JP2003115523A - Method and apparatus for substrate treatment - Google Patents

Method and apparatus for substrate treatment

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JP2003115523A
JP2003115523A JP2002175038A JP2002175038A JP2003115523A JP 2003115523 A JP2003115523 A JP 2003115523A JP 2002175038 A JP2002175038 A JP 2002175038A JP 2002175038 A JP2002175038 A JP 2002175038A JP 2003115523 A JP2003115523 A JP 2003115523A
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JP
Japan
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substrate
wafer
chamber
transfer chamber
substrate processing
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Application number
JP2002175038A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shuji Yonemitsu
修司 米満
Riichi Kano
利一 狩野
Hisashi Yoshida
久志 吉田
Shinichiro Watabiki
真一郎 綿引
Yuji Yoshida
祐治 吉田
Hideo Shimura
日出男 志村
Takeshi Sugimoto
毅 杉本
Yukinori Yuya
幸則 油谷
Kazuto Ikeda
和人 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
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Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment apparatus whose occupation area is small and operation efficiency is high. SOLUTION: A plurality of reaction chambers 70 are provided to a wall 53 of a wafer carry chamber 50 separated apart each other stacked in the vertical direction. A plurality of wafer storage chambers 30 are provided to a wall 54 of the wafer carry chamber 50 apart mutually stacked in the vertical direction. A gate valve 93 is provided between a plurality of reaction chambers 70 and the wafer carry chamber 50, and a gate valve 92 is provided between a plurality of wafer storage chambers 30 and the wafer carry chamber 50. The wafer carry chamber 50 is constituted capable of being evacuated, and a wafer carry vacuum robot 60, which can carry a substrate in vacuum, in between the reaction chamber 70 and the wafer storage chamber 30, is provided in the inside thereof.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は基板処理装置および
基板処理方法に関し、特に半導体ウェーハ処理装置およ
び半導体ウェーハ処理方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly to a semiconductor wafer processing apparatus and a semiconductor wafer processing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体ウェーハ処理装置の専有面
積を小さくするために、例えば、図14に示すような半
導体ウェーハ処理装置が提案されている(特開平5−1
52215号参照。)。
2. Description of the Related Art Conventionally, in order to reduce the area occupied by a semiconductor wafer processing apparatus, for example, a semiconductor wafer processing apparatus as shown in FIG. 14 has been proposed (JP-A-5-1).
See 52215. ).

【0003】この半導体ウェーハ処理装置2000にお
いては、複数の反応室204を設置床面に対して垂直方
向に積み重ねることによって半導体ウェーハ処理装置2
000の専有床面積を小さくしている。
In this semiconductor wafer processing apparatus 2000, the semiconductor wafer processing apparatus 2 is constructed by stacking a plurality of reaction chambers 204 in a direction perpendicular to the installation floor surface.
000 has a smaller floor area.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この半
導体ウェーハ処理装置2000においては、隣接する反
応室204間では壁を共有しているので、いずれかの反
応室204にメンテナンスが必要となったとき場合に
は、その反応室204のみを取り外すことはできず、そ
の結果、いずれか1つの反応室204のメンテナンスを
行う場合であっても、半導体ウェーハ処理装置2000
全体の稼働を停止させなければならず、半導体ウェーハ
処理装置2000の稼働効率が悪いという問題があっ
た。
However, in this semiconductor wafer processing apparatus 2000, since the wall is shared between the adjacent reaction chambers 204, it is necessary to perform maintenance when any one of the reaction chambers 204 requires maintenance. However, it is not possible to remove only the reaction chamber 204, and as a result, even when performing maintenance on any one of the reaction chambers 204, the semiconductor wafer processing apparatus 2000
There is a problem that the operation efficiency of the semiconductor wafer processing apparatus 2000 is poor, because the entire operation must be stopped.

【0005】従って、本発明の目的は、専有面積が小さ
くしかも稼働効率が高い基板処理装置を提供することに
ある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus having a small occupied area and high operating efficiency.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板搬
送室と、前記基板搬送室の一側壁に隣接された基板処理
室であって、鉛直方向に積み重ねられ、互いに離間して
設けられた複数の基板処理室と、前記基板搬送室内に設
けられた基板搬送機であって、基板を前記複数の基板処
理室に搬送可能な基板搬送機とを備え、前記複数の基板
処理室の間には、前記複数の基板処理室のそれぞれが他
の基板処理室が前記基板搬送室に取り付けられた状態で
取り外し可能となるような隙間を、鉛直方向に設けてい
ることを特徴とする基板処理装置が提供される。
According to the present invention, there are provided a substrate transfer chamber and a substrate processing chamber adjacent to one side wall of the substrate transfer chamber, which are vertically stacked and spaced from each other. A plurality of substrate processing chambers, and a substrate transfer device provided in the substrate transfer chamber, the substrate transfer device being capable of transferring a substrate to the plurality of substrate processing chambers. The substrate processing is characterized in that each of the plurality of substrate processing chambers is provided with a vertical gap so that the other substrate processing chamber can be removed while another substrate processing chamber is attached to the substrate transfer chamber. A device is provided.

【0007】本発明においては、複数の基板処理室を鉛
直方向に積み重ねて設けているから、基板処理室による
クリーンルームの専有面積を減少させることができ、ま
た、基板搬送室の辺数も減少させて基板搬送室を小さく
してその専有面積を減少させることができて、基板処理
装置によるクリーンルームの専有面積を減少させること
ができる。
In the present invention, since a plurality of substrate processing chambers are vertically stacked, the area occupied by the substrate processing chamber in the clean room can be reduced, and the number of sides of the substrate transfer chamber can be reduced. As a result, the substrate transfer chamber can be reduced in size to reduce its occupied area, and the occupied area of the clean room of the substrate processing apparatus can be reduced.

【0008】また、基板搬送室の辺数を減少させると、
基板搬送室の製作コストも減少させることができ、多方
向のメンテナンス領域も減少させることができる。さら
に、基板搬送室を他の基板搬送室等と接続する距離も短
くできて、その接続部に基板搬送機を設けなくても基板
搬送室と他の基板搬送室等との間で基板を移載できるよ
うになり、基板処理装置が、その分、簡単な構造とな
り、安価に製造できるようになる。
If the number of sides of the substrate transfer chamber is reduced,
The manufacturing cost of the substrate transfer chamber can be reduced, and the maintenance area in multiple directions can be reduced. Furthermore, the distance for connecting the substrate transfer chamber to other substrate transfer chambers can be shortened, and the substrate can be transferred between the substrate transfer chamber and other substrate transfer chambers without providing a substrate transfer machine at the connection part. As a result, the substrate processing apparatus has a simple structure and can be manufactured at low cost.

【0009】さらに、本発明においては、このように鉛
直方向に積み重ねられた複数の基板処理室を互いに離間
して設けているから、いずれかの基板処理室にメンテナ
ンスが必要となった場合に、メンテナンスが必要な基板
処理室のみを容易に取り外すことができ、その基板処理
室のメンテナンスを行っている際にも他の基板処理室を
稼働させることができ、その結果、装置の稼働効率が大
幅に向上する。
Further, according to the present invention, since a plurality of substrate processing chambers vertically stacked in this manner are provided separately from each other, when maintenance is required in any of the substrate processing chambers, Only the substrate processing chamber that requires maintenance can be easily removed, and other substrate processing chambers can be operated even when performing maintenance on that substrate processing chamber, resulting in a significant increase in equipment operating efficiency. Improve to.

【0010】上記構成の基板処理装置は、前記基板搬送
室が、減圧下で基板搬送を行う基板搬送室である場合に
特に好適に適用される。
The substrate processing apparatus having the above-mentioned structure is particularly suitably applied when the substrate transfer chamber is a substrate transfer chamber for transferring a substrate under reduced pressure.

【0011】また、上記構成の基板処理装置は、前記基
板搬送室が減圧可能であり、前記基板搬送機が減圧下で
基板搬送可能である場合にも特に好適に適用される。
Further, the substrate processing apparatus having the above structure is particularly preferably applied to the case where the substrate transfer chamber can be depressurized and the substrate transfer device can transfer the substrate under reduced pressure.

【0012】好ましくは、前記複数の基板処理室と前記
基板搬送室との間に、閉じた場合には前記基板処理室と
前記基板搬送室との間を気密にすることができ、開いた
場合には基板がその内部を通って移動可能な第1のバル
ブをそれぞれ設ける。
Preferably, between the plurality of substrate processing chambers and the substrate transfer chamber, when closed, the space between the substrate processing chamber and the substrate transfer chamber can be made airtight, and when opened. Are each provided with a first valve through which the substrate can move.

【0013】このようにすれば、複数の基板処理室と基
板搬送室とをそれぞれ気密に保つことができて、複数の
基板処理室および基板搬送室のそれぞれを他と独立して
所定のガス雰囲気や真空雰囲気にすることができ、しか
も、複数の基板処理室のそれぞれと基板搬送室との間を
それぞれ基板が移動できる。
With this configuration, the plurality of substrate processing chambers and the substrate transfer chamber can be kept airtight, and each of the plurality of substrate processing chambers and the substrate transfer chamber can be isolated from the others by a predetermined gas atmosphere. The substrate can be moved between each of the plurality of substrate processing chambers and the substrate transfer chamber.

【0014】また、好ましくは、前記複数の基板処理室
と前記基板搬送室との間に、閉じた場合には前記基板処
理室と前記基板搬送室との間を真空的に気密にすること
ができ、開いた場合には基板がその内部を通って移動可
能な第1のバルブをそれぞれ設ける。
Further, it is preferable that the plurality of substrate processing chambers and the substrate transfer chamber be vacuum-tightened between the substrate processing chambers and the substrate transfer chamber when closed. Each is provided with a first valve that is capable of moving the substrate through the interior when open.

【0015】このようにすれば、複数の基板処理室と基
板搬送室とをそれぞれ独立に真空にすることができ、し
かも、複数の基板処理室のそれぞれと基板搬送室との間
をそれぞれ基板が移動できる。
With this configuration, the plurality of substrate processing chambers and the substrate transfer chamber can be independently evacuated, and the substrates are respectively provided between the plurality of substrate processing chambers and the substrate transfer chamber. You can move.

【0016】また、好ましくは、前記基板搬送室の前記
一側壁とは異なる他の側壁に鉛直方向に積み重ねられ、
互いに離間して設けられた複数の基板収容室をさらに有
する。
Preferably, the substrate transfer chamber is vertically stacked on another side wall different from the one side wall,
It further has a plurality of substrate accommodating chambers provided apart from each other.

【0017】このようにすれば、複数の基板収容室をさ
らに設けても、基板収容室を鉛直方向に積み重ねて設け
ているから、基板収容室によるクリーンルームの専有面
積を減少させることができ、また、基板搬送室の辺数も
減少させて基板搬送室を小さくしてその専有面積を減少
させることができて、基板処理装置によるクリーンルー
ムの専有面積を減少させることができる。
With this configuration, even if a plurality of substrate accommodating chambers are further provided, since the substrate accommodating chambers are vertically stacked, the area occupied by the substrate accommodating chambers in the clean room can be reduced, and Also, the number of sides of the substrate transfer chamber can be reduced to reduce the size of the substrate transfer chamber to reduce its occupied area, and thus the occupied area of the clean room by the substrate processing apparatus can be reduced.

【0018】また、基板搬送室の辺数を減少させると、
基板搬送室の製作コストも減少させることができ、多方
向のメンテナンス領域も減少させることができる。さら
に、基板搬送室を他の基板搬送室等と接続する距離も短
くできて、その接続部に基板搬送機を設けなくても基板
搬送室と他の基板搬送室等との間で基板を移載できるよ
うになり、基板処理装置が、その分、簡単な構造とな
り、安価に製造できるようになる。
If the number of sides of the substrate transfer chamber is reduced,
The manufacturing cost of the substrate transfer chamber can be reduced, and the maintenance area in multiple directions can be reduced. Furthermore, the distance for connecting the substrate transfer chamber to other substrate transfer chambers can be shortened, and the substrate can be transferred between the substrate transfer chamber and other substrate transfer chambers without providing a substrate transfer machine at the connection part. As a result, the substrate processing apparatus has a simple structure and can be manufactured at low cost.

【0019】さらに、このように鉛直方向に積み重ねら
れた複数の基板収容室を互いに離間して設けるから、い
ずれかの基板収容室にメンテナンスが必要となった場合
に、メンテナンスが必要な基板収容室のみを容易に取り
外すことができ、その基板収容室のメンテナンスを行っ
ている際にも他の基板収容室を稼働させることができ、
その結果、装置の稼働効率が大幅に向上する。
Further, since a plurality of substrate accommodating chambers vertically stacked in this manner are provided apart from each other, when any one of the substrate accommodating chambers requires maintenance, the substrate accommodating chambers requiring maintenance are required. It is possible to easily remove only one, and it is possible to operate other substrate storage chambers while performing maintenance on that substrate storage chamber.
As a result, the operating efficiency of the device is significantly improved.

【0020】好ましくは、前記複数の基板収容室と前記
基板搬送室との間に、閉じた場合には前記基板収容室と
前記基板搬送室との間を気密にすることができ、開いた
場合には基板がその内部を通って移動可能な第2のバル
ブをそれぞれ設ける。
Preferably, between the plurality of substrate accommodating chambers and the substrate transfer chamber, when closed, the substrate accommodating chamber and the substrate transfer chamber can be made airtight, and when opened. Each is provided with a second valve through which the substrate can move.

