JP2002521785A - 消去可能媒体情報記憶機構 - Google Patents

消去可能媒体情報記憶機構

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JP2002521785A JP2000562901A JP2000562901A JP2002521785A JP 2002521785 A JP2002521785 A JP 2002521785A JP 2000562901 A JP2000562901 A JP 2000562901A JP 2000562901 A JP2000562901 A JP 2000562901A JP 2002521785 A JP2002521785 A JP 2002521785A
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コナン・ビー・デイリー
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Abstract

(57)【要約】 基板（１２），情報記憶機構にデータを記録するためのデータ層（１４），反射層（１６），および保護ラッカー・コーティング（１９）を含む消去可能媒体情報記憶機構。データ層は、予め定められた少なくとも１つのデータ排除要素に応答可能な材料（１５）を含み、崩壊性色素材料，液晶材料，感光材料または複数の磁気抵抗メモリ・セルのうち１つを含む。データ層は、データを記録し、予め定められた使用または時間要素のうち少なくとも１つに応答して、データへのアクセスを排除する特性を有する。さらに、基板（１２）を設ける段階，基板の表面の上にデータ層（１４）を形成する段階，データ層の最上面（１７）の上に反射層（１６）を形成する段階，および反射層の最上面の上に保護コーティング（１９）を形成する段階を含む消去可能媒体情報記憶機構を作製する方法が含まれる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、情報記憶機構の分野に関し、さらに詳しくは、情報記憶機構に含ま
れる情報へのアクセスの排除と、その作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
今日の市場で現在見出される情報記憶機構は、多くの耐久性媒体フォーマットを
含む。これらの耐久性媒体のうち最も一般的なものが、コンパクト・ディスク（
ＣＤ），デジタル・ビデオ・ディスク（ＤＶＤ）および磁気テープである。耐久
性媒体は通常、映画や音楽業界を含む多くの業界に見られ、消費者情報の伝達に
利用されることが多い。基本的レベルでは、既存の耐久性媒体に含まれる情報は
、含まれる情報の内容，機密性または用途に鑑みて、不適切に長期間持続する場
合が多い。予測，人口統計データ，安全手順などはすべて寿命があり、寿命を過
ぎるとデータは最新ものとして信頼できなくなる。あいにく、配給される耐久性
媒体は、この有効寿命を超えて持続し、個人が不注意に陳腐化した情報を誤って
使用する可能性がある。 ビデオ・レンタル業界では、映画は一般に、耐久性媒体に盛り込まれ、この媒体
はレンタル期間を超えて持続するため、媒体を店に返却しなければならない。こ
れは、消費者にとっても、媒体を追跡する面で販売店にとっても不便である。耐
久性媒体に盛り込まれる機密資料の場合には、データが長期間持続する点から、
情報を広範囲に追跡して、高い費用をかけて確実に破壊しなければならない。 最も一般的な耐久性媒体の１つであるＣＤ−Ｒ（記録可能形コンパクト・ディス
ク）は、これは媒体の寿命を決定するに際して、耐光性に幅広く違いを示す色素
とその変種を使用する。詳しくは、シアニン色素が、ＣＤ−Ｒでは最も一般的に
用いられ、これは、比較的安定していると見られ、そのため、長期間のデータ記
録を提供する。上記に述べたような多くの例では、情報の記録が耐久性媒体上に
含まれる期間がこのように長期間であることが問題となっている。 したがって、予め定められた事態が発生次第、および予め定められた失効変数に
基づき、含まれる情報へのアクセスが排除されるか、または情報が実際に失効す
る媒体に対して必要性が存在する。 そのため、媒体上に含まれる情報が、予め定められた事態が発生次第、消去可能
