JP2002529901A - 高電圧離隔絶縁の電流調整可能な中空の電子ビーム切り換え管 - Google Patents

高電圧離隔絶縁の電流調整可能な中空の電子ビーム切り換え管

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JP2002529901A
JP2002529901A JP2000581670A JP2000581670A JP2002529901A JP 2002529901 A JP2002529901 A JP 2002529901A JP 2000581670 A JP2000581670 A JP 2000581670A JP 2000581670 A JP2000581670 A JP 2000581670A JP 2002529901 A JP2002529901 A JP 2002529901A
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electron beam
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Abstract

(57)【要約】 高出力切り換え装置(100)は、中空の電子ビームを放射可能な放射面を有する環状の陰極と、陰極から離間した陽極空洞とを有する。この空洞は、中空の電子ビームのファラデー箱コレクタ(50)を提供するために、対応する内部寸法よりも小さい環状の開口部を有する。制御電極(38、39)は、中空の電子ビームに関して非中断位置において、陰極と陽極空洞との間に設けられていて、中空の電子ビームの調整用の制御電場領域を提供する。アーク抑圧電極(33、34)は、ほぼ陰極の電位と同一であって、制御電極と陽極との間に設けられている。中間的高電圧電極(184、186)は、陰極に関して非中断位置において、アーク抑圧電極と陽極空洞との間に設けられていて、中空の電子ビームの搬送用の制御電場領域を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子装置に関し、より特に、高電圧非導電性の状態と高電流導電性
状態との間で、状態を迅速に変更するのに適した切り換え管に関する。
【0002】
【従来の技術】
高出力切り換え装置は、短期間に高電流パルスを提供するように、導電性と非
導電性との間で切り換えるためにこの分野でよく知られている。切り換え装置は
、非導電状態の場合に高電圧の離隔絶縁(standing−off)が可能で
なければならず、装置を交差する最小の電圧降下で高電流状態に迅速に切り換え
なければならない。切り換え装置によって提供された高電流量パルスは、この分
野において、プラズマイオン注入、マイクロ波管または電圧調整、および類似の
もののような種々の応用を有している。
【0003】 現在、一般に使用されている2つのタイプの高出力切り換え装置と、本発明者
による先の特許に開示され2つの他のタイプよりもある利点を有する第3のタイ
プとがある。第1のタイプは、ビーム出力四極切り換え管(beam powe
r tetrode switch tube)であって、全体的に、円筒状に
形状に巻かれたトリア化(thoriated)タングステン陰極、これを取り
巻く円筒状の制御グリッド、スクリーングリッド、および最後にスクリーングリ
ッドの外側の円筒状の陽極を有している。通常、制御グリッドは、陰極に関して
常に負の電位で作動し(もし可能ならば)電子の中断とそれに続く過熱を阻止す
る。制御グリッド電圧は、ビームがオフのモードにおける比較的高い負の電圧か
ら、ビームをオンに切り換えるための低い負の電圧に切り換えられる。スクリー
ングリッドは、制御グリッドと整列されるために配置されていて、それを電子の
中断から遮断する。それは、陰極に関して正の電位に保持される。最後に、陽極
の電位は、陰極から放射される電子を受容するために陰極に関して正でなければ
ならない。この第1のタイプには多くの欠点が有り、それは、陰極とグリッドが
有するワイヤの機械的壊れ易さ、非常に早い陰極加熱出力の必要性、グリッド中
断とグリッド放射またはグリッド焼損のいずれかに導くことができるグリッドワ
イヤの整列の困難性、および、これらの管が高出力応用に使用された場合に、信
頼性に及ぼす影響および寿命の問題を導く他の陰極、端子および機械的問題点が
ある。
【0004】 一般に使用されている第2のタイプの切り換え管は、マグネトロン注入銃(M
IG)タイプである。この管は円筒状の陰極を有していて、調整陽極構造部内に
同心的に設けられ、陰極と調整陽極との間に規定された空間を有している。ファ
ラデー箱(Faraday cage)コレクタは、二次電子放射を阻止するけ
れども陰極電流を受容するために、陰極と調整陽極から軸線的に設けられている
。外部的に設けられた電磁石によって提供される軸線的磁場は、空間を通ってコ
レクタの開口部内に延びたフラックス線を有している。MIG切り換え管を導電
性の状態に切り換えるために、陰極に関して正の電位は、陰極から放射される電
流を生ずるように調整陽極に適用される。軸線的な磁場はビームを曲げ、それが
調整陽極に到達するのを阻止し、そして、それをコレクタ内に向ける。このタイ
プの管は、非常に信頼可能で長い寿命を立証するけれども、これは一般に、電気
的効果の少ない他のタイプの切り換え管よりも陰極と陽極との間の比較的大きい
電圧低下がある。さらに、電磁石とそれに対応する電磁石出力供給装置が必要で
あるが、重量、複雑さ、および装置のコストが付加される。
【0005】 切り換え管の第3のタイプは、それぞれが陰極と陽極を有する複数の電子銃か
ら構成された陰影グリッド(shadow grid)四極管装置を有する。一
連の整列されたグリッドは、各陰極と陽極との間に設けられていて、陰極に最も
接近して陰影グリッドがあり、その次に制御グリッドおよびスクリーングリッド