【0021】このようにすれば、複数の基板収容室と基
板搬送室とをそれぞれ気密に保つことができて、複数の
基板収容理室および基板搬送室のそれぞれを他と独立し
て所定のガス雰囲気や真空雰囲気にすることができ、し
かも、複数の基板収容室のそれぞれと基板搬送室との間
をそれぞれ基板が移動できる。
With this configuration, the plurality of substrate accommodating chambers and the substrate transfer chamber can be kept airtight, and each of the plurality of substrate accommodating chambers and the substrate transfer chamber can be separated from the others by a predetermined gas. An atmosphere or a vacuum atmosphere can be provided, and the substrate can be moved between each of the plurality of substrate accommodating chambers and the substrate transfer chamber.

【0022】また、好ましくは、前記複数の基板収容室
と前記基板搬送室との間に、閉じた場合には前記基板収
容室と前記基板搬送室との間を真空的に気密にすること
ができ、開いた場合には基板がその内部を通って移動可
能な第2のバルブをそれぞれ設ける。
Further, it is preferable that the plurality of substrate accommodating chambers and the substrate transfer chamber be vacuum-tightened between the substrate accommodating chambers and the substrate transfer chamber when closed. A second valve is provided, each of which is capable of moving the substrate through its interior when opened.

【0023】このようにすれば、複数の基板収容室と基
板搬送室とをそれぞれ独立に真空にすることができ、し
かも、複数の基板収容室のそれぞれと基板搬送室との間
をそれぞれ基板が移動できる。
With this configuration, the plurality of substrate accommodating chambers and the substrate transfer chamber can be independently evacuated, and the substrates are respectively provided between the plurality of substrate accommodating chambers and the substrate transfer chamber. You can move.

【0024】なお、この第1、第2のバルブとしては、
好ましくはゲートバルブが用いられる。
As the first and second valves,
A gate valve is preferably used.

【0025】また、本発明によれば、基板搬送室と、前
記基板搬送室の一側壁に隣接された基板処理室であっ
て、鉛直方向に積み重ねられ、互いに離間して設けられ
た複数の基板処理室からなり、前記複数の基板処理室の
それぞれが、前記基板処理室の外部に設けられた真空ポ
ンプにより排気される前記複数の基板処理室と、前記基
板搬送室内に設けられた基板搬送機であって、基板を前
記複数の基板処理室に搬送可能な基板搬送機と、を備え
ることを特徴とする基板処理装置が提供される。
Further, according to the present invention, the substrate transfer chamber and a plurality of substrate processing chambers adjacent to one side wall of the substrate transfer chamber are vertically stacked and are separated from each other. A plurality of substrate processing chambers, each of the plurality of substrate processing chambers being evacuated by a vacuum pump provided outside the substrate processing chamber; and a substrate transfer machine provided in the substrate transfer chamber. Further, there is provided a substrate processing apparatus, comprising: a substrate transfer device capable of transferring a substrate to the plurality of substrate processing chambers.

【0026】また、本発明によれば、基板搬送室と、前
記基板搬送室の一側壁に隣接された基板処理室であっ
て、鉛直方向に積み重ねられ、互いに離間して設けられ
た複数の基板処理室と、前記基板搬送室内に設けられた
基板搬送機であって、基板を前記複数の基板処理室に搬
送可能な基板搬送機とを備え、前記複数の基板処理室の
間には、前記複数の基板処理室のそれぞれが他の基板処
理室が前記基板搬送室に取り付けられた状態で取り外し
可能となるような隙間を、鉛直方向に設けており、前記
基板搬送機により、基板を前記基板搬送室から前記基板
処理室に搬送し、次いで前記基板を前記基板処理室にて
処理することを特徴とする基板処理方法が提供される。
Further, according to the present invention, the substrate transfer chamber and the plurality of substrate processing chambers adjacent to one side wall of the substrate transfer chamber are vertically stacked and spaced from each other. A processing chamber and a substrate transfer device provided in the substrate transfer chamber, wherein the substrate transfer device is capable of transferring a substrate to the plurality of substrate processing chambers, and between the plurality of substrate processing chambers, Each of the plurality of substrate processing chambers is provided with a vertical gap so that the other substrate processing chamber can be removed in a state where the other substrate processing chamber is attached to the substrate transfer chamber. There is provided a substrate processing method, which is characterized in that the substrate is transferred from a transfer chamber to the substrate processing chamber, and then the substrate is processed in the substrate processing chamber.

【0027】また、本発明によれば、基板搬送室と、前
記基板搬送室の一側壁に隣接された基板処理室であっ
て、鉛直方向に積み重ねられ、互いに離間して設けられ
た複数の基板処理室からなり、前記複数の基板処理室の
それぞれが、前記基板処置室の外部に設けられた真空ポ
ンプにより排気される前記複数の基板処理室と、前記基
板搬送室内に設けられた基板搬送機であって、基板を前
記複数の基板処理室に搬送可能な基板搬送機とを備え、
前記基板搬送機により、基板を前記基板搬送室から前記
基板処理室に搬送し、次いで前記基板を前記基板処理室
にて処理することを特徴とする基板処理方法が提供され
る。
According to the present invention, the substrate transfer chamber and the plurality of substrate processing chambers adjacent to one side wall of the substrate transfer chamber are vertically stacked and spaced from each other. A plurality of substrate processing chambers, each of the plurality of substrate processing chambers being evacuated by a vacuum pump provided outside the substrate processing chamber; and a substrate transfer machine provided in the substrate transfer chamber. A substrate transfer device capable of transferring a substrate to the plurality of substrate processing chambers,
A substrate processing method is provided in which a substrate is transferred from the substrate transfer chamber to the substrate processing chamber by the substrate transfer machine, and then the substrate is processed in the substrate processing chamber.

【0028】なお、基板としては、好ましくは半導体ウ
ェーハが用いられ、その場合には、基板処理装置は半導
体ウェーハ処理装置として機能する。
A semiconductor wafer is preferably used as the substrate, in which case the substrate processing apparatus functions as a semiconductor wafer processing apparatus.

【0029】また、基板としては、液晶表示素子用のガ
ラス基板等を使用することもできる。
As the substrate, it is possible to use a glass substrate for a liquid crystal display element or the like.

【0030】基板処理室においては、好ましくは、プラ
ズマCVD(Chemical Vapor deposition)法、ホット
ウォールCVD法、光CVD法等の各種CVD法等によ
る絶縁膜、配線用金属膜、ポリシリコン、アモルファス
シリコン等の形成や、エッチング、アニール等の熱処
理、エピタキシャル成長、拡散等が行われる。
In the substrate processing chamber, preferably, an insulating film formed by various CVD methods such as plasma CVD (Chemical Vapor deposition) method, hot wall CVD method, photo CVD method, metal film for wiring, polysilicon, amorphous silicon, etc. Formation, heat treatment such as etching and annealing, epitaxial growth, diffusion and the like are performed.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】次に、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0032】図1は、本発明の第1の実施の形態の半導
体ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。図
2は、図1のXX線断面図である。
FIG. 1 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a sectional view taken along line XX of FIG.

【0033】本実施の形態の半導体ウェーハ処理装置1
は、プロセス部700と、トランスファ部500と、フ
ロント部100とを備えている。
Semiconductor wafer processing apparatus 1 of the present embodiment
Includes a process unit 700, a transfer unit 500, and a front unit 100.

【0034】プロセス部700は複数のプロセスモジュ
ール701を備え、各プロセスモジュール701は反応
室70とゲートバルブ93とを備えている。トランスフ
ァ部500はトランスファモジュール501を備え、ト
ランスファモジュール501はウェーハ搬送室50とウ
ェーハ搬送真空ロボット60とを備えている。フロント
部100は複数のロードロックモジュール300と大気
圧部200とを備えている。ロードロックモジュール3
00はウェーハ収容室30とゲートバルブ92とフロン
トドアバルブ91とを備えている。大気圧部にはカセッ
ト10を載置するカセット棚11と、カセット搬送兼ウ
ェーハ搬送機20が設けられている。
The process section 700 comprises a plurality of process modules 701, and each process module 701 comprises a reaction chamber 70 and a gate valve 93. The transfer unit 500 includes a transfer module 501, and the transfer module 501 includes a wafer transfer chamber 50 and a wafer transfer vacuum robot 60. The front part 100 includes a plurality of load lock modules 300 and an atmospheric pressure part 200. Load lock module 3
00 includes a wafer storage chamber 30, a gate valve 92, and a front door valve 91. A cassette shelf 11 on which the cassette 10 is placed and a cassette carrier / wafer carrier 20 are provided in the atmospheric pressure section.

【0035】複数の反応室70は鉛直方向に互いに離間
して積み重ねられてウェーハ搬送室50のウェーハ搬送
室壁53に設けられている。各反応室70とウェーハ搬
送室50との間にはそれぞれゲートバルブ93が設けら
れている。各反応室70は、排気配管82を介して独立
して真空引きできるように構成されている。反応室70
内には複数枚(本実施の形態では2枚)の半導体ウェー
ハ5を搭載できるウェーハボート75が載置されてお
り、複数枚のウェーハ5の処理を同時に行うことがで
き、ウェーハ処理の効率を高めることができる。また、
ウェーハボート75に搭載されるウェーハ5間のピッチ
は、反応室70内でのガスの流れ等を考慮して、例えば
成膜が行われるのならば、膜厚の均一性が所定の範囲内
に維持されるように決定されている。
A plurality of reaction chambers 70 are vertically spaced apart from each other and stacked, and are provided on the wafer transfer chamber wall 53 of the wafer transfer chamber 50. A gate valve 93 is provided between each reaction chamber 70 and the wafer transfer chamber 50. Each reaction chamber 70 is configured so that it can be evacuated independently via an exhaust pipe 82. Reaction chamber 70
A wafer boat 75 capable of mounting a plurality of (two in the present embodiment) semiconductor wafers 5 is mounted therein, and a plurality of wafers 5 can be processed at the same time, which improves wafer processing efficiency. Can be increased. Also,
The pitch between the wafers 5 mounted on the wafer boat 75 is set in consideration of the gas flow in the reaction chamber 70 and the like so that the film thickness uniformity is within a predetermined range if film formation is performed. It has been decided to be maintained.

【0036】反応室70内においては、例えば、プラズ
マCVD、ホットウォールCVD、光CVD等の各種C
VD等による絶縁膜、配線用金属膜、ポリシリコン、ア
モルファスシリコン等の形成や、エッチング、アニール
等の熱処理、エピタキシャル成長、拡散等が行われる。
In the reaction chamber 70, for example, various kinds of C such as plasma CVD, hot wall CVD, and photo CVD.
Formation of an insulating film by VD or the like, a metal film for wiring, polysilicon, amorphous silicon, or the like, heat treatment such as etching or annealing, epitaxial growth, diffusion or the like is performed.

【0037】複数の反応室70を鉛直方向に積み重ねて
ウェーハ搬送室50のウェーハ搬送室壁53に設けてい
るから、反応室70室によるクリーンルームの専有面積
を減少させることができ、また、ウェーハ搬送室50の
辺数も減少させてウェーハ搬送室50を小さくしてその
専有面積を減少させることができて、半導体ウェーハ処
理装置1によるクリーンルームの専有面積を減少させる
ことができる。
Since the plurality of reaction chambers 70 are vertically stacked and provided on the wafer transfer chamber wall 53 of the wafer transfer chamber 50, the area occupied by the reaction chamber 70 in the clean room can be reduced and the wafer transfer can be performed. It is possible to reduce the number of sides of the chamber 50 to reduce the size of the wafer transfer chamber 50 to reduce the occupied area thereof, thereby reducing the occupied area of the clean room of the semiconductor wafer processing apparatus 1.

【0038】また、ウェーハ搬送室50の辺数を減少さ
せると、ウェーハ搬送室50の製作コストも減少させる
ことができ、多方向のメンテナンス領域も減少させるこ
とができる。さらに、ウェーハ搬送室50を他のウェー
ハ搬送室等と接続する距離も短くできて、その接続部に
ウェーハ搬送機を設けなくてもウェーハ搬送室50と他
のウェーハ搬送室等との間でウェーハを移載できるよう
になり、半導体ウェーハ処理装置1が、その分、簡単な
構造となり、安価に製造できるようになる。
Further, if the number of sides of the wafer transfer chamber 50 is reduced, the manufacturing cost of the wafer transfer chamber 50 can be reduced, and the maintenance area in multiple directions can be reduced. Further, the distance for connecting the wafer transfer chamber 50 to other wafer transfer chambers can be shortened, and the wafer transfer chamber 50 and other wafer transfer chambers can be connected to each other without providing a wafer transfer device at the connecting portion. The semiconductor wafer processing apparatus 1 has a simple structure and can be manufactured at low cost.

【0039】さらに、本発明においては、このように鉛
直方向に積み重ねられた複数の反応室70を互いに離間
して設けているから、いずれかの反応室70にメンテナ
ンスが必要となった場合に、メンテナンスが必要な反応
室70のみを容易に取り外すことができ、その反応室7
0のメンテナンスを行っている際にも他の反応室70を
稼働させることができ、その結果、半導体ウェーハ処理
装置1の稼働効率が大幅に向上する。
Further, in the present invention, since the plurality of reaction chambers 70 stacked in the vertical direction are provided separately from each other, when any one of the reaction chambers 70 requires maintenance, Only the reaction chamber 70 requiring maintenance can be easily removed.
The other reaction chamber 70 can be operated even when the maintenance of 0 is performed, and as a result, the operation efficiency of the semiconductor wafer processing apparatus 1 is significantly improved.

