JP2002539639A - 構造化された表面層の横方向アンダーカット乃至サイドエッチングの拡がりを測定する装置及び方法 - Google Patents

構造化された表面層の横方向アンダーカット乃至サイドエッチングの拡がりを測定する装置及び方法

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Abstract

(57)【要約】 犠牲層（２１）上に構造化された表面層（２３）の少なくとも領域を限定した横方向アンダーカット乃至サイドエッチングの拡がりを測定する装置及び方法が提案されている。構造化された表面層（２３）は、領域を限定して少なくとも受動電子構成部（３１）を有しており、該受動電子構成部（３１）を用いて、横方向アンダーカットの拡がりに比例する物理的な測定量を測定することができる。この装置を形成するための本発明の方法が提案されており、先ず、構造化された表面層（２３）上に、第１のエッチング方法で、表面層（２１）に少なくとも領域を限定して、構造形成によりトレンチ溝（１５′）を設け、第２のエッチング方法で、トレンチ溝（１５′）から出発して、少なくとも領域を限定して、構造化された表面層（２３）の横方向アンダーカットを行うことができる。その際、第１のエッチング方法で、表面層（２３）から、領域を限定して少なくとも１つの受動電子構成部（３１）を構造形成し、この受動電子構成部は、表面層（２３）の後続のアンダーカットの際、同様にアンダーカットされる。物理的な測定量が、無接触で、有利には、電磁ビームを受動構成素子（３１）内に入射することによって測定される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、犠牲層上に構造化された表面層の少なくとも領域を限定した横方向
アンダーカット乃至サイドエッチングの拡がりを測定する装置、及び、犠牲層上
に構造化された表面層の横方向アンダーカットの拡がりを測定する方法であって
、その際、第１のエッチング方法で、表面層に少なくとも領域を限定して、構造
形成によりトレンチ溝を設け、第２のエッチング方法で、トレンチ溝から出発し
て、少なくとも領域を限定して、構造化された表面層の横方向アンダーカットを
行う方法に関する。
【０００２】 表面マイクロメカニックな構造をシリコン層内にフッ化水素酸蒸気内でエッチ
ングし、シリコン製の構造化された表面層のアンダーカットを達成するために、
酸化シリコン製の犠牲層を、構造化すべき表面層の下側に堆積することが公知で
ある。その際、フッ化水素酸蒸気は、犠牲層のエッチングの際、構造化された表
面層を純粋に時間制御してアンダーカットし、その結果、各々犠牲層に達するア
ンダーカット幅が、例えば、表面層内に空き(freistehender)センサ構造を所定
のように開ける(Freilegung)ために、フッ化水素酸蒸気アンダーカットの経過中
、直接測定可能でないか、乃至、エッチング中、制御可能でない。従って、不所
望にもエッチングが短すぎたり、長すぎたりする危険性が絶えずある。例えば、
エッチングが長すぎると、ウエーハ上の構造が破壊されることがあり、その際、
ウエーハ上の構造が、例えば、基板から外れたりする。
【０００３】 従って、本発明の課題は、アンダーカット中構造化された表面層の達成される
アンダーカット幅乃至アンダーカットの拡がりを測定することができる方法及び
／又はこの方法の実施に適した装置を提供することにある。
【０００４】 発明の利点 独立請求項の特徴要件を持った本発明の方法及び本発明の装置が従来技術に対
して有している利点は、構造化された表面層の横方向アンダーカットの拡がりを
、犠牲層のエッチングによって、その場で直ぐに、即ち、アンダーカットの間、
時間の関数として測定し、それにより、この拡がりを制御して調整することがで
きるという点にある。
【０００５】 そのために、表面層から領域を限定して付加的に少なくとも１つの受動電子構
成部品が構造形成され、この構成部品は、表面層のアンダーカットの際、同様に
アンダーカットされ、アンダーカットの際、アンダーカットの拡がりに比例する
物理的な測定量が特定される。
【０００６】 本発明の有利な実施例は、従属請求項に記載の要件により得られる。
【０００７】 非常に有利には、物理的な測定量は、容量、電磁ビームの吸収又は放出強度、
