JP2002538639A - 放射線検出器および放射線検出器の異常画像素子検出方法 - Google Patents
放射線検出器および放射線検出器の異常画像素子検出方法Info
- Publication number
- JP2002538639A JP2002538639A JP2000601425A JP2000601425A JP2002538639A JP 2002538639 A JP2002538639 A JP 2002538639A JP 2000601425 A JP2000601425 A JP 2000601425A JP 2000601425 A JP2000601425 A JP 2000601425A JP 2002538639 A JP2002538639 A JP 2002538639A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image element
- array
- sub
- value
- abnormal image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/04—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/68—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/32—Transforming X-rays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Image Input (AREA)
- Closed-Circuit Television Systems (AREA)
- Image Analysis (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 異常のある画素列を補正できる放射線検出器および放射線検出器の異常画素検出方法を提供すること。
【解決手段】 異常画素列を確認しステップＳ１で異常画素列のファイルを作成する。次いで、ステップＳ２で露光および画像データを捕捉し、ステップＳ３で異常画素および利得の補正をし、ステップＳ４で異常画素列値および隣接画素列値をバッファに転送する。次いで、ステップＳ５で副配列に分割し、ステップＳ６で各副配列毎に列平均値を算出し、ステップＳ７で最適な基線値を算出する。次いで、ステップＳ１０で歪係数を算出し、ステップＳ１１で歪係数をローパスフィルタに適用し、ステップＳ１２で歪係数を適用する。次いで、ステップＳ１３で旧画素値を新画素値に置換し、ステップＳ１４で他の異常画素列の有無を調査し、他に異常画素列がある場合は、ステップＳ４以降を繰り返す。
Description
【０００１】
この発明はディジタル放射線写真装置に関し、特に、異常がある画像素子列の
ディジタル画像値を補正する処理に関する。
ディジタル画像値を補正する処理に関する。
【０００２】
画像を生成する放射線を捕捉するための、２次元の微小なセンサで構成される
検出装置を用いた直接エックス線写真の分野は、過去１０年間においてすばらし
い進歩があった。画像として描かれた情報は、多くの場合、蓄積された電荷分布
として捕捉される。この電荷は、２次元マトリックスに配列された個別センサの
複数の電荷蓄積コンデンサに蓄積されている。我々はこのような検出装置を、総
称として直接放射線写真の検出装置、または単に検出装置として述べ、伝統的な
放射線写真の検出装置と区別する。この伝統的な放射線写真の検出装置とは、エ
ックス線輻射の写真画像を生成する増感板と通常組み合わせて用いる感光性フィ
ルムを使用するものをいう。
検出装置を用いた直接エックス線写真の分野は、過去１０年間においてすばらし
い進歩があった。画像として描かれた情報は、多くの場合、蓄積された電荷分布
として捕捉される。この電荷は、２次元マトリックスに配列された個別センサの
複数の電荷蓄積コンデンサに蓄積されている。我々はこのような検出装置を、総
称として直接放射線写真の検出装置、または単に検出装置として述べ、伝統的な
放射線写真の検出装置と区別する。この伝統的な放射線写真の検出装置とは、エ
ックス線輻射の写真画像を生成する増感板と通常組み合わせて用いる感光性フィ
ルムを使用するものをいう。
【０００３】 直接エックス線写真検出装置は、通常ガラス板を用いる絶縁基板上に、スイッ
チングとアドレス指定の電気回路を合体させた２次元配列のセンサにより構成さ
れるのが典型的である。１９９７年６月７日に発行されたリー等による米国特許
番号５，３１９，２０６は、エックス線輻射の露光に引き続いて、電荷を生成、
捕捉するためのセンサ配列で構成された典型的な直接エックス線検出装置を説明
している。また、リー等による米国特許番号５，６４８，６６０でも、直接エッ
クス線写真検出パネルにおける蓄積電荷の読み出し方法について明らかにしてい
る。
チングとアドレス指定の電気回路を合体させた２次元配列のセンサにより構成さ
れるのが典型的である。１９９７年６月７日に発行されたリー等による米国特許
番号５，３１９，２０６は、エックス線輻射の露光に引き続いて、電荷を生成、
捕捉するためのセンサ配列で構成された典型的な直接エックス線検出装置を説明
している。また、リー等による米国特許番号５，６４８，６６０でも、直接エッ
クス線写真検出パネルにおける蓄積電荷の読み出し方法について明らかにしてい
る。
【０００４】 直接放射線検出装置には、伝統的なフィルム方式とは異なった独特の長所が多
くある。この長所は、ディジタル信号変換およびディジタル作像に関する信号の
蓄積、修復、伝達、生成の利点を使用できるようにする電子回路形式でのエック
ス線像の利用可能性である。
くある。この長所は、ディジタル信号変換およびディジタル作像に関する信号の
蓄積、修復、伝達、生成の利点を使用できるようにする電子回路形式でのエック
ス線像の利用可能性である。
【０００５】 しかしながら、直接エックス線検出装置には、前記長所に関連する問題が比類
なくないというわけではない。実用的なエックス線診断の品質と寸法を有する検
出装置は、行と列で配列された何百万もの個別センサの構成を必要とする。 通
常、そのようなセンサは、センサに蓄積されたエックス線像を描く電気信号を得
るために走査される。走査は個別検出装置と関係付けられた多くのアクセススイ
ッチを使用する処理を介して実行される。 スイッチングは、通常ＦＥＴトラン
ジスタのゲートをアドレス指定することによって行われる。そして、信号はＦＥ
Ｔトランジスタのソース電極につながれたソースラインを通して回復される。
なくないというわけではない。実用的なエックス線診断の品質と寸法を有する検
出装置は、行と列で配列された何百万もの個別センサの構成を必要とする。 通
常、そのようなセンサは、センサに蓄積されたエックス線像を描く電気信号を得
るために走査される。走査は個別検出装置と関係付けられた多くのアクセススイ
ッチを使用する処理を介して実行される。 スイッチングは、通常ＦＥＴトラン
ジスタのゲートをアドレス指定することによって行われる。そして、信号はＦＥ
Ｔトランジスタのソース電極につながれたソースラインを通して回復される。
【０００６】 何らかの異常を有するセンサまたはラインは、センサ単体または複数個のセン
サからの信号を劣化させ、歪を生じさせる結果をもたらし、一般的な異常画像素
子エラーに及ぶことになる。異常画像素子エラーは、エックス線像を正確に読む
能力を妨げて、信号に忠実でない画像を生成するか、出力を読み取れなくする場
合がある。
サからの信号を劣化させ、歪を生じさせる結果をもたらし、一般的な異常画像素
子エラーに及ぶことになる。異常画像素子エラーは、エックス線像を正確に読む
能力を妨げて、信号に忠実でない画像を生成するか、出力を読み取れなくする場
合がある。
【０００７】 現在では、多数のセンサで構成されている画像パネル内の異常な画像素子（以
下、画素という。）を確認し補正する方法は、多く知られている。例えば、検出
装置の平面露光後の結果の画像を読み取る方法が知られている。ここで、平面露
光とは一定強度の露光をいう。理想的な検出装置では、各センサからの信号出力
は正確に一致する。現実には、各センサからの出力は、センサ間で多少異なる。
許容できる変化量が決められ、その許容範囲を外れた出力のセンサは異常画素と
して定義される。これらの異常画素は通常機能しておらず、異常画素の出力は、
多数の隣接した画素から内挿法を使って算出した値に置換される。平面露光にお
ける最終的な出力を均一にするために、許容範囲内の画素の出力変化は、各々の
センサ間でゲイン調整して補正される。
下、画素という。）を確認し補正する方法は、多く知られている。例えば、検出
装置の平面露光後の結果の画像を読み取る方法が知られている。ここで、平面露
光とは一定強度の露光をいう。理想的な検出装置では、各センサからの信号出力
は正確に一致する。現実には、各センサからの出力は、センサ間で多少異なる。
許容できる変化量が決められ、その許容範囲を外れた出力のセンサは異常画素と
して定義される。これらの異常画素は通常機能しておらず、異常画素の出力は、
多数の隣接した画素から内挿法を使って算出した値に置換される。平面露光にお
ける最終的な出力を均一にするために、許容範囲内の画素の出力変化は、各々の
センサ間でゲイン調整して補正される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】 異常画素の問題を解決するための上記手法は、個々の異常画素の校正において
は有効である。しかし、別のタイプの問題が未解決のまま残っている。まれに、
多数のセンサ列が接続された同一ソースアドレス指定の導体全部に異常が生じる
ことがある。この異常が生じると、隣接した多数のセンサ列の出力が影響を受け
る。その結果、隣接したセンサは、露光に対してリニアリティがなくなる。ここ
で、露光とは、検出器に放射される放射線の放射回数を乗じた放射線の照射をい
う。
は有効である。しかし、別のタイプの問題が未解決のまま残っている。まれに、
多数のセンサ列が接続された同一ソースアドレス指定の導体全部に異常が生じる
ことがある。この異常が生じると、隣接した多数のセンサ列の出力が影響を受け
る。その結果、隣接したセンサは、露光に対してリニアリティがなくなる。ここ
で、露光とは、検出器に放射される放射線の放射回数を乗じた放射線の照射をい
う。
【０００９】 前記問題は、望ましくない、予測できない偽の画像を作り出し、周知の方法に
よっても適切に補正することができない。したがって、異常画素列を補正するた
めの新しい方法を提供する必要がある。
よっても適切に補正することができない。したがって、異常画素列を補正するた
めの新しい方法を提供する必要がある。
【００１０】
不正確な画素値を補正する方法を提供することにより、放射線検出センサ配列