【0040】複数のウェーハ収容室30は鉛直方向に互
いに離間して積み重ねられてウェーハ搬送室50のウェ
ーハ搬送室壁54に設けられている。各ウェーハ収容室
30とウェーハ搬送室50との間にはそれぞれゲートバ
ルブ92が設けられている。各ウェーハ収容室30の右
側と大気圧部200との間にはそれぞれフロントドアバ
ルブ91が設けられている。各ウェーハ収容室30は、
排気配管83、81を介して独立して真空引きできるよ
うに構成されている。
The plurality of wafer accommodating chambers 30 are vertically stacked and separated from each other, and are stacked on the wafer transfer chamber wall 54 of the wafer transfer chamber 50. A gate valve 92 is provided between each wafer storage chamber 30 and the wafer transfer chamber 50. A front door valve 91 is provided between the right side of each wafer storage chamber 30 and the atmospheric pressure section 200. Each wafer storage chamber 30 is
It is configured such that the vacuum can be evacuated independently via the exhaust pipes 83, 81.

【0041】ウェーハ収容室30内にはウェーハ保持具
40が載置されている。図3はこのウェーハ保持具40
を説明するための概略斜視図である。ウェーハ保持具4
0は、上下に設けられた円柱状の2枚の支柱支持板4
1、42と、この支柱支持板41、42の間に設けられ
た2つの角柱状の支柱43、44とを備え、この支柱4
3、44の内側に複数のウェーハ載置用溝45が互いに
対向してそれぞれ設けられている。このウェーハ載置用
溝45の両端は開放されているので、ウェーハ保持具4
0の両側からウェーハをそれぞれ搬入でき、両側にそれ
ぞれ搬出できる。ウェーハ保持具40は石英から成って
いる。
A wafer holder 40 is placed in the wafer storage chamber 30. FIG. 3 shows the wafer holder 40.
It is a schematic perspective view for explaining. Wafer holder 4
0 is two column-shaped support columns 4 provided at the top and bottom
1, 42, and two prismatic columns 43, 44 provided between the column support plates 41, 42.
A plurality of wafer mounting grooves 45 are provided inside the wafers 3 and 44 so as to face each other. Since both ends of the wafer mounting groove 45 are open, the wafer holder 4
Wafers can be loaded in from both sides of 0 and unloaded in both sides. The wafer holder 40 is made of quartz.

【0042】ウェーハ保持具40のウェーハ載置用溝4
5間のピッチ、すなわち、ウェーハ保持具40に保持さ
れるウェーハ5間のピッチを、反応室70内のウェーハ
ボート75に搭載されるウェーハ5間のピッチと同じと
している。なお、ウェーハ保持具40のウェーハ載置用
溝45間のピッチはカセット10内のウェーハ載置用溝
間のピッチよりも大きい。
Wafer mounting groove 4 of wafer holder 40
The pitch between the wafers 5, that is, the pitch between the wafers 5 held by the wafer holder 40 is the same as the pitch between the wafers 5 mounted on the wafer boat 75 in the reaction chamber 70. The pitch between the wafer mounting grooves 45 of the wafer holder 40 is larger than the pitch between the wafer mounting grooves in the cassette 10.

【0043】また、ウェーハ保持具40のウェーハ載置
用溝45の数、すなわち、ウェーハ保持具40が保持可
能なウェーハ5の枚数を、反応室70内のウェーハボー
ト75が搭載可能なウェーハ5の枚数の2倍以上とし、
反応室70内において一度に処理可能なウェーハ5の枚
数の2倍以上としている。このようにすれば、反応室7
0とカセット10との間で効率的に基板を搬送すること
ができ、スループットが向上する。
Further, the number of the wafer mounting grooves 45 of the wafer holder 40, that is, the number of wafers 5 which the wafer holder 40 can hold is determined by the number of wafers 5 which can be mounted by the wafer boat 75 in the reaction chamber 70. More than twice the number of sheets,
The number of wafers 5 that can be processed at once in the reaction chamber 70 is twice or more. In this way, the reaction chamber 7
The substrate can be efficiently transported between the cassette 0 and the cassette 10, and the throughput is improved.

【0044】ウェーハ保持具40は石英から成っている
ので、ウェーハ収容室30内を真空にしても、ウェーハ
保持具40からアウトガス等の不純物が発生することは
ないので、ウェーハ収容室30の雰囲気を清浄に保つこ
とができる。
Since the wafer holder 40 is made of quartz, impurities such as outgas will not be generated from the wafer holder 40 even if the inside of the wafer chamber 30 is evacuated. Can be kept clean.

【0045】また、このウェーハ保持具40は石英から
成っており、耐熱性に優れているので、反応室70で処
理が終わった高温のウェーハをこのウェーハ保持具40
で保持した状態で冷却することができる。このように、
ウェーハ保持具40はウェーハ冷却用に使用できるの
で、ウェーハ収容室30はウェーハ冷却室として機能す
る。従って、反応室70で処理が終わった高温のウェー
ハを冷却するための冷却室をウェーハ搬送室50の側壁
に別に設ける必要はなく、その分、半導体ウェーハ処理
装置1によるクリーンルームの専有面積を減少させるこ
とができ、また、ウェーハ搬送室50の辺数も減少させ
てウェーハ搬送室50を小さくしてその専有面積を減少
させることができて、半導体ウェーハ処理装置1による
クリーンルームの専有面積を減少させることができる。
さらに、ウェーハ搬送室50の製作コストも減少させる
ことができる。
Further, since the wafer holder 40 is made of quartz and has excellent heat resistance, the high-temperature wafer which has been processed in the reaction chamber 70 is treated by the wafer holder 40.
It can be cooled while being held at. in this way,
Since the wafer holder 40 can be used for cooling the wafer, the wafer accommodating chamber 30 functions as a wafer cooling chamber. Therefore, it is not necessary to separately provide a cooling chamber for cooling the high-temperature wafer processed in the reaction chamber 70 on the side wall of the wafer transfer chamber 50, and the area occupied by the semiconductor wafer processing apparatus 1 in the clean room is reduced accordingly. In addition, the number of sides of the wafer transfer chamber 50 can be reduced to reduce the size of the wafer transfer chamber 50 to reduce its occupied area, and the occupied area of the clean room by the semiconductor wafer processing apparatus 1 can be reduced. You can
Further, the manufacturing cost of the wafer transfer chamber 50 can be reduced.

【0046】そして、このウェーハ保持具40は、カセ
ット10からウェーハ処理室70へのウェーハ5を一時
収容するか、ウェーハ処理室70からカセット10への
ウェーハ5を一時収容するか、またはカセット10から
ウェーハ処理室70へのウェーハ5を一時収容すると共
にウェーハ処理室70からカセット10へのウェーハ5
を一時収容するウェーハ保持具であるので、カセット1
0を収容するカセット室をウェーハ搬送室50の側壁に
設ける必要はなくなる。その結果、ウェーハ搬送室50
の側壁に設ける室数が減少して、その分、半導体ウェー
ハ処理装置1によるクリーンルームの専有面積を減少さ
せることができ、また、ウェーハ搬送室50の辺数も減
少させてウェーハ搬送室50を小さくしてその専有面積
を減少させることができて、半導体ウェーハ処理装置1
によるクリーンルームの専有面積を減少させることがで
きる。さらに、ウェーハ搬送室50の製作コストも減少
させることができる。
The wafer holder 40 temporarily stores the wafer 5 from the cassette 10 into the wafer processing chamber 70, temporarily stores the wafer 5 from the wafer processing chamber 70 into the cassette 10, or from the cassette 10. The wafer 5 is temporarily stored in the wafer processing chamber 70 and is transferred from the wafer processing chamber 70 to the cassette 10.
Since it is a wafer holder for temporarily storing
It is not necessary to provide a cassette chamber for storing 0 on the side wall of the wafer transfer chamber 50. As a result, the wafer transfer chamber 50
The number of chambers provided on the side wall of the wafer can be reduced, and the occupied area of the clean room by the semiconductor wafer processing apparatus 1 can be reduced accordingly, and the number of sides of the wafer transfer chamber 50 can be reduced to reduce the size of the wafer transfer chamber 50. Therefore, the area occupied by the semiconductor wafer can be reduced, and the semiconductor wafer processing apparatus 1
The area occupied by the clean room can be reduced. Further, the manufacturing cost of the wafer transfer chamber 50 can be reduced.

【0047】本実施の形態では、ウェーハ搬送室50の
ウェーハ搬送室壁54に複数のウェーハ収容室30を設
けているから、あるウェーハ収容室30でウェーハを冷
却している間に他のウェーハ収容室30を利用してウェ
ーハを反応室70に搬入できる等、時間を節約できる。
また、搬入用、搬出用の2種類のウェーハ収容室30を
別々に設けてもよい。このようにすれば、搬入用、搬出
用の2種類のウェーハ収容室30を交互に使用でき、時
間の節約となる。さらに、あるウェーハ収容室30をモ
ニタウェーハ用とし、他のウェーハ収容室30を実際の
製品となるプロセスウェーハ用として利用することもで
きる。
In the present embodiment, since a plurality of wafer accommodating chambers 30 are provided on the wafer transfer chamber wall 54 of the wafer transfer chamber 50, while a wafer is being cooled in a certain wafer accommodating chamber 30, another wafer accommodating chamber is accommodated. Time can be saved, for example, a wafer can be loaded into the reaction chamber 70 using the chamber 30.
Further, two types of wafer storage chambers 30 for loading and unloading may be separately provided. In this way, the two types of wafer accommodating chambers 30 for loading and unloading can be alternately used, which saves time. Further, it is possible to use one wafer accommodation chamber 30 for a monitor wafer and another wafer accommodation chamber 30 for a process wafer which is an actual product.

【0048】また、複数のウェーハ収容室30を、ウェ
ーハ搬送室50のウェーハ搬送室壁54に鉛直方向に積
み重ねて設けているから、ウェーハ収容室30によるク
リーンルームの専有面積を減少させることができ、ま
た、ウェーハ搬送室50の辺数も減少させてウェーハ搬
送室50を小さくしてその専有面積を減少させることが
できて、半導体ウェーハ処理装置1によるクリーンルー
ムの専有面積を減少させることができる。さらに、ウェ
ーハ搬送室50の製作コストも減少させることができ
る。
Since a plurality of wafer storage chambers 30 are vertically stacked on the wafer transfer chamber wall 54 of the wafer transfer chamber 50, the area occupied by the wafer storage chamber 30 in the clean room can be reduced. Also, the number of sides of the wafer transfer chamber 50 can be reduced to reduce the size of the wafer transfer chamber 50 to reduce its occupied area, and the occupied area of the clean room of the semiconductor wafer processing apparatus 1 can be reduced. Further, the manufacturing cost of the wafer transfer chamber 50 can be reduced.

【0049】さらに、本発明においては、このように鉛
直方向に積み重ねられた複数のウェーハ収容室30を互
いに離間して設けているから、いずれかのウェーハ収容
室30にメンテナンスが必要となった場合に、メンテナ
ンスが必要なウェーハ収容室30のみを容易に取り外す
ことができ、そのウェーハ収容室30のメンテナンスを
行っている際にも他のウェーハ収容室30を稼働させる
ことができ、その結果、半導体ウェーハ処理装置1の稼
働効率が大幅に向上する。
Further, in the present invention, since the plurality of wafer accommodating chambers 30 stacked in the vertical direction are provided so as to be separated from each other, if any of the wafer accommodating chambers 30 requires maintenance. In addition, only the wafer storage chamber 30 requiring maintenance can be easily removed, and other wafer storage chambers 30 can be operated even when the maintenance of the wafer storage chamber 30 is performed. The operation efficiency of the wafer processing apparatus 1 is significantly improved.

【0050】ウェーハ搬送室50とウェーハ収容室30
との間にゲートバルブ92を設けているからウェーハ搬
送室50を減圧状態に保ったままでウェーハ収容室30
を大気圧に戻すことができ、ウェーハ収容室30内を大
気圧に戻している間にウェーハ5が自然冷却し、ウェー
ハ収容室30を出る段階でウェーハ5の温度が下がって
いるようにすることができる。従って、その後大気圧中
に取り出しても、大気圧雰囲気によりウェーハ5が汚染
されることが防止される。このようにしてウェーハ収容
室30で大気圧に戻す工程とウェーハ5を冷却する工程
を同時に行い、冷却されたウェーハ5を大気圧下でカセ
ット10まで搬送し、ウェーハ5を収容したカセット1
0を半導体ウェーハ処理装置1外に搬送することができ
る。
Wafer transfer chamber 50 and wafer storage chamber 30
Since a gate valve 92 is provided between the wafer transfer chamber 50 and
Can be returned to the atmospheric pressure, and the wafer 5 is naturally cooled while the inside of the wafer storage chamber 30 is returned to the atmospheric pressure, and the temperature of the wafer 5 is lowered at the stage of leaving the wafer storage chamber 30. You can Therefore, even if the wafer 5 is subsequently taken out to the atmospheric pressure, the wafer 5 is prevented from being contaminated by the atmospheric pressure atmosphere. In this way, the step of returning the wafer 5 to the atmospheric pressure in the wafer storage chamber 30 and the step of cooling the wafer 5 are simultaneously performed, the cooled wafer 5 is conveyed to the cassette 10 under the atmospheric pressure, and the cassette 1 containing the wafer 5 is transferred.
0 can be transferred to the outside of the semiconductor wafer processing apparatus 1.

