JP2002539419A - 整列可能な熱アッセイ - Google Patents

整列可能な熱アッセイ

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Abstract

(57)【要約】 特に、整列される2つ又はそれ以上のサンプルに対して熱サインアッセイを行うための方法および装置が提供され、活性/コントロールの基部熱電対列を使用し、当該方法は、は以下の工程:[a]2つ又はそれ以上の容器のそれぞれにおいて2つ又はそれ以上のサンプルへの熱伝達を行う工程であって、2つ又はそれ以上の容器との熱伝達において少なくとも1つの基部熱電対列を使用する、工程;および[b]工程[a]において基部熱電対列によりサンプルに伝達された全体の熱を測定する工程;および[c]工程[a]を行うことから得られる2つ又はそれ以上のサンプルのうちの第1のサンプルと第2のサンプルとの間の温度差を実時間で検知する工程、を包含する。

Description

【発明の詳細な説明】
本出願は、1998年12月16日に出願されたStabileら、「医薬、
ゲノム、および診断法をスクリーニングするナノサーマル整列」米国仮特許出願
第60/112,629号、および1998年11月3日に出願されたLudi
ngtonら、「熱測定のための整列可能なアプローチ」米国仮特許出願第60
/106,811号の優先権を主張する。 本発明は、生化学的な産物の物理学的な特徴づけのための、ならびに医薬およ
び生物工学的な産物の開発における使用のための、正確な、再現可能な熱量測定
アッセイを許容する、整列可能な熱または熱量測定の測定系に関する。特に、本
発明は、生物学的または化学的サンプルを区別または等級付けするための、特異
的な熱容量またはキャパシタンスにおける変化のような熱サイン(thermal sign
ature)を提供するために、複数のサンプルと熱的に通じている基部熱電対列を
用いる、新規な熱量測定法および装置に関する。これは、セルの整列を有してい
ること、および例えば、熱物理学的アッセイを行うために、使い捨てのチューブ
、マイクロタイタープレート、自動装置による輸送などの使用により容易な自動
化操作を使用するといった系を許容する。 生物学的な熱量測定は、系を同定するための、またはタンパク質へのリガンド
の結合のような相移行もしくは反応を検出するためのマーカーとして使用される
周知の技術である(A.E.Beezer、Biological Calor
imetry、コピーライト1980、Academic Press、New
Yorkを参照のこと)。熱量測定アッセイのため有用な測定法としては、定
圧pにて、熱容量を生じる、独特の状態関数の温度に関する導関数、エンタルピ
ーH、が挙げられる。 C=dH(T)/dT (1) 直接的な熱量測定は、kJ/Kまたは類似の単位において測定される、サンプ
ルの熱容量Cの決定を許容する。選択された温度領域における熱容量を測定す
ることによって、エンタルピーH、続いてサンプルエントロピーSのような他の
状態関数、およびギブズ関数 Gを決定し得る。P.W.Atkins、Phy
sical Chemistry、第6版、W.H.Freeman and
Campany、New York、コピーライト 1997、ISBN 07
16728710を参照のこと。熱容量が、考慮中の物質の量および形状から独
立する、物質の示強性の特性であることを注意することは有用である。対応する
広範な特性は、熱キャパシタンスとして知られ、電気的なキャパシタンスと類似
し、そして含まれる物質の量の関数である。 生体ポリマーおよびタンパク質を含む多くのプロセスが、反応する種のみかけ
の熱容量における検出可能な変化と共に生じる。多くの移行性の、回転性の、お
よび振動性の自由の程度を有するかまたは得る、分子もしくは生化学系は、高い
熱容量Cを有するが、より単純な(例えば、折りたたまれたタンパク質の)系
は、より低い熱容量を有する。熱容量Cを決定することは、それゆえ、重要な
熱物理学的特性を得、そして溶液、タンパク質、および生物学的サンプルについ
てのアッセイおよび構造決定のために使用することができる。このようなアッセ
イおよび構造決定は、サンプルのスクリーニングおよび生化学的産物の合成のた
めに有用であり得る。 大きな熱容量(およびエントロピー)の変化の6つの潜在的な供給源は、タン
パク質を含むプロセスについて同定されている(Julian M、Sturt
evant、Proc.Natl.Acad.Sci.USA、第74巻、第6
号、2236〜2240頁、1977年6月)。中性のpHにて+3080ka
l/K/molの熱容量Cpの変化を生じる、α−キモトリプシンの折りたたみの
ほどけのような、折りたたみがほどけるようなタンパク質構造の変化は、熱容量
において大きな変化を生成し得る。プロセスは、疎水性の影響、ここでは非極性
基が水溶液中の溶質の熱容量を上昇する;静電的な影響、ここでは水溶液中の正
電荷および負電荷の変化の作製が熱容量におけるネガティブな変化を導く;漸増
する温度での水素結合の破壊、ここでは熱容量が増加する;折りたたみのほどけ
およびリガンド結合のような化学的変化によって影響される、分子内振動、ここ
では容易に励起可能な内部振動態様の数の増加が、熱容量の増加を生じる;また
は平衡における変化、ここでは2つ又はそれ以上の状態間の平衡状態の温度を伴
う実際の移行が、熱容量への寄与として実験的に現れる。 タンパク質−リガンド相互作用についての現在の見解は、静電気力が荷電され
た種の結合を駆動すること、ならびに疎水性の表面および極性の表面の包埋が、
反応と関連する熱容量の変化を影響および制御するといったものである。しかし
、静電力がリガンドのイオン性の性質に起因して重要であると予測される一価カ
チオンとタンパク質との相互作用に関して、熱容量の変化は、タンパク質−リガ
ンド認識事象に関与する小さな表面積に起因して小さいことが予測される。しか
し、トロンビンとNa+の生理学的に重要な相互作用の場合、結合はイオン強度
に対する小さい依存性によって特徴付けられるが、−1.1±0.1kcal/
mol/Kの大きなネガティブな熱容量の変化が生じることが見出された(Gu
into、Cera、Biochemistry、第35巻、第27号、880
0〜8804頁を参照のこと)。この変化は、静電効果が、水分子が包埋されて
いる場合の結合または折りたたみをあらわにし、曝露された疎水性表面または共
役配座移行(単一の化学結合についての回転)における変化とは独立した、有意
な熱容量変化を生じているのではないかと提案されている。一般に、一価カチオ
ンがタンパク質に結合することは広範な現象であり、酵素の触媒活性を増強する
際に重要な役割を果たすことができる。タンパク質へのカリウムイオンの結合は
、通常、2つの機構を介して主に達成される。一つの機構では、K+は酵素およ
び基質とともに三次元複合体を形成する(例えば、ATPアーゼ)。他方の機構
では、ピルビン酸キナーゼにおいて見られるように、K+は異なる部位に結合し
、そしてアロステリックな様式において酵素の活性に影響し、それによって酵素
の機能における変化を引き起こす。ナトリウム結合もまた重要であり得、例えば
、Na+活性化酵素は、血液凝固および捕体カスケードに関与している。 荷電された基および極性の基の溶媒和は、通常、小さくおよび単純な分子につ
いてのみ知られるネガティブな熱容量変化を伴う。タンパク質の内部に隔離され
る水分子の熱容量は、減少された移動度およびより整えられた構造のために、大
量の水中よりも有意に低い。リガンド結合またはタンパク質折りたたみに関連し
ている水分子の包埋は、大きなネガティブな熱容量変化を生じ得、これは開示さ
れている発明を使用するアッセイによって検出することができる。 別の例のように、Escherichia coliのL−アラビノース(a
ribinose)結合タンパク質へのL−アラビノース(aribinose
)およびD−ガラクトースの結合は、等温および走査熱量測定によって研究され
ている(Fukada、Sturtevant、Journal of Bio
logical Chemistry、第258巻、第21号、13193〜1
3918頁、1983を参照のこと)。アラビノースとの結合反応は、−15.
3kcal/molのエンタルピーの変化によって特徴付けられ、−0.44k
cal/mol/Kの見かけの熱容量の大きな減少を伴う。しかし、使用されて
いる測定法は非常に大変であり、通常、同時に2つのサンプル(例えば、実験サ
ンプルおよびコントロールサンプルまたは基準サンプル)を用いて行われ、そし
て精巧な実験的および化学的手順を包含する。 熱物理学的アッセイは、生化学的系に対して損傷または未知の不安を引き起こ
すおそれのある蛍光タグまたは放射活性タグのような如何なる外部のまたは付加
される薬剤の使用をも必要としないという利点を有する。熱容量Cはまた、優
れた利点のために使用することができる平衡特性である。即ち、タンパク質に結
合しない小さな分子リガンドの、系の熱容量に対する影響は無視できる程度であ
るので、結合する小さな分子は通常、分子の自由の程度における持続性の変化、
それゆえ系の熱容量Cを引き起こす。従って、多くの測定を、結合事象のあと
にゆっくりと行うことができる。 熱物理学的アッセイはまた、細胞プロセスを解明し得る。1つの特に重要な細
胞タンパク質、カルモジュリン(CAM)は、多くのシグナル伝達プロセスの接
合部に存在するようである。CAMは、異なる構造状態の大きな集団に存在し得
、化学相互作用部位の対応する大きな総体を表すので、多くの異なるプロセスを
調節し得るようである。大部分の分子構造のように、各異なる状態は特徴的な熱
容量Cを有するようである。熱容量特徴づけを介して、CAMを介するシグナ
ル経路のネットワークを解明することは、医薬産業にとって漠大な意味を有する
ようである。熱物理学的技術が細胞機構についての情報を与え得る別の領域は、
ラパマイシンの作用を解明する可能性であり、これはカルシニューリン経路を妨
害することによって免疫抑制を生じることが観察されている。カルシニューリン
は、CAM依存性のホスファターゼである。 現在、直接的な熱量測定観察は、研究下のサンプルにおけるエンタルピーの変
化を決定するための熱分析の精巧な物理学的方法を使用してなされる。1つの公
知の方法である等温滴定熱量測定において、リガンドを含有する第1の溶液は、
高分子または他のレセプターを含有する第2の溶液に増加して滴定される(シリ
ンンジを作動するギア駆動化プランジャーを使用する)。2つの溶液の相互作用
の際に放出または吸収される熱が測定され、そして時間の関数としてプロットさ
れる。高分子はリガンドで飽和されるようになるので、結合熱シグナルは完全な
飽和まで減少し、そこではリガンドの希釈からのバックグラウンドの熱のみが検
出される。Nature、第384巻、491〜492頁、1996年12月5
日;またFreire、E、Mayorga、O.L.、Straume、M.