又は、電磁ビームの吸収又は放射周波数、殊に、共振周波数、又は、吸収又は放
射周波数スペクトルである。その際、有利には、少なくとも１つの送信器を介し
て、第１の信号が放射され、受動電子構成部は、第１の信号により交互に作動さ
れ、その際、第２の信号が形成され、又は、第１の信号が第２の信号に変えられ
、第２の信号は、少なくとも１つの受信器を介して検出される。物理的な測定量
、従って、それに比例するアンダーカットは、その際、第２の信号から測定する
ことができ、又は、第１及び第２の信号の差から測定することができる。
【０００８】 その際、送信器及び受信器は、非常に有利には、本来のエッチング室の外側に
あり、エッチング侵襲、殊に、腐食性のエッチングガス、例えば、HF蒸気、CLF3 ,XeF2等から保護される。従って、それと同時に、非常に有利には、受動電子構
成素子のコスト高な接続及びコンタクティングを行わないで済む。従って、受動
構成素子と送信器乃至受信器の交互作用は、有利には無接触で行われる。
【０００９】 特に有利には、更に、送信器及び受信器は、１つの構成部品、例えば、処理ユ
ニットに統合され、及び／又は、送信器は、それと同時に受信器でもある。殊に
、送信器は、それと同時に受信器でもある場合、非常に有利には、電磁ビーム領
域の変化に応動する送信器の特徴的な電気パラメータ、例えば、内部電圧、電流
又は内部電圧と電流との位相を簡単に検出又は評価することができる。
【００１０】 第１の信号としては、特に有利には、受動電子構成部品に入力結合された、又
は、印加された電圧、入射又は導入された電磁ビームの強度、特に有利には、受
動電子構成部品に入射又は導入された連続的又はパルス状に検出された、所定周
波数又は所定周波数スペクトルの高周波電力又は電磁ビームのチャーピングされ
た(gechirpter)高周波パルスシーケンスである。
【００１１】 同様に、第２の信号は、有利には、電圧、電磁ビームの吸収又は放射強度、又
は、吸収又は放射周波数、例えば、電磁ビームの共振周波数又は周波数スペクト
ルである。
【００１２】 更に、特に有利には、受動電子構成部品は、構造化されて少なくとも領域を限
定してアンダーカットすべき表面層に付加的に構造形成されたコイルであり、そ
の際、その下側にある基底層は、それと同時に、誘電体としての犠牲層を有する
コンデンサを形成する。このコンデンサの容量Ｃは、構造化された表面層の横方
向アンダーカットの測定すべき拡がりに比例する。従って、コイルと、このコイ
ル及びその下側に位置している基底層で構成されたコンデンサは、共振周波数ｆ 0 のLC振動回路を構成し、該振動回路の変化分Δｆ0は、表面層の領域を限定した
横方向アンダーカットの測定すべき拡がりに比例する。その際、有利には、受動
電子構成部品として付加的に構造形成されたコイルの両コイル端の内の少なくと
も１つの拡がりが、コイル端が完全にはアンダーカットされないように大きさを
選定される。従って、コイルは、常に、少なくとも一方が、基底層上に取り付け
られ、例えば、落とされない。
【００１３】 基底層の材料としては、特に、シリコン又はシリコンウエーハが適している。
表面層は、有利には同様に、電気特性を改善するようにドーピングされており、
及び／又は、表面を金属化されている。犠牲層としては、有利には、少なくとも
、受動電子構成部乃至コイルの領域内で電気的に絶縁された材料、例えば、二酸
化シリコンが適している。
【００１４】 本発明の方法は、例えば、HF蒸気又はガス期間、例えば、ClF3,BrF3又はXeF2
内での殊に所定のアンダーカットに適しており、従って、構造化された表面内に
空きセンサ構造を形成するのに適している。一般的には、液体エッチング媒体、
例えば、フッ化水素酸水溶液を使用するのには適していない。と言うのは、電解
質内に高周波ビームを入射させるのは、強い放射蒸気のために困難であるからで
ある。
【００１５】 図面 以下、本発明について図示の実施例を用いて説明する。図１は、構造化された
表面層を有する層配列構造の断面図、図２は、図１の平面図、図３は、付加的な
外部構成郡を有する図１の層配列構造の別の実施例を示す。
【００１６】 実施例 図１には、構造化された表面層２３、犠牲層２１及び基底層２０を有する層配
列構造が示されている。表面層２３は、表面が金属化されたシリコン又はポリシ