【0051】また、本実施の形態においては、ウェーハ
収容室30とカセット10との間のウェーハ5の受け渡
しはウェーハ搬送室50内のウェーハ搬送真空ロボット
60とは異なるカセット搬送兼ウェーハ搬送機20で行
うことができるので、ウェーハ搬送時間を短くすること
ができる。そして、本実施の形態においては、カセット
搬送兼ウェーハ搬送機20を大気圧部200に配置して
いるから、カセット搬送兼ウェーハ搬送機20の構造を
真空中にある場合に比べて簡単なものとすることができ
る。
Further, in the present embodiment, the transfer of the wafer 5 between the wafer accommodating chamber 30 and the cassette 10 is performed by the cassette transfer / wafer transfer machine 20 different from the wafer transfer vacuum robot 60 in the wafer transfer chamber 50. Since it can be performed, the wafer transfer time can be shortened. Further, in the present embodiment, since the cassette transfer / wafer transfer machine 20 is arranged in the atmospheric pressure section 200, the structure of the cassette transfer / wafer transfer machine 20 is simpler than that in a vacuum. can do.

【0052】ウェーハ搬送室50は排気配管84、81
を介して真空引きできるように構成されている。そし
て、複数の反応室70、ウェーハ搬送室50および複数
のウェーハ収容室30は、それぞれ独立して真空引きで
きるように構成されている。
The wafer transfer chamber 50 has exhaust pipes 84, 81.
It is configured so that a vacuum can be drawn through. The plurality of reaction chambers 70, the wafer transfer chamber 50, and the plurality of wafer accommodating chambers 30 are configured so that they can be evacuated independently.

【0053】ウェーハ搬送室50を減圧可能とし、ウェ
ーハ収容室30も減圧可能としているから、酸素濃度を
極限まで減少できて、ウェーハ搬送室50やウェーハ収
容室30でウェーハ5が酸化されるのを抑制できる。
Since the wafer transfer chamber 50 can be depressurized and the wafer accommodating chamber 30 can also be depressurized, the oxygen concentration can be reduced to the limit, and the wafer 5 can be prevented from being oxidized in the wafer transfer chamber 50 or the wafer accommodating chamber 30. Can be suppressed.

【0054】また、反応室70を独立して真空引きでき
るので、反応室70を減圧下で処理を行う反応室とする
こともでき、また、反応室70内を一度減圧にした後に
所定の雰囲気ガスに置換することもでき、純度の高いガ
ス雰囲気にすることもできる。
Further, since the reaction chamber 70 can be evacuated independently, the reaction chamber 70 can be used as a reaction chamber in which processing is performed under reduced pressure. Further, after the pressure inside the reaction chamber 70 is once reduced, a predetermined atmosphere is obtained. The gas can be replaced with a gas, or a high-purity gas atmosphere can be used.

【0055】本実施の形態では、複数の反応室70を全
て減圧下で処理を行う反応室としたが、複数の反応室7
0全てを常圧下で処理を行う反応室とすることもでき、
またこれら複数の反応室70のうち少なくとも一つの反
応室70を常圧下でウェーハの処理を行う反応室とし、
これら複数の反応室70のうちの他の残りの反応室70
を減圧下で処理を行う反応室とすることもできる。
In the present embodiment, the plurality of reaction chambers 70 are all reaction chambers in which processing is performed under reduced pressure.
It is also possible to use a reaction chamber in which all 0 are treated under normal pressure,
Further, at least one reaction chamber 70 of the plurality of reaction chambers 70 is used as a reaction chamber for processing a wafer under normal pressure,
The remaining reaction chambers 70 of the plurality of reaction chambers 70
Can be used as a reaction chamber in which the treatment is performed under reduced pressure.

【0056】ウェーハ搬送室50の内部にはウェーハ搬
送真空ロボット60が設けられている。図4はウェーハ
搬送真空ロボット60を説明するための概略斜視図であ
る。ウェーハ搬送真空ロボット60は、多関節ロボット
であり、水平面内を回転移動するアーム63、65、6
7と、それぞれのアームを回転可能にする回転軸62、
64、66と、回転軸62に回転を与える2軸の駆動部
69と、回転軸62の回転を回転軸64、66に伝達す
る歯車機構(図示せず)と、この駆動部69を収容する
駆動部収容部61とを備えている。なお、アーム67の
先はウェーハを搭載するためのウェーハ搭載アーム68
として機能する。回転軸62が回転すると、アーム6
3、65、67が水平方向に回転移動し、それによっ
て、ウェーハを水平方向に移動させることができる。
A wafer transfer vacuum robot 60 is provided inside the wafer transfer chamber 50. FIG. 4 is a schematic perspective view for explaining the wafer transfer vacuum robot 60. The wafer transfer vacuum robot 60 is an articulated robot, and has arms 63, 65, 6 that rotate and move in a horizontal plane.
7, and a rotation shaft 62 that allows each arm to rotate,
64 and 66, a biaxial drive unit 69 that applies rotation to the rotary shaft 62, a gear mechanism (not shown) that transmits the rotation of the rotary shaft 62 to the rotary shafts 64 and 66, and the drive unit 69. The drive unit accommodating portion 61 is provided. The tip of the arm 67 is a wafer mounting arm 68 for mounting a wafer.
Function as. When the rotary shaft 62 rotates, the arm 6
The wafers 3, 65, 67 rotate and move in the horizontal direction, so that the wafer can be moved in the horizontal direction.

【0057】アーム67およびウェーハ搭載アーム68
は2本設けられておりウェーハ搭載アーム68間のピッ
チはウェーハ保持具40のウェーハ載置用溝45間のピ
ッチおよび反応室70内のウェーハボート75に搭載さ
れるウェーハ5間のピッチと同じとしている。従って、
ウェーハ搭載アーム68が2本設けられているので、ウ
ェーハ搬送真空ロボット60によって2枚のウェーハを
同時に搬送可能であるが、搬送中にウェーハ5間のピッ
チを変える必要がないので、ウェーハ搬送真空ロボット
60の構造が簡単なものとなり、また、真空の汚染も防
止できる。そして2枚のウェーハを同時に搬送できるの
で、ウェーハ搬送の効率も高くなる。
Arm 67 and wafer mounting arm 68
The pitch between the wafer mounting arms 68 is the same as the pitch between the wafer mounting grooves 45 of the wafer holder 40 and the pitch between the wafers 5 mounted on the wafer boat 75 in the reaction chamber 70. There is. Therefore,
Since two wafer mounting arms 68 are provided, the wafer transfer vacuum robot 60 can transfer two wafers at the same time, but the wafer transfer vacuum robot does not need to change the pitch between the wafers 5 during transfer. The structure of 60 is simplified, and vacuum contamination can be prevented. Since two wafers can be transferred at the same time, the efficiency of wafer transfer is increased.

【0058】駆動部収容部61は気密構造であり、駆動
部69がこの気密性の駆動部収容部61内に収容されて
いるから、ウェーハ搬送室50内の雰囲気を清浄に保つ
ことができる。
Since the drive portion accommodating portion 61 has an airtight structure and the drive portion 69 is accommodated in the airtight drive portion accommodating portion 61, the atmosphere in the wafer transfer chamber 50 can be kept clean.

【0059】ウェーハ搬送室50の底面56に駆動部収
容部61の外形に合わせた凸部52を設けている。従っ
て、この凸部52内に駆動部収容部61を収容でき、こ
のようにすれば、ウェーハ搬送室50全体を大きくせず
に、ウェーハ搬送真空ロボット60の駆動部収容部61
を収容する凸部52のみをウェーハ搬送室50から突出
させればよいから、ウェーハ搬送室50の空間を小さく
でき、真空引き等の時間を短くできる。
The bottom surface 56 of the wafer transfer chamber 50 is provided with a convex portion 52 conforming to the outer shape of the driving portion accommodating portion 61. Therefore, the drive portion accommodating portion 61 can be accommodated in the convex portion 52. By doing so, the drive portion accommodating portion 61 of the wafer transfer vacuum robot 60 can be provided without enlarging the entire wafer transfer chamber 50.
Since only the convex portion 52 accommodating the wafer need to be projected from the wafer transfer chamber 50, the space of the wafer transfer chamber 50 can be reduced, and the time required for evacuation or the like can be shortened.

【0060】ウェーハ搬送室50の底面56には貫通孔
57が設けられている。ウェーハ搬送室50の外部の下
側にはねじ軸561が鉛直方向に設けられている。ねじ
軸561の上部にはモータ566が設けられており、ね
じ軸561はモータ566により回転する。ねじ軸56
1と共にボールねじを構成するナット565が設けら
れ、ナット565には昇降台564が固定されている。
昇降台564にはウェーハ搬送真空ロボット支持棒56
3の一端が固定されており、支持棒563が鉛直に昇降
台564に取り付けられている。ウェーハ搬送真空ロボ
ット支持棒563の他端はウェーハ搬送真空ロボット6
0の駆動部収容部61の上端部に固定されている。ウェ
ーハ搬送真空ロボット支持棒563はステンレス鋼から
成っている。ウェーハ搬送室50の底面56の貫通孔5
7の周囲の底面56には、ベロー562の一端が気密に
固定されており、ベロー562の他端は昇降台564の
上面に気密に固定されている。ベロー562は金属製で
あり、ウェーハ搬送真空ロボット支持棒563を覆って
取り付けられている。
A through hole 57 is provided in the bottom surface 56 of the wafer transfer chamber 50. A screw shaft 561 is provided vertically below the outside of the wafer transfer chamber 50. A motor 566 is provided above the screw shaft 561, and the screw shaft 561 is rotated by the motor 566. Screw shaft 56
1, a nut 565 forming a ball screw is provided, and an elevating table 564 is fixed to the nut 565.
Wafer transfer vacuum robot support rod 56 is mounted on the lift table 564.
3, one end of which is fixed, and a support rod 563 is vertically attached to the lift table 564. The other end of the wafer transfer vacuum robot support rod 563 has the wafer transfer vacuum robot 6
It is fixed to the upper end of the drive unit accommodating portion 61 of 0. The wafer transfer vacuum robot support rod 563 is made of stainless steel. Through hole 5 in bottom surface 56 of wafer transfer chamber 50
One end of the bellows 562 is airtightly fixed to the bottom surface 56 around 7 and the other end of the bellows 562 is airtightly fixed to the upper surface of the lift 564. The bellows 562 is made of metal and is attached so as to cover the wafer transfer vacuum robot support rod 563.

【0061】モーター566によってねじ軸561を回
転させると、ナット565が昇降し、それによって、ナ
ット565に固定された昇降台564が昇降する。昇降
台564が昇降すれば、それに鉛直に取り付けられたウ
ェーハ搬送真空ロボット支持棒563も昇降して、それ
に取り付けられたウェーハ搬送真空ロボット60も昇降
する。
When the screw shaft 561 is rotated by the motor 566, the nut 565 moves up and down, which moves up and down the elevating table 564 fixed to the nut 565. When the elevating table 564 moves up and down, the wafer transfer vacuum robot support rod 563 vertically attached thereto also moves up and down, and the wafer transfer vacuum robot 60 attached thereto also moves up and down.

【0062】本実施の形態では、ねじ軸561とナット
565とから構成されるボールねじ560を使用してい
るから、摩擦を小さくし、機械効率を高くできる。そし
て、このボールねじ560をウェーハ搬送室50の外部
に設けているから、ウェーハ搬送室50の内部が汚染さ
れることを防止でき、その結果、ウェーハ5が汚染され
ることが防止される。また、ボールネジ560をウェー
ハ搬送室50の底面56の下側に設けているから、ベロ
ー562から発生するパーティクルによってウェーハ搬
送室50内が汚染されるのを防止できる。
In this embodiment, since the ball screw 560 composed of the screw shaft 561 and the nut 565 is used, friction can be reduced and mechanical efficiency can be increased. Since the ball screw 560 is provided outside the wafer transfer chamber 50, the inside of the wafer transfer chamber 50 can be prevented from being contaminated, and as a result, the wafer 5 can be prevented from being contaminated. Further, since the ball screw 560 is provided below the bottom surface 56 of the wafer transfer chamber 50, it is possible to prevent the inside of the wafer transfer chamber 50 from being contaminated by particles generated from the bellows 562.

【0063】また、剛体のステンレス鋼からなるウェー
ハ搬送真空ロボット支持棒563によってウェーハ搬送
真空ロボット60を昇降台564と機械的に接続してい
るから、昇降台564の昇降に応じてウェーハ搬送真空
ロボット60が確実に昇降する。
Further, since the wafer transfer vacuum robot 60 is mechanically connected to the lift table 564 by the wafer transfer vacuum robot support rod 563 made of rigid stainless steel, the wafer transfer vacuum robot is moved according to the elevation of the lift table 564. The 60 surely moves up and down.

