JP2002518924A - 発振器回路 - Google Patents
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
- H03B5/187—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1876—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
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- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/02—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S13/00
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- G01S7/032—Constructional details for solid-state radar subsystems
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode
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- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
Description
ューナブル(tunable)マイクロ波発振器および動作検出器(motion detector)
に関する。
る変化に従って変化する容量を有する逆方向バイアスバラクタを利用できる。バ
ラクタ容量の変化を生じさせるために、したがってバラクタを実用的な周波数同
調デバイスとして利用するためには、大強度の変調信号が必要である。一般に、
約10GHzの発振周波数において、印加逆方向変調電圧が30V変化すると、
そのようなバラクタを利用するチューナブルマイクロ波発振器は、それに応じて
発振周波数が約20MHz変化する。チューナブルマイクロ波バラクタ発振器の
周波数を変化させることができる周波数範囲は、変調電圧を変化させる範囲にわ
たるバラクタの容量変化の程度によって一部左右される。バラクタ発振器はAr
tech House発行の「Dielectric Resonators」
およびGB2307355Aに図示され説明されている。周波数変調の程度と印
加変調信号の間の関係は、バラクタについて最大3%の狭いパーセンテージ幅に
わたってのみ直線的である。さらに、バラクタ発振器が発振を確立し維持するの
に十分なQを実現するためには、比較的大きい逆方向バイアス電圧が必要である
。代表的なバイアス電圧は20Vから30Vの程度である。これらの電圧では、
利用可能な同調範囲は非常に限定される。上記のことから、バラクタの使用は低
雑音発振器にとって望ましくない。
ーナブルマイクロ波発振器に関連する問題の一部を少なくとも軽減することにあ
る。
振回路とを備えた発振器回路であって、第2の共振回路は、誘電体エレメントと
、第1の発振周波数を生じさせるように動作可能な励起手段とを備え、第1の共
振回路は、誘電体エレメントと、印加信号に応答して、共振周波数を変化させ、
それにより第1の共振器回路の発振周波数を変化させるように動作可能な順方向
バイアス二端子デバイスを含む励起手段とを備えた発振器回路を提供する。
態が提供されることが有利である。二端子デバイスがショットキーデバイス、例
えばショットキーダイオードである実施形態が提供されることが好適である。
比較的小さい変化に応答して、周波数に比較的大きい変化が生じる。さらに、シ
ョットキーベースの発振器を動作させるために必要な電圧は、バラクタベースの
発振器を動作させるために必要な電圧よりもかなり小さい。
を有しており、励起手段は、結合点が誘電体エレメントからほぼ一定の距離にあ
るように構成されている発振器回路を提供することが好ましい。
励起手段が誘電体エレメントの弓形プロファイルにほぼ追従するように構成され
ている発振器回路を提供する。
とが好ましい。
いて説明する。
く知られている。例えば、マイクロ波侵入者検出デバイスでは、ドップラーIF
出力と一緒に、所要の周波数の出力または送信信号と、入力または受信信号とを
供給するように構成された、キャビティ内に取り付けられた、誘電体共振器発振