から放射線センサの異常列を検出することが、本発明の目的である。 本発明の方法における第1ステップは、異常画素列を形成している異常センサの
位置を確認し、この位置をメモリに格納することである。
から放射線センサの異常列を検出することが、本発明の目的である。 本発明の方法における第1ステップは、異常画素列を形成している異常センサの
位置を確認し、この位置をメモリに格納することである。
【００１１】 検出装置の画像露光に続いて、異常センサの位置が一旦確認されると、センサ
内の異常画素列の両側に多数隣接した多数の画素列を選択する。次いで、各々の
画素値および選択した第１の画素値を形成する異常画素列の画素値を記憶する。
異常画素列が多数の隣接列に作用することは確認されているので、予め選択した
多数の異常画素列の隣接列は、異常画素列と同様に異常として扱われる。
内の異常画素列の両側に多数隣接した多数の画素列を選択する。次いで、各々の
画素値および選択した第１の画素値を形成する異常画素列の画素値を記憶する。
異常画素列が多数の隣接列に作用することは確認されているので、予め選択した
多数の異常画素列の隣接列は、異常画素列と同様に異常として扱われる。
【００１２】 次いで、各列毎に画素値の平均値を計算する。異常画素列および異常画素列平
均値を無視して、異常画素列を除いた各副配列における各列の一連の基線値は計
算で求められる。好ましくは、最小自乗平均近似を使用して、第１次多項式に列
平均値を代入する。
均値を無視して、異常画素列を除いた各副配列における各列の一連の基線値は計
算で求められる。好ましくは、最小自乗平均近似を使用して、第１次多項式に列
平均値を代入する。
【００１３】 第１次多項式を使用して、前記除外されていた異常画素列の基線値は、前記除
外されていた１個または複数の異常画素列を包含した各列毎に算出される。異常
画素列の平均画素値と異常画素列の基線値との比率は、各異常画素列の歪係数を
提示する。この歪係数は、異常画素値を置換する補正画素値を得るために、各異
常画素列に対応する個々の画素値に適用される。
外されていた１個または複数の異常画素列を包含した各列毎に算出される。異常
画素列の平均画素値と異常画素列の基線値との比率は、各異常画素列の歪係数を
提示する。この歪係数は、異常画素値を置換する補正画素値を得るために、各異
常画素列に対応する個々の画素値に適用される。
【００１４】 最初の画素値として選択した配列を、その列に沿って多数のより小さい副配列
に細分化し、各々の副配列は僅かな行で構成することにより、好ましくは、副配
列をオーバーラップさせることにより、前記補正方法の精度は、大いに向上する
。したがって、上記手順は、どちらかといえば全部の画素よりも各副配列に適用
される。
に細分化し、各々の副配列は僅かな行で構成することにより、好ましくは、副配
列をオーバーラップさせることにより、前記補正方法の精度は、大いに向上する
。したがって、上記手順は、どちらかといえば全部の画素よりも各副配列に適用
される。
【００１５】 更なる精度向上は、各々の副配列について近似指数を得ることにより達成され
る。近似指数は、基線からの平均値の偏差を表し、同時に歪係数計算の精度の基
準でもある。精度を表す指数は、前記基線からの平均値の偏差および歪係数より
も、小さい第１のグループおよび大きい第２のグループに２分割される。この第
２のグループの全副配列について精度指数は確認され、次いで、第２グループの
配列の歪係数は、隣接している副配列の歪係数から外延法で推定された新しい歪
係数と置換される。
る。近似指数は、基線からの平均値の偏差を表し、同時に歪係数計算の精度の基
準でもある。精度を表す指数は、前記基線からの平均値の偏差および歪係数より
も、小さい第１のグループおよび大きい第２のグループに２分割される。この第
２のグループの全副配列について精度指数は確認され、次いで、第２グループの
配列の歪係数は、隣接している副配列の歪係数から外延法で推定された新しい歪
係数と置換される。
【００１６】
以下の詳細な説明文の中では、全ての図面における同様の要素には同様の記号
を使用する。
を使用する。
【００１７】 本発明は、放射線強度変化量に影響を与える電気信号が生成可能な、あらゆる
放射線写真検出器に関し、次に説明する。この放射線写真検出装置は、１９９８
年６月３０日に発行されたセイド等による米国特許番号５，７７３，８３２、１
９９３年１０月１９日に発行されたナング．ティ．トランによる米国特許５，２
５４，４８０、および、１９９４年５月２４日に発行されたヒューズ等による米
国特許５，３１５，１０１に記述されている。
放射線写真検出器に関し、次に説明する。この放射線写真検出装置は、１９９８
年６月３０日に発行されたセイド等による米国特許番号５，７７３，８３２、１
９９３年１０月１９日に発行されたナング．ティ．トランによる米国特許５，２
５４，４８０、および、１９９４年５月２４日に発行されたヒューズ等による米
国特許５，３１５，１０１に記述されている。
【００１８】 本発明を適用するために熟考された好ましい検出装置は、リー等による前述の
米国特許番号５，６４８、６６０で述べられたタイプの直接放射線転換検出装置
である。 この特許で公開されたように、検出装置は、適切なサイズである通常
の１４×１７インチのパネルで形成した誘電基板上に、２次元の個々の放射線セ
ンサから構成されている。 パネルはクロウエル等による米国特許５，８０４、
８３２で明らかにされているように、軽くて頑丈な容器に封入される。 それぞ
れのセンサは、電荷蓄積コンデンサおよびコンデンサに隣接するスイッチングト
ランジスタで構成されている。伝導ラインは、スイッチングトランジスタで作動
されるセンサおよびコンデンサに格納された電気信号を回復させるセンサとの間
に拡がっている。通常、トランジスタは電界効果トランジスタを使用し、ソース
とゲート電極は個々の列と行に沿って延びている伝導ラインに接続される。
米国特許番号５，６４８、６６０で述べられたタイプの直接放射線転換検出装置
である。 この特許で公開されたように、検出装置は、適切なサイズである通常
の１４×１７インチのパネルで形成した誘電基板上に、２次元の個々の放射線セ
ンサから構成されている。 パネルはクロウエル等による米国特許５，８０４、
８３２で明らかにされているように、軽くて頑丈な容器に封入される。 それぞ
れのセンサは、電荷蓄積コンデンサおよびコンデンサに隣接するスイッチングト
ランジスタで構成されている。伝導ラインは、スイッチングトランジスタで作動
されるセンサおよびコンデンサに格納された電気信号を回復させるセンサとの間
に拡がっている。通常、トランジスタは電界効果トランジスタを使用し、ソース
とゲート電極は個々の列と行に沿って延びている伝導ラインに接続される。
【００１９】 光伝導層は、個々の検出変換器の上面に設けられ、バイアス電極は、光伝導層
の上面に設けられる。電荷空乏層は、光伝導層の片側か両側の面に生じる。放射
線の露光では、電子と正孔対は光伝導層で解放される。静的な電界の下では、印
加電界の極性に依存し、電子はバイアス電極に移動し、正孔は電荷蓄積コンデン
サに移動する。
の上面に設けられる。電荷空乏層は、光伝導層の片側か両側の面に生じる。放射
線の露光では、電子と正孔対は光伝導層で解放される。静的な電界の下では、印
加電界の極性に依存し、電子はバイアス電極に移動し、正孔は電荷蓄積コンデン
サに移動する。
【００２０】 露光に引き続いて、バイアス電界は除去され、個々のセンサに蓄積された電荷
は読み出され、増幅され、ディジタル化されて格納される。検出装置は、放射線
輻射による次回の露光のために再調整される。これは、リー等よる米国特許番号
５，５６３、４２１で明らかにされている。好ましくは、露光間では、検出装置
は連続的にバイアス電圧がゼロである状態とバイアス電圧がゼロ以外の状態であ
ることを連続的に繰り返すのがよい。バイアス電圧がゼロ以外の状態にある場合
は、露光がないときでも画像出力に随従してバイアスされた露光が得られる。前
記露光間の状態は待機状態と呼ばれ、前記繰り返し毎に割り込みをかけて、セン
サに適切なバイアス電圧をかけた準備完了状態と区別している。 米国特許アプ
リケーションのシリアル番号０８／９７９，１３４は詳細に前記方法を説明して
いる。
は読み出され、増幅され、ディジタル化されて格納される。検出装置は、放射線
輻射による次回の露光のために再調整される。これは、リー等よる米国特許番号
５，５６３、４２１で明らかにされている。好ましくは、露光間では、検出装置
は連続的にバイアス電圧がゼロである状態とバイアス電圧がゼロ以外の状態であ
ることを連続的に繰り返すのがよい。バイアス電圧がゼロ以外の状態にある場合
は、露光がないときでも画像出力に随従してバイアスされた露光が得られる。前
記露光間の状態は待機状態と呼ばれ、前記繰り返し毎に割り込みをかけて、セン
サに適切なバイアス電圧をかけた準備完了状態と区別している。 米国特許アプ
リケーションのシリアル番号０８／９７９，１３４は詳細に前記方法を説明して
いる。
【００２１】 センサから得られる電荷は、検出装置の生データを表している。 それぞれの
センサの出力は、画像の1つの画素に対応している。この生のディジタル・デー
タは、最初に利得均等化プロセスにかけられ、次いで異常画素補正にかけられる
。一般的に、利得均等化は、予め計算された利得係数を適用することを必要とす
る。この利得係数は、通常、個々のセンサにおける利得の非均一性の補正をする
各画素値として、論理的装置テーブル（ＬＵＴ）に蓄積される。次いで、異常画
素補正は、最も近接して囲まれている８個の隣接画素値を平均化することにより
、機能していない異常画素を置換する。
センサの出力は、画像の1つの画素に対応している。この生のディジタル・デー
タは、最初に利得均等化プロセスにかけられ、次いで異常画素補正にかけられる
。一般的に、利得均等化は、予め計算された利得係数を適用することを必要とす
る。この利得係数は、通常、個々のセンサにおける利得の非均一性の補正をする
各画素値として、論理的装置テーブル（ＬＵＴ）に蓄積される。次いで、異常画
素補正は、最も近接して囲まれている８個の隣接画素値を平均化することにより
、機能していない異常画素を置換する。
【００２２】 本発明は、多数の画素のスイッチングトランジスタのソースを接続する伝導ラ
インの向きに並べられている画素に関する異常を補正する。さらに、本発明は、
ソースラインと直交したスイッチングトランジスタのゲートをつなげる伝導ライ
ンに沿って並べられている画素に関しても異常を補正することができる。本発明
の説明を簡素化するために、共通の伝導ラインがスイッチングトランジスタのソ
ースかゲートにつながっているか否か、または、検出器の行か列に沿っているか
否かにかかわらず、異常画素列として共通の伝導ラインに接続された異常な複数
個の画素について述べる。
インの向きに並べられている画素に関する異常を補正する。さらに、本発明は、