な（perishable）性質のものとみなされる新規かつ改良型の媒体フォーマットを
提供することが極めて望ましい。 本発明の別の目的は、消去可能媒体上に含まれる情報へのアクセスが、予め定め
られた要素に基づき排除される新規かつ改良型の消去可能媒体フォーマットを提
供することである。 本発明のまた別の目的は、記録された情報が、予め定められた使用要素に基づき
破壊される新規かつ改良型の消去可能媒体を提供することである。 本発明のさらに別の目的は、記録された情報が、予め定められた時間要素に基づ
き破壊される新規かつ改良型の消去可能媒体を提供することである。 本発明の目的は、標準の媒体作製材料および技術の他に、消去可能媒体の上に含
まれる情報へのアクセスを排除する材料が提供される消去可能媒体を作製する新
規かつ改良型の方法を提供することである。
【０００３】
【本発明の概要】
上記その他の問題ならびに上記その他の目的は、消去可能情報記憶機構において
実質的に解決され、実現され、当該機構は、基板と、少なくとも１つの予め定め
られたデータ排除要素に応答可能な材料を含む通信可能媒体にデータを記録する
ためのデータ層と、反射層と、保護ラッカー塗装とを含む、さらに、基板を設け
る段階，データ層を基板表面の上に形成する段階，データ層の最上表面の上に反
射層を形成する段階，および反射層の最上表面内に、保護塗装を形成する段階を
含む消去可能情報記憶機構を作製する方法が含まれる。
【０００４】
【好適な実施例の説明】
本明細書全体を通して、同様の番号は、本発明を示す種々の図面による同様の要
素を特定するのに用いられる。本発明は、ＣＤ−Ｒなど消去可能情報記憶機構内
の記録可能データ層の利用をベースにしており、このデータ層は、予め定められ
た要素と条件に応答して消去可能であり、これにより、記録データへのアクセス
を排除する。記録データへのアクセスを排除するのに利用される予め定められた
基本的な要素は、時間および／または使用に基づく。時間要素をベースにした例
として、消去可能データ層を一部として含んだ消去可能情報記憶機構に記録され
たデータは、記録データが読出し可能状態に維持される予め定められた期間を有
する。この予め定められた期間の失効後、記録データが消去され、これにより読
出し不能となる。このようなデータの消去は一般に、記録可能データ層内で崩壊
可能な（decayable）色素を使用することに基づく。さらに詳しくは、記録可能
層は、予め定められた期間の失効に応答して崩壊し、これにより、中に含まれる
記録データを破壊する色素材料から構成される。 別の実施例では、消去可能データ層を一部として含んだ媒体ディスク上に記録さ
れたデータは、使用要素に基づいて読み出し可能である。消去可能情報記憶機構
上に記録されたデータが、ＣＤプレーヤなどのリーダーを利用して読み出される
場合、読み出されるデータは、自動的に消去されるか、またはデータへのアクセ
スが排除される。データのこのような消去は一般に、消去可能データ層の使用に
基づき、この層は、崩壊性色素，磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡ
Ｍ），液晶材料または感光材料を利用する。動作中、プレーヤによってかけられ
る磁力，バイアスまたは光のいずれかに応答して読み出し済みのデータ部分への
アクセスが排除され、読み出されていない部分は、未変化の状態で残される。本
発明では、記録データの消去のための予め定められた要素として、時間と使用の
両方の組み合わせが予想されることを理解されたい。 図１を参照して、本発明による記録可能形消去可能情報記憶機構の第１実施例が
示される。記録可能形媒体ディスクまたは情報記憶機構１０の一部分が示される
。記録可能形媒体ディスク１０は、最上層１１を有する基板１２を含む。基板１
２は一般に、透明な光学品質のポリカーボネート透明材料から成る。基板１２は
、射出成形技術によって形成される。基板１２は、最上面１１の上にデータ層１
４を形成済みである。この特定の実施例では、データ層１４は、ビス（p-ジメチ
ルアミノフェニル）フェニル-4-塩化メチルアミノメチリリウム；メチル・バイ
オレット；ＣＩベーシック・バイオレット 1 (4-NHMe) Ｃ24Ｈ28Ｎ3Ｃｌ（３９
