JP2003007824A - Lsiチップの自動配線方法 - Google Patents

Lsiチップの自動配線方法

Info

Publication number
JP2003007824A
JP2003007824A JP2001188398A JP2001188398A JP2003007824A JP 2003007824 A JP2003007824 A JP 2003007824A JP 2001188398 A JP2001188398 A JP 2001188398A JP 2001188398 A JP2001188398 A JP 2001188398A JP 2003007824 A JP2003007824 A JP 2003007824A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
unit area
extracted
metal data
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001188398A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideyuki Kubota
秀幸 久保田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Micro Systems Co Ltd
Original Assignee
Renesas Micro Systems Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Micro Systems Co Ltd filed Critical Renesas Micro Systems Co Ltd
Priority to JP2001188398A priority Critical patent/JP2003007824A/ja
Publication of JP2003007824A publication Critical patent/JP2003007824A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】完全自動化、かつ任意に既存の信号配線との配
線容量を考慮したメタルデータ率の追加が可能なLSI
チップの自動配置配線方法を提供する。 【解決手段】メタルデータ率が不足しているLSIチッ
プ上の単位エリアの座標値と、このLSIチップ上のセ
ル配置位置、信号配線や電源配線の配線座標をデータ記
載したDEFファイルがらの電源配線の座標値とから、
前記単位エリア内の最も離れた4点の端点座標を抽出
し、この抽出した4点の座標値から前記単位エリア内で
最も直線距離が長くなる2点を端子情報として抽出し、
ネットリスト情報として出力する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、LSIチップの自
動配置配線方法に関し、特にメタルデータ率の不足を効
果的に補うことのできるLSIチップの自動配置配線方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】まず、メタルデータ率に関して説明す
る。メタルデータ率は、LSIチップの製造段階におい
て影響を与えるパラメータであり、LSIチップ面積に
対して、決められた割合以上のメタルデータを搭載しな
ければならない最小ルールと、決められた割合以下でメ
タルデータを抑えなければならない最大ルールの2つの
ルールで成り立つ。ただし、本発明においては、メタル
データの最小ルールを満たせない場合における、メタル
データの追加方法について説明しているため、最大ルー
ルに関する説明は省略する。
【0003】LSIチップ上において、メタルデータ率
が少ないと、LSIチップのレイアウト上で同じ太さの
配線であっても、製造工程のウェハ上に配線形成したと
きにその太さにばらつきが生じる。また、メタルデータ
率が少ないと、ウェハ上におけるメタルがはがれやすく
なる現象が発生する。配線の太さのばらつきはLSIチ
ップの性能劣化や歩留まり低下、メタルがはがれやすく
なることによって、製造ラインの汚染の恐れが生じる。
【0004】このため、LSIチップ上におけるこれら
の問題を回避するため、問題が発生しない最低限の「メ
タルデータ率」を設定し、このルールを守ったLSIチ
ップ設計を行うことにより、LSIチップの性能劣化や
歩留まり低下、製造ラインの汚染を防いでいる。
【0005】従来のメタルデータ率の追加方法を、図1
6、図17のレイアウト図を参照して説明する。まず、
以下の説明において記載する「単位エリア」とは、図1
6に示すように、LSIチップ81におけるメタルデー
タ率の不足箇所のチェックを実行する際の、任意の大き
さで区切られたチェック箇所82を指し、LSIチップ
原点を基準にしたときの点83を単位エリアの左下座
標、点84を単位エリアの右上座標として示す。
【0006】次に、図17のレイアウト図により、メタ
ルデータの追加方法を説明する。図において、71は単
位エリア内におけるメタルデータ率が少ない箇所に配置
するメタル搭載セルである。単位エリア82内におい
て、メタルデータ率が少ない場所を選択し、メタルデー
タのみで構成されたメタル搭載セルをを配置し、単位エ
リア内におけるメタルデータ率を満足させる。72及び
73もメタル搭載セル71と同様、メタル搭載セルを単
位エリアに配置した状態である。74はレイアウトエデ
ィタ上で配置したメタルデータである。メタル搭載セル
