JPH0334042Y2 - - Google Patents
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- JPH0334042Y2 JPH0334042Y2 JP3930385U JP3930385U JPH0334042Y2 JP H0334042 Y2 JPH0334042 Y2 JP H0334042Y2 JP 3930385 U JP3930385 U JP 3930385U JP 3930385 U JP3930385 U JP 3930385U JP H0334042 Y2 JPH0334042 Y2 JP H0334042Y2
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- electron beam
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- Microwave Tubes (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
この考案は、進行波管、クライストロンのよう
な、電子ビーム直進形マイクロ波管装置に関す
る。
な、電子ビーム直進形マイクロ波管装置に関す
る。
このような電子ビーム直進形マイクロ波管装置
は、例えばヘリツクス遅波回路のような高周波作
用部あるいは最下流のコレクタ電極付近に発生す
るガスがイオン化され、例えばプラスイオンが電
子ビーム路に沿つてカソード方向すなわち電子ビ
ーム上流に向つて移動する現象がある。このため
高周波作用部のボデイ電極よりもその上流に配置
された加速陽極に高い電位を与えて、カソードへ
のイオン衝撃を防止するが、しかしはね返された
イオンが不規則な挙動をし、動作不安定を引き起
こすことがある。
は、例えばヘリツクス遅波回路のような高周波作
用部あるいは最下流のコレクタ電極付近に発生す
るガスがイオン化され、例えばプラスイオンが電
子ビーム路に沿つてカソード方向すなわち電子ビ
ーム上流に向つて移動する現象がある。このため
高周波作用部のボデイ電極よりもその上流に配置
された加速陽極に高い電位を与えて、カソードへ
のイオン衝撃を防止するが、しかしはね返された
イオンが不規則な挙動をし、動作不安定を引き起
こすことがある。
この考案は、以上のような不都合を解決し、電
子銃部近傍および高周波作用部のガスイオンを有
効に吸収して、動作不安定現象を抑制することが
できる電子ビーム直進形マイケロ波管装置を提供
するものである。
子銃部近傍および高周波作用部のガスイオンを有
効に吸収して、動作不安定現象を抑制することが
できる電子ビーム直進形マイケロ波管装置を提供
するものである。
この考案は、カソードから放出される電子ビー
ムの下流に配置された加速陽極の近傍、たとえば
電子ビーム導入電極、あるいは加速陽極の下流に
付加的に配置された補助電極の壁面に、ガス吸収
用ゲツタが配設されてなることを特徴とする電子
ビーム直進形マイクロ波管装置である。
ムの下流に配置された加速陽極の近傍、たとえば
電子ビーム導入電極、あるいは加速陽極の下流に
付加的に配置された補助電極の壁面に、ガス吸収
用ゲツタが配設されてなることを特徴とする電子
ビーム直進形マイクロ波管装置である。
以下図面を参照してその実施例を説明する。な
お同一部分は同一符号であらわす。
お同一部分は同一符号であらわす。
第１図および第２図に示す実施例は、ヘリツク
ス遅波回路形の進行波管装置である。図中の各符
号はそれぞれ次の構成要素をあらわしている。す
なわち、１１は電子銃部、１２は高周波作用部、
１３はカソード、１４はカソード支持筒、１５は
ウエネルト電極、１６は陰極構体保持筒、１７は
カソード端子、１８はセラミツクリング、１９は
ヒータリード、２０は陽極支持筒、２１は加速陽
極、２２はその電子ビーム通過孔、２３は陽極端
子リング、２４，２５は各各セラミツク円筒、２
６は接合リング、２７は遅波回路のヘリツクス、
２８は誘電体製ヘリツクス支持棒、２９はパイプ
状真空容器、３０は周期磁界装置のリング状永久
磁石、３１はシムリング、３２は入力同軸線路、
３３は伝熱板、３４は放熱基台、３５はポールピ
ース、３６は電子ビーム導入電極、３７はその電
子ビーム導入孔をあらわしている。
ス遅波回路形の進行波管装置である。図中の各符
号はそれぞれ次の構成要素をあらわしている。す
なわち、１１は電子銃部、１２は高周波作用部、
１３はカソード、１４はカソード支持筒、１５は
ウエネルト電極、１６は陰極構体保持筒、１７は
カソード端子、１８はセラミツクリング、１９は
ヒータリード、２０は陽極支持筒、２１は加速陽
極、２２はその電子ビーム通過孔、２３は陽極端
子リング、２４，２５は各各セラミツク円筒、２
６は接合リング、２７は遅波回路のヘリツクス、
２８は誘電体製ヘリツクス支持棒、２９はパイプ
