JP2003007950A - Manufacturing method for resin-sealing semiconductor device - Google Patents
Manufacturing method for resin-sealing semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は近年、製品化されて
いるＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅ
ｄ Ｐａｃｋａｇｅ）と称される半導体装置に代表され
るような所謂、片面封止タイプの樹脂封止型半導体装置
の製造方法に関するものであり、特に片面封止構造にま
つわる製造過程での障害を解消できる樹脂封止型半導体
装置の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention has been commercialized in recent years and includes QFN (Quad Flat Non-lead).
The present invention relates to a method for manufacturing a so-called single-sided encapsulation type resin-encapsulated semiconductor device represented by a semiconductor device referred to as d package), and in particular, it can eliminate obstacles in the manufacturing process related to the single-sided encapsulation structure. The present invention relates to a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。2. Description of the Related Art In recent years, in order to cope with the miniaturization of electronic equipment, high density mounting of semiconductor parts such as resin-sealed semiconductor devices has been required.
Thinning is progressing. In addition, the number of pins has been increased while being small and thin, and there is a demand for a high-density, small and thin resin-sealed semiconductor device.
【０００３】以下、従来の近年開発、製品化されている
ＱＦＮ型の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説
明する。A method of manufacturing a QFN type resin-sealed semiconductor device, which has been developed and commercialized in the past, will be described below.
【０００４】図５は、ＱＦＮタイプの樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図であり、工程ごとの図であ
る。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a QFN type resin-sealed semiconductor device, and is a drawing for each step.
【０００５】まず図５（ａ）に示すように、半導体素子
が搭載されるダイパッド部１、搭載した半導体素子の電
気信号を外部に伝えるリード部２、および図示しないが
ダイパッド部を支持する吊りリード部の各構成を備えた
リードフレーム３を用意する。First, as shown in FIG. 5A, a die pad portion 1 on which a semiconductor element is mounted, a lead portion 2 for transmitting an electric signal of the mounted semiconductor element to the outside, and a suspension lead (not shown) for supporting the die pad portion. A lead frame 3 having each component is prepared.
【０００６】次に図５（ｂ）に示すように、リードフレ
ーム３のダイパッド部１の上面に接着剤を介して半導体
素子４を搭載し、リードフレーム３のリード部２と半導
体素子４の電極パッドとを金属細線５（Ａｕワイヤー）
で電気的に接続する。Next, as shown in FIG. 5B, the semiconductor element 4 is mounted on the upper surface of the die pad portion 1 of the lead frame 3 via an adhesive, and the lead portion 2 of the lead frame 3 and the electrodes of the semiconductor element 4 are mounted. Pad and metal thin wire 5 (Au wire)
To connect electrically.
【０００７】次に図５（ｃ）に示すように、リードフレ
ーム３の上面の半導体素子４、金属細線５の領域、およ
びリード部２の下面を除く領域、ダイパッド部１を封止
樹脂６により実質的に片面封止する。この場合、ダイパ
ッド部１の封止領域は、用意するリードフレームの品種
形態によって、ダイパッド部１の底面がリード部２の底
面と同一面に配置されたものである場合はリード部２と
同様に、ダイパッド部１の下面を除く領域を封止樹脂６
で封止する。さらにリードフレーム３に対して片面封止
するにあたり、リードフレームの下面領域に封止シート
を密着または接着した状態で封止することにより、樹脂
バリ、樹脂回りなく、片面封止することができる。Next, as shown in FIG. 5C, the semiconductor chip 4 on the upper surface of the lead frame 3, the area of the fine metal wires 5, the area excluding the lower surface of the lead portion 2, and the die pad portion 1 are sealed with a sealing resin 6. Substantially single-sided sealing. In this case, the sealing area of the die pad portion 1 is the same as the lead portion 2 when the bottom surface of the die pad portion 1 is arranged on the same surface as the bottom surface of the lead portion 2 depending on the type of lead frame to be prepared. , The area other than the lower surface of the die pad portion 1 is sealed with resin 6
Seal with. Further, when the lead frame 3 is sealed on one side, by sealing the sealing sheet in a state of closely contacting or adhering to the lower surface region of the lead frame, one side can be sealed without resin burrs and resin.