３．５）,ビス(4-ジメチルアミノフェニル)ストレプトポリメタンシアニン（ｎ
＝２）Ｃ21Ｈ25Ｎ2Ｃｌ（３４０．５）,4-(4'−ジメチルアミノスチリル) -2, 6
-ジフェニル-テルロピリリウム-テトラフルオロボレート（ｎ＝１；テトラフル
オロボレート）Ｃ27Ｈ24ＮＢＦ4Ｔｅ（５７６．４）, ビス（カルコゲノピリロ
）メタン（ｎ＝１；Ｘ＝Ｓ；Ｙ＝Ｓｅ；Ｚ＝ＣｌＯ4）Ｃ37Ｈ27Ｏ4ＣｌＳＳｅ（
６８１．６）などの崩壊性色素材料１５、ポリメタン族または塩基性色素由来の
他の色素、または一般に厚みが１００ｎｍ未満の薄膜状態で作製されるときに情
報記憶領域内で利用される他の一般に知られる色素によって形成される。崩壊性
色素材料は一般に、２０ｎｍから１００ｎｍの厚みの範囲を有する高濃度のもの
であり、最適な厚みは５０ｎｍである。一般に、弱い耐光堅牢度と十分な吸光度
を含む色素材料が、色素材料１５として十分である。別の実施例では、光化学触
媒工程によって色素材料を酸化させる、酸化チタンなどの色素activantが、一部
として形成される可能性があるプラスチック樹脂とともに利用される。 データ層１４は、記録レーザ（図示されず）が、これを単に若干溶融させること
によって、色素層１５の一部分の特性を選択的に変化させる働きをする。これに
より、データ層１４のこれらの部分が半透明になり、読み出しレーザ光（図示さ
れず）は、吸収されるのではなく、リーダーのセンサへと反射させるようにする
。 データ層１４は、崩壊性色素材料から作製される。色素材料１５は本来、破壊を
加速する弱い化学結合を含むため、使用および／または時間などの予め定められ
た要素に応答して、記録可能データが失われる。非溶融状態にある色素材料１５
は、データを記録するために用いられるレーザ波長に吸収される。ビットを表す
ため、ディスク１０上の色素材料１５のスポットが溶融されて、これにより、読
み出しレーザ光源からの光を、検出器へと反射させることができるようにする。
色素材料１５が熱または露光により分解する場合には、反射が妨げられ、媒体デ
ィスク１０上に記録されたデータを効果的に破壊する。 最初の例では、上に記録されたデータを有する媒体ディスク１０の動作中、色素
材料１５は、予め定められた期間後、崩壊可能である。そのため、媒体ディスク
１０の利用者は、ある一定の期間後は、媒体ディスク１０上に含まれるデータを
読み出すことができなくなる。別の動作モードでは、色素材料１５は、情報が、
リーダーなどによって読み出された後に、崩壊可能となる。さらに詳しくは、一
般に、標準のＣＤリーダーによって読み出すことができる媒体ディスク１０は、
特定のレーザ光に露光される。このレーザ光への露光によって、色素材料１５が
融解し、これにより、媒体ディスク１０に記録されたデータを実際に破壊するこ
とによって、データへのアクセスを排除する。媒体ディスク１０、さらに詳しく
は、色素材料１５は、実際に読み出されたデータの範囲内に限り、色素材料１５
の融解が可能なように作製される。したがって、媒体ディスク１０の利用者は、
読み出されておらず、媒体ディスク１０上に残っているデータを破壊することな
く、ランダムなポイントで、媒体ディスク１０上に含まれるデータの読み出しを
停止できる。使用と時間の要素の組み合わせは、情報が読み出されたか否かには
関係なく、ある予め定められた時間で、すなわち、記録時刻から１０日後に、媒
体ディスク１０上に記録されたデータを破壊できるように組み合わせることがで
きることを理解されたい。 媒体ディスク１０は、記録可能データ層１４の最上面１７の上に、反射層１６を
配置済みである。反射層１６は、色素材料１５の上部に配置される金属材料から
構成される。反射層１６は、読み出しレーザを読み出しアセンブリへと反射させ
る働きをする。好適な実施例では、反射層１６は、２４Ｋ金材料から形成される
が、銀およびアルミニウムの使用が、本発明では予想される。 反射層１６の最上面１８の上には、保護層１９が配置される。保護層１９は一般
に、保護ラッカー・コーティングから形成され、これは、下に配置される構造を
保護する働きをする。保護層１９は、反射層１６の上部の薄膜層内でスピンコー
トされて、これを磨耗や腐食から保護する。 今度は図２を参照して、記録可能データ層３４を含む消去可能媒体情報記憶機構
