JP2002521163A - 超音波トランスデューサ用のオフアパーチャ電気接続 - Google Patents
超音波トランスデューサ用のオフアパーチャ電気接続Info
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- B06B1/067—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using a single piezoelectric element with an electrode on the sensitive surface which is used as, or combined with, an impedance matching layer
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Abstract
(57)【要約】
本発明は、超音波トランスデューサ用のオフアパーチャ電気接続部を使用するカテーテル・システムと撮像アセンブリを提供する。一実施形態では、カテーテルは、貫通する穴（１５）を有するワッシャ（１２）を含むトランスデューサ接続装置（１０）を具備する。前記ワッシャ穴の内部には、トランスデューサ素子（２４）が少なくとも部分的に配置されている。マッチング層（２６）がワッシャとトランスデューサ素子とに取り付けられている。ワッシャ、トランスデューサ素子、およびマッチング層は、トランスデューサ素子とワッシャとの間に電気接続を与える。ワッシャとの電気接続を確立することによって、信号をトランスデューサに送り、また信号をトランスデューサから受け取ることができる。
Description
【０００１】 （発明の背景） 本発明は、一般に超音波画像カテーテルに関し、より詳細には、超音波トラン
スデューサ用の改善された電気接続を有するカテーテルに関する。
スデューサ用の改善された電気接続を有するカテーテルに関する。
【０００２】 血管および周辺組織の脈管内撮像は、広範囲の医療分野において大きな利益で
あり続けている。脈管内撮像カテーテルの特に有効な設計では、超音波トランス
デューサを含む回転可能な撮像アセンブリを採用している。このアセンブリはフ
レキシブル駆動ケーブルの遠位端に取り付けられている。トランスデューサは、
よく知られている技法によって超音波信号を伝送してビデオ画像を作り出すため
に、カテーテル本体またはシースの中で回転可能である。１つまたは複数のトラ
ンスデューサ素子が電子装置に接続されてビデオ画像を作り出している。電子装
置は一般的には患者の身体の外側に維持されている。
あり続けている。脈管内撮像カテーテルの特に有効な設計では、超音波トランス
デューサを含む回転可能な撮像アセンブリを採用している。このアセンブリはフ
レキシブル駆動ケーブルの遠位端に取り付けられている。トランスデューサは、
よく知られている技法によって超音波信号を伝送してビデオ画像を作り出すため
に、カテーテル本体またはシースの中で回転可能である。１つまたは複数のトラ
ンスデューサ素子が電子装置に接続されてビデオ画像を作り出している。電子装
置は一般的には患者の身体の外側に維持されている。
【０００３】 トランスデューサを電子装置に接続するために、電極またはリード線は一般的
にトランスデューサ面、またはトランスデューサ面に取り付けられているマッチ
ング層の面に物理的に取り付けられている。しかし、このような取付け部（例え
ばはんだ付けされた銀の取付け点）は、トランスデューサによる超音波信号の伝
送と受け入れに悪い影響を及ぼす可能性がある。一言でいえば、取付け部は、伝
送および／または反射される信号の少なくとも一部を妨害または遮断する。この
問題は、このような取付け部は手で作られることが多いという事実によって、さ
らに悪化されている。手で作られる取付け部は一般的にサイズと個所の両方にお
いてカテーテルごとに変わる。この結果、取付け部が特定の撮像カテーテルに対
して作り出す妨害の量を予測することは困難である。
にトランスデューサ面、またはトランスデューサ面に取り付けられているマッチ
ング層の面に物理的に取り付けられている。しかし、このような取付け部（例え
ばはんだ付けされた銀の取付け点）は、トランスデューサによる超音波信号の伝
送と受け入れに悪い影響を及ぼす可能性がある。一言でいえば、取付け部は、伝
送および／または反射される信号の少なくとも一部を妨害または遮断する。この
問題は、このような取付け部は手で作られることが多いという事実によって、さ
らに悪化されている。手で作られる取付け部は一般的にサイズと個所の両方にお
いてカテーテルごとに変わる。この結果、取付け部が特定の撮像カテーテルに対
して作り出す妨害の量を予測することは困難である。
【０００４】 トランスデューサを撮像アセンブリの上に置いて取り付けることも同様に困難
である。例えば、トランスデューサ素子を撮像アセンブリに取り付ける際に、そ
の素子がアセンブリの中心線に対してある一定の角度または所望のずれで配置さ
れることが望ましいことが多い。同じカテーテルであっても、手によって設置さ
れて固定されるトランスデューサについては角度とずれが変わる可能性がある。
である。例えば、トランスデューサ素子を撮像アセンブリに取り付ける際に、そ
の素子がアセンブリの中心線に対してある一定の角度または所望のずれで配置さ
れることが望ましいことが多い。同じカテーテルであっても、手によって設置さ
れて固定されるトランスデューサについては角度とずれが変わる可能性がある。
【０００５】 （発明の概要） 本発明は、超音波トランスデューサ用のオフアパーチャの電気接続、撮像アセ
ンブリ、およびこのような接続を使用するカテーテル、ならびにこれらを使用す
る方法を提供する。本発明の電気接続は、従来の技術における問題点の少なくと
も一部を克服することを目的とする。例えば、本発明の接続は、電極または前方
リード線取付けオフアパーチャを移動させるか、またはトランスデューサ面を避
ける。これは、このような取付け点がトランスデューサ素子から伝送および／ま
たはトランスデューサ素子によって受信される超音波信号に対して引き起こす妨
害を減少させるか除去する。さらにまた、本発明の撮像アセンブリは、アセンブ
リ・ハウジングの中心線に対するトランスデューサのずれおよび角位置のカテー
テルごとの変化を減少または除去するために設計されている。この故に、このよ
うなアセンブリはより均一であり予測可能である。
ンブリ、およびこのような接続を使用するカテーテル、ならびにこれらを使用す
る方法を提供する。本発明の電気接続は、従来の技術における問題点の少なくと
も一部を克服することを目的とする。例えば、本発明の接続は、電極または前方
リード線取付けオフアパーチャを移動させるか、またはトランスデューサ面を避
ける。これは、このような取付け点がトランスデューサ素子から伝送および／ま
たはトランスデューサ素子によって受信される超音波信号に対して引き起こす妨
害を減少させるか除去する。さらにまた、本発明の撮像アセンブリは、アセンブ
リ・ハウジングの中心線に対するトランスデューサのずれおよび角位置のカテー
テルごとの変化を減少または除去するために設計されている。この故に、このよ
うなアセンブリはより均一であり予測可能である。
【０００６】 一実施態様では、本発明はトランスデューサ接続装置を提供する。接続装置は
、貫通穴を有するワッシャと、ワッシャ穴の内部に少なくとも部分的に配置され
たトランスデューサ素子とを含む。ワッシャとトランスデューサ素子との間に電
気的接続が設けられるように、ワッシャとトランスデューサ素子とにマッチング
層が取り付けられている。このようにワシャとの電気的接続を確立することによ
って、信号をトランスデューサ素子から送り、トランスデューサ素子によって受
信することができる。例えば一態様では、リード線がワッシャに取り付けられて
いる。このリード線はまた電気信号源に取り付けられて、超音波画像のために電
気信号をトランスデューサ素子に送ることが好ましい。電気的接続は、リード線
またはその他の電気的接続装置がワッシャに取り付けられて、トランスデューサ
またはマッチング層表面には取り付けられていないので、取付け点のサイズまた
は正確な位置についての考慮を少なくすることができる。
、貫通穴を有するワッシャと、ワッシャ穴の内部に少なくとも部分的に配置され
たトランスデューサ素子とを含む。ワッシャとトランスデューサ素子との間に電
気的接続が設けられるように、ワッシャとトランスデューサ素子とにマッチング
層が取り付けられている。このようにワシャとの電気的接続を確立することによ
って、信号をトランスデューサ素子から送り、トランスデューサ素子によって受
信することができる。例えば一態様では、リード線がワッシャに取り付けられて
いる。このリード線はまた電気信号源に取り付けられて、超音波画像のために電
気信号をトランスデューサ素子に送ることが好ましい。電気的接続は、リード線
またはその他の電気的接続装置がワッシャに取り付けられて、トランスデューサ
またはマッチング層表面には取り付けられていないので、取付け点のサイズまた
は正確な位置についての考慮を少なくすることができる。
【０００７】 一態様では、マッチング層は、トランスデューサ素子のインピーダンスよりも
低い音響インピーダンスを有する材料を含む。このようなマッチング層は、トラ
ンスデューサ素子が一般的に撮像される周囲の組織のインピーダンスよりも有意
に高いインピーダンスを有するので、特に有用である。
低い音響インピーダンスを有する材料を含む。このようなマッチング層は、トラ
ンスデューサ素子が一般的に撮像される周囲の組織のインピーダンスよりも有意
に高いインピーダンスを有するので、特に有用である。
【０００８】 別の態様では、マッチング層の少なくとも一部分が導電性材料を含む。このよ
うにして、マッチング層はトランスデューサ素子とワッシャとの間の電気的接続
を容易にする助けとなる。一態様では、トランスデューサ接続装置のマッチング
層は第１のマッチング層と第２のマッチング層とを有し、これらはその間の厚さ
を決定する。第２のマッチング層表面はワッシャとトランスデューサ素子とに取
り付けられている。一態様では、第２のマッチング層表面は導電性材料を含む。
導電性接着材料を使用して第２のマッチング層表面をワッシャに取り付けること
が好ましい。代替案として、非導電性の接着材料、超音波または伝熱ボンドなど
を使用して第２のマッチング層表面をワッシャに取り付ける。
うにして、マッチング層はトランスデューサ素子とワッシャとの間の電気的接続
を容易にする助けとなる。一態様では、トランスデューサ接続装置のマッチング
層は第１のマッチング層と第２のマッチング層とを有し、これらはその間の厚さ
