体レーザ
アレイを配置させ、ヒートシンクの下面におけるコーナ
部分を切除して、ハンダ収容部を形成すると好適であ
る。このような位置にハンダ収容部を形成させること
で、組立て作業時において、半導体レーザユニットを積
層させて位置決めした状態で、ハンダ収容部内にハンダ
を簡単に収容させることができる。よって、組立て作業
効率を一層高めることができる。
Further, it is preferable that the semiconductor laser array is arranged on the front side of the heat sink and the corner portion on the lower surface of the heat sink is cut off to form the solder accommodating portion. By forming the solder accommodating portion at such a position, the solder can be easily accommodated in the solder accommodating portion in a state where the semiconductor laser units are stacked and positioned during assembly work. Therefore, the assembly work efficiency can be further improved.

【0008】また、隣接するヒートシンク間に電気絶縁
性部材を配置させ、電気絶縁性部材には、ヒートシンク
の内部に形成した媒体通路の入口部と出口部に連通させ
る開口部が設けられると好適である。電気絶縁性部材を
ヒートシンク間に配置させる結果として、ヒートシンク
間の直接的な電気的導通を回避させ、これによって、外
部から印加させる電流を、各半導体レーザアレイに効率
良く流すことが可能となる。
Further, it is preferable that an electrically insulating member is arranged between the adjacent heat sinks, and the electrically insulating member is provided with an opening communicating with the inlet and the outlet of the medium passage formed inside the heat sink. is there. As a result of arranging the electrically insulating member between the heat sinks, direct electrical conduction between the heat sinks is avoided, and thus it becomes possible to efficiently pass an externally applied current to each semiconductor laser array.

【0009】また、積層させた状態の各ヒートシンクを
ネジ手段が貫通することによって、半導体レーザユニッ
トを相互に固定させると好適である。ネジ手段の採用に
よって、各半導体レーザユニットを積層させた状態で確
実に固定させることができる。
Further, it is preferable that the semiconductor laser units are fixed to each other by the screw means penetrating the heat sinks in the laminated state. By employing the screw means, the semiconductor laser units can be securely fixed in a stacked state.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明に
係る半導体レーザ組立体の好適な実施形態について詳細
に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of a semiconductor laser assembly according to the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0011】図1に示すように、半導体レーザ組立体1
は、導電性及び熱伝導性に優れた材質からなるヒートシ
ンク2上に平板状の半導体レーザアレイ3を搭載させた
半導体レーザユニット4を複数段(この場合2段)積層
させたものである。図2に示すように、この半導体レー
ザアレイ3の前面5上には、長手方向に沿って多数のレ
ーザ出射点3aを一直線上に配列させている。各半導体
レーザアレイ3は、GaAs等からなる化合物半導体か
ら構成されており、発光領域の大きさが100μm×2
μm程度のレーザ出射点3aを有している。
As shown in FIG. 1, a semiconductor laser assembly 1
Is a semiconductor laser unit 4 having a flat semiconductor laser array 3 mounted on a heat sink 2 made of a material having excellent conductivity and thermal conductivity, which is stacked in a plurality of stages (two stages in this case). As shown in FIG. 2, on the front surface 5 of the semiconductor laser array 3, a large number of laser emission points 3a are arranged in a straight line along the longitudinal direction. Each semiconductor laser array 3 is made of a compound semiconductor such as GaAs, and has a light emitting region of 100 μm × 2.
It has a laser emission point 3a of about μm.

【0012】また、1個の半導体レーザアレイ3の上面
3b及び下面3cには、上側のサブマウントベース(別
名「カバープレート」)6及び下側のサブマウントベー
ス7がハンダ付けによって上下から挟み込むようにそれ
ぞれ接合されている。この上側及び下側のサブマウント
ベース6,7は、銅、銅タングステン、モリブデンなど
からなる導電性及び熱伝導性に優れた材質で形成されて
いる。
Further, the upper submount base (also known as "cover plate") 6 and the lower submount base 7 are sandwiched from above and below by the upper surface 3b and the lower surface 3c of one semiconductor laser array 3, respectively. Are joined to each. The upper and lower submount bases 6 and 7 are made of a material such as copper, copper tungsten, molybdenum, etc., which is excellent in electrical conductivity and thermal conductivity.