71〜73は複数層のメタルデータを持っており、この
ためにメタルデータが不足しているエリアであっても配
置することができないという問題が発生する。
【0007】例えば、メタル搭載セル71〜73のもつ
メタルデータが第1の配線層及び第2の配線層で構成さ
れる場合、LSIチップにおいて、第1の配線層だけが
規定のメタルデータ率に達しておらず、第2の配線層が
非常に込み合っている場所では、LSIチップ上の第2
の配線層と、メタル搭載セル上の第2の配線層がショー
トする恐れがあるためからである。
【0008】単位エリア82上でメタル搭載セル71〜
73のもつメタルと同様のメタルがあれば、他のメタル
データ率が規定を満足していない場合でも、メタル搭載
セルを自動配置することはできない。従って、メタル搭
載セルを配置した結果をレイアウト出力し、メタル搭載
セルの配置で補えきれないメタルデータ率の不足を、レ
イアウトエディタ上でのメタルデータ追加で補ってい
る。なお、メタルデータ75もメタルデータ74と同
様、レイアウトエディタ上で追加したメタルデータであ
る。
【0009】また、図18は従来のメタルデータの追加
方法を示すフローチャートである。図18において、ま
ず、LSIチップの自動配置配線結果ファイル101か
らメタルデータ率の不足箇所を抽出し(ステップS
1)、このファイル101に、メタルデータ率の不足箇
所があれば(yes:ステップS2)、複数のメタルデ
ータで構成されたメタル搭載セル情報ファイル108に
記載されたメタル搭載セルを、メタルデータが不足して
いる箇所に自動配置する(ステップS31)。ただし、
このメタル搭載セルの自動配置(ステップS31)がで
きない箇所においては、レイアウトエディタ上で、不足
するメタルデータをマニュアル追加する必要がある。メ
タル搭載セルの自動配置(ステップS31)の結果を、
レイアウトデータファイル104aから出力し、ステッ
プS32で、このレイアウトデータ(104a)にメタ
ルデータ率の不足箇所の抽出実行し、ステップS33で
不足箇所があるかどうか判定し、不足箇所があれば、ス
テップS34で、レイアウトエディタ上でメタルデータ
のマニュアルを追加し、これをステップS32に戻し
て、メタルデータ率の不足箇所がなくなるまで行う。メ
タルデータ率の不足箇所がなくなれば、これをレイアウ
トデータファイル104bに記録する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
メタルデータの追加方法においては、次のような課題が
ある。第1の課題は、LSIチップ上におけるメタル搭
載セルが配置できない箇所があるため、完全に自動処理
だけでメタルデータ率を満足させることができないとい
うことである。
【0011】第2の課題は、メタル搭載セルがあらかじ
め決まったメタル層及びあらかじめ決まった形状でしか
構成できないため、完全に自動処理だけでメタルデータ
率を満足させることはできないということである。
【0012】第3の課題は、メタル搭載セルの自動配置
は、既存の信号配線との隣接配線容量及び交差配線容量
を考慮しないため、既存の信号配線においてタイミング
のずれが生じるおそれがあるということである。
【0013】本発明の目的は、完全自動化、かつ任意に
既存の信号配線との配線容量を考慮したメタルデータ率
の追加が可能なLSIチップの自動配置配線方法を提供
することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明の構成は、LSI
チップ上で所定比率のメタルデータを設ける必要がある
場合にその比率をメタルデータ率とし、このメタルデー
タ率の割合が不足して性能の劣化のおそれがあるLSI
チップ上のエリアに対し、既存のメタル配線に特性上の
影響を考慮しながらメタルデータを追加するLSIチッ
プの自動配線方法において、前記メタルデータ率の不足
したエリアでは、電源配線上の互いに最も離れた2点の
座標を入力ライブラリから抽出した電源配線の座標値か
ら算出し、かつ予め指定したパラメータに従って、不足
しているメタルデータと同層で自動配線を行うことを特
徴とする。
【0015】本発明において、メタルデータ率が不足し
ているLSIチップ上の単位エリアの座標値と、このL
SIチップ上のセル配置位置、信号配線や電源配線の配
線座標をデータ記載したDEFファイルからの電源配線
の座標値とから、前記単位エリア内の最も離れた4点の
端点座標を抽出し、この抽出した4点の座標値から前記
単位エリア内で最も直線距離が長くなる2点を端子情報
として抽出し、ネットリスト情報として出力することが
できる。
【0016】さらに、本発明において、LSIチップ上
のメタルデータ率が不足している単位エリアの座標値
と、DEFファイルに記載された電源配線の座標値か
ら、その単位エリア内の最も離れた4点の端点座標を抽
出、ネットリスト情報として出力することができ、ま
た、抽出した4点の座標値から単位エリア内で最も直線
距離が長くなる2点を端子情報として抽出し、ネットリ
スト情報として出力することができ、さらに、単位エリ
ア内に電源配線が存在せず端点座標の抽出ができない場
合に、参照する単位エリアを広げて電源配線を探し、も
との単位エリアに最も近い4点の端点座標を抽出するこ
とができる。
【0017】また、単位エリア内で設定された2点間の
単一層による配線追加ができない場合、可能な限り配線
をひきまわし、端子間オープンの状態で配線処理を終え
ることができ、さらに、単位エリア内に電源配線が1個
所しかなく端点座標の抽出が1個の場合も、参照する単
