JP2003007794A - Substrate carrying mechanism and substrate treatment device - Google Patents
Substrate carrying mechanism and substrate treatment deviceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は基板搬送機構および
基板処理装置に関し、特に半導体ウェーハ処理装置およ
びそれに好適に使用される基板搬送機構に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate transfer mechanism and a substrate processing apparatus, and more particularly to a semiconductor wafer processing apparatus and a substrate transfer mechanism preferably used for the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】図14は従来の半導体ウェーハ処理装置
を説明するための斜視図であり、図15は従来の半導体
ウェーハ処理装置を説明するための断面図である。2. Description of the Related Art FIG. 14 is a perspective view for explaining a conventional semiconductor wafer processing apparatus, and FIG. 15 is a sectional view for explaining a conventional semiconductor wafer processing apparatus.
【0003】この従来の半導体ウェーハ処理装置は、上
から見て六角形の形状のウェーハ搬送室150と、ウェ
ーハ搬送室150の側面に設けられたカセット室13
1、132と、ウェーハ冷却室141、142と、反応
室171、172とを備えている。ウェーハ搬送室15
0はウェーハ搬送ロボット160を備え、ウェーハ搬送
ロボット160のアーム166がウェーハ搬送室150
内に設けられている。カセット室131(132)はカ
セット昇降機129を備え、この昇降機129によって
カセット室131(132)内に設けられたカセット1
10を昇降させる。カセット110内には複数のウェー
ハ105が鉛直方向に積層されて搭載されている。反応
室171(172)とウェーハ搬送室150との間には
ゲートバルブ193が設けられ、ウェーハ搬送室150
とカセット室131(132)との間にはゲートバルブ
192が設けられ、カセット室131(132)にはさ
らにカセット搬入/搬出用のフロントドアバルブ191
が設けられている。This conventional semiconductor wafer processing apparatus has a hexagonal wafer transfer chamber 150 when viewed from above, and a cassette chamber 13 provided on the side surface of the wafer transfer chamber 150.
1, 132, wafer cooling chambers 141 and 142, and reaction chambers 171 and 172. Wafer transfer chamber 15
0 is equipped with a wafer transfer robot 160, and the arm 166 of the wafer transfer robot 160 is installed in the wafer transfer chamber 150.
It is provided inside. The cassette chamber 131 (132) includes a cassette elevator 129, and the cassette 1 provided in the cassette chamber 131 (132) by the elevator 129.
Raise and lower 10. In the cassette 110, a plurality of wafers 105 are vertically stacked and mounted. A gate valve 193 is provided between the reaction chamber 171 (172) and the wafer transfer chamber 150, and the wafer transfer chamber 150
And a cassette chamber 131 (132) are provided with a gate valve 192, and the cassette chamber 131 (132) further has a front door valve 191 for loading / unloading cassettes.
Is provided.
【0004】この従来の半導体ウェーハ処理装置におい
ては、複数のウェーハ105を搭載したカセット110
をフロントドアバルブ191を介してカセット室131
(132)に搬入し、カセット室131(132)内で
カセット昇降機129によりカセット110を昇降させ
て所定の高さにした後、ウェーハ搬送ロボット160の
アーム166によって、ウェーハ105をカセット室1
31(132)内のカセット110から、反応室171
(172)に移載し、反応室171(172)内で加熱
した状態で成膜等の所定の処理を行った後、ウェーハ搬
送ロボット160のアーム166によって、ウェーハ1
05をウェーハ冷却室141(142)に移載し、ウェ
ーハ冷却室141(142)内で所定の温度にまで冷却
した後に、ウェーハ搬送ロボット160のアーム166
によって、ウェーハをカセット110に移載している。In this conventional semiconductor wafer processing apparatus, a cassette 110 carrying a plurality of wafers 105 is mounted.
Through the front door valve 191 to the cassette chamber 131
After loading the wafer 105 into the cassette chamber 131 (132) and raising and lowering the cassette 110 to a predetermined height by the cassette elevator 129 in the cassette chamber 131 (132), the wafer 105 is moved to the cassette chamber 1 by the arm 166 of the wafer transfer robot 160.
31 (132) to the reaction chamber 171 from the cassette 110.
After being transferred to (172) and subjected to predetermined processing such as film formation while being heated in the reaction chamber 171 (172), the wafer 1 is moved by the arm 166 of the wafer transfer robot 160.
05 is transferred to the wafer cooling chamber 141 (142) and cooled to a predetermined temperature in the wafer cooling chamber 141 (142), and then the arm 166 of the wafer transfer robot 160.
Then, the wafer is transferred to the cassette 110.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の半
導体ウェーハ処理装置においては、カセット110に高
温のウェーハ105を搭載できないので、反応室171
(172)で処理が終わったウェーハを一旦ウェーハ冷
却室141(142)に移載し、ウェーハ冷却室141
(142)内で所定の温度にまで冷却した後に、カセッ
ト110に移載しているから、カセット室131(13
2)に加えてウェーハ冷却室141(142)を設ける
必要があった。As described above, in the conventional semiconductor wafer processing apparatus, since the high temperature wafer 105 cannot be mounted on the cassette 110, the reaction chamber 171 is not provided.
The wafer that has been processed in (172) is temporarily transferred to the wafer cooling chamber 141 (142), and the wafer cooling chamber 141
After being cooled to a predetermined temperature in (142), it is transferred to the cassette 110, so that the cassette chamber 131 (13
In addition to 2), it was necessary to provide a wafer cooling chamber 141 (142).
【0006】しかしながら、このようにウェーハ冷却室
141(142)を設けると、その分半導体ウェーハ処
理装置によるクリーンルームの専有面積が増大し、さら
にウェーハ冷却室141(142)を設けると、その分
ウェーハ搬送室150の辺数も増加し、ウェーハ搬送室
150による専有面積が大きくなり、その結果、半導体
ウェーハ処理装置によるクリーンルームの専有面積が増
大して、ランニングコストが増大するという問題があっ
た。However, if the wafer cooling chamber 141 (142) is thus provided, the area occupied by the clean room by the semiconductor wafer processing apparatus is increased accordingly, and if the wafer cooling chamber 141 (142) is further provided, the wafer transfer amount is increased accordingly. The number of sides of the chamber 150 also increases, and the area occupied by the wafer transfer chamber 150 increases. As a result, the area occupied by the semiconductor wafer processing apparatus in the clean room increases, which causes a problem of increased running cost.
【0007】従って、本発明の目的は、専有面積の小さ
い基板処理装置を提供することにある。Therefore, it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus having a small occupied area.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、カセッ
トを保持するカセット保持手段と、基板を保持する基板
保持手段と、前記カセット保持手段によって保持された
前記カセットから前記基板保持手段に前記基板を搬送す
るか、前記基板保持手段から前記カセット保持手段によ
って保持された前記カセットに前記基板を搬送するか、
前記カセット保持手段によって保持された前記カセット
から前記基板保持手段におよび前記基板保持手段から前
記カセット保持手段によって保持された前記カセットに
前記基板を搬送する基板搬送手段と、前記カセット保持
手段にカセットを搬送し、前記カセット保持手段から前
記カセットを搬出するカセット搬送手段とを備え、前記
基板搬送手段と前記カセット搬送手段とが、同じ昇降手
段に搭載されていることを特徴とする基板搬送機構が提
供される。According to the present invention, cassette holding means for holding a cassette, substrate holding means for holding a substrate, and from the cassette held by the cassette holding means to the substrate holding means Whether to transfer the substrate, or to transfer the substrate from the substrate holding means to the cassette held by the cassette holding means,
Substrate carrying means for carrying the substrate from the cassette held by the cassette holding means to the substrate holding means and from the substrate holding means to the cassette held by the cassette holding means, and a cassette for the cassette holding means. A substrate transfer mechanism comprising: a cassette transfer unit configured to transfer and unload the cassette from the cassette holding unit, wherein the substrate transfer unit and the cassette transfer unit are mounted on the same elevating unit. To be done.
【0009】また、本発明によれば、カセットを保持す
るカセット保持手段と、基板を保持する基板保持手段
と、前記カセット保持手段によって保持された前記カセ
ットから前記基板保持手段に前記基板を搬送するか、前
記基板保持手段から前記カセット保持手段によって保持
された前記カセットに前記基板を搬送するか、前記カセ
ット保持手段によって保持された前記カセットから前記
基板保持手段におよび前記基板保持手段から前記カセッ
ト保持手段によって保持された前記カセットに前記基板
を搬送する基板搬送手段と、前記カセット保持手段にカ
セットを搬送し、前記カセット保持手段から前記カセッ
トを搬出するカセット搬送手段とを備え、前記基板搬送
手段と前記カセット搬送手段とが、同じ昇降手段に搭載
されている基板搬送機構と、前記基板を処理する基板処
理手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置が提
供される。Further, according to the present invention, the cassette holding means for holding the cassette, the substrate holding means for holding the substrate, and the substrate are conveyed from the cassette held by the cassette holding means to the substrate holding means. The substrate is transferred from the substrate holding means to the cassette held by the cassette holding means, or the cassette held by the cassette holding means to the substrate holding means and the substrate holding means to the cassette holding Substrate transport means for transporting the substrate to the cassette held by means, and cassette transport means for transporting the cassette to the cassette holding means and unloading the cassette from the cassette holding means, the substrate transport means comprising: Board transfer where the cassette transfer means is mounted on the same lifting means A structure, a substrate processing unit for processing the substrate, the substrate processing apparatus, characterized in that it comprises a are provided.
【0010】また、本発明によれば、減圧可能な基板搬
送室と、基板を処理する基板処理室であって前記基板搬
送室の第1の側壁に設けられた基板処理室と、前記基板
搬送室の第2の側壁に設けられた基板受け渡し室であっ
て前記基板搬送室とは独立して減圧可能な基板受け渡し
室と、前記基板を保持する第1の基板保持手段であっ
て、前記基板受け渡し室内に設けられた第1の基板保持
手段と、前記基板を保持する第2の基板保持手段であっ
て、前記基板処理室内に設けられた第2の基板保持手段
と、前記基板搬送室内に設けられ、前記基板処理室と前
記基板受け渡し室との間で前記基板を搬送可能な第1の
基板搬送手段と、前記基板処理室と前記基板搬送室との
間に設けられた第1のバルブであって、閉じた場合には
前記基板処理室と前記基板搬送室との間を真空的に気密
にすることができ、開いた場合には前記基板がその内部
を通って移動可能な第1のバルブと、前記基板搬送室と
前記基板受け渡し室との間に設けられた第2のバルブで
あって、閉じた場合には前記基板搬送室と前記基板受け
渡し室との間を真空的に気密にすることができ、開いた
場合には前記基板がその内部を通って移動可能な第2の
バルブと、前記基板受け渡し室の前記基板搬送室が設け
られた側とは異なる側に配置された大気圧部と、前記基
板受け渡し室と前記大気圧部との間に設けられた第3の
バルブであって、閉じた場合には前記基板受け渡し室と
前記大気圧部との間を真空的に気密にすることができ、
開いた場合には前記基板がその内部を通って移動可能な
第3のバルブと、前記大気圧部に設けられたカセット保
持手段と、前記大気圧部に設けられた第2の基板搬送手
段であって、前記カセット保持部に保持されるカセット
と前記基板受け渡し室との間で前記基板を搬送可能な第
2の基板搬送手段と、を備えることを特徴とする基板処
理装置が提供される。Further, according to the present invention, the substrate transfer chamber capable of reducing the pressure, the substrate processing chamber for processing the substrate, which is provided on the first side wall of the substrate transfer chamber, and the substrate transfer chamber A substrate transfer chamber provided on a second side wall of the chamber, the substrate transfer chamber being capable of depressurizing independently of the substrate transfer chamber; and a first substrate holding means for holding the substrate, First substrate holding means provided in the transfer chamber and second substrate holding means for holding the substrate, the second substrate holding means provided in the substrate processing chamber, and the second substrate holding means in the substrate transfer chamber. First substrate transfer means provided and capable of transferring the substrate between the substrate processing chamber and the substrate transfer chamber, and a first valve provided between the substrate processing chamber and the substrate transfer chamber. And when closed, the substrate processing chamber and the front A first valve capable of forming a vacuum-tight seal with the substrate transfer chamber and allowing the substrate to move through the inside when opened, and the substrate transfer chamber and the substrate transfer chamber. A second valve provided between the substrate transfer chamber and the substrate transfer chamber can be vacuum-tight when closed, and when opened, the substrate is A second valve movable through the inside; an atmospheric pressure portion arranged on a side of the substrate transfer chamber different from the side where the substrate transfer chamber is provided; the substrate transfer chamber and the atmospheric pressure portion; A third valve provided between the substrate transfer chamber and the atmospheric pressure part when closed, in a vacuum state.
A third valve that allows the substrate to move through the inside when opened, a cassette holding means provided in the atmospheric pressure portion, and a second substrate transfer means provided in the atmospheric pressure portion. There is provided a substrate processing apparatus, comprising: a second substrate transfer means capable of transferring the substrate between the cassette held by the cassette holding part and the substrate transfer chamber.
【0011】本発明においては、基板受け渡し室を、基
板搬送室の側壁に設けているから、この基板受け渡し室
内に設けられる第1の基板保持手段を耐熱性の基板保持
具等とすることにより、この基板受け渡し室を、基板処
理室で処理が終わった高温の基板を冷却する基板冷却室
として使用できる。In the present invention, since the substrate transfer chamber is provided on the side wall of the substrate transfer chamber, the first substrate holding means provided in the substrate transfer chamber is a heat-resistant substrate holder or the like. This substrate transfer chamber can be used as a substrate cooling chamber for cooling the high temperature substrate that has been processed in the substrate processing chamber.
【0012】さらに、この基板受け渡し室はカセットか
ら基板処理室への基板を一時収容するか、基板処理室か
らカセットへの基板を一時収容するか、またはカセット
から基板処理室への基板を一時収容すると共に基板処理
室からカセットへの基板を一時収容する室として使用で
きるので、カセット室を基板搬送室の側壁に設ける必要
はなくなる。その結果、基板搬送室の側壁に設ける室数
が減少して、その分基板処理装置によるクリーンルーム
の専有面積を減少させることができ、また、基板搬送室
の辺数も減少させて基板搬送室を小さくしてその専有面
積を減少させることができて、基板処理装置によるクリ
ーンルームの専有面積を減少させることができる。Further, the substrate transfer chamber temporarily stores the substrate from the cassette to the substrate processing chamber, temporarily stores the substrate from the substrate processing chamber to the cassette, or temporarily stores the substrate from the cassette to the substrate processing chamber. In addition, since it can be used as a chamber for temporarily storing the substrate from the substrate processing chamber to the cassette, it is not necessary to provide the cassette chamber on the side wall of the substrate transfer chamber. As a result, the number of chambers provided on the side wall of the substrate transfer chamber can be reduced, and the occupied area of the clean room by the substrate processing apparatus can be reduced accordingly, and the number of sides of the substrate transfer chamber can be reduced to reduce the substrate transfer chamber. The area occupied by the substrate processing apparatus can be reduced, and the area occupied by the substrate processing apparatus in the clean room can be reduced.
【0013】また、このように、基板搬送室の辺数を減
少させると、基板搬送室の製作コストも減少させること
ができる。また、辺数が多いと、その分、多方向のメン
テナンス領域が必要となるが、本発明によれば、基板搬
送室の辺数を減少させることができるので、その分、多
方向のメンテナンス領域も減少させることができる。さ
らに、基板搬送室の辺数を減少させることができれば、
基板搬送室を他の基板搬送室等と接続する距離も短くで
き、その結果、その接続部に基板搬送機を設けなくても
基板搬送室と他の基板搬送室等との間で基板を移載でき
るようになり、基板処理装置が、その分、簡単な構造と
なり、安価に製造できるようになる。Further, by reducing the number of sides of the substrate transfer chamber as described above, the manufacturing cost of the substrate transfer chamber can be reduced. Further, if the number of sides is large, a multi-direction maintenance area is required accordingly. However, according to the present invention, since the number of sides of the substrate transfer chamber can be reduced, the multi-direction maintenance area is correspondingly reduced. Can also be reduced. Furthermore, if the number of sides of the substrate transfer chamber can be reduced,
The distance to connect the substrate transfer chamber to other substrate transfer chambers can also be shortened, and as a result, the substrate can be transferred between the substrate transfer chamber and other substrate transfer chambers without providing a substrate transfer machine at the connection. As a result, the substrate processing apparatus has a simple structure and can be manufactured at low cost.
【0014】また、基板搬送室を減圧可能とし、基板受
け渡し室も減圧可能としているから、酸素濃度を極限ま
で減少できて、基板搬送室や基板受け渡し室で基板が酸
化されるのを抑制できる。Further, since the substrate transfer chamber can be depressurized and the substrate transfer chamber can also be depressurized, the oxygen concentration can be reduced to the utmost limit, and the oxidation of the substrate in the substrate transfer chamber and the substrate transfer chamber can be suppressed.
【0015】そして、基板搬送室と基板受け渡し室との
間に、閉じた場合には基板搬送室と基板受け渡し室との
間を真空的に気密にすることができ、開いた場合には基
板がその内部を通って移動可能な第2のバルブを設けて
いるから、基板搬送室と基板受け渡し室とを独立に真空
的に気密に保つことができ、しかも、基板搬送室と基板
受け渡し室との間を基板が移動できる。このようなバル
ブとしては、ゲートバルブが好ましく用いられる。Further, between the substrate transfer chamber and the substrate transfer chamber, the substrate transfer chamber and the substrate transfer chamber can be vacuum-tight when closed, and the substrate can be opened when opened. Since the second valve movable through the inside is provided, the substrate transfer chamber and the substrate transfer chamber can be independently kept airtight in a vacuum, and the substrate transfer chamber and the substrate transfer chamber are separated from each other. The substrate can move between them. A gate valve is preferably used as such a valve.
【0016】さらに、基板受け渡し室と大気圧部との間
に、閉じた場合には基板受け渡し室と大気圧部との間を
真空的に気密にすることができ、開いた場合には基板が
その内部を通って移動可能な第3のバルブを設けている
から、基板受け渡し室を独立に真空的に気密に保つこと
ができると共に、基板受け渡し室と大気圧部との間を基
板が移動できる。Further, between the substrate transfer chamber and the atmospheric pressure part, when closed, the space between the substrate transfer chamber and the atmospheric pressure part can be made airtight in a vacuum, and when opened, the substrate is closed. Since the third valve movable through the inside is provided, the substrate transfer chamber can be independently kept airtight in vacuum, and the substrate can be moved between the substrate transfer chamber and the atmospheric pressure portion. .
【0017】このような第2のバルブおよび第3のバル
ブを基板受け渡し室に設け、しかも、基板受け渡し室は
基板搬送室と独立して減圧可能としているから、この基
板受け渡し室は、大気圧部と減圧下の基板搬送室との間
で基板を搬入/搬出する際の真空予備室であるロードロ
ック室として機能することができる。Since such a second valve and a third valve are provided in the substrate transfer chamber, and the substrate transfer chamber can be depressurized independently of the substrate transfer chamber, the substrate transfer chamber has an atmospheric pressure portion. And a substrate transfer chamber under reduced pressure can function as a load lock chamber which is a vacuum preliminary chamber when loading / unloading a substrate.