がある。この管は、同様に、スクリーングリッドの次に抑制グリッドを有してい
て陰極の端部の開口部にほぼ等しい開口部を有している。この管において、陽極
は、陰極電流を受けるファラデー箱コレクタのセットを提供する空洞(cavi
ty)を有する。操作において、四極切り換え管は、制御グリッドに適用される
電位を制御することによって、導電性の状態と非導電性の状態との間で切り換え
られる。このタイプの切り換え管の例は、Trueに許可された米国特許第4、
745、324号「ファラデー箱陽極を有する高出力切り換え管」によって提供
される。陰影グリッド四極切り換え管は、ビーム出力四極管とMIG切り換え管
との両方の主な制限を克服するが、ある程度の複雑さを有していて、標準的ビー
ム出力四極管よりもより高価であり、MIG切り換え管よりもより信頼性が少な
い。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、高電流レベルでの切り換え、早い切り換え応答時間、高電圧離隔
絶縁能力、高度な切り換え高価、および装置の高い信頼性の能力を備えていなが
ら、従来の装置の上述およびその他の欠点を克服する高度な電流調整を有する切
り換え装置を提供することが望まれる。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の教示によれば、高出力切り換え装置が提供される。切り換え装置は、
電流の流れが零で高電圧を避けることができ、非中断制御部材に電圧を適用する
ことによって、高電流導電状態への迅速な切り換えができる。切り換え装置を交
差する電圧降下の全体は低く維持され、それは装置全体の高い効率に解釈される
。 高出力切り換え装置は、中空の電子ビームをそこから放射可能な放射表面を有
する陰極を有する環状の陰極と、陰極から離間した陽極空洞とを有する。この空
洞は、中空の電子ビームのファラデー箱コレクタを提供するために、寸法におい
て対応する内部寸法よりも小さい環状の開口部を有する。制御電極は、中空の電
子ビームに関して非中断位置において、陰極と陽極空洞との間に設けられている
。制御電極は、中空の電子ビームの外側に設けられた第1の電極部材と、中空の
電子ビームの内側に設けられた第2の電極部材とをさらに有する。制御電場領域
は、前記中空の電子ビームの調整用に第1と第2の電極部材の間に設けられてい
る。アーク抑圧電極は、制御電極と陽極との間に設けられている。アーク抑圧電
極は、中空ビームの外側に設けられた第1のアーク抑圧電極と、中空ビームの内
側に設けられた第2のアーク抑圧電極とをさらに有している。アーク抑圧電極は
、ほぼ陰極の電位と同一である。
【0008】 高出力電流調整切り換え管の実施例において、中間的高電圧電極は、陰極と陽
極との間の高電圧を2つまたはそれ以上の比較的低い電圧領域に分割するために
、アーク抑圧電極と陽極との間に設けられている。中間的高電圧電極はさらに、
中空ビームの外側に設けられた第1の中間的高電圧電極、中空ビームの内側に設
けられた第2の中間的高電圧電極とを有している。第1と第2の中間的高電圧電
極は、陰極に関して正の電圧である。陰極に関して正の電圧は、陰極の放射表面
から電子ビームを引くために制御電極に適用される。陽極空洞の電位は、放射さ
れた電子がそこに到達するために陰極に関してほぼ正であるが、しかしながら、
制御電極の電位よりも高い電位である必要はない。 高出力電流調整切り換え管のより完全な理解は、以下の好ましい実施例の詳細
な記述を考慮することによって、それらの更なる利点と目的の実現とともに、こ
の分野の当業者にとって可能である。最初に簡単に述べる添付した図面の図を参
照する。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明は、高電流レベルを切り換える能力を有する高度な電流調節器、素早い
切り換え応答時間、高電圧離隔絶縁能力、高切り換え能力、および非常に高い装
置の信頼性を有する切り換え装置の要求を満足する。以下の詳細な記述において
、同様の部材の参照符号は、本発明の第1および第2の実施例の1つまたはそれ
以上の図に示された同様の部材を記述するために使用される。 図1を参照すると、本発明の第1の実施例による高出力切り換え管10が示さ
れている。切り換え管10は、中央に設けられた設置プレート12に関して規定
された2つの主部を有していて、図1に示されたように設置プレートの左に設け
られた電子放射部と、設置プレートの右に設けられた電子コレクタ部とを有して
いる。切り換え管10は、通常、電子銃部が下方を向いていて、コレクタ部が上
方を向いた、垂直の構成(図1に示された水平の構成よりもむしろ)で操作され
ることを理解してほしい。電子銃部は、外側の高電圧アークを阻止し、また、切
り換え管10の操作中に発生された熱のある程度を分散するために、オイルタン
クのような流体供給装置に浸漬されている。垂直(すなわち、操作的な)位置に
設けられた場合、設置プレート12は、切り換え管10を供給装置または他の構
造部材に固定的に設けるための表面を提供する。
【0010】 切り換え管10の電子放射部は、切り換え管の中心軸線の周りにほぼ対称的な
堅固な外部構造を有している。外部構造は、設置プレート12の表面に設けられ
た環状の溝を係合する第1の円筒状のハウジングセグメント14を有する。遷移
アダプタ16は、遷移アダプタ16に向き合っている第1のハウジングセグメン
ト14の端部に接続されている。第2の円筒状のハウジングセグメント18は、
遷移アダプタ16から延びている。第2のハウジングセグメント18は、第1の
ハウジングセグメント14の内径よりもわずかに小さい内径を有していて、遷移
アダプタ16は、2つの異なったハウジングセグメント間の変位のために役立っ
ている。外側の端部リング17は、内側の端部リング15および内端部リング1