状真空容器、３０は周期磁界装置のリング状永久
磁石、３１はシムリング、３２は入力同軸線路、
３３は伝熱板、３４は放熱基台、３５はポールピ
ース、３６は電子ビーム導入電極、３７はその電
子ビーム導入孔をあらわしている。
電子ビーム導入電極３６は、真空容器２９と一
体的に結合され、いわゆるボデイ電極を構成して
いる。そしてこれらは放熱板体３３を介して放熱
基台３４とともに通常アース電位とされる。これ
に対してカソード１３およびヒータを含む陰極構
体は、電源Ebにより負の例えば6.5kVの電位が与
えられる。そして加速陽極２１には、電源Eaに
よりアースに対して正の数百Ｖの電位が与えられ
る。なお図示しないヒータには電源Efにより数Ｖ
の加熱電力が与えられ、また同じく図示しない電
位低下形多段コレクタ電極には、電力利用効率を
高めるため負の２〜5kVの電位が与えられる。
体的に結合され、いわゆるボデイ電極を構成して
いる。そしてこれらは放熱板体３３を介して放熱
基台３４とともに通常アース電位とされる。これ
に対してカソード１３およびヒータを含む陰極構
体は、電源Ebにより負の例えば6.5kVの電位が与
えられる。そして加速陽極２１には、電源Eaに
よりアースに対して正の数百Ｖの電位が与えられ
る。なお図示しないヒータには電源Efにより数Ｖ
の加熱電力が与えられ、また同じく図示しない電
位低下形多段コレクタ電極には、電力利用効率を
高めるため負の２〜5kVの電位が与えられる。
そこで、この考案は、加速陽極２１の下流に位
置する遅波回路電子ビーム導入電極の、とくにビ
ーム導入孔３７近傍の周壁面に、薄い円板状のゲ
ツタ４０を付着してある。このゲツタは、ジルコ
ニウムZr、チタンTiのような非蒸発形のバルク
ゲツタでもよいし、バリウムBaのような蒸発形
ゲツタでもよい。あるいは通電形ゲツタでもよ
い。
置する遅波回路電子ビーム導入電極の、とくにビ
ーム導入孔３７近傍の周壁面に、薄い円板状のゲ
ツタ４０を付着してある。このゲツタは、ジルコ
ニウムZr、チタンTiのような非蒸発形のバルク
ゲツタでもよいし、バリウムBaのような蒸発形
ゲツタでもよい。あるいは通電形ゲツタでもよ
い。
これによつて第２図に模式的に示すように、ヘ
リツクス遅波回路あるいはコレクタ電極側からカ
ソード方向に走行するプラスのガスイオンが、相
対的に電位の高い加速陽極のつくる電界ではね返
され、その近傍に配設されているゲツタ４０に吸
収される。ボデイ電極である電子ビーム導入電極
３６は、動作中にカソードからの輻射熱や一部の
電子ビーム損失によつてある程度高温になるので
ゲツタ作用が維持される。このため管内は常に高
真空に維持され、またガスイオンの不規則な挙動
による高周波増幅の不安定現象が抑制される。
リツクス遅波回路あるいはコレクタ電極側からカ
ソード方向に走行するプラスのガスイオンが、相
対的に電位の高い加速陽極のつくる電界ではね返
され、その近傍に配設されているゲツタ４０に吸
収される。ボデイ電極である電子ビーム導入電極
３６は、動作中にカソードからの輻射熱や一部の
電子ビーム損失によつてある程度高温になるので
ゲツタ作用が維持される。このため管内は常に高
真空に維持され、またガスイオンの不規則な挙動
による高周波増幅の不安定現象が抑制される。
第３図に示す実施例は、加速陽極２１の下流に
位置するビーム導入電極３６のビーム導入孔３７
の内周壁面に、リング状のゲツタ４０が付着され
ている。これにより、ゲツタが電子ビーム路に接
近して配設されているので、より一層ガスイオン
を効率よく吸収することができる。
位置するビーム導入電極３６のビーム導入孔３７
の内周壁面に、リング状のゲツタ４０が付着され
ている。これにより、ゲツタが電子ビーム路に接
近して配設されているので、より一層ガスイオン
を効率よく吸収することができる。
第４図に示す実施例は、加速陽極２１とボデイ
電極であるビーム導入電極３６との間に、イオン
バリヤの電界を形成するための補助電極４１が配
置されている。この補助電極４１は、その電子ビ
ーム通過孔４２が加速陽極の電子ビーム通過孔２
２の直径よりも大きく、これに電源Ecによりビー
ム導入電極のアース電位に対して正の電位が与え
られ、そしてこの補助電極４１のビーム導入電極
側の面に薄い円板状ゲツタ４０が付着されてい
る。なおゲツタの位置は、加速陽極側の面に付着
させてもよい。
電極であるビーム導入電極３６との間に、イオン
バリヤの電界を形成するための補助電極４１が配
置されている。この補助電極４１は、その電子ビ
ーム通過孔４２が加速陽極の電子ビーム通過孔２
２の直径よりも大きく、これに電源Ecによりビー
ム導入電極のアース電位に対して正の電位が与え
られ、そしてこの補助電極４１のビーム導入電極
側の面に薄い円板状ゲツタ４０が付着されてい
る。なおゲツタの位置は、加速陽極側の面に付着
させてもよい。