リコン製であり、二酸化シリコン製の犠牲層２１及び基底層２０は、シリコンウ
エーハによって形成されている。その種の構成は、例えば、ドイツ連邦共和国特
許出願公開第１９８４７４５５．５号公報に記載されている。表面層２３からは
、更に、領域を限定して少なくとも１つの受動電子構成部品３１が、コイル３０
の形式で構造形成されており、その際、コイル３０は、第１のコイル端１３及び
第２のコイル端１２並びにコイル巻線１４を有しており、コイル巻線１４は、表
面層２３内に構造化されていて犠牲層２１に至る迄深さが達しているトレンチ溝
１５を介して相互に分離されている。第１のコイル端１３は、スルーコンタクト
(Durchkontaktierung)２２を介して導電性の基底層２０と接続されている。従っ
て、インダクタンスＬのコイル３０は、基底層２０及び誘電体としての犠牲層２
１と共に容量Ｃのコンデンサを形成する。
【００１７】 更に、構造化された犠牲層２３から、少なくとも１つのアンダーカット又はス
ペースを空けるべき構造体１１が、トレンチ溝１５′を介して構造形成されてお
り、その際、トレンチ溝１５′も、深さが犠牲層２１に至る迄達している。実際
には、表面層２３からは、多数の、場合によっては異なった構造体１１が構造形
成されており、一般的には、最大１つの受動電子構成部品３１があれば、横方向
アンダーカットの拡がりの測定のためには十分である。その際、構造体１１の形
状は、何ら限定とはならない。その際、空けるべき構造体１１を、マイクロ振動
ミラー、又は単に表面層２３の領域にしてもよい。その際、例えば、構造体１１
は、トレンチ溝１５′によって囲まれている必要はなく、トレンチ溝１５′（例
えば、ホールとして構成してもよい）の上にだけ、構造体１１の横方向アンダー
カットを行うことができれば十分である。
【００１８】 図２には、図１の平面図が示されており、その際、コイル３０は、この場合、
例えば、構造体１１の直ぐ近傍に設けられており、構造体１１は、完全に、又は
、部分的にアンダーカットすべきプレート１１であり、その際、アンダーカット
の拡がりは、受動電子構成部品３１乃至コイル３０を用いて決めることができる
。更に、第１及び第２のコイル端１２，１３は、各々コイル巻線１４に比して大
きな面積で形成されていて、それにより、少なくとも１つのコイル端１２又は１
３の完全なアンダーカットを回避することができる。コイル端１２，１３の回路
定数選定、コイル巻線１４の数、トレンチ溝１５及び１５′の幅、及び、コイル
３０の形状（図２では、単に例として、直角のミアンダーの形状で構成されてい
る）は、個々の場合に、アンダーカットの特定すべき横方向の拡がりを用いて得
られる。この大きさに関しては、図１〜３は、尺度通りに理解することはできな
い。例えば、コイル３０の巻線は、螺旋状に形成してもよく、コイル端１２，１
３によって占められている面は、構造体１１の面よりも明らかに大きくすること
ができ、トレンチ溝１５の幅は、構造体１１の幅と比較可能であるようにするこ
とができる。各個別構成群の適切な回路定数選定は、当業者ならば、具体的な場
合に簡単な考察及び試行により行うことができる。その際、回路定数選定は、例
えば、作動させたい周波数領域に依存して行ってもよい。
【００１９】 図３には、図１の実施例を、それ以外の外部構成群と一緒に示した図が示され
ている。その際、外部送信器４３によって第１の信号が送信され、この第１の信
号は、受動電子構成部品３１乃至コイル３０に交互に作用し、そうすることによ
って、第１の信号が第２の信号に変えられるか、又は、第２の信号が送信される
。それから、受信器４４は、この第２の信号を受信する。その際、送信器４３及
び受信器４４は、連続的（送受信を同時に）に作動してもよく、交互に（送受信
を交互に）作動してもよい。更に、相関器４５が設けられており、この相関器は
、物理的測定量を、公知のやり方で第２の信号から、又は、第１及び第２の信号
間の差から特定する。従って、図３では、送信器４３、受信器４４及び相関器４
５は、処理ユニット４０を構成し、この処理ユニットは、シリコンウエーハの外
側に載置され、コイル３０、乃至、コイル３０及び基底層２０によって形成され
た振動回路と無接触で、電磁ビームを介して交互作用する。従って、処理ユニッ
