JP2003017269A - 有機エレクトロ・ルミネッセンス表示素子およびその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロ・ルミネッセンス表示素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2003017269A JP2003017269A JP2001198078A JP2001198078A JP2003017269A JP 2003017269 A JP2003017269 A JP 2003017269A JP 2001198078 A JP2001198078 A JP 2001198078A JP 2001198078 A JP2001198078 A JP 2001198078A JP 2003017269 A JP2003017269 A JP 2003017269A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- organic
- layer
- photo
- display element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示性能が良くかつ信頼性の高い有機ＥＬ表
示素子を得ることを可能にする。 【解決手段】 発光層１２と、キャリア輸送能を有する
バッファ層９との積層膜が第１の電極４および第２の電
極１４で挟持されかつ第１および第２の電極の内の一方
が基板２上に形成され、バッファ層が少なくとも有機溶
剤溶解性ポリマーと光酸発生剤からなっている。
示素子を得ることを可能にする。 【解決手段】 発光層１２と、キャリア輸送能を有する
バッファ層９との積層膜が第１の電極４および第２の電
極１４で挟持されかつ第１および第２の電極の内の一方
が基板２上に形成され、バッファ層が少なくとも有機溶
剤溶解性ポリマーと光酸発生剤からなっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロ・
ルミネッセンス表示素子およびその製造方法に関する。
ルミネッセンス表示素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、一般的に用いられているフラット
パネル表示素子としては液晶表示素子が主流である。し
かし、液晶表示素子は、以下の点で問題を残す。 （１）視角が狭い。
パネル表示素子としては液晶表示素子が主流である。し
かし、液晶表示素子は、以下の点で問題を残す。 （１）視角が狭い。
【０００３】（２）バックライトを必要とするため表示
装置としての消費電力が大きい。
装置としての消費電力が大きい。
【０００４】（３）バックライトを必要とするためパネ
ルの薄膜化が困難。
ルの薄膜化が困難。
【０００５】（４）応答速度が遅い。
【０００６】（５）作動温度範囲が狭い。
【０００７】これらの問題点に関しては様々な試みが提
案されている。視角に関しては画素分割法式による高視
角化がなされているが工程数が増える事からコスト増に
繋がり得策とはいえない。また、視角補償板を表示面側
に貼る事も出来るが十分な視角は得られない。視角と応
答速度双方を解決する手段としてＭＶＡ型の表示方式が
提案されているが、焼き付き等の信頼性で問題を残す。
消費電力に関しては、低電圧駆動の液晶材料または駆動
回路双方からのアプローチが進められているが、限界が
ある。
案されている。視角に関しては画素分割法式による高視
角化がなされているが工程数が増える事からコスト増に
繋がり得策とはいえない。また、視角補償板を表示面側
に貼る事も出来るが十分な視角は得られない。視角と応
答速度双方を解決する手段としてＭＶＡ型の表示方式が
提案されているが、焼き付き等の信頼性で問題を残す。
消費電力に関しては、低電圧駆動の液晶材料または駆動
回路双方からのアプローチが進められているが、限界が
ある。
【０００８】これに対し、近年では、有機エレクトロ・
ルミネッセンス表示素子（以下、有機ＥＬ表示素子とも
云う）が上記問題を全て解決出来る表示素子として注目
されている。この有機ＥＬ表示素子は自発光性素子であ
るため、視角が広くかつ、自発光素子のためバックライ
トを必要とせず薄型化が可能であるという特徴がある。
また、応答速度が速いという特徴もある。
ルミネッセンス表示素子（以下、有機ＥＬ表示素子とも
云う）が上記問題を全て解決出来る表示素子として注目
されている。この有機ＥＬ表示素子は自発光性素子であ
るため、視角が広くかつ、自発光素子のためバックライ
トを必要とせず薄型化が可能であるという特徴がある。
また、応答速度が速いという特徴もある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このような有機ＥＬ表
示素子には、低分子材料をもちいた素子構成と、高分子
材料を用いた素子構成とがある。何れの場合も、有機Ｅ
Ｌ表示素子の発光層は水分に対し非常に敏感で、僅かな
水分や酸素（１ｐｐｍ程度）でも発光層が破壊され表示