【0018】このように、基板受け渡し室を、基板冷却
室およびロードロック室として使用できるので、基板冷
却室およびカセット室を基板搬送室の側壁に設ける必要
がなくなる。また、カセットを大気圧部に配置すること
ができる。As described above, since the substrate transfer chamber can be used as the substrate cooling chamber and the load lock chamber, it is not necessary to provide the substrate cooling chamber and the cassette chamber on the side wall of the substrate transfer chamber. Also, the cassette can be placed in the atmospheric pressure section.
【0019】そして、基板搬送室と基板受け渡し室との
間に第2のバルブを設けているから基板搬送室を減圧状
態に保ったままで基板受け渡し室を大気圧に戻すことが
でき、基板受け渡し室内を大気圧に戻している間に基板
が自然冷却し、基板受け渡し室を出る段階で基板の温度
が下がっているようにすることができる。従って、その
後大気圧中に取り出しても、大気圧雰囲気により基板が
汚染されることが防止される。このようにして基板受け
渡し室で大気圧に戻す工程と基板を冷却する工程を同時
に行い、冷却された基板を大気圧下でカセットまで搬送
し、基板を収容したカセットを基板処理装置外に搬送す
ることができる。Since the second valve is provided between the substrate transfer chamber and the substrate transfer chamber, the substrate transfer chamber can be returned to atmospheric pressure while the substrate transfer chamber is kept in a depressurized state. It is possible to allow the substrate to naturally cool while the pressure is returned to the atmospheric pressure, and to lower the temperature of the substrate when it exits the substrate transfer chamber. Therefore, even if the substrate is subsequently taken out into the atmospheric pressure, the substrate is prevented from being contaminated by the atmospheric pressure atmosphere. In this way, the step of returning the substrate to the atmospheric pressure in the substrate delivery chamber and the step of cooling the substrate are simultaneously performed, the cooled substrate is transported to the cassette under the atmospheric pressure, and the cassette containing the substrate is transported to the outside of the substrate processing apparatus. be able to.
【0020】また、従来においてはカセット室と冷却室
とを基板搬送室の側面に設けていたので、カセット室と
冷却室との間の基板の受け渡しも基板搬送室内の第1の
基板搬送手段で行う必要があったが、本発明においては
その必要はなく、基板受け渡し室とカセットとの間の基
板の受け渡しは基板搬送室内の第1の基板搬送手段とは
別の第2の基板搬送手段で行うことができるので、基板
搬送時間を短くすることができる。そして、本発明にお
いては、カセット保持手段と、カセット保持手段に保持
されるカセットと基板受け渡し室との間で基板を搬送可
能な第2の基板搬送手段とを大気圧部に配置しているか
ら、カセット保持手段の構造や第2の基板搬送手段の構
造をこれらが真空中にある場合に比べて簡単なものとす
ることができる。Further, in the prior art, since the cassette chamber and the cooling chamber are provided on the side surface of the substrate transfer chamber, the first substrate transfer means in the substrate transfer chamber also transfers the substrate between the cassette chamber and the cooling chamber. Although it was necessary to carry out the present invention, this is not necessary in the present invention, and the transfer of the substrate between the substrate transfer chamber and the cassette is performed by the second substrate transfer means different from the first substrate transfer means in the substrate transfer chamber. Since it can be performed, the substrate transfer time can be shortened. Further, in the present invention, the cassette holding means and the second substrate carrying means capable of carrying the substrate between the cassette held by the cassette holding means and the substrate transfer chamber are arranged in the atmospheric pressure section. The structure of the cassette holding means and the structure of the second substrate transfer means can be simplified as compared with the case where they are in vacuum.
【0021】なお、カセットは、好ましくは、基板処理
装置に基板を搬入および/または基板処理装置から基板
を搬出するためのカセットである。The cassette is preferably a cassette for loading a substrate into and / or unloading a substrate from the substrate processing apparatus.
【0022】さらに、基板処理室と基板搬送室との間
に、閉じた場合には基板処理室と基板搬送室との間を真
空的に気密にすることができ、開いた場合には基板がそ
の内部を通って移動可能な第1のバルブを設けているか
ら、基板処理室と基板搬送室とを独立に真空的に気密に
保つことができ、しかも、基板処理室と基板搬送室との
間を基板が移動できる。このようなバルブとしては、ゲ
ートバルブが好ましく用いられる。Furthermore, between the substrate processing chamber and the substrate transfer chamber, when closed, the substrate processing chamber and the substrate transfer chamber can be made airtight in a vacuum state, and when opened, the substrate can be opened. Since the first valve movable through the inside is provided, the substrate processing chamber and the substrate transfer chamber can be independently kept airtight in a vacuum, and the substrate processing chamber and the substrate transfer chamber can be separated from each other. The substrate can move between them. A gate valve is preferably used as such a valve.
【0023】なお、基板としては、好ましくは半導体ウ
ェーハが用いられ、その場合には、基板処理装置は半導
体ウェーハ処理装置として機能する。A semiconductor wafer is preferably used as the substrate, and in that case, the substrate processing apparatus functions as a semiconductor wafer processing apparatus.
【0024】また、基板としては、液晶表示素子用のガ
ラス基板等を使用することもできる。Further, as the substrate, a glass substrate for a liquid crystal display element or the like can be used.
【0025】基板処理室においては、好ましくは、プラ
ズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法、ホット
ウォールCVD法、光CVD法等の各種CVD法等によ
る絶縁膜、配線用金属膜、ポリシリコン、アモルファス
シリコン等の成膜や、エッチング、アニール等の熱処
理、エピタキシャル成長、拡散等が行われる。In the substrate processing chamber, preferably, an insulating film formed by various CVD methods such as a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a hot wall CVD method and a photo CVD method, a metal film for wiring, polysilicon, amorphous silicon, etc. Film formation, heat treatment such as etching and annealing, epitaxial growth, diffusion and the like are performed.
【0026】基板受け渡し室内に耐熱性の基板保持手段
を設けることが好ましく、このようにすれば、基板受け
渡し室を、基板処理室で処理が終わった高温の基板を冷
却する基板冷却室として使用できる。It is preferable to provide a heat-resistant substrate holding means in the substrate delivery chamber. By doing so, the substrate delivery chamber can be used as a substrate cooling chamber for cooling the high temperature substrate which has been processed in the substrate processing chamber. .
【0027】基板受け渡し室内に、石英、ガラス、セラ
ミックスまたは金属からなり耐熱性の基板保持具を設け
ることが好ましく、このようにすれば、基板受け渡し室
を、基板処理室で処理が終わった高温の基板を冷却する
基板冷却室として使用でき、また、基板受け渡し室を真
空にしても、基板保持具からアウトガス等の不純物が発
生することはないので、基板受け渡し室の雰囲気を清浄
に保つことができる。なお、セラミックスとしては、焼
結させたSiCや焼結させたSiCの表面にSiO2
膜等をCVDコートしたものが好ましく用いられる。It is preferable to provide a heat-resistant substrate holder made of quartz, glass, ceramics or metal in the substrate delivery chamber. In this way, the substrate delivery chamber is kept at a high temperature after the treatment in the substrate treatment chamber. It can be used as a substrate cooling chamber for cooling a substrate, and even if the substrate transfer chamber is vacuumed, impurities such as outgas are not generated from the substrate holder, so the atmosphere in the substrate transfer chamber can be kept clean. . As ceramics, sintered SiC or SiO 2 on the surface of sintered SiC is used.
A film coated with CVD is preferably used.
【0028】また、好ましくは、基板処理室、基板搬送
室および基板受け渡し室がそれぞれ独立して減圧可能で
ある。このようにすれば、基板搬送室や基板受け渡し室
で基板が酸化されるのを防止でき、また、基板受け渡し
室をロードロック室として使用できるだけでなく、基板
処理室を減圧下で処理を行う基板処理室とすることもで
き、また、基板処理室内を一度減圧にした後に所定の雰
囲気ガスに置換することもでき、純度の高いガス雰囲気
にすることもできる。Further, preferably, the substrate processing chamber, the substrate transfer chamber and the substrate transfer chamber can be independently depressurized. By doing this, it is possible to prevent the substrate from being oxidized in the substrate transfer chamber or the substrate transfer chamber, and not only can the substrate transfer chamber be used as a load lock chamber, but also the substrate processing chamber to be processed under reduced pressure. A processing chamber can be used, or the substrate processing chamber can be depressurized once and then replaced with a predetermined atmosphere gas, and a high-purity gas atmosphere can be obtained.
【0029】好ましくは、基板処理室が減圧下で処理を
行う基板処理室である。Preferably, the substrate processing chamber is a substrate processing chamber for performing processing under reduced pressure.
【0030】また、基板処理室を常圧下で処理を行う基
板処理室とすることもできる。Further, the substrate processing chamber may be a substrate processing chamber for performing processing under normal pressure.
【0031】基板搬送室の第1の側壁に基板をそれぞれ
処理する複数の基板処理室を鉛直方向に積み重ねて設け
ることが好ましい。このようにすれば、基板処理室によ
るクリーンルームの専有面積を減少させることができ、
また、基板搬送室の辺数も減少させて基板搬送室を小さ
くしてその専有面積を減少させることができて、基板処
理装置によるクリーンルームの専有面積を減少させるこ
とができる。It is preferable to vertically stack a plurality of substrate processing chambers for processing the substrates on the first side wall of the substrate transfer chamber. In this way, the area occupied by the substrate processing chamber in the clean room can be reduced,
Further, the number of sides of the substrate transfer chamber can be reduced to reduce the size of the substrate transfer chamber to reduce its occupied area, and the occupied area of the clean room for the substrate processing apparatus can be reduced.
【0032】また、基板搬送室の辺数を減少させると、
基板搬送室の製作コストも減少させることができ、多方
向のメンテナンス領域も減少させることができる。さら
に、基板搬送室を他の基板搬送室等と接続する距離も短
くできて、その接続部に基板搬送機を設けなくても基板
搬送室と他の基板搬送室等との間で基板を移載できるよ
うになり、基板処理装置が、その分、簡単な構造とな
り、安価に製造できるようになる。When the number of sides of the substrate transfer chamber is reduced,
The manufacturing cost of the substrate transfer chamber can be reduced, and the maintenance area in multiple directions can be reduced. Furthermore, the distance for connecting the substrate transfer chamber to other substrate transfer chambers can be shortened, and the substrate can be transferred between the substrate transfer chamber and other substrate transfer chambers without providing a substrate transfer machine at the connection part. As a result, the substrate processing apparatus has a simple structure and can be manufactured at low cost.
【0033】そして、これら複数の基板処理室を全て減
圧下で処理を行う基板処理室とすることも好ましく、ま
たこれら複数の基板処理室のうち少なくとも一つの基板
処理室を常圧下で基板の処理を行う基板処理室とし、こ
れら複数の基板処理室のうちの他の残りの基板処理室を
減圧下で処理を行う基板処理室とすることも好ましい。It is also preferable that all of the plurality of substrate processing chambers are substrate processing chambers that perform processing under reduced pressure, and at least one of the plurality of substrate processing chambers processes substrates under normal pressure. It is also preferable that the substrate processing chamber for performing the processing is performed, and the other remaining substrate processing chambers of the plurality of substrate processing chambers are used for performing the processing under reduced pressure.
【0034】第1の基板搬送手段は、基板を水平方向に
搬送する基板搬送機であることが好ましく、多関節ロボ
ットであることがより好ましい。The first substrate carrying means is preferably a substrate carrying machine for carrying the substrate in the horizontal direction, and more preferably an articulated robot.
【0035】また、第1の基板搬送手段を昇降できる昇
降機を設けることが好ましく、この昇降機を、基板搬送
室外に設けると基板搬送室内の雰囲気を汚染しないので
より好ましい。Further, it is preferable to provide an elevator capable of raising and lowering the first substrate transfer means, and it is more preferable to provide this elevator outside the substrate transfer chamber since it does not contaminate the atmosphere in the substrate transfer chamber.
【0036】また、好ましくは、第2の基板保持手段が
複数枚の基板を保持可能であり、第1の基板保持手段が
複数枚の基板を保持可能であり、第1の基板保持手段に
保持される基板間のピッチが第2の基板保持手段で保持
される基板間のピッチと実質的に同じである。Preferably, the second substrate holding means can hold a plurality of substrates, the first substrate holding means can hold a plurality of substrates, and the first substrate holding means holds them. The pitch between the formed substrates is substantially the same as the pitch between the substrates held by the second substrate holding means.
【0037】このように、基板処理室内に設けられる第
2の基板保持手段を複数枚の基板を保持可能な構造とす
ることにより、基板処理室内での基板処理の効率を高め
ることができる。As described above, by making the second substrate holding means provided in the substrate processing chamber have a structure capable of holding a plurality of substrates, the efficiency of substrate processing in the substrate processing chamber can be improved.
【0038】そして、この場合に、基板受け渡し室内の
第1の基板保持手段も複数枚の基板を保持可能な構造と
し、第1の基板保持手段に保持される基板間のピッチを
第2の基板保持手段で保持される基板間のピッチと実質
的に同じとすることによって、減圧可能な基板搬送室内
の第1の基板搬送手段の構造を簡単にすることができ
る。なお、好ましくは、この第1の基板搬送手段が、減
圧下で複数枚の前記基板を同時に搬送可能であるように
する。Then, in this case, the first substrate holding means in the substrate transfer chamber also has a structure capable of holding a plurality of substrates, and the pitch between the substrates held by the first substrate holding means is set to the second substrate. By setting the pitch to be substantially the same between the substrates held by the holding means, it is possible to simplify the structure of the first substrate carrying means in the substrate carrying chamber where the pressure can be reduced. In addition, it is preferable that the first substrate transfer means can simultaneously transfer a plurality of substrates under reduced pressure.
【0039】第1の基板保持手段に保持される基板間の
ピッチと第2の基板保持手段で保持される基板間のピッ
チとを実質的に同じとすれば、第1の基板搬送手段の構
造を、減圧下で複数枚の基板を同時に搬送可能であるよ
うな構造としても、搬送中に基板間のピッチを変える必
要はない。その結果、第1の基板搬送手段の構造が簡単
なものとなり、また、真空の汚染も防止できる。そして
複数の基板を同時に搬送できるので、基板搬送の効率も
高くなる。If the pitch between the substrates held by the first substrate holding means and the pitch between the substrates held by the second substrate holding means are substantially the same, the structure of the first substrate carrying means Even if the structure is such that a plurality of substrates can be simultaneously transferred under reduced pressure, it is not necessary to change the pitch between the substrates during the transfer. As a result, the structure of the first substrate transfer means is simplified, and vacuum contamination can be prevented. Further, since a plurality of substrates can be transported at the same time, the efficiency of substrate transportation can be improved.
【0040】これに対して、減圧下で基板間のピッチを
可変にしようとすれば、搬送手段の構造が複雑となり、
大気圧下での場合と比較して倍以上のコストとスペース
を必要とし、しかも、機構が増加することにより駆動軸
等から発生する汚染物質が飛散し易くなり、真空度が保
たれないばかりでなく、パーティクルの問題も生じやす
くなり、基板への汚染も生じやすくなる。そして、この
パーティクルが生じる箇所は基板処理室の直前の基板搬
送室であるので、その影響は特に大きくなる。また、こ
のような問題を避けるために、基板を一枚ずつ第1の基
板保持手段と第2の基板保持手段との間で移載しようと
すれば、スループットが悪くなってしまう。スループッ
トを向上させようとして基板搬送ロボットの移載スピー
ドを上げると、単位時間当たりの基板搬送ロボットの動
作回数が増え、その結果、装置寿命の低下やパーティク
ル問題を招くことになってしまう。On the other hand, if the pitch between the substrates is made variable under reduced pressure, the structure of the transfer means becomes complicated,
It requires more than twice the cost and space as compared with the case under atmospheric pressure, and the increase in the mechanism makes it easier for contaminants generated from the drive shaft and the like to scatter, and the degree of vacuum cannot be maintained. However, the problem of particles is likely to occur, and contamination of the substrate is likely to occur. Since the place where the particles are generated is the substrate transfer chamber immediately before the substrate processing chamber, the influence thereof is particularly large. Further, in order to avoid such a problem, if the substrates are transferred one by one between the first substrate holding means and the second substrate holding means, the throughput becomes poor. If the transfer speed of the substrate transfer robot is increased in order to improve the throughput, the number of operations of the substrate transfer robot per unit time increases, resulting in a reduction in the life of the apparatus and a particle problem.
【0041】基板処理室内で複数枚の基板を同時に処理
するためには、例えば、成膜等を行う場合にあっては、
複数枚の基板の間隔をカセット溝間隔ではなくて、基板
処理室内でのガスの流れ等を考慮して膜厚均一性等を維
持することができる間隔にする必要がある。そのため
に、いずれかの場所で基板間のピッチをカセット溝間隔
から変換することが好ましい。In order to process a plurality of substrates at the same time in the substrate processing chamber, for example, when performing film formation,
It is necessary to set the interval between the plurality of substrates not to be the cassette groove interval, but to be an interval that can maintain the film thickness uniformity and the like in consideration of the gas flow in the substrate processing chamber. Therefore, it is preferable to change the pitch between the substrates from the cassette groove interval at any place.
【0042】本発明においては、好ましくは、第2の基
板搬送手段の構造を、複数枚の基板を同時に搬送可能で
あって、複数枚の基板間のピッチを可変であるようにす
る。この第2の基板搬送手段は大気圧下で用いるので、
基板間のピッチを可変にしても、真空下での場合と比較
すれば構造が簡単であり、安価に製造でき、また、パー
ティクルの発生を抑えることができる。In the present invention, preferably, the structure of the second substrate transfer means is such that a plurality of substrates can be transferred simultaneously and the pitch between the plurality of substrates is variable. Since this second substrate transfer means is used under atmospheric pressure,
Even if the pitch between the substrates is variable, the structure is simpler than that in the case of under vacuum, the manufacturing can be performed at low cost, and the generation of particles can be suppressed.
【0043】上記のように、大気圧下で基板間のピッチ
を可変とし減圧下では基板間のピッチを固定して、複数
枚の基板を同時に搬送するようにすれば、搬送装置の製
造コストを低減でき、搬送装置の大型化が抑制され、し
かもパーティクルの発生が抑制されて基板をクリーンな
環境で搬送することができる。さらに、複数枚の基板を
同時に搬送するので、スループットが向上し、基板間の
ピッチが可変であるので、基板処理室内において高精度
で基板処理が行える基板間のピッチに変換できる。As described above, if the pitch between the substrates is variable under the atmospheric pressure and the pitch between the substrates is fixed under the reduced pressure so that a plurality of substrates are simultaneously transported, the manufacturing cost of the transport device is reduced. It is possible to reduce the size of the transfer device, suppress the size increase of the transfer device, suppress the generation of particles, and transfer the substrate in a clean environment. Further, since a plurality of substrates are transferred at the same time, the throughput is improved and the pitch between the substrates is variable, so that it is possible to convert the pitch between the substrates so that the substrate processing can be performed with high accuracy in the substrate processing chamber.
【0044】基板搬送室の側壁に複数の基板受け渡し室
を設けてもよい。このようにすれば、ある基板受け渡し
室で基板を冷却している間に他の基板受け渡し室を利用
して基板を基板処理室に搬入できる等、時間を節約でき
る。A plurality of substrate transfer chambers may be provided on the side wall of the substrate transfer chamber. By doing so, time can be saved, for example, while the substrate is being cooled in a certain substrate transfer chamber, the substrate can be carried into the substrate processing chamber by using the other substrate transfer chamber.