ト４０は、固有のエッチング装置の外側に設けてもよく、そこでは腐食性のエッ
チング媒体に侵襲されない。従って、コイル３０と接続する必要もない。
【００２０】 図３には、例えば、公知のやり方でフッ化水素酸蒸気内で、トレンチ溝１５、
１５′の底部のエッチング領域５０及び５０′から出発して、犠牲層２１のエッ
チングによる構造化された表面層２３のアンダーカットの様子が更に示されてい
る。
【００２１】 詳細には、図１により説明した実施例では、シリコンウエーハ上に基底層２０
として先ず二酸化シリコン層が犠牲層２１として堆積される。それから、この犠
牲層２１上には、表面が金属化されたシリコン又はポリシリコン製の表面層２３
が堆積されている。続いて、表面層２３は、公知のやり方でマスキングを介して
構造化されており、トレンチ溝１５及び１５′が表面層２３内にエッチングされ
ており、このトレンチ溝は、深さが犠牲層２１に迄達している。その際、トレン
チ溝１５′は、少なくとも１つのアンダーカットすべき、殊に、空けるべき構造
体１１を囲んでいる。それと同時に、表面層２３の構造化用のエッチングプロセ
スを用いて、１つ又は複数の受動電子構成部品３１がコイル３０の形式で表面層
２３内にエッチングされ、乃至この表面層から構造化され、その結果、複数のコ
イル巻線１４は、空けられるべき構造１１と同じ犠牲酸化タイプ乃至同じ犠牲層
２３上に配設された表面層２３のシリコン内に構成される。
【００２２】 コイル３０の第１のコイル端１３又は第２のコイル端１２は、付加的に、コン
タクトホールの形式のスルーコンタクト２２を用いて基底層２０と電気的に接続
することができる（図１参照）。択一選択的に、両コイル端１２，１３の内の少
なくとも一方を、空けられるべき構造体１１のアンダーカット中確実に完全には
アンダーカットされない程度に広くすることができ、その結果、コイル３０は、
少なくとも一端を犠牲層２１上に取り付けることができる（図３参照）。更に、
両コイル端１２，１３を、アンダーカットの際に両コイル端が完全にはアンダー
カットされない程度に広くするようにしてもよい。コイル端１２，１３の一方が
広くされず、且つ、アンダーカットの際、空けられるべき構造体１１が完全には
アンダーカットされない場合、アンダーカットの終了後、コイル３０が片方だけ
で保持された構成にすることもできる（但し、各々他方のコイル端が広くされて
いるか、又は、特に有利には、スルーコンタクト２２を用いて基底層２０と接続
されている限りで）。特に有利には、スルーコンタクト２２を介して基底層２０
と接続されたコイル端と、広くされたコイル端とを組み合わせて製造してもよい
。
【００２３】 コイル巻線１４を、このコイル巻線の下側の犠牲層２１の二酸化シリコンと共
に配置構成することにより、基底層２０の方に向かって、コイル巻線１４の長さ
に亘って分布されたキャパシタンスＣのコンデンサを構成することができる。コ
イル３０は、電気導体として同時にインダクタンスＬを有しており、その結果、
どんな場合でも振動回路が形成され、その共振周波数ｆ０は、インダクタンスＬ
及びキャパシタンスＣによって、
【００２４】
【数１】
【００２５】 を介して得られる。有利な実施例では、表面層２３の、コイル３０の領域内の表
面は、例えば、アルミニウム、AlSiCu又はAlSiによって金属化され、その際、こ
の金属化部は、それと同時に構造体１１用のコンタクト材として使うこともでき
る。金属化によって、コイル巻線１４のオーム抵抗を著しく小さくすることがで
き、従って、形成されたＬＣ振動回路のできる限り高い共振の深さを達成するこ
とができる。従って、僅かな電気減衰に基づいて、高い共振の深さによって、形
成される振動回路の共振周波数をシャープに定義することができるようになる。
【００２６】 空気の誘電率εLuft=1に較べた二酸化シリコンの誘電率εOxid=3.88に基づい
て、コイル３０乃至コイル端１４及び／又は１３の下側の犠牲層２１が、フッ化
水素酸蒸気内での横方向アンダーカットによってエッチング除去され、その際、
空気又はフッ化水素酸によって置き換えられる程度に応じて、コンデンサのキャ
パシタンスＣは低減される。誘電体としての犠牲層２１は、アンダーカットの間
、絶えず、その実効誘電係数を変え、その際、アンダーカットの関数として調整
される実効誘電係数は、コイル３０のアンダーカットの横方向の拡がりに比例す