デバイスとして役に立たなくなると云う問題がある。水
分や酸素から発光層を保護するために様々な方法が検討
され、酸化バリウムなどの乾燥剤をデバイスの中に封入
する構造が検討されている。
示素子には、低分子材料をもちいた素子構成と、高分子
材料を用いた素子構成とがある。何れの場合も、有機Ｅ
Ｌ表示素子の発光層は水分に対し非常に敏感で、僅かな
水分や酸素（１ｐｐｍ程度）でも発光層が破壊され表示
デバイスとして役に立たなくなると云う問題がある。水
分や酸素から発光層を保護するために様々な方法が検討
され、酸化バリウムなどの乾燥剤をデバイスの中に封入
する構造が検討されている。
【００１０】しかし、一方で、有機ＥＬ表示素子の素子
構造として正孔の注入を速やかに生じさせるために、正
極基板上にポリチオフェンやポリアニリン等の水溶性ポ
リマーからなる薄膜をバッファ層として形成する技術
が、特に高分子系の発光材料を用いた場合には一般的で
ある。これは通常、高いキャリア輸送能を有するポリマ
ーはイオン性であるため、水または水-アルコール混合
溶媒にしか溶解せず、また有機溶媒溶解性である発光層
とのミキシングを避けるためにも水溶性のポリマーを使
用することが必須であるからである。これらのポリマー
は、水溶性であるため、成膜過程で完全に水を取り除く
ことが困難である。このため、上記ポリマーは素子製造
後の水の発生源となって素子の寿命を低下させる原因に
なり、表示素子の信頼性が低下するという問題がある。
構造として正孔の注入を速やかに生じさせるために、正
極基板上にポリチオフェンやポリアニリン等の水溶性ポ
リマーからなる薄膜をバッファ層として形成する技術
が、特に高分子系の発光材料を用いた場合には一般的で
ある。これは通常、高いキャリア輸送能を有するポリマ
ーはイオン性であるため、水または水-アルコール混合
溶媒にしか溶解せず、また有機溶媒溶解性である発光層
とのミキシングを避けるためにも水溶性のポリマーを使
用することが必須であるからである。これらのポリマー
は、水溶性であるため、成膜過程で完全に水を取り除く
ことが困難である。このため、上記ポリマーは素子製造
後の水の発生源となって素子の寿命を低下させる原因に
なり、表示素子の信頼性が低下するという問題がある。
【００１１】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
のであって、表示性能が良くかつ信頼性の高い有機ＥＬ
表示素子およびその製造方法を提供することを目的とす
る。
のであって、表示性能が良くかつ信頼性の高い有機ＥＬ
表示素子およびその製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明による有機ＥＬ表
示素子は、発光層と、キャリア輸送能を有するバッファ
層との積層膜が第１の電極および第２の電極で挟持され
かつ前記第１および第２の電極の内の一方が基板上に形
成され、前記バッファ層が少なくとも有機溶剤溶解性ポ
リマーと光酸発生剤からなることを特徴とする。
示素子は、発光層と、キャリア輸送能を有するバッファ
層との積層膜が第１の電極および第２の電極で挟持され
かつ前記第１および第２の電極の内の一方が基板上に形
成され、前記バッファ層が少なくとも有機溶剤溶解性ポ
リマーと光酸発生剤からなることを特徴とする。
【００１３】なお、前記光酸発生剤がオニウム塩または
スルホン酸エステルであるように構成しても良い。
スルホン酸エステルであるように構成しても良い。
【００１４】なお、前記光酸発生剤の感光波長が前記基
板の透過波長の下限値よりも短いように構成されること
が好ましい。
板の透過波長の下限値よりも短いように構成されること
が好ましい。
【００１５】また、本発明による有機ＥＬ表示素子の製
造方法は、基板に形成された電極上に、有機溶剤溶解性
ポリマーと光酸発生剤とを含む高分子組成物の層を形成
するステップと、前記高分子組成物の層に化学線を選択
的に照射するステップと、を備えたことを特徴とする。
造方法は、基板に形成された電極上に、有機溶剤溶解性
ポリマーと光酸発生剤とを含む高分子組成物の層を形成
するステップと、前記高分子組成物の層に化学線を選択
的に照射するステップと、を備えたことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、図面を参
照して説明する。
照して説明する。
【００１７】（第１の実施形態）本発明による有機ＥＬ
表示素子の第１の実施形態は、発光層と、キャリア輸送
能を有するバッファ層との積層膜が陽極および陰極で挟
持されかつ上記陽極および陰極の内の一方が基板上に形
成され、上記バッファ層が少なくとも有機溶剤溶解性ポ
リマーと光酸発生剤からなるように構成されている。
表示素子の第１の実施形態は、発光層と、キャリア輸送
能を有するバッファ層との積層膜が陽極および陰極で挟
持されかつ上記陽極および陰極の内の一方が基板上に形
成され、上記バッファ層が少なくとも有機溶剤溶解性ポ
リマーと光酸発生剤からなるように構成されている。
【００１８】この実施形態の有機ＥＬ表示素子の製造工