【0013】図3〜図5に示すように、半導体レーザア
レイ3は、下側のサブマウントベース7をヒートシンク
2の上面2aにハンダ付けすることによって、ヒートシ
ンク2上に搭載させる。また、ヒートシンク2の内部に
は、半導体レーザアレイ3を冷却するための媒体通路9
が形成され、この媒体通路9は、ヒートシンク2の内部
で後ろ側から前側にかけてU字状に延在し、ヒートシン
ク2の上面2aには、媒体通路9の入口部10と出口部
11とが形成されている。したがって、外部の媒体供給
源(図示せず)から媒体通路9内に媒体(例えば冷却
水)を圧送することで、各ヒートシンク2内で冷却水が
流動することになる。これによって、各半導体レーザア
レイ3が冷却される。
As shown in FIGS. 3 to 5, the semiconductor laser array 3 is mounted on the heat sink 2 by soldering the lower submount base 7 to the upper surface 2a of the heat sink 2. In addition, inside the heat sink 2, a medium passage 9 for cooling the semiconductor laser array 3 is provided.
The medium passage 9 extends in a U shape from the rear side to the front side inside the heat sink 2, and the inlet portion 10 and the outlet portion 11 of the medium passage 9 are formed on the upper surface 2a of the heat sink 2. Has been done. Therefore, by pumping a medium (for example, cooling water) from the external medium supply source (not shown) into the medium passage 9, the cooling water flows in each heat sink 2. As a result, each semiconductor laser array 3 is cooled.

【0014】更に、ヒートシンク2の上面2aには、入
口部10と出口部11とを包囲するようにして、電気絶
縁性の部材12が固定されている。更に、電気絶縁性部
材12には、媒体通路9の入口部10と出口部11に連
通させる左右一対の開口部13が設けられている。そし
て、各開口部13によって、隣接するヒートシンク2内
の媒体通路9同士を連結させ、媒体通路9を半導体レー
ザ組立体1内で直列に形成させている。また、隣接する
ヒートシンク2間に電気絶縁性部材12を配置させる結
果として、ヒートシンク2間の直接的な電気的導通を回
避させ、これによって、外部から印加させる電流が、半
導体レーザアレイ3の積層方向に沿って効率良く流れる
ようにしている。
Further, an electrically insulating member 12 is fixed to the upper surface 2a of the heat sink 2 so as to surround the inlet portion 10 and the outlet portion 11. Further, the electrically insulating member 12 is provided with a pair of left and right openings 13 that communicate with the inlet portion 10 and the outlet portion 11 of the medium passage 9. Then, the medium passages 9 in the adjacent heat sinks 2 are connected to each other by the openings 13, and the medium passages 9 are formed in series in the semiconductor laser assembly 1. In addition, as a result of disposing the electrically insulating member 12 between the adjacent heat sinks 2, direct electrical conduction between the heat sinks 2 is avoided, so that an externally applied current is applied in the stacking direction of the semiconductor laser arrays 3. It is designed to efficiently flow along.

【0015】この電気絶縁性部材12は、ポリイミド等
からなるスペーサ14と、このスペーサ14の内部に装
填したシリコンゴム、ウレタンゴム等からなる電気絶縁
性のクッション材15とからなり、クッション材15に
は、媒体通路9の入口部10と出口部11に連通させる
左右一対の開口部13が形成されている。そして、この
クッション材15は、ヒートシンク2間を流動する媒体
の漏れを防止するために、ヒートシンク2に密着させて
いる(図1参照)。
The electrically insulating member 12 is composed of a spacer 14 made of polyimide or the like and an electrically insulating cushion material 15 made of silicon rubber, urethane rubber or the like loaded in the spacer 14, Has a pair of left and right openings 13 communicating with the inlet 10 and the outlet 11 of the medium passage 9. The cushion material 15 is in close contact with the heat sink 2 in order to prevent the medium flowing between the heat sinks 2 from leaking (see FIG. 1).

