JP2002521832A - フレキシブルシリコンひずみゲージ - Google Patents

フレキシブルシリコンひずみゲージ

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ジェイ ボッグス，ブラッドレイ
エス ジャスト，マルカス
エイ バング，クリストファー
シー スターク，ケヴィン
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ロゼマウント エアロスペイス インコーポレイテッド
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Abstract

(57)【要約】 ひずみ検知電極と、ひずみ検知電極をサポートする略フレキシブルな基板からなる略フレキシブルなひずみゲージである。ひずみ検知電極は単結晶あるいは多結晶半導体素材からなる。発明はまた、その上に位置するベース素材と単結晶あるいは多結晶半導体素材部とを有するウエファを選択する段階からなる略フレキシブルなひずみゲージを形成する方法を含む。この方法はさらに、半導体素材から検知電極をエッチングする段階と、前記検知電極上に略フレキシブルな基板を形成する段階とからなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （発明の属する技術分野） この発明は、ひずみゲージの技術に関連する。特に、半導体みずみ検知電極を
有する略フレキシブルひずみゲージの出願であり、またその引用について述べら
れる。
【０００２】 （発明の背景） ひずみゲージはしばしば主要な素材のひずみ検知に用いられる。ひずみゲージ
は主要な素材に取り付けられ、あるいは接着されたひずみ検知電極を有する。主
要な素材がひずんだとき、検知電極の抵抗が体験したひずみに比例して変化する
。圧縮あるいは引き伸ばしによるこの検知電極の抵抗の変化は、測定され、主要
な素材のひずみとして計算される。金属検知電極を有する金属箔のひずみゲージ
は、しばしばひずみを測定する。しかしながら、金属検知電極は比較的低計測要
因となり、ゲージの感度を低減する。ドーピングした単結晶シリコンや多結晶シ
リコンのような半導体素材を検知電極に使用することは、ひずみゲージの測定要
因を抜本的に改善する。しかしながら、ほとんどの半導体素材は一般的に壊れや
すいので、半導体検知電極は容易に破損する傾向がある。半導体ひずみ検知電極
を保護するために、典型的にはサポートを形成する堅固な裏打ちにマウントする
ことがあり、これを「裏打ちゲージ」と呼ぶ。このこの堅固な裏打ちは曲面にゲ
ージを使用することを禁止する。その代わりに、検知電極が直接素材に接着され
る場合には裏打ちをしないゲージが用いられる。しかしながら、裏打ちしないゲ
ージは搭載することが困難であり、検知電極は露出しており、そのためなお破損
する傾向がある。裏打ちしないゲージは曲面に搭載するにはあまりにも壊れやす
い。そのために、ひずみゲージが略フレキシブルな基板および／あるいは検知電
極を取り扱い容易にし、ゲージを曲面や不規則な表面に適用することができるよ
うにとした半導体ひずみ検知電極を有するひずみゲージの要望がある。
【０００３】 単結晶半導体素材や多結晶素材を例えばポリアミドのような柔軟な基板に形成
しようとすれば、多くの困難が生じる。アモルファスシリコンがグロー放電分解
を用いることによってフレキシブルな基板に接着できることは知られているが、
この過程はその他のシリコンの形態には適用することはできない。代わりに、単
結晶あるいは多結晶シリコンは例えばエピタキシャル成長のような異なる過程で
堆積あるいは成長させなければならない。しかしながら、エピタキシャル成長は
約９５０℃の温度が要求され、ポリアミドの基板は約５５０〜５８０℃で分解し
てしまう。多結晶シリコン堆積もまた、５００℃以上で引き起こされる。このよ
うに、エピタキシャル成長はポリアミドの基板には使用不可能である。さらに、
エピタキシャル成長はシリコンを既に存在する単結晶シリコン層に堆積させるこ
とができるのみであり、したがってこの過程は単結晶あるいは多結晶シリコンを
フレキシブルな基板に堆積することはできない。
【０００４】 この発明はまた、センサを製造する方法に関連する。さらに具体的には、略フ
レキシブルなひずみゲージを製造する方法に関する。裏打ちセンサを製造する場
合、一般的にセンサや検知電極が基板あるいは裏打ち上に適用される。そしてセ
ンサが基板に固定される。この過程には高精度の装置や硬度に熟練した人が要求
され、これによって検知電極を所望の位置決めをすることができる。検知電極は
、その壊れやすさおよび小さいサイズゆえに取り扱いが極度に困難である。した
がって、小サイズ化やその取り扱い、位置決めあるいは検知電極を取り付けたセ
ンサを形成する方法の要請がある。
【０００５】 （発明の要旨） この発明は、比較的薄い半導体検知電極を略フレキシブルな基板に搭載して合
体する略フレキシブルなひずみゲージである。この発明のひずみゲージはフレキ
シブルな裏打ちを有しており、これは容易に搭載し、ゲージを曲面に適応するこ
とを可能とする。ひずみ検知電極はフレキシブルであるために十分に薄く、そし
て金属箔のような高い測定要因を備えるようなドーピング単結晶シリコン、ある
いは米国ウチダ特許第４６５８２３３号におけるアモルファスシリコンのような
半導体素材からなっている。好ましい実施例において、この発明は、半導体単結
晶みずみ電極や半導体多結晶ひずみ検知電極からなる略フレキシブルひずみゲー
ジであり、ひずみ検知電極をサポートする略フレキシブルな基板である。
【０００６】 この発明はまた、センサあるいはフレキシブルな基板に搭載される検知電極の
製造方法に関連する。この方法において、電池電極はウエファ上に形成され、フ
レキシブルな基板はこのように電池電極について形成される。いったんフレキシ
ブルな基板が回復されると、ウエファはシリコンの塊を取り除き、検知電極を露
出するために精巧な深さにエッチングされる。ウエットエッチングは検エッチン
グを施さない側のウエファにおいて検知電極を損傷するので、好ましくはドライ
エッチング法を用いて達成される。さらに、リアクティブ・イオンエッチング（
原語 Reactive Ion Etching 略語ＲＩＥ）、および好ましくはディープリアク
ティブ・イオンエッチング（原語 Deep Reactive Ion Etching 略語ＤＩＲＥ）
がドライエッチング過程として選択される。即ち、これらは高いエッチングレー
トおよび選択的にエッチング停止素材を提供することになるからである。
【０００７】 検知電極はウエファ上に直接設けられるので、電池電極は所望する位置に定着