【０００８】そして樹脂封止が完了したリードフレーム
に対しては、リードフレーム本体から個々の封止樹脂の
領域ごとにリード部の末端部を切断し、リード部の末端
部が封止樹脂の側面とほぼ同一面に配置されるように成
形することにより、個片化したＱＦＮ型の樹脂封止型半
導体装置を製造するものである。With respect to the lead frame that has been resin-sealed, the end portion of the lead portion is cut from the lead frame body into individual sealing resin regions, and the end portion of the lead portion is the side surface of the sealing resin. By molding so that the QFN type resin-encapsulated semiconductor device is divided into pieces, the QFN-type resin-encapsulated semiconductor device is manufactured into pieces.
【０００９】ここで特に樹脂封止後のリードフレームに
対して、前述のように成形工程を行うが、この場合、リ
ードフレームを移送する作業が発生する。Here, the molding process is performed on the lead frame after resin sealing, as described above. In this case, however, an operation of transferring the lead frame occurs.
【００１０】このリードフレーム搬送では、図６に示す
ように、通常、一定数量のリードフレーム３を積層させ
てマガジンと称されるケース７に収納した状態で成形設
備へと移送する。そしてリードフレームの積層では、封
止樹脂６が形成された面を上にして、順次、積み重ねて
収納するものである。In this lead frame conveyance, as shown in FIG. 6, usually, a fixed number of lead frames 3 are stacked and transferred to a molding facility in a case 7 called a magazine. In the stacking of lead frames, the surface on which the sealing resin 6 is formed faces upward, and the lead frames are sequentially stacked and stored.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の樹
脂封止型半導体装置の製造方法では、特に封止樹脂によ
るリードフレーム上面領域の片面封止後のフレーム搬送
では、一定数量のリードフレームをマガジンに積層収納
して移送するものであるが、リードフレームの構造とし
てその下面は封止樹脂でモールドされておらず、リード
部の下面、および場合によってはダイパッド部の下面も
露出した状態である。そのため、リード部が露出した片
面封止タイプのリードフレームを積層した際、互いのリ
ードフレームどうしの搬送時の微動、外部からの衝撃等
により、露出しているリード部がその下方に配置された
リードフレームの封止樹脂面と擦り合わされ、リード部
にキズがついてしまうという問題が発生する。However, in the conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, a certain number of lead frames are stored in a magazine, especially in the frame transportation after the one-side encapsulation of the lead frame upper surface region by the encapsulating resin. Although they are stacked and transferred, the lower surface of the lead frame is not molded with a sealing resin and the lower surface of the lead portion and, in some cases, the lower surface of the die pad portion are exposed. Therefore, when the lead frames of the single-sided sealing type in which the lead portions are exposed are stacked, the exposed lead portions are arranged below the lead frames due to a slight movement during the transportation of the lead frames, an impact from the outside, or the like. There is a problem that the lead portion is scratched by being rubbed against the sealing resin surface of the lead frame.
【００１２】すなわち、このリード部のキズは具体的に
は、リードフレームに形成されたメッキ層の剥がれであ
り、メッキ層の剥がれにより基板実装した際、実装強度
の低下を招き、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を実
現できないという課題があった。That is, the scratches on the lead portion are specifically the peeling of the plating layer formed on the lead frame. When the substrate is mounted due to the peeling of the plating layer, the mounting strength is reduced and the reliability is high. There is a problem that a resin-sealed semiconductor device cannot be realized.