3と共に切り換え管10の端部を部分的に閉成するために、第2のハウジングセ
グメント18と係合している。設置プレート12、第1のハウジングセグメント
14、遷移アダプタ16、外側の端部リング17、および内側の端部リング15
は、ステンレススチールのような、高強度で、電気的に導電性の、非腐食性材料
を有している。第2のハウジングセグメント18は、アルミニューム酸化物(ア
ルミナ)セラミックのような熱導電性の、電気的に絶縁性の材料を有している。
【0011】 切り換え管10の電子放射部は、装置の底端部で接続された複数の異なった電
極をさらに有している(図1の左側に示されている)。電気的接続は、外側のア
ーク抑圧シリンダ21、陰極加熱シリンダ22、陰極支持および内側のアーク抑
圧シリンダ23、抑圧電極支持シリンダ24、および、制御電極シリンダ25を
有する一連の同心的シリンダとして提供される。抑圧電極支持シリンダ24と制
御電極シリンダ25とは、制御電極端子26にさらに結合された端部キャップ2
7によって終結している。絶縁プラグ19は、制御電極端子26を同心的に取り
囲んでいて、構造的強固さのために抑圧電極支持シリンダ24に結合されている
。内側の端部リング15は、外側の端部リング17に接続されていて、同様に絶
縁プラグ19に接続された内端部リング13に接続されている。陰極支持および
内側のアーク抑圧シリンダ23は、内端部リング13に接続されている。陰極加
熱シリンダ22は、内端部リング13を通って延びていて陰極加熱端子28を提
供するために絶縁プラグ19を通っている電気的リード構造部29に接続されて
いる。外側の端部リング17、内側の端部リング15、内端部リング13、およ
び絶縁プラグ19は、切り換え管10の端部を集合的に規定している。電子放射
部は、内側のアーク抑圧シリンダ23に接続された中央に設けられたプレート3
5に添えられた1つまたはそれ以上の吸収ボタン36をさらに有している。吸収
ボタン36は、この分野で知られているような切り換え管10内の望ましくない
RF出力を吸収する。吸収ボタンは、シリコンカーバイド負荷(silicon
carbide−loaded)ベリリウム酸化物セラミックまたは他の真空
における使用と比較して損失の多い材料を有していてもよい。
【0012】 電極冷却の制御を維持するために、制御電極シリンダ25は、高度な熱伝導性
を有していなければならないので、銅のような高い導電性の材料を有している。
同様に、制御電極端子26と、陰極支持および内側のアーク抑圧シリンダ23は
、モリブデンのような強固な(refractory)導電性の材料を有してい
る。絶縁プラグ19は、アルミナセラミックのような熱伝導性で電気的に絶縁性
の材料を有している。電極端子に面している絶縁プラグ19の内面は、モリブデ
ンマンガン金属処理またはアクアダッグ(aquadag)(カーボン)のよう
な抵抗性の金属層19aが設けられている。外側のアーク抑圧シリンダ21と抑
圧電極支持シリンダ24は、ステンレススチールのような高強度で電気的に導電
性の非腐食性材料から成る。陰極加熱シリンダ22は、モネル(monel)ま
たはコバール(kovar)のような電気的に導電性の材料から成る。
【0013】 本発明の第1の実施例による切り換え管10の電子コレクタ部は、第1のハウ
ジングセグメント14と向き合った設置プレート12の表面に設けられた円周状
の溝と係合する第3の円筒状のハウジングセグメント42を有している。環状に
形成された2重壁のファラデー箱コレクタ50は、第3のハウジングセグメント
42内で設置プレート12に結合されていて、設置プレートと同一の面に設けら
れた肩部54によって形成された環状に形成された電子受容開口部51を規定し
ている。以下にさらに述べるように、電子受容開口部51は、電子銃40の陽極
を提供する。中央プレート11は、電子受容開口部の内端部に接続されていて、
設置プレート12と同一の面に設けられている。コレクタ50は、電子受容開口
部よりも大きい内側寸法を規定する内壁52と、内壁52よりもわずかに大きい
内側寸法を有する外壁56とを有し、それらの間に冷媒空間を規定する。以下に
さらに述べるように、電子受容開口部は、上述した電子放射部の電子銃40と実
質的に整列されて設けられている。内壁52、外壁56、および肩部54は、銅
のような高度に導電性の材料から成る。
【0014】 第3のハウジングセグメント42は、冷媒流入力パイプ44と冷媒流出力パイ
プ46とをさらに有している。冷媒流入力パイプと出力パイプとは、冷媒流供給
装置(図示せず)を有する冷却システムに切り換え管10を取着することを可能
にする。冷却システムは、冷媒流入力パイプ44および出力パイプ46への水ま
たはアルコールのような冷媒供給の冷媒源を備えている。冷媒流の経路は、冷媒
流入力パイプと出力パイプ44、46の間で、切り換え管10の電子コレクタ部
によって規定されていて、コレクタ50の内壁52と外壁56との間の空間を含
んでいる。冷媒流の経路は、電子コレクタ部から冷却システムへの熱導電性を改
良するために、フィンのような熱放散部材をさらに有している。さらに、イオン
ポンプ48は、この分野で知られているように、切り換え管10内に真空を提供
する。第3のハウジングセグメント42、冷媒流入力パイプ44、冷媒流出力パ
イプ46、および中央プレート11は、ステンレススチールのような高強度で、
電気的に導電性の非腐食性材料から成っている。
【0015】 図2を参照すると、切り換え管10の電子銃40がより詳細に示されている。
電子銃40は、電子放射面67を有する陰極66を備えている。加熱コイル69
が陰極66内に埋め込まれていて、電気的リード68を介して陰極加熱シリンダ
22に電気的に接続されている。加熱コイル69は、この分野で知られているよ
うに電子放射面67からの熱イオン放射を可能にするのに十分に陰極66の温度
を上げるために使用される。陰極66と電子放射面67とは、図1に関して上述