、Analytical Chemistry、第62巻、950A〜959A
頁(1990)を参照のこと。この技術の重大な欠点は、比較的高い量の反応物
を含有する溶液が必要とされることであり、また特にサンプルがその後、さらな
る合成および投薬形態の作製の一部になる場合に、必要とされる滴定または測定
のハードウエアは整列可能なアッセイを、困難にする。 使用される別の2つの代表的な公知の技術は、差動走査熱量測定(DSC)お
よび差動熱分析(DTA)である。DTAにおいて単一の加熱器が、熱量測定/
時間、ジュール/秒、または類似の単位において測定することができるように、
サンプル皿および参照またはコントロール皿の両方に、一定のあらかじめ決定さ
れた速度で熱エネルギーを分与する。熱動力学的変化がサンプル中で生じる場合
(例えば、結合事象)、またはサンプルと基準との間に熱キャパシタンスにおけ
る生来の差異がある場合、その結果として温度差異ΔTがあり、これはエンタル
ピー変化ΔH、熱容量C、および全体の熱抵抗性Rに比例する。この熱抵抗性
は、DTAおよびDSCの両方に共通であり、2つの成分RおよびRを有す
る。 R=R+R (2) Rは、サンプル、加熱器、および温度計または温度測定装置の熱分離に起因す
る、機器の生来の熱抵抗性である。Rはサンプル自身の熱抵抗性であり、また
サンプルとその容器または皿との間の不完全な熱接触のような他の周囲の因子を
含む。DTAにおいて、熱抵抗性Rがサンプルの特性であるので、Rは基準
との検量を介して決定することができない。その結果、ΔTのプロットはサンプ
ルに依存し、熱キャパシタンスおよび熱容量Cの算定をなすことを非常に困難
にする。 差動走査熱量測定(DSC)は、高い精度および正確さを伴って固体または液
体サンプルにおけるエネルギー変化を研究するために世界中で使用されている周
知の方法である。DSCは、ストレプトアビジンについての一連のアゾベンゼン
リガンドの親和性を測定するために使用されてきた(Weber、P.ら、Jo
urnal of the American Chemical Socie
ty、第16巻、2717〜2724頁、1994を参照のこと)。DSCにお
いては、力補正技術が2つの別々の加熱器、およびサンプルおよび基準を同じ温
度に維持するように操作する2つのコントロールループを介して使用される。第
1のコントロールループは、サンプルおよび基準の両方の平均加熱速度を調節し
、ならびに第2のコントロールループは、サンプルにおける生来の熱物理学的差
異に起因する、または反応の熱のような熱動力学的変化に起因する、サンプルと
基準との間の如何なる温度差異をも排除するために、差動熱力入力qを提供する
。第2のコントロールループと協同して、2つの加熱器へのこの差動熱力入力q
の速度、dq/dt(時間tに関するqの微分係数)が記録され、そして dH/dt=−dq/dt+(C−C)dT/Dt−RCq/dt (3) による熱流動に関連させることができる。サンプルと基準が供される一定の大気
圧とともに、dH/dtは単純に単位時間当たりの熱の吸収の速度であり;dq
/dtは差動力入力に等しく;CおよびCはそれぞれ、サンプルおよび基準
の熱容量であり;TはKelvinにおける温度であり;そしてRは上述のよう
な熱抵抗性である。サンプルおよび基準が比較可能な熱容量を有する場合には右
式の二番目の項は無視できる;右式の最後の項は熱延滞から生じ、サンプルおよ
び基準を可能な限り小さくして、Rを減少することによって最小にすることが
できる。これは、上述の式(2)からの熱抵抗性Rを受容可能なレベルに減少す
る。これらの条件下、良好な近似へのデータ曲線の積分が得られる。 C=dH(T)/dT サ −dq/dt (4) DSC技術および数値的方法は、当該分野において公知である。J.L.Nau
ghton、C.T.Mortimer、Thermochemistry a
nd Thermodynamics、H.A.Skinner編、Butte
rworths、London、第10巻、コピーライト、1975を参照のこ
と。大きなサンプルのサイズのものについては、上述の熱延滞はティアン式の使
用および代替の過剰な熱容量対温度走査への変換(Frederick P.S
chwartz、Biochemistry、第27巻、8429〜8436頁
を参照のこと)によって、補正することができる。 DTAおよびDSC技術の両方は深刻な限界を有する。1つの限界は、DSC
およびDTA測定のために必要とされる高い正確さである。例えば、高分子相互
作用について、活性な濃度が0.3パーセントを下回った場合、熱容量Cに対
する効果は無視できるようになり、全体の1/10パーセント(10−3)の熱
容量に寄与するのみとなる。このような溶液中に高分子を含有する溶液中の熱容
量Cにおける差異を決定することは、非常に正確な熱量測定を必要とする。よ
り新しい走査微量熱量測定技術がしばしば、0.002%内の相対的な熱容量C を測定するために使用される。しかし、これらの熱技術は、利用可能な小さな
サンプル量および正確な測定のために必要とされる実験的な努力の比較的高い量
によって制限される。高い質の生物学的サンプルの均質な調製物は、常には得る
ことができない。 その結果、生物学的な目的の系についての熱容量は一般に、「van‘t H
off分析」を使用して測定され、直接的な熱量測定決定ではなく、これはミリ
モル範囲においてリガンドが結合する系においては行われ得ない(Bioche
mistry、第35巻、第27号、8800〜8804頁、1996)。この
タイプの分析は、ギブス−ヘルムホルツ式を解き、そしてln K対1/Tをプロ
ットすることから得られ、ここでKは研究下の反応についての相対的な反応速度
または平衡定数であり、そして熱容量の変化が目的の温度範囲(例えば、5℃〜
45℃)にわたって一定であると仮定する。この分析は、非熱量測定的な方法に
おいて反応速度Kを決定する工程を包含し、これが整列可能なアッセイを困難に
するものである。 それゆえ、整列可能な熱アッセイを容易にする微測法を許容する、系および方
法が必要とされている。このような系はレセプタータンパク質についての異なる
リガンドの相対的な結合親和性についての情報を、同時に多くのサンプルについ
て提供し得るべきである。熱量測定アッセイ系はまた、典型的にコンビナトリア
ルまたは準コンビナトリアルの様式において、化学的「建設ブロック」または試
薬のような群を組み合わせることによって合成される、化学的または生化学的化
合物の収集物である、コンビナトリアルライブラリーのスクリーニングを容易に
するために必要とされる。莫大な数の化合物が作製され得、理論的に異なる化合
物が100万または1兆(10)において番号付けられる。コンビナトリアル
ライブラリーは、例えば、目的の標的分子と試薬の結合の程度を試験することに
よって、スクリーニングすることができる。繊維状ファージディスプレイペプチ
ドライブラリー(これは組換え技術によって作製されるコンビナトリアルライブ
ラリーの形態である)は、ビオチン標識された抗体、または他のレセプターへの
結合についてスクリーニングすることができる。しばしば、ライブラリースクリ
ーニング技術は、化学的標識またはタグの使用を必要とする。化学的マーカーを
使用せずに、短時間で非常に多くのサンプルについての相対的な結合親和性を獲
得する必要が現実にある。等温滴定熱量測定、差動走査熱量測定(DSC)、お
よび差動熱分析(DTA)では、アプローチに非常に時間がかかる。1日当たり
3回の熱走査が日常的であり、および比較的大きなサンプルサイズであることが
再現性を制限する。 一般に、サンプルサイズは小さくなってきているので、表面/容量比率は増加
し、より低い熱抵抗性Rを許容し、そしてより小さな質量は最小の誤差での時
機を得た温度のランピングを容易にする。整列可能な測定を許容し、ならびにさ
らに最小のおよびアッセイ間で変化しない一定の熱交換特性を有する熱量測定系
を有することが望ましい。高いアッセイ処理能力が、正確さ、および各アッセイ
について一貫した再現可能な結果についての必要性とともに、所望される。好ま
しい系は、変性、リガンド結合、およびミリモル範囲またはそれ以下の活性な分
子による他の変化を検出し得るべきである。 しかし、これらの要求を満たす熱物理学的アッセイ装置は非常に困難であり、
ノイズおよび誤差が出やすい。高い程度の温度測定感度が必要とされ、また10
マイクロケルヴィン以下の最小検出閾値、およびさらにより少ない許容される温
度誤差が必要とされる。 多くの問題が、整列可能な熱物理学的アッセイを困難にしている。どのような
温度駆動アッセイ系を用いても、伝導に起因する熱漏出、対流、および熱(T )照射は結果を、時折予測不可能に歪める。熱漏出は、試験されるサンプルの周
囲の空間における漏出または共役、およびまたクロストークの両方を含み、ここ
で一方のサンプルについて意図される熱エネルギーが他方のサンプルに共役され
る、即ちここで一方のサンプルは、他方のサンプルを「温める」のである。 熱勾配はまた、問題である。なぜなら、特に系が抵抗性のテープまたは他の熱
供給源を減少する他のものを使用して駆動される温度である場合、整列にわたっ
て温度を必要とされる閾値に均一に維持することが困難であるからである。整列
されるサンプルの密封梱包は、熱勾配の影響を最小にし得るが、別の誤差の大き
な供給源を導入する危険がある。なぜなら、密封して梱包されたサンプルはクロ
ストークの影響を増大するからである。試験の過程の間、同じ温度にあるように
サンプルが温度駆動されるきっちりとした温度調節は、以下に考察されるように
クロストークの影響を減少し得る。 サンプルとそれらのそれぞれの容器との間の熱接触、および試験細胞または熱
入力/温度検知装置はまた、誤差の供給源を導入するが、事前の検量および公知
の組成および熱特徴の物質(例えば、実験室等級の脱イオン水)を含む基準サン
プルまたは細胞の使用により、熱抵抗性Rおよびコンダクタンスにおける差異を
大部分補正し得る。 10マイクロケルヴィン感度以下に下げる温度検知についての電気的検知/制
御装置の使用、および熱入力についての活性なデバイスの使用により、電気的ノ
イズおよびドリフトが問題を引き起こす可能性がある。特に、増幅器がドリフト
(drift,漂流物)および他の誤差を引き起こす傾向がある絶対単位系のDCシグナ
ルで表される場合に問題である。 本発明の1つの目的は、熱電装置を使用する整列可能な熱アッセイを許容する
ことであり、ここでは電位差異と温度差異との間の信頼できる関係が固体または
液体物質において利用され、活性な態様(熱入力)とコントロール態様(検知)
との間の切り替えが可能になる。別の目的は、活性な高分子もしくは他の反応物
がわずかミリモル範囲以下にあるサンプル内部の熱容量、および/または実時間
において得られるまたは失われる熱、いずれかを測定する整列可能なアッセイ技
術を提供することである。本発明のさらなる目的は、整列可能な熱アッセイの単
純化されたフィードバックコントロールを許容すること、ならびに熱電装置から
の二重データ供給を使用して、誤差を減少するために公知の組成のより少ない基
準サンプルが必要であることである。又別の目的は、熱電装置を使用して、整列
にわたる熱(温度)勾配を補正、および回避することによって熱アッセイを整列