位エリアを広げて電源配線を探し、もとの単位エリアに
最も近い4点の端点座標を抽出することができる。
【0018】本発明において、LSIチップにおけるメ
タルデータ率の不足したエリアでは、電源配線上の互い
に最も離れた2点の座標を入力ライブラリから抽出した
電源配線の座標値から算出し、かつあらかじめ指定した
パラメータに従って、不足しているメタルデータと同層
で自動配線を行なう。
【0019】このようにして、本願発明では、メタルデ
ータの不足したエリアに対し、自動配置配線に用いるラ
イブラリ情報及び自動配置配線結果をもとにネットリス
トを発生し、かつ任意の配線時パラメータを指定するこ
とによって、既存のメタル配線に特性上の影響を考慮し
ながら、効果的にメタルデータを追加することを特徴と
する。
【0020】
【発明の実施の形態】次に本発明を図面により詳細に説
明する。図1は本発明の一実施形態を説明するLSIチ
ップ上のメタルデータ率が不足している場合に、自動的
にメタルデータを追加する際の一連のフローチャートで
ある。
【0021】図1において、まず、LSIチップの自動
配置配線結果ファイル101からメタルデータ率の不足
箇所を抽出し(ステップS1)、このファイル101
に、メタルデータ率の不足箇所があれば(yes:ステ
ップS2)、単一層のメタルデータ配線をおこなう際の
端点算出を行う(ステップS4)。このステップS4の
端点設定は、次の図2のフローチャートに対応する。こ
の端点算出の結果である端点情報103をもとに、また
自動配線パラメータ105を入力してメタルデータ追加
のための自動配線(ステップS5)を実行する。
【0022】このステップS5の自動配線が、後述する
図7のフローチャートに対応する。メタルデータの追加
自動配線(ステップS5)の結果、LSIチップ上にメ
タルデータ率の不足する箇所がなくなれば(no:ステ
ップS2)、LSIチップ上に存在する全てのメタル層
に対して処理が終わったかどうかの確認(ステップS
6)を行ない、未処理の層があれば(no)、その層へ
処理を渡す(ステップS7)。全メタル層に対して処理
が終わった時点で(yes)、その結果をレイアウトデ
ータ104として出力する。
【0023】図2及び図7は図1のLSIチップ上にお
いてメタルデータ率が規定の割合に達していない場合
の、メタルデータの追加方法の詳細フローチャートであ
り、図2は図1のステップS4のメタルデータ追加のた
めの入力ライブラリ作成フローを示しており、図7は図
1のステップS5の作成された入力ライブラリからメタ
ルデータを発生するフローを示している。
【0024】図2において、LSIチップ上のセル配置
位置、及び信号配線や電源配線の配線座標が記載された
ライブラリ(以下DEFという)ファイル102から電
源配線座標の情報(ステップS12)を抽出し、またメ
タルデータ率不足箇所の抽出により、メタルデータが不
足している箇所の情報が記載された単位エリア情報ファ
イル101から単位エリアの座標情報(ステップS1
2)を抽出する。単位エリアの座標情報(S11)と電
源配線座標情報(S12)から、ステップS13で単位
エリアの座標に含まれる座標情報のみを抽出し、この抽
出された座標情報の中から、4点の端点座標を抽出する
(ステップS14)。この4点の端点座標(S14)を
抽出する際の条件は、抽出された単位エリア内の電源座
標(S13)において、以下のとおりとする。
【0025】(a) 左上:LSIチップの原点からみて、
X座標の値にマイナス1を掛けた値と、Y座標の値の合
計が最大となる箇所 (b) 右上:LSIチップの原点からみて、X座標の値
と、Y座標の値の合計が最大となる箇所 (c) 左下:LSIチップの原点からみて、X座標の値に
マイナス1を掛けた値と、Y座標の値にマイナス1を掛
けた値の合計が最大となる箇所 (d) 右下:LSIチップの原点からみて、X座標の値
と、Y座標の値にマイナス1を掛けた値の合計が最大と
なる箇所。
【0026】例えば、図3は電源配線51,52を含む
単位エリア82の平面図であり、単位エリアの左下及び
右上のLSIチップ原点からみた相対座標はそれぞれ
(100,0)、(130,20)とする。このとき、
電源配線上の点53,54,55,56のLSIチップ
原点からの相対座標は、それぞれ点53(105,1
8)、点54(127,18)、点55(105,
2)、点56(127,2)とする。
【0027】図4は図3における電源配線上の点53〜
56の座標値を上記条件(a),(b),(c),(d) に当ではめて
計算した結果である。上記条件(a),(b),(c),(d) におい
てそれぞれ最大となる値を持つ座標は、図4におけるそ
れぞれ点53〜56の点となる。また、LSIチップ原
点からみて、単位エリアの座標がマイナスの場合におい
ても上記条件(a),(b),(c),(d) をあてはめ、単位エリア
における電源配線上の端点を決めることができる。
【0028】例えば、図5は電源配線61,62を含む
単位エリアの平面図であり、単位エリアの左下及び右上
のLSIチップ原点からみた相対座標はそれぞれ(−1
5,−10)、(15,10)とする。このとき、電源
配線上の点63,64,65,66のLSIチップ原点
からの相対座標はそれぞれ点63(−12,7)、点6
4(10,7)、点65(−12,−8)、点66(1
0,−8)とする。
【0029】図6は図5における電源配線上の点63〜
66の座標値を上記条件(a),(b),(c),(d) にあてはめて
計算した結果である。上記条件(a),(b),(c),(d) におい