を決定する。第２のマッチング層表面はワッシャとトランスデューサ素子とに取
り付けられている。一態様では、第２のマッチング層表面は導電性材料を含む。
導電性接着材料を使用して第２のマッチング層表面をワッシャに取り付けること
が好ましい。代替案として、非導電性の接着材料、超音波または伝熱ボンドなど
を使用して第２のマッチング層表面をワッシャに取り付ける。
【０００９】 ある形態では、ワッシャは、少なくとも１つの電極を有するポリアミドなどの
フレキシブル回路を含む。電極は金メッキの電極パターン、銅電極パターンなど
にすることもできる。ワッシャの少なくとも一部分は導電性材料からなることが
好ましい。
フレキシブル回路を含む。電極は金メッキの電極パターン、銅電極パターンなど
にすることもできる。ワッシャの少なくとも一部分は導電性材料からなることが
好ましい。
【００１０】 別の態様では、ワッシャは第１の表面、第２の表面、外径、および内径を有す
る。ワッシャの外径はマッチング層の直径よりも大きいことが好ましい。このよ
うにして、マッチング層とワッシャを互いに取り付けることができるが、リード
線または電極を取り付けることができるようにワッシャの一部分を露出したまま
にすることができる。ワッシャとマッチング層もまた楕円形または卵形の形状を
有することができる。このような場合、ワッシャは外側長軸と内側長軸とを有し
、ワッシャの外側長軸はマッチング層の長軸よりも大きい。一態様では、第１の
ワッシャ表面は導電性材料を含み、マッチング層に取り付けられている。別の態
様では、リード線が第１のワッシャ表面に取り付けられている。
る。ワッシャの外径はマッチング層の直径よりも大きいことが好ましい。このよ
うにして、マッチング層とワッシャを互いに取り付けることができるが、リード
線または電極を取り付けることができるようにワッシャの一部分を露出したまま
にすることができる。ワッシャとマッチング層もまた楕円形または卵形の形状を
有することができる。このような場合、ワッシャは外側長軸と内側長軸とを有し
、ワッシャの外側長軸はマッチング層の長軸よりも大きい。一態様では、第１の
ワッシャ表面は導電性材料を含み、マッチング層に取り付けられている。別の態
様では、リード線が第１のワッシャ表面に取り付けられている。
【００１１】 特定の一態様では、トランスデューサ素子は、ワッシャの内径または内側長軸
とそれぞれほぼ同じ外径または長軸外径を有する。このようにして、トランスデ
ューサ素子はワッシャ穴の内部に配置されるので、トランスデューサ素子はワッ
シャの内側縁部と連絡する。導電性エポキシなどを使用して、トランスデューサ
素子を内側縁部に取り付けることもできる。代替案として、トランスデューサ素
子は、ワッシャの内径または内側長軸とりも小さな外径または長軸を有すること
もできる。この外形構成は、トランスデューサ素子をワッシャ穴の内部に配置し
たときにトランスデューサ素子とワッシャ内側縁部との間に隙間を作る。
とそれぞれほぼ同じ外径または長軸外径を有する。このようにして、トランスデ
ューサ素子はワッシャ穴の内部に配置されるので、トランスデューサ素子はワッ
シャの内側縁部と連絡する。導電性エポキシなどを使用して、トランスデューサ
素子を内側縁部に取り付けることもできる。代替案として、トランスデューサ素
子は、ワッシャの内径または内側長軸とりも小さな外径または長軸を有すること
もできる。この外形構成は、トランスデューサ素子をワッシャ穴の内部に配置し
たときにトランスデューサ素子とワッシャ内側縁部との間に隙間を作る。
【００１２】 一態様では、トランスデューサ素子、ワッシャ、およびマッチング層は、本発
明の範囲では他の形状も可能であるが、すべて一般には皿形をなす。同様に、マ
ッチング層はトランスデューサ素子の直径または長軸よりも大きな直径または長
軸を有することが好ましい。このような関係は、トランスデューサ素子とマッチ
ング層の間およびマッチング層とワッシャの間の電気的接続を容易にする。一態
様では、ワッシャは、トランスデューサ素子の厚さよりも大きな厚さを有する。
このようにして、トランスデューサ素子を完全にワッシャ穴の中に配置すること
ができる。
明の範囲では他の形状も可能であるが、すべて一般には皿形をなす。同様に、マ
ッチング層はトランスデューサ素子の直径または長軸よりも大きな直径または長
軸を有することが好ましい。このような関係は、トランスデューサ素子とマッチ
ング層の間およびマッチング層とワッシャの間の電気的接続を容易にする。一態
様では、ワッシャは、トランスデューサ素子の厚さよりも大きな厚さを有する。
このようにして、トランスデューサ素子を完全にワッシャ穴の中に配置すること
ができる。
【００１３】 特定の一実施態様では、トランスデューサ接続装置は表面上先に述べたように
、トランスデューサ素子に取り付けられた付着層を含む。一態様では、付着層は
少なくとも１つの部分的にワッシャ穴の中に配置される。ワッシャとトランスデ
ューサ素子との間に電気接続が確立されるように、マッチング層はワッシャと付
着層とに取り付けられている。このようにして、付着層はトランスデューサ素子
用の第２のマッチング層として作用する。この実施態様の特定の態様では、付着
層は、トランスデューサ素子とワッシャとをマッチング層に付着するための導電
性接着材料を含む。代替案として、付着層は、トランスデューサ素子とワッシャ
とをマッチング層に付着するための非導電性接着材料からなる。一態様では、非
導電性付着層はさらに、トランスデューサ素子とワッシャとに取り付けられた電
極を含む。
、トランスデューサ素子に取り付けられた付着層を含む。一態様では、付着層は
少なくとも１つの部分的にワッシャ穴の中に配置される。ワッシャとトランスデ
ューサ素子との間に電気接続が確立されるように、マッチング層はワッシャと付
着層とに取り付けられている。このようにして、付着層はトランスデューサ素子
用の第２のマッチング層として作用する。この実施態様の特定の態様では、付着
層は、トランスデューサ素子とワッシャとをマッチング層に付着するための導電
性接着材料を含む。代替案として、付着層は、トランスデューサ素子とワッシャ
とをマッチング層に付着するための非導電性接着材料からなる。一態様では、非
導電性付着層はさらに、トランスデューサ素子とワッシャとに取り付けられた電
極を含む。
【００１４】 本発明はさらに、遠位端、近位端、および縦軸を有するハウジングを含む例示
的に示す撮像アセンブリを提供する。トランスデューサ接続装置がハウジングに
取り付けられている。接続装置は貫通穴を有するワッシャと、ワッシャ穴の内部
に少なくとも部分的に配置されたトランスデューサ素子とを含む。トランスデュ
ーサ素子とワッシャとの間に電気接続が設けられるように、マッチング層はワッ
シャとトランスデューサ素子とに取り付けられている。
的に示す撮像アセンブリを提供する。トランスデューサ接続装置がハウジングに
取り付けられている。接続装置は貫通穴を有するワッシャと、ワッシャ穴の内部
に少なくとも部分的に配置されたトランスデューサ素子とを含む。トランスデュ
ーサ素子とワッシャとの間に電気接続が設けられるように、マッチング層はワッ
シャとトランスデューサ素子とに取り付けられている。
【００１５】 一態様では、撮像アセンブリはさらに、ワッシャに取り付けられたリード線を
含む。別の態様では、ハウジングとリード線はケーブルに取り付けられるように
されている。ハウジングとリード線は統合同軸／ドライブ・ケーブルに取り付け
られるようにされていることが好ましい。
含む。別の態様では、ハウジングとリード線はケーブルに取り付けられるように
されている。ハウジングとリード線は統合同軸／ドライブ・ケーブルに取り付け
られるようにされていることが好ましい。
【００１６】 特定の一態様では、ハウジングの一部分が概して平坦な表面を形成し、この上
に接続装置が取り付けられている。一態様では、この表面はハウジングの縦軸に
概して平行に位置付けられている。代替案として、この表面は、好ましくは約−
６０度と約＋６０度の間、さらに好ましくは約−１５度と約＋１５度の間にある
ハウジング縦軸に対する所望の角度を形成するように位置付けられている。
に接続装置が取り付けられている。一態様では、この表面はハウジングの縦軸に
概して平行に位置付けられている。代替案として、この表面は、好ましくは約−
６０度と約＋６０度の間、さらに好ましくは約−１５度と約＋１５度の間にある
ハウジング縦軸に対する所望の角度を形成するように位置付けられている。
【００１７】 一態様では、ハウジングは貫通穴と共に形成されることが好ましい。ワッシャ
は表面に取り付けられて、貫通穴の第１の開口部を少なくとも部分的に覆ってい
る。
は表面に取り付けられて、貫通穴の第１の開口部を少なくとも部分的に覆ってい
る。
【００１８】 一態様では、裏当て材が貫通穴の内部に設けられ、裏当ては減音材料からなる
ことが好ましい。一態様では、裏当て材は導電性材料を含み、トランスデューサ
素子は裏当てと電気的に連絡している。この様式では、裏側電気接続または負の
接続または接地をハウジングとトランスデューサ素子との間に形成することがで
きる。別の態様では、トランスデューサ素子はハウジングと電気的に連絡してい
る。
ことが好ましい。一態様では、裏当て材は導電性材料を含み、トランスデューサ
素子は裏当てと電気的に連絡している。この様式では、裏側電気接続または負の
接続または接地をハウジングとトランスデューサ素子との間に形成することがで
きる。別の態様では、トランスデューサ素子はハウジングと電気的に連絡してい
る。
【００１９】 代替案として、裏当て材は非導電性材料を含む。トランスデューサ素子とハウ
ジングとに取り付けられた１つの電極が設けられている。このようにして、電極
はトランスデューサ素子からハウジングへの裏側電気接続または負の接続または
接地を行う。別の態様では、トランスデューサ素子は完全にワッシャ穴の中に配
置されている。一態様では、ハウジングはキャップを含み、貫通穴の第２の開口
部を囲い、空気で満たされた空洞を形成する。この方式では、空気は裏当て材と
しての働きをする。別の態様では、アセンブリはさらに、トランスデューサ素子
とワッシャとに取り付けられてこの間に第２の電気接続をもたらす１つの電極を
含む。
ジングとに取り付けられた１つの電極が設けられている。このようにして、電極
はトランスデューサ素子からハウジングへの裏側電気接続または負の接続または
接地を行う。別の態様では、トランスデューサ素子は完全にワッシャ穴の中に配
置されている。一態様では、ハウジングはキャップを含み、貫通穴の第２の開口
部を囲い、空気で満たされた空洞を形成する。この方式では、空気は裏当て材と
しての働きをする。別の態様では、アセンブリはさらに、トランスデューサ素子