程を、図１を参照して説明する。まず、図１（ａ）に示
すように、周知のプロセスを用いて、基板２上に、薄膜
トランジスタ（図示せず）および電極配線（図示せず）
を形成する。薄膜トランジスタは各絵素毎に形成され、
基板２上には、例えば縦４８０絵素、横６４０×３(R,
G,B)絵素、合計９２万個の絵素が形成される。なお、図
１においては、一個の絵素の断面を示す。
程を、図１を参照して説明する。まず、図１（ａ）に示
すように、周知のプロセスを用いて、基板２上に、薄膜
トランジスタ（図示せず）および電極配線（図示せず）
を形成する。薄膜トランジスタは各絵素毎に形成され、
基板２上には、例えば縦４８０絵素、横６４０×３(R,
G,B)絵素、合計９２万個の絵素が形成される。なお、図
１においては、一個の絵素の断面を示す。
【００１９】その後、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e)からなる透明電極４（陽極４）を各絵素に対応するよ
うに形成する。この透明電極４の形成については、一般
的なフォトプロセスで形成しても、マスクスパッタ法で
形成しても差し支えない。続いて、各絵素の発光部に対
応する個所に薄膜トランジスタと導通のとれるコンタク
トホール（図示せず）が開口された、例えばアクリル樹
脂からなる隔壁６を形成する。なお、この陽極４は対応
する絵素の薄膜トランジスタのソースまたはドレインの
一方に接続される。
e)からなる透明電極４（陽極４）を各絵素に対応するよ
うに形成する。この透明電極４の形成については、一般
的なフォトプロセスで形成しても、マスクスパッタ法で
形成しても差し支えない。続いて、各絵素の発光部に対
応する個所に薄膜トランジスタと導通のとれるコンタク
トホール（図示せず）が開口された、例えばアクリル樹
脂からなる隔壁６を形成する。なお、この陽極４は対応
する絵素の薄膜トランジスタのソースまたはドレインの
一方に接続される。
【００２０】次に、図１（ａ）に示すように、キャリア
輸送能を有するバッファ層を形成するためのバッファ材
料層８を形成する。このバッファ材料層８は、本実施形
態においては、以下のようにして形成した。まず、分子
量６０００のポリヒドロキシスチレン３グラムと、トリ
フェニルスルホニウムトリフルオロスルフォネート０．
４５グラムをエチルラクテート１００グラムに溶解し、
バッファ材料用溶液を作る。続いて、基板２の超音波洗
浄処理を行い、この超音波洗浄を行った基板２にインク
ジェット方式によりバッファ材料用溶液を滴下し、９０
°Ｃのホットプレート上で２分間ベークを行うことによ
りバッファ材料層８を陽極４上に形成する。
輸送能を有するバッファ層を形成するためのバッファ材
料層８を形成する。このバッファ材料層８は、本実施形
態においては、以下のようにして形成した。まず、分子
量６０００のポリヒドロキシスチレン３グラムと、トリ
フェニルスルホニウムトリフルオロスルフォネート０．
４５グラムをエチルラクテート１００グラムに溶解し、
バッファ材料用溶液を作る。続いて、基板２の超音波洗
浄処理を行い、この超音波洗浄を行った基板２にインク
ジェット方式によりバッファ材料用溶液を滴下し、９０
°Ｃのホットプレート上で２分間ベークを行うことによ
りバッファ材料層８を陽極４上に形成する。
【００２１】次に、図１（ｂ）に示すように、例えば低
圧水銀灯を用いて波長が２５１ｎｍの光１０を１００ｍ
Ｊ／ｃｍ２の照射条件でバッファ材料層８に照射し、バ
ッファ材料層８中のオニウム塩を分解し、イオン性導電
性のバッファ層９に変換する。なお、バッファ材料層と
しては、有機溶媒に容易に高濃度で溶解し、かつ光照射
後は分解して速やかにイオン性化合物となる化合物（光
酸発生剤）を含有した有機溶媒可溶性の高分子組成物を
用いることができる。また、用いられる化学線の照射に
より酸塩基に分解する化合物（光酸発生剤）としては、
例えば、スルフォニウム、ヨードニウムなどのオニウム
塩化合物や、スルホン酸エステルなどが用いられる。具
体的にはスルホン酸類のトリフェニルスルホニウム塩・
ヨードニウム塩、ニトロベンゼンスルホン酸エステルな
どが挙げられる。これらの光酸発生剤はポリマー組成の
０．１重量％から５０重量％、好ましくは０．５重量％
以上、１５重量％以下であることが好ましい。０．５重
量％以下では十分なキャリア輸送性を得ることが難し
く、また１５重量％以上の添加は高分子膜塗布時の製膜
性を損なう場合があるためである。
圧水銀灯を用いて波長が２５１ｎｍの光１０を１００ｍ
Ｊ／ｃｍ２の照射条件でバッファ材料層８に照射し、バ
ッファ材料層８中のオニウム塩を分解し、イオン性導電
性のバッファ層９に変換する。なお、バッファ材料層と
しては、有機溶媒に容易に高濃度で溶解し、かつ光照射
後は分解して速やかにイオン性化合物となる化合物（光
酸発生剤）を含有した有機溶媒可溶性の高分子組成物を
用いることができる。また、用いられる化学線の照射に
より酸塩基に分解する化合物（光酸発生剤）としては、
例えば、スルフォニウム、ヨードニウムなどのオニウム