ソースラインと直交したスイッチングトランジスタのゲートをつなげる伝導ライ
ンに沿って並べられている画素に関しても異常を補正することができる。本発明
の説明を簡素化するために、共通の伝導ラインがスイッチングトランジスタのソ
ースかゲートにつながっているか否か、または、検出器の行か列に沿っているか
否かにかかわらず、異常画素列として共通の伝導ラインに接続された異常な複数
個の画素について述べる。
【００２３】 検出装置の製造と組立後に、本発明を実行することにより、検出装置は平面露
光にかけられ、あらゆる異常画素列の位置が確認される。異常画素列は、共通の
接続導体に沿って整列させられる多くの隣接している画素を含んでいて、与えら
れた露光で予想許容レベル外の出力を有する９個以上の隣接している画素で構成
されているのが望ましい。画面上、異常画素列は、無信号線として黒色、または
、飽和直線として白色で描かれる。本発明の以下の説明では、互いに垂直に整列
させられたセンサの２次元配列を使用し、以下の専門用語を用いる。スイッチン
グ電界効果トランジスタのソース電極に接続された伝導ラインに沿って配列され
た画素は、一列を形成しているものとして述べる。また、列に垂直に配列された
画素は、行を形成する。１個の画素の位置は、行と列によりＲｘＣｙとして表現
する。
光にかけられ、あらゆる異常画素列の位置が確認される。異常画素列は、共通の
接続導体に沿って整列させられる多くの隣接している画素を含んでいて、与えら
れた露光で予想許容レベル外の出力を有する９個以上の隣接している画素で構成
されているのが望ましい。画面上、異常画素列は、無信号線として黒色、または
、飽和直線として白色で描かれる。本発明の以下の説明では、互いに垂直に整列
させられたセンサの２次元配列を使用し、以下の専門用語を用いる。スイッチン
グ電界効果トランジスタのソース電極に接続された伝導ラインに沿って配列され
た画素は、一列を形成しているものとして述べる。また、列に垂直に配列された
画素は、行を形成する。１個の画素の位置は、行と列によりＲｘＣｙとして表現
する。
【００２４】 平面露光画像は、例えば、コンピュータのディスプレイのような画面に表示さ
れる。図１は、検出パネルの一定の放射線露光後に、放射線検出パネルの表示の
概要を示したものである。画面は灰色の単色で表示され、図示した２本の垂線は
黒色で表示される。これらは２個の異常画素列Ｃ１とＣ２で表す。画面を拡大、
縮小する機能により、検出器の出力の一部分を拡大することが可能である。
れる。図１は、検出パネルの一定の放射線露光後に、放射線検出パネルの表示の
概要を示したものである。画面は灰色の単色で表示され、図示した２本の垂線は
黒色で表示される。これらは２個の異常画素列Ｃ１とＣ２で表す。画面を拡大、
縮小する機能により、検出器の出力の一部分を拡大することが可能である。
【００２５】 ディスプレイ上の位置と検出装置のセンサの行と列の位置が対応するように較
正されたカーソルを使用して、異常画素列Ｃ１は、始点Ｒ１ｓと終点Ｒ１ｅの行
と列により、黒い線の始めと終わりのカーソル位置が定義される。このプロセス
に必要な技術は、コンピュータディスプレイでマウスのカーソル位置を追跡する
際に使用される技術と同様であり、それ以上の技術は必要ない。最初の異常画素
列の位置を求めた後、次の異常画素列Ｃ２が確認され、その座標が格納される。
すべての異常画素列が確認されるまで、かつ異常画素列のファイルとして座標が
記憶されるまで、前記動作は続けられる。望ましくは、異常画素列を確認するの
に使用されるディスプレイは、あらゆる画像生成より先に検出装置から得られた
生データを使用するのがよい。
正されたカーソルを使用して、異常画素列Ｃ１は、始点Ｒ１ｓと終点Ｒ１ｅの行
と列により、黒い線の始めと終わりのカーソル位置が定義される。このプロセス
に必要な技術は、コンピュータディスプレイでマウスのカーソル位置を追跡する
際に使用される技術と同様であり、それ以上の技術は必要ない。最初の異常画素
列の位置を求めた後、次の異常画素列Ｃ２が確認され、その座標が格納される。
すべての異常画素列が確認されるまで、かつ異常画素列のファイルとして座標が
記憶されるまで、前記動作は続けられる。望ましくは、異常画素列を確認するの
に使用されるディスプレイは、あらゆる画像生成より先に検出装置から得られた
生データを使用するのがよい。
【００２６】 検出された異常画素列は、始点座標ｘ１ｓ、ｙ１ｓと終点座標ｘ１ｅ、ｙ１ｅ
で位置決めされる。以下同様に、始点座標ｘ２ｓ、ｙ２ｓと終点座標ｘ２ｅ、ｙ
２ｅのように位置決めされる。次いで、異常画素列としてファイルされる。異常
画素の補正ルーチンは、一度に１画素列を処理するために、異常画素列のファイ
ルにより提供された位置の情報を使用する。
で位置決めされる。以下同様に、始点座標ｘ２ｓ、ｙ２ｓと終点座標ｘ２ｅ、ｙ
２ｅのように位置決めされる。次いで、異常画素列としてファイルされる。異常
画素の補正ルーチンは、一度に１画素列を処理するために、異常画素列のファイ
ルにより提供された位置の情報を使用する。
【００２７】 検出器の放射線写真露光に引き続いて、検出器の出力は増幅されディジタル値
に変換される。ディジタル値は、最初に利得補正される。各センサ出力は、補正
されたディジタル値の利得から得られた、予め計算された利得係数に基づいて調
整される。利得補正は、この種の検出器ではよく知られた一般的なものであり、
検出器中にある多数のセンサの特性バラツキを補正するために行う。次にデータ
は異常画素補正を受ける。これもまた、処理方法としてはよく知られているもの
で、周囲の画素から計算された値によって、各異常画素の位置決めと異常画素の
置換を行う。
に変換される。ディジタル値は、最初に利得補正される。各センサ出力は、補正
されたディジタル値の利得から得られた、予め計算された利得係数に基づいて調
整される。利得補正は、この種の検出器ではよく知られた一般的なものであり、
検出器中にある多数のセンサの特性バラツキを補正するために行う。次にデータ
は異常画素補正を受ける。これもまた、処理方法としてはよく知られているもの
で、周囲の画素から計算された値によって、各異常画素の位置決めと異常画素の
置換を行う。
【００２８】 次に、前記補正された生データは、異常画素列の画素値および異常画素列問題
により影響を受けた周辺の画素列の画素値に関して、さらなる補正をするために
使用される。
により影響を受けた周辺の画素列の画素値に関して、さらなる補正をするために
使用される。
【００２９】 異常画素は、露光に対する直線性がないので、検出器の単一放射線露光からの
データを使用するのは、異常があるセンサにとっては正しくない場合がある。本
発明は、利得の不均一性および異常画素補正後の実際の露光データを使用した写
真露光後の新しい歪係数Ｄを算出するプロセスに基づいたものである。
データを使用するのは、異常があるセンサにとっては正しくない場合がある。本
発明は、利得の不均一性および異常画素補正後の実際の露光データを使用した写
真露光後の新しい歪係数Ｄを算出するプロセスに基づいたものである。
【００３０】 図２は、本発明の補正のフローチャートを示す。上記補正ステップについて、
図２を用いて説明する。
図２を用いて説明する。
【００３１】 最初に、ステップＳ１で異常画素を確認し、異常画素列のマップを作る。マッ
プには検出器内の異常画素列が含まれている。一度このファイルが作成されると
、画素の確認と処理が迅速にできるようになる。 ステップＳ２で放射線画像を
取得し、ステップＳ３で利得補正と画素補正が行われる。次いで、ステップＳ４
でバッファに蓄積され、バッファ内の画素値を捕捉する。予め決められた数字Ｎ
を用いて、異常画素列をＣ１Nとすれば、このＣ１Nの配列を形作る異常画素列の
両側にある行Ｒ１ｓからＲ１ｅと行Ｃ１-NからＣ１+Nに対応する画素を捕捉する
。好ましくは、Ｎ＝１６とすれば、確実な計算を可能とする、精度よいデータベ
ースを得ることができ、商業的に満足できる補正を行うことができる。
プには検出器内の異常画素列が含まれている。一度このファイルが作成されると
、画素の確認と処理が迅速にできるようになる。 ステップＳ２で放射線画像を
取得し、ステップＳ３で利得補正と画素補正が行われる。次いで、ステップＳ４
でバッファに蓄積され、バッファ内の画素値を捕捉する。予め決められた数字Ｎ
を用いて、異常画素列をＣ１Nとすれば、このＣ１Nの配列を形作る異常画素列の
両側にある行Ｒ１ｓからＲ１ｅと行Ｃ１-NからＣ１+Nに対応する画素を捕捉する
。好ましくは、Ｎ＝１６とすれば、確実な計算を可能とする、精度よいデータベ
ースを得ることができ、商業的に満足できる補正を行うことができる。
【００３２】 バッファに取り込まれた配列は、次いで、ステップＳ５で、副配列またはブロ
ックに細分される。−Ｎから＋Ｎの行に拡張されて細分化され、通常は４乃至８
行のわずかな数行である。行数は、４乃至８行以外でも使用できる。好ましくは
、副配列は隣の副配列と１か２行でオーバーラップしている方がよい。
ックに細分される。−Ｎから＋Ｎの行に拡張されて細分化され、通常は４乃至８
行のわずかな数行である。行数は、４乃至８行以外でも使用できる。好ましくは
、副配列は隣の副配列と１か２行でオーバーラップしている方がよい。
【００３３】 次いで、ステップ６で、最初の副配列、すなわちＲ１ｓを含む副配列から、副
配列の各列について、平均画素値が計算される。図３は、このプロセスを表した
もので、Ｎ＝１０としている。図３のＹ軸は、上記副配列における列のディジタ
ル値の平均に相当する。一度平均値が得られたら、全ての列について最小自乗平
均近似を使って一次多項式に代入され、図示した基線３が得られる。ただし、予
め選択しておいた異常画素列のすぐ隣の複数列Ｃ−２、Ｃ−１、Ｃ０、Ｃ＋１お
よびＣ＋２は計算対象から除く。異常画素の両側にある異常画素の影響を受けた
複数の画素列は、計算の対象外である。異常画素の影響を受ける列数は、典型的
には１〜５であり、異常画素列が最初に確認されたとき、観察により定めること
ができる。
配列の各列について、平均画素値が計算される。図３は、このプロセスを表した
もので、Ｎ＝１０としている。図３のＹ軸は、上記副配列における列のディジタ
ル値の平均に相当する。一度平均値が得られたら、全ての列について最小自乗平
均近似を使って一次多項式に代入され、図示した基線３が得られる。ただし、予
め選択しておいた異常画素列のすぐ隣の複数列Ｃ−２、Ｃ−１、Ｃ０、Ｃ＋１お
よびＣ＋２は計算対象から除く。異常画素の両側にある異常画素の影響を受けた
複数の画素列は、計算の対象外である。異常画素の影響を受ける列数は、典型的
には１〜５であり、異常画素列が最初に確認されたとき、観察により定めること
ができる。
【００３４】 次に異常画素列の補正ステップは、ステップＳ７およびステップＳ１０の二つ
の計算を行う。オプションのステップＳ８およびステップＳ９は、後述する。配