【0045】複数の基板受け渡し室を、基板搬送室の第
2の側壁に鉛直方向に積み重ねて設けることが好まし
い。このようにすれば、基板受け渡し室によるクリーン
ルームの専有面積を減少させることができ、また、基板
搬送室の辺数も減少させて基板搬送室を小さくしてその
専有面積を減少させることができて、基板処理装置によ
るクリーンルームの専有面積を減少させることができ
る。It is preferable to vertically stack a plurality of substrate transfer chambers on the second side wall of the substrate transfer chamber. By doing so, the area occupied by the substrate transfer chamber in the clean room can be reduced, and the number of sides of the substrate transfer chamber can be reduced to make the substrate transfer chamber smaller and reduce its occupied area. The area occupied by the substrate processing apparatus in the clean room can be reduced.
【0046】また、基板搬送室の辺数を減少させると、
基板搬送室の製作コストも減少させることができ、多方
向のメンテナンス領域も減少させることができる。さら
に、基板処理装置を複数台配置する場合には、基板搬送
室を他の基板搬送室等と接続する距離も短くできて、そ
の接続部に基板搬送機を設けなくても基板搬送室と他の
基板搬送室等との間で基板を移載できるようになり、基
板処理装置が、その分、簡単な構造となり、安価に製造
できるようになり、また、基板処理装置同士のメンテナ
ンススペースが干渉せず、効率的に複数の基板処理装置
を配置できる。When the number of sides of the substrate transfer chamber is reduced,
The manufacturing cost of the substrate transfer chamber can be reduced, and the maintenance area in multiple directions can be reduced. Further, when a plurality of substrate processing apparatuses are arranged, the distance for connecting the substrate transfer chamber to other substrate transfer chambers can be shortened, and the substrate transfer chamber and other substrate transfer chambers can be connected to each other without providing a substrate transfer device at the connecting portion. Substrates can be transferred to and from other substrate transfer chambers, etc., and the substrate processing apparatus has a correspondingly simple structure and can be manufactured at low cost, and the maintenance space between the substrate processing apparatuses interferes with each other. Without doing so, a plurality of substrate processing apparatuses can be arranged efficiently.
【0047】搬入用、搬出用の2種類の基板受け渡し室
を別々に設けてもよい。このようにすれば、搬入用、搬
出用の2種類の基板受け渡し室を交互に使用でき、時間
の節約となる。Two types of substrate transfer chambers for loading and unloading may be provided separately. In this way, two types of substrate transfer chambers for loading and unloading can be used alternately, which saves time.
【0048】第1の基板保持手段が、基板処理室のそれ
ぞれにおいて一度に処理される基板の枚数の少なくとも
2倍以上の枚数の基板を保持可能であることが好まし
い。It is preferable that the first substrate holding means can hold at least twice the number of substrates processed at one time in each of the substrate processing chambers.
【0049】また、第1の基板保持手段が、第2の基板
保持手段よりも少なくとも2倍以上の枚数の基板を保持
可能であることが好ましく、基板処理室において一度に
処理される基板の枚数の少なくとも2倍以上の枚数の基
板を保持可能となる。Further, it is preferable that the first substrate holding means can hold at least twice as many substrates as the second substrate holding means, and the number of substrates processed at one time in the substrate processing chamber. It is possible to hold at least twice the number of substrates.
【0050】このようにすれば、基板処理室とカセット
との間で効率的に基板を搬送することができ、スループ
ットが向上する。By doing so, the substrate can be efficiently transported between the substrate processing chamber and the cassette, and the throughput is improved.
【0051】また、基板搬送室の第1の側壁と第2の側
壁とが互いに対向しており、基板処理室と、基板搬送室
と、基板受け渡し室とが実質的に一直線上に配置されて
いることが好ましく、このようにすれば、基板搬送室の
辺数を最小限の、例えば矩形状とできる。The first side wall and the second side wall of the substrate transfer chamber are opposed to each other, and the substrate processing chamber, the substrate transfer chamber, and the substrate transfer chamber are arranged substantially in a straight line. It is preferable that the substrate transfer chamber has a minimum number of sides, for example, a rectangular shape.
【0052】基板搬送室は好ましくは平面図的には矩形
状であり、矩形状であると、基板搬送室を小さくしてそ
の専有面積を減少させることができて、基板処理装置に
よるクリーンルームの専有面積を減少させることができ
る。また、矩形状であると、基板搬送室の製作コストも
減少させることができる。メンテナンス領域も減少させ
ることができる。さらに、基板搬送室を他の基板搬送室
等と接続する距離もより短くできて、その接続部に基板
搬送機を設けなくても基板搬送室と他の基板搬送室等と
の間で基板を容易に移載できるようになり、基板処理装
置が、その分、簡単な構造となり、安価に製造できるよ
うになる。また、基板処理室と、基板搬送室と、基板受
け渡し室とをほぼ一直線上に配置すれば、このような構
成の基板処理装置ユニットを複数容易に平行に配置し
て、専有面積を小さくできる。The substrate transfer chamber is preferably rectangular in a plan view, and if the substrate transfer chamber is rectangular, the substrate transfer chamber can be made smaller and its occupied area can be reduced, and the substrate processing apparatus can occupy a clean room. The area can be reduced. Further, the rectangular shape can reduce the manufacturing cost of the substrate transfer chamber. The maintenance area can also be reduced. Further, the distance for connecting the substrate transfer chamber to other substrate transfer chambers can be shortened, and the substrate can be transferred between the substrate transfer chamber and other substrate transfer chambers without providing a substrate transfer device at the connection portion. The substrate can be easily transferred, and the substrate processing apparatus has a simple structure and can be manufactured inexpensively. Further, by arranging the substrate processing chamber, the substrate transfer chamber, and the substrate transfer chamber on a substantially straight line, it is possible to easily arrange a plurality of substrate processing apparatus units having such a configuration in parallel and reduce the occupied area.
【0053】カセット保持手段は、基板受け渡し室に対
して基板搬送室とは反対側に配置されていることが好ま
しい。The cassette holding means is preferably arranged on the opposite side of the substrate transfer chamber from the substrate transfer chamber.
【0054】好ましくは、第2の基板搬送手段が基板受
け渡し室とカセット保持手段との間に設けられており、
第2の基板搬送手段が、カセット保持部に保持されるカ
セットと基板受け渡し室との間で基板を搬送可能である
と共にカセットをカセット保持手段に搬送できカセット
保持手段からカセットを搬送できるカセット搬送兼基板
搬送手段であることが好ましい。Preferably, the second substrate transfer means is provided between the substrate transfer chamber and the cassette holding means,
The second substrate transfer means can transfer the substrate between the cassette held in the cassette holding part and the substrate transfer chamber, can transfer the cassette to the cassette holding means, and can transfer the cassette from the cassette holding means. It is preferably a substrate transfer means.
【0055】第1の基板保持手段に第1の基板保持手段
の前後の方向に開放した基板載置用の溝を設け、基板を
基板保持手段の前後から基板保持手段に搬入できると共
に基板を基板保持手段から基板保持手段の前後に搬出で
きるようにすることが好ましい。The first substrate holding means is provided with a substrate mounting groove opened in the front and rear direction of the first substrate holding means, so that the substrate can be carried into the substrate holding means from the front and rear of the substrate holding means and the substrate It is preferable that the substrate can be carried out from the holding means before and after the substrate holding means.
【0056】基板処理室と、基板搬送室と、基板受け渡
し室と、第2の基板搬送手段と、カセット保持手段とを
収容する筺体をさらに備えることが好ましく、筺体内に
第2の基板搬送手段とカセット保持手段とを設けること
によって、カセットに搭載されている基板の表面や第2
の基板搬送手段によって搬送されている基板の表面を清
浄に保つことができる。It is preferable to further include a housing for accommodating the substrate processing chamber, the substrate transfer chamber, the substrate transfer chamber, the second substrate transfer means, and the cassette holding means, and the second substrate transfer means in the housing. And a cassette holding means, so that the surface of the substrate mounted on the cassette and the second
The surface of the substrate being conveyed by the substrate conveying means can be kept clean.
【0057】筺体にカセットを搬入後に筺体内でカセッ
トを保持するか、筺体からカセットを搬出する前にカセ
ットを保持するか、または筺体にカセットを搬入後に筺
体内でカセットを保持すると共に筺体からカセットを搬
出する前にカセットを保持するカセットステージを、カ
セット保持手段の下の筺体内に設けることが好ましく、
このようにすれば、カセットステージにカセットを搬送
する際に筺体外部から流れ込んでくるパーティクルや、
カセットステージにカセットを搬入するために筺体に設
けるカセット投入口等を介して筺体外部から流れ込んで
くるパーティクルが、カセット保持手段に保持されたカ
セット内の基板に及ぼす影響を小さくできる。Holding the cassette in the housing after loading the cassette into the housing, holding the cassette before unloading the cassette from the housing, or holding the cassette in the housing after loading the cassette into the housing and from the housing to the cassette It is preferable to provide a cassette stage for holding the cassette before carrying out, in the housing below the cassette holding means,
By doing this, when the cassette is transported to the cassette stage, particles flowing from the outside of the housing,
It is possible to reduce the influence of particles flowing from the outside of the housing through a cassette insertion port or the like provided in the housing for loading the cassette on the cassette stage, on the substrates in the cassette held by the cassette holding means.
【0058】好ましくは、上下昇降機にカセット搬送兼
基板搬送機を設け、カセットステージとカセット保持手
段との間でカセットを搬送可能にする。Preferably, the vertical elevator is provided with a cassette carrier / substrate carrier so that the cassette can be carried between the cassette stage and the cassette holding means.
【0059】基板処理室と、基板搬送室と、第1の基板
搬送手段と、基板受け渡し室とをそれぞれ備える基板処
理装置ユニットを複数備え、複数の基板処理装置ユニッ
ト間を基板搬送室間に設けられた第2の基板受け渡し室
を介して接続することが好ましい。A plurality of substrate processing apparatus units each having a substrate processing chamber, a substrate transfer chamber, a first substrate transfer means, and a substrate transfer chamber are provided, and a plurality of substrate processing apparatus units are provided between the substrate transfer chambers. It is preferable to connect via the second substrate transfer chamber.
【0060】基板搬送室が平面図的には矩形状であり、
複数の基板処理装置ユニット間を基板搬送室間に第2の
基板受け渡し室を介して接続することが好ましく、この
場合には、基板搬送室間の距離を短くできるので、第2
の基板受け渡し室には搬送機を設ける必要はない。The substrate transfer chamber has a rectangular shape in plan view,
It is preferable to connect the plurality of substrate processing apparatus units to the substrate transfer chambers via the second substrate transfer chamber. In this case, since the distance between the substrate transfer chambers can be shortened,
It is not necessary to provide a carrier in the substrate transfer chamber of.
【0061】[0061]
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0062】図1は、本発明の第1の実施の形態の半導
体ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。図
2は、図1のXX線断面図である。FIG. 1 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a sectional view taken along line XX of FIG.
【0063】本実施の形態の半導体ウェーハ処理装置1
は、プロセス部700と、トランスファ部500と、フ
ロント部100とを備えている。Semiconductor wafer processing apparatus 1 of this embodiment
Includes a process unit 700, a transfer unit 500, and a front unit 100.
【0064】プロセス部700は複数のプロセスモジュ
ール701を備え、各プロセスモジュール701は反応
室70とゲートバルブ93とを備えている。トランスフ
ァ部500はトランスファモジュール501を備え、ト
ランスファモジュール501はウェーハ搬送室50とウ
ェーハ搬送真空ロボット60とを備えている。フロント
部100は複数のロードロックモジュール300と大気
圧部200とを備えている。ロードロックモジュール3
00はウェーハ受け渡し室30とゲートバルブ92とフ
ロントドアバルブ91とを備えている。大気圧部にはカ
セット10を載置するカセット棚11と、カセット搬送
兼ウェーハ搬送機20が設けられている。The process section 700 comprises a plurality of process modules 701, and each process module 701 comprises a reaction chamber 70 and a gate valve 93. The transfer unit 500 includes a transfer module 501, and the transfer module 501 includes a wafer transfer chamber 50 and a wafer transfer vacuum robot 60. The front part 100 includes a plurality of load lock modules 300 and an atmospheric pressure part 200. Load lock module 3
00 includes a wafer transfer chamber 30, a gate valve 92, and a front door valve 91. A cassette shelf 11 on which the cassette 10 is placed and a cassette carrier / wafer carrier 20 are provided in the atmospheric pressure section.
【0065】複数の反応室70は鉛直方向に積み重ねら
れてウェーハ搬送室50のウェーハ搬送室壁53に設け
られている。各反応室70とウェーハ搬送室50との間
にはそれぞれゲートバルブ93が設けられている。各反
応室70は、排気配管82を介して独立して真空引きで
きるように構成されている。反応室70内には複数枚
(本実施の形態では2枚)の半導体ウェーハ5を搭載で
きるウェーハボート75が載置されており、複数枚のウ
ェーハ5の処理を同時に行うことができ、ウェーハ処理
の効率を高めることができる。また、ウェーハボート7
5に搭載されるウェーハ5間のピッチは、反応室70内
でのガスの流れ等を考慮して、例えば成膜が行われるの
ならば、膜厚の均一性が所定の範囲内に維持されるよう
に決定されている。The plurality of reaction chambers 70 are vertically stacked and provided on the wafer transfer chamber wall 53 of the wafer transfer chamber 50. A gate valve 93 is provided between each reaction chamber 70 and the wafer transfer chamber 50. Each reaction chamber 70 is configured so that it can be evacuated independently via an exhaust pipe 82. A wafer boat 75 capable of mounting a plurality of (two in the present embodiment) semiconductor wafers 5 is placed in the reaction chamber 70, and a plurality of wafers 5 can be simultaneously processed. The efficiency of can be improved. Also, the wafer boat 7
With respect to the pitch between the wafers 5 mounted on the wafer 5, the uniformity of the film thickness is maintained within a predetermined range in consideration of the gas flow in the reaction chamber 70 and the like, for example, when film formation is performed. Has been decided to.
【0066】反応室70内においては、例えば、プラズ
マCVD、ホットウォールCVD、光CVD等の各種C
VD等による絶縁膜、配線用金属膜、ポリシリコン、ア
モルファスシリコン等の形成や、エッチング、アニール
等の熱処理、エピタキシャル成長、拡散等が行われる。In the reaction chamber 70, for example, various types of C such as plasma CVD, hot wall CVD, photo CVD, etc.
Formation of an insulating film by VD or the like, a metal film for wiring, polysilicon, amorphous silicon, or the like, heat treatment such as etching or annealing, epitaxial growth, diffusion or the like is performed.
【0067】複数の反応室70を鉛直方向に積み重ねて
ウェーハ搬送室50のウェーハ搬送室壁53に設けてい
るから、反応室70室によるクリーンルームの専有面積
を減少させることができ、また、ウェーハ搬送室50の
辺数も減少させてウェーハ搬送室50を小さくしてその
専有面積を減少させることができて、半導体ウェーハ処
理装置1によるクリーンルームの専有面積を減少させる
ことができる。Since a plurality of reaction chambers 70 are vertically stacked and provided on the wafer transfer chamber wall 53 of the wafer transfer chamber 50, the area occupied by the reaction chamber 70 in the clean room can be reduced, and the wafer transfer can be performed. It is possible to reduce the number of sides of the chamber 50 to reduce the size of the wafer transfer chamber 50 to reduce the occupied area thereof, thereby reducing the occupied area of the clean room of the semiconductor wafer processing apparatus 1.
【0068】また、ウェーハ搬送室50の辺数を減少さ
せると、ウェーハ搬送室50の製作コストも減少させる
ことができ、多方向のメンテナンス領域も減少させるこ
とができる。さらに、ウェーハ搬送室50を他のウェー
ハ搬送室等と接続する距離も短くできて、その接続部に
ウェーハ搬送機を設けなくてもウェーハ搬送室50と他
のウェーハ搬送室等との間でウェーハを移載できるよう
になり、半導体ウェーハ処理装置1が、その分、簡単な
構造となり、安価に製造できるようになる。Further, if the number of sides of the wafer transfer chamber 50 is reduced, the manufacturing cost of the wafer transfer chamber 50 can be reduced, and the maintenance area in multiple directions can be reduced. Further, the distance for connecting the wafer transfer chamber 50 to other wafer transfer chambers can be shortened, and the wafer transfer chamber 50 and other wafer transfer chambers can be connected to each other without providing a wafer transfer device at the connecting portion. The semiconductor wafer processing apparatus 1 has a simple structure and can be manufactured at low cost.
【0069】複数のウェーハ受け渡し室30は鉛直方向
に積み重ねられてウェーハ搬送室50のウェーハ搬送室
壁54に設けられている。各ウェーハ受け渡し室30と
ウェーハ搬送室50との間にはそれぞれゲートバルブ9
2が設けられている。各ウェーハ受け渡し室30の右側
と大気圧部200との間にはそれぞれフロントドアバル
ブ91が設けられている。各ウェーハ受け渡し室30
は、排気配管83、81を介して独立して真空引きでき
るように構成されている。The plurality of wafer transfer chambers 30 are vertically stacked and provided on the wafer transfer chamber wall 54 of the wafer transfer chamber 50. A gate valve 9 is provided between each wafer transfer chamber 30 and the wafer transfer chamber 50.
Two are provided. A front door valve 91 is provided between the right side of each wafer transfer chamber 30 and the atmospheric pressure section 200. Wafer transfer room 30
Are configured so that they can be evacuated independently via the exhaust pipes 83, 81.
【0070】ウェーハ受け渡し室30内にはウェーハ保
持具40が載置されている。図3はこのウェーハ保持具
40を説明するための概略斜視図である。ウェーハ保持
具40は、上下に設けられた円柱状の2枚の支柱支持板
41、42と、この支柱支持板41、42の間に設けら
れた2つの角柱状の支柱43、44とを備え、この支柱
43、44の内側に複数のウェーハ載置用溝45が互い
に対向してそれぞれ設けられている。このウェーハ載置
用溝45の両端は開放されているので、ウェーハ保持具
40の両側からウェーハをそれぞれ搬入でき、両側にそ
れぞれ搬出できる。ウェーハ保持具40は石英から成っ
ている。A wafer holder 40 is placed in the wafer transfer chamber 30. FIG. 3 is a schematic perspective view for explaining the wafer holder 40. The wafer holder 40 includes two column-shaped support columns 41 and 42 provided in the upper and lower sides, and two prism-shaped columns 43 and 44 provided between the column support plates 41 and 42. Inside the columns 43 and 44, a plurality of wafer mounting grooves 45 are provided so as to face each other. Since both ends of the wafer mounting groove 45 are open, the wafer can be loaded from both sides of the wafer holder 40 and can be unloaded from both sides. The wafer holder 40 is made of quartz.
【0071】ウェーハ保持具40のウェーハ載置用溝4
5間のピッチ、すなわち、ウェーハ保持具40に保持さ
れるウェーハ5間のピッチを、反応室70内のウェーハ
ボート75に搭載されるウェーハ5間のピッチと同じと
している。なお、ウェーハ保持具40のウェーハ載置用
溝45間のピッチはカセット10内のウェーハ載置用溝
間のピッチよりも大きい。Wafer mounting groove 4 of wafer holder 40
The pitch between the wafers 5, that is, the pitch between the wafers 5 held by the wafer holder 40 is the same as the pitch between the wafers 5 mounted on the wafer boat 75 in the reaction chamber 70. The pitch between the wafer mounting grooves 45 of the wafer holder 40 is larger than the pitch between the wafer mounting grooves in the cassette 10.