、または媒体ディスク２０の第２実施例が示される。この特定の実施例では、記
録可能データ層３４は、液晶材料を含む液晶メモリ・セルとして形成される。媒
体ディスク２０は、最上面２３を有する基板２２を含む。基板２２は通常、透明
な光学品質のポリカーボネートの透明材料から構成される。基板２２は、射出成
形技術によって形成される。基板２２は、最上面２３の上に、導電材料層２４を
形成済みである。導電材料層２４は、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）など光透
過性材料から作製される。分子性液晶整合または配向層２６が、導電材料層２４
の最上面２５の上に配置される。整合層２６は、第２整合層２８と組み合わされ
て、液晶材料（本明細書で考察）を構成する複数の分子３０を適正に配置、整合
させる働きをして、記録データに従って、特定の方向に分子を方向付ける。この
実施例では、２つの別個の整合層２６,２８が開示されるが、１個の整合層のみ
を利用する別の作製も、本発明では予想される。第２導電材料層３２は、回路を
完全なものにするために液晶材料３１に設けられる。したがって、記録可能デー
タ層、または液晶メモリ・セル３４は、レーザ２４,２６,２８,３０,３２によっ
て定義される。 媒体ディスク２０の作製中、諸段階が完了されて、レーザ書込み技術を利用して
、記録可能データ層、さらに詳しくは整合層２６,２８に種々のデータ情報を記
録する。作製工程のこの段階が完了したなら、成分が整合され、複数の液晶分子
３０から成る連続する液晶材料層３１によって充填される。充填されたなら、整
合層２６,２８内に記録された情報は、媒体ディスク２０内に含まれる液晶分子
３０を整合させる働きをする。データ記録層３４の作製中、駆動回路（図示され
ず）が、導電材料層２４,３２とインタフェースされて、これにより、記録可能
データ層３４にバイアスをかけて、分子整合層２６，２８内に情報を記録するこ
とができることを理解されたい。 動作中、記録可能データ層３４内に記録されたデータは、リーダーによって読み
出される。行使されたバイアスに応答して、データが読み出されたなら、記録可
能データ層３４に含まれるデータの当該部分へのアクセスが、データを消去する
ことによって排除される。データの破壊は、整合層２６，２８の一部にバイアス
をかけ、これにより、液晶分子３０分子構造を変化させることによって実現され
る。読み出されないデータの望ましくない破壊を排除するため、クロストーク（
cross-talk）を回避するための作製が必要である。したがって、データが読み出
されるにつれ、記録可能データ層３４の特定部分にバイアスがかけられることに
より、液晶分子３０の再整合が可能になり、これにより記録データが排除される
。 媒体ディスク２０は、記録可能データ層３４の最上面３５の上に反射層３６を配
置済みである。反射層３６は、導電材料層３２の上部に配置される金属材料から
成る。反射層３６は、読み出しレーザ光線を読み出しアセンブリへと反射させる
働きをする。好適な実施例では、反射層３６は、２４Ｋ金材料から形成されるが
、本発明では銀およびアルミニウムの使用が予想される。 反射層３６の最上面３７の上には、保護層３８が配置される。保護層３８は一般
に、保護ラッカー・コーティングから形成され、下に配置される構造を保護する
働きをする。保護層３８は、反射層３６の上部の薄膜層内でスピンコートされて
、これを磨耗および腐食から保護する。 液晶材料を含む記録可能形媒体ディスクの別の実施例では、ソフトウェア・キー
が、液晶材料を「オープン」することによって、ディスク上に格納されたデータ
へのアクセスを提供する。このソフトウェア・キーは、情報が読み出されるとき
に、バイアスをかけられるようにし、これにより、液晶材料を、透明の状態から
不透明な状態に変化させ、これにより、格納されたデータへのアクセスを排除す
る。非バイアス状態の液晶材料は、データを読み出すのに使用されるレーザ波長
に対して透過性である。液晶材料が、バイアスへの露出により、透明な状態から
不透明な状態に変化する場合には、反射が妨げられて、媒体ディスク２０上のデ
ータへのアクセスを効果的に破壊または排除する。 ここで図３を参照して、本発明による消去可能媒体情報記憶機構または記録可能