【0064】さらに、ウェーハ搬送真空ロボット支持棒
563がベロー562によって覆われており、ベロー5
62の一端がウェーハ搬送室50の底面56の貫通孔5
7の周囲の底面56に気密に固定されており、ベロー5
62の他端が昇降台564の上面に気密に固定されてい
るから、ベロー562によって気密が保たれるので、気
密が確実になってウェーハ搬送室50内を真空にするこ
とができるとともに、ウェーハ搬送真空ロボット支持棒
563の移動も気密の維持の問題とは切り放せるので、
ウェーハ搬送真空ロボット支持棒563の移動もスムー
ズで確実なものとなる。
Further, the wafer transfer vacuum robot support rod 563 is covered with the bellows 562,
One end of 62 is the through hole 5 in the bottom surface 56 of the wafer transfer chamber 50.
7, which is airtightly fixed to the bottom surface 56 around 7,
Since the other end of 62 is airtightly fixed to the upper surface of the elevating table 564, the airtightness is maintained by the bellows 562, so that the airtightness is ensured and the wafer transfer chamber 50 can be evacuated. Since the movement of the transfer vacuum robot support rod 563 can be separated from the problem of maintaining airtightness,
The movement of the wafer transfer vacuum robot support rod 563 is also smooth and reliable.

【0065】さらに、また、ウェーハ搬送真空ロボット
支持棒563の先端をウェーハ搬送真空ロボット60の
駆動部収容部61の上端部に固定しているから、ウェー
ハ搬送室50の高さを低くでき、ひいては、半導体ウェ
ーハ処理装置1全体の高さを低くできる。
Furthermore, since the tip end of the wafer transfer vacuum robot support rod 563 is fixed to the upper end of the drive unit accommodating portion 61 of the wafer transfer vacuum robot 60, the height of the wafer transfer chamber 50 can be lowered, and thus the wafer transfer chamber 50 can be lowered. The overall height of the semiconductor wafer processing apparatus 1 can be reduced.

【0066】半導体ウェーハ処理装置1全体が筺体90
0に収容されている。フロント部100の筺体900の
天井面にはフィルタ(図示せず)とファン(図示せず)
とが設けられており、筺体900内をダウンフローでき
るようになっている。筺体900の内部にはカセット1
0を載置するカセット棚11が筺体900に取り付けら
れている。カセット棚11は、ウェーハ収容室30に対
してウェーハ搬送室50とはほぼ反対側に配置されてい
る。カセット棚11は平面方向には3つの位置に配置さ
れており、垂直方向には、2段に縦積みされている。筺
体900内にカセット棚11を設けることによって、カ
セット10に搭載されているウェーハ表面を清浄に保つ
ことができる。また、このように複数のカセット棚11
を設けることにより、複数の処理に合わせて、処理の種
類毎にカセットをそれぞれ配置することができる。ま
た、モニタ用ウェーハやダミー用ウェーハが収容された
カセットを配置することもできる。
The entire semiconductor wafer processing apparatus 1 is a housing 90.
It is housed at 0. A filter (not shown) and a fan (not shown) are provided on the ceiling surface of the housing 900 of the front part 100.
And are provided so that the inside of the housing 900 can be downflowed. A cassette 1 is provided inside the housing 900.
A cassette shelf 11 on which 0 is placed is attached to the housing 900. The cassette shelf 11 is arranged on the opposite side of the wafer storage chamber 30 from the wafer transfer chamber 50. The cassette shelves 11 are arranged at three positions in the plane direction, and vertically stacked in two stages. By providing the cassette shelf 11 in the housing 900, the wafer surface mounted on the cassette 10 can be kept clean. Also, in this way, a plurality of cassette shelves 11
By providing the above, it is possible to arrange the cassettes for each type of processing in accordance with a plurality of processings. It is also possible to arrange a cassette in which the monitor wafer and the dummy wafer are stored.

【0067】筺体900の装置正面901の下部にはカ
セット投入口13が設けられ、筺体900の内部であっ
て、カセット投入口13とほぼ同じ高さにカセットステ
ージ12が設けられている。カセットステージ12は、
カセット投入口13から半導体ウェーハ処理装置1の筺
体900内に投入されたカセット10を最初に一時的に
保持し、また、半導体ウェーハ処理装置1によって処理
が終わり、筺体900からカセット10を搬出する前に
カセットを一時的に保持するために使用される。
A cassette insertion port 13 is provided in the lower portion of the front surface 901 of the housing 900, and a cassette stage 12 is provided inside the housing 900 at substantially the same height as the cassette insertion port 13. The cassette stage 12
The cassette 10 loaded into the housing 900 of the semiconductor wafer processing apparatus 1 from the cassette loading port 13 is temporarily held first, and the processing is completed by the semiconductor wafer processing apparatus 1 before the cassette 10 is unloaded from the housing 900. Used to hold the cassette temporarily.

【0068】カセットステージ12はカセット棚11の
下部に設けられており、カセットステージ12にカセッ
トを投入する際に筺体900の外部からカセット投入口
13を通って流れ込んでくるパーティクル等が、カセッ
ト棚11に載置されたカセット10内のウェーハ5に及
ぼす影響を小さくできる。
The cassette stage 12 is provided in the lower part of the cassette shelf 11, and when the cassette is loaded into the cassette stage 12, particles or the like flowing from the outside of the housing 900 through the cassette loading port 13 are included in the cassette shelf 11. It is possible to reduce the influence on the wafer 5 in the cassette 10 placed on the.

【0069】ウェーハ収容室30とカセット棚11との
間に、カセット10をカセット棚11に搬入できカセッ
ト棚11からカセット10を搬出できると共に、ウェー
ハ5をカセット10とウェーハ収容室30との間で搬送
できるカセット搬送兼ウェーハ搬送機20が設けられて
いる。このカセット搬送兼ウェーハ搬送機20は、垂直
に設けられたねじ軸29とボールねじを構成するナット
(図示せず)とを備えており、ねじ軸29を回転するこ
とで、カセット搬送兼ウェーハ搬送機20を昇降させる
ことができる。カセット搬送兼ウェーハ搬送機20も筺
体900内に設けられているので、カセット搬送兼ウェ
ーハ搬送機20によって搬送されているウェーハ5の表
面を清浄に保つことができる。
Between the wafer accommodating chamber 30 and the cassette shelf 11, the cassette 10 can be loaded into the cassette shelf 11 and the cassette 10 can be unloaded from the cassette shelf 11, and the wafer 5 can be transferred between the cassette 10 and the wafer accommodating chamber 30. A cassette carrier / wafer carrier 20 capable of carrying is provided. The cassette transfer / wafer transfer machine 20 includes a screw shaft 29 provided vertically and a nut (not shown) that constitutes a ball screw, and by rotating the screw shaft 29, the cassette transfer / wafer transfer is performed. The machine 20 can be raised and lowered. Since the cassette transfer / wafer transfer device 20 is also provided in the housing 900, the surface of the wafer 5 transferred by the cassette transfer / wafer transfer device 20 can be kept clean.

【0070】図5は、このカセット搬送兼ウェーハ搬送
機20を説明するための概略斜視図である。
FIG. 5 is a schematic perspective view for explaining the cassette carrying / wafer carrying machine 20.

【0071】ベース25、26上にカセット搬送機21
とウェーハ搬送機23が設けられており、カセット搬送
機21とウェーハ搬送機23とは、独立に矢印の方向に
平行移動することができる。カセット搬送機21はカセ
ット搬送アーム22を備えており、カセット搬送アーム
22の先に取り付けられたカセットホルダー27上にカ
セット10を載置してカセット10を搬送する。ウェー
ハ搬送機23は複数のツィーザ24を備えており、この
ツィーザ24上にウェーハ5をそれぞれ搭載してウェー
ハ5を搬送する。
The cassette carrier 21 is mounted on the bases 25 and 26.
A wafer carrier 23 is provided, and the cassette carrier 21 and the wafer carrier 23 can be independently moved in parallel in the direction of the arrow. The cassette carrying machine 21 includes a cassette carrying arm 22, and the cassette 10 is carried by mounting the cassette 10 on a cassette holder 27 attached to the tip of the cassette carrying arm 22. The wafer carrier 23 is provided with a plurality of tweezers 24, and the wafers 5 are mounted on the tweezers 24 to carry the wafers 5.

【0072】図6は、カセット搬送兼ウェーハ搬送機の
ピッチ変換機構を説明するための図であり、図6Aは側
面図、図6Bは、図6AのY−Y線より見た背面図であ
る。
6A and 6B are views for explaining the pitch converting mechanism of the cassette carrying / wafer carrying machine, FIG. 6A is a side view, and FIG. 6B is a rear view taken along the line YY of FIG. 6A. .

【0073】本実施の形態では、ウェーハ搬送機23
は、5枚のツィーザ241乃至245を備えている。ツ
ィーザ241はブロック260と一体化されている。ツ
ィーザ242、243、244、245にはナット23
2、233、234、235がそれぞれ固着されてい
る。ナット232とナット234はねじ軸210と噛み
合わせられておりナット232とナット234はねじ軸
210とそれぞれボールねじを構成している。ナット2
33とナット235はねじ軸211と噛み合わせられて
おりナット233とナット235はねじ軸211とそれ
ぞれボールねじを構成している。ねじ軸210の上端お
よびねじ軸211の上端はモータ220と歯車機構(図
示せず。)を介して接続されており、ねじ軸210の下
端およびねじ軸211の下端は、ブロック250に回転
自在に取り付けられている。ブロック250とブロック
260にはナット270が取り付けられており、ナット
270はねじ軸280と噛み合って設けられており、ナ
ット270とねじ軸280とによりボールねじを構成し
ている。ねじ軸280が回転すると、ナット270が左
右に動いてツイーザ241乃至245を左右に移動させ
る。
In the present embodiment, the wafer carrier 23
Includes five tweezers 241 to 245. The tweezers 241 are integrated with the block 260. Nuts 23 are provided on the tweezers 242, 243, 244, and 245.
2, 233, 234 and 235 are fixed to each other. The nut 232 and the nut 234 are engaged with the screw shaft 210, and the nut 232 and the nut 234 form a ball screw with the screw shaft 210, respectively. Nut 2
The nut 33 and the nut 235 are meshed with the screw shaft 211, and the nut 233 and the nut 235 form a ball screw with the screw shaft 211. The upper end of the screw shaft 210 and the upper end of the screw shaft 211 are connected to the motor 220 via a gear mechanism (not shown), and the lower end of the screw shaft 210 and the lower end of the screw shaft 211 are rotatably attached to the block 250. It is installed. A nut 270 is attached to the blocks 250 and 260, and the nut 270 is provided so as to mesh with the screw shaft 280, and the nut 270 and the screw shaft 280 form a ball screw. When the screw shaft 280 rotates, the nut 270 moves left and right to move the tweezers 241 to 245 left and right.

【0074】ナット232と噛み合っているねじ軸21
0の領域212には1倍ピッチのねじが形成されてお
り、ナット233と噛み合っているねじ軸211の領域
213には2倍ピッチのねじが形成されており、ナット
234と噛み合っているねじ軸210の領域214には
3倍ピッチのねじが形成されており、ナット235と噛
み合っているねじ軸211の領域215には4倍ピッチ
のねじが形成されている。また、ブロック250とブロ
ック260との間の上下方向の相対位置は変化しない。
モータ220によってねじ軸210とねじ軸211を回
転させると、ブロック250とブロック260とは昇降
せず、ナット232は所定の距離昇降し、ナット233
はナット232の2倍の距離昇降し、ナット234はナ
ット232の3倍の距離昇降し、ナット235はナット
232の4倍の距離昇降する。従って、ツィザー241
は昇降せず、ツィーザ242は所定の距離昇降し、ツィ
ーザ243はツィーザ242の2倍の距離昇降し、ツィ
ーザ244はツィーザ242の3倍の距離昇降し、ツィ
ーザ245はツィーザ242の4倍の距離昇降する。そ
の結果、ツィーザ241乃至245間のピッチを均等に
保ったまま、ツィーザ241乃至245間のピッチを変
換できる。
The screw shaft 21 meshing with the nut 232.
A zero-pitch screw is formed in the region 212 of 0, and a double-pitch screw is formed in the region 213 of the screw shaft 211 that meshes with the nut 233, and a screw shaft that meshes with the nut 234. A region 214 of 210 is formed with a triple pitch screw, and a region 215 of the screw shaft 211 that meshes with the nut 235 is formed with a four pitch screw. Further, the vertical relative position between the block 250 and the block 260 does not change.
When the screw shaft 210 and the screw shaft 211 are rotated by the motor 220, the block 250 and the block 260 do not move up and down, but the nut 232 moves up and down by a predetermined distance, and the nut 233.
Moves up and down twice as much as the nut 232, the nut 234 moves up and down three times as much as the nut 232, and the nut 235 moves up and down four times as much as the nut 232. Therefore, the tweezers 241
Does not move up and down, the tweezers 242 move up and down a predetermined distance, the tweezers 243 move up and down twice as long as the tweezers 242, the tweezers 244 move up and down three times as long as the tweezers 242, and the tweezers 245 four times longer than the tweezers 242. Move up and down. As a result, the pitch between the tweezers 241 to 245 can be converted while keeping the pitch between the tweezers 241 to 245 uniform.

【0075】図7は、半導体ウェーハ処理装置1におけ
るウェーハ5の搬送操作を説明するための概略断面図で
あり、図1乃至図7を参照してウェーハ5の搬送および
処理方法を説明する。
FIG. 7 is a schematic sectional view for explaining the transfer operation of the wafer 5 in the semiconductor wafer processing apparatus 1, and the transfer and processing method of the wafer 5 will be described with reference to FIGS. 1 to 7.