【0072】また、ウェーハ保持具40のウェーハ載置
用溝45の数、すなわち、ウェーハ保持具40が保持可
能なウェーハ5の枚数を、反応室70内のウェーハボー
ト75が搭載可能なウェーハ5の枚数の2倍以上とし、
反応室70内において一度に処理可能なウェーハ5の枚
数の2倍以上としている。このようにすれば、反応室7
0とカセット10との間で効率的に基板を搬送すること
ができ、スループットが向上する。Further, the number of wafer mounting grooves 45 of the wafer holder 40, that is, the number of wafers 5 which the wafer holder 40 can hold is determined by the number of wafers 5 which the wafer boat 75 in the reaction chamber 70 can mount. More than twice the number of sheets,
The number of wafers 5 that can be processed at once in the reaction chamber 70 is twice or more. In this way, the reaction chamber 7
The substrate can be efficiently transported between the cassette 0 and the cassette 10, and the throughput is improved.
【0073】ウェーハ保持具40は石英から成っている
ので、ウェーハ受け渡し室30内を真空にしても、ウェ
ーハ保持具40からアウトガス等の不純物が発生するこ
とはないので、ウェーハ受け渡し室30の雰囲気を清浄
に保つことができる。Since the wafer holder 40 is made of quartz, even if the inside of the wafer transfer chamber 30 is evacuated, impurities such as outgas are not generated from the wafer holder 40. Can be kept clean.
【0074】また、このウェーハ保持具40は石英から
成っており、耐熱性に優れているので、反応室70で処
理が終わった高温のウェーハをこのウェーハ保持具40
で保持した状態で冷却することができる。このように、
ウェーハ保持具40はウェーハ冷却用に使用できるの
で、ウェーハ受け渡し室30はウェーハ冷却室として機
能する。従って、反応室70で処理が終わった高温のウ
ェーハを冷却するための冷却室をウェーハ搬送室50の
側壁に別に設ける必要はなく、その分、半導体ウェーハ
処理装置1によるクリーンルームの専有面積を減少させ
ることができ、また、ウェーハ搬送室50の辺数も減少
させてウェーハ搬送室50を小さくしてその専有面積を
減少させることができて、半導体ウェーハ処理装置1に
よるクリーンルームの専有面積を減少させることができ
る。さらに、ウェーハ搬送室50の製作コストも減少さ
せることができる。Further, since the wafer holder 40 is made of quartz and has excellent heat resistance, a high-temperature wafer that has been processed in the reaction chamber 70 is treated by the wafer holder 40.
It can be cooled while being held at. in this way,
Since the wafer holder 40 can be used for cooling the wafer, the wafer transfer chamber 30 functions as a wafer cooling chamber. Therefore, it is not necessary to separately provide a cooling chamber for cooling the high-temperature wafer processed in the reaction chamber 70 on the side wall of the wafer transfer chamber 50, and the area occupied by the semiconductor wafer processing apparatus 1 in the clean room is reduced accordingly. In addition, the number of sides of the wafer transfer chamber 50 can be reduced to reduce the size of the wafer transfer chamber 50 to reduce its occupied area, and the occupied area of the clean room by the semiconductor wafer processing apparatus 1 can be reduced. You can Further, the manufacturing cost of the wafer transfer chamber 50 can be reduced.
【0075】そして、このウェーハ保持具40は、カセ
ット10からウェーハ処理室70へのウェーハ5を一時
収容するか、ウェーハ処理室70からカセット10への
ウェーハ5を一時収容するか、またはカセット10から
ウェーハ処理室70へのウェーハ5を一時収容すると共
にウェーハ処理室70からカセット10へのウェーハ5
を一時収容するウェーハ保持具であるので、カセット1
0を収容するカセット室をウェーハ搬送室50の側壁に
設ける必要はなくなる。その結果、ウェーハ搬送室50
の側壁に設ける室数が減少して、その分、半導体ウェー
ハ処理装置1によるクリーンルームの専有面積を減少さ
せることができ、また、ウェーハ搬送室50の辺数も減
少させてウェーハ搬送室50を小さくしてその専有面積
を減少させることができて、半導体ウェーハ処理装置1
によるクリーンルームの専有面積を減少させることがで
きる。さらに、ウェーハ搬送室50の製作コストも減少
させることができる。The wafer holder 40 temporarily stores the wafer 5 from the cassette 10 into the wafer processing chamber 70, temporarily stores the wafer 5 from the wafer processing chamber 70 into the cassette 10, or from the cassette 10. The wafer 5 is temporarily stored in the wafer processing chamber 70 and is transferred from the wafer processing chamber 70 to the cassette 10.
Since it is a wafer holder for temporarily storing
It is not necessary to provide a cassette chamber for storing 0 on the side wall of the wafer transfer chamber 50. As a result, the wafer transfer chamber 50
The number of chambers provided on the side wall of the wafer can be reduced, and the occupied area of the clean room by the semiconductor wafer processing apparatus 1 can be reduced accordingly, and the number of sides of the wafer transfer chamber 50 can be reduced to reduce the size of the wafer transfer chamber 50. Therefore, the area occupied by the semiconductor wafer can be reduced, and the semiconductor wafer processing apparatus 1
The area occupied by the clean room can be reduced. Further, the manufacturing cost of the wafer transfer chamber 50 can be reduced.
【0076】本実施の形態では、ウェーハ搬送室50の
ウェーハ搬送室壁54に複数のウェーハ受け渡し室30
を設けているから、あるウェーハ受け渡し室30でウェ
ーハを冷却している間に他のウェーハ受け渡し室30を
利用してウェーハを反応室70に搬入できる等、時間を
節約できる。また、搬入用、搬出用の2種類のウェーハ
受け渡し室30を別々に設けてもよい。このようにすれ
ば、搬入用、搬出用の2種類のウェーハ受け渡し室30
を交互に使用でき、時間の節約となる。さらに、あるウ
ェーハ受け渡し室30をモニタウェーハ用とし、他のウ
ェーハ受け渡し室30を実際の製品となるプロセスウェ
ーハ用として利用することもできる。In this embodiment, a plurality of wafer transfer chambers 30 are provided on the wafer transfer chamber wall 54 of the wafer transfer chamber 50.
Therefore, the time can be saved, for example, while the wafer is being cooled in one wafer transfer chamber 30, the wafer can be loaded into the reaction chamber 70 by using the other wafer transfer chamber 30. Further, two types of wafer transfer chambers 30 for loading and unloading may be separately provided. By doing so, two types of wafer transfer chambers 30 for loading and unloading can be used.
Can be used interchangeably, saving time. Further, one wafer transfer chamber 30 can be used for a monitor wafer, and another wafer transfer chamber 30 can be used for a process wafer which is an actual product.
【0077】また、複数のウェーハ受け渡し室30を、
ウェーハ搬送室50のウェーハ搬送室壁54に鉛直方向
に積み重ねて設けているから、ウェーハ受け渡し室30
によるクリーンルームの専有面積を減少させることがで
き、また、ウェーハ搬送室50の辺数も減少させてウェ
ーハ搬送室50を小さくしてその専有面積を減少させる
ことができて、半導体ウェーハ処理装置1によるクリー
ンルームの専有面積を減少させることができる。さら
に、ウェーハ搬送室50の製作コストも減少させること
ができる。Further, the plurality of wafer transfer chambers 30 are
The wafer transfer chamber 30 is provided on the wafer transfer chamber wall 54 of the wafer transfer chamber 50 so as to be vertically stacked.
The area occupied by the clean room can be reduced, the number of sides of the wafer transfer chamber 50 can be reduced, and the wafer transfer chamber 50 can be reduced in size to reduce the area occupied by the semiconductor wafer processing apparatus 1. The occupied area of the clean room can be reduced. Further, the manufacturing cost of the wafer transfer chamber 50 can be reduced.
【0078】ウェーハ搬送室50とウェーハ受け渡し室
30との間にゲートバルブ92を設けているからウェー
ハ搬送室50を減圧状態に保ったままでウェーハ受け渡
し室30を大気圧に戻すことができ、ウェーハ受け渡し
室30内を大気圧に戻している間にウェーハ5が自然冷
却し、ウェーハ受け渡し室30を出る段階でウェーハ5
の温度が下がっているようにすることができる。従っ
て、その後大気圧中に取り出しても、大気圧雰囲気によ
りウェーハ5が汚染されることが防止される。このよう
にしてウェーハ受け渡し室30で大気圧に戻す工程とウ
ェーハ5を冷却する工程を同時に行い、冷却されたウェ
ーハ5を大気圧下でカセット10まで搬送し、ウェーハ
5を収容したカセット10を半導体ウェーハ処理装置1
外に搬送することができる。Since the gate valve 92 is provided between the wafer transfer chamber 50 and the wafer transfer chamber 30, the wafer transfer chamber 30 can be returned to the atmospheric pressure while keeping the wafer transfer chamber 50 in a depressurized state. The wafer 5 is naturally cooled while the pressure in the chamber 30 is returned to the atmospheric pressure, and the wafer 5 is discharged at the stage of leaving the wafer transfer chamber 30.
You can allow the temperature to drop. Therefore, even if the wafer 5 is subsequently taken out to the atmospheric pressure, the wafer 5 is prevented from being contaminated by the atmospheric pressure atmosphere. In this way, the step of returning the wafer 5 to the atmospheric pressure in the wafer delivery chamber 30 and the step of cooling the wafer 5 are simultaneously performed, the cooled wafer 5 is transferred to the cassette 10 under the atmospheric pressure, and the cassette 10 containing the wafer 5 is transferred to the semiconductor. Wafer processing equipment 1
Can be transported outside.
【0079】また、図14、図15に示した従来技術に
おいてはカセット室131、132と冷却室141、1
42とをウェーハ搬送室150の側面に設けていたの
で、カセット室131、132と冷却室141、142
との間のウェーハの受け渡しもウェーハ搬送室150内
のウェーハ搬送ロボット160で行う必要があったが、
本実施の形態においてはその必要はなく、ウェーハ受け
渡し室30とカセット10との間のウェーハ5の受け渡
しはウェーハ搬送室50内のウェーハ搬送真空ロボット
60とは異なるカセット搬送兼ウェーハ搬送機20で行
うことができるので、ウェーハ搬送時間を短くすること
ができる。そして、本実施の形態においては、カセット
搬送兼ウェーハ搬送機20を大気圧部200に配置して
いるから、カセット搬送兼ウェーハ搬送機20の構造を
真空中にある場合に比べて簡単なものとすることができ
る。Further, in the prior art shown in FIGS. 14 and 15, the cassette chambers 131 and 132 and the cooling chambers 141 and 1 are provided.
Since 42 is provided on the side surface of the wafer transfer chamber 150, the cassette chambers 131 and 132 and the cooling chambers 141 and 142 are provided.
Although it was necessary to transfer the wafer between the wafer transfer chamber and the wafer by the wafer transfer robot 160 in the wafer transfer chamber 150,
This is not necessary in the present embodiment, and the transfer of the wafer 5 between the wafer transfer chamber 30 and the cassette 10 is performed by the cassette transfer / wafer transfer machine 20 in the wafer transfer chamber 50 different from the wafer transfer vacuum robot 60. Therefore, the wafer transfer time can be shortened. Further, in the present embodiment, since the cassette transfer / wafer transfer machine 20 is arranged in the atmospheric pressure section 200, the structure of the cassette transfer / wafer transfer machine 20 is simpler than that in a vacuum. can do.
【0080】ウェーハ搬送室50は排気配管84、81
を介して真空引きできるように構成されている。そし
て、複数の反応室70、ウェーハ搬送室50および複数
のウェーハ受け渡し室30は、それぞれ独立して真空引
きできるように構成されている。The wafer transfer chamber 50 has exhaust pipes 84, 81.
It is configured so that a vacuum can be drawn through. The plurality of reaction chambers 70, the wafer transfer chamber 50, and the plurality of wafer transfer chambers 30 are configured so that they can be evacuated independently.
【0081】ウェーハ搬送室50を減圧可能とし、ウェ
ーハ受け渡し室30も減圧可能としているから、酸素濃
度を極限まで減少できて、ウェーハ搬送室50やウェー
ハ受け渡し室30でウェーハ5が酸化されるのを抑制で
きる。Since the wafer transfer chamber 50 can be depressurized and the wafer transfer chamber 30 can also be depressurized, the oxygen concentration can be reduced to the limit, and the wafer 5 is prevented from being oxidized in the wafer transfer chamber 50 and the wafer transfer chamber 30. Can be suppressed.
【0082】また、反応室70を独立して真空引きでき
るので、反応室70を減圧下で処理を行う反応室とする
こともでき、また、反応室70内を一度減圧にした後に
所定の雰囲気ガスに置換することもでき、純度の高いガ
ス雰囲気にすることもできる。Further, since the reaction chamber 70 can be evacuated independently, the reaction chamber 70 can also be used as a reaction chamber in which processing is performed under reduced pressure. Further, after the pressure inside the reaction chamber 70 is once reduced, a predetermined atmosphere is obtained. The gas can be replaced with a gas, or a high-purity gas atmosphere can be used.
【0083】本実施の形態では、複数の反応室70を全
て減圧下で処理を行う反応室としたが、複数の反応室7
0全てを常圧下で処理を行う反応室とすることもでき、
またこれら複数の反応室70のうち少なくとも一つの反
応室70を常圧下でウェーハの処理を行う反応室とし、
これら複数の反応室70のうちの他の残りの反応室70
を減圧下で処理を行う反応室とすることもできる。In the present embodiment, the plurality of reaction chambers 70 are all reaction chambers in which processing is performed under reduced pressure.
It is also possible to use a reaction chamber in which all 0 are treated under normal pressure,
Further, at least one reaction chamber 70 of the plurality of reaction chambers 70 is used as a reaction chamber for processing a wafer under normal pressure,
The remaining reaction chambers 70 of the plurality of reaction chambers 70
Can be used as a reaction chamber in which the treatment is performed under reduced pressure.
【0084】ウェーハ搬送室50の内部にはウェーハ搬
送真空ロボット60が設けられている。図4はウェーハ
搬送真空ロボット60を説明するための概略斜視図であ
る。ウェーハ搬送真空ロボット60は、多関節ロボット
であり、水平面内を回転移動するアーム63、65、6
7と、それぞれのアームを回転可能にする回転軸62、
64、66と、回転軸62に回転を与える2軸の駆動部
69と、回転軸62の回転を回転軸64、66に伝達す
る歯車機構(図示せず)と、この駆動部69を収容する
駆動部収容部61とを備えている。なお、アーム67の
先はウェーハを搭載するためのウェーハ搭載アーム68
として機能する。回転軸62が回転すると、アーム6
3、65、67が水平方向に回転移動し、それによっ
て、ウェーハを水平方向に移動させることができる。A wafer transfer vacuum robot 60 is provided inside the wafer transfer chamber 50. FIG. 4 is a schematic perspective view for explaining the wafer transfer vacuum robot 60. The wafer transfer vacuum robot 60 is an articulated robot, and has arms 63, 65, 6 that rotate and move in a horizontal plane.
7, and a rotation shaft 62 that allows each arm to rotate,
64 and 66, a biaxial drive unit 69 that applies rotation to the rotary shaft 62, a gear mechanism (not shown) that transmits the rotation of the rotary shaft 62 to the rotary shafts 64 and 66, and the drive unit 69. The drive unit accommodating portion 61 is provided. The tip of the arm 67 is a wafer mounting arm 68 for mounting a wafer.
Function as. When the rotary shaft 62 rotates, the arm 6
The wafers 3, 65, 67 rotate and move in the horizontal direction, so that the wafer can be moved in the horizontal direction.
【0085】アーム67およびウェーハ搭載アーム68
は2本設けられておりウェーハ搭載アーム68間のピッ
チはウェーハ保持具40のウェーハ載置用溝45間のピ
ッチおよび反応室70内のウェーハボート75に搭載さ
れるウェーハ5間のピッチと同じとしている。従って、
ウェーハ搭載アーム68が2本設けられているので、ウ
ェーハ搬送真空ロボット60によって2枚のウェーハを
同時に搬送可能であるが、搬送中にウェーハ5間のピッ
チを変える必要がないので、ウェーハ搬送真空ロボット
60の構造が簡単なものとなり、また、真空の汚染も防
止できる。そして2枚のウェーハを同時に搬送できるの
で、ウェーハ搬送の効率も高くなる。Arm 67 and wafer mounting arm 68
The pitch between the wafer mounting arms 68 is the same as the pitch between the wafer mounting grooves 45 of the wafer holder 40 and the pitch between the wafers 5 mounted on the wafer boat 75 in the reaction chamber 70. There is. Therefore,
Since two wafer mounting arms 68 are provided, the wafer transfer vacuum robot 60 can transfer two wafers at the same time, but the wafer transfer vacuum robot does not need to change the pitch between the wafers 5 during transfer. The structure of 60 is simplified, and vacuum contamination can be prevented. Since two wafers can be transferred at the same time, the efficiency of wafer transfer is increased.
【0086】駆動部収容部61は気密構造であり、駆動
部69がこの気密性の駆動部収容部61内に収容されて
いるから、ウェーハ搬送室50内の雰囲気を清浄に保つ
ことができる。Since the drive portion accommodating portion 61 has an airtight structure and the drive portion 69 is accommodated in the airtight drive portion accommodating portion 61, the atmosphere in the wafer transfer chamber 50 can be kept clean.
【0087】ウェーハ搬送室50の底面56に駆動部収
容部61の外形に合わせた凸部52を設けている。従っ
て、この凸部52内に駆動部収容部61を収容でき、こ
のようにすれば、ウェーハ搬送室50全体を大きくせず
に、ウェーハ搬送真空ロボット60の駆動部収容部61
を収容する凸部52のみをウェーハ搬送室50から突出
させればよいから、ウェーハ搬送室50の空間を小さく
でき、真空引き等の時間を短くできる。On the bottom surface 56 of the wafer transfer chamber 50, there is provided a convex portion 52 conforming to the outer shape of the drive portion accommodating portion 61. Therefore, the drive portion accommodating portion 61 can be accommodated in the convex portion 52. By doing so, the drive portion accommodating portion 61 of the wafer transfer vacuum robot 60 can be provided without enlarging the entire wafer transfer chamber 50.
Since only the convex portion 52 accommodating the wafer need to be projected from the wafer transfer chamber 50, the space of the wafer transfer chamber 50 can be reduced, and the time required for evacuation or the like can be shortened.
【0088】ウェーハ搬送室50の底面56には貫通孔
57が設けられている。ウェーハ搬送室50の外部の下
側にはねじ軸561が鉛直方向に設けられている。ねじ
軸561の上部にはモータ566が設けられており、ね
じ軸561はモータ566により回転する。ねじ軸56
1と共にボールねじを構成するナット565が設けら
れ、ナット565には昇降台564が固定されている。
昇降台564にはウェーハ搬送真空ロボット支持棒56
3の一端が固定されており、支持棒563が鉛直に昇降
台564に取り付けられている。ウェーハ搬送真空ロボ
ット支持棒563の他端はウェーハ搬送真空ロボット6
0の駆動部収容部61の上端部に固定されている。ウェ
ーハ搬送真空ロボット支持棒563はステンレス鋼から
成っている。ウェーハ搬送室50の底面56の貫通孔5
7の周囲の底面56には、ベロー562の一端が気密に
固定されており、ベロー562の他端は昇降台564の
上面に気密に固定されている。ベロー562は金属製で
あり、ウェーハ搬送真空ロボット支持棒563を覆って
取り付けられている。A through hole 57 is formed in the bottom surface 56 of the wafer transfer chamber 50. A screw shaft 561 is provided vertically below the outside of the wafer transfer chamber 50. A motor 566 is provided above the screw shaft 561, and the screw shaft 561 is rotated by the motor 566. Screw shaft 56
1, a nut 565 forming a ball screw is provided, and an elevating table 564 is fixed to the nut 565.