塩化合物や、スルホン酸エステルなどが用いられる。具
体的にはスルホン酸類のトリフェニルスルホニウム塩・
ヨードニウム塩、ニトロベンゼンスルホン酸エステルな
どが挙げられる。これらの光酸発生剤はポリマー組成の
０．１重量％から５０重量％、好ましくは０．５重量％
以上、１５重量％以下であることが好ましい。０．５重
量％以下では十分なキャリア輸送性を得ることが難し
く、また１５重量％以上の添加は高分子膜塗布時の製膜
性を損なう場合があるためである。
【００２２】また、本発明に用いられ得る有機溶剤可溶
性の高分子化合物としては、いかなる物でもかまわない
が例えば、フェノール誘導体とアルデヒド化合物の縮合
反応により得られるノボラック樹脂やポリヒドロキシス
チレン、スチレン誘導体・ポリアクリル酸エステル誘導
体、ポリアミック酸、ポリアミド、ポリイミド、スチレ
ンとマレイン酸の共重合体などが上げられるが、これに
限定されるものではない。
性の高分子化合物としては、いかなる物でもかまわない
が例えば、フェノール誘導体とアルデヒド化合物の縮合
反応により得られるノボラック樹脂やポリヒドロキシス
チレン、スチレン誘導体・ポリアクリル酸エステル誘導
体、ポリアミック酸、ポリアミド、ポリイミド、スチレ
ンとマレイン酸の共重合体などが上げられるが、これに
限定されるものではない。
【００２３】次に、図１（ｃ）に示すように、バッファ
層９上に発光層１２を形成する。この発光層１２は、ポ
リジアルキルフルオレンを、２００ｍｇをキシレン１０
ｇに溶解し作成した溶液を、基板２上にスピンコート法
を用いて塗布し、９０℃で乾燥させることにより形成す
る。なお、発光層１２としては、その機能を発揮する物
であればいかなる物でもかまわない。例えば、Ａｌq３
を蒸着によって形成する構造や、ポリフェニレンビニレ
ン誘導体やポリフルオレン誘導体またはその前駆体の溶
液を基板上にインクジェット方式により積層して用いて
も良い。
層９上に発光層１２を形成する。この発光層１２は、ポ
リジアルキルフルオレンを、２００ｍｇをキシレン１０
ｇに溶解し作成した溶液を、基板２上にスピンコート法
を用いて塗布し、９０℃で乾燥させることにより形成す
る。なお、発光層１２としては、その機能を発揮する物
であればいかなる物でもかまわない。例えば、Ａｌq３
を蒸着によって形成する構造や、ポリフェニレンビニレ
ン誘導体やポリフルオレン誘導体またはその前駆体の溶
液を基板上にインクジェット方式により積層して用いて
も良い。
【００２４】次に、図１（ｄ）に示すように、発光層１
２を覆うように陰極１４を形成する。この陰極１４の材
料としては、電子注入の機能を果たす物であればいかな
る物でもかまわない。例えば、バリウム、カルシウム、
イッテルビウムなどを用いることができる。
２を覆うように陰極１４を形成する。この陰極１４の材
料としては、電子注入の機能を果たす物であればいかな
る物でもかまわない。例えば、バリウム、カルシウム、
イッテルビウムなどを用いることができる。
【００２５】その後、図１（ｄ）に示すように、陰極１
４上に例えば銀からなるカバーメタル１６を形成する。
なお、陰極１４およびカバーメタル１６は真空中で蒸着
により形成する。続いて、カバーガラス２０を、基板２
の周囲に塗布された、例えばエポキシ樹脂からなるシー
ル材１８によって基板２に貼り合わせ（図１（ｄ）参
照）、有機ＥＬ表示素子が完成する。
４上に例えば銀からなるカバーメタル１６を形成する。
なお、陰極１４およびカバーメタル１６は真空中で蒸着
により形成する。続いて、カバーガラス２０を、基板２
の周囲に塗布された、例えばエポキシ樹脂からなるシー
ル材１８によって基板２に貼り合わせ（図１（ｄ）参
照）、有機ＥＬ表示素子が完成する。
【００２６】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、バッファ層が少なくとも有機溶剤溶解性ポリマーと
光酸発生剤からなるように構成されているので、発光層
が水の影響を受けず、表示性能が良く、かつ素子の寿命
の長いすなわち信頼性の高い有機ＥＬ表示素子を得るこ
とができる。
ば、バッファ層が少なくとも有機溶剤溶解性ポリマーと
光酸発生剤からなるように構成されているので、発光層
が水の影響を受けず、表示性能が良く、かつ素子の寿命
の長いすなわち信頼性の高い有機ＥＬ表示素子を得るこ
とができる。
【００２７】このようにして形成した有機ＥＬ表示素子
は、基板２と封止用対向ガラス（カバーガラス）２０の
厚さは非常に薄いので、厚さがほぼ基板２と封止用対向
ガラス（カバーガラス）２０の厚みしかない。
は、基板２と封止用対向ガラス（カバーガラス）２０の
厚さは非常に薄いので、厚さがほぼ基板２と封止用対向
ガラス（カバーガラス）２０の厚みしかない。
【００２８】なお、バッファ層９に用いられる有機溶剤
溶解性ポリマーの溶解度パラメータが発光層１２に用い
られる材料の溶解度パラメータより少なくとも1以上異
なることが好ましい。
溶解性ポリマーの溶解度パラメータが発光層１２に用い
られる材料の溶解度パラメータより少なくとも1以上異