列Ｘ（Ｉ，Ｊ）はバッファ内の画素値を表す。ここで、Ｉは−Ｎから＋Ｎ、Ｊは
０からＬまで変化する。Ｌ＝Ｒ１ｅ−Ｒ１ｓである。上述したように、バッファ
にある配列は、Ｊに沿って副配列の各々の列について平均値を算出するために、
多くの同一の副配列に分割される。各副配列について、今ＪＡを副配列番号とし
、１次元の副配列をＡ（Ｉ，ＪＡ）で表す。次に、異常画素列の値、および予め
決めておいた数字で表した異常画素の両側における値も使わないで、各副配列の
平均値は、ステップＳ７で得た副配列としての基線ＬＩＮＥA（Ｉ，ＪＡ）の直
線と一致する。 ここで、Ｉは−Ｎから＋Ｎまで変化する。ＣとＧは、除外された列の画素を除き
、各Ｉについて基線ＬＩＮＥA（Ｉ、Ｊ）とＡ（Ｉ，ＪＡ）との最小平均平方誤
差として決められる。副配列ＪＡの歪係数Ｄ（Ｉ，ＪＡ）はステップＳ８で次式
から得られ、全ての異常画素列に適用できる。 歪係数は、Ｊ方向の高周波成分を除去するために、ステップＳ１１でローパス
フィルタを通過させ、ステップＳ１２で異常画素列の画素に適用し、ステップＳ
１３で異常画素値を置換するのに使用される置換画素値を提供する。新しい画素
値は、画素の位置を計算して列に適用するために、歪係数により旧画素値を分割
することにより計算される。もし、他に異常画素があれば、ステップＳ４から繰
り返され、なければ画像表示は続行される。
の計算を行う。オプションのステップＳ８およびステップＳ９は、後述する。配
列Ｘ（Ｉ，Ｊ）はバッファ内の画素値を表す。ここで、Ｉは−Ｎから＋Ｎ、Ｊは
０からＬまで変化する。Ｌ＝Ｒ１ｅ−Ｒ１ｓである。上述したように、バッファ
にある配列は、Ｊに沿って副配列の各々の列について平均値を算出するために、
多くの同一の副配列に分割される。各副配列について、今ＪＡを副配列番号とし
、１次元の副配列をＡ（Ｉ，ＪＡ）で表す。次に、異常画素列の値、および予め
決めておいた数字で表した異常画素の両側における値も使わないで、各副配列の
平均値は、ステップＳ７で得た副配列としての基線ＬＩＮＥA（Ｉ，ＪＡ）の直
線と一致する。 ここで、Ｉは−Ｎから＋Ｎまで変化する。ＣとＧは、除外された列の画素を除き
、各Ｉについて基線ＬＩＮＥA（Ｉ、Ｊ）とＡ（Ｉ，ＪＡ）との最小平均平方誤
差として決められる。副配列ＪＡの歪係数Ｄ（Ｉ，ＪＡ）はステップＳ８で次式
から得られ、全ての異常画素列に適用できる。 歪係数は、Ｊ方向の高周波成分を除去するために、ステップＳ１１でローパス
フィルタを通過させ、ステップＳ１２で異常画素列の画素に適用し、ステップＳ
１３で異常画素値を置換するのに使用される置換画素値を提供する。新しい画素
値は、画素の位置を計算して列に適用するために、歪係数により旧画素値を分割
することにより計算される。もし、他に異常画素があれば、ステップＳ４から繰
り返され、なければ画像表示は続行される。
【００３５】 以下の数値の例は、行がＲ１からＲ９で列がＣ５の位置にある９個の画素から
なる異常画素について補正を示したものである。全ての値は、単に説明のために
選んだものである。実際に記録されたデータではない。表の数値は、画像放射線
検出器の架空の露光から得られた表示強度に関連した架空のディジタル値を表示
している。表１は、歪は異常画素列の両側に隣接した列にのみ拡張されたと仮定
している。さらに、異常列の両側の正常な３列は、影響を受けた画素値を置換す
るための補正係数の算出過程で使用される。医療診断環境での本発明の実際の実
施において、典型的な歪は異常列の両側の少なくとも３列に発生している。上記
を説明するには、好ましくは、異常列の両側の隣接画素列を通常は１６列に拡張
すればよい。
なる異常画素について補正を示したものである。全ての値は、単に説明のために
選んだものである。実際に記録されたデータではない。表の数値は、画像放射線
検出器の架空の露光から得られた表示強度に関連した架空のディジタル値を表示
している。表１は、歪は異常画素列の両側に隣接した列にのみ拡張されたと仮定
している。さらに、異常列の両側の正常な３列は、影響を受けた画素値を置換す
るための補正係数の算出過程で使用される。医療診断環境での本発明の実際の実
施において、典型的な歪は異常列の両側の少なくとも３列に発生している。上記
を説明するには、好ましくは、異常列の両側の隣接画素列を通常は１６列に拡張
すればよい。
【表１】 第１ステップは、以下に示すように、オーバーラップした列と行のブロックに
細分化した副配列のデータに分割することである。ここで、ブロックサイズは、
単に説明するためと計算を簡略化するために選んだものである。好ましくは、ブ
ロックは６行に拡張し、内２行はオーバーラップさせるのがよい。 次に、各副配列の各列について、ブロック平均値を計算する。 次に、異常画素列と異常画素列に隣接した両側の列の値は無視し、各ブロック
平均値に一致する最適の１次の平均自乗直線を計算する。下記の数値サンプルは
、最小自乗直線の第１配列の計算例を説明したものである。
細分化した副配列のデータに分割することである。ここで、ブロックサイズは、
単に説明するためと計算を簡略化するために選んだものである。好ましくは、ブ
ロックは６行に拡張し、内２行はオーバーラップさせるのがよい。 次に、各副配列の各列について、ブロック平均値を計算する。 次に、異常画素列と異常画素列に隣接した両側の列の値は無視し、各ブロック
平均値に一致する最適の１次の平均自乗直線を計算する。下記の数値サンプルは
、最小自乗直線の第１配列の計算例を説明したものである。
【００３６】 異常画素列の各列において、位置を定義する変数Ｉを割り当てる。最初のブロ
ック平均値について適用した結果を示す。 直線は次のように表せる。 ここで、 Ｉ＝−４，−３，．．．０．．．４ である。
ック平均値について適用した結果を示す。 直線は次のように表せる。 ここで、 Ｉ＝−４，−３，．．．０．．．４ である。
【００３７】 また、Ｅは定数、Ｇは直線の傾きである。
【００３８】 ＥとＧは以下のように計算で求まる。 E=(B1C1 + B1C2 +B1C3+B1C7+B1C8+B1C9)/6=(25.25+26.25+...+25.25)/6 ゆえに、Ｅ＝２５．１２５である。
【００３９】 G=(B1C1*(-4)+B1C2*(-3)+B1C3*(-2)+B1C7*2+B1C8*3+B1C9*4)/ (4*4+3*3+2*2+2*2+3*3+4*4)=(25.25*(-4)+26.25*(-3) +...+25.25*4)/582.75/58 ゆえに、Ｇ＝−０．０４７４１３である。
【００４０】 ＥとＧは求まり、基線の値（Ｃ１、Ｃ２、．．．Ｃ９）は式（１）で求まり、
次式となる。 ここで、 Ｃ１において、Ｉ＝−４なので、式（２）に代入すれば ＬＩＮＥA（−４，ブロック１）＝２５．１２５−０．０４７４１３＊（−４）
＝２５．３１４６ となる。
次式となる。 ここで、 Ｃ１において、Ｉ＝−４なので、式（２）に代入すれば ＬＩＮＥA（−４，ブロック１）＝２５．１２５−０．０４７４１３＊（−４）
＝２５．３１４６ となる。
【００４１】 また、Ｃ２において、Ｉ＝−３なので、 ＬＩＮＥA（−３，ブロック１）＝２５．１２５−０．０４７４１３＊（−３）
＝２５．２６７２ となる。
＝２５．２６７２ となる。
【００４２】 以下、同様に計算する。 Ｃ９においては、Ｉ＝＋４なので ＬＩＮＥA（−３，ブロック１）＝２５．１２５−０．０４７４１３＊４＝２４
．９３５ となる。
．９３５ となる。
【００４３】 これでＢ１平均値のデータが得られ、各列について基線に一致する値が求まっ
た。 次に、副配列１における除外された列の歪率Ｄ１（Ｉ）は次のようになる。 歪率Ｄ１を、以下のように画素値置換を行うために除外された各行について適
用する。 全ての副配列について計算が終るまで、副配列の計算を続ける。各副配列には
確実にオーバーラップした行があるので、各オーバーラップした行について２つ
の値が得られることになる。本発明の一実施例において、オーバーラップした行
の第２の副配列値は排除する。代わりに、２個の値は平均化され平均値が使用さ
れるか、または最初の副配列の値はいつも排除して第２の副配列値を使用しても
よい。たいていの場合は、オーバーラップした行の選択は、オーバーラップした
範囲において著しい影響は与えない。この理由は、実質上、副配列間の計算値の
差は小さいからである。
た。 次に、副配列１における除外された列の歪率Ｄ１（Ｉ）は次のようになる。 歪率Ｄ１を、以下のように画素値置換を行うために除外された各行について適
用する。 全ての副配列について計算が終るまで、副配列の計算を続ける。各副配列には
確実にオーバーラップした行があるので、各オーバーラップした行について２つ
の値が得られることになる。本発明の一実施例において、オーバーラップした行
の第２の副配列値は排除する。代わりに、２個の値は平均化され平均値が使用さ
れるか、または最初の副配列の値はいつも排除して第２の副配列値を使用しても
よい。たいていの場合は、オーバーラップした行の選択は、オーバーラップした
範囲において著しい影響は与えない。この理由は、実質上、副配列間の計算値の
差は小さいからである。
【００４４】 しかしながら、２個の副配列がある画像範囲の密度に傾きがある場合は、直ち
に変更される。この場合は、２個の副配列について２行の計算値からオーバーラ
ップした行の値を補正することが好ましく、単純に算術平均すれば、最適な結果
が得られる。
に変更される。この場合は、２個の副配列について２行の計算値からオーバーラ
ップした行の値を補正することが好ましく、単純に算術平均すれば、最適な結果
が得られる。
【００４５】 全副配列について計算を繰り返し、列Ｃ４からＣ６における計算値は、表１の
初期値を置換するのに使用され、表２に示す値が得られる。
初期値を置換するのに使用され、表２に示す値が得られる。
【表２】 本発明の好ましい実施例において、補正ステップは、基線値に対する平均値の
偏差を計算して求めた歪係数を使って、適当な第１次近似を見出す一連のステッ
プを含んでいる。好ましくは、図２のステップＳ８にて、規格化された近似指数
Ａｐｐ（ＪＡ）を算出する。 各ＪＡにおいて、Ｉは、−Ｎから−（最初の正常列）までと、Ｉは＋（最初の
正常列）から＋Ｎまで変化する。
偏差を計算して求めた歪係数を使って、適当な第１次近似を見出す一連のステッ
プを含んでいる。好ましくは、図２のステップＳ８にて、規格化された近似指数
Ａｐｐ（ＪＡ）を算出する。 各ＪＡにおいて、Ｉは、−Ｎから−（最初の正常列）までと、Ｉは＋（最初の
正常列）から＋Ｎまで変化する。
【００４６】 全副配列における近似指数の計算結果は、ステップＳ９および予め決められた
数値を超えた指数を有する副配列内で比較される。歪係数は、許容できる歪係数
を有する隣接した配列の歪係数から外挿法により置換される。代わりのアプロー
チとして、近似指数を２つのグループに分割する方法がある。高い値側の指数を