される。基板はこれによって検知電極に関連して形成されることになる。このよ
うにして、検知電極はまた、直接取り扱ったり位置決めを行う必要がない。好ま
しい実施例において、この発明はベース素材部と、その上に位置する単結晶半導
体素材あるいは他結晶半導体素材部を有するウエファの選択手段からなる略フレ
キシブルひずみゲージである。この方法はさらに、半導体素材から形成したひず
み検知電極のエッチングおよび検知電極上の略フレキシブル基板の形成手段から
なる。
【０００８】 この発明の他の形態および利点は、この明細書の一部を形成するところの添付
した図面およびクレームを参照しながら、以下の説明から明らかになるであろう
。
【０００９】 この発明は種々の構成要素とその変形、および種々の手段およびその変形手段
において形成される。図面は好ましい実施例を示すためにのみ利用され、発明の
限定に解釈されるものではない。
【００１０】 （好ましい実施例の詳細な説明） 第１図に示すように、この発明はひずみ検知電極１２を含むひずみゲージ１０
である。ひずみ検知電極１２は、単結晶シリコン、ドーピング結晶シリコン、ゲ
ルマニウム、アモルファスシリコン、多結晶シリコン等の何らかの適切な半導体
素材が採用される。しかしながら、単結晶半導体素材が検知電極１２のための好
ましい素材である。ひずみ検知電極１２は第１端１４と第２端１６を含み、好ま
しくは略フレキシブルに十分な薄さである。第１端１４は第１導電線１８に接続
され、第１端１４を第１金属出力パッド２０に連結する。似たように、第２端１
６は第２出力パッド２４に第２導電線２２によって連結される。好ましい実施例
において、それぞれの出力パッド２０、２４はその連携するリード線１８、２２
とまとまって形成される。出力パッド２０、２４およびリード線１８、２２は、
好ましくはアルミニウム、ニッケルあるいは銅のような導電性素材からなるであ
ろう。
【００１１】 ひずみゲージ１０の変形例が第２図に示され、これは略同一配列の検知電極１
２、リード線１８、２２、出力パッド２０、２４、および基板２６を含む。出力
パッド２０および２４は、検知電極１２の反対側に位置する。第１図および第２
図のそれぞれにおいて、検知電極１２、リード線１８、２２および出力パッド２
０、２４はポリアミドのような略フレキシブルな基板２６の上に置かれる。酸化
層２８は基板２６上に置かれ、検知電極１２、リード線１８、２２、および出力
パッド２０および２４は基板２６の上に置かれる。好ましい実施例において、出
力パッド２０と２４は酸化層２８を通って上方に拡張しており、そしてリード線
１８、２２および検知電極は酸化層２８の下部に沈み込まれる。第３図は検知電
極１２、リード線１８、２２および基板２６の上に位置する酸化層２８を示して
いる。
【００１２】 この発明のひずみゲージ１０を形成するための好ましい方法が第４〜１２図に
示されている。しかしながら、この発明のゲージは他の代替できる方法で形成さ
れるかも知れないことを理解すべきである。さらに、以下に述べる方法は広範な
センサの製造に用いられるかも知れず、以下に述べるひずみゲージセンサに特に
限定するものではない。例えば、これら過程によって製造されたセンサには熱流
動センサ、圧力センサ、加速センサ、温度センサ、比率センサ、ガスセンサ、お
よび流動比率センサを含み、これに限らない。
【００１３】 製造過程は、ベース素材３２、酸化層３４および酸化層３４の上に位置するド
ーピングしたシリコン層３６を含むウエファ３０によって始められる。ベース素
材３２は好ましくは単結晶あるいは多結晶シリコンであり、酸化層３４は好まし
くはシリコン二酸化物である。ベース素材３２はウエファ３０の強度および固さ
に役立つに十分な厚さを有し、ウエファ３０の取り扱いを容易にする。もしフレ
キシブルなセンサが望まれるのであれば、ドーピングしたシリコン層３６は２０
ミクロンより薄く、好ましくは５〜２０ミクロンであり、さらに好ましくは約７
〜１０ミクロンである。もちろん、その厚さは所望するならば５ミクロン未満で
もよく、応用性による。好ましい実施例では、シリコン層３６はひずみ検知電極
として形成され、特に約１０Ω／単位面積（原文ohms per square〜１，０００
Ω／単位面積以上、つまりゲージの所望する面抵抗によるが、シリコン層３６に
は望ましいシート抵抗までドーピングされる。これらのシート抵抗は検知電極の
形状と厚さによって約１００〜１０，０００Ωの抵抗値を有する電極をもたらす
。シリコン層３６はＰ型、Ｎ型あるいは真性型である。
【００１４】 ドーピングシリコン層３６はセンサを形成するために望ましいいかなる素材に
も置換することができるものとして理解されなければならない。シリコン層３６
はまた、ひずみゲージ以外のセンサに形成されることがある。例えば、ガスセン
サが形成されるならば、シリコン層３６は櫛形コンデンサを形成するようにエッ
チングされる。しかも、ひずみゲージを形成する場合には、シリコン層３６はゲ
ルマニウムやアモルファスシリコンのような他の適切な素材に置換されるかも知
れず、これによってひずみゲージはこれらの素材から形成されたひずみ検知電極
を有するひずみゲージを形成する。
【００１５】 ひとたびウエファ３０が選択されれば、マスク３８がドーピングシリコン層３
６の上に置かれる。ひずみ検知電極１２はこれによって、通常の写真平板および
エッチングを用いてシリコン層３６の望まない部分を取り除き、ひずみ検知電極
１２として望ましい部分の層３６を残すことになる（第５図参照）。もしひずみ
ひずみゲージ以外のセンサあるいは検知電極が製造されるのであれば、ひずみ検
知電極１２の代わりに形成されることになる。このセンサ構造は特にここで述べ
たことを越えて、層３６に対して複数の段階および処理を必然的に含むことにな
るであろう。加えて、素材の複数の層は単一層のシリコン層３６に代えて用いら
れることがある。センサ構造はまた、他の素材の追加、あるいは／または追加の
ドライエッチングかウエットエッチングを必然的に含むことになるであろう。
【００１６】 図面の説明に戻って、第５図はひずみ検知電極１２が形成されたウエファ３０
を示している。次に、第６図のように、マスクパターン３１が検知電極１２と酸
化層３４の上に置かれる。一対の窓４４がひずみ検知電極１２の両側に形成され
る。２つの窓４４は酸化層３４を露出するようにマスクパターン３１に切り出さ
れる。第２の一対の窓４６がひずみ検知電極１２の第１端１４と第２端１６に位
置し、これらの窓４６は端１４と１６を露出する。次の段階中において、酸化層
３４は窓４４を介してエッチングされる。酸化層３４は刻み４８を形成するため
の厚み部を介してエッチングされる（第７図参照）。続いて、検知電極１２の第