Wafer transfer vacuum robot support rod 56 is mounted on the lift table 564.
3, one end of which is fixed, and a support rod 563 is vertically attached to the lift table 564. The other end of the wafer transfer vacuum robot support rod 563 has the wafer transfer vacuum robot 6
It is fixed to the upper end of the drive unit accommodating portion 61 of 0. The wafer transfer vacuum robot support rod 563 is made of stainless steel. Through hole 5 in bottom surface 56 of wafer transfer chamber 50
One end of the bellows 562 is airtightly fixed to the bottom surface 56 around 7 and the other end of the bellows 562 is airtightly fixed to the upper surface of the lift 564. The bellows 562 is made of metal and is attached so as to cover the wafer transfer vacuum robot support rod 563.
【0089】モーター566によってねじ軸561を回
転させると、ナット565が昇降し、それによって、ナ
ット565に固定された昇降台564が昇降する。昇降
台564が昇降すれば、それに鉛直に取り付けられたウ
ェーハ搬送真空ロボット支持棒563も昇降して、それ
に取り付けられたウェーハ搬送真空ロボット60も昇降
する。When the screw shaft 561 is rotated by the motor 566, the nut 565 moves up and down, which moves up and down the elevating table 564 fixed to the nut 565. When the elevating table 564 moves up and down, the wafer transfer vacuum robot support rod 563 vertically attached thereto also moves up and down, and the wafer transfer vacuum robot 60 attached thereto also moves up and down.
【0090】本実施の形態では、ねじ軸561とナット
565とから構成されるボールねじ560を使用してい
るから、摩擦を小さくし、機械効率を高くできる。そし
て、このボールねじ560をウェーハ搬送室50の外部
に設けているから、ウェーハ搬送室50の内部が汚染さ
れることを防止でき、その結果、ウェーハ5が汚染され
ることが防止される。また、ボールネジ560をウェー
ハ搬送室50の底面56の下側に設けているから、ベロ
ー562から発生するパーティクルによってウェーハ搬
送室50内が汚染されるのを防止できる。In this embodiment, since the ball screw 560 composed of the screw shaft 561 and the nut 565 is used, friction can be reduced and mechanical efficiency can be increased. Since the ball screw 560 is provided outside the wafer transfer chamber 50, the inside of the wafer transfer chamber 50 can be prevented from being contaminated, and as a result, the wafer 5 can be prevented from being contaminated. Further, since the ball screw 560 is provided below the bottom surface 56 of the wafer transfer chamber 50, it is possible to prevent the inside of the wafer transfer chamber 50 from being contaminated by particles generated from the bellows 562.
【0091】また、剛体のステンレス鋼からなるウェー
ハ搬送真空ロボット支持棒563によってウェーハ搬送
真空ロボット60を昇降台564と機械的に接続してい
るから、昇降台564の昇降に応じてウェーハ搬送真空
ロボット60が確実に昇降する。Since the wafer transfer vacuum robot support rod 563 made of a rigid stainless steel mechanically connects the wafer transfer vacuum robot 60 to the lift table 564, the wafer transfer vacuum robot is moved according to the elevation of the lift table 564. The 60 surely moves up and down.
【0092】さらに、ウェーハ搬送真空ロボット支持棒
563がベロー562によって覆われており、ベロー5
62の一端がウェーハ搬送室50の底面56の貫通孔5
7の周囲の底面56に気密に固定されており、ベロー5
62の他端が昇降台564の上面に気密に固定されてい
るから、ベロー562によって気密が保たれるので、気
密が確実になってウェーハ搬送室50内を真空にするこ
とができるとともに、ウェーハ搬送真空ロボット支持棒
563の移動も気密の維持の問題とは切り放せるので、
ウェーハ搬送真空ロボット支持棒563の移動もスムー
ズで確実なものとなる。Further, the wafer transfer vacuum robot support rod 563 is covered with the bellows 562,
One end of 62 is the through hole 5 in the bottom surface 56 of the wafer transfer chamber 50.
7, which is airtightly fixed to the bottom surface 56 around 7,
Since the other end of 62 is airtightly fixed to the upper surface of the elevating table 564, the airtightness is maintained by the bellows 562, so that the airtightness is ensured and the wafer transfer chamber 50 can be evacuated. Since the movement of the transfer vacuum robot support rod 563 can be separated from the problem of maintaining airtightness,
The movement of the wafer transfer vacuum robot support rod 563 is also smooth and reliable.
【0093】さらに、また、ウェーハ搬送真空ロボット
支持棒563の先端をウェーハ搬送真空ロボット60の
駆動部収容部61の上端部に固定しているから、ウェー
ハ搬送室50の高さを低くでき、ひいては、半導体ウェ
ーハ処理装置1全体の高さを低くできる。Furthermore, since the tip end of the wafer transfer vacuum robot support rod 563 is fixed to the upper end of the drive section accommodating portion 61 of the wafer transfer vacuum robot 60, the height of the wafer transfer chamber 50 can be lowered, and by extension, the wafer transfer chamber 50 can be lowered. The overall height of the semiconductor wafer processing apparatus 1 can be reduced.
【0094】半導体ウェーハ処理装置1全体が筺体90
0に収容されている。フロント部100の筺体900の
天井面にはフィルタ(図示せず)とファン(図示せず)
とが設けられており、筺体900内をダウンフローでき
るようになっている。筺体900の内部にはカセット1
0を載置するカセット棚11が筺体900に取り付けら
れている。カセット棚11は、ウェーハ受け渡し室30
に対してウェーハ搬送室50とはほぼ反対側に配置され
ている。カセット棚11は平面方向には3つの位置に配
置されており、垂直方向には、2段に縦積みされてい
る。筺体900内にカセット棚11を設けることによっ
て、カセット10に搭載されているウェーハ表面を清浄
に保つことができる。また、このように複数のカセット
棚11を設けることにより、複数の処理に合わせて、処
理の種類毎にカセットをそれぞれ配置することができ
る。また、モニタ用ウェーハやダミー用ウェーハが収容
されたカセットを配置することもできる。The entire semiconductor wafer processing apparatus 1 is a housing 90.
It is housed at 0. A filter (not shown) and a fan (not shown) are provided on the ceiling surface of the housing 900 of the front part 100.
And are provided so that the inside of the housing 900 can be downflowed. A cassette 1 is provided inside the housing 900.
A cassette shelf 11 on which 0 is placed is attached to the housing 900. The cassette shelf 11 has a wafer transfer chamber 30.
On the other hand, it is arranged substantially on the opposite side of the wafer transfer chamber 50. The cassette shelves 11 are arranged at three positions in the plane direction, and vertically stacked in two stages. By providing the cassette shelf 11 in the housing 900, the wafer surface mounted on the cassette 10 can be kept clean. Further, by providing the plurality of cassette shelves 11 in this manner, it is possible to arrange the cassettes for each type of processing in accordance with a plurality of processings. It is also possible to arrange a cassette in which the monitor wafer and the dummy wafer are stored.
【0095】筺体900の装置正面901の下部にはカ
セット投入口13が設けられ、筺体900の内部であっ
て、カセット投入口13とほぼ同じ高さにカセットステ
ージ12が設けられている。カセットステージ12は、
カセット投入口13から半導体ウェーハ処理装置1の筺
体900内に投入されたカセット10を最初に一時的に
保持し、また、半導体ウェーハ処理装置1によって処理
が終わり、筺体900からカセット10を搬出する前に
カセットを一時的に保持するために使用される。A cassette insertion port 13 is provided in the lower portion of the front surface 901 of the housing 900, and a cassette stage 12 is provided inside the housing 900 at substantially the same height as the cassette insertion port 13. The cassette stage 12
The cassette 10 loaded into the housing 900 of the semiconductor wafer processing apparatus 1 from the cassette loading port 13 is temporarily held first, and the processing is completed by the semiconductor wafer processing apparatus 1 before the cassette 10 is unloaded from the housing 900. Used to hold the cassette temporarily.
【0096】カセットステージ12はカセット棚11の
下部に設けられており、カセットステージ12にカセッ
トを投入する際に筺体900の外部からカセット投入口
13を通って流れ込んでくるパーティクル等が、カセッ
ト棚11に載置されたカセット10内のウェーハ5に及
ぼす影響を小さくできる。The cassette stage 12 is provided in the lower part of the cassette shelf 11, and when the cassette is loaded into the cassette stage 12, particles and the like flowing from the outside of the housing 900 through the cassette loading port 13 are stored in the cassette shelf 11. It is possible to reduce the influence on the wafer 5 in the cassette 10 placed on the.
【0097】ウェーハ受け渡し室30とカセット棚11
との間に、カセット10をカセット棚11に搬入できカ
セット棚11からカセット10を搬出できると共に、ウ
ェーハ5をカセット10とウェーハ受け渡し室30との
間で搬送できるカセット搬送兼ウェーハ搬送機20が設
けられている。このカセット搬送兼ウェーハ搬送機20
は、垂直に設けられたねじ軸29とボールねじを構成す
るナット(図示せず)とを備えており、ねじ軸29を回
転することで、カセット搬送兼ウェーハ搬送機20を昇
降させることができる。カセット搬送兼ウェーハ搬送機
20も筺体900内に設けられているので、カセット搬
送兼ウェーハ搬送機20によって搬送されているウェー
ハ5の表面を清浄に保つことができる。Wafer transfer chamber 30 and cassette shelf 11
In between, a cassette transfer / wafer transfer machine 20 is provided which can transfer the cassette 10 into the cassette shelf 11 and can transfer the cassette 10 out of the cassette shelf 11 and transfer the wafer 5 between the cassette 10 and the wafer transfer chamber 30. Has been. This cassette carrier and wafer carrier 20
Is provided with a screw shaft 29 provided vertically and a nut (not shown) forming a ball screw, and by rotating the screw shaft 29, the cassette transfer / wafer transfer machine 20 can be moved up and down. . Since the cassette transfer / wafer transfer device 20 is also provided in the housing 900, the surface of the wafer 5 transferred by the cassette transfer / wafer transfer device 20 can be kept clean.
【0098】図5は、このカセット搬送兼ウェーハ搬送
機20を説明するための概略斜視図である。FIG. 5 is a schematic perspective view for explaining the cassette carrying / wafer carrying machine 20.
【0099】ベース25、26上にカセット搬送機21
とウェーハ搬送機23が設けられており、カセット搬送
機21とウェーハ搬送機23とは、独立に矢印の方向に
平行移動することができる。カセット搬送機21はカセ
ット搬送アーム22を備えており、カセット搬送アーム
22の先に取り付けられたカセットホルダー27上にカ
セット10を載置してカセット10を搬送する。ウェー
ハ搬送機23は複数のツィーザ24を備えており、この
ツィーザ24上にウェーハ5をそれぞれ搭載してウェー
ハ5を搬送する。The cassette carrier 21 is mounted on the bases 25 and 26.
A wafer carrier 23 is provided, and the cassette carrier 21 and the wafer carrier 23 can be independently moved in parallel in the direction of the arrow. The cassette carrying machine 21 includes a cassette carrying arm 22, and the cassette 10 is carried by mounting the cassette 10 on a cassette holder 27 attached to the tip of the cassette carrying arm 22. The wafer carrier 23 is provided with a plurality of tweezers 24, and the wafers 5 are mounted on the tweezers 24 to carry the wafers 5.
【0100】図6は、カセット搬送兼ウェーハ搬送機の
ピッチ変換機構を説明するための図であり、図6Aは側
面図、図6Bは、図6AのY−Y線より見た背面図であ
る。6A and 6B are views for explaining the pitch converting mechanism of the cassette carrying / wafer carrying machine, FIG. 6A is a side view, and FIG. 6B is a rear view taken along the line YY of FIG. 6A. .
【0101】本実施の形態では、ウェーハ搬送機23
は、5枚のツィーザ241乃至245を備えている。ツ
ィーザ241はブロック260と一体化されている。ツ
ィーザ242、243、244、245にはナット23
2、233、234、235がそれぞれ固着されてい
る。ナット232とナット234はねじ軸210と噛み
合わせられておりナット232とナット234はねじ軸
210とそれぞれボールねじを構成している。ナット2
33とナット235はねじ軸211と噛み合わせられて
おりナット233とナット235はねじ軸211とそれ
ぞれボールねじを構成している。ねじ軸210の上端お
よびねじ軸211の上端はモータ220と歯車機構(図
示せず。)を介して接続されており、ねじ軸210の下
端およびねじ軸211の下端は、ブロック250に回転
自在に取り付けられている。ブロック250とブロック
260にはナット270が取り付けられており、ナット
270はねじ軸280と噛み合って設けられており、ナ
ット270とねじ軸280とによりボールねじを構成し
ている。ねじ軸280が回転すると、ナット270が左
右に動いてツイーザ241乃至245を左右に移動させ
る。In the present embodiment, the wafer carrier 23
Includes five tweezers 241 to 245. The tweezers 241 are integrated with the block 260. Nuts 23 are provided on the tweezers 242, 243, 244, and 245.
2, 233, 234 and 235 are fixed to each other. The nut 232 and the nut 234 are engaged with the screw shaft 210, and the nut 232 and the nut 234 form a ball screw with the screw shaft 210, respectively. Nut 2
The nut 33 and the nut 235 are meshed with the screw shaft 211, and the nut 233 and the nut 235 form a ball screw with the screw shaft 211. The upper end of the screw shaft 210 and the upper end of the screw shaft 211 are connected to the motor 220 via a gear mechanism (not shown), and the lower end of the screw shaft 210 and the lower end of the screw shaft 211 are rotatably attached to the block 250. It is installed. A nut 270 is attached to the blocks 250 and 260, and the nut 270 is provided so as to mesh with the screw shaft 280, and the nut 270 and the screw shaft 280 form a ball screw. When the screw shaft 280 rotates, the nut 270 moves left and right to move the tweezers 241 to 245 left and right.
【0102】ナット232と噛み合っているねじ軸21
0の領域212には1倍ピッチのねじが形成されてお
り、ナット233と噛み合っているねじ軸211の領域
213には2倍ピッチのねじが形成されており、ナット
234と噛み合っているねじ軸210の領域214には
3倍ピッチのねじが形成されており、ナット235と噛
み合っているねじ軸211の領域215には4倍ピッチ
のねじが形成されている。また、ブロック250とブロ
ック260との間の上下方向の相対位置は変化しない。
モータ220によってねじ軸210とねじ軸211を回
転させると、ブロック250とブロック260とは昇降
せず、ナット232は所定の距離昇降し、ナット233
はナット232の2倍の距離昇降し、ナット234はナ
ット232の3倍の距離昇降し、ナット235はナット
232の4倍の距離昇降する。従って、ツィザー241
は昇降せず、ツィーザ242は所定の距離昇降し、ツィ
ーザ243はツィーザ242の2倍の距離昇降し、ツィ
ーザ244はツィーザ242の3倍の距離昇降し、ツィ
ーザ245はツィーザ242の4倍の距離昇降する。そ
の結果、ツィーザ241乃至245間のピッチを均等に
保ったまま、ツィーザ241乃至245間のピッチを変
換できる。The screw shaft 21 meshing with the nut 232.
A zero-pitch screw is formed in the region 212 of 0, and a double-pitch screw is formed in the region 213 of the screw shaft 211 that meshes with the nut 233, and a screw shaft that meshes with the nut 234. A region 214 of 210 is formed with a triple pitch screw, and a region 215 of the screw shaft 211 that meshes with the nut 235 is formed with a four pitch screw. Further, the vertical relative position between the block 250 and the block 260 does not change.
When the screw shaft 210 and the screw shaft 211 are rotated by the motor 220, the block 250 and the block 260 do not move up and down, but the nut 232 moves up and down by a predetermined distance, and the nut 233.
Moves up and down twice as much as the nut 232, the nut 234 moves up and down three times as much as the nut 232, and the nut 235 moves up and down four times as much as the nut 232. Therefore, the tweezers 241
Does not move up and down, the tweezers 242 move up and down a predetermined distance, the tweezers 243 move up and down twice as long as the tweezers 242, the tweezers 244 move up and down three times as long as the tweezers 242, and the tweezers 245 four times longer than the tweezers 242. Move up and down. As a result, the pitch between the tweezers 241 to 245 can be converted while keeping the pitch between the tweezers 241 to 245 uniform.
【0103】図7は、半導体ウェーハ処理装置1におけ
るウェーハ5の搬送操作を説明するための概略断面図で
あり、図1乃至図7を参照してウェーハ5の搬送および
処理方法を説明する。FIG. 7 is a schematic sectional view for explaining the transfer operation of the wafer 5 in the semiconductor wafer processing apparatus 1, and the transfer and processing method of the wafer 5 will be described with reference to FIGS. 1 to 7.
【0104】カセット投入口13から半導体ウェーハ処
理装置1の筺体900内に投入されたカセット10は、
まず、カセットステージ12に置かれる。次に、カセッ
ト搬送兼ウェーハ搬送機20のカセット搬送アーム22
の先に取り付けられたカセットホルダー27上に載置さ
れて、筺体900の上部まで運ばれ、その後カセット棚
11上に載置される。次に、カセット搬送機21が左に
移動し、代わって、ウェーハ搬送機23が右に移動し
て、カセット10内のウェーハ5をツィーザ24上に搭
載する。この時、ツイーザ24間のピッチはカセット1
0の溝間の間隔とされている。その後、ウェーハ搬送機
23が一度後退し、方向を180度変え、その後、ツィ
ーザ24間のピッチを変換して、ウェーハ保持具40の
ウェーハ載置用溝45間のピッチとする。その後、ツィ
ーザ24を左に移動してウェーハ受け渡し室30内のウ
ェーハ保持具40にウェーハ5を搭載する。本実施の形
態では、5枚のウェーハ5を一度にカセット10からウ
ェーハ保持具40までカセット搬送兼ウェーハ搬送機2
0により搬送する。なお、カセット搬送兼ウェーハ搬送
機20によってウェーハ5をウェーハ受け渡し室30内
に搬送する際には、ゲートバルブ92は閉じておき、フ
ロントドアバルブ91は開けておく。The cassette 10 loaded into the housing 900 of the semiconductor wafer processing apparatus 1 from the cassette loading port 13 is
First, it is placed on the cassette stage 12. Next, the cassette transfer arm 22 of the cassette transfer / wafer transfer machine 20
It is placed on the cassette holder 27 attached to the end of the box, transported to the upper part of the housing 900, and then placed on the cassette shelf 11. Next, the cassette carrier 21 moves to the left, and instead, the wafer carrier 23 moves to the right to mount the wafer 5 in the cassette 10 on the tweezers 24. At this time, the pitch between the tweezers 24 is the cassette 1
The distance between the grooves is 0. After that, the wafer carrier 23 is once retracted, the direction is changed by 180 degrees, and then the pitch between the tweezers 24 is converted to the pitch between the wafer mounting grooves 45 of the wafer holder 40. Then, the tweezers 24 are moved to the left and the wafer 5 is mounted on the wafer holder 40 in the wafer transfer chamber 30. In the present embodiment, five wafers 5 are transferred from the cassette 10 to the wafer holder 40 at a time by the cassette carrier / wafer carrier 2
Transport by 0. When the wafer 5 is transferred into the wafer transfer chamber 30 by the cassette transfer / wafer transfer machine 20, the gate valve 92 is closed and the front door valve 91 is opened.