【００１３】本発明は前記した従来の課題を解決し、信
頼性の高い基板実装を実現できる片面封止タイプの樹脂
封止型半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
るものである。An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems and to provide a method of manufacturing a single-sided encapsulation type resin-encapsulated semiconductor device capable of realizing highly reliable board mounting.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、リードフレームを用い、少なくともリード部の一面
が封止樹脂面に露出して配列された片面封止タイプの樹
脂封止型半導体装置を製造するにあたり、リードフレー
ムのダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前
記半導体素子とリードフレームのリード部とを金属細線
で接続する工程と、前記リードフレームの上面の半導体
素子、金属細線の領域、およびリード部、ダイパッド部
の一部を封止樹脂により片面封止する工程とを有し、前
記リードフレームを片面封止する工程は、前記リードフ
レームの上面を封止樹脂で片面封止すると同時に、前記
リードフレームの上面の余剰スペースに封止樹脂により
突起を形成する工程であり、前記樹脂封止後のリードフ
レームを次工程に移行する際、前記リードフレーム上面
に形成した突起を支持体として介して前記リードフレー
ムの複数枚を積層して搬送する樹脂封止型半導体装置の
製造方法である。In order to solve the above-mentioned conventional problems, a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to the present invention uses a lead frame, and at least one surface of a lead portion is exposed on a surface of a sealing resin. In manufacturing a single-sided encapsulation type resin-encapsulated semiconductor device arranged in a step of mounting a semiconductor element on the die pad portion of the lead frame, the semiconductor element and the lead portion of the lead frame are formed by a thin metal wire. The semiconductor device on the upper surface of the lead frame, the region of the metal thin wire, and the lead portion and a part of the die pad portion are single-sided sealed with a sealing resin, and the lead frame is single-sided sealed. In the step of forming, the upper surface of the lead frame is sealed on one side with a sealing resin, and at the same time, a protrusion is formed on the surplus space on the upper surface of the lead frame with the sealing resin. When a lead frame after the resin sealing is transferred to the next step, a resin sealed semiconductor device that stacks and conveys a plurality of the lead frames through a protrusion formed on the upper surface of the lead frame as a support body. Is a manufacturing method.
【００１５】そして具体的には、リードフレームの上面
の余剰スペースに封止樹脂により形成する突起の形状
は、ポール状に形成する樹脂封止型半導体装置の製造方
法である。More specifically, this is a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device in which the shape of the protrusion formed by the sealing resin in the surplus space on the upper surface of the lead frame is a pole shape.
【００１６】また、リードフレームの上面の余剰スペー
スに封止樹脂により形成する突起の高さは、リードフレ
ームの上面の半導体素子、金属細線の領域、およびリー
ド部、ダイパッド部の一部を封止した封止樹脂の高さを
超える高さで形成する樹脂封止型半導体装置の製造方法
である。The height of the protrusion formed by the sealing resin in the surplus space on the upper surface of the lead frame is such that the semiconductor element on the upper surface of the lead frame, the metal thin wire region, the lead portion, and part of the die pad portion are sealed. Is a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device having a height higher than the height of the encapsulating resin.
【００１７】また、リードフレームの上面の余剰スペー
スに封止樹脂により形成する突起の高さは、概ね１［ｍ
ｍ］の高さで形成する樹脂封止型半導体装置の製造方法
である。The height of the protrusion formed by the sealing resin in the surplus space on the upper surface of the lead frame is about 1 [m].
m] is a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device.
【００１８】前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導
体装置の製造方法では、リードフレームを用い、少なく
ともリード部の一面が封止樹脂面に露出して配列された
片面封止タイプの樹脂封止型半導体装置を製造するにあ
たり、リードフレームを片面封止する工程は、リードフ
レームの上面を封止樹脂で片面封止すると同時に、その
リードフレームの上面の余剰スペースに封止樹脂により
突起を形成しておき、樹脂封止後のリードフレームを次
工程に移行する際、リードフレーム上面に形成した突起
を支持体として介してリードフレームの複数枚を積層し
て搬送することにより、リードフレームの下面に露出し
ているリード部と封止樹脂とが直接的に接触することは
なく、リード部のメッキ層へのキズの発生を防止でき
る。As described above, in the method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, a lead frame is used, and a single-sided encapsulation type resin in which at least one surface of the lead portion is arranged so as to be exposed at the encapsulation resin surface. In manufacturing a sealed semiconductor device, the step of single-sided sealing the lead frame is performed by sealing the upper surface of the lead frame with one-sided sealing resin and at the same time forming a protrusion with the sealing resin in the surplus space on the upper surface of the lead frame. When the lead frame after being formed and sealed with resin is transferred to the next step, the protrusion formed on the upper surface of the lead frame is used as a support to stack and convey a plurality of lead frames, thereby There is no direct contact between the lead portion exposed on the lower surface and the sealing resin, and it is possible to prevent the lead layer from being damaged by the plating layer.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下、本発明の樹脂封止型半導体
装置の製造方法の主とした実施形態について図面を参照
しながら説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Main embodiments of a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２０】図１は、本実施形態のＱＦＮタイプの樹脂
封止型半導体装置の製造方法を示す断面図であり、工程
ごとの図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a QFN type resin-sealed semiconductor device according to this embodiment, and is a drawing for each step.