器およびダイオードミキサを設けることが知られている。
調波を阻止するように構成されたフィルタ104に接続された出力周波数f0を
生じさせる発振器102を有するマイクロ波回路100が概略的に示されている
。フィルタ104からの出力は電力分割器106に供給され、送信信号および局
部発振器信号を生じさせる。送信アンテナ108は送信信号を放射するために使
用される。局部発振器信号110はミキサ112に供給される。ミキサ112は
、反射された信号を受信するように構成された受信アンテナ114からの入力を
有する。当技術分野においてよく理解されているように、受信信号が移動する物
体から反射された場合、それは送信信号のドップラーシフトバージョンとなる。
ミキサ112は局部発振器信号を、受信アンテナ114によって受信された受信
信号と結合する。ミキサ112からの出力116は、移動する物(図示せず)か
らの周波数f0の送信信号の反射によって生じたドップラー周波数を含む。出力
116においてドップラー信号が存在するか存在しないかにより、移動する物体
が検出されているか否かが決定される。
202とを備えた発振器102を有する動作検出器回路の従来技術の実施形態が
概略的に示されている。図2に示される発振器102の第1の共振回路201の
構成は、誘電体共振器208の動作周波数の近傍で共振するように構成されたマ
イクロストリップライン206にバラクタ204が結合されたものである。
さらなるマイクロストリップライン210と、電界効果トランジスタ214のド
レインに接続されたマイクロストリップライン211とに使用時に電磁的に結合
されて、発振器のフィードバックループの一部を形成する誘電体共振器208を
備える。FET214は、FET214に正確にマッチするように構成された種
々のインピーダンスを利用する。
って、共振回路201の共振周波数を同調させて、共振回路202の発振周波数
に変化を生じさせることができる。
得られる周波数制御は大きくなることが当業者なら理解できよう。この周波数制
御の増大は発振器Qファクタの減少という犠牲を伴う。
路が概略的に示されている。発振器300は相互に結合された第1の共振回路3
01と第2の共振回路302を備える。
3と、抵抗器307を介してマイクロストリップライン316の他端に印加され
る変調電圧322V(t)とを有する前記マイクロストリップラインから構成さ
れる。同調ライン316は、使用時に誘電体共振器308と同調ライン316が
相互に電磁的に結合されるように、誘電体共振器308に隣接して位置している
。
ョットキーダイオード303の接合容量を変化させることによって行われる。容
量が変化すると同調ライン316の有効長さが変化し、それにより同調ライン3
16の共振周波数が変更される。第1の共振同調回路301は誘電体共振器30
8を介して第2の共振同調回路302に相互に結合されるので、発振器300の
発振周波数も変調電圧322の変化に従って変化する。
iemensから販売されているBAT15−03Wが好ましい。そのような動
作条件下では、容量の変化は下記の表1に示すようなものになる。
が理解できよう。
で接続された)ショットキーダイオード303が印加される。一般に、発振器3
00の周波数は、+5Vの印加同調電圧322で10.525GHzの公称周波
数から−12MHzだけシフトされる。周波数シフトは、誘電体共振器308へ
の結合を変更することによって変化させることができる。
クタ同調発振器では、20MHzの周波数シフトを生じさせるために変調電圧を
最高30V変化させる必要がある。
逆方向バイアスで動作する図2のバラクタ204とは対照的である。小さい順方
向電圧におけるショットキーダイオード303の接合容量のより高度の変化が利
用され、その結果、同調ライン316の有効長さの比較的大きい変化、したがっ
て発振器300の大きい周波数シフトが生じる。したがって、完全チューナブル
発振器300は、従来のバラクタ同調発振器102において使用される電圧と比
較してかなり小さい大きさの電圧で動作することができる。したがって、構成要
素および回路のコストがかなり削減されることになる。
限定されない。いくつかのダイオードまたはダイオードの対を同様にうまく利用
して、本発明の一実施形態を実現することもできることが当業者なら理解できよ
う。さらに、マイクロストリップラインがまっすぐではなく弓形であるいくつか
の実施形態も実現することができる。なお、さらに、以下参照の図3に示されて