可能にすることである。さらなる目的は、このような熱物理学的アッセイの温度
検知機能において電気的ノイズおよびおよび測定誤差を減少することである。別
の目的は、本明細書を読むことによって明らかになるであろう。 発明の要旨 本発明の技術を使用して、熱容量を測定し得、ならびに熱アッセイ整列につい
ての温度および時間の関数として熱サインを作製し得、ならびに正確な測定を困
難にするような整列にわたる熱温度勾配と関連する問題を補償または回避し得る
。また、使い捨ての容器を使用し得、および同時にアッセイを駆動しながら迅速
に測定をなし得る。本発明は、整列される2つ又はそれ以上のサンプルに対して
熱アッセイ(例えば、熱サインアッセイ)を行うための方法を包含し、活性/コ
ントロールの基部熱電対列を使用し、当該方法は以下の工程の1つまたはそれ以
上を包含する: [a]2つ又はそれ以上の容器のそれぞれにおいて2つ又はそれ以上のサンプル
に熱伝達を行う工程であって、2つ又はそれ以上の容器との熱伝達において基部
熱電対列を使用するか、または2つ又はそれ以上の容器との熱伝達において局所
的な加熱器を使用する工程; [b]工程[a]において基部熱電対列によりサンプルに伝達された全体の熱を
測定する工程; [c]工程[a]の2つ又はそれ以上のサンプルのうちの第1のサンプルと第2
のサンプルとの間の温度差異を実時間で検知する工程であって、ここで1つの実
施態様において、実時間での検知が、差動熱電対列または個々の基部熱電対列で
行われる工程; [d]温度差異に基づいてさらなる熱伝達調整を行う工程であって、さらなる熱
伝達調整は、第1のサンプルと第2のサンプルとの間でゼロに向かって温度差異
を駆動するために第1のサンプルと第2のサンプルのうちの少なくとも1つにサ
イズ化および標的化される、工程; [e]第1のサンプルおよび第2のサンプルのそれぞれについて工程[d]の間
のさらなる熱伝達調整のサイズを決定する工程; [f]第1のサンプルおよび第2のサンプルのそれぞれについて工程[e]の間
のさらなる熱伝達調整のサイズを比較し、そして工程[e]の間のそれらのそれ
ぞれのさらなる熱調整に関して第1のサンプルおよび第2のサンプルを等級付け
する工程; [g]工程[b]において伝達された全体の熱、および工程[d]の間のさらな
る熱調整のいずれかを使用して、第1のサンプルおよび第2のサンプルのそれぞ
れについての熱キャパシタンスを決定する工程; [h]第1のサンプルおよび第2のサンプルのそれぞれについて、工程[g]に
おいて決定された熱キャパシタンスから、熱容量[C]を算定する工程;なら
びに [i]]第1のサンプルおよび第2のサンプルのそれぞれについて工程[e]の
間のさらなる熱伝達調整のサイズを比較し、そしてそこから第1のサンプルおよ
び第2のサンプルのうちの少なくとも1つの温度におけるランプの間、当該方法
の首尾よい適用からの熱プロフィール(例えば、熱サイン)を生成する工程。 基部熱電対列は、ペルティエ効果を介して電気的に駆動され得、そして基部熱
電対列を使用する熱伝達は、基部熱電対列との接合部との熱伝達において等温プ
レートに関して生じ得る。等温プレートはまた、条加熱器(strip heater)と熱的
に通じていることができ、そして当該方法はさらに、条加熱器を使用して等温プ
レートの温度をランピングする工程を包含する。 必要に応じて、工程[a]は、整列される2つ又はそれ以上のサンプル中の全
てよりも少ないサンプルとの熱伝達において個々の基部熱電対列を使用して、サ
ンプルに熱を伝達する工程を包含する。 本発明は、熱伝達調整が局所的な加熱器を使用して直接的に熱を適用する工程
を包含する方法を含む。このような局所的な加熱器は、抵抗装置;非オーム装置
;エネルギー伝達法として電磁気誘発を利用する装置;光発光によって主に操作
する装置;超音波処理装置;スピーカー;燃熱ベースの加熱を使用する装置;少
なくとも1つのチョッパーを使用する、1つ又はそれ以上のヒートシンクへの曝
露を媒介する装置;加熱のために物質の相移行を利用する化学的な装置;機械的
エネルギーを熱エネルギーに転換する機械的な系;および熱を伝達するためのキ
ャリア媒体のベルヌーイ流動を使用する装置からなる群より選択することができ
る。 工程[d]は、タンパク質または核酸の変性;結合事象;化学反応;相移行;
または細胞の基底もしくは代謝の状態、細胞成分、もしくは組織における変化を
特徴づけるために伝達される全体の正味の熱(または熱変性曲線)を算定する工
程を包含する。工程[b]において伝達される全体の熱は、基部熱電対列のコン
トロール電位をモニターすることによって決定することができる。工程[a]は
また、基部熱電対列を駆動するためにAC波形を適用し、それによって基部熱電
対列による熱伝達の時間変化する速度を作製する工程を包含する。 工程[a]は局所的な加熱器を駆動するためにAC波形を適用し、それによっ
て局所的な加熱器による熱伝達の時間変化する速度を作製する工程を包含し得る
。また、局所的な加熱器を使用する熱伝達は、局所的な加熱器と熱的に通じてい
る等温プレートに関して生じ得る。等温プレートは、条加熱器と熱的に通じてい
ることができ、本方法はさらに、条加熱器を使用しての等温プレートの温度をラ
ンピングする工程を包含する。 本発明はまた、整列される2つ又はそれ以上のサンプルに対して熱アッセイを
行うために活性/コントロールの基部熱電対列を使用する整列可能な熱アッセイ
装置に関する技術を包含し得、装置は、1つ又はそれ以上の以下: [1]整列される2つ又はそれ以上の容器との熱接触における基部熱電対列(B
T)であって、2つ又はそれ以上の容器のそれぞれは2つ又はそれ以上のサンプ
ルのうちの1つを保持する、基部熱電対列; [2]第1の容器との熱接触において第1の向かい合った熱接合部を備え、およ
び第2の容器との熱接触において第2の向かい合った熱接合部を備える差動熱電
対列; [3]それぞれ、第1の容器および第2の容器との個々の熱接触における第1の
局所的な加熱器および第2の局所的な加熱器;を備え、ここで、基部熱電対列が
、2つ又はそれ以上の容器への熱伝達を行うために形成および駆動され、ならび
に差動熱電対列が、第1の容器と第2の容器との間の相対的な温度差異を検知す
るために形成および駆動され;ならびにここで、第1の局所的な加熱器および第
2の局所的な加熱器は、相対的な温度差異に基づいてさらなる熱伝達調整を行う
ために形成および駆動される。2つ又はそれ以上の容器は、マイクロタイタープ
レート中のウェルを含み得る。また、基部熱電対列は、整列される2つ又はそれ
以上のサンプル中の全てよりも少ないサンプルとの熱伝達において、個々の基部
熱電対列であり得る。個々の基部熱電対列は、第1の容器と第2の容器との間の
相対的な温度差異を検知するために、形成およびモニターすることができる。 必要に応じて、第1の局所的な加熱器および第2の局所的な加熱器は、抵抗装
置;非オーム装置;エネルギー伝達法として電磁気誘発を利用する装置;光発光
によって主に操作する装置;超音波処理装置;スピーカー;燃熱ベースの加熱を
使用する装置;少なくとも1つのチョッパーを使用する、1つ又はそれ以上のヒ
ートシンクへの曝露を媒介する装置;加熱のために物質の相移行を利用する化学
的な装置;機械的エネルギーを熱エネルギーに転換する機械的な系;熱を伝達す
るためのキャリア媒体のベルヌーイ流動を使用する装置からなる加熱器の群より
選択される。 必要に応じて、熱量測定決定からノイズおよびドリフトを減少するために相関
される二重サンプリング系を付加し得、この相関される二重サンプリング系は、
以下を備える: 基部熱電対列および差動熱電対列からなる群より選択される少なくとも1つの
熱電対列からの熱電対列出力シグナルについての利得を提供するために連結され
る入力増幅器; 入力増幅器からの入力増幅器出力シグナルに対する利得を提供するために連結
されるAC共役増幅器; AC共役増幅器の出力シグナルに連結される、サンプルおよび保持入力を有す
るサンプルおよび保持回路;ならびに 熱電対列出力シグナルと基準電圧との間の入力増幅器に対して入力増幅器入力
シグナルを循環するための、およびまた、AC共役増幅器からのAC共役増幅器
出力シグナルと基準電圧との間のサンプルおよび保持入力を同時に循環するため
の、チョッパー回路。 定義 以下の定義は本明細書を通じて用いられる: 「AC」(交流)は、周期的に方向を逆転する任意の電流;または変化する極
性の適用される任意の電位を示す。AC波形は、さらなるDC成分を伴ってまた
は伴わないで、反復される単一の極性パルス(以下のパルスを参照のこと)を含
む整流される方形波のような、このように変化する電流の任意の部分または成分
をいう。 「音波」は、空気中の音波をいい得るが、より一般には、アッセイされるサン
プルにおいてまたはアッセイされるサンプルについて使用されるそのような弾性
媒体の特性の任意の変化を含み得る。可能性のある弾性媒体としては、乾燥窒素
または他の気体;水;油;プロピレングリコール;商標、Frecon(登録商
標)(元素炭素およびフルオレン、ならびにその他塩素のようなハロゲン類およ
び水素を含有する脂肪族有機化合物)を保有する任意の化合物のような、冷媒;
砂などが挙げられる。変化することができる特性としては、圧力、粒子もしくは
分子の置換、または密度が挙げられる。最も一般には、これはスピーカー(以下
の定義を参照のこと)によるを除いて、弾性媒体における縦方向の圧縮波を使用
して達成されるが、これはまた、弾性媒体の噴射または流動によって生じ得る。 熱電対列の状況における「活性な」は、ペルティエ効果もしくは他の効果、ま
たは類似の物理学的特長を備える装置を使用する、活性な熱伝達態様を示す。 「追加的熱伝達調整」は、基部熱電対列もしくは個々の熱電対列、または局所
的な加熱器の使用によろうとなかろうと、整列される1つ又はそれ以上のサンプ
ルへの任意のまたは全ての個々のさらなる熱伝達を含む。 「整列」は、このような複数の容器を支持し得る、プラットホームまたは他の
物体を含むキャリアの使用によるように、本発明を実施することを許容する2つ
又はそれ以上の容器を適応するための任意の機械的または電気機械的手段を含む
。これは、多ウェルマイクロプレート、マイクロタイタープレート、およびキャ
リアの任意の組み合わせを含む。このようなキャリアは、サーボ機構に駆動され
る装置を介して移行可能または回転可能であり得る。 「基部熱電対列(ベースサーモパイル)」は、2つの異なるサンプル間のまた
はこれに極めて近接のその向かい合った熱接合部のいずれの2つとではなく、少
なくとも1つのサンプルと熱的に通じている熱電対列を示す。整列される全ての
サンプルと熱的に通じている共通の熱電対列は、これが任意の2つのサンプル間
の向かい合った接合部を含まない限り(差動熱電対列を参照のこと)、この定義
を満たす。 「バイアス」は、伝導体に適用される任意の平均直流(DC)電位をいう。こ
れは、交流(AC)、AC波形、または経時的に平均される場合、全体の電圧に
適用される非ゼロDCを示すパルスを含む。 「容器」は、反応チューブ、マイクロタイタープレート、微量遠心管チューブ
、ピペット、またはマイクロピペット(例えば、0.5ミリリットル以下の容量
を有する)(ラムダ、垂直口径、またはLevyタイプを含む)のような、サン
プルが置かれ得る任意の器またはチャンバーを含む。 「CPU」(中央処理装置)は、所与の機能を行う任意の決定処理装置を示し