【0016】図4及び図6に示すように、ヒートシンク
2の前側に半導体レーザアレイ3を配置させた状態にお
いて、ヒートシンク2の下面2b側には、隣接するサブ
マウントベース6の上面6aに対面する位置においてハ
ンダ収容部17が設けられている。このハンダ収容部1
7は、ヒートシンク2の下面2bにおける前側のコーナ
ー部分16を、サブマウントベース6の長手方向に沿っ
て切除することにより、三角柱状に形成させている。
As shown in FIGS. 4 and 6, in the state where the semiconductor laser array 3 is arranged on the front side of the heat sink 2, the lower surface 2b side of the heat sink 2 faces the upper surface 6a of the adjacent submount base 6. The solder accommodating portion 17 is provided at the position. This solder container 1
7 is formed in a triangular prism shape by cutting the front corner portion 16 on the lower surface 2b of the heat sink 2 along the longitudinal direction of the submount base 6.

【0017】そして、組立て作業時において、隣接する
ヒートシンク2同士によって電気絶縁性部材12を挟み
込んだ状態で、半導体レーザユニット4を積層させ、各
半導体レーザユニット4を位置決めした後に、ハンダ収
容部17内に前方から棒状又は球状の導電性ハンダ18
を装填させる。なお、このハンダ18は、半導体レーザ
アレイ3、サブマウントベース6,7及びヒートシンク
2のそれぞれを接合させるハンダより低融点である。そ
の後、ハンダ収容部17内のハンダ18を外部から加熱
することによってハンダ18を溶融させ、サブマウント
ベース6とこれに隣接するヒートシンク2とを、ハンダ
18により接合させると同時に電気的に導通させる(図
1参照)。これによって、ハンダ18を利用した半導体
レーザアレイ3間の確実な導電性の確保が達成され、半
導体レーザユニット4を多段に積層させる際の組立て作
業性の向上が図られ、このことは、半導体レーザ組立体
1の大量生産の一助をなすものである。
During the assembling work, the semiconductor laser units 4 are stacked with the electrically insulating member 12 sandwiched between the adjacent heat sinks 2 and the respective semiconductor laser units 4 are positioned, and then, inside the solder accommodating portion 17. From the front to the rod-shaped or spherical conductive solder 18
To load. The solder 18 has a lower melting point than the solder that joins the semiconductor laser array 3, the submount bases 6, 7 and the heat sink 2. Thereafter, the solder 18 in the solder accommodating portion 17 is externally heated to melt the solder 18, and the submount base 6 and the heat sink 2 adjacent thereto are joined by the solder 18 and at the same time electrically connected ( (See FIG. 1). As a result, reliable conductivity between the semiconductor laser arrays 3 using the solder 18 is achieved, and assembly workability when stacking the semiconductor laser units 4 in multiple stages is improved. This is to help mass production of the assembly 1.

【0018】ここで、縦方向に積層させた半導体レーザ
ユニット4を互いに確実に固定させるために、図3及び
図7に示すように、ネジ手段20が利用される。各ヒー
トシンク2には、媒体通路9の入口部10と出口部11
との間において、ネジ手段20の雄ねじ部26を挿入さ
せるためのネジ挿入孔25が貫通するように形成されて
いる。そして、ネジ挿入孔25内に雄ねじ部26を挿入
させ、外部に露出した雄ねじ部26の先端に雌ねじ部2
7を螺合させることで、ネジ手段20により半導体レー
ザユニット4を上下から挟み付けるようにして加締める
ことができ、半導体レーザユニット4を相互に確実に固
定させることができる。
Here, in order to securely fix the semiconductor laser units 4 stacked in the vertical direction to each other, as shown in FIGS. 3 and 7, screw means 20 is used. Each heat sink 2 has an inlet portion 10 and an outlet portion 11 of the medium passage 9.
A screw insertion hole 25 for inserting the male screw portion 26 of the screw means 20 is formed so as to pass through between. Then, the male screw portion 26 is inserted into the screw insertion hole 25, and the female screw portion 2 is attached to the tip of the male screw portion 26 exposed to the outside.
By screwing 7 into each other, the semiconductor laser unit 4 can be clamped from above and below by the screw means 20, and the semiconductor laser unit 4 can be securely fixed to each other.