したように、切り換え管10が軸線的に対称であるので、環状の形状を有するこ
とを理解してほしい。電子放射面67はわずかに凹状で、これは、切り換え管1
0の操作中に放射された電子が制御電極端部62、63を打撃することから阻止
するために役立つが、この点については後述する。
【0016】 陰極66は、この分野で知られているように、タングステンマトリクスディス
ペンサ陰極である。陰極66の表面67は、この分野で知られているように、電
子放射の与えられたレベルのために、必要な陰極温度を低下するようにオスミウ
ムおよびルテニウムのような種々の部材または混合物(いわゆるM−タイプの陰
極を提供する)で被覆されている。さらに、この分野で知られているように、加
熱コイル69は、タングステン、モリブデン、または他の強固な材料、あるいは
それらの組合せで形成されている。加熱コイル69は、この分野で知られている
ように、アルミナセラミック69aを入れることによって陰極66内に添えられ
る。
【0017】 陰極66は、外側の支持部材64と内側の支持部材65とによって規定された
導電性のシェル内に機械的に支持されている。1つまたはそれ以上の熱シールド
78が、陰極からの熱放射を制御するために、陰極66と外側の支持部材64お
よび内側の支持部材65との間に設けられている。外側の支持部材64および内
側の支持部材65は、ほぼ円筒状の形状で、交差部材74によって電気的にまた
機械的に一体に結合されていて、交差部材73によって外側および内側のアーク
抑圧シリンダ21、23に接続されている。電子放射面67に隣接する外側の支
持部材64および内側の支持部材65の前方部分は、各肩部71、72を有して
いる。肩部71、72は、陰極と制御電極端部62、63との間に形成された電
場領域の形状を規定するために、陰極66用のフォーカス電極を有している。外
側の支持部材64および内側の支持部材65は、モリブデンのような電気的に導
電性の強固な材料を有している。
【0018】 外側の制御電極38および内側の制御電極39は、陰極66と外側の支持部材
64および内側の支持部材65とから外方へ離間していて、陰極からの電子流を
制御するために使用されるが、このことはさらに後述する。外側の制御電極38
および内側の制御電極39は、交差部材77によって機械的にまた電気的に一体
に接続され、また制御電極シリンダ24に接続されている。外側の制御電極38
および内側の制御電極39は、陰極66から電気的に絶縁されている。電子放射
面67と肩部71、72に隣接する外側の制御電極38および内側の制御電極3
9の前方部は、その間に開口部を有する対応する電極端部62、63を備えてい
る。電極端部62、63は、丸められた外側部分82、83とテーパが付けられ
た内側部分84、85を有するハンマー頭部の形状を各有している。外側部分8
2、83と内側部分84、85との間で、電極端部62、63は、電子放射面6
7からの電子流を妨げるために、確実な電場領域の形成のために貢献する実質的
に平行な面を有している。
【0019】 外側のアーク抑圧電極33と内側のアーク抑圧電極34とは、外側の制御電極
38と内側の制御電極39とから外方に離間していて、制御電極モジュール出力
供給(Vc)を通って流れるアーク電流を阻止し、比較的早い切り換え速度用に
ミラー効果容量を減少する。外側のアーク抑圧電極33と内側のアーク抑圧電極
34とは、交差部材75によって機械的にまた電気的に一体に結合されている。
外側のアーク抑圧電極33は、拡大されたカプラー32によって外側のアーク抑
圧シリンダ21に結合されていて、また、内側のアーク抑圧電極34は、さらに
内部陰極支持部と内側のアーク抑圧シリンダ23とに結合されている。外側と内
側のアーク抑圧電極33、34は、外側と内側の制御電極38、39から電気的
に絶縁されていて、陰極66と外側および内側の支持部材64、65と電気的に
結合されている。
【0020】 図3は、切り換え管10の対称的な特徴を示していて、種々の電極が同心的シ
リンダとして現れている。特に、同心的シリンダは、切り換え管10の外側から
内側に、第1のハウジングセグメント14、外側のアーク抑圧電極33、外側の
制御電極38、内側の制御電極39、および内側のアーク抑圧電極34を有して
いる。電子放射面67はまた、肩部71、72間に示されている。図1に最良の
ものが示されているが、電子放射面67は、制御電極端部62、63とコレクタ
50への環状の開口部との間に規定された空間と整列されている。
【0021】 本発明の第1の実施例による切り換え管10の操作は、その非導電性および導
電性の状態が図4Aと4Bに関連して示されていて、コンピュータプロットで、
電子の軌道はほぼ水平な線で示されていて、等位の輪郭はほぼ垂直な線で示され
ている。最初に図4Aを参照すると、切り換え管10は、陰極66とアーク抑止
電極33、34が接地電圧すなわち電位がゼロである非導電性の状態で示されて
いる。制御電極38、39は、制御電極モジュール出力供給(Vc)によって、
−250ボルトのような陰極66以下の電位まで下げられる。陽極51は、+1
00キロボルトより大きい正の電圧を適用する電圧源(V)に接続されている
。この状態において、切り換え管10を通る電流(I)の流れはない。
【0022】 図4Bにおいて、切り換え管10は導電性の状態で示されている。非導電性の
状態のように、陰極66とアーク抑圧電極33、34は接地電圧すなわち零ボル
トに接続されている。陰極66に関して正の電圧は、中空の電子ビームを、陰極
の放射面から陽極51に引くために制御電極38、39に適用される。陽極51
の電位は、陰極66に関して一般的に正であるが、しかしながら、特に電子が陰
極から引かれる場合に、制御電極38、39のそれのように高い電圧は必要では
ない。
【0023】 第1の実施例において、制御電極38、39の電位は、制御電極モジュール出