てそれぞれ最大となる値を持つ座標は、図5におけるそ
れぞれ点63〜66の点となる。
【0030】図2において、4点の端点座標を抽出(ス
テップS14)したのちに、この情報をもとに左上端点
から右下端点及び右上端点から左下端点までの距離を算
出する。この距離の算出は、図2のステップS15のよ
うに、Xの距離差(間隔)の二乗とYの距離差(間隔)
の二乗の和の平方根をとればよい。端点間の距離を算出
した結果から、どちらか一方の距離が長い方を配線追加
経路として選択する(ステップS16)。距離の長い経
路を選択することにより、より多くの面積のメタルデー
タを敷き詰めることが可能となり、結果としてメタルデ
ータ不足による処理の繰り返し回数を減らすことがで
き、メタルデータの不足を短時間で補うことができるた
めである。
【0031】図2において、抽出された最長直線距離
(S16)を結ぶ2点の端点を双方向信号端子情報のみ
で構成されたセル情報ライブラリファイル(以下LEF
という:107)にその情報を追加(ステップS17)
し、また双方向信号端子情報のみで構成されたセルの、
LSIチップ上における配置位置及び2点の双方向端子
の接続情報をDEFファイル102に追加する(ステッ
プS17)。
【0032】図7のフローチャートは、図2において出
力されたLEFファイル107およびDEFファイル1
02をもとに、メタルデータを追加する方法を示すフロ
ーチャートである。
【0033】図7において、LEFファイル107およ
びDEFファイル102は、図2の端点設定により情報
が追加されたファイルであり、この追加された情報と自
動配線に関する入力パラメータ105をもとに、自動配
置配線を実行する。自動配線に関する入力パラメータ1
05は、 (a) 追加する配線の最大幅 (b) 追加する配線と既存配線との最小間隔 (c) 上層および下層に存在する既存配線との、配線格子
交点単位での最大交差数の3つで、これらの条件をもと
に追加するメタルデータの自動配線を実行する。これら
の入力パラメータが設定されていない場合、以下の値を
デフォルト値として自動的にパラメータを設定する。
【0034】(a) 配線幅:製造プロセス上における最大
幅。ただし、条件(b) の最小間隔を満たす、(b) 最小間
隔:LEFファイル107に記載された各層毎に定義さ
れているメタル最小間隔(c) 最大交差数:設定しない、
これらの入力パラメータを設定した場合、及び設定して
いない場合においても、(a) の最大配線幅よりも(b) の
最小配線間隔のパラメータ値を優先し、(a) の最大配線
幅と(b) の最小配線間隔を同時に満たせないエリアで
は、配線幅を細くして最小配線間隔を保つ。(c) の最大
交差数は(a) や(b) の条件に関係なく、独立して反映さ
れる。
【0035】図7において、LEFファイル107に記
載された、双方向信号端子のみで構成された追加端子セ
ルを、DEFファイル102に記載された追加端子セル
の配置座標をもとにして強制自動配置(ステップS1
8)する。この強制自動配置(S18)したセルに含ま
れる双方向信号端子間を、入力パラメータ105に従っ
て、メタルデータ率が規定に満たしていない層の単一層
のみで自動配線(ステップS19)する。この自動配線
の結果、単一層のみで構成されたメタルデータによる配
線が置かれ、単位エリア内のメタルデータ率を増加させ
ることができる。この自動配線(S19)で追加された
メタルデータの座標情報はDEFファイル102に追加
する情報として抽出され(ステップS20)、DEFフ
ァイル102に書き込まれる。自動配線(S19)に用
いられた2点の双方向信号端子の座標は、端子座標デー
タベース103として格納する。
【0036】図2および図7のフローを、各層において
LSIチップ上のメタルデータ率が不足している箇所が
なくなるまで繰り返す。この繰り返し処理の際に、図3
のフローチャートで出力された端子座標データベース1
03を用いて、図2の端点座標抽出(ステップS14)
で同じ座標が選択されないよう、排他処理を実行する。
例えば、図3において、左上端点53として座標点(1
05,18)が既に選択処理され、図7の端子座標デー
タベース103に格納されているのであれば、次の繰返
し処理の際に座標点(105,18)は左上端点53か
ら除外して算出される。
【0037】なお、上記実施形態では、追加する自動配
線の端点として、電源配線の代りに、GND配線として
もよい。また、追加する自動配線については、電源配線
のかわりに、GND配線で構成できる。
【0038】図8を参照すると、本発明の一実施形態と
しての、第1の配線層のメタルデータ率が規定の割合に
達していない、LSIチップ上のエリアの平面図が示さ
れている。図8において、1は第1の配線層のメタルデ
ータ率が規定の割合に達していない、LSIチップ上の
エリアの区切り線を表し、このエリアの区切り線1で囲
まれた単位でメタルデータ率の割合を計算する。
【0039】以下、この区切り線で囲まれたエリアを
「単位エリア」とする。2及び3は単位エリア内に配線
された、第1の配線層で構成された電源配線、4は第2
の配線層で構成された電源配線であり、これらの電源配
線2,3,4は隣接する単位エリアの電源配線と接続し
ている。5,6,7,8は第1の配線層で構成された電
源配線2,3の、単位エリア内における左上、右上、左
下、右下の端点であり、DEFに記載されている電源配
線の座標値及び単位エリアの座標値から算出されたもの
である。9,10は単位エリア内に配線された、第1の
配線層及び第2の配線層で構成された信号配線であり、