【００２１】まず図１（ａ）に示すように、半導体素子
が搭載されるダイパッド部１、搭載した半導体素子の電
気信号を外部に伝えるリード部２、および図示しないが
ダイパッド部を支持する吊りリード部の各構成を備えた
リードフレーム３を用意する。なお、ここではリードフ
レーム表面（外囲面）には、金属メッキ層が形成されて
おり、本実施形態ではニッケル／パラジウム／金（Ｎｉ
／Ｐｄ／Ａｕ）の３層メッキがなされているリードフレ
ームを用意する。First, as shown in FIG. 1A, a die pad portion 1 on which a semiconductor element is mounted, a lead portion 2 for transmitting an electric signal of the mounted semiconductor element to the outside, and a suspension lead (not shown) for supporting the die pad portion. A lead frame 3 having each component is prepared. Note that, here, a metal plating layer is formed on the surface (outer peripheral surface) of the lead frame, and in the present embodiment, nickel / palladium / gold (Ni
/ Pd / Au) a lead frame plated with three layers is prepared.
【００２２】次に図１（ｂ）に示すように、リードフレ
ーム３のダイパッド部１の上面に接着剤を介して半導体
素子４を搭載し、リードフレーム３のリード部２と半導
体素子４の電極パッドとを金属細線５（Ａｕワイヤー）
で電気的に接続する。Next, as shown in FIG. 1B, the semiconductor element 4 is mounted on the upper surface of the die pad portion 1 of the lead frame 3 via an adhesive, and the lead portion 2 of the lead frame 3 and the electrodes of the semiconductor element 4 are mounted. Pad and metal thin wire 5 (Au wire)
To connect electrically.
【００２３】次に図１（ｃ）に示すように、リードフレ
ーム３の上面の半導体素子４、金属細線５の領域、およ
びリード部２の下面を除く領域、ダイパッド部１を封止
樹脂６により実質的に片面封止する。この場合、ダイパ
ッド部１の封止領域は、用意するリードフレームの品種
形態によって、ダイパッド部１の底面がリード部２の底
面と同一面に配置されたものである場合はリード部２と
同様に、ダイパッド部１の下面を除く領域を封止樹脂６
で封止する。この時、リードフレーム３を片面封止する
工程では、リードフレーム３の上面を封止樹脂６で片面
封止すると同時に、リードフレーム３の上面の余剰スペ
ースに封止樹脂６により樹脂突起８を形成するものであ
る。そして形成する樹脂突起８の高さは、リードフレー
ム３の上面の半導体素子４、金属細線５の領域、および
リード部２、ダイパッド部１の一部を封止した封止樹脂
６の高さを超える高さで形成し、概ね１［ｍｍ］の高さ
で形成するものである。通常、封止樹脂の高さは０．７
〜０．８［ｍｍ］であり、１［ｍｍ］の高さで樹脂突起
８を形成することで十分である。また大きさとしては、
３［ｍｍφ］で形成する。ただし、必要以上に樹脂突起
８の高さを高く形成することは、リードフレームの積層
時の厚み増大につながるため避けるべきである。Next, as shown in FIG. 1C, the semiconductor chip 4 on the upper surface of the lead frame 3, the area of the fine metal wires 5, the area of the lead portion 2 excluding the lower surface, and the die pad portion 1 are sealed with a sealing resin 6. Substantially single-sided sealing. In this case, the sealing area of the die pad portion 1 is the same as the lead portion 2 when the bottom surface of the die pad portion 1 is arranged on the same surface as the bottom surface of the lead portion 2 depending on the type of lead frame to be prepared. , The area other than the lower surface of the die pad portion 1 is sealed with resin 6
Seal with. At this time, in the step of sealing the lead frame 3 on one side, the upper surface of the lead frame 3 is sealed on one side with the sealing resin 6, and at the same time, the resin protrusion 8 is formed in the surplus space on the upper surface of the lead frame 3 by the sealing resin 6. To do. The height of the resin protrusion 8 to be formed is the height of the sealing resin 6 that seals the semiconductor element 4 on the upper surface of the lead frame 3, the region of the metal fine wire 5, the lead portion 2, and part of the die pad portion 1. It is formed with a height exceeding this, and is formed with a height of approximately 1 [mm]. Normally, the height of the sealing resin is 0.7