力供給(Vc)によって−250ボルトから+25.2ボルトに増加される。陽
極51の電位は、+7.7キロボルトの電子電位に低下する。切り換え管10と
ともに、導電性の状態において、電流搬送容量はほぼ200アンペアが達成され
る。このように、本発明の第1の実施例において、制御電極38、39は、電圧
変化がほぼ25キロボルトを有するビーム電流を入れたり切ったりするために機
能することが分かる。全ての電圧が、接地電位の陰極に関して述べられてきたけ
れども、切り換え管10はまた、接地電位の陽極と負の電圧の陰極とを有して操
作されることを理解しなければならない。
【0024】 ビームの電子は、コレクタ50内に陽極51を通過し、コレクタの内部表面領
域上で広がる。この方法で電子を広げることによって、冷媒へのより均一な熱伝
達があり、コレクタの内部表面温度を低下し、それによって、切り換え管10の
寿命を延ばす。ファラデー箱コレクタ50はまた、コレクタからの電子の二次的
放射を阻止するように作用する。さらに、陰極66に関して制御電極38、39
の正の電位は、陰極に帰還するコレクタ50で生成されるイオンを阻止するイオ
ントラップを形成する。陰極のイオンのバックボンバードメント(back−b
ombardment)は、陰極の寿命を減少することで知られていて、それ故
、その阻止は、本発明の望ましい態様である。
【0025】 図5を参照すると、本発明による第2の実施例の高出力切り換え管100が示
めされている。切り換え管100は、上記で述べた第1の実施例のように、中央
に設けられた設置プレート112に関して規定された2つの主体部を有していて
、図5に示されたように設置プレート112の左に設けられた電子放射部と、設
置プレート112の右に設けられた電子コレクタ部とを有している。切り換え管
100は、電子放射部が下方に向けられ、電子コレクタ部が上方に向けられたよ
うな、通常垂直な構成(図5に示された水平な構成よりはむしろ)で操作される
ことを理解してほしい。切り換え管100全体は、外部の高電圧アークの阻止お
よび切り換え管100の操作中に発生するある熱の分散のために、オイルタンク
のような流体供給装置に浸漬されている。 第2の実施例による切り換え管100の電子放射部は、第1の実施例による切
り換え管10の電子放射部に類似していて、類似した部材の参照符号は、類似し
た部材を示すために使用される。それ故、切り換え管100の電子放射部の全体
的な記述は繰り返さない。
【0026】 切り換え管100の電子コレクタ部は、図5に示されていて、第1のハウジン
グセグメント14と向き合った設置プレート112の表面を係合する第3のハウ
ジングセグメント186を有している。第3のハウジングセグメント186は、
設置プレート112と向き合った遷移プレート198によって部分的に取り囲ま
れている。円筒状の支持支柱188は、遷移プレート198に開口部を規定する
遷移リングアダプタ190を使用して遷移プレート198に取着する。これらの
開口部は、円筒状の支持支柱188が環状の形状の二重壁ファラデー箱コレクタ
150を第3の円筒状のハウジングセグメント186内に懸架することを可能に
する。円筒状の支持支柱188は、端部キャップ196を取着することによって
取り囲まれる。円筒状の支持支柱188と端部キャップ196とを使用して、切
り換え管100は、さらなる電気的絶縁を提供するためにセラミック絶縁体(図
示せず)に設けられる。設置プレート112、第3の円筒状のハウジングセグメ
ント186、遷移プレート198、および遷移リングアダプタ190は、ステン
レススチールのような、高強度で、電気的に導電性の、非腐食性材料で形成され
る。円筒状の支持支柱188と端部キャップ196とは、アルミニューム酸化物
(アルミナ)のような、熱伝導性で電気的に絶縁性の材料で形成される。
【0027】 ファラデー箱コレクタ150は、設置プレート112と同一面に設けられた肩
部154によって形成された環状の形状の電子受容開口部151を規定する。電
子受容開口部151は、外方と内方の中間の高電圧電極184、186によって
規定された設置プレート112の環状に形成された電子受容開口部182と整列
する。以下にさらに述べるように、電子受容開口部151は電子銃40の陽極を
提供し、電子受容開口部182は中空の電子ビーム用のチャンネルを提供し、そ
して、外方と内方の中間の高電圧電極184、186は、陰極と陽極の間の高電
圧ギャップを、正確な高電圧離隔絶縁のために2つの低い電圧領域に分離する中
間の高電圧ステップを提供する。 コレクタ150は、電子受容開口部より大きい内側の寸法を規定する内壁15
2と、冷媒の空間がそれらの間に規定されるように内壁152よりもわずかに大
きい内側の寸法を有する外壁156とを有する。以下にさらに述べるように、電
子受容開口部151と182とは、上述した電子放射部の電子銃40と実質的に
整列して設けられている。
【0028】 円筒状の支持支柱188と端部キャップ196とは、支持ブラケット192に
よって設けられた冷媒流入力パイプ144と冷媒流出力パイプ146用の構造的
支持部を有する冷媒流入力パイプ144と冷媒流出力パイプ146とがさらに設
けられている。円筒状の支持支柱188と端部キャップ196とは、切り換え管
100が、冷媒流供給装置(図示せず)を有する冷却システムに取着するのを可
能にする。冷却システムは、冷媒流入力パイプ144および出力パイプ146へ
の水またはアルコールのような冷媒供給の冷媒源を備えている。冷媒流の経路は
、冷媒流入力パイプと出力パイプ144、146の間で、切り換え管100の電
子コレクタ部によって規定されていて、コレクタ150の内壁152と外壁15
6との間の空間を含んでいる。冷媒流の経路は、電子コレクタ部から冷却システ
ムへの熱導電性を改良するために、フィンのような熱放散部材をさらに有してい