;この定義は、全ての処理装置を含むが、同じ機能を行う類似の電気回路を排除
しない。 「DC」(直流)は、一方向にのみにおいて流れる任意の準静的な電流、また
は単一の不変の極性の適用される任意の電位をいう。 「差動熱電対列(ディファレンシャルサーモパイル)」は、その2つの向かい
合った熱接合部、または2つの別々のサンプルと熱的に通じている(サンプル間
でまたはこれに極めて近接)少なくとも2つの向かい合った熱接合部を備える熱
電対列を示す。整列される2つのサンプルセルまたは容器間の熱的に通じている
単一の熱電対列は、これが、サンプルと等温プレートとの間、またはサンプルと
ヒートシンクもしくは微細なラジエターのような周囲の表面との間ではなく(基
部熱電対列を参照のこと)、2つのサンプル間の温度を検知するように、または
熱を伝達するように主に操作する限りこの定義を満たす。 「ドライバー」は、基部熱電対列または加熱器のような1つ又はそれ以上の装
置を操作するための力またはコントロールシグナルを与える全ての装置を含み;
これは供給電流、コントロールシグナルなどを測定または取り込むことによって
操作される装置の作用をモニターするためにまた作用するドライバーを含む。 「ゼロに向かって駆動する」は、量(例えば、温度)の現在の平均がゼロに向
かう傾向がある限り、漸近的に、または「オーバーシュート」を有する方法を含
む任意の他の方法を使用するかのいずれかで、温度差をゼロに向かわせるような
量を駆動するための物理的変化を達成するための手段を意味する。 「反応の熱」は、それぞれ、発熱性反応および吸熱性反応からの放出されるか
、または吸収される熱エネルギーを含む。 「個々の基部熱電対列」は、整列される個々のサンプル、またはサンプルのサ
ブセット(全てよりも少ないサンプル)との熱伝達における熱電対列を示す。 「等温プレート」は、等温面と同義であり得るが、形状において必ずしも平面
ではない。一般に、等温プレートは、1つ又はそれ以上の熱電対列の少なくとも
1つの接合部とインターフェースするためのヒートシンクまたは熱緩衝装置とし
て使用される任意の物体を示す。 「パルス」は、そうでなければ一定である、またはほとんど一定である適用さ
れる電位の迅速な変化をいう。この変化は、基質に対する電荷減衰または電荷漏
出に関して有限の持続である。形状において、パルスまたは一連のパルスは、ス
パイク、またはAC波形の部分もしくは成分に似ていることができる。 「ランピング」は、温度のポジティブな上方への移動、または温度のネガティ
ブな(下方への)移動を引き起こす作用を含む。 「等級付け」は、熱容量Cまたは検出された反応熱もしくはエンタルピーH
の増加のような、それらのそれぞれの熱サインの検出されたいくつかの態様に従
って、2つ又はそれ以上のサンプルを順に並べることを含む。 「レセプター」は、任意の分子もしくは標的分子、またはその部分(これは、
リガンドと結合し得、そしてペプチドを含み得る);タンパク質;1本鎖、2本
鎖、または3本鎖核酸;酵素;非酵素;1量体タンパク質および多量体タンパク
質;オリゴヌクレオチド;合成オリゴヌクレオチド;組換えDNA分子の部分;
または染色体DNAの部分を包含する。このようなレセプターと関連する分子構
造は、補因子、補酵素、補欠分子族、脂質、多糖、リン酸基、ベンゼンまたは芳
香族基、蛍光タグ、蛍光団などを含む置換体での置換を包含し得る。 「実時間での検知」は、時間の関数として反応またはプロセシング工程(例え
ば、抵抗性または熱電加熱)により生ずる熱を示すために意図される、検知また
は測定を示す。 「スピーカー」は、任意の拡声器、トランスデューサー、機械、または装置(
例えば、圧電装置、これは例えば圧力調節を介して音波エネルギーを提供し得る
)をいい得;より一般には、これはアッセイされるサンプルにおいておよびサン
プルについて使用される媒体の特性を変化し得る任意の装置である。 「条加熱器」は、等温プレートと熱接触している任意の加熱装置を含む。 「熱接触」は、2つの実体間で交換される全ての熱エネルギーを含み、ならび
に熱(接触)伝導;任意の流体媒体における対流電流;および熱(黒体)照射を
含む。 「熱変性曲線」は、以下:[1]タンパク質または核酸の変性;[2]サンプ
ルの内部での結合事象または反応;[3]サンプルにおける任意の相移行(例え
ば結晶化)と関連する物理学的変化のような、物理的変化(例えば、熱容量C )を特徴付ける任意のプロットまたはデータセットを含む。このようなデータセ
ットは、温度の関数であることができ、また時間の関数としてのプロットのよう
な任意の他のパラメーター形態であり得る。 「熱サイン(Thermal Signature)」は、熱容量またはキャパシタンスにおける
変化;相移行または結晶化の結果;サンプル中の分子の、折りたたみおよび折り
たたみのほどけ、コイル形成もしくはコイルのほどけ、または、ねじれ形成もし
くはねじれのほどけの全体または部分的な任意の組み合わせに起因する変性のよ
うな、任意の検出可能な熱変化または事象をいう。このような熱変化または事象
は、蛍光のような光子の放出;変性のような分子構造における変化;紫外線のよ
うな光線の吸収;光線または低い振動数の変動する電場のいずれかについての、
電磁気分極特性における変化;酵素活性または電子親和性における変化、溶液中
のイオン性種の導入などから、生じるかまたはこれを包含するものである。 「熱電対列(Thermopile)」は、[1]2つの向かい合った物理学的な接合部(
「熱い」、「冷たい」)の間の熱伝達を達成するための、または[2]2つの向
かい合った物理学的な接合部の間の温度差の指標となるシグナルを検知または生
成するための、ゼーベックもしくはペルティエ効果、または任意の他の熱電効果
を利用する任意の熱電装置を含む。本明細書では多くの連結された熱電対を備え
る従来の熱電対列を特に強調して記載しているが、単一の電対もこの定義を満た
すものである。 本定義はまた、トムソン効果を使用する任意のおよび全ての熱電装置を含み、
このものにおいては電流流動を受ける単一の物質における温度勾配が、熱を吸収
または排除する。これはまた、ネルンスト、Ettingshauzen、およ
びRighi−Leduc効果を用いる装置のような磁場に関連する熱電対列を
また含み、ここでは適用される電位差、磁場方向、および温度勾配または熱流動
の方向が、相互に垂直である。 この定義はまた、熱電対列に機能的に等価であるかまたは等価であるように作
製することができる任意の装置を、任意の組み合わせにおいて、共に操作するか
または互いに近接する、複数の名目的に異なる装置を含むことを許容する。これ
は:任意の熱生成装置(抵抗性加熱器、誘導性加熱器、または燃熱ベースの加熱
を含む);1つ又はそれ以上の障壁を調節することによって媒介される1つ又は
それ以上のヒートシンクへの曝露;レーザーまたは他の光発光/吸収系;化学的
装置(熱についての物質の相移行を利用する装置を含む);誘導的に結合される
はずみ車、羽根車/タービン系、またはスピーカー、噴射、もしくは熱を伝達す
る(付加もしくは除去する)ためのキャリア媒体の流動の使用によるような、運
動を熱エネルギーに転換する機械的な系を含む任意の熱生成装置を含み得るか、
または利用し得る。 「熱を伝達する」は、物理学的実体へのまたは物理学的実体からの熱または熱
エネルギーの任意の伝達を示す。この定義は、例えば、逆バイアスを有する熱電
対列を使用するか、または逆の「p」および「n」タイプの接合部を有する二又
に分けられた熱電対列を使用することによる、サンプルの熱伝達冷却を含む。 電極方向に関して、本発明は時折、容器が基部熱電対列に近接するような場合
に用語「近接」を使用して定義される。この情況において、近接なる用語は、意
図される熱伝達効果に関して、密接、隣接、または単に近いことを意味する。 用語「熱の」が本明細書中で使用されるが、黒体照射頻度または操作温度に関
する制限はなんら意図されておらず、すなわち、単に、用語「熱照射」は、裸眼
によって検出可能な可視光線を放射しない温かいまたは暑い表面を記載するため
に一般人が一般に使用するものであって、本発明が関与する温度に制限があるこ
とを意図するものではないことに注意することが重要である。高い温度(例えば
、3000°K)は、用語「熱」が使用される場合に含まれる。 発明の詳細な説明 ここで図1〜4を参照して、本発明の活性/コントロールの基部熱電対列を使
用する整列可能な熱アッセイ系が示される。図1および2において、2つの熱探
知整列の断面の模式的な側面図が与えられ、5つのセルC1、C2、C3、C4
、およびC5を示す。 セルC1〜C5はそれぞれ、図3において図示されているようにサンプル容器
を含むことができ、ここで図1および2の熱検知整列において使用されるサンプ
ルおよびサンプルホルダーの組み合わせの断面/表面図が示される。即ち、セル
C1に対応するサンプル容器S1が図示されているが、このものは必要に応じて
密封キャップ7を有し、そして低い熱容量またはより優れた熱伝導性を有する、
数値的に制御して作製される(numerical control-machined)銅またはアルミニウ
ムのような、公知の熱伝導性を有する多くの公知の材料から作製することができ
るサンプルホルダー101内に入れ子にされるかまたは配置される。サンプル容
器S1は、反応チューブ、マイクロタイタープレート、微量遠心管チューブ(mic
rofuge tubes)、ピペット、またはマイクロピペット(好ましくは、0.5ミリ
リットルまたはそれ以下の容量を有する)(ラムダ、垂直口径、またはLevy
タイプを含む)のような、サンプルが置かれる任意の器またはチャンバーを含む
ことができる。例えば、サンプル容器S1は、Robbins Scienti
fic(Sunnyvale、CA)から入手可能なような使い捨てのガラスま
たはプラスチックの微量遠心管チューブを、このようなチューブがチューブ間の
それらの次元性において等しく均一であり、および熱キャパシタンスのようにそ
れらの熱特徴において同様に均一である限り、含むことができる。本発明で使用
される典型的なチューブまたはサンプル容器の容量は、200マイクロリットル
またはそれ以下の容量である。熱伝導性を増加させ、そして本来の熱抵抗性R における誤差を減少するために、サンプルホルダー101はサンプル容器S1の
プロフィールと密接に適合するプロフィールを有することができ、そして必要に
応じて有する真空線VACは、サンプル容器S1をサンプルホルダー101とき
っちりとした熱接触または熱伝達がなされるように設計される吸引多岐管に連結
することができる。これによって、サンプル容器S1とサンプルホルダー101
との間の熱インターフェース(Thermal Interface で示される)全体にわたって
、熱伝導性が増加する。サンプルホルダーS1の周囲の環境は、部分的な減圧下
にあり得、複数のサンプル間の対流による熱クロストーク(thermal crosstalk)
を減少する。あるいは、サンプルとそれらのそれぞれのセルとの間の周囲の空間
は、ヘリウムのような低い熱伝導性を有する気体(大気圧またはより大きな圧力
にて)、または乾燥窒素のような低い含水量を有する気体で充填することができ
、蒸発および凝縮の影響を減少し、ならびに外部への拡散または混入を減少する