これらの信号配線は隣接する単位エリアの信号配線と接
続している。電源配線2,3,4及び信号配線9,10
はLSIチップの自動配線によって配線されたメタルデ
ータであり、第1の配線層の上に絶縁層を介して第2の
配線層が構成されている。
【0040】図9を参照すると、図8に示す単位エリア
における電源配線の端点間の距離を比較する状態の平面
図が示されている。図9において、11は第1の配線層
で構成された電源配線の右上端点6aと左下端点7aと
の直線距離、12は第1の配線層で構成された電源配線
の左上端点5aと右下端点8aとの直線距離を算出する
状態を単位エリア上に表したものである。
【0041】図10を参照すると、図9に示す直線距離
11,12のうち、より長い距離(12)の端点5aと
8aを接続する配線が示されている。図10において、
13は端点5bと8bとを結ぶ電源配線であり、第1の
配線層のみで構成されている。この電源配線13を単位
エリアに追加自動配線することにより、第1の配線層の
メタルデータ率が規定の割合に達する。
【0042】図11は本発明の他の実施形態の端点座標
抽出方法についてさらに工夫した場合を説明するのレイ
アウト図である。この図11は、単位エリア31に電源
配線が存在しないため端点を設定することができない場
合を示す。単位エリア31に電源配線が存在しない場
合、その単位エリアの上下左右に隣接する単位エリア4
0,41,32,33における電源配線を探し、もとの
単位エリア31に近い箇所で端点設定をする。もとの単
位エリア31に近い箇所で端点設定をする理由は、隣接
する単位エリア内のメタルデータ率を増加させて、デー
タ率の過剰エラーを防ぐためである。
【0043】図11において、もとの単位エリア31の
上下左右に隣接する単位エリア41,40,32,33
までを電源配線の探索エリアとして範囲を広げる。これ
でも電源配線が見つからなければ、単位エリア41,4
0,32,33のさらに上下左右に隣接する単位単位エ
リアまで探索エリアを広げていく。この探索エリアを広
げることによって電源配線が見つかれば、その座標から
メタルデータを追加する際の端点を抽出する。
【0044】図11において、もとの単位エリア31の
左に隣接する単位エリア32内の電源配線42、さらに
もとの単位エリア31の右に隣接する単位エリア33内
の電源配線43が存在するため、この電源配線42及び
43の座標上で端点設定をおこなう。探索エリアを広げ
た際の端点座標抽出の条件は、探索エリアを広げない場
合の端点座標抽出の条件と異なる。探索エリアを広げた
際の端点座標抽出の条件は以下の通りである。
【0045】(a) 左上:| X1−X| +| Y2−Y| が
最小となる箇所 (b) 右上:| X2−X| +| Y2−Y| が最小となる箇
所 (c) 左下:| X1−X| + |Y1−Y| が最小となる箇
所 (d) 右下:| X2−X| +| Y1−Y| が最小となる箇
所 ただし、(X1,Y1)はもとの単位エリアの左下座
標、(X2,Y2)はもとの単位エリアの右上座標、
(X,Y)は探索された電源配線上の任意の座標であ
る。
【0046】上記の条件により、端点はもとの単位エリ
アに最も近い左上、右上、左下、右下の座標が抽出され
る。上記の条件に従って抽出された端点34,35,3
6,37が抽出された後は、単位エリア内で端点を抽出
する場合と同様に端点間距離を抽出し、端点間の配線を
行う。
【0047】また、別の実施形態として、単位エリアに
おける電源配線上の端点が1箇所しか設定できない場合
の端点座標抽出方法を図12に示す。図12は単位エリ
ア31aにおいて電源配線上の端点が1箇所しか設定で
きない場合を説明するレイアウト図である。
【0048】この場合、抽出された端点45を無視し、
図11と同様、その単位エリアの上下左右に隣接する単
位エリアにおける電源配線を探索し、もとの単位エリア
31に近い箇所で端点設定をおこない、電源配線の入出
力端子を設定する。
【0049】図13は単位エリアにおいて電源配線上の
端点が0箇所ないし1箇所のみ存在し、隣接する単位エ
リア内の電源配線上にて端点を設定する場合のフローチ
ャートである。図13において、単位エリア内における
電源座標の抽出(ステップS13)を実行した結果、電
源配線があるか否かを判定し(ステップS21)、単位
エリアに電源配線が存在しなければ端点数は0とみなし
(yes)、隣接する単位エリアまで探索エリアを拡大
し(ステップS23)、探索エリアの拡大処理済みフラ
グを立てて(ステップS24)、もとの単位エリアを通
過することができる電源配線上の端点が設定できるま
で、電源座標の抽出(ステップS13)を繰り返す。
【0050】探索エリアを拡大した結果、探索エリア内
に電源配線が見つかったら(no)、拡大処理済フラグ
の確認(ステップS22)をおこない、拡大処理済フラ
グが1以外であれば(no)、もとの単位エリア内で端
点座標を抽出(ステップS14a)、拡大処理済フラグ
が1であれば(yes)、探索エリアを広げた場合の条
件に従い、端点をを抽出する(ステップS14b)。
【0051】拡大処理済フラグが1の場合の端点座標抽
出(S14b)は、もとの単位エリアの座標値(X1,
Y1)、(X2,Y2)から最も近い座標を選択し、隣
接する単位エリアにおけるメタルデータの増加を最小限
に抑える。また、図13において、単位エリア内での端
点座標の抽出(S14b)を実行した結果、端点数が1
箇所、すなわち左上、右上、左下、右下の座標値が同一
の場合(ステップS14b)、単位エリア内に電源配線