る。それに加えて、端部キャップ196は、冷媒流入力および出力パイプ144
、146に隣接したイオンポンプの位置をさらに有している。イオンポンプは、
この分野で知られているように、切り換え管100内に真空を提供する。冷媒流
入力および出力パイプ144、146は、ステンレススチールのような高強度で
、電気的に導電性の非腐食性材料から成っている。
【0029】 図6は、本発明の第3の実施例による切り換え管100の電子放射部を提供す
る。図6は、切り換え管100の電子銃40の拡大した側部断面図を示している
。カバープレート96は、内側のアーク抑圧電極34によって規定された領域の
中央に設けられて示されている。カバープレート96は、複数の支持支柱94に
よって支持されている。支持支柱94の一方の端部は、複数のねじ98を有する
カバープレート96に取着されていて、他方の端部は、中央に設けられたプレー
ト35に添えられている。 カバープレート96は、内側のアーク抑圧電極34によって規定された切り換
え管100の電子放射部の中央部分内における潜在的な共振空洞を減少し、偽の
RF発振モードを抑制する。カバープレート96はまた、切り換え管100の外
側および内側のアーク抑圧電極33、34と電子コレクタ部との間の高い静電気
の場から吸収ボタン36を遮蔽する。最終的に、カバープレート96は、カバー
プレート96と内側のアーク抑圧電極34との間のギャップ内に吸着用の吸収ボ
タン36へ、望ましくないRF電流を流すようにする。カバープレート96はス
テンレススチールで形成されている。
【0030】 本発明の第2の実施例による切り換え管100の操作は、その非導電性および
導電性の状態が図7Aと7Bに関連して示されていて、コンピュータプロットで
、電子の軌道はほぼ水平な線で示されていて、等位の輪郭はほぼ垂直な線で示さ
れている。最初に図7Aを参照すると、切り換え管100は、陰極66とアーク
抑止電極33、34が接地電圧すなわち電位がゼロである非導電性の状態で示さ
れている。制御電極38、39は、制御電極モジュール出力供給(Vc)によっ
て、−500ボルトのような陰極66以下の電位まで下げられる。中間高電圧電
極184、186は、ほぼ+220キロボルトの正の電位を供給する中間電圧源
(V)に接続されていて、陽極151を形成する肩部154は、ほぼ+500
キロボルトの最終的に正の電位を供給するために、電圧源(V)に接続されて
いる。中間高電圧電極184、186によって形成された電子受容開口部182
は、陰極から陽極への高電圧ギャップを2つの低い電圧領域に分離するために、
中間高電圧ステップを提供する。この状態において、切り換え管100を通る電
流(I)の流れはない。
【0031】 図7Bにおいて、切り換え管100は導電性の状態で示されている。非導電性
の状態のように、陰極66とアーク抑圧電極33、34は接地電圧すなわちゼロ
ボルトに接続されている。陰極66に関して正の電圧は、中空の電子ビームを、
陰極の放射面から電子受容開口部182によって陽極151に引くために制御電
極38、39に適用される。陽極151の電位は、陰極66に関して一般的に正
であるが、しかしながら、特に電子が陰極から引かれる場合に、制御電極38、
39のそれのように高い電圧は必要ではない。中間高電圧電極184、186に
よって形成された電子受容開口部182は、中空の電子ビームを運び、陽極15
1に向かう電子を加速する。 第2の実施例の例としてより詳細に述べると制御電極38、39の電位は、制御
電極モジュール出力供給(Vc)によって−500ボルトから+40ボルトに増
加される。陽極151の電位は、+15キロボルトの電子電位に低下するのに対
して、中間高電圧電極184、186は電子を陽極151に向かって運び加速す
るために+220キロボルトに維持される。切り換え管100とともに、導電性
の状態において、電流搬送容量はほぼ521アンペアが達成される。このように
、本発明の第2の実施例において、制御電極38、39は、電圧変化がほぼ40
キロボルトを有するビーム電流を入れたり切ったりするために機能することが分
かる。全ての電圧が、接地電位の陰極に関して述べられてきたけれども、切り換
え管100はまた、接地電位の陽極と負の電圧の陰極とを有して操作されること
を理解しなければならない。 ビームの電子は、上述の第1の実施例で述べたのと同様の方法で、コレクタ1
50内に陽極151を通過し、コレクタの内部表面領域上で広がる。中間高電圧
電極184、186によって形成された第2の実施例用の電子受容開口部182
の存在は、切り換え管100が電流の流れを可能にする場合(オン状態)に、中
空の電子ビーム用のチャンネルを提供し、また同様に、切り換え管100が電流
の流れを阻止した場合(オフ状態)に、陰極と陽極間の高電圧ギャップを2つの
低い電圧領域に分離するための、少なくとも1つの中間高電圧ステップを提供す
る。これは、確実な高電圧離隔絶縁を提供し、切り換え管100に電気的に接続
されたクライストロンような高感度の装置を損傷するアークに対して切り換え管
を保護する。
【0032】 図8は、本発明の実施例の可能な使用を、簡単な概略的線図によって示してい
る。充電装置は、パルス発生器によって制御された切り換え管がオフに切り換え
られた期間中に電流制限抵抗(R)によってキャパシタ(C)に蓄えられたエネ
ルギーを増加する。パルス発生器が切り換え管を切り換えたとき、切り換え管は
、キャパシタに対してその蓄積されたエネルギーの部分をクライストロンに放電
することを可能にする。パルス発生器はついで切り換え管をオフに切り換え、そ
してサイクルは繰り返される。
【0033】 ダイオード空間電荷で制限されたクライストロン電子銃において、パービアン
ス(perveance)は、電流Iと適用された電圧Vとの間の3/2乗の比
例定数を示す(この関係は通常「3/2乗法則」として知られている。)。パル