【0076】カセット投入口13から半導体ウェーハ処
理装置1の筺体900内に投入されたカセット10は、
まず、カセットステージ12に置かれる。次に、カセッ
ト搬送兼ウェーハ搬送機20のカセット搬送アーム22
の先に取り付けられたカセットホルダー27上に載置さ
れて、筺体900の上部まで運ばれ、その後カセット棚
11上に載置される。次に、カセット搬送機21が左に
移動し、代わって、ウェーハ搬送機23が右に移動し
て、カセット10内のウェーハ5をツィーザ24上に搭
載する。この時、ツイーザ24間のピッチはカセット1
0の溝間の間隔とされている。その後、ウェーハ搬送機
23が一度後退し、方向を180度変え、その後、ツィ
ーザ24間のピッチを変換して、ウェーハ保持具40の
ウェーハ載置用溝45間のピッチとする。その後、ツィ
ーザ24を左に移動してウェーハ収容室30内のウェー
ハ保持具40にウェーハ5を搭載する。本実施の形態で
は、5枚のウェーハ5を一度にカセット10からウェー
ハ保持具40までカセット搬送兼ウェーハ搬送機20に
より搬送する。なお、カセット搬送兼ウェーハ搬送機2
0によってウェーハ5をウェーハ収容室30内に搬送す
る際には、ゲートバルブ92は閉じておき、フロントド
アバルブ91は開けておく。
The cassette 10 loaded into the housing 900 of the semiconductor wafer processing apparatus 1 from the cassette loading port 13 is
First, it is placed on the cassette stage 12. Next, the cassette transfer arm 22 of the cassette transfer / wafer transfer machine 20
It is placed on the cassette holder 27 attached to the end of the box, transported to the upper part of the housing 900, and then placed on the cassette shelf 11. Next, the cassette carrier 21 moves to the left, and instead, the wafer carrier 23 moves to the right to mount the wafer 5 in the cassette 10 on the tweezers 24. At this time, the pitch between the tweezers 24 is the cassette 1
The distance between the grooves is 0. After that, the wafer carrier 23 is once retracted, the direction is changed by 180 degrees, and then the pitch between the tweezers 24 is converted to the pitch between the wafer mounting grooves 45 of the wafer holder 40. Then, the tweezers 24 are moved to the left and the wafer 5 is mounted on the wafer holder 40 in the wafer storage chamber 30. In the present embodiment, five wafers 5 are transferred from the cassette 10 to the wafer holder 40 at one time by the cassette transfer / wafer transfer machine 20. It should be noted that the cassette carrier / wafer carrier 2
When the wafer 5 is transferred into the wafer storage chamber 30 by 0, the gate valve 92 is closed and the front door valve 91 is opened.

【0077】ウェーハ収容室30内のウェーハ保持具4
0にウェーハ5を搭載した後、フロントドアバルブ91
を閉じ、ウェーハ収容室30内を真空引きする。
Wafer holder 4 in the wafer storage chamber 30
After mounting wafer 5 on 0, front door valve 91
And the inside of the wafer storage chamber 30 is evacuated.

【0078】真空引き後、ゲートバルブ92を開ける。
なお、ウェーハ搬送室50は予め真空引きされている。
After evacuation, the gate valve 92 is opened.
The wafer transfer chamber 50 is evacuated in advance.

【0079】その後、ウェーハ5は、真空中で、ウェー
ハ搬送室50内のウェーハ搬送真空ロボット60のウェ
ーハ搭載アーム68上に搭載されてウェーハ収容室30
内のウェーハ保持具40から反応室70内のウェーハボ
ート75に搬送される。なお、この際には、ゲートバル
ブ93は開けられており、反応室70も真空引きされて
いる。ウェーハ保持具40のウェーハ載置用溝45間の
ピッチはウェーハボート75に搭載されるウェーハ5間
のピッチと同じだから、ウェーハ搬送真空ロボット60
のウェーハ搭載アーム68間のピッチは変換せず、一定
のままである。本実施の形態においては、2枚のウェー
ハを一度にウェーハ保持具40からウェーハボート75
までウェーハ搬送真空ロボット60により搬送する。
Thereafter, the wafer 5 is mounted on the wafer mounting arm 68 of the wafer transfer vacuum robot 60 in the wafer transfer chamber 50 in a vacuum, and the wafer 5 is transferred to the wafer storage chamber 30.
The wafer holder 40 in the inside is transferred to the wafer boat 75 in the reaction chamber 70. At this time, the gate valve 93 is opened and the reaction chamber 70 is also evacuated. Since the pitch between the wafer mounting grooves 45 of the wafer holder 40 is the same as the pitch between the wafers 5 mounted on the wafer boat 75, the wafer transfer vacuum robot 60
The pitch between the wafer mounting arms 68 of 1 is not changed and remains constant. In the present embodiment, two wafers are transferred from the wafer holder 40 to the wafer boat 75 at a time.
The wafer is transported by the vacuum robot 60.

【0080】搬送後、ゲートバルブ93を閉じ、反応室
70を所定の雰囲気として反応室70のウェーハボート
75に搭載された2枚のウェーハ5に成膜等の所定の処
理を同時に行う。
After the transfer, the gate valve 93 is closed and the reaction chamber 70 is set to a predetermined atmosphere, and predetermined processing such as film formation is simultaneously performed on the two wafers 5 mounted on the wafer boat 75 of the reaction chamber 70.

【0081】所定の処理が行われた後は、反応室70を
真空引きし、その後ゲートバルブ93を開ける。ウェー
ハ5は、真空中で、ウェーハ搬送真空ロボット60によ
りウェーハ収容室30内のウェーハ保持具40に移載さ
れる。この際には、ウェーハ搬送真空ロボット60のウ
ェーハ搭載アーム68間のピッチは変換せず一定のまま
である。また、2枚のウェーハを一度に搬送する。
After the predetermined processing is performed, the reaction chamber 70 is evacuated and then the gate valve 93 is opened. The wafer 5 is transferred to the wafer holder 40 in the wafer storage chamber 30 by the wafer transfer vacuum robot 60 in vacuum. At this time, the pitch between the wafer mounting arms 68 of the wafer transfer vacuum robot 60 does not change and remains constant. Also, two wafers are transferred at one time.

【0082】その後、ゲートバルブ92を閉じ、ウェー
ハ収容室30内を窒素等で大気圧にし、ここでウェーハ
5を所定の温度になるまで冷却する。
After that, the gate valve 92 is closed, and the inside of the wafer storage chamber 30 is brought to atmospheric pressure with nitrogen or the like, where the wafer 5 is cooled to a predetermined temperature.

【0083】その後、フロントドアバルブ91を開け、
カセット搬送兼ウェーハ搬送機20のウェーハ搬送機2
3によってウェーハ5はカセット10内に移載される。
この際、ウェーハ保持具40のウェーハ載置用溝45間
のピッチから、カセット10の溝間のピッチとなるよう
にツィーザ24間のピッチを変換する。
Then, the front door valve 91 is opened,
Wafer carrier 2 of cassette carrier and wafer carrier 20
The wafer 5 is transferred into the cassette 10 by 3.
At this time, the pitch between the tweezers 24 is changed from the pitch between the wafer mounting grooves 45 of the wafer holder 40 to the pitch between the grooves of the cassette 10.

【0084】所定枚数のウェーハ5がカセット10内に
搬入されると、カセット搬送兼ウェーハ搬送機20のカ
セット搬送機21によってカセット10がカセットステ
ージ12に移載され、その後、カセット投入口13から
搬出される。
When a predetermined number of wafers 5 are loaded into the cassette 10, the cassette carrier 21 of the cassette carrier / wafer carrier 20 transfers the cassette 10 to the cassette stage 12 and then unloads it from the cassette loading port 13. To be done.

【0085】このように、反応室70内で2枚のウェー
ハを同時に処理するからウェーハ処理の効率が高くな
る。また、ウェーハ保持具40のウェーハ載置用溝45
間のピッチはウェーハボート75に搭載されるウェーハ
5間のピッチと同じであり、ウェーハ搬送真空ロボット
60のウェーハ搭載アーム68間のピッチは変換しない
から、ウェーハ搬送真空ロボット60の構造が簡単とな
り、真空の汚染も防止できる。そして2枚のウェーハ5
を同時に搬送できるので、ウェーハ搬送の効率も高くな
る。
As described above, since two wafers are simultaneously processed in the reaction chamber 70, the efficiency of wafer processing is increased. Further, the wafer mounting groove 45 of the wafer holder 40.
The pitch between the wafers 5 mounted on the wafer boat 75 is the same as the pitch between the wafer mounting arms 68 of the wafer transfer vacuum robot 60. Therefore, the structure of the wafer transfer vacuum robot 60 is simplified, Vacuum contamination can also be prevented. And two wafers 5
Since wafers can be transferred at the same time, wafer transfer efficiency is also improved.

【0086】そして、カセット搬送兼ウェーハ搬送機2
0によってウェーハ5間のピッチを可変としているが、
このカセット搬送兼ウェーハ搬送機20は大気圧下で用
いるので、ウェーハ5間のピッチを可変にしても、真空
下での場合と比較すれば構造が簡単であり、安価に製造
でき、また、パーティクルの発生を抑えることができ
る。
Then, the cassette carrier / wafer carrier 2
Although the pitch between the wafers 5 is variable by 0,
Since the cassette transfer / wafer transfer machine 20 is used under the atmospheric pressure, even if the pitch between the wafers 5 is changed, the structure is simpler than that in the case of under vacuum, and the manufacturing cost is low. Can be suppressed.

【0087】上記のように、大気圧下でウェーハ5間の
ピッチを可変とし減圧下ではウェーハ5間のピッチを固
定して、複数枚のウェーハ5を同時に搬送するようにす
れば、搬送装置の製造コストを低減でき、搬送装置の大
型化が抑制され、しかもパーティクルの発生が抑制され
てウェーハ5をクリーンな環境で搬送することができ
る。さらに、複数枚のウェーハ5を同時に搬送するの
で、スループットが向上し、ウェーハ5間のピッチが可
変であるので、反応室70内において高精度でウェーハ
処理が行えるウェーハ5間のピッチに変換できる。
As described above, if the pitch between the wafers 5 is variable under atmospheric pressure and the pitch between the wafers 5 is fixed under reduced pressure so that a plurality of wafers 5 can be transferred at the same time, The manufacturing cost can be reduced, the size of the transfer device can be prevented from increasing, and the generation of particles can be suppressed, so that the wafer 5 can be transferred in a clean environment. Further, since a plurality of wafers 5 are transferred at the same time, the throughput is improved and the pitch between the wafers 5 is variable, so that the wafers 5 can be converted into a pitch between the wafers 5 that allows highly accurate wafer processing in the reaction chamber 70.

【0088】なお、本実施の形態においては、ウェーハ
搬送室50のウェーハ搬送室壁53とウェーハ搬送室壁
54とを互いに対向させて、反応室70と、ウェーハ搬
送室50と、ウェーハ収容室30とをほぼ一直線上に配
置し、ウェーハ搬送室50を平面図的には矩形状として
いる。ウェーハ搬送室50が矩形状であると、ウェーハ
搬送室50を小さくしてその専有面積を減少させること
ができて、半導体ウェーハ処理装置1によるクリーンル
ームの専有面積を減少させることができる。また、矩形
状であると、ウェーハ搬送室50の製作コストも減少さ
せることができる。メンテナンス領域も減少させること
ができる。さらに、ウェーハ搬送室50を他のウェーハ
搬送室等と接続する距離もより短くできて、その接続部
にウェーハ搬送機を設けなくてもウェーハ搬送室50と
他のウェーハ搬送室等との間でウェーハ5を容易に移載
できるようになり、半導体ウェーハ処理装置1が、その
分、簡単な構造となり、安価に製造できるようになる。
また、反応室70と、ウェーハ搬送室50と、ウェーハ
収容室30とをほぼ一直線上に配置しているから、この
ような構成の半導体ウェーハ処理装置ユニットを複数容
易に平行に配置して、専有面積を小さくできる。
In this embodiment, the wafer transfer chamber wall 53 and the wafer transfer chamber wall 54 of the wafer transfer chamber 50 are made to face each other, and the reaction chamber 70, the wafer transfer chamber 50, and the wafer storage chamber 30 are placed. And are arranged on a substantially straight line, and the wafer transfer chamber 50 has a rectangular shape in a plan view. When the wafer transfer chamber 50 has a rectangular shape, the wafer transfer chamber 50 can be reduced in size to reduce its occupied area, and the occupied area of the clean room of the semiconductor wafer processing apparatus 1 can be reduced. Further, the rectangular shape can reduce the manufacturing cost of the wafer transfer chamber 50. The maintenance area can also be reduced. Furthermore, the distance for connecting the wafer transfer chamber 50 to other wafer transfer chambers can be shortened, and the wafer transfer chamber 50 and other wafer transfer chambers can be connected without providing a wafer transfer device at the connecting portion. The wafer 5 can be easily transferred, and the semiconductor wafer processing apparatus 1 has a simple structure accordingly and can be manufactured at low cost.
Further, since the reaction chamber 70, the wafer transfer chamber 50, and the wafer storage chamber 30 are arranged on a substantially straight line, a plurality of semiconductor wafer processing apparatus units having such a configuration can be easily arranged in parallel to each other, and the exclusive use can be achieved. The area can be reduced.