。サンプル容器S1の内側のサンプル充填容量は変化し得るが、好ましくは、サ
ンプルホルダー101の垂直範囲を超える充填容量は、より高い熱抵抗性R
起因する誤差を減少するために回避されるべきである。200マイクロリッター
のサンプル容器の中間点まで伸長しているサンプルホルダー101について、適
切な充填容量は100マイクロリットル、即ち1/10mLである。また、所望
であれば、サンプルホルダー101は、サンプル容器S1の代わりに使用するこ
とができるが、またはサンプルホルダー101は、サンプルセルC1とともに絶
対必要であり得る。ここで図4を参照して、図1および図2の熱検知整列におい
て使用されるような、差動熱電対列によって分離される、それぞれのセルの内側
のサンプルおよびサンプルホルダーの対の組み合わせの断面/表面図が示される
。密封して梱包されたセルC1およびC2が図示され、それぞれのサンプルホル
ダー101によって保持されるそれぞれのサンプル容器S1およびS2を備えて
いることが示されている。セルC1およびC2は、任意の公知の材料および技術
を使用して作製され得、鋳造物、ガラス、またはアルミニウムのような注文で作
製される金属を含む。十分な熱伝導性を提供すると共に運動または振動からの自
由を提供するために、はんだづけ、溶接、または他の接合術もしくは技術を使用
して、サンプルホルダー101とそれぞれのセルC1およびC2との間で公知の
熱接触を行う。試験されるサンプルに対する反応の危険性、例えば、酸化または
pHの変化の危険性を提示しない材料を、全体を通して選択するように注意が払
われるべきである。セルC1およびC2のケースPは、図示されているような差
動熱電対列DT12のような1つ又はそれ以上の熱電対列との緊密な熱インター
フェースを許容するために、滑らかであるべきであり、また公知のプロフィール
のものであるべきである。差動熱電対列DT12は、その熱接触がセルC1およ
びC2にわたるのでこのように命名されているが、セルC1とC2との間のわず
かな温度差異を検知するために主に使用される。全体を通して使用される熱電対
列は、公知の構造のものであり、図図示されているように向かい合った熱接合部
AおよびBを有する。熱電対列は一般に、連続して連結される多くの熱電対から
作製され、各熱電対は、要求があり次第ゼーベックまたはペルティエ効果のいず
れかを提供するために、類似しない金属の2つの接合部から作製される。このよ
うな装置、およびゼーベックまたはペルティエ効果の考察については、例えば、
Charles Kittel、Introduction to Solid
State Physics、John Wiley and Sons(1
976)、ならびにSensors And Actuators;State
of The Art of Sensor Research and D
evelopment、S.Middelhoek and J.Van de
r Spiegel、Elsevier Sequoia、1987を参照のこ
と。ゼーベック効果においては、向かい合った熱接合部にわたる温度差は、2つ
の向かい合った熱接合部の温度における差異にほぼ比例する起電力の発生を引き
起こす。温度差異は、直接的な熱動力学的結果であり、および標準的な表から読
み取られ得るか、または事前の検量により得られ得る。ペルティエ効果において
は、熱電対または熱電対列の向かい合った熱接合部にわたって適用される起電力
またはバイアスは、電子キャリア流動誘導性の熱伝達機構によって駆動される2
つの接合部間の熱ポンピングおよびその結果としての温度差異を引き起こす。こ
れは典型的には、1つの熱接合部を冷たくし、一方他方を熱くすることを引き起
こす。Stanley W.Angrist、Direct Energy C
onversion 第4版、Allyn and Bacon、コピーライト
、1982を参照のこと。ゼーベックおよびペルティエ効果を提供する典型的な
熱電材料は、BiTe、PbTe、またはGeTeのような半導体である。
あるいは、熱電回路は、純金属またはコンスタンタンと銅との、ミョウバンとク
ロムとの、またはプラチナ−ロジウム合金とプラチナとのような合金の線材をと
もに溶接することによって作製され得、そしてこれらの構造は、当業者によって
知られるように、熱電効果を増強するために連続して電気的に配置することがで
きる。市販の熱電対列は、Melcor Incorporated、Tren
ton、New Jerseyによって製造される熱電対列を含む。 差動熱電対列DT12は、主にゼーベック効果の使用を介する検知および制御
のために、サンプルセルC1とC2との間の熱接触において配置され、セル間の
温度差異の正確、および感度の高い測定を提供する。アッセイの結果が十分遅い
ため温度ランピングまたは変化が生じる場合、セルC1とC2との間で検知され
る温度差異は、セルC1およびC2の内側に保持されるサンプル容器S1および
S2において保持されるサンプル間の実際の温度差異との間に強力な相関がある
。サンプルの空間的配置がセンチメートルの桁である場合の整列について、セル
応答時間定数は、1秒の桁においてである。差動熱電対列DT12の内部が、そ
の向かい合った熱接合部AおよびBの最も近くに類似しない接合部を有すること
が示されているが、任意の熱電構造が同じ結果を達成するために使用することが
でき、このものは熱伝導性が熱バスまたは他の熱伝達器(例えば、銅条または液
体が充填された物体)の使用によって媒介される遠隔的に位置する向かい合った
熱接合部の使用を含む。 もう一度図1を参照して、熱物理学的アッセイへの1つの整列可能なアプロー
チが与えられ得る。各セルの間は、独特な差動熱電対列Dtxyであり、ここで
xはその向かい合った熱接合部の1つと熱接触しているセルの番号であり、およ
びyはもう一方の熱接合部と接触しているセルの番号である。図示されているよ
うに、差動熱電対列DT23は、セルC2およびC3の両方と熱的に通じており
、ならびにその間に位置される。この番号付け系、および差動熱電対列の配置は
、以下に考察されるように2または3次元に拡張することができる。 アッセイを実行するために本明細書中に与えられるアプローチは、図示されて
いるような、2つ又はそれ以上のサンプルセル、およびサンプルへの熱伝達を行
うことで開始する。この目的のために、図示されているような基部熱電対列BT
は、上述で考察されるような類似の操作原理および構成を用いて、セルC1〜C
5の底部との熱接触しているその向かい合った熱接合部の一方を有する。単純性
のために、セルの底部がこの目的のために専用されているが、付加される熱バス
の使用を伴ってまたは伴わないで、セルの任意の表面または表面下を使用するこ
とができる。基部熱電対列BTは、図示されているように全てのセルを接触する
ために使用することができるが、または以下に考察され、および図2において図
示されているように、個々の基部熱電対列も、代わりに使用することができる。
基部熱電対列BTに起電力または電圧を適用することによって、熱はセルC1〜
C5に適用またはこれから除去することができるが、アッセイのための典型的な
操作態様が加熱のために指令され、その結果、温度は最初の周囲の温度から増加
するのである。 基部熱電対列BTの他方の反対側の熱接合部は、銅、または任意の他の熱的に
知られる滑らかな材料から作製することができる必要に応じた等温板またはプレ
ートと熱接触していることができる(Isothermal Plateで示される)。この等温
プレートは、熱ポンプとして作用する場合セルに均一な熱伝達を提供することを
引き出すために、基部熱電対列BTに対し安定なヒートシンクを提供することを
助けるものである。必要に応じて、セルC1〜C5の温度がランプされるような
プロセスに沿って補助するために、従来の抵抗性または他のタイプの条加熱器S
Hが、図示されているように等温プレートの任意の部分に固定され得、そして所
望の温度プロフィールを生じるように図示されているような電気導線SHLを使
用して駆動される。この等温プレートは、温度/温度差異算定における使用のた
めに、独立した装置(示さず)を使用して温度モニターすることができる。 計器測定される熱伝達を提供するために基部熱電対列を使用することによって
、全てのセルに対する均一性を伴って、一定の勾配の熱伝達が提供することがで
きる。事前の検量を使用して、装置固有の熱勾配のような熱伝達における如何な
る非等方性をも正確に補正し得るか、またはこの影響を減少することができる。
この補正は、二次元に広がる多サンプルアッセイにおいて熱物理学的アッセイを
行うことを試みる場合に非常に助けとなる精度および正確さを提供する。プレー
トに伝達するかプレートに結合される望ましくない熱照射の有意な供給源が近く
にないと仮定した場合、等温プレートの使用はなおさらに非等方性を減少するこ
とができる。 上記の手順は変更することができ、また実質的に制限されない多くの方法にお
いて行われ得るが、熱量およびジュールにおいて測定されるような有限の熱伝達
が行われる。熱入力を利用するために、伝達された実際の熱が事前の検量から決
定または推測される。例えば、1秒間、5ボルトの起電力で特定の基部熱電対列
BTを駆動する効果は、公知の量の熱エネルギーを等温プレートからセルに伝達
する。等温プレートの不在下では、周囲の環境がヒートシンクのように作用する
が、対流または他の予測することが難しい力がこれをほとんど望ましくないもの
にすることがある。基部熱電対列の結合される熱接合部の温度における最小の変
化を伴って、熱ポンプとして作用する場合、基部熱電対列BTに熱を与えること
を許容するために、等温プレートを規定されたまたは公知の変化する温度にて維
持することが最も好ましい。伝達される熱を測定することは、時間に関して熱伝
達速度を積分する工程、またはアルゴリズムにおける任意の等価な工程を包含し
得る。 一方、サンプル容器(例えば、サンプルセルC1〜C5に対応するサンプル容
器S1〜S5)の内側で、異なる熱特性を有する、または相変化もしくは熱変化
を受ける異なる分子は、種々のサンプルの温度を互いに区別できるような温度と
させることができる。次いで、これらの温度差異は、差動熱電対列Dtxyによ
って検出される。公知の成分を有する選択されたサンプル、すなわち基準サンプ
ルの使用は、この目的を容易にし得る。 一旦温度差異が基部熱電対列BTによる最初の熱伝達から知られると、さらな
る熱伝達調整が、図示されているように局所的な加熱器H1、H2、H3、H4
、およびH5の使用によって行われ、これらはそれぞれのセルC1〜C5と、ま
たは所望であればそれぞれのサンプルS1〜S5と、個々に熱接触している。局
所的な加熱器が2つの線材装置である場合、それぞれは図示されているような二
重の給電リードHLを有し得る。さらなる熱伝達調整の目的は、セルとそれらの
それぞれのサンプルとの間の温度差異をゼロに駆動することである。このことは
、本質的なデータを提供し、そしてクロストークおよび熱漏出を減少し、そして
データの回収および誤差の減少をより容易にする。任意の数の公知のアルゴリズ
ムが使用され得、そして局所的な加熱器H1〜H5は、さらなる熱伝達調整を担
うサイズおよび供給源(すなわち、局所的な加熱器)が決定されるかまたは公知
である限り、この結果をもたらすことが所望される任意の組み合わせにおいて使