形媒体ディスクの第３実施例の断面図が示される。さらに詳しくは、記録可能形
媒体ディスク４０の一部分が示される。記録可能形媒体ディスク４０は、最上層
４３を有する基板４２を含む。基板４２は通常、透明な光学品質のポリカーボネ
ート透明材料から成る。基板４２は、射出成形技術によって形成される。基板４
２は、最上面４３の上にデータ層４４を形成済みである。この特定の実施例では
、データ層は全般に４４で示され、ハロゲン化銀などの感光材料４５、または光
および記録媒体４６に露出すると組成が変化する特性を有する他の同様の材料に
よって形成される。記録媒体４６は、シアニンなどの有機色素材料から形成され
るとして開示され、一般には、内部のデータ記録に用いられる。これに代わるも
のとして、データは、基板４２の一部として形成でき、射出成形工程の間、「ス
タンパ」（stamper）によって、基板４２の最上面４３にプレスされる。記録媒
体４６は、記録レーザ（図示されず）が選択的に記録媒体４６の部分を暴露する
ときに、データを記録する働きをする。このため、記録媒体４６のその部分が半
透明になって、記録レーザ光線（図示されず）が、吸収されるのではなく、反射
してリーダーのセンサに返るようにする。感光材料４５は、記録媒体４６の最上
面４７の上に形成され、これは、データが、ＣＤプレーヤなどのリーダーで読み
出されるときに、露光に反応し、これにより読み出し、すなわち使用に応答する
光応答性を含む。 別の形態では、感光材料４５は、有機成長材料を含み、この材料は、予め定めら
れた時間要素に基づき、記録媒体４６が、アクセスを否定された範囲まで成長す
る。さらに詳しくは、記録媒体４６は、有機成長材料の不透明性によって遮られ
て、これにより、レーザ光の読み出し源が、記録媒体４６に到達するのを阻止す
る。 記録媒体４６の内部に記録されたデータまたは基板４２の表面４３の上に刻印さ
れたデータを有する媒体ディスク４０の動作中、感光材料４５は、最初、リーダ
ーによって利用される光の波長に対して透過性である。情報が、読み出しレーザ
によって読み出された後、感光材料４５は、透過性状態から不透明状態に変化し
、反射が阻止され、媒体ディスク４０上のデータへのアクセスを効果的に排除す
る点で、記録された情報へのアクセスを排除する。媒体ディスク、さらに詳しく
は感光材料４５は、実際に読み出されたデータの範囲に限って、記録データへの
アクセスを排除するポイントまで露出可能なように作製される。したがって、媒
体ディスク４０の利用者は、読み出されていないデータおよび媒体ディスク４０
上に残っているデータを破壊することなく、ランダムなポイントで、媒体ディス
ク上に含まれるデータの読み出しを停止できるようになる。 媒体ディスク４０は、データ層４４の最上面４９に、反射層５０を配置済みであ
る。反射層５０は、感光材料４５の上部に配置される金属材料から成る。反射層
５０は、読み出しレーザ光線を、反射アセンブリへと反射させる働きをする。好
適な実施例では、反射層５０は、２４Ｋ金材料から形成されるが、本発明では銀
の使用が予想される。 反射層５０の最上面５１には、保護層５２が配置される。保護層５２は一般に、
保護ラッカー・コーティングによって形成され、下に配置される構造を保護する
働きをする。保護層５２は、反射層５０の上部の薄膜層内でスピンコートされて
、これを磨耗および腐食から保護する。 ここで図４を参照して、磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）技術
を利用する複数の磁気抵抗メモリ・セル６２,６４を含む消去可能媒体情報ディ
スク６０の第４実施例の簡易断面図が示される。磁気抵抗メモリ・セル６２,６
４は、基板６６の上に作製されて、基板は、この特定の実施例では、ポリカーボ
ネート・プラスチックによって形成される。磁気抵抗メモリ・セル６２,６４は
それぞれ、磁気メモリ・セル素子６５を含み、素子６５の中に、データが磁化ベ
クトルの形態で格納される。一般に、素子６５は、当業者には周知の多層巨大磁
気抵抗（ＧＭＲ）材料である。磁気メモリ・セル素子６５は、一般にＮｉＦｅＣ
ｏ材料から形成される２つの磁性層６８,７０のパターン化された縞から成る。
層６８,７０は、一般にＣｕ材料から形成される非磁性中間層７２によって分離