とワッシャとに取り付けられてこの間に第２の電気接続をもたらす１つの電極を
含む。
【００２０】 一実施態様では、本発明による撮像アセンブリは、遠位端、近位端、および縦
軸を有するハウジングを含む。ハウジングは空気が満たされた空洞と共に形成さ
れている。トランスデューサ接続装置はハウジングに取り付けられて、空洞の開
口部を少なくとも部分的に覆う。接続装置は、貫通穴のあるワッシャと、ワッシ
ャ穴の中に少なくとも部分的に配置されたトランスデューサ素子とを含む。トラ
ンスデューサ素子とワッシャとの間を電気的に接続するように、第１のマッチン
グ層がワッシャとトランスデューサ素子とに取り付けられている。
軸を有するハウジングを含む。ハウジングは空気が満たされた空洞と共に形成さ
れている。トランスデューサ接続装置はハウジングに取り付けられて、空洞の開
口部を少なくとも部分的に覆う。接続装置は、貫通穴のあるワッシャと、ワッシ
ャ穴の中に少なくとも部分的に配置されたトランスデューサ素子とを含む。トラ
ンスデューサ素子とワッシャとの間を電気的に接続するように、第１のマッチン
グ層がワッシャとトランスデューサ素子とに取り付けられている。
【００２１】 一態様では、トランスデューサ素子はハウジングと電気的に連絡している。別
の態様では、撮像アセンブリはさらに、トランスデューサ素子と第１のマッチン
グ層との間に取り付けられた第２のマッチング層を含む。
の態様では、撮像アセンブリはさらに、トランスデューサ素子と第１のマッチン
グ層との間に取り付けられた第２のマッチング層を含む。
【００２２】 本発明はさらに、カテーテル本体を含む例示的なカテーテル・システムを提供
する。本カテーテル本体は、遠位端、近位端、および作業内空を有する。ケーブ
ル、好ましくは統合された同軸／ドライブ・ケーブルが作業内空の内部に配置さ
れている。撮像アセンブリはそのケーブルの遠位端に取り付けられている。撮像
アセンブリは、ハウジングと、ハウジングに取り付けられたトランスデューサ接
続装置とを含む。接続装置は、貫通穴のあるワッシャ、ワッシャ穴の内部に少な
くとも部分的に配置されたトランスデューサ素子、およびワッシャに取り付けら
れたマッチング層を含む。トランスデューサ素子は、ハウジングとケーブルの両
方と電気的に連絡している。
する。本カテーテル本体は、遠位端、近位端、および作業内空を有する。ケーブ
ル、好ましくは統合された同軸／ドライブ・ケーブルが作業内空の内部に配置さ
れている。撮像アセンブリはそのケーブルの遠位端に取り付けられている。撮像
アセンブリは、ハウジングと、ハウジングに取り付けられたトランスデューサ接
続装置とを含む。接続装置は、貫通穴のあるワッシャ、ワッシャ穴の内部に少な
くとも部分的に配置されたトランスデューサ素子、およびワッシャに取り付けら
れたマッチング層を含む。トランスデューサ素子は、ハウジングとケーブルの両
方と電気的に連絡している。
【００２３】 本発明はさらに、人体内腔を撮像する例示的な方法を提供する。このような方
法の１つは、遠位端、近位端、および作業内空を有するカテーテル本体を含むカ
テーテル・システムを設けることを含む。ドライブ・ケーブルと伝送線が作業内
空の内部に配置されている。先に述べたようなハウジングがドライブ・ケーブル
に取り付けられている。ハウジングは、先に述べたようなトランスデューサ接続
装置を含む。この方法は、カテーテル本体を身体内腔に挿入すること、トランス
デューサ素子を付勢すること、反射した信号を捕らえること、および反射した信
号に基づいて身体内腔の画像を作り出すことを含む。
法の１つは、遠位端、近位端、および作業内空を有するカテーテル本体を含むカ
テーテル・システムを設けることを含む。ドライブ・ケーブルと伝送線が作業内
空の内部に配置されている。先に述べたようなハウジングがドライブ・ケーブル
に取り付けられている。ハウジングは、先に述べたようなトランスデューサ接続
装置を含む。この方法は、カテーテル本体を身体内腔に挿入すること、トランス
デューサ素子を付勢すること、反射した信号を捕らえること、および反射した信
号に基づいて身体内腔の画像を作り出すことを含む。
【００２４】 本発明の他の特性および利点は、好ましい実施形態が添付の図面に関連して詳
細に述べられている下記の説明から明らかになろう。
細に述べられている下記の説明から明らかになろう。
【００２５】 （好ましい実施形態の説明） 図１Ａ〜１Ｃは、本発明によるトランスデューサ接続装置１０の１つの実施形
態を図示する。トランスデューサ接続装置１０はワッシャ１２を含む。ワッシャ
１２は外径１６と、ワッシャ穴１５の内径１４とを有する。ワッシャ１２はさら
に第１のワッシャ表面１８、第２のワッシャ表面２０、およびワッシャ厚さ２２
を含む。
態を図示する。トランスデューサ接続装置１０はワッシャ１２を含む。ワッシャ
１２は外径１６と、ワッシャ穴１５の内径１４とを有する。ワッシャ１２はさら
に第１のワッシャ表面１８、第２のワッシャ表面２０、およびワッシャ厚さ２２
を含む。
【００２６】 接続装置１０は、直径３４、第１の面３５、および第２の面３７を有するトラ
ンスデューサ素子２４を含む。トランスデューサ素子の直径３４とワッシャの内
径１４は、トランスデューサ素子２４がワッシャ穴１５の内部に少なくとも部分
的に配置できるように適合されている。トランスデューサ素子２４は、（ＰＺＴ
などの）圧電複合材料や圧電プラスチックなどから成ってもよい。
ンスデューサ素子２４を含む。トランスデューサ素子の直径３４とワッシャの内
径１４は、トランスデューサ素子２４がワッシャ穴１５の内部に少なくとも部分
的に配置できるように適合されている。トランスデューサ素子２４は、（ＰＺＴ
などの）圧電複合材料や圧電プラスチックなどから成ってもよい。
【００２７】 接続装置１０はさらにマッチング層２６を含み、マッチング層２６は、第１の
マッチング層表面２８、第２のマッチング層表面３０、マッチング層厚さ３２、
およびマッチング層直径３６を有する。マッチング層２６はワッシャ１２に取り
付けられており、また第１のワッシャ表面１８に取り付けられていることが好ま
しい。
マッチング層表面２８、第２のマッチング層表面３０、マッチング層厚さ３２、
およびマッチング層直径３６を有する。マッチング層２６はワッシャ１２に取り
付けられており、また第１のワッシャ表面１８に取り付けられていることが好ま
しい。
【００２８】 ワッシャ外径１６はマッチング層直径３６よりも大きく、マッチング層直径３
６はトランスデューサ素子直径３４よりも大きいことが好ましい。トランスデュ
ーサ素子２４はワッシャ穴１５の内部に配置され、マッチング層２６がワッシャ
１２とトランスデューサ素子２４とに、さらに好ましくはトランスデューサ第１
の面３５に取り付けられている。代替案として、マッチング層２６とトランスデ
ューサ素子２４をこの間に電気接続が形成されるように互いに近接させてもよい
。ある場合には、トランスデューサ素子２４がワッシャ厚さ２２より厚くし、ト
ランスデューサ素子２４を部分的にワッシャ穴１５の内部に配置してもいる。
６はトランスデューサ素子直径３４よりも大きいことが好ましい。トランスデュ
ーサ素子２４はワッシャ穴１５の内部に配置され、マッチング層２６がワッシャ
１２とトランスデューサ素子２４とに、さらに好ましくはトランスデューサ第１
の面３５に取り付けられている。代替案として、マッチング層２６とトランスデ
ューサ素子２４をこの間に電気接続が形成されるように互いに近接させてもよい
。ある場合には、トランスデューサ素子２４がワッシャ厚さ２２より厚くし、ト
ランスデューサ素子２４を部分的にワッシャ穴１５の内部に配置してもいる。
【００２９】 図１Ａ〜１Ｃは、一般にディスク形状のワッシャ１２、トランスデューサ素子
２４、およびマッチング層２６を図示するが、これらの構成部分は本発明の範囲
内でさまざまな形状を有することができる。例えば、ワッシャ１２、トランスデ
ューサ素子２４、およびマッチング層２６は楕円形または卵形などであってもよ
い。このような外形では、直径３４、３６は長軸３４、３６になり、外径１６は
長軸１６になり、内径１４は内部長軸１４になろう。
２４、およびマッチング層２６を図示するが、これらの構成部分は本発明の範囲
内でさまざまな形状を有することができる。例えば、ワッシャ１２、トランスデ
ューサ素子２４、およびマッチング層２６は楕円形または卵形などであってもよ
い。このような外形では、直径３４、３６は長軸３４、３６になり、外径１６は
長軸１６になり、内径１４は内部長軸１４になろう。
【００３０】 ワッシャ１２、トランスデューサ素子２４、およびマッチング層２６の物理的
配置によって、トランスデューサ素子２４とワッシャ１２との間に電気接続を確
立することができる。このような接続はさまざまな方法を使用して達成すること
ができる。例えば、ワッシャ１２とマッチング層２６は少なくとも部分的に導電
性材料を含むことができる。この様式で、電気信号をワッシャ１２とマッチング
層２６の間、およびマッチング層２６とトランスデューサ素子２４の間で転送す
ることができる。
配置によって、トランスデューサ素子２４とワッシャ１２との間に電気接続を確
立することができる。このような接続はさまざまな方法を使用して達成すること
ができる。例えば、ワッシャ１２とマッチング層２６は少なくとも部分的に導電
性材料を含むことができる。この様式で、電気信号をワッシャ１２とマッチング
層２６の間、およびマッチング層２６とトランスデューサ素子２４の間で転送す
ることができる。
【００３１】 図１Ｃに示すように、第２のマッチング層表面３０が、導電性または非導電性
接着薄層（図示せず）を使用して、トランスデューサ素子２４とワッシャ第１の
表面１８との両方に取り付けられていることがさらに好ましい。接着層は音を通
過させることができるように十分に薄くする。
接着薄層（図示せず）を使用して、トランスデューサ素子２４とワッシャ第１の
表面１８との両方に取り付けられていることがさらに好ましい。接着層は音を通
過させることができるように十分に薄くする。
【００３２】 導電性接着層の使用は、トランスデューサ素子２４とワッシャ表面１８との間
の電気接続を確立する。接着層はトランスデューサ素子２４とワッシャ第１の表
面１８との間に電気導通路を与える。さらにまた、導電性接着剤の使用は、銀充
填エポキシまたはタングステン充填エポキシなどの導電性材料、またはポリアミ
ドまたはポリウレタンなどの非導電材料のいずれのマッチング層２６でも使用で
きるようにする。
の電気接続を確立する。接着層はトランスデューサ素子２４とワッシャ第１の表
面１８との間に電気導通路を与える。さらにまた、導電性接着剤の使用は、銀充
填エポキシまたはタングステン充填エポキシなどの導電性材料、またはポリアミ
ドまたはポリウレタンなどの非導電材料のいずれのマッチング層２６でも使用で