用することができる。例えば、サンプル容器S1の内側の第1のサンプルが最初
の熱伝達の結果として、最も近い隣接のサンプル容器S2の内側の第2のサンプ
ルよりもその温度が10マイクロケルヴィン低くなる場合、「整列」している第
1のサンプルを局所的な加熱器H1を使用して加熱し、温度差異がゼロに向かう
ように駆動することができる。熱量またはジュールにおけるさらなる熱伝達調整
値を追跡または決定することによって(例えば、事前の検量を介する)、サンプ
ルの熱キャパシタンスが得られ得;サンプル量により割ることによって、基本的
な熱動力学的関係を使用して、熱容量が得られ得る。アッセイについての基部熱
電対列BTの操作歴および各局所的な加熱器Hxの操作歴からの情報の両方を使
用して、データ誤差を減少するためにおよび統計学的な信用のレベルを増加する
ために、整列中に「置かれる」公知の組成および熱特徴の任意の基準サンプルに
よって補助されて、各サンプルの熱キャパシタンスを導き得る。ゼーベック効果
が利用されるコントロール態様において基部熱電対列BTを使用することによっ
て、さらなる温度データがより優れた精度または誤差−チェック相関のために得
られ得る。 各場合において、このように生成された熱キャパシタンスまたは熱プロフィー
ルを使用して、各サンプルについての熱サインが生成することができる。 このプロセスは反復され得、基部熱電対列BTによる最初の大量の熱伝達が行
われ、続いてさらなる熱伝達調整が局所的な加熱器Hxによって行われる。等温
プレートでの温度ランプと共同して、このようなアッセイは、目的の温度にわた
って広がり得(例えば、7500秒間、またはより短い間隔を含む任意の間隔の
走査について、0.001℃/秒の増加で25℃〜95℃までの広がり)、ここ
ではサンプルの等級付けまたは比較が迅速になすることができる。局所的な加熱
器によるさらなる熱伝達調整を伴う、基部熱電対列BTによるその後の各熱伝達
によって、温度差異はゼロの近くに維持され、誤差を減少する。 局所的な加熱器Hxは、一般的に使用される抵抗装置のような熱生成装置;ダ
イオードのような非オーム装置;マイクロ波エミッタ−のようなエネルギー伝達
法として電磁誘導を利用する装置;ランプまたはレーザーのような光発光によっ
て主に操作する装置;振動膜のような超音波処理装置;スピーカー;燃焼ベース
の加熱を使用する装置;変調可能な障壁を使用する、1つ又はそれ以上のヒート
シンクへの曝露を媒介する装置;加熱のために物質の相移行を利用する化学的な
装置;機械的エネルギーを熱エネルギーに転換するための任意の機械的な系;ま
たは当業者によって構築され得るような空気または液体噴射のような、熱を伝達
するためのキャリア媒体のベルヌーイ流動を使用する任意の装置からなる大きな
群より選択することができる。 上記したように、基部熱電対列BTは、全てのセルC1〜C5に熱供給を行う
単一の装置である必要はない。図1における断面模式図に類似する熱検知整列の
断面模式図が示されている図2において示されているように、前述のように差動
熱電対列DTxyを使用するが、ここでは個々の基部熱電対列Btx(BT1〜
BT5)を伴っている。ここでxは基部熱電対列によって熱供給をうけるセルの
番号である。基部熱電対列BTを使用する最初の熱伝達が、ここでは個々の基部
熱電対列を使用して達成することができる改変を伴う、上記のアッセイ手順が使
用され得る。例えば、C1のような所与のセルが、他のセルC2〜C5に関して
、単独の基部熱電対列BT1からの決められたまたは独特の熱伝達を得ることが
できる可能性が開ける。このことは、より優れた速さおよび正確さでの、あつら
えられた熱伝達を許容する。さらに、個々の基部熱電対列Btxの使用は、この
ような熱電対列がゼーベック効果態様において操作される場合、ゼーベック効果
を使用する個々の温度検知を許容し、各サンプルについての熱サインを決定する
際に使用されるより多くのデータを得ることができる。 図2において図示されているような熱アッセイ系を使用して、新規な可能性が
、整列可能な熱物理学的アッセイに対するアプローチについて開ける。個々の基
部熱電対列Btxを最初の熱伝達に使用する代わりに、局所的な加熱器がこの目
的のために独占的に使用することができ、又前記のようにその後のさらなる熱伝
達調整のためにも用いることができる。これは、個々の基部熱電対列Btxをコ
ントロール態様におけるままにし、ここでゼーベック効果がおそらくより優れた
正確さを伴って、セルC1〜C5と等温プレートとの間の温度差異を決定するた
めに使用することができる。局所的な加熱器は、図示されているように個々の基
部熱電対列Btxにとって変わるように、またはその近接に存在するように再配
置することができる。次いで、等温プレートは、必要であれば、ヒートシンクと
して作用し得る。 一般に、差動熱電対列Dtxyからの温度検知データは、セルの温度差異をゼ
ロに駆動することを補助することを重要視する様式において使用することができ
る。差動熱電対列Dtxyはまた、二次元配列において配置することができる。 ここで図5を参照して、基部熱電対列または個々の基部熱電対列のいずれかを
使用する3×3セルの熱検知整列のセルおよび差動熱電対列のあり得る断面上面
図が示される。このような2次元整列を用いて、セルはここで行列表示法を使用
して、二桁の、列および行の番号を伴ってCxyと名称される、例えば、図示さ
れているように、セルC31は、三番目の列、1番目の行に存在する。セルCx
yの内側に、サンプル容器Sxyがあり、例えば、図示されているように、サン
プル容器S12はセルC12の内側にある。 セルCxyは、この表示法に類似して、ケースP13で図示されているように
、ケースPxyを有する。このような3×3整列では、所与の細胞は、4つまで
の差動熱電対列DTabcdによって囲まれ得、およびこれとの熱接触にあり得
、ここで図示されているように、aおよびbは、熱接触にある第1のセルの列お
よび行の番号であり、ならびにcおよびdは、熱接触にある第2のセルの行およ
び列の番号であり、12個のこのような差動熱電対列DTabcdが示される。
周知の意味のある相加ループ技術が、隣接するセルの温度が整列することを補助
するために上述の手順において使用することができる。例えば、3×3整列の中
心において示されるC22として示されるセルは、差動熱電対列DT2122、
DT1222、DT2223、およびDT2232を介して、その隣接するセル
のみの温度差異に主に基づく補正的なさらなる熱伝達調整を有し得、優先的な重
要性がこれらの差動熱電対列に対して与えられる。 この整列可能な熱アッセイ系は、結合もしくは他の事象がすでに生じたサンプ
ルについての熱サインを導くために使用することができるか、またはこのアッセ
イ系はそれらが生じるような反応もしくは相移行を説明するために使用すること
ができる伝達される熱対温度データを導き得る。任意のサンプルに対して伝達さ
れる全体の熱を示す容易に回収されるデータを用いて、温度の走査の間に、全体
の熱入力の関数として相移行を同定し得る。説明のため、単一成分の系について
の、すなわち単一成分のタイプの相移行(例えば、結晶化)プロセスについての
、従来の温度対時間冷却曲線が、図6に示される。ここで、上記の等温プレート
が時間の線形関数として下方に、例えば0.01℃/秒ずつ下方にランプされた
場合に生じるように、温度は下方へと傾斜(ランプ)される。図示されているよ
うに点Aと点Bとの間で、温度が直線的に時間と共に減少する。点BとCとの間
で、相移行が生じ、そして相移行(例えば、凍結)が完了するまで温度は一定の
ままである。点Bにて開始するSCと名称される点線部分は、任意の過冷却の効
果を示す。点Cの後、相移行は完了し、そして温度が再び減少し、点Dにて終了
する。図7において、類似の冷却曲線が2相移行(例えば、凝縮および凍結)を
示す二重の系について示される。点Eでの温度は、点Fまで直線的に減少し、点
Fで第1の相移行の間に平らな肩が現れ、潜在的な過冷却が点Fにて開始するS
Cと名称される点線を使用して示される。もう一度温度が減少した後、第2の相
移行が、点GとHとの間で示され、潜在的な過冷却が再び、点Gにて開始するS
Cと名称される点線を使用して示される。G〜Hでの第2の相移行の後、温度は
再び、点Iに達するまで減少する。一般に、分子構造の混合に起因して、冷却曲
線における相移行は、点Fにて開始して見られるように、勾配における肩または
変化として示することができる。 図8は、本発明の熱アッセイを行うためのコントロールおよびインターフェー
ス系についての概略的な模式図を示す。図示されているように左側にドライバー
回路網Txx Driversは、図示されているように基部熱電対列または個
々の熱電対列Txxとインターフェースされる。このようなドライバー回路網の
設計および構築は、電気の分野において周知であり、ならびにゼーベックおよび
ペルティエ効果を使用して、熱電対列の対をなす態様と一致して2つの機能を行
い得る。このようなドライバーは、例えば、問題の熱電対列がペルティエ(熱ポ
ンプ)態様にありながら適切な電圧を適用し、そして図示されているように、必
要であれば、それらが連結される中央処理装置、即ちCPUと組み合わせて、そ
のペルティエ電圧適用歴をモニターして取り込まれた熱伝達値を算定および保持
する。このようなドライバーはまた、ゼーベック効果を使用する熱電対列によっ
て見出されるサンプルセル間の温度差異から生じる発生される電圧を回収し、そ
してCPUによる使用のためにこのような電圧を取り込むかまたはそうでなけれ
ば記録する。同様にして、CPUはまた、仲介のドライバーまたはドライバーの
セット(示さず)を伴ってまたは伴わないで、図示されているような全ての差動
熱電対列Dtxxから発生された電圧を回収し得る。同様に、ドライバー回路網
は、図示されているようなCPUとのインターフェースを伴って、図示されてい
るように、全ての局所的な加熱器Hxについて駆動する電圧を提供するように、
およびこれの操作歴をモニターするように考案することができる。CPUは、D
SC(差動走査熱量測定)において使用されるアルゴリズムに基づく公知のアル
ゴリズムを保存および実施し得、等級付けまたは熱キャパシタンスの絶体測定の
ような、熱サインを提供する。熱容量Cは、サンプルについての熱キャパシタ
ンスをサンプル質量によって割ることによって決定され得、これは他の方法、ま
たはこのアッセイ系の一部にすることができる他の装置を使用して決定すること
ができる。サンプルのそれぞれの熱サインおよび他のデータによるサンプルの等
級付けが、図示されているように、および電気の分野において公知の、記憶およ
び使用者のインターフェース装置(MemoryおよびInterface)に対するCPUに
よって利用可能にすることができる。同様に、自動装置による移動またはサンプ
ル運動が所望される場合、CPUは、TranslationおよびRotationとして図示さ
れているような、三次元空間を介するサンプルの移行および2軸についての回転
のために、ドライバーによる使用についての熱サインまたは等級付けの情報を提
供し得る。 当該分野において公知であるように、指示はプログラミングを設定するが、C
PUは種々の異なる熱電対列および基部熱電対列によって提供される検知または