【0089】図8は本発明の第2の実施の形態の半導体
ウェーハ処理装置を説明するための断面図である。
FIG. 8 is a sectional view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.

【0090】本実施の形態の半導体ウェーハ処理装置1
は、反応室70、ウェーハ搬送室50、ウェーハ収容室
30を筺体900の下方に設け、ウェーハ搬送真空ロボ
ット60、このウェーハ搬送真空ロボット60を昇降さ
せるねじ軸561等を筺体900の上方に設けた点が第
一の実施の形態の半導体ウェーハ処理装置と異なるが、
他の点は同様である。
Semiconductor wafer processing apparatus 1 of this embodiment
The reaction chamber 70, the wafer transfer chamber 50, and the wafer storage chamber 30 are provided below the housing 900, and the wafer transfer vacuum robot 60, the screw shaft 561 for moving the wafer transfer vacuum robot 60 up and down, and the like are provided above the housing 900. Although the point is different from the semiconductor wafer processing apparatus of the first embodiment,
The other points are the same.

【0091】図9は、本発明の第3の実施の形態の半導
体ウェーハ処理装置を説明するための断面図である。
FIG. 9 is a sectional view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.

【0092】本実施の形態では、6個の反応室70をウ
ェーハ搬送室50のウェーハ搬送室壁53に鉛直方向に
互いに離間して積層し、4個のウェーハ収容室30をウ
ェーハ搬送室50のウェーハ搬送室壁54に鉛直方向に
互いに離間して積層している。このように、反応室7
0、ウェーハ収容室30の数が増加しているので、ウェ
ーハ搬送室50の高さも高くなっている。このように多
数の反応室70やウェーハ収容室30を筺体900内に
設けるために、本実施の形態においては、ウェーハ搬送
室50の凸部52、ねじ軸561、ベロー562、ウェ
ーハ搬送真空ロボット支持棒563の一部を筺体900
から突出させている。これらを筺体900から突出させ
て設けることにより、これらをクリーンルームの床面か
ら下側に突出させることが可能になり、その結果、ウェ
ーハ搬送室50の高さを高くできて、より多くの反応室
70を鉛直方向に積層でき、また、より多くのウェーハ
収容室30も鉛直方向に積層できて、より多くのウェー
ハを少ない専有面積で処理できるようになる。
In this embodiment, the six reaction chambers 70 are stacked vertically on the wafer transfer chamber wall 53 of the wafer transfer chamber 50 so as to be separated from each other, and the four wafer storage chambers 30 are stacked in the wafer transfer chamber 50. The wafers are stacked on the wafer transfer chamber wall 54 so as to be vertically separated from each other. In this way, the reaction chamber 7
0, since the number of wafer storage chambers 30 is increasing, the height of the wafer transfer chamber 50 is also high. In order to provide a large number of reaction chambers 70 and wafer accommodating chambers 30 in the housing 900 in this way, in the present embodiment, the convex portion 52 of the wafer transfer chamber 50, the screw shaft 561, the bellows 562, and the wafer transfer vacuum robot support. A part of the bar 563 is a housing 900
Protruding from. By projecting these from the housing 900, it is possible to project them downward from the floor surface of the clean room, and as a result, the height of the wafer transfer chamber 50 can be increased and more reaction chambers can be provided. 70 can be stacked vertically, and more wafer storage chambers 30 can also be stacked vertically, so that more wafers can be processed with a small occupied area.

【0093】図10は、本発明の第4の実施の形態の半
導体ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。
FIG. 10 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention.

【0094】本実施の形態においては、反応室70(7
0’)と、ウェーハ搬送室50(50’)と、ウェーハ
収容室30(30’)と、カセット搬送兼ウェーハ搬送
機20(20’)と、カセット棚11(11’)とをほ
ぼ一直線上に配置した構成の半導体ウェーハ処理装置ユ
ニット2(2’)を平行に配置している。反応室70
(70’)と、ウェーハ搬送室50(50’)と、ウェ
ーハ収容室30(30’)と、カセット搬送兼ウェーハ
搬送機20(20’)と、カセット棚11(11’)と
をほぼ一直線上に配置しているから、このような構成の
半導体ウェーハ処理装置ユニット2、2’を容易に平行
に配置して、装置全体の専有面積を小さくできる。
In this embodiment, the reaction chamber 70 (7
0 '), the wafer transfer chamber 50 (50'), the wafer storage chamber 30 (30 '), the cassette transfer / wafer transfer device 20 (20'), and the cassette shelf 11 (11 ') on a substantially straight line. The semiconductor wafer processing apparatus unit 2 (2 ′) having the configuration arranged in FIG. Reaction chamber 70
(70 '), the wafer transfer chamber 50 (50'), the wafer accommodating chamber 30 (30 '), the cassette transfer / wafer transfer device 20 (20'), and the cassette shelf 11 (11 ') are almost directly aligned. Since they are arranged on the line, the semiconductor wafer processing apparatus units 2 and 2'having such a configuration can be easily arranged in parallel, and the area occupied by the entire apparatus can be reduced.

【0095】また、ウェーハ搬送室50(50’)を平
面図的には矩形状としている。ウェーハ搬送室50(5
0’)が矩形状であると、ウェーハ搬送室50とウェー
ハ搬送室50’とを接続する距離も短くできて、その接
続部に設けたウェーハ受け渡し室90にはウェーハ搬送
機を設けなくてもウェーハ搬送室50と他のウェーハ搬
送室50’との間でウェーハを容易に移載できる。従っ
て、半導体ウェーハ処理装置1が、その分、簡単な構造
となり、安価に製造できるようになる。このウェーハ受
け渡し室90は、ウェーハを冷却する冷却室、またはウ
ェーハを予備加熱する予備加熱室としても使用可能であ
る。
The wafer transfer chamber 50 (50 ') is rectangular in plan view. Wafer transfer chamber 50 (5
If 0 ') is rectangular, the distance for connecting the wafer transfer chamber 50 and the wafer transfer chamber 50' can be shortened, and the wafer transfer chamber 90 provided at the connection portion does not need to be provided with a wafer transfer device. A wafer can be easily transferred between the wafer transfer chamber 50 and another wafer transfer chamber 50 '. Therefore, the semiconductor wafer processing apparatus 1 has a correspondingly simple structure and can be manufactured at low cost. The wafer delivery chamber 90 can also be used as a cooling chamber for cooling the wafer or a preheating chamber for preheating the wafer.

【0096】また、反応室70と反応室70’との間の
空間も大きくとれ、半導体ウェーハ処理装置ユニット
2、2’の共有のメンテナンス領域3として使用でき
る。
Further, a large space can be secured between the reaction chamber 70 and the reaction chamber 70 ', which can be used as a common maintenance area 3 for the semiconductor wafer processing apparatus units 2 and 2'.

【0097】図11は、本発明の第5の実施の形態の半
導体ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。
FIG. 11 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention.

【0098】本実施の形態においては、反応室70と、
ウェーハ搬送室50と、ウェーハ収容室30と、カセッ
ト搬送兼ウェーハ搬送機20と、カセット11棚とをほ
ぼ一直線上に配置した構成の本発明に係る半導体ウェー
ハ処理装置ユニット6と、上から見て六角形の形状のウ
ェーハ搬送室150と、ウェーハ搬送室150の側壁に
設けられたカセット室131、132と、反応室17
1、172と、ウェーハ冷却室142とを備えた半導体
ウェーハ処理装置ユニット7とを連結している。
In the present embodiment, the reaction chamber 70,
A wafer transfer chamber 50, a wafer accommodating chamber 30, a cassette transfer / wafer transfer machine 20, and a semiconductor wafer processing apparatus unit 6 according to the present invention having a configuration in which a cassette 11 shelf is arranged in a substantially straight line, as viewed from above. Hexagonal wafer transfer chamber 150, cassette chambers 131 and 132 provided on the sidewall of wafer transfer chamber 150, and reaction chamber 17
1, 172 and the semiconductor wafer processing apparatus unit 7 including the wafer cooling chamber 142 are connected to each other.

【0099】このように、ウェーハ搬送室50は矩形状
をしているので、そのウェーハ搬送室壁51を介して他
の形態の半導体ウェーハ処理装置ユニットと容易に連結
できる。
As described above, since the wafer transfer chamber 50 has a rectangular shape, it can be easily connected to the semiconductor wafer processing apparatus unit of another form through the wafer transfer chamber wall 51.

【0100】本実施の形態においても、ウェーハ搬送室
50とウェーハ搬送室150とを接続する距離も短くで
きて、その接続部に設けたウェーハ受け渡し室90には
ウェーハ搬送機を設けなくてもウェーハ搬送室50とウ
ェーハ搬送室150との間でウェーハを容易に移載でき
る。従って、半導体ウェーハ処理装置全体が、その分、
簡単な構造となり、安価に製造できるようになる。この
ウェーハ受け渡し室90は、ウェーハを冷却する冷却
室、またはウェーハを予備加熱する予備加熱室としても
使用可能である。
Also in this embodiment, the distance for connecting the wafer transfer chamber 50 and the wafer transfer chamber 150 can be shortened, and the wafer transfer chamber 90 provided at the connecting portion can be provided with no wafer transfer device. A wafer can be easily transferred between the transfer chamber 50 and the wafer transfer chamber 150. Therefore, the entire semiconductor wafer processing equipment
It has a simple structure and can be manufactured at low cost. The wafer delivery chamber 90 can also be used as a cooling chamber for cooling the wafer or a preheating chamber for preheating the wafer.

【0101】図12は、本発明の第6の実施の形態の半
導体ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。
FIG. 12 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the sixth embodiment of the present invention.

【0102】本実施の形態では、ウェーハ搬送室55を
平面的に8角形とし、その7つの各辺に反応室70をそ
れぞれ多段に積層して設けている。
In the present embodiment, the wafer transfer chamber 55 is formed in an octagonal shape in plan view, and the reaction chambers 70 are laminated in multi-tiers on each of the seven sides.

【0103】図13は、本発明の第7の実施の形態の半
導体ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。
FIG. 13 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to the seventh embodiment of the present invention.

【0104】本実施の形態では、図12の反応室70a
を取り外したものと、図12の反応室70bを取り外し
たものとをウェーハ受け渡し室90により連結してい
る。このウェーハ受け渡し室90は、ウェーハを冷却す
る冷却室、またはウェーハを予備加熱する予備加熱室と
しても使用可能である。
In this embodiment, the reaction chamber 70a shown in FIG.
The wafer transfer chamber 90 connects the one obtained by removing the wafer and the one obtained by removing the reaction chamber 70b in FIG. The wafer delivery chamber 90 can also be used as a cooling chamber for cooling the wafer or a preheating chamber for preheating the wafer.

【0105】[0105]

【発明の効果】本発明においては、複数の基板処理室を
鉛直方向に積み重ねて設けているから、基板処理室によ
るクリーンルームの専有面積を減少させることができ、
また、基板搬送室の辺数も減少させて基板搬送室を小さ
くしてその専有面積を減少させることができて、基板処
理装置によるクリーンルームの専有面積を減少させるこ
とができる。
According to the present invention, since a plurality of substrate processing chambers are vertically stacked, the area occupied by the substrate processing chamber in the clean room can be reduced.
Further, the number of sides of the substrate transfer chamber can be reduced to reduce the size of the substrate transfer chamber to reduce its occupied area, and the occupied area of the clean room for the substrate processing apparatus can be reduced.

【0106】また、基板搬送室の辺数を減少させると、
基板搬送室の製作コストも減少させることができ、多方
向のメンテナンス領域も減少させることができる。さら
に、基板搬送室を他の基板搬送室等と接続する距離も短
くできて、その接続部に基板搬送機を設けなくても基板
搬送室と他の基板搬送室等との間で基板を移載できるよ
うになり、基板処理装置が、その分、簡単な構造とな
り、安価に製造できるようになる。
When the number of sides of the substrate transfer chamber is reduced,
The manufacturing cost of the substrate transfer chamber can be reduced, and the maintenance area in multiple directions can be reduced. Furthermore, the distance for connecting the substrate transfer chamber to other substrate transfer chambers can be shortened, and the substrate can be transferred between the substrate transfer chamber and other substrate transfer chambers without providing a substrate transfer machine at the connection part. As a result, the substrate processing apparatus has a simple structure and can be manufactured at low cost.

【0107】さらに、本発明においては、このように鉛
直方向に積み重ねられた複数の基板処理室を互いに離間
して設けているから、いずれかの基板処理室にメンテナ
ンスが必要となった場合に、メンテナンスが必要な基板
処理室のみを容易に取り外すことができ、その基板処理
室のメンテナンスを行っている際にも他の基板処理室を
稼働させることができ、その結果、装置の稼働効率が大
幅に向上する。
Further, according to the present invention, since the plurality of substrate processing chambers vertically stacked in this manner are provided separately from each other, when any one of the substrate processing chambers requires maintenance, Only the substrate processing chamber that requires maintenance can be easily removed, and other substrate processing chambers can be operated even when performing maintenance on that substrate processing chamber, resulting in a significant increase in equipment operating efficiency. Improve to.