きるようにする。
【００３３】 代替案として、マッチング層２６を、非導電性接着薄層を使用してトランスデ
ューサ素子２４とワッシャ第１の表面１８との両方に取り付けることができる。
このような実施形態では、マッチング層２６は導電性材料からなるか、または第
２のマッチング層表面３０は導電性材料で被覆されている。非導電性接着層は、
トランスデューサ第１の面３５と第２のマッチング層表面３０との間の分子接触
を可能にするために十分に薄い。結果はオーム導電接触である。さらに、第２の
マッチング層３０またはトランスデューサの第１の面３５の程度の粗さは導電性
付着を容易にする。同様に、第２のマッチング層表面３０が第１のワッシャ面１
８に電気的に結合される。
ューサ素子２４とワッシャ第１の表面１８との両方に取り付けることができる。
このような実施形態では、マッチング層２６は導電性材料からなるか、または第
２のマッチング層表面３０は導電性材料で被覆されている。非導電性接着層は、
トランスデューサ第１の面３５と第２のマッチング層表面３０との間の分子接触
を可能にするために十分に薄い。結果はオーム導電接触である。さらに、第２の
マッチング層３０またはトランスデューサの第１の面３５の程度の粗さは導電性
付着を容易にする。同様に、第２のマッチング層表面３０が第１のワッシャ面１
８に電気的に結合される。
【００３４】 ワッシャ１２は、真鍮、銅、ステンレス鋼などの導電性材料で構成してよい。
ワッシャ１２はまた、ポリイミド、ビニル、マイラーなどの非導電性材料から成
ってもよい。導電性材料を含むワッシャ１２については、ワッシャ１２に直接作
られた取付け点４０を使用してリード線３８を取り付けることができる。そのリ
ード線３８は超音波画像装置などの他の電子機器に接続されるであろう。非導電
性材料からなるワッシャ１２については、ワッシャ１２は、トランスデューサ素
子２４への電気接続を完遂するために、電極、導電性薄膜などがワッシャ１２に
取り付けられることを必要とする。
ワッシャ１２はまた、ポリイミド、ビニル、マイラーなどの非導電性材料から成
ってもよい。導電性材料を含むワッシャ１２については、ワッシャ１２に直接作
られた取付け点４０を使用してリード線３８を取り付けることができる。そのリ
ード線３８は超音波画像装置などの他の電子機器に接続されるであろう。非導電
性材料からなるワッシャ１２については、ワッシャ１２は、トランスデューサ素
子２４への電気接続を完遂するために、電極、導電性薄膜などがワッシャ１２に
取り付けられることを必要とする。
【００３５】 ワッシャ１２はまたフレキシブル回路板からなることもできる。フレキシブル
回路は一般に基板、例えばポリイミド基板と、好ましくは金メッキまたは銅メッ
キされた電極パターンを含む電極パターンとからなる。フレキシブル回路の電極
は電線３８と、導電性接着剤またはマッチング層２６のいずれかに電気的に接続
され、これによってワッシャ１２はトランスデューサ素子２４と電気的に連絡で
きる。
回路は一般に基板、例えばポリイミド基板と、好ましくは金メッキまたは銅メッ
キされた電極パターンを含む電極パターンとからなる。フレキシブル回路の電極
は電線３８と、導電性接着剤またはマッチング層２６のいずれかに電気的に接続
され、これによってワッシャ１２はトランスデューサ素子２４と電気的に連絡で
きる。
【００３６】 いったんワッシャ１２とトランスデューサ素子２４が電気的に連絡すると、超
音波画像装置などの電子機器をワッシャ１２に接続することによって、電気信号
をトランスデューサ素子２４へ送信し、またトランスデューサ素子２４から受信
することができる。
音波画像装置などの電子機器をワッシャ１２に接続することによって、電気信号
をトランスデューサ素子２４へ送信し、またトランスデューサ素子２４から受信
することができる。
【００３７】 図１Ｃに最もよく示すように、トランスデューサ素子の直径３４はワッシャの
内径１４とほぼ同じであるから、トランスデューサ素子２４はワッシャ１２の内
側縁部４２に接触している。導電性エポキシ、非導電性エポキシなどを使用して
、トランスデューサ素子２４をワッシャ１２に取り付けることができる。このよ
うな材料は、後で説明するように、トランスデューサに対する裏側の電気接続、
負接触、または接地を確立するのに用いられる方法に応じたトランスデューサ裏
当て材として役立つ。トランスデューサ素子２４とワッシャ内側縁部４２との間
の物理的接触は、結果的にトランスデューサ素子２４とワッシャ１２が音響的に
結合することになる。このような関係は、ワッシャ１２がエポキシまたはゴムな
どの音響を減損させる材料で構成させることで、トランスデューサ素子２４の動
作をひどく劣化させることはない。
内径１４とほぼ同じであるから、トランスデューサ素子２４はワッシャ１２の内
側縁部４２に接触している。導電性エポキシ、非導電性エポキシなどを使用して
、トランスデューサ素子２４をワッシャ１２に取り付けることができる。このよ
うな材料は、後で説明するように、トランスデューサに対する裏側の電気接続、
負接触、または接地を確立するのに用いられる方法に応じたトランスデューサ裏
当て材として役立つ。トランスデューサ素子２４とワッシャ内側縁部４２との間
の物理的接触は、結果的にトランスデューサ素子２４とワッシャ１２が音響的に
結合することになる。このような関係は、ワッシャ１２がエポキシまたはゴムな
どの音響を減損させる材料で構成させることで、トランスデューサ素子２４の動
作をひどく劣化させることはない。
【００３８】 電気信号をトランスデューサ素子２４へ送るかまたはトランスデューサ素子２
４から受け取るためには、ワッシャ１２への電気接続を作ることのみが必要であ
る。これによって装置１０は、リード線３８などの電気接続をトランスデューサ
素子２４またはマッチング層２６に直接はんだづけするか、または付着させる必
要性を排除する。銀、金／クローム、金／クローム／ニッケル、銅などを含むリ
ード線取付け点４０がワッシャ１２に作られている。取付け点４０をトランスデ
ューサ素子の第１の面３５または第１のマッチング層表面２８の代りにワッシャ
１２に作ることによって、取付け点４０はトランスデューサ素子２４によって送
信および／または受信される超音波信号を妨害しない。この結果、取付け点４０
のサイズと位置の変化性は、そのトランスデューサ素子２４の性能に対する影響
は最小限に抑えられるので大きな懸念にはならない。
４から受け取るためには、ワッシャ１２への電気接続を作ることのみが必要であ
る。これによって装置１０は、リード線３８などの電気接続をトランスデューサ
素子２４またはマッチング層２６に直接はんだづけするか、または付着させる必
要性を排除する。銀、金／クローム、金／クローム／ニッケル、銅などを含むリ
ード線取付け点４０がワッシャ１２に作られている。取付け点４０をトランスデ
ューサ素子の第１の面３５または第１のマッチング層表面２８の代りにワッシャ
１２に作ることによって、取付け点４０はトランスデューサ素子２４によって送
信および／または受信される超音波信号を妨害しない。この結果、取付け点４０
のサイズと位置の変化性は、そのトランスデューサ素子２４の性能に対する影響
は最小限に抑えられるので大きな懸念にはならない。
【００３９】 次に図２Ａ〜２Ｄに移り、本発明による代りの接続装置を説明する。図２Ａは
、図１Ａ〜１Ｃに関連して先に説明したような接続装置１０を示すが、トランス
デューサ素子の直径３４がワッシャの内径１４よりも小さいことが異なる。この
結果、トランスデューサ素子２４とワッシャの内側縁部４２との間に隙間４４、
好ましくは空気を満たした隙間ができる。この実施形態では、トランスデューサ
素子２４はマッチング層２６または撮像アセンブリ（図２には図示せず）の他の
構成部分に取り付けられている。トランスデューサ素子２４への裏側電気接続は
導電性トランスデューサ裏当てを使用して行われる（図３Ａ）。
、図１Ａ〜１Ｃに関連して先に説明したような接続装置１０を示すが、トランス
デューサ素子の直径３４がワッシャの内径１４よりも小さいことが異なる。この
結果、トランスデューサ素子２４とワッシャの内側縁部４２との間に隙間４４、
好ましくは空気を満たした隙間ができる。この実施形態では、トランスデューサ
素子２４はマッチング層２６または撮像アセンブリ（図２には図示せず）の他の
構成部分に取り付けられている。トランスデューサ素子２４への裏側電気接続は
導電性トランスデューサ裏当てを使用して行われる（図３Ａ）。
【００４０】 図２Ｂと２Ｃに図示したトランスデューサ接続装置１０は、図１に関連して説
明した装置１０と似ているが、接着薄膜が拡張されて付着層５０を含むことが異
なる。付着層５０は、ワッシャ１２とトランスデューサ素子２４とにマッチング
層２６を取り付けるために導電性の接着材料を含むことが好ましい。例えば、付
着層５０は銀エポキシなどを含むこともできる。付着層５０はさらに、トランス
デューサ素子２４のインピーダンスとマッチング層２６のインピーダンスの間に
ある超音波インピーダンスを有することが好ましい。このような相対インピーダ
ンスは、トランスデューサ素子２４によって伝播される超音波信号と付着層５０
によって反射される伝播信号の部分との同相整列を容易にする。複数のマッチン
グ層は結果的に、単一マッチング層設計と比較して、トランスデューサと撮像さ
れている周囲の組織または流体の間の小さいがより頻繁なインピーダンスの変化
のために、効率と帯域幅の改善をもたらす。
明した装置１０と似ているが、接着薄膜が拡張されて付着層５０を含むことが異
なる。付着層５０は、ワッシャ１２とトランスデューサ素子２４とにマッチング
層２６を取り付けるために導電性の接着材料を含むことが好ましい。例えば、付
着層５０は銀エポキシなどを含むこともできる。付着層５０はさらに、トランス
デューサ素子２４のインピーダンスとマッチング層２６のインピーダンスの間に
ある超音波インピーダンスを有することが好ましい。このような相対インピーダ
ンスは、トランスデューサ素子２４によって伝播される超音波信号と付着層５０
によって反射される伝播信号の部分との同相整列を容易にする。複数のマッチン
グ層は結果的に、単一マッチング層設計と比較して、トランスデューサと撮像さ
れている周囲の組織または流体の間の小さいがより頻繁なインピーダンスの変化
のために、効率と帯域幅の改善をもたらす。
【００４１】 図２Ｂは、完全にワッシャ穴１５の内部に配置された付着層５０を図示する。
このような形状では、マッチング層２６は、マッチング層２６とワッシャ１２と
の間に電気接続を形成するために導電性であることが好ましい。この結果、トラ
ンスデューサ素子２４とワッシャ１２との間の電気接続が確立される。代替案と