【0105】ウェーハ受け渡し室30内のウェーハ保持
具40にウェーハ5を搭載した後、フロントドアバルブ
91を閉じ、ウェーハ受け渡し室30内を真空引きす
る。After the wafer 5 is mounted on the wafer holder 40 in the wafer transfer chamber 30, the front door valve 91 is closed and the inside of the wafer transfer chamber 30 is evacuated.
【0106】真空引き後、ゲートバルブ92を開ける。
なお、ウェーハ搬送室50は予め真空引きされている。After evacuation, the gate valve 92 is opened.
The wafer transfer chamber 50 is evacuated in advance.
【0107】その後、ウェーハ5は、真空中で、ウェー
ハ搬送室50内のウェーハ搬送真空ロボット60のウェ
ーハ搭載アーム68上に搭載されてウェーハ受け渡し室
30内のウェーハ保持具40から反応室70内のウェー
ハボート75に搬送される。なお、この際には、ゲート
バルブ93は開けられており、反応室70も真空引きさ
れている。ウェーハ保持具40のウェーハ載置用溝45
間のピッチはウェーハボート75に搭載されるウェーハ
5間のピッチと同じだから、ウェーハ搬送真空ロボット
60のウェーハ搭載アーム68間のピッチは変換せず、
一定のままである。本実施の形態においては、2枚のウ
ェーハを一度にウェーハ保持具40からウェーハボート
75までウェーハ搬送真空ロボット60により搬送す
る。After that, the wafer 5 is mounted on the wafer mounting arm 68 of the wafer transfer vacuum robot 60 in the wafer transfer chamber 50 in a vacuum, and is transferred from the wafer holder 40 in the wafer transfer chamber 30 to the inside of the reaction chamber 70. The wafer boat 75 is carried. At this time, the gate valve 93 is opened and the reaction chamber 70 is also evacuated. Wafer mounting groove 45 of wafer holder 40
Since the pitch between the wafers 5 mounted on the wafer boat 75 is the same, the pitch between the wafer mounting arms 68 of the wafer transfer vacuum robot 60 is not changed,
It remains constant. In the present embodiment, two wafers are transferred from the wafer holder 40 to the wafer boat 75 at one time by the wafer transfer vacuum robot 60.
【0108】搬送後、ゲートバルブ93を閉じ、反応室
70を所定の雰囲気として反応室70のウェーハボート
75に搭載された2枚のウェーハ5に成膜等の所定の処
理を同時に行う。After the transfer, the gate valve 93 is closed and the reaction chamber 70 is set to a predetermined atmosphere, and predetermined processing such as film formation is simultaneously performed on the two wafers 5 mounted on the wafer boat 75 in the reaction chamber 70.
【0109】所定の処理が行われた後は、反応室70を
真空引きし、その後ゲートバルブ93を開ける。ウェー
ハ5は、真空中で、ウェーハ搬送真空ロボット60によ
りウェーハ受け渡し室30内のウェーハ保持具40に移
載される。この際には、ウェーハ搬送真空ロボット60
のウェーハ搭載アーム68間のピッチは変換せず一定の
ままである。また、2枚のウェーハを一度に搬送する。After the predetermined processing is performed, the reaction chamber 70 is evacuated and then the gate valve 93 is opened. The wafer 5 is transferred to the wafer holder 40 in the wafer transfer chamber 30 by the wafer transfer vacuum robot 60 in vacuum. At this time, the wafer transfer vacuum robot 60
The pitch between the wafer mounting arms 68 remains unchanged and remains constant. Also, two wafers are transferred at one time.
【0110】その後、ゲートバルブ92を閉じ、ウェー
ハ受け渡し室30内を窒素等で大気圧にし、ここでウェ
ーハ5を所定の温度になるまで冷却する。After that, the gate valve 92 is closed, and the inside of the wafer transfer chamber 30 is brought to the atmospheric pressure with nitrogen or the like, where the wafer 5 is cooled to a predetermined temperature.
【0111】その後、フロントドアバルブ91を開け、
カセット搬送兼ウェーハ搬送機20のウェーハ搬送機2
3によってウェーハ5はカセット10内に移載される。
この際、ウェーハ保持具40のウェーハ載置用溝45間
のピッチから、カセット10の溝間のピッチとなるよう
にツィーザ24間のピッチを変換する。Then, the front door valve 91 is opened,
Wafer carrier 2 of cassette carrier and wafer carrier 20
The wafer 5 is transferred into the cassette 10 by 3.
At this time, the pitch between the tweezers 24 is changed from the pitch between the wafer mounting grooves 45 of the wafer holder 40 to the pitch between the grooves of the cassette 10.
【0112】所定枚数のウェーハ5がカセット10内に
搬入されると、カセット搬送兼ウェーハ搬送機20のカ
セット搬送機21によってカセット10がカセットステ
ージ12に移載され、その後、カセット投入口13から
搬出される。When a predetermined number of wafers 5 are loaded into the cassette 10, the cassette transporter 21 of the cassette transporter / wafer transporter 20 transfers the cassette 10 to the cassette stage 12 and then unloads it from the cassette loading slot 13. To be done.
【0113】このように、反応室70内で2枚のウェー
ハを同時に処理するからウェーハ処理の効率が高くな
る。また、ウェーハ保持具40のウェーハ載置用溝45
間のピッチはウェーハボート75に搭載されるウェーハ
5間のピッチと同じであり、ウェーハ搬送真空ロボット
60のウェーハ搭載アーム68間のピッチは変換しない
から、ウェーハ搬送真空ロボット60の構造が簡単とな
り、真空の汚染も防止できる。そして2枚のウェーハ5
を同時に搬送できるので、ウェーハ搬送の効率も高くな
る。As described above, since two wafers are simultaneously processed in the reaction chamber 70, the efficiency of wafer processing is increased. Further, the wafer mounting groove 45 of the wafer holder 40.
The pitch between the wafers 5 mounted on the wafer boat 75 is the same as the pitch between the wafer mounting arms 68 of the wafer transfer vacuum robot 60. Therefore, the structure of the wafer transfer vacuum robot 60 is simplified, Vacuum contamination can also be prevented. And two wafers 5
Since wafers can be transferred at the same time, wafer transfer efficiency is also improved.
【0114】そして、カセット搬送兼ウェーハ搬送機2
0によってウェーハ5間のピッチを可変としているが、
このカセット搬送兼ウェーハ搬送機20は大気圧下で用
いるので、ウェーハ5間のピッチを可変にしても、真空
下での場合と比較すれば構造が簡単であり、安価に製造
でき、また、パーティクルの発生を抑えることができ
る。Then, the cassette carrier / wafer carrier 2
Although the pitch between the wafers 5 is variable by 0,
Since the cassette transfer / wafer transfer machine 20 is used under the atmospheric pressure, even if the pitch between the wafers 5 is changed, the structure is simpler than that in the case of under vacuum, and the manufacturing cost is low. Can be suppressed.
【0115】上記のように、大気圧下でウェーハ5間の
ピッチを可変とし減圧下ではウェーハ5間のピッチを固
定して、複数枚のウェーハ5を同時に搬送するようにす
れば、搬送装置の製造コストを低減でき、搬送装置の大
型化が抑制され、しかもパーティクルの発生が抑制され
てウェーハ5をクリーンな環境で搬送することができ
る。さらに、複数枚のウェーハ5を同時に搬送するの
で、スループットが向上し、ウェーハ5間のピッチが可
変であるので、反応室70内において高精度でウェーハ
処理が行えるウェーハ5間のピッチに変換できる。As described above, if the pitch between the wafers 5 is variable under atmospheric pressure and the pitch between the wafers 5 is fixed under reduced pressure so that a plurality of wafers 5 can be transferred at the same time, The manufacturing cost can be reduced, the size of the transfer device can be prevented from increasing, and the generation of particles can be suppressed, so that the wafer 5 can be transferred in a clean environment. Further, since a plurality of wafers 5 are transferred at the same time, the throughput is improved and the pitch between the wafers 5 is variable, so that the wafers 5 can be converted into a pitch between the wafers 5 that allows highly accurate wafer processing in the reaction chamber 70.
【0116】なお、本実施の形態においては、ウェーハ
搬送室50のウェーハ搬送室壁53とウェーハ搬送室壁
54とを互いに対向させて、反応室70と、ウェーハ搬
送室50と、ウェーハ受け渡し室30とをほぼ一直線上
に配置し、ウェーハ搬送室50を平面図的には矩形状と
している。ウェーハ搬送室50が矩形状であると、ウェ
ーハ搬送室50を小さくしてその専有面積を減少させる
ことができて、半導体ウェーハ処理装置1によるクリー
ンルームの専有面積を減少させることができる。また、
矩形状であると、ウェーハ搬送室50の製作コストも減
少させることができる。メンテナンス領域も減少させる
ことができる。さらに、ウェーハ搬送室50を他のウェ
ーハ搬送室等と接続する距離もより短くできて、その接
続部にウェーハ搬送機を設けなくてもウェーハ搬送室5
0と他のウェーハ搬送室等との間でウェーハ5を容易に
移載できるようになり、半導体ウェーハ処理装置1が、
その分、簡単な構造となり、安価に製造できるようにな
る。また、反応室70と、ウェーハ搬送室50と、ウェ
ーハ受け渡し室30とをほぼ一直線上に配置しているか
ら、このような構成の半導体ウェーハ処理装置ユニット
を複数容易に平行に配置して、専有面積を小さくでき
る。In the present embodiment, the wafer transfer chamber wall 53 and the wafer transfer chamber wall 54 of the wafer transfer chamber 50 are made to face each other, and the reaction chamber 70, the wafer transfer chamber 50, and the wafer transfer chamber 30 are placed. And are arranged on a substantially straight line, and the wafer transfer chamber 50 has a rectangular shape in a plan view. When the wafer transfer chamber 50 has a rectangular shape, the wafer transfer chamber 50 can be reduced in size to reduce its occupied area, and the occupied area of the clean room of the semiconductor wafer processing apparatus 1 can be reduced. Also,
The rectangular shape can also reduce the manufacturing cost of the wafer transfer chamber 50. The maintenance area can also be reduced. Further, the distance for connecting the wafer transfer chamber 50 to other wafer transfer chambers can be made shorter, and the wafer transfer chamber 5 can be connected without providing a wafer transfer device at the connecting portion.
The wafer 5 can be easily transferred between 0 and another wafer transfer chamber, and the semiconductor wafer processing apparatus 1 is
Therefore, it has a simple structure and can be manufactured at low cost. Further, since the reaction chamber 70, the wafer transfer chamber 50, and the wafer transfer chamber 30 are arranged on a substantially straight line, a plurality of semiconductor wafer processing apparatus units having such a configuration can be easily arranged in parallel to each other and used exclusively. The area can be reduced.
【0117】図8は本発明の第2の実施の形態の半導体
ウェーハ処理装置を説明するための断面図である。FIG. 8 is a sectional view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
【0118】本実施の形態の半導体ウェーハ処理装置1
は、反応室70、ウェーハ搬送室50、ウェーハ受け渡
し室30を筺体900の下方に設け、ウェーハ搬送真空
ロボット60、このウェーハ搬送真空ロボット60を昇
降させるねじ軸561等を筺体900の上方に設けた点
が第一の実施の形態の半導体ウェーハ処理装置と異なる
が、他の点は同様である。Semiconductor wafer processing apparatus 1 of the present embodiment
The reaction chamber 70, the wafer transfer chamber 50, and the wafer transfer chamber 30 are provided below the housing 900, and the wafer transfer vacuum robot 60, the screw shaft 561 for moving the wafer transfer vacuum robot 60 up and down, and the like are provided above the housing 900. The semiconductor wafer processing apparatus is different from the semiconductor wafer processing apparatus of the first embodiment in points, but the other points are the same.
【0119】図9は、本発明の第3の実施の形態の半導
体ウェーハ処理装置を説明するための断面図である。FIG. 9 is a sectional view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.
【0120】本実施の形態では、6個の反応室70をウ
ェーハ搬送室50のウェーハ搬送室壁53に鉛直方向に
積層し、4個のウェーハ受け渡し室30をウェーハ搬送
室50のウェーハ搬送室壁54に鉛直方向に積層してい
る。このように、反応室70、ウェーハ受け渡し室30
の数が増加しているので、ウェーハ搬送室50の高さも
高くなっている。このように多数の反応室70やウェー
ハ受け渡し室30を筺体900内に設けるために、本実
施の形態においては、ウェーハ搬送室50の凸部52、
ねじ軸561、ベロー562、ウェーハ搬送真空ロボッ
ト支持棒563の一部を筺体900から突出させてい
る。これらを筺体900から突出させて設けることによ
り、これらをクリーンルームの床面から下側に突出させ
ることが可能になり、その結果、ウェーハ搬送室50の
高さを高くできて、より多くの反応室70を鉛直方向に
積層でき、また、より多くのウェーハ受け渡し室30も
鉛直方向に積層できて、より多くのウェーハを少ない専
有面積で処理できるようになる。In this embodiment, the six reaction chambers 70 are vertically stacked on the wafer transfer chamber wall 53 of the wafer transfer chamber 50, and the four wafer transfer chambers 30 are connected to the wafer transfer chamber wall of the wafer transfer chamber 50. 54 in the vertical direction. In this way, the reaction chamber 70 and the wafer transfer chamber 30
Therefore, the height of the wafer transfer chamber 50 is also increased. In order to provide a large number of reaction chambers 70 and wafer transfer chambers 30 in the housing 900 in this way, in the present embodiment, the projections 52 of the wafer transfer chamber 50,
A part of the screw shaft 561, the bellows 562, and the wafer transfer vacuum robot support rod 563 is projected from the housing 900. By projecting these from the housing 900, it is possible to project them downward from the floor surface of the clean room, and as a result, the height of the wafer transfer chamber 50 can be increased and more reaction chambers can be provided. 70 can be stacked vertically, and more wafer transfer chambers 30 can also be stacked vertically, so that more wafers can be processed in a small occupied area.
【0121】図10は、本発明の第4の実施の形態の半
導体ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。FIG. 10 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention.
【0122】本実施の形態においては、反応室70(7
0’)と、ウェーハ搬送室50(50’)と、ウェーハ
受け渡し室30(30’)と、カセット搬送兼ウェーハ
搬送機20(20’)と、カセット棚11(11’)と
をほぼ一直線上に配置した構成の半導体ウェーハ処理装
置ユニット2(2’)を平行に配置している。反応室7
0(70’)と、ウェーハ搬送室50(50’)と、ウ
ェーハ受け渡し室30(30’)と、カセット搬送兼ウ
ェーハ搬送機20(20’)と、カセット棚11(1
1’)とをほぼ一直線上に配置しているから、このよう
な構成の半導体ウェーハ処理装置ユニット2、2’を容
易に平行に配置して、装置全体の専有面積を小さくでき
る。In this embodiment, the reaction chamber 70 (7
0 '), the wafer transfer chamber 50 (50'), the wafer transfer chamber 30 (30 '), the cassette transfer / wafer transfer device 20 (20'), and the cassette shelf 11 (11 ') on a substantially straight line. The semiconductor wafer processing apparatus unit 2 (2 ′) having the configuration arranged in FIG. Reaction chamber 7
0 (70 '), the wafer transfer chamber 50 (50'), the wafer transfer chamber 30 (30 '), the cassette transfer / wafer transfer device 20 (20'), and the cassette shelf 11 (1
1 ′) and the semiconductor wafer processing apparatus units 2 and 2 ′ having such a configuration can be easily arranged in parallel, and the area occupied by the entire apparatus can be reduced.
【0123】また、ウェーハ搬送室50(50’)を平
面図的には矩形状としている。ウェーハ搬送室50(5
0’)が矩形状であると、ウェーハ搬送室50とウェー
ハ搬送室50’とを接続する距離も短くできて、その接
続部に設けたウェーハ受け渡し室90にはウェーハ搬送
機を設けなくてもウェーハ搬送室50と他のウェーハ搬
送室50’との間でウェーハを容易に移載できる。従っ
て、半導体ウェーハ処理装置1が、その分、簡単な構造
となり、安価に製造できるようになる。このウェーハ受
け渡し室90は、ウェーハを冷却する冷却室、またはウ
ェーハを予備加熱する予備加熱室としても使用可能であ
る。Further, the wafer transfer chamber 50 (50 ') is rectangular in plan view. Wafer transfer chamber 50 (5
If 0 ') is rectangular, the distance for connecting the wafer transfer chamber 50 and the wafer transfer chamber 50' can be shortened, and the wafer transfer chamber 90 provided at the connection portion does not need to be provided with a wafer transfer device. A wafer can be easily transferred between the wafer transfer chamber 50 and another wafer transfer chamber 50 '. Therefore, the semiconductor wafer processing apparatus 1 has a correspondingly simple structure and can be manufactured at low cost. The wafer delivery chamber 90 can also be used as a cooling chamber for cooling the wafer or a preheating chamber for preheating the wafer.
【0124】また、反応室70と反応室70’との間の
空間も大きくとれ、半導体ウェーハ処理装置ユニット
2、2’の共有のメンテナンス領域3として使用でき
る。Further, a large space can be secured between the reaction chamber 70 and the reaction chamber 70 ', which can be used as a common maintenance area 3 for the semiconductor wafer processing apparatus units 2 and 2'.
【0125】図11は、本発明の第5の実施の形態の半
導体ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。FIG. 11 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention.
【0126】本実施の形態においては、反応室70と、
ウェーハ搬送室50と、ウェーハ受け渡し室30と、カ
セット搬送兼ウェーハ搬送機20と、カセット棚11と
をほぼ一直線上に配置した構成の本発明に係る半導体ウ
ェーハ処理装置ユニット6と、上から見て六角形の形状
のウェーハ搬送室150と、ウェーハ搬送室150の側
壁に設けられたカセット室131、132と、反応室1
71、172と、ウェーハ冷却室142とを備えた半導
体ウェーハ処理装置ユニット7とを連結している。In the present embodiment, the reaction chamber 70,
A wafer transfer chamber 50, a wafer transfer chamber 30, a cassette transfer / wafer transfer machine 20, and a semiconductor wafer processing apparatus unit 6 according to the present invention having a configuration in which a cassette shelf 11 is arranged on a substantially straight line. Hexagonal wafer transfer chamber 150, cassette chambers 131 and 132 provided on the side wall of wafer transfer chamber 150, and reaction chamber 1
71 and 172 and the semiconductor wafer processing apparatus unit 7 including the wafer cooling chamber 142 are connected.
【0127】このように、ウェーハ搬送室50は矩形状
をしているので、そのウェーハ搬送室壁51を介して他
の形態の半導体ウェーハ処理装置ユニットと容易に連結
できる。As described above, since the wafer transfer chamber 50 has a rectangular shape, it can be easily connected to the semiconductor wafer processing apparatus unit of another form through the wafer transfer chamber wall 51.