る。コイル３０と基底層２０とから構成されるコンデンサのキャパシタンスＣの
変化に対しては： C=εε0・A/d 及び ΔC=ε0・ΔA/d(εOxid-1) が成り立つ。
【００２７】 その際、ΔAは、アンダーカットによって除去される、コイル３０の下側の犠
牲層２１を示し、dは、コイル３０と基底層２０との間隔、即ち、元々存在して
いた犠牲層２１の厚さを示す。
【００２８】 従って、コイル３０のアンダーカットの測定された横方向の拡がりは、構造体
１１のアンダーカットの横方向の拡がりの尺度である。
【００２９】 振動回路のキャパシタンスΔＣの変化は、ＬＣ振動回路の共振周波数f0の変化
Δf0を介して非常に正確に測定可能であり、その際、１次近似では： Δf0=-1/2(ΔC/C)f0 となる。
【００３０】 その際、振動回路の共振周波数f0の測定技術上の検出又は振動回路の共振周波
数f0の、歩進的なアンダーカットでの変化Δf0は、公知の多様なやり方で行うこ
とができる。入射又は導入された高周波電力の共振吸収及び再放射は、特に適し
ている。そのために、図３の例では、処理ユニット４０として所謂「グリッドデ
ィッパー("Grid-Dipper")」を用いて、フッ化水素酸蒸気内でのアンダーカット
時の高周波が、そのために使用されるエッチング装置内に入射され、エッチング
装置の周波数位置を手動又は自動的に変えることができる。自動的な変化の際に
は、「周波数掃引」又は「ウォブリング」によっても相当することができる。共
振の場合、即ち、外部から供給又は入射された周波数が、振動回路の共振周波数
と一致した場合、振動回路は、少なくとも１つの特徴的な電気的又は物理的な測
定量を変化させ、この測定量が検出される。つまり、受動電子構成部品３１乃至
コイル３０と基底層２０とから構成されたＬＣ振動回路による共振吸収により、
外部の高周波放射領域から放射部側、即ち、送信器４３で、電圧、電流又は電流
と電圧との間の位相が変化し、この変化を測定量として送信器４３自体で検出す
ることができる。そのために、例えば、入射又は導入された高周波の格子電流が
形成されて、高周波発生器として使用される発振器管（電子管）が適しており、
このことから、この測定装置に対して、「グリッドディッパー("Grid-Dipper")
」という名称も導出され、つまり、そのような発信器管の格子電流（グリッド）
が、外部振動回路と共振した場合に良好に測定可能となる（ディップ"ｄｉｐ"）
。
【００３１】 しかし、相応の電気量は、トランジスタ発振器でも、外部振動回路が入射高周
波によって共振され、その際、エネルギが放射領域から得られる場合発生する。
説明している実施例で重要なのは、常に、放射領域内での共振吸収によって変化
している点にあり、この変化が、各々公知の、多様なやり方で検出され、例えば
、その変化の周波数を正確に測定することができる点にある。
【００３２】 別の実施例、殊に、振動回路の共振周波数の測定用の実施例では、コイル３０
を用いて構成された振動回路内に、所謂「チャーピングされた"gechirpte"」高
周波パルスが、送信器４３を介して図３の処理ユニット４０に入射され、即ち、
周波数が所定の時間関数（例えば、リニアな）で急速に変化する高周波パルスが
入射される。その際、「チャーピングされた"gechirpte"」高周波パルスは、そ
の掃引高周波領域を用いて、構成された振動回路の共振周波数も掃引する必要が
あり、それにより、この振動回路は、入射されたパルスの期間中いつかの時点で
共振励起される。それから、各「チャーピングされた"gechirpte"」高周波パル
ス後、送信休止期間中、受信器４４を用いて、電磁放射の放射が振動回路により
測定され（エコー"Echo"）、放射された共振周波数、即ち、測定すべき横方向の
アンダーカットに比例する振動回路の共振周波数の値が、標準周波数測定方法を
用いて検出される。
【００３３】 別の実施例では、既述の実施例を変えて、一連の「チャーピングされた"gechi
rpte"」高周波パルスの代わりに、送信器４３により、一連の広帯域ノイズパル
スが、表面層２３の表面に入射される。即ち、構造形成されたコイル３０を用い
て構成された振動回路の共振周波数を含む、統計的な周波数混合から得られたパ