して、第２のマッチング層表面３０が導電性材料を含み、または導電性物質で被
覆されることで、付着層５０とワッシャ１２との間の電気接続を容易にすること
ができる。
このような形状では、マッチング層２６は、マッチング層２６とワッシャ１２と
の間に電気接続を形成するために導電性であることが好ましい。この結果、トラ
ンスデューサ素子２４とワッシャ１２との間の電気接続が確立される。代替案と
して、第２のマッチング層表面３０が導電性材料を含み、または導電性物質で被
覆されることで、付着層５０とワッシャ１２との間の電気接続を容易にすること
ができる。
【００４２】 図２Ｃは、部分的にワッシャ穴１５の内部に配置されている付着層５０を図示
する。このような配置は、マッチング層２６が非導電性材料を含む時には特に有
用である。導電性付着層５０はトランスデューサ素子２４と第１のワッシャ表面
１８との間に電気接続を形成する。
する。このような配置は、マッチング層２６が非導電性材料を含む時には特に有
用である。導電性付着層５０はトランスデューサ素子２４と第１のワッシャ表面
１８との間に電気接続を形成する。
【００４３】 図２Ｄは、非導電性材料を含む付着層５０を有するトランスデューサ接続装置
１０を図示する。付着層５０（図示の都合上、クロスハッチングしていない）は
、トランスデューサ素子２４をワッシャ１２に動作可能に接続する電極またはリ
ード線５２を含む。この様式で、リード線５２は電気信号をトランスデューサ素
子２４からワッシャ１２へ伝送する。代替案として、付着層５０は非導電性材料
からなり、（図２Ｂに示すように）完全にワッシャ穴１５の内部に配置されるこ
ともできる。このような実施形態では、マッチング層２６が導電性材料からなる
ことが好ましく、リード線５２はトランスデューサ素子２４と第２のマッチング
層表面３０との間を電気的に接続する。第２のマッチング層表面３０はワッシャ
１２と電気的に連絡している。当業者には明らかなように、本発明の範囲内で上
記の実施形態に対して変更を行うこともできる。例えば、トランスデューサ素子
２４とワッシャ１２との間に所望の電気接続が維持されるならば、追加のマッチ
ング層を加えることもできる。
１０を図示する。付着層５０（図示の都合上、クロスハッチングしていない）は
、トランスデューサ素子２４をワッシャ１２に動作可能に接続する電極またはリ
ード線５２を含む。この様式で、リード線５２は電気信号をトランスデューサ素
子２４からワッシャ１２へ伝送する。代替案として、付着層５０は非導電性材料
からなり、（図２Ｂに示すように）完全にワッシャ穴１５の内部に配置されるこ
ともできる。このような実施形態では、マッチング層２６が導電性材料からなる
ことが好ましく、リード線５２はトランスデューサ素子２４と第２のマッチング
層表面３０との間を電気的に接続する。第２のマッチング層表面３０はワッシャ
１２と電気的に連絡している。当業者には明らかなように、本発明の範囲内で上
記の実施形態に対して変更を行うこともできる。例えば、トランスデューサ素子
２４とワッシャ１２との間に所望の電気接続が維持されるならば、追加のマッチ
ング層を加えることもできる。
【００４４】 次に図３Ａ、３Ｂに移り、本発明による例示的な撮像アセンブリを説明する。
撮像アセンブリ１００は、遠位端１１２、近位端１１４、および縦軸１１６を有
するハウジング１１０を含む。ハウジング１１０は概して円筒状の形状を有する
ように示されているが、本発明の範囲内で他のハウジング１１０の形状も可能で
ある。ハウジング１１０は中実トランスデューサ裏当てを備えた貫通穴を有する
実施形態のための中空ハウジングからなることが好ましいが、本発明の範囲内で
中実のハウジングを使用することもできる。ハウジング１１０は、ステンレス鋼
、ニッケルメッキされた鋼、スズメッキされた鋼、金メッキされた鋼などで構成
されることが好ましい。このような材料は、ハウジング１１０をステンレス鋼ド
ライブ・ケーブル（図３には図示せず）などのケーブルに動作できるように取付
けるための十分な機械的強度を与える。ハウジング１１０はまたエポキシ状の材
料、プラスチックなどで構成することもできる。このような材料は所望の減音お
よび／または導電特性を備えている。
撮像アセンブリ１００は、遠位端１１２、近位端１１４、および縦軸１１６を有
するハウジング１１０を含む。ハウジング１１０は概して円筒状の形状を有する
ように示されているが、本発明の範囲内で他のハウジング１１０の形状も可能で
ある。ハウジング１１０は中実トランスデューサ裏当てを備えた貫通穴を有する
実施形態のための中空ハウジングからなることが好ましいが、本発明の範囲内で
中実のハウジングを使用することもできる。ハウジング１１０は、ステンレス鋼
、ニッケルメッキされた鋼、スズメッキされた鋼、金メッキされた鋼などで構成
されることが好ましい。このような材料は、ハウジング１１０をステンレス鋼ド
ライブ・ケーブル（図３には図示せず）などのケーブルに動作できるように取付
けるための十分な機械的強度を与える。ハウジング１１０はまたエポキシ状の材
料、プラスチックなどで構成することもできる。このような材料は所望の減音お
よび／または導電特性を備えている。
【００４５】 撮像アセンブリ１００はさらにトランスデューサ接続装置１２０を含む。図１
、２に関連して先に説明したように、接続装置１２０はワッシャ１２２と、トラ
ンスデューサ素子１２４と、マッチング層１２６と、ワッシャ１２２に取り付け
られたリード線１２８とを含む。図３Ａは付着層のない実施形態を図示する。図
３Ｂは、先に説明したような付着層１１８を有する実施形態を図示する。付着層
１１８はマッチング層１２６とトランスデューサ素子１２４との間にあり、ワッ
シャ１２２の表面に取り付けられている。ハウジング１１０はさらに、ハウジン
グ１１０の少なくとも一部分を通して形成された貫通穴１３０と、遠位端１１２
の近くに位置する概して平坦な表面１３２を含む。接続装置１２０は、トランス
デューサ素子１２４を貫通穴１３０の開口部の上に位置付ける様式で、表面１３
２に取り付けられている。ワッシャ１２２はさらに、トランスデューサ素子１２
４を縦軸１１６から既知のオフセットで位置付ける方式で、表面１３２に取り付
けられている。オフセットは、トランスデューサ素子１２４の上表面が軸１１６
から離れて置かれる距離として決定される。さらに、トランスデューサ素子１２
４は、ワッシャ１２２を表面１３２に取り付けることによって、軸１１６に対し
て既知の角度をなす関係で位置付けられる。図３は表面１３２、トランスデュー
サ１２４、および軸１１６を概して平行にあるものとして図示している。
、２に関連して先に説明したように、接続装置１２０はワッシャ１２２と、トラ
ンスデューサ素子１２４と、マッチング層１２６と、ワッシャ１２２に取り付け
られたリード線１２８とを含む。図３Ａは付着層のない実施形態を図示する。図
３Ｂは、先に説明したような付着層１１８を有する実施形態を図示する。付着層
１１８はマッチング層１２６とトランスデューサ素子１２４との間にあり、ワッ
シャ１２２の表面に取り付けられている。ハウジング１１０はさらに、ハウジン
グ１１０の少なくとも一部分を通して形成された貫通穴１３０と、遠位端１１２
の近くに位置する概して平坦な表面１３２を含む。接続装置１２０は、トランス
デューサ素子１２４を貫通穴１３０の開口部の上に位置付ける様式で、表面１３
２に取り付けられている。ワッシャ１２２はさらに、トランスデューサ素子１２
４を縦軸１１６から既知のオフセットで位置付ける方式で、表面１３２に取り付
けられている。オフセットは、トランスデューサ素子１２４の上表面が軸１１６
から離れて置かれる距離として決定される。さらに、トランスデューサ素子１２
４は、ワッシャ１２２を表面１３２に取り付けることによって、軸１１６に対し
て既知の角度をなす関係で位置付けられる。図３は表面１３２、トランスデュー
サ１２４、および軸１１６を概して平行にあるものとして図示している。
【００４６】 ステンレス鋼などからなるハウジング１１０のためには、鋼などの硬い材料へ
の側結合は音響的に望ましくないので、（図３に示すように）完全にワッシャ穴
の内部に配置されたトランスデューサ素子１２４を有することが好ましい。エポ
キシまたはプラスチックなどからなるハウジング１１０のためには、トランスデ
ューサ素子１２４は、トランスデューサ素子１２４の性能を低下させることなく
貫通穴１３０の中に延びることができる。
の側結合は音響的に望ましくないので、（図３に示すように）完全にワッシャ穴
の内部に配置されたトランスデューサ素子１２４を有することが好ましい。エポ
キシまたはプラスチックなどからなるハウジング１１０のためには、トランスデ
ューサ素子１２４は、トランスデューサ素子１２４の性能を低下させることなく
貫通穴１３０の中に延びることができる。
【００４７】 貫通穴１３０は裏当て材１３６で充填されていることが好ましい。裏当て材１
３６は減音を行う品質を有するように選択され、裏当ての中に伝播する超音波信
号が裏当て材１３６によって反射されないようにする。反射したものは果的にア
ーチファクトとなる。裏当て材１３６は、エポキシ、銀／タングステン・エポキ
シなどの導電性材料から成ってもよい。このような実施形態では、トランスデュ
ーサ素子１２４は裏当て材１３６の上に付けられ、および／または裏当て材１３
６に取り付けられる。この様式で、導電性裏当て材１３６は、トランスデューサ
素子１２４とハウジング１１０との間に裏側電気接続、または負の接続、または
接地を与える。
３６は減音を行う品質を有するように選択され、裏当ての中に伝播する超音波信
号が裏当て材１３６によって反射されないようにする。反射したものは果的にア
ーチファクトとなる。裏当て材１３６は、エポキシ、銀／タングステン・エポキ
シなどの導電性材料から成ってもよい。このような実施形態では、トランスデュ
ーサ素子１２４は裏当て材１３６の上に付けられ、および／または裏当て材１３
６に取り付けられる。この様式で、導電性裏当て材１３６は、トランスデューサ
素子１２４とハウジング１１０との間に裏側電気接続、または負の接続、または
接地を与える。
【００４８】 代替案として、裏当て材１３６はエポキシ、ポリウレタン、ゴムなどの非導電
性材料から成ってもよい。非導電性裏当てを有するこのような実施形態では、ト
ランスデューサ素子１２４は、トランスデューサ素子１２４の貫通穴に面する表
面をハウジング１１０に接続するための第２のリード線（図示せず）を有するこ
とが好ましい。トランスデューサ素子１２４とハウジング１１０との間に電気接
続を作り出すための他の方法も可能である。例えば導電性エポキシなどは、トラ
ンスデューサ素子１２４の貫通穴に面する表面をハウジング１１０に直接接続す
るために使用することができる。トランスデューサ素子１２４を、ハウジング１