【0019】このようなネジ手段20で互いの半導体レ
ーザユニット4を一体化させた場合でも、電気絶縁性部
材12とヒートシンク2との間に隙間が発生して、この
隙間から媒体が外部に漏れ出すことがある(図6の矢印
A参照)。そこで、電気絶縁性部材12のスペーサ14
と隣接するヒートシンク2とを確実に接合させるため、
電気絶縁性部材12には、隣接するヒートシンク2間を
架け渡すように、3個の接着剤収容部21が半導体レー
ザアレイ3の長手方向に沿って並ぶように設けられてい
る。各接着剤収容部21において、スペーサ14側に
は、上下に貫通する接着剤流動孔22が形成され、ヒー
トシンク2側には、接着剤流動孔22に対応して接着剤
凹部23が設けられている。
Even when the semiconductor laser units 4 are integrated with each other by such screw means 20, a gap is generated between the electrically insulating member 12 and the heat sink 2, and the medium leaks to the outside through this gap. May occur (see arrow A in FIG. 6). Therefore, the spacer 14 of the electrically insulating member 12
In order to securely bond the heat sink 2 and the adjacent heat sink 2,
The electrically insulating member 12 is provided with three adhesive agent accommodating portions 21 arranged side by side in the longitudinal direction of the semiconductor laser array 3 so as to bridge between the adjacent heat sinks 2. In each adhesive accommodating portion 21, an adhesive flow hole 22 penetrating vertically is formed on the spacer 14 side, and an adhesive recess 23 is provided on the heat sink 2 side so as to correspond to the adhesive flow hole 22. There is.

【0020】従って、図7に示すように、組立て作業時
において、各接着剤収容部21内に、電気絶縁性でかつ
熱可塑性の棒状又は球状のポリアミド系の接着剤24を
装填した後、隣接するヒートシンク2の下面2bを電気
絶縁性部材12に圧着させるようにして、半導体レーザ
ユニット4を積層させる。その後、接着剤収容部21内
の接着剤24を外部から加熱して接着剤24を溶融させ
る。これにより、接着剤24は、接着剤収容部21内で
流動し、その後に接着剤24を固化させる。その結果、
互いの半導体レーザユニット4は、電気絶縁性部材12
のスペーサ14をヒートシンク2に圧着させた状態で確
実に接合され、クッション材15もヒートシンク2に確
実に圧着されることになる。すなわち、このような接合
の結果として、組立て時における電気絶縁性部材12と
ヒートシンク2との間の隙間の発生が抑制され、媒体が
外部に漏れ出ることが適切に防止される。
Therefore, as shown in FIG. 7, at the time of assembling work, an electrically insulating and thermoplastic rod-shaped or spherical polyamide-based adhesive agent 24 of polyamide type is loaded in each adhesive agent accommodation section 21 and then the adjacent adhesive agent accommodation sections 21 are adjacent to each other. The semiconductor laser unit 4 is laminated such that the lower surface 2b of the heat sink 2 is pressed against the electrically insulating member 12. Then, the adhesive 24 in the adhesive container 21 is heated from the outside to melt the adhesive 24. As a result, the adhesive 24 flows in the adhesive container 21 and then solidifies the adhesive 24. as a result,
Each of the semiconductor laser units 4 has an electrically insulating member 12
The spacer 14 is securely bonded to the heat sink 2 in a pressed state, and the cushion material 15 is also securely pressed to the heat sink 2. That is, as a result of such joining, generation of a gap between the electrically insulating member 12 and the heat sink 2 during assembly is suppressed, and the medium is appropriately prevented from leaking to the outside.

