JP2003012377A

JP2003012377A - 粉体製造方法および粉体製造装置

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Publication number: JP2003012377A
Application number: JP2001196032A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Okano; 和之岡野; Mikiya Shimada; 幹也嶋田; Seigo Shiraishi; 誠吾白石; Nobuyuki Tai; 伸幸田井
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-06-28
Filing date: 2001-06-28
Publication date: 2003-01-15

Abstract

(57)【要約】【課題】粒子形状の揃った粒径分布のシャープな粉体
を製造することと、その原料粉体を用いて特性バラツキ
が小さく、製造歩留りの良い電子デバイスを提供する。【解決手段】粉砕、分散、分級を気流中で行うと共
に、連続してレーザかマイクロ波を照射して、粉体粒子
１つずつを効率良く加熱処理することにより、粒度分
布、形状、表面状態等の安定した粉体を製造し、これを
用いることによって製造歩留りの良い電子デバイスが製
造できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、粉体の製造方法と
その設備装置に関するものであり、また、それによって
製造した粉体を用いて製造する電子デバイスに関するも
のであって、粉体製造と電子デバイス製造において利用
できるものである。

【０００２】

【従来の技術】電子機器の小型化、高性能化に伴い、電
子デバイスの実装密度をより高くすることが望まれてい
る。それに伴って、例えば表面実装型の積層セラミック
コンデンサでは、内部電極の卑金属化や、誘電体層の薄
層化および高積層化などによって小型大容量の製品を安
価で実現できるようになり、また、基板内にコンデンサ
やコイル、フィルター等の受動素子を内蔵させたモジュ
ールも実現され、このような高実装密度の要望に応えて
いる。

【０００３】これら電子デバイスの多くは粉体原料を用
いて、樹脂バインダの溶液にそれを分散させたスラリー
を塗工してグリーンシートを成形したり、或いは同様に
ペーストを作成して印刷乾燥した後、脱バインダと焼成
プロセスを経て製造されるのが一般的である。従って、
製造される電子デバイスの特性や信頼性のバラツキに対
して、これらスラリーやペーストのレオロジー的性質の
再現性や、塗工法や印刷法など工法の再現性および製造
したグリーン体の密度や充填度、バインダの分布等の物
性値の再現性が、その後の焼成、焼結工程の再現性と共
に重要な影響を及ぼす。また、各種電子機器に用いる基
板用のコンポジット材料や、リチウムイオン電池に代表
される電池の正極や負極の活物質層など、スラリーやペ
ーストを塗工して乾燥、硬化等を行い、そのまま使用に
供するような電子デバイスにおいては、前述のような物
性値の管理、制御が、より重要な製造上の品質管理ポイ
ントとなる。

【０００４】それ故に、例えばチタン酸バリウムや酸化
チタン、或いはアルミナ、シリカといった酸化物では、
ゾルーゲル法や水熱合成法に代表される液相合成法によ
って、微細で粒径分布や粒子の形が揃った原料粉体が開
発、製造され、前述のような用途に供されている。ま
た、金、銀、銅、パラジウム及びニッケルなどの金属に
おいても、液相合成法や気相合成法によって同様な原料
粉体が製造され、実用化されている。また、セラミック
粉末を自由落下させながら炭酸ガスレーザービーム中を
通過させ、球状の形が整ったセラミック粉末を製造しよ
うとする試みが、第１１回固体イオニックス講演要旨
集、ｐｐ７９（１９８４）に示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本質的
な物理化学的性質によって前述のような合成法が適用で
きないか、或いはそのような合成法では安価に製造でき
ないため、粉体の仮焼法や溶融法によって合成し、それ
を機械的に破壊（粉砕）することによって製造せざるを
得ない粉体材料もあり、これらにおいてはブロードな粒
径分布や形状の不規則さ、および表面状態のバラツキ等
に起因すると思われる種々の再現性不良が生じる。例え
ば、このような粉体材料の代表的なものとして酸化物ガ
ラスフリットが挙げられ、これを原料として製造される
電子デバイス（例えば、ガラスセラミックをベースとし
たモジュール部品やプラズマディスプレイパネルなど）
においては、スラリーやペーストの再現性不良による工
程不良発生や信頼性不良など、歩留りの低下が起こる。

【０００６】コンデンサやバリスタ、フィルター等に代
表されるセラミック部品の製造においては、それぞれの
所望の特性を発現させるために主成分に対して数種の添
加成分を加えるのが一般的であるが、これらの反応を均
一に起こさせ、さらに各成分の混合を促進するため、仮
焼、粉砕が行われる。これによって、少なくとも化学成
分的には均一な粉体原料が得られるが、粉砕を行うこと
によって前述のガラスフリットと同様な粒子形状、粒径
分布となり、製品特性のバラツキを引き起こす原因とな
っている。

【０００７】また、特に積層セラミックコンデンサで
は、性能を向上させるための手段として原料粉末の微細
化と焼結体の結晶粒子微細化が重要であるが、制御され
た化学的製造法によって得られた微細な原料粉末は結晶
性が低く、焼成工程においてしばしば異常な粒子成長を
起こす。このため、高信頼性でしかも容量の温度特性が
良好な製品を実現することが困難である。

【０００８】以上のような電子デバイスの構成には電極
や配線部分が必須であり、この部分については金属粉末
を使用して製造されるのが一般的であるが、安価な金属
粉末については特に形状のランダムさが製造される製品
の特性やバラツキに大きな影響を与えている。

【０００９】電池においては、例えば、リチウムイオン
２次電池の正極活物質としてコバルト酸リチウム等が使
用されるが、これらの粉末は前述のような仮焼、粉砕法
で製造されるのが一般的であるため、粒子形状や大きさ
の分布が塗布用スラリー、或いはペーストの物性のバラ
ツキに影響を与え、活物質層を形成したときに、導電材
料として混合されるカーボン材料の分布や接触状態が制
御できず、容量やサイクル特性等の製品バラツキとな
る。

【００１０】また、前述の炭酸ガスレーザビーム中を自
由落下させる粉体の製造法では、特に１μｍ以下の微細
な粉末粒子が凝集したまま加熱されるため、製造される
粉末の粒子径が１μｍ以上であって、粒子径が１０μｍ
以上の粒子も含まれるような粉体しか製造できないこと
が明らかにされている。この方法により製造された粉末
を分級し、所定の粒子径範囲にある粉末を得るという製
造方法も考えられるが、容易に分かるように収率が悪
く、コストが上がって不利となる。

【００１１】本発明は、このような課題を解決するため
に考案されたものであって、その目的は、粒子形状の揃
った、粒径分布のシャープな粉体を製造することと、そ
の原料粉体を用いて特性バラツキが小さく、製造歩留り
の良い電子デバイスを提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
め、本発明の粉体製造方法は、粗粉砕した粉体を微粉砕
し、該微粉砕した粉体を乾式気流法で分級して設定した
粒径範囲の粉体を取り出し、分級して設定した粒径範囲
以上の粉体を再び前記微粉砕する工程に戻し、該設定し
た粒径範囲に分級した粉体を気流で搬送しながら加熱し
た後冷却し、該加熱、冷却した粉体を集めるという構成
とした。