１０に接続される導電性ワッシャ１２２に直接接続することによって、トランス
デューサ素子１２４を接地することもできる。このような接続は導電性エポキシ
などを使用して行うことができる。ワッシャ１２２は、離れている正の接続と負
の接続の両方を行うことができる。例えば、小型同軸ケーブルの中心ワイヤとシ
ールドを、トランスデューサ素子１２４への正の接続と負の接続の両方を行って
いるワッシャに終端させることができる。
性材料から成ってもよい。非導電性裏当てを有するこのような実施形態では、ト
ランスデューサ素子１２４は、トランスデューサ素子１２４の貫通穴に面する表
面をハウジング１１０に接続するための第２のリード線（図示せず）を有するこ
とが好ましい。トランスデューサ素子１２４とハウジング１１０との間に電気接
続を作り出すための他の方法も可能である。例えば導電性エポキシなどは、トラ
ンスデューサ素子１２４の貫通穴に面する表面をハウジング１１０に直接接続す
るために使用することができる。トランスデューサ素子１２４を、ハウジング１
１０に接続される導電性ワッシャ１２２に直接接続することによって、トランス
デューサ素子１２４を接地することもできる。このような接続は導電性エポキシ
などを使用して行うことができる。ワッシャ１２２は、離れている正の接続と負
の接続の両方を行うことができる。例えば、小型同軸ケーブルの中心ワイヤとシ
ールドを、トランスデューサ素子１２４への正の接続と負の接続の両方を行って
いるワッシャに終端させることができる。
【００４９】 したがって撮像アセンブリ１００は、リード線１２８のワッシャ１２２への電
気取付け点を移動する方法を提供する。撮像アセンブリ１００はさらに、接続装
置１２０を表面１３２に取り付けることによって、トランスデューサ素子１２４
を軸１１６に対して既知のオフセットと角度をなす関係をなして位置付けること
ができる。これと対照的に、手で位置付けられて取り付けられたトランスデュー
サ素子は一般的に貫通穴１３０の内部に取り付けられる。このようなトランスデ
ューサ素子は、同一の撮像アセンブリ間でも変わることのできるオフセットおよ
び角度関係を有することになる。リード線１２８は、好ましくはケーブルと、さ
らに好ましくは統合された同軸／ドライブ・ケーブルと連絡するようになされて
いる。このようにして、電気信号をトランスデューサ素子１２４へ送りトランス
デューサ素子１２４から受け取ることができる。
気取付け点を移動する方法を提供する。撮像アセンブリ１００はさらに、接続装
置１２０を表面１３２に取り付けることによって、トランスデューサ素子１２４
を軸１１６に対して既知のオフセットと角度をなす関係をなして位置付けること
ができる。これと対照的に、手で位置付けられて取り付けられたトランスデュー
サ素子は一般的に貫通穴１３０の内部に取り付けられる。このようなトランスデ
ューサ素子は、同一の撮像アセンブリ間でも変わることのできるオフセットおよ
び角度関係を有することになる。リード線１２８は、好ましくはケーブルと、さ
らに好ましくは統合された同軸／ドライブ・ケーブルと連絡するようになされて
いる。このようにして、電気信号をトランスデューサ素子１２４へ送りトランス
デューサ素子１２４から受け取ることができる。
【００５０】 次に図４Ａ、４Ｂに移り、本発明による代替撮像アセンブリを説明する。撮像
アセンブリ１５０は、遠位端１５４、近位端１５６、および縦軸１５８を有する
ハウジング１５２を含む。ワッシャ１６２、トランスデューサ素子１６４、およ
びマッチング層１６６を有するトランスデューサ接続装置１６０が設けられてい
る。図４Ｂは、ワッシャ１６２の穴の内部に配置された付着層１６８も有する装
置１６０を図示している。接続装置１６０は図１、２に関連して説明した接続装
置１０と同様なものである。
アセンブリ１５０は、遠位端１５４、近位端１５６、および縦軸１５８を有する
ハウジング１５２を含む。ワッシャ１６２、トランスデューサ素子１６４、およ
びマッチング層１６６を有するトランスデューサ接続装置１６０が設けられてい
る。図４Ｂは、ワッシャ１６２の穴の内部に配置された付着層１６８も有する装
置１６０を図示している。接続装置１６０は図１、２に関連して説明した接続装
置１０と同様なものである。
【００５１】 撮像アセンブリ１５０はリード線１７０と、ハウジング１５２内の空気を満た
した空洞１７２を含む。空洞１７２を、図３に示すような貫通穴であって、この
貫通穴の第２の端部を囲むキャップ１７６を有するもので構成してもよい。代替
案として、空洞１７２を、ハウジング１５２を完全に通過しない空洞とすること
もできる。空気は約０．０００４メガレールの音響インピーダンスを有するので
、空気を満たした空洞１７２はほぼ完全に反射する。したがって、一般的に超音
波はトランスデューサ素子１６４の空洞に面する側からは放出しない。撮像アセ
ンブリ１５０は１つまたは複数のマッチング層１６６を有することもある。図４
Ｂに示すように、撮像アセンブリ１５０は、トランスデューサ素子１６４のため
の第２のマッチング層として作用する付着層１６８を有する。トランスデューサ
素子１６４はアセンブリ１５０内の裏当て材に取り付けることができないので、
トランスデューサ素子１６４は少なくとも１つの取付け点１７４を使用して空洞
１７２の内壁に取り付けられることが好ましい。取付け点１７４は導電性エポキ
シなどから構成されてもよい。代替案として、ワッシャ１６２が導電性であって
ハウジング１５２に取り付けられているならば、トランスデューサ素子１６４を
ワッシャ１６２に取り付けることによって、裏側電気接続または接地接続を確保
することができる。
した空洞１７２を含む。空洞１７２を、図３に示すような貫通穴であって、この
貫通穴の第２の端部を囲むキャップ１７６を有するもので構成してもよい。代替
案として、空洞１７２を、ハウジング１５２を完全に通過しない空洞とすること
もできる。空気は約０．０００４メガレールの音響インピーダンスを有するので
、空気を満たした空洞１７２はほぼ完全に反射する。したがって、一般的に超音
波はトランスデューサ素子１６４の空洞に面する側からは放出しない。撮像アセ
ンブリ１５０は１つまたは複数のマッチング層１６６を有することもある。図４
Ｂに示すように、撮像アセンブリ１５０は、トランスデューサ素子１６４のため
の第２のマッチング層として作用する付着層１６８を有する。トランスデューサ
素子１６４はアセンブリ１５０内の裏当て材に取り付けることができないので、
トランスデューサ素子１６４は少なくとも１つの取付け点１７４を使用して空洞
１７２の内壁に取り付けられることが好ましい。取付け点１７４は導電性エポキ
シなどから構成されてもよい。代替案として、ワッシャ１６２が導電性であって
ハウジング１５２に取り付けられているならば、トランスデューサ素子１６４を
ワッシャ１６２に取り付けることによって、裏側電気接続または接地接続を確保
することができる。
【００５２】 次に図５Ａ、５Ｂに移って、本発明によるカテーテル・システム２００を説明
する。カテーテル・システム２００は、遠位端２１２、近位端２１４、および作
業内空２１６を有するカテーテル本体またはシース２１０からなる。シース２１
０は、所望の音響透過性を得るために完全に無響性であるか、または無響性材料
の部分を含むことが好ましい。シース２１０はナイロンまたはポリエチレンなど
から構成することもできる。撮像アセンブリ１００は内腔２１６の内部に配置さ
れて、ケーブル２１８に取り付けられている。ケーブル２１８は統合された同軸
／ドライブ・ケーブルからなることが好ましい。例示するケーブル２１８は、「
Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｏａｘｉａｌ Ｔｒａｎｓｍｉｓｉｏｎ Ｌｉｎｅ
ａｎｄ Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｄｒｉｖｅ Ｃａｂｌｅ（統合された同軸伝送線と
フレキシブルドライブ・ケーブル）」と題する米国特許出願第０９／０１７５７
８号に記載され、この完全な開示内容は本明細書に参照として組み込まれている
。撮像アセンブリ１００は、溶接や導電性接着剤などによってケーブル２１８の
遠位端に取り付けられることが好ましい。この結果、撮像アセンブリ１００とケ
ーブル２１８との間に機械的接続が得られる。したがってケーブル２１８の回転
は撮像アセンブリ１００を回転させる。
する。カテーテル・システム２００は、遠位端２１２、近位端２１４、および作
業内空２１６を有するカテーテル本体またはシース２１０からなる。シース２１
０は、所望の音響透過性を得るために完全に無響性であるか、または無響性材料
の部分を含むことが好ましい。シース２１０はナイロンまたはポリエチレンなど
から構成することもできる。撮像アセンブリ１００は内腔２１６の内部に配置さ
れて、ケーブル２１８に取り付けられている。ケーブル２１８は統合された同軸
／ドライブ・ケーブルからなることが好ましい。例示するケーブル２１８は、「
Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｏａｘｉａｌ Ｔｒａｎｓｍｉｓｉｏｎ Ｌｉｎｅ
ａｎｄ Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｄｒｉｖｅ Ｃａｂｌｅ（統合された同軸伝送線と
フレキシブルドライブ・ケーブル）」と題する米国特許出願第０９／０１７５７
８号に記載され、この完全な開示内容は本明細書に参照として組み込まれている
。撮像アセンブリ１００は、溶接や導電性接着剤などによってケーブル２１８の
遠位端に取り付けられることが好ましい。この結果、撮像アセンブリ１００とケ
ーブル２１８との間に機械的接続が得られる。したがってケーブル２１８の回転
は撮像アセンブリ１００を回転させる。
【００５３】 撮像アセンブリ１００、特に接続装置１２０は主として図３に関連して説明さ
れているとおりである。図５Ａ、５Ｂに示すように、ハウジング１１０は軸１１
６に対して所望の角度２２２をなす表面１３２を伴って形成されている。角度２
２２は、好ましくは約＋６０度と約−６０度の間にあり、さらに好ましくは（図
５Ａに示すものに近い）約＋１５度と（図５Ｂに示すものに近い）約−１５度の
間にある。角度２２２を設けることによって、トランスデューサ素子１２４によ
って伝達される超音波信号は、カテーテル・システム２００の動作中にシースま
たはカテーテル本体２１０によって反射される可能性は少なくなる。
れているとおりである。図５Ａ、５Ｂに示すように、ハウジング１１０は軸１１
６に対して所望の角度２２２をなす表面１３２を伴って形成されている。角度２
２２は、好ましくは約＋６０度と約−６０度の間にあり、さらに好ましくは（図