なることが好ましい。
【００２９】（第２の実施形態）次に、本発明による有
機ＥＬ表示素子の第２の実施形態を、図２を参照して説
明する。この第２の実施形態の有機ＥＬ表示素子も、第
１の実施形態の場合と同様に、発光層と、キャリア輸送
能を有するバッファ層との積層膜が陽極および陰極で挟
持されかつ上記陽極および陰極の内の一方が基板上に形
成され、上記バッファ層が少なくとも有機溶剤溶解性ポ
リマーと光酸発生剤からなるように構成されている。し
かし、第１の実施形態の場合とは、薄膜トランジスタお
よび隔壁６が不要である点およびバッファ層がイオン性
導電領域と絶縁体領域とからなっている点で異なってい
る。
機ＥＬ表示素子の第２の実施形態を、図２を参照して説
明する。この第２の実施形態の有機ＥＬ表示素子も、第
１の実施形態の場合と同様に、発光層と、キャリア輸送
能を有するバッファ層との積層膜が陽極および陰極で挟
持されかつ上記陽極および陰極の内の一方が基板上に形
成され、上記バッファ層が少なくとも有機溶剤溶解性ポ
リマーと光酸発生剤からなるように構成されている。し
かし、第１の実施形態の場合とは、薄膜トランジスタお
よび隔壁６が不要である点およびバッファ層がイオン性
導電領域と絶縁体領域とからなっている点で異なってい
る。
【００３０】この第２の実施形態の有機ＥＬ表示素子の
構成を図２に示す製造工程断面図を参照しながら説明す
る。まず、図２（ａ）に示すように、例えばＩＴＯ（In
diumTin Oxide)からなる透明電極４（陽極４）を基板２
上に形成する。この透明電極４の形成については、一般
的なフォトプロセスで形成しても、スパッタ法で形成し
ても差し支えない。
構成を図２に示す製造工程断面図を参照しながら説明す
る。まず、図２（ａ）に示すように、例えばＩＴＯ（In
diumTin Oxide)からなる透明電極４（陽極４）を基板２
上に形成する。この透明電極４の形成については、一般
的なフォトプロセスで形成しても、スパッタ法で形成し
ても差し支えない。
【００３１】次に、基板２の超音波洗浄を行い、超音波
洗浄した基板２の陽極４上に、キャリア輸送能を有する
バッファ層を形成するためのバッファ材料層を形成す
る。このバッファ材料層は、本実施形態においては、以
下のようにして形成した。まず、分子量６０００のポリ
ヒドロキシスチレン３グラムと、トリフェニルスルホニ
ウムトリフルオロスルフォネート０．４５グラムをエチ
ルラクテート１００グラムに溶解し、バッファ材料用溶
液を作る。続いて、超音波洗浄処理を行った基板２にス
ピンコート方式によりバッファ材料用溶液を塗布し、膜
厚が５０ｎｍのバッファ材料層を陽極４上に形成する。
このバッファ材料層に、フォトマスク３０を用いて、波
長が２５１ｎｍの光を照射条件１００ｍＪ／ｃｍ２で照
射することにより、バッファ層９を形成する（図２
（ａ）参照）。フォトマスク３０を通して光が照射され
た領域は、オニウム塩が分解されイオン性導電領域９ａ
となるが、光が照射されない領域は絶縁体領域９ｂとな
る。すなわち、バッファ層９はイオン性導電領域９ａと
絶縁体領域９ｂとからなっている。
洗浄した基板２の陽極４上に、キャリア輸送能を有する
バッファ層を形成するためのバッファ材料層を形成す
る。このバッファ材料層は、本実施形態においては、以
下のようにして形成した。まず、分子量６０００のポリ
ヒドロキシスチレン３グラムと、トリフェニルスルホニ
ウムトリフルオロスルフォネート０．４５グラムをエチ
ルラクテート１００グラムに溶解し、バッファ材料用溶
液を作る。続いて、超音波洗浄処理を行った基板２にス
ピンコート方式によりバッファ材料用溶液を塗布し、膜
厚が５０ｎｍのバッファ材料層を陽極４上に形成する。
このバッファ材料層に、フォトマスク３０を用いて、波
長が２５１ｎｍの光を照射条件１００ｍＪ／ｃｍ２で照
射することにより、バッファ層９を形成する（図２
（ａ）参照）。フォトマスク３０を通して光が照射され
た領域は、オニウム塩が分解されイオン性導電領域９ａ
となるが、光が照射されない領域は絶縁体領域９ｂとな
る。すなわち、バッファ層９はイオン性導電領域９ａと
絶縁体領域９ｂとからなっている。
【００３２】次に、ポリジアルキルフルオレン２００ｍ
ｇをキシレン１０ｇに溶解した溶液をバッファ層９上に
スピンコート方式で塗布し９０℃で乾燥することにより
発光層１２をバッファ層９上に形成する（図２（ｂ）参
照）。なお、発光層１２としては、その機能を発揮する
物であればいかなる物でもかまわない。例えば、Ａｌq
３を蒸着によって形成する構造や、ポリフェニレンビニ
レン誘導体やポリフルオレン誘導体またはその前駆体の
溶液を基板上にスピンコート方式により積層して用いて
も良い。
ｇをキシレン１０ｇに溶解した溶液をバッファ層９上に
スピンコート方式で塗布し９０℃で乾燥することにより
発光層１２をバッファ層９上に形成する（図２（ｂ）参
照）。なお、発光層１２としては、その機能を発揮する
物であればいかなる物でもかまわない。例えば、Ａｌq
３を蒸着によって形成する構造や、ポリフェニレンビニ