It is about 0.8 mm, and it is sufficient to form the resin protrusion 8 with a height of 1 mm. Moreover, as for the size,
It is formed by 3 [mmφ]. However, making the height of the resin protrusions 8 higher than necessary leads to an increase in the thickness of the lead frame when laminated, and therefore should be avoided.
【００２４】またリードフレーム３に対して片面封止す
るにあたり、リードフレームの下面領域に封止シートを
密着または接着した状態で封止することにより、樹脂バ
リ、樹脂回りなく、片面封止することができる。In sealing the lead frame 3 on one side, sealing is performed in a state where the sealing sheet is in close contact or adhered to the lower surface region of the lead frame, so that one side is sealed without resin burrs and resin. You can
【００２５】そして樹脂封止が完了したリードフレーム
に対しては、リードフレーム本体から個々の封止樹脂の
領域ごとにリード部の末端部を切断し、リード部の末端
部が封止樹脂の側面とほぼ同一面に配置されるように成
形することにより、個片化したＱＦＮ型の樹脂封止型半
導体装置を製造するものである。With respect to the lead frame which has been resin-sealed, the end portion of the lead portion is cut from the lead frame body into individual sealing resin regions, and the end portion of the lead portion is the side surface of the sealing resin. By molding so that the QFN type resin-encapsulated semiconductor device is divided into pieces, the QFN-type resin-encapsulated semiconductor device is manufactured into pieces.
【００２６】ここで特に樹脂封止後のリードフレームに
対して、前述のように成形工程を行う場合、リードフレ
ームを移送する作業が発生するが、このリードフレーム
搬送では、図２に示すように、通常、一定数量のリード
フレーム３を積層させてマガジンと称されるケース７に
収納した状態で成形設備へと移送する。そしてリードフ
レームの積層では、封止樹脂６が形成された面を上にし
て、順次、積み重ねて収納するものである。Here, in particular, when the molding process is performed on the lead frame after resin sealing, the work of moving the lead frame occurs, but in this lead frame conveyance, as shown in FIG. Usually, a certain number of lead frames 3 are stacked and stored in a case 7 called a magazine and transferred to a molding facility. In the stacking of lead frames, the surface on which the sealing resin 6 is formed faces upward, and the lead frames are sequentially stacked and stored.
【００２７】本実施形態では、リードフレーム３の上面
に形成した樹脂突起８を支持体として介してリードフレ
ーム３の複数枚を積層して搬送する。したがって、リー
ドフレーム３の下面に露出しているリード部２と封止樹
脂６とが直接的に接触することはなく、リード部２のメ
ッキ層へのキズの発生を防止できる。In the present embodiment, a plurality of lead frames 3 are stacked and conveyed via the resin protrusion 8 formed on the upper surface of the lead frame 3 as a support. Therefore, the lead portion 2 exposed on the lower surface of the lead frame 3 does not come into direct contact with the sealing resin 6, and it is possible to prevent the plating layer of the lead portion 2 from being damaged.