【００１３】また、前記微粉砕する際には、高速気流中
で粉体を搬送し、硬質板状体に衝突させるか、或いは、
粉体を搬送する高速気流を対向して配置することによ
り、粉体同士を衝突させて微粉砕することによって行う
が、この工程は実質的に粉砕を行うという意味と、ま
た、他の方法によって既に微粉砕されている粉体に対し
て、機械的に凝集を解いて気流中に分散させるという意
味を持つものである。

【００１４】本発明の粉体製造方法で、最も特徴的であ
るのは、分散し、分級した粉体を気流で搬送しながら加
熱する際の方法が、レーザ光の照射によるか、或いはマ
イクロ波加熱法によって行う構成とした部分である。こ
れによって任意の粒径範囲に分級された粉体粒の１つ１
つが熱効率良く加熱されると共に、実質的に分級装置の
速度で粉体の処理速度が決まるので、極めて量産性に優
れている。更に、扱うべき物質の性質に応じて加熱方法
や条件を選択することにより、粉体粒１つ１つの結晶性
を高めたり、溶融させて球状化させたりすることができ
る。使用するレーザとしては、加熱を主たる目的とする
場合に限っては炭酸ガスレーザかＹＡＧレーザがコス
ト、出力等の点で工業的に有利であるが、加熱に伴って
化学反応を起こさせることも目的とする場合には、エキ
シマレーザ等のレーザも使用することができ、種々のレ
ーザについて期待される効果を同時に実現させるために
複数の異なるレーザを同時に照射させても良い。

【００１５】このように、本発明の構成は、粉体粒子の
分散、搬送、加熱を気流中で行うのが特徴であるので、
用いる気流としても、通常の大気のみならず不活性ガス
でも構成することができるため、酸化性雰囲気中での加
熱によって変質するような物質の粉体であっても処理す
ることができる。

【００１６】本発明の粉体製造方法を実現する装置は、
高速気流式分級機から排出される気流中に含まれる粉体
に、レーザ光を照射する設備か或いは、マイクロ波によ
り加熱する設備を連結し、その後に乾式微粉捕集装置を
連結して構成される。また、高速気流式粉砕機と高速気
流式分級機を連結もしくは合体させ、該分級機から排出
される気流中に含まれる粉体に、レーザ光を照射する設
備か、或いは、マイクロ波により加熱する設備を連結
し、その後に乾式微粉捕集装置を連結して構成される。
前述のように、気流として用いるガスとしては、大気か
不活性ガスを使用できる構成となっている。

【００１７】本発明により製造する電子デバイスは、主
には粉体を樹脂バインダの溶液に分散させてスラリーも
しくはペーストの形態にして成形し、これを乾燥、硬化
させて特性を利用するようなものか、或いは同様に成形
した後、乾燥、脱バインダおよび焼成を行って特性を発
現させるという工法によって製造されるものであって、
前者に属するものは電池、後者に属するものはセラミッ
ク電子部品、積層セラミックコンデンサ、多層配線基
板、モジュール部品およびプラズマディスプレイパネル
である。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態を、図面を参照しながら説明する。

【００１９】（実施の形態１）図１に本発明の粉体製造
方法および装置の実施の形態１を示す。原料は投入孔１
０２から投入され、コンプレッサ或いはボンベ１０１か
らガスを導入される高速気流式粉砕機１０３中で粉砕さ
れる。粉砕された原料は導出管１０５を通って高速気流
式分級機１０６に導かれ、ここで設定された粒径範囲の
原料が導出管１０５'に導かれると共に、粗粉は導出管
１０４を通って再び気流式粉砕機１０３に戻される。こ
れらの粉体処理システムは、例えば特許第３０８３７６
９号公報や特開２０００−３１７３３８号公報および特
開平１１−１５６２２４号公報等に開示され、市販され
ている装置を支障なく使用することができる。

【００２０】次に、粉砕され、分級された原料は、気流
と共にノズル１０９からバッグフィルタ等の乾式微粉捕
集装置１１１に設けた吸入孔１１０に向かって噴射され
る際に、１０９と１１０の間に設けたギャップ部分で、
レーザ光の発生装置１０７によって発生させたレーザ光
を射出孔１０８から射出させることによって熱処理され
る。図中にはレーザ光の射出孔１０８として１つだけ示
したが、粉体の種類や熱処理条件の設定のために複数の
射出孔を設けても差し支えない。例えば、融点の高い物
質からなる粉体を球状になるように熱処理する必要のあ
る場合や、コスト等の関係で気流中の粉体濃度を高くす
る必要のある場合などには、複数の射出孔を設けたほう
が好ましい。

【００２１】多くの射出光を設けてより均一に照射、熱
処理する場合にはファイバーによる導光技術が確立され
ているＹＡＧレーザが適しているが、この場合にはレー
ザ出力の制限を受ける。また、前述のように異種のレー
ザを同時照射する場合にも、複数の射出孔を設けて行
う。乾式微粉捕集装置１１１は、ブロワー１１２によっ
て吸引され、熱処理された粉体は排出孔１１３から取り
出される。

【００２２】（実施の形態２）図２に本発明の粉体製造
方法および装置の実施の形態２を示す。コンプレッサ或
いはボンベ２０１、原料投入口２０２、高速気流式粉砕
機２０３、導出管２０５および２０５'、高速気流式分
級機２０６等からなる粉体処理システムは、実施の形態
１と同様のものである。粉砕され、分級された原料は、
マイクロ波発信器２０７で発生させ、導波管２０８を通
って加熱筒２０９中で放射されるマイクロ波によって加
熱され、ブロワー２１１によって吸引されたバッグフィ
ルタ等の乾式微粉捕集装置２１０の排出口２１２から取
り出される。

【００２３】（実施の形態３）図３に本発明の粉体製造
方法および装置の実施の形態３を示す。コンプレッサ或
いはボンベ３０１、原料投入口３０２、高速気流式粉砕
機３０３、導出管３０５および３０５'、高速気流式分
級機３０６等からなる粉体処理システムは、実施の形態
１と同様のものである。本実施形態では、導出管３０
５'と、ブロワー３１１によって吸引されたバッグフィ
ルタ等の乾式微粉捕集装置３１０の間のレーザー照射部
分に窓材３０９を設けた構造とし、粉砕され、分級され
た原料は、窓材３０９を通して入射するレーザ光によっ
て加熱される。この窓材３０９は使用するレーザの波長
によって、その材質が規定される。本実施形態は、レー
ザ光処理を大気以外の雰囲気中で行う必要のある粉体に
対して適用される。実施の形態１と同様にレーザ光の射
出孔３０８は複数設けてもよく、この場合には窓材３０
９もそれに応じて複数個具備される。処理された粉体は
排出孔３１２から取り出される。

【００２４】（実施の形態４）図４に本発明の粉体製造
方法および装置の実施の形態４を示す。本実施形態は、
粉砕、分級の装置を一体化して高速気流式粉砕分級機４
０３としたものであって、この部分に使用できる市販の
装置としてはこのタイプが一般的であり、扱うべき粉体
の種類や目的とする粒子径等に応じて支障なく使うこと
ができる。処理された原料粉体は排出孔４１１から取り
出される。なお、本実施形態においても、粉体を加熱す
る方法として実施の形態２および３に記載した方法も適
用できるのは言うまでもない。