いる回路エレメントの位置は固定されておらず、本発明の範囲から逸脱すること
なく好適に再配置することができることが理解できよう。また、本発明を使用し
て実現することができる多数の他の可能な発振器トポロジがあることが当業者な
ら理解できよう。
担持するアンテナ回路ボード400を示す。送信アンテナアレイは、相互接続さ
れかつ共通の供給ライン418に接続された2つのマイクロストリップパッチエ
レメント406および408を備える。受信アンテナアレイも、相互接続されか
つ共通の供給ライン416に接続された2つのマイクロストリップパッチエレメ
ント402および404を含んでいる。適切なハウジング(図示せず)へのまた
はその上でのアンテナボード400の位置決めを助けるための種々の2.2mm
穴Bが設けられている。ハウジング(図示せず)にまたはその中にアンテナボー
ド400を固定するための4つの3mm穴A1およびA2が設けられている。す
べての実施形態はミリメートルで示されている。
600をそれぞれ示す。図7は、構成要素がその上に取り付けられているマイク
ロ波ボード600の構成要素側を示す。発振器回路700は波線で囲まれている
。この発振器回路は電磁的に結合可能な第1の共振回路301と第2の共振回路
302を備える。第1の共振回路は、接続タブ702と、1Kオーム抵抗器30
7と、順方向バイアスショットキーダイオード303と、誘電体共振器308に
電磁的に結合可能な同調ライン316とを含む、変調電圧V(t)を受け取るた
めの手段を備える。
してFHX35LPTトランジスタ314のゲートおよびドレインに結合された
誘電体共振器308を備える。電力は39オーム抵抗器704を介してトランジ
スタ314に供給される。
部分708および受信部分710に供給される。送信部分708は送信アンテナ
に結合するためのマイクロストリップライン612を備える。同様に、受信部分
710はマイクロストリップライン610を介して送信信号の反射バージョンを
受信する。マイクロ波ボード600およびアンテナ回路ボード400は介在する
接地平面とともに背中合わせに取り付けられている。ボードのアラインメントは
、送信アレイ供給ライン418がマイクロ波ボード上の関連する供給ライン61
2の上にくるようなアラインメントである。同様に、アンテナボード上の受信ア
レイ供給ライン416はマイクロ波ボード上の関連する供給ライン610の上に
くる。マイクロ波回路ボードとアンテナボードの間の結合は、マイクロ波ボード
の接地平面内に2つの狭いスロット502および504を設けることによって行
われる。反射信号、および発振器回路からの出力は、ミキサダイオード712、
例えばBAT15−099を使用して結合されて、接続タブ608を介して出力
されるIF信号を生じさせる。
本明細書とともに公共閲覧が許されるすべての論文および文献に向けられ、また
、すべてのそのような論文および文献の内容は参照により本発明の一部となる。
特徴のすべて、および/またはそのように開示された如何なる方法またはプロセ
スのステップのすべては、そのような特徴および/またはステップの少なくとも
一部が相互に排他的である組合せを除いて、如何なる組合せでも組み合わせるこ
とができる。
各特徴は、別段に明記されていない限り、同じ、均等のまたは同様の目的に適う
代替特徴によって交換することができる。したがって、別段に明記されていない
限り、開示された各特徴は同等のまたは同様の特徴の包括的系列の一例にすぎな
い。
許請求の範囲、要約書および図面をも含む)本明細書に開示された特徴の如何な
る新規の特徴または如何なる組合せにも、あるいはそのように開示された如何な
る方法またはプロセスのステップの如何なる新規の特徴または如何なる組合せに
も及ぶ。
アンテナ結合スロットを有する接地平面を示す図である。
トリップ回路を示す図である。
を示す図である。
ューナブル(tunable)マイクロ波発振器および動作検出器(motion detector)
に関する。
る変化に従って変化する容量を有する逆方向バイアスバラクタを利用できる。バ
ラクタ容量の変化を生じさせるために、したがってバラクタを実用的な周波数同
調デバイスとして利用するためには、大強度の変調信号が必要である。一般に、
約10GHzの発振周波数において、印加逆方向変調電圧が30V変化すると、
そのようなバラクタを利用するチューナブルマイクロ波発振器は、それに応じて
発振周波数が約20MHz変化する。チューナブルマイクロ波バラクタ発振器の