１端１４と第２端１６は拡散あるいはインプラントのようなドーピング手段のた
めに露出されており、これによってその後検知電極１２の両端１４と１６をドー
ピングする。検知電極１２のさらなるドーピング領域が続く図面中で異なるハッ
チで示されている。検知電極１２のさらなるドーピングは検知電極１２とリード
線１８、２２間の電導性の改善のために実行されるかもしれないが、この発明に
おいては本質的なものではない。さらなるドーピングステップはＮ型シリコンが
ひずみ検知電極１２に使用される場合には望まれるかも知れない。
【００１７】 次に第８図に示すように、金属層５０が酸化層３４と検知電極１２の上に堆積
され、金属層５０は刻み４８中に充填する。金属層５０は結局のところリード線
１８、２２と出力パッド２０、２４を形成する。この金属は好ましくはアルミニ
ウムが用いられ、ウエファ３０の上にスパッタリングされる。しかしながら、リ
ード線を形成し、パッドを連結するそのような望ましい方法であっても、ほとん
どのものが適用される。第９図に示すように、その後に次の過程で取り除かれな
い金属層５０のこれらの部分を保護するために、金属層５０の上にマスク５２が
位置される。
【００１８】 次の段階として、マスク５２で覆われない金属層５０の領域がエッチングによ
って取り除かれ、出力パッド２０、２４とリード線１８、２２が残される（第１
０図参照）。最後に、略フレキシブルな基板が酸化層３４、パッド２０、２４、
リード線１８、２２と、検知電極１２のうえに被せられる（第１１図参照）。フ
レキシブルな基板２６は好ましくはポリアミドからなる。ポリアミドがいったん
回復されれば、ベース素材３２は取り除かれ、酸化層３４はパッド２０、２４が
露出するまで十分な深さにエッチングされる（第１２図参照）。ベース素材３２
は好ましくはディープリアクティブ・イオンエッチングによって取り除かれ、酸
化層３４は好ましくはドライエッチングされて出力パッドを接触用に露出する。
製造後には、ゲージはひずみゲージ接着剤によってテストピース５６に搭載され
、出力パッド２０、２４にはワイヤ５８、６０がボンディングあるいははんだ付
けによって設けられる（第１３図）。出力ワイヤ５８、６０はひずみゲージによ
るひずみ測定の計算のために、あるいはその後の出力信号過程のために、ひずみ
ゲージ１０を電気的装置に接続する。代わりに、出力ワイヤ５８、６０はひずみ
検知電極１２の両端１４、１６に直接接続され、リード線１８、２２および出力
パッド２０、２４はひずみゲージ１０には形成されないこともある。出力パッド
は出力ワイヤ５８、６０をひずみ検知電極１２の両端１４、１６に電気的に接続
する利便を改善するために、表面には設けられない。
【００１９】 ここに見られるように、この発明の方法を用いれば、検知電極１２は最初にウ
エファ３０に形成される。パッド２０、２４およびリード線１８、２２が形成さ
れた後は、基板２６がひずみゲージ１０の構成要素に関して形成される。最後に
、ウエファ３０の塊部分が好ましくはエッチングによって、基板２６上にセンサ
あるいはひずみゲージを残して取り除かれる。このようにして、ひずみ検知電極
１２は基板２６上に取り扱われ、および／あるいは意思される必要はなく、基板
２６がその代わりにひずみ検知電極１２に関して形成されることになる。これは
、容易、迅速かつより一貫したひずみゲージの製造を可能とする。
【００２０】 この発明のひずみゲージを形成するための好ましい方法について述べたけれど
も、他の多くの方法がこの発明のフレキシブルセンサを組み立てるために用いら
れるであろう。例えば、半導体ひずみ検知電極が、ひずみ検知電極に関して基板
を形成する代わりに基板に直接用いられることもある。ひずみ検知電極の両端は
このようにすると出力パッドに接続することになり、または出力ワイヤに直接接
続することになるであろう。
【００２１】 この発明のひずみゲージは、複数のひずみゲージがフレキシブルな素材の単一
シート上に形成されるようなバッチ処理によってウエファ上に形成されることも
ある。これらのゲージを製造した後は、それぞれのゲージは周囲を取り巻くゲー
ジから切り出される。さらに、複数のひずみゲージが１枚のウエファあるいは基
板上に形成され、いくつかあるいは全てのゲージは電気的に出力領域または通常
の構成部分に接続されることになろう。例えば、ひずみゲージアレー６６が第１
４図に示される。そこに記載されたひずみゲージアレー６６は複数のひずみゲー
ジ１０を含んでいる。それぞれ個別のひずみゲージ１０のリード線１８、２２は
ひとつの領域６８にターミナルを形成するようにされる。このようにして、全て
のリード線１８、２２の端部は共通した地域６８に集められ、出力ワイヤの接続
を容易にする。ひずみゲージアレー６６‘の変形例が第１５図に示され、リード
線１８、２２はデータ入手用ＩＣのような基板上の電気的構成７０に統一的に配
線されている。この構成７０はリード線１８、２２を受容し、それぞれ別個のひ
ずみゲージ１０のリード線１８、２２によって供給される信号を処理する。例え
ば、電気的構成７０は増幅器、ブリッジ回路、インターフェイス、Ａ／Ｄコンバ
ータ、マルチプレクサ、記憶装置および／あるいは遠隔操作回路が用意されるこ
とになるであろう。この電気的構成７０はデータＩ／Ｏの供給のため、あるいは
電気的装置への電力供給のために複数のターミナル７２を有している。基板上に
電気的構成７０を位置させることによって、アレー６６’は処理ステップを達成
することができ、このようにひずみアレーだけで存在するよりパワフルおよびよ
り適合性に富むようになる。さらに、電気的構成７０がセンサ１０に近接してい
るので、センサ出力は処理される前に最短距離を移送するだけでよい。この距離
の短縮は、信号強度の低下を抑制し、妨害に曝されることを最小限とする。
【００２２】 センサアレー６６、６６‘ は公知の見本を用いることによって注文生産する
ように、構成されることがある。例えば、フレキシブル基板は見本表面に見合う
サイズにされ、基板が見本に適応されたときに測定されるべき見本を特定の関心
領域に対応した望ましい位置に正確に設けるようにひずみゲージを製造すること
がある。このようにして、フレキシブルシートが見本に搭載されたときに、ひず
みゲージは見本の極限点に発生するひずみを測定することができる。再言すると
、種々のひずみゲージのリード線、他のセンサおよび／あるいは電気的構成はす
べて、単一の地域に伝達し、このことはボンディングやデータ入手、記憶、およ
び／あるいはフレキシブルシート上の伝達回路のために都合がよい。
【００２３】 単一に集約したミクロ電子工学的な回路を有するセンサの形成方法が第１６〜