有する配列の全歪係数を破棄し、残った側の配列の係数から内挿法により置換す
る。
数値を超えた指数を有する副配列内で比較される。歪係数は、許容できる歪係数
を有する隣接した配列の歪係数から外挿法により置換される。代わりのアプロー
チとして、近似指数を２つのグループに分割する方法がある。高い値側の指数を
有する配列の全歪係数を破棄し、残った側の配列の係数から内挿法により置換す
る。
【００４７】 内挿法は一次元の内挿であり、次式に示す。 ここで、Ｄ（Ｉ，ＪＡ）は置換歪係数で、Ｄ（Ｉｓ，ＪＡ）とＤ（Ｉｅ，ＪＡ）
は２個の隣接した有効歪係数である。内挿係数ｆは０から１の間で変化する。
は２個の隣接した有効歪係数である。内挿係数ｆは０から１の間で変化する。
【００４８】 近似指数を適用した結果、以下のような数値が得られる。 各ブロックにおいて、各列におけるＬＩＮＥ（Ｉ，ＪＡ）の値とブロックの平
均値の値（Ｂ１平均値／６）を計算し、基線を求めた。この結果以下の値が得ら
れた。 ブロック１の自乗誤差は、下記のようになる。 (25.25-25.3146)2 + (26.25-25.267)2 + (24.25-25.22)2 + (24.75-25.03)2 + (
25-24.98)2 + (25.25-24.935)2 = 2.089 よって、誤差の平方根は、（２．０８９／６）1/2＝０．５９である。Ｂ１平均
の自乗平均値は、２５．１２５の平方根より、５．０１２となり、近似指数Ａｐ
ｐ１＝０．１１７７を得る。同様に、Ａｐｐ２＝０．１３２９とＡｐｐ３＝０．
１５２５である。実際には、Ａｐｐ３はＡｐｐ１よりも大きく、実際の画像情報
がマスキングされたか否かという疑問が生じる。以上の計算により、Ａｐｐ指数
の中間点が得られた。中間点は０．１３４４である。次に、ブロック３の歪係数
を破棄し、先の係数から外挿して歪係数を置換する。
均値の値（Ｂ１平均値／６）を計算し、基線を求めた。この結果以下の値が得ら
れた。 ブロック１の自乗誤差は、下記のようになる。 (25.25-25.3146)2 + (26.25-25.267)2 + (24.25-25.22)2 + (24.75-25.03)2 + (
25-24.98)2 + (25.25-24.935)2 = 2.089 よって、誤差の平方根は、（２．０８９／６）1/2＝０．５９である。Ｂ１平均
の自乗平均値は、２５．１２５の平方根より、５．０１２となり、近似指数Ａｐ
ｐ１＝０．１１７７を得る。同様に、Ａｐｐ２＝０．１３２９とＡｐｐ３＝０．
１５２５である。実際には、Ａｐｐ３はＡｐｐ１よりも大きく、実際の画像情報
がマスキングされたか否かという疑問が生じる。以上の計算により、Ａｐｐ指数
の中間点が得られた。中間点は０．１３４４である。次に、ブロック３の歪係数
を破棄し、先の係数から外挿して歪係数を置換する。
【００４９】 本実施例では、Ｃ４、Ｃ５およびＣ６でのＤ１はＤ１Ｃ４＝１．３７、Ｄ１Ｃ
５＝１．９２、Ｄ１Ｃ６＝１．４７が得られた。Ｃ４、Ｃ５およびＣ６でのＤ２
はＤ２Ｃ４＝１．３１、Ｄ２Ｃ５＝１．９０およびＤ２Ｃ６＝１．４７が得られ
た。
５＝１．９２、Ｄ１Ｃ６＝１．４７が得られた。Ｃ４、Ｃ５およびＣ６でのＤ２
はＤ２Ｃ４＝１．３１、Ｄ２Ｃ５＝１．９０およびＤ２Ｃ６＝１．４７が得られ
た。
【００５０】 以上の結果より、次のＤ３が算出される。 Ｄ３Ｃ４＝１．１５、Ｄ３Ｃ５＝１．８８およびＤ３Ｃ６＝１．４７
【００５１】 上記補正結果から、初期の表１は以下の値になる。
【表３】
本発明により、正確にプログラミングされたコンピュータで、関数を記述して
計算することにより、最適値を得ることができる。このようなプログラムは、Ｒ
ＯＭ（read only memory）、ＲＡＭ(random access memory)、または磁気記憶メ
ディアのような記憶デバイス、あるいはＣＤ ＲＯＭディスク等に記述される。
上記のメディアからプログラムを読み書きすること、および、プログラムを実行
することは、科学分野ではよく知られており、特別な技法は要しない。
計算することにより、最適値を得ることができる。このようなプログラムは、Ｒ
ＯＭ（read only memory）、ＲＡＭ(random access memory)、または磁気記憶メ
ディアのような記憶デバイス、あるいはＣＤ ＲＯＭディスク等に記述される。
上記のメディアからプログラムを読み書きすること、および、プログラムを実行
することは、科学分野ではよく知られており、特別な技法は要しない。
【００５２】 各置換された画素値は計算で求められ、新しい画素値は捕捉された画像の全画
素値を含んでメモリに蓄積される。１番目の異常画素列が補正されたら、異常画
素を記録したファイルにある２番目の異常画素列も同様に実行される。プログラ
ムの実行は、簡単かつ短時間でできる。ゆえに、強く望めば、初期の生データは
影響を受けないままで、毎回上述のプログラムが実行でき、データは画像表示さ
れる準備ができる。
素値を含んでメモリに蓄積される。１番目の異常画素列が補正されたら、異常画
素を記録したファイルにある２番目の異常画素列も同様に実行される。プログラ
ムの実行は、簡単かつ短時間でできる。ゆえに、強く望めば、初期の生データは
影響を受けないままで、毎回上述のプログラムが実行でき、データは画像表示さ
れる準備ができる。
【００５３】 複数の隣接した異常画素列がある場合は、本発明によれば異常画素列の一番左
側に隣接した列の数を選択でき、また、異常画素列の一番右側の同じ数字の隣接
した画素列を選ぶことができ、独立して順番に異常画素列を取り扱うよりも事前
に実行ができる。
側に隣接した列の数を選択でき、また、異常画素列の一番右側の同じ数字の隣接
した画素列を選ぶことができ、独立して順番に異常画素列を取り扱うよりも事前
に実行ができる。
【００５４】 本発明は、特殊な検出器にも適用可能であり、正確で効果のある数値を得るこ
とができる。本発明の前述の検出器を使えば、医療診断品質画像を捕捉すること
ができ、画像加工に続いて本発明記載の補正を行うことができ、ハードコピーお
よび画面表示もできる。さらに、シングルユニットまたはさらに小さい多くの検
出器から構成される検出器においても、十分に大きな医療放射線写真を得ること
ができる。
とができる。本発明の前述の検出器を使えば、医療診断品質画像を捕捉すること
ができ、画像加工に続いて本発明記載の補正を行うことができ、ハードコピーお
よび画面表示もできる。さらに、シングルユニットまたはさらに小さい多くの検
出器から構成される検出器においても、十分に大きな医療放射線写真を得ること
ができる。
【００５５】 本発明の具体的なアルゴリズムは、上述のように基本数値の算出に適用された
。しかしながら、これは単に説明のための例である。例えば、１次多項式に適合
する最小自乗法が、最適な近似として通常十分に使える範囲内にあるときは、さ
らに正確な基線値の計算を高次元関数で行うことは可能であり、本発明の範囲内
でもある。同様に、１次の内挿は歪率の置換の計算で証明された。一方、複雑な
内挿法は、高次元関数での計算に使用される。このような数学的手法は、画像修
復およびノイズ低減でよく知られており、これもまた本発明の範囲内である。
。しかしながら、これは単に説明のための例である。例えば、１次多項式に適合
する最小自乗法が、最適な近似として通常十分に使える範囲内にあるときは、さ
らに正確な基線値の計算を高次元関数で行うことは可能であり、本発明の範囲内
でもある。同様に、１次の内挿は歪率の置換の計算で証明された。一方、複雑な
内挿法は、高次元関数での計算に使用される。このような数学的手法は、画像修
復およびノイズ低減でよく知られており、これもまた本発明の範囲内である。
【図１】 本発明に基づいた対話型の放射線写真試験検定システムを示す。
【図２】 本発明の方法を使用したシステムによるフローチャートを示す。
【図３】 基線算出のグラフ描写を示す。Ｘ軸は列数、Ｙ軸は副配列の列平均値を示す。
１ 放射線検出器の表示の概要 ２ カーソル位置 ３ 基線 Ｓ１ 異常画素列のファイル作成するステップ Ｓ２ 露光と画像データ捕捉するステップ Ｓ３ 異常画素と利得の補正実行するステップ Ｓ４ 異常画素列値と隣接画素列値をバッファに転送するステップ Ｓ５ 副配列に分割するステップ Ｓ６ 各副配列毎に列平均値を算出するステップ Ｓ７ 最適な基線を算出するステップ Ｓ８ 近似指数を算出するステップ Ｓ９ 基線から離脱した近似指数を基線値と置換するステップ Ｓ１０ 歪係数を算出するステップ Ｓ１１ 算出した歪係数をローパスフィルタに適用するステップ Ｓ１２ 歪係数を適用するステップ Ｓ１３ 旧画素値を新画素値に置換するステップ Ｓ１４ 他の不良画素列有無を調査するステップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０６Ｔ 5/00 ３００ Ｇ０６Ｔ 5/00 ３００ ５Ｆ０８８ 7/60 １５０ 7/60 １５０Ｚ ５Ｌ０９６ Ｈ０１Ｌ 31/09 Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｐ Ｈ０４Ｎ 5/335 7/18 Ｌ // Ｈ０４Ｎ 7/18 Ｈ０１Ｌ 31/00 Ａ Ｆターム(参考） 2G088 EE01 FF02 GG19 GG20 GG21 JJ05 JJ36 KK24 KK32 KK35 LL11 LL12 LL15 LL28 5B047 AA15 AA17 AB02 BA02 BB04 BC14 CA04 CB05 CB22 DA01 DA06 DC04 5B057 AA08 CA08 CA12 CA16 CB08 CB12 CB16 CC01 CE02 CE06 DB02 DB09 DC22 5C024 AX11 CY44 5C054 AA01 AA06 CA02 FC03 FC15 HA05 5F088 AA02 BB07 LA08 5L096 AA06 BA06 EA05 FA32 GA19 GA32 MA03
Claims (18)
- 【請求項１】 行と列で配列された複数の放射線検出の画像素子で構成された
放射線検出器において、 Ａ） 複数の異常画像素子を形成する画像素子を確認し、前記異常画像素子列の
位置をメモリ内に記憶するステップと、 Ｂ） 前記異常画像素子列の両側および選択した第１の画像素子の配列を形成し
ている前記異常画像素子列に隣接した同一の広がりを持つ多数の画像素子列を選
択するステップと、 Ｃ） 前記選択した第１配列の各列の画像素子値について平均値を算出するステ
ップと、 Ｄ） 前記選択した配列から前記異常画像素子列を除いた各列について、前記異
常画像素子列の平均値を無視して基線値を算出するステップと、 Ｅ） 前記基線値から内挿法により前記異常画像素子列の基線値を算出するステ
ップと、 Ｆ） 前記異常画像素子列の平均画像素子値および前記異常画像素子列の基線値
との比率を示す歪係数を計算するステップと、 Ｇ） 前記異常画像素子列の各画像素子の補正値を得るために、前記歪係数を前