【００２８】なお、図中、リードフレーム３の封止樹脂
６の面を上にして積み重ねて収納しているが、上下反転
させて、封止樹脂６側を下にして順次、積み重ねた収納
形態でもよく、その場合においても本実施形態のように
スペーサーとして樹脂突起８をリードフレーム面に形成
して積み重ねることによりリード部分への擦れによるキ
ズ、メッキ剥がれを防止できるものである。In the figure, the surface of the sealing resin 6 of the lead frame 3 is stacked and stored, but it is turned upside down so that the sealing resin 6 side faces downward and is sequentially stacked. However, even in that case, by forming the resin protrusions 8 as spacers on the lead frame surface and stacking them as in the present embodiment, it is possible to prevent scratches and plating peeling due to rubbing on the lead portions.
【００２９】また本実施形態で封止工程で封止樹脂とと
もに同時形成する樹脂突起８の形状としては、図３
（ａ）の断面図に示すように、ポール形状をなし、かつ
角錐状、円錐状に形成したり、図３（ｂ）の断面図に示
すように、ポール形状をなし、かつ先端部が丸みを帯び
た角錐状、円錐状に形成するものである。特に図３
（ｂ）に示した形状の樹脂突起８とすることにより、樹
脂突起自体の欠けによる樹脂カスの発生を防止し、より
クリーンで安定したリードフレーム搬送を行うことがで
きる。Further, in the present embodiment, the shape of the resin protrusion 8 which is simultaneously formed with the sealing resin in the sealing step is as shown in FIG.
As shown in the sectional view of (a), it has a pole shape and is formed in a pyramid shape or a conical shape. As shown in the sectional view of FIG. 3 (b), it has a pole shape and a rounded tip. It is formed in a pyramid shape or a conical shape with a ridge. Especially Figure 3
By using the resin protrusion 8 having the shape shown in (b), it is possible to prevent the generation of resin debris due to the lack of the resin protrusion itself, and it is possible to carry out cleaner and more stable lead frame transportation.
【００３０】次に図４の平面図を参照して、リードフレ
ーム上面への樹脂突起の形成位置について説明する。Next, with reference to the plan view of FIG. 4, the formation position of the resin protrusion on the upper surface of the lead frame will be described.
【００３１】図４に示すように、リードフレーム３の上
面を封止樹脂６で封止すると同時に、リードフレーム３
の上面の余剰なスペース９に封止樹脂６により樹脂突起
８を形成する。通常、封止樹脂の有効活用と、障害防止
のため、封止樹脂が注入されるランナーに相当するフレ
ーム上の封止スペースに形成することが好ましい。そし
て図示するように、樹脂突起８の配置としては、すべて
の封止樹脂６間のスペースに形成する必要はなく、リー
ドフレームを積層した際にバランスよく積層できるよう
一定間隔で配置すればよい。As shown in FIG. 4, the upper surface of the lead frame 3 is sealed with the sealing resin 6, and at the same time, the lead frame 3 is sealed.
A resin protrusion 8 is formed by the sealing resin 6 in an extra space 9 on the upper surface of the. Generally, in order to effectively use the sealing resin and prevent a failure, it is preferable to form the sealing resin in a sealing space on the frame corresponding to a runner into which the sealing resin is injected. As shown in the drawing, the resin protrusions 8 need not be formed in the spaces between all the sealing resins 6, but may be arranged at regular intervals so that the lead frames can be stacked in a well-balanced manner.
【００３２】なお、リードフレーム上面の余剰スペース
に封止樹脂により樹脂突起を形成しているが、リードフ
レーム搬送後のリード成形工程では、リードフレームの
不要な部分は切断により除去され、同時に樹脂突起も除
去されるため、製品の製造に際しては何等問題はない。Although the resin protrusion is formed by the sealing resin in the surplus space on the upper surface of the lead frame, the unnecessary portion of the lead frame is removed by cutting in the lead molding process after the lead frame is conveyed, and at the same time, the resin protrusion is removed. Since it is also removed, there is no problem in manufacturing the product.