２７図に示されている。たんに単一ミクロ電子回路や単一センサのみが示されて
いるが、複数の構成やセンサが最終製品に組み込まれることになるであろう。以
下に述べる方法および第１６〜２７図に示されたことは、第４〜１２図に関連し
て述べた方法とほとんど同一である。大きく異なる点は、最終製品におけるミク
ロ電子回路の追加である。第１６図に示したように、過程はウエファ３０がシリ
コン層３５を有することで始まる。ウエファ３０は酸化層３４とベース素材３２
を含む。次に第１７図に示したように、ミクロ電子回路７４が従来の方法によっ
てウエファ３０に組み立てられる。その変形として、そこにすでに形成したミク
ロ電子回路７４を有するウエファ３０は、納入者から購入するかも知れない。ミ
クロ電子回路７４は好ましくはどのような種類の技術を用いて組み込んでもよい
。その技術としては、ＣＭＯＳ、あるいはＤＭＯＳ、ＵＭＯＳ、ＶＭＯＳ、ＬＤ
ＭＯＳ等のような他のＭＯＳ技術、バイポーラ処理、ＢｉＣＭＯＳのようなハイ
ブリッド技術、あるいは他の技術等である。ミクロ電子回路７４は主として、セ
ンサからの出力を生成し、調節し、あるいは他に必要な処理をし、および／また
はエンドユーザーのシステムが要求する他の機能を達成する。
【００２４】 第１８図に示すように、ミクロ電子回路７４は次にマスク７６によって保護さ
れ、露出したシリコン３５がドーピングされる。その変形として、第１８図に示
したステップは省略されることもあり、回路がシリコン層３５に組み込まれる前
にドーピングされるかも知れない。次に、マスク７８が回路７４および層３５の
一部を覆って位置される（第１９図参照）。露出したシリコン層３５はこのよう
にして選択的に取り除かれ、第２０図に示した検知電極を残すことになる。マス
ク８０が続いて回路７４、検知電極１２および酸化層３４を覆って位置する（第
２１図）。酸化層３４の露出した部分はこのようにして、刻み４８を形成するた
めに厚みのある部分を介してエッチングされる。
【００２５】 金属層あるいは他の導電性素材８２がアッセンブリ全体を覆って設けられる（
第２３図）。そして、他のマスク８４が金属層８２を覆って位置する（第２４図
）。金属層８２の露出した部分は、パッド８６、８８と同様にリード線９０、９
２、９４を残した状態で取り除かれる（第２５図）。その変形として、当業者に
知られた剥離（原文lift-off）技術が金属層８２を形成するために採用されるこ
とがある。最終的に、フレキシブル層２６はアッセンブリ全体を覆い（第２６図
）、ベース素材３２が取り除かれる結果、第２７図のような構造となる。その結
果としてのアッセンブリ９６はひずみゲージとなり、ミクロ電子回路がフレキシ
ブルな基板上に搭載される。アッセンブリは平坦でない構成に搭載することがで
き、ミクロ電子回路７４はアッセンブリ９６に処理能力を付与することになる。
もちろん、ひずみゲージを除く他のセンサが上述した方法を用いて形成されるこ
ともある。
【００２６】 好ましい発明の形態が述べられた。しかしながら、意図する開示において、明
らかな好ましい実施例の変形、同種の形態や利益の達成は当業者にとって明白で
あると理解される。
【００２７】 本願のクレームは１９９８年７月２８日に提出された米国特許出願番号６０／
０９４，３５８号及び１９９８年１０月２２日に提出された米国特許出願番号６
０／１０５，２５０を優先権として主張する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明のひずみゲージの一実施例の正面図である。
【図２】 この発明のひずみゲージの変形例の正面図である。
【図３】 図２のひずみゲージの横断面図である。
【図４】 図２のひずみゲージを形成するための好ましい方法の段階を示
した横断面図である。
【図５】 図２のひずみゲージを形成するための好ましい方法の段階を示
した横断面図である。
【図６】 図２のひずみゲージを形成するための好ましい方法の段階を示
した横断面図である。
【図７】 図２のひずみゲージを形成するための好ましい方法の段階を示
した横断面図である。
【図８】 図２のひずみゲージを形成するための好ましい方法の段階を示
した横断面図である。
【図９】 図２のひずみゲージを形成するための好ましい方法の段階を示
した横断面図である。
【図１０】 図２のひずみゲージを形成するための好ましい方法の段階を
示した横断面図である。
【図１１】 図２のひずみゲージを形成するための好ましい方法の段階を
示した横断面図である。
【図１２】 図２のひずみゲージを形成するための好ましい方法の段階を
示した横断面図である。
【図１３】 図１２に主要な素材を取り付けたひずみゲージを示す横断面
図である
【図１４】 ひずみゲージのアレーの正面図である。
【図１５】 経過中のチップに連結されたひずみゲージのアレーの正面図
である。
【図１６】 この発明のひずみゲージの変形例を形成するための方法を示
した横断面図である。
【図１７】 この発明のひずみゲージの変形例を形成するための方法を示
した横断面図である。
【図１８】 この発明のひずみゲージの変形例を形成するための方法を示
した横断面図である。
【図１９】 この発明のひずみゲージの変形例を形成するための方法を示
した横断面図である。
【図２０】 この発明のひずみゲージの変形例を形成するための方法を示
した横断面図である。
【図２１】 この発明のひずみゲージの変形例を形成するための方法を示
した横断面図である。
【図２２】 この発明のひずみゲージの変形例を形成するための方法を示
した横断面図である。
【図２３】 この発明のひずみゲージの変形例を形成するための方法を示
した横断面図である。
【図２４】 この発明のひずみゲージの変形例を形成するための方法を示
した横断面図である。
【図２５】 この発明のひずみゲージの変形例を形成するための方法を示
した横断面図である。
【図２６】 この発明のひずみゲージの変形例を形成するための方法を示
した横断面図である。
【図２７】 この発明のひずみゲージの変形例を形成するための方法を示