【0021】そして、熱可塑性の接着剤24を採用する
結果として、半導体レーザユニット4を多段に積層させ
る際の組立て作業性や組立ての確実性の向上が図られこ
とになる。このような接着剤収容部21は、前述したハ
ンダ収容部17と相俟って、半導体レーザ組立体1の大
量生産の一助をなすものである。また、電気絶縁性の接
着剤24を使用する結果、接着剤24を介在させたヒー
トシンク2間の電気的導通が回避され、電気絶縁性部材
12と相俟って、隣接するヒートシンク2間の直接的な
電気的導通を適切に回避させている。
As a result of adopting the thermoplastic adhesive 24, the assembling workability and the certainty of assembling when stacking the semiconductor laser units 4 in multiple stages are improved. The adhesive accommodating portion 21 as described above, together with the solder accommodating portion 17 described above, contributes to mass production of the semiconductor laser assembly 1. In addition, as a result of using the electrically insulating adhesive 24, the electrical conduction between the heat sinks 2 with the adhesive 24 interposed is avoided, and in cooperation with the electrically insulating member 12, the direct heat transfer between the adjacent heat sinks 2 is avoided. Proper electrical continuity is avoided.

【0022】なお、接着剤収容部21を一本の長穴にす
ることも可能である。また、接着剤24のみで媒体の漏
れを十分防止できる場合には、ネジ手段20を採用しな
くてもよい。
It is also possible to make the adhesive accommodating portion 21 a single long hole. If the medium 24 can be sufficiently prevented from leaking with the adhesive 24 alone, the screw means 20 may not be employed.

【0023】本発明は、前述した実施形態に限定される
ものではなく、例えば、図8に示すように、ヒートシン
ク2Aをクサビ状に形成することもできる。これによっ
て、半導体レーザユニット4を積層させた場合に、各半
導体レーザアレイ3からのレーザ光を所定の場所に集光
させることが可能になる。また、本発明の半導体レーザ
組立体1は、半導体レーザユニット4を2段に積層する
場合に限られず、3段以上であってもよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but the heat sink 2A may be formed in a wedge shape as shown in FIG. 8, for example. Thereby, when the semiconductor laser units 4 are stacked, the laser light from each semiconductor laser array 3 can be focused on a predetermined place. Further, the semiconductor laser assembly 1 of the present invention is not limited to the case where the semiconductor laser units 4 are laminated in two stages, and may have three or more stages.

【0024】[0024]

【発明の効果】本発明による半導体レーザ組立体は、以
上のように構成されているため、次のような効果を得
る。すなわち、前面の長手方向に沿って複数のレーザ出
射点を配列させた半導体レーザアレイと、半導体レーザ
アレイの上面に当接させたサブマウントベースと、上面
側に半導体レーザアレイを配置させたヒートシンクとを
有する半導体レーザユニットを複数段積層させた半導体
レーザ組立体であって、ヒートシンクの下面側には、サ
ブマウントベースの上面に対面する位置にハンダ収容部
を設け、ハンダ収容部内のハンダによって、サブマウン
トベースとこれに隣接するヒートシンクとを電気的に導
通させることで、組立て作業性を良好にし、しかも半導
体レーザアレイ間の導電性を確実に確保させている。
Since the semiconductor laser assembly according to the present invention is constructed as described above, the following effects can be obtained. That is, a semiconductor laser array in which a plurality of laser emission points are arranged along the longitudinal direction of the front surface, a submount base in contact with the upper surface of the semiconductor laser array, and a heat sink in which the semiconductor laser array is arranged on the upper surface side. A semiconductor laser assembly in which a plurality of semiconductor laser units having a plurality of layers are stacked, wherein a lower surface side of the heat sink is provided with a solder accommodation portion at a position facing the upper surface of the submount base, and the solder in the solder accommodation portion is used to By electrically connecting the mount base and the heat sink adjacent to the mount base, the assembling workability is improved, and the conductivity between the semiconductor laser arrays is surely secured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る半導体レーザ組立体の一実施形態
を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a semiconductor laser assembly according to the present invention.

【図2】半導体レーザアレイとサブマウントベースとの
組み付け状態を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing an assembled state of a semiconductor laser array and a submount base.

【図3】図1に示した半導体レーザ組立体に適用する半
導体レーザユニットのスペーサを示す斜視図である。
3 is a perspective view showing a spacer of a semiconductor laser unit applied to the semiconductor laser assembly shown in FIG.

【図4】図1に示した半導体レーザ組立体に適用する半
導体レーザユニットを示す斜視図である。
4 is a perspective view showing a semiconductor laser unit applied to the semiconductor laser assembly shown in FIG. 1. FIG.

