JP2002532746A - 光導波路の作成方法 - Google Patents

光導波路の作成方法

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JP2002532746A JP2000588628A JP2000588628A JP2002532746A JP 2002532746 A JP2002532746 A JP 2002532746A JP 2000588628 A JP2000588628 A JP 2000588628A JP 2000588628 A JP2000588628 A JP 2000588628A JP 2002532746 A JP2002532746 A JP 2002532746A
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Abstract

(57)【要約】 一体形成された導波路（2）を備えたシリコン基板を含んで構成される導波路構造を処理する方法が開示される。導波路はフェーセット（52）を備えた端部を有し、端部はシリコン基板から突き出すと共に、導波路のフェーセットからの下側突出部（11）上に酸化物層（３）を有する。窒化物層（10）は導波路の上部表面及びフェーセット上を延伸する。処理方法は、下側からの酸化物層（3,11）のエッチング、新規な酸化物層の成長、窒化物層（10）のエッチング、そして新規な窒化物層の蒸着を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光導波路の作成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
光ファイバ通信システムや光ファイバの基本部品及び装置は、光ファイバの基
板上に一体形成された導波路等の光集積装置への正確な位置合わせ及び信頼度の
高い取り付けを必要とする。このような光接続を設計するにあたって考慮すべき
重要な事柄の一つは、良好な位置合わせが導波路と光ファイバとの間で達成され
ることである。このような光接続の一般的な構造が、シリコン基板上に一体形成
された導波路に対するＶ溝内のファイバセットの接続である。シリコン絶縁体ウ
ェーハ上に一体形成されたシリコンリブ導波路或いはシリコンリッジ導波路を基
本とするこのような構造がPCT/GB96/01068に記載されている。良好な接続を達成
するには、ファイバを導波路フェーセットの５μｍ以下のギャップ内に導く必要
がある。Ｖ溝は溝底部に直角な端面を持たず、むしろ底部に対して斜めに設定さ
れるので、導波路の下側を切り取って「ダイビングボード」のような斜面から突
き出した導波路構造を形成するのが望ましい。このような概念がPCT/GB96/01068
に見られる。この特定概念は適宜な位置合わせ特性を達成するのに望ましい方法
ではあるが、処理上のトレランスによって片持ち構造を生じて、Ｖ溝を形成した
後に導波路の端面フェーセットを超えて延伸する望ましくない埋め込み酸化物の
「棚（shelf）」が見られる。酸化物の棚を含む端面上に窒化物層を蒸着すると
、小さな窒化物の棚が同様に形成される。除去した場合には、これらの棚が導波
路からの光波の出口を歪ませる。
【０００３】 本発明は、導波路フェーセットの表面品質を改良して、光ファイバへの改良さ
れた光接続を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】 本発明の一態様によれば、一体形成されたリブ導波路を備えたシリコン基板を
含んで構成される導波路構造の処理方法であって、前記導波路はフェーセットを
備えた端部を含んで構成され、前記端部は前記シリコン基板から突き出すと共に
、導波路のフェーセットからの下側突出部の酸化物層と導波路の上側表面及びフ
ェーセット上を延伸する窒化物層とを有し、 下側から酸化物層を除去する酸化物エッチングを行う工程と、 フェーセットで終結する新規な酸化物層を下側の露出したシリコン上に形成す
る工程と、 窒化物層を除去する窒化物エッチングを行う工程と、 フェーセットから突出せずに上側表面及びフェーセット上を延伸する新規な窒
化物層を蒸着して窒化珪素をフェーセット上に形成する工程と、を含んで構成さ
れる方法が提供される。
【０００５】 本発明の他の態様によれば、シリコン基板と、前記シリコン基板頂部の酸化物
層と、前記酸化物層頂部のエピタキシャルシリコン層とを含んで構成される、シ
リコン絶縁体ウェーハ内の導波路構造の作成方法であって、 エピタキシャル層内にリブ導波路を規定する工程と、 エピタキシャル層を貫通して、前記リブ導波路の両側をその端部においてエッ
チングして、埋め込まれた酸化物層を露出させる工程と、 リブ導波路上の酸化物層と窒化物層を連続して蒸着する工程と、 前記端部を切り取ってシリコン基板内にＶ溝を形成して、光ファイバを導波路
構造に整列させる工程であって、リブ導波路の端面フェーセットを超えて延伸す
る前記埋め込まれた酸化物層の望ましくない部分を残す工程と、 前記による方法で導波路構造を処理する工程と、 を含んで構成される方法が提供される。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明をより理解し、また本発明がどのように実施できるかを示すために、添
付の図面を参照しながら実施例により説明する。 図において、同様の要素は同一符号で示す。 ここで説明されるリブ導波路はシリコン絶縁体チップに基づく。この種のチッ