周波数を変化させることができる周波数範囲は、変調電圧を変化させる範囲にわ
たるバラクタの容量変化の程度によって一部左右される。バラクタ発振器はAr
tech House発行の「Dielectric Resonators」
およびGB2307355Aに図示され説明されている。周波数変調の程度と印
加変調信号の間の関係は、バラクタについて最大3%の狭いパーセンテージ幅に
わたってのみ直線的である。さらに、バラクタ発振器が発振を確立し維持するの
に十分なQを実現するためには、比較的大きい逆方向バイアス電圧が必要である
。代表的なバイアス電圧は20Vから30Vの程度である。これらの電圧では、
利用可能な同調範囲は非常に限定される。上記のことから、バラクタの使用は低
雑音発振器にとって望ましくない。
ーナブルマイクロ波発振器に関連する問題の一部を少なくとも軽減することにあ
る。
振回路とを備えた発振器回路であって、第2の共振回路は、誘電体エレメントと
、第1の発振周波数を生じさせるように動作可能な励起手段とを備え、第1の共
振回路は、誘電体エレメントと、印加信号に応答して、共振周波数を変化させ、
それにより第1の共振器回路の発振周波数を変化させるように動作可能な順方向
バイアス二端子デバイスを含む励起手段とを備えた発振器回路を提供する。
比較的小さい変化に応答して、周波数に比較的大きい変化が生じる。さらに、シ
ョットキーベースの発振器を動作させるために必要な電圧は、バラクタベースの
発振器を動作させるために必要な電圧よりもかなり小さい。
を有しており、励起手段は、結合点が誘電体エレメントからほぼ一定の距離にあ
るように構成されている発振器回路を提供することが好ましい。
励起手段が誘電体エレメントの弓形プロファイルにほぼ追従するように構成され
ている発振器回路を提供する。
とが好ましい。
いて説明する。
く知られている。例えば、マイクロ波侵入者検出デバイスでは、ドップラーIF
出力と一緒に、所要の周波数の出力または送信信号と、入力または受信信号とを
供給するように構成された、キャビティ内に取り付けられた、誘電体共振器発振
器およびダイオードミキサを設けることが知られている。
調波を阻止するように構成されたフィルタ104に接続された出力周波数f0を
生じさせる発振器102を有するマイクロ波回路100が概略的に示されている
。フィルタ104からの出力は電力分割器106に供給され、送信信号および局
部発振器信号を生じさせる。送信アンテナ108は送信信号を放射するために使
用される。局部発振器信号110はミキサ112に供給される。ミキサ112は
、反射された信号を受信するように構成された受信アンテナ114からの入力を
有する。当技術分野においてよく理解されているように、受信信号が移動する物
体から反射された場合、それは送信信号のドップラーシフトバージョンとなる。
ミキサ112は局部発振器信号を、受信アンテナ114によって受信された受信
信号と結合する。ミキサ112からの出力116は、移動する物(図示せず)か
らの周波数f0の送信信号の反射によって生じたドップラー周波数を含む。出力
116においてドップラー信号が存在するか存在しないかにより、移動する物体
が検出されているか否かが決定される。
202とを備えた発振器102を有する動作検出器回路の従来技術の実施形態が
概略的に示されている。図2に示される発振器102の第1の共振回路201の
構成は、誘電体共振器208の動作周波数の近傍で共振するように構成されたマ
イクロストリップライン206にバラクタ204が結合されたものである。
さらなるマイクロストリップライン210と、電界効果トランジスタ214のド
レインに接続されたマイクロストリップライン211とに使用時に電磁的に結合
されて、発振器のフィードバックループの一部を形成する誘電体共振器208を
備える。FET214は、FET214に正確にマッチするように構成された種
々のインピーダンスを利用する。
って、共振回路201の共振周波数を同調させて、共振回路202の発振周波数
に変化を生じさせることができる。
得られる周波数制御は大きくなることが当業者なら理解できよう。この周波数制
御の増大は発振器Qファクタの減少という犠牲を伴う。
路が概略的に示されている。発振器300は相互に結合された第1の共振回路3
01と第2の共振回路302を備える。
3と、抵抗器307を介してマイクロストリップライン316の他端に印加され