記異常画像素子列値に適用するステップを包含し、 前記複数の隣接した配列の異常画像素子を補正することを特徴とする放射線検出
器の異常画像素子検出方法。 - 【請求項２】 前記画像素子の列平均値を第１次多項式に適用して、最小自乗
法により、前記基線値の算出を行うステップを包含したことを特徴とする請求項
１に記載の放射線検出器の異常画像素子検出方法。 - 【請求項３】 行と列で配列された複数の放射線検出の画像素子で構成された
放射線検出器において、 Ａ） 前記多数の異常画像素子を形成する画像素子を確認し、前記画像素子の位
置をメモリ内に記憶するステップと、 Ｂ） 前記異常画像素子列の両側および選択した第１の画像素子値の配列を形成
している前記異常画像素子列に隣接した同一の広がりを持つ多数の画像素子列を
選択するステップと、 Ｃ） 前記画像素子の初期値を最初の配列と同じ列数と総行数よりも小さい行数
で構成された複数の副配列に分割するステップと、 Ｄ） 前記複数の副配列のうち、前記第１副配列の各列における各列の画像素子
値について平均値を算出するステップと、 Ｅ） 前記第１副配列の異常画像素子を除き、前記第１副配列の異常画像素子列
の平均値を無視して、前記第１副配列の各列について第１基線値を計算するステ
ップと、 Ｆ） 前記基線値から内挿法により、前記異常画像素子列の第１副配列について
第１基線値を内挿するステップと、 Ｇ） 前記第１副配列の異常画像素子列の平均画像素子値および前記異常画像素
子列の内挿基線値との比率を示す第１副配列の歪係数を計算するステップと、 Ｈ） 前記異常画像素子列の各画像素子について補正された第１副配列の画像素
子値を得るために、前記歪係数を前記第１副配列の異常画像素子列値に適用する
ステップと、 Ｉ） 前記補正された画像素子値により、前記異常画像素子列の異常画像素子値
を置換するステップを包含し、 前記複数の隣接した配列の異常画像素子から誤った画像素子値を補正することを
特徴とする放射線検出器の異常画像素子検出方法。 - 【請求項４】 行と列で配列された複数の放射線検出の画像素子で構成された
放射線検出器において、 Ａ） 前記多数の異常画像素子を形成する画像素子を確認し、前記画像素子の位
置をメモリ内に記憶するステップ１と、 Ｂ） 前記異常画像素子列の両側および選択した第１の画像素子値の配列を形成
している異常画像素子列に隣接した同一の広がりを持つ多数の画像素子列を選択
するステップ２と、 Ｃ） 前記初期画像素子値を最初の配列と同じ列数と総行数よりも小さい行数で
構成された複数の副配列に分割するステップ３と、 Ｄ） 前記複数の副配列の内、前記第１副配列の各列における各列の画像素子値
について平均値を算出するステップ４と、 Ｅ） 前記第１副配列の異常画像素子を除き、前記第１副配列の異常画像素子列
平均値は無視し、前記第１副配列の各列について第１基線値を計算するステップ
５と、 Ｆ） 前記基線値から内挿法により前記第１副配列の異常画像素子列について前
記第１基線値を内挿するステップ６と、 Ｇ） 前記第１副配列の異常画像素子列の平均画像素子値および前記異常画像素
子列の内挿基線値との比率を示す前記第１副配列の歪係数を計算するステップ７
と、 Ｈ） 前記異常画像素子列の各画像素子について補正された前記第１副配列の画
像素子値を得るために、前記歪係数を前記第１副配列の異常画像素子列値に適用
するステップ８と、 Ｉ） 前記補正された画像素子値により前記異常画像素子列の異常画像素子値を
置換するステップ９とを包含し、 前記ステップ９の後に、さらに前記ステップ４乃至ステップ９を繰り返すことを
特徴とする放射線検出器の異常画像素子検出方法。 - 【請求項５】 前記画像を表示するステップを包含することを特徴とする請求
項３記載の放射線検出器の異常画像素子検出方法。 - 【請求項６】 前記隣接する副配列は１つのオーバーラップした行を含むこと
を特徴とする請求項３記載の放射線検出器の異常画像素子検出方法。 - 【請求項７】 前記無視した画像素子列は、前記異常画像素子列に隣接した一
列の付加された画像素子列で構成されることを特徴とする請求項３記載の放射線
検出器の異常画像素子検出方法。 - 【請求項８】 前記無視した画像素子列は、前記異常画像素子列の両側に隣接
した一列の付加された画像素子列で構成されることを特徴とする請求項３記載の
放射線検出器の異常画像素子検出方法。 - 【請求項９】 前記各副配列は４個乃至８個の画像素子の行から構成されるこ
とを特徴とする請求項３記載の放射線検出器の異常画像素子検出方法。 - 【請求項１０】 前記基線値および前記各副配列の平均値との偏差で表される
近似指数を算出し、前記全歪係数は、前記全副配列の近似係数の半分以下の近似
係数を有する副配列の近似係数から外挿法で算出された新歪係数により、前記全
副配列の近似係数の半分よりも大きい近似係数を有する全副配列を置換して算出
することを特徴とする請求項３記載の放射線検出器の異常画像素子検出方法。 - 【請求項１１】 前記多数の列に分割された各副配列の前記異常画像素子列以
外の各画像素子列に関して、前記平均値および前記基線値との差の平方和の平方
根は近似係数と等しいことを特徴とする請求項１０記載の放射線検出器の異常画
像素子検出方法。 - 【請求項１２】 前記放射線検出器は放射線写真検出器を包含し、前記画像素
子は医療診断エックス線写真の画像素子を包含することを特徴とする請求項３記
載の放射線検出器の異常画像素子検出方法。 - 【請求項１３】 前記放射線写真検出器は、多数の小さな検出器を平面に並べ
た構成であることを特徴とする請求項３記載の放射線検出器の異常画像素子検出
方法。 - 【請求項１４】 前記隣接する画像素子は、ソース電極を有するスイッチング
トランジスタで構成され、前記ソース電極は共通画像素子列導体に接続された構
成を有することを特徴とする請求項３記載の放射線検出器の異常画像素子検出方
法。 - 【請求項１５】 コンピュータが解読でき実行できる明確かつ具体的に記述し
たプログラムを保存する装置を使用し、各センサを行と列の画像素子で表現する
多数の放射線センサで構成された放射線検出器の放射線露光に続いて、多数の隣
接した画像素子の配列の異常画像素子から異常な画像素子値を補正し、前記補正
された画像素子値は、検出器の前記放射線露光の画像表示に使用され、 Ａ） 前記多数の異常画像素子を形成する画像素子を確認し、前記画像素子の位
置をメモリ内に記憶するステップと、 Ｂ） 前記異常画像素子列の両側および選択した第１の画像素子値の配列を形成
している異常画像素子列に隣接した同一の広がりを持つ多数の画像素子列を選択
するステップと、 Ｃ） 前記初期画像素子値を最初の配列と同じ列数および総行数よりも小さい行
数で構成された複数の副配列に分割するステップと、 Ｄ） 前記複数の副配列の内、前記第１副配列の各列における各列の画像素子値
について平均値を算出するステップと、 Ｅ） 前記第１副配列の異常画像素子を除き、前記第１副配列の異常画像素子列
平均値は無視し、前記第１副配列の各列について第１基線値を計算するステップ
と、 Ｆ） 前記計算により求めた基線値から内挿法により、前記第１副配列の異常画
像素子列について第１基線値を内挿するステップと、 Ｇ） 前記第１副配列の異常画像素子列の平均画像素子値および前記異常画像素
子列の内挿基線値との比率を示す前記第１副配列を補正するための歪係数を計算
するステップと、 Ｈ） 前記異常画像素子列の各画像素子について補正された第１副配列の画像素
子値を得るために、前記歪係数を第１副配列の異常画像素子列値に適用するステ
ップと、 Ｉ） 前記補正された画像素子値により、前記異常画像素子列の異常画像素子値
を置換するステップとを包含したことを特徴とする放射線検出器の異常画像素子
検出方法。 - 【請求項１６】 前記基線値および前記各副配列の平均値との偏差で表される
近似指数を算出し、前記全歪係数は、前記全副配列の近似係数の半分以下の近似
係数を有する副配列の近似係数から外挿法で算出された新歪係数により、前記全
副配列の近似係数の半分よりも大きい近似係数を有する全副配列を置換して算出
することを特徴とする請求項１２に記載のプログラミング可能な検出器。 - 【請求項１７】 前記副配列の各列数で分割された各副配列にある前記異常画
像素子を除いた各画像素子列に関して、前記基線値および前記平均値との偏差の
平方を合計した値の平方根は、近似指数と等しいことを特徴とする請求項１６の
放射線検出器の異常画像素子検出方法。 - 【請求項１８】 具体化されたプログラムコードでコンピュータが解読可能な
プログラムを記録したメディアを使用するコンピュータを使用し、複数の隣接し
た画像素子の配列の異常画像素子から影響を受けた画像素子値の修正を行い、行
列の画像素子で表される複数の各放射線センサで構成される放射線検出器を使用
し、 Ａ） 前記多数の異常画像素子を形成する画像素子を確認し、前記画像素子の位
置をメモリ内に記憶するステップと、 Ｂ） 前記異常画像素子列の両側および選択した第１の画像素子値の配列を形成
している異常画像素子列に隣接した同一の広がりを持つ多数の画像素子列を選択
するステップと、 Ｃ） 前記画像素子の初期値を最初の配列と同じ列数および総行数よりも小さい
行数で構成された複数の副配列に分割するステップと、 Ｄ） 前記複数の副配列の内、第１副配列の各列における各列の画像素子値につ
いて平均値を算出するステップと、 Ｅ） 前記第１副配列の異常画像素子を除き、前記第１副配列の異常画像素子列
平均値は無視し、前記第１副配列の各列について第１基線値を計算するステップ
と、 Ｆ） 前記計算により求めた基線値から内挿法により、第１副配列の異常画像素
子列について第１基線値を内挿するステップと、 Ｇ） 前記第１副配列の異常画像素子列の平均画像素子値および前記異常画像素
子列の内挿基線値の比率を示す前記第１副配列の歪係数を計算するステップと、
Ｈ） 前記異常画像素子列の各画像素子について補正された第１副配列の画像素
子値を得るために、前記歪係数を第１副配列の異常画像素子列値に適用するステ
ップと、 Ｉ） 前記補正された画像素子値により前記異常画像素子列の異常画像素子値を
置換することを特徴とした放射線検出器。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/255,772 US6118846A (en) | 1999-02-23 | 1999-02-23 | Bad pixel column processing in a radiation detection panel |
| US09/255,772 | 1999-02-23 | ||
| PCT/US2000/003360 WO2000050879A1 (en) | 1999-02-23 | 2000-02-10 | Radiation detector bad pixel processing |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002538639A true JP2002538639A (ja) | 2002-11-12 |