プの形成方法は1989年発行のApplied Physics Letters 54、526頁、J. Morgail
他による"Reduced defect density in silicon-on-insulator structures forme
d by oxygen implantation in two steps"に記載されている。これは、シリコン
絶縁体ウェーハの作成方法を記載している。そして、このようなシリコン層ウェ
ーハは、例えばエピタキシャル成長により増大して、ここに説明する集積導波路
構造の基板を形成するのに適したものとなる。図１はこのようなチップ上に形成
された光導波路の端部を示す図である。チップは、酸化珪素層３でシリコン基板
４から離間するシリコン層１を含んで構成される。リブ導波路２がシリコン層１
内に形成される。また、図１にはリブ導波路２の頂部に形成される酸化クラッデ
ィング７が示される。更に、この導波路形状の詳細は1991年発行のElectronic L
etters 27、1486頁、J. Schmidtchen他による"Low loss single mode optical w
aveguides with large cross-section in silicon-on-insulator"及び国際公開W
O95/08787に記載されている。
【０００７】 この導波路は単一モード低損失（通常、1.2から1.6ミクロンの波長範囲に対し
て0.2dB/cm以下）の導波路を提供する。この導波路は通常、光ファイバと結合可
能でありまた他の集積部品と互換性のある約３から５ミクロンの寸法である。 図２は光ファイバ６と導波路を結合するための集積構造の最終形状の側面図で
ある。埋め込まれた酸化層３はリブ導波路２よりも低い屈折率を持つので、光波
がリブ導波路内に閉じ込められる。熱酸化層７が導波路を覆って導波路クラッデ
ィングを提供する。基板４内のＶ溝のエッチングの間に、エッチングされた後方
スロープ5Aが形成されて、光ファイバ６に結合するための片持ち型ダイビングボ
ード構造50を作成する。
【０００８】 このような構造の作成方法の説明を、基本のシリコン絶縁体ウェーハの説明か
ら開始する。第１の工程では、エピタキシャルシリコン１上にクラッディング層
を提供する熱酸化珪素層７を蒸着して約7000Åの厚さにする。その後、ウェーハ
をレジストをもってパターン化し、熱酸化層７へのエッチングを行って初期リッ
ジ構造を形成する。これは初期リッジ構造の両側のエピタキシャルシリコンを露
出させている。レジストを除去した後、エピタキシャルシリコンを1.45μｍエッ
チングしてリッジ導波路２を形成する。この工程でのリッジ横断面を図1Aに示す
。
【０００９】 次の工程では、導波路のエンドフェーセット52を完全に形成する。アラインメ
ントを維持するためにフェーセットの部分的な形成を避けて、ウェーハをレジス
トをもってパターン化する。そして、露出されたエピタキシャルシリコンを、後
にＶ溝を含むことになる領域においてオーバエッチングして埋め込まれた酸化層
３を露出させる。導波路フェーセットがここで完全に形成され、図１に示される
ように上方から見た場合に、導波路がフェーセットにおいて「Ｔ−接合」形状を
持つことになる。
【００１０】 また、図２にはコア6Aを有する光ファイバ６が示される。図から明らかなよう
に、エッチングされた後方スロープ5Aの角度により、導波路が後方スロープから
突き出さない限り、光ファイバを導波路フェーセット52に十分に接近させること
は困難である。従って、図２の装置を作成するために、本作成方法の次の工程で
は、Ｖ溝を形成すると共に導波路の端部を切り取ってファイバを導波路に極めて
接近させる。
【００１１】 前の工程で残っているレジストが取り除かれ、約0.35μｍ厚の湿式酸化珪素層
が熱成長してウェーハ全体を被覆する。その後、フェーセットがレジストをもっ
てパターン化されて湿式の全体エッチングが完了する。これは、リッジ構造の残
りの部分が被覆されたままなのに対して、フェーセットが酸化されないことを意
味する。適切なエッチャントはフッ化水素である。
【００１２】 レジストが除去されて乾式酸化物の薄層（200Å）が成長してフェーセットを
次の湿式窒化物エッチングから保護する。このようなエッチングは潜在的にシリ
コンに光燐ドーピングを引き起こすことができる。 次の工程で、リブ構造であって露出した埋め込み酸化層全体に500ÅのLPCVD窒
化珪素層を蒸着する。この層は炉内で蒸着されるので、炉内の雰囲気との反応に
よりニトックス（nitox）層（40Å）が窒化物の上に形成される。窒化物除去層
がレジストをもってパターン化され、ニトックスが湿式エッチングされる。その
後、レジストが剥がされ、以降の工程でＶ溝を形成するリッジ周囲領域から窒化
物が湿式エッチングされる。このように、ニトックスはエッチングマスクであり
、窒化物除去により次の工程で酸化物が除去される場所が決められる。
【００１３】 次の工程ではＶ溝の形成を開始する。Ｖ溝領域はレジストをもってパターン化
され、埋め込み酸化物はニトックスマスクによって決められた露出領域において
基板４の方向に0.8μｍだけエッチングされる。 最終工程では、レジストを除去してシリコン基板４をエッチングしてＶ溝を形
成する。これは、リッジ導波路の端部をＶ溝から突き出す「ダイビングボード」
として残してリッジ導波路の下側を切り取る高速結晶エッチングである。実際の
リッジの高さは1.45μｍでありダイビングボードの残りの高さは2.8μｍである