５Ａに示すものに近い）約＋１５度と（図５Ｂに示すものに近い）約−１５度の
間にある。角度２２２を設けることによって、トランスデューサ素子１２４によ
って伝達される超音波信号は、カテーテル・システム２００の動作中にシースま
たはカテーテル本体２１０によって反射される可能性は少なくなる。
【００５４】 表面１３２が軸１１６に対して既知の角度をなすようにハウジング１００を形
成することによって、トランスデューサ素子１２４も同様に、軸１１６に対して
既知の角度をなして位置付けられる。これと対照的に、従来の技術で行われるこ
とがある空洞１３０にトランスデューサ素子１２４を手で取り付けることは、結
果的に軸１１６とトランスデューサ素子１２４との間の角度が変化することにな
る。したがって、カテーテル・システム２００は、トランスデューサ素子１２４
が手で取り付けられるときに一般的に発生するカテーテルごとの角度の変化を減
少または除去する。
成することによって、トランスデューサ素子１２４も同様に、軸１１６に対して
既知の角度をなして位置付けられる。これと対照的に、従来の技術で行われるこ
とがある空洞１３０にトランスデューサ素子１２４を手で取り付けることは、結
果的に軸１１６とトランスデューサ素子１２４との間の角度が変化することにな
る。したがって、カテーテル・システム２００は、トランスデューサ素子１２４
が手で取り付けられるときに一般的に発生するカテーテルごとの角度の変化を減
少または除去する。
【００５５】 図５Ａ、５Ｂに示すように、リード線１２８はワッシャ１２２とケーブル２１
８とに取り付けられていることが好ましい。この方式で、トランスデューサ素子
１２４とケーブル２１８との間に電気接続が確立される。それからケーブル２１
８、好ましくは統合された同軸／ドライブ・ケーブルを使用して信号をトランス
デューサ素子１２４から、患者の身体外部に維持されている超音波画像電子装置
などの所望の電子装置へ伝送することができる。同様に、所望の電子装置はケー
ブル２１８を通じて、リード線１２８を通じて、そしてワッシャ１２２を通じて
尊号を伝送することができる。先に検討したように、ワッシャ１２２とトランス
デューサ素子１２４との間に正の電気接続が形成されて、これにより信号はトラ
ンスデューサ素子１２４に到達することができる。リード線１２８は統合された
同軸／ドライブ・ケーブルからの中心のワイヤ、すなわちリード線で構成しても
よい。このような実施形態では、同軸ケーブル・シールド（図５には示さず）が
ドライブ・ケーブル２１８の遠位端で終端している。同軸中心ワイヤまたは中心
リード線はリード線１２８からなるか、あるいはリード線１２８に取り付けられ
る。リード線１２８は前述のようにワッシャ１２２に取り付けられている。前述
のようにトランスデューサ素子１２４とハウジング１１０の間に、裏側電気接続
または負の接続または接地接続が確立される。例えば、第２の電極２２０を使用
してトランスデューサ素子１２４の空洞に面する側をハウジング１１０または同
軸ケーブル・シールド（図示せず）に接続することもできる。
８とに取り付けられていることが好ましい。この方式で、トランスデューサ素子
１２４とケーブル２１８との間に電気接続が確立される。それからケーブル２１
８、好ましくは統合された同軸／ドライブ・ケーブルを使用して信号をトランス
デューサ素子１２４から、患者の身体外部に維持されている超音波画像電子装置
などの所望の電子装置へ伝送することができる。同様に、所望の電子装置はケー
ブル２１８を通じて、リード線１２８を通じて、そしてワッシャ１２２を通じて
尊号を伝送することができる。先に検討したように、ワッシャ１２２とトランス
デューサ素子１２４との間に正の電気接続が形成されて、これにより信号はトラ
ンスデューサ素子１２４に到達することができる。リード線１２８は統合された
同軸／ドライブ・ケーブルからの中心のワイヤ、すなわちリード線で構成しても
よい。このような実施形態では、同軸ケーブル・シールド（図５には示さず）が
ドライブ・ケーブル２１８の遠位端で終端している。同軸中心ワイヤまたは中心
リード線はリード線１２８からなるか、あるいはリード線１２８に取り付けられ
る。リード線１２８は前述のようにワッシャ１２２に取り付けられている。前述
のようにトランスデューサ素子１２４とハウジング１１０の間に、裏側電気接続
または負の接続または接地接続が確立される。例えば、第２の電極２２０を使用
してトランスデューサ素子１２４の空洞に面する側をハウジング１１０または同
軸ケーブル・シールド（図示せず）に接続することもできる。
【００５６】 カテーテル・システム２００の操作は、カテーテル・システム２００を患者の
中に挿入すること、および患者の体内における所望の位置に撮像アセンブリ１０
０を位置付けることからなる。ドライブ・ケーブル２１８は回転させられ、した
がってトランスデューサ素子１２４を含む撮像アセンブリ１００が回転する。ト
ランスデューサ素子１２４は、ケーブル２１８を通じてトランスデューサ素子１
２４の中に伝送される電気信号または他の信号を使用して励起される。トランス
デューサ素子１２４は、撮像アセンブリ１００を囲む患者の組織の中に超音波信
号を伝播させる。超音波信号は患者の組織から反射して、トランスデューサ素子
１２４によって受信される。改善されたトランスデューサ接続装置を使用する本
発明は、リード線または電極をトランスデューサ素子１２４の表面に取り付ける
ことによって一般的に生ずる信号妨害を低減または排除する。反射した信号は、
ケーブル２１８を通じて、患者の組織の画像を作る超音波信号処理電子装置に伝
送される。
中に挿入すること、および患者の体内における所望の位置に撮像アセンブリ１０
０を位置付けることからなる。ドライブ・ケーブル２１８は回転させられ、した
がってトランスデューサ素子１２４を含む撮像アセンブリ１００が回転する。ト
ランスデューサ素子１２４は、ケーブル２１８を通じてトランスデューサ素子１
２４の中に伝送される電気信号または他の信号を使用して励起される。トランス
デューサ素子１２４は、撮像アセンブリ１００を囲む患者の組織の中に超音波信
号を伝播させる。超音波信号は患者の組織から反射して、トランスデューサ素子
１２４によって受信される。改善されたトランスデューサ接続装置を使用する本
発明は、リード線または電極をトランスデューサ素子１２４の表面に取り付ける
ことによって一般的に生ずる信号妨害を低減または排除する。反射した信号は、
ケーブル２１８を通じて、患者の組織の画像を作る超音波信号処理電子装置に伝
送される。
【００５７】 これまで本発明を詳細に説明した。しかし、いくらかの変更および改訂ができ
ることは理解されよう。したがって、本発明の範囲と内容は上記の説明に限定さ
れない。そうではなく、本発明の範囲と内容は添付の特許請求の範囲によって定
義されるものとする。
ることは理解されよう。したがって、本発明の範囲と内容は上記の説明に限定さ
れない。そうではなく、本発明の範囲と内容は添付の特許請求の範囲によって定
義されるものとする。
【図１Ａ】 本発明によるトランスデューサ接続装置の分解全体斜視図である。
【図１Ｂ】 本発明によるトランスデューサ接続装置の分解側面図である。
【図１Ｃ】 図１Ａ、１Ｂに示すトランスデューサ接続装置の断面図である。
【図２Ａ】〜
【図２Ｄ】 本発明による代替トランスデューサ接続装置の断面図である。
【図３Ａ】、
【図３Ｂ】 本発明による代替撮像アセンブリの側面図である。
【図４Ａ】、
【図４Ｂ】 本発明による代替撮像アセンブリの代替実施形態の側面図である。
【図５Ａ】、
【図５Ｂ】 本発明によるカテーテル・システムの部分断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スオーサ，ベイジョ・ティ アメリカ合衆国・94087・カリフォルニア 州・サニーベイル・ユーコン テラス・ 1372 Ｆターム(参考） 4C301 AA02 BB26 EE07 EE11 EE12 FF09 GA02 GA03 GB14 GB21 GB24 GB33 GB34 5D019 AA19 AA22 BB28 EE02 FF04 GG02 GG12
Claims (51)
- 【請求項１】 貫通する穴を有するワッシャ、 前記ワッシャ穴の内部に少なくとも部分的に配置されたトランスデューサ素子
、および 前記ワッシャと前記トランスデューサ素子との間に電気的接続が行われるよう
に、前記ワッシャと前記トランスデューサ素子とに取り付けられたマッチング層
から構成されるトランスデューサ接続装置。 - 【請求項２】 前記ワッシャに取り付けられたリード線をさらに含む請求項
１に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項３】 前記マッチング層が、前記トランスデューサ素子の音響イン
ピーダンスよりも低い音響インピーダンスを有する材料から構成される請求項１
に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項４】 前記マッチング層の少なくとも一部分が導電性材料から構成
される請求項１に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項５】 前記マッチング層が第１のマッチング層表面と第２のマッチ
ング層表面とを有して、これらの間に厚さを有し、前記第２のマッチング層表面
が前記ワッシャと前記トランスデューサ接続装置とに取り付けられている請求項
１に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項６】 前記第２のマッチング層が導電性材料から構成される請求項
５に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項７】 前記第２のマッチング層表面が導電性接着材料で前記ワッシ
ャに取り付けられている請求項５に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項８】 前記第２のマッチング層表面が非導電性接着材料で前記ワッ
シャに取り付けられている請求項６に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項９】 前記第２のマッチング層表面が導電性接着材料で前記ワッシ
ャに取り付けられている請求項６に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項１０】 前記ワッシャがフレキシブル回路から構成されている請求
項１に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項１１】 前記ワッシャが少なくとも１つの電極を有するポリイミド