【００２５】また、本発明の微粉砕操作については、以
上の実施の形態に示した乾式気流粉砕に限るものではな
いので、予め他の方法で微粉砕したものを処理する場合
には、図５に示したように微粉砕操作部分を除いた形態
であっても差し支えないが、前述のように気流中に粉体
を効率良く分散させるという意味合いも持たせてあるの
で、過粉砕されない条件で運転させるのであれば、乾式
気流粉砕装置を使用した実施の形態１から４の何れかの
方が好ましい結果が得られる。図５の場合にも、粉体を
加熱する方法として実施の形態２および３に記載した方
法も適用できる。

【００２６】以上の実施形態に示した粉体製造方法およ
び装置において、粉体の搬送流量や濃度および加熱装置
の出力等を適当に調整することにより、種々の粉体の結
晶性向上や均質化、形状制御を行うことができる。適用
できる粉体の材質としては、金属およびその化合物が代
表的なものとして挙げられ、更に高分子化合物等の有機
物質についても、その目的に応じて適用することができ
る。

【００２７】

【実施例】以下に実施例を用いて本発明の効果について
詳しく説明する。

【００２８】（実施例１）チタン酸バリウムを主成分と
し、添加物としてジルコン酸ストロンチウム、酸化マン
ガン、酸化ディスプロシウム、炭酸バリウムおよび酸化
アルミニウムを、ジルコニアボールを媒体とするボール
ミルで混合した誘電体組成物を、大気中１１００℃で仮
焼し、この仮焼生成物を同様にボールミルで粉砕、誘電
体組成物粉末を製造した。この際、レーザー回折式粒度
分布径測定装置で粒度分布をモニターし、平均粒子径Ｄ
５０が１±０．２μｍとなるように粉砕条件を調整し
た。比較のため、この段階で得られた誘電体粉末を原料
Ａとして抜き取った。

【００２９】次にこの原料Ａを、実施の形態１に示した
装置で処理した。分級点の設定は１μｍとし、加熱方法
としては出力１０ｋＷの炭酸ガスレーザーを用い、処理
量は１時間あたり約５ｋｇとした。粉体を含む気流の、
レーザーの焦点からの位置は、この粉体が加熱により揮
散しない距離となるように調整した。このようにして得
られた誘電体粉末を原料Ｂとした。

【００３０】これらの操作を、同一組成、同一条件で個
別に５回行い、原料Ａおよび原料Ｂについて、それぞれ
５ロットの誘電体組成物原料を作成した。

【００３１】このようにして得られた各ロットの原料Ｂ
の粒度分布は、原料Ａに比べると、最大粒子径が約９μ
ｍから約３μｍに減少し、分布としてはシャープになっ
ていることが確認された。また、原料Ｂの粉体を走査型
電子顕微鏡で観察すると、ペロブスカイト相の晶癖が見
られるものの、ほぼ球形に近い多角形となっていること
が認められ、更に、Ｘ線回折測定によりペロブスカイト
相単相からなり、他の結晶相や非晶質相は含有されてい
ないことが確認された。

【００３２】次に、ブチラール樹脂をブチルカルビトー
ルと酢酸ブチルの混合溶剤に溶解したビヒクルに、誘電
体組成物原料を分散させスラリーを作成した。分散には
前述と同様にボールミルを使用した。このスラリーを離
型処理したＰＥＴフィルム上にダイコータ−を用いて塗
布し、乾燥してグリーンシートとした。各原料ロットに
ついて全く同条件でグリーンシートを作成したが、それ
らの膜厚を測定したところ、原料Ａの５ロットについて
は１２．０μｍ〜１３．２μｍの範囲であり、同様に原
料Ｂについては１２．２μｍ〜１２．５μｍの範囲であ
った。また、１ｃｍ²あたりの誘電体量を熱重量分析で
求めたところ、原料Ａについては３．４３ｍｇ〜３．６
５ｍｇであり、原料Ｂについては３．５１ｍｇ〜３．５
５ｍｇの範囲であることが分かり、原料Ａより原料Ｂの
方がグリーンシートの特性のロット間変動が小さいこと
が明らかとなった。スラリーの粘性については評価しな
かったが、このことから原料Ｂを用いたスラリーは、原
料Ａのスラリーよりもロット間の粘性特性が安定してい
たと考えられる。

【００３３】これらグリーンシート上にニッケルペース
トを印刷、乾燥した後、熱プレスで積層し、寸断して積
層セラミックコンデンサの生チップを作成した。寸断の
寸法は２．５ｍｍ×１．５ｍｍとした。これら生チップ
を脱バインダし、還元雰囲気中、最高温度１３００℃で
焼成した。

【００３４】ここで、原料ＡおよびＢの各ロット約２０
００個中から２０個ずつの焼成チップを抜き取って寸法
を測定したところ、原料Ａから作成した焼成チップで
は、長手方向が１．９４ｍｍ〜２．０８ｍｍで幅方向が
１．１７ｍｍ〜１．２５ｍｍであったのに対し、原料Ｂ
から作成したものでは、１．９７ｍｍ〜２．０２ｍｍと
１．１９ｍｍ〜２．０２ｍｍであった。これによって原
料Ｂの方が、焼成収縮率においてもロット間変動が小さ
くなっていることが分かった。

【００３５】次に、焼成チップをＳｉＣ粉末を媒体とし
て遊星ミル中で面取りし、電極取り出し端子としてＣｕ
ペーストを塗布、窒素雰囲気中で焼成して積層セラミッ
クコンデンサを完成した。これらの電気特性をＬＣＲメ
ータと絶縁抵抗計で評価した。容量の温度特性は、いず
れのロットについてもＪＩＳのＦ特性を満足した。測定
温度２０℃における容量値は、各ロットについて１００
個のデータを取り、原料Ａによる積層セラミックコンデ
ンサでは８９ｎＦ〜１１５ｎＦであり、原料Ｂによるも
のでは９４ｎＦ〜１０３ｎＦであった。また、同様に５
０Ｖで測定した絶縁抵抗の値は、原料Ａについては８．
０×１０⁹Ω〜３．３×１０¹⁰Ω、原料Ｂについては
１．９×１０¹⁰Ω〜４．５×１０¹⁰Ωであった。このよ
うに、グリーンシートの特性バラツキが小さい原料Ｂか
ら作成したコンデンサでは、電気的な特性についてもそ
のバラツキが小さくなった。

【００３６】生チップの焼成時、最高温度を変えて焼結
状態や電気特性を評価したところ、原料Ａによる生チッ
プでは最高温度を１２６０℃まで下げたときに、ロット
によっては燒結しないものが現れたのに対し、原料Ｂの
ものでは１２２０℃まで焼結状態のバラツキはなく、１
２００℃で全ロットが焼結不充分となった。従って、原
料Ｂを使うことによって実質的に焼成温度を１２２０℃
程度まで低下させることができると言える。

【００３７】本実施例では酸化物粉体を処理したので、
吸収率等の点から炭酸ガスレーザーを用いた。しかしな
がら特に本実施例で用いた強誘電体のような誘電損失の
大きい材料の場合、マイクロ波加熱も有効であり、実施
の形態２に示した装置を用いても本実施例に示したのと
同じ効果が得られた。