。この工程における構造を図３の側面図に示す。
【００１４】 図３に示すように、導波路の端面フェーセット５２を超えて延びる望ましくな
い「棚」がある。これは、埋め込み酸化物層の残留物である酸化物部11と窒化物
部12とからなる。両者はエッチング処理中に残されたものであり、これはエッチ
ングマスクとフェーセットとを正確に整列できなかったためである。リブ導波路
２はエピタキシャルシリコン１内にあって、全体が酸化物及び窒化物に覆われて
いる。導波路２の下側の酸化物は埋め込み酸化物層の一部であるため符号３で示
され、導波路の上側表面フェーセットを覆う窒化物は符号10で示される。更にま
た、200Åの乾式酸化物層の成長後もフェーセット52上に少量の望ましくない酸
化物14が残される。
【００１５】 以降の図面は望ましくない「棚」の除去と、それに続く、上下表面に保護層を
持ち、端面フェーセットに反射防止窒化珪素をコーティングされた効果的な導波
路構造の作成を示す。 まず、酸化物層３と酸化物部11とを湿式エッチングを使用して除去する。この
結果、図４に示される構造となる。そして、導波路の下側及びＶ溝の周囲の露出
したシリコン上で酸化物保護層13を再成長させる。導波路周囲に蒸着される酸化
物層に関する限り、本層の目的は酸化物とシリコンとの境界面を滑らかにすると
共に導波路の有効な屈折率に影響を与える粉塵を防止することである。この段階
では、窒化物部12はまだ残っている。窒化物エッチングによって、この部分12と
上側表面上の窒化物10とを除去して図６の構造とする。ここで、わずかな厚さの
望ましくない酸化物が残存していることは別として、フェーセット52が露出する
。そして、フェーセットを短時間エッチング液に漬けて、この酸化物を除去し図
７に示す純粋のシリコンフェーセット52とする。図３から図８に示される工程に
おける全てのエッチングは、パターニングが不要なため廉価な「ブランケット」
エッチングである。
【００１６】 最終処理により、導波路及びＶ溝領域全体を取り囲む窒化物層15を再蒸着する
。この再蒸着によって、フェーセット52上に反射防止被膜として作用する窒化珪
素層17が形成されて、低損失ファイバ−導波路間の干渉を保証する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 中間処理工程におけるシリコン絶縁体リブ導波路の端部を示し、
1Aはリブ導波路の横断面の透視図
【図２】 光ファイバとの導波路接続の概略側面図
【図３】 望ましくない酸化物及び窒化物の棚が示される、Ｖ溝から突き出
す導波路の概略側面図
【図４】 望ましくない酸化物が除去された後のＶ溝から突き出す導波路の
概略側面図
【図５】 酸化物が下側表面上で再成長した後のＶ溝から突き出す導波路の
概略側面図
【図６】 望ましくない窒化物が除去された後のＶ溝から突き出す導波路の
概略側面図
【図７】 別の望ましくない酸化物がフェーセットから除去された後のＶ溝
から突き出す導波路の概略側面図
【図８】 本発明の実施例による処理の最終工程が実行された後のＶ溝から
突き出す導波路の概略側面図
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年１１月３日（２０００．１１．３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】 本発明の一態様によれば、一体形成されたリブ導波路を備えたシリコン基板を
含んで構成される導波路構造の処理方法であって、前記導波路はフェーセットを
備えた端部を含んで構成され、前記端部は前記シリコン基板の切り取られた部分 から突き出すと共に、導波路のフェーセットからの下側突出部の酸化物層と導波
路の上側表面及びフェーセット上を延伸する窒化物層とを有し、 下側から酸化物層を除去する酸化物エッチングを行う工程と、 フェーセットで終結する新規な酸化物層を下側の露出したシリコン上に形成す
る工程と、 窒化物層を除去する窒化物エッチングを行う工程と、 フェーセットから突出せずに上側表面及びフェーセット上を延伸する新規な窒
化物層を蒸着して窒化珪素をフェーセット上に形成する工程と、を含んで構成さ
れる方法が提供される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｒ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ， ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，Ｋ Ｚ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ， ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，Ｓ Ｋ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一体形成されたリブ導波路を備えたシリコン基板を含んで構成される導波路構
    造の処理方法であって、前記導波路はフェーセットを備えた端部を含んで構成さ
    れ、前記端部は前記シリコン基板から突き出すと共に、導波路のフェーセットか
    らの下側突出部上の酸化物層と導波路の上側表面及びフェーセット上を延伸する
    窒化物層とを有し、 下側から酸化物層を除去する酸化物エッチングを行う工程と、 フェーセットで終結する新規な酸化物層を下側の露出したシリコン上に形成す