コントロールデータを使用し得、ならびに基部熱電対列および局所的な加熱器の
活性な態様(熱ポンピング)歴を追跡するモニタリングデータを使用し得、DS
Cについてのより小さな規模に対して行われるので全ての算定について必要とさ
れる熱伝達およびさらなる熱伝達調整を提供する(上述の式(1)〜(4)を参
照のこと)。基部熱電対列の使用は、熱伝達の微細なコントロールおよび活性な
態様の調整を提供し、ならびに従来の技術を使用してそうでなければ問題のある
熱勾配を排除して、アッセイを整列可能にする。 この熱アッセイを作動するために、非常に感度の高い温度検知が、少量の材料
における熱容量または温度変化を検出する場合に必要とされる。この要求は、差
動熱電対列および基部熱電対列によって、これらがコントロールまたはゼーベッ
ク態様にある場合、生成される小さな電圧を増幅するために、大きなゆがみを伴
わない、低いノイズの増幅器を必要とする。ドリフトの見地からはそれ自身が問
題である;熱量測定は、1Hz未満の振動数の、熱伝達(例えば、ペルティエ効
果ポンピング)のために使用される活性なシグナルを含む、ゆっくりと変化する
量を使用して最も良好になされる。この振動数領域において、ゼーベック態様に
おける温度差異を検出する熱電対列からのコントロール(検知される)振動数は
、同様に1Hzまたは約1Hzである。このような低い振動数にて、大部分の増
幅器は、シグナル認識を妨げる温度と共に、1/fノイズおよびドリフトを示す
。 図9は、熱電対列出力電圧シグナルを増幅しながら、本発明を使用して、熱量
測定決定からのノイズおよびドリフトを減少するための相関される二重サンプリ
ング系についての概略的な電気的模式図を示す。熱電対列Txxが示され、これ
は差動熱電対列または基部熱電対列であり得、ここでその対向した熱接合部間で
遭遇される微小な温度差異の指標である、小さなゼーベック電圧が生成される。
熱電対列Txxからのゼーベック出力電圧は、図示されているような入力増幅器
に供給されるが、直接的ではない。その代わりに、図示されているようなチョッ
パーを使用して、入力増幅器は、図示されているような基準電圧と熱電対列ゼー
ベック出力との間で後方または前方に切り替わる。次いで、この刻まれるACシ
グナルは、図示されているようなAC連結増幅器で増幅され、これは当該分野に
おいて知られるように、ゆっくりと変化する増幅器のドリフトをブロックする。
AC共役増幅器の出力にて、入力チョッパーと同期の別のチョッパー(またはチ
ョッパー切片)が、図示されているような基準と増幅器出力との間で切り替わる
。次いで、公知のサンプルおよび保持回路は、刻まれた増幅器出力をサンプリン
グし、そしてドライバーまたはCPUによる使用のために、図示されているよう
な入力波形を再構築および出力する。2つの増幅器からの入力および出力は、基
準電圧にて非常に多くの時間を費やすので、ドリフトが最小化される。AC共役
増幅器を用いて、1/fノイズが減少され、そしてチョッパー振動数を増加する
ことによってさらに減少することができる。このACベースのプロセシング技術
は、ゼーベック電位の全体のシグナル/ノイズ比率を増強し、そして必要なサン
プル容量をさらに減少するために感度を増加するために使用され得、これは整列
の際のより密封された梱包、およびより速い、より正確な熱量測定を許容する 図10は、図9において示される相互に関連した二重サンプリングを達成する
ためのサンプル回路図を示す。前述のものと同様に左側で、熱電対列Txxはゼ
ーベック出力を提供し、図示されているようなスイッチ1を介して演算増幅器A
1の非変換入力(non-inverting input)に供給される。非変換入力へのこの給電
はまた、図示されているようにスイッチ2を介して接地されたものとして選択す
ることができる。演算増幅器A1はその逆転する入力終端において図示されてい
るような外部フィードバック抵抗器を有し、演算増幅器出力での利得を提供し、
これは、基準蓄積コンデンサ(reference storage capacitor)F1の一方の側に
連結される。基準蓄積コンデンサの他方の側は、演算増幅器A2の非変換入力に
給電され、そして図示されているようなスイッチ3を介して接地することができ
る。演算増幅器A2は、その逆転する末端で直線的な外部給電ループを有し、緩
衝装置として作用して、単位利得を提供する。演算増幅器A2の出力末端で、ス
イッチ4は、サンプル蓄積コンデンサF2への出力を許容し、一方スイッチ5は
、図示されているように、選択的な接地を許容する。次いで、この出力は、出力
が図示されているようなサンプルおよび保持回路(Sample and Hold Cercuit)に
給電することができる第3の増幅する非変換の演算増幅器A3に給電され、ドラ
イバーおよび/またはCPUによる使用のために、これは次に図示されているよ
うな入力波形(Input Waveform)を調製する。必要に応じて設けられるスイッチ6
は、演算増幅器A3の出力が図示されているような熱電対列Txxに選択的にフ
ィードバックされることを許容する。当業者には分かることであるが、スイッチ
2および3の閉路により、基準蓄積コンデンサF1において基準電圧を保存し、
一方スイッチ1および4の閉路により、サンプル保存蓄電器F2において熱電対
列Txxからのサンプルまたはシグナルを保存する。これらの対の切り替え作用
は、図8において示されるチョッパー(Chopper)によってなされ得、基準電圧と
増幅器出力との間の記載される切り替えを達成する。必要に応じて、スイッチ5
および6を通電する際に活性な態様において熱電対列Txxを駆動することを許
容し、これは潜在的なドライバー回路(示さず)を介して、熱電対列Txxに基
準電圧をフィードバックする。 図11は、図9において示されるものと類似の、相互に関連した二重サンプリ
ング系についての概略的な模式図を示し、活性な態様において1つ又はそれ以上
の熱電対列Txxを駆動することを許容するために付加される回路を備える。こ
の模式図は、図9において示される図に機能的に類似しているが、チョッパーの
「基準」周期の間、熱電対列Txxに図示されているような熱ドライバー回路(
熱ドライバー)の出力の同時進行の給電を許容するために、左側に付加されたチ
ョッパー機能を備えている。熱ドライバー回路は、ゼーベック検出される電圧情
報を利用できるように、サンプルおよび保持回路の出力に連結される。そしてこ
れにより温度差異を検知しながら、熱電対列Txx(基部熱電対列または個々の
基部熱電対列であろうとなかろうと)の循環的な駆動を許容するのである。この
ことは、CPUにおけるプログラムされた指示と一致して、アッセイの間にサン
プルに対して微細な調整がなされることを許容する。これは、温度ランピングの
みでなく、サンプルにおける如何なる反応にも応答したあつらえられた熱入力が
、たとえば温度ランプを逆転することにより、可逆的な相移行を「伝えて」、必
要であれば反復して、サンプルについての熱機構または熱サインを解明すること
を許容する。 基部熱電対列によって加熱される活性な態様の速度を制御する上述で適用され
るDC電圧に加えて、小さな、ゆっくりと変化する(典型的に、1Hz以下)A
C電圧が、熱伝達の時間変化速度を作製するために基部熱電対列に適用すること
ができる。この方法を用いて、サンプルの熱伝導性および熱キャパシタンスは、
直接的に測定され得るが、公知の技術を、他の熱アッセイ法から持ってくること
もできる。 ある系の熱インピーダンスは、一般に、熱コンダクタンスG、およびキャパシ
タンスCからなるように表示することができる。熱インピーダンスを分析するた
めにノイズに対するシグナルを改善するためのAC波形は、以下の方法で用いる
ことができる:励起(入力)波形がAcos(wt)のような正弦入力であり、
およびサンプル熱系が直線形である場合、サンプル系からの応答(出力)はBc
os(wt+f)である。ここでAは励起増幅であり、Bは所与のサンプルの応
答増幅であり、wは励起の頻度であり、tは測定がなされる時間であり、および
fは熱キャパシタンスによって誘導される相移行である。系の応答を分析するた
めに、入力および出力は乗算されて(マイクロプロセッサーCPUによるかまた
はアナログ乗数によるかのいずれか)ABcos(wt)cos(wt+f)を
得る。この積の等価な形態は、ABcos(f)+ABcos(2wt+f)で
あり;2wt項を除くことによって、相情報、ABcos(f)が保存され、そ
してサンプルの熱コンダクタンスを得るために使用することができる。同様に、
求積項Asin(wt)によって出力を積算して、積ABsin(wt)cos
(wt+f)は、ABsin(f)+ABsin(2wt+f)として書き換え
ることができ;再度、2wt項を除くことによって、相情報ABsin(f)が
保存され、そしてサンプルの熱キャパシタンスを得るために使用することができ
る。熱キャパシタンスCは、ABsin(f)に正比例し、そして脱イオン水の
ような基準を用いる系を検量することによって直接的に決定することができる。
例えば、その系によって測定される水の熱キャパシタンスがC=ABsin
(f)である場合、サンプルの熱キャパシタンス、Cs=ABsin(f )は、Cs/Cw=Bsin(F)/Bsin(f)として得ることがで
きる。水の熱キャパシタンスは作表できるので、上記の熱キャパシタンスは直接
的に算定することができる。Computer Image Processi
ng and Recognition、E.L.Hall、Academic
Press、1979のようなシグナルプロセシングの参考文献を参照のこと
。 上記の方法に加えて、温度または温度差異は、熱電対列、半導体赤外線検出器
のような赤外線検出器、集電装置(これは変化の時間速度に感受性である)、半
導体ダイオード、金属−金属熱電対、2金属テコ、金属−半導体テコ、および当
該分野において公知の他の装置によってモニターすることができる。 本発明の技術を使用することにより、整列可能な熱アッセイが、熱勾配、なら
びに不十分なサンプル温度検知および制御に伴う従来の問題を伴うことなく、可
能になる。明らかに、本発明の多くの改変および変更が上述の技術を考慮して可
能である。それゆえ、本発明の請求の範囲内であれば、本明細書中で具体的に記
載されたり示唆されていなくとも、本発明は実施することができることが理解さ
れるべきである。 本明細書中で引用される特許文献および特許出願文献を含むがこれに制限され
ない、全ての刊行物および参考文献は、各個々の刊行物または参考文献が、完全
に記載されたものとして本明細書中に参考として援用され、それらの全体が本明
細書中に参考として援用されることは、具体的におよび個々の個所で意図されて
いる通りである。本出願が優先権を主張するいずれの特許出願もまた、刊行物お
よび参考文献について上記したと同様、それらの全体が本明細書中に参考として
援用されているものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 差動熱電対列および単一の基部熱電対列を使用する、本発明の熱検知整列の断
面模式図を示す。
【図2】 差動熱電対列および個々の基部熱電対列を使用する本発明の熱検知整列の断面
模式図を示す。
【図3】 図1および図2の熱検知整列において使用されるサンプルおよびサンプルホル
ダーの組み合わせの断面/表面図を示す。