【００３３】以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法では、リードフレームを用い、少なくともリ
ード部の一面が封止樹脂面に露出して配列された片面封
止タイプの樹脂封止型半導体装置を製造するにあたり、
リードフレームを片面封止する工程は、リードフレーム
の上面を封止樹脂で片面封止すると同時に、そのリード
フレームの上面の余剰スペースに封止樹脂により樹脂突
起を形成しておき、樹脂封止後のリードフレームを次工
程に移行する際、リードフレーム上面に形成した樹脂突
起を支持体として介してリードフレームの複数枚を積層
して搬送することにより、リードフレームの下面に露出
しているリード部と封止樹脂とが直接的に接触すること
はなく、リード部のメッキ層へのキズの発生を防止でき
る。As described above, in the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the present embodiment, the lead frame is used, and at least one surface of the lead portion is arranged so as to be exposed on the encapsulation resin surface, and the one-side encapsulation type resin encapsulation is performed. Type semiconductor device
The step of single-sided sealing the lead frame is performed by sealing the upper surface of the lead frame with sealing resin on one side and at the same time forming resin protrusions with the sealing resin in the surplus space on the upper surface of the lead frame. When the lead frame of the above is transferred to the next step, the lead protrusion exposed on the lower surface of the lead frame is formed by stacking and transporting a plurality of lead frames through the resin protrusion formed on the upper surface of the lead frame as a support. There is no direct contact between the sealing resin and the sealing resin, and it is possible to prevent the plating layer of the lead portion from being damaged.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上、本発明の樹脂封止型半導体装置の
製造方法においては、リードフレームを用い、少なくと
もリード部の一面が封止樹脂面に露出して配列された片
面封止タイプの樹脂封止型半導体装置を製造するにあた
り、リードフレームを片面封止する工程では、片面封止
すると同時に、そのリードフレームの上面の製造上、障
害にならない余剰スペースに封止樹脂により樹脂突起を
形成しておき、樹脂封止後のリードフレームを次工程に
移行する際、リードフレーム上面に形成した樹脂突起を
支持体として介してリードフレームの複数枚を積層して
搬送することにより、リードフレームの下面に露出して
いるリード部と封止樹脂とが直接的に接触することはな
く、リード部のメッキ層へのキズの発生を防止できる。
そのため、信頼性の高い基板実装を実現できる片面封止
タイプの樹脂封止型半導体装置の製造方法を実現できる
ものである。As described above, in the method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, a lead frame is used, and at least one surface of the lead portion is arranged so as to be exposed on the encapsulation resin surface, and the one-side encapsulation type resin is arranged. In manufacturing a sealed semiconductor device, in the step of single-sided sealing of the lead frame, at the same time as the single-sided sealing, a resin protrusion is formed by a sealing resin in a surplus space that does not hinder the manufacturing of the upper surface of the lead frame. When the lead frame after resin sealing is transferred to the next step, the resin protrusion formed on the upper surface of the lead frame is used as a support body to stack and convey a plurality of lead frames, so that the lower surface of the lead frame is conveyed. There is no direct contact between the lead portion exposed at the end and the sealing resin, and it is possible to prevent the occurrence of scratches on the plating layer of the lead portion.
Therefore, it is possible to realize a method for manufacturing a single-sided encapsulation type resin-encapsulated semiconductor device that can realize highly reliable board mounting.
【図１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図FIG. 1 is a sectional view showing a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施形態のリードフレームの搬送時
の収納状態を示す断面図FIG. 2 is a cross-sectional view showing a housed state of the lead frame according to the embodiment of the present invention during transportation.
【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図FIG. 3 is a sectional view showing a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す平面図FIG. 4 is a plan view showing a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図５】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す
断面図FIG. 5 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a conventional resin-sealed semiconductor device.
【図６】従来のリードフレームの搬送時の収納状態を示
す断面図FIG. 6 is a cross-sectional view showing a storage state of a conventional lead frame during transportation.