される。誘電材料７４は、ワード・ライン導体（word line conductor）７８か
ら素子６５を絶縁するために、素子６５と導電材料層７６とを被覆する。ＭＲＡ
Ｍ技術を利用したメモリ・セルの作製に関する詳しい情報は、“MULTI-LAYER MA
GNETIC TUNNELING JUNCTGION MEMORY CELL”と題され、同一譲受人に譲渡され、
ここに参考資料として包含される米国特許第５，７３４，６０５号に見出される
。 使用中、データは、磁場を利用して、メモリ・セル６５内に記録される。データ
を読み出すのは、データを消去することにより、メモリ・セル６５内に記録され
た情報へのアクセスを排除するのに十分な磁場をかける機能を組み込んだリーダ
ーによってである。このような磁場の行使は、データの排除をもたらし、これに
より、予め定められた使用要素により、情報へのアクセスまたは使用を不能にす
る。さらに詳しくは、いったん情報にアクセスしたら、または情報が読み出され
たら、当該使用により、記録データを破壊する磁場を生成する。 このため、新規の改良型の消去可能媒体情報記憶機構が開示される。この媒体は
、記録すべき情報が、耐久性媒体で認められるような長期にわたる持続を意図し
ない場合での使用を対象とする。記録された情報へのアクセスの排除は、予め定
められた時間および／または使用要素、ならびにデータ層内に含められる特定の
材料によって制御される。 本発明の特定の実施例について示し説明してきたが、当業者は、さらなる変形お
よび改良を想起しよう。そのため、本発明は、示された特定の形式には限定され
ないことを理解されたい。また、添付請求の範囲では、本発明の意図および範囲
から逸脱しないすべての変形を対象とすることを意図する。
【図面の簡単な説明】
本発明の特性と考えられる新規の特徴が、添付請求の範囲に記載される。しか
しながら、本発明自体、ならびに本発明の他の特性および利点は、添付図面と併
せて、詳細な説明を参照することによって最も良く把握されよう。
【図１】 本発明による少なくとも１つの予め定められたデータ・アクセス
排除要素に応答可能な色素ベースのデータ層を含む消去可能情報記憶機構の一部
分を示す簡易断面図である。
【図２】 本発明による少なくとも１つの予め定められたデータ排除要素に
応答可能な液晶材料である、液晶ベースのデータ層を含む消去可能情報記憶機構
の一部を示す簡易断面図である。
【図３】 本発明による少なくとも１つの予め定められたデータ排除要素に
応答可能な感光材料である、感光材料ベースのデータ層を含む消去可能情報記憶
機構の一部分を示す簡易断面図である。
【図４】 本発明による少なくとも１つの予め定められたデータ排除要素に
応答可能なＭＲＡＭである、磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）
ベースのデータ層を含む消去可能情報記憶機構の一部分を示す簡易断面図である
。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 43/08 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｙ (72)発明者 マイケル・エス・レビー アメリカ合衆国 アリゾナ州 85219 ア パッチ・ジャンクション ノース・ラバー ジ・ロード30 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA22 EA25 EA31 FA01 FA12 FA14 FA37 FB42 FB43 FB59 5D029 HA02 HA10 JA10 JC20 KA07 VA06 5D090 AA01 CC20 DD02 EE09 FF50

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 消去可能媒体情報記憶機構であって： 光学品質材料から形成される基板； 前記媒体情報記憶機構にデータを記録するためのデータ層であって、前記基板
    の最上面に形成され、少なくとも１つの予め定められたデータ・アクセス排除要
    素に応答可能な材料を含むデータ層；および 前記データ層の最上面の上に形成される保護ラッカー・コーティング； によって構成されることを特徴とする記憶機構。