レン誘導体やポリフルオレン誘導体またはその前駆体の
溶液を基板上にスピンコート方式により積層して用いて
も良い。
【００３３】次に、図２（ｃ）に示すように、発光層１
２を覆うように陰極１４を形成する。この陰極１４の材
料としては、電子注入の機能を果たす物であればいかな
る物でもかまわない。例えば、バリウム、カルシウム、
イッテルビウムなどを用いることができる。その後、図
２（ｃ）に示すように、陰極１４上に例えば銀からなる
カバーメタル１６を形成する。なお、陰極１４およびカ
バーメタル１６は真空中で蒸着法により形成する。続い
て、カバーガラス２０を、基板２の周囲に塗布された、
例えばエポキシ樹脂からなるシール材１８によって基板
２に貼り合わせ（図２（ｄ）参照）、有機ＥＬ表示素子
が完成する。この実施形態においては、陽極４と陰極１
４との間に電圧を印可することにより、イオン性導電領
域９ａに対応する、発光層１２の領域のみが発光する構
成となっている（図２（ｃ）参照）。このため、フォト
マスク３０を適宜選択することにより、所望の発光パタ
ーンを得ることができる。
２を覆うように陰極１４を形成する。この陰極１４の材
料としては、電子注入の機能を果たす物であればいかな
る物でもかまわない。例えば、バリウム、カルシウム、
イッテルビウムなどを用いることができる。その後、図
２（ｃ）に示すように、陰極１４上に例えば銀からなる
カバーメタル１６を形成する。なお、陰極１４およびカ
バーメタル１６は真空中で蒸着法により形成する。続い
て、カバーガラス２０を、基板２の周囲に塗布された、
例えばエポキシ樹脂からなるシール材１８によって基板
２に貼り合わせ（図２（ｄ）参照）、有機ＥＬ表示素子
が完成する。この実施形態においては、陽極４と陰極１
４との間に電圧を印可することにより、イオン性導電領
域９ａに対応する、発光層１２の領域のみが発光する構
成となっている（図２（ｃ）参照）。このため、フォト
マスク３０を適宜選択することにより、所望の発光パタ
ーンを得ることができる。
【００３４】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、バッファ層が少なくとも有機溶剤溶解性ポリマーと
光酸発生剤からなるように構成されているので、発光層
が水の影響を受けず、表示性能が良く、かつ素子の寿命
の長いすなわち信頼性の高い有機ＥＬ表示素子を得るこ
とができる。
ば、バッファ層が少なくとも有機溶剤溶解性ポリマーと
光酸発生剤からなるように構成されているので、発光層
が水の影響を受けず、表示性能が良く、かつ素子の寿命
の長いすなわち信頼性の高い有機ＥＬ表示素子を得るこ
とができる。
【００３５】なお、この第２の実施形態においては、光
酸発生剤の感光波長が基板２の透過波長の下限値よりも
短いように構成することが必要である。これは光酸発生
剤の感光波長が基板２の透過波長の下限値より長いと、
基板２を透過した光によってバッハ層９の絶縁領域９ｂ
内の光酸発生剤が感光し、イオン性導電領域に変化し、
所望のパターンが得られなくなるからである。基板２が
ガラスの場合、一般に３５０ｎｍ以下の波長の光は基板
２を透過しないので、透過波長の下限値は３５０ｎｍと
なる。
酸発生剤の感光波長が基板２の透過波長の下限値よりも
短いように構成することが必要である。これは光酸発生
剤の感光波長が基板２の透過波長の下限値より長いと、
基板２を透過した光によってバッハ層９の絶縁領域９ｂ
内の光酸発生剤が感光し、イオン性導電領域に変化し、
所望のパターンが得られなくなるからである。基板２が
ガラスの場合、一般に３５０ｎｍ以下の波長の光は基板
２を透過しないので、透過波長の下限値は３５０ｎｍと
なる。
【００３６】また、従来、所望の発光パターンを有する
有機ＥＬ表示素子を形成する場合は、図３（ａ）に示す
ように、基板２上に所望のパターン（例えば、Ｌ字）を
陽極４で形成するか、図３（ｂ）に示すように、基板２
上に陽極４（破線で示す）を形成した後、この陽極４を
覆い且つ所望のパターンの開口部４０ａを有する不透過
性の絶縁膜４０を形成するか、または図３（ｃ）に示す
ように、基板２上に陽極４を形成した後、所望のパター
ン形状の陰極１４を形成することが必要であった。この
ため、図３（ａ）の場合は陽極４の形成に、図３（ｂ）
の場合は絶縁膜４の形成に、図３（ｃ）の場合は陰極１
４の形成に、フォトリソグラフィ工程や、エッチング工
程が必要となる。これ対して、第２の実施形態の有機Ｅ
Ｌ表示素子においては、発光パターンはフォトマスクの
パターンをバッファ層に転写することによって形成され
るため、従来の場合と異なり、フォトリソグラフィ工程
や、エッチング工程は不必要となる。
有機ＥＬ表示素子を形成する場合は、図３（ａ）に示す
ように、基板２上に所望のパターン（例えば、Ｌ字）を
陽極４で形成するか、図３（ｂ）に示すように、基板２
上に陽極４（破線で示す）を形成した後、この陽極４を
覆い且つ所望のパターンの開口部４０ａを有する不透過
性の絶縁膜４０を形成するか、または図３（ｃ）に示す
ように、基板２上に陽極４を形成した後、所望のパター