１ ダイパッド部 ２ リード部 ３ リードフレーム ４ 半導体素子 ５ 金属細線 ６ 封止樹脂 ７ ケース ８ 樹脂突起 ９ スペース 1 Die pad part 2 lead part 3 lead frame 4 Semiconductor element 5 thin metal wires 6 Sealing resin 7 cases 8 resin protrusions 9 spaces
フロントページの続き (72)発明者 小野 高志 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F061 AA01 BA01 CA21 DA01 DE02 5F067 AA08 AA18 DE01 Continued front page (72) Inventor Takashi Ono 1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric Sangyo Co., Ltd. F-term (reference) 5F061 AA01 BA01 CA21 DA01 DE02 5F067 AA08 AA18 DE01
Claims (4)
ド部の一面が封止樹脂面に露出して配列された片面封止
タイプの樹脂封止型半導体装置を製造するにあたり、 リードフレームのダイパッド部上に半導体素子を搭載す
る工程と、前記半導体素子とリードフレームのリード部
とを金属細線で接続する工程と、前記リードフレームの
上面の半導体素子、金属細線の領域、およびリード部、
ダイパッド部の一部を封止樹脂により片面封止する工程
とを有し、 前記リードフレームを片面封止する工程は、前記リード
フレームの上面を封止樹脂で片面封止すると同時に、前
記リードフレームの上面の余剰スペースに封止樹脂によ
り突起を形成する工程であり、 前記樹脂封止後のリードフレームを次工程に移行する
際、前記リードフレーム上面に形成した突起を支持体と
して介して前記リードフレームの複数枚を積層して搬送
することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
法。1. A method of manufacturing a single-sided encapsulation type resin-encapsulated semiconductor device in which at least one surface of a lead portion is exposed and exposed on an encapsulation resin surface using a lead frame, and a die pad portion of the lead frame is provided. A step of mounting a semiconductor element, a step of connecting the semiconductor element and a lead portion of a lead frame with a fine metal wire, a semiconductor element on the upper surface of the lead frame, a region of the fine metal wire, and a lead portion,
And a step of sealing the lead frame on one side with a sealing resin, wherein the step of sealing the lead frame on one side is performed by sealing the upper surface of the lead frame with the sealing resin at the same time. Is a step of forming a protrusion with an encapsulating resin in an extra space on the upper surface of the lead frame, and when the lead frame after the resin encapsulation is transferred to the next step, the lead formed through the protrusion formed on the upper surface of the lead frame serves as a support body. A method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device, comprising stacking and transporting a plurality of frames.
封止樹脂により形成する突起の形状は、 ポール状に形成することを特徴とする請求項１に記載の
樹脂封止型半導体装置の製造方法。2. The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein the protrusion formed by the encapsulating resin in the surplus space on the upper surface of the lead frame is formed in a pole shape.
封止樹脂により形成する突起の高さは、 リードフレームの上面の半導体素子、金属細線の領域、
およびリード部、ダイパッド部の一部を封止した封止樹
脂の高さを超える高さで形成することを特徴とする請求
項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。3. The height of the protrusions formed by the sealing resin in the surplus space on the upper surface of the lead frame is the semiconductor element on the upper surface of the lead frame, the region of the metal fine wire
2. The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, further comprising forming the lead portion and the die pad portion at a height that exceeds the height of the encapsulating resin.
封止樹脂により形成する突起の高さは、概ね１［ｍｍ］
の高さで形成することを特徴とする請求項３に記載の樹
脂封止型半導体装置の製造方法。4. The height of the protrusion formed by the sealing resin in the surplus space on the upper surface of the lead frame is approximately 1 [mm].
The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 3, wherein the resin-encapsulated semiconductor device is formed at a height of.
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|---|---|---|---|
| JP2001194114A JP2003007950A (en) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | Manufacturing method for resin-sealing semiconductor device |
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|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2012074599A (en) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Method of manufacturing semiconductor device |
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-
2001
- 2001-06-27 JP JP2001194114A patent/JP2003007950A/en active Pending
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