【0128】本実施の形態においても、ウェーハ搬送室
50とウェーハ搬送室150とを接続する距離も短くで
きて、その接続部に設けたウェーハ受け渡し室90には
ウェーハ搬送機を設けなくてもウェーハ搬送室50とウ
ェーハ搬送室150との間でウェーハを容易に移載でき
る。従って、半導体ウェーハ処理装置全体が、その分、
簡単な構造となり、安価に製造できるようになる。この
ウェーハ受け渡し室90は、ウェーハを冷却する冷却
室、またはウェーハを予備加熱する予備加熱室としても
使用可能である。Also in this embodiment, the distance for connecting the wafer transfer chamber 50 and the wafer transfer chamber 150 can be shortened, and the wafer transfer chamber 90 provided at the connecting portion can be provided with no wafer transfer device. A wafer can be easily transferred between the transfer chamber 50 and the wafer transfer chamber 150. Therefore, the entire semiconductor wafer processing equipment
It has a simple structure and can be manufactured at low cost. The wafer delivery chamber 90 can also be used as a cooling chamber for cooling the wafer or a preheating chamber for preheating the wafer.
【0129】図12は、本発明の第6の実施の形態の半
導体ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。FIG. 12 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the sixth embodiment of the present invention.
【0130】本実施の形態では、ウェーハ搬送室55を
平面的に8角形とし、その7つの各辺に反応室70をそ
れぞれ多段に積層して設けている。In the present embodiment, the wafer transfer chamber 55 is formed into an octagonal shape in plan view, and the reaction chambers 70 are laminated in multi-tiers on each of the seven sides.
【0131】図13は、本発明の第7の実施の形態の半
導体ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。FIG. 13 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the seventh embodiment of the present invention.
【0132】本実施の形態では、図12の反応室70a
を取り外したものと、図12の反応室70bを取り外し
たものとをウェーハ受け渡し室90により連結してい
る。このウェーハ受け渡し室90は、ウェーハを冷却す
る冷却室、またはウェーハを予備加熱する予備加熱室と
しても使用可能である。In this embodiment, the reaction chamber 70a shown in FIG. 12 is used.
The wafer transfer chamber 90 connects the one obtained by removing the wafer and the one obtained by removing the reaction chamber 70b in FIG. The wafer delivery chamber 90 can also be used as a cooling chamber for cooling the wafer or a preheating chamber for preheating the wafer.
【0133】[0133]
【発明の効果】本発明においては、基板受け渡し室を、
基板搬送室の側壁に設けているから、この基板受け渡し
室内に設けられる第1の基板保持手段を耐熱性の基板保
持具等とすることにより、この基板受け渡し室を、基板
処理室で処理が終わった高温の基板を冷却する基板冷却
室として使用できる。According to the present invention, the substrate transfer chamber is
Since the first substrate holding means provided in the substrate transfer chamber is a heat-resistant substrate holder or the like because it is provided on the side wall of the substrate transfer chamber, the substrate transfer chamber completes the processing. It can be used as a substrate cooling chamber for cooling a high temperature substrate.
【0134】さらに、この基板受け渡し室はカセットか
ら基板処理室への基板を一時収容するか、基板処理室か
らカセットへの基板を一時収容するか、またはカセット
から基板処理室への基板を一時収容すると共に基板処理
室からカセットへの基板を一時収容する室として使用で
きるので、カセット室を基板搬送室の側壁に設ける必要
はなくなる。その結果、基板搬送室の側壁に設ける室数
が減少して、その分基板処理装置によるクリーンルーム
の専有面積を減少させることができ、また、基板搬送室
の辺数も減少させて基板搬送室を小さくしてその専有面
積を減少させることができて、基板処理装置によるクリ
ーンルームの専有面積を減少させることができる。Further, the substrate transfer chamber temporarily accommodates substrates from the cassette to the substrate processing chamber, temporarily accommodates substrates from the substrate processing chamber to the cassette, or temporarily accommodates substrates from the cassette to the substrate processing chamber. In addition, since it can be used as a chamber for temporarily storing the substrate from the substrate processing chamber to the cassette, it is not necessary to provide the cassette chamber on the side wall of the substrate transfer chamber. As a result, the number of chambers provided on the side wall of the substrate transfer chamber can be reduced, and the occupied area of the clean room by the substrate processing apparatus can be reduced accordingly, and the number of sides of the substrate transfer chamber can be reduced to reduce the substrate transfer chamber. The area occupied by the substrate processing apparatus can be reduced, and the area occupied by the substrate processing apparatus in the clean room can be reduced.
【0135】また、このように、基板搬送室の辺数を減
少させると、基板搬送室の製作コストも減少させること
ができる。また、辺数が多いと、その分、多方向のメン
テナンス領域が必要となるが、本発明によれば、基板搬
送室の辺数を減少させることができるので、その分、多
方向のメンテナンス領域も減少させることができる。さ
らに、基板搬送室の辺数を減少させることができれば、
基板搬送室を他の基板搬送室等と接続する距離も短くで
き、その結果、その接続部に基板搬送機を設けなくても
基板搬送室と他の基板搬送室等との間で基板を移載でき
るようになり、基板処理装置が、その分、簡単な構造と
なり、安価に製造できるようになる。Also, by reducing the number of sides of the substrate transfer chamber in this way, the manufacturing cost of the substrate transfer chamber can be reduced. Further, if the number of sides is large, a multi-direction maintenance area is required accordingly. However, according to the present invention, since the number of sides of the substrate transfer chamber can be reduced, the multi-direction maintenance area is correspondingly reduced. Can also be reduced. Furthermore, if the number of sides of the substrate transfer chamber can be reduced,
The distance to connect the substrate transfer chamber to other substrate transfer chambers can also be shortened, and as a result, the substrate can be transferred between the substrate transfer chamber and other substrate transfer chambers without providing a substrate transfer machine at the connection. As a result, the substrate processing apparatus has a simple structure and can be manufactured at low cost.
【0136】また、基板搬送室を減圧可能とし、基板受
け渡し室も減圧可能としているから、酸素濃度を極限ま
で減少できて、基板搬送室や基板受け渡し室で基板が酸
化されるのを抑制できる。Further, since the substrate transfer chamber can be depressurized and the substrate transfer chamber can also be depressurized, the oxygen concentration can be reduced to the utmost limit, and the oxidation of the substrate in the substrate transfer chamber and the substrate transfer chamber can be suppressed.
【0137】そして、基板搬送室と基板受け渡し室との
間に、閉じた場合には基板搬送室と基板受け渡し室との
間を真空的に気密にすることができ、開いた場合には基
板がその内部を通って移動可能な第2のバルブを設けて
いるから、基板搬送室と基板受け渡し室とを独立に真空
的に気密に保つことができ、しかも、基板搬送室と基板
受け渡し室との間を基板が移動できる。Then, between the substrate transfer chamber and the substrate transfer chamber, it is possible to make the substrate transfer chamber and the substrate transfer chamber vacuum-tight when closed, and when opened, the substrate is transferred. Since the second valve movable through the inside is provided, the substrate transfer chamber and the substrate transfer chamber can be independently kept airtight in a vacuum, and the substrate transfer chamber and the substrate transfer chamber are separated from each other. The substrate can move between them.
【0138】さらに、基板受け渡し室と大気圧部との間
に、閉じた場合には基板受け渡し室と大気圧部との間を
真空的に気密にすることができ、開いた場合には基板が
その内部を通って移動可能な第3のバルブを設けている
から、基板受け渡し室を独立に真空的に気密に保つこと
ができると共に、基板受け渡し室と大気圧部との間を基
板が移動できる。Further, the space between the substrate transfer chamber and the atmospheric pressure portion can be vacuum-tightened between the substrate transfer chamber and the atmospheric pressure portion when closed, and the substrate can be opened when opened. Since the third valve movable through the inside is provided, the substrate transfer chamber can be independently kept airtight in vacuum, and the substrate can be moved between the substrate transfer chamber and the atmospheric pressure portion. .
【0139】このような第2のバルブおよび第3のバル
ブを基板受け渡し室に設け、しかも、基板受け渡し室は
基板搬送室と独立して減圧可能としているから、この基
板受け渡し室は、大気圧部と減圧下の基板搬送室との間
で基板を搬入/搬出する際の真空予備室であるロードロ
ック室として機能することができ、その結果、基板冷却
室およびカセット室を基板搬送室の側壁に設ける必要が
なくなる。また、カセットを大気圧部に配置することが
できる。Since such a second valve and a third valve are provided in the substrate transfer chamber, and the substrate transfer chamber can be depressurized independently of the substrate transfer chamber, the substrate transfer chamber has an atmospheric pressure portion. It can function as a load lock chamber that is a vacuum reserve chamber when loading / unloading a substrate between the substrate transport chamber under reduced pressure and the substrate transport chamber under reduced pressure. There is no need to provide it. Also, the cassette can be placed in the atmospheric pressure section.
【0140】そして、基板搬送室と基板受け渡し室との
間に第2のバルブを設けているから基板搬送室を減圧状
態に保ったままで基板受け渡し室を大気圧に戻すことが
でき、基板受け渡し室内を大気圧に戻している間に基板
が自然冷却し、基板受け渡し室を出る段階で基板の温度
が下がっているようにすることができる。従って、その
後大気圧中に取り出しても、大気圧雰囲気により基板が
汚染されることが防止される。このようにして基板受け
渡し室で大気圧に戻す工程と基板を冷却する工程を同時
に行い、冷却された基板を大気圧下でカセットまで搬送
し、基板を収容したカセットを基板処理装置外に搬送す
ることができる。Since the second valve is provided between the substrate transfer chamber and the substrate transfer chamber, the substrate transfer chamber can be returned to the atmospheric pressure while the substrate transfer chamber is kept in a depressurized state. It is possible to allow the substrate to naturally cool while the pressure is returned to the atmospheric pressure, and to lower the temperature of the substrate when it exits the substrate transfer chamber. Therefore, even if the substrate is subsequently taken out into the atmospheric pressure, the substrate is prevented from being contaminated by the atmospheric pressure atmosphere. In this way, the step of returning the substrate to the atmospheric pressure in the substrate delivery chamber and the step of cooling the substrate are simultaneously performed, the cooled substrate is transported to the cassette under the atmospheric pressure, and the cassette containing the substrate is transported to the outside of the substrate processing apparatus. be able to.
【0141】また、基板受け渡し室とカセットとの間の
基板の受け渡しは基板搬送室内の第1の基板搬送手段と
は別の第2の基板搬送手段で行うことができるので、基
板搬送時間を短くすることができる。そして、本発明に
おいては、カセット保持手段と、カセット保持手段に保
持されるカセットと基板受け渡し室との間で基板を搬送
可能な第2の基板搬送手段とを大気圧部に配置している
から、カセット保持手段の構造や第2の基板搬送手段の
構造をこれらが真空中にある場合に比べて簡単なものと
することができる。Further, since the substrate transfer between the substrate transfer chamber and the cassette can be performed by the second substrate transfer means other than the first substrate transfer means in the substrate transfer chamber, the substrate transfer time is shortened. can do. Further, in the present invention, the cassette holding means and the second substrate carrying means capable of carrying the substrate between the cassette held by the cassette holding means and the substrate transfer chamber are arranged in the atmospheric pressure section. The structure of the cassette holding means and the structure of the second substrate transfer means can be simplified as compared with the case where they are in vacuum.
【0142】さらに、基板処理室と基板搬送室との間
に、閉じた場合には基板処理室と基板搬送室との間を真
空的に気密にすることができ、開いた場合には基板がそ
の内部を通って移動可能な第1のバルブを設けているか
ら、基板処理室と基板搬送室とを独立に真空的に気密に
保つことができ、しかも、基板処理室と基板搬送室との
間を基板が移動できる。Furthermore, between the substrate processing chamber and the substrate transfer chamber, when closed, the substrate processing chamber and the substrate transfer chamber can be vacuum-tight, and when opened, the substrate can be opened. Since the first valve movable through the inside is provided, the substrate processing chamber and the substrate transfer chamber can be independently kept airtight in a vacuum, and the substrate processing chamber and the substrate transfer chamber can be separated from each other. The substrate can move between them.
【0143】基板受け渡し室内に耐熱性の基板保持手段
を設けることにより、基板受け渡し室を、基板処理室で
処理が終わった高温の基板を冷却する基板冷却室として
使用できる。By providing a heat-resistant substrate holding means in the substrate transfer chamber, the substrate transfer chamber can be used as a substrate cooling chamber for cooling a high temperature substrate which has been processed in the substrate processing chamber.
【0144】基板受け渡し室内に、石英、ガラス、セラ
ミックスまたは金属からなり耐熱性の基板保持具を設け
ることにより、基板受け渡し室を、基板処理室で処理が
終わった高温の基板を冷却する基板冷却室として使用で
き、また、基板受け渡し室を真空にしても、基板保持具
からアウトガス等の不純物が発生することはないので、
基板受け渡し室の雰囲気を清浄に保つことができる。The substrate transfer chamber is provided with a heat-resistant substrate holder made of quartz, glass, ceramics, or metal to cool the substrate transfer chamber to a high-temperature substrate that has been processed in the substrate processing chamber. Also, even if the substrate transfer chamber is evacuated, impurities such as outgas will not be generated from the substrate holder,
The atmosphere in the substrate transfer chamber can be kept clean.
【0145】また、基板処理室、基板搬送室および基板
受け渡し室をそれぞれ独立して減圧可能であるようにす
れば、基板搬送室や基板受け渡し室で基板が酸化される
のを防止でき、また、基板受け渡し室をロードロック室
として使用できるだけでなく、基板処理室を減圧下で処
理を行う基板処理室とすることもでき、また、基板処理
室内を一度減圧にした後に所定の雰囲気ガスに置換する
こともでき、純度の高いガス雰囲気にすることもでき
る。If the substrate processing chamber, the substrate transfer chamber and the substrate transfer chamber can be independently depressurized, it is possible to prevent the substrate from being oxidized in the substrate transfer chamber and the substrate transfer chamber. Not only can the substrate transfer chamber be used as a load lock chamber, but the substrate processing chamber can also be used as a substrate processing chamber that performs processing under reduced pressure, and the substrate processing chamber is depressurized once and then replaced with a predetermined atmospheric gas. It is also possible to provide a high-purity gas atmosphere.
【0146】基板搬送室の第1の側壁に基板をそれぞれ
処理する複数の基板処理室を鉛直方向に積み重ねて設け
ることにより、基板処理室によるクリーンルームの専有
面積を減少させることができ、また、基板搬送室の辺数
も減少させて基板搬送室を小さくしてその専有面積を減
少させることができて、基板処理装置によるクリーンル
ームの専有面積を減少させることができる。基板搬送室
の辺数を減少させると、基板搬送室の製作コストも減少
させることができ、多方向のメンテナンス領域も減少さ
せることができる。さらに、基板搬送室を他の基板搬送
室等と接続する距離も短くできて、その接続部に基板搬
送機を設けなくても基板搬送室と他の基板搬送室等との
間で基板を移載できるようになり、基板処理装置が、そ
の分、簡単な構造となり、安価に製造できるようにな
る。By arranging a plurality of substrate processing chambers for processing substrates on the first side wall of the substrate transfer chamber in a vertically stacked manner, the area occupied by the substrate processing chamber in the clean room can be reduced, and the substrate can be reduced. It is possible to reduce the number of sides of the transfer chamber and reduce the size of the substrate transfer chamber to reduce the occupied area thereof, thereby reducing the occupied area of the clean room by the substrate processing apparatus. When the number of sides of the substrate transfer chamber is reduced, the manufacturing cost of the substrate transfer chamber can be reduced, and the maintenance area in multiple directions can be reduced. Furthermore, the distance for connecting the substrate transfer chamber to other substrate transfer chambers can be shortened, and the substrate can be transferred between the substrate transfer chamber and other substrate transfer chambers without providing a substrate transfer machine at the connection part. As a result, the substrate processing apparatus has a simple structure and can be manufactured at low cost.
【0147】また、基板処理室内に設けられる第2の基
板保持手段を複数枚の基板を保持可能な構造とすること
により、基板処理室内での基板処理の効率を高めること
ができる。Further, the second substrate holding means provided in the substrate processing chamber has a structure capable of holding a plurality of substrates, so that the efficiency of substrate processing in the substrate processing chamber can be improved.
【0148】そして、この場合に、基板受け渡し室内の
第1の基板保持手段も複数枚の基板を保持可能な構造と
し、第1の基板保持手段に保持される基板間のピッチを
第2の基板保持手段で保持される基板間のピッチと実質
的に同じとすることによって、減圧可能な基板搬送室内
の第1の基板搬送手段の構造を簡単にすることができ
る。In this case, the first substrate holding means in the substrate transfer chamber also has a structure capable of holding a plurality of substrates, and the pitch between the substrates held by the first substrate holding means is set to the second substrate. By setting the pitch to be substantially the same between the substrates held by the holding means, it is possible to simplify the structure of the first substrate carrying means in the substrate carrying chamber where the pressure can be reduced.
【0149】第1の基板保持手段に保持される基板間の
ピッチと第2の基板保持手段で保持される基板間のピッ
チとを実質的に同じとすれば、第1の基板搬送手段の構
造を、減圧下で複数枚の基板を同時に搬送可能であるよ
うな構造としても、搬送中に基板間のピッチを変える必
要はなく、その結果、第1の基板搬送手段の構造が簡単
なものとなり、また、真空の汚染も防止できる。そして
複数の基板を同時に搬送できるので、基板搬送の効率も
高くなる。If the pitch between the substrates held by the first substrate holding means and the pitch between the substrates held by the second substrate holding means are substantially the same, the structure of the first substrate carrying means Even if the structure is such that a plurality of substrates can be simultaneously transferred under reduced pressure, it is not necessary to change the pitch between the substrates during the transfer, and as a result, the structure of the first substrate transfer means becomes simple. Also, vacuum contamination can be prevented. Further, since a plurality of substrates can be transported at the same time, the efficiency of substrate transportation can be improved.
【0150】第2の基板搬送手段の構造を、複数枚の基
板を同時に搬送可能であって、複数枚の基板間のピッチ
を可変であるようにすることによって、この第2の基板
搬送手段は大気圧下で用いるので、真空下での場合と比
較すれば簡単な構造で基板間のピッチを可変にでき、し
かも安価に製造でき、また、パーティクルの発生を抑え
ることができる。By making the structure of the second substrate transfer means such that a plurality of substrates can be transferred at the same time and the pitch between the plurality of substrates is variable, the second substrate transfer means is Since it is used under atmospheric pressure, the pitch between the substrates can be changed with a simple structure, and the manufacturing can be performed at low cost, and the generation of particles can be suppressed as compared with the case under vacuum.
【0151】このように、大気圧下で基板間のピッチを
可変とし減圧下では基板間のピッチを固定して、複数枚
の基板を同時に搬送するようにすれば、搬送装置の製造
コストを低減でき、搬送装置の大型化が抑制され、しか
もパーティクルの発生が抑制されて基板をクリーンな環
境で搬送することができる。さらに、複数枚の基板を同
時に搬送するので、スループットが向上し、基板間のピ
ッチが可変であるので、基板処理室内において高精度で
基板処理が行える基板間のピッチに変換できる。As described above, if the pitch between the substrates is variable under the atmospheric pressure and the pitch between the substrates is fixed under the reduced pressure so that a plurality of substrates are simultaneously transported, the manufacturing cost of the transport device can be reduced. Therefore, it is possible to suppress the size increase of the transfer device, suppress the generation of particles, and transfer the substrate in a clean environment. Further, since a plurality of substrates are transferred at the same time, the throughput is improved and the pitch between the substrates is variable, so that it is possible to convert the pitch between the substrates so that the substrate processing can be performed with high accuracy in the substrate processing chamber.