【００３８】また、本実施例では原料粉体の微粉砕をボ
ールミルによって予め行ったが、これは従来法との比較
という観点からのサンプルを得るのが目的であったため
であり、量産時においては仮焼後の解砕粉末を、そのま
ま実施の形態１に示した装置に投入して行うのがより一
般的である。

【００３９】本発明は、加熱によって分解しないもので
あれば他の酸化物系にも適用することができ、従って本
実施例のような積層セラミックコンデンサだけでなく、
バリスタ、サーミスタ、フィルター、コイルなどのセラ
ミック電子部品の製造においても、本発明を利用して特
性バラツキが小さく、製造歩留りの高い製品を得ること
ができる。また、基板や碍子等に多用される絶縁性セラ
ミックの原料、例えばアルミナ、フォルステライトなど
にも適用することができる。なお、本実施例では粉末を
スラリー化し、グリーンシートを経て製品を成形する例
を示したが、揮発性の低い溶剤を用いて印刷ペーストを
作成し、これを用いて成形する場合にも同様な効果が得
られる。

【００４０】（実施例２）水熱合成し、仮焼して平均粒
子径を０．２μｍとしたチタン酸バリウム粉末を、実施
の形態４に示した装置で処理した。加熱処理は、１０ｋ
Ｗの炭酸ガスレーザーを用い、実施例１と同様の条件で
行った。但し、本実施例の場合はレーザーの焦点からの
距離を実施例１よりも遠い位置に設定し、粉体の溶融が
起こらないようにした。ＳＥＭ観察により、処理前と処
理後の粉体を比較したところ、両者の大きさや形状には
大きな相違は認められなかった。処理したチタン酸バリ
ウム粉末のＸ線回折パターンを測定し、処理前のものに
ついてのデータと比較すると、ピーク位置には差異はな
く、各ピークの半値幅が処理したものの方が狭かった。
従って、処理により結晶性が向上したものと考えられ
る。

【００４１】エタノールと水を混合した溶媒に、オルト
ケイ酸テトラエチル、硝酸カルシウム、硝酸バリウム、
硝酸マンガン、硝酸ディスプロシウムおよび硝酸マグネ
シウムを溶解した溶液中に、前記処理したチタン酸バリ
ウム粉末を分散させ、撹拌しながらアンモニア水で中和
した後、ボールミルで混合、その後乾燥させ、大気中４
００℃で加熱して誘電体組成物を作成し、これを原料Ｂ
とした。比較のため、実施の形態４に示した装置で処理
していないチタン酸バリウム粉末を用いて、同様な組成
および操作で誘電体組成物を作成し、これを原料Ａとし
た。

【００４２】実施例１と同様に、これら原料を用いてス
ラリーを作成し、グリーンシートを成形した。厚みは双
方ともに５μｍとした。これらグリーンシートにニッケ
ルペーストを印刷し、乾燥した後、加熱プレスで積層、
圧着し、寸断して積層セラミックコンデンサの生チップ
を作成した。脱バインダ、還元雰囲気中１２７５℃での
焼成の後、実施例１と同様に端子電極を設けて、積層セ
ラミックコンデンサを得た。これらの電気特性を評価し
たところ、原料Ａから作成したものでは、容量温度特性
がＪＩＳのＦ特性とＥ特性の中間的な特性となり、絶縁
破壊電圧がＤＣ５ＶからＤＣ９５Ｖであって、非常に大
きなバラツキを示した。これに対し、原料Ｂからのもの
では、ＪＩＳのＢ特性を満足し、絶縁破壊電圧もＤＣ１
００ＶからＤＣ１２５Ｖと安定した値を示した。研磨し
て化学エッチングを施した断面のＳＥＭ観察から、原料
Ａによる誘電体は焼結粒子径が２〜８μｍであるのに対
し、原料Ｂでは０．３〜０．５μｍと微細であることが
分かった。

【００４３】このように、本発明によれば微細な粉末の
粒子径を変化させることなくその結晶性を高めることが
でき、それによって焼結時の反応性を制御し、微細な粒
子からなる焼結体を得ることができる。チタン酸バリウ
ムの場合、このような本発明の効果が実質的に得られる
のは平均粒子径が０．３ミクロンに満たない粉体である
場合であって、平均粒子径が０．３ミクロン以上の粉体
の場合には、微細な粒子からなる焼結体を得るという観
点からは、必ずしも本発明を適用する必要はない。ま
た、本発明が有効となる平均粒子径の上限は、他の材料
からなる粉体については、その物理化学的性質に応じて
変動するものである。

【００４４】従って、本実施例に示した積層セラミック
コンデンサのみならず、微細な粉末の結晶性を上げるこ
とによって性能の向上が見こめるセラミック部品につい
ても応用が可能である。

【００４５】本実施例においては、炭酸ガスレーザーに
よる加熱だけでなく、粉体を含む気流に対して互いに１
２０℃の角度をなして入射するように３つの射出孔４０
５を配置したＹＡＧレーザー（出力４００Ｗ）を用いて
加熱する方法も行ったが、前述と同様な結果が得られ
た。

【００４６】（実施例３）酸化アルミニウムと酸化カル
シウムを副成分として含有するホウケイ酸ガラスを、溶
融法によって作成した。得られたガラス塊をハンマーミ
ルで粗粉砕し、３２５メッシュのふるいを通したもの
を、実施の形態４に示した装置で処理し、これをガラス
原料Ｂとした。加熱方法および条件は、実施例１と同様
とした。また、分級点は２μｍに設定し、処理量は１時
間に約３ｋｇで行った。従来法との比較のため、前記３
２５メッシュのふるいを通した粉末を、乾式粉砕、分級
点２μｍで分級したものも作成し、これをガラス原料Ａ
とした。ロット間変動を調べるため、これらについても
実施例１と同様にそれぞれ５ロットずつ作成した。

【００４７】レーザー回折式粒度分布計で両者の粒度分
布を比較すると、大きな差異は認められなかったが、Ｓ
ＥＭ観察によるとガラス原料Ａの方は角張った不規則な
形状であるのに対し、ガラス原料Ｂは球状もしくは角が
丸くなった多角形状であることが認められた。また、ガ
ラス原料Ａでは、約０．３μｍ以下の微細粒子が存在
し、大きいサイズの粒子に付着しているのが多く見られ
るが、ガラス原料Ｂではこのような微細粒子は観察され
なかった。

【００４８】ローソーダアルミナ（平均粒子径２μｍ）
と前記ガラス原料を混合して実施例１と同様にスラリー
とし、ガラスアルミナのグリーンシートを作成した。グ
リーンシート厚みのロット間バラツキ範囲は、ガラス原
料Ａを用いたものでは１１５μｍ〜１４７μｍ、ガラス
原料Ｂを用いたものでは１２２μｍ〜１２７μｍであ
り、実施例１と同様に求めた１ｃｍ²あたりのガラスセ
ラミック量のロット間バラツキ範囲は、ガラス原料Ａに
よるものでは１７．８ｍｇ〜２２．４ｍｇ、ガラス原料
Ｂによるものでは１８．７ｍｇ〜１９．４ｍｇであっ
た。これから、本発明によるガラス原料Ｂの方が、グリ
ーンシートの物性値バラツキが小さいことが分かった。