【図4】 図1および図2の熱検知整列において使用されるような、差動熱電対列によっ
て分離される、それぞれのセルの内側のサンプルおよびサンプルホルダーの対の
組み合わせの断面/表面図を示す。
【図5】 基部熱電対列または個々の基部熱電対列のいずれかを使用する3×3セル熱検
知整列のセルおよび差動熱電対列の潜在的な断面上面図を示す。
【図6】 単一成分の系についての温度対時間の熱曲線を示す。
【図7】 二成分の系についての温度対時間の熱曲線を示す。
【図8】 本発明の熱アッセイを行うためのコントロールおよびインターフェース系につ
いての概略的な模式図を示す。
【図9】 熱量測定決定からのノイズおよびドリフトを減少するための相互に関連した二
重サンプリング系についての概略的な模式図を示す。
【図10】 図9によって示唆される相互に関連した二重サンプリングを達成するためのサ
ンプル回路の図を示す。
【図11】 活性な態様において1つ又はそれ以上の熱電対列を駆動することを許容するた
めの付加された回路と共に、図9において示される相互に関連した二重サンプリ
ング系に類似する二重サンプリング系についての概略的な模式図を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),CN,IN,J P,KR,SG (72)発明者 ロー イアコノ,ドミニク,ジョセフ アメリカ合衆国 ニュージャージー州 08620,バーリントン,ヤードビル,ハイ ブリッジ ロード, 19 (72)発明者 デービス,ティモシー,ジェームス アメリカ合衆国 ニュージャージー州 08022,バーリントン,コロンバス,ホワ イト パイン ロード 321 (72)発明者 シーマス,ヘレン,ジアン アメリカ合衆国 ペンシルベニア州 19020,ベンサレム,ネシャミニー バレ ー ドライヴ 1530 (72)発明者 ステービル,ポール,ジョーン アメリカ合衆国 ペンシルベニア州 19047,ランゴーン,チルトン ロード 113 (72)発明者 ガーニエリ,フランク アメリカ合衆国 ニューヨーク州 11223, ブルックリン,レイク ストリート 62 (72)発明者 グランゾウ,ラッセル,トッド アメリカ合衆国 ペンシルベニア州 18042,イーストン,ヒルサイド アベニ ュー 1009 (72)発明者 ザンズッチ,ピーター,ジョーン アメリカ合衆国 ニュージャージー州 08648,ローレンスビル,ジル ドライヴ 13 (72)発明者 チアン,ウィリアム アメリカ合衆国 ニュージャージー州 08852,モンマウス カウンティ,ツイン オークス コート 4106 Fターム(参考) 2G040 AA00 AB05 AB08 AB12 CA02 DA03 DA15 EA02 EA06 EC09 2G045 AA40 FA40 4B029 AA07 AA12 BB11 BB20 FA01 FA15

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 整列される2つ又はそれ以上のサンプルに対して熱アッセイ
    を行うための活性/コントロールの基部熱電対列を使用する方法であって、該方
    法は以下の工程: [a]2つ又はそれ以上の容器のそれぞれにおいて2つ又はそれ以上のサンプル
    に熱伝達を行う工程であって、2つ又はそれ以上の容器と熱的に通じている少な
    くとも1つの基部熱電対列を使用する工程;および [b]工程[a]において基部熱電対列によりサンプルに伝達された全体の熱を
    測定する工程;および [c]工程[a]を行うことから得られる2つ又はそれ以上のサンプルのうちの
    第1のサンプルと第2のサンプルとの間の温度差を実時間で検知する工程、 を包含する、方法。
  2. 【請求項2】以下の工程: [d]温度差に基づいて追加的熱伝達調整を行う工程であって、この追加的熱伝
    達調整は、第1のサンプルと第2のサンプルとの間で温度差をゼロに向かうよう
    に、第1のサンプルおよび第2のサンプルのうちの少なくとも1つにサイズ化お
    よび標的化される工程;および [e]第1のサンプルおよび第2のサンプルのそれぞれについて工程[d]の間
    の追加的熱伝達調整のサイズを決定する工程、 を包含する、請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】基部熱電対列を使用する熱伝達が、基部熱電対列の接合部と熱
    的に通じている等温プレートに関して生じるものである、請求項1記載の方法。
  4. 【請求項4】等温プレートが、条加熱器との熱的に通じており、さらに以下
    の工程:条加熱器を使用して等温プレートの温度をランピングする工程、を包含
    する請求項3記載の方法。
  5. 【請求項5】工程[a]が、整列される2つ又はそれ以上のサンプル中の全
    てよりも少ないサンプルと熱的に通じている個々の基部熱電対列を使用してサン
    プルに熱を伝達する工程を包含する、請求項1記載の方法。
  6. 【請求項6】熱伝達調整が局所的な加熱器を使用して直接加熱する工程を包
    含する、請求項1記載の方法。
  7. 【請求項7】工程[a]が基部熱電対列を駆動するためにAC波形を適用し
    、それによって基部熱電対列による熱伝達の時間的に変化する速度を作り出す工
    程を包含する、請求項1記載の方法。
  8. 【請求項8】さらに以下の工程: [f]第1のサンプルおよび第2のサンプルのそれぞれについて工程[e]の間
    の追加的な熱伝達調整のサイズを比較し、そしてそこから第1のサンプルおよび
    第2のサンプルのうちの少なくとも1つの温度におけるランプの間、請求項1に
    記載の方法の連続した適用からの熱サインを生成する工程を包含する、請求項1
    記載の方法。
  9. 【請求項9】整列された2つ又はそれ以上のサンプルに対して熱アッセイを
    行うための方法であって、該方法は以下の工程: [a]2つ又はそれ以上の容器と熱的に通じている局所的な加熱器を使用する、
    2つ又はそれ以上の容器のそれぞれにおいて2つ又はそれ以上のサンプルに熱伝
    達を行う工程; [b]工程[a]において局所的な加熱器によってサンプルに伝達された全体の
    熱を測定する工程;および [c]工程[a]を行うことから得られる2つ又はそれ以上のサンプルのうちの
    第1のサンプルと第2のサンプルとの間の温度差異を実時間で検知する工程であ
    って、その際実時間での検知が、差動熱電対列および個々の基部熱電対列からな
    る群より選択される少なくとも1つの装置によって行われる工程、 を包含する方法。
  10. 【請求項10】 以下の工程: [d]温度差異に基づいて追加的なる熱伝達調整を行う工程であって、追加的な
    熱伝達調整は、第1のサンプルと第2のサンプルとの間でゼロに向かって温度差
    異を駆動するために、第1のサンプルおよび第2のサンプルのうちの少なくとも
    1つにサイズ化および標的化される工程;および [e]第1のサンプルおよび第2のサンプルのそれぞれについて、工程[d]の
    間の追加的な熱伝達調整のサイズを測定する工程、 を包含する、請求項9記載の方法。
  11. 【請求項11】工程[a]が局所的な加熱器を駆動するためにAC波形を適
    用し、それによって局所的な加熱器による熱伝達の時間的に変化する速度を作り
    出す工程を包含する、請求項9記載の方法。
  12. 【請求項12】局所的な加熱器を使用する熱伝達が、局所的な加熱器と熱的
    に通じている等温プレートに関して生じる、請求項9記載の方法。
  13. 【請求項13】工程[a]がさらに、整列される2つ又はそれ以上のサンプ
    ル中の全てよりも少ないのサンプルとの熱伝達において個々の基部熱電対列を使
    用してサンプルに熱を伝達する工程を包含する、請求項9記載の方法。
  14. 【請求項14】 請求項10に記載の方法であって、ここで工程[a]がさ
    らに、以下の工程; [e]第1のサンプルおよび第2のサンプルのそれぞれについて工程[e]の間
    の追加的熱伝達調整のサイズを比較し、そしてそこから第1のサンプルおよび第
    2のサンプルのうちの少なくとも1つの温度におけるランプの間、請求項1に記
    載の方法の連続的な適用からの熱サインを生成する工程を包含する、請求項10
    記載の方法。
  15. 【請求項15】基部熱電対列を使用する整列可能な熱アッセイ装置であって
    、以下; [1]整列される2つ又はそれ以上の容器と熱接触している1つ又はそれ以上の
    基部熱電対列であって、2つ又はそれ以上の容器のそれぞれは2つ又はそれ以上
    のサンプルのうちの1つを保持する、基部熱電対列; [2]第1の容器と熱的に接触している第1の向かい合った熱接合部、および第
    2の容器と熱的に接触している第2の向かい合った熱接合部を備える差動熱電対
    列; [3]第1の容器および第2の容器と個々に熱接触している第1の局所的な加熱
    器および第2の局所的な加熱器;を備え、 ここで、基部熱電対列が、2つ又はそれ以上の容器への熱伝達を行うために配置
    および駆動され、そして差動熱電対列が、第1の容器と第2の容器との間の相対
    的な温度差異を検知するために配置および駆動され;そしてその際、第1の局所
    的な加熱器および第2の局所的な加熱器は、相対的な温度差異に基づいて追加的
    熱伝達調整を行うために配置および駆動される、装置。
  16. 【請求項16】2つ又はそれ以上の容器がマイクロタイタープレート中のウ
    ェルを含む、請求項15記載の整列可能な熱アッセイ装置。
  17. 【請求項17】基部熱電対列が、整列される2つ又はそれ以上のサンプルの
    うちの全てよりも少ないサンプルと熱的に通じている個々の基部熱電対列を備え
    る、請求項15記載の整列可能な熱アッセイ装置。
  18. 【請求項18】1つ又はそれ以上の該基部熱電対列が、第1の容器と第2の
    容器との間の相対的な温度差異を検知するために形成およびモニターされる、請
    求項15記載の整列可能な熱アッセイ装置。
  19. 【請求項19】熱量測定決定からのノイズおよびドリフトを減少するための
    相互に関連した二重サンプリング系を備え、該相互に関連した二重サンプリング
    系は、以下; 基部熱電対列および差動熱電対列からなる群より選択される少なくとも1つの熱
    電対列からの熱電対列出力シグナルを得るために連結された入力増幅器; 入力増幅器からの入力増幅器出力シグナルを得るために連結されたAC連結増幅
    器; AC連結増幅器の出力シグナルに連結される、サンプルおよび保持入力を有する
    サンプルおよび保持回路;および 熱電対列出力シグナルと基準電圧との間の入力増幅器に対して入力増幅器入力シ
    グナルを循環するための、およびまた、AC連結増幅器からのAC連結増幅器出
    力シグナルと基準電圧との間のサンプルおよび保持入力を同時に循環するための
    チョッパー回路、 を備える、請求項15記載の整列可能な熱アッセイ装置。
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