した横断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 ０９／２４５，２７２ (32)優先日 平成11年２月５日(1999．2．5) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ， ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，Ｇ Ｅ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ， ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，Ｍ Ｎ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ， ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，Ｚ Ａ，ＺＷ (72)発明者 ジャスト，マルカス エス アメリカ合衆国 オハイオ州 44141− 1240 ブリックスヴィル カリッジヒルド ライブ 7010 アパートメント 203 (72)発明者 バング，クリストファー エイ アメリカ合衆国 オハイオ州 44133 ノ ースロイヤルトン スワンレイクブーレバ ード 14154 (72)発明者 スターク，ケヴィン シー アメリカ合衆国 オハイオ州 44143− 2546 リッチモンドハイツ ラッシュモア コート 25028 Ｆターム(参考） 2F049 CA07 DA01 DA04 4M112 CA42 CA45 CA48 DA03 DA18 EA03 EA11 EA20

Claims (51)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 単結晶あるいは多結晶構造を有する半導体製のひずみ検知電極と、前記ひずみ
    検知電極を支持する略フレキシブルな基板とからなる略フレキシブルなひずみゲ
    ージ。
  2. 【請求項２】 前記ひずみ検知電極は略フレキシブルである請求項１記載のひずみゲージ。
  3. 【請求項３】 前記ひずみ検知電極は約１５ミクロンよりも薄い厚さである請求項１記載のひ
    ずみゲージ。
  4. 【請求項４】 前記ひずみ検知電極はシリコンからなる請求項１記載のひずみゲージ。
  5. 【請求項５】 前記ひずみ検知電極はドーピングしたシリコンである請求項１記載のひずみ
    ゲージ。
  6. 【請求項６】 前記ひずみ検知電極は、約１００Ω〜１０，０００Ωの抵抗を有する請求項１
    記載のひずみゲージ。
  7. 【請求項７】 前記ひずみ検知電極の面抵抗は、約１０Ω／単位面積（原文ohms per square
    〜約１，０００／単位面積である請求項１記載のひずみゲージ。
  8. 【請求項８】 前記基板はポリマーである請求項１記載のひずみゲージ。
  9. 【請求項９】 前記基板はポリアミドである請求項１記載のひずみゲージ。
  10. 【請求項１０】 電気的に前記ひずみ検知電極の第１端と接続する第１の出力パッドをさらに備
    えた請求項１記載のひずみゲージ。
  11. 【請求項１１】 前記第１の出力パッドは前記基板上に位置する請求項１０記載のひずみゲージ
    。
  12. 【請求項１２】 電気的に前記ひずみ検知電極の第２端と接続する第２の出力パッドをさらに備
    えた請求項１１記載のひずみゲージ。
  13. 【請求項１３】 前記第１の出力パッドを前記ひずみ検知電極に電気的に接続する第１のリード
    線と、前記第２の出力パッドを前記ひずみ検知電極に電気的に接続する第２のリ
    ード線をさらに備えた請求項１２記載のひずみゲージ。
  14. 【請求項１４】 前記リード線、前記基板および前記ひずみ検知電極を覆う酸化層をさらに備え
    た請求項１３記載のひずみゲージ。
  15. 【請求項１５】 前記パッドと前記リード線はアルミニウムである請求項１４記載のひずみゲー
    ジ。
  16. 【請求項１６】 電気的に前記ひずみ検知電極、前記基板上に設けた電気的構成に接続する電気
    的構成をさらに備えた請求項１記載のひずみゲージ。
  17. 【請求項１７】 センサを基板上に形成する方法であって、ベース素材部とセンサ素材部を有す
    るウエファの選択、前記センサ素材以外のセンサの形成、および前記基板をセン
    サ上への形成からなる方法。
  18. 【請求項１８】 前記基板は略フレキシブルである請求項１７記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記略フレキシブルな基板はポリアミドであり、この略フレキシブルな基板は
    前記ウエファ上に広げられた請求項１８記載の方法。
  20. 【請求項２０】 前記センサは略フレキシブルである請求項１７記載の方法。
  21. 【請求項２１】 前記基板を形成した後に、前記ベース素材を取り除く段階をさらに備えた請求
    項１７記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記取り除く段階は前記ベース素材をディープリアクティブ・イオンエッチン
    グを用いて取り除くことを含んでいる請求項２１記載の方法。
  23. 【請求項２３】 前記センサ素材は半導体素材である請求項１７記載の方法。
  24. 【請求項２４】 前記センサ素材は単結晶半導体である請求項１７記載の方法。
  25. 【請求項２５】 前記センサの形成段階は前記センサ素材をエッチングすることからなる請求項
    １７記載の方法。
  26. 【請求項２６】 前記センサはひずみ検知電極である請求項１７記載の方法。
  27. 【請求項２７】 前記ウエファは前記ベース素材と前記センサ素材の間に酸化層を含む請求項１
    ７記載の方法。
  28. 【請求項２８】 さらに、ミクロ電子回路を前記ウエファに組み立てる段階からなり、電気的に
    前記電子構成を前記センサに接続する請求項１７記載の方法。
  29. 【請求項２９】 前記電気的な接続段階は、設けられた金属が電気的に前記電子構成と前記セン
    サに接続するように前記金属を前記ウエファに設けることを含む請求項１８記載
    の方法。
  30. 【請求項３０】 略フレキシブルなひずみゲージを形成する方法であって、ベース素材部とその
    上に位置する単結晶半導体素材か多結晶半導体素材を選択する段階と、前記半導
    体素材からひずみ検知電極をエッチングする段階と、略フレキシブルな基板を前
    記検知電極上に形成する段階からなる方法。
  31. 【請求項３１】 前記ひずみ検知電極はシリコンである請求項３０記載の方法。
  32. 【請求項３２】 さらに前記形成段階の後に前記ベース素材をエッチングで除去する段階からな
    る請求項３０記載の方法。
  33. 【請求項３３】 ディープリアクティブ・イオンエッチングを用いて前記ベース素材を除去する
    請求項３２記載の方法。
  34. 【請求項３４】 前記ウエファは前記ベース素材と前記半導体素材の間に酸化層を含み、さらに
    前記ひずみ検知電極が露出するまでに前記酸化層を除去する段階を含む請求項３
    ２記載の方法。