が存在しない場合と同様、探索エリアを拡大(ステップ
S23)して端点座標の抽出をしなおす。
【0052】また、図14は本発明の他の実施形態とし
て、電源配線方法についてさらに工夫した場合である。
図14において、単位エリア21の端点22と端点23
とを結ぶ経路上に、不足しているメタルデータと同層の
第1の配線層で構成される信号配線24が縦断してお
り、端点22と端点23を結線することはできない。こ
のように、端点22と端点23が第1の配線層だけで結
線ができない場合、同じく第1の配線層で構成されてい
る信号配線24の手前までメタルデータを追加し、処理
を終了する。
【0053】図15は端点22と端点23が結線できな
い場合の、メタルデータ追加方法の具体例である。図1
5において、配線に関するパラメータは、配線幅を製造
プロセス上で許されている最大幅、配線間隔は任意の
値、配線交差数はフリーとして、配線間隔を最優先して
メタルデータを追加するものとする。電源配線は端点2
2aを基点とし、端点23aへ向かって配線される。こ
の時、単位エリアを縦断する、第1の配線層で構成され
た既存の信号配線24のために、始点22aから開始し
た自動配線は終点23aへ接続できないが、この時の配
線位置探索経路を全て、追加するメタルデータとしてL
SIチップ上に残す。
【0054】端点22aから端点23aへの自動配線に
おいて、端点22aと端点23aを接続できないことが
判明したら、次に端点23aから端点22aへ向かって
自動配線する。当然、端点23aから配線した場合にお
いても端点22aへの接続はできないが、この自動配線
の目的はメタルデータを増加させることにあるため、縦
断する信号配線24aの手前まで経路を探索し、その結
果をメタルデータ26,27として追加処理を実行す
る。
【0055】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、次のような効果を有する。まず、第1の効果は、自
動配線によるメタルデータ率の不足エリアへのメタル追
加ができるため、セルサイトの存在しないI/Oリング
領域やチップサイト周辺マクロの境界付近、及びマクロ
リング領域に対しても自動でメタルの追加が可能とな
り、レイアウトエディタ上での手作業によるメタルデー
タの追加が不要となる。
【0056】第2の効果は、特定の配線層で構成された
「メタル搭載セル」を配置するのではなく、各配線層ご
とに個別に自動配線によるメタルデータ率不足エリアへ
のメタル追加をしているので、全搭載層に対して自動で
メタルの追加が可能となり、レイアウトエディタ上での
手作業によるメタルデータの追加が不要となる。
【0057】第3の効果は、固定座標にメタルデータが
置かれた「メタル搭載セル」を配置するのではなく、任
意の配線幅、配線間隔、配線交差数をパラメータとして
入力して自動配線によるメタルデータの追加をしている
ので、隣接及び交差する他の信号配線との間で発生する
静電容量によるタイミングのずれを考慮したメタルデー
タの追加ができる。
【0058】第4の効果は、単位エリア内で最も距離が
離れた2点間に自動で電源配線を追加するため、エレク
トロマイグレーションやIRドロップに対して強い構造
のLSIチップができることである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態を説明するフローチャ
ート。
【図2】図1のステップS4の部分のフローチャート。
【図3】図2の動作を説明する単位エリアの平面図。
【図4】図3における計算結果を示す図。
【図5】図2の動作を説明する他の単位エリアの平面
図。
【図6】図5における計算結果を示す図。
【図7】図1のステップS5の部分のフローチャート。
【図8】図2の第1の配線層のメタルデータ率が規定値
に達しないエリアの平面図。
【図9】図8の状態を比較する場合の平面図。
【図10】図8でメタルデータ率が規定値に達した場合
の平面図。
【図11】本発明の第2の実施形態で電源配線が存在し
ない場合を説明する平面図。
【図12】本発明の第3の実施形態で電源配線が1箇所
のみの場合を説明する平面図。
【図13】図11、図12の場合を説明するフローチャ
ート。
【図14】本発明の第4の実施形態で電源配線を工夫し
た場合の平面図。
【図15】本発明の第5の実施形態で電源配線を工夫し
た場合の平面図。
【図16】従来例の単位エリアを説明するLSIチップ
の平面図。
【図17】従来例のメタルデータ追加方法を説明するL
SIチップの平面図。
【図18】従来例のメタルデータ追加方法を説明するフ
ローチャート。
【符号の説明】
1,21,31,31a,32,33,40,41,8
2 単位エリア 2,3,42,43, 51,52,61,62
(第1層の)電源配線 4 第2層の電源配線 5〜8,5a〜8a,5b〜8b,22,23,34〜
37 端点 9,10,24 信号配線 11,12,25,38,39 直線距離 13 端点間電源配線 26,27,74,75 メタルデータ 53〜56,63〜66 配線上の点 71〜73 メタル搭載セル 81 LSIチップ 83,84 点 101 配線結果ファイル 102 DEFファイル 103 端点情報ファイル 104,104a,b レイアウトデータファイル 105 パラメータ 106 単位エリア情報ファイル 107 LEFファイル 108 メタル搭載セル情報ファイル S1〜S33 処理ステップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5B046 AA08 BA06 5F033 UU01 UU03 VV01 VV04 VV05 XX00 XX33 5F038 CA17 CD10 EZ20 5F064 EE03 EE15 EE22 EE32 HH06