ス発生中に切り換え管がクライストロンに本質的に一定の電流を提供し、また、
クライストロンのパービアンスが一定の場合、実質的に一定の電圧がパルス発生
中にクライストロンに分配されることが分かる。キャパシタからの電圧は、クラ
ストロンに適用された電圧よりも一般に高く、それゆえ、パルス中にこの電圧が
弱くなる場合、出力供給電圧(すなわち充電)とクライストロンでの一定の電圧
との間の差は、切り換え管を横切る電圧低下の変化として現れる。パルス発生器
によって制御された切り換え管は、このようにして、オフモード中の出力供給装
置とクライストロンとの間の電気的絶縁と、オンモード中のクライストロンへの
厳しく調整された電流および電圧パルスを提供する。
【0034】 以上述べた高出力電流調整切り換え管を有して、システム内のある利点が達成
されたことが、この分野の当業者に明らかとなる。種々の変更、適用、およびそ
れらの他の実施例が、本発明の範疇と精神内においてなされることもまた理解し
てほしい。たとえば、第2の実施例は、複数の下方の電圧領域内に高電圧ギャッ
プを分離するために、一つ以上の中間高電圧ステップを有すことができる。本発
明はさらに請求の範囲によって規定される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施例による高出力切り換え管の側部断面図。
【図2】 高出力切り換え管の陰極の拡大した側部断面図。
【図3】 図1の3−3線に沿った高出力切り換え管の端部断面図。
【図4A】 非導電性の状態における本発明の第1の実施例による高出力切り換え管のコン
ピュータシミュレーションの図。
【図4B】 導電性の状態における本発明の第1の実施例による高出力切り換え管のコンピ
ュータシミュレーションの図。
【図5】 本発明の第2の実施例による高出力切り換え管の側部断面図。
【図6】 本発明の第3の実施例による高出力切り換え管の陰極の拡大した側部断面図。
【図7A】 非導電性の状態における本発明の第2の実施例による高出力切り換え管のコン
ピュータシミュレーションの図。
【図7B】 導電性の状態における本発明の第2の実施例による高出力切り換え管のコンピ
ュータシミュレーションの図。
【図8】 本発明の実施例用に使用可能な1つを示す簡単な概略的線図。

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 高出力切り換え装置であって: 中空の電子ビームをそこから放射するための放射面を有する陰極を有し; 前記陰極から離間した陽極空洞を有し、この空洞は、前記中空の電子ビームの
    ファラデー箱コレクタを提供するために、寸法において対応する内部寸法よりも
    小さい環状の開口部を有し; 前記中空の電子ビームに関して非中断位置において、前記陰極と前記陽極空洞
    との間に設けられた制御電極を有し、前記制御電極は、前記中空の電子ビームの
    外側に設けられた第1の電極部材と、前記中空の電子ビームの内側に設けられた
    第2の電極部材とをさらに有し; 前記中空の電子ビームに関して非中断位置において、前記制御電極と前記陽極
    空洞との間に設けられた中間的高電圧電極を有し、前記中間的高電圧電極は、前
    記中空の電子ビームの外側に設けられた第1の中間的高電圧電極と、前記中空の
    電子ビームの内側に設けられた第2の中間的高電圧電極とをさらに有する; ことを特徴とする高出力切り換え装置。
  2. 【請求項2】 前記第1と第2の電極部材は、前記中空の電子ビームの調整
    のために、それらの間に制御電場領域を有することを特徴とする請求項1記載の
    高出力切り換え装置。
  3. 【請求項3】 前記第1と第2の中間的高電圧電極部材は、高電圧離隔絶縁
    と前記中空の電子ビームの搬送のために、それらの間に制御電場領域を有するこ
    とを特徴とする請求項1記載の高出力切り換え装置。
  4. 【請求項4】 前記制御電極と前記中間的高電圧電極との間に設けられた内
    側のアーク抑圧電極および外側のアーク抑圧電極とをさらに有し、前記アーク抑
    圧電極は、ほぼ前記陰極の電位であることを特徴とする請求項1記載の高出力切
    り換え装置。
  5. 【請求項5】 前記陰極の放射面からの前記中空の電子ビームを前記陽極に
    流すために、前記陽極に正の電圧を適用するための手段をさらに有することを特
    徴とする請求項1記載の高出力切り換え装置。
  6. 【請求項6】 前記陰極の前記放射表面は環状の形状を有していることを特
    徴とする請求項1記載の高出力切り換え装置。
  7. 【請求項7】 前記陰極の電位に関して正の調整電圧を前記制御電極に提供
    するための手段をさらに有することを特徴とする請求項1記載の高出力切り換え
    装置。
  8. 【請求項8】 前記陰極の電位に関して正の調整電圧を前記中間的高電圧電
    極に適用するための手段をさらに有することを特徴とする請求項1記載の高出力
    切り換え装置。
  9. 【請求項9】 高出力切り換え装置の一方の端部に設けられたイオンポンプ
    をさらに有し、前記イオンポンプは前記切り換え装置内の真空を提供することを
    特徴とする請求項1記載の高出力切り換え装置。
  10. 【請求項10】 少なくとも一つの入力パイプと出力パイプを有する冷却シ
    ステムをさらに有し、前記冷却システムは前記切り換え装置内からの熱移動を提
    供することを特徴とする請求項1記載の高出力切り換え装置。
  11. 【請求項11】 高出力切り換え装置であって: 電子放射面を有する陰極を有し; 前記陰極から離間していて、中空の電子ビームを案内するための規定された磁
    場を有しないで前記陰極の電子放射面から前記中空の電子ビームを受けるために
    それに適用された電位を有する陽極空洞を有し、前記陽極空洞は、前記中空の電