    る工程と、 窒化物層を除去する窒化物エッチングを行う工程と、 フェーセットから突出せずに上側表面及びフェーセット上を延伸する新規な窒
    化物層を蒸着して窒化珪素をフェーセット上に形成する工程と、を含んで構成さ
    れる方法。
  2. 【請求項２】 前記導波路はフェーセット上に望ましくない酸化物層を含んで構成され、前記
    方法は前記窒化物エッチング工程の後に前記望ましくない酸化物層を除去する付
    加工程を含んで構成される請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記窒化物層を蒸着する工程がブランケット蒸着工程である請求項１又は２記
    載の方法。
  4. 【請求項４】 新規な窒化物層の厚さを制御してフェーセットの光特性を制御する請求項１か
    ら３のいずれか１つに記載の方法。
  5. 【請求項５】 シリコン基板と、前記シリコン基板頂部の酸化物層と、前記酸化物層頂部のエ
    ピタキシャルシリコン層とを含んで構成される、シリコン絶縁体ウェーハ内の導
    波路構造の作成方法であって、 エピタキシャル層内にリブ導波路を規定する工程と、 エピタキシャル層を貫通して、前記リブ導波路の両側をその端部においてエッ
    チングして、埋め込まれた酸化物層を露出させる工程と、 リブ導波路上の酸化物層と窒化物層を連続して蒸着する工程と、 前記端部を切り取ってシリコン基板内にＶ溝を形成して、光ファイバを導波路
    構造に整列させる工程であって、リブ導波路の端面フェーセットを超えて延伸す
    る前記埋め込まれた酸化物層の望ましくない部分を残す工程と、 前記請求項１から４のいずれかによる方法で導波路構造を処理する工程と、を
    含んで構成される方法。
  6. 【請求項６】 添付の図面を参照して説明された、また添付の図面に示された導波路構造の処
    理方法。
JP2000588628A 1998-12-14 1999-12-01 光導波路の作成方法 Pending JP2002532746A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005208638A (ja) * 2004-01-20 2005-08-04 Xerox Corp 低損失のシリコン導波路及びその製造方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100277695B1 (ko) * 1998-09-12 2001-02-01 정선종 에스 오 아이 광도파로를 이용한 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법
GB2357342A (en) 1999-12-15 2001-06-20 Bookham Technology Ltd Controlling birefingence in an optical waveguide
CA2423037A1 (en) * 2000-09-26 2002-04-04 Stephen William Roberts Controlling birefringence in an optical waveguide and in an arrayed waveguide grating
US6596185B2 (en) * 2000-11-28 2003-07-22 Lightcross, Inc. Formation of optical components on a substrate
US6614965B2 (en) 2001-05-11 2003-09-02 Lightcross, Inc. Efficient coupling of optical fiber to optical component
US20050217706A1 (en) * 2002-04-05 2005-10-06 Souvik Banerjee Fluid assisted cryogenic cleaning
US6800212B2 (en) * 2002-05-15 2004-10-05 The Regents Of The University Of California Fabrication of optical components using Si, SiGe, SiGeC, and chemical endpoint detection
CN1293399C (zh) * 2004-03-19 2007-01-03 中国科学院半导体研究所 采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法
JP2006065163A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Omron Corp 光導波路装置
US20060133754A1 (en) * 2004-12-21 2006-06-22 Vipulkumar Patel Ultra low-loss CMOS compatible silicon waveguides
US20090126760A1 (en) * 2005-01-12 2009-05-21 Boc, Inc. System for cleaning a surface using crogenic aerosol and fluid reactant