  35. 【請求項３５】 前記ウエファは前記ベース素材と前記半導体素材の間に酸化層を含む請求項３
    ０記載の方法。
  36. 【請求項３６】 前記エッチング段階の後に第１の出力パッドを前記検知電極に電気的に接続す
    る段階をさらに含む請求項３０記載の方法。
  37. 【請求項３７】 前記ひずみ検知電極の一部をドーピングし、前記出力パッドは前記検知電極に
    前記ドーピングされた部分で接続されている段階をさらに有する請求項３６記載
    の方法。
  38. 【請求項３８】 前記出力パッドは金属スパッタリングで形成され，前記出力パッドは金属リー
    ドによって前記検知電極と接続している請求項３６記載の方法。
  39. 【請求項３９】 前記ウエファは前記ベース素材と半導体素材の間に酸化層を含み、さらに前記
    出力パッドを形成する前に前記酸化層の部分を部分的にエッチングする段階から
    なり、前記出力パッドは前記酸化層の部分エッチング部に形成される請求項３６
    記載の方法。
  40. 【請求項４０】 ミクロ電子回路を前記ウエファに組み立て、前記ミクロ電子回路を前記ひずみ
    検知電極に電気的に接続する段階をさらに含む請求項３０記載の方法。
  41. 【請求項４１】 略フレキシブルなひずみゲージを形成する方法であって、略フレキシブルな基
    板を選択する段階と、略フレキシブルで単結晶または多結晶構造の半導体ひずみ
    電極を前記基板へ搭載する段階とからなる方法。
  42. 【請求項４２】 第１の出力パッドを前記ひずみ検知電極へ電気的に接続する段階をさらに有す
    る請求項４１記載の方法。
  43. 【請求項４３】 センサアレーを形成する方法であって、ベース素材部とセンサ素材部を有する
    ウエファを選択する手段と、前記センサ素材から複数のセンサを形成する手段と
    、前記基板を前記複数のセンサのうえに形成する段階とからなる方法。
  44. 【請求項４４】 それぞれのセンサは出力リードを有し、前記出力リードは共通する領域にター
    ミナルを有する請求項４３記載の方法。
  45. 【請求項４５】 それぞれのセンサは出力リードを有し，前記出力リードは前記基板上に設けら
    れた電気的構成に接続される請求項４３記載の方法。
  46. 【請求項４６】 前記センサを形成する前に前記ウエファにミクロ電子回路を組み立て、前記構
    成をすくなくとも前記センサの１つに電気的に接続する段階をさらに有する請求
    項４３記載の方法。
  47. 【請求項４７】 見本とともに用いる略フレキシブルなセンサアレーであって、このアレーは略
    フレキシブルな基板上に搭載された複数のセンサからなり、前記基板は前記見本
    の所望する位置に設けられるように、前記見本の周囲に適合して設けられる略フ
    レキシブルなセンサアレー。
  48. 【請求項４８】 前記センサはひずみゲージである請求項４７記載の略フレキシブルなセンサア
    レー。
  49. 【請求項４９】 少なくとも１つのひずみゲージは単結晶シリコン検知電極である請求項４８記
    載の略フレキシブルなセンサアレー。
  50. 【請求項５０】 前記基板はポリアミドである請求項４７記載の略フレキシブルなセンサアレー
    。
  51. 【請求項５１】 それぞれのセンサは出力を備え、前記センサアレーはさらに前記出力を受容す
    るために前記基板上に電気的構成を含む請求項４７記載の略フレキシブルなセン
    サアレー。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006128062A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Samsung Sdi Co Ltd 二次電池
JP2008082907A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Hitachi Ltd 力学量計測装置

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19962763C2 (de) * 1999-07-01 2001-07-26 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Vereinzeln eines Wafers
US6673644B2 (en) * 2001-03-29 2004-01-06 Georgia Tech Research Corporation Porous gas sensors and method of preparation thereof
CN1233041C (zh) 2000-09-21 2005-12-21 剑桥半导体有限公司 半导体器件及其制作方法
US6912759B2 (en) * 2001-07-20 2005-07-05 Rosemount Aerospace Inc. Method of manufacturing a thin piezo resistive pressure sensor
US6861341B2 (en) * 2002-02-22 2005-03-01 Xerox Corporation Systems and methods for integration of heterogeneous circuit devices
JP2003274294A (ja) * 2002-03-14 2003-09-26 Mitsubishi Electric Corp 固体撮像装置
WO2004023087A1 (en) * 2002-09-09 2004-03-18 Rosemount Aerospace, Inc. Method for making an infrared detector and infrared detector
US6877380B2 (en) * 2002-10-01 2005-04-12 Honeywell International Inc. Diaphragm for bonded element sensor
US7080545B2 (en) 2002-10-17 2006-07-25 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and process for sensing fluoro species in semiconductor processing systems
US7150199B2 (en) * 2003-02-19 2006-12-19 Vishay Intertechnology, Inc. Foil strain gage for automated handling and packaging