【図5】図4のV−V線に沿う断面図である。5 is a cross-sectional view taken along the line VV of FIG.

【図6】半導体レーザユニットを2段に積層させて、ハ
ンダで固定する前の状態を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state before the semiconductor laser units are stacked in two stages and fixed with solder.

【図7】半導体レーザユニットを2段に積層させて、ネ
ジ手段で固定させた状態を示す断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state in which semiconductor laser units are stacked in two stages and fixed by screw means.

【図8】本発明に係る半導体レーザ組立体の他の実施形
態を示す断面図である。
FIG. 8 is a sectional view showing another embodiment of the semiconductor laser assembly according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体レーザ組立体、2…ヒートシンク、2a…ヒ
ートシンクの上面、2b…ヒートシンクの下面、3…半
導体レーザアレイ、3a…レーザ出射点、3b…半導体
レーザアレイの上面、4…半導体レーザユニット、5…
半導体レーザアレイの前面、6…サブマウントベース、
6a…サブマウントベースの上面、9…媒体通路、10
…入口部、11…出口部、12…電気絶縁性部材、13
…開口部、16…コーナ部分、17…ハンダ収容部、1
8…ハンダ、20…ネジ手段。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor laser assembly, 2 ... Heat sink, 2a ... Heat sink upper surface, 2b ... Heat sink lower surface, 3 ... Semiconductor laser array, 3a ... Laser emission point, 3b ... Semiconductor laser array upper surface, 4 ... Semiconductor laser unit, 5 …
Front surface of semiconductor laser array, 6 ... Submount base,
6a ... Top surface of submount base, 9 ... Medium passage, 10
... inlet part, 11 ... exit part, 12 ... electrically insulating member, 13
... Opening part, 16 ... Corner part, 17 ... Solder receiving part, 1
8 ... Solder, 20 ... Screw means.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 前面の長手方向に沿って複数のレーザ出
射点を配列させた半導体レーザアレイと、前記半導体レ
ーザアレイの上面に当接させたサブマウントベースと、
上面側に前記半導体レーザアレイを配置させたヒートシ
ンクとを有する半導体レーザユニットを複数段積層させ
た半導体レーザ組立体であって、 前記ヒートシンクの下面側には、前記サブマウントベー
スの上面に対面する位置にハンダ収容部を設け、前記ハ
ンダ収容部内のハンダによって、前記サブマウントベー
スとこれに隣接するヒートシンクとを電気的に導通させ
たことを特徴とする半導体レーザ組立体。
1. A semiconductor laser array in which a plurality of laser emission points are arranged along a longitudinal direction of a front surface, and a submount base abutting on an upper surface of the semiconductor laser array,
A semiconductor laser assembly in which a plurality of semiconductor laser units having a heat sink having the semiconductor laser array arranged on the upper surface side are stacked, the lower surface side of the heat sink facing the upper surface of the submount base. A semiconductor laser assembly, wherein: a solder accommodating portion is provided in the sub-mount base and the heat sink adjacent to the sub-mount base is electrically conducted by the solder in the solder accommodating portion.
【請求項2】 前記ヒートシンクの前側に前記半導体レ
ーザアレイを配置させ、前記ヒートシンクの下面におけ
るコーナ部分を切除して、前記ハンダ収容部を形成した
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ組立体。
2. The semiconductor laser assembly according to claim 1, wherein the semiconductor laser array is arranged on the front side of the heat sink, and a corner portion on the lower surface of the heat sink is cut off to form the solder accommodating portion. Three-dimensional.
【請求項3】 隣接する前記ヒートシンク間に電気絶縁
性部材を配置させ、前記電気絶縁性部材には、前記ヒー
トシンクの内部に形成した媒体通路の入口部と出口部に
連通させる開口部が設けられたことを特徴とする請求項
1又は2記載の半導体レーザ組立体。
3. An electrically insulating member is arranged between the adjacent heat sinks, and the electrically insulating member is provided with an opening communicating with an inlet portion and an outlet portion of a medium passage formed inside the heat sink. The semiconductor laser assembly according to claim 1 or 2, wherein
【請求項4】 積層させた状態の前記各ヒートシンクを
ネジ手段が貫通することによって、前記半導体レーザユ
ニットを相互に固定させたことを特徴とする請求項1〜
3のいずれか一項記載の半導体レーザ組立体。
4. The semiconductor laser units are fixed to each other by screw means penetrating the heat sinks in a laminated state.
4. The semiconductor laser assembly according to claim 3.
JP2001209794A 2001-07-10 2001-07-10 Semiconductor laser assembly Pending JP2003023207A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001209794A JP2003023207A (en) 2001-07-10 2001-07-10 Semiconductor laser assembly