【００４９】これらグリーンシートと配線、電極用の銀
ペーストを用いて、コンデンサを内蔵したモジュール部
品を作成した。配線層は両面で６層とし、配線層間の接
続はグリーンシートに２００μｍの孔をあけて吸引しな
がら銀ペーストを埋め込む方法によった。内蔵するコン
デンサはガラスアルミナ層１層おきに設けて督促３個と
し、電極面積を変えることによって３種類の容量値とな
るようにした。印刷、乾燥後、実施例１と同様に熱加圧
で積層し、１３．０ｍｍ角に寸断した後、脱バインダ、
焼成してモジュール部品とした。焼成は大気中、最高温
度８５０℃のベルト炉によって行った。

【００５０】焼成後の寸法のロット間バラツキ範囲は、
ガラス原料Ａによるものでは９．５ｍｍ〜１１．０ｍ
ｍ、ガラス原料Ｂによるものでは９．５ｍｍ〜１０．２
ｍｍであった。また、内蔵した３種類のコンデンサの２
０℃、１ＭＨｚでの測定値のロット間バラツキは、ガラ
ス原料Ａによるものでは、それぞれ５．５ｐＦ〜７．２
ｐＦ、１５．９ｐＦ〜１８．６ｐＦ、４０．３ｐＦ〜４
７．２ｐＦであり、ガラス原料Ｂによるものでは同様
に、６．３ｐＦ〜６．８ｐＦ、１７．５ｐＦ〜１８．６
ｐＦ、４４．８ｐＦ〜４７．１ｐＦであった。このよう
に、グリーンシートの物性値バラツキを反映して、本発
明にかかるガラス原料Ｂより作成したモジュール部品の
方が、寸法や電気的性質などの特性値のバラツキが小さ
い。更に特性バラツキを抑制するには、使用するローソ
ーダアルミナについても、実施の形態４に示した装置で
処理し、その粒度分布と形状を制御するのが望ましい。

【００５１】本実施例では、ガラスとしてホウケイ酸ガ
ラス、フィラーとしてアルミナを用いたが、誘電率や誘
電損失といった電気的特性や抗折強度や熱衝撃特性とい
った機械的性質を満足させるために、他の酸化物ガラス
系や結晶化ガラス系を用いてもよく、フィラーとしても
フォルステライトやムライトといった絶縁性酸化物やチ
タン酸塩に代表される強誘電性酸化物等を用いることが
できる。

【００５２】また、本実施例では３種の容量値を設定し
たコンデンサ部を内蔵させたモジュール部品を作成した
が、本発明は、要求特性に応じてフィルターや発振子を
内蔵させたモジュール部品、或いは半導体パッケージの
ような多層配線基板の製造にも適用することができ、特
性バラツキが小さく、歩留りの良い製品を製造すること
ができる。

【００５３】（実施例４）酸化亜鉛と酸化カルシウムを
副成分として含有するホウケイ酸鉛ガラスを、溶融法に
よって作成した。実施例３と同様の方法で、実施の形態
４に示した装置で処理し、これをガラス原料Ｂとした。
従来法との比較のため、実施例３と同様に乾式粉砕、分
級したものも作成し、これをガラス原料Ａとした。ガラ
スの組成は、その軟化点が５３０℃となるように調製し
た。両者の原料の粒度分布はほぼ同じで、ＳＥＭ観察に
よって、粉末形状がガラス原料Ｂではほぼ球形に近く、
ガラス原料Ａでは実施例３と同様に角張って不規則であ
ることを確認した。

【００５４】これらＡ、Ｂのガラス原料を、エチルセル
ロースをターピネオールと石油ナフサの混合溶媒に溶解
したビヒクルに、３本ロールミルで分散させ、フタル酸
エステル（ＢＢＰ）を添加して２種類の絶縁層用ペース
トを作成した。また、これらガラス原料とフィラーとし
てのジルコニアおよびアルミナ粉末を混合して同様に混
練し、２種類のリブ形成用ペーストを作成した。

【００５５】ＩＴＯ透明電極をストライプ状に形成した
ガラス基板に、酸化ルテニウムと銀を混合したペースト
と銀ペーストをストライプ状に印刷、焼成してバス電極
とした。更にブラックストライプを印刷、焼成した後、
前記絶縁層用ペーストを基板全面にスクリーン印刷し、
乾燥して焼成した。次に、この絶縁層上に酸化マグネシ
ウムを蒸着形成して４２インチのプラズマディスプレイ
パネル（以下、ＰＤＰと記す）の前面板を作成した。

【００５６】ガラス基板上に銀ペーストをストライプ状
に印刷、焼成してデータ電極とした。この上に前記絶縁
層用ペーストを基板全面にスクリーン印刷し、乾燥、焼
成して絶縁層を形成した。データ電極間に、前記リブ形
成用ペーストをストライプ状に都度乾燥しながら印刷積
層、焼成してリブを形成し、リブ間にＲ、Ｇ、Ｂの蛍光
体ペーストをストライプ印刷し、焼き付けてＰＤＰの背
面板を作成した。

【００５７】前面板と背面板を位置合わせして封着し、
排気した後ネオンとキセノンの混合ガスを封入して、４
２インチの評価用ＰＤＰを得た。言うまでもなく、ガラ
ス原料Ａを用いた絶縁層用ペーストとリブ形成用ペース
トによるものと、ガラス原料Ｂを用いたペーストによる
ものの２種類を作成し、ドライバー等を接続して点灯試
験を行った。その結果、ガラス原料Ａを用いたペースト
から作成したパネルでは約１００個の点灯しないセルが
あったのに対し、ガラス原料Ｂを用いたものでは０個で
あった。また、前者ではパネルの周辺部分と中央部で輝
度が異なるムラが見られたが、後者ではこのようなムラ
はなかった。点灯試験後、これらのパネルを分解し、ガ
ラス原料Ａを用いたものについて不良箇所の分析を行っ
たところ、不点灯のセル部分では絶縁層の大きな気泡の
存在による絶縁破壊やリブの欠けが生じていることが分
かった。

【００５８】また、絶縁層やリブの厚み分布（パネル全
面にわたって１６点をサンプリングして測定）は、ガラ
ス原料Ａを用いた絶縁層用ペーストによるパネルでは、
３７μｍ〜４５μｍ、ガラス原料Ａを用いたリブ用ペー
ストによるパネルでは、１０８μｍ〜１３３μｍであっ
たのに対し、ガラス原料Ｂを用いたペーストによるパネ
ルでは、それぞれ４０μｍ〜４２μｍおよび１１７μｍ
〜１２２μｍであった。このように、本発明によるガラ
ス原料Ｂを用いたペーストにより、特性バラツキと不良
の少ないＰＤＰが製造できる。

【００５９】また、本発明によれば、厚みバラツキを小
さく、絶縁層中の残存気泡を少なくできるので、前記絶
縁層の実質的な設計厚みをより薄くすることができ、従
って放電電圧を下げて消費電力を削減することも可能で
ある。また、より表示品質を向上させ、同時に歩留りを
向上させるために、本実施例で用いた蛍光体ペーストに
用いる粉末に対して本発明を適用したり、電極を形成す
る銀などの導電体粉末に本発明を適用して、それぞれペ
ーストを作成して使用してもよい。更に、リブ形成用ペ
ーストに用いるフィラー粉末に対しても、本発明を適用
すればリブ高さのバラツキやリブ欠けなどにおいてより
良い結果が得られる。