US7684660B2 (en) * 2005-06-24 2010-03-23 Intel Corporation Methods and apparatus to mount a waveguide to a substrate
WO2011127840A1 (en) * 2010-04-15 2011-10-20 Shanghai Silight Technology Co., Ltd Method for fabricating waveguides using epitaxial growth
CN109477936B (zh) 2016-07-13 2022-03-29 洛克利光子有限公司 集成结构以及其制造方法
US9835801B1 (en) * 2016-09-22 2017-12-05 Mellanox Technologies Silicon Photonics Inc. Edge construction on optical devices
US10539815B2 (en) 2016-09-22 2020-01-21 Mellanox Technologies Silicon Photonics Inc. Edge construction on optical devices
NL2020625B1 (en) 2017-12-22 2019-07-02 Illumina Inc Two-filter light detection devices and methods of manufacturing same
NL2020612B1 (en) 2017-12-22 2019-07-02 Illumina Inc Light detection devices with protective liner and methods of manufacturing same
JP2020112751A (ja) * 2019-01-16 2020-07-27 日本電信電話株式会社 伝送路の端部構造

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5077818A (en) * 1989-09-29 1991-12-31 Siemens Aktiengesellschaft Coupling arrangement for optically coupling a fiber to a planar optical waveguide integrated on a substrate
FR2659148B1 (fr) * 1990-03-01 1993-04-16 Commissariat Energie Atomique Procede de connexion entre une fibre optique et un microguide optique.
DE4134940A1 (de) * 1991-10-23 1993-04-29 Bosch Gmbh Robert Integriertes optisches bauelement sowie verfahren zu seiner herstellung
JP3253622B2 (ja) * 1992-03-07 2002-02-04 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 光集積回路素子
DE4325955C2 (de) * 1993-07-27 1997-09-11 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleitersubstrats mit integriertem Wellenleiter und daran angekoppelter optischer Faser
KR0155508B1 (ko) * 1994-11-30 1998-10-15 정선종 자기 정렬된 광섬유-광소자 결합장치의 제조방법
WO1997042534A1 (en) * 1996-05-03 1997-11-13 Bookham Technology Limited Connection between an integrated optical waveguide and an optical fibre
GB2343293B (en) * 1998-10-23 2003-05-14 Bookham Technology Ltd Manufacture of a silicon waveguide structure

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005208638A (ja) * 2004-01-20 2005-08-04 Xerox Corp 低損失のシリコン導波路及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2000036445A1 (en) 2000-06-22
GB9827504D0 (en) 1999-02-10
EP1159641A1 (en) 2001-12-05
CN1330772A (zh) 2002-01-09
GB2344933B (en) 2001-08-29
US6231771B1 (en) 2001-05-15
AU1399000A (en) 2000-07-03
GB2344933A (en) 2000-06-21

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