【0152】基板搬送室の側壁に複数の基板受け渡し室
を設けることにより、ある基板受け渡し室で基板を冷却
している間に他の基板受け渡し室を利用して基板を基板
処理室に搬入できる等、時間を節約できる。By providing a plurality of substrate transfer chambers on the side wall of the substrate transfer chamber, while the substrate is being cooled in one substrate transfer chamber, the other substrate transfer chamber can be used to carry the substrate into the substrate processing chamber. , Can save time.
【0153】そしてこれら複数の基板受け渡し室を、基
板搬送室の第2の側壁に鉛直方向に積み重ねて設けるこ
とにより、基板受け渡し室によるクリーンルームの専有
面積を減少させることができ、また、基板搬送室の辺数
も減少させて基板搬送室を小さくしてその専有面積を減
少させることができて、基板処理装置によるクリーンル
ームの専有面積を減少させることができる。基板搬送室
の辺数を減少させると、基板搬送室の製作コストも減少
させることができ、多方向のメンテナンス領域も減少さ
せることができる。さらに、基板処理装置を複数台配置
する場合には、基板搬送室を他の基板搬送室等と接続す
る距離も短くできて、その接続部に基板搬送機を設けな
くても基板搬送室と他の基板搬送室等との間で基板を移
載できるようになり、基板処理装置が、その分、簡単な
構造となり、安価に製造できるようになり、また、基板
処理装置同士のメンテナンススペースが干渉せず、効率
的に複数の基板処理装置を配置できる。By arranging the plurality of substrate transfer chambers vertically on the second side wall of the substrate transfer chamber, the area occupied by the substrate transfer chamber in the clean room can be reduced, and the substrate transfer chamber can be reduced. It is also possible to reduce the number of sides of the substrate transfer chamber to make the substrate transfer chamber smaller and reduce its occupied area, and thus to reduce the occupied area of the clean room by the substrate processing apparatus. When the number of sides of the substrate transfer chamber is reduced, the manufacturing cost of the substrate transfer chamber can be reduced, and the maintenance area in multiple directions can be reduced. Further, when a plurality of substrate processing apparatuses are arranged, the distance for connecting the substrate transfer chamber to other substrate transfer chambers can be shortened, and the substrate transfer chamber and other substrate transfer chambers can be connected to each other without providing a substrate transfer device at the connecting portion. Substrates can be transferred to and from other substrate transfer chambers, etc., and the substrate processing apparatus has a correspondingly simple structure and can be manufactured at low cost, and the maintenance space between the substrate processing apparatuses interferes with each other. Without doing so, a plurality of substrate processing apparatuses can be arranged efficiently.
【0154】搬入用、搬出用の2種類の基板受け渡し室
を別々に設けることにより、搬入用、搬出用の2種類の
基板受け渡し室を交互に使用でき、時間の節約となる。By separately providing two types of substrate transfer chambers for loading and unloading, two types of substrate transfer chambers for loading and unloading can be used alternately, saving time.
【0155】第1の基板保持手段が、基板処理室のそれ
ぞれにおいて一度に処理される基板の枚数の少なくとも
2倍以上の枚数の基板を保持可能であるようにし、ま
た、第1の基板保持手段が、第2の基板保持手段よりも
少なくとも2倍以上の枚数の基板を保持可能であるよう
にすれば、基板処理室とカセットとの間で効率的に基板
を搬送することができ、スループットが向上する。The first substrate holding means is capable of holding at least twice the number of substrates processed at one time in each of the substrate processing chambers, and the first substrate holding means. However, if it is possible to hold at least twice as many substrates as the second substrate holding means, the substrates can be efficiently transported between the substrate processing chamber and the cassette, and the throughput is increased. improves.
【0156】また、基板搬送室の第1の側壁と第2の側
壁とが互いに対向しており、基板処理室と、基板搬送室
と、基板受け渡し室とが実質的に一直線上に配置されて
いるようにすれば、基板搬送室の辺数を最小限の、例え
ば矩形状とできる。The first side wall and the second side wall of the substrate transfer chamber are opposed to each other, and the substrate processing chamber, the substrate transfer chamber, and the substrate transfer chamber are arranged substantially in a straight line. By doing so, the number of sides of the substrate transfer chamber can be minimized, for example, a rectangular shape.
【0157】基板搬送室を平面図的に矩形状とすれば、
基板搬送室を小さくしてその専有面積を減少させること
ができて、基板処理装置によるクリーンルームの専有面
積を減少させることができる。また、矩形状であると、
基板搬送室の製作コストも減少させることができる。メ
ンテナンス領域も減少させることができる。さらに、基
板搬送室を他の基板搬送室等と接続する距離もより短く
できて、その接続部に基板搬送機を設けなくても基板搬
送室と他の基板搬送室等との間で基板を容易に移載でき
るようになり、基板処理装置が、その分、簡単な構造と
なり、安価に製造できるようになる。また、基板処理室
と、基板搬送室と、基板受け渡し室とをほぼ一直線上に
配置すれば、このような構成の基板処理装置ユニットを
複数容易に平行に配置して、専有面積を小さくできる。If the substrate transfer chamber is rectangular in plan view,
The substrate transfer chamber can be reduced in size to reduce its occupied area, and the occupied area of the clean room of the substrate processing apparatus can be reduced. Also, if it is rectangular,
The manufacturing cost of the substrate transfer chamber can also be reduced. The maintenance area can also be reduced. Further, the distance for connecting the substrate transfer chamber to other substrate transfer chambers can be shortened, and the substrate can be transferred between the substrate transfer chamber and other substrate transfer chambers without providing a substrate transfer device at the connection portion. The substrate can be easily transferred, and the substrate processing apparatus has a simple structure and can be manufactured inexpensively. Further, by arranging the substrate processing chamber, the substrate transfer chamber, and the substrate transfer chamber on a substantially straight line, it is possible to easily arrange a plurality of substrate processing apparatus units having such a configuration in parallel and reduce the occupied area.
【0158】基板処理室と、基板搬送室と、基板受け渡
し室と、第2の基板搬送手段と、カセット保持手段とを
収容する筺体をさらに備えることによって、カセットに
搭載されている基板の表面や第2の基板搬送手段によっ
て搬送されている基板の表面を清浄に保つことができ
る。By further including a housing for accommodating the substrate processing chamber, the substrate transfer chamber, the substrate transfer chamber, the second substrate transfer means, and the cassette holding means, the surface of the substrate mounted on the cassette or the The surface of the substrate being transported by the second substrate transport means can be kept clean.
【0159】筺体にカセットを搬入後に筺体内でカセッ
トを保持するか、筺体からカセットを搬出する前にカセ
ットを保持するか、または筺体にカセットを搬入後に筺
体内でカセットを保持すると共に筺体からカセットを搬
出する前にカセットを保持するカセットステージを、カ
セット保持手段の下の筺体内に設けることにより、カセ
ットステージにカセットを搬送する際に筺体外部から流
れ込んでくるパーティクルや、カセットステージにカセ
ットを搬入するために筺体に設けるカセット投入口等を
介して筺体外部から流れ込んでくるパーティクルが、カ
セット保持手段に保持されたカセット内の基板に及ぼす
影響を小さくできる。Holding the cassette in the housing after loading the cassette into the housing, holding the cassette before unloading the cassette from the housing, or holding the cassette in the housing after loading the cassette into the housing and removing the cassette from the housing By providing a cassette stage that holds the cassette before unloading the cassette inside the housing under the cassette holding means, particles that flow from the outside of the housing when the cassette is transported to the cassette stage and the cassette is loaded into the cassette stage. Therefore, it is possible to reduce the influence of particles flowing from the outside of the housing through a cassette insertion port or the like provided in the housing on the substrates in the cassette held by the cassette holding means.
【0160】基板搬送室を平面図的に矩形状とし、複数
の基板処理装置ユニット間を基板搬送室間に第2の基板
受け渡し室を介して接続することにより、基板搬送室間
の距離を短くできる。By making the substrate transfer chamber rectangular in plan view and connecting a plurality of substrate processing apparatus units between the substrate transfer chambers via the second substrate transfer chamber, the distance between the substrate transfer chambers can be shortened. it can.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】本発明の第1の実施の形態の半導体ウェーハ処
理装置を説明するための平面図である。FIG. 1 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1のXX線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line XX of FIG.
【図3】本発明の第1乃至第7の実施の形態において使
用するウェーハ保持具を説明するための概略斜視図であ
る。FIG. 3 is a schematic perspective view for explaining a wafer holder used in the first to seventh embodiments of the present invention.
【図4】本発明の第1乃至第7の実施の形態において使
用するウェーハ搬送真空ロボットを説明するための概略
斜視図である。FIG. 4 is a schematic perspective view for explaining a wafer transfer vacuum robot used in the first to seventh embodiments of the present invention.
【図5】本発明の第1乃至第7の実施の形態において使
用するカセット搬送兼ウェーハ搬送機を説明するための
概略斜視図である。FIG. 5 is a schematic perspective view for explaining a cassette carrying / wafer carrying machine used in the first to seventh embodiments of the present invention.
【図6】本発明の第1乃至第7の実施の形態において使
用するカセット搬送兼ウェーハ搬送機のピッチ変換機構
を説明するための図であり、図6Aは側面図、図6B
は、図6AのY−Y線より見た背面図である。6A and 6B are views for explaining the pitch conversion mechanism of the cassette transfer / wafer transfer machine used in the first to seventh embodiments of the present invention, FIG. 6A being a side view, and FIG. 6B.
FIG. 6B is a rear view seen from the line YY of FIG. 6A.
【図7】本発明の第1の実施の形態の半導体ウェーハ処
理装置におけるウェーハの搬送操作を説明するための概
略断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view for explaining a wafer transfer operation in the semiconductor wafer processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【図8】本発明の第2の実施の形態の半導体ウェーハ処
理装置を説明するための断面図である。FIG. 8 is a sectional view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図9】本発明の第3の実施の形態の半導体ウェーハ処
理装置を説明するための断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor wafer processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図10】本発明の第4の実施の形態の半導体ウェーハ
処理装置を説明するための平面図である。FIG. 10 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
【図11】本発明の第5の実施の形態の半導体ウェーハ
処理装置を説明するための平面図である。FIG. 11 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
【図12】本発明の第6の実施の形態の半導体ウェーハ
処理装置を説明するための平面図である。FIG. 12 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.
【図13】本発明の第7の実施の形態の半導体ウェーハ
処理装置を説明するための平面図である。FIG. 13 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a seventh embodiment of the present invention.
【図14】従来の半導体ウェーハ処理装置を説明するた
めの斜視図である。FIG. 14 is a perspective view for explaining a conventional semiconductor wafer processing apparatus.
【図15】従来の半導体ウェーハ処理装置を説明するた
めの断面図である。FIG. 15 is a sectional view for explaining a conventional semiconductor wafer processing apparatus.
1…半導体ウェーハ処理装置
2、2’、6、7…半導体ウェーハ処理装置ユニット
3…メンテナンス領域
5…ウェーハ
10、10’…カセット
11…カセット棚
12…カセットステージ
13…カセット投入口
20、20’…カセット搬送兼ウェーハ搬送機
21…カセット搬送機
22…カセット搬送アーム
23…ウェーハ搬送機
24、241〜245…ツイーザ
27…カセットホルダー
29、210、211、280、561…ねじ軸
30、30’…ウェーハ受け渡し室
40、40’…ウェーハ保持具
41、42…支柱支持板
43、44…支柱
45…ウェーハ載置用溝
50、50’、55、55’…ウェーハ搬送室
52…凸部
51、51’、53、54…ウェーハ搬送室壁
60、60’…ウェーハ搬送真空ロボット
61…駆動部収容部
62、64、66…回転軸
68…ウェーハ搭載用アーム
69…駆動部
70、70’、70a、70b…反応室
75、75’…ウェーハボート
81、82、83、84…排気配管
90…ウェーハ受け渡し室
91、191…フロントドアバルブ
92、93、94、94’、192、193…ゲートバ
ルブ
100…フロント部
200…大気圧部
220、566…モータ
232〜235、270、565…ナット
250、260…ブロック
300…ロードロックモジュール
500…トランスファ部
501…トランスファモジュール
560…ボールネジ
562…ベロー
563…ウェーハ搬送真空ロボット支持棒
564…昇降台
700…プロセス部
701…プロセスモジュール
900…筺体
901…装置正面
902…装置背面
910…筺体底面1 ... Semiconductor wafer processing apparatus 2, 2 ', 6, 7 ... Semiconductor wafer processing apparatus unit 3 ... Maintenance area 5 ... Wafer 10, 10' ... Cassette 11 ... Cassette shelf 12 ... Cassette stage 13 ... Cassette loading port 20, 20 ' ... Cassette carrier / wafer carrier 21 ... Cassette carrier 22 ... Cassette carrier arm 23 ... Wafer carrier 24, 241-245 ... Tweezer 27 ... Cassette holder 29, 210, 211, 280, 561 ... Screw shaft 30, 30 '... Wafer transfer chamber 40, 40 '... Wafer holder 41, 42 ... Strut support plate 43, 44 ... Strut 45 ... Wafer mounting groove 50, 50', 55, 55 '... Wafer transfer chamber 52 ... Convex portion 51, 51 ', 53, 54 ... Wafer transfer chamber walls 60, 60' ... Wafer transfer vacuum robot 61 ... Drive unit accommodating parts 62, 64, 66 ... Shaft 68 ... Wafer mounting arm 69 ... Drive unit 70, 70 ', 70a, 70b ... Reaction chamber 75, 75' ... Wafer boat 81, 82, 83, 84 ... Exhaust pipe 90 ... Wafer delivery chamber 91, 191 ... Front door Valves 92, 93, 94, 94 ', 192, 193 ... Gate valve 100 ... Front part 200 ... Atmospheric pressure part 220, 566 ... Motors 232-235, 270, 565 ... Nut 250, 260 ... Block 300 ... Load lock module 500 ... Transfer unit 501 ... Transfer module 560 ... Ball screw 562 ... Bellows 563 ... Wafer transfer vacuum robot support rod 564 ... Elevating table 700 ... Process unit 701 ... Process module 900 ... Housing 901 ... Device front 902 ... Device back 910 ... Housing bottom
フロントページの続き (72)発明者 吉田 久志 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 (72)発明者 綿引 真一郎 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 (72)発明者 吉田 祐治 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 (72)発明者 志村 日出男 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 (72)発明者 杉本 毅 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 (72)発明者 油谷 幸則 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 (72)発明者 池田 和人 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 Fターム(参考) 5F031 CA02 CA11 DA01 DA17 FA01 FA03 FA07 FA09 FA11 FA12 FA15 FA25 GA03 GA40 GA43 GA47 GA49 LA12 LA14 MA02 MA03 MA04 MA13 NA02 NA04 NA05 NA07 NA18 PA06 PA26Continued front page (72) Inventor Hisashi Yoshida 3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Stocks Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Shinichiro Watabiki 3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Stocks Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Yuji Yoshida 3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Stocks Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Hideo Shimura 3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Stocks Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Takeshi Sugimoto 3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Stocks Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Yukinori Yukitani 3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Stocks Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Kazuto Ikeda 3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Stocks Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd. F-term (reference) 5F031 CA02 CA11 DA01 DA17 FA01 FA03 FA07 FA09 FA11 FA12 FA15 FA25 GA03 GA40 GA43 GA47 GA49 LA12 LA14 MA02 MA03 MA04 MA13 NA02 NA04 NA05 NA07 NA18 PA06 PA26
Claims (2)
から前記基板保持手段に前記基板を搬送するか、前記基
板保持手段から前記カセット保持手段によって保持され
た前記カセットに前記基板を搬送するか、前記カセット
保持手段によって保持された前記カセットから前記基板
保持手段におよび前記基板保持手段から前記カセット保
持手段によって保持された前記カセットに前記基板を搬
送する基板搬送手段と、 前記カセット保持手段にカセットを搬送し、前記カセッ
ト保持手段から前記カセットを搬出するカセット搬送手
段とを備え、 前記基板搬送手段と前記カセット搬送手段とが、同じ昇
降手段に搭載されていることを特徴とする基板搬送機
構。1. A cassette holding means for holding a cassette, a substrate holding means for holding a substrate, and a method for transporting the substrate from the cassette held by the cassette holding means to the substrate holding means, or the substrate holding means. From the cassette held by the cassette holding means to the substrate holding means from the cassette held by the cassette holding means and from the substrate holding means to the substrate holding means A substrate carrying means for carrying the substrate to the cassette, and a cassette carrying means for carrying the cassette to the cassette holding means and carrying out the cassette from the cassette holding means, wherein the substrate carrying means and the cassette carrying means are provided. , A substrate transfer mechanism that is mounted on the same lifting means .
基板を保持する基板保持手段と、前記カセット保持手段
によって保持された前記カセットから前記基板保持手段
に前記基板を搬送するか、前記基板保持手段から前記カ
セット保持手段によって保持された前記カセットに前記
基板を搬送するか、前記カセット保持手段によって保持
された前記カセットから前記基板保持手段におよび前記
基板保持手段から前記カセット保持手段によって保持さ
れた前記カセットに前記基板を搬送する基板搬送手段
と、前記カセット保持手段にカセットを搬送し、前記カ
セット保持手段から前記カセットを搬出するカセット搬
送手段とを備え、前記基板搬送手段と前記カセット搬送
手段とが、同じ昇降手段に搭載されている基板搬送機構
と、 前記基板を処理する基板処理手段と、を備えることを特
徴とする基板処理装置。2. Cassette holding means for holding a cassette,
A substrate holding means for holding a substrate and carrying the substrate from the cassette held by the cassette holding means to the substrate holding means, or transferring the substrate from the substrate holding means to the cassette held by the cassette holding means Or a substrate transfer means for transferring the substrate from the cassette held by the cassette holding means to the substrate holding means and from the substrate holding means to the cassette held by the cassette holding means, and the cassette. A cassette carrying means for carrying the cassette to the holding means and carrying out the cassette from the cassette holding means, wherein the substrate carrying means and the cassette carrying means are a board carrying mechanism mounted on the same lifting means; A substrate processing means for processing the substrate; Processing equipment.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002175089A JP2003007794A (en) | 1995-08-05 | 2002-06-14 | Substrate carrying mechanism and substrate treatment device |
Applications Claiming Priority (5)
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JP21976895 | 1995-08-05 | ||
JP21976995 | 1995-08-05 | ||
JP7-219769 | 1995-08-05 | ||
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Related Parent Applications (1)
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Family Applications (1)
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JP2002175089A Pending JP2003007794A (en) | 1995-08-05 | 2002-06-14 | Substrate carrying mechanism and substrate treatment device |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2003007794A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007095856A (en) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Hitachi High-Technologies Corp | Vacuum treatment device |
CN103155119A (en) * | 2010-08-31 | 2013-06-12 | 泰拉半导体株式会社 | Batch type substrate processing device |
-
2002
- 2002-06-14 JP JP2002175089A patent/JP2003007794A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007095856A (en) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Hitachi High-Technologies Corp | Vacuum treatment device |
CN103155119A (en) * | 2010-08-31 | 2013-06-12 | 泰拉半导体株式会社 | Batch type substrate processing device |
JP2013539600A (en) * | 2010-08-31 | 2013-10-24 | 株式会社テラセミコン | Batch type substrate processing equipment |
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