から構成されている請求項１に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項１２】 前記ワッシャの少なくとも一部分が導電性材料から構成さ
れている請求項１に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項１３】 前記ワッシャが第１のワッシャ表面、第２のワッシャ表面
、外径、および内径を有し、前記ワッシャの外径がマッチング層の直径よりも大
きい請求項１に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項１４】 前記ワッシャが第１のワッシャ表面、第２のワッシャ表面
、外側長軸、および内側長軸を有し、前記ワッシャの外側長軸がマッチング層の
長軸よりも大きい請求項１に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項１５】 前記第１のワッシャ表面が導電性材料から構成され、かつ
前記マッチング層に取り付けられている請求項１に記載のトランスデューサ接続
装置。 - 【請求項１６】 前記第１のワッシャ表面に取り付けられたリード線をさら
に含む請求項１５に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項１７】 前記トランスデューサ素子が前記ワッシャの内側縁部と連
絡するように、前記トランスデューサ素子が前記ワッシャ穴の内部に配置されて
いる請求項１に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項１８】 前記トランスデューサ素子と前記ワッシャの内側縁部との
間に隙間が形成されるように、前記トランスデューサ素子が前記ワッシャ穴の内
部に配置されている請求項１に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項１９】 前記トランスデューサ素子、前記ワッシャ、および前記マ
ッチング層が、すべて概してディスク形状である請求項１に記載のトランスデュ
ーサ接続装置。 - 【請求項２０】 前記マッチング層と前記トランスデューサ素子がそれぞれ
直径を有し、前記マッチング層の直径が前記トランスデューサ素子の直径より大
きい請求項１に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項２１】 前記マッチング層と前記トランスデューサ素子がそれぞれ
長軸を有し、前記マッチング層の長軸が前記トランスデューサ素子の長軸より大
きい請求項１に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項２２】 前記ワッシャと前記トランスデューサ素子がそれぞれ厚さ
を有し、前記トランスデューサ素子が完全に前記ワッシャ穴の内部に配置される
ように、前記ワッシャの厚さが前記トランスデューサ素子の厚さより大きい請求
項１に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項２３】 貫通する穴を有するワッシャ、 前記ワッシャ穴の内部に少なくとも部分的に配置されたトランスデューサ素子
、 前記トランスデューサ素子に取り付けられた付着層、および 前記ワッシャと前記トランスデューサ素子との間に電気的接続が形成されるよ
うに、前記ワッシャと前記付着層とに取り付けられたマッチング層 から構成されるトランスデューサ接続装置。 - 【請求項２４】 前記ワッシャ穴の内部に少なくとも部分的に配置された前
記付着層をさらに含む請求項２３に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項２５】 前記付着層が、前記トランスデューサ素子と前記ワッシャ
とを前記マッチング層に付着するために、接着性の導電性材料から構成される請
求項２３に記載のトランスデューサ接続装置。 - 【請求項２６】 前記付着層が、前記トランスデューサ素子と前記ワッシャ
とを前記マッチング層に付着するために、接着性の非導電性材料から構成され、
前記付着層がさらに前記付着層の内部に電極を含み、前記電極が前記トランスデ
ューサ素子と前記ワッシャとに取り付けられている請求項２３に記載のトランス
デューサ接続装置。 - 【請求項２７】 遠位端、近位端、および縦軸を有するハウジング、および 前記ハウジングに取り付けられたトランスデューサ接続装置 を含む撮像アセンブリであって、前記接続装置が、 貫通する穴を有するワッシャ、 前記ワッシャ穴の内部に少なくとも部分的に配置されたトランスデューサ素子
、および 前記ワッシャと前記トランスデューサ素子との間に電気的接続が行われるよう
に、前記ワッシャと前記付着層とに取り付けられたマッチング層 から構成される撮像アセンブリ。 - 【請求項２８】 前記ワッシャに取り付けられたリード線をさらに含む請求
項２７に記載の撮像アセンブリ。 - 【請求項２９】 前記ハウジングと前記リード線がケーブルに取り付けられ
るている請求項２８に記載の撮像アセンブリ。 - 【請求項３０】 前記ハウジングと前記リード線が統合された同軸／ドライ
ブ・ケーブルに取り付けられるようになされている請求項２８に記載の撮像アセ
ンブリ。 - 【請求項３１】 前記ハウジングの一部分が平坦な表面を形成し、この表面
に前記接続装置が取り付けられている請求項２７に記載の撮像アセンブリ。 - 【請求項３２】 前記表面が前記ハウジングの縦軸に平行に位置付けられて
いる請求項３１に記載の撮像アセンブリ。 - 【請求項３３】 前記表面が前記ハウジングの縦軸に対して所望の角度をな
すように位置付けられている請求項３１に記載の撮像アセンブリ。 - 【請求項３４】 前記所望の角度が約−６０度と約＋６０度の間にある請求
項３３に記載の撮像アセンブリ。 - 【請求項３５】 前記ハウジングが貫通穴と共に形成され、前記ワッシャが
前記表面に取り付けられて前記貫通穴の第１の開口部を部分的に覆う請求項３１
に記載の撮像アセンブリ。 - 【請求項３６】 前記貫通穴の内部に裏当て材をさらに含む請求項３５に記
載の撮像アセンブリ。 - 【請求項３７】 前記裏当て材が減音材料から構成されている請求項３６に
記載の撮像アセンブリ。 - 【請求項３８】 前記裏当て材が導電性材料から構成され、前記トランスデ
ューサ素子が前記裏当て材と電気的に連絡している請求項３６に記載の撮像アセ
ンブリ。 - 【請求項３９】 前記裏当て材が非導電性材料から構成され、前記トランス
デューサ素子と前記ハウジングとに取り付けられた電極をさらに含む請求項３６
に記載の撮像アセンブリ。 - 【請求項４０】 前記ハウジングが、空気を充填した空洞を作るために前記
貫通穴の第２の開口部を囲むキャップをさらに含む請求項３５に記載の撮像アセ
ンブリ。 - 【請求項４１】 前記トランスデューサ素子が前記ハウジングと電気的に連
絡している請求項２７に記載の撮像アセンブリ。 - 【請求項４２】 前記トランスデューサ素子が完全に前記ワッシャ穴の内部
に配置されている請求項２７に記載の撮像アセンブリ。 - 【請求項４３】 前記トランスデューサ素子と前記ワッシャに取り付けられ
て、前記トランスデューサ素子と前記ワッシャの間に第２の電気接続を与える請
求項２７に記載の撮像アセンブリ。 - 【請求項４４】 遠位端、近位端、および縦軸を有し、空気を充填した空洞
と共に形成されたハウジング、および 前記ハウジングに取り付けられて、前記空洞の開口部を少なくとも部分的に覆
うトランスデューサ接続装置 を含む撮像アセンブリであって、前記接続装置が、 貫通する穴を有するワッシャ、 前記ワッシャ穴の内部に少なくとも部分的に配置されたトランスデューサ素子
、および 前記ワッシャと前記トランスデューサ素子との間に電気的接続が行われるよう
に、前記ワッシャと前記トランスデューサ素子とに取り付けられた第１のマッチ
ング層 から構成される撮像アセンブリ。 - 【請求項４５】 前記トランスデューサ素子が前記ハウジングと電気的に連
絡している請求項４４に記載の撮像アセンブリ。 - 【請求項４６】 前記トランスデューサ素子と前記第１のマッチング層の間
に取り付けられた第２のマッチング層をさらに含む請求項４４に記載の撮像アセ
ンブリ。 - 【請求項４７】 遠位端、近位端、作業内空を有するカテーテル本体、 前記作業内空の内部に配置されたケーブル、および 前記ケーブルの遠位端に取り付けられた撮像アセンブリ を含むカテーテル・システムであって、前記撮像アセンブリが、 ハウジング、および 前記ハウジングに取り付けられたトランスデューサ接続装置 を含み、前記トランスデューサ接続装置が、 貫通する穴を有するワッシャ、 前記ワッシャ穴の内部に少なくとも部分的に配置されたトランスデューサ素子
、および 前記ワッシャに取り付けられたマッチング層 から構成され、 前記トランスデューサ素子が前記ハウジングと前記ケーブルの両方と電気的に
連絡している カテーテル・システム。 - 【請求項４８】 前記ケーブルが統合された同軸／ドライブ・ケーブルから
構成される請求項４７に記載のカテーテル・システム。 - 【請求項４９】 遠位端、近位端、作業内空を有するカテーテル本体、 前記作業内空の内部に配置されたドライブ・ケーブルと伝送線、 遠位端、前記ドライブ・ケーブルに取り付けられた近位端、縦軸、および前記
ハウジングに取り付けられたトランスデューサ接続装置を有するハウジング を有し、前記接続装置が 貫通する穴を有するワッシャ、 前記ワッシャ穴の内部に少なくとも部分的に配置されたトランスデューサ素子
、および 前記ワッシャと前記トランスデューサ素子との間に電気接続が確立されるよう
に、前記ワッシャに取り付けられて、前記トランスデューサ素子と電気的に連絡
するようになされているマッチング層 から構成される、 カテーテル・システムを設けるステップ、 前記カテーテルを身体内腔の中に挿入するステップ、 前記トランスデューサ素子を付勢するステップ、 反射した信号を捕らえるステップ、および 前記反射した信号に基づいて前記身体内腔の画像を作り出すステップ からなる、身体内腔を撮像する方法。 - 【請求項５０】 凹部を有する基板と、基板の上に実装されて少なくとも部
分的に凹部の中に配置されたトランスデューサとを含み、基板とトランスデュー
サが電気的に接触しているトランスデューサ接続装置。 - 【請求項５１】 基板が、平面的な表面を有する第１の部材と開口を有する
第２の部材からなり、開口が凹部を形成するように、第２の部材が第１の部材の
平面的な表面に取り付けられている請求項５０に記載のトランスデューサ接続装
置。
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