る変調電圧322V(t)とを有する前記マイクロストリップラインから構成さ
れる。同調ライン316は、使用時に誘電体共振器308と同調ライン316が
相互に電磁的に結合されるように、誘電体共振器308に隣接して位置している
。
ョットキーダイオード303の接合容量を変化させることによって行われる。容
量が変化すると同調ライン316の有効長さが変化し、それにより同調ライン3
16の共振周波数が変更される。第1の共振同調回路301は誘電体共振器30
8を介して第2の共振同調回路302に相互に結合されるので、発振器300の
発振周波数も変調電圧322の変化に従って変化する。
iemensから販売されているBAT15−03Wが好ましい。そのような動
作条件下では、容量の変化は下記の表1に示すようなものになる。
が理解できよう。
で接続された)ショットキーダイオード303が印加される。一般に、発振器3
00の周波数は、+5Vの印加同調電圧322で10.525GHzの公称周波
数から−12MHzだけシフトされる。周波数シフトは、誘電体共振器308へ
の結合を変更することによって変化させることができる。
クタ同調発振器では、20MHzの周波数シフトを生じさせるために変調電圧を
最高30V変化させる必要がある。
逆方向バイアスで動作する図2のバラクタ204とは対照的である。小さい順方
向電圧におけるショットキーダイオード303の接合容量のより高度の変化が利
用され、その結果、同調ライン316の有効長さの比較的大きい変化、したがっ
て発振器300の大きい周波数シフトが生じる。したがって、完全チューナブル
発振器300は、従来のバラクタ同調発振器102において使用される電圧と比
較してかなり小さい大きさの電圧で動作することができる。したがって、構成要
素および回路のコストがかなり削減されることになる。
限定されない。いくつかのダイオードまたはダイオードの対を同様にうまく利用
して、本発明の一実施形態を実現することもできることが当業者なら理解できよ
う。さらに、マイクロストリップラインがまっすぐではなく弓形であるいくつか
の実施形態も実現することができる。なお、さらに、以下参照の図3に示されて
いる回路エレメントの位置は固定されておらず、本発明の範囲から逸脱すること
なく好適に再配置することができることが理解できよう。また、本発明を使用し
て実現することができる多数の他の可能な発振器トポロジがあることが当業者な
ら理解できよう。
担持するアンテナ回路ボード400を示す。送信アンテナアレイは、相互接続さ
れかつ共通の供給ライン418に接続された2つのマイクロストリップパッチエ
レメント406および408を備える。受信アンテナアレイも、相互接続されか
つ共通の供給ライン416に接続された2つのマイクロストリップパッチエレメ
ント402および404を含んでいる。適切なハウジング(図示せず)へのまた
はその上でのアンテナボード400の位置決めを助けるための種々の2.2mm
穴Bが設けられている。ハウジング(図示せず)にまたはその中にアンテナボー
ド400を固定するための4つの3mm穴A1およびA2が設けられている。す
べての実施形態はミリメートルで示されている。
600をそれぞれ示す。図7は、構成要素がその上に取り付けられているマイク
ロ波ボード600の構成要素側を示す。発振器回路700は波線で囲まれている
。この発振器回路は電磁的に結合可能な第1の共振回路301と第2の共振回路
302を備える。第1の共振回路は、接続タブ702と、1Kオーム抵抗器30
7と、順方向バイアスショットキーダイオード303と、誘電体共振器308に
電磁的に結合可能な同調ライン316とを含む、変調電圧V(t)を受け取るた
めの手段を備える。
してFHX35LPTトランジスタ314のゲートおよびドレインに結合された
誘電体共振器308を備える。電力は39オーム抵抗器704を介してトランジ
スタ314に供給される。
部分708および受信部分710に供給される。送信部分708は送信アンテナ
に結合するためのマイクロストリップライン612を備える。同様に、受信部分
710はマイクロストリップライン610を介して送信信号の反射バージョンを
受信する。マイクロ波ボード600およびアンテナ回路ボード400は介在する
接地平面とともに背中合わせに取り付けられている。ボードのアラインメントは
、送信アレイ供給ライン418がマイクロ波ボード上の関連する供給ライン61
2の上にくるようなアラインメントである。同様に、アンテナボード上の受信ア