ルスが入射される。それから、各ノイズパルスの終了時に、送信休止期間中、受
信器４４により、既述のように、ＬＣ振動回路によって放射された高周波電力(
エコー"Echo")が検出され、処理ユニット４０で、その高周波電力の周波数が評
価される。従って、この振動回路は、入射中エネルギを受け取り、その共振周波
数になると直ぐに、この振動回路は、続いて、この周波数を放射する。パルス休
止期間中、再放射(エコー"Echo")は、特に容易に検出可能である。つまり、強力
な送信信号は重畳されていないからである。
【００３４】 物理的な測定量としての振動回路の共振周波数又は共振周波数の変化は、この
実施例でも、横方向のアンダーカットの測定すべき拡がりに比例する。
【００３５】 最後に、送信器４３を介して連続的に広帯域ノイズスペクトルを入射して、こ
の広帯域ノイズスペクトルを送信器４４を用いて連続的に検出することもできる
。ＬＣ振動回路は、その共振周波数を中心にして狭帯域で放射するので、この場
合、重畳された送信信号をＬＣ振動回路の放射から高い信頼度で簡単に分離し、
ＬＣ振動回路の放射を識別することができる。
【００３６】 振動回路の共振周波数の他に、振動回路によって吸収又は放射された、電磁放
射の強度又は放射領域内での位相変化は、物理的な測定量としてのアンダーカッ
トの関数として適している。
【図面の簡単な説明】
【図１】 構造化された表面層を有する層配列構造の断面図
【図２】 図１の平面図
【図３】 付加的な外部構成郡を有する図１の層配列構造の別の実施例を示す図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アンドレア シルプ ドイツ連邦共和国 シュヴェービッシュ グミュント ゼーレンバッハヴェーク 15 Ｆターム(参考） 4M106 AA01 BA04 BA07 BA08 BA09 CA70 【要約の続き】 で、有利には、電磁ビームを受動構成素子（３１）内に 入射することによって測定される。

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 犠牲層（２１）上に構造化された表面層（２３）の少なくと
    も領域を限定した横方向アンダーカット乃至サイドエッチングの拡がりを測定す
    る装置において、 構造化された表面層（２３）は、領域を限定して少なくとも受動電子構成部（３
    １）を有しており、該受動電子構成部（３１）を用いて、横方向アンダーカット
    の拡がりに比例する物理的な測定量を測定することができる ことを特徴とする装置。
  2. 【請求項２】 物理的な測定量は、容量、電磁ビームの吸収又は放出強度、
    又は、電磁ビームの吸収又は放射周波数、殊に、共振周波数、又は、吸収又は放
    射周波数スペクトルである請求項１記載の装置。
  3. 【請求項３】 少なくとも１つの送信器（４３）を設け、該送信器は、第１
    の信号を検出し、少なくとも１つの受信器（４４）を設け、該受信器（４４）は
    、第２の信号を検出し、その際、受動電子構成部（３１）は、前記第１の信号に
    より交互に作動され、その際、第２の信号を形成し、又は、前記第１の信号を前
    記第２の信号に変える請求項１記載の装置。
  4. 【請求項４】 物理的な測定量は、第２の信号から測定することができ、又
    は、第１及び第２の信号の差から測定することができる請求項３記載の装置。
  5. 【請求項５】 送信器（４３）及び受信器（４４）は、１つの構成部品、例
    えば、処理ユニット（４０）に統合され、及び／又は、前記送信器（４３）は、
    それと同時に受信器（４４）でもある請求項３記載の装置。
  6. 【請求項６】 第１の信号は、受動電子構成部品（３１）に印加された電圧
    、電磁ビームの強度、受動電子構成部品（３１）に入射された連続的又はパルス
    状に検出された、所定周波数又は所定周波数スペクトルの高周波電力又はチャー
    ピングされた(gechirpter)高周波パルスシーケンス又は電磁ビームの広帯域ノイ
    ズパルスであり、第２の信号は、電圧、電磁ビームの吸収又は放射強度、又は、
    周波数、例えば、電磁ビームの共振周波数又は周波数スペクトルである請求項３
    記載の装置。