Family
ID=22969798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000601425A Pending JP2002538639A (ja) | 1999-02-23 | 2000-02-10 | 放射線検出器および放射線検出器の異常画像素子検出方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6118846A (ja) |
| EP (1) | EP1155308A4 (ja) |
| JP (1) | JP2002538639A (ja) |
| CA (1) | CA2355950A1 (ja) |
| WO (1) | WO2000050879A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010022562A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Fujifilm Corp | 信号ライン方法および装置 |
| KR101141055B1 (ko) | 2010-08-04 | 2012-07-16 | 한국전기연구원 | 디지털 ｘ―선 촬영을 위한 단층영상합성 시스템의 영상 평탄화 방법 |
| KR101515654B1 (ko) * | 2007-09-05 | 2015-04-27 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 |
| JP2016524167A (ja) * | 2013-07-12 | 2016-08-12 | ブルカー・エイエックスエス・インコーポレイテッドＢｒｕｋｅｒ ＡＸＳ， Ｉｎｃ． | 能動画素アレイセンサを用いたｘ線回折ベースの欠陥画素補正方法 |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6366643B1 (en) * | 1998-10-29 | 2002-04-02 | Direct Radiography Corp. | Anti scatter radiation grid for a detector having discreet sensing elements |
| US6819358B1 (en) * | 1999-04-26 | 2004-11-16 | Microsoft Corporation | Error calibration for digital image sensors and apparatus using the same |
| US6661456B1 (en) * | 1999-04-30 | 2003-12-09 | General Electric Company | Imaging of pixel defects in digital detectors |
| US6693668B1 (en) * | 1999-06-04 | 2004-02-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Self-diagnostic image sensor |
| US6453008B1 (en) * | 1999-07-29 | 2002-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Radiation detector noise reduction method and radiation detector |
| US6354737B1 (en) | 1999-11-12 | 2002-03-12 | Direct Radiography Corp. | Digital image orientation marker |
| US7453066B2 (en) * | 2001-01-06 | 2008-11-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus to recover a dead pixel in digital imaging systems |
| WO2004061480A1 (en) | 2003-01-06 | 2004-07-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus to recover a dead pixel in digital imaging systems |
| DE10106907C2 (de) * | 2001-02-13 | 2003-06-26 | Siemens Ag | Röntgendiagnostikeinrichtung mit Mitteln und Verfahren zur Korrektur von Kometenartefakten |
| US6737625B2 (en) | 2001-06-28 | 2004-05-18 | Agilent Technologies, Inc. | Bad pixel detection and correction in an image sensing device |
| US6623161B2 (en) * | 2001-08-28 | 2003-09-23 | Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc | Method and apparatus for identifying and correcting line artifacts in a solid state X-ray detector |
| US6404853B1 (en) * | 2001-11-02 | 2002-06-11 | Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc | Method for identifying and correcting pixels with excess pixel lag in a solid state x-ray detector |
| US7142636B2 (en) * | 2003-09-23 | 2006-11-28 | General Electric Company | System and method for defective detector cell and DAS channel correction |
| DE102004025121A1 (de) * | 2004-05-21 | 2005-12-15 | Bruker Axs Gmbh | Verfahren zum Betrieb eines Röntgenanalysegeräts mit zweidimensionalem Array-Detektor und Röntgenanalysegerät zum Durchführen des Verfahrens |
| JP4479373B2 (ja) * | 2004-06-28 | 2010-06-09 | ソニー株式会社 | イメージセンサ |
| US7602951B2 (en) * | 2005-03-14 | 2009-10-13 | General Electric Company | Method and system for providing defective cell correction in a medical imaging device |
| DE102005017491B4 (de) * | 2005-04-15 | 2007-03-15 | Siemens Ag | Verfahren zum Erzeugen eines gainkorrigierten Röntgenbildes |
| EP1870732A1 (en) * | 2006-06-19 | 2007-12-26 | Agfa HealthCare NV | Method of determining the sensitivity of a radiation detector. |
| EP1870731B1 (en) * | 2006-06-19 | 2011-04-20 | Agfa HealthCare NV | Method of determining the non-uniformity of a detector inventory |
| JP4874843B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2012-02-15 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影方法および放射線画像撮影装置 |
| JP4912990B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2012-04-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5091695B2 (ja) * | 2008-01-24 | 2012-12-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5155759B2 (ja) * | 2008-07-17 | 2013-03-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
| US8178847B2 (en) * | 2008-08-07 | 2012-05-15 | Varian Medical Systems, Inc. | Data processing using reduced onboard memory |
| US8786873B2 (en) | 2009-07-20 | 2014-07-22 | General Electric Company | Application server for use with a modular imaging system |
| US8243882B2 (en) | 2010-05-07 | 2012-08-14 | General Electric Company | System and method for indicating association between autonomous detector and imaging subsystem |
| JP6202855B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-09-27 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置、画像処理装置の制御方法、及びプログラム |