これによりガスイオンは、カソード方向に走行
し、補助電極、あるいは一部加速陽極ではね返さ
れゲツタに吸収される。
し、補助電極、あるいは一部加速陽極ではね返さ
れゲツタに吸収される。
この考案によれば、高周波作用部側からカソー
ド方向に走行するガスイオンは、加速陽極あるい
はその下流の補助電極の電界ではね返され、その
近傍に配設されているゲツタに吸収される。した
がつて管内は常に高真空に維持され、またガスイ
オンの不規則な挙動による高周波増幅の不安定現
象が抑制される。そしてこの考案は、とくにカソ
ード方向への走行ガスイオンが生じやすい電位低
下形多段コレクタ電極を有する進行波管、その他
の電子ビーム直進形マイクロ波管に適用して実用
上の利点が大きい。
ド方向に走行するガスイオンは、加速陽極あるい
はその下流の補助電極の電界ではね返され、その
近傍に配設されているゲツタに吸収される。した
がつて管内は常に高真空に維持され、またガスイ
オンの不規則な挙動による高周波増幅の不安定現
象が抑制される。そしてこの考案は、とくにカソ
ード方向への走行ガスイオンが生じやすい電位低
下形多段コレクタ電極を有する進行波管、その他
の電子ビーム直進形マイクロ波管に適用して実用
上の利点が大きい。
第１図はこの考案の一実施例を示す要部縦断面
図、第２図はその要部拡大断面図、第３図および
第４図は各々この考案の他の実施例を示す要部縦
断面図である。 １１…電子銃部、１２…高周波作用部、１３…
カソード、２１…加速陽極、３６…電子ビーム導
入電極、３７…ビーム導入孔、４０…ゲツタ、４
１…補助電極、Eb，Ea，Ec…電源。
図、第２図はその要部拡大断面図、第３図および
第４図は各々この考案の他の実施例を示す要部縦
断面図である。 １１…電子銃部、１２…高周波作用部、１３…
カソード、２１…加速陽極、３６…電子ビーム導
入電極、３７…ビーム導入孔、４０…ゲツタ、４
１…補助電極、Eb，Ea，Ec…電源。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 高周波作用部に導かれる電子ビームが放射さ
れるカソードと、このカソードから放出される
電子ビームの下流に配置されたた加速陽極と、
この加速陽極のすぐ下流又は後続の少なくとも
１つの補助電極の下流に配置されビーム導入孔
をもつ高周波作用部の電子ビーム導入電極と、
これら各電極に動作電位を与える電源とを具備
する電子ビーム直進形マイクロ波管装置におい
て、 上記加速陽極の近傍にガス吸収用ゲツタが配
設されてなることを特徴とする電子ビーム直進
形マイクロ波管装置。 (2) ゲツタは、電子ビーム導入電極の壁面に付着
されてなる実用新案登録請求の範囲第１項記載
の電子ビーム直進形マイクロ波管装置。 (3) ゲツタは、電子ビーム導入電極の電子ビーム
導入孔の内壁面に付着されてなる実用新案登録
請求の範囲第１項記載の電子ビーム直進形マイ
クロ波管装置。 (4) ゲツタは、加速陽極の下流に配置された補助
電極の壁面に付着されてなる実用新案登録請求
の範囲第１項記載の電子ビーム直進形マイクロ
波管装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3930385U JPH0334042Y2 (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3930385U JPH0334042Y2 (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6224466U JPS6224466U (ja) | 1987-02-14 |
| JPH0334042Y2 true JPH0334042Y2 (ja) | 1991-07-18 |
Family
ID=30852334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3930385U Expired JPH0334042Y2 (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0334042Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6904986B2 (ja) | 2017-02-20 | 2021-07-21 | Ｎｅｃネットワーク・センサ株式会社 | マイクロ波電子管及びマイクロ波増幅装置 |
-
1985
- 1985-03-19 JP JP3930385U patent/JPH0334042Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6224466U (ja) | 1987-02-14 |
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