US20040166606A1 (en) * 2003-02-26 2004-08-26 David Forehand Low temperature wafer-level micro-encapsulation
US7592239B2 (en) 2003-04-30 2009-09-22 Industry University Cooperation Foundation-Hanyang University Flexible single-crystal film and method of manufacturing the same
US7340960B2 (en) * 2004-01-30 2008-03-11 Analatom Inc. Miniature sensor
JP4452526B2 (ja) * 2004-03-03 2010-04-21 長野計器株式会社 歪検出素子及び圧力センサ
US7204162B2 (en) * 2004-11-23 2007-04-17 Delphi Technologies, Inc. Capacitive strain gauge
US7293466B2 (en) * 2005-07-19 2007-11-13 Hitachi, Ltd. Bolt with function of measuring strain
WO2007087767A1 (de) * 2006-02-03 2007-08-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Auslenkbares mikromechanisches system sowie dessen verwendung
US7698962B2 (en) * 2006-04-28 2010-04-20 Amsted Rail Company, Inc. Flexible sensor interface for a railcar truck
US7765880B2 (en) * 2008-05-19 2010-08-03 Hong Kong Polytechnic University Flexible piezoresistive interfacial shear and normal force sensor and sensor array
US8387463B2 (en) * 2008-10-06 2013-03-05 Rosemount Inc. Pressure-based diagnostic system for process transmitter
US7918134B2 (en) * 2008-10-06 2011-04-05 Rosemount Inc. Thermal-based diagnostic system for process transmitter
DE102010025633B4 (de) * 2009-11-06 2013-11-14 SIOS Meßtechnik GmbH Vorrichtung zur Messung kleiner und großer Kräfte
CN104880206B (zh) * 2015-06-09 2018-03-06 中国科学院深圳先进技术研究院 电阻应变片及电阻应变式传感器
CN106091915B (zh) * 2016-05-31 2018-11-20 常州二维碳素科技股份有限公司 微距感知传感器、感知微距变化的装置及微距检测方法
CN105890511B (zh) * 2016-05-31 2019-01-29 常州二维碳素科技股份有限公司 微形变感应装置
US10662513B2 (en) 2016-07-26 2020-05-26 Verkko Biomedical, LLC Dynamic, non-homogenous shape memory alloys
WO2019010670A1 (zh) * 2017-07-13 2019-01-17 中国科学院深圳先进技术研究院 一种柔性可拉伸应变传感器及其制备方法
CN109437094B (zh) * 2018-10-29 2020-07-07 北京大学第三医院 一种柔性压力传感器阵列及其制备方法
US11650110B2 (en) * 2020-11-04 2023-05-16 Honeywell International Inc. Rosette piezo-resistive gauge circuit for thermally compensated measurement of full stress tensor
EP4067849A1 (en) * 2021-03-31 2022-10-05 ETH Zurich Sensor system for a three-dimensional device

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3798754A (en) 1972-05-15 1974-03-26 Motorola Inc Semiconductor strain gage and method of fabricating same
US4422063A (en) 1982-04-01 1983-12-20 Pitney Bowes Inc. Semiconductor strain gauge
US4526043A (en) 1983-05-23 1985-07-02 At&T Bell Laboratories Conformable tactile sensor
US4658233A (en) 1984-03-16 1987-04-14 Fuji Electric Corporate Research & Development Ltd. Strain gauge
US4777826A (en) 1985-06-20 1988-10-18 Rosemount Inc. Twin film strain gauge system
US4839512A (en) 1987-01-27 1989-06-13 Tactilitics, Inc. Tactile sensing method and apparatus having grids as a means to detect a physical parameter
US4745812A (en) 1987-03-25 1988-05-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Triaxial tactile sensor