  2. 【請求項２】 前記基板は、透明ポリカーボネート・プラスチックから形成
    されることを特徴とする請求項１記載の消去可能媒体情報記憶機構。
  3. 【請求項３】 前記データ層は、崩壊性色素材料を含むことを特徴とする請
    求項１記載の消去可能媒体情報記憶機構。
  4. 【請求項４】 前記崩壊性色素材料は、ビス（ｐ-ジメチルアミノフェニル
    ）フェニル-4-塩化メチルアミノメチリウム；メチル・バイオレット；ＣＩベー
    シック・バイオレット １（4-MHMe）Ｃ24Ｈ28Ｎ3Ｃｌ（３９３．５），ビス（4-
    ジメチルアミノ-フェニル）ストレプトポリメタンシアニン（ｎ＝２）Ｃ21Ｈ25
    Ｎ2Ｃｌ（３４０．５），4-（4'-ジメチルアミノスチリル）-2，6-ジフェニルテ
    ルロピリリウム-テトラ-フルオロボレート（ｎ＝１；テトラフルオロボレート）
    Ｃ27Ｈ24ＮＢＦ4Ｔｅ（５７６．４），またはビス（カルコゲノピリロ）メタン
    （ｎ＝１；Ｘ＝Ｓ；Ｙ＝Ｓｅ；Ｚ＝ＣＬＯ4）Ｃ37Ｈ27Ｏ4ＣｌＳＳｅ（６８１．
    ６）のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項３記載の消去可能媒体
    情報記憶機構。
  5. 【請求項５】 前記データ層は、中にデータを記録する特性を有する液晶材
    料を含む液晶メモリ・セルを含み、前記液晶材料は、予め定められた使用要素に
    基づき、内部に記録されたデータへのアクセスを排除するために、行使されたバ
    イアスに応答する特性を含むことを特徴とする、請求項１記載の消去可能媒体情
    報記憶機構。
  6. 【請求項６】 前記データ層は、前記媒体情報記憶機構に記録されたデータ
    へのアクセスを、予め定められた使用要素または予め定められた時間要素のうち
    １つに基づき、排除するために行使された光に応答可能な感光材料を含むことを
    特徴とする、請求項１記載の消去可能媒体情報記憶機構。
  7. 【請求項７】 前記データ層は、ＭＲＡＭ技術を用いて作製された複数の磁
    気抵抗メモリ・セルを含むことを特徴とする請求項１記載の消去可能媒体情報記
    憶機構。
  8. 【請求項８】 前記磁気抵抗メモリ・セルは、予め定められた使用要素に基
    づき、内部に記録されたデータへのアクセスを排除するために、行使された磁場
    に応答可能な特性を含むことを特徴とする請求項７記載の消去可能媒体情報記憶
    機構。
  9. 【請求項９】 消去可能媒体情報記憶機構であって： 光学品質材料から形成される基板； 前記媒体情報記憶機構にデータを記録するために、崩壊性色素材料，液晶材料
    ，感光材料または複数の磁気抵抗メモリ・セルのうち１つを含むデータ層であっ
    て、前記基板の最上面の上に形成され、少なくとも１つの予め定められたアクセ
    ス排除要素に応答可能な材料を含むデータ層； 前記データ層の最上面の上に形成される反射層；および 前記反射層の最上面の上に形成される保護ラッカー・コーティング； によって構成されることを特徴とする消去可能媒体情報記憶機構。
  10. 【請求項１０】 前記崩壊性色素材料は、ビス（p-ジメチルアミノフェニル
    ）フェニル-4-塩化メチルアミノメチリウム；メチル・バイオレット；ＣＩベー
    シック・バイオレット１（4-NHMe）Ｃ24Ｈ28Ｎ3Ｃｌ（３．９３．５），ビス（4
    -ジメチルアミノ-フェニル）ストレプトポリメタンシアニン（ｎ＝２）Ｃ21Ｈ25 Ｎ2Ｃｌ（３４０．５），4-（4'-ジメチルアミノスチリル）-2，6-ジフェニルテ
    ルロピリリウム-テトラ-フルオロボレート（ｎ＝１；テトラフルオロボレート）
    Ｃ27Ｈ24ＮＢＦ4Ｔｅ（５７６．４），またはビス（カルコゲノピリロ）メタン
    （ｎ＝１；Ｘ＝Ｓ；Ｙ＝Ｓｅ；Ｚ＝ＣｌＯ4）Ｃ37Ｈ27Ｏ4ＣｌＳＳｅ（６８１．
    ６）のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項９記載の消去可能媒
    体情報記憶機構。
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