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001209794A JP2003023207A (en) 2001-07-10 2001-07-10 Semiconductor laser assembly

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003023207A true JP2003023207A (en) 2003-01-24

Family

ID=19045400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001209794A Pending JP2003023207A (en) 2001-07-10 2001-07-10 Semiconductor laser assembly

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003023207A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006032408A (en) * 2004-07-12 2006-02-02 Sony Corp Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
JP2007149978A (en) * 2005-11-28 2007-06-14 Miyachi Technos Corp Semiconductor laser package device, and method of manufacturing same
DE102007008027A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-21 Curamik Electronics Gmbh Diode laser arrangement and method for producing such an arrangement
JP2016021452A (en) * 2014-07-14 2016-02-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 Semiconductor laser module
WO2020044882A1 (en) * 2018-08-29 2020-03-05 パナソニック株式会社 Semiconductor laser device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006032408A (en) * 2004-07-12 2006-02-02 Sony Corp Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
JP4600733B2 (en) * 2004-07-12 2010-12-15 ソニー株式会社 Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
JP2007149978A (en) * 2005-11-28 2007-06-14 Miyachi Technos Corp Semiconductor laser package device, and method of manufacturing same
DE102007008027A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-21 Curamik Electronics Gmbh Diode laser arrangement and method for producing such an arrangement
US8130807B2 (en) 2007-02-13 2012-03-06 Laserline Gesellschaft fur Entwicklung und Vertrieb Von Diddenlasern GmbH Diode laser array and method for manufacturing such an array
JP2016021452A (en) * 2014-07-14 2016-02-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 Semiconductor laser module
WO2020044882A1 (en) * 2018-08-29 2020-03-05 パナソニック株式会社 Semiconductor laser device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6970485B1 (en) Cooling device, semiconductor laser light source device, semiconductor laser source unit, method of manufacturing semiconductor laser light source unit and solid state laser device
JP7186345B2 (en) Semiconductor laser device
JP7174899B2 (en) Semiconductor laser device
JP3816194B2 (en) Cooling device, light source device, surface light emitting device, and manufacturing method thereof
US8120914B2 (en) Semiconductor cooling apparatus
EP3651292B1 (en) Semiconductor laser device
JP2008533719A (en) Double-side cooled laser diode
JP2001044555A (en) Cooler and surface light emitting device provided with the same
JP2005072549A (en) Immersion cooling laser diode equipment
JP4800019B2 (en) Semiconductor laser package device and manufacturing method thereof
JP2003023207A (en) Semiconductor laser assembly
US11025032B2 (en) Double sided cooling of laser diode
JP2003023205A (en) Semiconductor laser assembly
JP6345100B2 (en) Heat sink and laser diode device
JP3905744B2 (en) Semiconductor laser assembly
JP4068887B2 (en) Semiconductor laser device and cooling method thereof
JP2003031889A (en) Semiconductor laser assembly
JP2021034654A (en) Laser device
JP2016522989A (en) Cooling device for cooling laser device and laser system equipped with cooling device
JP2009064932A (en) Cooling device for laser array, laser module, and laser light source device
JP2003023206A (en) Semiconductor laser assembly
CN117117627B (en) Laser unit and laser
JP7340737B2 (en) laser module
JP7329775B2 (en) LASER DEVICE MANUFACTURING METHOD AND FIN BLOCK MANUFACTURING METHOD
JP2005531133A (en) COOLING DEVICE FOR COOLING ELECTRICAL COMPONENTS, MODULE COMPRISING COOLING DEVICE AND ELECTRICAL COMPONENT, COOLING DEVICE OR COOLING SYSTEM COMPRISING MODULE AND SUPPORT