  7. 【請求項７】 受動電子構成部品（３１）は、表面層（２３）に構造形成さ
    れた、第１のコイル端（１３）と第２のコイル端（１２）とを有するコイル（３
    ０）であり、その際、基底層（２０）を有する前記コイル（３０）は、誘電体と
    しての犠牲層（２３）を有するコンデンサを形成し、該コンデンサの容量Ｃは、
    前記表面層（２３）の横方向アンダーカットの測定すべき拡がりに比例する請求
    項１記載の装置。
  8. 【請求項８】 コイル（３０）は、当該コイルの容量Ｃと共に共振周波数ｆ 0 の振動回路を構成し、該振動回路の変化分Δｆ0は、表面層（２３）の横方向ア
    ンダーカットの測定すべき拡がりに比例する請求項７記載の装置。
  9. 【請求項９】 コンタクトホール（２２）が設けられており、該コンタクト
    ホールは、基底層（２０）を有する両コイル端（１２，１３）の一方と接続され
    ている請求項７記載の装置。
  10. 【請求項１０】 両コイル端（１２，１３）の内の少なくとも一方の拡がり
    は、当該コイル（１２，１３）が完全にはアンダーカットが行われないように回
    路定数選定されている端請求項７記載の装置。
  11. 【請求項１１】 構造形成された表面層（２３）は、少なくとも、受動電子
    構成部品（３１）の領域内で、犠牲層（２１）を介して基底層（２０）から分離
    されている請求項１記載の装置。
  12. 【請求項１２】 基底層（２０）は、少なくとも、広範囲に亘ってシリコン
    又はポリシリコン製であり、又は、シリコンウエーハである請求項１１記載の装
    置。
  13. 【請求項１３】 表面層（２３）は、少なくとも、受動電子構成部品（３１
    ）の領域内で、電気的に少なくとも弱く導電性であり、例えば、シリコン又はポ
    リシリコン又は表面が金属化された、又は、ドーピングされたシリコン又はポリ
    シリコン製である請求項１記載の装置。
  14. 【請求項１４】 犠牲層（２１）は、少なくとも、受動電子構成部品（３１
    ）の領域内で電気的に絶縁されており、例えば、二酸化シリコン層製である請求
    項１記載の装置。
  15. 【請求項１５】 表面層（２３）には、深さが犠牲層（２１）に迄達したト
    レンチ溝（１５，１５’）が設けられている請求項１記載の装置。
  16. 【請求項１６】 トレンチ溝（１５）は、表面層（２３）内にアンダーカッ
    トすべき構造（１１）を限定する請求項１５記載の装置。
  17. 【請求項１７】 犠牲層（２１）上に構造化された表面層（２３）の横方向
    アンダーカットの拡がりを測定する方法であって、その際、第１のエッチング方
    法で、前記表面層（２１）に少なくとも領域を限定して、構造形成によりトレン
    チ溝（１５’）を設け、第２のエッチング方法で、前記トレンチ溝（１５’）か
    ら出発して、少なくとも領域を限定して、構造化された表面層（２３）の横方向
    アンダーカットを行う方法において、 第１のエッチング方法で、表面層（２３）から、領域を限定して少なくとも受動
    電子構成部（３１）を構造形成し、前記表面層（２３）のアンダーカットの際、
    同様にアンダーカットし、該アンダーカットの際、当該アンダーカットの拡がり
    に比例する物理的な測定量を測定することを特徴とする方法。
  18. 【請求項１８】 マスキングを介して、表面層（２３）を構造形成する請求
    項１７記載の方法。
  19. 【請求項１９】 基底層（２０）上に犠牲層（２１）を堆積する請求項１７
    記載の方法。
  20. 【請求項２０】 トレンチ溝（１５）から、エッチングを介して構成部品（
    ３１）を構造形成する請求項１７記載の方法。
  21. 【請求項２１】 コイル（３０）を、受動電子構成部品（３１）として表面
    層（２３）から構造形成する請求項１７記載の方法。
  22. 【請求項２２】 コイル（３０）のアンダーカットの際、当該コイル（３０
    ）と共に構成される振動回路の共振周波数を測定し、該共振周波数から、横方向
    アンダーカットの拡がりを測定する請求項２１記載の方法。
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