    子ビームのファラデー箱コレクタを提供する内部寸法を有し; 高電流動電状態と零電流非導電状態とに間で急速に切り換えるために、前記中
    空の電子ビームを調整するための調整手段を有し、前記調整手段は、前記中空の
    電子ビームに関する非中断的位置において、前記陰極と前記陽極空洞との間に設
    けられていて; 前記調整手段と前記陽極との間で電圧電位を区画するための区画手段を有し、
    前記区画手段は、前記中空の電子ビームに関する非中断的位置において、前記調
    整手段と前記陽極空洞との間に設けられている; ことを特徴とする高出力切り換え装置。
  12. 【請求項12】 前記陰極の前記放射表面は、環状の形状を有していること
    を特徴とする請求項11記載の高出力切り換え装置。
  13. 【請求項13】 前記調整手段を通る流れからアーク電流を抑圧する抑圧手
    段をさらに有し、前記抑圧手段は、前記調整手段と前記区画手段との間に設けら
    れていることを特徴とする請求項11記載の高出力切り換え装置。
  14. 【請求項14】 前記高出力切り換え装置を空にするための手段をさらに有
    することを特徴とする請求項11記載の高出力切り換え装置。
  15. 【請求項15】 前記高出力切り換え装置を冷却するための手段をさらに有
    することを特徴とする請求項11記載の高出力切り換え装置。
  16. 【請求項16】 偽のRF発振モードを減少するための減少手段をさらに有
    し、前記減少手段は、前記中空の電子ビームに関する非中断的位置において、前
    記抑圧手段によって規定された中央領域に設けられていることを特徴とする請求
    項13載の高出力切り換え装置。
  17. 【請求項17】 前記減少手段は、前記中央領域を分割するプレートをさら
    に有することを特徴とする請求項16載の高出力切り換え装置。
  18. 【請求項18】 前記減少手段は、前記中央領域に設けられ、望ましくない
    RF出力を吸収するために適した少なくとも一つの吸収ボタンをさらに有するこ
    とを特徴とする請求項16載の高出力切り換え装置。
  19. 【請求項19】 高出力切り換え装置であって: 電子放射面を有する陰極を有し; 前記陰極から離間していて、前記陰極の電子放射面から前記中空の電子ビーム
    を受けるためにそれに適用された電位を有する陽極空洞を有し、前記陽極空洞は
    、前記中空の電子ビームのファラデー箱コレクタを提供する内部寸法を有し; 高電流動電状態と零電流非導電状態とに間で急速に切り換えるために、前記中
    空の電子ビームを調整するための調整手段を有し、前記調整手段は、前記中空の
    電子ビームに関する非中断的位置において、前記陰極と前記陽極空洞との間に設
    けられていて、前記調整手段は、前記中空の電子ビームの外側に設けられた第1
    の電極部材と、前記中空の電子ビームの内側に設けられた第2の電極部材とをさ
    らに有し; 前記陰極と前記陽極との間で規定された電圧電位を区画するための区画手段を
    有し、前記区画手段は、前記中空の電子ビームに関する非中断的位置において、
    前記調整手段と前記陽極との間に設けられていて、前記区画手段は、前記中空の
    電子ビームの外側に設けられた少なくとも一つの高電圧電極部材と、前記中空の
    電子ビームの内側に設けられた少なくとも一つの中間的高電圧電極部材とをさら
    に有する; ことを特徴とする高出力切り換え装置。
  20. 【請求項20】 前記第1の電極部材と第2の電極部材とは、前記中空の電
    子ビームの調整のために制御電場を規定することを特徴とする請求項19記載の
    高出力切り換え装置。
  21. 【請求項21】 中間的高電圧電極部材は、高電圧離隔絶縁のために、また
    、前記中空の電子ビームの搬送のために制御電場を規定していることを特徴とす
    る請求項19記載の高出力切り換え装置。
  22. 【請求項22】 前記陰極の放射面は、環状の形状を有していることを特徴
    とする請求項19記載の高出力切り換え装置。
  23. 【請求項23】 前記導電性の状態と非導電性の状態とを切り換えるために
    前記調整手段に適用される電圧を変更するための手段をさらに有することを特徴
    とする請求項19記載の高出力切り換え装置。
  24. 【請求項24】 高出力切り換え装置であって: 電子放射面を有する陰極を有し; 前記陰極から離間していて、前記陰極の電子放射面から前記中空の電子ビーム
    を受けるためにそれに適用された電位を有する陽極空洞を有し、前記陽極空洞は
    、前記中空の電子ビームのファラデー箱コレクタを提供する内部寸法を有し; 高電流動電状態と零電流非導電状態とに間で急速に切り換えるために、前記中
    空の電子ビームを調整するための調整手段を有し; 前記調整手段と前記陽極空洞との間に設けられた内側のアーク抑圧電極および
    外側のアーク抑圧電極とを有し、前記アーク抑圧電極は、ほぼ前記陰極の電位で
    あって; 前記陰極と前記陽極との間に規定された電圧電位を区画するための区画手段を
    有し、前記区画手段は内側のアーク抑圧電極と外側のアーク抑圧電極との間に設
    けられていて、前記陽極空洞は前記中空の電子ビームに関連する非中断位置にあ
    る; ことを特徴とする高出力切り換え装置。
  25. 【請求項25】 前記陰極の前記放射面は、環状の形状を有していることを
    特徴とする請求項24記載の高出力切り換え装置。
  26. 【請求項26】 前記高出力切り換え装置はセラミック絶縁材料に設けられ
    ていることを特徴とする請求項24記載の高出力切り換え装置。
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