【００６０】（実施例５）炭酸リチウムと水酸化コバル
トをモル比で１．０７：１．００となるように配合し、
乾式混合した後、大気中９５０℃で仮焼し、これを解
砕、粗粉砕してリチウム過剰のコバルト酸リチウム粉末
を作成した。これを、分級点１０μｍに設定した実施の
形態４に示した装置で処理し、活物質Ｂとした。加熱に
は出力１０ｋＷの炭酸ガスレーザーを用い、処理量は１
時間に約６ｋｇで行った。また、比較のため前記粗粉砕
粉を乾式粉砕し、同様に分級点１０μｍで分級した粉末
も作成し、これを活物質Ａとした。ＳＥＭ観察により活
物質Ａと活物質Ｂを比較すると、実施例１と同様の結果
であることが確認された。ロット間バラツキを調べるた
め、いずれの活物質についても同様な操作で５ロットず
つ作成した。

【００６１】両者の活物質とアセチレンブラックを混合
し、ポリフッ化ビニリデンをＮ−メチルー２−ピロリド
ンに溶解したビヒクルに分散させてスラリーを作成し、
アルミニウム箔上に塗布、乾燥後、ローラー圧延してリ
チウムイオン電池の正極板を作成した。この際、各ロッ
トから作成した活物質層の厚みバラツキを調べたとこ
ろ、活物質Ａから作成したものでは±１１％であったの
に対し、活物質Ｂから作成したものでは±２％であっ
た。

【００６２】これとは別に、同一ロットの黒鉛粉末と前
記ビヒクルからスラリーを作り、銅箔上に塗布、乾燥、
圧延して負極板を作成した。これらの極板を用い、通常
の方法でセパレータと共に捲回し、ケースに装填した
後、エチレンカーボネートとジメチルカーボネートを主
成分とする溶媒にヘキサフルオロリン酸リチウムを溶解
させた電解液を注入して、設計容量値１６００ｍＡｈの
円筒型リチウムイオン電池を同一の条件で作成し、特性
を測定した。

【００６３】各ロットの正極板から作成した電池１０個
について、２５℃で４．１Ｖ、１．６Ａの充電、カット
オフ電圧を２．７５Ｖとした１．６Ａの定電流放電を繰
り返す充放電サイクル試験を行い、容量のバラツキ、容
量保持率のバラツキなどを測定した。その結果、活物質
Ａから作成した電池では、初期容量のロット間バラツキ
が１４３０ｍＡｈ〜１６９０ｍＡｈであったのに対し、
活物質Ｂによる電池では、１６００ｍＡｈ〜１６２０ｍ
Ａｈであった。また、５００サイクル後の容量保持率の
ロット間バラツキは、活物質Ａによる電池で５５％〜７
８％であったのに対し、活物質Ｂによるものでは７９％
〜８２％であった。

【００６４】このように、本発明によって作成した活物
質を使用すると、製造ロットによる特性バラツキの小さ
いリチウムイオン電池を製造することができる。これ
は、活物質粒子の形状および表面状態等が安定化するた
めに、スラリー物性および活物質層の厚み、構造、充填
率、バインダ樹脂の分布等、電池特性に影響を与える物
性値が安定となるからである。

【００６５】本実施例では、典型的な例としてコバルト
酸リチウムで実施したが、ニッケル酸リチウム系やマン
ガン酸リチウム系およびそれらの固溶体を用いても、特
性安定性という観点で同様な効果が得られる。また、搬
送する気流として窒素を用いて遷移金属硫化物を処理す
ることにより、本実施例と同様な特性の安定した電池が
実現可能である。なお、本発明は、活物質として酸化物
や硫化物或いは金属粉体を用いて極板が製造されるもの
であれば、本実施例に示したリチウムイオン電池に限定
されるものではなく、他の電池系に対しても同様な効果
を与えるものである。

【００６６】（実施例６）液相還元法で作成したニッケ
ル粉末（平均粒子径０．１５μｍ）を、実施の形態３に
示した装置で窒素気流中で処理した。この際、窓材とし
てセレン化亜鉛を用いて出力１０ｋＷの炭酸ガスレーザ
によって加熱処理を行った。このようにして作成したニ
ッケル粉末を原料Ｂとし、比較のためにこの処理を行っ
ていない液相還元法で作成したニッケル粉末を原料Ａと
した。これら原料粉末をＳＥＭ観察した結果、原料Ａは
不規則な形状を持った粉体であるのに対し、原料Ｂでは
多面体もしくは球状の形状を持った粉体であることが分
かった。

【００６７】これらＡ、Ｂのニッケル粉末原料を、エチ
ルセルロースをターピネオールと石油ナフサの混合溶媒
に溶解したビヒクルに３本ロールミルで分散させ、内部
電極ペーストを作成した。実施例２で製造した誘電体原
料Ｂを用いたグリーンシートに、これら内部電極ペース
トを印刷厚みを変えて印刷、乾燥した。この際、内部電
極層１ｃｍ²あたりのニッケル重量（以下、塗着重量と
呼ぶ）を、測定、評価した。

【００６８】次に、実施例２と同様の方法で積層セラミ
ックコンデンサを作成し特性の評価を行った結果、原料
Ａから作成した内部電極ペーストによる積層セラミック
コンデンサでは、塗着重量が１．０ｍｇから０．８ｍｇ
のサンプルの容量バラツキが±５％、同様に０．８ｍｇ
から０．６５ｍｇのサンプルで±４０％、０．６５ｍｇ
より少ないサンプルで容量が得られなかったのに対し、
原料Ｂによる内部電極ペーストによるものでは、塗着重
量が１．０ｍｇから０．６５ｍｇのサンプルの容量バラ
ツキが±５％、同様に０．６５ｍｇから０．５ｍｇのサ
ンプルで±４０％、０．５ｍｇより少ないサンプルで容
量が得られなかった。即ち、原料Ｂによる内部電極ペー
ストを用いた方が、塗着重量が少なく、実質的に内部電
極の厚みが小さい積層セラミックコンデンサを安定に製
造できることが分かった。

【００６９】従って、本発明による内部電極ペーストに
よれば、１層あたりの厚みが小さく高積層の積層セラミ
ックコンデンサを特性バラツキを小さく製造することが
できる。このような効果は気相還元法によるニッケル粉
末を用いても得ることができるが、本実施例のポイント
は安価な液相還元法によるニッケル粉末を加工すること
によって同等の効果を得るという点にあり、本発明は積
層セラミックコンデンサの高容量化だけでなく、低コス
ト化に対して有効である。

【００７０】なお、本実施例では積層セラミックコンデ
ンサの内部電極としてニッケル粉末について述べたが、
本発明は、配線や電極材料として多用される金、銀、
銅、パラジウムおよび銀パラジウム合金等の粉末につい
ても、低コスト化と高精度化や低抵抗化といった高性能
化の観点で有効であって、実施例３や実施例４に述べた
ような電子デバイスにも適用できる。また、本発明は、
特に金と銀の粉末について、焼成型ではない溶剤乾燥型
や樹脂硬化型の導電ペーストにも適用することができ、
部品実装や面実装型の部品、メンブレンスィッチ、樹脂
多層基板および電解コンデンサなどの製造にも応用する
ことができる。