| US9437771B2 (en) | 2013-05-14 | 2016-09-06 | Fermi Research Alliance, Llc | Monolithic active pixel radiation detector with shielding techniques |
| JP6242185B2 (ja) * | 2013-11-22 | 2017-12-06 | 株式会社リガク | 補正情報生成方法および補正情報生成装置 |
| DE102015213911B4 (de) * | 2015-07-23 | 2019-03-07 | Siemens Healthcare Gmbh | Verfahren zum Erzeugen eines Röntgenbildes und Datenverarbeitungseinrichtung zum Ausführen des Verfahrens |
| CN107637068B (zh) * | 2016-11-30 | 2019-10-25 | Oppo广东移动通信有限公司 | 图像坏点补偿方法、装置和电子设备 |
| CN107145832A (zh) * | 2017-04-11 | 2017-09-08 | 江苏邦融微电子有限公司 | 一种电容式指纹采集系统坏线的标定方法及其自修复方法 |
| CN113532801A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-10-22 | 四川九洲电器集团有限责任公司 | 基于分布分位数的高/多光谱相机坏点检测方法及系统 |
| CN115567651B (zh) * | 2022-09-20 | 2023-05-09 | 中国人民解放军61540部队 | 一种像元响应非均匀性校正方法、系统、电子设备及介质 |
| CN116074495B (zh) * | 2023-03-07 | 2023-06-16 | 合肥埃科光电科技股份有限公司 | 一种图像传感器坏点的检测校正方法及装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3830972A (en) * | 1972-11-13 | 1974-08-20 | Ibm | Sensitivity compensation for a self scanned photodiode array |
| DE2627885A1 (de) * | 1976-06-22 | 1978-01-05 | Philips Patentverwaltung | Anordnung zur ermittlung der raeumlichen verteilung der absorption von strahlung in einer ebene eines koerpers |
| JPS6086980A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-16 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| US4589028A (en) * | 1983-11-29 | 1986-05-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Defect concealing image sensing device |
| US4602291A (en) * | 1984-05-09 | 1986-07-22 | Xerox Corporation | Pixel non-uniformity correction system |
| US4694342A (en) * | 1986-05-01 | 1987-09-15 | Eastman Kodak Company | Spatial filter useful for removing noise from video images and for preserving detail therein |
| US5047863A (en) * | 1990-05-24 | 1991-09-10 | Polaroid Corporation | Defect correction apparatus for solid state imaging devices including inoperative pixel detection |
| JPH06259541A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-09-16 | Toshiba Corp | 画像歪み補正方法およびそのシステム |
| US5499114A (en) * | 1994-10-31 | 1996-03-12 | Eastman Kodak Company | Digital image scanning apparatus with pixel data compensation for bad photosites |
| DE69631126T2 (de) * | 1996-08-08 | 2004-09-16 | Agfa-Gevaert | Verfahren zur Verbesserung der Aufzeichnungsmaterialfehler von Strahlungsbildern |
-
1999
- 1999-02-23 US US09/255,772 patent/US6118846A/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-02-10 EP EP00907243A patent/EP1155308A4/en not_active Withdrawn
- 2000-02-10 CA CA002355950A patent/CA2355950A1/en not_active Abandoned
- 2000-02-10 JP JP2000601425A patent/JP2002538639A/ja active Pending
- 2000-02-10 WO PCT/US2000/003360 patent/WO2000050879A1/en not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101515654B1 (ko) * | 2007-09-05 | 2015-04-27 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 |
| JP2010022562A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Fujifilm Corp | 信号ライン方法および装置 |
| KR101141055B1 (ko) | 2010-08-04 | 2012-07-16 | 한국전기연구원 | 디지털 ｘ―선 촬영을 위한 단층영상합성 시스템의 영상 평탄화 방법 |
| JP2016524167A (ja) * | 2013-07-12 | 2016-08-12 | ブルカー・エイエックスエス・インコーポレイテッドＢｒｕｋｅｒ ＡＸＳ， Ｉｎｃ． | 能動画素アレイセンサを用いたｘ線回折ベースの欠陥画素補正方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2355950A1 (en) | 2000-08-31 |
| US6118846A (en) | 2000-09-12 |
| EP1155308A4 (en) | 2005-07-27 |
| EP1155308A1 (en) | 2001-11-21 |
| WO2000050879A1 (en) | 2000-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002538639A (ja) | 放射線検出器および放射線検出器の異常画像素子検出方法 | |
| US6350985B1 (en) | Method for calculating gain correction factors in a digital imaging system | |
| US6354737B1 (en) | Digital image orientation marker | |
| EP0759249B1 (en) | Automated image quality control | |
| EP0021366B1 (en) | Spatial distortion correction method and apparatus for scintillation cameras | |
| JP2905059B2 (ja) | 色値処理方法および処理装置 | |
| JP2003023572A (ja) | パネル検出器のピクセル置換の方法及び装置 | |
| US11728130B2 (en) | Method of recording an image using a particle microscope | |
| JP3662283B2 (ja) | ラジオグラフィー像の表示において診断上無関係な領域の可視化 | |
| EP1692656B1 (en) | A device and method for correcting defects in x-ray images | |
| CN102970931A (zh) | 用于确定计算机x线摄影中的探测器的空间响应标记图的方法 | |
| WO2003071298A1 (en) | Pica system detector calibration | |
| US7417232B2 (en) | Systems and methods for camera calibration | |
| US6529581B2 (en) | Radiation image taking apparatus | |
| JP4242100B2 (ja) | Ｘ線診断装置およびｘ線診断装置におけるコメットアーチファクトの補正方法 | |
| JP2001061823A (ja) | 放射線画像処理方法及び放射線画像処理装置 | |
| KR20000060731A (ko) | 다수의 촬상소자를 이용한 고해상도 촬영 장치의 보정 방법 | |
| JP3626353B2 (ja) | パターン検査装置およびパターン検査方法 | |
| JP2006000442A (ja) | 投影像特定方法及び放射線撮像装置 | |
| Brooks | NIRCam Reference Files from ISIM | |
| JP2011035518A (ja) | 欠陥画素検出方法および画像処理装置 |