ン形状の陰極１４を形成することが必要であった。この
ため、図３（ａ）の場合は陽極４の形成に、図３（ｂ）
の場合は絶縁膜４の形成に、図３（ｃ）の場合は陰極１
４の形成に、フォトリソグラフィ工程や、エッチング工
程が必要となる。これ対して、第２の実施形態の有機Ｅ
Ｌ表示素子においては、発光パターンはフォトマスクの
パターンをバッファ層に転写することによって形成され
るため、従来の場合と異なり、フォトリソグラフィ工程
や、エッチング工程は不必要となる。
【００３７】なお、バッファ層９に用いられる有機溶剤
溶解性ポリマーの溶解度パラメータが発光層１２に用い
られる材料の溶解度パラメータより少なくとも1以上異
なることが好ましい。
溶解性ポリマーの溶解度パラメータが発光層１２に用い
られる材料の溶解度パラメータより少なくとも1以上異
なることが好ましい。
【００３８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、バ
ッファ層が少なくとも有機溶剤溶解性ポリマーと光酸発
生剤からなるように構成されているので、水の影響を受
けず、表示性能が良くすることができるとともに信頼性
を高くすることができる。
ッファ層が少なくとも有機溶剤溶解性ポリマーと光酸発
生剤からなるように構成されているので、水の影響を受
けず、表示性能が良くすることができるとともに信頼性
を高くすることができる。
【図１】本発明による有機ＥＬ表示素子の第１の実施形
態の製造工程断面図。
態の製造工程断面図。
【図２】本発明による有機ＥＬ表示素子の第２の実施形
態の製造工程断面図。
態の製造工程断面図。
【図３】発光パターンを形成する従来の方法を説明する
図。
図。
２ 基板
４ 透明電極（陽極）
６ 隔壁
８ バッファ材料層
９ バッファ層
９ａ イオン性導電領域
９ｂ 絶縁領域
１０ 照射光
１２ 発光層
１４ 陰極
１６ カバーメタル
１８ シール材
２０ カバーガラス
Claims (5)
- 【請求項１】発光層と、キャリア輸送能を有するバッフ
ァ層との積層膜が第１の電極および第２の電極で挟持さ
れかつ前記第１および第２の電極の内の一方が基板上に
形成され、前記バッファ層が少なくとも有機溶剤溶解性
ポリマーと光酸発生剤からなることを特徴とする有機エ
レクトロ・ルミネッセンス表示素子。 - 【請求項２】前記光酸発生剤がオニウム塩またはスルホ
ン酸エステルであることを特徴とする請求項１記載の有
機エレクトロ・ルミネッセンス表示素子。 - 【請求項３】前記光酸発生剤の感光波長が前記基板の透
過波長の下限値よりも短いように構成されたことを特徴
とする請求項１または２記載の有機エレクトロ・ルミネ
ッセンス表示素子。 - 【請求項４】基板に形成された電極上に、有機溶剤溶解
性ポリマーと光酸発生剤とを含む高分子組成物の層を形
成するステップと、前記高分子組成物の層に化学線を選
択的に照射するステップと、を備えたことを特徴とする
有機エレクトロ・ルミネッセンス表示素子の製造方法。 - 【請求項５】前記光酸発生剤の感光波長が前記基板の透
過波長の下限値よりも短いように構成されたことを特徴
とする請求項４記載の有機エレクトロ・ルミネッセンス
表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001198078A JP2003017269A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | 有機エレクトロ・ルミネッセンス表示素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001198078A JP2003017269A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | 有機エレクトロ・ルミネッセンス表示素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003017269A true JP2003017269A (ja) | 2003-01-17 |
Family
ID=19035583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001198078A Withdrawn JP2003017269A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | 有機エレクトロ・ルミネッセンス表示素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003017269A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007040728A1 (en) * | 2005-10-04 | 2007-04-12 | General Electric Company | Organic light emitting devices having latent activated layers and methods of fabricating the same |