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 LSIチップ上で所定比率のメタルデー
    タを設ける必要がある場合にその比率をメタルデータ率
    とし、このメタルデータ率の割合が不足して性能の劣化
    のおそれがあるLSIチップ上のエリアに対し、既存の
    メタル配線に特性上の影響を考慮しながらメタルデータ
    を追加するLSIチップの自動配線方法において、前記
    メタルデータ率の不足したエリアでは、電源配線上の互
    いに最も離れた2点の座標を入力ライブラリから抽出し
    た電源配線の座標値から算出し、かつ予め指定したパラ
    メータに従って、不足しているメタルデータと同層で自
    動配線を行うことを特徴とするLSIチップの自動配線
    方法。
  2. 【請求項2】 メタルデータ率が不足しているLSIチ
    ップ上の単位エリアの座標値と、このLSIチップ上の
    セル配置位置、信号配線や電源配線の配線座標をデータ
    記載したDEFファイルからの電源配線の座標値とか
    ら、前記単位エリア内の最も離れた4点の端点座標を抽
    出し、この抽出した4点の座標値から前記単位エリア内
    で最も直線距離が長くなる2点を端子情報として抽出
    し、ネットリスト情報として出力する請求項1記載のL
    SIチップの自動配線方法。
  3. 【請求項3】 LSIチップ上のメタルデータ率が不足
    している単位エリアの座標値と、DEFファイルに記載
    された電源配線の座標値から、その単位エリア内の最も
    離れた4点の端点座標を抽出、ネットリスト情報として
    出力する請求項2記載のLSIチップの自動配線方法。
  4. 【請求項4】 抽出した4点の座標値から単位エリア内
    で最も直線距離が長くなる2点を端子情報として抽出
    し、ネットリスト情報として出力する請求項3記載のL
    SIチップの自動配線方法。
  5. 【請求項5】 単位エリア内に電源配線が存在せず端点
    座標の抽出ができない場合に、参照する単位エリアを広
    げて電源配線を探し、もとの単位エリアに最も近い4点
    の端点座標を抽出する請求項2,3または4記載のLS
    Iチップの自動配線方法。
  6. 【請求項6】 単位エリア内で設定された2点間の単一
    層による配線追加ができない場合、可能な限り配線をひ
    きまわし、端子間オープンの状態で配線処理を終える請
    求項2,3または4記載のLSIチップの自動配線方
    法。
  7. 【請求項7】 単位エリア内に電源配線が1個所しかな
    く端点座標の抽出が1個の場合も、参照する単位エリア
    を広げて電源配線を探し、もとの単位エリアに最も近い
    4点の端点座標を抽出する請求項2,3または4記載の
    LSIチップの自動配置配線方法。
  8. 【請求項8】 電源配線の代わりに、接地配線が用いら
    れた請求項1乃至7のうちの1項に記載のLSIチップ
    の自動配置配線方法。
JP2001188398A 2001-06-21 2001-06-21 Lsiチップの自動配線方法 Pending JP2003007824A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001188398A JP2003007824A (ja) 2001-06-21 2001-06-21 Lsiチップの自動配線方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001188398A JP2003007824A (ja) 2001-06-21 2001-06-21 Lsiチップの自動配線方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003007824A true JP2003007824A (ja) 2003-01-10

Family

ID=19027505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001188398A Pending JP2003007824A (ja) 2001-06-21 2001-06-21 Lsiチップの自動配線方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003007824A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005022625A1 (ja) * 2003-08-28 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. 基本セル、端部セル、配線形状、配線方法、シールド配線構造
CN100440457C (zh) * 2003-08-28 2008-12-03 松下电器产业株式会社 基本单元、端部单元、布线形状、布线方法以及屏蔽布线构造
CN115170661A (zh) * 2022-07-05 2022-10-11 深圳新益昌科技股份有限公司 一种生成搜索路径的方法、装置、终端设备以及存储介质