【0108】また、複数の基板収容室を前記基板搬送室
の前記一側壁とは異なる他の側壁に鉛直方向に積み重
ね、しかも互いに離間して設けることにより、基板処理
装置によるクリーンルームの専有面積を減少させること
ができ、製作コストも減少させることができ、また、い
ずれかの基板収容室にメンテナンスが必要となった場合
に、メンテナンスが必要な基板収容室のみを容易に取り
外すことができ、その基板収容室のメンテナンスを行っ
ている際にも他の基板収容室を稼働させることができ、
その結果、装置の稼働効率を大幅に向上させることがで
きる。
Also, by arranging a plurality of substrate accommodating chambers vertically on another side wall different from the one side wall of the substrate transfer chamber, and by providing them separately from each other, the area occupied by the substrate processing apparatus in the clean room is reduced. In addition, the manufacturing cost can be reduced, and when maintenance is required for any of the substrate accommodating chambers, only the substrate accommodating chamber requiring maintenance can be easily removed. It is possible to operate other substrate storage chambers while performing maintenance of the storage chamber.
As a result, the operating efficiency of the device can be significantly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態の半導体ウェーハ処
理装置を説明するための平面図である。
FIG. 1 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のXX線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line XX of FIG.

【図3】本発明の第1乃至第7の実施の形態において使
用するウェーハ保持具を説明するための概略斜視図であ
る。
FIG. 3 is a schematic perspective view for explaining a wafer holder used in the first to seventh embodiments of the present invention.

【図4】本発明の第1乃至第7の実施の形態において使
用するウェーハ搬送真空ロボットを説明するための概略
斜視図である。
FIG. 4 is a schematic perspective view for explaining a wafer transfer vacuum robot used in the first to seventh embodiments of the present invention.

【図5】本発明の第1乃至第7の実施の形態において使
用するカセット搬送兼ウェーハ搬送機を説明するための
概略斜視図である。
FIG. 5 is a schematic perspective view for explaining a cassette carrying / wafer carrying machine used in the first to seventh embodiments of the present invention.

【図6】本発明の第1乃至第7の実施の形態において使
用するカセット搬送兼ウェーハ搬送機のピッチ変換機構
を説明するための図であり、図6Aは側面図、図6B
は、図6AのY−Y線より見た背面図である。
6A and 6B are views for explaining the pitch conversion mechanism of the cassette transfer / wafer transfer machine used in the first to seventh embodiments of the present invention, FIG. 6A being a side view, and FIG. 6B.
FIG. 6B is a rear view seen from the line YY of FIG. 6A.

【図7】本発明の第1の実施の形態の半導体ウェーハ処
理装置におけるウェーハの搬送操作を説明するための概
略断面図である。
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view for explaining a wafer transfer operation in the semiconductor wafer processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第2の実施の形態の半導体ウェーハ処
理装置を説明するための断面図である。
FIG. 8 is a sectional view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第3の実施の形態の半導体ウェーハ処
理装置を説明するための断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor wafer processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第4の実施の形態の半導体ウェーハ
処理装置を説明するための平面図である。
FIG. 10 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第5の実施の形態の半導体ウェーハ
処理装置を説明するための平面図である。
FIG. 11 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第6の実施の形態の半導体ウェーハ
処理装置を説明するための平面図である。
FIG. 12 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第7の実施の形態の半導体ウェーハ
処理装置を説明するための平面図である。
FIG. 13 is a plan view for explaining a semiconductor wafer processing apparatus according to a seventh embodiment of the present invention.

【図14】従来の半導体製造装置を説明するための断面
図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view for explaining a conventional semiconductor manufacturing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体ウェーハ処理装置 2、2’、6、7…半導体ウェーハ処理装置ユニット 3…メンテナンス領域 5…ウェーハ 10、10’…カセット 11…カセット棚 12…カセットステージ 13…カセット投入口 20、20’…カセット搬送兼ウェーハ搬送機 21…カセット搬送機 22…カセット搬送アーム 23…ウェーハ搬送機 24、241〜245…ツイーザ 27…カセットホルダー 29、210、211、280、561…ねじ軸 30、30’…ウェーハ収容室 40、40’…ウェーハ保持具 41、42…支柱支持板 43、44…支柱 45…ウェーハ載置用溝 50、50’、55、55’…ウェーハ搬送室 52…凸部 51、51’、53、54…ウェーハ搬送室壁 60、60’…ウェーハ搬送真空ロボット 61…駆動部収容部 62、64、66…回転軸 68…ウェーハ搭載用アーム 69…駆動部 70、70’、70a、70b…反応室 75、75’…ウェーハボート 81、82、83、84…排気配管 90…ウェーハ受け渡し室 91、191…フロントドアバルブ 92、93、94、94’、192、193…ゲートバ
ルブ 100…フロント部 200…大気圧部 220、566…モータ 232〜235、270、565…ナット 250、260…ブロック 300…ロードロックモジュール 500…トランスファ部 501…トランスファモジュール 560…ボールネジ 562…ベロー 563…ウェーハ搬送真空ロボット支持棒 564…昇降台 700…プロセス部 701…プロセスモジュール 900…筺体 901…装置正面 902…装置背面 910…筺体底面
1 ... Semiconductor wafer processing apparatus 2, 2 ', 6, 7 ... Semiconductor wafer processing apparatus unit 3 ... Maintenance area 5 ... Wafer 10, 10' ... Cassette 11 ... Cassette shelf 12 ... Cassette stage 13 ... Cassette loading port 20, 20 ' ... Cassette carrier / wafer carrier 21 ... Cassette carrier 22 ... Cassette carrier arm 23 ... Wafer carrier 24, 241-245 ... Tweezer 27 ... Cassette holder 29, 210, 211, 280, 561 ... Screw shaft 30, 30 '... Wafer accommodating chamber 40, 40 '... Wafer holder 41, 42 ... Strut support plate 43, 44 ... Strut 45 ... Wafer mounting groove 50, 50', 55, 55 '... Wafer transfer chamber 52 ... Convex portion 51, 51 ', 53, 54 ... Wafer transfer chamber walls 60, 60' ... Wafer transfer vacuum robot 61 ... Drive unit accommodating parts 62, 64, 66 ... Rotating shafts 8 ... Wafer mounting arm 69 ... Driving unit 70, 70 ', 70a, 70b ... Reaction chamber 75, 75' ... Wafer boat 81, 82, 83, 84 ... Exhaust pipe 90 ... Wafer transfer chamber 91, 191 ... Front door valve 92, 93, 94, 94 ', 192, 193 ... Gate valve 100 ... Front part 200 ... Atmospheric pressure part 220, 566 ... Motors 232-235, 270, 565 ... Nut 250, 260 ... Block 300 ... Load lock module 500 ... Transfer unit 501 ... Transfer module 560 ... Ball screw 562 ... Bellows 563 ... Wafer transfer vacuum robot support rod 564 ... Elevating table 700 ... Process unit 701 ... Process module 900 ... Housing 901 ... Front of device 902 ... Rear of device 910 ... Bottom of housing

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 久志 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 (72)発明者 綿引 真一郎 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 (72)発明者 吉田 祐治 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 (72)発明者 志村 日出男 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 (72)発明者 杉本 毅 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 (72)発明者 油谷 幸則 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 (72)発明者 池田 和人 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 Fターム(参考) 5F031 CA02 CA11 DA01 DA17 FA01 FA03 FA07 FA09 FA11 FA12 FA15 FA25 GA03 GA40 GA43 GA47 GA49 LA12 LA14 MA02 MA03 MA04 MA13 NA02 NA04 NA05 NA07 NA18 PA06 PA26   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Hisashi Yoshida             3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Stocks             Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Shinichiro Watabiki             3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Stocks             Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Yuji Yoshida             3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Stocks             Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Hideo Shimura             3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Stocks             Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Takeshi Sugimoto             3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Stocks             Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Yukinori Yukitani             3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Stocks             Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Kazuto Ikeda             3-14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Stocks             Hitachi Kokusai Electric Co., Ltd. F-term (reference) 5F031 CA02 CA11 DA01 DA17 FA01                       FA03 FA07 FA09 FA11 FA12                       FA15 FA25 GA03 GA40 GA43                       GA47 GA49 LA12 LA14 MA02                       MA03 MA04 MA13 NA02 NA04                       NA05 NA07 NA18 PA06 PA26

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板搬送室と、 前記基板搬送室の一側壁に隣接された基板処理室であっ
て、鉛直方向に積み重ねられ、互いに離間して設けられ
た複数の基板処理室と、 前記基板搬送室内に設けられた基板搬送機であって、基
板を前記複数の基板処理室に搬送可能な基板搬送機とを
備え、 前記複数の基板処理室の間には、前記複数の基板処理室
のそれぞれが他の基板処理室が前記基板搬送室に取り付
けられた状態で取り外し可能となるような隙間を、鉛直
方向に設けていることを特徴とする基板処理装置。
1. A substrate transfer chamber, a plurality of substrate processing chambers adjacent to one side wall of the substrate transfer chamber, the substrate processing chambers being vertically stacked and separated from each other; A substrate transfer machine provided in a transfer chamber, comprising a substrate transfer machine capable of transferring a substrate to the plurality of substrate processing chambers, and between the plurality of substrate processing chambers, the plurality of substrate processing chambers A substrate processing apparatus, wherein a gap is provided in the vertical direction so that each of the other substrate processing chambers can be removed while being attached to the substrate transfer chamber.
【請求項2】前記基板搬送室の前記一側壁とは異なる他
の側壁に鉛直方向に積み重ねられ、互いに離間して設け
られた複数の基板収容室をさらに有することを特徴とす
る請求項1記載の基板処理装置。
2. A plurality of substrate accommodating chambers, which are vertically stacked on another side wall different from the one side wall of the substrate transfer chamber, and are provided so as to be spaced from each other. Substrate processing equipment.
【請求項3】基板搬送室と、 前記基板搬送室の一側壁に隣接された基板処理室であっ
て、鉛直方向に積み重ねられ、互いに離間して設けられ
た複数の基板処理室からなり、前記複数の基板処理室の
それぞれが、前記基板処理室の外部に設けられた真空ポ
ンプにより排気される前記複数の基板処理室と、 前記基板搬送室内に設けられた基板搬送機であって、基
板を前記複数の基板処理室に搬送可能な基板搬送機と、 を備えることを特徴とする基板処理装置。
3. A substrate transfer chamber, and a substrate processing chamber adjacent to one side wall of the substrate transfer chamber, the substrate processing chambers being vertically stacked and separated from each other. Each of the plurality of substrate processing chambers is a plurality of substrate processing chambers exhausted by a vacuum pump provided outside the substrate processing chamber, and a substrate transfer machine provided in the substrate transfer chamber. A substrate processing apparatus capable of transferring the substrate to the plurality of substrate processing chambers.
【請求項4】基板搬送室と、 前記基板搬送室の一側壁に隣接された基板処理室であっ
て、鉛直方向に積み重ねられ、互いに離間して設けられ
た複数の基板処理室と、 前記基板搬送室内に設けられた基板搬送機であって、基
板を前記複数の基板処理室に搬送可能な基板搬送機とを
備え、 前記複数の基板処理室の間には、前記複数の基板処理室
のそれぞれが他の基板処理室が前記基板搬送室に取り付
けられた状態で取り外し可能となるような隙間を、鉛直
方向に設けており、前記基板搬送機により、基板を前記
基板搬送室から前記基板処理室に搬送し、次いで前記基
板を前記基板処理室にて処理することを特徴とする基板
処理方法。
4. A substrate transfer chamber, a plurality of substrate processing chambers adjacent to one side wall of the substrate transfer chamber, the substrate processing chambers being vertically stacked and spaced from each other, and the substrate. A substrate transfer machine provided in a transfer chamber, comprising a substrate transfer machine capable of transferring a substrate to the plurality of substrate processing chambers, and between the plurality of substrate processing chambers, the plurality of substrate processing chambers A gap is provided in the vertical direction so that each of the other substrate processing chambers can be removed while being attached to the substrate transfer chamber, and the substrate is transferred from the substrate transfer chamber to the substrate processing unit by the substrate transfer machine. A method of processing a substrate, which comprises transporting the substrate to a chamber and then processing the substrate in the substrate processing chamber.
【請求項5】基板搬送室と、 前記基板搬送室の一側壁に隣接された基板処理室であっ
て、鉛直方向に積み重ねられ、互いに離間して設けられ
た複数の基板処理室からなり、前記複数の基板処理室の
それぞれが、前記基板処置室の外部に設けられた真空ポ
ンプにより排気される前記複数の基板処理室と、 前記基板搬送室内に設けられた基板搬送機であって、基
板を前記複数の基板処理室に搬送可能な基板搬送機とを
備え、前記基板搬送機により、基板を前記基板搬送室か
ら前記基板処理室に搬送し、次いで前記基板を前記基板
処理室にて処理することを特徴とする基板処理方法。
5. A substrate transfer chamber, and a substrate processing chamber adjacent to one side wall of the substrate transfer chamber, the substrate processing chambers being vertically stacked and separated from each other. Each of the plurality of substrate processing chambers is a plurality of substrate processing chambers that are evacuated by a vacuum pump provided outside the substrate processing chamber, and a substrate transfer machine that is provided in the substrate transfer chamber. A substrate transporter capable of transporting to the plurality of substrate processing chambers, the substrate transporting device transports a substrate from the substrate transport chamber to the substrate processing chamber, and then processes the substrate in the substrate processing chamber. A substrate processing method characterized by the above.
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