【００７１】

【発明の効果】以上に述べたように、本発明の粉体製造
方法および装置によれば、粉砕、分散、分級を気流中で
行うと共に、連続してレーザかマイクロ波を照射して、
粉体粒子１つずつを効率良く加熱処理することができ、
粒度分布、形状、表面状態等の安定した粉体を製造でき
る。これによって、製造歩留りや性能等の安定した電子
デバイスを提供することができ、粉体製造分野と電子デ
バイス製造分野における効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の粉体製造方法および粉体製造装置の実
施の形態１を示すブロック図

【図２】本発明の粉体製造方法および粉体製造装置の実
施の形態２を示すブロック図

【図３】本発明の粉体製造方法および粉体製造装置の実
施の形態３を示すブロック図

【図４】本発明の粉体製造方法および粉体製造装置の実
施の形態４を示すブロック図

【図５】本発明の粉体製造方法および粉体製造装置の他
の実施形態を示すブロック図

【符号の説明】

１０１，２０１，３０１，４０１，５０１コンプレッ
サーもしくはボンベ１０２，２０２，３０２，４０２，５０２原料投入口１０３，２０３，３０３高速気流式粉砕機１０４，２０４，３０４，１０５，１０５'，２０５，
２０５'，３０５，３０５'，４０６，５０４導出管１０６，２０６，３０６，５０３高速気流式分級機１０７，３０７，４０４，５０７レーザ光の発生装置１０８，３０８，４０５，５０６レーザ光の射出孔１０９，４０７，５０５ノズル１１０，４０８，５０８吸入孔１１１，２１０，３１０，４０９，５０９乾式微粉捕
集装置１１２，２１１，３１１，４１０，５１０ブロワー１１３，２１２，３１２，４１１，５１１排出口２０７マイクロ波発信器２０８導波管２０９加熱筒３０９窓材４０３高速気流式粉砕分級機

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｇ 4/12 ３６１Ｈ０１Ｇ 4/30 ３１１Ｚ５Ｅ３４６ 4/30 ３１１Ｈ０１Ｍ 4/04 Ａ５Ｈ０５０Ｈ０１Ｍ 4/04 4/58 4/58 Ｈ０５Ｋ 3/46 ＨＨ０５Ｋ 3/46 Ｃ０４Ｂ 35/46 Ｄ // Ｃ０４Ｂ 35/46 35/00 Ｂ (72)発明者白石誠吾大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者田井伸幸大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 4D067 CA02 CA03 EE07 EE22 EE32 GA07 GA08 GA10 GB10 4G030 AA09 AA10 AA11 AA16 AA17 AA25 AA36 BA09 CA01 CA04 CA08 GA01 GA03 GA08 GA14 GA17 GA20 GA26 GA27 4G031 AA05 AA06 AA07 AA11 AA12 AA19 AA29 BA09 CA01 CA04 CA08 GA03 GA04 GA10 GA11 5E001 AB03 AC10 AE02 AH01 AH09 AJ01 AJ02 5E082 AB03 FF05 FG04 5E346 AA12 AA15 AA38 BB01 CC18 CC31 DD02 DD34 EE24 EE29 GG03 GG04 HH33 5H050 AA19 BA16 BA17 CA08 CA09 DA04 DA10 DA11 EA08 GA02 GA03 GA05 GA10 GA22 GA27 GA29