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005022625A1 (ja) * 2003-08-28 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. 基本セル、端部セル、配線形状、配線方法、シールド配線構造
JP2005101526A (ja) * 2003-08-28 2005-04-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基本セル、端部セル、配線形状、配線方法、シールド配線構造
US7194719B2 (en) 2003-08-28 2007-03-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Basic cell, edge cell, wiring shape, wiring method, and shield wiring structure
US7376928B2 (en) 2003-08-28 2008-05-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Basic cell, edge cell, wiring shape, wiring method, and shield wiring structure
CN100440457C (zh) * 2003-08-28 2008-12-03 松下电器产业株式会社 基本单元、端部单元、布线形状、布线方法以及屏蔽布线构造
JP4758621B2 (ja) * 2003-08-28 2011-08-31 パナソニック株式会社 基本セル、端部セル、配線形状、配線方法、シールド線の配線構造
CN115170661A (zh) * 2022-07-05 2022-10-11 深圳新益昌科技股份有限公司 一种生成搜索路径的方法、装置、终端设备以及存储介质
CN115170661B (zh) * 2022-07-05 2024-03-22 深圳新益昌科技股份有限公司 一种生成搜索路径的方法、装置、终端设备以及存储介质

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11126779B2 (en) High-speed shape-based router
US8095903B2 (en) Automatically routing nets with variable spacing
US8607183B2 (en) Method of making in an integrated circuit including simplifying metal shapes
US20020170020A1 (en) Method and system of modifying integrated circuit power rails
US10515177B1 (en) Method, system, and computer program product for implementing routing aware placement or floor planning for an electronic design
US7380227B1 (en) Automated correction of asymmetric enclosure rule violations in a design layout
CN105069228B (zh) 一种在spare cell上加入spare via的方法
JP2007335850A (ja) 半導体集積回路、半導体集積回路の配線パターン設計方法および配線パターン設計装置
JP2003007824A (ja) Lsiチップの自動配線方法
JP2008021001A (ja) パターン修正装置、パターン最適化装置及び集積回路設計装置
CN111125993A (zh) 一种满足最小Cut数量约束的布线方法
US11853671B1 (en) Filling vacant areas of an integrated circuit design
US20220108059A1 (en) Optimizing Place-and-Routing Using a Random Normalized Polish Expression
US8171444B2 (en) Layout design method, apparatus and storage medium
JP2012243791A (ja) レイアウト設計方法、および、レイアウト設計プログラム
JP3389196B2 (ja) 機能ブロック端子の分割方法とこの方法を記録した記録媒体及びこの方法による自動配線処理装置
JP5900540B2 (ja) レイアウト設計方法及びレイアウト設計支援プログラム
US7107556B1 (en) Method and system for implementing an analytical wirelength formulation for unavailability of routing directions
JP3130810B2 (ja) 自動配置配線方法
JP5672341B2 (ja) レイアウト設計方法、装置及びプログラム
JP3589988B2 (ja) クロックスキュー改善方法
JP2000216252A (ja) 半導体集積回路のレイアウト設計方法および装置
JP2001308188A (ja) 自動配置配線方法
JP2002100678A (ja) ピン配置最適化方法
JP2000056446A (ja) 半導体集積回路及び半導体集積回路設計方法