-
2001
- 2001-06-29 JP JP2001198078A patent/JP2003017269A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007040728A1 (en) * | 2005-10-04 | 2007-04-12 | General Electric Company | Organic light emitting devices having latent activated layers and methods of fabricating the same |
| JP2009510795A (ja) * | 2005-10-04 | 2009-03-12 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 潜在活性化層を有する有機発光デバイス及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6174877B2 (ja) | 表示装置及び電子機器 | |
| JP4684378B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイパネルの製造方法 | |
| US7326653B2 (en) | Method of preparation of organic optoelectronic and electronic devices and devices thereby obtained | |
| JP3247388B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| US8334168B2 (en) | Organic light emitting display device and method of fabricating the same | |
| JP2011107476A (ja) | 電子デバイスの製造方法 | |
| KR20010092414A (ko) | 유기 ｅｌ 소자 및 이의 제조방법 | |
| JP2007012411A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法 | |
| JP2004047215A (ja) | 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ表示装置 | |
| JPWO2004110105A1 (ja) | 有機半導体素子及びその製造方法 | |
| JP2013168242A (ja) | 有機発光装置の製造方法 | |
| WO2011122481A1 (ja) | 発光装置用基板の製造方法 | |
| JP2009510795A (ja) | 潜在活性化層を有する有機発光デバイス及びその製造方法 | |
| JP4444111B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| KR20120112043A (ko) | 유기 발광장치의 제조방법 | |
| TW201037830A (en) | Substrate board for display device and method for making the substrate board | |
| US7449252B2 (en) | Organic electroluminescent device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus | |
| JP2003017269A (ja) | 有機エレクトロ・ルミネッセンス表示素子およびその製造方法 | |
| KR100303360B1 (ko) | 유기 전계발광 표시소자의 제조방법 | |
| JP2001185363A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法とその素子を用いた表示パネル | |
| JP2001307878A (ja) | 電界発光素子およびその製造方法 | |
| JP2007242335A (ja) | 有機ｅｌ装置の製造方法および有機ｅｌ装置の製造装置 | |
| JP2002170670A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法、並びに有機電界発光ディスプレイ | |
| KR100359906B1 (ko) | 유기 전계발광 디스플레이의 제조방법 | |
| KR100304880B1 (ko) | 유기이엘(el)디스플레이패널제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070427 |
|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080902 |