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】粗粉砕した粉体を微粉砕し、該微粉砕した
粉体を乾式気流法で分級して所定の粒径範囲の粉体を取
り出し、前記所定の粒径範囲以上の粉体を再び前記微粉
砕する工程に戻し、前記所定の粒径範囲に分級した粉体
を気流で搬送しながら加熱した後冷却し、該加熱、冷却
した粉体を集めることを特徴とする粉体製造方法。
【請求項２】粗粉砕した粉体を微粉砕する際、高速気流
中で粉体を搬送し、硬質板状体に衝突させるか、或い
は、粉体を搬送する高速気流を対向して配置することに
より、粉体同士を衝突させて微粉砕することを特徴とす
る請求項１に記載の粉体製造方法。
【請求項３】分級した粉体を気流で搬送しながら加熱す
る際、レーザ光の照射によって加熱することを特徴とす
る請求項１に記載の粉体製造方法。
【請求項４】照射するレーザ光が、炭酸ガスレーザもし
くはＹＡＧレーザであることを特徴とする請求項３に記
載の粉体製造方法。
【請求項５】分級した粉体を気流で搬送しながら加熱す
る方法が、マイクロ波加熱法であることを特徴とする請
求項１に記載の粉体製造方法。
【請求項６】乾式気流法で分級して所定の粒径範囲の粉
体を取り出し、前記所定の粒径範囲に分級した粉体を気
流で搬送しながら加熱した後冷却する際に、不活性ガス
気流中で行うことを特徴とする請求項１から請求項５の
いずれか１項に記載の粉体製造方法。
【請求項７】高速気流式分級機から排出される気流中に
含まれる粉体にレーザ光を照射して、該照射による加熱
処理にて得られた粉体を乾式微粉捕集装置にて補集する
ことを特徴とする粉体製造装置。
【請求項８】高速気流式分級機から排出される気流中に
含まれる粉体をマイクロ波により加熱して、該加熱処理
により得られた粉体を乾式微粉捕集装置にて補集するこ
とを特徴とする粉体製造装置。
【請求項９】高速気流式粉砕機と高速気流式分級機を連
結もしくは合体させ、これらに、該分級機から排出され
る気流中に含まれる粉体にレーザ光を照射する手段を連
結し、該照射による加熱処理にて得られた粉体を、前記
分級器に連結された乾式微粉捕集装置にて補集すること
を特徴とする粉体製造装置。
【請求項１０】高速気流式粉砕機と高速気流式分級機を
連結もしくは合体させ、これらに、該分級機から排出さ
れる気流中に含まれる粉体をマイクロ波により加熱する
手段を連結し、該加熱処理にて得られた粉体を、前記分
級器に連結された乾式微粉捕集装置にて補集することを
特徴とする粉体製造装置。
【請求項１１】高速気流式分級機から排出される気流が
不活性ガスであることを特徴とする請求項７から請求項
１０のいずれか１項に記載の粉体製造装置。
【請求項１２】セラミック組成物を仮焼した後、粗粉砕
するかもしくは微粉砕し、請求項７から請求項１１のい
ずれか１項に記載の装置で処理してなるセラミック原料
粉末を、樹脂バインダを溶解した溶液に分散させてスラ
リーもしくはペーストを製造し、該スラリーを塗布乾燥
してグリーンシートを形成し、配線、電極を具備して、
積層、脱バインダ、焼成し、該ペーストを印刷して乾燥
した後、脱バインダ、焼成して製造することを特徴とす
るセラミック電子部品。
【請求項１３】平均粒子径が０．３ミクロン未満のチタ
ン酸バリウム粉末を、請求項７から請求項１１のいずれ
か１項に記載の装置で処理した後、微量添加物として他
の酸化物粉末を混合するかもしくは該酸化物を構成する
金属を含有する前駆体を混合して処理することによって
誘電体組成物粉末を製造し、該誘電体組成物粉末を、樹
脂バインダを溶解した溶液に分散させてスラリーとし、
該スラリーを塗布して乾燥したグリーンシートと内部電
極を具備して積層、脱バインダ、焼成して製造すること
を特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項１４】少なくとも１種のガラス形成酸化物を含
む酸化物混合物を溶融して急冷することによりガラス塊
を製造し、該ガラス塊を粗粉砕するかもしくは微粉砕
し、請求項７から請求項１１のいずれか１項に記載の装
置で処理してなるガラスフリットと、フィラーとして他
の酸化物粉末を混合してガラスセラミック組成物粉末を
製造し、該ガラスセラミック組成物粉末を、樹脂バイン
ダを溶解した溶液に分散させてスラリーもしくはペース
トを製造し、該スラリーを塗布乾燥してグリーンシート
を形成し、配線、電極を具備して、脱バインダ、焼成
し、該ペーストを印刷して乾燥した後、脱バインダ、焼
成して製造することを特徴とする多層配線基板。
【請求項１５】少なくとも１種のガラス形成酸化物を含
む酸化物混合物を溶融して急冷することによりガラス塊
を製造し、該ガラス塊を粗粉砕するかもしくは微粉砕
し、請求項７から請求項１１のいずれか１項に記載の装
置で処理してなるガラスフリットと、フィラーとして他
の酸化物粉末を混合してガラスセラミック組成物粉末を
製造し、該ガラスセラミック組成物粉末を、樹脂バイン
ダを溶解した溶液に分散させてスラリーもしくはペース
トを製造し、該スラリーを塗布乾燥してグリーンシート
を形成し、配線、電極を具備して、脱バインダ、焼成
し、該ペーストを印刷して乾燥した後、脱バインダ、焼
成して製造することを特徴とするモジュール部品。
【請求項１６】少なくとも１種のガラス形成酸化物を含
む酸化物混合物を溶融して急冷することによりガラス塊
を製造し、該ガラス塊を粗粉砕するかもしくは微粉砕
し、請求項７から請求項１１のいずれか１項に記載の装
置で処理してなるガラスフリットを樹脂バインダを溶解
した溶液に分散させて製造したペーストと、前記ガラス
フリットと、フィラーとして他の酸化物粉末を混合して
ガラスセラミック組成物粉末を製造し、該ガラスセラミ
ック組成物粉末を、樹脂バインダを溶解した溶液に分散
させて製造したペーストとを、基板上に塗布もしくは印
刷して乾燥した後、脱バインダ、焼成して製造すること
を特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】蛍光体粉体原料を請求項７から請求項１
１のいずれか１項に記載の装置で処理して、スラリーも
しくはペーストを製造し、該スラリーもしくはペースト
を塗布もしくは印刷して乾燥した後、脱バインダ、焼成
して製造することを特徴とする請求項１６に記載のプラ
ズマディスプレイパネル。
【請求項１８】フィラーとしての粉体原料を請求項７か
ら請求項１１のいずれか１項に記載の装置で処理するこ
とを特徴とする請求項１４に記載の多層配線基板。
【請求項１９】フィラーとしての粉体原料を請求項７か
ら請求項１１のいずれか１項に記載の装置で処理するこ
とを特徴とする請求項１５に記載のモジュール部品。
【請求項２０】フィラーとしての粉体原料を請求項７か
ら請求項１１のいずれか１項に記載の装置で処理するこ
とを特徴とする請求項１６に記載のプラズマディスプレ
イパネル。
【請求項２１】少なくとも１種の遷移金属酸化物を含む
酸化物混合物を仮焼した後、粗粉砕するかもしくは微粉
砕し、請求項７から請求項１１のいずれか１項に記載の
装置で処理してなる複合酸化物粉末と、導電性付与のた
めのカーボン粉末を混合して、樹脂バインダを溶解した
溶液に分散させてペーストを製造し、該ペーストを金属
箔上に塗布、乾燥した後、圧延して極板を製造すること
を特徴とする電池。
【請求項２２】少なくとも１種の遷移金属硫化物を含む
硫化物混合物を不活性雰囲気中で仮焼した後、粗粉砕す
るかもしくは微粉砕し、請求項１１に記載の装置で処理
してなる複合硫化物粉末と、導電性付与のためのカーボ
ン粉末を混合して、樹脂バインダを溶解した溶液に分散
させてペーストを製造し、該ペーストを金属箔上に塗
布、乾燥した後、圧延して極板を製造することを特徴と
する電池。
【請求項２３】金属粉末を請求項７から請求項１１のい
ずれか１項に記載の装置で処理し、該金属粉末を樹脂バ
インダを溶解した溶液に分散させてペーストもしくはイ
ンクを製造し、該ペーストもしくはインクを配線材或い
は電極として用いることを特徴とする請求項１２に記載
のセラミック電子部品。
【請求項２４】金属粉末を請求項７から請求項１１のい
ずれか１項に記載の装置で処理し、該金属粉末を樹脂バ
インダを溶解した溶液に分散させてペーストもしくはイ
ンクを製造し、該ペーストもしくはインクを配線材或い
は電極として用いることを特徴とする請求項１３に記載
の積層セラミックコンデンサ。
【請求項２５】金属粉末を請求項７から請求項１１のい
ずれか１項に記載の装置で処理し、該金属粉末を樹脂バ
インダを溶解した溶液に分散させてペーストもしくはイ
ンクを製造し、該ペーストもしくはインクを配線材或い
は電極として用いることを特徴とする請求項１４または
１８に記載の多層配線基板。
【請求項２６】金属粉末を請求項７から請求項１１のい
ずれか１項に記載の装置で処理し、該金属粉末を樹脂バ
インダを溶解した溶液に分散させてペーストもしくはイ
ンクを製造し、該ペーストもしくはインクを配線材或い
は電極として用いることを特徴とする請求項１５または
１９に記載のモジュール部品。
【請求項２７】金属粉末を請求項７から請求項１１のい
ずれか１項に記載の装置で処理し、該金属粉末を樹脂バ
インダを溶解した溶液に分散させてペーストもしくはイ
ンクを製造し、該ペーストもしくはインクを配線材或い
は電極として用いることを特徴とする請求項１６、１
７、２０のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイ
パネル。
【請求項２８】金属粉末が、ニッケル、銀、パラジウ
ム、銅、金、もしくはそれらの合金であることを特徴と
する請求項２３に記載のセラミック電子部品。
【請求項２９】金属粉末が、ニッケル、銀、パラジウ
ム、銅、金、もしくはそれらの合金であることを特徴と
する請求項２４に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３０】金属粉末が、ニッケル、銀、パラジウ
ム、銅、金、もしくはそれらの合金であることを特徴と
する請求項２５に記載の多層配線基板。
【請求項３１】金属粉末が、ニッケル、銀、パラジウ
ム、銅、金、もしくはそれらの合金であることを特徴と
する請求項２６に記載のモジュール部品。
【請求項３２】金属粉末が、ニッケル、銀、パラジウ
ム、銅、金、もしくはそれらの合金であることを特徴と
する請求項２７に記載のプラズマディスプレイパネル。