レイ供給ライン416はマイクロ波ボード上の関連する供給ライン610の上に
くる。マイクロ波回路ボードとアンテナボードの間の結合は、マイクロ波ボード
の接地平面内に2つの狭いスロット502および504を設けることによって行
われる。反射信号、および発振器回路からの出力は、ミキサダイオード712、
例えばBAT15−099を使用して結合されて、接続タブ608を介して出力
されるIF信号を生じさせる。
ナ結合スロットを有する接地平面を示す図である。
トリップ回路を示す図である。
を示す図である。
nator Oscillator Using Three−Termina
l MESFET Varactor」、Electronic Letter
s、Vol 30、no.16、4 August 1994、page 13
20/1321、XP000468811 ISSN:0013−5194には
、誘電体共振器に電磁的に結合され、それにより相互に結合された一対の共振器
回路を形成する共振器回路を有する電圧制御誘電体共振器発振器が開示されてい
る。MESFETバラクタ容量をバイアス電圧で変化させることによって、誘電
体共振器の共振周波数を同調させることができる。 本発明の目的は、動作検出器において使用することが好ましい従来技術のチュ
ーナブルマイクロ波発振器に関連する問題の一部を少なくとも緩和することであ
る。
振回路とを備えた発振器回路であって、第2の共振回路は、誘電体エレメントと
、第1の発振周波数を生じさせるように動作可能な励起手段とを備え、第1の共
振回路は、誘電体エレメントと、印加信号に応答して、第1の共振回路の共振周
波数を変化させ、それにより発振器回路の第1の発振周波数を変化させるように
順方向バイアスモードで動作可能なショットキーダイオードを含む励起手段とを
備えた発振器回路を提供する。
Claims (11)
- 【請求項1】 相互に電磁的に結合可能な第1の共振回路(301)と第2
の共振回路(302)とを備えた発振器回路(300)であって、前記第2の回
路(302)は、誘電体エレメント(308)と、第1の発振周波数を生じさせ
るように動作可能な励起手段(310、314、311)とを備え、前記第1の
回路(301)は、誘電体エレメント(308)と、印加信号(322)に応答
して、前記第1の共振回路(301)の共振周波数を変化させ、それにより発振
器回路(300)の発振周波数を変化させるように動作可能な二端子ショットキ
ーデバイス(303)を含む励起手段(316、303、307)とを備えたこ
とを特徴とする発振器回路(300)。 - 【請求項2】 前記二端子ショットキーデバイス(303)は順方向バイア
スモードで動作可能であることを特徴とする請求項1に記載の回路。 - 【請求項3】 前記ショットキーデバイスはショットキーダイオード(30
3)であることを特徴とする請求項2に記載の回路。 - 【請求項4】 前記共振モードは励起手段(310、311)上に関連する
結合点を有し、および前記励起手段(310、311)は、前記結合点が誘電体
エレメント308からほぼ一定の距離にあるように構成されていることを特徴と
する先行するいずれかの請求項に記載の回路。 - 【請求項5】 前記誘電体エレメント308は弓形プロファイルを備え、お
よび前記励起手段は誘電体エレメント308の弓形プロファイルに実質的に追従
するように構成されていることを特徴とする請求項4に記載の回路。 - 【請求項6】 前記励起手段(310、311、316)は励起マイクロス
トリップラインを備えたことを特徴とする先行するいずれかの請求項に記載の回
路。 - 【請求項7】 実質上、図3から図7に関連して説明されており、および/
またはそれに図示されていることを特徴とする発振器回路。 - 【請求項8】 先行するいずれかの請求項に記載の発振器回路を含んでいる
ことを特徴とする動作検出デバイス。 - 【請求項9】 実質上、図3から図7に関連して説明されており、および/
またはそれに図示されていることを特徴とする動作検出デバイス。 - 【請求項10】 請求項1から7のいずれかに記載の発振器を含んでいるマ
イクロ波送信/受信アセンブリ。 - 【請求項11】 実質上、図3から図7のいずれかまたはすべてに関連して
説明されており、および/またはそれによって図示されているマイクロ波送信/
受信アセンブリ。
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