US5108819A (en) * 1990-02-14 1992-04-28 Eli Lilly And Company Thin film electrical component
DE4011314A1 (de) 1990-04-07 1991-10-10 Hottinger Messtechnik Baldwin Dehnungsmessstreifen und messgroessenaufnehmer mit derartigen dehnungsmessstreifen
US5238729A (en) * 1991-04-05 1993-08-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Sensors based on nanosstructured composite films
US5518674A (en) * 1991-06-28 1996-05-21 Texas Instruments Incorporated Method of forming thin film flexible interconnect for infrared detectors
US5184516A (en) 1991-07-31 1993-02-09 Hughes Aircraft Company Conformal circuit for structural health monitoring and assessment
JPH06118441A (ja) * 1991-11-05 1994-04-28 Tadanobu Kato 表示セル
US5451774A (en) 1991-12-31 1995-09-19 Sarcos Group High density, three-dimensional, intercoupled optical sensor circuit
DE4202733C2 (de) * 1992-01-31 1995-06-08 Bosch Gmbh Robert Temperatursensor
JPH0758234B2 (ja) 1992-04-16 1995-06-21 株式会社エニックス 半導体マトリクス型微細面圧分布センサ
US5524034A (en) 1992-05-04 1996-06-04 S & A Systems, Inc. Automatic revolution counting and data transmission device
US5244817A (en) * 1992-08-03 1993-09-14 Eastman Kodak Company Method of making backside illuminated image sensors
US5328551A (en) * 1992-10-28 1994-07-12 Eaton Corporation Method of making high output strain gage
US5332469A (en) * 1992-11-12 1994-07-26 Ford Motor Company Capacitive surface micromachined differential pressure sensor
DE4309207C2 (de) * 1993-03-22 1996-07-11 Texas Instruments Deutschland Halbleitervorrichtung mit einem piezoresistiven Drucksensor
SE501814C2 (sv) 1993-08-06 1995-05-22 Skf Ab Anordning för lastmätning i rullningslager
US5413111A (en) 1993-08-24 1995-05-09 Healthdyne Technologies, Inc. Bead thermistor airflow sensor assembly
JP2557795B2 (ja) 1993-10-08 1996-11-27 株式会社エニックス アクティブマトリクス型面圧入力パネル
JPH07161919A (ja) * 1993-12-03 1995-06-23 Seiko Instr Inc 半導体装置およびその製造方法
US5571973A (en) 1994-06-06 1996-11-05 Taylot; Geoffrey L. Multi-directional piezoresistive shear and normal force sensors for hospital mattresses and seat cushions
US5533515A (en) 1994-08-11 1996-07-09 Foster-Miller Solid state sphincter myometers
US5604314A (en) 1994-10-26 1997-02-18 Bonneville Scientific Incorporated Triaxial normal and shear force sensor
US5742222A (en) 1995-05-26 1998-04-21 Avi Systems, Inc. Direct adhering polysilicon based strain gage
JPH0936385A (ja) * 1995-07-25 1997-02-07 Nissan Motor Co Ltd 半導体装置の製造方法
GB9521855D0 (en) * 1995-10-25 1996-01-03 Philips Electronics Nv Manufacture of electronic devices comprising thin-film circuitry

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006128062A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Samsung Sdi Co Ltd 二次電池
JP4603906B2 (ja) * 2004-10-28 2010-12-22 三星エスディアイ株式会社 二次電池
JP2008082907A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Hitachi Ltd 力学量計測装置
JP4710779B2 (ja) * 2006-09-28 2011-06-29 株式会社日立製作所 力学量計測装置

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